Термомеханическое поведение хрупких диэлектриков при воздействии лазерного излучения, сфокусированного в кольцо тема автореферата и диссертации по механике, 01.02.04 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Лазерная обработка диэлектриков

Краткий аналитический обзор литературных данных).

1.1. Параметры лазерного излучения, влияющие на обработку.

1.2. Процесс поглощения лазерного излучения диэлектриками.

Влияние свойств материала и состояния поверхности

1.3. Теплофизические процессы в зоне воздействия лазерного излучения на диэлектрики.

1.4. Термоупругие напряжения в зоне воздействия лазерного излучения на диэлектрики.

1.5. Технологические особенности лазерной обработки диэлектриков

1.6. Лазерное технологическое оборудование для обработки диэлектриков.

Глава 2. Температурные поля и напряжения в пластинах хрупких диэлектриков при воздействии лазерного излучения . 62.

2.1. Температурное поле в диэлектрической пластине при воздействии лазерного излучения, сфокусированного в кольцо

2.2. Термонапряженное состояние диэлектрической пластины при ее разделении лазерным излучением, сфокусированным в кольцо

2.3. Особенности влияния теплообмена при воздействии лазерного излучения, сфокусированного в кольцо, на пластину хрупкого диэлектрика, находящегося в растворе электролита.

Глава 3. Экспериментальные исследования.

Методика и оборудование.

Глава 4. Физические особенности воздействия сфокусированного лазерного излучения на хрупкие диэлектрики.

4Л . Кинетические закономерности развития отверстия

4.2. Интегральные закономерности процесса кольцевой лазерной прошивки отверстий

4.3. Структурные изменения материала при лазерной обработке хрупких диэлектриков

4.4. Лазерная прошивка отверстий в хрупких диэлектриках с одновременной химической металлизацией их стенок.

4.5. Точность и воспроизводимость результатов лазерной прошивки отверстий. Комплексный индекс оптимизации

ВЫВОДЫ.

Актуальность проблемы. В настоящее время наряду с традиционными методами электрофизической и электрохимической обработки материалов все более широкое применение находит лазерная обработка, характеризуемая высокими и сверхвысокими интенсивностями светолучевого потока, точной фокусировкой и локальностью, широким диапазоном длительности импульсного воздействия. Хрупкие диэлектрики, к которым относится, в частности, высокоглиноземистая вакуумно-плотная керамика, являются основным конструкционным материалом современных электронных приборов. Повышение степени миниатюризации и интеграции приборов делает лазерную обработку единственным бесконтактным методом эффективного формирования отверстий, пазов, полостей и подобных элементов в керамических деталях. Перенос теоретических моделей и технологических приемов лазерной обработки металлов на керамику не является правомерным из-за различного влияния физических характеристик материала на процесс разрушения его при лазерной обработке: наличие поглощения излучения в объеме материала, возможность его хрупкого разрушения из-за своеобразия термоупругого поведения керамики. К тому же, в материале после окончания действия излучения могут сохраняться высокотемпературные структурные модификации, связанные с физическими особенностями процесса взаимодействия с керамикой.

Перечисленные особенности оказывают влияние на точность и воспроизводимость лазерной обработки и надежность и долговечность приборов. Поэтому при проектировании и использовании лазерных технологических процессов и оборудования особое значение приобрели исследования физических, тепловых и термоупругопластических процессов, происходящих при воздействии лазерного излучения на хрупкие диэлектрики, возможности оптимизации этих процессов с применением специальной оптики и технологических приемов, основанных на изучении полиморфных и химических превращений, со6 провождающих лазерную обработку как в свободном пространстве, так и в активных химических средах.

Возникающие при лазерном воздействии неравномерные нестационарные температурные поля приводят к появлению температурных напряжений, которые при некоторых режимах обработки могут вызвать нежелательное разрушение хрупких диэлектриков не только в зоне действия излучения, но и за ее пределами. Исследованию температурных полей и напряжений при воздействии лазерного излучения, сфокусированного в пятно, посвящено большое количество работ, например, таких авторов, как Белостоцкий Б.Р., Даниловский Б.И., Коляно Ю.М., Коренев Б.Г., Кулик A.M., Рыкалин H.H., Углов A.A., Чебо-таревский Ю.В. Воздействие же лазерного излучения, сфокусированного в кольцо, с точки зрения нагрева материала вне зоны фокусировки практически не рассматривалось.

Существует также ряд работ, тем или иным образом касающихся изучаемых вопросов. Однако анализ задачи в ее комплексной постановке показал, что на сегодняшний день:

- недостаточно полно исследованы физические процессы, происходящие в зоне воздействия лазерного излучения на хрупкие диэлектрики, и возможности управления этими процессами путем применения специальной, в частности, аксиконной оптики и обработки в химических средах;

- отсутствуют работы, посвященные исследованию термоупругопласти-ческого состояния хрупких неметаллических материалов при импульсной лазерной обработке излучением, сфокусированным в кольцо.

Цель работы. На основании теоретических и экспериментальных исследований определить особенности механизма локального разрушения хрупких полифазных диэлектриков кольцевым импульсным лазерным излучением на воздухе и в химически активном металлосодержащем электролите.

Для достижения этой цели поставлены следующие задачи: 7

1. Произвести теоретические расчеты температурных полей и термоупругих напряжений, возникающих при действии сфокусированного в кольцо лазерного излучения как на воздухе, так и с учетом особенностей влияния электролита.

2. Произвести экспериментальные исследования кинетики развития отверстий и интегральных закономерностей кольцевой лазерной многоимпульсной прошивки, изучить структурные изменения хрупкого диэлектрика под действием импульсного лазерного излучения и определить возможность прошивки отверстий в растворе металлсодержащего электролита с образованием каталитически активного слоя под предварительную химическую металлизацию при вертикальной коммутации топологических элементов ГИС.

3. Исследовать точность и воспроизводимость, а также провести оптимизацию процесса кольцевой импульсной лазерной прошивки хрупких диэлектриков.

Научная новизна работы.

1. Предложены адекватные математические модели для определения температурных полей и напряжений при воздействии лазерного излучения, сфокусированного в кольцо, на пластины из хрупких диэлектриков. Определено, что при удалении от источника тепла к оси его симметрии - центру кольца - температура убывает медленнее, чем при движении в область, внешнюю по отношению к тепловыделяющей поверхности. Предсказана возможность возникновения пластической зоны с расширяющимися границами в области высокотемпературного нагрева. Исследованы процессы упругой разгрузки с учетом и без учета появления зоны вторичных пластических деформаций. Получены выражения для остаточных напряжений; выявлены причины периферийного растрескивания материала. Установлено, что пластическая зона является компенсатором, снижающим уровень напряженного состояния в упругой области, и барьером, препятствующим распространению трещин от края отверстия вглубь материала. 8

2. Экспериментально доказано, что при лазерной обработке полифазной керамики происходит миграция стеклофазы в область локального нагрева, вызывающая свечение в зоне обработки, до начала развитого испарения фиксируемое методом скоростной фоторегистрации. Установлена зависимость времени опережения свечения от процентного содержания стеклофазы в керамики. Подтверждено металлографическими методами обогащение стеклофазой приповерхностных аморфизированных слоев стенок отверстия. Установлена зависимость толщины слоя, обогащенного стеклофазой, от длительности импульса лазерного излучения при прочих равных условиях.

3. С помощью рентгенографического и металлографического методов обнаружено одновременное присутствие в облученных лазером образцах керамики ВК-100-1, практически не содержащей стеклофазы, а-кристаллической фазы и аморфной фазы А120з с ближним порядком на расстоянии 6А. Показано, что аморфная фаза для всех типов керамики обогащена А1 и сосредоточена на периферии отверстия в виде валика с высотой, пропорциональной коэффициенту температуропроводности, и в ней наблюдаются микротрещины, выходящие на стенки отверстия. Микротвердость в зоне обработки, равной размеру зерна, снижается в 2-3 раза. Изменение микротвердости коррелирует с длительностью импульса излучения.

4. Выявлено, что наличие аморфной фазы с выходом на стенки отверстия с одной стороны приводит к возможности отрыва кристаллических вкраплений и нарушению целостности металлизации заземления ГИС, с другой стороны обеспечивает лучшие условия для равномерной активации стенок под последующее осаждение металла. Сопоставление расчетных и экспериментальных данных позволило установить связь между размерами пластической зоны и дефектного аморфизированного слоя. Обнаружено конкурирующее влияние зоны аморфизации и зоны пластичности. Минимизация зоны аморфизации требует снижения длительности импульса лазерного излучения. Компенсирующее влияние зоны пластичности требует увеличения импульса. Найдены оптималь9 ные границы изменения длительности импульса в диапазоне 0.05-0.5 мс. Что совпадает с рекомендациями по результатам исследований температурных полей и напряжений, что косвенно подтверждает адекватность принятой тепло-физической модели. Минимизация аморфного слоя была обеспечена созданием оптической системы с аксиконной оптикой, перераспределяющей интенсивность излучения из кругового пятна радиуса г0 в кольцо такого же среднего радиуса. Предотвращение растрескивания аморфного слоя было достигнуто при пошивке в растворе активации.

5.Установлено, что прошивка отверстий лазерным излучением, сфокусированным в кольцо, в пластине из хрупкого диэлектрика, находящейся в растворе металлосодержащего хлоридного электролита: - снижает уровень разрывающих трансверсальных температурных напряжений за счет усиления локального теплообмена и снижения температуры локального лазерного нагрева, приводя к предотвращению периферийного растрескивания и уменьшению валика у входного устья отверстия; - дает наличие тонких каталитически активных слоев на стенках отверстий, пригодных для химической металлизации при последующей вертикальной коммутации топологических элементов ГИС.

6. Выяснено, что зависимость пороговой релаксации температуры в процессе кольцевой лазерно-электролитической прошивки диэлектрика от энергии лазерного импульса, теплофизических и химических параметров границы раздела фаз очень слаба вследствие теплообменного вырождения, вызванного термализацией лазерно-эрозионного паросолевого факела; гетерогенный пиролиз растворенных хлоридов металлов является основным механизмом осаждения каталитически активных частиц (оксидов) металлов на стенках отверстий.

7. Теоретически и экспериментально установлено, что погрешность импульсной лазерной кольцевой прошивки отверстий увеличивается с ростом содержания кристаллической фазы а-А1203, коэффициента температуропроводности и энергии импульса, не превышая величины относительной нестабильности последней.

10

Практическая значимость. На основании проведенных исследований разработаны технологические процессы и оборудование для создания высококачественных кратчайших заземлений в платах ГИС СВЧ с применением акси-конной оптики, позволившей повысить точность и воспроизводимость диаметра прошиваемых отверстий. Предложенная кольцевая лазерно-электролитическая прошивка коммутационных отверстий дала возможность устранить из технологического цикла три вспомогательные операции: - зенковки отверстий, обезжиривания и сенсибилизации, - а также обеспечила экономию драгметалла (палладия). Практическая значимость работы подтверждается авторским свидетельством СССР и патентом РФ.

Внедрение результатов работы. Результаты исследований внедрены в производство ГИС СВЧ в ГН1111 "Алмаз" с годовым экономическим эффектом 120000 руб., при создании макета лазерно-технологической установки в ГНТП «СТОМА» и в научно-исследовательском внедренческом центре НИЦ «Здра-воргтруд», г.Москва, в специализированном медицинском оборудовании, а также используются при проведении лекций, практических занятий, подготовки курсовых и дипломных проектов на кафедрах приборостроения, машин и технологии высокоэффективных процессов обработки и электронного машиностроения Саратовского государственного технического университета.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы доложены и обсуждены на ежегодных научно-технических конференциях Саратовского государственного технического университета (СГТУ), на научном семинаре кафедры теоретической механики СГТУ под руководством д.т.н. профессора Чебота-ревского Ю.В., на ежегодных всесоюзных семинарах-конференциях по лазерной технологии в ЛДНТП (Ленинград, 1977-1984 гг.); на II Всесоюзной конференции "Применение лазеров в технологии и системах передачи и обработки информации" (Ленинград, 1984г); на республиканской конференции "Создание и использование лазерной техники и технологии в машиностроении и приборостроении" (Киев, 1985г); на пяти отраслевых конференциях по электронике

11

СВЧ (Саратов, 1980-1983гг); на международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения" (Саратов, 1998 г); на научно-практической конференции СЮИ МВД России, 1998; на научно-технической конференции по применению современной электроники (Саратов, 1999).

Публикации. Основное содержание работы опубликовано в 26 статьях. Имеется патент РФ № 1820831 с приоритетом от 12.03.91,авторское свидетельство №1557845, зарегистрированное 15.12.89г. В автореферате приведен список, содержащий 22 основные работы.

12

ВЫВОДЫ

1. Предложены математические модели для определения температурных полей и напряжений при воздействии на хрупкие диэлектрики импульсного лазерного излучения, сфокусированного в кольцо.

2. Установлено, что при одинаковых отклонениях радиуса в обе стороны от г0 (радиус середины кольца) промежуток времени, в течение которого температура на данном радиусе достигает максимума, имеет одно и то же значение. Но при удалении от источника тепла к его оси температура убывает медленнее, чем при движении во внешнюю сторону, из-за чего создается перегрев внутренней части, ограниченной кольцом сфокусированного излучения.

3. Установлено, что при воздействии интенсивного кольцевого светового потока в диэлектрике возникает пластическая зона с расширяющимися границами и трансверсальное механическое напряжение на границе терпит разрыв. В центре возникает область упругой разгрузки с расширяющейся границей, а при остывании появляется зона вторичных пластических деформаций и остаточных напряжений, равных пределу текучести материала, вследствие чего появляется вероятность периферийного растрескивания.

4. Установлено, что пластическая зона является компенсатором, снижающим уровень напряженного состояния в упругой области, и барьером, препятствующим распространению трещин от края отверстия вглубь материала.

5. Доказано, что при лазерной обработке полифазной керамики происходит миграция стеклофазы в зону локального нагрева. При остывании керамики сохраняется высокотемпературная модификация приповерхностных слоев стенок отверстия, обогащенных стеклофазой. Толщина этих слоев внутри групп керамики с одинаковым процентным содержанием стеклофазы пропорциональна длительности импульса лазерного излучения. Отношение глубины к диаметру и вынос массы увеличиваются с длительностью импульса по кривой с насыщением и почти линейно нарастают с энергией и числом прошивочных лазерных импульсов. Удельный вынос массы уменьшается с ростом кристал

179 лической фазы а-А1203, коэффициента теплопроводности и при снижении энергии импульса.

6. С помощью рентгенографического и микроскопического методов установлено, что во всех облученных лазером образцах поликора Вк-100-1 практически всегда присутствует единственная кристаллическая фаза а-А1203 с правильными шестигранными кристаллами, а также рентгеноаморфная фаза а-А1203 с ближним порядком на расстоянии бА. Рентгеноаморфная фаза обогащена А1. Аморфная фаза преобладает на периферийном "валике" и в ней наблюдаются микротрещины, частично заполненные стекловидной фазой и выходящие на край отверстия. Показано, что периферийное трещинообразование исчезает при снижении длительности импульса с 400 мкс до 70 не, а высота "валика" пропорциональна коэффициенту теплопроводности.

7. Кольцевая прошивка отверстий в пластине, находящийся в электролите, с одной стороны снижает уровень разрывающих трансверсальных напряжений за счет усиления локального теплообмена и снижения температуры нагрева периферии кольца, приводя к элиминированию растрескивания, а с другой стороны, дает наличие тонких каталитически активных слоев на стенках отверстий, пригодных для последующей химической металлизации.

8. При исследовании кольцевой лазерно-электролитической прошивки отверстий с одновременной предварительной металлизацией было выяснено, что зависимость пороговой релаксации температуры от энергии лазерного импульса, теплофизических и химических параметров границы раздела фаз очень слаба и это обусловлено механизмом "сильного фазового взрыва" закритиче-ского метастабильного состояния вещества диэлектрика с появлением термали-зующегося лазерно-эрозионного паросолевого факела и теплообменного вырождения.

Термализация факела с пиролизом хлоридов металла на его границе является основным механизмом образования кристаллически активных осадков на стенках отверстий, причем скорость осаждения и толщина слоя увеличива

180 ются линейно с энергией кольцевого лазерного импульса, а электрическая проводимость осадков носит либо туннельный тонкопленочный, либо дырочно-полупроводниковый характер и коррелирует с уменьшением плотности в ряду Pd, NiO, С03О4, Fe304.

9. При исследованиях точности формирования отверстий в алюмооксид-ной керамике показано, что вероятностное распределение диаметров подчиняется обобщенному уравнению Пирсона первого типа, размах варьирования диаметра всегда значительно меньше допустимого техническими требованиями к платам ГИС СВЧ и коэффициент варьирования (наиболее вероятная относительная погрешность) увеличивается с ростом содержания кристаллической фазы а-А1203, коэффициентом температуропроводности и энергии импульса, не превышая величину относительной нестабильности последней (2-3%). Погрешности диаметров отверстий, прошитых с аксиконом, в два раза меньше, чем при обычной прошивке.

10. Проведена многопараметрическая оптимизация процессов кольцевой импульсной лазерной прошивки отверстий в поликоровых пластинах с помощью чувствительного комплексного индекса оптимизации и показано, что наилучшие результаты обеспечивает лазерно-электролитическая прошивка в растворах хлорида палладия и железа (III) при условии некоторой конусности получаемых отверстий.

11. Разработанные технологические процессы и оборудование внедрены в опытно-конструкторское и серийное производство ГИС СВЧ в ГНПП "Алмаз" с годовым экономическим эффектом 120000 руб., при создании макета лазерно-технологической установки в ГНТП «СТОМА», г.Саратов, и в научно-исследовательском внедренческом центре НИЦ «Здраворгтруд», г.Москва, в специализированном медицинском оборудовании. Акты внедрения прилагаются.

181

1. Рыкалин H.H., Углов A.A., Кокора А.Н. Лазерная обработка материалов. - М.:Машиностронение, 1975. - 296с.

2. Банас K.M., Уэбб В. Лазерная обработка материалов. // ТИИЭР. 1982. - Т.70, № 6. - с.35-45.

3. Крылов К.И., Прокопенко В.Т., Митрофанов A.C. Применение лазеров в машиностроении и приборостроении. Л.: Машиностроение, 1978. - 88 с.

4. Коэн М.Г., Каплан P.A., Артуре Ю.Г. Микрообработка материалов. // ТИИЭР. 1982. - Т.70, № 6. - С.25-29.

5. Бегунов Б.Н., Заказнов Н.П. Теория оптических систем. М.: Машиностроение.;, 1973. - 383 с.

6. Лазеры в технологии / Под редакцией М.Ф.Стельмаха. М.: Энергия, 1975.-216с.

7. Патент США, 0213, 3/06, № 3848470.

8. Малащенко А.Т., Сурменко Л.А., Соколова Т.Н. Установка для лазерной обработки кольцевым пучком. A.c. №1557845, дата регистрации 15.12.1989.

9. Рэди Дж. Действие мощного лазерного излучения: Пер. С англ. / Под ред. С.И.Анисимова. М.: Мир, 1974. - 468 с.

10. Мучник Г.Ф., Рубашов И.Б. Методы теории теплообмена. 4.П Тепловое излучение. М.: Высшая школа, 1974. - 290 с.

11. Мучник Г.Ф., Рубашов И.Б. Методы теории теплообмена. 4.1. Теплопроводность. М.: Высшая школа, 1970. - 285 с.

12. Формирование периодических структур на поверхности плавленного кварца в процессе его испарения излучением / В.И.Конов, А.М.Прохоров,

13. B.А.Сычугов и др. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1985. - № 1.1. C.130-135.182

14. Агранович В.M., Гинсбург B.J1. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теории эксйтонов. M.: Наука, 1979. - 206 с.

15. Кудинов В.В., Пузанов A.A., Соболева В.В. Взаимодействие излучения с неоднородными диэлектрическими покрытиями // Физика и химия обработки материалов. 1980. - № 5. - С.81-89.

16. Захаров С.И. О критерии пробоя диэлектриков мощным импульсом оптического излучения // ЖЭТФ. 1976. - Т.21, № 5. - С.1863-1872.

17. Топорец A.C. Шероховатость поверхностей // Оптико-механическая промышленность. 1979. - № 1. - С.34-36.

18. П.Емельянов В.И., Земсков Е.М., Семиногов В.Н. Влияние коллективных эффектов на резонанс локального поля при воздействии излучения с шероховатой поверхностью твердого тела // Поверхность. Физика, химия, механика. 1984.-№2.-С.38-42.

19. Вивер J1.A. Применение лазеров для размерной обработки и сварки. -В сб. "Применение лазеров" M.: Мир, 1974. - 304 с.

20. Либенсон М.Н., Романов Г.С., Имас Я.А. Учет влияния температурной зависимости оптических постоянных металла на характер его нагрева излучением ОКГ//ЖТФ. 1968.-Т.38,№ 7.-С.1116-1119.

21. Spirev M., Loh Е. Temperature depedance of absortance in laser damage of metallic mirrors//! Appl. Opt. Soc. Amer. 1979. - Vol.69. - P. 847-858.

22. Wagner R.E. Laser drilling mechanism // J. of Appl/ Phys. 1974. - Vol. 45, №10.-P. 4631-4637.

23. Длугунович B.A., Ждановский B.A., Снопко В.Н. Измерение отражательной способности диэлектриков // Журнал прикладной спектроскопии. -1975. Т.23, № 6. - С.969-974.

24. Stegman R.L., Schriempf J.T., Hottche L.R. Experimental studies of laser supported adsoption waves with 5-ms pulses of 10,6 micron radiation // J. Appl. Phys. 1973. - Vol.44. - P. 3674-3681.183

25. Углов А. Теплофизические и гидродинамические явления в процессах лазерной обработки металлов // Физика и химия обработки материалов. 1974. - № 5. - С.7-13.

26. Углов A.A., Гнедовец A.A. К оценке уменьшения интенсивности лазерного излучения плазмой вблизи поверхности твердых мишеней // Физика и химия обработки материалов. 1979. - № 5. - С.3-11.

27. Спитцер JT. Физика полностью ионизированного газа. М.: Мир, 1965. -216 с.

28. Рыкалин H.H., Углов A.A., Низаметдинов М.М. Особенности взаимодействия излучения лазера с материалами при высоком давлении окружающей среды // ЖЭТФ. 1975. - Т.69, № 2. - С.722-732.

29. Mecholsky J.J. Fracture of ceramics by single-pulse 10,6 micron irradiation // J. Appl. Phys. 1979. - Vol.50. - P. 5488-5491.

30. Янушкевич В.А. Критерий возможности образования ударных волн при воздействии лазерного излучения на поверхность поглощающих конденсированных сред // Физика и химия обработки материалов. 1975. - № 5. - С.9-11.

31. Magge T.J., Armistead R.A., Krehl P. Laser-induced stresses in coated and uncoated tergets // J. Phys. D.: Appl. Phys. 1975. - Vol.8. - P. 498-504.

32. Holmes B.S., Mäher W.E., Holl R.B. Laser target interaction hear the plasma formation threshold // J. Appl. Phys. 1980. - Vol.51. - P. 2966-2968.

33. Углов A.A., Гребенников В.А. О характере разрушений пористых материалов лазерным излучением // Физика и химия обработки материалов. -1984.-№3.-С.21-24.

34. Фольмер М. Кинетика образования новой фазы / Пер.с нем. М.: Наука, 1986.-205 с.

35. Углов A.A., Кокора А.Н. Теплофизические и гидродинамические явления при обработке материалов лучом лазера (обзор) // Квантовая электроника. 1977. - Т.4, № 6. - С. 1189-11202.184

36. Сурменко JI.А., Розанов Т.Г. Некоторые технологические применения ОКГ на С02: В сб. Использование ОКГ в современной технике. ЛДНТП, 1971, 4.1. - С.39-43.

37. Афанасьев Ю.В., Крохин О.Н. К теории взаимодействия излучения лазера с веществом. Труды ФИАН / Квантовая радиофизика. - М.: Наука, 1970. -Т.52. -С.118-170.

38. Действие излучения большой мощности на металлы / С.И.Анисимов, Я.А.Имас, П.С.Романов и др. М.:Наука, 1970. - 272 с.

39. Любов В.Я., Соболь Э.Н. Квазистационарное развитие лунки в испаряющемся под действием лазерного излучения материале // ЖТФ. 1976. -Т.46, № 7. - С. 1517-1521.

40. Puek U.C., Gagliano F.P. Thermal analysis of laser drilling process // J. Quantum. Electron. 1972. - Vol.8. - P. 112-119.

41. Вейко В.П., Либенсон M.H. Лазерная обработка. Л.: Лениздат, 1973.192 с.

42. Карташов Э.М. Аналитические методы в теории теплопроводности твердых тел. М.: Высшая школа, 1986. - 480 с.

43. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. М.: Энергия, 1964.-488 с.

44. Янке Е., Эмде Ф., Леш Ф. Специальные функции. М.: Наука, 1964.344 с.

45. Справочник по специальным функциям / Под ред. М.А.Абрамовица, С.Титан. М.: Наука, 1979. - 832 с.

46. Dabby E.W., Pack U.C. High-intensity laser-induced expansion of solid materials and correlation with theory/IEE/OSA Conference on Laser Engineering and Application, Digest of Technical Papers. New York, 1973. - P. 31.

47. Соколова Т.Н. Оптимизация обработки на лазерном оборудовании цилиндрических отверстий и контурных отверстий в поликоровых пластинах: Тез. докл. респ. науч.-техн. конф. Киев, 1985. - С.25.185

48. Лыков A.B., Михайлов Ю.А. Теория тепло- и массопереноса. М.: Госэнергоиздат, 1963. - 734 с.

49. Михеев М.А., Михеева A.M. Основы теплопередачи. М.: Энергия, 1977.-344 с.

50. Даниловская В.И., Зубчанинова В.Н. Температурные поля и динамические термоупругие напряжения, порождаемые в теле потоками лучистой энергии // Физика и химия обработки материалов. 1968. - № 2. - С.6-12.

51. Даниловская В.И., Зубчанинова В.Н. Термоупругие поля и напряжения, возникающие в упругом полупространстве под действием осесимметрич-ного лучистого потока // Физика и химия обработки материалов. 1969. - № 4. -С.31-35.

52. Даниловская В.И., Зубчанинова В.Н. Термоупругие поля и напряжения, возникающие в упругом полупространстве под действием периодического лучистого потока // Физика и химия обработки материалов. 1968. - № 3. -С.41-46.

53. Коляно Ю.М., Мартынович Т.Л., Кулин А.Н. Об учете теплоотдачи при нагреве пластинки цилиндрическим теплоисточником малого радиуса // Физика и химия обработки материалов. 1978. - № 2. - С.35-43.

54. Анго А. Руководство к практическому применению преобразований Лапласа. М.: Наука, 1958.- 124 с.

55. Рыкалин A.M., Углов A.A., Кокора A.M. Лазерная обработка материалов. М.: Машиностроение, 1975. - 296 с.

56. Вейко В.П. Лазерная обработка пленочных элементов. Л. Машиностроение, Ленингр.отд., 1986. 248 с.186

57. Серянов Ю.В., Сурменко Л.А., Аравина Л.В. Температурное поле при локальном лазерном электроосаждении металлов на металлизированный диэлектрик // Изв. АН СССР. Сер.Металлы. 1991. - № 4,- С. 179-184.

58. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Т.8. Теория упругости. М.: Наука, 1965. - 204 с.

59. Кингери У.Д. Введение в керамику. М.: Стройиздат, 1967. - 453 с.

60. Регель В.Р., Слуцкер А.И., Томашевский Э.Е. Кинетическая природа прочности твердых тел. М.: Наука, 1974. - 576 с.

61. Артемьев В.Ф., Платонов Б.Д., Суслов Г.П. Исследование процесса образования трещин в зоне лазерного воздействия при изготовлении микросборок // Техника средств связи. Сер. Технология производства и оборудование. 1982. - Вып.2,- С.47-52.

62. Баринов С.М., Красулин Ю.Л., Гревцев С.Н. О докритическом росте трещины в хрупких материалах // Физика и химия обработки материалов. -1981. -№ 4.-С.136-138.

63. Бункин Ф.В., Комиссаров В.М. Оптическое возбуждение звуковых волн // Акстический журнал. 1973. - Т.29, № 3. - С.305-321.

64. Fairand В.Р., Claner А.Н. Laser generation of high amlitude stress waves in materials//.!. Appl. Phys. 1979. - Vol. 50, №3. - P. 1477-1502.

65. Fairand B.P., Claner A.H. Laser generation of high amplitude stress waves in materials//J. Appl. Phys. 1976. - Vol. 47, №5. - P. 1940-1945.

66. Напряжения в плоских телах с поглощением при действии локального источника тепла. / А.А.Углов, Ю.Н.Коляно, А.Н.Кулик и др. // Физика и химия обработки материалов. 1978. - № 6. - С. 117-120.

67. Углов A.A. Высококонцентрированные источники тепла в обработке неорганических материалов. // Физика и химия обработки материалов. 1976. -№ 3. - С.3-6.187

68. Тиман E.J1., Фесенко B.M. Термоупругие напряжения в диске, нагреваемом лазерным излучением // Физика и химия обработки материалов. 1984.- № 4. С.111-114.

69. Зацаринный В.П. Прочность пьезокерамики. Ростов, РГУ, 1978. - 205с.

70. Бульбич А.А., Зеленин С.Н., Рафалович В.И. Упрочнение поликристаллического материала, испытывающего локальный фазовый переход // Письма в ЖТФ. 1984. - Т. 10. Вып. 17. - С. 1069-1072.

71. Gemme А.Е., Phyllips J.S. The applications of fracture mechanism to life prediction of cooling hole configurations in thermo-technical fatigue//Eng. Fract. Mech. (British). 1977. - Vol.9, №1. - P.25-36.

72. Hasselman D.J. Unified theory of thermal scock fracture initiation and crack propagation in brittle ceramics//J. Amer. Ceram. Soc. 1969. - Vol. 52, №11. -P. 600-604.

73. Francis S., Galasse E., Veltri R. Obserations of laser interactions with ce-ramics//Amer. Ceram. Soc. Bull. 1983. - Vol. 62, №2. - P. 253-254.

74. Расчеты на прочность, устойчивость и колебания в условиях высоких температур / Н.И.Безухов, В.Л.Божанов, И.И.Гольденблат и др. М.: Машиностроение, 1965. - 204 с.

75. Термоупругое воздействие импульсно-периодического лазерного излучения на поверхность твердого тела / В.В.Аполлонов, А.М.Прохоров, В.Ю.Хомич и др. // Квантовая электроника. 1982. - Т.9, № 2. - С.343-353.

76. Лохов Ю.Н., Моспанов B.C., Фомвейский Ю.Д. Термоупругие напряжения в диэлектрике при лазерном облучении // Квантовая электроника. 1971.- № 3. С.67-62.

77. Структура, фазовый состав и свойства алюмооксидной керамики в зоне действия лазерного луча/А.В. Красников, Т.Н. Соколова, Л.И. Миркин и др.//Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1987. - №2. - С. 20692073.188

78. Вейко В.П., Либенсон М.Н. Лазерная обработка. Л.: Лениздат, 1973.192 с.

79. Методы повышения точности лазерной размерной обработки / М.Н.Либенсон, Г.П.Суслов, А.Н.Кокора и др. Л. ЛДНТП, 1972. - 36 с.

80. Kobayashi A. Drilling of nonmetalls with rubin laser//Bull. Japan. Soc. of Pres. Eng. 1972. - Vol QE-8, №7. - P. 492.

81. О воспроизводимости результатов обработки материалов излучением оптических квантовых генераторов / В.П.Вейко, М.Н.Либенсон, М.Н.Никитин и др. В кн.: Использование оптических квантовых генераторов в современной технике. 4.1. Л.: ЛДНТП, 1969. - С. 17-23.

82. О повышении точности обработки микроотверстий лазерным излучением / В.П.Выжелевский, А.Н.Кокора, М.В.Орехов и др. // Физика и химия обработки материалов. 1980. - № 1. - С.148-156.

83. Новицкий М.А. Лазеры в электронной технологии и обработке материалов. М.Машиностроение, 1981. - 39 с.

84. Симагава М., Нагано Ю. Изготовление микроскопических отверстий с помощью лазеров // Сэймацу Кикай. 1971. - Т.37, № 1. - С.52-61.

85. Лазерная технология / В.П.Вейко, М.Н.Либенсон, А.М.Мелючев, Р.А.Танков, А.А.Чельный. М.: ЦНИИ "Электроника", 1970. - 114 с.

86. Суминов В.М., Скворчевский А.К. Уравновешивание вращающихся тел лучом лазера. М.: Машиностроение, 1974. - 174 с.

87. Vissez A. Laserstrahlung als Wernzeug für die Fertigung//VDI-7. 1975. -B.l 17, №11. - S. 510-516.

88. RCA Review. 1975. - Voll, №2. - P. 336-365.

89. Вакс Е.Д., Соколов Б.М. Светолучевые станки моделей 4222Ф2 и 4222-Ф2М // Электрофизические и электрохимические методы обработки. -1977. -№ 12. -С.8-9.189

90. Коваленко B.C., Головко Л.Ф., Романенко B.B. Качество обработки микропазов импульсным излучением лазеров // Технология и организация производства. 1979. - № 1. - С.33-35.

91. Арчибасов И.М., Куличкова З.С. Лазерная установка для скрайбиро-вания керамических подложек микросхем // Приборы и системы управления. -1984. -№ 7. С.33-34.

92. Орехов М.В., Углов A.A., Соколова Т.Н. О разрушении мишени при наклонном падении лазерного излучения на ее поверхность// Физика и химия обработки материалов. 1978. - №3. - С. 159.

93. Pat. 2450660 (AI). Apparel destine au traitement de pieces metalligues ou moyen d'un rayonnement laser. Rep. par Beau de Lomeni (PIAT AUTO) 5.3. 1979, №67467. A/79, 1983, №3, P. 26.

94. Бункин Ф.В., Кириченко H.A., Лукьянчук Б.С. Оптимальные режимы нагрева материалов лазерным излучением. Москва, 1978. - 36 с. (Препринт / ФИАН СССР, № 146).

95. Савинич B.C. Влияние формы теплового импульса на испарение пластины // Физика и химия обработки материалов. 1980. - № 5. - С.7-11.

96. Оборудование для размерной светолучевой обработки изделий / М.В.Орехов, В.Г.Тартер, Г.Н.Тархов и др. // Электронная промышленность. -1976. Вып.1(49). - С.26-28.

97. Чельный A.A., Шелепина Р.В. Лазерное оборудование для технологических процессов. В сб.: Зарубежная электронная техника. - М.: 1978. - № 1(171). -С.39-75.

98. Стельмах М.Ф. Последние достижения в области лазерной технологии // Известия АН СССР. Сер. Физическая. 1980. - Т.44, № 8. - С. 1673-1676.

99. Лазерный технологический модуль на базе излучателя на углекислом газе импульсно-периодического действия / В.С.Алейников, А.Н.Ануфриев, А.Е.Баланин и др. // Электронная промышленность. 1981. - Вып. 5-6. - С.75-77.190

100. Зеленев Н.Ф., Гусев Е.М., Тимофеев А.И. Размерная обработка изделий электронной техники // Электронная промышленность. 1981. - Вып.5-6. -С.116-117.

101. Рекламный проспект / фирмы "Control Taser Corp.".

102. Установка для лазерной сварки, газолазерной резки и прошивки отверстий "Квант-15". Информация ВДНХ СССР. ЦНИИ "Электроника", 1983. -2 с.

103. Светолучевой станок с программным управлением 4Р222-Ф2: Проспект / НИИМАШ. М.,Металлообработка-84, 1984. - 4 с.

104. Макухин В.Н., Савельев В.А. Лазеры в микроэлектронной технологии // Зарубежная электроника. 1979. - № 3. - С.75-96.

105. Золотарев В.М., Морозов В.Н., Смирнова Е.В. Оптические постоянные природных и технических сред. Л.: Химия, Ленингр.отд., 1984. - 216 с.

106. Коваленко А.Д. Основы термоупругости. Киев: Наукова думка, 1970.-307 с.

107. Новацкий В.И. Вопросы термоупругости. М.: Изд-во АН СССР. -1962.-364 с.

108. Новацкий В.И. Динамические задачи термоупругости. М.: Мир, 1970.-256 с.

109. Беляев Н.М., Рядно A.A. Методы нестационарной теплопроводности. М.: Высшая школа, 1978. - 328 с.

110. Лыков A.B. Теория теплопроводности. М.: Высшая школа, 1967.600 с.

111. Ильюшин A.A. Пластичность. М.: Изд-во АН СССР. - 1963. - 271 с.191

112. Качанов J1.M. Основы теории пластичности. М.: Наука. - 1969. - 420с.

113. Качанов Л.М. Механика пластических сред. Л.-М., ГИТЛ., 1948.215 с.

114. Москвитин В.В. Пластичность при переменных нагружениях. М.: Изд-во МГУ. - 1965. - 296с.

115. Шевченко Ю.Н. Термопластичность при переменных нагружениях. -Киев: Наукова Думка, 1970. 287 с.

116. Шевченко Ю.Н., Пискун В.В., Савченко В.Г. Решение осесиммет-ричной пространственной задачи термопластичности на ЭЦВМ типа М-220. -Киев: Наукова Думка, 1975. 108 с.

117. Перкус Г. Неустановившиеся температурные напряжения. М.: ГИФМЛ, 1963. - 252 с.

118. Серянов Ю.В., Соколова Т.Н., Орлова Е.В. Способ металлизации отверстий в диэлектрической подложке. Патент РФ № 1820831. Заявлен 12.03.91.

119. Серянов Ю.В., Соколова Т.Н., Барышева М.П. Фототермическое осаждение металла на диэлектрик с помощью лазера. 1. Система АЬОз/РёС^// Журнал физической химии. 1992. - Т.66, № 2. - С.630-635.

120. Серянов Ю.В., Соколова Т.Н. Термические условия и кинетика импульсного лазерного осаждения оксидов металлов группы железа на алюмоок-сидную керамику // Физика и химия обработки материалов. 1992. - № 6. -С.40-47.

121. Серянов Ю.В., Соколова Т.Н. Импульсное осаждение каталитически активных частиц в процессе лазерно-электролитической прошивки отверстий в диэлектрике // Физика и химия обработки материалов. 1994. - № 6. - С.86-90.

122. Серянов Ю.В., Соколова Т.Н. Беспалладиевая лазерно-электролитическая металлизация диэлектрика. 4.2. Кинетика осаждения оксидов металлов в системах AI2O3/N1CI2, СоС12, FeCl3// Спецэлектроника. Сер.1 "Электроника СВЧ". 1991. - Вып.З. - С.4-9.

123. Горбунова K.M., Никифорова A.A. Физико-химические основы процесса химического никелирования. М.: Изд-во АН СССР, 1960. - 201с.

124. Несеребряные фотографические процессы / Под ред. А.Л.Картужанского. Л.: Химия, 1984. - 376 с.

125. Оцисик М.Н. Сложный теплообмен / Пер. с англ. М.: Мир, 1976.616 с.

126. Краткий справочник физико-химических величин / Под ред. К.П.Мищенко и А.А.Равделя. Л.: Химия, Ленингр.отд., 1972. - 200 с.

127. Химическая энциклопедия / Под ред. Н.С.Зефирова. М.: Большая российская энциклопедия. Т. 1-4, 1988. - 1995.

128. Афанасьев Ю.В., Крохин О.Н. Газодинамическая теория воздействия излучения лазера на конденсированные вещества // Труды ФИАН. 1970. -Т.52,№ 118.-С.118-170.

129. Летохов B.C. Нелинейные селективные процессы в атомах и молекулах. М.: Наука, 1983. - 318 с.

130. Шестак Я.М. Теория термического анализа. М.: Мир, 1987. - 314 с.193

131. Гиллер Я.И. Таблицы межплоскостных расстояний. М.: Недра, 1966.-95 с.

132. Вайнштейн Б.К. Дифракция рентгеновских лучей на цепных молекулах. М.: Изд-во АН СССР, 1963. - 345 с.

133. Carrier G.B. Crystallization of Glass Ceramics from Glasses bosed on blast furnage slog//J. Amer. Ceram. Soc. 1964. - Vol. 47, №8. - P. 365-367.

134. Батыгин Вакуумно-плотная керамика и ее спаи с металлами.

135. Бравинский В.Г., Калябина И.А., Осипов М.В. Газовыделение ваку-умно-плотных керамических материалов, используемых в приборах СВЧ // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1967. - Вып. 10. - С.31-67.

136. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. М.: Наука, 1961. - 439 с.

137. Балкевич В.Л. Техническая керамика. М.: Стройиздат, 1963. - 119 с.

138. Соколова Т.Н., Миркин Л.И., Сурменко Л.А. Опыт применения лазерного оборудования при прошивке отверстий в корундовой керамике / В сб.: Опыт применения лазеров в приборостроении и машиностроении.- Л.: ЛДНТП, 1983. С.47-49.

139. Словецкий Д.И. Механизмы химических реакций в неравновесной плазме. М.: Наука, 1980. - 367 с.

140. Физика тонких пленок. Т.1 / Под ред. Г.Хасса. М.: Мир, 1967.343с.

141. Мямлин В.А., Плесков Ю.В. Электрохимия полупроводников. М.: Наука, 1965. - 338 с.

142. Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции. М.: Химия, 1978. - 360 с.194

143. Бендерский В.А., Кривенко А.Г. Кинетика эмитированного заряда при лазерной фотоэлектронной эмиссии из металла в раствор // Электрохимия. 1986. - Т.22, № 6. - С.735-742.

144. Серянов Ю.В., Квятковская Л.М., Гришанин В.А. Оптимизация ультразвукового электрооосаждения меди в каналах узких коммутационных отверстий интегральных схем // Защита металлов. 1994. - Т.ЗО, № 3. - С.330-332.

145. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике / Пер. с англ. Под ред. И.Г.Арамановича. М.: Наука, 1978. - 831 с.

146. Адлер Ю.П. Введение в планирование эксперимента. М.: Металлургия, 1968. - 155 с.1. ГНТП «СТОМА»

147. УТВЕРЖДАЮ» " " йдиректор )МА»1. Кожевников В. В./1999г.1. АКТ ВНЕДРЕНИЯрезультатов диссертационной работы Т. Н. Соколовой «Термомеханохимическое поведение хрупких диэлектриков при воздействии лазерного излучения, сфокусированного в кольцо»

148. Главный инженер ГНТП «СТОМ1. Иосилевич Л. Ш./1. Сурменко Л. А./1. ГНПП «АЛМАЗ»г.Саратов

149. Акт внедрения результатов диссертационной работы Т. Н. Соколовой «Термомеханохимическое поведение хрупких диэлектриков при воздействии лазерного излучения, сфокусированного вкольцо»