Влияние носителей заряда на релаксацию магнитных ионов в магнитных полупроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.11 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

I. ОСНОВНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАГНИТНЫХ

ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЕиО И Н^Сг^Ьег, (ОБЗОР)-.II

1.1. Основные физические свойства ЕиО.II

1.2. Основные физические свойства Я^Ох З.е^

1.3. Процессы спиновой релаксации в магнитно концентрированных соединениях.

1.4. д. -Фактор в ЕиО и И^Сг^Ъе^.

1.4.1. -фактор в ЕиО.

1.4.2. £ -фактор ъН^Сг^Ье.^.

1.5. Ширина линии магнитного резонанса при ферромагнитном упорядочении.

2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.'.

2.1. Измерение электропроводности образцов.

2.2. Методика измерений ЭПР.

2.3. Методика измерений ФМР.

3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПР В МОНООКСИДЕ ЕВРОПИЯ.

3.1. Зависимость электропроводности ЕиО от степени -легирования и отклонения состава от стехиометрического.

3.2. Температурная зависимость параметров

ЭПР в ЕиО.

4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПР В СЖЕНОХРОМИТЕ РТУТИ.

4.1. Электропроводность ¿с^ в зависимости от степени легирования и дефектности кристаллических подрешеток.

4.2. Исследование температурной зависимости ширины линии ЭПР

5. ИССЛЕДОВАНИЯ ФМР В СЕЛЕНОХРОМИТЕ РТУТИ.

5.1. Исследования ширины линии ФМР в

5.2. Исследования угловой зависимости резонансного поля ФМР в А^П^е^

ЗАШИЕНИЕ.

Класс соединений - магнитные полупроводники (МП) - сочетает в себе свойства полупроводников и сильных магнетиков. Это обстоятельство вызывает пристальный интерес исследователей к МП. Интерес этот не только академический как к объекту с необычным сочетанием физических свойств,изучая которые можно глубже понять природу магнитных и полупроводниковых свойств веществ. Второй,пожалуй,более важной причиной,стимулирующей внимание к МП,является возможность практических применений этих соединений в технике. Уже сейчас,на данном этапе исследований использование МП позволяет не только улучшить некоторые уже известные устройства,но и создать совершенно новые,основанные на таких уникальных свойствах,как переход изолятор-металл,огромное магнетосопротивление,сильный температурный сдвиг края оптического поглощения,гигантские магнитооптические эффекты и некоторые другие.

Одной из самых интересных возможностей,открывающихся при использовании МП,является реализация активного электрон-магаонного взаимодействия (ЭМВ),при котором энергия из электронной подсистемы передается в магнитную. С самых общих позиций ясно,что одновременное наличие в веществе магнитной подсистемы и подсистемы носителей заряда с высокой подвижностью,характерной для полупроводников, должно накладывать особенности на физические свойства такого вещества по сравнению с обычными магнитными и полупроводниковыми материалами. Действительно,исследования МП,проводившиеся в течение ряда лет,показали,что большинство уникальных свойств этих соединений обязаны взаимодействию магнитной и электронной подсистем. В основе описания взаимодействия подсистем локализованных спинов и электронов проводимости лежит в-с! модель С.В.Вонсовско-го /I/. В частности,возможность реализации активного ЗМВ также основывается на сильной б-о' обменной связи электронов проводимоети и локализованных магнитных моментов. Однако,условие сильной связи свободных и локализованных спинов является необходимым,но не достаточным для реализации ЭМВ. Процессы релаксации,приводящие к диссипации энергии магнитной подсистемы,могут быть настолько быстрыми, что энергия,поступающая из электронной подсистемы в магнитную, тут же будет рассеиваться. Поэтому вторым условием для реализации активного ЗДВ является слабое затухание возбуждения в магнитной подсистеме. Казалось бы,главенствующую роль в процессах релаксации должна играть система носителей заряда,поскольку она сильно связана с магнитной подсистемой. Однако нет исследований, опровергающих либо подтверждающих это предположение, и вопрос этот до сих пор остается открытым. Имеется совсем немного теоретических работ,посвященных,в основном»влиянию проводимости на ЭПР и ФМР в металлах /24,26,30/. Выкладки из этих работ не всегда можно использовать даже для грубых качественных оценок в применении к МП из-за сильных различий по сравнению с металлами в величине параметра обменного взаимодействия,концентрации носителей заряда и магнитных ионов. С другой стороны,теоретические работы,посвященные МП,практически не касаются вопросов о процессах релаксации возбуждения в магнитной подсистеме и влиянии на них подсистемы носителей заряда /2,55/.

Информацию о процессах затухания возбуждения в магнитной подсистеме можно получить из измерений ФМР и ЭПР,но экспериментальных работ,связанных с указанным вопросом,нет. Слабый интерес радиоспектроскопии к магнитно-концентрированным соединениям,какими являются МП,понятен: наличие всего лишь одиночной линии без тонкой и сверхтонкой структуры существенно уменьшает информацию,получаемую из измерений ЭПР,а высокая электропроводность некоторых кристаллов МП рассматривалась исключительно лишь как помеха измерениям ЭПР и ФМР. Тем не менее, фактически полное отсутствие информации о степени влияния зонных носителей в широкой области их концентраций на параметры процессов релаксации в магнитной подсистеме побуждает предпринять такие исследования ЭПР и ФМР в МП. Ширина линии магнитного резонанса характеризует время исчезновения возбуждения в магнитной подсистеме - чем это время больше,тем линия уже. Этим определяется актуальность предпринимаемых исследований.

Выяснение степни влияния системы носителей заряда на параметры релаксации возбуждения в магнитной подсистеме позволит более целенаправлено производить выбор кристаллов МП для экспериментов по реализации активного ЭМВ. До сих пор основным критерием выбора образца было электросопротивление - такое,чтобы,с одной стороны, была достаточно высокая концентрация носителей заряда для более эффективного ЭМВ,а,с другой стороны,электросопротивление должно быть достаточно высоким,чтобы напряжение,прикладываемое к образцу,не вызвало большой ток,способный разрушить кристалл.Определение области концентраций носителей заряда,где влияние их на спин-решеточную релаксацию минимально,позволит оптимизировать выбор кристалла.

Исследования магнитного резонанса в МП в широком диапазоне отклонений состава от стехиометрического и легирования различными металлами интересны еще и по следующим причинам. Подобные исследования позволяют получит информацию о механизмах определяющих ширину линии магнитного резонанса в МП и зависимости их от состава кристаллов. Так,например,изотропные обменные взаимодействия сужают линию ЭПР,а анизотропные могут привести к уширеншо. Поэтому исследования механизмов спин-решеточной релаксации могут быть полезными так же и для установления величины и характера обменных взаимодействий в МП.

Отклонение £-фактора от его значения для свободного спина дает возможность судить о некоторых взимодействиях внутри вещества, в первую очередь о спин-орбитальных,так как они определяют магнитную анизотропию кристаллов.

С помощью исследований ФМР можно непосредственно изучать магнитную кристаллографическую анизотропию и влияние на неё вариаций состава соединений.

В ряде случаев из экспериментов по магнитному резонансу можно получить информацию об электронном энергетическом спектре исследуемых веществ.

В свете вышесказанного были предприняты исследования наибо- . лее ярких представителей МП: монооксида европия ЕиОж хромселе-нида ртути . Ей ^обладает самыми высокими среди МП магнитными свойствами (его намагниченность насыщения ШМ0~ 24100 Гс /5/),а Н^С^Ье^ - электрическими (подвижность носителей заряда более 0,1 м2/В-с /II/),ЕцО является одним из наиболее изученных МП,в частности,исследования ФМР на этом соединении уже проводились, поэтому в данной работе изучался лишь ЭПР в монооксиде европия. В Н^С^бе^ изучался и ЭПР и ФМР. Цель работы:

- изучение механизмов спиновой релаксации,определяющих смещение $-фактора и ширину линии ЭПР в и ширину линии

ШВъИ^С^Ъе^ ;

- исследование степени влияния носителей заряда на £-фактор и ширину линии ЭПР в Ец0ж С^и ширину линии ФМР в Н&Ь^ .

В работе впервые

- исследован ЭПР в кристаллах ЕйО .легированных Со/ ж Б™ ,и в кристаллах и в пленках нестехиометрического состава ЕиО^ъ в области концентраций электронов проводимости от Ю16 м~3 до Ю27 м-3;

- исследован ЭПР в кристаллах Н^СцЬе^ р - и п-типа нестехиометрического состава и \ р-типа в диапазоне концентраций зонных носителей заряда от З-Ю^- до 5*10*^

- исследован ФМР в кристаллах НдСгг5е^ р- и п-типа нестехиомет-рического состава в диапазоне проводимости от 3-1СГ4 См-м""-'- до 7-103 См-м"1;

- показано,что в Ей Оэлектроны проводимости в диапазоне концентраций до Ю27 м"3 не оказывают влияния на процессы спин-решеточной релаксации;

- установлено,что ширина линии и д.-фактор в ЕцОопределяются процессами релаксации с участием электронов,локализованных возле примесей;

- показано,что в Н^Сг^Ъе^ р-типа носители заряда могут давать заметный вклад в процессы спин-решеточной релаксации при концентрации дырок выше 1024 м-3;

- показано,что в п-типа электроны проводимости не оказывают существенного влияния на ширину линии ЭПР во всей исследованной области концентраций носителей заряда,т.е. до 5-10^ м-3;

- установлено,что ширина линии ФМР в НуСг^ 5е^определяется,главным образом,электропроводностью образца и,следовательно,находится в рг+ г 4+ зависимости от концентрации ионов ьг и ьг ; г

- обнаружено нестатистическое распределение ионов С г по узлам решетки в 5е4 »приводящее к необычной для кубического кристалла угловой зависимости резонансного поля сигнала ФМР.

Практическая ценность

Полученные в диссертации результаты показывают,что наличие сильного Б -о! обменного взаимодействия между свободными носителями заряда и локализованными моментами не создает дополнительного канала диссипации энергии магнитной подсистемы ни ъ Ей 0 во всей области концентраций носителей заряда,ни ъИс^С^Зе^ любого типа проводимости вплоть до концентрации м~3. Поэтому при создании устройств на МП,основанных на передаче энергии из электронной подсистемы в магнитную,необходимо брать в расчет только обычные механизмы спин-решеточной релаксации. Учитывать же наличие носителей заряда надо лишь как возможный источник образования вихревых токов при достаточной величине электропроводности и размеров образца.

Экспериментально полученные в работе величины д^. ид/ОТ для

Ей О позволяют оценить параметр обменного взаимодействия примесг 2+ ных электронов с окружающими примеси ионами и время спин-решеточной релаксации примесей. Эти величины необходимы при проведении ряда теоретических расчетов и для экспериментальной проверки некоторых теорий,относящихся к Ей О,

Б работе получена для И^С^Зе^ д %щ>сг7 Э. Такая ширина линии,наименьшая из до сих пор описанных в литературе для данного соединения,показывает,что Н^С^Зе^ выделяется среди других МП не только самой высокой подвижностью носителей заряда,но и весьма узкой линией ФМР.

На защиту выносится:

- измерение температурной зависимости ширины линии ЭПР и д. «фактора в ЕиО , 0 О , НуСг^е^ , %-х Сг2 для образцов с различной концентрацией носителей заряда;

- исследования влияния носителей заряда,отклонения состава от сте-хиометрического,примесей на ширину линии и % -фактор ЭПР в кристаллах и пленках Ей О ж в кристаллах Н%Сгг ;

- исследование влияния носителей заряда и ионов хрома неосновной валентности на ширину линии ФМР и магнитную кристаллографическую анизотропию в Н^С^Бе^ ;

- результаты изучения механизмов спин-решеточной релаксации в ЕцОжИ^Сг^Ьг^ .

Результаты диссертационной работы докладывались на Всесоюзных конференциях по физике и химии редкоземельных полупроводников ( Ленинград,1976,1979 ), Всесоюзной конференции по химии твердого тела ( Свердловск,1978 ), 2-ом семинаре по аморфному магнетизму ( Красноярск,1980 ), ХУ Всесоюзной конференции по физике магнитных явлений ( Пермь, 1981 ), 1У и У Уральских школах по магнитным и РЗ полупроводникам ( Свердловск,1981,1983 ), научно-техническом семинаре по спектроскопии твердых тел ( Свердловск, 1981 ),Всесоюзном семинаре по спиновым Еолнам ( Ленинград,1984 ), XIII Всесоюзной конференции по СВЧ ферритовой технже ( Ленинград,1984 ).

I. ОСНОВНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАГНИТНЫХ

ПОЛУПРОВОДНИКОВ Ей 0 и Н%Сг^5ен ( ОБЗОР )

Выводы о независимости спин-решеточной релаксации в ЕцО и НдСг^Ье^ от наличия Б -с/ обменного" взаимодействия с носителями заряда позволяют рекомендовать эти соединения как весьма перспективные для реализации активного ЭМВ.

В заключение выражаю глубокую благодарность своему руководителю доктору физико-математических наук, профессору Самохвалову А. А. за постоянное внимание и помощь в процессе выполнения работы, сотруднику отдела теоретической физики кандидату физико-математических наук Ауслендеру М.И. за ценное обсуждение полученных результатов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Вонсовский.С.Б.Магнетизм.-М.:Наука,1971.-1032с.,ил.

2. Метфессель 3.,Маттис Д.Магнитные полупроводники.-М.:Мир, 1972.-405с.

3. Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов. /А.В.Голубков и др.;0тв.ред. В.П.Йузе.Л. -.Наука, 1973.-304с.

4. Wachter P.Europium chalcogenides:EuO,EuS",EuSe and EuTe.-In: Handbook on physics and chemistry of rare earth.v.2/Ed.K.A. Gscheinder Jr. and L.Eyring.-Amsterdam,North Holland Pull. Co.,1979,P.507-574.

5. Самохвалов А.А.Магнитные редкоземельные полупроводники.-В кн.:Редкоземельные полупроводники./Отв.ред. В.П.Яузе и

6. И.А.Смирнов.Л.:Наука,1977,с.5-47. .

7. Самохвалов А.А.,Гижевский Б.А.Дошкарева Н.Н.,Раевский В.Я., Чеботаев Н.М.ИК спектры отражения и параметры носителей тока нестехиометрических монокристаллов Еио^. —ФТТ,1980,т.22,М, c.II93-II96.

8. Heuer A.H.,Mitchel Т.Е.Further discussion on the space group of spinel.-J.Phys.C:Sol.State Phys ., 1975 ,v .8, p .54-1-543 .

9. Oguchi T.,Kambara T.,Gondiara К .J.J .Self-consistent electronic structure of magnetic semiconductors by a discret variational X calculation.11 .HgCr2Se4.-Phys.Rev.B,1981,v.24,1. No.6,p.3441-3444.

10. Арбузова Т.И.,Самохвалов А.А.,Показаньева Г.К.,Гижевский Б.А., Симонова М.И.,'Чеботаев Н.М.Влияние носителей тока на обменное взаимодействие в магнитных полупроводниках Hgi-xAsxGr2Se4' -ФТТ,1984,т.26,М,с.256-259.

11. Goldstein L.,Gibart P.,Selmi A'.Transport properties of theferromagnetic semiconductor HgCr2Se4.-J.Appl.Phys .,1978,v .49, No. 3,p.1474-1476.

12. Самохвалов А.А.,Гикевский Б.А.,Лошкарева Н.Н.,Арбузова Т.И., Симонова М.И.,Чеботаев Н.М.Особенности явлений переноса в магнитном полупроводнике HgCr2Se4 р-и п-типа.-ФТТ,1981,т.23, Ml, с. 3467-3469.

13. Абрагам А.,Едини Б.Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов, т. 1.-М.:Мир, 1972.-651с.

14. Альтшулер С.А.,Козырев Б.М.Электронный парамагнитный резонанс соединении промежуточных групп.-М.:Наука,1972.-672с.

15. Самохвалов А.А.»Бабушкин B.C.Обменное сужение линии ЭПР в ферромагнитных соединениях двухвалентного европия.-ФТТ,1970, т.12,М,с.13-15.

16. Самохвалов А.А.,Бабушкин B.C.,Симонова М.И.»Арбузова Т.Н. Обменное сужение линии ЭПР в халькогенидных хромовых шпинелях . -^ТТ,1972,т.14,с.2974-2975.

17. Anderson P.W.,Weiss P.R.Excenge narrowing in paramagnetic •resonance.-Rev.Modern Phys.,1953,v.25 fNo.1,p .269-276 .

18. Blombergen W.,Wang S.Relaxation effects in para- and ferro-magneticresonance.-Phys.Rev.,1954,v.93,No.1,p.72-83.

19. Huber D.L.,Seehra M.S.Contribution of spin-interaction to the paramagnetic resonance linewidth of CrBr^.-J.Phys.Chem. Solids,1975,v.36,No.7/8,P.723-725.

20. Seehra M.S.,Castner T.G.Paramagnetic line width in Cu(HCOO)2* •4H20 .-Phys .Condens .Materie, 1968,v.7 ,No .1 ,p . 185-200 .

21. Castner T.G1,Seehra M.S.Antisymmetric exchange and exchange-, narrowing electron paramagnetic resonance linewidth .-Phys. Rev.B,1971,v.4,No.1,p.38-45 .

22. Бержанский B.H.»Гавричков-C.A.Иванов В.И.ЭПР в халькоге-•нидных шпинелях хрома,.В сб. ¡Магнитные полупроводники и их свойства.-Кра сноярск,1980,с.74-100.

23. Mills D.L.Electron spin-lattice relaxation by two-phononprocess.-Phys.Rev.,1966,v.146,N0.1,p.336-343.

24. Korringa J.Nuclear magnetic relaxation and resonance lineshift in metals.-Physica,1950,v.16,Wo.7-8,p.601-610.

25. Hasegawa D.Dynamical properties of s-d interaction.-Prog. Theor.Phys.,1959,v.21,No.4,p.483-500.

26. Seipler D.,Elscner B.Electron spin resonance of Gd in inter-metallic compaunds with CsGl structure.-Phys.Lett.,1975,v.55 A,p.115-117.

27. Туров E.А.Особенности ферромагнитного резонанса в металлах. В сб.¡Ферромагнитный резонанс./Под ред.С.В.Вонсовского.-М.: Гос.изд.физ.-мат.лит.,1961.-343с.

28. Stewart A.M.Simple theory of "negative residual linewidth" in reflective spectroscopy of magnetically concentrated local moment systems.-Austral J.Phys.,1980,v.33,No.6,p.1049-1053.

29. Кожевников H.В.Спиновая динамика s-d модели ферромагнитных полупроводников и металлов.-.Авторе®.Дис. .канд.физ.-мат. наук.-Свердловск,1980.-18с.

30. Ьё Craw R.C.,Philipsborn H.von,Sturge M.D.Ferromagnetic, resonance and other properties of cadmium chromium selenide.-J.Appl.Phys.,1967,v.38,N0.3,p.965-966.

31. Гуревич А.Г.Магнитный резонанс в ферритах и антиферромагнетика х.-М.:Наука,1973.-592с.,ил.

32. Эмирян Л.М.,Гуревич А.Г.,Шукюров А.С.,Бернанекий В.Н.Особенности ферромагнитного резонанса в магнитном полупроводнике HgCr 2Se 4.-ФТТ, I98i, т. 23, МО, с .2916-2922.

33. Туров Е.А.Ширина линии ферромагнитного резонанса.В сб.¡Ферромагнитный резонанс/Под ред.С.В.Вонсовского.-М.:гос.изд. физ.-мат.лит.,1961,с.215-265.

34. Гуревич А.Г.Ширина кривой ферромагнитного резонанса.обусловленная электрическими потерями.ч&ТТ,1974,т.16,Ш,с.1784-1786.

35. Hartwick T.S.,Smit J.Ferromagnetic resonance in Si-doped YIG.-J.Appl.Phys.,1969,v.40,No.10,p.3995-4001.

36. Sansonett J.S.,LIullin D.P.,Dixon J.R.,Furduna J.K.Electron paramagnetic resonance in powdered semiconductors and semi-metals .-J .Appl .Phys.,1979,v.50,No.8,P.5431-5441.

37. Shafer M.W.,Torrance J.В.,Penney T.Relationship of cristal growth parameters to the stoichiometry of EuO as determined by I.R. and conductiwity measurements.-J.Phys.Chem.Solids, 1972,v.33,p.2251-2266.

38. Арбузова Т.И.Обменное взаимодействие в ферромагнитных полупроводниках на основе халькогенидов двухвалентного европия. . Дис.канд.юиз.-мат.наук.-Свердловск,1976.-164с.

39. Самохвалов А.А.,Арбузова Т.И. ,4'ебот.аев Н.М. »Симонова М.И., Гижевский Б.А.,Виглин Н.А.Синтез и свойства твердых растворов на основе моноокиси европия.-В об.¡Синтез и свойства соединений редкоземельных элементов.-Свердловск:УНЦ АН СССР, 1982,с.26-35.

40. Самохвалов А.А.»Арбузова Т.И.»Симонова М.И.»Фальковская Л.Д. Магнитные примесные состояния в Eu. Gd о.-ФТТ,1973,т.15,с.3690-3692.

41. Torrance J.В.,Shafer M.W.,Mc Guire Т.В.Bound magnetic pola-ron and the insolator-metal transition in EuO.-Phys.Rev.B, 1972,v.5,N0.9,p.3669-3674.

42. Самохвалов A.A.,Арбузова Т.И.,Виглин Н.А.,Гуничев А.Ф.Магнитная гетерогенность пленок EuO. -ФТТ,1981,т.23,М,П58-П60.

43. Бабушкин B.C.,Самохвалов А.А.,Виглин Н.А.»Арбузова Т.Н.,Гижевский Б.А.,Романюха А.А.ЭПР и обменное взаимодействие через носители тока в нестехиометрических пленках EuO. -ФТТ,1980, т. 22, И, с. 293-295.

44. Самохвалов А.А.,Виглин Н.А.,Гуничев А.Ф.Дошкарева Н.Н.Дис

45. Персия эффекта Фарадея в тонких пленках EuO^g-Письма в ЖТФ, 1978,т.4,té 5,с.250-252.

46. Самохвалов А.А.,Гуничев А.Ф.,Гижевский Б.А.Дошкарева H.H., Чеботаев Н.М.,Виглин Н.А.Нестехиометрические пленки Euü с повышенной температурой Кюри.-ФТТ,1978,т.20,té 3,с.897-899.•

47. Самохвалов А.А.,Гуничев А.Ф.Дошкарева H.H.,Виглин Н.А.,Ги-жевский Б.А.,Раевский В.Я.,Дударев М.С.Эффект Фарадея в не-стехиометрических пленках ЕиО^в связи с особенностями их электронной структуры.-ФТТ,1979,т.21,té 7,с.1948-1950.

48. Lee К.,Suits J.С.Reduction of ferromagnetic exchenge with lattice dilation in EuO .-J.Appl.Phys.,1970,v.41, No. 3, p.954-956.

49. Пул Ч.Техника ЭПР-спектрскопии.-М.:Мир,1970.-557 с.

50. Dunlap R.A.,Gottlieb A.M.Critical spin fluctuation in EuO.-Phys.Rev.B:Condens.Matter.,1980,v.22,No.7,P.3422-3427.

51. Statz H.,Weber M.J.,Rimai L.,de Mars G.A.,Köster G.P.Exchenge interactions in the paramagnetice resonance spectrum of ruby.-J .Phys.Soc.Japan,1962,v.17,Suppl.B-1,p.430-434.

52. Маш И.Д.,Родак M.И.Проявление кросс-релаксации и спектр об-менно-связанных пар ионов в парамагнитных. -ФТТ,1965, т.7, №3, с.717-721.

53. Альтшулер С.А.,Скребнев В.А.О влиянии обменных взаимодействий на спин-решеточную релаксацию парамагнитных ионных кристаллов.- ФТТ,1967,т.9,№ 2,с.498-503.

54. Вантер Ж.Теория ширины линии./В кн.¡Квантовая оптика и квантовая радиофизика.-М.:Мир,1966.-451 с.

55. Самохвалов А.А.,Виглин H.A.,Гижевский Б.А.,Бабушкин B.C., Романюха A.A.,Чеботаев Н.М.Влияние электронов проводимости на ЭПР в EuO. -ФТТ,1981,т.23,té 3,с.870-873.

56. Смарт Дк.Эффективное поле в теории магнетизма.-М.:Мир,1968. -271с.

57. Нагаев Э.Л.'Физика магнитных полупроводников.-М.:Наука,1979. -432с.

58. Самохвалов A.A.Гиневский Б.А.»Симонова М.И.,Солин Н.И.Переход типа неметалл-металл вЕи1-хСйхо.-фТТ,1972,т.14,с.279-281.

59. Selmi А.,Gibart P.,Goldstein L.Galvanomagnetic properties of n-type ferromagnetic semiconductor HgCrgSe^.-J.Magn. and li'Iagn. Mat er ials , 1980, No . 15 -18, P . 1285-1286 .

60. Чеботаев Н.М.»Симонова M.И.Отклонение от стехиометрии в HgGr2Se4-Te3.докл.1У Всесоюзной конф."Тройные полупроводники и их применение" 6-8 июня 1983.Кишинев,1983,с.106.

61. Ерухимов М.Ш.,Овчинников С.Г.Электронный спектр и поглощение света в магнитных полупроводниках.-ФТТ, 1979, т. 21, .№2, с.351-358.

62. Веселаго В.Г.,Прялкин В.И.,Файфер В.Н.,Холодных А.И.Аномальная люминесценция ферромагнитного полупроводника HgCr2Se4 ФТТ, 1984, т. 26, JJ2, с. 507-511.

63. Фистуль В.И.Сильно легированные полупроводники.-М.:Наука, 1967.-415с.

64. Виглин H.A.»Самохвалов A.A.,Гиаевский Б.А.Симонова М.И.,Чеботаев Н.М.Спин-решеточная релаксация в магнитных полупроводниках HgCr2Se4 р-и п-типов с переменной концентрацией носителей тока.-ФТТ,1983,т.25,1е6,с.1640-1643.

65. Mimematsu K.,Miyatani K.,Takahashi T.Magnetic and electrical properties of HgCr^e^,doped In,Ag .-J .Phys .Soc .Japan, 197-1, v.31,No.1,p.123-128.

66. Кузнецов Ю.С.,Виглин H.A.,Степанов А.П.,Китаев Г.А.,Мохов А.Г.К вопросу о валентности хрома в соединении Сг02.-ЖФХ, I976,T.50,il8,c.2I09-29I0. •

67. Гавричкав С.А.Исследование g -фактора и процессов ЭПР-релак-сации в халькогенидных шпинелях хрома.-Дис. .канд.физ.-мат. наук.-Красноярск,1983.-122с.

68. Steigmeier E.F.,Harbeke G.Phonon and magnetic ordering ferromagnetic CdCr2Se4 and CdCr2S4.Phys.Kondens.Mat., 1970, v.12, p.1-15 .

69. Самохвалов A.A.,Бабушкин В.С.,Виглин H.A.,Гижевский Б.А.,Гу-ничев А.Ф.Влияние носителей тока на s-d обменное взаимодействие в магнитных полупроводниках.-ФТТД981,т.23,MI,с.3507-3509.

70. Магнитные полупроводники халькогеющные шпинели./К.П.Белов и др.-М.:Изд-во МГУ,1981,279с.

71. Виглин H.A.»Самохвалов А.А.,Солин Н.И.,Симонова М.И.Ферромагнитный резонанс в магнитном полупроводнике н§Сг23е4.-ФТТ, 1984,т.26,М,с.I230-I23I.

72. Gurevich A.G.,Karpovich V.I.,Rubalskaya E.V. at al.Ferromag-netice resonance in CdCr2Se4 with Ре addition.-Phys.Stat. Sol.(В),1975,v.69,No.2,p.731-740.

73. Гуревич А.Г.,Эмирян Л.M.Магнитная анизотропия и релаксация в HgCr2Se4-Te3.flOKft.iy Всесоюзной коню."Тройные полупроводники и их применение",6-8 июня 1983.Кишинев,1983,с.20-21.

74. Никифоров К.Г.,Эмирян Л.М.,Пасенко Л.Я.Влияние стуктурных вакансий на электропроводность и ферромагнитный резонансв HgCr2Se4.-Тез.докл. ХУ1 Всесоюзной конф. по физике магнитных явлений,6-7 сентября 1983.Тула,1983,с.68-69.