Влияние электрофизических свойств и геометрии контактов на основные характеристики диодов с горячими носителями заряда тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

ХАРЬКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

- ^ : I На правах рукописи

1 1 ДО ^ //? _

СТАРИКОВ АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ

ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ И ГЕОМЕТРИИ КОНТАКТОВ НА ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ С ГОРЯЧИМИ НОСИТЕЛЯМИ ЗАРЯДА

Специальность: 01.04.04 — физическая

электроника

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Харьков 1996

Диссертация является рукопиоь».

Работа выполнена г Харьковской государственном университета.

Научные руководители:

кандидат физико-ыатоматаческих наук, .

доцент] СВЕТЛИЧНЫЙ Бячеслаз Михайлович;

доктор фиаико-цатеыатичэских наук, профессор, аяадошш АН Выскей шкоды Украины ПРОХОРОВ Эдуард Дмитриевич.

Официальные оппоненты:

докюр физюсониатеыатичаскшс ваукг

профессор ГОРДОНКО Юрий Емельянович

(Харьковский ¡технический университет радиоэлектроники);

кандидат физико-цазоматических наук, доцент ШАЛАЕВ Виктор Алексеевич (Харьковский государстванцай университет).

Ведуцая организадая - Институт радиофизики и адактроники НАН Уфаины (г.Харьков).

8 адата состоится " Ч * 19% г, в 1£

на

заседании спациадизиров-анаого Ученого совета Д 02.02.07 Харьковского государственного университета (310077,' гЛарьков, пл.Свободы, ауд, 3-9).

С диссертацией ыожво ознакомиться в Центральной научной библиотеке Харьковокого государствеаиого университета.

Автореферат разослав " 3 " ЫЛС^иЗ/У- 1996 г.

Учавый секретарь специализированного совета

В.И.Чабохарёв

Актуальность работы. Одним из направлений развития современной полупроводниковой электроники является создание быстродействующих полупроводниковых приборов миллиметрового и субмиллиметрового диапазона длин волн. Интенсивно развиваются такие области . применения этих приборов, как космическая связь, спутниковое телевидение, распределительная телефонная связь, радиолокация и ра-диоастроноиия. Важнейшей частью используемых при этом СВЧ и КВЧ систем являйся приемные устройства, характеристики которых определяются параметрами полупроводниковых диодов, применяемых в качестве преобразователей,детекторов, смесителей сигналов злектро-ыагеитного излучения. Одним из перспективных полупроводниковых приборов является диод с горячими носителями заряда (ДГНЗ), обладающий высокий быстродействием при детектировании сигналов напрорыв ной и импульсной СВЧ мощности. Линейность в широкой облеоти вольт-ваттных характеристик диодов и преимудестявнно активный импеданс позволяет применять ДГНЗ в качестве датчиков малых уровней СВЧ мощности.

Основные задачи, являющиеся актуальными при исследовании я разработке таких диодов, - это достижение высокой чувствительности при сопротивлении необходимом для оптимального согласования в СВЧ тракте, расварзние частотного диапазона и динамического диапазона, ограниченного низкочастотными пумами и пробойными явлениями в диодах.

При продвижении в область субмиллиыатрового х ПК-диапазона эффективность разогрева носителей заряда онижаетоя, что приводит ' к необходимости дальнейшего увеличения чувствительности ДГНЗ, оптимизации согласования в тракте и, следовательно, уменьшения активной области и размеров структуры диодов. При этом определяющими и актуальными является вопросы, связанные с электрическими и физическими свойствами контактов и приконтактных областей ДГНЗ, а

такхэ их геометрией.

Цель работы. Цельп работы является исследование влияния геометрии контактных поверхностей и электрофизических свойств контакта металл-полупроводник ДГНЗ на их основные характеристики яри изменении температуры, а такяе путей увеличения чувствительности и расширения возможностей согласования в современных СБЧ и КВЧ дискретных устройствах и микроструктурах интегральной микро-»лектрошиш.

Иатодика исследования. Теоретическое рассмотрение алактри-ческих свойств контактов, приконтакткьсх облаотей и их влияния на характеристики ДГНЗ проводилось на основа модели пере-

ходе, решения уравнения Пуассона и уравнения для плотности тока, а для анализа влияния геометрии контактов на характеристики диодов использовалось уравнение Лапласа.

Экспериментальное исследование характеристик и параметров ДГНЗ осуществлялось с поло «и» измерительных установок на основе восыишиллиыетровых и трехсантинетровых волноводных трактов по стандартный методикам.

Научная новизна. Впервые проведен комплексный анализ контактов ДГНЗ с & переходом и антизапоршх метелл-полупроводник при температурах 77-300 К, и их влияния аа оонолшв характеристики диодов. Для контактов иа основе

рассчитаны зависимости высоты потенциального барьера от температура м показана ее связь с поверхностными состояниями границы раздала контактов, определяющая появление барьера Шоттки при температурах вблизи Т » 77 К. Определено влияние примесей с глубокими .звергетическиии уровнями на контактные свойств, низкочастотные иуиы в зеванный пробой диодов, обнаружено изменение сопротивления ДГНЗ с контактами Аи-~р-(э& Пр8 импульсном леваниом пробое аа счет элехтродиффузии ионов Ли. ,

Предложены и теоретически иоследозана ДГНЗ с пленарной системой контактов, периодической и матричной структурой контакта малой гшоцади и определены их основные характеристики и параметры.

Предложен и экспериментально подтвержден способ снижения уровня низкочастотных шумов и увеличения напряжения лавинного пробоя ДГНЗ за счет нейтрализации влияния примесей с глубокими энергетическими уровнями.

По результатам исследований получено четыре авторских свидетельства на изобретение.

Практическая значимость состоит в возможности использования полученных научных результатов для анализа характеристик и параметров ДГНЗ, а также для разработки и создания преобразова- ' телей, детекторов и датчиков СВЧ мощности на Ъснове предложенных видов диодов с нейтрализацией влияния примесей с глубокими энергетическими уровнями, планерно-полосковой и планарно-коаксиаль-ной геометрией контактов, периодической и матричной структурой контактов, обледаюцих более высокими параметрами по оравнення с типовыми диодами, имеювдми полусферическую форму контакта, что подтверждается полученными авторскими свидетельствами на изобретение.

На зааиту выносится?

1. В области низких температур (I « 7? к) характеристики ДГНЗ определяет нелокальная связь между температурой носителей заряда к алэктрическиц полем, возникавшая за счет эффекта Дедь-тье и дивергенции теплового погода из приконгактной области, а для комнатных температур (Г = 300 К) - изменение подвижности и тармо-э.д.с. горячих носителей заряда, согласно извеотным аналитическим выражениям.

2. Контакты к диодам на основе /Л антизапорны

в диапазоне температур 77-300 К и удельных сопротивлений германии J> ш 0,15-25 Ом см, кроме значений вблизи 1=77 3 Ом см, когда возникает обедненный слой, что при малой высоте барьера fa < 0,025 эВ практически не изменяет антизапорных свойств контактов. Контакты при температурах

Т ®» 300 К и /> ^ 5 Ом см - антизапорны, при J9 5 Ом см существует обедненный слой с ^ ^ 0,1 эВ, то есть, также по своим свойствам близки к антизапорным. При понижении температуры высота барьера растет и степень обеднения увеличивается. На выооту потенциального барьера контактов -АU-p-&ei/VL-P'Gt оказывает влияние ПС на границе раздела контактов, что при температура вблизи Т =77 К приводит к появлению барьера ¡йоттки, определявшего характеристики ДГНЗ.

3. Образование обедненного приконтактного слоя {,¥g-«-KT) контактов МП ДГНЗ нриводит к увеличению электрического поля у контакта и повышению чувствительности по отношению к диодам с нейтральным контактом или контактом с обогащенным слоем.

Планерная система контактов ДГНЗ позволяет повысить аффективное» разогрева носителей заряда в приконтактной области, что проводит к более высокой чувстлитедьнооти планарно-полоско-вых и планарно-коаксиальных диодов по сравнению с диодами о полусферической формой контакта, а также позволяет расширить возможности согласования в соответствующих СВЧ трактах.

В ДГНЗ о матричной структурой контакта увеличение чувствительности достигается за счет локализации электрического поля на элементах контакта, а согласование в СВЧ тракте эа счет изменения количества элементов.

Получены интеграгыша и приближенные аналитические выражения для чувствительности и сопротивления ДГНЗ с периодической структурой контакта. Такие дяоды обладают высокой чувствитель-

?

ностью достигащай 90 Б/Вт и возможностью улучшения характеристик за счет резонансных свойств периодической структуры. .

5. ¿симметрия лавинного пробоя ДГНЗ на основе Ац-р-бб-при различной полярности приложенного напряжения связана с внутренним электрическим полем контакта, а величина напряжения пробоя с распределением примеси Ли. у поверхности границы раздела контакта МП. Для диодов с полусферической формой контакта верхняя граница динамического диапазона определяется при малых радиусах < 5 мкм лввинным пробоем, а при больших - тепловым.

Низкочастотные фликкер-пум и генерационно-рекомбинацион-ны8 иумы, отвечавшие за нижнюв границу динамического диапазона ДГНЗ определят горячие носители заряда, а повывенный уровень аумов и его увеличение при понижении температуры диода связан с примесями, создающими глубокие уровни и ПС на границе раздела контакта. Нейтрализация влияния прикесай приводит к снижению уровня низкочастотных шумов и увеличение напряжения лавинного пробоя, что позволяет расвирить динамический диапазон и повысить надежность ДГКЗ.

Личный вклед автора определяется его участием в расчетах физических свойств и геометрии контактов, характеристик и параметров ДГНЗ, а также в постановка и проведении эксперимента, анализа и интерпретации полученных результатов.

Апробвция результатов. Полученные результаты были представлены на:

- Всесоюзной конференции "Физика и применение контакта металл-полупроводник" (16-19 ноября 1987, г.Киев).

- П Всесоюзной шкояо-семинаре "Взаимодействие электромагнитных волн с полупроводниками и полупроводниковыми структурами" (сентябрь 1988, г.Саратов).

- ХП Всесоюзной научно-технической конференции по твердотельной адектро вике СВЧ (сентябрь, 1990, г.Киев).

- I Украинской симпозиуме "Физика и техника миллиметровых в субниллиметровых радиоволн" (октябрь 1991, г.Харьков).

- Международной конференции "Физика в Украине (июнь 1993, г.Киев).

По вовадаам в диссертации материалам в соавторстве опубликовано 17 рвбот.

Структура и объем работы. Диссертация обвдм обхемом страниц состоит иг введения, четырех глав и заключения, содержит рисунков, список литературы из 90 наименований.

Содержание работы.

Во введении обоснована актуальность выбранного направления исследований, приведена струхтура и краткое содержание работы, изложены основные результаты и положения, выносимые на зааиту.

В первой главе рассмотрены методы анализа разогрева носителей заряда в полупроводниках. Показаны условия применимости приближения аффективной электронной температуры при различных механизмах рассеивания носителей в полупроводниках. Определена связь зрелей релаксации импульса и анергии носителей заряда с процессами рассеивания в германии и кремнии, обладавшими высокой эффективностью разогрева. Рассмотрен неоднородный разогрев в таких полупроводниках, аффект термо-э.д.с. горячих носителей заряда и его применение для индикации а детектирования электромагнитного излучения. Определены основные характеристики и параметры ДГНЗ, рассмотрена инерционность разогрева носителей при детектировании СВЧ мощности.

Во второй главе работы проведен сравнительный анализ ков-тактов с переходом и автизапорных металл-полупроводник

ДГНЗ на основе в диапазона температур 77-300 К для

области слабого разогрева. Рассмотрены модаля расчета контактов, показаны особенности волм-амперню и вольт-ваттных характеристик ДГНЗ с контактам ,//и —при низких температурах. На основе ранения уравнения Пуассона получены выражения для потенциала и электрического поля у контакта для диодов с обедненный и обогащенным прикоктактным слоем, а также для чувствительности я сопротивления диодов. Определено температурное изменение параметров ДГНЗ с полусферической формой контакта малой площади в интервала температур 225-323 К.

Третья глава посаяцена исследованию влияния геометрии диодных структур и их контактов на основные характеристики ДГНЗ. Показано, что плоская форма контакта малой плоцади в сравнении с полусферической приводит к увеличению чувствительности диодов, при разных условиях согласования. Решена задача для нахоа-дения электрического поля и потенциала в ДГНЗ с планарно-полос-коными и плааарно-коаксиальными контактами, определены выражения для чувствительности и сопротивления диодов. Получено приближенное ранение для ДГНЗ с матричной структурой контакте и определены их основные параметры. Проведен теоретический анализ разогрева носителей в ДГНЗ с периодической структурой контакта, получены интегральные выражения для чувствительности и сопротивления. Для диодов с малым расстоянием между контактами получены приближенные выражения в аналитическом виде, определяющие связь параметров с формой структуры контакта и расстоянием между ними.

В четвертой главе исследованы низкочастотные яумы, лавинный и тепловой пробой ДГНЗ. Определена минимальная обнаруженная мощность и динамический диапазон диодов, яспользуешх в качества детекторов СВЧ мощности. Показано, что низкочастотные

фликкер-шум и генерационно-рвкомбинационный шум диодов определяется горячими носителями заряда, а увеличение уровня шумов яри понижении температуры связано с активацией глубоких центров в полупроводнике. Предложен и экспериментально исследован спо-г.,-соб нейтрализации глубоких примесных центров, что позволило значительно уцвньыить уровень низкочастотных шумов, увеличить напряжение лавинного пробоя и расширить динамический диапазон ДГНЗ.

3 закдачении диссертации приводятся основные результаты, полученные в работе.

Основные результаты.

1. Характеристики ДГНЗ с антизапораыми контактами металл-полупроводник и на основе & перехода определяет нелокальная связь между электрический полем и температурой носителей заряда при еизких температурах полупроводника (Т =77 К), а для Т î= 300 К - изменение подвижности и термо-з.д.с. горячих носителей заряда, согласно приведенным аналитическим выражениям.

2. Рассчитана высота потенциального барьера контактов Лц— p-G&jfî! L"p — Qe диодов при концентрации примеси в Gt ft=1.1 ' П)^ - 3-Ю*6 см-^ и изменении температуры кристалла Т = 77-300 К, определены свойства контактов и приконтакт-ных слоев. На основе эксперимента показано влияние ПС границы раздела контактов на высоту потенциального барьера, приводящее при Г «77 К и малых значениях fi полупроводника к образование барьера Иоттки.

3. Получены выражения для чувствительности и сопротивления ДГНЗ на основе р-Sc с обедненным или обогащенным прикон-тактным слоем (</>¿4* кТ) , показана возможность увеличения чувствительности диодов при наличии обедненных слоев по отноив-щ j х диодам с нейтральным контактом или обогацэнным^ приконтак-

тным слови.

*

4. На основе расчета и эксперимента для интервала температур 223-323 К определено изменение сопротивления Ай/йо 0,70,8 5&/град. и чувствительности Д 5/5* ~ 0,35 %/град, ДГНЗ о контактами Ли—р—С/С-

5. Получены аналитические выражения для ДГНЗ с планарно-полосковыыи и плакарно-коаксиалышми контактами, показана возможность увеличения чувствительности диодов при оптимальном согласовании с СБЧ трактом в 70 и 35 раз соответственно, по отно-нэнию к диодам с полусферической фориой контакта. При этой рвс-пиряются возможности согласования в канализирующих системах при минимальных размерах планаркых диодов.

6. Для ДГБЗ с матричной структурой поверхности контакта малой плоцадн увеличение чувствительности достигается за очет локализации электрического поля яа ее элементах, а расиирение возможности согласования - за счет выбора числа элементов контакта. Экспериментально, методой электрического моделирования, определен коэффициент, учитывающий локализацию электрического поля на элементах матричного контакта.

7. Проведен анализ ДГНЗ с периодической структурой поверхности контакта, получены интегральные выражения для их параметров. Определены приближенные аналитические выражения, показываете возможность достижения высокой чувсчвательностн (^~ 90 В/Вт) диодов при сопротивлении, необходимой для оптимального согласования с СВ'ч трактом. Резонансные свойства периодической структуры контакта диодов позволят улучшить их характеристики и расширить область применения.

6. Лавинный пробой в статических полях в ДГНЗ о контактами р— полусферической формы обладает аоишетрией при различной полярности приложенного напряжения за счет вдая-

вия внутреннего поля контакта. При импульсной лавинной пробоа •жсперимаятально обнаружено изменение сопротивления диодов, свяаавное с влектродиффуэией ионов Ли в приконтактной области 6С . и практически отсутствующее для диодов на основе б£ легированного Си(6с?Си).

9. Расчет мощности и напряжения при тепловом пробое в ДГНЗ с полусферической формой контакта покавал линейную зависимость мощности от радиуса контакта диода, а напряжения - зависящим только от удельного сопротивления полупроводникового кристалла, что подтверждено жолериментом, При радиусе контакта Т*^ 5 мкм граница динамического диапазоне определяется лавинным пробоем, а при Тк > 5 мкм - тепловым.

10. Эксперимент и расчет показали, что в создании генера-циокно-рекомбинацновкого и фликкер-иума участвуют горячие носители заряда, а возрастание уровня вумов при понижении температуря полупроводника связано с активацией глубоких примесей и увеличением дефективности разогрева носителей заряда.

11. Согласно экспериментальным значениям уровня ыумов и чувствительности определена минимальная обнаруживаемая модность ДГНЗ на основе (ГДГ) и динамический диапазон, составляющий для линейного участка характеристики Р^лг- 58 дБ.

12. Нейтрализация примесей, создающих глубокие уровни и поверхностные состояния на границе раздела контакта приводит к сякхени» уровня низкочастотных иумов и увеличения напряжения лавинного пробоя диодов. Экспериментально установлено расширение динамического диапазона ДГНЗ на основе 0>1' Си на 8-9 дБ

( Рг**сис~67 дБ) по сравнению с диодами на основе бв (ГДГ).

Основные публикации по тема диссертация.

I. Светличный Б.М., Разовскай Н.П., Стариков'А.И. О выборе полупроводникового материала для диодов с горячими носителя-

ни звряда. Вестник Харьк, ун-та, te 216, в.10, 1981, с.60-63.

*

2. Баркова И.И., Светличный 3,11«, Стариков А.И. Влияние температуры на вольтамперные и вольтваттные характеристики диодов о горячими носителями заряда. Вестник Харьк. ун-та, Й 355, 1991, с.2^-27.

3. Стариков А.И., Разорений И.П., Светличный В,И. Особенности лавинного пробоя диодов с горячими носителями заряда. Вестник Харьк. ун-та, ,'s 336, 1989, с.8-10.

А. Стариков А.И., Светличный Б.И. Чувствительность диодов с горячими носителями заряда. Электронная техника. Сер. 2» Полупроводниковые приборы, в.б (209), ©90, с.17-19.

5. Стариков А.И., Разовский Н.П., Светличный B.U. Шуш, пробой и динамический диапазон диодов с горячими носителями заряда. Изз. вузов. Радиоэлектроника. - 1987, 30, й 3, с.89-90.

6. Головко Л.З., Стариков А.И., Светличный В.Ы. и др. Пробой диодов с горячими носителями заряда. Вест. Харьк. уя-та, 1984, й 255, 0.66-68.

7. Светличный B.U., Ростаиец Н.А., Стариков ¿.И. а дрв Тепловой пробой СВЧ детекторов с горячими носителями заряда. Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 1988, т.54, ¡г Ю, с.7^-7б.

8. Светличный З.М., Стариков А.И., Разовскай Н.П.Особеннос-ти фликкер-ыума СВЧ детектора с горячими носителями ааряда. Твердотельная электроника миллиметрового и субмнллиметрового диапазонов. Сб. научи. трудов. - Харьков. ИРЭ AH JCCP, 1988, O.I50-156.

9. Starikov A.I., Svetlishivy V.I.Î. ïhe heating of eleotron gas in semiconductor structures vrith developei geometxy of contacts. Piiysics in Ukraine,International conferenoe. Kiev, 22-27 ¿une, 1993, p.236-239.

10. Стариков А.И., Светличный B.U. Расчет основных параметров пленарных СВЧ диодов с разогревом носителей зарода.

I Украинский симпозиум "Физика и техника миллиметровых и суб-шлхиметровьос радиоволн". Тез. докл. 4-1. Харьков, 1991, 0.244245.

11. Светхячкый B.U., Стариков A.U., Раэовский H.H. Датчик СВЧ мощности, i.e. (СССР) te 1329363, Приоритет изобр. 17 декабря 1985 г.

12. Стариков А.И., Светличный B.U. Датчик СВЧ мощности. A.C. (СССР) fe 1665316. Приоритет изобр. 19 июля 1989 г.

13. Стариков А.И., Светличный B.U. Датчик СВЧ модности. A.C. (СССР) к 1720027. Приоритет изобр. I декабря 1969 г.

14. Стариков А.Я., Светличный В.К. Датчик СВЧ мощности. A.C. (СССР) к 1800375. Приоритет изобр. II декабря 1989 г.

CisplKOB 0.1. Вщшв елехтроф1«ичаих властивоотей та гео-ивтрИ контактIb на ochoshI характеристика д1од1в з гарячлии нос1ями заряду.

Дисертад1я у зигляд1 рукопису на здобуття науяового ступв-кя кандидата ф1аико-иатеиатичш1х наук за спец1альн1ств -01,04.04 - ф1эична електрон1ка, - Харж1вський державкий jal-верситет, - Харки, 1996.

Дисертац1я м1отить ревулмати 17 наукових публ1кац1й по досл1дже ншэ д1од!в з гарячими нос1ямя заряду (ДГЮ) а антяза-порними контактами мало! плоц! иетал-кап1всров1дши( та ъ переходами у д1апазон1 температур 77-300 К. Особляву увагу при-д1лено досл1дхеншз влаетнвостей xohtsstIb матал-нал1впров1дник та приконтвктних областей з нап1впроз1дкик8ыя Gt,Sl та 1х впливу на характеристики та параметра ДГНЗ при зи1я1 темпероту-ри, р1вня легування нап1впров1дника та наявност1 домЮок, як1 створюють глибок! анергетичн1 р1вн1 та полерхвев! стани на ие-ж1 розд1лу контакту метал-нап1впров1дник.

Теоретично досл1джеи1 ДГНЗ з пдонарно-снухковов та планар-но-коакс1альнов системою контакх1в„ пер1одичноэ та натрнчвов

структурами xoht&ktIb мало1 плод!, гизначеа1 1х основа! хараи-

i

теристики та параметра.

Виявланий вплив доы1вов з глябокииа евергвтячнмня р1ваяыя на анзькочастота! ауш та лаванний проб1й д1од1в, екоперимен-т а ль но досл1джеанй опос1б знижання р1вня гваерац1йно-рекоы<Я-иадШного пуму, фд1ккер-ауыу та эб1яьшання напруги лавинного пробой ДГНЗ, який веде до розннрвная диваы1чиого д1апа80ну та б1лыа вад1йво1 робота д1од1в.

йшчов! слова» д1од з гарячими иоо1ями заряду, чутлн-в1сть, onlp дХода, антиааиориий контакт, потвкцИкий бар"ор, гооы9?р1я та структура kohsüktIb, доШшш з глнбоклмд р!вшшы,

RtBopxaeBl ctaia, HHsmoiaetoiHl bjtvh, xaumuil rrpoflli, juna-Mtnl aleaaaoH.

Starikov The Influence of the contacts electrophysi-

oal properties and geonetry to the hot—carriers diodes main characteristics.

Candidate of Sciences Thesis In Radiophysics. Kharkov State University. Kharkov, 1996.

The thesis contains the resalts of 17 scientific publications connected with researoh hot-carriers diodes (HCD) with small area contacts both antlbarrler metal-semiconductor and based on 1 - h Junction in the 77-300 K temperature ran^e. Uain attention It was given to research of the rnetal-semicon-duotor contacts properties and near contacts aones for Ge and Si and study of such contacts influence to HCD paranetcrs and characteristics when the temperature and seniconductor doping are ohanged and deep-lying impurities with surfase states on the netal-semiconductor bondaries are present.

HCD with planar-strip and plr;rcr-ccf.;.'sial contact systems, perlodio and matrix structure of snail area contacts were researched theoretically and as result naln parameters and characteristics were obtained.

The influenoe of deep-lying impurities to the low frequency noise and diode avalanche breakdown voltage it.was studied. One way of the reduction of "both the generation-re combination and flicker noise and some increasing of the HCD avalavche ■breakdown voltage that leads to the diode dynamic range expansion and to improvement of the diode reliability was experirnen -

tally researched.

The keywords: hot-carriers,diode, sensitivity, diode resistance, antlbarrler contact, geometry and structure of contacts, potential barrier, deep-lying impurity, surfase states, low frequency noise, avalanche breakdown,- dynamic range. :