Влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ



На правах рукописи

БОГЛТОВ Николай Маркович

ВЛИЯНИЕ ОБЪЕМНЫХ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ НА ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР

Специальность 01.04Л 0 - физика полупроводников и диэлектриков

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Воронеж - 1999

Работа выполнена в Кубанском государственном университете

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор Рембеза С.И.

доктор физико-математических наук, профессор Терехов В.А.

доктор технических наук, профессор Яковенко Н.А.

Ведущая организация:

Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова РАН, г. Москва.

Защита состоится " 17 "<?е&риля Ц090 г. в /<Г~часов на заседании диссертационного совета Д 063.48.06 в Воронежском государственном университете по адресу: 394693, г. Воронеж, Университетская площадь, 1.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Воронежского государственного университета.

Автореферат разослан " Л { " ноября 1999 года.

Ученый секретарь диссертационного совета

63Ч-9.ЛН Л^ОЗ

выв. ¿¿3,0 в

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Объемные неоднородности определяют характеристики полупроводниковых структур. В общем смысле под объемными неодно-родностями будем понимать неоднородности кристаллической структуры и состава, распределения примесей, свободных электронов и дырок, плотности электрического тока.

Объемная неоднородность порождает пространственные зависимости подвижности носителей заряда, рекомбинационных параметров, внутреннего электрического поля, энергетического спектра электронов и дырок, а также других физических величин. Электрофизические характеристики полупроводниковых структур в значительной степени определяются транспортом носителей заряда через пространственно неоднородные области. В основе формирования объемных неоднородностей лежат фундаментальные процессы взаимодействия элементарных дефектов или возбуждений кристалла. В следствие многообразия процессов взаимодействия анализ образования объемных неоднородностей и их влияния на физические свойства полупроводниковых структур является сложной теоретической задачей, требующей различных методов решения.

К моменту постановки решаемых в диссертационной работе задач был накоплен богатый экспериментальный и теоретический материал по формированию структурных неоднородностей в процессе выращивания полупроводниковых материалов сложного состава, а также поликристаллов. Однако ряд фактов, связанных с взаимодействием примесных и собственных атомов решетки, образованием комплексов, формированием фазы упорядочения примесей, взаимным влиянием границ зерен и дислокаций требовал дополнительного теоретического анализа и построения моделей, описывающих эти процессы.

Образование комплексов из примесей, вакансий, междоузельных атомов под действием ионизирующих излучений активно исследуется различными авторами. Изучаются процессы взаимодействия вторичных радиационных дефектов с атомами водорода и лития. Комплексы, содержащие литий, являются более стабильными, чем содержащие водород, однако их образование и влияние на параметры материала исследовано в меньшей степени. Для анализа процессов дефектаобразопания в кремнии необходимо рассмотреть взаимодействие вакансий, междоузельных атомов и основных примесей: фосфора, бора, кислорода, углерода, а также лития.

Неоднородное распределение электронов и дырок обусловлено двумя основными причинами: во-первых, неоднородностями структуры и состава, во-вторых, неравновесными условиями, например, освещением или приложенным напряжением. Существующие модели потенциальных барьеров, созданных р-п- и гетеропереходами, границами зерен, не достаточно полно отражают ряд нелинейных эффектов, связанных с транспортом носителей заряда и их взаимодействием. Например, несимметричное распределение электронов и дырок в

облает пространственного заряда, экранирование р-п-перехода фотогенериро-ванными носителями заряда, изменение внутреннего электрического поля в сильно легированных областях, нелинейность генерационных и рекомбинаци-онных процессов в областях пространственного заряда и др.

На основании вышеизложенного можно заключить, что тема диссертационной работы является актуальной и составляет крупную научную проблему, фсчпющую теоретическою обобщения.

Целью данной работы является теоретический анализ влияния объемных пеоднородностей на параметры полупроводниковых структур, а также исследование процессов, обусловливающих формирование объемных неоцно-родиостей.

Для достижения поставленной цели решались следующие основные задачи:

1. Разработка модели примесных и собственных комплексов, взаимодействие которых обусловливает образование фаз упорядочения, в полупроводниковых твердых растворах с изовалентным замещением. Изучение процесса комплексообразования на примере системы Ge-Si.

2. Исследование с помощью методов квантоврй теории поля изменения зонной структуры для примесной сверхрешетки в сильно легированных твердых растворах полупроводников типа A3B5(,.x)B6x.

3. Исследование образования дислокаций в кремнии с полисинтетической двойниковой структурой. Построение калибровочной теории, отражающей взаимосвязь трансляционных н поворотных элементов деформации, описывающей образование структурных дефектов под действием термических напряжений.

4. Исследование образования вакансий, собственных междоузельных атомов и их комплексов с примесями под действием ионизирующих излучений в кремнии. Анализ влияния этих дефектов на параметры полупроводникового материала.

5. Исследование распределения электронов и дырок на основе решения фундаментальной системы уравнений переноса носителей заряда в неоднородных полупроводниках. Разработка моделей транспорта носителей заряда е полупроводниковых структурах в различных условиях. Анализ влияния концентрационной зависимости параметров .материала, эффектов сильного легирования, лавинного умножения и др. на вольт-амперные характеристики полупроводниковых структур.

6. Изучение нелинейных процессов и построение модели транспорта носителей заряда через границы зерен и связанные с ними области пространственного заряда.

Научная новизна полученных в диссертации теоретических результатов. 1. Впервые проведено комплексное.теоретическое исследование образования элементарных объемных пеоднородностей и их влияния на параметры полупроводниковых структур в различных условиях. Элементарные объемные

неоднородности: примесные и собственные комплексы в твердых растворах полупроводников, трансляционные и поворотные элементы деформации, комплексы из примесей, вакансий, собственных междоузельных атомов, неоднородности распределения электронов и дырок, - образованы точечными дефектами (элементарными возбуждениями кристалла), формируют макроскопические объемные неоднородности.

2. На основе обобщения'экспериментальных и теоретических данных, характеризующих взаимодействие структурных компонентов в твердых растворах Се^Б^, предложена феноменологическая модель образования примесных «"собственных комплексов атома замещения с атомами собственной решетки, формирующих фазы упорядочения при двух значениях концентрации одного из компонентов полупроводникового твердого раствора. Примесный комплекс образуется атомом замещения в окружении только из атомов исходного кристалла, если энергия и радиус локализации валентных электронов замещающего атома меньше энергии и радиуса локализации валентных электронов собственных атомов, предложена формула для оценки радиуса сферы деформации примесного комплекса. Собственные комплексы, образующие кластеры, представляют выделение новой фазы со структурой элементарной ячейки ЗОеСеШеБ!, найдено число атомов в кластере 39<Тч'< 132.

3. Рассчитано изменение энергетической структуры сильно легированных полупроводников со сверхрешеткой из "мелких" доноров, используя методы квантовой теории поля и квантовой статистики. Найдена зависимость от концентрации электронов энергии взаимодействия и^, электронов и остовов примесных атомов в кристаллах ваЛБ, ваБЬ, 1пА5,1пБЬ для простой кубической,.ОЦК и ГЦК сверхрешеток. Значения | и,„, | малы по сравнению с энергией валентного взаимодействия. В вырожденном полупроводнике, содержащем сверхрешетку из "мелких" доноров, зона проводимости расщепляется на подзоны, разделенные зонами запрещенных энергий, рассчитаны значения ширины зоны запрещенных энергий, образовавшейся в зоне проводимости, для сильно легированных кристаллов [пАэ п-типа.

4. Изучено влияние периодически расположенных двойниковых границ на термические напряжения в плоских кремниевых лентах с учетом анизотропии кристалла, макроскопической неоднородности структуры и осевой неоднородности температурного поля. Показано, что в области полисинтетических, двойников с размером зерна меньше критического среднеквадра-тичтле касательные термические напряжения не достигают критических значений образования дислокаций. Показана связь плотности дислокаций с кривизной внешней поверхности профилированного кремния.

5. Предложена последовательно геометрическая калибровочная теория структурных дефектов и термических напряжений, отражающая взаимосвязь трансляциошшх и поворотных элементов деформации. В рамках этой теории выведено уравнение, обобщающее уравнение Бельтрами-Мичелла, най-

депо решение этого уравнения для плоской кремниевой ленты в области пластичности вблизи фронта кристаллизации, описывающее сброс термических напряжений вследствие образования дислокаций.

1. Исследовано взаимодействие вакансий, собственных междоузельных атомов, примесных атомов кислорода, углерода, бора, фосфора и лития в кремнии, являющееся основным механизмом структурных перестроек под шйётвием'ионизирующих излучений. Построена феноменологическая мо-;|сль'образЬйания первичных -радиационных дефектов, обобщающая' нз-иестмые экспериментальные и теоретические данные. Выделены основное кначпх'иЛические реакции; необходимые для расчета процесса образования оюричных радиационных дефектов и их комплексов с атомами лития, сформулирована соответствующая .этим реакциям система дифференциальных уравнений. Рассчитаны значения скоростей генерации первичных радиационных дефектов, концентраций вторичных радиационных дефектов л основных носителей заряда, времени жизни неосновных носителей заряда при облучении Потоками электронов или протонов. ;

2. В кремнии, легированном фосфором, образуются дивакансии'/А, Е, К-:цен-трк,'области разупорядочения. В кремнии, легированном бором,-образуются дивакансии, А, К- центры, комплексы Б^В, области разупорядочения. Увеличение концентрации бора приводит к снижению концентраций К-центров и отрицательно заряженных А- центров, которые являются наиболее активными центрами рекомбинации. Установлены закономерности взаимодействия атомов 1л с радиационными дефектами, в результате которого снижается концентрация рекомбинационно активных центров.

3. На основе решения фундаментальной системы уравнений переноса носителей заряда в неоднородных полупроводниковых структурах установлень следующие особенности распределения и транспорта электронов и дырок Энергетические диаграммы кремниевых п+-р-р+ структур изменяются < ростов уровня освещенности, в высокоомной области образуется фотости мулированный потенциальный барьер. Область пространственного заряд мелкого диффузионного п+-р перехода содержит слой, обогащенный элек тройами, сйлькоё неравенство сечений захвата электронов и дырок на цен тры'рекомбинации;в этом слое обусловливает нелинейность скорости ре комбинации. Отрицательное влияние жесткого сужения запрещенной зош на напряженность тянущего электрического поля в сильно легированно: части диффузионного п-р-дерехода компенсируется за счет статистик Ферми - Дирака. В освещенном полупроводнике с параболической коордк натной зависимостью ширины запрещенной зоны существуют условия дл возникновения колебаний термолизованной электронно-дырочной плазмы.

4. Построены модели транспорта носителей заряда в арсенидгаллиевы р -п0-п структурах при высокой плотности тока и р -п-р-п структурах прямом закрытом состоянии и в области отрицательного дифференциал! кого сопротивления. Эффекты сильного легирования, зависимости ширинь

запрещенной зоны от уровня инжекции, электронно-дырочного рассеяния

+ +

дают малый вклад в величину падения напряжения на р -п0-п структуре. Отрицательное дифференциальное сопротивление рт-п-р-п+ структур обу-словленно эффектами "заплывания" и микроплазменного лавинного пробоя на площади много меньшей площади п-р-перехода.

Построена модель протекания электрического тока через границы зерен общего типа в кремнии с учетом нелинейных процессов изменения поверхностного заряда. На ВАХ межкристаллической границы выделены 3 различных по форме участка, соответствующих линейной, слабой и приблизительно экспоненциальной зависимости тока от напряжения. Предложена формула, позволяющая оценить вклад межкристаллнческпх гран и и в эффективное время жизни неосновных носителей заряда.

Научно-практическая значимость работы. Рассмотренные взаимодействия структурных компонентов с образованием примесных, собственных комплексов и фаз упорядочения, определяющие микроскопическую и макроскопическую неоднородность материалов, носят не только фундаментальный, но и практический характер, так как аналогичные эффекты наблюдались в ряде сильно легированных полупроводниковых соединений и твердых растворов.

Результаты расчетов распределения термических напряжений и плотности дислокаций в плоских лентах и гранях кремниевых многогранных труб, выращенных способом Степанова, содержащих чередующиеся двойниковые границы, показывают, что высокая плотность дислокаций в кремниевой ленте не связана с термическими напряжениями, существует возможность повышения времени жизни носителей заряда.

Изучены механизмы радиационного дефектообразования в кремнии, выращенном методом Чохральского и влияние концентрации примесей на коэффициенты деградации времени жизни, диффузионной длины неосновных и концентрации основных носителей заряда. При облучении низкоэнергетическими протонами может произойти инверсия типа проводимости в кремнии высокой и средней омности п-типа. Радиационная стойкость низ-коомного кремния р-типа выше, чем аналогичного материала п-типа. В кремнии р-типа, легированном Ц, проводимость возрастает со временем облучения, по степени деградации времени жизни неосновных носителей заряда явным преимуществом обладают образцы р-типа с высокой концентрацией 1л над аналогичными образцами п-типа.

На основе анализа транспорта носителей заряда в неоднородных полупро- . водниковых структурах определены причины, ограничивающие характеристики ряда приборов. Сильное неравенство сечений захвата электронов и дырок на центры рекомбинации, выполняющееся в пределах тонкого дефектного слоя в области пространственного заряда п+-р-перехода, снижает КПД кремниевых п'-р-р' фотоэлектрических преобразователей при доста-

точно высоком значении напряжения холостого хода. Рассчитаны оптимальные параметры распределения примесей.

5. Увеличение напряжения силового диода ДАГ-200 с ростом температуры в области токов 1-Ю1 А обусловлено величиной сопротивления контактной системы, а не эффектами в объеме полупроводниковой структуры. Для повышения напряжения переключения арсенидгаллиевых тиристоров необходимо достич максимального значения полного сопротивления микроплазм п увеличить толщину низколегированной п-базы.

<>. Рскомбинационно активные границы зерен мало влияют на параметры еф\ктур из полнкрисгаллического кремния при расстоянии между ними Г-500 мкм. Основной причиной, ограничивающей эффективность фотоэлектрических преобразователей из крупноблочного кремния, является низкое время жизни неосновных носителей заряда в объеме зерен.

7. Результаты работы могут использоваться при получении полупроводниковых твердых растворов с наперед заданными свойствами, поликристаллов с улучшенными характеристиками, при создании фотоэлектрических преобразователей из монокристаллического и поликристаллического кремния, силовых диодов и тиристоров из арсенида галлия, также других полупроводниковых приборов.

8. Материалы диссертации использованы в разработанных и прочитанных специальных лекционных курсах "Физика дефектов в полупроводниках" и "Фотоэлектрические системы", а также при постановке курсовых и дипломных работ для студентов физико-технического факультета Кубанского государственного университета.

Основные результаты и положения, выносимые на защиту:

1. Феноменологические модели структурных компонентов в полупроводниковых твердых растворах, объясняющие возникновение фаз примесного упорядочения. В вырожденном полупроводнике, содержащем сверхрешетку из "мелких" доноров, зона проводимости расщепляется на подзоны, разделенные зонами запрещенных энергий.

2. Калибровочная теория структурных дефектов и термических напряжений, описывающая сброс термических напряжений вследствие образования дислокаций. В областях, содержащих периодически расположенные двойниковые границы с расстоянием между ними меньше критического, среднеквадратичные касательные термические напряжения не достигают критических значений образования дислокаций. Кривизна внешней поверхности профилированного кремния существенно влияет на распределение структурных дефектов в объеме материала.

3. Результаты теоретических исследований влияния примесных атомов фосфора, лития, бора, кислорода и углерода на процесс радиационного ком-плексообразовання в кремнии. Закономерности изменения концентрации основных и времени жизни неосновных носителей заряда в результате взаимодействия атомов У с радиационными дефектами.

4. Результаты теоретических исследований неоднородностей распределения концентраций электронов и дырок, сужения ширины запрещенной зоны, внутренних электрических полей, области пространственного заряда, кинетических и рекомбинационных параметров в освещенных планарных кремниевых структурах с п-р и изотопным переходами, а также в неосвещенных арсенидгаллиевых рч'-п структурах. Образование фотостимулированного потенциального барьера.

5. Колебания термолизованной электронно-дырочной плазмы в освещенном полупроводнике с параболической координатной зависимостью ширины запрещенной зоны существуют, если изменение дрейфовой скорости неравновесных носителей заряда происходит быстрее, чем их рекомбинация. Частота колебаний линейно зависит от плотности фототока.

6. Результаты расчетов ВАХ ОаАэ р+-п-р-п'-структур в прямом закрытом состоянии и в области отрицательного дифференциального сопротивления с учетом неоднородного распределения плотности электрического тока, обусловленного микроплазменным лавинным пробоем обратно смещённого п-р-перехода. Прямое переключение происходит за счет эффектов "заплывания" и микроплазменного лавинного пробоя на площади, много меньшей площади п-р-перехода.

7. Модель электрически и рекомбинационно активных границ зерен. Результаты расчетов транспорта носителей заряда через границы зерен и связанные с ними области пространственного заряда в поликристаллических кремниевых структурах.

Достоверность полученных результатов определяется учетом основных физических явлений в моделях, описывающих влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур, использованием численных методов решения сформулированых задач, соответствием теоретических результатов работы экспериментальным и теоретическим данным других авторов.

Вклад автора в разработку проблемы. Диссертация является обобщением результатов работ, проведенных автором, в НПК "Сатурн" (г. Краснодар) и Кубанском государственном университете в 1978-1999 г. В совместных работах автору принадлежат разработка моделей и методов решения, проведение расчетов и анализ результатов.

Совокупность представленных в работе результатов по теоретическому исследованию влияния на параметры полупроводниковых структур объемных неоднородностей кристаллической решетки, состава, распределения примесей,-электронов и дырок носит как фундаментальный, так и прикладной характер, является существенным вкладом в физику полупроводников. Построенные модели объемных неоднородностей основаны на механизмах взаимодействия точечных дефектов, рассматриваемых как элементарные возбуждения кристалла. Это позволяет выделить класс элементарных объемных неоднородностей, включающий примесные и собственные комплексы в твердых растворах полу-

проводников, трансляционные и поворотные элементы деформации,, комплексы, образованные примесями, вакансиями, собственными междоузельными атомами, неоднородности распределения электронов и дырок, из элементов которого формируются макроскопические объемные неоднородности. Итогом работы явилось решение крупной научно-технической проблемы физики полупроводников и полупроводниковой электроники - исследования механизмов формирования объемных неоднородностей и электрофизических свойств объемно-неоднородных полупроводниковых структур.

Апробация результатов. Основные результаты диссертационной работы ь.'К омывались на Всесоюзной конференции "Пути использования солнечной жсрпиГ' (Черноголовка, 1981 г.), 2 Республиканской конференция по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Одесса, 1982 г.), 5 Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов (Москва, 1982 г.), 11 совещании по теории полупроводников (Ужгород, 1983 г.), 4 школе по физико-химическим основам методов получения и исследования материалов электронной техники (Новосибирск, 1984 г.), 11 Всесоюзной конференции "Возобновляемые источники энергии" (Ереван, 1985 г.), 7 конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск 1986 г.), 2 Всесоюзной конференции "Структура и электронные свойства границ зёрен в металлах и полупроводниках" (Воронеж, 1987 г.), Всесоюзном совещании "Перспективы развития и создания единой научно-технической производственной и эксплуатационной базы Краснодарского края по использованию возобновляемых источников энергии и проблемы их использования в народном хозяйстве страны (Геленджик, 1988 г.), 3 Всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморское, 1996 г.), Международной конференции "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах" (Ульяновск, 1997 г.), 4 Всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморское, 1997 г.), Международной конференцш "Оптика полупроводников" (Ульяновск, 1998 г.).

Публикации. Основное содержание диссертации отражено в 56 печатных изданиях, включаючих 38 статей и 18 тезисов докладов на научно технических конференциях, симпозиумах, совещаниях.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения пяти глав и заключения. Она изложена на 317 страницах, включая 68 рисунков 14 таблиц и список литературы, насчитывающий 934 наименования.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы и научной проблемы, ре шенной в диссертационной работе, сформулированы цель и задачи исследова-

ний, отражена новизна полученных результатов, их научная и практическая ценность, приведены основные положения, выносимые на защиту, а также данные об апробации работы.

В главе 1 "Взаимодействие структурных компонентов в полупроводниковых твердых растворах" рассмотрены механизмы взаимодействия структурных компонентов, определяющие микроскопическую и макроскопическую неоднородность материалов. Изучение твердых растворов полупроводников, начатое Шгором и Клеммом, получило развитие в работах Алферова Ж.И., Бонч-Бруевича B.J1., Бублика В.Т., Булярского С В., Горелика С.С., Горюновон И Д., Губенко Д Я ; Дашепского М.Я, Земскова B.C.. Кекуа М.Г., Мильвидско-го М.Г.. Саидова М.С., Смирнова Ю.М.. Тагирова В.И., Фистуля В.И., Шуль-пиной И.Л., и др. Ряд экспериментальных результатов, полученных Хабаровым Э.Н., Семиколеновой H.A. с соавторами требовал развития представлений о примесных состояниях комплексов, об их конфигурационном взаимодействии и о структурных фазовых превращениях в пределах составов, входящих в область "непрерывных твердых растворов". Используя эти результаты, на примере твердых растворов Gei_4Six построена феноменологическая модель образования примесных и собственных комплексов атома замещения с атомами собственной решетки, формируюнпгх фазы упорядочения при двух значениях концентрации одного из компонентов. Рассматриваемые комплексы участвуют во взаимодействии как дополнительные структурные компоненты системы. Взаимодействие примесных комплексов обусловливает существование фазы их упорядочения при концентрации х,=0,1 ат. % Si, а взаимодействие собственных комплексов реализуется в виде фазы упорядочения со структурой элементарной ячейки 3GeGelGeSi при концентрации х2=12,5 ат. % Si.

Примесный комплекс образуется атомом замещения в окружении только из атомов исходного кристалла. При этом если энергия и радиус локализации валентных электронов замещающего атома меньше энергии и радиуса локализации валентных электронов собственных атомов, возмущение валентных связей выходит за пределы координационной сферы примесного атома, так что эбразуется поляризованная сфера деформации радиусом г0, охватывающая ческолько ближайших соседей.

Для оценки радиуса сферы деформации предложена формула

V,, - Vc

г0 -—; -7}-(П

27i(cI1+2C12Xrn-rc)2

де V„, Vc - энергии ионизации, г„ и гс - радиусы локализации валентных элек-гронов замещающего и замещаемого атомов соответственно, Qj - упругие юстоянные кристалла. Рассчитанное значение г0=2,2а приближенно равно Головине периода упорядочения 2,5а атомов Si при концентрации х:.

Собственные комплексы, образующие кластеры, в твердом растворе je|.xSix представляют выделение новой фазы. Элементарная ячейка в кластере шеет структуру 3GeGelGeSi. Рассчитано изменение термодинамического

потенциала при образовании кластера из N собственных комплексоЕ АФ=-А1Ж+ис+А, где AU - изменение энергии валентных электронов, Uc вклад упругой энергии, А - поверхностная энергия при образовании гетере границы. Из условий ¿ЗДФ/oN-O, ДФ=0 найдено число атомов Si в кластер 3<J<N<132.

Рассмотренные взаимодействия в системе Ge-Si с образованием приме< них и собственных структурных компонент носят фундаментальный характе| гик как аналогичные эффекты наблюдались в сильно легированных полупрс нолникопых соединениях типа AJB\ А:В6, в твердых растворах AJB3-A"B& и д| I? твердых растворах типа А''В"\|.Ч)В6Х в результате взаимодействия npi меспмх комплексов возможно образование фазы упорядочения в виде спер: решетки допоров. Используя методы квантовой теории поля и квантовой ст тистики рассчитано изменение энергетической структуры сильно легирова] пых полупроводников со сверхрешеткой из "мелких" доноров вследств! взаимодействия электронов и остовов примесных атомов. Полный гамильт пиан системы, включающей электроны и электромагнитное поле, имеет вид

Н = Нр + Hjnt + Н[ , (

где первое слагаемое соответствует периодической кристаллической решет; второе описывает взаимодействие зарядов с электромагнитным полем, а трет - свободное электромагнитное поле:

Нр(х°)=: jdxa^(х)|-Д х + UL(x)|au(х) , (

Hint =-jdxJaAa, Ja(x) = ea+(x)yaa(x) + 7a(x), (

<

где а^(х), аа(х) - операторы рождения и уничтожения электронов в епш вом состоянии а, и ь (х) - потенциальная энергия электрона в идеальном кр сталле Аа - операторы электромагнитного поля, е - заряд электрона, уа - м! рицы Дирака, ] а (х) - ток статических источников.

Получены зависимости энергии взаимодействия на один атом донорн примеси Цп, в кристаллах ваАБ, ваБЬ, 1пА5, 1п8Ь для простой кубическ*

уоическ*

ОЦК и ГЦК сверхрешеток от концентрации электронов. Значения эВ при концентрации доноров Ыо~1018 см-3, т.е. малы по сравнению с энергг валентного взаимодействия, поэтому электростатическое взаимодействие является определяющим при формировании структуры сверхрешетки в тв1 дых растворах полупроводников типа А3В5(1.х)Вбх.

Показано, что в вырожденном полупроводнике, содержащем сверхрешетку из "мелких" доноров, зона проводимости расщепляется на подзоны, разделенные зонами запрещенных энергий. Рассчитаны значения ширины зоны запрещенных энергий, образовавшейся в зоне проводимости, для сильно легированных кристаллов InAs n-типа: ДЕ~10~2 эВ при ND~10'8 ч- 1019 см"3.

В главе 2 "Взаимодействие трансляционных и поворотных элементов деформации в профилированном кремни" теоретически исследуется образование дефектов кристаллической структуры в области пластичности вблизи фронта кристаллизации. Взаимосвязь термических напряжений и распределения дислокаций изучалась в работах Антонова П.И., Абросимова Н.В., Воро-нснкова В.В., Губанова Л.И., Дашепского М.Я., Инденбома B.JI., Мильвидско-го М.Г., Татарченко В.А., Троппа Э.А., Юферева B.C. и др. В работах Евтодия Б.Н., Закса М.Б.. Матсумуры С, Рави К., Хабарова Э.Н.. Швартса Ж.. Шретера Ю.Г. и др. показано, что для профилированного кремния, выращенного методом Степанова, характерны крайне неоднородный характер распределения дислокаций, отсутствие однозначной связи между плотностью дислокаций и термическими напряжениями, неравномерность распределения примесей, образование полисинтетических двойников и другие дефекты. Для изучения взаимодействия трансляционных и поворотных элементов деформации рассмотрим влияние периодически расположенных двойниковых границ на термические напряжения и распределение дислокаций в плоских лентах и гранях кремниевых многогранных труб. Постановка задачи учитывает анизотропию кристалла, макроскопическую неоднородность структуры и осевую неоднородность температурного поля.

В соответствии с подходом, предложенным Лифшицем И.М., поликри-сталлическос тело рассматривается как неоднородная упругоанизотропная среда, коэффициенты упругости которой задаются в кристаллографической

системе осей каждого двойника. Компоненты тензора упругих напряжений <j|j

в системе координат блока 1 описываются уравнениями Бельтрами-Мичелла для анизотропной среды и уравнениями равновесия:

SjlrvAü[v +Srrnm(VjVi -^5jiA)CTnm ~ Skinm VjVkCTnm ~ SkjnmVkViCTnm +

+ ^8jjSkrnmVrVka!im+VJViaT = 0, Vkaik=0, (6)

где Sykm - тензор упругой податливости, по повторяющимся индексам производится суммировании, А - оператор Лапласа, V; - оператор дифференцирова-' ния, 5у - символ Кронекера, а - коэффициент линейного расширения (изотропный для кремния).

Для длинной тонкой ленты, толщиной t«Wi (W| - ширина двойникового блока), найдено приближенное решение уравнений (6). В системе координат X, Y, Z, связанной с ориентацией поверхности кристалла (110) и направлением

роста [П2], компоненты тензора напряжений в первом приближении имеют вид:

а 24 1

Щу-у,У

Ш,2

Iй {г),

24 :■ . " I V/,'

2 1

о~>~>

384

-аЕ№

• IV

при

У е

W| щ

7 1 ?

Г (?.) + сг0(Х>

(7)

(8)

(9)

Формулы (7 - 9) отличаются рт термических напряжений в изотропной плоской ленте, используемых другими авторами, во-первых, тем, что \¥| является не шириной всей ленты, а расстоянием между двойниковыми границами, во-вторых, тем, что Ё зависит от кристаллографической ориентации через коэффициент упругой анизотропии Д5 =у(5ц — Э]2) — . Используя табличные значения матричных коэффициентов упругой податливости Б] 1=0,768-10-12

-1

см дин , Й12--0,214-10 см дин , Ь44—0,31410 " см дин , получим Е =2,5-1012 дин см"2, что больше модуля Юнга Е=5п~'=1,3-10и динсм'2.

Из (7 - 9) следует, что в области полисинтетических двойников с размером зерна \У1<У/0~1 мм среднеквадратичные касательные термические напряжения не достигают критических значений образования дислокаций. При размере зерна \\^>\*/о касательные напряжения в области границ превышают критические. В этом случае вдоль границ образуются дислокации. Рассмотрено пересечение дислокаций с двойниковой границей двух соседних блоков. Захват дислокаций плоскостями двойникования изменяет специальную структуру последних, превращая в некогерентные двойники и границы общего типа.

Тензор плотности дислокаций рк1 связан с термоупругими деформациями е„,1, тензором кривизны решетки Хк> и градиентом температуры уравнением

~^кпт^п^гш + Хк1 ~5кГХпп -екш"паТ = °> (!0)

''Де с1ш„ - символ Леви-Чевита, неоднородность распределения примесей не учитывается. В двойниковых блоках с слагаемые, содержащие произ-

водные от температуры выше первой степени, много меньше вклада, обусловленного градиентом температуры. Из уравнения (10) следует, что состояние фронта кристаллизации существенно влияет на дефектность структуры профилированного кремния. В зависимости от кривизны фронта кристаллизации образуются участки с малой или высокой плотностью дислокаций, которые

могут занимать всю поверхность, соседствовать или чередоваться. В последнем случае кривизна немонотонно изменяется по периметру растущего кристалла.

Используя (10) и разложение ßik по элементам скольжения основной системы <110>{111}, получена связь плотности дислокаций с кривизной внешней поверхности профилированного кремния. Увеличение радиуса профилированных кристаллов до R>1,8 м или числа гранен до п>12 позволяет снизить дефектность кристаллической структуры.

Калибровочные теории, отражающие взаимосвязь трансляционных и поворотных элементов деформации, предложены в работах Валсакумара М_, Грачева A.B., Гриняева Ю.В., Егорушкина В.Е., Кадича А. и Эделена Д., Клей-перта Н., Мусиенко А.И., Осипова В.А., Панина В.Е. и др. Построим последовательно геометрическую калибровочную теорию, описывающая образование структурных дефектов под действием термических напряжений.

Упругий континуум с дефектами отображается в 4-мсрное пространство расслоенного пространства L4 5. База пространства L4 5 есть вещественное 4-

мерное евклидово пространство R4. Слой пространства L4 5 есть вещественное 5-мерное пространство аффинной связности L5 с полем объекта связности . Считаем, что латинские индексы принимают значения 1, 2, 3, греческие

без скобок 0, 1, 2, 3, а греческие в скобках 0, 1,2, 3, 4. Компоненты с индексом 0 являются времениподобными, а с индексами 1, 2, 3 - иространственноподоб-ными. Дефекты структуры кристаллов рассматриваются как следствие неоднородности действия группы Ли калибровочных преобразований G = GL(3, R) > Т(3), являющейся полупрямым произведением вещественной девятипараметрической группы линейных преобразований локального базиса пространства твердого тела GL(3,R) и трехпараметрической группы трансляций пространственных переменных, характеризующих положение точки Т(3^

Плотность Лагранжиана континуума с дефектами запишем в виде

L = (L0+s1L1-<I) + s2L2)|g|1/2, (11)

где Lo включает кинетическую энергию среды и энергию упругой деформации, SjLj - плотность Лагранжиана ротационной составляющей свободного калибровочного поля объекта связности Г¡/'\j), Ф - плотность потенциальной

энергии ротационных элементов деформации, s2L2- плотность Лагранжиана трансляционных дефектов. Получена система уравнений, описывающих термические напряжения и распределение структурных дефектов в области пластичности. Уравнения, описывающие распределение дефектов имеют структуру уравнений Максвелла, что отражает волновой характер пластической деформации твердых тел. Построен канонический тензор энергии импульса ка-

либровочной теории структурных дефектов и термических напряжений. Предложено уравнение, обобщающее уравнение Бельтрами-Мичелла:

+ \ SbkSVVГ+ VbVkаТ -4 Bbk'o'i - ^ g'(,) • (12)

•(VbZki(1) + VkZbi(n)) = 0,

I iiit /к,,, выражаются через компоненты тензора плотности дислокаций.

Рассмотрены два случая релаксации термических напряжений: ! > за счет образования полисинтетических двойников, 2) за счст образования дислокации. Найдено приближенное решение уравнений калибровочной теории дл>: плоской кремниевой ленты в области пластичности вблизи фронта кристаллизации. Полученное решение описывает сброс термических напряжений вследствие образования дислокаций. Показано, что максимальное значение, термоупругого напряжения пропорционально квадрату ширины двойникового блокг или монокристаллической ленты, а максимальное значение плотности дислокаций пропорционально ширине. Рассчитанные значения плотности дислокаций в двойниковых блоках соответствуют экспериментально наблюдаемым Высокая плотность дислокаций в кремниевой ленте не связана с термическим» напряжениями.

В главе 3 "Взаимодействие примесей и радиационных дефектов в крем нии" теоретически исследуются объемные неоднородности, индуцированньк ионизирующими излучениями, в кремнии, содержащем примесные атомь кислорода, углерода, фосфора, лития и бора. Механизмы радиационного де фектообразования и комплексообразования в полупроводниках исследовалйс! Андерсеном Г., Болотовым В.В., Булярским C.B., Буренковым -А.ф., Вавило вым B.C., Винецким В.Л., Георгобиани А.Н., Григорьевой Г.М., Ёмцевым В.В. Кинчиным Г., Комаровым Ф.Ф., Корбеггом Ж.,'Крейниным Л.Б., Кузнецовыи Н.В., Кумаховым М.А., Линдхардом Ж., Ларк-Горовитцем К., Лугаковым П.Ф. Машовец'Г.В., Нелсоном В., Пизом P.C., Соловьевым Г.Г., Уаткинсом Г., Фис тулем В.И., Холодарь Г.А., Циглером Ж., Шарфом M., Шмарцевым Ю.В. и др Расчеты,' использующие какую-либо из обсуждавшихся в литературе теорети ческих моделей, согласуются с экспериментальными данными только в опре деленной области значений, например, с коэффициентами повреждения ши времени Жизни неравновесных, или концентрации основных носителей заряда.

В диссертационной работе проведено обобщение известных феноменоло гичеекпх моделей и предложен метод расчета образования первичных радиа ционных дефектов (ПРД) в каскаде смещений! Рассчитаны средние знамени скоростей генерации междоузельного кремния, вакансий, дивакансий, облаете: разунорядочения при облучении моноэнергетическими потоками электронов : протонов.

Проанализированы квазихимические реакции образования комплексов из примесей, вакансий, собственных междоузельных атомов. Выделена система основных уравнений квазихимических реакций, и рассчитаны концентрации вторичных радиационных дефектов (ВРД). Найдены коэффициенты повреждения времени жизни, диффузионной длины неравновесных носителей заряда К,, Ки и концентрации основных носителей заряда К„ для п-типа, Кр для р-тииа при облучении протонами и электронами.

Соответствие рассчитанных значений скоростей генерации Г1РД и коэффициентов повреждения с опубликованными экспериментальными данными в широком диапазоне энергий электронов и протонов, концентраций легирующих примсссй и температуры достигнув за счет использования дополнительных параметров мс , од , "^¡.и/Бйс- Эти параметры имеют следующий физический смысл: - вероятность атому сместиться в пространственное положение, допускающее заряженное состояние; ш^-бсо^ - вероятность избежать аннигиляции для разделившихся V, БЬ, расположенных на расстоянии г<1\,|, так как заряженное состояние образуется с,вакансией в одном из в шести симметричных направлений (3 оси 84) группы симметрии тетраэдра Т<ь 1У) - радиус реакции; коэффициент Ух.д^.с входит в систему уравнений квазихимических реакций, характеризует отношение вероятностей межузельному атому кремния вступить в реакцию с атомами замещения бора и углерода. Определены параметры модели: юс=0.00887, гу,~2.8я (а - период решетки), уз:,вл;|,с~800.

Показано, что при энергии налетающих протонов Ер<0,1 МэВ в кремнии высокой и средней омности р- типа происходит уменьшение проводимости, а п- типа - изменение типа проводимости. Этот эффект проявляется в поверхностной области, где поглощаются,;низкоэнергетические протоны. Рассчитанное уменьшение проводимости в материале р- типа и изменение типа проводимости в материале п- типа под действием низкоэнергетических протонов объясняется изменением положения уровня Ферми. Концентрация основных носителей заряда уменьшается в кремнии п- типа вследствие введения А-. Е-. К- центров, имеющих акцепторный уровень, а в кремнии р- типа вследствие образования комплексов Б^В, являющихся нейтральными.

На процесс радиационного.дефектообразования в высокоомном кремнии п- типа существенно влияет компенсация примесью бора. В компенсированном материале значение коэффициента повреждения основных носителей заряда меньше, чем в некомпенсированном, так как вследствие образования комплексов 81\В происходит раскомпенсация материала, однако значение коэффициента повреждения времени жизни неосновных носителей заряда больше. Высо--коомный кремний п- типа может иметь большой разброс величин Кь и К„ в следствие неизвестной фоновой концентрации бора.

В кремнии, легированном фосфором,. образуются дивакансни, А, Е, К-центры, области разупорядочения. В кремнии, легированном бором, образуются дивакансии, А, К- центры, комплексы Б^В, области разупорядочения. Увеличение концентрации бора приводит к снижению концентраций К- цен-

тров и отрицательно заряженных А- центров, которые являются наиболее активными центрами рекомбинации. Этот факт обусловливает более высокую радиационную стойкость низкоомного кремния р- типа по сравнению с аналогичным материалом п-типа.

Исследован процесс взаимодействия атомов лития и вторичных радиационных дефектов. Показано, что с ростом времени облучения при фиксированной интенсивности падающих частиц значение коэффициента повреждения диффузионной длины неосновных носителей заряда снижается. В безлитисвом кремнии эта величина не зависит от времени облучения. В следствие уменьшения концентрации активного лития увеличивается коэффициент повреждения концентрации основных носителей заряда с ростом времени облучения с кремнии п-типа. При облучении низкоэнергстическимп протонами концентрация ВРД может превышать начальную концентрацию атомов Ы. в этой области энергий происходит изменение с п-типа на р-тип проводимости.

На зависимости коэффициента повреждения диффузионной длины неосновных носителей заряда от энергии протонов наблюдается область резкого увеличения значений этой величины. Рассматриваемый эффект обусловлен восстановлением типа проводимости, так как при повышении положения уровня Ферми увеличивается концентрация отрицательно заряженных А- центров, которые являются основными рекомбинационными центрами.

Вследствие уменьшения концентрации рекомбинационно активных дефектов в результате взаимодействия с атомами лития возрастают время жизни и диффузионная длина неосновных носителей заряда. В безлитиевом кремнии п- типа концентрация основных носителей заряда снижается за счет образования отрицательно заряженных дефектов, в кремнии, легированном 1л, этот параметр снижается за счет уменьшения положительно заряженных атомов Ы и комплексов 1лО.

Анализ процесса образования вторичных радиационных дефектов в кремнии, содержащем примеси фосфора, бора, лития, кислорода и углерода ранее не проводился. Для описания этого процесса решалась численно нелинейная система из 11 обыкновенных дифференциальных уравнений первого порядка. Проанализировано изменение концентрации ВРД и коэффициентов повреждения при облучении заданным потоком электронов или протонов в течение 10 лет. В кремнии р- типа, легированном 1л, наблюдается положительный эффект: проводимость материла возрастает со временем за счет уменьшения концентрации активного 1л. В образцах, нелегированных литием, после первого года облучения время жизни неосновных носителей заряда определяется концентрацией вторичных радиационных дефектов. С увеличением концентрации 1л конечное значение этого параметра повышается в 100 и более раз. По степени деградации времени жизни неосновных носителей заряда явным преимуществом обладают образцы р- типа с высокой концентрацией 1л над аналогичными образцами п- тина.

В главе 4 "Перенос носителей заряда в неоднородных полупроводниках" на основе решения фундаментальной системы уравнений (ФСУ) (13 - 17) изучаются неоднородности распределения неравновесных носителей заряда (ННЗ), внутреннего электрического поля, плотности электрического тока в освещенных и неосвещенных полупроводниковых структурах. Выбор ФСУ обусловлен нелинейностью процесса переноса электронов и дырок в областях пространственного заряда (ОПЗ). Модели полупроводниковых структур, приближенные аналитические и численные методы решения ФСУ развиты в работах Абрамова И.И., Алферова Ж.И., Андреева В.М., Баннова H.A., Бубеннико-ва А.И.. Булярскогс C.B.. Ван Флита К., Васильева A.M.. Гаряинова С.А., Гре-хова И.В., Гуммеля X., Евдокимова В.М., Кагана М.Б., Константинова О.В., Королькова В.И., Ландсмана А.П., Линдхолма Ф., Литовчепко В.Г., Маршака А., Мнацаканова Т.Т.. Мулярчика С.Г., Нойса Р.. Петрова Г.В., Плешко Б.К., Польского Б.С., Румянцева В.Д., Румянцева C.B., Рыжего В.И., Садовникова А.Д., Ca С., Саченко A.B., Свирина A.B., Соловьева В.Г., Стрихи В.И., Суриса P.A., Фитзнера А., Фоссума Ж., Харитонова В.В., Хаусера Ж., Царенкова Г.В., Чу С., Шарфеттера Д., Шика А.Я., Шокли В., Шоттки В., Юферева B.C. и др. Модели, построенные в диссертационной работе, описывают ряд явлении, связанных с неоднородным распределением скорости генерации, рекомбина-ционных, кинетических, зонных параметров электронов и дырок.

Общий вид ФСДУ:

Jn =-Цпп jp =ИрР

- 1- л E + -VE

с

V Ч У

-DnVn +DnnVlnNc, (13)

f- 1 - ^ E +—VEv

-DpVp+DppVInNv, (14)

Я

r>n

_д-HivCi n

. • —vjn/ w "I

ut

% + div(jp) = G-R, (16)

et

div D = qip - n + Np - Ыд ), (17)

где п, р - концентрации, р,„ - подвижности, 0,„ Эр - коэффициенты диффу-. зии, jn.jp - потоки электронов и дырок, Ес, Еу - координатные зависимости положения дна зоны проводимости и вершины валентной зоны, Мс, - эффективная плотность состояний в зонах проводимости и валентной, Е, Е) -вектора напряженности и индукции электрического поля, в, Я - скорости объ-

емной генерации и рекомбинации, N0, Г^д - концентрации ионизованных

допоров и акцепторов, q - элементарный заряд, соответственно.

Для исследования нелинейных эффектов в кремниевых структурах с одномерными пространственными неоднородностями вдоль направления падающего на поверхность света разработан метод численного решения ФСУ, основанный на сведении поставленной краевой задачи к задаче Кош и и методе последовательных приближений. Краевые условия учитывают конечность скороещ рекомбинации на свободной освещаемой поверхности, бесконечность скорости рекомбинации на тыльной поверхности под омическим контактом, па'К'иие напряжения на структуре и общую элсктронситральностк. Профиль распределения ионизованных примесей вычислялся по формуле

N1 \) - р + N А )ег1с(,х / х |) - N А -МА)егГс((1-х)/х2): (18] где N'1; - концентрация доноров на лицевой поверхности, - концентрация акцепторов в базовой области, Nд - концентрация акцепторов на тыльной

поверхности, 1 - толщина, параметр X, определяет глубину залегания п"-р перехода х„, параметр X, - глубину р-р+ перехода хр от тыльной поверхности. Концентрационные зависимости параметров материала брались из литературных данных.

Обнаружены следующие особенности в распределении носителей заряда в области пространственного заряда п-р-перехода. При малых значениях приложенного напряжения квазиуровни Ферми электронов и дырок существенно не постоянны в ОПЗ п+-р перехода освещенных кремниевых структур. ОПЗ мелкого диффузионного п+-р перехода не описывается известными моделями резкого и плавного п-р переходов: первой частью ОПЗ является эмиттер, содержащий плотность положительного заряда много меньшую, чем концентрация ионизированных доноров, второй - область, обогащенная электронами, третьей - область, обедненная электронами и дырками, содержащая плотность отрицательного заряда, созданного ионизированными акцепторами. Область, обедненная электронами и дырками, содержащая плотность положительного заряда, созданного ионизированными донорами, отсутствует.

Третья часть ОПЗ содержит точку хт, в которой п(хт)=р(хт). Дефектный поверхностный слой, имеющий толщину хг < хт, назовем тонким. Неконтролируемость параметров дефектного поверхностного слоя приводит к разбросу значений напряжения холосюю хода (Ухх), коэффициента заполнения ВАХ (ГТ), коэффициента полезного действия (КПД) фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). Сильное неравенство сечений захвата электронов и дырок на центры рекомбинации, присущее дефектам, либо обусловленное электрическим нолем п-р перехода, выполняющееся в пределах тонкого дефектного слоя в 0113, обусловливает нелинейность скорости рекомбинации, которая в зависимости от приложенного напряжения и определяется меньшим параметром

трг при малых и и наибольшим т,1Г при больших и. В результате снижается РР и КПД ФЭП при достаточно высоком 1!хх. Отличие рассмотренной рекомбина-ционной модели от классических теорий Са-Нойса-Шокли и Чу в анализе структуры ОПЗ диффузионного п+-р перехода и использовании распределения концентраций носителей заряда, соответствующих этой структуре.

Влияние эффектов сильного легирования на величину тянущего электрического поля, созданного неоднородным распределением ионизованных примесей, не однозначно: в области п' типа жесткое сужение запрещенной зоны уменьшает напряженность тянущего поля Е при концентрации электронов п;<7-1019 см0. при п:>7.!Л,у сч"~ Е увеличивается -»а счет ваияния статистики Ферми - Дирака; в области р" типа жесткое сужение запрещенной зоны компенсируется влиянием статистики Ферми - Дирака при р„>3-10'9 см""'.

Тянущее поверхностное электрическое иоле снижает влияние поверхностной рекомбинации. Пассивация поверхности - альтернативный путь уменьшения скорости поверхностной рекомбинации. Для п+-р-р+ ФЭП с пассивированным эмитгером целесообразно снизить поверхностную концентрацию доноров до 1019 см"3, для уменьшения сопротивления растекания и повышения коэффициента собирания увеличить глубину п-р перехода до х„,,~1 мкм. Без пассивации преимущество имеет ФЭП с Мо(0)~1020 см~° и глубиной п-р перехода хпр~0,5 мкм.

На основе численного решения ФСУ исследовано изменение энергетических диаграмм кремниевых п+-р-р+ структур толщиной 50 мкм с концентрацией акцепторов в базе МА>10Ы см"3 при различных уровнях освещенности. Показано, что при высокой концентрации излучения фотогенерированные носители экранируют п+-р переход, часть высокоомной области р-типа переходит в режим фотопроводимости, а в оставшейся части образуется фотости-мулированный потенциальный барьер (ФПБ), выполняющий функции п-р перехода. ФПБ убывает с ростом уровня легирования базы при заданной ин-

ТСК^ИБпС^ I и Н^Л^

Процессы, связанные с колебаниями электронно-дырочной плазмы (ЭДП), разнообразны. Наиболее изучены колебания горячих носителей заряда, явления в сильных электрических полях. Рассматривались колебания термоли-зованной электронно-дырочной плазмы (ТЭДП) в неосвещенном полупроводнике с параболической координатной зависимостью ширины запрещенной зоны. В диссертационной работе изучались колебания ТЭДП при наличии освещения. На основе анализа кинетических уравнений Больцмана для электронов и дырок в приближении времени релаксации и гидродинамическом показано, что колебания ТЭДП существуют, если изменение дрейфовой скорости ННЗ происходит быстрее, чем их рекомбинация. Найдено приближенное решение ФСУ в освещенном полупроводнике с параболической координатной зависимостью ширины запрещенной зоны в виде стационарного и волнового распределения концентрации избыточных носителей заряда. Период колебаний много больше максвелловского времени релаксации, среднего времени

столкновений носителей заряда друг с другом и с атомами решетки, но много меньше эффективного времени жизни ННЗ. Частота колебаний линейно зависит от плотности фототока. Колебания ТЭДП могут быть использованы для совместного преобразования энергии стационарного и модулированного излучения в электрическую. Рассчитана ВАХ такого преобразователя.

Построена модель, описывающая транспорт носителей заряда в неосвещенных р'-п,)-п структурах в режиме сильной инжекции. Исследованы распределение 11113 и ВАХ арсепидгаллиевых структур с высокоомной базой. В >с К1НПЯ.Ч на р'-пи- и Пц-п'-переходах учтены эффекты сильного легирования и зависимость ширины запрещенной зоны от уровня инжекции. В ш-области решалось у равнение амбииолярнон диффузии для концентрации МЫЗ. Краевые у словия на р"-п<г н п0-п'-переходах дают нелинейную алгебраическую систему из двух уравнений, которая решалась численно методом последовательных приближений и бисекций.

Показано, что амбиполярная эффективная диффузионная длина Ь в базе р'-по-п"структуры убывает с увеличением уровня инжекции. Величина уменьшения Ь возрастает с ростом температуры, однако в силу соотношения \\'/Ь<10 (V/ - толщина п0-слоя) эффект переизлучения мало влияет на ВАХ. Эффекты сильного легирования, зависимости ширины запрещенной зоны от уровня инжекции, электронно-дырочного рассеяния дают малый вклад в величину напряжения. С ростом температуры увеличение омического падения напряжения в базе ив0 не компенсирует уменьшение падения напряжения на р'-п- и п-п+-переходах ирп при 1<10' А. Сравнение рассчитанных ВАХ с типовыми характеристиками силовых диодов ДАГ-200 показывает, что увеличение напряжения диода ДАГ-200 с ростом температуры в области токов 1-103 А обусловлено величиной сопротивлешш контактной системы.

Важную роль в физике полупроводниковых приборов играют токовые неустойчивости, возникающие в областях с отрицательной дифференциальной проводимостью (ОДП). Численное рашение ФСУ в областях с ОДП не всегда возможно. В структурах р+-п-р-п+ типа ранее обсуждались два различных механизма формировании участка ВАХ с ОДП: 1 - эффект "заплывания" п-р-перехода, заключающийся в нейтрализации заряда неподвижных ионизированных атомов примеси в' ОПЗ п-р-перехода подвижными носителями заряда, в результате чего уменьшается напряжение на п-р-переходе; 2 - ударная ионизация и лавинный пробой на всей площади п-р-перехода. Микроплазменный лавинный пробой обратно смещенных п-р-переходов происходит по микроскопическим областям повышенной ионизации, называемым микроплазмами.

Для анализа ВАХ р+-п-р-п+-структур в прямом закрытом состоянии и в области отрицательного дифференциального сопротивления построена модель, в которой учитывается микроплазменный лавинный пробой и загнивание обратно смещённого р-п-перехода. Сформулированы граничные условия на р+-п-, п-р-, р-п':'-переходах. В квазинейтральных областях р+-, п-, р-, п+-типов реша-

лись линейные уравнения для концентрации ННЗ. В результате задача сведена к решению нелинейной алгебраической системы из трех уравнений, которая решалась численно методом последовательных приближений и бисекцнй.

Исследовано влияние параметров микроплазмы на процесс переключения и S-образность ВАХ арсенидгаллиевых структур. Участок ОДС на ВАХ возникает за счет эффектов "заплывания" и микроплазменного лавинного пробоя на площади много меньшей площади n-р-перехода. С помощью модели аппроксимированы типовые ВАХ GaAs тиристоров. Определены параметры микроплазм. Дня достижения больших значений напряжения переключения необходимо стремиться к максимальному значению полного сопротивления микроплазм и увеличить толщину низколегированной п-базы.

В главе 5 "Перенос носителей заряда в поликристаллпческих полупроводниках'" изучаются нелинейные процессы, связанные с транспортом электронов и дырок в структурах на основе поликрпсталлического кремния (ПК). Структура межкристаллических границ (МГ), их электрофизические, механические и др. свойства исследовались в работах Валисва Р.З., Горелика С.С., Джоши Д., Иевлева В.М., Копецкого Ч.В., Косевича В.М., Матаре Г., Осипьяна Ю.А., Пайка Г., Прасада В., Сигера Ц., Сингала Ц„ Сриваставы П., Суриса P.A., Федотова А.К., Фионовой JI.K., Шокли В. и др. В моделях протекания электрического тока через МГ предполагается непрерывное увеличение поверхностного заряда с ростом напряжения или освещенности, что обусловливает увеличение эффективного потенциального барьера МГ. -Однако в ряде случаев поверхностные состояния в неравновесном режиме заполняются полностью, это ограничивает изменение величины заряда и эффективного потенциального барьера на МГ.

В диссертационной работе построена модель транспорта носителей заряда через границы зерен общего типа и созданные ими ОПЗ с учетом нелинейных процессов изменения поверхностного заряда. Рассмотрена статистика рекомбинации электронов и дырок на поверхностных состояниях. Используя диффузионно-дрейфовое приближение, рассчитаны вольт-амперные характеристики границ зерен, при различных значениях плотности поверхностного заряда и температуры. Показано, что с ростом напряжения и происходит изменение поверхностного заряда. Этот эффект существенно влияет на форму ВАХ, так что можно выделить 3 участка: на первом при qu<2kT зависимость i(u) линейна, на втором ток изменяется незначительно, так как плотность поверхностного заряда и эффективный электрический потенциальный барьер (ЭПБ) МГ возрастают с увеличением напряжения, на третьем поверхностный заряд и эффективный ЭПБ не изменяются, а зависимость i(u) приблизительно экспоненциальна.

Получены решения уравнений, описывающих распределение ННЗ в структурах, содержащих межкристаллические границы, параллельные или перпендикулярные n-р- переходу. МГ, параллельные n-р-переходу, являются дополнительными нелинейными элементами для транспорта носителей заряда.

При достаточно высокой плотности темнового тока коэффициент неидеалыю-сти ВАХ может принимать значение 2т+1, не связанное с рекомбинационны-ми процессами в ОПЗ п-р-перехода, где т - число электрически активных МГ в базе. С ростом освещенности коэффициент собирания фотогенерированных носителей заряда возрастает при достаточно малой скорости поверхностной рекомбинации и постоянной величине электрического потенциального барьера МГ. Эти эффекты обусловлены падением напряжения на МГ в неравновесном режиме.

Для структур с межкристаллпческими границами, перпендикулярными пр переходу, предложен:! приближенная формула, позволяющая оценить вклад МГ и эффективное время жизни неосновных носителей заряда:

1 1

- + -

1с1 п мюв

(19)

А 4 Оп

где 1 - расстояние между границами, А - эффективная скорость рекомбинации на границе ОПЗ МГ, с1 - ширина ОПЗ с одной стороны МГ, т„, 0„ - время жизни и коэффициент диффузии ННЗ в объеме зерен. Формула (19) имеет те же асимптотики, что и формула Шокли, но отличается тем, что при бесконечно высокой скорости рекомбинации на самой границе эффективная скорость рекомбинации А принимает конечные значения. Показано, что рекомбинационно активные МГ с расстоянием между ними 1>500 мкм мало влияют на параметры ВАХ структур из ПК. :

Заключение содержит основные результаты и выводы.

1. Выделен класс элементарных объемных неоднородностей, определяющих параметры полупроводниковых структур в различных условиях, включающий примесные и собственные комплексы в твердых растворах полупроводников, трансляционные и поворотные элементы деформации, комплексы, образованные примесями, вакансиями, собственными междоузельными атомами, неоднородности распределения электронов и дырок. Общим свойством объектов этого класса является то, что, во-первых, они образованы точечными дефектами (элементарными возбуждениями кристалла), во-вторых, в результате их взаимодействия изменяются энергетические, кинетические и дэугие хаоактеоистики полупроводниковых стпуктуп. (Ьопми-

I * * I 1 I * ^ I ' к 1

руются макроскопические объемные неоднородности.

2. Примесный комплекс образуется атомом замещения в окружении только из атомов исходного кристалла, если энергия и радиус локализации валентных электронов замещающего атома меньше энергии и радиуса локализации валентных электронов собственных атомов, и представляет собой поляризованную сферу деформации радиусом г0. Предложена формула и рассчитан радиус сферы деформации г0, приближенно равный половине периода упорядочения примесных комплексов. Для системы Се^Б^ примесные ком-

плексы образуются при х<0,1 ат.%, г0ж2,5а. Собственные комплексы образуются при перекрывании сфер деформации и формируют кластеры. В твердом растворе Ое:.х81х они представляют выделение новой фазы со структурой элементарной ячейки ЗСеСеЮеБ! при 0,1<х<12,5 ат.%. Число атомов в кластере 39<Ы<132. Взаимодействие примесных или собственных комплексов обусловливает образование сверхрешеток из примесных атомов. В вырожденном полупроводнике, содержащем сверхрешетку из "мелких'' доноров, зона проводомости расщепляется на подзоны, разделенные зонами запрещенных энергии. Величина этого энергетического зазора для сильно легированных кристаллов 1п.\5 п-типа порядка 1(Г2 эВ.

>. Трансляционные и поворотные элементы пластической деформации есть результат нарушения однородности группы Ли калибровочных преобразований пространства твердого тела. Взаимодействие трансляционных и поворотных элементов деформации формирует систему структурных дефектов кристалла. Построена последовательно геометрическая калибровочная теория структурных дефектов и термических напряжений. Сброс термических напряжений за счет образования дислокационной или двойниковой структуры происходит в следствие взаимодействия трансляционных и поворотных элементов деформации. В плоской кремниевой ленте с двойниковой структурой вблизи фронта кристаллизации в области полисинтетических двойников с размером зерна Ш1<\У0~1 мм среднеквадратичные касательные термические напряжения не достигают критических значений образования дислокаций. При размере зерна \У|>\Уо касательные напряжения в области границ превышают критические. В этом случае вдоль границ образуются дислокации.

4. Атомы примесей, вакансии, собственные междоузельные атомы образуют комплексы в результате системы квазихимических реакций. Построена модель радиационного дефектообразования в кремнии, содержащем примеси фосфора, бора, кислорода, углерода и лития. В кремнии, легированном фосфором, образуются дивакансии, А, Е, К- центры, области разупорядоче-ния. В кремнии, легированном бором, образуются дивакансии, А, К- центры, комплексы Б^В, области разупорядочення. Увеличение концентрации бора приводит к снижению концентраций К- центров и отрицательно заряженных А- центров, являющихся наиболее активными центрами рекомбинации. Концентрация основных носителей заряда уменьшается в кремнии п-типа вследствие акцепторного характера А-, Е-, К- центров, а в кремнии р-типа вследствие образования комплексов Б^В, являющихся нейтральными. • Атомы лития образуют комплексы с А-, Е- центрами, дивакансиями, областями разупорядочення, снижая их рекомбинационную активность. При этом в материале п- типа концентрация основных носителей заряда снижается, а в материале р- типа возрастает в следствие уменьшения концентрации положительно заряженных атомов 1д и комплексов 1лО.

5. Неоднородности распределения свободных электронов и дырок формируются посредством их взаимодействия с внутренним электрическим полем, а также вследствие процессов генерации, рекомбинации и рассеяния. Эти явления исследованы с помощью решения фундаментальной системы уравнений переноса носителей заряда в неоднородных полупроводниковых структурах.

а) Носители заряда участвуют в формировании ОПЗ п'-р перехода, так что их концентраця не является пренебрежимо малой. Сильное неравенство сечений захвата электронов и дырок на центры рекомбинации, выполняющееся в пределах тонкого слоя в ОПЗ пг-р перехода с преобладанием кон-иен »рации электронов, обусловливает дополнительную нелинейность ре-комбинационного процесса, который определяется большим сечением захвата дырок при малых напряжениях и и меньшим сечением захвата электронов при больших и.

б) Напряженность тянущего поля в неоднородно легированном кремнии п~-тниа уменьшается при п0<п0о=71019 см""* вследствие концентрационного сужения запрещенной зоны и увеличивается за счет влияния статистики Ферми-Дирака при п0 > Пос- Аналогично, в кремнии р+-типа р0с=3 • 10'9 см"''.

в) Энергетические диаграммы высокоомных кремниевых п"-р0-р+ структур изменяются с ростом уровня освещенности, так что образуется фотостиму-лированный электрический потенциальный барьер.

г) В освещенном полупроводнике с параболической координатной зависимостью ширины запрещенной зоны возникают колебания термолизованной электронно-дырочной плазмы с частотой, линейно зависящей :от плотности фототока.

д) Эффекты сильного легирования, зависимости ширины запрещенной зоны от уровня инжекции, электронно-дырочного рассеяния дают малый вклад в величину напряжения на неосвещенных арсенидгаллиевых высокоомных р+-п0-п+ структурах в режиме сильной инжекции. С ростом температуры увеличение омического падения напряжения в п0-базе не компенсирует уменьшение падения напряжения на р+-п0- и п0-п+-переходах при 1<103 А.

е) Участок отрицательного дифференциального сопротивления на ВАХ неосвещенных арсенидгаллиевых р+-п-р-п+ структур возникает за счет эффектов "заплывания" и микроплазменного лавинного пробоя на Площади много меньшей площади обратно смешённого п-р-перехода.

6. Межкристаллические границы, как электрически активные структурные дефекты, создают неоднородности распределения электрического поля. В результате заполнения поверхностных состояний МГ с увеличением напряжения эффективный электрический потенциальный барьер возрастает до максимального значения. Поэтому на ВАХ МГ можно выделить 3 различных по форме участка: на первом при qu<2kT зависимость ¡(и) линейна, на втором ток изменяется незначительно, так как эффективный ЭПБ МГ воз-

растает с увеличением напряжения, на третьем эффективный ЭПБ не изменяется, а зависимость i(u) приблизительно экспоненциальна.

СПИСОК ОСНОВНЫХ РАБОТ, ОПУБЛИКОВАННЫХ ПО ТЕМЕ

ДИССЕРТАЦИИ

1. Богатов Н.М., Громовой Л.И., ЗаксМ.Б., Лелюх Е.В. Численное решение одномерной краевой задачи переноса заряда в солнечных элементах. // Гелиотехника. 1982. N 1. С, 7-14, '

2. Богатов Н.М., Закс МБ. Об изменении квазиуровней Ферми в п*-р-р+- преобраг зователе солнечной энергии. /У Гелиотехника. 1985. № 2. С. 72 - 73.

3. Богатов Н.М., Закс МБ., Лелюх Е.В. Влияние встроенных электрических полей на выходные характеристики фотоэлектрических преобразователей. // Опто-электроннка и полупроводниковая техника. 1984. N б. С. 20 - 24.

4. Богатов Н.М., Закс М.Б. Анализ влияния уровня легирования базы на характеристики п'-р-р1- кремниевых преобразователей солнечной энергии. // Гелиотехника. 1985, № 5. С.7 - 10.

5. Богатов Н.М. Анализ влияния легирующих примесей на эффективность солнечных элементов из монокристалдического кремния. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1991. В. 6(260). С. 48 - 53.

6. Богатов Н.М. Анализ влияния рекомбинации в области пространственного заряда на вольт-амперную характеристику кремниевых солнечных элементов. // Гелиотехника. 1990. № 6. С. 49- 53.

7. Арджанов A.C., Богатов Н.М., Слуцкий A.A. Анализ влияния температуры на вольт-амперную характеристику силовых диодов из арсенида галлия при боль- i шой плотности тока. // Радиотехника и электроника. 1993. Т. 38. N 4. С. 754 -759. - ' '

8. Богатов Н.М., Закс М.Б., Касаткин В.В. Расчёт электрофизических свойств ' межкристаллических границ в кремнии. //Гелиотехника. 1989. № 4. С.12 -17.

9. Богатов Н.М., Малышева C.B., Онищук С.А. Использование высокотемпера-' турного ¡отжига профилированного кремния для повышения эффективности

солнечных элементов. // Изв. РАН. Сер. физическая. 1994. Т. 58. № 9. С. 138 -143.

10. Арджанов А,С., Богатов Н.М., Слуцкий'А.А.' Анализ вольт-амперной характерно™ P+-N-P-N+ арсенидгаллиевых структур в закрьггом состоянии. // Радиотехника и электроника. 1992. Т. 37. № 5. С.' 925 - 933.

11. Богатов Н.М. Радиационные дефекты в кремнии, выращенном методом Чох-ральского.//Поверхность. 1999. №3. С. 72 - 78.

12. Богатов Н.М. Радиационные дефекты в кремнии, выращенном методом Чох-* ральского, легированном литием. // Поверхность. 1999. № 8. С. 66 - 69.

13. Богатов Н.М., Лелюх Е.В., Громовой Л.И. Моделирование вольт-амперных характеристик неоднородных полупроводниковых структур в режиме фотопро-. водимости. // Оптоэлектрон. и полупроводн. техн. 1984. N 6. С. 16-19.

14. Богатое Н.М., Трофименко А.Н. Моделирование сверхтонких кремниевых преобразователей при высокой концентрации солнечного излучения. // Гелиотехника. 1988. №.2. С. 5 - 9.

15. Лидоренко Н. С., Громовой Л. И., Евдокимов В. М., Богатое H. М. , Лелюх Е. В. N-образность вольг-амперной характеристики солнечного элемента при высоком уровне инжекции. // Письма в ЖТФ. 1982. Т. 8. В. 2. С. 112 -114.

16. Богатов Н.М. Трофименко А.Н. Образование фотостимулированного потенциала барьера в высокоомиых фотоэлектрических преобразователях. // Гелиотехника. 1988. №. 5. С. 12 - 14.

17. Богатоп Н.М. Трофименко А.Н. Влияние уровня легирования сверхтонких кремниевых солнечных элементов па образование фотостимулированного по-|еици;ыы1йго барьера. // Гелиотехника. 1988. №. 6. С. 6 - 8.

18. Богатов Н.М., Хабаров Э.Н. Образование структурных компонентов и их упорядочение в твёрдых растворах Ge-Si. // Высокочистые вещества. 1989. № 2. С. 15-32.'

19. Богатов Н.М., Петров А.Л., Хабаров Э.Н. Изменение спин-орбитального расщепления в сплавах германий-кремний. // ФТП. 1982. Т. 16. В. 4. С. 653 - 655.

20. Bogatov N.M., Kryjniaia Н.Р, Gauge field theory of structural defects and thermal tensions.//Phys. Stat. Sol. (b) 1998. V. 207. N 6. P. 317 - 321.

21. Богатов H.M., Хабаров Э.Н. Взаимодействие примесных комплексов в полупроводниках со сфалеритоподобной структурой. Н Легированные полупроводниковые материалу. М.: Наука. 1985. С. 240 - 243.

22. Bogatov N. Oscillation of electron-hole plasma in parabolic-band-gap semiconductors. // Proceedings of 1993 International Semiconductor Device Research Symposium. Dec. 1-3. 1993. ISBN № 1-880920-02-6. P.225-227.

23. Bogatov N.M., Kiyjniaia H.P. Simulation of structural defects and thermal tensions by gauge field theory. // Proceedings of 1997 International Semiconductor Device Research Symposium. Dec. 10r13. ISBN № 1-880920-05-0. P.353-356.

24. Крицкий B.E., Матвеякин М.П., Богатов H.M., Хабаров Э.Н. и др. Исследование физических свойств кремния, выращенного в виде многогранных труб методом Степанова. // \1атеризлы Всесоюзного совещания по получению профилированной^ кристаллов и изделий способом Степанова и их применению в народном хозяйстве. 16-18 марта 1988.г. Ленинград. 1989. С. 182- 187.

25. Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Овчинникова Т.А., Касаткин В.В. и др. Проявление геометрических и морфологических неоднородностей при выращивании многогранных кремниевых труб методом Степанова. // Материалы Всесоюзного совещания по получению профилированногых кристаллов и изделий способом Степанова и их применению в народном хозяйстве. 16-18 марта 1988 г. Ленинград. 1989. С. 188 - 192.

26. Богатов Н.М. Образование структуры при выращивании способом Степанова кремниевых многогранных труб. // Материалы Всесоюзного совещания по получению профилированногых кристаллов и изделий способом Степанова и их применению в народном хозяйстве. 16-18 марта 1988 г. Ленинград. 1989. С. 193 -198.

27. Богатов Н.М., Масенко Б.П., Онищук С.А. Двойниковые структуры в профилированном кремнии. // Материалы Всесоюзного совещания по получению про-

филированногых кристаллов « изделий способом Степанова и их применению в народном хозяйстве. 16-18 марта 1988 г. Ленинград. 1989. С. 199-201.

28.Богатов Н.М., Закс М.Б., Крицкий В.Е., Матвеякин М.П. и др. Влияние формообразования на дислокационную структуру замкнутого профилированного кремния. // Аморфные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике. Тематический сборник. Одесса. 1989. С. 71 - 75.

29. Богатов Н.М, Лелюх Е.В., Матвеякин М.П., Хабаров Э.Н. Влияние взаимодействия собственных комплексов на кристаллизацию твёрдых растворов Ge(l-x)-Si(x). // Кристаллизация и свойства кристаллов. Межвузовский сборник. Новочеркасск: НПИ. 1987. С. 58-63.

30. Богатов Н.М., Масенко Б.11., Овчинникова Т.А., Онпщук С.А. Образование двойниковой структуры в профилированном кремнии, выращенном по способу Степанова. // Кристаллизация и свойства кристаллов. Межвузовский сборник.

• Новочеркасск: НПИ.1989. С. 42 - 46.

31. Богатов Н.М. Калибровочная теория структурных дефектов и термических напряжений. // Кристаллизация и свойства кристаллов. Межвузовский сборник. Новочеркасск: НПИ. 1993. С. 90 - 98.

32. Богатов Н.М., Жорин В.В. Теоретический анализ влияния эффектов сильного легирования в эмиттере на эффективность кремниевых солнечных элементов. // Деп ВИНИТИ N 448- В 92. 1992. 12 с.

33. Богатов Н.М., Закс М.Б. Касаткин В.В. Анализ прохождения фотогенерирован-ных носителей через межкристаллические границы в кремниевых солнечных элементах. //Деп. ВИНИТИ N 447-В 92. 1992. 11 с.

34. Богатов Н.М. Колебания электронно-дырочной плазмы в освещенных полупроводниках с переменной шириной запрещённой зоны. // Деп ВИНИТИ. 1993. № 1448-В93. 14 с.

35. Богатов Н.М. Радиационные дефекты в кремнии, выращенном методом Чох-ральского. //Деп. ВИНИТИ 21.05.98. № 1547-В98. 1998. РЖ. 41 с.

36. Богатов Н.М. Изменение электрического поля: в n-i-p фотопреобразователях при высокой интенсивности освещения. // Деп ВИНИТИ N 1766-В 93. 1993. 13с. ■ ■

37. Богатов Н.М., Касаткин В.В., Крицкий В.Е:, Масенко Б.П. и др. Морфологические особенности поликристаллических Многогранных труб кремния. // Деп. ВИНИТИ N 7190-В 87. 1987. РЖ. 12с.

38. Богатов Н.М., Касаткин В.В., Крицкий В.Е., Масенко Б.П. и др. Особенности оптического поглощения кремниевых лент. // Деп. ВИНИТИ N 7191-В 87. 1987. РЖ. 8с.

39. Богатов Н.М., Громовой Л.И., Закс М.Б., Лелюх Е.В. Модель реального фотопреобразователя. // Всес. конф. Пути использования солнечной энергии. Тезисы докладов. Черноголовка. 1981. С. 57-58.

40. Богатов Н.М., Закс М.Б., Лелюх Е.В. Моделирование фотоэлектрических характеристик неоднородных полупроводниковых структур. // 2 Республиканская конфер. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Одесса. Сентябрь 1982. Тезисы докладов. Киев. Наукова думка. 1982,. С. 56-57.

41. Богатов Н.М., Закс М.Б. Теоретический анализ зависимости эффективности п+-р-р+ кремниевых СЭ от параметров полупроводникового материала. // II Все-

союзная конференция "Возобновляемые источники энергии". Тезисы докладов. Т. 1. 18-23 мая 1985, Ереван. Черноголовка. 1985. С 36 -37.

42. Богатов U.M., Касаткин В.В., Крицкий В.Е., Масенко Б.П. и др. Особенности оптического поглощения кремниевых лент, обусловленные межзёренными границами и объёмными дефектами. // 2 Всес. конф. "Структура и электронные свойства границ зёрен в металлах и полупроводниках". Тезисы докладов. Воронеж: ВПИ. 1987. С.48.

43 Богато« Н.М., Заке МБ. Перспективы использования ноликристаллического кремния в фотоэнергетике. // Всес. совещание. Перспективы развития и создания единой научно-технической, производственной и эксплуатационной базы Краснодарского края по использованию возобновляемых источников энергии и проблемы их использования в народном хозяйстве страны. Тезисы докладов. Геленджик. 1988. С. 58 - 59.

4 1. Богатов Н.М., Громовой Д.Л., Муравский Б.С. Анализ вольт-амперных характеристик структур с распределенным P+-N переходом при неоднородной плотности электрического тока. // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. 'Груды третьей Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Дивноморское, 8-13 сентября 1996 г. Таганрог. 1996. С. 145.

45. Богатов Н.М. Колебания электронно-дырочной плазмы в освещенных полупроводниках с переменной шириной запрещенной зоны. // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Труды четвертой Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Дивноморское, 7-12 сентября 1997 г. Таганрог. 1997. С. 6.

46. Богатов Н.М. Возбуждение колебаний термолизованной электронно-дырочной плазмы модулированным излучением. // Труды международ-ной конф. "Оптика полупроводников". Ульяновск 22-26 июня 1998. Ульяновск. УлГУ. 1998. С. 114 - 115.

47. Богатов Н.М. Анализ радиационной стойкости кремния, выращенного методом Чохральского, легированного литием. // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Груды третьей Вссрсссиисксн научно™ технической конференции с международным участием. Дивноморское, 8-13 сентября 1996 г. Таганрог. 1996. С. 64.

48. Богатов Н.М. Влияние радиационных дефектов на параметры кремния, выращенного методом Чохральского. // Труды международной конференции "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах". Ульяновск, 24-28 июня 1997 г. Ульяновск. 1997. С. 16-17.

49. Богатов Н.М. Пассивация радиационных дефектов в кремнии, выращенном методом Чохральского, атомами лития. // Труды международной конференции "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах". Ульяновск , 24-28 июня 1997 г. Ульяновск. 1997. С. 14-15.

50. Богатов Н.М. Кинетика образования радиационных дефектов и их пассивации атомами лития в кремнии. // Труды международ, конф. "Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах". Ульяновск. 1999. С. 24.

51. Богатов Н.М. Анализ эффективности преобразования концентрированного солнечного излучения сверхтонкими кремниевыми солнечными элементами. //

II Всесоюзная конференция "Возобновляемые источники энергии"'. Тезисы докладов. Т. 1. 18-23 мая 1985, Ереван. Черноголовка. 1985. С. 34 -35.

52. Богатов Н.М., Хабаров Э.Н. Взаимодействие примесных комплексов в полупроводниках со сфалеритоподобной структурой. // 5 Всес. конф. по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов.Тезисы докладов. М. 1982. С. 227.

53.Богатов Н.М., Петров А.Л., Хабаров Э.Н. Компонентный состав и свойства твердых расчворов кремния в германии. // IV школа по физико-химическим основам методов получения и исследования материалов электронной техники. Тезисы докладов. Новосибирск. 1984. С. 127- 128.

54. Ьогатов Н.М., Лелюх Е.В., Матвеякии М.П., Хабаров Э.Н. Влияние взаимодействия собственных комплексов на формирование реальной структуры кристаллов. // VII Конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Семинар по использованию элементоорганических соединений в синтезе кристаллов и пленок, по молекулярно-лучевой эпитаксии. 9-13 июня 1986. Новосибирск. Тезисы докладов. Т. 2. Новосибирск. 1986. С. 228 -229.

55. Богатов Н.М., Семиколенова H.A., Хабаров Э.Н. Анализ взаимодействия компонентов в сильнолегированном арсениде индия. //11 совещание по теории полупроводников. Тезисы докладов. Ужгород. 1983. С. 76-77.

56. Богатов Н.М. Калибровочная теория образования структурных дефектов в профилированном кремнии. // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Труды четвертой Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Дивноморское, 7-12 сентября 1997 г. Таганрог. 1997. С. 55.

Введение.

Глава 1. Взаимодействие структурных компонентов в полупроводниковых твердых растворах.

1.1. Образование структурных компонентов и их упорядочение в твердых растворах Ge-Si.

1.1.1. Поиск возможностей получения гомогенных кристаллов твердых растворов Gei-xSix.

1.1.2. Образование структурных компонентов в расплаве при кристаллизации твердых растворов Gei-xSix.

1.1.3. Концентрационные свойства кристаллов Gei-xSix.

1.1.4. Примесные комплексы кремния в решетке германия.

1.1.5. Собственные комплексы кремния в решетке германия.

1.2. Электростатическое взаимодействие в полупроводниковых твердых растворах типа А3В5-В6 со сверхрешеткой из донорных атомов.

1.2.1. Функции Грина.

1.2.2. Уравнения в функциональных производных.

1.2.3. Массовый и поляризационный операторы.

1.2.4. Уравнения Дайсона.

1.2.5. Основные уравнения для кристалла с примесной сверхрешеткой.

1.2.6. Уравнения для энергетического спектра электронов в кристалле с примесной сверхрешеткой.

1.2.7. Энергия взаимодействия сверхрешетки.

1.2.8. Зона запрещенных значений энергии, обусловленная примесной сверхрешеткой.

1.3. Выводы к главе 1.

Глава 2. Взаимодействие трансляционных и поворотных элементов деформации в профилированном кремнии.

2.1. Структурные дефекты в профилированном кремнии.

2.2. Термические напряжения в кремниевой ленте с двойниковой структурой.

2.3. Влияние формы фронта кристаллизации на образование структуры.

2.4. Влияние формообразования на дислокационную структуру замкнутого профилированного кремния.

2.5. Калибровочная теория структурных дефектов и термических напряжений.

2.6. Основные уравнения калибровочной теории структурных дефектов и термических напряжений.

2.7. Распределение дислокаций в плоской кремниевой ленте.:.

2.8. Выводы к главе 2.

Глава 3. Взаимодействие примесей и радиационных дефектов в кремнии.

3.1. Образование первичных радиационных дефектов в кремнии.

3.2. Расчет скорости генерации первичных радиационных дефектов.

3.3. Образование вторичных радиационных дефектов в кремнии, содержащем примеси атомов кислорода, углерода, фосфора, бора.

3.4. Влияние вторичных радиационных дефектов на параметры кремния, содержащего примеси атомов кислорода, углерода, фосфора, бора.

3.5. Образование вторичных радиационных дефектов в кремнии, содержащем примеси атомов кислорода, углерода, фосфора, бора, лития.

3.6. Влияние вторичных радиационных дефектов на параметры кремния, содержащего примеси атомов кислорода, углерода, фосфора, бора, лития.

3.7. Влияние концентрации лития на радиационную стойкость кремния.

3.8. Выводы к главе 3.

Глава 4. Перенос носителей заряда в неоднородных полупроводниках.

4.1. Система уравнений переноса носителей заряда в неоднородных полупроводниках.

4.2. Генерация и рекомбинация носителей заряда.

4.3. Влияние концентрации основных примесей на параметры кремниевого материала.

4.4. Численная модель переноса носителей заряда в одномерных полупроводниковых структурах.

4.5. Нелинейные эффекты в освещенной кремниевой п+-р-р+ структуре.

4.6. Влияние параметров материала на вольт-амперную характеристику освещенных кремниевых п+-р-р+ структур.

4.7. Влияние эффектов сильного легирования на параметры кремниевых п+-р-р+ структур.

4.8. Влияние рекомбинации в области пространственного заряда на вольт-амперную характеристику освещенных кремниевых п+-р-р+ структур.

4.9. Образование фотостимулированного потенциального барьера в структурах на основе высокоомного кремния.

4.10. Колебания термолизованной электронно-дырочной плазмы в освещенных полупроводниках с переменной шириной запрещенной зоны.

4.11. Генерация переменного напряжения в освещенной варизонной структуре.

4.12. Модель арсенидгаллиевых р+-по-п+ структур при большой плотности тока.

4.13. Анализ влияния температуры на вольт-амперную характеристику

ОаАв р+-по-п+ структур при большой плотности тока.

4.14. Модель р+-п-р-п+- структуры в закрытом состоянии.

4.15. Вольт-амперные характеристики р+-п-р-п+ арсенидгаллиевых структур в закрытом состоянии.

4.16. Выводы к главе 4.

Глава 5. Перенос носителей заряда в поликристаллических полупроводниках.

5.1. Статистика рекомбинации электронов и дырок через межкристаллические границы.

5.2. Расчет электрофизических свойств межкристаллических границ в кремнии.

5.3. Анализ прохождения неосновных носителей заряда через межкристаллические границы.

5.4. Влияние межкристаллических границ на эффективную диффузионную длину неосновных носителей заряда.

5.5. Выводы к главе 5.

Актуальность темы. Объемные неоднородности определяют характеристики полупроводниковых структур. В общем смысле под объемными неоднородностями будем понимать неоднородности кристаллической структуры и состава, распределения примесей, свободных электронов и дырок, плотности электрического тока.

Объемная неоднородность порождает пространственные зависимости подвижности носителей заряда, рекомбинационных параметров, внутреннего электрического поля, энергетического спектра электронов и дырок, а также других физических величин. Электрофизические характеристики полупроводниковых структур в значительной степени определяются транспортом носителей заряда через пространственно неоднородные области. В основе формирования объемных неоднородностей лежат фундаментальные процессы взаимодействия элементарных дефектов или возбуждений кристалла. В следствие многообразия процессов взаимодействия анализ образования объемных неоднородностей и их влияния на физические свойства полупроводниковых структур является сложной теоретической задачей, требующей различных методов решения.

К моменту постановки решаемых в диссертационной работе задач был накоплен богатый экспериментальный и теоретический материал по формированию структурных неоднородностей в процессе выращивания полупроводниковых материалов сложного состава, а также поликристаллов. Однако ряд фактов, связанных с взаимодействием примесных и собственных атомов решетки, образованием комплексов, формированием фазы упорядочения примесей, взаимным влиянием границ зерен и дислокаций требовал дополнительного теоретического анализа и построения моделей, описывающих эти процессы.

Образование комплексов из примесей, вакансий, междоузельных атомов под действием ионизирующих излучений активно исследуется различными авторами. Изучаются процессы взаимодействия вторичных радиационных дефектов с атомами водорода и лития. Комплексы, содержащие литий, являются более стабильными, чем содержащие водород, однако их образование и влияние на параметры материала исследовано в меньшей степени. Для анализа процессов дефектообразования в кремнии необходимо рассмотреть взаимодействие вакансий, междоузельных атомов и основных примесей: фосфора, бора, кислорода, углерода, а также лития.

Неоднородное распределение электронов и дырок обусловлено двумя основными причинами: во-первых, неоднородностями структуры и состава, во-вторых, неравновесными условиями, например, освещением или приложенным напряжением. Существующие модели потенциальных барьеров, созданных р-n- и гетеропереходами, границами зерен, не достаточно полно отражают ряд нелинейных эффектов, связанных с транспортом носителей заряда и их взаимодействием. Например, несимметричное распределение электронов и дырок в области пространственного заряда, экранирование р-п-перехода фотогенерированными носителями заряда, изменение внутреннего электрического поля в сильно легированных областях, нелинейность генерационных и рекомбинационных процессов в областях пространственного заряда и др.

На основании вышеизложенного можно заключить, что тема диссертационной работы является актуальной и составляет крупную научную проблему, требующую теоретического обобщения.

Целью данной работы является теоретический анализ влияния объемных неодно-родностей на параметры полупроводниковых структур, а также исследование процессов, обусловливающих формирование объемных неоднородностей.

Для достижения поставленной цели решались следующие основные задачи:

1. Разработка модели примесных и собственных комплексов, взаимодействие которых обусловливает образование фаз упорядочения, в полупроводниковых твердых растворах с изовалентным замещением. Изучение процесса комплексообразования на примере системы Ge-Si.

2. Исследование с помощью методов квантовой теории поля изменения зонной структуры для примесной сверхрешетки в сильно легированных твердых растворах полупроводников типа A3B5(i-x)B6x.

3. Исследование образования дислокаций в кремнии с полисинтетической двойниковой структурой. Построение калибровочной теории, отражающей взаимосвязь трансляционных и поворотных элементов деформации, описывающей образование структурных дефектов под действием термических напряжений.

4. Исследование образования вакансий, собственных междоузельных атомов и их комплексов с примесями под действием ионизирующих излучений в кремнии. Анализ влияния этих дефектов на параметры полупроводникового материала.

5. Исследование распределения электронов и дырок на основе решения фундаментальной системы уравнений переноса носителей заряда в неоднородных полупроводниках. Разработка моделей транспорта носителей заряда в полупроводниковых структурах в различных условиях. Анализ влияния концентрационной зависимости параметров материала, эффектов сильного легирования, лавинного умножения и др. на вольт-амперные характеристики полупроводниковых структур.

6. Изучение нелинейных процессов и построение модели транспорта носителей заряда через границы зерен и связанные с ними области пространственного заряда.

Научная новизна полученных в диссертации теоретических результатов.

1. Впервые проведено комплексное теоретическое исследование образования элементарных объемных неоднородностей и их влияния на параметры полупроводниковых структур в различных условиях. Элементарные объемные неоднородности: примесные и собственные комплексы в твердых растворах полупроводников, трансляционные и поворотные элементы деформации, комплексы из примесей, вакансий, собственных междоузельных атомов, неоднородности распределения электронов и дырок, - образованы точечными дефектами (элементарными возбуждениями кристалла), формируют макроскопические объемные неоднородности.

2. На основе обобщения экспериментальных и теоретических данных, характеризующих взаимодействие структурных компонентов в твердых растворах Ое|-х81х, предложена феноменологическая модель образования примесных и собственных комплексов атома замещения с атомами собственной решетки, формирующих фазы упорядочения при двух значениях концентрации одного из компонентов полупроводникового твердого раствора. Примесный комплекс образуется атомом замещения в окружении только из атомов исходного кристалла, если энергия и радиус локализации валентных электронов замещающего атома меньше энергии и радиуса локализации валентных электронов собственных атомов, предложена формула для оценки радиуса сферы деформации примесного комплекса. Собственные комплексы, образующие кластеры, представляют выделение новой фазы со структурой элементарной ячейки ЗОеОеЮе81, найдено число атомов в кластере 39<1Ч<132.

3. Рассчитано изменение энергетической структуры сильно легированных полупроводников со сверхрешеткой из "мелких" доноров, используя методы квантовой теории поля и квантовой статистики. Найдена зависимость от концентрации электронов энергии взаимодействия ХТы электронов и остовов примесных атомов в кристаллах ОаАв, ОаБЬ, ГпАв, 1пБЬ для простой кубической, ОЦК и ГЦК сверхрешеток. Значения | иы I малы по сравнению с энергией валентного взаимодействия. В вырожденном полупроводнике, содержащем сверхрешетку из "мелких" доноров, зона проводимости расщепляется на подзоны, разделенные зонами запрещенных энергий, рассчитаны значения ширины зоны запрещенных энергий, образовавшейся в зоне проводимости, для сильно легированных кристаллов ¡пАв п-типа.

4. Изучено влияние периодически расположенных двойниковых границ на термические напряжения в плоских кремниевых лентах с учетом анизотропии кристалла, макроскопической неоднородности структуры и осевой неоднородности температурного поля. Показано, что в области полисинтетических двойников с размером зерна меньше критического среднеквадратичные касательные термические напряжения не достигают критических значений образования дислокаций. Показана связь плотности дислокаций с кривизной внешней поверхности профилированного кремния.

5. Предложена последовательно геометрическая калибровочная теория структурных дефектов и термических напряжений, отражающая взаимосвязь трансляционных и поворотных элементов деформации. В рамках этой теории выведено уравнение, обобщающее уравнение Бельтрами-Мичелла, найдено решение этого уравнения для плоской кремниевой ленты в области пластичности вблизи фронта кристаллизации, описывающее сброс термических напряжений вследствие образования дислокаций.

6. Исследовано взаимодействие вакансий, собственных междоузельных атомов, примесных атомов кислорода, углерода, бора, фосфора и лития в кремнии, являющееся основным механизмом структурных перестроек под действием ионизирующих излучений. Построена феноменологическая модель образования первичных радиационных дефектов, обобщающая известные экспериментальные и теоретические данные. Выделены основные квазихимические реакции, необходимые для расчета процесса образования вторичных радиационных дефектов и их комплексов с атомами лития, сформулирована соответствующая этим реакциям система дифференциальных уравнений. Рассчитаны значения скоростей генерации первичных радиационных дефектов, концентраций вторичных радиационных дефектов и основных носителей заряда, времени жизни неосновных носителей заряда при облучении потоками электронов или протонов.

7. В кремнии, легированном фосфором, образуются дивакансии, А, Е, К- центры, области разупорядочения. В кремнии, легированном бором, образуются дивакансии, А, К- центры, комплексы БцВ, области разупорядочения. Увеличение концентрации бора приводит к снижению концентраций К- центров и отрицательно заряженных А-центров, которые являются наиболее активными центрами рекомбинации. Установлены закономерности взаимодействия атомов 1л с радиационными дефектами, в результате которого снижается концентрация рекомбинационно активных центров.

8. На основе решения фундаментальной системы уравнений переноса носителей заряда в неоднородных полупроводниковых структурах установлены следующие особенности распределения и транспорта электронов и дырок. Энергетические диаграммы кремниевых п+-р-р+ структур изменяются с ростом уровня освещенности, в высо-коомной области образуется фотостимулированный потенциальный барьер. Область пространственного заряда мелкого диффузионного п+-р перехода содержит слой, обогащенный электронами, сильное неравенство сечений захвата электронов и дырок на центры рекомбинации в этом слое обусловливает нелинейность скорости рекомбинации. Отрицательное влияние жесткого сужения запрещенной зоны на напряженность тянущего электрического поля в сильно легированной части диффузионного п-р-перехода компенсируется за счет статистики Ферми - Дирака. В освещенном полупроводнике с параболической координатной зависимостью ширины запрещенной зоны существуют условия для возникновения колебаний термолизован-ной электронно-дырочной плазмы.

9. Построены модели транспорта носителей заряда в арсенидгаллиевых р+-по-п+ структурах при высокой плотности тока и р+-п-р-п+ структурах в прямом закрытом состоянии и в области отрицательного дифференциального сопротивления. Эффекты сильного легирования, зависимости ширины запрещенной зоны от уровня инжекции, электронно-дырочного рассеяния дают малый вклад в величину падения напряжения на р+-по-п+ структуре. Отрицательное дифференциальное сопротивление р+-п-р-п+ структур обусловленно эффектами "заплывания" и лавинного пробоя на площади много меньшей площади п-р-перехода.

10. Построена модель протекания электрического тока через границы зерен общего типа в кремнии с учетом нелинейных процессов изменения поверхностного заряда. На ВАХ межкристаллической границы выделены 3 различных по форме участка, соответствующих линейной, слабой и приблизительно экспоненциальной зависимости тока от напряжения. Предложена формула, позволяющая оценить вклад межкристаллических границ в эффективное время жизни неосновных носителей заряда.

Научно-практическая значимость работы.

1. Рассмотренные взаимодействия структурных компонентов с образованием примесных, собственных комплексов и фаз упорядочения, определяющие микроскопическую и макроскопическую неоднородность материалов, носят не только фундаментальный, но и практический характер, так как аналогичные эффекты наблюдались в ряде сильно легированных полупроводниковых соединений и твердых растворов.

2. Результаты расчетов распределения термических напряжений и плотности дислокаций в плоских лентах и гранях кремниевых многогранных труб, выращенных способом Степанова, содержащих чередующиеся двойниковые границы, показывают, что высокая плотность дислокаций в кремниевой ленте не связана с термическими напряжениями, существует возможность повышения времени жизни носителей заряда.

3. Изучены механизмы радиационного дефектообразования в кремнии, выращенном методом Чохральского и влияние концентрации примесей на коэффициенты деградации времени жизни, диффузионной длины неосновных и концентрации основных носителей заряда. При облучении низкоэнергетическими протонами может произойти инверсия типа проводимости в кремнии высокой и средней омности п-типа. Радиационная стойкость низкоомного кремния р-типа выше, чем аналогичного материала п-типа. В кремнии р-типа, легированном Ы, проводимость возрастает со временем облучения, по степени деградации времени жизни неосновных носителей заряда явным преимуществом обладают образцы р-типа с высокой концентрацией О над аналогичными образцами п-типа.

4. На основе анализа транспорта носителей заряда в неоднородных полупроводниковых структурах определены причины, ограничивающие характеристики ряда приборов. Сильное неравенство сечений захвата электронов и дырок на центры рекомбинации, выполняющееся в пределах тонкого дефектного слоя в области пространственного заряда п+-р-перехода, снижает КПД кремниевых п+-р-р+ фотоэлектрических преобразователей при достаточно высоком значении напряжения холостого хода, сформулировано направление повышения эффективности преобразования.

5. Увеличение напряжения силового диода ДАГ-200 с ростом температуры в области токов I— 103 А обусловлено величиной сопротивления контактной системы, а не эффектами в объеме полупроводниковой структуры. Для повышения напряжения переключения арсенидгаллиевых тиристоров необходимо достич максимального значения полного сопротивления микроплазм и увеличить толщину низколегированной п-базы.

6. Увеличение площади п-р-перехода за счет диффузии фосфора по активным границам зерен не является основной причиной, ограничивающей эффективность фотоэлектрических преобразователей из кремния, выращенного способом Степанова, такой причиной является низкое время жизни неосновных носителей заряда в объеме зерен.

7. Результаты работы могут использоваться при получении полупроводниковых твердых растворов с наперед заданными свойствами, поликристаллов с улучшенными характеристиками, при создании фотоэлектрических преобразователей из монокристаллического и поликристаллического кремния, силовых диодов и тиристоров из арсенида галлия, также других полупроводниковых приборов.

8. Материалы диссертации использованы в разработанных и прочитанных специальных лекционных курсах "Физика дефектов в полупроводниках" и "Фотоэлектрические системы", а также при постановке курсовых и дипломных работ для студентов физико-технического факультета Кубанского государственного университета.

Основные результаты и положения, выносимые на защиту:

1. Феноменологические модели структурных компонентов в полупроводниковых твердых растворах, объясняющие возникновение фаз примесного упорядочения. В вырожденном полупроводнике, содержащем сверхрешетку из "мелких" доноров, зона проводимости расщепляется на подзоны, разделенные зонами запрещенных энергий.

2. Калибровочная теория структурных дефектов и термических напряжений, описывающая сброс термических напряжений вследствие образования дислокаций. В областях, содержащих периодически расположенные двойниковые границы с расстоянием между ними меньше критического, среднеквадратичные касательные термические напряжения не достигают критических значений образования дислокаций. Кривизна внешней поверхности профилированного кремния существенно влияет на распределение структурных дефектов в объеме материала.

3. Результаты теоретических исследований влияния примесных атомов фосфора, лития, бора, кислорода и углерода на процесс радиационного комплексообразования в кремнии. Закономерности изменения концентрации основных и времени жизни неосновных носителей заряда в результате взаимодействия атомов 1л с радиационными дефектами.

4. Результаты теоретических исследований неоднородностей распределения концентраций электронов и дырок, сужения ширины запрещенной зоны, внутренних электрических полей, области пространственного заряда, кинетических и рекомбинационных параметров в освещенных планарных кремниевых структурах с п-р и изотипным переходами, а также в неосвещенных арсенидгаллиевых р-ьп структурах. Образование фотостимулированного потенциального барьера.

5. Колебания термолизованной электронно-дырочной плазмы в освещенном полупроводнике с параболической координатной зависимостью ширины запрещенной зоны существуют, если изменение дрейфовой скорости ННЗ происходит быстрее, чем их рекомбинация. Частота колебаний линейно зависит от плотности фототока.

6. Результаты расчетов ВАХ ваАэ р+-п-р-п+-структур в прямом закрытом состоянии и в области отрицательного дифференциального сопротивления с учетом неоднородного распределения плотности электрического тока, обусловленного микроплазменным лавинным пробоем обратно смещённого п-р-перехода. Прямое переключение происходит за счет эффектов "заплывания" и лавинного пробоя на площади, много меньшей площади п-р-перехода.

7. Модель электрически и рекомбинационно активных границ зерен. Результаты расчетов транспорта носителей заряда через границы зерен и связанные с ними области пространственного заряда в поликристаллических кремниевых структурах.

Достоверность полученных результатов определяется учетом основных физических явлений в моделях, описывающих влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур, использованием численных методов решения сформулированых задач, соответствием теоретических результатов работы экспериментальным и теоретическим данным других авторов.

Вклад автора в разработку проблемы. Диссертация является обобщением результатов работ, проведенных автором, в НПК "Сатурн" (г. Краснодар) и Кубанском государственном университете в 1978-1999 г. В совместных работах автору принадлежат разработка моделей и методов решения, проведение расчетов и анализ результатов.

Совокупность представленных в работе результатов по теоретическому исследованию влияния на параметры полупроводниковых структур объемных неоднородностей кристаллической решетки, состава, распределения примесей, электронов и дырок носит как фундаментальный, так и прикладной характер, является существенным вкладом в физику полупроводников. Построенные модели объемных неоднородностей основаны на механизмах взаимодействия точечных дефектов, рассматриваемых как элементарные возбуждения кристалла. Это позволяет выделить класс элементарных объемных неоднородностей, включающий примесные и собственные комплексы в твердых растворах полупроводников, трансляционные и поворотные элементы деформации, комплексы, образованные примесями, вакансиями, собственными междоузельными атомами, неоднородности распределения электронов и дырок, из элементов которого формируются макроскопические объемные неоднородности. Итогом работы явилось решение крупной научно-технической проблемы физики полупроводников и полупроводниковой электроники - исследования механизмов формирования объемных неоднородностей и электрофизических свойств объемно-неоднородных полупроводниковых структур.

Апробация результатов. Основные результаты диссертационной работы докладывались на Всесоюзной конференции "Пути использования солнечной энергии" (Черноголовка, 1981 г.), 2 Республиканской конференция по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Одесса, 1982 г.), 5 Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов (Москва, 1982 г.), 11 совещании по теории полупроводников (Ужгород, 1983 г.), 4 школе по физико-химическим основам методов получения и исследования материалов электронной техники (Новосибирск, 1984 г.), 11 Всесоюзной конференции "Возобновляемые источники энергии" (Ереван, 1985 г.), 7 конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск 1986 г.), 2 Всесоюзной конференции "Структура и электронные свойства границ зёрен в металлах и полупроводниках" (Воронеж, 1987 г.), Всесоюзном совещании "Перспективы развития и создания единой научно-технической производственной и эксплуатационной базы Краснодарского края по использованию возобновляемых источников энергии и проблемы их использования

14 в народном хозяйстве страны (Геленджик, 1988 г.), 3 Всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморское, 1996 г.), Международной конференции "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах" (Ульяновск, 1997 г.), 4 Всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморское, 1997 г.), Международной конференции "Оптика полупроводников" (Ульяновск, 1998 г.).

Публикации. Основное содержание диссертации отражено в 56 печатных изданиях, включаючих 38 статей и 18 тезисов докладов на научно-технических конференциях, симпозиумах, совещаниях.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Она изложена на 317 страницах, включая 68 рисунков, 14 таблиц и список литературы, насчитывающий 934 наименования.

5.5. ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 5

1. Построена модель транспорта носителей заряда через границы зерен общего типа и созданные ими ОПЗ с учетом нелинейных процессов изменения поверхностного заряда. Рассчитаны вольт-амперные характеристики границ зерен, показано, что на ВАХ можно выделить 3 различных по форме участка: на первом участке при qu<2kT зави

244 симость ]{и) линейна, на втором ток изменяется незначительно, так как плотность поверхностного заряда возрастает с увеличением напряжения, на третьем поверхностный заряд не изменяется, а зависимость ¡(и) приблизительно экспоненциальна.

2. Проанализировано влияние межкристаллических границ, параллельных п-р- переходу, на перенос ННЗ в поликристаллических кремниевых структурах. Впервые показано, что при достаточно высокой плотности темнового тока коэффициент неидеальности ВАХ может принимать значение 2ш+1, не связанное с рекомбинационными процессами в ОПЗ п-р- перехода (ш - число электрически активных МГ в базе). С ростом освещенности коэффициент собирания фотогенерированных носителей заряда возрастает за счет увеличения падения напряжения на МГ при достаточно малой скорости поверхностной рекомбинации и постоянной величине электрического потенциального барьера.

3. Проанализировано влияние межкристаллических границ, перпендикулярных п-р- переходу, на перенос ННЗ в поликристаллических кремниевых структурах. Получена формула, позволяющая оценить вклад МГ в эффективное время жизни неосновных носителей заряда, отличающаяся тем, что при бесконечно высокой скорости рекомбинации на самой границе эффективная скорость поверхностной рекомбинации на границе ОПЗ МГ принимает конечные значения. Показано, что рекомбинационно активные МГ мало влияют на параметры структур из ПК при расстоянии между ними 1>500 мкм. Увеличение площади п-р- перехода за счет диффузии фосфора по активным ГЗ с расстоянием между ними 1>50 мкм не является основной причиной, большого значения рекомбинационного тока, такой причиной является низкое время жизни электронов в объеме зерен.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Выделен класс элементарных объемных неоднородностей, определяющих параметры полупроводниковых структур в различных условиях, включающий примесные и собственные комплексы в твердых растворах полупроводников, трансляционные и поворотные элементы деформации, комплексы, образованные примесями, вакансиями, собственными междоузельными атомами, неоднородности распределения электронов и дырок. Общим свойством объектов этого класса является то, что, во-первых, они образованы точечными дефектами (элементарными возбуждениями кристалла), во-вторых, в результате их взаимодействия изменяются энергетические, кинетические и другие характеристики полупроводниковых структур, формируются макроскопические объемные неоднородности.

2. Примесный комплекс образуется атомом замещения в окружении только из атомов исходного кристалла, если энергия и радиус локализации валентных электронов замещающего атома меньше энергии и радиуса локализации валентных электронов собственных атомов, и представляет собой поляризованную сферу деформации радиусом го. Предложена формула и рассчитан радиус сферы деформации го, приближенно равный половине периода упорядочения примесных комплексов. Для системы Оеих81х примесные комплексы образуются при х<0,1 ат.%, го«2,5а. Собственные комплексы образуются при перекрывании сфер деформации и формируют кластеры. В твердом растворе Ое1-х81х они представляют выделение новой фазы со структурой элементарной ячейки ЗОеОеЮеЗ! при 0,1<х<12,5 ат.%. Число атомов 81 в кластере 39<М<132. Взаимодействие примесных или собственных комплексов обусловливает образование сверхрешеток из примесных атомов. В вырожденном полупроводнике, содержащем сверхрешетку из "мелких" доноров, зона проводомости расщепляется на подзоны, разделенные зонами запрещенных энергий. Величина этого энергетического зазора для сильно легированных кристаллов ГпАв п-типа порядка КГ2 эВ.

3. Трансляционные и поворотные элементы пластической деформации есть результат нарушения однородности группы Ли калибровочных преобразований пространства твердого тела. Взаимодействие трансляционных и поворотных элементов деформации формирует систему структурных дефектов кристалла. Построена последовательно геометрическая калибровочная теория структурных дефектов и термических напряжений. Сброс термических напряжений за счет образования дислокационной или двойниковой структуры происходит в следствие взаимодействия трансляционных и поворотных элементов деформации. В плоской кремниевой ленте с двойниковой структурой вблизи фронта кристаллизации в области полисинтетических двойников с размером зерна \¥1<\¥о~1 мм среднеквадратичные касательные термические напряжения не достигают критических значений образования дислокаций. При размере зерна ^У1>\Уо касательные напряжения в области границ превышают критические. В этом случае вдоль границ образуются дислокации.

4. Атомы примесей, вакансии, собственные междоузельные атомы образуют комплексы в результате квазихимических реакций в кристалле. Построена модель радиационного дефектообразования в кремнии, содержащем примеси фосфора, бора, кислорода, углерода и лития. В кремнии, легированном фосфором, образуются дивакансии, А, Е, К- центры, области разупорядочения. В кремнии, легированном бором, образуются дивакансии, А, К- центры, комплексы 81[В, области разупорядочения. Увеличение концентрации бора приводит к снижению концентраций К- центров и отрицательно заряженных А- центров, являющихся наиболее активными центрами рекомбинации. Концентрация основных носителей заряда уменьшается в кремнии п- типа вследствие акцепторного характера А-, Е-, К- центров, а в кремнии р- типа вследствие образования комплексов 8ЬВ, являющихся нейтральными. Атомы лития образуют комплексы с А-, Е- центрами, дивакансиями, областями разупорядочения, снижая их рекомбина-ционную активность. При этом в материале п- типа концентрация основных носителей заряда снижается, а в материале р- типа возрастает в следствие уменьшения концентрации положительно заряженных атомов 1л и комплексов 1лО.

5. Неоднородности распределения свободных электронов и дырок формируются посредством их взаимодействия с внутренним электрическим полем, а также вследствие процессов генерации, рекомбинации и рассеяния. Эти явления исследованы с помощью решения фундаментальной системы уравнений переноса носителей заряда в неоднородных полупроводниковых структурах. а) Носители заряда участвуют в формировании ОПЗ п+-р перехода, так что их концентраця не является пренебрежимо малой. Сильное неравенство сечений захвата электронов и дырок на центры рекомбинации, выполняющееся в пределах тонкого слоя в ОПЗ п+-р перехода с преобладанием концентрации электронов, обусловливает дополнительную нелинейность рекомбинационного процесса, который определяется большим сечением захвата дырок при малых напряжениях и и меньшим сечением захвата электронов при больших и. б) Напряженность тянущего поля в неоднородно легированном кремнии п+-типа уменьшается при по<7-1019 см-3 вследствие концентрационного сужения запрещенной зоны и увеличивается за счет влияния статистики Ферми-Дирака при по>7-1019 см*3. Аналогично, в кремнии р+-типа ро=3-1019 см*3. в) Энергетические диаграммы высокоомных кремниевых п+-ро-р+ структур изменяются с ростом уровня освещенности, так что образуется фотостимулированный электрический потенциальный барьер. г) В освещенном полупроводнике с параболической координатной зависимостью ширины запрещенной зоны возникают колебания термолизованной электронно-дырочной плазмы с частотой, линейно зависящей от плотности фототока. д) Эффекты сильного легирования, зависимости ширины запрещенной зоны от уровня инжекции, электронно-дырочного рассеяния дают малый вклад в величину напряжения на неосвещенных арсенидгаллиевых высокоомных р+-по-п+ структурах в режиме сильной инжекции. С ростом температуры увеличение омического падения напряжения в по-базе не компенсирует уменьшение падения напряжения на р+-по- и по-п+-переходах при 1<103 А. е) Участок отрицательного дифференциального сопротивления на ВАХ неосвещенных арсенидгаллиевых р+-п-р-п+ структур возникает за счет эффектов "заплывания" и микроплазменного лавинного пробоя на площади много меньшей площади обратно смещённого п-р-перехода.

6. Межкристаллические границы, как электрически активные структурные дефекты, создают неоднородности распределения электрического поля. В результате заполнения поверхностных состояний МГ с увеличением напряжения эффективный электрический потенциальный барьер возрастает до максимального значения. Поэтому на ВАХ МГ можно выделить 3 различных по форме участка: на первом при ди<2кТ зависимость ¡(и) линейна, на втором ток изменяется незначительно, так как эффективный ЭПБ МГ возрастает с увеличением напряжения, на третьем эффективный ЭПБ не изменяется, а зависимость 1(и) приблизительно экспоненциальна.

1. Горюнова Н.А . Химия алмазоподобных полупроводников. Л.: ЛГУ. 1963. 221 с.

2. Горюнова H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Советское радио. 1968 . -264 с.

3. Stohr H., Klemm W. Analysis of composition of SiixGex. // Zeitschrift fur anorganische und allgemeine chemie. 1939. V. 241. N 4. P. 305 424.

4. Шигаева С.M., Белашов Ю.Г. К вопросу о получении гомогенных легированных твердых растворов системы германий-кремний. // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Сб. статей. Ч. 1. Новосибирск: Наука. 1977. С . 156 158.

5. Тагиров В.И. Полупроводниковые твердые растворы. Германий-кремний. Баку: Элм. 1983. 208 с.

6. Кекуа М.Г., Хуцишвили Э. В. Твердые растворы полупроводниковой системы германий-кремний. Тбилиси: Мецниереба. 1985. 175 с.

7. Богатов Н.М., Хабаров Э.Н. Образование структурных компонентов и их упорядочение в твёрдых растворах Ge-Si. // Высокочистые вещества. 1989. № 2. С. 15 32.

8. Смирнов Ю.М., Литвинова Т.Ю. Влияние условий выращивания на структуру и распределение примесей в монокристаллах сплава германия с кремнием. // Кремний-германий. Сб. статей. М.: Металлургия. 1969. С . 97 101.

9. Романенко В.Н. Управление составом полупроводниковых кристаллов. М.: Металлургия, 1976. 368 с.

10. Чики З.И., Шульпина И.Л, Белокурова И.Н. Структурное совершенство кристаллов системы Ge-Si. //Легированные полупроводники. М.: Наука. 1975. С. 127 130.

11. Санидзе В.В., Георгадзе Г.С., Микадзе З.К. Исследование структурных совершенств кристаллов германий-кремний при увеличении содержания кремния от 0,5 до 2,5 ат. % . // Труды грузинского политехнического института. 1978. № 7. С. 42 44 .

12. Доливо-Добровольская Г.И., Смирнов Ю.М. Морфологические особенности кристаллов системы Ge-Si. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1975. Т. 2. № 7. С. 1174 1177.

13. Земсков B.C., Белая АД., Коровин Н.С. Распределение компонентов в кристаллах твердых растворов, выращенных по методу Чохральского без вращения затравки и тигля. // Легирование полупроводников. М.: Наука. 1982. С. 131 134.

14. Чики З.И., Шульпина И.Л., Белокурова И.Н. Дефекты роста в кристаллах сплавов GeSi. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1973. Т. 37. № 1. С. 2345 2348.

15. Чики З.И., Шульпина И. Л., Белокурова И.Н. Концентрационная неоднородность монокристалических сплавов GeSi. // Физика твердого тела. 1974. Т. 16. № 12. С. 3700 3703.

16. Земсков B.C., Белокурова И.Н., Шульпина И.Л., Сорокин Л.М. и др. Кристаллизация твердых растворов Ge-Si-St в различных условиях. // Легирование полупроводников. М.: Наука. 1982. С. 163 169.

17. Саидов М.С. О распределении компонентов при получении монокристаллов твердых растворов кремния с германием зонной кристализацией. // Изв. АН УзССР. Сер. Физ.-мат. н. 1981. № 4. С. 62 65.

18. Саидов М.С., Юсупов А., Атабаев И.Г. О получении однородных монокристаллов полупроводниковых твердых растворов. // Изв. Ан УзССР. Сер. Физ.-мат. н. 1985. № 6. С. 34 37.

19. Мишерин В.Н., Трошин Н.Е., Цомая К.П., Власенко В.А. и др. Исследование возможности получения гомогенных сплавов с помощью зонной плавки. // Вопросы металлургии и физики полупроводников. М. 1959. С. 59-69.

20. Саидов М.С., Высаева В.А., Умеров P.C. Исследование распределения в монокристаллах SixGeix, выращенных методом бестигельной плавки. // Изв. АН СССР. Неорган. Материалы. 1977. Т. 13. № 3. С. 518 519.

21. Саидов М.С., Умеров P.C. Выращивание монокристаллов твердых растворов германий-кремний методом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки. // Кристаллография. 1978. Т. 23 № 1. С. 237 240.

22. Dismakes J.P., Ekstron L., Paff R.J. Lattice parametr and density on germanium-silicon alloys. //J. Phys. Chem. 1964. V. 68. № 10. P. 3021-3027.

23. Левитас А. Электрические свойства германиево-кремниевых сплавов. // Кремний. М.: И. Л. 1960. С. 417 426.

24. Сергеев Г.А., Мирошниченко И.С. Измерения коэффициента распределения при неравновесной кристаллизации сплавов. // Структура жидкости и фазовые переходы. Вып. 3. Днепропетровск. 1975. С . 60 62.

25. Сандулова A.B., Богоявленский П.С., Дронюк М.И. Получение твердых расплавов Ge-Si из газовой фазы. //ДАН СССР. 1962. Т. 143 № 3. С. 610 612.

26. Сандулова A.B. Получение и оценка некоторых свойств нитевидных и игольчатых монокристаллов твердых растворов системы Ge-Si. // ДАН СССР. 1963. Т. 153 № 2. С. 330 332.

27. Сандулова A.B., Васильева Б.С., Ахроменко Ю.Г. Исследования массопереноса в закрытой системе кремний-германий-бром. // Нитевидные кристаллы и тонкие пленки. 4.1. Воронеж. 1975. С. 115 120.

28. Земсков В.С ., Белокурова И.М., Василина Б.С., Маврин О.И. и др. Исследование распределения добавок кремния в кристаллах германия, полученных из газовой фазы в условиях невесомостью. // Легированные полупроводниковые материалы. М.: 1985. С. 145- 149.

29. Лютович К.Л., Куропаткмн В.Л., Саидов С. М. Выращивание эпитаксиальных твердых растворов методом молекулярно-лучевой эпитаксии. // Изв. АН УзССР Сер. физ.-мат. н. 1986. № 2. С. 88 89.

30. Балагурова Е.А., Хабаров Э.Н. Упорядочение твердых растворов в системах Ge-Si, InAs-CdTe, HgTe-CdTe. // Свойства полупроводниковых твердых растворов, обусловленные структурными компонентами. Томск. ТГУ. 1978. С. 3 21.

31. Хабаров Э.Н. Области примесных твердых растворов на основе матрицы собственного полупроводника. // Свойства полупроводниковых твердых растворов, обусловленные структурными компонентами. Томск: ТГУ. 1978. С. 22 34.

32. Алесковский В.Б. К вопросу о структрных единицах твердого вещества. // Докл. АН СССР. 1990. Т. 311. №. 5. С. 1140- 1142.

33. Глазов В.М., Павлова Л.М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия. М.: Металлургия. 1981. 336 с.

34. Хабаров Э.Н., Рязанцев A.A. Взаимодействие компонентов в полупроводниковых твердых растворах с гетеровалентным замещением. // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. 1975. Т. 2. № 1.С. 126- 136.

35. Кекуа М.Г. Диаграммы состояния Ge-Si. // Труды института металлургии. АН Груз. ССР. 1962. Т. 8. С. 257-258.

36. Thurand C.D. The theoretical diagram of sistem Ge-Si. // J. Electrochem. Soc. 1953. V. 57. №4. P. 827-831.

37. Свелин P.A. Термодинамика твердого состояния. М.: Металлургия. 1968. 232 с.

38. Bublik V.T., Leikin V.N. Calculation of the psevdobinary alloy semiconductor phase diagrams. // Phys. Status Solidi. 1978. V. A46. № 1. P. 365 372.

39. Литвак A.M., Чарыков H.A. Новый термодинамический метод расчета фазоых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As, Sb. // Изв. АН СССР. Неорган. матер. 1991. Т. 27. № 2. С. 225 230.

40. Гусев А.И., Ремпель A.A. Термодинамическая модель атомного упорядочения. Фазовые диаграммы упорядоченных систем. // Ж. Физ. химии. 1991. Т. 65. № 3. С. 635 -633.

41. Эллиот Р.П. Структуры двойных сплавов. М.: Металлургия. 1979. 472 с.

42. Губенко А .Я. Особые точки на линиях ликвидуса и солидуса простых диаграмм состояния и их связь со структурным состоянием расплава. // Легированные полупроводниковые материалы. М.: Наука. 1985. С . 39 45.

43. Губенко А .Я., Аникин Ю.А., Замяткин В.В. Немонотонные изменения свойств расплавов и кристаллов в системе германий- кремний. // Материалы электронной техники. М.: Моск. институт электронного машиностроения. 1990. С. 124 132.

44. Губенко А.Я. Взаимосвязь между температурой, давлением и составом сосуществующих фаз. // Металлы. 1992. № 1. С. 7 9.

45. Хабаров Э.Н., Лиопо В.А. Твердые растворы алмазоподобных полупроводниковых соединений при "гетеровалентном" замещении. // ФТП. 1972. Т. 6. В. 10. С. 2082 -2083.

46. Лиопо В.А., Хабаров Э.Н. Изучение особенностей межатомного взаимодействия в полупроводниках типа А3В5-А2В6 рентгеновским методом. // Химическая связь в кристаллах и их физические свойства. Т.2. Минск: Наука и техника. 1976. С. 86-91.

47. Хабаров Э.Н. Двухчастичная модель примесей и их взаимодействие в атомарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях. // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Ч. 1. Новосибирск: Наука. 1977. С. 243 252.

48. Полтавцев Ю.Г. Структура полупроводниковых расплавов. М.: Металлургия. 1984. 176 с.

49. Регель А.Р., Глазов В.М. Структурные дефекты в расплавах полупроводников. // ФТП. 1983. Т. 17. В. 10. С. 1729 1747.

50. Мильвидсий М.Г., Рытова Н.С., Соловьева Е.М. Изовалентные примеси в полупроводниках. II Цветные металлы. 1991. № 8. С. 23 26.

51. Грехов A.M., Гунько В.М., Шаховцов В.И. Расчет уровней изовалентных примесей в кремнии. // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1988. Т. 24. № 2. С. 319 320.

52. Грехов A.M., Шаховцов В.И. Исследование электронно-колебательной структуры изоэлектронных примесей в кремнии. Изменение электронных свойств при зарождении фазы Ge d Si. // ФТП. 1988. Т. 22. В. 2. С. 285 288.

53. Баженов В.К., Фистуль В.И. Изоэлектронные примеси в полупроводниках. Состояние проблемы. // ФТП. 1984. Т. 18. В. 8. С. 1345 1362.

54. Johnson E.R., Christian S.M. Some properties of germanium-silicon alloys. // Phys. Rev. 1954. V. 95. №2. P. 560- 561.

55. Busch G., Vogt O. Elektrische leit fahigkeit und Holleffect von Ge-Si-legierungen. // Helv. Phys. Acta. 1960. V. 33. № 5. P. 437 458.

56. Wang C.C., Alexander B.H. Final technical report on investigation of germanium-silicon alloys. // Burean of Ships Contract No. Nobss. 1955. Feb. 17. B. 63180.

57. Bublik V.T., Gorelik S.S., Zaitsev A.A., Polykov A.Y. Diffuse X-ray determination of the energy of mixing and elastic constant of Ge-Si solid solutions. // Phys. Status Solidi. 1974. V. B66. № 2. P. 427 432.

58. Soma T. Vollume effect on the bulk modulus of Si-Ge solid solutions. // Phys. Status Solidi. 1979. V. B95. № 2. P. K117 K119.

59. Кекуа М.Г., Хуцишвили Э.В. Исследование микротвердости сплавов системы германий-кремний. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1967. Т. 3. № 7. С. 1166 -1169.

60. Ванг К.К ., Александер Б.Х. Твердость германиево-кремниевых сплавов при комнатной температуре. // Кремний. М.: И.Л. 1960. С. 427 430.

61. Глазов В.М., Вигдорович В.Н. Микротвердость металлов и полупроводников. М.: Металлургия. 1989. 248 с.

62. Жданова В.В., Кекуа М.Г., Самандашвили Т.В. Тепловое расширение сплавов системы Si-Ge. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1967. Т. 3. № 7. С. 1263 1264.

63. Прилепский В.И., Уманский Я.С. Искажения решеток германия, кремния и их твердых растворов в интервале от 88 до 500 К. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1965. Т. 1. № 8. С. 1272- 1276.

64. Braunstein R., Moore A.R., Herman F. Intrinsic optical absorption Ge-Si alloys. // Phys. Rev. 1958. V. 109. № 3. P. 695 710.

65. Ингизян П.Н., Лалыкин С.П., Смирнов И.А., Тихонов В.В., и др. Определение ширины запрещенной зоны твердых растворов Ge-Si при высоких температурах. // ФТП. 1971. Т. 5. № 12. С. 2381 2382.

66. Лупал М.В., Лютович К.Л., Панов М.Ф., Пихтин А.Н. и др. Параметры зонной структуры твердых растворов SixGeix. // ФТП. 1990. Т. 24. В. 9. С. 1604 1607.

67. Сафаров В.И., Титков А.Н. Непрямые бесфононные оптические переходы в смешанных кристаллах германий-кремний. // ФТТ. 1972. Т. 14. № 2. С. 458 462.

68. Гросс Е.Ф.,Титков А.Н. Бесфононная излучательная аннигиляция непрямых электронов в кристаллах германия с изоэлектронными примесями замещения. // ФТТ. 1972. Т. 14. № 7. С. 2004 2006.

69. Бакиров М.Я., Мамедов B.C. Фотопроводимость монокристаллов твердых растворов Ge-Si. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1978. Т. 14. № 7. С. 1201 1204.

70. Покровский Я.Е., Свистунова К.И., Алкеев Н.В. Влияние зонной структуры на механизм рекомбинации конденсированных носителей заряда в Ge, Si и их сплавах. // ФТТ. 1972. Т. 14. № 2. С. 3306 3308.

71. Kleine J.S., Pollak F.N., Cardone М. Electroreflectance in Ge-Si alloys. // Helv. Phys. Acta. 1968. V. 41. № 7. P. 968 977.

72. Хуцищвили Э.В., Кекуа М.Г. Исследование малых добавок Si на спектр отражения Ge. // Вопросы металловедения и коррозии металлов. Тбилиси. 1974. С. 58 62.

73. Hamlicek J., Lukes F., Schmidt E., Kekoua M.G., Khoutsishvili E. Disorder broadening of optical spectra in Ge-Si alloys. // Solid State Commun. 1983. V. 47. № 5. P. 387 389.

74. Humlicek J., Lukes F., Schmidt E., Kekoua M.G., Khoutsishvili E. Temperature dependence of the optical spectra of Si, Ge, and Ge-Si alloys. // Phys. Rev. B: Condens. Matter. 1986. V. 33. №2. P. 1092-1101.

75. People R. Indirect band gap of coherently stainedGexSiix bulk alloys on <001> silicon substrates. // Phys. Rev. B: Condens. Matter. 1985. V. 32. № 2. P. 1405 1408.

76. Braunstein R. Lattice vibration spectra of germanium-silicon alloys. // Phys. Rev. 1963. V. 130. №3. P. 879 887.

77. Feldman D.W., Askin M. Raman scattering by local modes in germanium rich silicongermanium alloys. // Phys. Rev. Let. 1966. V. 17. № 24. P. 1209 1212.

78. Lannin J.S. Vibrational properties of concetrated Ge-Si alloys. // Solid State Commun. 1976. V. 19. №1. P. 35 38.

79. Саидов M.C., Атабаев И.Г., Хируненков Л.И., Щаховцев В.И. и др. Фотонные спектры поглощения твердых растворов SiixGex. // Докл. АН УзССР. 1986. № 3. С. 24 26.

80. Шлимак И.С., Эфрос А.Л., Янчев И.Я. Исследование роли флуктуаций состава в твердых растворах Ge-Si. // ФТП. 1977. Т. 11. В. 2. С. 257 261.

81. Саидов М.С., Юсупов А., Никитин В.В., Абдримов К. и др. Холловская подвижность дырок в монокристаллах твердых растворов SiixGex. // ФТП. 1981. Т. 15. В 6. С. 1221 1223.

82. Шаховцов В.И., Шаховцова С.И., Шварц М.М., Шпинар Л.И. и др. Подвижность носителей тока в твердых растворах GeixSix. // ФТП. 1989. Т. 23. В 1. С. 48 51.

83. Аджаров Г.Х., Агаев Н.А., Кязимзаде Р.А. Подвижность электронов в твердых растворах германий-кремний при рассеянии на фононах и беспорядках сплава. // ФТП. 1991. Т. 25. В 4. С. 760-762.

84. Ренч Р., Шлимак И.С. Влияние состава на межпримесную излучательную рекомбинацию в сплаве германий-кремний. // ФТП. 1978. Т. 12. № 4. С. 713 717.

85. Krussman R., Vollmer Н., Labusch R. The activation energy of phosphorus donors in silicon-rich silicon-germanium alloys. // Phys. Status Solidi. 1983. V. B118. № 1. P. 275 -282.

86. Мизрухин Л.В., Мильвидский М.Г., Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., и др. Ушире-ние полос поглощения водородоподобных центров в кремнии с изовалентными примесями. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 9. С. 1647 1653.

87. Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шинкаренко В.К. Исследование колебательных спектров поглощения кислорода в твердых растворах Si<Ge>. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 12. С. 2222 2225.

88. Лопатин А.Б., Покровский Я.Е. Исследование неупорядоченности в сплавах германий-кремний методом спектроскопии связанных экситонов. // ФТТ. 1986. Т. 28. В. 8. С. 2373 2378.

89. Горбачева H.И., Курбаков А.И., Мильвидский М.Г., Рубинова Э.Э. и др. Структурное несовершенство монокристаллического кремния, легированного германием. // Кристаллография. 1986. Т. 31. № 5. С. 994 996.

90. Кустов В.Е., Мильвидский М.Г., Семенов Ю.Г., Туровский Б.М. и др. Деформационные заряды изовалентных примесей в кремнии. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 2. С. 270 -274.

91. Soma Т. The Electronic theory of Si-Ge solid solutions. // Phys. Status Solidi. 1979. V. B95.№2. P. 427 -431.

92. Matsuo Kagaua H., Kitani Y., Soma T. Linear thermal expansion coefficient of SiixGex solid solution. // Phys. Status Solidi. 1985. V. В132. № 2. P. K87-K90.

93. Erbarut E., Tomak M. A localized orbital description of Ge-Si alloy. // Phys. Status Solidi. 1985. V. В132. № 1. P. 173 177.

94. Martin-Rodero A., Verges J.A., Tejedor C. Shot Range effect in germanium-silicon. // Phys. Status Solidi. 1980. V. B99. № 2. P. 501 505.

95. Кустов Е.Ф., Мельников E.A., Сутченков A.A., Левадий А. И. и др. Зонная структура твердых растворов германия и кремния. // ФТП. 1983. Т. 17. В. 5. С. 769 772.

96. Балагурова Е.А., Петров А.Л., Хабаров Э.Н. Примесные состояния кремния в германии. // ФТП. 1981. Т. 15. В. 5. С. 985 987.

97. Петров А.Л. Зависимость энергии спин-орбитального расщепления валентной зоны от состава твердых растворов (InSb)i-x(CdTe)x и Gei-xSix. // ФТП. 1981. Т. 15. В. 3. С. 595 596.

98. Богатов Н.М., Петров А.Л., Хабаров Э.Н. Изменение спин-орбитального расщепления в сплавах германий-кремний. // ФТП. 1982. Т. 16. В. 4. С. 653 655.

99. Богатов Н.М., Хабаров Э.Н. Взаимодействие примесных комплексов в полупроводниках со сфалеритоподобной структурой. // Легированные полупроводниковые материалы. М.: Наука. 1985. С. 240 243.

100. Искра В.Д. Случайные поля в сплавах Ge-Si, обусловленные легированием. // Изв. вузов. Физика. 1987. № 2. С. 41 46.

101. Кардона М. Модуляционная спектроскопия. М.: Мир. 1972. 416 с.

102. Qteish A., Resta R. Microscopic atomic structure and stability of Si-Ge solid solutions. // Phys. Rev. B: Condens Matter. 1988. V. 37. N. 3. P. 1308 1314.

103. Волков Д.А., Фистуль В.И. Метод расчета энергии связи изовалентных и изоэлек-тронных примесей в тетраэдрических полупроводниках. // ФТП. 1993. Т. 27. В. 3. С. 431 -437.

104. Ichimura M., Nishino Y., Kajiyama H. Wada T. Calculation of bond lengths in Sil-xGex alloys based on the valence-force-field model. // Jap. J. Appl. Phys. Pt 2. 1990. V. 29. N 5. P. 842 843.

105. Теодосиу К. Упругие модели дефектов в кристаллах. М.: Мир. 1985. 352 с.

106. Желудев И.С. Симметрия и ее приложения. М.: Атомиздат. 1976. 288 с.

107. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник / Под ред. A.B. Новоселовой. М.: Наука. 1978. 339 с.

108. Таблицы физических величин: Справочник / Под ред. И.К. Кикоина. М.: Атомиздат. 1976. 1008 с.

109. Дашевский М.Я., Лымарь С.Г., Докучаева A.A., Итальянцев А.Г. и др. Влияние германия на поведение кислорода в кремнии. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1985. Т. 21. № U.C. 1827- 1830.

110. Дашевский М.Я., Докучаева A.A., Анисимов К.И. Влияние германия на образование термодоноров в кремнии. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1986. Т. 22. № 10. С. 1599 1601.

111. Дашевский М.Я., Докучаева A.A., Корляков Д.Н., Салманов А.Р. и др. Электрофизические параметры кремния, легированного германием, после термической обработки при 720 К. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1988. Т. 24. № 9. С. 1413 1418.

112. Дашевский М.Я., Корляков Д.Н., Кузнецов Е.А. Влияние германия на распад пересыщенного твердого раствора кислорода в монокристаллическом кремнии. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1990. Т. 26. № 6. С. 1135 1138.

113. Дашевский М.Я., Корляков Д.Н. Физические свойства термообработанных монокристаллов Si и Si<Ge>. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1991. Вып. 6(260). С. 45 47.

114. Бугай A.A., Кравцова И.Н., Максименко В.М., Шанина Б.Д. и др. Влияние германия на свойства Si-Sl центра в твердом растворе Sii.xGex. // ФТТ. 1987. Т. 29. В. 7. С. 2217-2220.

115. Кустов В.Е., Критская Т.В., Трипаченко H.A., Шаховцов В.И. Влияние германия на внутренние упругие напряжения в кислородосодержащем кремнии. // ФТП. 1988. Т. 22. В. 2. С. 313-315.

116. Критская Т.В., Хируненко Л.И., Яшник В.И. Термическое дефектообразование в кристаллах Si:Ge. //Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1991. Вып. 6(260). С. 56 58.

117. Бринкевич Д.И., Горбачева Н.И., Петров В.В., Ткачев В.Д. и др. Термодоноры в кремнии, легированном германием. // Докл. АН БССР. 1986. Т. 30. № 4. С. 308 -310.

118. Бринкевич Д.И., Петров В.В. Поведение кислорода в термообработанном кремнии, легированном германием. // Ж. прикл. спектроскопии. 1987. Т. 46. № 2. С. 305 307.

119. Бабицкий Ю.М., Горбачева Н.И., Гринштейн П.М., Ильин М.А. и др. Кинетика генерации низкотемпературных кислородных доноров в кремнии с изовалентными примесями. // ФТП. 1988. Т. 22. В. 2. С. 307 312.

120. Туровской Б.М., Горбачева Н.И. Зависимость эффективного коэффициента распределения германия в кремнии от концентрации германия в расплаве. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1990. Т. 26. № 5. С. 904 906.

121. Бринкевич Д.И., Горбачева Н.И., Петров В.В., Просолович B.C. Термическое де-фектообразование в кремнии, легированном германием и гадолинием. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1991. Вып. 6(260). С. 58 60.

122. Бринкевич Д.И., Маркевич В.П., Мурин Л.И., Петров В.В. Кинетика образования термодоноров в кристаллах Si<Ge, 0>. // ФТП. 1992. Т. 26. В. 4. С. 682 690.

123. Аскаров Б., Оксенгендлер Б.Л., Юсупов А., Сохаталиев С.А. Влияние неоднородности состава на атомные перестройки в твердых растворах кремния с германием. //Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1991. Вып. 7(261). С. 38 39.

124. Дугаев В.К., Петров П.П. О потенциале акцепторной примеси в твердых растворах полупроводников. //Украинский физический журнал. 1984. Т. 29. № 3. С. 443 446.

125. Грехов A.M., Шаховцов В.И. Влияние комплексов Ge и С на уровни энергии бора в сплавах Si-Ge, Si-C. // Украинский физический журнал. 1988. Т. 33. № 4. С. 602 -606.

126. Бугай A.A., Калабукова E.H., Максименко В.М., Неймарк Е.И. и др. Спектр ЭПР фосфора в сплавах Si:Ge. // ФТТ. 1982. Т. 24. В. 4. С. 1233 1235.

127. Бугай A.A., Максименко В.М., Неймарк Е.И., Шанина Б.Д. и др. Изучение локальных искажений ячеечного потенциала доноров в сплавах Sii-xGex методами ЭПР и спин-решеточной релаксации. // ФТТ. 1984. Т. 26. В. 11. С. 3338 3346.

128. Неймарк Е.И., Шанина Б.Д. Локальные искажения кристаллического потенциала и примесные состояния в сплаве кремний-германий. // ФТП. 1987. Т. 21. В. 4. С. 757 -759.

129. Неймащ В.Б., Саган Т.Р., Цмоць В.М., Шаховцов В.И. Магнитное упорядочение кислородосодержащих термодоноров в Si. // Украинский физический журнал. 1992. Т. 37. № 3. С. 437 442.

130. Глазов В.M., Кольцов В.Б., Куцова В.З., Регель А.Р. и др. Исследование электрофизических свойств кремния в широком интервале температур. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1990. Вып. 4(249). С. 53 58.

131. Даниленко В.М. Модели реальных кристаллов. Киев: Наукова думка. 1983. 224 с.

132. Bulyarskii S.V., Oleinikov V. P. Thermodynamics of defect interaction in compound semiconductors. // Phys. Stat. Sol. (b). 1988. V. 1. N. 6. P. 439 447.

133. Брук-Левинсон Э.Т., Чернецов ОД. Формализм большого канонического ансамбля для описания кристаллов с дефектами. // ДАН БССР. 1990. Т. 34. № 5. С. 414-413.

134. Маслюк В.Т., Гоер Д.Б. Равновесные состояния дефектов в полупроводниках при учете эффектов кластеризации. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1991. Т. 27. №4. С. 704-710.

135. Смирнов Б.М. Кластеры с плотной упаковкой. //УФН. 1992. Т. 162. № 1. С. 119 -138.

136. Смирнов Б.М. Большие кластеры с парным взаимодействием атомов. // Теплофизика высоких температур. 1992. Т. 30. № 3. С. 513 520.

137. Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках новый подход к формированию свойств материалов. Обзор. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 5. С. 513 - 522.

138. Cappelletti P., Cerofolini G.F., Pignatel G.U. Effective mass considered as a local property. // J. Appl. Phys. 1983. У. 54. № 2. P. 853 856.

139. Lockwood D.J., Rajan К., Fenton E.W., Baribean J.M. et al. Ordering in Sii-xGex crystals. // Solid State Commun. 1987. V. 61. N. 8. P. 465 467.

140. Bernard J.E., Zunger A. Strain energy and stability of Si-Ge compounds, alloys, and superlattices. // Phys. Rev. B. 1991. V. 44. N. 4. P. 1663 1681.

141. Мильвидский M.Г., Соловьева E.B. Особенности дефектообразования в полупроводниках при изовалентном легировании. // ФТП. 1983. Т. 17. В. U.C. 2022 2024.

142. Семиколенова H.A. Аномальные изменения свойств монокристаллов арсенида индия, легированного теллуром. // Изв. вузов. Физика. 1984. № 5. С. 51 57.

143. Скоробогатова Л.А., Хабаров Э.Н. Изменение структуры зоны проводимости твердых растворов (InSb)i-x(CdTe)x с составом сплавов. // Полуметаллы и полупроводники с узкими запрещенными зонами. Материалы III Всесоюзного симпозиума. Львов. 1873. С. 73 78.

144. Скоробогатова Л.А., Петров А.Л., Кузьмина Г.А. Электро-отражение твердых растворов системы InSb-CdTe. // ФТП. 1979. Т. 13. В. 4. С. 814 815.

145. Мартисов М.Ю. Механизм снижения плотности дислокаций при изовалентном легировании полупроводниковых соединений AmBv. // ФТП. 1992. Т. 26. В. 5. С. 822 824.

146. Siegrist T., Le Page Y., Holtzberg F. Vacancy ordering in Gdi-xSe. // J. Solid State Chem. 1987. V. 68. N. 1. P. 185 187.

147. Крицкий В.Е., Лиопо В.А., Лионов Е.И., Хабаров Э.Н. Анализ возможных структурных позиций размещения примесных атомов в решетке силленита. // Деп. ВИНИТИ №7816-В 85. 1985. 20 с.

148. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 1.С. 3-18.

149. Ионова Г.В., Ионов С.П. Зарядово-орбитальное упорядочение в неорганических кристаллах и его проявление в спектрах ЯМР. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1978. Т. 42. №6. С. 1297 1315.

150. Ницович В.M., Кновский И .Я., Когутюк И.П., Мойсенко Н.И. Концентрационные зависимости физических свойств зарядовоупорядоченных систем. // Ж. физ. хим. 1983. Т. 57. № 5. С. 1068 1078.

151. Ницович В.М., Когутюк И.П., Пронишин И.В. Влияние межэлектронного взаимодействия на фазовые переходы кристаллов в зарядовоупорядоченное состояние. // Изв. вузов. Физика. 1985. Т. 28. № 3. С. 92 94.

152. Ницович В.М. Пронишин И.В., Косяченко C.B., Скаб С.С. Электронные фазовые переходы в зарядовоупорядоченных системах. // Ин-т физ. АН УССР. Препр. 1984. № 40. 24 с.

153. Петренко П.В., Лось В.Ф., Репецкий С.П., Кулиш Н.П. Влияние упорядочения на энергетический спектр и электропроводность сплава. // ФТТ. 1992. Т. 34. В. 4. С. 1160- 1170.

154. Аблязов H.H., Эфрос А.Л. Рассеяние электронов на упорядочивающейся системе зарядов. // ЖЭТФ. 1989. Т. 95. № 4. С. 1450 1458.

155. Богатов Н.М., Семиколенова H.A., Хабаров Э.Н. Анализ взаимодействия компонентов в сильнолегированном арсениде индия. // 11 совещание по теории полупроводников. Тезисы докладов. Ужгород. 1983. С. 76-77.

156. Бонч-Бруевич В.Л., Тябликов C.B. Метод функций Грина в статистической механике. М.: ГИФМЛ. 1961. 312 с.

157. Давыдов A.C. Теория твердого тела. М.: Наука. 1976. 640 с.

158. Хакен X. Квантовополевая теория твердого тела. М.: Наука. 1980. 344 с.

159. Кушниренко А.Н. Об одном квантово-полевом подходе в теория твердого тела. // ИПМ АН УССР. Препр. 1979. № 1. 67 с.

160. Кушниренко А.Н. Квантово-электродинамическая теория твердого тела. // ИПМ АН УССР. Препр. 1979. № 3. 56 с.

161. Боголюбов H.H., Ширков Д.В. Квантовые поля. М.: Наука. 1980. 320 с.

162. Степанов A.B. Новый способ получения изделий (листов, труб, прутков разного профиля и т.п.) непосредственно из расплава: I. // ЖТФ. 1959. Т. 29. В. 3. С. 381 -393.

163. Степанов A.B. Новый способ получения изделий (листов, труб, прутков разного профиля и т.п.) непосредственно из расплава: II. // ЖТФ. 1959. Т. 29. В. 3. С. 394 -405.

164. Никаноров С.П. К 85-летию со дня рождения Александра Васильевича Степанова. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1994. Т. 58. № 9. С. 2 4.

165. Татарченко В.А. Устойчивый рост кристаллов. М.: Наука. 1988. 240 с.

166. Antonov P.I. Review of factors controlling the growth of shaped crystals. // J. Cryst. Growth. 1990. V. 104. N. 1. P. 39 46.

167. Бахмен К. Материалы для солнечных элементов. // Актуальные проблемы материаловедения. М.: Мир. 1982. С. 7 195.

168. Serreze Н. В., Swartz J.C., Entine G., Ravi K.V. Observation on the relationship between structure and electrical performance in silicon ribbon solar cells. // Mat. Res. Bull. 1974. V. 9. N. 10. P. 1421 1426.

169. Ravi K.V. The Growth of EFG silicon ribbons. // J. Cryst. Growth. 1977. V. 39. N. 1. P. 1 16.

170. Taylor A.S., Mackintosh B.H., Erisc L., Wald F.V. Long nonagons an approach to high productivity silicon sheet using the EFG method. // J. Cryst. Growth. 1987. V. 82. N. 12. P. 134-141.

171. Абросимов H.B., Баженов A.B., Горин C.H., Сидоров Ю.А. и др. Монокристаллические кремниевые ленты, выращенные по способу Степанова. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1988. Т. 52. № 10. С. 1937 1941.

172. Вайсберг В.А., Макеев Х.И., Селицкий Ф.И. Влияние тепловых условий выращивания на прочность кремниевых лент, получаемых обратным способом Степанова, и их свойства. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1985. Т. 49. № 12. С. 2371 2373.

173. Абросимов Н.В., Ерофеева С.А., Татарченко В.А. Выращивание кремниевых профилей различного поперечного сечения по способу Степанова и особенности образования в них дефектной структуры. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1985. Т. 49. № 12. С. 2361 -2363.

174. Ciszek T.F. X-ray topographic observation of crystal structure in silicon ribbons grown by various methods. //J. Cryst. Growth. 1987. V. 82. N. 1-2. P. 182 190.

175. Katcki J. A review of structural defect generation mechanisms in EFG ribbons. // J. Cryst. Growth. 1987. V. 82. N. 1-2. P. 197 202.

176. Бузынин A.H., Антонов B.A., Осико B.B., Татаринцев В.М. Общие черты двойни-кования кристаллов кремния и соединений AnIBv при росте из расплава. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1988. Т. 52. № 10. С. 1889 1895.

177. Артемьев A.B., Горелик С.С., Евтодий Б.Н. Ильящук Ю.М. и др. Границы зерен в тонкостенных многогранных кристаллах кремния, выращенных способом Степанова. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1988. Т. 52. № 10. С. 1951 1958.

178. Вера М.Д., Закс М.Б., Касаткин В.В., Любалин М.Д. и др. О строении и фотоэлектрических свойствах поликристаллического профилированного кремния, полученного способом Степанова. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1988. Т. 52. № 10. С. 1959- 1965.

179. Евтодий Б.Н., Егоров Л.П., Карпухин А.Ф., Федорченко В.Н. и др. Исследование флуктуаций температуры формообразователя в способе Степанова. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1983. Т. 47. № 2. С. 342 345.

180. Абросимов Н.В., Баженов A.B., Зуев А.П. Электронные свойства кристаллов профилированного кремния, легированного гадолинием. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1985. Т. 49. № 12. С. 2357 2360.

181. Абросимов Н.В., Абросимова В.Н., Баженов A.B., Ерофеева С.А. Влияние легирования гадолинием на электрические и оптические свойства профилированных кристаллов кремния,. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. 1986. Т. 22. № 2. С. 181 185.

182. Левинзон Д.И., Ткаченко H.H. Исследование взаимозависимости прочностных и электрофизических характеристик профилированных кристаллов кремния, выращенных способом Степанова. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1994. Т. 58. № 9. С. 124- 126.

183. Инденбом В.Л. Напряжения и дислокации при росте кристаллов. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1973. Т. 37. № 11. С. 2258 2267.

184. Боли Б., Уэйнер Д. Теория термоупругих напряжений. М.: Мир. 1964 516 с.

185. Губанов А.И., Нраньян A.A. Распределение температуры в германии при его вытягивании из расплава. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1969. Т. 33. № 12. С. 1963 -1969.

186. Губанов А.И., Нраньян A.A. Температурные напряжения в кристаллах, вытягиваемых из расплава. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1969. Т. 33. № 12. С. 1970 -1973.

187. Шашков Ю.М., Гуревич В.М., Силкин В.Б. Расчет теплового поля монокристаллов кремния при выращивании из расплава. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1969. Т. 33. № 12. С. 1974 1979.

188. Антонов П.И., Колесникова Э.Н., Крымов В.М., Никаноров С.П. и др. Распределение температуры в профилированных монокристаллах германия, выращиваемых из расплава по способу Степанова. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1976. Т. 40. №7. С. 1407- 1413.

189. Антонов П.И., Галактионов Е.В., Крымов В.М., Тропп Э.А. Термонапряжения в монокристаллах германия круглого сечения, выращиваемых по способу Степанова. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1976. Т. 40. № 7. С. 1414 1418.

190. Антонов П.И., Галактионов Е.В., Крымов В.М., Юферев B.C. Расчет термоупругих напряжений при выращивании лент германия способом Степанова. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1976. Т. 40. № 7. С. 1419 1425.

191. Бородин В.А., Ерофеев В.Н., Старцев С.А., Татарченко В.А. Исследование температурного поля вблизи фронта кристаллизации. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1976. Т. 40. № 7. С. 1452 1455.

192. Зино И.Е., Тропп Э.А. Асимптотические методы в задачах теории теплопроводности и упругости. J1.: ЛГУ. 1978. 224 с.

193. Антонов П.И., Крымов В.М. Влияние геометрии профилированных монокристаллов на термические напряжения и дислокационную структуру, возникающие в процессе выращивания из расплава. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1980. Т. 44. № 2. С. 244 249.

194. Антонов П.И., Галактионов Е.В., Крымов В.М., Юферев B.C. Влияние теплообмена кристалл-экран на термические напряжения и дислокационную структуру профилированных монокристаллов германия. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1980. Т. 44. №2. С. 250-254.

195. Антонов П.И., Бахолдин С.И., Галактионов Е.В., Тропп Э.А. Влияние анизотропии на термоупругие напряжения, при выращивании профилированных кристаллов. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1980. Т. 44. № 2. С. 255 268.

196. Антонов П.И., Колесникова Э.Н., Юферев B.C. Расчет температурного поля в лентах при ограненном фронте кристаллизации. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1980. Т. 44. №2. С. 279-283.

197. Голод В.М., Федоров В.Ю. Численное моделирование тепловых режимов процесса получения изделий из расплава по способу Степанова. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1980. Т. 44. № 2. С. 362 365.

198. Антонов П.И., Крымов В.М., Носов Ю.Г., Галактионов Е.В. Образование полос скольжения под действием термических напряжений при выращивании профилированных кристаллов полупроводников. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1983. Т. 47. №2. С. 306- 314.

199. Дашевский М.Я., Азаренок Б.Н., Киселев Д.М. Моделирование процесса выращивания междендритных лент кремния. // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1986. Т. 22. №10. С. 1589 1593.

200. Tropp Е.А., Vandakurov I.Yu., Galaktionov Е.А. The asymptotic calculation of the temperature field and the thermal stresses in shaped crystals grown from from the melt. // J. Cryst. Growth. 1987. V. 82. N. 1-2. P. 65 69.

201. Антонов П.И., Иванцов В.А., Козлов A.A., Колесникова Э.Н. и др. Исследование температурных полей и термоупругих напряжений при выращивании кремниевых тонкостенных многогранников. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1988. Т. 52. № 10. С. 1942- 1950.

202. Вандакуров И.Ю., Галактионов Е.В. Асимптотический расчет температуры и термоупругих напряжений в кристаллических стержнях, выращиваемых из расплава по способу Степанова. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1983. Т. 47. № 2. С. 279 -285.

203. Антонов П.И., Бахолдин С.И., Вандакуров И.Ю., Галактионов Е.В. и др. Влияние анизотропии теплофизических и упругих свойств на термические напряжения. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1983. Т. 47. № 2. С. 286 295.

204. Тиман Б.Л., Фесенко В.М. Температурные напряжения в анизотропных кристаллах прямоугольной формы. // Кристаллография. 1984. Т. 29. № 3. С. 600 603.

205. Цвинский C.B. Применение теории капилярных явлений к получению изделий заданной формы непосредственно из расплава по методу A.B. Степанова. // Инж. физический журн. 1962. Т. 5. № 9. С. 59 65.

206. Антонов П.И. Изучение капилярных явлений в процессе роста кристаллов. // Рост кристаллов. М. 1965. Т. 6. С. 158 160.

207. Антонов П.И., Степанов A.B. Некоторые закономерности капилярного формообразования кристаллов, получаемых способом Степанова. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1969. Т. 33. № 12. С. 1980 1988.

208. Татарченко В.А., Степанов A.B. К расчету высоты столба жидкости при получении изделий из расплава. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1969. Т. 33. № 12. С. 1960 1962.

209. Бренер Е.А., Татарченко В.А. Некоторые вопросы макроскопической теории направленной кристаллизации из расплава при капилярном формообразовании. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1969. Т. 33. № 12. С. 1926 1933.

210. Цвинский C.B., Антонов П.И., Степанов A.B. О форме столбов расплава, образующихся при вытягивании кристаллов (изделий) заданной формы. // ЖТФ. 1970. Т. 40. В. 2. С. 372 376.

211. Татарченко В.А., Левинзон Д.И., Степанов A.B. О форме столбиков жидкости, обладающих большой кривизной. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1972. Т. 36. № 3. С. 471 -475.

212. Сачков Г.В., Татарченко В.А., Левинзон Д.И. Управление процессом капилярного формообразования монокристаллов, выращиваемых из расплава. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1973. Т. 37. № 11. С. 2288 2291.

213. Татарченко В.А., Корчунов Б.Н. Влияние окисной пленки на капилярные явления. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1973. Т. 37. № 11. С. 2294 2296.

214. Татарченко В.А., Бренер Е.А. Устойчивость процесса кристаллизации из расплава при капилярном формообразовании. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1976. Т. 40. №7. С. 1456- 1467.

215. Сатункин Г.А., Татарченко В.А., Цейтлин Е.М. Связь угла роста с формой боковой поверхности растущего кристалла. // Кристаллография. 1979. Т. 24. № 1. С. 134 142.

216. Вайсберг В.А., Макеев Х.И., Селицкий Ф.И. Особенности тепловых и капилярных условий при выращивании кристаллов кремния обратным способом Степанова вокислительной среде. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1985. Т. 49. № 12. С. 2366 2370.

217. Цивинский С.В., Степанов А.В. О возможности управления распределнием примесей при получении кристаллов заданной формы. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1966. Т. 2. № 7. С. 1177 1179.

218. Matsumura S., Fukuda Т. Impurity distribution in crystals grown by the EFG technique. // J. Cryst. Growth. 1976. V. 34. N. 2. P. 350 352.

219. Swarts J.S., Surek Т., Chalmers B. The EFG process applied to the growth of silicon ribbons. // J. Electron. Mater. 1975. V. 4. N. 2. P. 255 279.

220. Губанов А.И., Давыдов С.Ю. Расчет распределения концентрации примесей в кристалле, вытягиваемом из расплава по способу Степанова. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1971. Т. 35. № 3. С. 442 446.

221. Kalejs J.P. Impurity redistribution in EFG. // J. Cryst. Growth. 1978. V. 44. N. 3. P. 329 -344.

222. Brantov S.K., Tatarchenko V.A. On effective coefficient of impurity distribution at the Stepanov thin-walled crystal growth (EFG). // Cryst. Res. Technol. 1983. V. 18. N. 5. P. K59 K64.

223. Jloxapy Э.Х., Юферев B.C. О вхождении примеси в кристалл при выращивании методом Степанова. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1985. Т. 49. № 12. С. 2290 -2294.

224. Chalmers В. Transient solute effects in shaped crystal growth of silicon. // J. Cryst. Growth. 1987. V. 82. N. 1-2. P. 70 73.

225. Бузынин Ю.Н., Орлов Ю.Н., Бузынин A.H., Дементьев Ю.В. и др. Выращивание и структурные особенности монокристаллических лент кремния. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1983. Т. 47. № 2. С. 361 367.

226. Овсянников М.И., Перов А.С., Перова В.И., Алябина Н.М. Автоколебания концентрации легирующей примеси при кристаллизации кремния. // Кристаллография. 1984. Т. 32. № 6. С. 1499 1501.

227. Егоров J1.П., Евтодий Б.И., Кац Е.А. Самолегирование при выращивании лент кремния способом Степанова. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1985. Т. 49. № 12. С. 2355 2356.

228. Тропп Э.А., Юферев B.C. Влияние угла роста на распределение примеси около боковой поверхности кристалла с учетом конвективного перемешивания. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1983. Т. 47. № 2. С. 274 278.

229. Ettouney Н.М., Brown R.A. Mechanisms for lateral solute segregation in edge-defined film-fed crystal growth. //J. Appl. Physics. 1984. V. 55. N. 12. P. 4384 4391.

230. Темкин Д.Е. Кинетические условия на фронте кристаллизации с учетом сегрегации примеси. // Кристаллография. 1984. Т. 32. № 6. С. 1331 1335.

231. Евтодий Б.И., Егоров Л.П., Гринюте Г.А. Карбидообразование при выращивании лент кремния способом Степанова. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1985. Т. 49. №12. С. 2349-2354.

232. Sachs Е.М., Surek T. Dynamics and control of meniscus hight in ribbon growth by the EFG method. // Shaped crystal growth. Ed. by G.W. Cullen et al. Amsterdam. 1980. P. 114- 125.

233. Лейбович B.C. Управление формообразованием кристаллов на основе динамической модели объекта регулирования. // Материалы электронной техники. Ч. 1. Новосибирск. 1983. С. 161 179.

234. Лейбович B.C. Условия существования стационарного режима в процессе кристаллизации способом Степанова. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1985. Т. 49. № 12. С. 2329 2334.

235. Рассоленко С.Н. Математическое обеспечение процессов выращивания кристаллов из расплава. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1994. Т. 58. № 9. С. 92 100.

236. Математическое моделирование. Получение монокристаллов и полупроводниковых структур. / Под. ред. Самарского A.A., Попова Ю.П., Мажорова О.С. М.: Наука. 1986. 197 с.

237. Степанов А.Е., Кирилова Л.Г. Математическое моделирование процессов выращивания кристаллических полупроводниковых материалов. Киев: Наук, думка. 1988.- 184 с.

238. Богатов Н.М. Калибровочная теория структурных дефектов и термических напряжений. // Кристаллизация и свойства кристаллов. Межвузовский сборник. Новочеркасск: НПИ. 1993. С. 90 98.

239. Bogatov N.M., Kryjniaia Н.Р. Simulation of structural defects and thermal tensions by gauge field theory. // Proceedings of 1997 International Semiconductor Device Research Symposium. Dec. 10-13. ISBN№ 1-880920-05-0. P.353-356.

240. Bogatov N.M., Kryjniaia H.P. Gauge field theory of structural defects and thermal tensions. // Phys. Stat. Sol. (b) 1998. V. 207. N 6. P. 317 321.

241. Лифшиц И.М., Розенцвейг Л.Н. К теории упругих свойств поликристаллов. // ЖЭТФ. 1946. Т. 16. В. 11. С. 967- 980.

242. Седов Л.И. Механика сплошной среды. Т. II. М.: Наука. 1976. 576 с.

243. Шувалов Л.А., Урусовская A.A., Желудев И.С., Залесский A.B. и др. Современная кристаллография. Т. 4. Физические свойства кристаллов. М.: Наука. 1981. 496 с.

244. Чернов A.A., Гиваргизов Б.И., Багдасаров Х.С., Кузнецов В.А. и др. Современная кристаллография. Т. 3. Образование кристаллов. М.: Наука 1980, 408 с.

245. Лифшиц И.М., Обреимов И.В. Несколько соображений о двойниковании кальцита. // Изв. АН СССР. 1948. Т. 12. № 2. С. 65 80.

246. Лифшиц И.М. О макроскопическом описании явления двойникования кристаллов. //ЖЭТФ. 1948. Т. 18. В. 12. С. 1134- 1143.

247. Лифшиц И.М. Об определении формы двойниковой прослойки по заданным значениям напряжений на ее границе. // Учен. зап. Харьк. ун-т. Т. 39. Тр. физ. отд-ния физ.-мат. фак. 1952. Т. 3. С. 7 10.

248. Орлов А.Н., Перевезенцев В.Н., Рыбин В.В. Границы зерен в металлах. М.: Металлургия. 1980. 156 с.

249. Кайбышев O.A., Валиев Р.З. Границы зерен и свойства металлов. М.: Металлургия. 1987. -214 с.

250. Gleichmann R., Vandin M.D., Ast D.G. Recovery of edge-defined film-fed grown silicon. Dislocation/twin boundary interaction and mechanisms for twin-induced grain boundary formation. // Philosophical Magazine A. 1985. V. 51. N 3. P. 449 467.

251. Вайнштейн Б.К., Фридкин В.М., Инденбом В.Л. Современная кристаллография. Т. 2. Структура кристаллов. М.: Наука. 1979. 360 с.

252. Антонов П.И., Степанов A.B. Видимая граница фронта кристаллизации и структура боковой поверхности монокристаллических стержней. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1969. Т. 33. № 12. С. 1988 1995.

253. Воронков В.В. Влияние огранения фронта кристаллизации на внешнюю форму кристаллов. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1985. Т. 49. № 12. С. 2467 2472.

254. Абросимов Н.В., Баженов A.B., Брантов С.К. Профилирование кремния с использованием капилярного формообразования. // Рост кристаллов. Т. 15. М.: Наука. 1986. С. 187-209.

255. Абросимов Н.В., Баженов A.B., Эпельбаум Б.М. Морфология поверхности раздела кристалл расплав при выращивании кремниевых профилей. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1988. Т. 52. № 10. С. 1932 - 1936.

256. Кац Е.А., Поляк Л.Е. Фронт кристаллизации профилированного кремния вблизи границ зерен. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1994. Т. 58. № 9. С. 127 132.

257. Изергин А.А., Изергин А.П. К вопросу о кристаллизации из расплава. // Электронная техника. Сер. материалы. 1986. В. 2(213). С. 72 74.

258. Изергин А.П., Изергин А.А. О флуктуациях температуры в расплавах металлов и полупроводников. // Электронная техника. Сер. материалы. 1986. В. 2(213). С. 66 -67.

259. Rottman С. Thermal fluctuations in interfaces: From fluid-fluid interfaces to small-angle grain boundaries. // Mater Sci. and Eng. 1986. V. 81. P. 553 562.

260. Munakata Т., Tanasawa I. On set of oscillatory flow in Czochralski growth melt and its suppresssion by magnetic field. // J. Cryst. Growth. 1990. V. 106. N. 4. P. 566 576.

261. Юферев B.C. Устойчивость поверхности раздела кристалл-расплав с послойным механизмом роста. // Поверхность. 1983. № 7. С. 29 33.

262. Колесникова Э.Н., Юферев B.C. Устойчивость плоского фронта кристаллизации с послойным механизмом роста и образование макроступеней. // Кристаллография. 1989. Т. 34. № 1.С. 16-21.

263. Воронков В.В. Огранение кристаллов, вытягиваемых из расплава. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1983. Т. 47. № 2. С. 210 218.

264. Воронков В.В. Теория формообразования кристаллов, вытягиваемых из расплава. // Материалы электронной техники. Новосибирск. 1983. Ч. 1. С. 126 143.

265. Кадич А., Эделен Д. Калибровочная теория дислокаций и дисклинаций. М.: Мир. 1987. 168с.

266. Osipov V.A. A monopole-like solution for static disclinations in continuum media. // Phys. Lett. A. 1990. V.146. N1-2. P.67 70.

267. Valsakumar M.C., Sahoo D. Gauge theory of defects in elastic continuum. // Bull Mater. Sci. 1988. V. 10. N1-2. P. 3 44.

268. Konoplich R.V., Selivanov E.V., Zhukov V.P. An exact solution in gauge theory of strait disclinations in an isotropic elastic medium. // Phys. Lett. A. 1992. V. 167. N 1. P. 75 -78.

269. Minagawa Sitiro. A trial of the gauge theory for the stress-function space. // Int. J. Theor. Phys. 1990. V. 29. N 11. P. 1271 1276.

270. Zhang S., Duan Y. Эквивалентный тензор деформаций в калибровочной полевой теории дислокационного континуума. // Lanzhou daxue xuebao. Ziran Kexue ban = J. Lanzhou Univ. Mat. Sci. 1992. V. 28. N 2. P. 71 75.

271. Gao Fei, Zhang Houg-tu. The application of dislocation gauge field for the dislocation core. // Ули сюэбао = Acta Phys. Sin. 1989. V. 38. N 7. P. 1127 1133.

272. Gao Fei, Yang Chun-hua. A study on moving screw dislocation by the method of gauge feild theory for crystal defects. //Ули сюэбао = Acta Phys. Sin. 1990. V. 39. N 7. P. 1097 1103.

273. Истомин С.А. К термодинамике сред с дефектами. // Физ. мысль России. 1996. № 34. С. 53 62.

274. Бирковский А.А., Романов А.Е. Кинетическая модель пространственной упорядоченности структурных элементов ротационной пластической деформации. // ФТТ. 1991. Т. 33. №5. С. 1589- 1590.

275. Osipov V.A. Nonlinear elastic problems in dislocation theory: a gauge approach. // J. Phys. A. 1991. V. 24. N 14. P. 3237 3244.

276. Мусиенко А.И., Копцик В.А. Калибровочная теория дислокаций и дисклинаций в кристаллах с многоатомными решетками. // Кристаллография. 1996. Т. 41. № 4. С. 586 590.

277. Grachev A.V., Nesterov A.I., Ovchinnikov S.G. The gauge theory of point defects. // Phys. status solidi B. 1989. V. 156. N 2. P. 403 410.

278. Duan Y.S., Duan Z.P. Gauge field theory of a continuum with dislocations and disclinations. // Int. J. Eng. Sci. 1986. V. 24 . N 4. P. 513 527.

279. Clough S. Gauge theory. A new outlook on solid state dynamics. // Angew. Chem. 1989. V. 101. N8. P. 1150- 1152.

280. Valsakumar M.C. Gauge theory of defects. Proc. Solid State Phys. Symp. Bombay. Dec. 27-31, 1987. Bombay. 1988. P. 127- 140.

281. Leggett A.J., Sols F. On the concept of spontaneously broken gauge symmetry in condensed matter physics. // Found Phys. 1991. V. 21. N 3. P. 353 364.

282. Mistura L. Cartan connection and defects in Bravais lattices. // Int. J. Theor. Phys. 1990. V. 29. N 11. P. 1207 1218.

283. Kroner E. The differential geometry of elementary point and line defects in Bravais crystals. // Int. J. Theor. Phys. 1990. V. 29. N 11. P. 1219 1234.

284. Кричевец Ю.М. Модель кристалла с дефектами на основе теории расслоенных пространств. // Кибернет. и вычисл. техн. (Киев). 1991. № 91. С. 69 71.

285. Katanaev М.О., Volovich I.V. Theory of defects in solids and tree-dimensional gravity. // Ann. Phys. (USA). 1992. V. 216. N 1. P. 1 28.

286. Kleman M. Geometrical aspects in the physics of defects. // Bifurcation Theory, Mechanics and Physics. Dordrecht e. a. 1983. P. 331 355.

287. Kleman M. Curved crystals, defects and disorder. // Adv. Phys. 1989. V. 38. N 6. P. 605 -667.

288. Kleinert H. Gauge theory of time-dependent stresses and defects: quantum defect dynamics. //J. Phys. A: Math and Gen. 1986. V. 19. N 10. P. 1855 1862.

289. Kleinert H. Gauge Fields in Condensed Matter. Vol 2. Stresses and Defects. World Scientific Publ. Co. Singapore 1989.

290. Мусиенко А.И. Квантовая калибровочная теория дислокаций. // Физ. мысль России. 1996. №3-4. С. 3- 16.

291. Reizer M.Yu. Gauge invariance and the electron-electron interaction in a normal metal. //Phys. Rev. B. 1991. V. 44. N 11. P. 5476- 5481.

292. Osipov V.A. Extension of the Kadic-Edelen gauge model: electronic properties of defect systems. // Препр. Объед. ин-т. ядер, исслед. Дубна. 1990. № Е17-90-71. С. 1 19.

293. Osipov V.A. Extension of the Kadic-Edelen gauge model: electronic properties of defect systems. //Physica A. 1991. V. 175. N 3. P. 369 382.

294. Osipov V.A. Gauge theory of dislocations and disclinations for planar elastic systems. // J. Phys. A. 1993. V. 26. N 6. P. 1375 1383.

295. Bertoncini R., Jauho A.P. Gauge-invariant formulation of the intracollisional field effect including collisional broadening. // Phys. Rev. B. 1991. V. 44. N 8. P. 3655 3664.

296. Bertoncini R., Jauho A.P. Gauge-invariant description of nonlinear quantum transport of weakly coupled electron-phonon systems in uniform electric fields. // Semicond. Sci. and Technol. 1992. V. 7. N ЗВ. P. B33 B35.

297. Меньшенин B.B. Калибровочная теория магнитоупругих взаимодействий в ферромагнетиках. // ФТТ. 1991. Т. 33. № 5. С. 1518 1523.

298. Панин В.Е., Гриняев Ю.В., Егорушкин В.Е., Бухбиндер И.Л. и др. Спектр возбужденных состояний и вихревое механическое поле в деформируемом кристалле. // Известия вузов. Физика. 1987. Т. 30. N 1. С. 34 51.

299. Панин В.Е. Волновая природа пластической деформации твердых тел. // Известия вузов. Физика. 1990. Т. 33. N 2. С. 4 18.

300. Гриняев Ю.В., Чертова Н.В. Калибровочные теории пластической деформации в механике сплошных сред. // Известия вузов. Физика. 1990. Т. 33. N 2. С. 36 50.

301. Егорушкин В.Е. Калибровочная динамическая теория дефектов в неоднородно деформируемых средах со структурой. Поведение границ раздела. // Известия вузов. Физика. 1990. Т. 33. N 2. С. 51 68.

302. Структурные уровни пластической деформации и разрушения. / Под ред. ак. Панина В.Е. Новосибирск: Наука СО АН СССР. 1990. 254 с.

303. Панин В.Е., Засимчук Е.Э. Турбулентное пластическое течение кристаллов с дефектами. // Сильновозбужденные состояния в кристаллах. АН СССР СО Томский научн. центр. Томск. 1991. С. 3-21.

304. Данилов В.И., Зуев J1.Б., Мних Н.М., Панин В.Е. и др. Волновые эффекты при пластическом течении поликристаллического AI. // Физ. мет. и металловед. 1991. № 3. С. 188 194.

305. Панин В.Е. Физические основы мезомеханики среды со структурой. // Известия вузов. Физика. 1992. Т. 35. N 4. С. 5 18.

306. Елсукова Т.Ф., Панин В.Е. Эволюция структурных уровней деформации и самоорганизация мезоскопической субструктуры в поликристаллах. // Металлы. 1992. № 2. С. 73 89.

307. Егорушкин В.Е. Динамика пластической деформации. Волны локализованной пластической деформации в твердах телах. // Известия вузов. Физика. 1992. Т. 35. N4. С. 19-41.

308. Попов В.Л., Чертова Н.В. Калибровочная теория распространения волн в упругой среде. // Известия вузов. Физика. 1992. Т. 35. N 4. С. 81 93.

309. Классен-Неклюдова М.В. Механическое двойникование кристаллов. М.: АН СССР. 1960.-261 с.

310. Эшелби Дж. Континуальная теория дислокаций. М.: ИЛ. 1963. 248 с.

311. Косевич A.M. Динамическая теория дислокаций. // УФН. 1964. Т. 84. В. 4. С. 579 -609.

312. Фридель Ж. Дислокаци. М.: Мир. 1967. 643 с.

313. Бернер Р., Кронмюллер Г. Пластическая деформация монокристаллов. М.: Мир. 1969.-272 с.

314. Финкель В.М. Физика разрушения. М.: Металлургия. 1970. 376 с.

315. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат. 1972. 599 с.

316. Степанов A.B. Основы практической прочности. М.: Наука. 1974. 131 с.

317. Алыпиц В.И., Инденбом В.Л. Динамическое торможение дислокаций. // УФН. 1975. Т. 115. В. 1.С. 3-39.

318. Косевич A.M. Дислокации в теории упругости. Киев: Наукова думка. 1978. 220 с.

319. Смирнов Б.И. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов. Л.: Наука. 1981. -235 с.

320. Владимиров В.И., Романов А.Е. Дисклинации в кристаллах. Л.: Наука. 1986. -224с.

321. Судзуки Т., Ёсинага X., Такеути С. Динамика дислокаций и пластичность. М.: Мир. 1989.-296 с.

322. Dislocations in solids. Vol. 8. Basic problems and applications. / Ed. Nabarro F.R.N. Amsterdam etc.: N. Holl. 1989. 568 p.

323. Бойко B.C., Гарбер Р.И., Косевич A.M. Обратимая пластичность кристаллов. М.: Наука. 1991. 280 с.

324. Кунин И.А. Теория упругих сред с микроструктурой. М.: Наука. 1975. 416 с.

325. McLellan A.G. The quantum theory of elastic constant. // J. Phys. Condens. Matter. 1991. V.3.N 14. P. 2247 2262.

326. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., Сахаров Б.А., Шифрин С.С. Образование дислокаций в совершенных монокристаллах под действием напряжений. // ДАН СССР. 1972. Т. 207. № 5. С. 1109 1111.

327. Освенский В.Б., Шифрин С.С., Мильвидский М.Г. Закономерности размножения дислокаций в полупроводниках при высоких температурах. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1973. Т. 37. № 11. С. 2356 2361.

328. Никаноров С.П. Упругость, неупругость и силы связи в кристаллах типа AnBs-n. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1973. Т. 37. № 11. С. 2384 2391.

329. Гайдуков Г.Н., Филиппов А.П. Особенности изображения дислокации, обусловленные примесной атмосферой. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1980. Т. 44. № 6. С. 1314- 1317.

330. Gaidukov G.N., Maximov S.K., Podrezov А.А. The effect of the crystal anisotropy on the energy of the dislocation-impurity atmosphere elastic interaction in silicon. // Phys. Stat. Sol. (a). 1982. V. 79. P. 453 459.

331. Gaidukov G.N., Maximov S.K., Podrezov A.A. Effect of impurity atmosphere formation on the orientation of straight edge dislocations in Si. // Scripta Met. 1983. V. 17. N9. P. 1063 1067.

332. Gaidukov G.N., Podrezov A.A., Hirth J.P. A Volterra-type dislocation model of a low-angle 001 twist boundary in a FCC crystal. // Phys. Stat. Sol. (a). 1984. V. 82. P. 355 -363.

333. Gaidukov G.N., Maximov S.K., Filippov A.P. Elastic fields of a dislocation inclined to a free surface. // Phys. Stat. Sol. (a). 1985. V. 90. P. 215 224.

334. Кокейн Д., Jly Г., Сикорский А. Структура и движение дислокаций в полупроводниках AnBVI. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1987. Т. 51. № 4. С. 722 728.

335. Маеда Н., Кимура К., Такеучи С. Влияние возбуждения на подвижность дислокаций в элементарных полупроводниках. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1987. Т. 51. №4. С. 729-734.

336. Маеда К., Фудзита С., Сузуки К. Пластичность монокристаллов SiC, вызванная движением дислокаций. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1987. Т. 51. № 4. С. 741 748.

337. Винокур В.М., Иоффе Л.Б., Сагдеев И.Р. О движении дислокаций в рельефе Пай-ерлса в кристаллах с дефектами. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1987. Т. 51. № 4. С. 763 767.

338. Шпейзман В.В., Смирнов Б.И., Солнцева И.Ю. О движении дислокаций в монокристаллах кремния при комнатной температуре. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1987. Т. 51. №4. С. 768 773.

339. Гляйхман Р. Барьерное действие двойниковых границ на дислокационное скольжение и их влияние на свойства кремния для солнечных батарей. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1987. Т. 51. № 4. С. 786 791.

340. Жорж А., Жаке А. Взаимодействие дислокаций с границами зерен в бикристаллах кремния 2=9. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1987. Т. 51. № 4. С. 792 797.

341. Жорж А., Жаке А. Скорость движения и размножения дислокаций в фосфиде индия. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1987. Т. 51. № 4. С. 805 811.

342. Bottani С.Е. Equation of continuum elasticity including both dislocation motion and production. // Europhys. Lett. 1989. V. 9. N 8. P. 785 790.

343. Alehander H. On dislocation generation in semiconductor crystals. // Radiat. Eff. and Defects Solids. 1989. V. 111-112. N 1-2. P. 1 12.

344. Гаевский А.Ю. Взаимодействия недеформационной природы между точечными и планарными дефектами. // Физ. мет. и металловед. 1989. Т. 68. № 2. С. 243 252.

345. Петухов Б.В. О пороге подвижности дислокаций в примесных полупроводниках. // ЖТФ. 1990. Т. 60. В. 10. С. 64 68.

346. Ханнанов Ш.Х. Кинетика дислокаций и точечных дефектов в процессе пластической деформации кристаллов. // Физ. мет. и металловед. 1991. № 6. С. 85 90.

347. Попов J1.E., Кобытев B.C., Колупаева С.Н., Кобытева Г.В. Генерация точечных дефектов при взаимодействии скользящих дислокаций с межкристаллитными границами. // Физ. мет. и металловед. 1991. № 12. С. 24 29.

348. Петухов Б.В., Поляков Ю.И. Диффузионная модель релаксации кинков. // Кристаллография. 1992. Т. 37. № 2. С. 291 295.

349. Минаков В.И., Минаков Д.В., Рощупкин A.M. Квантовополевая теория динамического торможения дислокации примесными атомами. // Физ. и технол. матер, электрон. техн. Воронеж, политехи, ин-т. Воронеж. 1992. С. 174 178.

350. Алексеенко В.И., Мостовой В.М. Подвижность дислокаций при формировании и разрушении примесных атмосфер. //Укр. физ. ж. 1992. Т. 37. № 3. С. 415 419.

351. Большов A.A., Вещунов М.С., Галимов P.P. Неустойчивость формы дислокационной линии в кристалле, пересыщенном точечными дефектами. // ЖЭТФ. 1992. Т. 101. №5. С. 1581 1598.

352. Горбунов В.В., Даринский Б.М. Испускание вакансий межкристаллитной границей. // ФТТ. 1992. Т. 34. № 4. С. 1059 1063.

353. Корженевский A.J1., Лисаченко Д.А. Взаимодействие дислокаций с двойниковыми границами вблизи точек структурных фазовых переходов. // ФТТ. 1992. Т. 34. В. 4. С. 1064- 1069.

354. Duesbery M.S., Louât N.P., Sadananda К. The numerical semulation of continuum dislocations. // Phil. Mag. A. 1992. V. 65. N 2. P. 311 325.

355. Fournet R., Salazar J.M. Formation of dislocation patterns: Computer simulations. // Phys. Rev. B. 1996. V. 53. N 10. P. 6283 6290.

356. Suzuki T. Quantum theory of dislocation motion in crystals. // J. Phys. Soc. Jap. 1996. V. 65. N8. P. 2526-2531.

357. Куринная Р.И., Заголич M.B., Попов Л.Е., Старенченко В.А. Взаимодействие ведущих частичных дислокаций Шокли с реагирующими дислокациями леса. // Изв. вузов. Физика. 1997. Т. 40. № 5. С. 3 8.

358. Еремин В.В. Синергетическая модель пластического деформирования твердых тел. // Препр. Моск. инж. физ. ин-т. 1989. № 026. 21 с.

359. Баланкин A.C. Квантово-статистический подход в синергетике деформируемых сред. // Письма в ЖТФ. 1991. Т. 17. № 14. С. 96 100.

360. Гневко А.И. Синергетическая модель замедленного разрушения твердых тел. // Металлы. 1992. № 2. С. 21 28.

361. Корженевский А.Л., Лужков A.A. О фазовых переходах в нелинейно-упругих твердых телах. // ФТТ. 1991. Т. 33. В. 7. С. 2109 2115.

362. Городниченко O.K. Ротационный механизм пластической деформации в эпитакси-альных структурах арсенида галлия. // ФТП. 1991. Т. 25. В. 5. С. 947 950.

363. Макаров П.В. Микродинамическая теория пластичности и разрушения структурно-неоднородных сред. // Изв. вузов. Физика. 1992. Т. 35. № 4. С. 42-58.

364. Estrin Y., Kubin L.P. Plastic instabilities: Phenomenology and theory. // Mater. Sei.: and Eng. A. 1991. V. 137. P. 125- 134.

365. Лихачев B.A., Малинин В.Г. Структурно-аналитическая теория прочности в многоуровневой постановке. // Изв. вузов. Физика. 1990. Т. 33. № 2. С. 121 139.

366. Лихачев В.А., Малинин В.Г. Анализ функционально-механических свойств материалов методами структурно-аналитической теории. // Изв. вузов. Физика. 1992. Т. 35. № 4. С. 59 80.

367. Богатов Н.М. Калибровочная теория структурных дефектов и термических напряжений. // Кристаллизация и свойства кристаллов. Межвузовский сборник. Новочеркасск: НПИ. 1993. С. 90 98.

368. Bogatov N.M., Kryjniaia Н.Р. Simulation of structural defects and thermal tensions by gauge field theory. // Proceedings of 1997 International Semiconductor Device Research Symposium. Dec. 10-13. ISBN№ 1-880920-05-0. P. 353 356.

369. Bogatov N.M., Kryjniaia H.P. Gauge field theory of structural defects and thermal tensions. // Phys. Stat. Sol. (b) 1998. V. 207. P. 317 321.

370. Вахрамеев С.С., Шифрин С.С. Расчет термических напряжений и плотности дислокаций в кристаллах, выращиваемых из расплава. // Прикладные задачи теоретической и математической физики. Рига.: Латв. ун-т им. П. Стучки. 1978. С. 87 96.

371. Авдонин Н.А. Математическое описание процессов кристаллизации. Рига: Зинат-не. 1980. 178 с.

372. Степанов А.Е., Кириллова Л.Г. Математическое моделирование процессов выращивания кристаллических полупроводниковых материалов. Киев: Наукова думка. 1988. 184 с.

373. Lambropoulos J.C. High temperature inelastic deformation during shaped crystal growth from the melt. //J. Cryst. Growth. 1990. V. 104. N 1. P. 1 7.

374. Orowan E. Problems of plastic gliding. // Proc. Phys. Soc. 1940. V. 52. N 1. P. 8 22.

375. Гилман Д. Динамика дислокаций и поведение материалов при ударном воздействии. // Механика. М.: Мир. 1970. № 2. С. 96 124.

376. Коноплева Н.П., Попов В.Н. Калибровочные поля. М.: Атомиздат. 1980. 240 с.

377. Рашевский П.К. Риманова геометрия и тензорный анализ. М.: Наука. 1967. 664 с.

378. Седов Л.И. Механика сплошной среды. T.l. М.: Наука. 1976. 536 с.

379. Пугачев Я.И. Тезор конформного соответствия римановых пространств. // Изв. вузов. Физика. 1977. Т. 20. № 4. С. 115 120.

380. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теория поля. М. Наука. 1988. 512 с.

381. Lark-Horovitz К., Bleuler E., DavisR.E., Tendam D.L. Deut ron-bombarded semiconductors. // Phys. Rev. 1948. V.73. № 10. P. 1256-1286.

382. Ларк-Горовитц К. Бомбардировка полупроводников нуклонами. // Полупроводниковые электронные приборы. М.: ИЛ. 1953. С. 203-233.

383. Крейнин Л.Б., Григорьева Г.М. Солнечные батареи в условиях воздействия кос-ми-ческой радиации. Сер. Исследования космического пространства. Итоги науки и техники. Т. 13. М.: ВИНИТИ. 1979. 128 с.

384. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука. 1981. 368с.

385. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь. 1981. 248 с.

386. Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. М.: Мир. 1985. 304 с.

387. Кузнецов Н.В., Соловьев Г.Г. Радиационная стойкость кремния. М.: Энергоато-миз-дат. 1989. 96 с.

388. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука. 1990. 216 с.

389. Бонч- Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука. 1977. -672 с.

390. Кинчин Г.Х., Пиз Р.С. Смещение атомов твердых тел под действием излучения. // Успехи физ. наук. 1956. Т. 60. № 4. С. 590-615.

391. Lindhard J., Nielson V., Scharff M., Thomson P.V. Integral equations covering radiation effects notes an atomic collision II. // Kgl. Danske Vid. Selsk. Mat. Fys. Medd. 1963. V.33.№ 10. P. 14-42.

392. Van Lint V.A., Leadon R.E., Colwell J.F. Energy dependence of displacement effects in semiconductors. // IEEE Trans, of Nucl. Sci. 1972. V. NS-19. № 6. P. 181-185.

393. Van Lint V.A., Leadon R.E., Implications of cluster model of neutron effects in silicon. // Lattice Defects in Semiconductors. Conf. 1974. London-Bristol. Institute of Physics. 1975. P. 227-232.

394. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов M.A., Темкин М.М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей (теория, ме-тод расчета, таблицы). Минск. БГУ. 1980. 352 с.

395. Винецкий В.Л., Калнинь Ю.Х., Котомин Е.А., Овчинников А.А. Радиационно-стимулированная агрегация дефектов Френкеля в твердых телах. // Успехи физических наук. 1990. Т. 160. В. 10. С. 1-33.

396. Витовский Н.А., Мустафакулов Д., Чекмарева А.П. О величине пороговой энергии смещения атомов в полупроводниках. // Физика и техника полупроводников. 1977. Т. 11. Вып. 9. С. 1747-1753.

397. Асеев A.JL, Федина Л.И., Хель Д., Барч X. Скопление междоу зельных атомов в кремнии и германии. Новосибирск.: Наука. Сиб. отделение. 1991,- 149 с.

398. Andersen Н.Н., Ziegler J.F. Stopping powers and ranges in all elemental matter. New York: IBM Research. 1978. V.3.

399. Watkins G.D., Corbett J.W. Defects in irradiated silicon: Electron paramagnetic resonance of the divacancy. II Phys. Rev. 1965. V.138. №2A. P.A543-A555.

400. Corbett J.W., Watkins G.D. Production of devacancies and vacancies by electron irradiation of silicon. //Phys. Rev. 1965. V.138. №2A. P.A555-A560.

401. Холодарь Г.А., Данковский Ю.И., Конопляный B.B., Винецкий В.Л. Непрямая рекомбинация вакансий и межузельных атомов в облучаемом кремнии // ФТП . 1976. Т. 10. В. 9. С. 1712-1718.

402. Богатов Н.М. Радиационные дефекты в кремнии, выращенном методом Чохральского. // Поверхность. 1999. №3. С. 72 78.

403. Van Lint V.F., Gigas G., Barengoltz J. Correlation of displacement effects produced by electrons, protons and neutrons in silicon. // IEEE Trans, of Nucl. Science. 1975. V. NS -22. N 6. P. 2663-2668.

404. Stein N.J., Gereth R. Introduction rates of electrically active defects in n- and p- type silicon by electron and neutron irradiation. // J. Appl. Phys. 1968. V. 39. N 6. P. 2890 -2904.

405. Лугаков П.Ф., Лукьяница B.B., Шуша B.B. Особенности накопления радиационных дефектов в высокоомном р- кремнии. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 10. С. 1894-1897.

406. Yahata A., Yamagchi Y., Nakagawa A. Electron and hole lifetime in electron-irradiated Si p+-n-n+ diodes. H IEEE Trans. Electron Devices. 1992. V. 39. N 4. P. 1003-1005.

407. Александров О.В., Шевченко Б.Н., Матханова И.П., Каменец А.В. Влияние радиационных дефектов, введенных а- частицами, на обратные токи кремниевых р-n переходов. //ФТП. 1992. Т. 26. В.5. С. 868-871.

408. Reisinger J., Palmetshofer L. Fermi-level dependence of defect profiles in H+ bombarded silicon. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. N 27. P. 3583-3585.

409. Messenger G.C. A summary review of displacement damage from high energy radiation in silicon semiconductors and semiconductor devices. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1992. V. 39.N3. Pt 2. P. 468-473.

410. Вебер У., Мансур JI., Клинард Ф., Паркин Д. Радиационные эффекты при интенсивном облучении материалов. //Атом. техн. за рубежом. 1992. № 10. С. 3-9.

411. Болотов В.В., Васильев Ф.В., Смирнов Л.С. Дефектообразование в кремнии при повышенных температурах облучения. //ФТП. 1976. Т. 10. В. 9. С. 1670-1674.

412. Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Иванов A.M., Ли 3., Шмидт Б. Генерация радиационных дефектов в высокоомном кремнии при циклическом облучении и отжиге. // ФТП. 1997. Т. 31. В. 2. С. 235-240.

413. Колковский И.И., Лукьяница В.В. Особенности накопления радиационных дефектов вакансионного и межузельного типов в бездислокационном кремнии с различным содержанием кислорода. // ФТП. 1997. Т. 31. В. 4. С. 405-409.

414. Yamaguchi М., Taylor S.J., Yang Ming- Ju, Matsuda S., Kawasaki O., Hisamatsu T. Analysis of radiation damage to Si solar cells under high-fluence electron irradiation. // Jap. J. Appl. Phys. Pt 1. 1996. V. 35. N 7. P. 3918-3922.

415. Зубрилов A.C., Ковешников C.B. Радиационные дефекты и деградация времени жизни неравновесных носителей заряда в базовой области у- облученных кремниевых диффузионных р-n структур. Ленинград.: Преприт ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 1989. 1342.61 с.

416. Бриллиантов Н. В., Зверев В. В., Квяткевич А. И., Щербаков Ю. В. Моделирование радиационных процессов в фото преобразователях на основе кремния. М.: Препринт МИФИ. 1989. 063-89. 19 с.

417. Богатов Н.М. Радиационные дефекты в кремнии, выращенном методом Чохральского, легированном литием. // Поверхность. 1999. № 8.

418. Gilmer Т. E., Franks R. K., Bell R. I. An optimal study of lithium and lithium-oxigen complexes as donor impurities in silicon. // Phys. Chem. Solids. 1965. V.26. N.8. P. 11951204.

419. Вавилов В. С., Ухин Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат. 1969. 205 с.

420. Weinberg I., Irving, Swarts С. К., Mehta S. Increased radiation resistance in lithium -counterdoped silicon solar cells. //Appl. Phys. Lett. 1984. V.44. P.1071-1073.

421. Фистуль В.И. Распад пересыщенных твердых растворов. М.: Металлургия. 1977. -240с.

422. Бриллиантов Н.В., Крапивский П.Л. Кинетические модели кластеризации точечных дефектов в твердом теле. // ФТТ. Т.31. №2. С. 172-178.

423. Булярский С.В., Светухин В.В. Кинетическая модель кластеризации в твердых телах. // Труды международной конференции "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах". Ульяновск , 24-28 июня 1997 г. Ульяновск. 1997. С. 4-5.

424. Berman Р.А. Status of lithium-doped solar cell investigations at the Jet Propulsion Laboratory. // Conf. Rec. 8th IEEE Photovolt. Specialists Conf. Seatle Wash. 1970. New York. N.Y. 1970. P. 229-239.

425. Pell E.M. Diffusion rate of Li in Si at low temperatures. // Phys. Rev. 1960. V.l 19. №4. P. 1222-1225.

426. Wysocki J.J. Role of lithium in damage and reccovery of irradiated silicon solar cells. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1966. V. 13. N 5. P. 168-173.

427. Brucker G.J. Electrical studies of electron-irradiated lithium-containing n- type silicon. // Phys. Rev. 1969. V.183. N 3. P. 712-724.

428. Carter J.R., Downing R.J. Behavior of lithium in irradiated solar cells. // Conf. Rec. 8th IEEE Photovolt. Specialists Conf. Seatle Wash. 1970. New York. N.Y. 1970. P. 240-246.

429. Weingart J.M. Defect structure and behavior in electron irradiated lithium diffused solar cells. // Conf. Rec. 8th IEEE Photovolt. Specialists Conf. Seatle Wash. 1970. New York. N.Y. 1970. P. 267-275.

430. Wolf M., Brucker G.J. Recent development in radiation hardening silicon solar cells. // Energy Convers. 1971. V. 11. N 3. P. 75-90.

431. Naber J.A., Horiye H., Passenheim B.C. Lithium an impurity of interest in radiation effects of silicon. // Radiation Effects. 1971. V. 8. N 3-4. P. 239-244.

432. Berman P.A. Summery of results of JPL lithium-doped solar cell development program. // Conf. Rec. 9th IEEE Photovolt. Specialists Conf. Silver Spring. Md. 1972. New York. N.Y. 1972. P.281-291.

433. Weinberg I., Goradia C., Stupica J.W., Swartz C.K. Cell performance and defect behavior in proton-irradiated lithium-counterdoped n+p silicon solar cells. // J. Appl. Phys. 1986. V. 60. N6. P.2179-2181.

434. Brilliantov N.V., Rudenko A.I., Shcherbakov Yu.V., Zverev V.V. Anomalous low temperature annealing of electron irradiated lithium-doped silicon solar cells. // Phys. Stat. Sol. (a). 1990. V. 121. P. 155 158.

435. Brilliantov N.V., Rudenko A.I., Shcherbakov Yu.V., Zverev V.V. DLTS studies of temperature annealing in lithium-doped silicon. // Phys. Stat. Sol. (a). 1992. V. 130. P. 53 -60.

436. Берман JI.С., Воронков В.Б., Грехов И.В. Котина И.М., Кушашвили К.Ш. Образование и отжиг радиационных дефектов в кремниевых р-n диодах с примесью лития. // Журнал технической физики. 1988. Т. 58. В. 7. С. 1436-1493.

437. Аллахвердиев К.Р., Аббаев Ш.М., Агавердиева Г.Т., Тагиев Т.Б. Влияние низкотемпературного облучения на фотопроводимость монокристаллов твердого раствора n Gei-xSix. //Докл. Ан. АзССР. 1987. Т. 43. N 12. С. 12-15.

438. Дашевский М.Я., Корляков Д.Н., Ладыгин Е.А., Мусалитин A.M., Шилин Б.А. Влияние облучения электронами на физические свойства легированных германием монокристаллов кремния. // ФТП. 1990. Т. 24. В. 12. С. 2073-2079.

439. Бакиров М.Я. О природе радиационных дефектов в твердом растворе Ge-Si и приборах на их основе. // Актуал. пробл. радиац. исслед. АН Азербайджана. Сект, ра-диац. исслед. Баку. 1991. С. 3-6.

440. Помозов Ю.В., Хируненко Л.И., Яшник В.И., Шинкаренко В.К. Трансформация дефектов при отжиге Si и Si:Ge, облученных электронами и нейтронами. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1991. Вып. 6 (260). С. 36-39.

441. Емцев В.В., Клингер П.М., Фистуль В.И., Шмарцев Ю.В. Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии. // ФТП. 1991. Т. 25. В. 6. С. 997 1003.

442. Голубев В.Г., Емцев В.В., Клингер П.М., Кропотов Г.Ц., Шмарцев Ю.В. Процессы образования радиационных дефектов в Si:Ge при 4.2, 78 и 300 К. // ФТП. 1992. Т. 26. В. 3. С. 574-577.

443. Кучинский П.В., Ломако В.М., Рутковский И.З., Счастный В.В., Тарасевич А.Д., Шахлевич Л.Н. О влиянии германия на образование электрически активных дефектов в кремнии. // ФТП. 1988. Т. 22. В. 4. С. 634-637.

444. Бринкевич Д.И., Горбачева Н.И., Колковский И.И., Петров В.В., Шуша В.В. Влияние германия на процессы дефектообразования в кремнии. // Неорганические материалы. 1992. Т. 28. № 3. С. 480-483.

445. Бринкевич Д.И., Горбачева Н.И., Колковский И.И., Петров В.В., Шуша В.В. Радиационное дефектообразование в Si<Ge>. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1992. Вып. 4 (151)-5(152). С. 90-92.

446. Haller Е.Е. Hydrogen in crystalline semiconductors. // Semicond. Sci. and Technol. 1991. V. 6. N2. P. 73-84.

447. Абдурахманов Б.М., Билялов P.P., Саидов M.C., Чирва В.П. Исследование деградации Si солнечных элементов, пассивированных атомарным водородом. // Гелиотехника. 1991. №3. С. 55-57.

448. Абдуллин Х.А., Григорьева Г.М., Каган М.Б., Камзева Е.Е., Мукашев Б.Н., Та-мендаров М.Ф. Исследование влияния атомарного водорода на восстановление фотоэлектрических характеристик облученных n-р переходов. // Гелиотехника. 1991. №3. С. 9-12.

449. Мукашев Б.Н., Тамендиров М.Ф., Токмолдин С.Ж. Состояния водорода и механизмы пассивации примесей и радиационных дефектов в кристаллическом кремнии.//ФТП. 1992. Т. 26. В. 6. С. 1124-1134.

450. Болотов В.В., Плотников Г.Л., Эмекеузян В.М., Шмальц К. Пассивация радиационных дефектов в гидрогенизированных слоях кремния при нейтронном облучении. // ФТП. 1992. Т. 26. В. 7. С. 1295-1299.

451. Казакевич Л.А., Кузнецов В.И., Лугаков П.Ф., Салманов А.Р. Влияние примесей переходных металлов на накопление радиационных дефектов в р-кремнии. // ФТП. 1993. Т. 27. В. 3. С. 478-481.

452. Казакевич Л.А., Кузнецов В.И., Лугаков П.Ф., Салманов А.Р., Прокофьева В.К. Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-кремнии, легированном цирконием. // ФТП. 1993. Т. 27. В. 3. С. 535-537.

453. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука. 1978. 616 с.

454. Кривицкий Б.Х., Дулин В.А. Справочник по теоретическим основам радиоэлектроники. Т. 1. М.: Энергия. 1977. 504 с.

455. Shockley W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors. // Bell Syst. Tech. J. 1949. V. 28. N 7. P. 435 439.

456. Emtage P.M. Electrical conductivity and the photovoltaic effect in semiconductors with position dependent band gaps. //J. Appl. Phys. 1962. V. 33. N 6. P. 1950 - 1960.

457. Marfaing Y., Chvallier J. Photovoltaic effects in graded bandgap structures. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1971. V. ED-18. P. 465.

458. Lindholm F.A., Fossum J.G., Burgess E.L. Application of the superposition principle to solar cell analysis. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1979. V. ED-26. N 3. P. 165 - 171.

459. Tarr N.G., Pulfrey D.L. The superposition principle for homojunction solar cells. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1980. V. ED-27. N 4. P. 771 776.

460. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. М.: Мир. 1984. 456 с.

461. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 2. М.: Мир. 1984. 456 с.

462. Fossum J.G., Nasby R.D., Chongpao S. Physics underlying the performance of back -surface field solar cells. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1980. V. ED-27. N 4. P. 785 -791.

463. Oldwing Von Roos. A simple Theory of back surface field (BSF) solar cells. // J. Appl. Phys. 1978. V. 49. N 6. P. 3503 3511.

464. Oldwing Von Roos. A simple Theory of back surface field (BSF) solar cells. // J. Appl. Phys. 1979. V. 50. N 8. P. 5371 5374.

465. Sabnis A.G. Junction potentials of strongly illuminated n+-p-p+ solar cells. // Solid State Electronics. 1978. V. 21. N 3. P. 581 587.

466. Grung B.L. An analytical model for the edge illuminated silicon solar cell under concentrated sunlight. // Solid State Electronics. 1979. V. 22. N 9. P. 755 - 760.

467. Wen-Zen Shen, Ching-Yuan Wu. The open circuit voltage of N+-N-P high - low -emitter (HLE) junction solar cells in concentrated sunlight. // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. N 1. P. 466-473.

468. Ching-Yuan Wu, Wen-Zen Shen. The open circuit voltage of back - surface - field (BSF) p-n junction solar cells in concentrated sunlight. // Solid State Electronics. 1980. V. 23. N 3. P. 209 - 216.

469. Gummel H.K. A self consistent iterative scheme for one - dimensional steady state transistor calculations. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1964. V. ED-11. N 10. P. 455 -465.

470. Arandjelovic V. General iterative scheme for one dimensional calculations steady -state electrical properties of transistors. // Int. J. Electronics. 1969. V.27. N 5. P. 459 -478.

471. Pfitzner A. Numerical solution of the one dimensional phenomenological transport equation set in semiconductors. // Electron Technology. 1977. V. 10. N 4. P. 3 -21.

472. Pfitzner A. Initial approximations for the numerical solution of the transport equations in semiconductors. // Electron Technology. 1977. V. 10. N 2. P. 3 -22.

473. Scharfetter D.L., Gummel H.K. Large signal analysis of silicon Read diode oscillator. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1969. V. ED-16. N 1. P. 64 - 77.

474. Graham E.D., Hauser J.R. Effects of base doping and width on the J-V characteristics of the n+-p-p+ structure. // Solid State Electronics. 1972. V. 15. N 3. P. 303 310.

475. Гудков В.В. Существование и единственность решения краевой задачи для дрей-фодиффузионной одномерной модели полупроводникового прибора. // Ж. вычисл. и мат. физ. 1992. Т. 32. № 6. С. 917 928.

476. Kuzmicz W., Pfitzner A. A highly accurate numerical solution of semiconductor transport equation. // NASECODE IV: Proc. 4th Int. Conf. Numer. Anal. Semicond. Devices and Integr. Circuits. Dublin. 19 21 June. 1985. Dublin. 1985. P. 372 - 377.

477. Dunbar P.M., Hauser J.R. Efficiency of silicon solar cells as a function of base resistivity. // 11th IEEE Photovoltaic Specialists Conference. Scottsdale Ariz. 1975. Conf. Rec. New York. N.Y. 1975. P. 13 -18.

478. Hauser J.R., Dunbar P.M. Performance limitations of silicon solar cells. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1977. V. ED-24. N 4. P. 305 321.

479. Fossum J.G. Computer aided numerical analysis of silicon solar cells. // Solid State Electronics. 1976. V. 19. N 4. P. 269 - 277.

480. Chappel T.I. A study of the conversion efficiency limit of p+-i-n+ silicon solar cells in concentrated sunlight. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1980. V. ED-27. N 4. P. 760 -766.

481. Sutherland J.E., Hauser J.R. Computer analysis of heterojunction and graded bandgap solar cells. // 12th IEEE Photovoltaic Specialists Conference. 1976. Baton Rouge. La. Nov. 15-18. 1976. Conf. Rec. New York. N.Y. 1976. P. 939 944.

482. Hauser Jr. Numerical modeling of solar cells. // Kinam. 1982. V. 4. Ser. C. P. 165 198.

483. Rover D.T., Basore P.A., Thorson G.M. Solar cell modeling on personal computers. // 18th IEEE Photovoltaic Specialists Conference. Las Vegas. Nev. Oct. 21 25. 1985. Conf. Rec. New York. N.Y. 1985. P. 703 - 709.

484. Епифанов М.С., Ширилин А.В., Шленский В.Н. Численное исследование процесса переноса заряда в полупроводниковых фотопреобразователях. // Мат. моделир. 1990. Т. 2. № 3. С. 23 30.

485. Girardini К., Jacobsen S.E. Optimization and numerical models of silicon solar cells. // Solid State Electronics. 1991. V. 34. N 1. P. 69 77.

486. Богатов H.M., Громовой Л.И., ЗаксМ.Б., Лелюх Е.В. Численное решение одномерной краевой задачи переноса заряда в солнечных элементах. // Гелиотехника. 1982. N 1.С. 7-14.

487. Gajewski H., Groger. On the basic equations for carrier transport in semiconductors. // Jornal of Mathematical Analysis and Applications. 1986. V. 113. N 1. P. 12 35.

488. Akcasu O.E. Convergence properties of Newton's method for the solution of the semiconductor transport equations and hybrid solution techniques for multidimensional simulation of VLSI devices. // Solid State Electronics. 1984. V. 27. N 4. P. 319 328

489. Ватагин В.П., Миропольский М.С., Русаков С.Г. Повышение вычислительной эффективности математических моделей элементов интегральных схем. // Изв. высш. учебн. заведений. Радиоэлектроника. 1986. Т. 29. № 6. С. 38 44.

490. Мулярчик С.Г., Соловьев В.Г. Расчет токов в программах физико структурного моделирования. // Изв. высш. учебн. заведений. Радиоэлектроника. 1986. Т. 29. № 6. С. 90-91.

491. Мулярчик С.Г. , Соловьев В.Г. Комплекс программ двумерного моделирования твердотельных микроэлектронных структур. // Изв. высш. учебн. заведений. Радиоэлектроника. 1987. Т. 30. № 6. С. 36 42.

492. Мулярчик С.Г. Класс квазигуммелевских методов для задач моделирования полупроводниковых структур. // Изв. высш. учебн. заведений. Радиоэлектроника. 1988. Т. 31. №9. С. 19-24.

493. Мокшин А.Н., Обухов И.А., Румянцев С.В. Приближенное решение дрейфово -диффузионных уравнений переноса заряда в двумерной области. // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1988. В. 2(126). С. 24 27.

494. Мокшин А.Н., Обухов И.А., Перес-Фернандес В.К., Румянцев С.В. Приближенное решение уравнений переноса заряда в полупроводниковых структурах. // Микроэлектроника. (Москва). 1988. Т. 17. № 9. С. 225 230.

495. Ильин В.П., Куклина Г.Я. Об итерационном решении уравнений переноса заряда в полупроводниках. //Автометрия. 1990. № 1. С. 3 10.

496. Kreskovsky J.P. A hybrid central difference scheme for solid state device simulation. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1987. V. ED-34. N 5. P. 1128 - 1133.

497. Ringofer C., Schmeiser C. A modified Gummel method for the basic semiconductor device equations. // IEEE Transactions on computer aided design. 1988. V. 7. N 2. P. 251 -253.

498. Bank R.E., Coughran W.M., Jr, Driscoll M.A. et al. Iterative methods in semiconductor device simulation. //Comput. Phys. Commun. 1989. V. 53. N 1-3. P. 201 212.

499. Korman C.E., Mayergoyz I.D. A globally convergent algorithm for solution of the steady state semiconductor device equations. // J. Appl. Phys. 1990. V. 68. N 3. P. 1324 - 1334.

500. Польский B.C. Численное моделирование полупроводниковых приборов. Рига: Зинатне. 1986. 168 с.

501. Абрамов И.И., Харитонов В.В. Численное моделирование элементов интегральных схем. Мн.: Выш. шк. 1990. 224 с.

502. Петров Г.В. Расчет вольтамперных и переходных характеристик диодов Шоттки численными методами. // Ядерн. электроника. 1979. № 10. С. 61 64.

503. Ранг Т., Удал А. Численное моделирование мощных диодов Шоттки на ЭВМ. // Изв. высш. учебн. заведений. Радиоэлектроника. 1983. Т. 26. № 6. С. 92 93.

504. Вайтекунас Ф.К., Жалкаускас В.И., Казакявичене Г.П. Исследование двумерных математических моделей полевого транзистора с затвором Шоттки. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1986. В. 1(180). С. 89 96.

505. Авдеев Е.В., Миргородский Ю.Н. Анализ объемного пространственного заряда в подзатворной области МДП транзистора. // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1988. В. 2(126). С. 33 - 34.

506. Петросянц К.О., Пугачев А.А. Алгоритм и программа двумерного расчета напряжения пробоя переходов интегральных транзисторов. // Изв. высш. учебн. заведений. Радиоэлектроника. 1986. Т. 29. № 11. С. 27 31.

507. Bennett H.S., Lowney J.R. Physics for numerical simulation of silicon and gallium arsenide transistors. // Solid State Electronics. 1990. V. 33. N 6. P. 675 691.

508. Boumaour M., Van de Wiele F. Two dimensional analysis of the back region of I.B.C. silicon solar cells. // NASECODE III: Proc. 3rd Int. Conf. Numer. Anal. Semicond. Devices and Integr. Circuits. Galway. 15-17 June. 1983. Dublin. 1983. P. 96 101.

509. De Visschere P. Two dimensional collection and injection in grating solar cells. // Solar Cells. 1986. V. 17. N 2-3. P. 363 371.

510. Gray J.L., Schwartz R.J. Two dimensional computer simulation of single crystal silicon concentrator cells. // 17th IEEE Photovoltaic Specialists Conference. Kissimmee Fla. 21 -25 May. 1984. Conf. Rec. New York. N.Y. 1984. P. 1297 1302.

511. Chin D.J., Navon D.H. Two dimensional analysis of the interdigited back - contact solar cell. // Solid State Electronics. 1981. V. 24. N 2. P. 109 - 114.

512. Girisch P., Mertens R.P., Van Overstraeten R. MIS grating solar cells with noninverting antireflection coatings. // Solid State Electronics. 1985. V. 28. N 12. P. 1169 1179.

513. Третьков А.П. Солнечные элементы решетчатого типа: численный расчет эффективности. // Гелиотехника. 1988. № 6. С. 22 27.

514. Груданов Н.Б., Невзоров В.Б. Ускорение сходимости метода Ньютона при решении уравнения Пуассона. // Изв. высш. учебн. заведений. Радиоэлектроника. 1984. Т. 27. №6. С. 61 -64.

515. Волощенко Ю.И., Фролкин В.Т. Алгоритм определения начального распределения потенциала и носителей заряда в биполярных структурах. // Изв. высш. учебн. заведений. Радиоэлектроника. 1985. Т. 28. № 1. С. 69 70.

516. Keller W.W. Fast algoritm for iteratively solving the nonlinear static Poisson equation in semiconductors. //J. Appl. Phys. 1987. V. 61. N 11. P. 5189 5190.

517. Ouwerling G.J.L. Further improved algorithm for the solution of the nonlinear Poisson equation in semiconductor devices. //J. Appl. Phys. 1989. V. 66. N 12. P. 6144 6149.

518. Böer K.W. High field carrier transport in inhomogeneous semiconductors. // Annalen der Physik. 1985. Band 42. Heft 4-6. S. 371 - 393.

519. Гарматин A.B., Кальфа A.A. Моделирование переноса электронов в гетерострук-турах с селективным легированием. // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1986. В. 5(389). С. 46 51.

520. Vittone Е., Bosso S.S., Shamsi Т.А., Krebs К. et al. Two-dimensional Monte Carlo simulation of crystalline silicon solar cells. // 7th E.C. Photovolt. Solar. Energy Conf. Proc. Int. Conf. Sevilla. 1986. Dordrecht e.a. 1987. P. 1005 1009.

521. Гусаков Г.M., Капский A.C. Стохастическое моделирование кинетических процессов в полупроводниках и приборных структурах на их основе методом Монте -Карло. // Мат. моделир. физ. процессов в приборах микроэлектрон. М. 1989. С. 41 -50.

522. Бурцева М.Н. Весовой алгоритм решения системы нелинейных уравнений Больцмана для много долинного полупроводника. // Мат. моделир. 1992. Т. 4. № 1. С. 83 -97.

523. Ferry D.K., Grondin R.O. Transport in submicrometer devices. // VLSI Electron Microstruct. Sei. V. 9. Orlando e.a. 1985. P. 421 440.

524. Петров Г.В., Толстый А.И. Основные направления в моделировании субмикронных полевых транзисторов с затвором Шотки (обзор). // Изв. высш. учебн. заведений. Радиоэлектроника. 1986. Т. 29. № 10. С. 28 42.

525. Николаева В.А., Рыжий В.И., Четверушкин Б.Н. Численное моделирование неравновесных процессов в электронно дырочной плазме двойных гетероструктур. 1 Алгоритмы расчета. // Инженерно - физический журнал. 1986. Т. 51. № 3. С. 492 -501.

526. Манькин И.А., Ушерович Б.Л. О методе крупных частиц в электронике СВЧ. // Радиотехника и электроника. 1987. Т. 32. В. 6. С. 1289 1297.

527. Баннов H.A., Рыжий В.И., Хренов Г.Ю. Неравновесные электронные процессы в субмикронных транзисторах с проницаемой базой. // Микроэлектроника. (Москва). 1987. Т. 16. № 3. С. 220 225.

528. Рыжий В.И., Баннов H.A. Математическое моделирование субмикронных элементов интегральных схем: состояние и проблемы. // Микроэлектроника. (Москва).1987. Т. 16. №6. С. 484-496.

529. Николаева В.А., Рыжий В.И., Четверушкин Б.Н. Метод расчета двумерных полупроводниковых структур в квазигидродинамическом приближении. // ДАН СССР.1988. Т. 298. №6. С. 1367- 1371.

530. Гарбер Г.З. Двумерное нелокальное моделирование полевых транзисторов с затвором Шоттки на арсениде галлия. // Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1988. В. 3(1341). С. 1 36.

531. Вик Й. Метод частиц для кинетических уравнений полупроводников. // Автометрия 1992. №3. С. 13-19.

532. Dove М. Molecular dynamics simulations in the solid state sciences. // Phys. Prop, und Thermodyn. Behav. Miner. Proc. NATO Adv. Study Inst. Cambridge. July 27 Aug. 8. 1987. Dordrecht etc. 1988. P. 501 - 590.

533. Delaurens F., Mustieles F.J. A deterministic particle method for solving kinetic transport equations: The semiconductor Boltzman equation case. // SIAM J. Appl. Math. 1992. V. 52. N 4. P. 973 988.

534. Kishore R. Generalized equations for the steady state analysis of inhomogeneous semiconductor devices. // Solid State Electronics. 1990. V. 33. N 8. P. 1049 - 1054.

535. Wang C.T. A new set of semiconductor equations for computer simulation of submicron devices. // Solid State Electronics. 1985. V. 28. N 8. P. 783 788.

536. Szeto S., Reif R. A unified electrothermal hot carrier transport model for silicon bipolar transistor simulations. // Solid State Electronics. 1989. V. 32. N 4. P. 307 - 315.

537. Roumeliotis G., Cram L.E. A hydrodynamic description of electron flow in a strong electric field. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 1989. V. 22. N 1. P. 113 119.

538. Thoma R., Emunds A., Meinerzhagen В., Peifer H. et al. Hydrodynamic equations for semiconductors with nonparabolic band structure. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1991. V. 38. N6. P. 1343 1353.

539. Yalabik M.C., Neofotistos G., Diff K., Guo H. et al. Quantum mechanical simulation of charge transport in very small semiconductor strustures. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1989. V. 36. N 6. P. 1009 1014.

540. Snowden C.M. Semiconductor device modelling. // Rep. Prog. Phys. 1985. V. 48. N 2. P. 223 275.

541. Бубенников А.И., Садовников А.Д. Физико технологическое моделирование субмикронных элементов кремниевых ССБИС. Ч. I. // Зарубежная радиоэлектроника. 1987. №3. С. 3-21.

542. Бубенников А.И., Садовников А.Д. Физико технологическое моделирование субмикронных элементов кремниевых ССБИС. Ч. II. // Зарубежная радиоэлектроника. 1987. №4. С. 3-28.

543. Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов. / Под ред. Миллера Д. М.: Радио и связь. 1989. 280 с.

544. Васильев A.M., Ландсман А.П. Полупроводниковые фотопреобразователи. М.: Советское радио. 1971. 248 с.

545. Agarwal S.K., Jain S.K. Temperature effects in silicon solar cells. // Solid State Electronics. 1980. V. 23. N 11. P. 1021 1028.

546. Rajkanan K., Singh R., Shewchun J. Absorption coefficient of silicon for solar cells calculations. // Solid State Electronics. 1979. V. 22. N 9. P. 793 795.

547. Колтун M.M. Селективные оптические поверхности преобразователей солнечной энергии. М.: Наука. 1979. 215 с.

548. Раушенбах Г. Справочник по проектированию солнечных батарей. М.: Энерго-атомиздат. 1983. 360 с.

549. Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления. М.: Мир. 1980. 208 с.

550. Бонч- Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука. 1977. -672 с.

551. Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: МГУ. 1995. - 399 с.

552. Redfield D. Unified model of fundamental limitations on the performance of silicon solar cells. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1980. V. ED-27. N 4. P. 766 771.

553. Делимова Л.Д. Оже рекомбинация в кремнии при пониженных температурах. // ФТП. 1981. Т. 15. В. 7. С. 1349 - 1352.

554. Tewary V.K., Jain S.C. Surface boundary condition for solar cell diffusion equation. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1980. V. 13. N 5. P. 835 837.

555. Ledebo L.A. Light enhanced recombination of excess carrier at silicon surfaces. // Solid State Commun. 1984. V. 50. N 8. P. 795 - 792.

556. Hsieh Y.K., Card H.C. Limitation to Shockley Read - Hall model due to direct photoionization of the defect states. // J. Appl. Phys. 1989. V. 65. N 6. P. 2409 - 2415.

557. Абакумов B.H. Расчет вероятности захвата электрона на кулоновский центр при спонтанном излучении оптического фонона. // ФТП. 1979. Т. 13. В. 1. С. 59 64.

558. Акулиничев В.В., Ясиевич И.Н. Сечение захвата электронов на притягивающие центры в Ge и Si. // ФТП. 1980. Т. 14. В. 9. С. 1779 1782.

559. Абакумов В.Н., Меркулов И.А., Перель В.И., Ясиевич И.Н. К теории многофо-нонного захвата электрона на глубокий центр. // ЖЭТФ. 1986. Т. 89. В. 4(10). С. 1472- 1486.

560. Абакумов В.Н., Курносова О.В., Пахомов А.А., Ясиевич И.Н. Многофононная рекомбинация через глубоеие примесные центры. // ФТТ. 1988. Т. 30. В. 6. С. 1793 -1802.

561. Стыс Л.Е., Фойгель М.Г. Особенности донорно акцепторной рекомбинации в слабо легированных компенсированных полупроводниках. // ФТП. 1985. Т. 19. В. 2. С. 217 -223.

562. Стыс Л.Е., Фойгель М.Г. Кинетика донорно акцепторной рекомбинации в слабо легированных компенсированных полупроводниках. // ФТП. 1985. Т. 19. В. 2. С. 224 - 229.

563. Ворожцова Л.А., Гершензон Е.М., Гурвич Ю.А., Исмаилова Ф.М. и др. Рекомбинация свободных носителей в легированном кремнии с малой компенсацией. // ЖЭТФ. 1988. Т. 94. В. 2. С. 350 363.

564. Колковский И.И., Латышенко В.Ф., Лугаков П.Ф., Шуша В.В. Рекомбинация носителей заряда в термообработанном Si с различными типами ростовых микродефектов. // ФТП. 1992. Т. 26. В. 1. С. 176 180.

565. Khalfin V.B., Strikha M.V., Vassievich I.N. Auger recombination of electrons via deep and shallow acceptors. // Phys. Status Solidi. 1985. V. B132. N 1. P. 203 217.

566. Стриха M.B. Примесная Оже рекомбинация в кремнии. // ФТП. 1985. Т. 19. В. 6. С. 697 - 707.

567. Авраменко В.А., Рубо Ю.Г., Стриха М.В., Яссиевич И.Н. К вопросу о примесной Оже рекомбинации. // ФТТ. 1985. Т. 27. В. 8. С. 2313 - 2319.

568. Стриха М.В., Яссиевич И.Н. Оже рекомбинация через доноры. // ФТП. 1985. Т. 19. В. 9. С. 1715-1717.

569. Стриха М.В. Примесная Оже рекомбинация в кремнии: новый подход к вычислению интегралов перекрытия. // Докл. АН УССР. 1987. Т. А. № 8. С. 59 - 62.

570. Львов B.C., Стриха М.В., Третяк О.В., Шматов А.А. Межцентровые переходы носителей заряда в частично разупорядоченном кремнии: расчет. // ФТТ. 1989. Т. 31. В. 11. С. 197-205.

571. Baliga B.J., Adler M.S. Measurement of carrier lifetime profiles in diffused layers of semiconductors. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1978. V. 25. N 4. P. 472 477.

572. Mertens R.P., Van Overstraeten R., De Man H.J. Heavy doping effects in silicon. // Advances in electronics and electron physics. 1981. V. 55. P. 77 118.

573. Евдокимов В.М., Каган М.Б., Колтун М.М., Черкасский А.Х. Солнечные батареи. // Итоги науки и техн. Сер. Генераторы прямого преобразования тепловой и химической энергии в электрическую. Т. 3. М.: ВИНИТИ. 1977. 96 с.

574. Landsberg Р.Т., Konsik G.S. The connection between carrier lifetime and doping density in nondegenerate semiconductors. // J. Appl. Phys. 1984. V. 56. N 6. P. 1696 1700.

575. Mathur P.C., Sharma R.P., Saxena P., Arora J.D. Temperature dependence of minority carrier lifetime in a single crystal and polycrystalline Si solar cells. // J. Appl. Phys. 1981. V. 52. N5. P. 3651 - 3654.

576. Li S.S., Thurber W.R. The dopant density and temperature dependence of electron mobility and resistivity in n type silicon. // Solid State Electronics. 1977. V. 20. N 7. P. 609-611.

577. Li S.S. The dopant density and temperature dependence of hole mobility and resistivity in boron doped silicon. // Solid State Electronics. 1978. V. 21. N 9. P. 1109 1117.

578. Mahan G.D. Energy gap in Si and Ge: Impurity dependence. J. Appl. Phys. 1980. V. 51. N 5. P. 2634 2646.

579. Hall R.N. Silicon photovoltaic cells. // Solid State Electronics. 1981. V. 24. N 7. P. 595 -616.

580. Бонч-Бруевич B.JI. Вопросы электронной теории сильно легированных полупроводников. Физика твердого тела. М.: ВИНИТИ. 1965. 167 с.

581. Engstrom L. Band gap narrowing in n-Si, n-Ge; effects of non-linear impurity scattering. // Solid State Phys. 1983. V.18. N8. P. 1437 1449.

582. Fair R. The effect of strain induced band gap narrowing on high concentration phosphorus in silicon // J. Appl. Phys. 1979. V. 50. N 2. P. 860 868.

583. Абрамов И.И., Данилюк А.А., Никитин С.Ю. Сужение ширины запрещенной зоны в кремнии. И Докл. АНБССР. 1990. Т. 34. № 5. С. 414 417.

584. Jain S.C., Roulston D.J. A simple expression for band gap narrowing (BGN) in heavily doped Si, Ge, GaAs and GexSii-x strained layers. // Solid State Electronics. 1991. V. 34. N 5. P. 453 465.

585. Polsky B.S., Rimshans J.S. Calculation of effective band gap narrowing in heavily doped and compensated silicon. // Solid State Electronics. 1991. V. 34. N 6. P. 583 586.

586. Klaassen D.B.M., Slotboom J.W., de Graaff H.C. Unified apparent bandgap narrowing in n- and p- type silicon. // Solid State Electronics. 1992. V. 35. N 2. P. 125 129.

587. Bennet H.S., Wilson C.L. Statistical comparison of data on band gap narrowing in heavily doped silicon: electrical and optical measurements. // J. Appl. Phys. 1984. V. 55. N 10. P. 3582 3587.

588. Schmid P.E. Optical absorption in heavily doped silicon. // Phys. Rev. B. 1981. V. 23. N 10. P. 5531 5536.

589. Wagner J. Band gap narrowing in heavily doped silicon at 20 and 300K studied by photoluminescence. //Phys. Rev. B. 1985. V.32. N 2. P. 1323 1325.

590. Pantelides S. Recent advances in the theory of impurities and defects in semiconductors // Mater, and meth. mciroelectron. Technol. Proc. Int. Symp. Bad Nenenahr. Sept. 23-Oct. 1982. New York. London. 1984. P. 37 81.

591. Swirhun S.E., Kwark J.H., Swanson R.M. Measurement of electron lifetime, electron mobility and baud gap narrowing in heavily doped p-type silicon. // Int. Electron. Dev. Meet. Los Angeles. Calif. Dec.7-10.1986.Tech. Dig.N.Y.1986. P.24 27.

592. Blakers A., Green M., Keller E. Experimental bounds on band- gap narrowing set by high open circuit voltage silicon solar cells. // J. Appl. Phys. 1985. V. 57. N 2. P. 591 -599.

593. Borghesi A., Bottazzi P., Guizzetti G., Nosenzo L. et al. Fundamental optical properties of heavili- boron doped silicon. // Phys. Rev. B: Condens. Matter. 1987. V. 36. N 18. P. 9563 - 9568.

594. Wagner J., del Alamo J.A. Band-gap narrowing in heavily doped silicon: a comparison of optical and electrical data. //J. Appl. Phys. 1988. V. 63. N 2. P. 425 429.

595. Davis J.R., Rohatgi A. Theoretical design consideration for back surface field solar cells. // 14th IEEE Photovoltaic Specialists Conference. San Diego. Calif. 1980. Conf. Rec. New York. N. Y. 1980. P. 569 573.

596. Josic J.I., Ljapkin D.A., Jevtic M.M. Mobility of majority carriers in doped non compensated silicon. // Solid State Electronics. 1981. V. 24. N 6. P. 575 582.

597. Ljapkin D.A., Josic J.I., Jevtic M.M. Mobility of holes in p-type silicon determined by the selfconsisted method. // Solid State Electronics. 1984. V. 27. N 7. P. 667 673.

598. Derkel J.M., Letureq Ph. Carrier mobilities in silicon self-empirically related to temperature, doping levels and injection level // Solid State Electronics. 1981. V. 24. N 9. P. 821 -825.

599. Masetti G., Severi M., Solmi S. Modeling of carrier mobility against carrier concentration in arsenic-, phosphorus-, boron- doped silicon. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1982. V. 30. N7. P. 764-769.

600. Wang C.H., Misiakos K., Neugroschel A. Minority-hole diffusion length in heavily doped silicon. //Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. N 22. P. 2233 2234.

601. Altschul V., Finkman E. Simple approximation for Fermi energy in nonparabolic semiconductors. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. N 9. P. 942 944.

602. Lansberg P.J., Cheng H.C. Activity coefficient and Einstein relation for different densities of states in semiconductors. // Phys. Rev. B. 1985. V. 32. N 12. P. 8021-8026.

603. Nilson H.J. Empirical approximation applied to the generalized Einstein relation for degenerate semiconductors. // Phys. Status Solidi. (a). 1978. V. 50. N 1. P. 43 45.

604. Duta M.J., Silard A.P. Effective intrinsic concentration nie in degenerately doped silicon. //J. Appl. Phys. 1987. V. 62. N 9. P. 3813 3815.

605. Dhariwal S.R., Ojha V.N., Srivastava G.P. Statistics of electrons and holes in heavily doped n- silicon. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1987. V. 34. N 8. P. 1795 1801.

606. Sharma S.K. Effect on energy band distortions on Dl\i in heavily doped n- type silicon. II IEEE Trans. Electron. Devices. 1989. V. 36. N 4. P. 768 770.

607. Silard A.P., Duta M.J. Investigation of the majority carriers diffusion coefficients behavioural pattern in degenerately- doped silicon. // Int. J. Electron. 1987. V. 63. N 5. P. 723 731.

608. Godlewski M.P., Baraona C.R., Brandhorst H.W. Low-high junction theory applied to solar cells. // Solar Cells. 1990. V. 29. N 2-3. P. 131 150.

609. Singh S.N., Sharma S.K., Singh P.K., Das B.K. A model of front-illuminated n+-p-p+ high- efficiency silicon solar cell. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1992. V. 39. N 2. P. 362 369.

610. Васильев A.M., Евдокимов B.M., Миловаиов А.Ф. Последовательное сопротивление прозрачного фотоэлемента. // Гелиотехника. 1973. № 4. С. 5 -16.

611. De Vos A. The distributed series resistence problem in solar cells. // Solar Cells. 1984. N 12. P. 311 327.

612. Саченко A.B., Шкребтий А.И. Механизмы собирания фототока в солнечных элементах с контактной сеткой. //Укр. физ. журн. 1984. Т. 29. № 12. С. 1855 1859.

613. Саченко А.В., Шкребтий А.И., Паничевская Т.В. Теоретическая модель солнечного элемента с контактной сеткой. // Оптоэлектроника и полупроводн. техн. (Киев) 1991. №21. С. 67-70.

614. Бабушка И., Витасек Э., Прагер М. Численные процессы решения дифференциальных уравнений. М.: Мир. 1969. 368 с.

615. Холл Дж., Уатт Дж. Современные численные методы решения обыкновенных дифференциальных уравнений. М.: Мир. 1979. 312 с.

616. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. М.: Наука. 1974.- 831 с.

617. Годунов С.К., Рябенький B.C. Разностные схемы. М.: Наука. 1977. 439 с.

618. Шоу Д. Атомная диффузия в полупроводниках. М.: Мир. 1975. 684 с.

619. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия. 1988. 574 с.

620. Богатов Н.М., Закс М.Б. Об изменении квазиуровней Ферми в п+-р-р+- преобразователе солнечной энергии. // Гелиотехника. 1985. № 2. С. 72 73.

621. Fortin A., Munoglu S. High level boundary conditions in the space-charge region of a pn junction. // Solid State Electronics. 1986. V. 29. N 10. P. 1107 1108.

622. Pimpale A., Landsberg P.T. Extrema of majority carrier quasi Fermi levels in p-n junction solar cells. // 4th E.C. Photovolt. Solar. Energy Conf. Proc. Int. Conf. Dordrecht e.a. 1982. P. 485-487.

623. Misiakos K., Lindholm F.A. Minority-carrier accumulation at the base edge of a junction space-charge region under short-circuit conditions. // Solid State Electronics. 1987. V. 30. N7. P. 755-758.

624. Балмут И.И., Дашевский 3.M., Касиян А.И. Распределение потенциалов в полупроводниковой структуре с р-n переходом при наличии градиента температуры. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 8. С. 1541 1544.

625. Богатов Н.М., Закс М.Б., Лелюх Е.В. Влияние встроенных электрических полей на выходные характеристики фотоэлектрических преобразователей. // Оптоэлектро-ника и полупроводниковая техника. (Киев) 1984. N 6. С. 20 24.

626. Fossum J.G., Lindholm F.A., Shibib М.А. The importance of surface recombination and energy-banding narrowing in p-n junction silicon solar cells. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1979. V. ED-26. N 9. P. 1294 1298.

627. Shibib M.A., Lindholm F.A., Fossum J.G. Auge recombination in heavily doped shallow-emitter silicon p-n junction solar cells, diodes, and transistors. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1979. V. ED-26. N 7. P. 1104 1106.

628. Sukulal K., Bhat K.N. Role of lifetime and energy-bandgap narrowing in diffused-junction silicon solar cells. // IEE Proceeding. 1987. V. 134. N 4. P. 249 258.

629. Morales-Acevedo A. An improved simple procedure for calculating the open-circuit voltage of passivated emitter silicon solar cells. // Sol. Cells. 1987. V. 22. N 4. P. 319 -321.

630. Mohammad S.N., Abidi S.T.H. Theory of saturation photocurrent and photovoltage in p-n junction silicon solar cells. // J. Appl. Phys. 1987. V.61. N 10. P. 4909 4919.

631. Green M.A., Blakers A.W., Gauja E. Willison M.R. et al. Towards a 700 mV silicon solar cells. // 16th IEEE Photovoltaic Specialists Conference. San Diego. Calif. 1982. Conf. Rec. New York. N. Y. 1982. P. 1219 1222.

632. Green M.A., Blakers A.W. Towards very high efficiency silicon cells. II Sunworld. 1983. V. 7. N1.P.9.

633. Sinha A., Chattopadhyaya S.K. Effect of back surface field on photocurent in a semiconductor junction. // Solid State Electronics. 1978. V. 21. N 7. P. 943 951.

634. Евдокимов B.M., Лисовский Ю.Л. Исследование еффективности встроенного электрического поля в легированном слое фотопреобразователя. // Гелиотехника. 1984. № 3. С. 3 7.

635. Morales-Acevedo A. Theoretical study of thin and thick emitter silicon solar cells. // J. Appl. Phys. 1991. V. 70. N 6. P. 3345 3347.

636. San C.T., Yamakawa K.A., Lutwack R. Effect of thickeness on silicon solar cell efficiency. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1982. V. 29. N 5. P. 903 908.

637. Евдокимов B.M., Лисовский Ю.Л. Исследование фотоэлементов с однородным встроенным полем в базе и концентрационной зависимостью подвижности и времени жизни. // Гелиотехника. 1976. № 6. С. 3 10.

638. Евдокимов В.М., Лисовский Ю.Л. Оптимизация экспоненциального распределения легирующей примеси в базе фотопреобразователя. // Гелиотехника. 1978. № 4. С. 23 29.

639. Аношин Ю.А., Бордина Н.М., Зайцева А.К. Зависимость фоточувствительности фотопреобразователя с п+-р-р+ -структурой при освещении со стороны изотопного перехода от параметров р+-слоя. // Гелиотехника. 1983. № 1. С. 15 19.

640. Богатов Н.М., Закс М.Б. Анализ влияния уровня легирования базы на характеристики п+-р-р+- кремниевых преобразователей солнечной энергии. // Гелиотехника. 1985. № 5. С.7 10.

641. Green М.А., Wenham S.R. High efficiency silicon solar cells, present status. // Optoelectron. Devices and Technol. 1990. V. 5. N 2. P. 135 142.

642. Маршак A.X., Ван Флит K.M. Концентрация носителей и токи в вырожденных полупроводниках с неоднородной зонной структурой. // Труды института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике. 1984. Т. 72. № 2. С. 5 24.

643. Wolf М. The influence of heavily doped effects on Si solar cells performance. // Solar Cells. 1986. V. 17. N 1. P. 53 63.

644. Богатов Н.М. Анализ влияния легирующих примесей на эффективность солнечных элементов из монокристаллического кремния. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1991. В. 6(260). С. 48 53.

645. Богатов Н.М., Жорин В.В. Теоретический анализ влияния эффектов сильного легирования в эмиттере на эффективность кремниевых солнечных элементов. // Деп ВИНИТИ N 448- В 92. 1992. 12 с.

646. Александров О.В., Кютт В.Н., Алкснис Т.Г. Деформация решетки в слоях кремния, высоколегированных фосфором. // ФТТ. 1980. Т. 22. № 10. С. 2892 2896.

647. Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы: Теория и эксперимент. М.: Энерго-атомиздат. 1987. 280 с.

648. Евстропов В.В., Киселев К.В., Петрович И.Л., Царенков Б.В. Скорость рекомбинации через многоуровневый ( многозарядный) центр. // ФТП. 1984. Т. 18. В. 5. С. 902-912.

649. Евстропов В.В., Киселев К.В., Петрович И.Л., Царенков Б.В. Ток, обусловленный рекомбинацией через многоуровневый центр в слое объемного заряда n-р структуры.//ФТП. 1984. Т. 18. В. 10. С. 1852- 1858.

650. Leiderman A. Yu. On the generation-recombination currents in p-n junctions semiconductors with continuous gap-state spectrum. // Phys. Status Solidi. (a). 1985. V. 87. N 1. P. 363 372.

651. Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно рекомбинационные процессы в неупорядоченных полупроводниках. // Частицы. Волны. Вещество. Ульян, политехи, ин-т. Ульяновск. 1993. С. 88 - 98.

652. Шик А.Я. Теория р-n перехода с интенсивной генерацией-рекомбинацией носителей. // ФТП. 1982. Т. 16. В. 2. С. 320 323.

653. Асрян JI.B., Половко Ю.А., Шик А.Я. Разделение и рекомбинация неравновесных носителей в области пространственного заряда р-n перехода. // ФТП. 1987. Т. 21. В. 5. С. 880- 885.

654. Асрян JI.B., Шик А.Я. Обратный ток и фототок р-n перехода с высокой концентрацией рекомбинационных центров. // ФТП. 1988. Т. 22. В. 4. С. 613 617.

655. Cerofolini G.F., Polignano M.L. Generation-recombination phenomena in almost ideal silicon р-n junction. //J. Appl. Phys. 1988. V. 64. N 11. P. 6349 6356.

656. Богатов H.M. Анализ влияния рекомбинации в области пространственного заряда на вольт-амперную характеристику кремниевых солнечных элементов. // Гелиотехника. 1990. №6. С. 49- 53.

657. Константинов О.В., Мезрин О.А. Рекомбинация через глубокие уровни в гете-ро-р-n переходах. // ФТП. 1985. Т. 19. В. 12. С. 2154 2162.

658. Davis J.R., Jr., Rohatgi A., Hopkins R. H. et al. Impurities in silicon solar cells. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1980. V. ED-27. N 4. P. 677 687.

659. Завилопуло A.H., Жуков A.M., Снегурский A.B. Исследование электрофизических свойств солнечных элементов в присутствии атомов металлов. // Письма в ЖТФ. 1991. Т. 17. № 12. С. 83 86.

660. Miyazaki М., Sano М., Sumita S. Influence of metal impurities on leakege current of Si N+-P diode. // Jap. J. Appl. Phys. Pt2. 1991. V. 30. N 2B. P. L293 L297.

661. Рюхтин B.B., Товстюк К.Д., Петришин A.M. Распределение дислокаций в кремниевой подложке под воздействием высокотемпературных обработок. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1984. № 5. С. 52 55.

662. Захаров А.Г., Дудко В.Г., Набоков Г.М., Сеченов Д.А. Влияние глубоких дислокационных уровней в кремнии на свойства р-n переходов. // Изв. высш. учебн. заведений. Физика. 1988. Т. 31. № 1. С. 81 84.

663. Федосеев В.Б. Плотность краевых дислокаций в приповерхностном слое. // Поверхность. Физ., химия, мех. 1990. № 7. С. 114 118.

664. Gill А.А., Baber N., Igbal M.Z. Role of the mid-gap level as the dominant recombination center in platinum-doped silicon. // J. Appl. Phys. 1990. V. 67. N 2. P. ИЗО 1132.

665. Kapoor A., Mathur P.C., Kothari L.S. Effect of steady electric field on the lifetime of minority carriers in p-n junction solar cells. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1983. V. 16. N 12. P. 2559 2563.

666. Рзаев С.Г. Влияние электрического поля на сечение захвата и высоту потенциального барьера ловушек. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1990. В. 6(209). С. 34 37.

667. Рзаев С.Г., Аждаров Г.Х. Электрическая активность примесных скоплений в ОПЗ р-n переходов. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1991. В. 7(261). С. 34 -36.

668. Dhariwal S.R., Sharma R.C. Field-assisted recombination in silicon solar cells with heavily doped base: a loss mechanism for the open-circuit voltage. // Semicjnd. Sci. and Technol. 1992. V. 7. N 3. P. 315 319.

669. Аношин Ю.А., Петров А.И., Рожков B.A., Шалимова М.Б. Просветляющие и пассивирующие свойства пленок оксидов и фторидов редкоземельных элементов. // ЖТФ. 1994. Т. 64. № 10. С. 118 123.

670. Петров А.И., Рожков В.А. Рекомбинационные свойства кремния, пассивированного пленками оксидов редкоземельных элементов. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. В. 7. С. 16-21.

671. Эпштейн Э.М., Шмелев Г.М., Цуркан Г.И. Фотостимулированные процессы в полупроводниках. Кишинев: Штинца. 1987. 168 с.

672. Богатов Н.М., Трофименко А.Н. Моделирование сверхтонких кремниевых преобразователей при высокой концентрации солнечного излучения. // Гелиотехника. 1988. №. 2. С. 5-9.

673. Богатов Н.М. Трофименко А.Н. Образование фотостимулированного потенциала барьера в высокоомных фотоэлектрических преобразователях. // Гелиотехника. 1988. №. 5. С. 12- 14.

674. Богатов Н.М. Трофименко А.Н. Влияние уровня легирования сверхтонких кремниевых солнечных элементов на образование фотостимулированного потенциального барьера. // Гелиотехника. 1988. №. 6. С. 6 8.

675. Богатов Н.М. Изменение электрического поля в n-i-p фотопреобразователях при высокой интенсивности освещения. //Деп ВИНИТИ N 1766-В 93. 1993. 13с.

676. Кельнер С.Р., Руденко А.И. Фотоинжекционная характеристика полупроводника. // ФТП. 1976. Т. 10. В. 9. С. 1634-1642.

677. Реклайтис А., Юнявичюс Д. Неустойчивость фотовозбужденных носителей в субмикронной структуре p+-i-n+. // Литовский физический сборник. 1986. Т. XXVI. № 5. С. 576- 581.

678. Лидоренко Н. С., Громовой Л. И. , Евдокимов В. М. , Богатов Н. М. , Лелюх Е. В. N-образность вольт-амперной характеристики солнечного элемента при высоком уровне инжекции. // Письма в ЖТФ. 1982. Т. 8. В. 2. С. 112 114.

679. Бутусов Д.М., Гоцадзе Г.Г., Рыбкин Б.С. Эффективная модуляция излучения и N-образная ВАХ для фототока при электропоглощении света в двойной p-i-n гете-роструктуре. //ФТП. 1989. Т. 23. В. 9. С. 1601 1605.

680. Абрамов А.А. Вольтамперные характеристики p-i-n диода при сверхвысоких уровнях инжекции.//ФТП. 1983. Т. 17. №11. С. 1957 1962.

681. Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Процессы самоорганизации и си-нергетический объемный фотоэффект в полупроводниках. // Докл. АН УзССР. 1987. № 3. С. 26 29.

682. Karageorgy-Alkalaev P.M., Leiderman A. Yu. The synergetic phenomena in photoexcited semiconductors. //Phys. Status Solidi (a). 1987. V. 100. N 1. P. 221 231.

683. Рожков B.A. Накопление заряда в кремниевых МДП структурах с диэлектриком из оксида диспрозия при воздействии УФ - излучения. // Изв. ВУЗов. Физика. 1994. №7. С. 99- 104.

684. Конуэл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. М.: Мир. 1970. 338 с.

685. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука. 1972. 416 с.

686. Пожела Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М.: Наука. 1977. 368 с.

687. Басс Ф.Г., Бочков B.C., Гуревич Ю.Г. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках. М.: Наука. 1984. 288 с.

688. Шёль Э. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами. М.: Мир. 1991. -464 с.

689. Басс Ф.Г., Гуревич Ю.Г. Горячие электроны и сильные электромагнитные волны в плазме полупроводников и газового разряда. М. : Наука. 1975. 399 с.

690. Владимиров В.В., Волков А.Ф., Мелихов Е.З. Плазма полупроводников. М.: Ато-миздат. 1979.

691. Белецкий H.H., Булгаков A.A., Ханкина С.И., Яковенко В.М. Плазменные неустойчивости и нелинейные явления в полупроводниках. Киев: Наукова думка. 1984,- 192 с.

692. Барыбин A.A. Волны в тонкопленочных полупроводниковых структурах с горячими электронами. М.: Наука. 1986. -288 с.

693. Басс Ф.Г., Булгаков A.A., Тетервов А.П. Высокочастотные свойства полупроводников со свершрешетками. М.: Наука. 1989. -288 с.

694. Барыбин A.A., Вендик И.Б., Вендик О.Г., Калиникос Б.А. Перспективы интегральной электроники СВЧ. // Микроэлектроника. 1979. Т. 8. В. 1. С. 3 19.

695. Вендик О.Г. Поиск новых физических явлений в твердом теле для использования в электронике СВЧ. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1980. Т. 23. № 10. С. 4 11.

696. Барыбин A.A., Пригоровский В.М. Волны в тонких слоях полупроводников с отрицательной дифференциальной проводимостью. // Изв. вузов. Физика. 1981. В. 8. С. 28-41.

697. Любченко В.Е., Макеева Г.С., Нефедов Е.И. Активные устройства СВЧ-диапазона с распределенными параметрами. // Радиотехника и электроника. 1982. Т. 27. В. 9. С. 1665 1682.

698. Муравский Б.С., Черный В.Н., Яманов И.Л., Потапов А.Н. и др. Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с туннельно-прозрачным окислом. // Микроэлектроника. 1989. Т. 18. В. 4. С. 304 309.

699. Жужа М.А., Ильченко Г.П., Муравский Б.С., Черный В.Н. и др. Неравновесная динамическая проводимость транзисторных структур металлтуннельнопрозрачный окисел-полупроводник в СВЧ поле. // Микроэлектроника. 1995. Т. 24. В. 4. С. 270-274.

700. Прохоров Э.Д., Белецкий Н.И. Полупроводниковые материалы для приборов с междолинным переносом электронов. Харьков: Вища школа. 1982. 135 с,

701. Левинштейн М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С. Эффект Ганна. М.: Сов. радио. 1975. -288 с.

702. Peinke J., Parisi J., Rohricht В., Mayer K.M. et al. Classification of current instabilities during low-temperature breakdown in germanium. // Appl. Phys. A. 1989. V. 48. N 2. P. 155 160.

703. Gaa V., Kunz R.E., Schol E. Dynamics of nascent current filaments in low-temperature impurity breakdown. // Phys. Rev. B. 1996. V. 53. N 23. P. 15971 15980.

704. Чайка Г.Е., Вавилов C.E., Панфилов С.В. Неустойчивость сильно легированного полупроводника в условиях джоулева разогрева. // ФТП. 1991. Т. 25. В. 2. С. 336 -338.

705. Палко Э.В., Тарасова А.А., Шулейкин А.Ф., Юферев B.C. Высокотемпературная стадия теплового пробоя полупроводников. // ЖТФ. 1991. Т. 61. В. 6. С. 76 82.

706. Symanczyk R., Pieper Е., Jager D. Optical study of current filaments in PIN diodes. // Phys. Lett. A. 1990. V. 143. N6-7. P. 337 341.

707. Вейнгер А.И. N-образность BAX кремниевых p-n переходов в сильных СВЧ полях. //ФТП. 1988. Т. 22. В. 11. С. 1972- 1978.

708. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Коротин Б.Н., Орлов В.Е. Влияние греющего СВЧ-поля на вид вольт-амперной характеристики туннельного диода. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 7. С. 81-85.

709. Орешкин П.Т. Релаксация заряда и неустойчивость в барьерных слоях. // Изв. вузов. Физика. 1981. № 6. С. 20 -23.

710. Яковенко В.М. Рекомбинационно-инжекционная неустойчивость электрических колебаний на р-n переходе. // Докл. АН УССР. 1991. № 7. С. 75-78.

711. Абакумов В.Н., Пахомов А.А., Ясиевич И.Н. Разогрев локальных колебаний при безызлучательной рекомбинации и рекомбинационно-стимулированные явления в полупроводниках. (Обзор) // ФТП. 1991. Т. 25. В. 9. С. 1489 1516.

712. Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. О природе отрицательного дифференциального сопротивления в полупроводниках с рекомбинационностимулированными привращениями метастабильных примесных центров. // Узб. физ. ж. 1991. №3. С. 25-28.

713. Hess К. Ballistic electron transport in semiconductors. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1981. V. ED-28. N 8. P. 937 940.

714. Сагинов Л.Д., Скоков Ю.В., Федирко B.A. Преобразование энергии в микроволновые колебания плазмы полупроводниковых структур с баллистическим переносом. //ДАН СССР. 1986. Т. 291. № 1. С. 100 103.

715. Вагидов Н.З., Грибников З.С., Коршак А.Н. Осцилляции баллистического тока дарок через одноосно-сжатые полупроводниковые слои. // ФТП. 1997. Т. 31. № 2. С. 191 -203.

716. Алгазинов Э.К., Аверина Л.И., Бобрешов A.M. Изменение шумов в усилителе на полевом транзисторе в нелинейном режиме. // Радиотехника и электроника. 1996. Т. 41. С. 1386- 1389.

717. Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Процессы фотоэлектрического преобразования энергии в р-n фотоэлементах на основе активных полупроводниковых сред. //Докл. АНУзССР. 1990. № 3. С. 22 25.

718. Okisu N., Kobayashi T. Far-infra-red emission from two-dimensional plasmon in AlGaAs/GaAs heterostructure. //Electron. Lett. 1986. V.22. N16. P. 877 878.

719. Евдокимов B.M. Температура горячих электронов в сильно освещенных варизон-ных полупроводниках-фотопреобразователях. // Гелиотехника. 1983. № 3. С. 12 -15.

720. Васильев A.M., Васильев K.M. КПД использования энергии фотонов в варизонных структурах. // Гелиотехника. 1985. № 6. С. 14 17.

721. Юрченко В.Б. Солнечные элементы с горячими носителями заряда. // Гелиотехника. 1985. № 1.С. 22-25.

722. Гуревич Ю.Г., Юрченко В.Б. Фотовольтаический эффект на горячих носителях тока. // Болг. физ. ж. 1987. Т. 14. № 1. С. 52 58.

723. Гуревич Ю.Г., Юрченко В.Б. Проблема формирования Э.Д.С. в полупроводниках и вывода ее во внешнюю цепь. // ФТП. 1991. Т. 25. В. 12. С. 2109 2114.

724. Yater J.С. Physical basis of power conversion of energy fluctuations of hot electrons. // Solar Cells. 1983. V. 10. N 3. P. 237 255.

725. Андреев B.M., Грилихес B.A., Румянцев В.Д. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения. JL: Наука. 1989. 310 с.

726. Сабельников С.А. Неустойчивость электронно-дырочной плазмы в варизонных полупроводниках. //Деп. ВИНИТИ. 1989. № 4366-В89. С. 2-5.

727. Богатов Н.М. Колебания электронно-дырочной плазмы в освещенных полупроводниках с переменной шириной запрещённой зоны. II Деп ВИНИТИ. 1993. № 1448-В 93. 14 с.

728. Bogatov N. Oscillation of electron-hole plasma in parabolic-band-gap semiconductors. // Proceedings of 1993 International Semiconductor Device Research Symposium. Dec. 13. 1993. ISBN № 1-880920-02-6. P.225-227.

729. Богатов Н.М. Возбуждение колебаний термолизованной электронно-дырочной плазмы модулированным излучением. // Труды международ-ной конф. "Оптика полупроводников". Ульяновск 22-26 июня 1998. Ульяновск. УлГУ. 1998. С. 114 -115.

730. Жиляев Ю.В., Попов И.В., Челноков В.Е. Физические основы создания силовых высоковольтных быстродеяствующих приборов с р-n переходами на новых полупроводниковых материалах. // Силовые полупроводниковые приборы. Таллин: Валгус. 1986. С. 199-203.

731. Арджанов A.C., Пишко О.М., Слуцкий A.A., Стояновский В.Я. Высокотемпературные быстродействующие малогабаритные диоды на основе арсенида галлия. // Электротехника. 1989. № 3. С. 72 74.

732. Арджанов A.C., Богатов Н.М., Слуцкий A.A. Анализ влияния температуры на вольт-амперную характеристику силовых диодов из арсенида галлия при большой плотности тока. // Радиотехника и электроника. 1993. Т. 38. N 4. С. 754 759.

733. Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной ин-жекции в полупроводниках. М.: Сов. радио. 1978. 320 с.

734. Румянцев С.Л. Динамика включения Si и GaAs p-i-n диодов. // ФТП. 1992. Т. 26. № 11. С. 1955- 1961.

735. Кюрегян A.C. Влияние крупномасштабных флуктуаций распределиния примесей на туннелирование и электропоглощение в обратно смещенных р-п переходах. // ФТП. 1990. Т. 24. № 7. С. 1162 1168.

736. Thuselt F., Unger К. High carrier densities and gap shrinkage in p-i-n-type structures. // Phys. Status Solidi. (a). 1984. V. 84. N 2. P. 677 691.

737. Корольков В.И., Коничева И.М., Юферев B.C., Яковенко A.A. Прямая ветвь вольтамперной характеристики высоковольтных диодов на основе прямых широкозонных материалов. // ФТП. 1978. Т. 12. В 6. С. 1149 1152.

738. Делимова Л.А., Жиляев Ю.В., Кочаровский В.Ю., Левинштейн М.Е. и др. Вольт-амперная характеристика силовых арсенидгаллиевых диодов при большой плотности тока. // Препринт № 1125. Л.: ФТИ АН СССР. 1987. 14с.

739. Herlet F., Raithel R. The formward chracterictic of silicon power rectifiers at high current densities. // Solid State Electron. 1968. V. 11. N. 8. P. 717 742.

740. Goradia С., Challa- Goradia M., Curtis H. Near-optimum design of GaAs-based concentrator space solar cells for 80 °C operation. // 17th IEEE Photovoltaic Specialists

741. Conference. Kissimmee. Fla. 21-25 May 1984. Conf. Rec. New York. N.Y. 1984. P. 56 -62.

742. Hamaker H.C. Computer modelling study of the effects of inhomogeneous doping and/or composition in GaAs solar-cell devices. // J. Appl. Phys. 1985. V. 58. N 6. P. 2344 2351.

743. Алферов Ж.И., Ашкинази Г.А., Корольков В.И., Падьюс A.J1. и др. Модуляция проводимости слаболегированной N-области P+-N-N+ структур. // ФТП. 1978. Т. 12. №7. С. 1336- 1341.

744. Ашкинази Г.А., Киви У.М., Тимофеев В.Н. Эффективное время жизни ННЗ в слаболегированной N-области арсенид-галлиевых P+-N-N+ структур. // ФТП. 1981. Т. 15. В 4. С. 718 723.

745. Варшни И.П. Собственная излучательная рекомбинация в полупроводниках. // Из-лучательная рекомбинация в полупроводниках. М.: Наука, 1972. С. 9 124.

746. Оглобин И.О. Эффективное время жизни носителей заряда в p-i-n структуре. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1984. В. 6(172). С. 49 -63.

747. Айтуганов О.Г. Пространственно-симметричные граничные условия для p-i-n диодов при малых плотностях тока. // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ.1989. В. 9(423). С. 18-21.

748. Кейси X., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. Т. 1. М.: Мир. 1981. -300 с.

749. Bennet H.S., Lowney J.R. Models for heavy doping effects in gallium arsenide. // J. Appl. Phys. 1987. V. 62. № 2. P. 521 527.

750. Lax В., Neustadter S.T. Transient response of a p-n junction. // J. Appl. Phys. 1954. V. 25. N9. P. 1148 1154.

751. Алферов Ж.И., Андреев В.M.,Корольков В.И. и др. P-N-P-N-структуры на основе GaAs и твердых растворов AlxGaix As. //ФТП. 1970. Т. 4. В 3. С. 578 581.

752. Вайнштейн С.Н., Жиляев Ю.В., Левинштейн М.Е. Сравнительное исследование процесса включения арсенидгаллиевых и кремниевых тиристоров. // ЖТФ. 1986. Т. 56. В 7. С. 1343 1347.

753. Свирин А.В. Механизмы ограничения переключаемой мощности в запираемых тиристорах. // Электротехника. 1990. № 4. С. 56-61.

754. Кузьмин В.А., Кюрегян A.C., Мнацаканов Т.Т., Поморцева Л.И. Ограничения параметров мощных полупроводниковых приборов, обусловленных влиянием фундаментальных физических эффектов. // Радиотехника и электроника. 1989. Т. 36. В. 3. С. 609-617.

755. Биленко Ю.Д., Левинштейн М.Е., Попова М.В., Юферев B.C. Исследование процесса переключения обратно смещенного р-п-перехода в высокопроводящее состояние с помощью моделирования на ЭВМ. // ФТП. 1983. Т. 17. В. 10. С. 1812 -1817.

756. Кузьмин В.А., Тандоев А.Г., Юрков С.Н. Расчет параметров статической вольт-амперной характеристики тиристора в непроводящем состоянии. // Электротехника. 1988. № U.C. 41 -45.

757. Крючков C.B., Обухов И.А., Румянцев C.B. Математическое моделирование полупроводниковых структур с S-образными ВАХ. // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1989. Вып. 5(134). С. 25 28.

758. Рабкин П.Б. Математическая модель и исследование процесса выключения р-п-р-п структур в комбинированном режиме. // Радиотехника и электроника. 1989. Т. 34.1. B. 7. С. 1448 1452.

759. Линийчук И.А., Свирин A.B. Вольт-амперная характеристика ненасыщенных р-п-р-п структур. // Радиотехника и электроника. 1989. Т. 34. В. U.C. 2393 2400.

760. Дерменжи П.Г., Евсеев Ю.А. О процессах, протекающих в невключенной области р-п-р-п структуры большой площади в период нарастания анодного тока. // ФТП. 1969. Т. З.В. 10. С. 1452- 1457.

761. Горбатют A.B., Родин П.Б. Механизм пространственно-периодического расслоения тока в тиристоре. // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. № 13. С. 89 93.

762. Гаряинов С.А., Гаряинов A.C., Плешко Б.К. Обобщенная модель р-п-р-п-структуры. //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1987. Вып. 4 (124).1. C. 57 67.

763. Гаряинов С.А., Гаряинов A.C., Плешко Б.К. Явление "заплывания" в р+-п- и п+-р-переходах и его влияние на характеристики полупрододниковых приборов и элементов интегральных схем. // Радиотехника и электрониеа. 1990. Т. 35. № 1. С. 166- 174.

764. Кюрегян A.C., Юрков С.Н. Напряжение лавинного пробоя р-п-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре. // ФТП. 1989. Т. 23. В. 10. С. 1819- 1827.

765. Дацко Б.И. Численное моделирование явления нестабильности микроплазмы. // ФТП. 1997. Т. 31. В. 2. С. 186 190.

766. Арджанов A.C., Богатов Н.М., Слуцкий A.A. Анализ вольт-амперной характе-ристки P+-N-P-N+ арсенидгаллиевых структур в закрытом состоянии. // Радиотехника и электроника. 1992. Т. 37. № 5. С. 925 933.

767. Григоренко В.П., Дерминжи П.Г., Кузьмин В.А., Мнацаканов Т.Т. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергоатомиздат. 1988. 280 с.

768. Грехов И.В., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой р-п-перехода в полупроводниках. Л.: Энергия. 1980,- 152 с.

769. Бурцев Э.Ф., Грехов И.В., Крюкова H.H., Сергеев В.Г. Исследование процесса включения р-п-р-п-структуры с помощью регистрации рекомбинационного излучения.//ФТП. 1969. Т. 3. В. U.C. 1638 1645.

770. Бурцев Э.Ф., Грехов И.В., Крюкова H.H., Сергеев В.Г. Исследование процесса включения р-п-р-п-структуры с помощью регистрации рекомбинационного излучения.//ФТП. 1969. Т. 3. В. U. C. 1638 1645.

771. Левинштейн М.Е., Силин Г.С. К теории распространения включенного состояния в тиристоре. // ФТП. 1978. Т. 12. В. 11. С. 2160 2167.

772. Кузьмин В.А., Юрков С.Н., Тандоев А.Г. Влияние неодномерности структуры тиристоров на напряжение переключения. // Радиотехника и электроника. 1990. Т. 35. № U.C. 2389- 2396.

773. Ван Бюрен. Дефекты в кристаллах. М.: ИЛ, 1962. 584 с.

774. Родес Р.Г. Несовершенства и активные центры в полупроводниках. М.: Металлургия. 1968. 371 с.

775. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир. 1974. 464 с.

776. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия. 1984. 256 с.

777. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М.: Металлургия. 1985. 160 с.

778. Харбеке Г. Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применения. М.: Мир. 1989. 344 с.

779. Кондратьева Л.А., Лозовский В.Н., Ластушкина О.В., Масенко Б.П. и др. Использование отходов полупроводникового кремния в производстве наземных ФЭП. // Гелиотехника. 1990. № 2. С. 40 43.

780. Queisser H.J. Electrical properties of dislocations and boundaries in semiconductors. // Defects. Semiconductors. 2: Symp. Boston. Mass. Nov. 1982. New York. 1983. P. 323 -341.

781. Косевич B.M., Иевлев B.M., Палаткин JI.С., Федоренко И.В. Структура межкри-сталлитных и межфазных границ. М.: Металлургия. 1980. 256 с.

782. Бокштейн Б.С., Копецкий Ч.В., Швиндлерман Л.С. Термодинамика и кинетика границ зерен в металлах. М.: Металлургия. 1986. 224 с.

783. Копецкий Ч.В., Орлов А.Н., Фионова Л.К. Границы зерен в чистых материалах. М.: Наука. 1987. 158 с.

784. Валиев Р.З., Вергазов А.Н., Герцман В.Ю. Кристаллогеометрический анализ меж-кристаллитных границ в практике электронной микроскопии. М. Наука. 1991. 232 с.

785. Фионова Л.К. Обычные границы зерен. // Физ. мет. и металловед. 1992. № 4. С. 8 -13.

786. Антипова Т.И., Артемьев А.В., Матвеева Л.А., Поляк Л.Е. и др. Кристаллографические параметры и морфология границ зерен в поликристаллах кремния и германия. // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1989. Т. 25. № 11. С. 1765 1770.

787. Артемьев А.В., Николаева А.В., Фионова Л.К. Машинное моделирование структуры границ зерен в кремнии. // Поверхность: Физ., химия, мех. 1988. № 4. С. 109 -115.

788. Артемьев А.В., Богатурьянц А.А., Векилов Ю.Х. , Николаева А.В. и др. Электронная структура границ зерен в кремнии. // ФТТ. 1989. Т. 31. № 9. С. 101 108.

789. Moller H.J., Singer Н.Н. Computer calculations of grain boundary energies in germanium and silicon. // Polycryst. Semicond. Phys. Prop, and Appl. Proc. Int. Sch. Mater. Sci. and Technol. Erice. July 1-15, 1984. Berlin e.a. 1985. P. 18 26.

790. Бузынин A,H., Лукьянов A.E., Осико B.B., Татаринцев B.M. Электрически активные дефекты кристаллов кремния. // Рост кристаллов. 1991. В. 19. С. 194 210.

791. Абросимов Н.В., Баженов А.В., Мишке Б. Примесная неоднородность и электрическая активность дефектов профилированного кремния. // Кристаллография. 1988. Т. 33. В 4. С. 944-949.

792. Баженов А., Шикина Н., Шикина Ю. Заряженные дислокации в полупроводниках р- типа. // ФТТ. 1992. Т. 34. В 3. С. 789 793.

793. Шикина Ю.В., Шикин В.Б. Нелинейные свойства ВАХ и ВФХ для стенки из заряженных дислокаций. IIФТП. 1992. Т. 26. В 6. С. 992 995.

794. Шикин В., Шикина Ю. Вольт-амперная характеристика отдельной заряженной дислокации в полупроводниках. // ФТП. 1991. Т. 25. В 6. С. 1065 1067.

795. Rebane Yu.T., Tarkhin D.V., Khorev S.A., Shreter Yu.G. P-N junction and dislocation: Nonlocal recombination. // ESES Sol. World Congr. Kobe. Sept. 4 8. 1989. Book Abstr. Parkville. 1989. C. 38.

796. Марков A.B., Мильвидский М.Г., Шершаков A.H. Рекомбинационная активность дислокаций в монокристаллах и эпитаксиальных слоях арсенида галлия. // Кристаллография. 1989. Т. 34. № 5. С. 1319 1320.

797. Farvacque J.L., Vignand D., Depraetere E., Sieber B. et al. Electrical and optical properties of dislocations in GaAs. // Struct, and Prop. Dislocat. Semicond. Proc. 6 th Int. Symp. Oxford. 5 8 Apr. 1989. Bristol. New York. 1989. C. 141 - 150.

798. Баженов A.B., Кведер B.B., Красильникова JI.JI., Шалыгин Л.И. Поглощение света глубокими дислокационными состояниями в кремнии. // ФТТ. 1986. Т. 28. № 1. С. 230 234.

799. Осипьян Ю.А., Рыжкин И.А. Спектр дислокационных состояний в полупроводниках. //ЖЭТФ. 1980. Т. 78. В. 3. С. 961 973.

800. Шикин В.Б., Шикина Н.И. О заряженных дислокациях в полупроводниках. // ФТТ. 1987. Т. 30. В 5. С. 1297 1305.

801. Sastry D.S., Dutta Y., Muktrjee A.K., Chopra K.L. Defect analysis in polycrystalline silicon solar cells. //J. Appl. Phys. 1985. V. 57. N 12. P. 5506 5511.

802. Srivastava P.C., Bourgoiu J.C. Grain boundary passivation in polycrystalline silicon: A.D.L.T.S. study. // "Grain Boundaries Semiconductors". Proc. Mater. Res. Soc. Annu. Meet. Boston. Mass. Nov. 1981. New York e. a. 1982. P. 137 140.

803. Joshi D.P., Srivastava R.S. Mobility and carrier concentration in polycrystalline silicon. // Solar Cells. 1984. V. 12. N 3. P. 337 344.

804. Кроневиц И., Шретер В. Нестационарная емкостная спектроскопия 60°-дислокаций в кремнии. // Изв. АН СССР. Сер. Физическая. 1987. Т. 51. № 4. С. 682 686.

805. Гергель В.А., Сурис Р.А. Электронная структура и электропроводность границы полупроводникового бикристалла. // ФТП. 1982. Т. 16. В. 11. С. 1925 1929.

806. Казакевич JI.A., Лугаков П.Ф., Филиппов И.М., Шуша В.В. Рекомбинационная активность дислокаций в кремнии. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 4. С. 767 770.

807. Глазман Л.И. Статистика носителей и проводимость полупроводника р-типа с дислокациями. //ФТП. 1985. Т. 19. В. 10. С. 1750 1755.

808. Звягин И.П. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках. М.: МГУ. 1984,- 192 с.

809. Mandurah М.М., Saraswat К.С., Kamins T.I. A model for conduction in polycrystalline silicon Part I: Theory. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1981. V. ED-28. N 10. P. 1163 - 1171.

810. Mandurah M.M., Saraswat K.C., Kamins T.I. A model for conduction in polycrystalline silicon Part II: Comparison of theory and experiment. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1981. V. ED-28. N 10. P. 1171-1176.

811. Singal C.M., Prasad B. Grain boundary space charge region potential barrier in polycrystalline semiconductors. // Int. J. Electronics. 1983. V. 54. N 2. P. 221 245.

812. Sundaresan R., Burk D.E., Fossum J.G. Potential improvement of polysilicon solar cells by grain boundary and intragrain diffusion of aluminum. // J. Appl. Phys. 1984. V. 55. N 4. P. 1162- 1167.

813. Tyagi B.P., Sen K. Grain size and temperature dependence of the electrical behaviour of polysilicon. // Phys. Status. Solidi. 1984. V. A85. N 2. P. 603 608.

814. Joshi D.P., Bhatt D.P. Theory of grain boundary recombination and carrier transport in polycrystalline silicon under optical illumination. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1990. V. 37. N1. P. 237 -249.

815. Joshi D.P., Bhatt D.P. Grain boundary barrier heights and recombination velocities in polysilicon under optical illumination. // Solar Energy Materials. 1991. V. 22. N 2-3. P. 137- 159.

816. Атакулов Ш.Б., Расулов Р.Я., Шамсиддинов A.H. Особенности токопрохождения в поликристаллических пленках. II Гелиотехника. 1984. № 1. С. 3 6.

817. Simeonov S.S. Electronic transport across a grain boundary in semiconductors. // Phys. Rev. B: Conden. Matter. 1987. V. 36. N 17. P. 9171 9181.

818. Горелик С.С., Евтодий Б.Н., Ильящук Ю.М., Кац Е.А. и др. Электрическая активность границ зерен в профилированных кристаллах кремния. // Препринт ИПТМ и ОМ АН СССР. Черноголовка. 1989. № 3. 38 с.

819. Федотов А.К., Ильящук Ю.М. О природе электрической активности границ зерен в кремнии и германии с разным типом проводимости. // Вестник Белорусского унта. Сер. 1. Физ., мат., мех. 1990. № 3. С. 20 23.

820. Fedotov A., Ilyashuk Ju., Evtody В., Kats Е. Grain boundaries electrical activity in shaped grown silicon. // Phys. Status. Solidi (a). 1990. V. 119. N 2. P. 532 534.

821. Ткаченко H.H., Коломоец Г.П., Федотов A.K., Ильящук Ю.М. Снапиро И.Б. Токовый шум границ зерен в поликристаллическом кремнии. // ФТТ. 1991. Т. 33. № 5. С. 1593 1595.

822. Федотов А.К., Ильящук Ю.М., Евтодий Б.Н., Кац Е.А. Феноменологическая модель электрической активности границ зерен в поликристаллическом кремнии. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1991. Вып. 7 (261). С. 12 16.

823. Дроздовский А.В., Тралле И.Е., Федотов А.К. Бистабильность барьера на границе зерен в полупроводнике. // Вестник Белорусского ун-та. Сер. 1. Физ., мат., мех. 1993. № 1.С. 18-22.

824. Богатов Н.М., Закс М.Б., Касаткин В.В. Расчёт электрофизических свойств межкристаллических границ в кремнии. // Гелиотехника. 1989. № 4. С. 12 17.

825. Poullain G., Mercey В., Nouet G. Conductance of silicon grain boundaries in as-grown and anneald bicrystals. //J. Appl. Phys. 1987. V. 61. N 4. P. 1547 1552.

826. McGonigal G.C., Thomson D.J., Shaw J.G., Card H.C. Electronic transport at grain boundaries in silicon. // Phys. Rev. B. 1983. V. 28. N 10. P. 5908 5922.

827. Pike G.E., Seager C.H. The de voltage dependence of semiconductor grain-boundary resistance. //J. Appl. Phys. 1979. V. 50. N 11. P. 3414 3417.

828. Grovenor C.R.M. Grain boundaries in semiconductors. // J. Phys. C: Solid State Phys. 1985. V. 18. N 21. P.4079 4119.

829. Seager С. Grain boundaries in polycrystalline silicon. // Annu. Rev. Mater. Sci. Vol. 15. Palo Alto. Calif. 1985. P. 271 302.

830. Кобка В.Г., Комиренко Р.П., Медведев Ю.П., Стриха В.И. и др. Спин-зависимая электропроводность нелегированного поликристаллического кремния. // Укр. Физ. Ж. 1985. Т. 30. № 2. С. 252 256.

831. Кожух M.JI., Липкина Н.С., Тархин Д.В. Об электропроводности поликристаллического германия. // ФТП. 1987. Т. 21. В. 4. С. 680 683.

832. Sukharev V.Ya., Chistyakov V.V., Myasnikov I.A. Percjlation electroconductivity of two-component barrier-disordered polycrystalline composites. // J. Phys. and Chem. Solids. 1988. V. 49. N4. P. 333 338.

833. Seager C.H. Grain boundary recombination: theory and experiment in silicon. // J. Appl. Phys. 1981. V. 52. № 6. P. 3960 3968.

834. Agarwal S. K., Harsh, Jain S.C., DePauw P. et al. Effect of injection level on minority carrier lifetime. // 16th IEEE Photovolt. Spec. Conf. San Diego. Calif. 27-30 Sept. 1982. Conf. Rec. New York. N.Y. 1982. P. 366 370.

835. Григорьев A.B., Казьмин C.A., Кайданов В.И. Влияние ИК подсветки на кинетические коэффициенты в пленках РЬТе с потенциальными барьерамию // ФТП. 1983. Т. 17. В. 5. С. 934-936.

836. Oualid I., Singal С.М., Dugas J., Crest J.P. et al. Influence of illumination on the grain boundary recombination velocity in silicon. // J. Appl. Phys. 1984. V. 55. № 4. P. 1195 -1205.

837. De Pauw P., Mertens R., Van Overstraeten R., Jain S.C. On the injection level dependence of the minority carrier lifetime in defected silicon substrates. // Solid State Electronics. 1984. V. 27. № 6. P. 573 587.

838. Song J.S., Yang E.S. A study of the photovoltaic effect of a semiconductor grain boundary by a scanning laser beam. //J. Appl. Phys. 1985. V. 58. № 8. P. 3129 3132.

839. Dimitriadis C.A., Alexandrou A., Economou N.A. Electrical properties of polycrystalline silicon layers under solar illumination. // J. Appl. Phys. 1986. V. 60. № 10. P. 3651 -3655.

840. Ioshi D. P. Carrier recombination at grain boundaries in polycrystalline silicon under optical illumination. // Solid State Electronics. 1986. V. 29. № 1. P. 19 24.

841. Mohammad S.N., Rogers C.E. Theory of electrical transport and recombination in polycrystalline semiconductors under optical illumination. // Solid State Electronics. 1988. V. 31. №7. P. 1157- 1167.

842. Matare H.F. Transport processes at grain boundaries in polycrystalline material under optical illumination. //J. Appl. Phys. 1983. V. 54. N 11. P. 6452 6458.

843. Богатов H.M., Закс М.Б. Касаткин В.В. Анализ прохождения фотогенерированных носителей через межкристаллические границы в кремниевых солнечных элементах. // Деп. ВИНИТИ N 447-В 92. 1992. 11 с.

844. Agarwal A., Bana D., Prasad В., Singal С.М. Grain boundary effect on spectral response and effective diffusion length in polycrystalline silicon solar cells. // Int. J. Electron. 1985. V. 58. N 6. 981 996.

845. Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы. М.: Мир. 1986. 435 с.

846. Саидов М.С. Тенденции исследований немонокристаллических солнечных элементов. //Гелиотехника. 1989. № 5. С. 13 16.

847. Mohammad S.N., Sobhan A., Qutubuddin S. The influence of grain boundaries on the performance efficiency of polycrystalline gallium arsenide solar cells. // Solid State Electronics. 1989. V. 32. № 10. P. 827 834.

848. Joshi D.P., Srivastava R.S. Theoretical study of photovoltaic properties of polycrystalline silicon. // J. Appl. Phys. 1986. V. 59. N. 8. P. 2849 2858.

849. Снапиро И.Б., Ткаченко Н.Н. Вольт-амперные характеристики фотопреобразователей на основе поликристаллического кремния. // Гелиотехника. 1990. №2. С. 43 -48.

850. Снапиро И.Б., Ткаченко Н.Н. Влияние границ зерен на диффузионную длину носителей заряда. //Диэлектрики и полупроводники. 1990. № 38. С. 47 53.

851. Baneijee S., Saha Н. Grain boundary effects in polycrystalline silicon solar cells. // Solar Cells. 1990. V. 28. N1. P. 77-94.

852. Dimitriadis C.A. Influence of grain boundary recombination velocity and grain size on the minority carrier lifetime in polycrystalline semiconductors. // Solid State Commun. 1985. V. 56. N 11. P. 925-927.

853. Касаткин B.B., Михеева JI.В., Ситников A.M., Паксеев Ю.Е. Фотопреобразователи на основе ленточного поликристаллического кремния. // Гелиотехника. 1986. № 5. С. 14-17.

854. Патрин А.А. Визуализация неоднородной диффузии примесей в профилированный кремний. // Вестн. Белорус, ун-та. 1988. Т. 1. № 2. С.63 65.

855. Снапиро И.П., Ткаченко Н.Н. Нелинейная диффузия примесей по границам зерен в полупроводниках. // ФТТ. 1990. Т. 32. № 7. С. 207 209.

856. Бургер Р., Донован Р. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. М.: Мир. 1969. 451 с.

857. Shockley W. Electrons and holes in semiconductors. Van Nostrand Co. New York. 1950. 296 p.

858. Samaj L. The lifetime of minority carriers in polycrystalline semiconductors. // Phys.

859. Status Solidi. 1986. V.A101.N 1. P. 137-141.

860. Богатов H.M., Малышева С.В., Онищук С.А. Использование высокотемпературного отжига профилированного кремния для повышения эффективности солнечных элементов. // Изв. РАН. Сер. физическая. 1994. Т. 58. № 9. С. 138 143.

861. Азимов С.А., Абакумов А.А., Каримова И.З., Книгин П.И. и др. Исследование рекомбинации носителей тока на границах зерен в поликристаллическом кремнии. // Гелиотехника. 1987. № 5. С. 3 5.

862. Ghosh А.К., Fishman С., Feng Т. Theory of the electrical and photovoltaic properties of polycrystalline silicon. //J. Appl. Phys. 1980. V. 51. N 1. P. 446 454.

863. Mohammad S.N., Rogers C.E. Current-voltage characteristics and performance efficiency of polysilicon solar cells. // Solid State Electronics. 1988. V. 31. № 8. P. 1221 -1228.