Влияние собственных дефектов на оптические свойства CdIn2S4 и CdGa2S4 и их ионно-лучевой синтез тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВВДНИЕ.

ГЛАВА. I. ВЛИЯНИЕ КОМПЛЕКСОВАНИЯ СОБСТВЕННЫХ И ПРИМЕСНЫХ

ДЕФЕКТОВ НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ CdS , СЫ1п2 ^ И CdGa

§ X.I. Теория ассоциатов точечных дефектов.

§ 1.2. Вопрос о природе центров зеленого свечения CdS

§ 1.3. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства соединений CdGa^ S^ и CdIn 2 S

ГЛАВА П. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

§ 2.Х* Измерение фотолюминесценции, фотопроводимости и термовысвечивания. • ••••••

§ 2.2. Методы Л - и электромодуляции.

§ 2.3. Метод модуляции угла поляризации для исследования ориентации анизотропных центров свечения. . . »

§ 2.4. Приготовление образцов.

ГЛАВА Ш. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ РАССМОТРЕНИЕ ДЕФЕКТОВ - КОМПЛЕКСОВ НА ПРИМЕРЕ ОБРАЗЦОВ CdS : £q + и CdS: In* , ПРИ МАЛЫХ ДОЗАХ ВНЕДРЕННЫХ ИОНОВ.

§ 3.1. Определение энергетического положения уровней и энергии локального фонона комплекса, а также зарядового состояния его компонентов. . . •• •

§ 3.2. Природа центров зеленого свечения ионно-импланти-рованных слоев CdS \ In* ( Go* ) при малых дозах внедрения.

§ 3.3. Расчет основных параметров и формы полос люминесценции комплексов в системах CdS : In* ( образующихся при малых дозах внедрения.

-2Стр.

Выводы.

ГЛАВА 1У. ОБРАЗОВАНИЕ СОЕДИНЕНИЙ Cdln2 S^ И CdGaz S^

ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ In И Са в CdS И ОБРАЗОВАНИЕ CdS ПРИ ОБРАБОТКЕ ЭТИХ СОЕДИНЕНИЙ В РАСПЛАВЕ КАДМИЯ.

§ 4.1• Некоторые особенности переходов aV1^ АПСШ2ВУ|

§ 4.2. Свойства монокристаллов CdS , облученных ионами

In vGa* при больших дозах. . *

§ 4.3. Разложение тройных соединений Cdln2 S^

G/£q2 S^ ) г* CdS : In (Ga ) при их обработке в расплаве кадмия»

Выводы.

ГЛАВА У. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛОКАЛЬНЫХ ЦЕНТРОВ В СОЕДИНЕНИЯХ

Cdln2 И CdG<xz S^

§ 5.1. Электропоглощение и фотопроводимость С<//п

§ 5.2* Фотолюминесцентные свойства монокристаллов Cdln^S^ отожженных в различных условиях и облученных ионами <Лт.

§ 5.3. Фотоэлектрические свойства кристаллов тиоиндата кадмия с отклонением от стехиометрии.

§ 5«4. Обсуящение экспериментальных результатов и расчет параметров комплексов в Cdln2 S^

§ 5.5. Фотопроводимость и люминесценция кристаллов тиогаллата кадмия с отклонением от стехиометрии.

§ 5«6# Комплексы собственных дефектов и примеси йода в соединении Cd GaS^.

§ 5,7. О сходстве и различии локальных центров соединений

Cdlnz S, и CdGaz ^.

Выводы. .П

-3Стр,

ОБЩИЕ ВЫЮДЫ.

Для создания элементной базы оптоэлектроники необходимо исследование оптических свойств новых и все более сложных полупроводниковых материалов. В этой связи особый интерес представляют широкозонные материалы типа A^Bg^S^*» а именно соединения Сы1п2 S^ и Cd£a? Q^ , В них обнаружены эффекты оптической активности, световой памяти, вынужденного излучения и токовых колебаний / 1-9 /. Устойчивость к ионизирующей радиации, высокая термостойкость делают соединения типа перспективными с точки зрения их использования в полупроводниковой технике / 10- 15 /.

Эти материалы обладают яркой люминесценцией и высокой фоточувствительностью в видимой и ультрафиолетовой областях спектра. В настоящее время соединения Сы1п2 S^ и Сы£а2 уже используются для создания детекторов видимого и ультрафиолетового излучения / 16,17 /, однако более широкое их применение ограничивается трудностями в получении чистых и совершенных монокристаллов и недостаточной изученностью их свойств.

Основные люминесцентные и фотоэлектрические свойства fc/In^S и СЫ£а2 определяются спектром глубоких центров этих соединений. Эти центры формируются как собственными, так и примесными дефектами. Причем большое разнообразие собственных дефектов, характерное для столь сложных соединений, создает определенные трудности в интерпретации экспериментальных результатов. Оптические спектры в данном случае представляют собой набор нескольких широких бесструктурных полос, что затрудняет определение энергетического положения соответствующих уровней. Болыцую пользу здесь может представить использование методов модуляционной спектроскопии

-5/ 24,92 А

Важным является изучение природы глубоких центров соединений Cdlri S и Сы£а S , Решение этого вопроса позволит уп-2 4 2 ^ равлять люминесцентными и фотоэлектрическими свойствами материалов, путем создания в процессе роста кристалла или его отжига цужных дефектов. Взаимодействие собственных и примесных дефектов может привести к образованию их комплексов, что должно проявиться в оптических свойствах. Изучение полупроводниковых соединений дП^П / 28 / показало, что именно комплексы близко расположенных дефектов играют определяющую роль в процессах излучательной рекомбинации.

Другой важной задачей, связанной с использованием этих соединений является получение образцов или слоев с уменьшенным содержанием примесей. Дело в отом, что используемые методы выращивания либо требуют применения газообразного транспортера (йода), остающегося в монокристаллах (Л/2 - Ю^см-3), либо протекают при высоких температурах, что приводит к вхождению неконтролируемых примесей в большой концентрации / 18,19 /.

Интересным как с научной, так и с практической точек зрения является получение соединений A^B^^S^ методом ионной технологии / 20 /. Решение этой задачи открывает овозможность создания гетеропереходов на основе Cd7л2 S^ и CdGa2 , что приведет к более широкому использованию этих материалов в твердотельной электронике.

Задачей диссертационной работы является:

I* Исследование глубоких центров соединений 2^ и

CdGa^ 2 методами фотолюминесценции (ФЛ), фотопроводимости

2 Ь примесного электропоглощения (Г1ЭП) и ^ - модулированной

ФЛ.

-62. Исследование влияния отклонений от стехиометрии соединений Cdln2 и Col Gaz S^ на их люминесцентные и фотоэлектрические свойства.

3. Теоретическое рассмотрение модели комплекса двух близко расположенных дефектов и изучение таких комплексов в исследуемых материалах,

4, Изучение возможности образования соединений Cdln2 и СЫQa2 S^ на поверхности сульфида кадмия путем ионной технологии.

Для решения поставленных задач были использованы как обычные методы исследования - фотолюминесценция, фотопроводимость и термовысвечивание, так и некоторые методы модуляционной спектроскопии - отражение и поглощение, модулированные внешним электрическим полем (электроотражение и электропоглощение) и люминесценция, модулированная по длине волны ( Л - люминесценция). Выбор модуляционных методик связан с их высокой чувствительностью и разрешающей способностью / 21,92 /.

В настоящей работе при исследовании спонтанной поляризации люминесценции скомплексов близко расположенных дефектов впервые разработан и применен метод модуляции плоскости поляризации, позволяющий экспериментально регистрировать производные различного порядка по углу поляризации.

В первой главе диссертации дается обзор экспериментальных и теоретических работ по исследованию люминесцентных и фотоэлектрических свойств сульфида, тиоиндата и тиогаллата кадмия» Рассматриваются также результаты теоретических работ, описывающих различного типа ассоциаты точечных дефектов.

Вторая глава посвящена методикам исследования* Раскрывается суть метода модуляции длины волны света и модуляции электрическим полем# Описан разработанный нами метод исследования ориентации анизотропных центров свечения в кристаллах - метод модуляции угла поляризации,

В третьей главе проведено теоретическое рассмотрение комплексов дефектов и получено выражение для формы полосы люминесценции, обусловленной такими центрами. Основные результаты теории проверены на образцах СЫS : J~n * и CdS ; Ga * полученных при малых дозах внедренных ионов.

Четвертая глава посвящена исследованию свойств систем СЫ£ : и CdS : £а + , полученных при больших дозах внедрения ионов в сульфид кадмия. Приводятся результаты сравнения свойств имплантированных слоев со свойствами тройных соединений СЫ7п S 7 и СЫGaz S^ 9 Показана также возможность образования слоев сульфида кадмия при обработке данных тройных соединений в расплаве кадмия.

В пятой главе определяются уровни глубоких центров и электронные переходы в соединениях СЫ1п2£^ и Cc/Cq2 S^ . Изучается влияние легирования собственными дефектами и отклонений от стехиометрии на оптические и фотоэлектрические свойства данных соединений. Раскрывается природа некоторых их центров свечения и фоточувствительности.

В заключении сформулированы основные выводы и приведен список цитируемой литературы.

Основные результаты работы, выносимые на защиту:

I. Сравнение экспериментальных данных по люминесценции и поглощению комплексов дефектов, позволяет оценить энергию локального фонона и зарядовое состояние дефектов, а также расстояние мевду ними в основномиионизованном состоянии комплекса,

-82. Схема электронных переходов при люминесценции и фотопроводимости специально не легированных кристаллов Cdln2 9^ включает три г.цубоких уровня, расположенных на 1,33; 1,48 и 1,75 эВ ниже дна зоны проводимости и связанных с собственными дефектами Z^Cd » ^сы и ^In » соответственно.

3. Примесь йода, содержащаяся в образцах Cot In2 9^ и CdGct^S^ , выращенных методом йодидного транспорта, образует комплексы £^сы ^S У » УР0ВНИ которых лежат ниже дна зоны проводимости на 1,66 эВ у CdIn2S^ и на 2,61 эВ у CdGaz 9^

4. Изменение состава образцов ( Ot9 ) ( Ga S^ )gx в области гомогенности 0,988 4 1,008 сдвигает максимум свечения тио-галлата кадмия от 1,75 эВ до 2,0 эВ без изменения ширины запрещенной зоны.

5. Ионное легирование Cd 9 индием и галлием приводит к образованию в нем комплексов f ^СЫ^СЫ^ ИЛИ ^^Cd ^аСЫ J * дозах 2>Ъ Ю15см~2 с последующим отжигом при 420°СТ^ 520°С происходит формирование на поверхности Cd9 слоев соединений Cdln2 9^ или Cd Gq2 9^ .

6. Отжиг монокристаллов fc/Zn^ 9^ и CdGa2 9^ в расплаве кадмия при Т в 750°С приводит к обращованию сульфида кадмия, содержащего примесь индия или галлия, соответственно.

Основные результаты диссертационной работы могут быть сформулированы в виде следующих выводов:

1. Показана возможность вычисления на основании экспериментальных данных и теоретической модели, учитывающей обменное,упругое и кулоновское взаимодействие дефектов, энергии локальных фо-нонов комплекса и заряда образующих его дефектов.

2. Проведено комплексное исследование фотопроводимости, примесного электропоглощения и фотолюминесценции не легированных монокристаллов Cdln2 S^ и Cd&a2 S^ . Сопоставлены схемы электронных переходов в процессе этих явлений.

3. Определено, что в CdIn2Sif имеются три глубоких центра, уровни которых расположены по данным люминесценции на 1,48 и 1,75 эВ ниже дна зоны проводимости и на 1,33 эВ выше потолка валентной зоны, а по данным электропоглощения на 1,73 и 2,27 эВ ниже дна зоны проводимости и на 1,38 эВ выше потолка валентной зоны. Установлено, что эти центры связаны с дефектами V^ , Cdj^ и

In и , соответственно.

4. Установлено, что в CdGa^S^ имеются два глубоких центра ^Cd и ^Qa * УР0ВНИ которых расположены по данным люминесценции на 2,26 и 2,75 эВ ниже дна зоны проводимости, а по данным электропоглощения на 2,55 и 3,31 эВ ниже дна зоны проводимости, соответственно.

5. Выявлено, что наличие примеси йода в образцах £с/27г2 S^ и CdGa^ приводит к образованию не только ловушек донорного типа 1$ с глубиной залегания 0,65 и 0,9 эВ, но и к формированию комплексов fvCoi^s7 » дающих акцепторные уровни расположенные по данным ФЛ в fdlr?2 S На 1,66 эВ и в CdGo^ S, на 2,61 эВ

2 у ниже дна зоны проводимости, а по данным ПЭП в CdlnS^ на 1,96 эВ и в CdGaS^ на 2,96 эВ ниже дна зоны проводимости. Определено, что в обоих соединениях в формировании комплексов участвует однозарядная вакансия, и что в Cdln S расстояние между

X о дефектами комплекса в основном состоянии А - 2,07 А, в ионизоо г ванном /с, - 2,20 А и энергия локального фонона Е* - 9,7 мэВ, а 2 о о Ф* в O/GaS - А - 2,21 А, А * 2,34 АиЕх - II мэВ. v t 2 ф»

6. Изучено влияние различного рода отклонений от стехиометрии на люминесцентные и фотоэлектрические свойства тиоиндата и тиогаллата кадмия. Установлено, что увеличение содержания кадмия внутри области гомогенности соединения Cdln2 S^ сдвигает максимум его свечения от 1,4 до 1,75 эВ, а в CdGa2 S^ - от 1,75 эВ до 2,0 эВ.

7. Установлено, что внедрение ионов In и Get при малой дозе (2> = 10*^ см"2) в CdS приводит к возрастанию интенсивности краевого свечения и формированию комплексов £ In^J и / GaCdJ

8. Впервые получено, что при ионном внедрении больших доз

D as Ю15, 10*® см"2) индия или галлия в сульфид кадмия, с последующим отжигом при 420°С ^ Т^ 520°С, образуются слои соединений Cdln2 S^ или Cd Gq^ S^ ,

9. Показано, что обработка монокристаллов Cdlnz S^ и

CdGa^ S, в расплаве кадмия при 750°С приводит к образованию на р их поверхности низкоомных (jO - 10*10 0м.см) слоев сульфида кадмия.

Диссертационная работы выполнена в Лаборатории люминесценции Физического института им. П.Н.Лебедева АН СССР.

Считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность научному руководителю, заведующему сектором люминесцентной опто-злектроники ФИАН, доктору физико-математических наук, профессору Анатолию Неофитовичу ГЕОРГОБИАНИ за предложенную интересную тему, постоянное внимание к работе, ценные советы и замечания.

Искренне признателен З.П.Илюхиной и кандидату физико-математических наук И.М.Тигиняну за полезные советы и помощь в работе.

Выражаю благодарность к.ф.-м.н. В.С.Дону и к.фтм.н» В.Е.Тэз-лэвацу за предоставление образцов тройных соединений, к.ф.-м.н. А.В.Спицыну за проведение ионного легирования и А.Д.Левиту за предоставление монокристаллов CotS , а также всем сотрудникам и аспирантам сектора люминесцентной оптоэлектроники ФИАН за дружескую помощь и поддержку.

1. Радауцан С.И, Тройные полупроводники: результаты исследований и перспективы применения. - Вестник АН СССР, 1978, т.З, с.14-26.

2. Абдуллаев Г.Б. и др. Эффект переключения и памяти на контакте кристалла Cdin2s4 с металлом. ДАН СССР, 1971, т.199, № 2, с.313-317.

3. Romeo N. Switching and memory properties of some crystalline layer compounds. Rivista del Nuovo Cimento, Serie 2, 1973, v. 3, p. 105-115.

4. Salaev E.Yu., Tagiev B.G., Rzaev M.A., Hani R.Kh., Abdullaeva

5. S.G., Mamedov G.M., Askerov I.M., Pliev F.I., Switching

6. I VI III VI phenomenon in single crystals of А В , Ag B^ and

7. AIIBIIICVI type compoundSe Phys. Stat. Sol., (a), 1973, v. 16, p. K143-K146.

8. Romeo N., Dallaturca A., Braglid R., Sberveglieri G. Charge storage in ZnlrigS^ single crystals. Appl. Phys. Lett., 1973, v. 22, N 1, p. 21-22.

9. Сусликов Л.М. и др. Двулучепреломление монокристаллов. Опт. и спектр., 1980, т.49, NW I, с.97-99.

10. Paorici С., Romeo N. Electrooptical memory effect in EnxInySz compounds. J. Japan. Soc. Appl. Phys., 1973, v. 43, p. 112-115.

11. Изд-во ЛГУ, 1963. 233 с. IX. Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. - М.: Сов.радио, 1968. - 265 с.

12. Radautsan S.I. Defective diamond-like semiconductors as intermediate phases between crystalline and vitreous state.- J. Non-cryst. Solids, 1970, v. 4, p. 370-377.

13. Гальчинецкий Л.Б., Кошкин В.М* и др. Эффект радиационной устойчивости полупроводников со стехиометрическими вакансиями,- ФТТ, 1972, т.14, № 2, с.646-649.

14. Shay J.L., Wernick J.H. Ternary chalcopyrite semiconductors: growth, electronic properties and applications. Oxford, Pergamon Press, 1975, 244 p.

15. Nakanishi H., Endo S. and Irie. Optical absorption in CdIn2S4. Japan. J. Appl. Phys., 1973, v.12,Ж 10. p. 20-35.

16. Житарь В.Ф., Молдовян Н.А., Радауцан С.И., Райлян В.Й. Детектор ультрафиолетового излучения. Электронная обработка материалов, 1979, № 3, с.86-87.

17. Доцу B.C., Житарь В.Ф., Радауцан С.И., Струмбан Э.Е. Фотопроводники для ближней ультрафиолетовой области спектра. В кн.: Ш Всесоюзная научно-техническая конференция "Фотометрия и ее метрологическое обеспечение". - М., 1979, с.35.

18. Валов Ю.А., Пайончковская А. О синтезе тройных халькогенидовс помощью химических транспортных реакций. Изв. АН СССР, сер.Неорг.мат-лы, 1970, т.6, с.241-246.

19. Friedrich Н., Ozerov Yu.V., Strehlow R. Optical method for the determination of the modulation depth of wavelength modulation spectrometers. Experimentelle Technik der Physik,1978, v. 26, N 3, P. 275-284.

20. Theis D., Russe W. Wave length modulation spectrometer forstuding the optical properties of solids in a wide range of light energy. Journ. of Physics, E: Scientific Instruments, 1977, v. 10, p. 57-60.

21. Георгобиани A.H., Дону B.C., Илюхина З.П., Павленко В.И., Тигиняну И.М. 0 связи центров свечения с собственными дефектами в CdGa2s4 ♦ Краткие сообщения по физике ФИАН, 1981, № 12, с.48-52.

22. Дугаков П.Ф., Дукьяница В.В. Взаимодействие дефектов вакан-сионного и междоузельного типа при отжиге облученного п -- Si . ФТП, 1983, т.17, в.Х, с.166-Х68.

23. Городецкий И.Я., Пекарь Г.С., Федоров А.И., Шейнкман М.К. Особенности процессов рекомбинации в монокристаллах CdS t сильно легированных индием. ФТП, 1975, т.9, в.5, с.986-991.

24. Баграев Н.Т., Вахаин В.С.Корреляция в распределениях донор-ных и акцепторных примесей в кремнии. ЖЭТФД984, т.86, № I,с.200-211.

25. Георгобиани A.M., Котляревский М.Б., Михаленко В.Н. Собственно-дефектные центры люминесценции в znS р-типа. Труды ФИАН, 1983, т.138, с.79-135.

26. Мадушин Н.В., Виноградов М.С. Некоторые свойства самоактивированной люминесценции монокристаллов сульфида кадмия. В сб. "Физика твердого тела" 1976, с.106-108.

27. Сердюк В.В., Мадушин Н.В. Оптическое и температурное тушение красной люминесценции сульфида кадмия. -ФТП, Х967, т.1, № 6, с.861-865.

28. Власенко Н.А., Витриховский Н.И., Денисова 3.JI., Павленко В.Ф. О природе центров свечения в чистом сернистом кадмии. Опт.и спектр., 1966, т.21, №4, с.466-475.

29. Kikuchu С. Thermal neutron damage in CdS and CdTe. Radiative Effects, 1971, v. 8, N 3-4, p. 249-253.

30. Susa N., Watanabe H., Wada M. Photoluminescence in Al-doped CdS crystals. Japanese J. Appl. Phys., 1975, v. 14, N 11, p.1733-1737.

31. Morigaki K., Hoshina T. Electron spin resonance of photosensitive centres in Ag-doped CdS. Techn. Rep. ISSP, A, 1967, N 258, p. 1-38.

32. Susa N., Watanabe H., Wada M. Effect of annealing in Cd or S vapor on photoelectric properties of CdS single crystals. -Japanese J. Appl. Ehys., 1976, v. 15, N 12, p. 2365-2370.

33. Williams. Radiative recombination at donor-acceptor pairs and at higher associates. J. Luminescence, 1973, v. 7, p. 35-50.

34. Медведев С.А. Физика и химия АПВУ1. М.: Мир, 1970. - 620 с.

35. Williams F.E. Theory of the energy levels of donor-acceptor pairs. J. Phys. Chem. Solids, 1960, v. 12, N 3/4, p. 265-276.39. lucovsky G. On the photoionization of deep impurity centres in semiconductors. Solid State Commun., 1965, v. 3»p. 299-302.

36. Смирнов Б.М., Фирсов О.Б. О взаимодействии отрицательных ионов с атомами. ЖЭТФ, 1964, т. 47, с. 232.

37. Березин Л.А., Кирий В.Б. Приближение дельтаобразного потенциала в теории отрицательно заряженных электронных центров окраски. <КГТ, 1969, т. II, с. 2II8-2I2I.

38. Демков Ю.Н., Островский В.Н. Метод потенциалов нулевого радиуса в атомной физике. Л.:Изд-во Ленингр. ун-та, 1975,240 с.

39. Георгобиани А.Н., Маев Р.Г., Озеров Ю.В., Пустовойт В.И.,

40. Струмбан Э.Е. Тезисы 1У Всесоюзного совещания "Физика, химия1. ТТ YTи техническое применение полупроводников А В . Одесса, 1976, с. 66.

41. Georgobiani А.Ж., Maev R.G., Ozerov Yu.V., Strumban E.E. Investigation of deep centres of chlorine-doped zinc sulfide crystals. Phys. Stat. Sol. (a), 1976, v. 38, N 1, p. 77-82.

42. Williams F.E. Donor-acceptor pairs in semiconductors. -Phys. Stat. Sol. (a), 1968, v. 25, p. 493-501.

43. Бонч-Бруевич В.Л. К теории захвата носителей заряда глубокими ловушками в гомеополярных полупроводниках. Вестник МГУ, 1978, т. 12, № 5, с. 586-603.

44. Pedrotti L.S., Reynolds D.C. Change in structure of blue and green fluorescence in cadmium sulfide at low temperature. Phys. Rev., 1960, v. 119, N 4, p. 1897-1898.

45. Collins R.J., Hopfield J.J. Polarization of the edge emission in CdS. Phys. Rev., 1960, v. 120, Ж 3, p. 840-842.

46. Hopfield J.J. A theory of edge emission phenomena in CdS, ZnS and 2n0. J. Phys. Chem. Solids, 1959, v. 10, p. 110-119.52 . Halsted R.E., Segall B. Double acceptor fluorescence in II— -VI compounds. Phys. Rev. Lett., 1963, v. 10, N 9, p. 392-395.

47. Maeda K. Nature of the edge emission in cadmium sulfide. -J. Phys. Chem. Solids, 1965, v. 26, N 9, p. 1419-1430.

48. Reynolds D.C. Temperature dependence of edge emission in cadmium sulfide. Phys. Rev., 1960, v. 118, N 2, p. 478-479.

49. Гросс Е.Ф., Газбирин B.C., Пермогоров C.A. Послесвечение и зависимость от интенсивности возбуждения спектра краевого излучения монокристаллов CdS . ФТТ, 1965, т.7, с,558-562.

50. Collins R.J. Mechanism and defect responsible for edge emission in CdS. J. Appl. Phys., 1959, v. 30, N 8, p. 1135-1140.

51. Collow K. Free-to-bound and bound-to-bound transitions in CdS. Phys. Rev., 1966, v. 141, N 2, p. 742-749.

52. Thomas D.G., Hopfield J.J., Colbow K. In: Radiative recombination in semiconductors. V. 4: Proceedings of the Seventh International Conference of the Physics of Semiconductors, Paris, 1964. - Paris: Dunod, 1964, p. 67-80.

53. Bryant F.J. Ion implantation in group II-VI compounds. -Progr. Cryst. Growth and Charact., 1983, v. 6, N 2, p. 191- 203.

54. Дякин В.В., Ризаханов М.А., Халимова Н.Н., Шейнкман М.К.

55. Температурное преобразование краевой (зеленой) люминесценции CdS . ФТП, 1980, т.114, с.691-694.63» Ватаева Е#, Ембергенов Б., Корсунская Н.Е. Фотостиъ^улированное образование мелких доноров в "чистых" кристаллах CdS ФТП, 1983, т.17, в.З, с.484-485.

56. Бродин М.С., Давьщова Н.А., Шаблий И.Ю. Образование и накопление структурных дефектов в кристаллах CdS под действием лазерного облучения и их влияние на оптические и электрические свойства. Изв. АН СССР, сер.физич., 1982, т.46, №№ 6, с. X037-I040.

57. Островский И.В., Лысенко В.И. Генерация ультразвуком точечных дефектов в CdS . ФТТ, 1982, т.24, в.4, сЛ206-1208.

58. Tchakpele К.P., Albert J.P., Goid С. Study of ideal vacancies in CdS. Phys. Rev., B, 1983, v. 27, N 2, p. 1244-1250.

59. Woodbury U.H. Diffusion of Cd in CdS. Phys. Rev., A, 1964, v. 134, p. 492-498.

60. Ермолович И.Б., Матвиевская Г.И., Пекарь Г.С., Шейнкман М.К. Люминесценция монокристаллов CdS , легированных различными донорами и акцепторами. Укр.физ.я^урн., 1973, тЛ8, в.5, с. 732-741.

61. Kungston D.L., Greene L.C., Croft L.W. Edge emission bands in cadmium sulfide. J.Appl. Phys., 1968, v. 39,p. 3849-3952.-13170, Радауцан С.И., Житарь В.Ф., Доцу B.C. Спектры фотопроводимости монокристаллов CdGa2s4 . ФТП, 1975, т.9, № 5, с.1018--1020.

62. Поплавной А.С., Полыпалов Ю.И,, Чалдышев В.А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита: I.znS: : Р2 . Извести вузов СССР, Физика, 1969, № II, с.58-66.

63. Георгобиани А.Н., Озеров Ю.В., Радауцан С.И., Тигиющу И.М. Исследование ^ндаыентальных оптических переходов в casa^ методами модуляционной спектроскопии. ФТТ, 1981» т.23, № 7, с.2094-2099.

64. Georgobiani A.N., Radautsan S.I., Tiginyanu I.M. Electroab-sorption and non-equilibrium carrier recombination in CdGa2S^ single crystals. Phys. Stat. Sol. (a), 19S2,v. 69,p.472-478.

65. Тигиняну И.М. Оптические и фотоэлектрические свойства соединений CdGa2s4 , Znin2s4 и системы Ens : in , полученной ионным внедрением. Автореф. Дис. на соискание степени канд. физ.-мат.наук. - Москва, 1982, - 145 с.

66. Житарь В.Ф., Доцу B.C., Молдовян Н.А. Рекомбинационные центры и ловушки в cdGa2s4 и Znin2s4 . В кн.: Всесоюзная конференция "Тройные полупроводники и их применение". - Кишинев, "Штиинца", 1976, с.156-158.

67. Radautsan S.I., Donu V.S., Zhitar V.F., Strumban E.E. Peculiarities of photoconductivity in CdGd2S^ single crystals in strong electric fields. Phys. Stat.Sol.(a), 1980,v.57,p.K79-62

68. Барсук A.A., Булярский С.В., Грушко Н.С., Доцу B.C., Житарь В.Ф., Радауцан С.И. Исследование термостимулированного тока в CdGa2S4 . ФТП, 1980, т.14, № I, с.208-209.

69. Kivits P., Wijnakker М., Classen J. and Geerts J. Photolumi-nescence and photoconductivity measurements on CdGa2S4# J.

70. Phys., C: Solid State Phys., 1978, v. 11, p. 2361-2368.

71. Springford M. The luminescence of some ternary chalcogenides mixed binary system of group III-V compounds: the nature of luminescence centres in group compounds. Proc. Phys. Soc., 1968, v. 82, N 6, p. 1026-1037.

72. Житарь В.Ф., Таран Н.И., Доника Т.В. Спектры излучения кристаллов CdGa2s4 . в кн.: Исследование сложных полупроводников. Кишинев, РИО АН МССР, 1970, с.89-97.

73. Георгобиани А.Н., Илюхина З.П., Радауцан С.И., Тигиняну И.М. Исследование фотоэлектрических и люминесцентных свойств монокристаллов CdGa2s4 9 Znln2s^ и системы 2nS:in , подученной ионным внедрением. Препринт ФИАН № 259. - М.,1981, - 47 с.

74. Kivits P., Reulen J., Hendricx J., Van Empel P., Van Kleef J. Interpretation of thermoluminescence and thermally stimulated conductivity experiments. J. Luminescence, 1978, v. 16,p. 145-160.

75. Шаскольская М.П. Кристаллография. M.: "Высшая школа", 1976, 391 г.

76. Annedda A., Gabbato L., Raga P., Serpi A. Photoconductivity and trap distribution in CdIn2S^. Phys. Stat. Sol. (a), 1978, v. 50, N 2, p. 643-646.

77. Seki Y., Endo S., Irie T. Low-frequency photocurrent oscillations in CdIn2S^ single crystals. Japan. J. Appl. Phys., 1980, v. 19, К 9, p. 1667-1675.

78. Unger W.K., Meuth H., Irwin J.C. Photoluminescence and resonant raman scattering in Gdln^S^ and ZnIn2S^. Phys. Stat. Sol. (a), 1978, v. 46, И 1, p. 81-89.

79. Кордона M. Модуляционная спектроскопия. M.: Мир, 1972,416с.

80. Balslev I., Influence of uniaxial stress on the indirect absorption edge in silicon and germanium. Phys. Rev., 1966, v. 143, N 2, p. 636-647.

81. Келдыш Л.В. 0 влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов. ЖЭТФ, 1958, т.34, № 5, C.II38-II4I.

82. Виноградов B.C. Влияние электрического поля на поглощение света центром с глубоким уровнем. ФТТ, 1973, т. 15, №№2, с.395-403.

83. Доника Ф.Г., Житарь В.Ф., Радауцан С.И., Полупроводники системы ZnS-in2S3 . Кишинев, "Штиинца", 1980, 148 с.

84. Киржниц Д.А. Полевые методы теории многих частиц. М.: Гос-атомиздат, 1963, 344 с.

85. Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Озеров Ю.В., Тигиняед И.М. Применение методов модуляционной спектроскопии для исследования дефектов в широкозонных полупроводниках. Труды ФИАН, 1985, т.163, с.49-101.

86. Georgobiani A.N., Gruzintsev A.N., Radautsan S.I., Tiginyanu I.M. The contribution of iodine impurity to the formationof centers in CdGa2S^ single crystals. Phys. Stat. Sol. (a),1983, v. 80, p. K45-K47.

87. Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Заяц А.В., Тигиняцу И.М. Метод модуляции угла поляризации люминесценции комплексов дефектов. XXX Совещание по люминесценции. - Ровно, 1984 г., с.190.

88. Виноградов B.C. Теория поглощения света в постоянном электрическом поле примесным центром с глубоким уровнем. ФТТ, 1971, т.13, в.II, с.3266-3274.

89. Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Илюхина З.П., Спицын А.В., Тигиняцу И.М. Краевая фотолюминесценция CdS после облучения ионами галлия и индия. Краткие сообщ. по физике ФИАН,1984, № II, с.8-12.

90. Jones E.D., Mykura Н. Diffusion of gallium into cadmium sulphide. J. Phys. Chem. Solids, 1980, v. 41, N11, p. 1261-1267.-135106. Jones E.D., Mykura H. Diffusion of indium into cadmium sulphide. J. Phys. Chem. Solids, 1978, v, 39, К 1,p. 11-19.

91. Iliev M., Assenow I., Stayanow S. Thermoreflectance of CdS near the fundamental absorption edge. Phys. Stat. Sol. (b), 1970, v. 40, IT 2, p. K51-K53.

92. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.; Мир, 1973, 456 с.

93. Marshall К., Mirta S. Optically active phonon process in CdS and ZnS. Phys. Rev., 1964, v. 134, N 4 A, p. 1019-1025.

94. НО. Курик M.B., Гаваленко М.П., Витриховский Н.И. Магнитная восприимчивость монокристаллов CdS. Укр.физ.щурн., 1964, т. 9, № II, с.1217-1220.

95. Витриховский Н.И., Мизецкая И»Б. Легирование крупных кристаллов CdS в процессе их роста и некоторые физические характеристики полученных образцов. Изв. АН СССР, сер.физичес-кая, 1964, т.28, № 8, с.1316-1317.

96. Каськ Р., Коппел X. О системе Zn2Sj CdS. Изв. АН ЭССР, сер.хим.геол., 1973, т.22, № I, с.42-45.

97. Акимченко Н.П., Вавилов B.C., Галкин В.В., Иванов B.C., Крас-нопевцев В.В., Малютин Ю.В. Синтез карбида кремния при внедрении ионов Si в алмаз. ФТП, 1972, т. 6, № 6, с.1182-1184.

98. Белый М.И., Гуманский Г.А., Карась В.И., Ломако В.М., Ташлыков И.С., Тишков B.C. Синтез соединений A1xGaixAs иf*

99. GaAs1-xPx при внедрении ионов А1 и Р в GaAs. -ФТП, 1975, т.9, № 10, с.2027-2029.

100. Георгобиани А.Н., Илюхина З.П., Спицын А.В., Тигиняну И.М. Свойства системы ZnS: in+ при больших дозах внедренного индия. Краткие сообщ. по ифизике ФИАН, 1981 № 8, с.31-35.

101. Nakanishi Н., Endo S., Irie Т. Optical absorption in Cdln^-136- Japan. J. Appl. Phys., 1973, v. 12, H 10, p. 2011-2019.

102. Титов В.В. Труды П Советско-американского семинара по ионной имплантации. Пущино, 1979, с.319.

103. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Темкин М.М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплан-тированных примесей. М:: Изд-во, ЕГУ, 1980, 352 с.

104. Pavlov P.V., 2orin E.I., Tetelbaum D.I. Proceedings of the International Conference on Ion Implantation of Semiconductors. Budapest, 1975.

105. Георгобиани A.H., Грузинцев A.H. Исследование структуры полос люминесценции монокристаллов Cdin2s^ . Оптика твер-fiODO тела (межвед.сборник), М.: изд-во МФТИ, 1983, с.185-189.

106. Дерид О.П., Станчу А.В, Сб.: Полупроводниковые приборы и материалы. Кишинев, "Штиинца", 1973, с.33-39.

107. Бродин М.С., Городецкий И.Я., Корсунская Н.Е., Шаблин И.Ю. Образование собственных дефектов при лазерном облучении и их влияние на фотоэлектрические свойства CdS . Укр.физ. журн., 1979, т.24, № 10, с.1539-1542.

108. Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Тигиняну И.М. Исследование локальных состояний в Cdln2s4 , Краткие сообщения по физике ФИАН, 1984, Ш 9, с.37-41.

109. Anedda A., Garbato L., Raga P., Serpi A. Photoconductivity and trap distribution in CdlngS^. Phys. Stat. Sol.(a), 1978, v. 50, Ж 2, p. 643-651.

110. Бочков Ю.В. Исследование люминесценции, фотоэлектрических и электрофизических характеристик сульфида цинка и диодов на его основе. Автореферат Диссер. на соиск. степени канд. физ.-мат.наук. - Москва, 1979, 18 с.

111. Георгобиани А.Н., Тигиняну И.М. Антиструктурные дефекты иинверсия типа проводимости в соединениях A^BgV^. Краткие сообщения по физике, 1984, № 2, с.25-29,

112. Garlick G.F.J., Gibson А.P. The electron trap mechanism of luminescence in sulphide and silicate phosphors. Proc. Phys. Soc., 1948, v. 60, p. 574-590.

113. Shimiru H., Ohbayashi Y., Yamamato K., Abe K. Lattice vibrations in spinel-type CdIn2S^. J. Phys. Soc. Japan., 1975, v. 38, H 3, P. 750-754.

114. Bruesch P.p., Ambrogio P. Lattice dynamics and magnetic ordering in the chalcogenide. Phys. Stat. Sol. (b), 1972, v. 50, p. 513-521.

115. ИЗО. Радауцан С.И., РДерид Ю.О., Житарь В.Ф., Дерид О.П. Диаграмма системы CdS Ga2S3 Докл. АН СССР, 1983, т.267, № 3, с.673-675.

116. Hahm Н., Prank G., Klingor W., Storger G. Ternary chalcogenides of aluminium, gallium and indium with zinc, cadmium and mercury. Zs. Anorg. Allg. Chem., 1955,v.279,p. 241-270.

117. Neuman H. Influence of intrinsic defects on the electrical1.III VIproperties of А В C2 compounds. Cryst. Res. and Tech-nol., 1983, V. 18, N 4, p. 483-491.

118. Георгобиани A.H., Доцу B.C., Илюхина ЗЛ., Павленко В.И., Тигиняну И.М. Голубая фотолюминесценция тиогаллата кадмия. -ФТП, 1983, т.17, в.8, с.524-526.

119. Житарь В.Ф., Мачуча А.И., Ралауцан С.И. Стимулированное излучение в тиогаллате кадмия при электронном возбуждении. -Опт. и спектр., 1984, т.51, с.948-950.

120. Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Тигиняцу И.М. Исследование локальных состояний CdGa2s4 . Краткие сообщения по физике,1981, № 2, с.3-7.

121. Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Тигиняну И.М, Глубокие центры в некоторых кристаллах и расчет их параметров. Оптика твердого тела /межведом, сборник/, М.: изд-во МФТИ, 1983, с.19-25.

122. Гусейнов Г.Г., Керимова Т.Г., Нани Р.Х. Уточнение кристаллической структуры CdGa2s4 » Изв. АН Азейрдб.СССР, сер. физ.-мат., 1980, тД, в.4, с.59-61.

123. Радауцан С.И., Сырбу Н.Н., Небола И.И. и др. Структура энергетических зон и двухфононное поглощение в кристаллах CdGa2S4 и CdGa2Se4 . ФТП, 1977, t.II, № X, с. 69-74.

124. Georgobiani А.Н., Gruzintsev A.N., Ilyukhina 2.P., Terlevan V.E., Tiginyanu I.M. Photoconductivity and non-equilibrium carrier recombination in CdIn2S4 single crystals. Phys. Stat. Sol. (a), 1984, v. 82, p. 207-212.

125. Георгобиани A.H., Грузинцев A.H., Илюхин З.П., Радауцан С.И., Тигиняну И.М. Влияние ионного обручения на свойства соединений ABg S^. Тезисы УП Международной конференции по ионной имплантации. - Вильнюс, 1983, с.335.

126. Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Дону B.C., Спицын А.В., Тигиняну И.М. Способ получения слоя тройного полупроводникового соединения. Авторское свидетельство на изобретение

127. I123467, КЛ МКИ Н 01 , 1984 , с.1-7.