Влияние дефектов на энергетическую щель в спектре одночастичных возбуждений высокотемпературных сверхпроводников тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНЖЕНЕРНО-ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ Р Г Б ОД (ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

- з МАЙ

1994

СИНЧЕНКО Александр Андреевич

влияние дефектов на энергетическую щель в спектре одночастичных возбуждений высокотемпературных сверхпроводников

01.04. "от - Физика твердого тела

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Автор:

Москва - 1994

Работа выполнена в Московском Государственной Инженерно-. -Физическом Институте (Техническом Университете).

Научный руководитель: доктор Физико-математических наук.

Официальные оппоненты

-доктор Физико-математических наук С. II. Артеменко

-кандидат физико- ыатеиатическких наук А.И.Головашкин

Ведущая организация - Российский Научный Центр Курчатовский

Институт

Защита состоится 20 июня 199-3 г. в И час. 00 мин. на заседании специализированного совета К-053.03.01 в Московском Государственном Инженерно-физическом Институте (Техническом Университете) по адресу: 115409, Москва, Каширское шоссе, дом 31, тел. 32-1-84-98.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МИФИ.

Автореферат разослан " ^ " % 1994 г.

Просим принять участие в работе совета или прислать отзыв в одном экземпляре, заверенный печатью организации.

профессор Елесин В.Ф.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность изучения влияния дефектов, в том числе и ралиа ционных. в сверхпроводниках связана с перспективой их использования в магнитных системах, работающих в радиационных полях [Влияние облучения на Физические свойства перспективных упорядоченных сверхпроводников А.С.Александров. В.Е.Архипов. Б. Н. Гощиц-кий. В. Ф.Елесин.- М.: Энергоатомиздат. 1989]. Для ВТСП материалов эти исследования приобретают особую важность вследствии чрезвычайной чувствительности данных соединений к дефектам. Наиболее корректным методом создания разупорядочеиня является облучение исследуемых образцов высокоэнергетическими частицами. По сравнению с другими способами разупорядочения. например, термическим и химическим - это чистый с Физической точки зрения метод, т.к. он не меняет химический состав соединения.

.Новые высокотемпературные сверхпроводники оказались в значительно большей степени, чем традиционные сверхпроводники чувствительны к дефектам. При некотором критическом значении Флюенса высокоэнергетических частиц Фс. их критическая температура обращается в ноль . а удельное электросопротивление в нормальном состоянии неограниченно увеличивается. [В. Ф. Елесин. И. А. Руднеп Влияние радиационных дефектов на критический тек высокотемпературных сверхпроводников (обзор)- СФХТ.Л. 11. 2055-2071, 19911. К настоящему времени опубликовано большое число работ, посвященных влиянию ионного, нейтронного, электрононного и др. облучений на критическую температуру, критический ток J .удельное электросоп-

С

ротивление р. .структуру и другие параметры высокотемпературных сверхпроводников. При этом результаты измерений сильно зависели от исходного качества исследуемых образцов [В.Ф.Елесин. П.В.Жилин. В. К. Жучков, и др. Влияние радиационных дефектов па критическую температуру и электросопротивление пленок УВагСизО-и с различной исходной концентрацией дырок. -СФХТ. 5. 12. 2315. 19921, что требует применения надежной методики приготовления однофазных, с заданными свойствами образцов ВТСП.

Как известно, одним из основных фундаментальных параметров езерхпроноднмков является энергетическая вдоль в спектре одиочас-

тичных возбуждений д. Информация о значении и поведении'данного параметра под влиянием внешних факторов необходима для выяснения характера спаривания, и. следовательно. ^ для понимания механизма сверхпроводимости. Однако, экспериментальное изучение энергетической щели в ВТСП столкнулось с рядом трудностей, связанных со спецификой данных соединений. Это. в первую очередь, чрезвычайно малая длина когерентности, и высокая подвижность кислорода, что приводит к сильной модификации поверхности образцов данных соединений. Все это требует проведения дополнительных исследований сверхпроводящего параметра порядка.

В литературе полностью отсутствует информация о влиянии дефектов на энергетическую щель в ВТСП. В то же время, существующие теоретические модели, претендующие на описание свойств рэзупоря-доченных'ВТСП. предсказывает принципиально различное поведение д при увеличении концентрации дефектов. Такое положение обуславливает крайнюю необходимость проведения детального исследования влияния разупорядочения на энергетическую щель в ВТСП.

Целью_настдящей_работы_ было экспериментальное исследование влияния стехиометрических и радиационных дефектов на энергетическую щель соединении УВаСи 0„ .

2 3 7-х

Научная_новизна_результатдв:. ■ В диссертации:

- Разработан оригинальный магнитометр на основе сверхпроводящего кванового интерференционного прибора;

- Разработана и смонтирована установка прецизионного образования и исследования характеристик точечных контактов;

- Изучены особенности эффекта.андреевского отражения в точечных контактах типа N-N3 (2-УВа Си 0„ ). Определено значение д вдоль

2 3 7~х

кристаллографической оси с. Сделан вывод о существовании сильной анизотропии энергетической щели в данном соединении;

- Впервые исследовано влияние дефектов стехиометрии и ионного облучения на энергетическую щель в УВаСи О . обнаружено, что

2 3 7-х

д*0 концентрации дефектов И>Н . когда Т =0. что может

с с

свидетельствовать о существовании локализованного Бозе-конденсата куперовских пар в разупорядоченных ВТСП.

- ' Изучены нелинейные явления в контактах нормальный металл-поликристаллы УВа2Сиз07_^. Опрелелено значение A в данном соединении. Изучены проявления джозефсоновских слабых связей между гранулами керамики YBa Cu О . Показано, что свойства

2 3 7-х

данных контактов наиболее адекватно описываются SNINS типом слабой связи;

Проведено детальное исследование процессов вакуумной терыодесорбшш кислорода из соединения УВа2Сиз07_х. на основании чего разработан метод получения высококачественных поликристаллов данного соединения;

Перечисленные сыне результаты получены впервые и виноеятся

на затиту.

Практ1^ческая ^1еиность_работы._ Полученные в диссертации результаты п значительной степени дополнякгг имеющийся экспериментальный материал о поведении энергетической щели в ВТСП, и являются определении,! иагом на пути понимания физики сверхпроводимости в данных материалах. Результаты работы могут быть применены для прогнозирования влияния дефектов на Физические свойства ВТСП. используемые на практике.

Ддшбшшж E&^yjihiaxQfi. Результаты настоящей диссертации опубликованы в 7 статьях в.журналах "ЖЗТФ". "Physica С". "ФИТ", "СФХТ",в сборнике МИФИ и представлены в докладах на трех Всесоюзных конференциях, и совещаниях: Рабочее совесание по проблемам высокотемпературной сверхпроводимости Сг.Свердловск, июнь 1987 г.); Всесоюзное совещание "Физикохимил и технология сверхпроводящих материалов " С г.Москва, сентябрь 1GB8 г. ); XXV Всесоюзное совещания по Физике низких температур (г. Ленинград, октябрь 1SB3 г.); и на 1-ой конференции МИФИ "Высокотемпературная сверхпроводимость"' (Москва^ ишь 1990 г.).и защищены двумя Авторскими Свидетельствован!! на изобретение.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из четырех разделов и "Заключения". Обншй объем 126 страниц основного текста. 45 рисунков, одна таблица, список литературы из 117 наименований на 13 страницах.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении дается краткая характеристика содержания работы, оценка ситуации, сложившейся в области исследования свойств высокотемпературных сверхпроводников при облучении.

В первой главе приведен литературный обзор экспериментальных и теоретических исследований влияния облучения на сверхпроводящие и нормальные свойства ВТСП-материалов. Отмечено, что характерным свойством ВТСП систем является чрезвычайно сильная чувствительность критической температуры сверхпроводящего перехода. Т , к

с

радиационным дефектам fShlraishi' К. Irradiation effects in ЕагУСизО supuretJHductor. -J. Nuc.Mat., 1909, V. 163. 305]. С увеличением флюенса облучения, Ф, значение Т уменьшается примерно в.

с

10-20 раз быстрее, чем для традиционных сверхпроводников со структурой А-15. Характерным является полное подавление сверхпроводимости при определенной концентрации дефектов N . соответству-

С

иней некоторому критическому флюснеу облучения Ф . С увеличением

с

Ч'люенса электросопротивление р образцов неограничено возрастает. Приведенные выше особенности поведения Т и р позволяют

с

высказать предположение, что радиационные дефекты при некоторой критической концентрации N приводят к фазовому переходу в новое

с . -

состояние с Т =J =0 и большим р. Если учесть, что температурная

с с

зависимость электросопротивления р (т) при Ф>Ф имеет неметалли-

* с

ческий характер, то можно прийти к выводу, что в новой Фазе носители тока близки к состоянию локализации.

В настоящее время можно выделить две теоретических модели, наиболее полно описывающих деградации сверхпроводимост в ВТСП под влиянием дефектов. Это модель, учитывающая влияние локализации носителей на кулоновское отталкивание и па энергию, связи Куперов-

скоп пары [Bulacvskil L.N.. Sadovski 1 M.V. Anderson losalizaUon and superconductivity -J.Low Тешр.Pnys.. 1385. 59. 89], и модель, основанная на представлении о локализации Бозе-кондеисата кунёровских пар в хаотическом ноле' дефектов Ш. Ф. ¡'.лесин -ЖЭТФ, 1934. 105.1. Данные модели предсказывают принципиально различное поведение сверхпроводящего параметра порядка при • увеличении концентрации дефектов. Поэтому возникает необходимость экспериментального исследовании поведения л в разупорядочешшх ВТСН.

Далее приведен анализ литературных данных rio исследованию энергетический щели в ВТСП соединениях. Показано, что полученные в различных экспериментах результаты противоречивы. что требует проведения новых исследований. С точки зрения исследования влияния дефектов на величину л наиболее пригодным оказывается исследование эффекта андреевского отражения в би-слойннх системах N-NS, так как в этом случае геометрия эксперимента оказывается наиболее определенной. Кроме того, для данных систем поверхность исследуемого сверхпроводника оказывается защищенной слоем нормального меиалла. что гарантирует неизменность ее при внешнем воздействии. Наконец, для N-NS систем отсутствует непосредственное механическое воздействие контрэлектрода на исследуемый сверхпроводник. Все эти Факторы особенно актуальны для высокотемпературных. сверхпроводников. В конце первой главы сформулирована основная задача диссертационной работы.

Во пторой главе описаны экспериментальные методики, использованные в диссертационной работе. Разработан и опробировап магнитометр. па основе сверхпроводящего квантового интерференционного прибора (СКВИД). подробное описание которого приведено в работах [1.21. Использовался высокочастотный СКВИД пиммерманопского типа с точечным контактом IJb-Nb. В отличии от известных датчиков поверхности, контрэлектродоз но окислялись, так как специальные эксперименты на модельном стенде показали, что в случае неокче-леппых ■ поверхностей контрэлектродон нормальное сопротивление контакта максимально, что приводит к увеличению разрешающей способности датчика. В магнитометре использована нестандартная геометрия расположения образна, приемной катушки сверхпроводящего трансформатора магнитного потока и источника магнитного поля,

позволившая исследовать магнитные свойства сверхпроводящих образцов в виде тонких плёнок и пластин.

В этой же главе дано описание сконструированной установки прецизионного образования точечного контакта в широком диапазоне температур 13]. Использовалась механическая система передачи движения с регулируемым коэффициентом передачи от 50 до 300. Установка позволяла проводить эксперименты в диапазоне температур от <1.2 К до 300 К и в магнитных полях напряженностью до 1,5 Т. Для более точной идентификации особенностей вольт-амперных характеристик (ВЛХ) точечных контактов использовалась модуляционная техника измерения дифференциального сопротивления контактов. В качестве нормальных контрэлектродов использовались электрохимически заточенные тонкие проволоки из Au, As, Си и Fe.

В этой же главе приведены результаты исследования процессов термодесорбции кислорода при изохронном и изотермическом отжиге керамических образцов УВагСизО?-*, позволившие выявить температурные особенности динамики кислорода в данном соединении [4,51. Было обнаружено, что при изотермическом отжиге массивных образцов4 в вакууме при температуре Т=46?°С резко изменяется характер термодесорбции кислорода. Наблюдаемый эффект связывался с изменением кислород-кислородного взаимодействия. На основании полученных данных были определены времена изотермического отжига при различных температурах, необходимые для получения одного и того же значения х. Полученные данные позволили оптимизировать температурный режим твердофазного синтеза УВз^СизО-х и предложить усовершенствованный метод получения данного - сверхпроводящего соединения [61. Другой причиной данных исследований являлось выяснение характера изменения сверхпроводящих свойств поверхности ВТСП-образцов в результате десорбции кислорода, так как результаты туннельных экспериментов несут информацию прежде всего о поверхности исследуемых образцов.

В третьей главе изложены и проанализированы результаты измерений энергетической щели , в образцах УВагСизО-х с оптимальным содержанием кислорода. Первоначально были проведены исследования точечно-контактных спектров нормальный металл-поликристаллы УВагСизО-* [7,8]. В качестве контрэлектродов

использовались стальные и медные проволоки диаметром 100 мим. При Т+4.2 К в диапазоне сопротивлений контакта И=50-300 Ом на зависимости 1?<10/) .наблюдался минимум при напряжениях У=18-22 мВ. Данная особенность в большей или в меньшей степени проявлялась на характеристиках большинства исследуемых контактов. Температурная эволюция точечно-контактных спектров показана на рис.1. Видно, что с повышением температуры особенности ВАХ •сильно размываются, что не позволяет проследить их температурную зависимость. Все особенности полностью пропадают при температуре, совпадающей с критической. Этот Факт, а также характерный вид кривых позвочяю; связать данные особенности ВАХ с энергетической щелью. Приведенные.результаты согласуются с данными, полученными другими группами. :

Интересный результат был получен при ■Рис. 1 измерении характеристик контактов с малыми

сопротивлениями. В этом случае на зависимости с1У/с31 СУ) появлялась серия максимумов. Исследование поведения данных особенностей в магнитном поле позволило сделать вывод об их джозефсоновской природе.. Было сделано -• предположение, что появление данных особенностей обусловлено .частичным механическим разрушением приповерхностной области образца иглой нормального электрода при увеличении сигал прижима.' В этом случае нарушается связь между зернами керамики. Анализ данных о'собенносте свидетельствует, что наиболее адекватно характеристики слабых связей керамики описываются БИШБ типом джозеФсойовского контакта.

Для подтверждения данного предположения были проведены отдельные исследования свойсв слабых связей' между зернами поликристаллов.УВайСизОг-х как резпетивным. [91, так и магнитным I101 методами. Полученные экспериментальные данные подтвердили сделанное в работе (71 предположение.

Достаточно большой разброс в значении а. полученных из характеристик N-3 точечных контактов, а также низкая стабильность

результатов не позволили, провести исследования влияния дефектов па энергетическую щель в ВТСП материалах в таких системах. Как . следовало из литературы. более высокую стабильность и воспроизводимость результатов можно было ожидать при исследовании спектров андреевского отражения в точечных контактах с бислойной системой нормальный металл-сверхпроводник (van Son Р. С.van Kempen П.. Wuder P..-Phys.Rev. Lett.. 1907. 59. 2226). Поэтому в работе ИИ мы исследовали . эффект андреевского отражения в системе Аи-пленка As-пленка УВагСизО-х, Диаметр точечного контакта з хашем случае много меньше длины свободного пробега. Поэтому электроны не рассеиваются на контакте, а инжектируются во всех напрвлепиях с энергиями от 0 до eV. Так как толщина N-слоя много меньше чем диаметр контакта, то только андреевским образом отраженные кпазичаетиия возвращаются через контакт, что приводит к появлению избыточного тока, регистрируемого как уменьшение дифференциального сопротивления точечного контакта.

На рис.2 показан типичный спектр андреевского отражения. полученный нами. • По величине плоского участка минимума R<i было определено значение й=10 меВ в направлении оси с для УВагСиз07-х. С повышением температуры наблюдалось сильное размытие характеристик, что с'корее всего связано с температурным размытием электронной функцич распределения.

20 АО

0 -20. О Рис. 2 '

Наложение магнитного ноля -параллельного ЫЗ-поверхности приводило к 'значительному уменьшен™ избыточного тока, в точном соответствии с теоретическими предсказаниями. . Анализ полученных, результатов и их сравнение с известными литературными данными позволил сделать вывод о существовании сильной анизотропии энергетической щели в соединении УВагСизОг-х. ;

Результата измерений полностью воспроизводились от эксперимента к эксперименту. Кроме.того, слой нормального металла, напыленный на поверхность сверхпроводника исключал модификацию ого поверхности, связанную с возможной десорбцией кислорода. Все это

/О

показало пригодность данных систем для нсследопания влияния дефектов на величину л. ■ '

Далее в главе А приводятся результаты исследования влияния дефектов стехиометрии и радиационных дефектов на энергетическую щель соединения УВаг.СиГ-Ю/-*. Первоначально были исследованы спектры андреевского отражения образцов с дефицитом кислорода [111. Было обнаружено, что значение д оказалось одинаковым для х=0 и х=0.3. Проанализированы две возможных причины данного явления.

1. Энергетическая июль различна для образцов с разными значениями х.. Однако, вследствии повышенной десорбции кислорода с поверхности образца с х=0. и устойчивости Фазы с х=0. 3,, значение щели на поверхности обоих образцов оказывается одинаковым. Однако, реализация. во всех экспериментах одного и того же значения а для всех исследованных образцов кажется маловероятным.

2. Энергетическая июль с различным содержанием кислорода одинакова, а критическая температура, определяемая как R(Tc)=0 • для различных значений х. Различна, но но является истинной критической . температурой распаривания. Это. возможно. если работает механизм, предложенный в (Елесин В. О.. -ЖЭТФ. 19JM, -105).

В этом случае при определенной температуре Бозе-конденсат купсровских пар оказывается полностью локализован, и протекание сверхпроводящего тока невозможно. Значение Т зависит от 1/т, где т-время столкновений, и следовательно, от сопротивления образца, которое растет с увеличением х. Ключевым в данном случае является вопрос о том, зависит ли критическая температура распаривания от содержания кислорода? однозначно ответить на этот вопрос па настоящий момент но представляется возможны;,i.

Изпечтно, что концентрация носителей, а следовательно и энергия Форш. практически не изменяется при внесении радиационных дефектов. Поэтому корректную проверку предсказаний' • модели локализации Бозе-конденсата можно провести • при исследовании влияния ионного облучения на величину д. что было сделано о работе Ц21.

I Геометрия эксперимента , была аналогична, исследованной, в _ работе . П11. Образин облучались ионами Не+ с энерией hhh.

После облучения измерялись.зависимости R(TD. HCT) и исследовались характеристики не менее 4 точечных . контактов Аи-би-слой As-YBa2Cu.i07->c. Полученные дозовые зависимости критической температуры и электросопротивления хорошо, согласуются с известными из литературы данными. Наиболее интересный результат

был получен при измерении зависимостей IMV) точечных контактов при Различных значениях Флюенса облучения. С ростом Ф все черты, характерные для андреевского отражения сохранялись. Величина д плавно уменьшалась. но с гораздо меньшей скоростью, чем Т<=. При Ф>Фс, когда Тс(R=0)=0. избыточный ток продолжает существовать. демонстрируя наличие Рис.3 '"'^толевой особенности.

На рис.3 показаны зависимости лСТ=4.2 Ю от приведенного флюспса облучения для двух исследованных образцов. Bimiio, что величина энергетической щели при флюенсах, больших критического в ноль не обращается, хотя спектры андреевского отражения в этом случае оказываются сильно размытыми.;Былиизучены также эволюции спектров андреевского отражения под влиянием изменения температуры и магнитного поля. Для Ф>Фс повышение температуры приводит к быстрому уменьшению избыточного тока,' и уже при Т=15 К особепиос-ти андреевского отражения полностью исчезают. Наложение магнитного поля приводит к уменьшению избыточного тока в соответствии с теоретическими предсказаниями. Следует:отметить возрастание избыточного тока при Ф>Фс по сравнению с флюёнсами Ф<Фс.

' Избыточный ток-в контакте N-NS Обусловлен андреевским Отражением дырки от "барьера", создаваемого полем Бозе-кондснсата кулеровских пар. Поскольку такой "барьер" будет иметь место и в случае локализованного конденсата (особенно это очевшию. если: длина когерентности меньше радикса локализации), то с этом случае следует ожидать аналогичных особенностей'дифференциального сопротивления. Поскольку особенности на зависимости RdCV) вблизи V=0 остаются при Ф>Фс:. а критическая температура, измеренная резис-тивньш методом, при этом равна нулю, то это означает, что имеется

конденсат, неспособный нести незатухающий ток. Следовательно, полученные данные можно рассматривать как свидетельство в пользу существования локализованного Бозе-конденсата куперовских пар. Далее проводится качественное сравнение полученных результатов с предсказаниями модели (В.Ф. Елеен», -ЖЭТФ. 1994.105). В рамках данной модели удается удовлетворительно объяснить разрушение локализованного конденсата с повышением температуры и наблюдаемое размытие плоского участка зависимости RdCV) вблизи V=0 при Ф>Фс. Последнее связано с сильной пространственной неоднородностью локализованного Бозе-конденсата. В этом случае возникает возможность квазичастичной ишекции в нормальные области сверхпроводника. и кроме того, становятся существенными эффекты рассеянья в слое нормального металла, что неизбежно приводит к размытию спектров андреевского отражения.

Далее анализируются альтернативные причины наблюдаемому эффекту, в частности возможное существование локального Флуктуа-ционного сверхпроводящего параметра порядка выше критической температуры. Отмечено, что в последнем случае не удается удовлетворительно объяснить полученные в диссертационной работе результаты. В частности предсказываемое значение Флуктуационной щели оказывается значительно меньше реально наблюдаемой на эксперименте. Кроме того, температурная зависимость д в этом случае качественно отличается от зависимости, полученной в настоящей работе (K.A.Park, R.Joynt.-preprltn. 1993. 18 p.).

Теоретическая модель, основанная на представлении о локализации Бозе-конденсата куперовских пар. построена на предположении неизменности критической температуры распаривания при внесении дефектов. Однако, локализаций конденсата куперовских пар не единственная причина уменьшения Измеряемой на эксперименте критической температуры . Вероятнее всего существует комплекс причин, приводящих к изменению Тс СЕлесии В. Ф.. -СФХТ. 1991, Л. 658; Елесин В.Ф., и др. ,-ЖЭТФ. 1991. 99. 237). .Полученные экспериментальные данные позволили в первом приближении отделить вклад в деградацию Тс, вносимый эффектом локализации Бозе-конденсата. и определить зависимость критической температуры распаривания от Флюенса облучения, исходя из известной зависимости д(Ф).

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

1. Сконструированы и отлажены следующие экспериментальные устано вки: •. • ••

- Магнитометр на основе сверхпроводящего квантового интерференционного прибора (СКВИД) для измерения магнитных свойств .сверхпроводящих тонких пленок и образцов плоской геометрии в широком диапазоне магнитных полей и температуры;

- Установка прецизионного образования точечных контактов непосредственно при низкой температуре и исследования их вольт-амнерных характеристик.

, 2. Проведено исследование эффекта андреевского отражения в точечных контактах Аи-би-слой:Ае-УВа Си О . Определено значение

2 3 7-х

энергетической щели но оси с д=10 мэВ. Сделан вывод о существовании сильной анизотропии д в УВа Си О в зависимости от кристал-

2 3 7-х

лограФической ориентации. . •

3. Впервые экспериментально исследовано влияние дефектов (дефицита кислорода и радиационных дефектов) па энергетическую щель в \'3а Си О . Показано, что энергетическая щель уменьшается с

г. з 7-х

увеличением концентрации дефектов значительно медленнее, чем критическая температура, определяемая как температура появления конечного сопрогивленил на образце. Обнаружено, что значение д^О при концентрации дефектов N>11 . что подтверждает предсказания

.с *

модели о существоавнии локализованного Бозе-конденсата куперовс-ких пар в дефектных образцах ВТСИ. - •

4. Экспериментально исследованы нелинейные явления в..контактах нормальный металл-сверхпроводящая керамика УВа Си О . Определе-'

• г з 7-х

но 'значение энергетической щели д=18-22.мэВ. соответствующее отношению 2д/к„Т =4.7-5.2. При малых значениях сопротивления

В с

точечных контактов обнаружены особенности, связанные с проявлением джозефсоновских слабых связей между гранулами керамики. Специальные исследования свойств данных.слабых связей в .кйслорододефн-цитпых образцах как резистивным так и магнитным методами показывают. что наиболее ' адекватно данные ' слабые связи описываются

SNINS типом джозсфсоновского контакта.

5. Детально исследована вакуумная термодоеорбция кислорода из керамики YBaCuO . Установлена • температура, при которой

2 3 7 -х

качественно меняется характер изотермической тор.чодосорбшш кислорода. На основании полученных результатов предложена оптимизированная методика приготовления однофазных ■поликристаллнчоских образцов УВа2Сиз07-х с заданным содержанием кислорода.

Олиигашй ледхдышы лчёеёхшнши опубликованы в следующих работах:

1. Синченко A.A. Устройство для измерения температурной зависимости магнитной восприимчивости токих пленок диамагнетиков. - Авторское Свидетельство на изобретение СССР №1428008. приоритет 29 мая 1985.

2. Елесин В. Ф.. Захарченко И. В.. Иванов A.A., Монушепков А. П.. • Синченко A.A.. Шавнин C.B. Намагниченность сверхпроводящих

пленок в слабых магнитных полях. - СФХТ, 1990. Т. 3, стр.17041707. •

3. Азерников П. В.. Сиичзнко А. А. Исследование характеристик точечного контакта нормальный металл-тонкая сверхпроводящая пленка. - В сб. Влияние ионного облучения на критические параметры питерметаллидов со структурой A-15.. 1938. стр. 53-57.

4. Евстигнеев В. В.. Кабрев Г. И., Подливаев Л. И.,

Синченко Л.А.. Изотермическая термодесорбция кислорода из соединения YBa Си О . - СФХТ, 1989. Т. 2.. №4, стр. 34-40.

2 3 7-х

5. Евстигнеев В. В.. ЗЕабрев Г. И.. Захарченко И. В.. Синченко А. А.. Шавкин С. В.. Вакуумная термообработка и ее влияние на структурный и электрофизические свойства УВаяСиэ07_^. Труды 1 всесоюзного совещания "Фнзикохимия и технология

, высокотемпературных сверхпроводящих материалов." стр.213-214.

6. Евстигнеев В. В.,'Жабрев Г. И.. Захарченко И. В.. Синченко A.A... Шавкин C.B. Способ получения сверхпроводника. - Леторскоо

Свидетельство на изобретение' СССР, приоритет 28.04.88. №1550858. , '

7. Синченко А.А.. Нелинейные явления в контактах .нормальный ' металл-сверхпроводящая керамика. - ФНТ. 1989. Т. 15. стр. 438-441.

8. Синченко А.А. Нелинейные электрические явления в контактах .нормальный металл-сверхпроводяшая керамика. - в Трудах XXz Всесоюзного Совещания по ФНТ. Ленинград. 25-27 октября 1988. : стр. 177-178.

9. Синченко А. А.. Захарченко И. В.. Королев Г. В.. Шавкин С. В.. Влияние кислородной стехиометрии на критический ток поликристаллических образцов YBaCu О . - СФХТ. 1989. Т. 2.

.2 3 7-х

№10. стр. 13-16.,

10. Елесин В. Ф.. Синченко А. А., Влияние дефицита кислорода на магнитные свойства слабых связей в поликристаллах YBa Си 0 . - ФНТ. 1990. Т. 16. стр. 1091-1094.

2 3 7-х

11. Elesln V.F.. Slnchenko А.А.. Ivanov А.А., Galkln S.G.. Andreev reflection In Au-bllayer: Ae-YBa2Cu307_5(6=0; 0.3). - Physlea С. 1993. V.213. pp.490-494.

12. Елесин В.Ф.. Синченко А. А.. Влияние дефектов на энергетическую щель в YBa Си О , измеряемую с помощью

2 3 7-х

. андреевского отражения. - ЖЭТФ. 1993. Т. 104,

Подписано к печати Ю. 05 9х/ Заказ £ЧЪ Тираж 80. Типография LHMl. Каширское шоссе. 31