Электронно-энергетическая структура и взаимодействие электронных состояний в полупроводниковых соединениях сложного состава тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1 Обзор кристаллографических данных, физических свойств и электронно-энергетической структуры сложных полупроводниковых халькогенидов и их твердых растворов.

1.1. Соединения типа А1!}"1^1 и BeCN2 со структурой халькопирита. Теоретический расчет кристаллографических параметров в этих соединениях с использованием атомных радиусов.

1.2. Кристаллическая структура некоторых соединений с медью: СиО, Cu20, CuF2, CuCl, CuS, Cu2Se.

1.3. Соединения типа A'^'Cj1 со структурой шпинели (CdIn2S4) и "дефектного" халькопирита (CdGa2S4) и соединение InPS4 со структурой дважды "дефектного" халькопирита.

1.4. Перспективные в оптоэлектронике фосфорсодержащие сульфиды T13PS4, Sn2P2S6 и сульфиды семейства TAS (T1AsS2, Tl3AsS3, Tl3AsS4).

1.5. Твердые растворы на основе соединений типа А'В111^1.

Глава 2 Методика расчета плотностей электронных состояний и рентгеновских спектров поглощения в сложных полупроводниковых халькогенидах и их твердых растворах.

2.1. Кластерная версия приближения локального когерентного потенциала (ЛКП).

2.2. Использование самосогласованных потенциалов и приближения полного многократного рассеяния в расчетах плотностей электронных состояний и рентгеновских спектров поглощения сложных полупроводников (программа FEFF8).

2.3. Применение метода многократного рассеяния ограниченной кратности в программе FEFF7 для расчета рентгеновских спектров поглощения в некоторых халькопиритоподобных соединениях.

Глава 3 Зависимость электронно-энергетической структуры полупроводников со структурой халькопирита от кристаллографических параметров и теоретические расчеты p-d резонансного взаимодействия для различных кристаллических структур.

3.1. Влияние длины связи анион - благородный металл на p-d резонансное взаимодействие в халькопиритах A1BniCj1.

3.2. Зависимость ширины запрещенной полосы Eg в соединениях типа А'В111^1 от длины связи BUI-CVI.

3.3. Особенности электронно-энергетического строения гипотетического халькопирита BeCN2 в сравнении с ЭЭС его изоэлектронных и изоструктурных аналогов - элементарного алмаза и бинарного BN.

3.4. Исследование p-d резонансного взаимодействия в ряде соединений меди с различной кристаллической структурой.

3.5. Интерпретация спектров оптического отражения R(E) на основе теоретических расчетов комбинированной плотности состояний.

3.5.1. Экспериментальное определение действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости.

3.5.2. Теоретический расчет диэлектрической проницаемости среды в полупроводниках.

Глава 4 Электронно-энергетическая структура и химическая связь сложных полупроводниковых халькогенидов.

4.1. Комплексное исследование электронно-энергетического строения соединений In2S3 и CdIn2S4, кристаллизующихся в структуре шпинели.

4.2. Электронно-энергетическая структура ряда халькопиритоподобных соединений AgGaS2 - CdGa2S4 - InPS4.

4.3. Особенности химической связи в фосфорсодержащих сульфидах InPS4, TI3PS4 и Sn2P2S6. ■

4.4. Расчеты плотностей электронных состояний и рентгеновских спектров поглощения в соединениях семейства TAS.

Глава 5 Исследование зависимости ширины запрещенной полосы

Eg в твердых растворах на основе соединений типа А'в111^1.

5.1. Квантово-механические расчеты электронно-энергетической структуры в халькопиритоподобных твердых растворах CuGa(SxSe]x)2 в приближении виртуального кристалла.

5.2. Интерпретация нелинейной зависимости ширины запрещенной полосы Её в твердых растворах Cux Ag,xB,nC21.

В последнее время благодаря достижениям полупроводникового материаловедения в оптоэлектронике и твердотельной электронике материалы на основе элементарных и бинарных соединений успешно заменяются соединениями, содержащими три и большее число химических элементов. Сложные по составу и кристаллической структуре полупроводниковые кристаллы, в основном это халькогениды, обладают рядом важных физических свойств, которые делают их перспективными для использования в новых приборах и устройствах, работающих в оптическом диапазоне от ультрафиолета до ближней ИК области включительно. Нелинейные, электрические и акустооптические характеристики таких материалов таковы, что они с успехом заменяют традиционные оксиды. Например, исследуемые в работе соединения AgGaS2, CdGa2S4, InPS4, Sn2P2S6 весьма перспективны для использования в устройствах нелинейной оптики и электрооптики, а соединения Tl3AsS4 и T13PS4 - акустооптике. Высокой фоточувствительностью и значительной люминесценцией обладают кристаллы соединений типа A^^Cj1 - CdIn2S4, CdGa2S4 и HgGa2S4. В устройствах нелинейной оптики могут найти применение T1AsS2 и Tl3AsS3, поскольку у них наблюдается значительное двулучепреломление, а для изготовления узкополосных фильтров - ги-ротропные кристаллы CdGa2S4, AgGaS2 и CuGaS2.

Исследуемые в настоящей работе соединения типа А1ВШС21 и их твердые растворы, являющиеся изоструктурными и изоэлектронными аналогами хорошо известных соединений типа AnBvl, обладают рядом перспективных в практическом отношении свойств. Существенное уменьшение ширины запрещенной полосы Eg в А'В111^11 по сравнению с AnBVI позволяет использовать некоторые из них, например, CuInSe2, в ячейках солнечных батарей. Соединения типа А'ВшС^! и твердые растворы на их основе кристаллизуются в структуре халькопирита, которая является сверхструктурой решетки сфалерита (цинковой обманки). Для соединений типа AV'Cj1, где (А1 = Си или Ag), характерно, во-первых, смеще6 ние анионов (атомов CVI) из их идеального положения в сфалерите и, во-вторых, значительное влияние электронных d-состояний благородных металлов (Си, Ag) на верхнюю часть валентной полосы. Исследование влияния этих факторов на электронно-энергетическое строение соединений А'В11^1 и на основной физический параметр полупроводника - ширину запрещенной полосы Eg, в литературе проведено недостаточно и составляет одну из задач данной работы.

Таблица 1 Основные объекты исследования (выделены) и ряд соединений для тестирования расчетных методов.

Соединение Тип кристаллической структуры, пространственная группа.

KCljPbS типNaCl, кубическая FmSm-Oj,

GaN гексагональная Р63 mc - C46v

Алмаз (С) кубическая гранецентрированная Fd3m

CuCl; BN; ZnSe сфалерит, кубическая гранецентрированная F43m-Td2

CuGaS2; AgGaS2; CuGaSe2; CuInSe2;

AgInSe2; BeCN2 халькопирит, тетрагональная,

Твердые растворы CuGa(SxSei.x)2; CuxAgixGaS2; CuxAgbxInSe2 I42d-D'2d

CdGa2S4 "дефектный халькопирит", тетрагональная I4-S4

InPS4 дважды "дефектный халькопирит", тетрагональная 14 -S2

CdIn2S4; In2S3 нормальная шпинель, кубическая Fd3m

TI3PS4; Tl3AsS4 ромбическая примитивная Pnma - D^

Tl3AsS3 гексагональная R3m

T1AsS2; Sn2P2S6 моноклинная примитивная Р2, /с - С^

CuS гексагональная P63/mmc-Dgh

Cu2Se тип CaF2, кубическая Fm3m

CuO; С2/с - Cjh |

CuF2 Г5 ( моноклинная

Cu20 кубическая РпЗт

В целом эффективность прикладного применения материалов зависит от степени их всестороннего изучения теоретическими и экспериментальными фи7 зико-химическими методами. Особую важность представляет исследование электронно-энергетической структуры полупроводниковых соединений и на этой основе взаимодействия электронных состояний, влияющих на ширину запрещенной полосы Её.

Исследуемые в диссертации соединения представлены в таблице 1.

Из-за сложной кристаллической структуры для большинства представленных в таблице 1 соединений строгие квантово-механические расчеты электронно-энергетической структуры отсутствовали. Систематические исследования ЭЭС в них не проводились, литературные данные ограничиваются в основном результатами, полученными методом рентгеновской спектроскопии. Таким образом, цель работы состоит в исследовании электронно-энергетической структуры сложных полупроводниковых соединений на основе проведенных строгих квантово-механических расчетов и привлечения экспериментальных литературных данных. Такое исследование позволило установить особенности химической связи сложных полупроводников и взаимодействия в них электронных состояний, влияющих на ширину запрещенной полосы Eg.

Методы исследования. Достижение поставленной в работе цели предусматривало прохождение следующих этапов:

1. Проведение квантово-механических расчетов плотностей электронных состояний и теоретических рентгеновских спектров поглощения, используя три различных пакета программ:

• пакета программ, реализующих приближение локального когерентного потенциала (ЛКП) авторов И.Я.Никифорова, Е.В.Штерна, А.Б.Колпачева;

• программы FEFF8 авторов А.Л.Анкудинова, Дж.Рера, Б.Равиля (США);

• программы FEFF7 авторов Дж.Рера, Р.Алберса и других (США).

Все программы прошли тестирование на различных объектах, что отражено в литературных источниках.

2. Сопоставление результатов проведенных теоретических ab initio расчетов с соответствующими литературными экспериментальными рентгеновскими и рентгеноэлектронными спектрами для формирования полной картины электронно-энергетического строения исследуемых полупроводников, позво8 ляющей определить в них особенности взаимодействия электронных состояний, влияющих на основной параметр этих полупроводников - ширину запрещенной полосы Её.

Научная новизна. Используя только тетраэдрические ковалентные радиусы, рассчитаны все кристаллографические параметры гипотетического халькопирита BeCN2 и на этой основе в рамках приближения локального когерентного потенциала рассчитана его электронно-энергетическая структура, особенности которой сравниваются с ЭЭС изоструктурных и изоэлектронных аналогов BeCN2 - алмазом и кубическим BN.

В соединениях А^С^А1 = Си, Ag; Вш = Ga, In; CVI = S, Se) исследовано влияние параметра смещения анионов и в решетке халькопирита по сравнению с их положением в решетке сфалерита на расщепление р-состояний атома CVI (S, Se) и d-состояний Си и Ag, а также на смещение свободных s-состояний атома Bm (Ga, In), приводящее к изменению положения по энергии дна зоны проводимости и, таким образом, к изменению величины оптической запрещенной полосы Eg.

Установлено для исследованных композиций тройных халькогенидов, имеющих сложную кристаллическую структуру, что значительно более точное соответствие энергетического положения максимумов теоретических А'-спектров поглощения своим экспериментальным аналогам может быть достигнуто только в самосогласованном расчете, а для получения близкой к эксперименту форме К-краев поглощения около порога необходимо проводить расчет в приближении полного многократного рассеяния.

Проведенное исследование электронно-энергетической структуры "дефектного" халькопирита CdGa2S4 и дважды "дефектного" халькопирита I11PS4, имеющих стехиометрические псевдовакансии, выявило, что эти псевдовакансии не меняют строения электронно-энергетических полос и, следовательно, форму рентгеновских эмиссионных спектров по сравнению с недефектными соединениями, например, с CdIn2S4. Проведенные расчеты по методу ЛКП показали, что плотность электронных состояний в пустых сферах, которые моделировали 9 трансляционные псевдовакансии, лишь дублирует форму кривых, соответствующих электронным состояниям своих ближайших соседей.

Самосогласованные расчеты электронно-энергетического спектра ряда соединений меди с различной кристаллической структурой - CuGaS2 (халькопирит), CuS (гексагональная структура), Cu2Se (структурный тип CaF2), соединений СиО и CuF2 с моноклинной сингонией, Cu20 с кубической симметрией и, наконец, соединения CuCl со структурой сфалерита в сравнении с литературными экспериментальными рентгеновскими и рентгеноэлектронными спектрами показали, что резонансное взаимодействие р-состояний аниона и d-состояний Си имеет ковалентный характер химической связи этих атомов и приводит к расщеплению, как р-состояний аниона, так и d-состояний Си. Доля не участвующих в гибридизации d-состояний Си растет с увеличением симметрии окружения аниона атомами меди.

Впервые проведенные квантово-механические самосогласованные расчеты плотностей электронных состояний и рентгеновских спектров поглощения с привлечением литературных рентгеновских К- и L-спектров эмиссии и поглощения серы позволили установить энергетическое распределение электронных состояний и особенности химической связи в сложных по составу и кристаллической структуре сульфидах TI3PS4, Sn2P2S6 и соединениях, объединенных общей формулой TAS (T1AsS2, T13AsS3, T13AsS4). Обнаружено, что в химической связи P-S в фосфорсодержащих сульфидах TI3PS4, Sn2P2S6 и InPS4 имеется значительная доля ионной составляющей.

На соединениях типа А'В111^1 (CuInSe2, AgInSe2, CuGaS2) апробирована методика интерпретации экспериментальных спектров оптического отражения, которая предусматривает теоретический расчет локальных парциальных плотностей электронных состояний, проведение операции свертки полученных в результате занятых и свободных состояний с учетом дипольных правил отбора и получения парциальных комбинированных плотностей, сравниваемых со спектром R(E). Такое сравнение позволяет идентифицировать отдельные пики спектра R(E), как переходы электронов с состояний валентной полосы одной сим

10 метрии на состояния полосы проводимости, разрешенные дипольными правилами отбора, а также оценить "мощность" таких переходов.

По рассчитанным полным плотностям электронных состояний проведена оценка Eg в твердых растворах CuGa(SxSe,x)2, где х = 0.17; 0.33; 0.5; 0.67; 0.83 и получена зависимость Eg = f(jc), которая имеет совпадающий с экспериментом линейный характер.

Впервые проведенные самосогласованные расчеты плотностей электронных состояний в 50% твердых растворах CuxAgI.xBIUC^1 показали, что одновременно происходящее гибридизационное взаимодействие р-состояний атома CVI и d-состояний атома А1 (Си, Ag) приводит, как к расщеплению этих состояний, так и расталкиванию d-состояний Си и Ag, что и объясняет нелинейную зависимость Eg = f(jt).

Научная и практическая ценность. Результаты и выводы диссертационной работы, полученные на основе квантово-механических расчетов с привлечением многочисленной экспериментальной информации по рентгеновским и рентгеноэлектронным спектрам, существенно расширяют представления о электронно-энергетическом строении сложных по кристаллической структуре и составу полупроводниковых соединений типа A^fCj1, фосфорсодержащих сульфидов InPS4, TI3PS4, Sn2P2S6, соединений, объединяемых общей формулой TAS (T1AsS2, T13AsS3, T13AsS4), а также некоторых соединений типа А1ВЛ1С^1 и их твердых растворов. Проведенные модельные расчеты ЭЭС в соединениях А'В111^1 с различными кристаллографическими параметрами позволили выявить особенности изменения ширины запрещенной полосы Eg в этих соединениях, а для твердых растворов CuxAg,xBinC21 установить физические причины нелинейного характера Eg = f(x). Такие выводы могут быть ценны в области полупроводникового материаловедения при создании материалов с заданными свойствами. В целом результаты диссертационной работы могут найти применение в тех организациях, где проводятся квантово-механические расчеты и применяются методы рентгеновской и рентгеноэлектронной спектроскопии к задачам анализа электронно-энергетической структуры сложных полупроводниковых ве

11 ществ и их твердых растворов, а также разработкой и созданием на их основе приборов в твердотельной микроэлектронике и оптоэлектронике.

Личный вклад автора. Основные научные результаты и выводы, изложенные в диссертации и в публикациях по теме, формулировка положений выносимых на защиту, получены автором под руководством А.А.Лаврентьева. Выбор объектов исследования, постановка и обсуждение задач, решаемых в данной работе, автором сделаны совместно с А.А.Лаврентьевым и И.Я.Никифоровым. На отдельных этапах работы при решении конкретных задач принимал участие Б.В.Габрельян.

Разработка методики расчета ЭЭС в приближении ЛКП, алгоритм и базовая версия компьютерных программ принадлежит И.Я.Никифорову, Е.В.Штерну и А.Б.Колпачеву.

Помощь в работе оказали авторы программного пакета FEFF Дж.Рер (США) и А.Л.Анкудинов (США), консультируя по алгоритму программы и участвуя в обсуждении некоторых результатов исследования.

Автору принадлежит ряд сервисных программ для улучшения использования основных пакетов программ расчетов электронно-энергетической структуры исследуемых веществ.

Апробация работы. По материалам диссертации опубликованы 18 работ, из них 6 статей в реферируемых научных журналах. Основные результаты доложены на следующих конференциях:

1. 3rd Russian-German Seminar on Electron and X-ray Spectroscopy (Yekaterinburg, 1999);

2. XVIII научной школе-семинаре "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь" (Воронеж, 2000 г.);

3. XI International Conference on X-ray Absorption Fine Structure XAFS XI (Ako, Japan, 2000).

Основные результаты и научные положения, выносимые на защиту:

1. В халькогенидах CdIn2S4, In2S3, CdGa2S4, InPS4, T13PS4, Sn2P2S6, Tl3AsS4, Tl3AsS3, T1AsS2 с глубоколежащими d-состояниями металлов электронно-энергетическая структура их валентных полос определяется преимуществен

12 но типом атомов ближайшего окружения халькогена, а не особенностями их геометрического расположения и количественного состава вокруг атома халькогена.

2. Химическая связь фосфор - сера в исследованных фосфорсодержащих сульфидах обладает значительной ионной составляющей.

3. Ширина запрещенной полосы в соединениях А'В111^1 определяется, во-первых, положением незанятых s-состояний атома Вш (Ga, In), лежащих вблизи дна полосы проводимости, и, во-вторых, расщеплением валентных р-состояний аниона и d-состояний благородного металла за счет их резонансного взаимодействия. При этом величина расщепления линейно зависит от длины связи благородный металл - анион.

4. В халькопиритоподобных твердых растворах CuGa(SxSe1.x)2 линейный характер зависимости Eg(x) определяется преобладающим влиянием резонансного взаимодействия d-состояний Си с р-состояниями S и Se. В то же время, в твердых растворах CuxAg,xB1IICjI (Вш = Ga, In; CVI = S, Se) "расталкивание" d-состояний Си и Ag за счет их резонансного взаимодействия с р-состояниями аниона приводит к нелинейной зависимости Eg(x).

13

Основные результаты и научные положения диссертации опубликованы в перечисленных ниже работах:

I. Статьи в реферируемых журналах:

1. Лаврентьев А.А., Сафонцева Н.Ю. Дубейко В.А., Габрельян Б.В., Никифоров И .Я. Электронно-энергетическая структура полупроводниковых шпинелей In2S3 и CdIn2S4 по данным рентгеновской спектроскопии и теоретических расчетов. // ФТТ -2000.- 42, N11.- с.1992-1997.

2. Lavrentyev А.А., Gabrelian B.V., Dubeiko V.A., Nikiforov I.Ya., Rehr J.J. The X-ray K-absorption spectra of phosphorus and sulfur in InPS4: experiment and theory. // J.Phys. and Chem. of Solids. - 2000. - 61, N12. - p.2061-2063.

191

3. Lavrentyev A. A., Nikiforov I.Ya., Dubeiko V.A., Gabrelian B.V., Rehr J J. The use of the FEFF8 code to calculate the XANES and electron density of states of some sulfides. // J.Synchrotron.Rad. - 2001. - Vol.8, Part 2. - p.288-290.

4. Габрельян Б.В., Лаврентьев А.А., Никифоров И.Я., Дубейко В.А. Расчет электронных состояний в InPS4 и сравнение с экспериментальными рентгеновскими спектрами. // Журнал структурной химии. - 2001. - 42, N3. - с.597-600.

5. Лаврентьев А.А., Габрельян Б.В., Дубейко В.А., Никифоров И.Я. Влияние положения анионов на электронно-энергетическую структуру соединений CuGaS2 и AgGaS2 . // Журнал структурной химии. - 2001. - 42, N3. - с.463-474.

6. Лаврентьев А.А., Никифоров И.Я., Дубейко В.А., Габрельян Б.В., Домашев-ская Э.П., Rehr J.J., Ankudinov A.L. d-p Резонансное взаимодействие в соединениях меди с различными кристаллическими структурами. // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2001. - 3, N2. - с. 107-121.

II. Тезисы докладов конференций:

1. Gabrelian B.V., Lavrentyev A.A., Nikiforov I.Ya., Dubeyko V.A. The calculation of the electron states in InPS4 and the comparison with the experimental x-ray spectra. // Abstracts / 3rd Russian-German Seminar on Electron and X-ray Spectroscopy - Yekaterinburg, Russia. - 1999. - p.32.

2. Лаврентьев A.A., Габрельян Б.В., Дубейко B.A., Никифоров И.Я. Расчет полных плотностей электронных состояний и оценка по ним ширин запрещенных полос в твердых растворах CuGa(SxSeix)2. // Тез.докл. / XVIII научная школа - семинар "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь". - Воронеж. - 2000. - с.14.

3. Лаврентьев А.А., Дубейко В.А.,Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Рентгеновские спектры и расчет плотностей электронных состояний в сложных полупроводниках Tl3AsS3, TI3PS4 и TI3ASS4. // Тез.докл. / XVIII научная школа

192 семинар "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь". - Воронеж. - 2000. - с.38.

4. Лаврентьев А.А., Габрельян Б.В., Дубейко В.А., Никифоров И .Я. Электронно-энергетическое строение ряда халькопиритоподобных соединений AgGaS2 - CdGa2S4 - InPS4. // Тез.докл. / XVIII научная школа - семинар "Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь". - Воронеж. -2000.-c.39.

5. Lavrentyev, Gabrelian B.V., Dubeiko V.A., Nikiforov I.Ya., Rehr J.J. The use of FEFF8 code to calculate XANES and electron density of states of some sulfides. // Abstract P2-039 (XAFS Analysis)/ XI International Conference on X-ray Absorption Fine Structure XAFS XI. - Ako, Japan. July 26-31.- 2000. - p. 182.

III. Депонированные рукописи ВИНИТИ:

1. Лаврентьев А.А., Дубейко В.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Экспериментальные и теоретические рентгеновские К-спектры поглощения серы и фосфора в ряду соединений AgGaS2 - CdGa2S4 - InPS4. // Деп. ВИНИТИ. -9.02.00г.-N298-B2000.-20с.

2. Лаврентьев А.А., Габрельян Б.В., Дубейко В.А., Никифоров И.Я. Влияние положения анионов на электронно-энергетическую структуру соединений А'ВШС^. // Деп. ВИНИТИ. - 29.03.00г. - N821-В2000. - 32с.

3. Лаврентьев А.А., Дубейко В.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Рентгеновские спектры и электронно-энергетическая структура полупроводниковых шпинелей In2S3 и CdIn2S4. // Деп. ВИНИТИ. - 10.04.00г. -N958-B2000. - 36с.

4. Лаврентьев А.А., Дубейко В.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Оптические явления в полупроводниках и расчеты комбинированной плотности состояний для интерпретации тонкой структуры спектров оптического отражения R(E). // Деп. ВИНИТИ. - 29.03.01г. -N782-B2001. - 35с.

5. Лаврентьев А.А., Дубейко В.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Расчеты плотностей электронных состояний и рентгеновского спектра поглощения в

193 соединении NaBiS2 (тип A'B^Cj1) и сопоставление их с экспериментальными данными. // Деп. ВИНИТИ. - 29.03.01г. -N783-B2001. - 7с.

6. Лаврентьев А.А., Домашевская Э.П., Дубейко В.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. Теоретические расчеты p-d резонансного взаимодействия для различных кристаллических структур.// Деп. ВИНИТИ. - 29.03.01г. - N784-В2001. - 38с.

7. Лаврентьев А.А., Домашевская Э.П., Дубейко В.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я. К вопросу о нелинейном характере запрещенной полосы Eg в твердых растворах Cux AglxBluC^. // Деп. ВИНИТИ. - 29.03.01г. - N785-B2001. -27с.

194

1. Jaffe J.E., Zunger A. Theory of the band-gap anomaly in ABC2 chalcopyrite semiconductors. //Phys. Rev. B. - 1984. -29, N4. -p.l822-1906.

2. Abrahams S.C., Bernstein J.L. Crystal structure of piezoelectric nonlinearoptic AgGaS2. // J.Chem.Phys. 1973. - 59, N4. - p. 1625-1629.

3. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. Под ред. Новоселовой А.В. и Лазарева В.Б. М.: Наука, 1979. - 340с.

4. Ворошилов Ю.В., Сливка В.Ю. Аноксидные материалы для электронной техники. Львов: Вища школа, 1989. - 200с.

5. Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Советское радио, 1968.-268с.

6. Лазарев В.Б., Киш 3.3., Переш Е.Ю., Семрад Е.Е. Сложные халькогениды в системах А^В111-^1. М.: Металлургия, 1993. - 240с.

7. Abrahams S.C., Bernstein J.L. Piezoelectric nonlinear optic CuGaS2 crystal structure: Sublattice distortion in AIBIIIC^1 and AUBIVC2 type chalcopyrites. // J. Chem. 1973. - 59, N10. - p.5415-5422.

8. Кребс Г. Основы кристаллохимии неорганических соединений. М.: Мир, 1971.-304с.

9. Rife J.C., Dexter R.N., Bringenbaygh P.M., Veal B.W. Optical properties of the chalcopyrite semiconductors ZnGeP2, ZnGeAs2, CuGaS2, CuA1S2, CuInSe2 and AgInSe2. // Phys. Rev. B. 1977. - 16, N10. - p.4491-4500.

10. Kono S., Okusawa M. X-ray photoelectron investigation of the valence bands in I-III-VI2-compounds. // J. Phys. Soc. Jpn. 1974. - 37, N5. - p. 1301-1304.

11. Luciano M. J., Vesely С J. Valence band density of states and core level shifts of AgGaS2 as determined by x-ray photoemission. // Appl. Phys. Lett. 1973. -23, N2. -p.60-61.

12. Sommer H., Leonhardt G., Meisel A., Hirsh D. Investigation of the band structure of ternary semiconductors by means of x-ray emission and photoelectron spectroscopies. // Jap. J. of Appl. Phys. 1978. - 17. - p.278-280.195

13. Braun W., Goldmann A., Cardona M. Partial density of valence states of amorphous and crystalline AgInTe2 and CuInS2. // Phys. Rev. B. 1974. - 10, N12. -p.5069-5074.

14. Takarabe K., Kawai K., Minomura S., Irie Т., Taniguchi M. Electronic structure of some I-III-VI2 chalcopyrite semiconductors studied by synchrotron radiation. // J. Appl. Phys. 1992. - 71, N1. -p.441-447.

15. Лаврентьев А.А. Электронно-энергетическая структура полупроводниковых сульфидов сложного состава по данным рентгеновской спектроскопии: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07, Ростов н/Д, 1985. 209с.

16. Domashevskaya Е.Р., Marshakova L.N., Terekhov V.A., Lykin A.N., Ugai Ya.A., Nefedov V.I., Salyn Ya.V. Role of noble metal d-states in the formation of the electron structure of ternary sulfides. // Phys. stat. sol. (b). 1981. - 106, N2. -p.429-435.

17. Lavrentyev A.A., Gusatinskii A.N., Blokhin M.A., Soldatov A.V., Bodnar I.V., Letnev V.A. The electron energy structure of А'ВШС^ compounds. // J. Phys. C: Solid State Phys. 1987. - 20. - p.3445-3452.

18. Лаврентьев А.А., Никифоров И.Я., Колпачев А.Б., Габрельян Б.В. Экспериментальное и теоретическое исследование электронной структуры полупроводников CdS, InP, InPS4, CuGaS2, AgGaS2. // ФТТ. 1996. - 38, N8. -c.2347-2362.

19. Sainctavit Ph., Petiau J., Flank A.M., Ringeissen J., Lewonczuk S. XANES in chalcopyrites semiconductors: CuFeS2, CuGaS2, CuInSe2. // Physica B. 1989. -158. - p.623-624.

20. Petiau J., Sainctavit Ph., Calas G. К X-ray Absorption Spectra and Electronic Structure of Chalcopyrite CuFeS2. // Materials Science and Engineering. 1988. -Bl. -p.237-249.

21. Toyoda Т., Masujima Т., Shiwaku H., Nakanishi H., Endo S., Irie Т., Shiozaki I., Iida A., Kawata H., Ando M. X-ray photoacoustic absorption spectra of CuInSe2. // J. Cryst. Growth. 1990. - 99, N1. - p.762-765.

22. Shirakata S., Murakami K., Isomura S. Electroreflectance studies in CuGaS2. // Jap. J. of Appl. Phys. 1989. -28, N9. -p.l 728-1729.

23. Domashevskaya E.P., Terekhov V.A. d-s,p Resonanse and Electronic Structure of Compounds, Alloys and Solid Solutions. // Phys. stat. sol. (b). 1981. - 105, N2. -p.121-127.

24. Jaffe J.E., Zunger A. Electronic structure of ternary chalcopyrite semiconductors CuA1S2, CuGaS2, CuInS2, CuAlSe2, CuGaSe2 and CuInSe2. // Phys. Rev. B. 1983. - 28, N10. - p.5822-5847.

25. Jaffe J.E., Zunger A. Anion displacements and the band-gap anomaly in ternary ABC2 chalcopyrite semiconductors. // Phys. Rev. B. 1983. - 27, N8. - p.5176-5179.

26. Shay J.L., Tell B. Energy band structure of I-III-VI2 semiconductors. // Surface Science. 1973. -37. -p.748-762.

27. Wyckoff R.W.G. Crystal structures. // Interscience Publ.Co., New York. 1965. -l.-p.467.

28. Rehwald W. Band structure of spinel-type semiconductors. // Phys.Rev. -1967. -155, N3.-p.861-868.

29. Бокий Г.В. Введение в кристаллохимию. М.: Из-во Московского ун-та, 1954.-490с.

30. Meloni F., Mula G. Pseudopotential calculation of the band structure of CdIn2S4. // Phys.Rev В. 1970. - 2, N2. - p.392-396.

31. Baldereschi A., Meloni F., Aymerich F., Mula G. Electronic properties of the defect-zincblende semiconductor CdIn2Se4. // Solid State Commun. 1977. -21, N1. - p.113-116.

32. Cerrina F., Quaresima C., Abbati I., Braicovich L., Picco P., Margaritondo C. Electronic states of CdIn2S4 and of other II III2 - VI4 compounds: how sensitive are they to the crystal structures? // Solid State Commun. - 1980. - 33, N4. -p.429-431.

33. Gusatinskii A.N., Lavrentyev A.A., Blokhin M.A., Slivka V.Yu. X-ray spectrum investigation of electron energy structure of semiconductor compounds CdIn2S4, CdGa2S4 and HgGa2S4. // Solid state, commun. 1986. -57, N6. - p.389-393.

34. Neumann H., Kissinger W., Levy F., Sobotta H., Riede V. Electrical and infrared optical properties of CdIn2S4 single crystals grown by chemical transport. // Cryst. Res. and Technol. 1989. - 24, N11. - p. 1165-1169.

35. Тэзлеван B.E., Нистирюк И.В., Радауцан С.И., Рацеев С.А. Зарядовые состояния примесных атомов олова и их влияние на электропроводность In2S3. // ФТТ (Ленинград). 1990. - 32, N10. - с.3157-3159.

36. Tezlevan V.E., Retseev S.A., Lialikova R.Yu., Radautsan S.I. Stoichiometry of sulphur in In2S3, C(Un2S4 and AgIn5S3 single crystals. // Jap. J. Appl. Phys. Pt.l.- 1993.-32, Suppl. 32-3.-p.101-102.

37. Syrbu N.N., Bogdanash M., Moldovyan N.A. Vibrational modes in ZnAl2S4 and CdIn2S4 crystals. // Infrared Phys. and Technol. Infrar. Phys.. 1996. -37, N7. - p.763-768.

38. Сырбу H.H., Богданаш M., Тезлеван В.Е. ИК колебательные моды кристаллов MgIn2S4 и CdIn2S4. // Оптика и спектроскопия. 1997. - 82, N2.- с.272-277.

39. Sugiura С., Yorikawa Н., Muramatsu S. Sulfur Кр x-ray emission spectra and valence band structures of metal sulfides. // J.Phys.Soc.Jap. - 1997. - 66, N2. -p.503-504.

40. Aldon L., Uhrmacher M., Brand., Ziegeler L., Roth J., Schaaf P., Metzner H., Oliver-Fourcade J., Jumas J.C. Perturbed angular correlahion study of the thiospinel p-In2S3. //Phys.Rev.B. 1998. - 58, N17. - p.l 1303-11312.

41. Bessergenev V.G., Bessergenev A.V., Ivanova E.N., Kovalevskaya Yu.A. Study of In2S3 thin films by diffraction of synchrotron radiation. // J.Solid State Chem. 1998. - 137, Nl. -p.6-ll.

42. Fritz I.J., Isaacs T.J., Gottlieb M., Morosin B. Structure and soft mode behavior of two chalcogenide crystals. // Sol. State Commun. 1978. - 27, N5. - p.535-539.

43. Стефанович B.A., Ворошилов Ю.В., Поторий M.B., Сливка В.Ю. Колебательные спектры и кристаллические структуры Tl3AsS4(Se4), Tl3PS4(Se4). // Журнал прикладной спектроскопии. 1979. - 31, N8. - с.80-84.199

44. Dittmar G., Schafer H. Die Structur des Di-Zinn-Hexathiohypodiphosphats Sn2P2S6.1 I Z.Naturforsch.B. 1974. - 29, N4. - p.312-317.

45. Берча Д.М., Ворошилов Ю.В., Сливка В.Ю., Туряница И.Д. Сложные халькогениды и халькогалогениды. Львов: Вища школа, 1983. - 181с.

46. Fleet М.Е. The crystal structure and bonding of lorandite Tl2As2S4. // Z.Kristallogr. 1973. -138, N1. - p.147-160.

47. Hong H. Y.-P., Mikkelsen J.S., Roland G.W. Crystal structure of Tl3AsS3. // Mat.Res.Bul. 1974. - 9, N4. - p.365-370.

48. Стефанович B.A., Герасименко B.C., Ворошилов Ю.В., Сливка В.Ю. Оптические свойства TLAsSe2, Tl3AsSe3, Tl3AsSe4. // Физическая электроника. 1979. - N18. - с.76-79.

49. Сливка В.Ю., Ворошилов Ю.В., Чепур Д.В. Материалы квантовой электроники на основе полупроводниковых соединений сложного состава. Физические свойства. // Квантовая электроника (Киев). 1980. - вып. 19. -с.74-93.

50. Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики-полупроводники. М.:Наука, 1976. -408с.

51. Высочанский Ю.М., Сливка В.Ю, Ворошилов Ю.В., Гурзан М.И., Чепур Д.В. Модель фазового перехода в сегнетополупроводнике Sn2P2S6 и динамика его решетки. // Физ. тверд, тела (Ленинград). 1979. - 21, N8. -с.2402-2408.

52. Высочанский Ю.М., Сливка В.Ю, Ворошилов Ю.В., Гурзан М.И., Чепур Д.В. Поляризационные спектры комбинационного рассеяния сегнетополупроводника Sn2P2S6. // Физ. тверд, тела (Ленинград). 1979. -21, N1. - с.211-215.

53. Сливка В.Ю, Высочанский Ю.М., Сало Л.А., Гурзан М.И., Чепур Д.В. Трикритический фазовый переход в Sn2P2(SexSix)2. // Физ. тверд, тела (Ленинград). 1979.- 21, N10. - с.3195-3197.

54. Высочанский Ю.М., Сливка В.Ю, Коперлес Б.М., Гурзан М.И, Чепур Д.В. Сегнетоактивная мягкая мода в твердых растворах (Sn,xPbx )P2S6 и Sn2P2(SjxSex)6. // Физ.тверд.тела (Ленинград) 1979. - 21, N5. - с.1497-1501.

55. Гомоннай А.В., Высочанский Ю.М., Гурзан М.И, Сливка В.Ю. Особенности динамики решетки сегнетоэлектрических твердых растворов Sn2P2(SexSi.x)2. // Физ.тверд.тела (Ленинград). 1983. - 25, N5. - с. 14541458.

56. Заячковский М.П., Майор М.М. Магнитные исследования фазовых переходов в кристаллах SbSJ и Sn2P2S6. // Украин.физ.журнал. 1983. - 28, N8. -с. 1242-1246.

57. Кондратьев А.Н., Иванов В.В. Диэлектрические свойства сегнетоэлектрика Sn2P2S6. // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. (Твер.гос.ун-т) Тверь. - 1995. - с.90-93.

58. Vysochanskii Yu., Molnar A. The relaxation phenomenon in proper uniaxial ferroelectric-semiconductor crystals Sn2P2S(Se)6 with incommensurate phase. // Ж.фи.дослщжень. 1997. -1, N4. - c.535-543.

59. TI3AS4 (A = P, As, Та) Type Semiconductors. // Phys.stat.sol.(b). 1986. - 138. -p.K49-K54.

60. Tanaka S., Kawami S., Kobayashi H., Sasakura H. Luminescence in CuGaS22xSe2x mixed crystals grown by chemical vapor transport. // J. Phys. Chem. Solids. 1977. - 38, N6. - p.680-681.

61. Вайнштейн Б.К., Фридкин B.M., Индембот B.JI. Современная кристаллография. т.2. -М.:Наука. - 1979. - 360с.

62. Bodnar I.V., Korzun B.V., Chernyakova А.Р. Microhardness of the А'ВШС" ternary semiconductors and their solid solutions. // Phys. stat. sol. (a). 1987. -101. -p.409-419.

63. Агекян В.Ф., Раджаб Д., Серов А.Ю. Оптические спектры и структура валентной зоны твердого раствора AgGaS2(i.X)Se2x. // ФТТ. 1990. - 32, N2.- с.622-624.

64. Robbins M., Phillips J.C., Lambrecht V.B. Solid solution formation in the systems CuMinX2-AgMraX2 where МШ=А1, Ga, In and X2=S, Se. // J. Phys. Chem. Solids. 1973. -34. -p.1205-1209.

65. Shay J.L., Wernick J.H. Ternary chalcopyrite semiconductors: Growth, electronic structure and applications. N.Y.:S.l: Pergamon Press. - 1975. -245p.

66. Basol B.M. I-III-VI2 compound semiconductors for solar cell applications. // J. Vac. Sci. Technol. 1992. - A10, N4. - p.2006-2012.

67. Masakatsu S., Takeshi U., Takahiro W., Takeshi H., Yoshio N. Effects of crystal symmetry on electronic structures of CuInSe2 and related compounds. // Jap.J.Appl.Phys.Pt 2. 1997. - 36, N9a-9b. - p.Ll 139-1141.

68. Сырбу Н.Н., Тэзлеван В.Е., Крецу Р.В. Экситон-фононное взаимодействие в кристаллах CuInS2. // Оптика и спектроскопия. 1997. - 83, N2. - с.255-261.

69. House D., Gyorffy B.L., Stocks G.M. The coherent potential approximation for a cluster of nonoverlapping scatterers. // J. de Physique (Paris). 1974. - 35, N5. -p.C4-81-C4-85.

70. Никифоров И.Я., Штерн E.B. Электронная структура неупорядоченных сплавов замещения Al-Cu в приближении средней t-матрицы. // Физ. металлов и металловед. 1979. - 48, N4. - с.679-690.

71. Колпачев А.Б., Никифоров И.Я. Электронная структура и сверхпроводящие свойства карбонитридов ниобия. // Физ. металлов и металловед. 1988. - 66, N4. - с.827-830.204

72. Сафонцева Н.Ю. Электронная энергетическая структура некоторых алмазоподобных полупроводников: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07, Ростов н/Д, 1993. 185с.

73. Nikiforov I.Ya., Stern E.V. Electron structure investigation of the disordered alloys with ATA-method. // Proc. 9th Annual symp. "Electronic structure of metals and alloys" / Gaussig, (GDR), 1979. p.141-149.

74. Штерн E.B. Электронная структура бинарных неупорядоченных сплавов замещения А1 с 3dH!^^miiaMH и Nb-W: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07, Ростов н/Д, 1981. 222с.

75. Никифоров И.Я. Электронная структура твердых тел и ее исследование на многокристальных рентгеновских спектрометрах: Дис. доктора физ.-мат. наук: 01.04.07, Ростов н/Д, 1982. 354с.

76. Харрисон У. Теория твердого тела. М.: Мир, 1972. - 616с.

77. Эренрайх Г., Шварц JI. Электронная структура сплавов. М.: Мир, 1979. -200с.

78. Stocks G.M., Temmernan W.M., Gyorffy B.L. Complete solution of the Korrin-ga-Konn-Rostoker Coherent-Potential-Approximation Equations: Cu-Ni alloys. // Phys. Rev. Lett. 1978. - 41, N5. - p.339-343.

79. Вольф Г.В., Дякин B.B., Широковский В.П. Кристаллический потенциал для кристаллов с базисом. // Физ. металлов и металловед. 1974. - 38, N6. -с.949-956.

80. Herman F., Skillman S. Atomic structure calculations. // New Jersey: Prentice Hall: Englwood Cliffs, 1963. 421c.

81. Slater J.S. A simplification of Hartree-Fock method. // Phys. Rev. 1951. - 81, N3. - p.385-390.

82. Hedin L., Lundqvist B.L Explicit local exchange correlation potentials. // J. Phys. C. 1971. - 4, N14. - p.2064-2084.

83. Немошкаленко B.B., Кучеренко Ю.Н. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронные состояния в неидеальных кристаллах. -Киев: Наукова думка, 1986. -295с.205

84. Слэтер Дж. Диэлектрики, полупроводники, металлы.- М.: Мир, 1969.-648с.

85. Авилов В.В. О вычислении постоянной Маделунга кристаллов. // ФТТ. -1972. -14, N9. с.2550-2554.

86. Шифф Л. Квантовая механика. М.: Мир, 1957. - 473с.

87. Gyorffy B.L., Stocks G.M. On the CPA in a muffin-tin model potential theory of random substitutional alloys. // J. de Physique (Paris). 1974. - 35, N5. -p.C4-75 - C4-80.

88. Тейлор Дж. Теория рассеяния. М.: Мир, 1975. - 566с.

89. Gyorffy B.L. Coherent-potential approximation for a nonoverlapping muffin-tin model of random substitutional alloys. // Phys. Rev. B. 1972. - 5, N6. - p.2382-2384.

90. Арфкен Г. Математические методы в физике. М.: Атомиздат, 1970. -712с.

91. Слэтер Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. -М.: Мир, 1978.-662с.

92. Ankudinov A.L., Ravel В., Rehr J.J., Conradson S.D. Real-space multiple-scattering calculation and interpretation of x-ray-absorption near-edge structure. // Phys.Rev.B. 1998. - 58, N12. - p.7565-7576.

93. Mattheiss L.F. Energy Bands for Solid Argon. // Phys.Rev. 1964. - 133, N5A.- p.A1399-A1403.

94. Маттис Л., Вуд Дж., Свитендик А. Расчет электронных энергетических зон с помощью симметризованных присоединенных плоских волн. В книге "Вычислительные методы в теории твердого тела". М.: Мир, 1975.- с.75-163.

95. Lowdin P.O. Quantum theory of cohesive properties of solids. // Advan.Phys. -1956. 5, N1. - p.1-15.

96. Rehr J J., Albers R.C. Scattering-matrix formulation of curved-wave multiple-scattering theory: Application to x-ray-absorption fine structure. // Phys. Rev. В.- 1990. 41, N12.- p.8139-8149.

97. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи. Т.2 М.: Мир, 1983. - 332с.

98. Trishka J.W. Structure in the X-Ray К Absorption Edges of Solid Potassium Chloride. // Phys. Rev. 1945. - 67, N11-12.-p.318-320.

99. Sugiura C., Hayasi Y. Soft x-ray spectra of lead sulfide. // Jap. J. Appl. Phys. -1972. -11, N3. p.327-330.

100. Katsikini M., Paloura E.C., Moustakas T.D. Experimental determination of the N-p-partial density of states in the conduction band of GaN: Determination of the polytype fractions in mixed phase samples. // J. Appl. Phys. 1998. - 83, N3. -p.1437-1445.

101. Matsuura Т., Fujikawa Т., Oyahagi H. K-Edge XANES Spectra of GaAs and ZnSe. // J. Phys. Soc. Japan. 1984. - 53, N8. - p.2837-2844.

102. Sipr O., Machek P., Simunek A., Vackar J., Horak J. X-ray absorption near-edge structure of CuGaSe2 and ZnSe: Experiment and theory. // Phys. Rev. B.-1997. 56, N20.-p.13151-13161.

103. Mustre de Leon J., Rehr J.J., Zabinsky S.I., Albers R.C. Ab initio curved-wave x-ray-absorption fine structure. // Phys. Rev. B. 1991. - 44, N9. - p.4146-4156.

104. Zabinsky S.I., Rehr J.J., Ankudinov A., Albers R.C., Eller M.J. Multiple-scattering calculations of x-ray-absorption spectra. // Phys.Rev.B. 1995. - 52, N4. - p.2995-3009.

105. Chou S.-H., Rehr J.J., Stern E.A., Davidson E.R. Ab initio calculation of extended x-ray-absorption fine structure in Br2. // Phys.Rev.B. 1987. - 35, N6. - p.2604-2614.

106. Oguchi Т., Hamajima Т., Kambara Т., Gondaira K.I. Electronic band structures of I-III-VI2 compounds. // Jap. J. Appl. Phys. 1980. -19, Suppl. 19-3. -p.107207

107. Lavrentyev A. A., Gabrelian B.V., Nikiforov I.Ya., Rehr J J. Ab initio XANES calculations for KC1 and PbS. // J.Phys. and Chem. of Solids. 1999. - 60. -p.787-790.

108. Yoodee K., Woolley J.C., Sa-yakanit V. Effects of p-d hybridization of the valence band of I-III-VI2 chalcopyrite semiconductors. // Phys. Rev. B. 1984. - 30, N10. - p.5904-5915.

109. Shay J.L., Kasper H.M. Direct observation of Cu d-levels in I-III-VI2 compounds. // Phys. Rev. Lett.- 1972. 29, N17. -p.l 162-1164.

110. Kisel A., Dalba G., Fornasini P., Podgorny M., Oleszkiewicz J., Rocca F., Burattini E. X-ray-absoiption spectroscopy of ZnTe, CdTe, and HgTe: Experimental and theoretical study of near-edge structures. // Phys. Rev. B. -1989. -39, N11. p.7895-7904.

111. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи. Т.1. М.: Мир, 1983. - 381с.

112. Harrison W.A. Theory of the two-center bond. // Phys.Rev.B. 1983. - 27, N6. -p.3592-3604.

113. Wiech G., Zopf E. Electronic Density of States. Ed. H. Bennett. National Bureau of Standards. Special Publication 323. Washington. - 1971. - p.335.

114. Jaoneu M., Rehr J.J., Ravel B. Extended fine structures in diamond and related materials. // J.Phys.IV France. -1997. 7. - p.C2-265-C2-266.

115. Agui A., Shin M., Fujisawa M., Tezuka Y., Ishii Т., Muramatsu Y., Mishima O., Era K. Resonant soft-x-ray emission study in relation to the band structure of с BN. // Phys.Rev.B. 1997. - 55, N4. - p.2073-2078.

116. Займан Дж. Вычисление блоховских функций. М.: Мир. - 1973. -159с.

117. Sugiura С., Gohshi Y., Suzuki I. Sulfur Kfi x-ray emission spectra and electronic structures of some metal sulfides. // Phys. Rev. B. 1974. -10, N2. -p.338-343.

118. Sugiura C., Gohshi Y. Sulfur Kfi emission and Ka absorption spectra and electronic structure of copper sulfide: Cui.gS. // J.Chem.Phys. 1981. - 74, N7. -p.4204-4205.208

119. Domashevskaya E.P. d-s,p Resonance in solids and thin films. II Поверхность: Рентген., синхротрон, и нейтрон, исследов. Поверхность: Физ., химия, мех.. 1997. - N4-5. - с.158-160.

120. Garba E.J.D., Jacobs R.L. The electronic structure of Cu2.xSe. // Physica B. -1986.- 138. -p.253-260.

121. Drahokoupil J., Drbohlov I., Hordk J., Polcik M., Simunek A. The electronic structure of CuGaSe2 and ZnGeAs2: Experimental and calculated ^-emission bands. // Solid State Commun. 1997. - 103, N5. -p.303-307.

122. Sugiura C., Yamasaki H., Shoji T. X-ray Spectra and Electronic Structure of CuS and Cu2S. // J.Phys.Soc.Jap. 1994. - 63, N3. - p.l 172-1178.

123. Sugiura C. La X-Ray Emission Spectra of Copper Compounds and Alloys. // J.Phys.Soc.Jap. 1994. - 63, N5. - p.1835-1847.

124. Немошкаленко B.B., Шпак A.H., Кривицкий В.П., Николаев Л.И. Рентгеновские эмиссионные спектры сульфидов металлов первого большого периода. // Препринт Института металлофизики АН УССР. -74.8.-Киев.-1974.-с. 1-18.

125. Немошкаленко В.В., Алешин В.Г. Электронная спектроскопия кристаллов. Киев: Наукова Думка. - 1976. - 335с.

126. Ching W.Y., Xu Y.-N. Ground-state and optical properties of Cu20 and CuO crystals. // Phys.Rev.B. 1989. - 40, N11. - p.7684-7695.

127. Steiner P., Htifner S., Jungmann A., Kinsinger V., Sander I. Photoemission valence band spectra and electronic density of states in copper oxides and copper based ceramic superconductors // Z.Phys.B. 1989. - 74, N2. - p. 173182.

128. Kono S., Ishii Т., Sagawa Т., Kobayasi T. X-ray photoelectron study of the valence bands in cuprous halides. // Phys.Rev.B. 1973. - 8, N2. - p.795-803.

129. Филипп X., Эренрайх X. Оптические свойства в области фундаментальной полосы поглощения. В кн. Оптические свойства полупроводников. Под ред. Р.Уиллардсона и А. Вира. М.:Мир. 1970. -с.103-135.

130. Калитиевский Н.И. Волновая оптика. М.: Высшая школа, 1978. 384с.209

131. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. М.:Физматгиз. - 1963. -702с.

132. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.:Наука. - 1978. -615с.

133. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. М.:Наука. - 1972.-640с.

134. Бассани Ф., Пастори Парравичини Дж. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах. М.:Наука. - 1982. - 391с.

135. Соболев В .В., Немошкаленко В.В. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура дихалькогенидов редких металлов. Киев.Наукова думка. - 1990. - 293с.

136. Phillips J.C. The fundamental optical spectra of solids. // Solid State Phys. -1966. 18, N1. - p.55-164.

137. Соболев B.B., Алексеева С.А., Донецких В.И. Расчеты оптических функций полупроводников по соотношению Крамерса-Кронига. -Кишинев: Штинца. .1976. - 123с.

138. Хейне В., Коэн М., Уэйр Д. Теория псевдопотенциала. М.:Мир, 1973. -557с.

139. Кардона М. Модуляционная спектроскопия. М.:Мир. - 1972. - 416с.

140. Задачи по физике твердого тела. Под ред. Г.Дж.Голдсмита. М.:Наука. -1976.-431с.

141. Борец А.Н. Полуэмпирический топологический подход при изучении оптических свойств полупроводников и сверхрешеток. В сборнике "Сложные полупроводники (получение, свойства, применение)" -Ужгород: Из-во Ужгородского госуниверситета. -1981. с.159-178.

142. Chelikowsky J., SchlUter М. Electron states in a-quartz: A self-consistent pseudopotential calculation. //Phys.Rev.B. 1977. -15, N8. - p.4020-4029.

143. Гусатинский A.H., Блохин M.A., Шумихен П., Лаврентьев А.А., Михайлова С.С. Исследование электронной структуры соединений индия по его рентгеновским Ly-спектрам. // Деп. в ВИНИТИ. Ростов-на-Дону. -1981.-№569-81.- 16с.210

144. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа, 1982. 528с.

145. Майзель А., Леонхардт Г., Сарган Р. Рентгеновские спектры и химическая связь. Киев: Наукова думка, 1981. - 419с.

146. Дей К., Селбин Д. Теоретическая неорганическая химия. М.:Химия. -1976. - 568с.

147. Переш Е.Ю., Цигика В.В., Стасюк Н.П., Галаговец И.В., Гапак А.В. О получении монокристаллов (Ga, In)PS4. // Изв. вузов. Химия и химическая технология. 1978. - 21, N7. - с.1070-1071.

148. Гурзан М.И., Бутурлакин А.П., Герасименко B.C., Корда Н.Ф., Сливка В.Ю. Оптические свойства кристаллов S112P2S6. // Физ.тверд.тела (Ленинград). 1977. -19, N10. - с.3068-3070.

149. Lotz W. Electron Binding Energies in Free Atoms. // J. Optical Soc. Amer. -1970. 60, N2. - p.206-210.

150. Samanta L.K., Ghosh D.K., Bhar G.C. Linear, nonlinear optical, and related properties of some mixed Cu-Bin-CVI2 chalcopyrites. // Phys. Rev. B. 1987. -35, N9.-p.4519-4521.

151. Габрельян Б.В., Лаврентьев A.A., Никифоров И.Я. Характер зависимости ширины запрещенной полосы от концентрации серы для твердых растворов ZnSxSe(ix). // ЖСХ. 2000. - 41, N3. - с.498-504.

152. Scofield J.H. Hartree-Slater subshell photoionization cross-sections at 1254 and 1487 eV. // J. Electron. Spectrosc. 1976. - 8. -p.129-137.