Влияние внешних воздействий на поверхностную энергию и поверхностное сопротивление металлических систем

Манукянц, Артур Рубенович

Влияние внешних воздействий на поверхностную энергию и поверхностное сопротивление металлических систем тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Манукянц, Артур Рубенович АВТОР

кандидата физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ

Владикавказ МЕСТО ЗАЩИТЫ

2010 ГОД ЗАЩИТЫ

01.04.07 КОД ВАК РФ

Диссертация по физике на тему «Влияние внешних воздействий на поверхностную энергию и поверхностное сопротивление металлических систем»

Автореферат диссертации на тему "Влияние внешних воздействий на поверхностную энергию и поверхностное сопротивление металлических систем"

004607260

На правах рукописи

Манукнпц Артур Рубенович

ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ ИЛ ПОВЕРХНОСТНУЮ ЭНЕРГИЮ И ПОВЕРХНОСТНОЕ СОИ РОГ И ВЛ ЕН И Е М ЕТ А Л Л И Ч ЕС КИХ С ИСТ Е М

01.04.07 - физика конденсированного состояния

АВТОРЕФЕРАТ диссертации па соискание ученой с тепени кандидата фичико-математнческнх наук

2 2 ИЮЛ 20Ю

Нальчик - 2010

004607260

Работа выполнена па кафедре физики Северо-Кавказского ! ор-по-металлур| пческо! о института (государсгиенног"о техполо] пче-скоI о университета)

Научный руководи юль: доктор физико-математических наук.

профессор Созаев Виктор Адыгсенич

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук.

профессор МагкоевТамерлан Таимуразовнч доктор физико-математических паук, доцемт Капажоков Хампдбп Хажисмеловнч

Ведущая организация: Тверской государственный университет, г. Тверь

Зашита состоится «30» июня 2010 г. в 17— на заседании диссертационного совета Д 212.076.02 при Кабардино-Балкарском государственном университете по адресу: 36(1004. г. Нальчик, уд. Чернышевского, 173, зал заседаний диссертационного совета.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Кабардино-Балкарского государственного университета.

Автореферат разослан мая 2010 г.

Ученый секретарь диссертационного совета

Ахкубеков Л.Л.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Различные металлические системы широко используются в технологиях микро- и наноэлектроники при создании элементной базы электронных приборов.

К числу важнейших физико-химических параметров металлических пленок на кремниевых и диэлектрических подложках относятся поверхностная энергия, электрические и адгезионные свойства, а также структурные особенности поверхности пленок. Особое внимание уделяется фундаментальным характеристикам поверхности: поверхностной энергии сг и работе выхода электрона Ф. В последнее время достигнут существенный прогресс как в теоретических, так и в экспериментальных исследованиях сг и Ф чистых металлических поверхностей. Ранее в рамках метода функционала электронной плотности были установлены закономерности влияния внешних электрических полей, адсорбированных покрытий, размеров образцов на поверхностные свойства металлических систем. Однако в прежних работах не учитывалось влияние релаксации структуры на сг и Ф металлов при наличии значительных электрических полей и давлений. Не была установлена связь между поверхностной энергией и поверхностным натяжением наночастиц металлических систем, находящихся в электрических полях. Появление современных атомно-силовых, туннельных микроскопов позволяет выявлять взаимосвязи между некоторыми поверхностными свойствами и морфологией поверхности пленок, изученной на наноуровне. Однако подобных данных в литературе пока недостаточно. Вместе с тем, управляя структурой и морфологией пленок с помощью различных технологических приемов, можно получить ге-тероструктуры с прогнозируемыми свойствами. Одним из способов влиять на структуру, строение и свойства пленок является фотонный отжиг, который позволяет локализовать тепловую энергию в приповерхностной области и уменьшить термическую нагрузку на полупроводниковые и диэлектрические подложки, тем самым сохраняя их функциональные свойства.

Цель работы — изучение влияния электрического поля и давления на поверхностную энергию и ультрафиолетового излу-

чения на поверхностное сопротивление металлических систем. В соответствии с поставленной целью решались следующие задачи:

- изучить в рамках метода функционала электронной плотности (МФЭП) влияние релаксации структуры на анизотропию поверхностной энергии (ПЭ) и работы выхода электрона (РВЭ), а также влияние внешних электрических полей и давления на ПЭ.

- установить взаимосвязь между поверхностной энергией и поверхностным натяжением (ПН) наночастиц металлических систем в электрических полях.

- выявить взаимосвязи между ПЭ и РВЭ с остаточным сопротивлением металлов.

- оптимизировать технологию фотонного отжига металлических пленок на кремнии и микроканальных структурах.

- выявить взаимосвязи поверхностного сопротивления металлических пленок с их морфологией до и после фотонного отжига.

Научная новизна

- В рамках МФЭП разработана методика оценки релаксации структуры, ПЭ и РВЭ граней (100) - ( 111) щелочных металлов.

- Впервые методом функционала электронной плотности проведены оценки влияния внешнего электрического поля и давления на ПЭ граней чистых металлических кристаллов с учетом релаксации структуры.

- Оптимизирована методика фотонного отжига металлических пленок на кремнии и микроканальных структурах. По зависимости поверхностного электросопротивления от времени воздействия светового излучения установлены оптимальные режимы фотонного отжига.

- Эмпирически установлены взаимосвязи между поверхностными свойствами (ПЭ и РВЭ) и остаточным сопротивлением металлических систем.

-Впервые в рамках термодинамики поверхностных явлений установлена взаимосвязь между ПЭ и ПН наночастиц, находящихся во внешнем электрическом поле.

Практическая значимость

Методика фотонного отжига металлических пленок на кремнии и микроканальных структурах позволит оптимизировать технологии изготовления электронных приборов (лавинно-пролетных диодов, приборов ночного видения, диодов Шоттки и т.д.). Данные по ПЭ и РВЭ металлов могут использоваться при конструировании новых катодных материалов. Результаты НИР используются при чтении спецкурсов в КБГУ и СКГМИ.

На защиту выносятся

- Методика учета релаксации структуры при оценках ПЭ и РВЭ в электрических полях и при наличии внешнего давления.

-Данные по поверхностной энергии, работе выхода электрона низкоиндексных граней щелочных металлов, полученные в рамках МФЭП с учетом релаксации структуры.

- Установленная взаимосвязь между ПЭ и ПН наночастиц в электрических полях.

- Оптимальные режимы фотонного отжига некогерентным ультрафиолетовым излучением металлических пленок на кремнии и микроканальных структурах.

Апробация работы

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на 10 и 11 Международном симпозиуме Фазовые превращения в твердых растворах и сплавах» (ОМА-10, п. Лоо, 2007), на 11 Международном симпозиуме «Порядок и беспорядок и свойства оксидов» (ОБРО-П, п. Лоо, 2008), на 1 Международном симпозиуме «Физика низкоразмерных систем и поверхностей» (Ы)$-2008), на научных семинарах кафедр физики и электронных приборов СКГМИ, физики межфазных явлений в КБГУ.

Достоверность результатов, полученных в данной работе, определяется применением современных теоретических и экспериментальных методик, воспроизводимостью результатов, согласованностью данных, полученных экспериментально, с теоретическими оценками, а также известными литературными данными.

Личный вклад автора. В диссертации приводятся результаты в основном полученные лично автором. Цели и задачи ис-

следования сформулированы научным руководителем проф. В.А. Созаевым.

Публикации. Основные результаты по теме диссертации опубликованы в 11 работах, из которых 4 в журналах, рекомендованных ВАК РФ.

Объем и структура диссертации. Диссертационная работа изложена на 115 страницах машинописного текста, содержит 27 рисунков и 4 таблицы. Она состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы из 157 наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

Во введении обосновывается актуальность темы исследований, формулируются цель и задачи исследований, перечисляются основные положения, выносимые на защиту, излагаются научная новизна и практическая ценность полученных результатов.

В первой главе приводится обзор по теме диссертационной работы. Дается анализ литературных данных по влиянию как когерентного, так и некогерентного излучения на параметры полупроводниковых структур, систем металлизации к полупроводникам и диэлектрикам. Описывается метод функционала электронной плотности (МФЭП) и основные результаты, полученные в рамках МФЭП по ПЭ и РВЭ металлических систем, в том числе и тонкопленочных структур, изучается влияние на ПЭ и РВЭ внешних электрических полей и давления. Анализируются данные по ПН и ПЭ металлов, находящихся в твердом состоянии.

Во второй главе описаны характеристики объектов исследований и методы их получения, а также методика исследований электрических свойств систем полупроводниковых и микроканальных структур. Подробно описываются способы подготовки исходных подложек, нанесения металлических пленок Ст. А1, М1°/Сг на кремний и микроканальные структуры, методика фотонного отжига, а также методы исследования морфологии поверхности металлических пленок, фазового состава, электрофизических свойств образцов.

Напыление пленок алюминия, хрома и никеля на микроканальные структуры и кремниевые подложки марки КЭФ-4.5 толщиной 100 мкм и ориентацией (111) и пленок хрома на микроканальные структуры проводили на установке УВН-70 в вакууме при давлении 10"4 Па. Температуру подложки в процессе напыления поддерживали ~20 °С. Толщину металлических пленок контролировали по сопротивлению спутника, она составляла -100 нм.

Облучение проводилось на установке «Волна», в которой использовались ртутные лампы (20 штук, каждая мощностью 1 кВт) и на везерометре согласно ГОСТ 11279-83. В везерометре образцы в виде пластинок устанавливались на наружной стороне вертикального цилиндрического барабана, вращающегося вокруг ультрафиолетовой лампы (ртутная лампа). Облучение образцов происходит при температуре 20 °С, на расстоянии г = 110 мм и длине волны \ > 300 нм.

Морфология поверхности пленок до и после отжига изучалась на атомно-силовом микроскопе марки SOLVER Р47. Поверхностное сопротивление пленок измерялось четырехзондо-вым методом с использованием потенциометра Р 363/2.

Относительная погрешность измерений сопротивления не превышает 0,2-0,5 %.

Третья глава посвящена результатам изучения поверхностной энергии. РВЭ в рамках метода функционала электронной плотности, который позволяет на основе квантово-статистических самосогласованных расчетов с использованием микроскопических характеристик веществ выявлять роль различных факторов, в том числе релаксации структуры, в формировании поверхностных энергетических характеристик металлических систем.

Несмотря на то, что в металлах эффекты релаксации проявляются в меньшей степени, чем в полупроводниковых и диэлектрических кристаллах, их учет необходим, когда на металл оказываются значительные внешние воздействия, в связи с чем представляет интерес разработка методов оценки влияния релаксации на ПЭ.

В начале третьей главы приводятся результаты вариационных вычислений поверхностной релаксации (ПР) и ее влияние на ПЭ и РВЭ для граней с низкими индексами монокристаллов щелочных металлов с ОЦК-структурой в отсутствие внешних воздействий.

Все расчеты проводятся в атомной системе единиц, в которой принимается, что е=Ш = Ь = С = 1, расстояние измеряется в

боровских радиусах ао = 5.29- 10~9;и = 0.529А, а энергия в

Ридбергах (1Рид = 27,2 эВ).

ПЭ оценивалась по формуле:

Межфазная энергия о,(а,Р) в приближении однородного фона (приближения «желе») оценивается, как и в [1] по формуле:

GJ = |ф(г)[М--)-^2{0.3(3тг )2/3 Л«!п(,-)-4/3(.-))/г +

где первое слагаемое в (2) - вклад собственной электростатической энергии взаимодействия электронного газа, взаимодействия электронного газа с зарядом «желе», величина которого зависит от расположения гиббсовой координаты; второе слагаемое -вклад кинетической энергии невзаимодействующего электронного газа: третье - поправка к кинетической энергии на' неоднородность поля Вейцзеккера-Киржница; четвертое - вклад энергии обменного взаимодействия в с,; пятое - вклад корреляционного взаимодействия в о,; шестое - поправка на нелокальность к обменно-корреляционному взаимодействию, взятому в приближении Гелдарта-Резолта;

с = <т, + а + стА/;

(П

со

к + П ' ск}

,(2)

Схс(гх) = (2.702 -0.11Аг,)\(Г

-1/3

-л

В формуле (1) ор5 - поправка ков рамках модели «желе» на дискретность структуры, связанной с электрон-ионным взаимодействием; рассчитываются с использованием псевдопотенциала Ашкрофта и с учетом релаксации поверхностной структуры, см - поверхностная энергия Маделунга, связанная с ион-ионным взаимодействием, которая может быть представлена как: стд/ =а/,£/2л + Аад/, где а/,;./ - поверхностный аналог постоянной Маделунга, зависящий от структуры кристалла и ретикулярной плотности частиц грани (ИкГ), Т - число электронов на ячейку Вигнера - Зейтца, Дсгд/ - релаксационная добавка Маде-лунговской составляющей.

Вклады в формуле (2) проинтегрированы в [1] с использованием двухпараметрической функции распределения электронной плотности на границе раздела металл - вакуум:

= п<

\__Р )]е(_г) + « )е(г)1, (3)

а + р ] а + р ]

где ;7 - равновесная плотность объемного распределения электрического заряда;

= (1/а - 1/р) - координата Гиббсовой границы раздела, которая находится из условия сохранения заряда; а, р -вариационные параметры, определяемые из условия минимума ПЭ, которую будем считать зависимой от поверхностной релаксации. - функция Хэвисайда.

Полагая, что релаксирует только первая поверхностная плоскость, отстоящая от границы фона г = 0 на расстоянии ¿о = ~ сИ2, введем параметр поверхностной релаксации (ПР) 5 = ЫШ как относительное изменение расстояния между первой и второй плоскостями. Тогда вседствие релаксации, положение первой плоскости будет опеределяться величиной:

г = -|(1-28). (4)

При таком выборе 5 > 0 соответствует расширению, а 5 < О сжатию поверхностного слоя. Параметр 5 будет третьим параметром вариации, определяемым из условия минимума ПЭ. ПР изменяет вклад в ПЭ электрон-ионных взаимодействий на величину

да енх(*/2+гс)(1 5)

а-(а + |3)

Выражение (5) получено с учетом (3) и (4) с использованием псевдопотенциала Ашкрофта. Остальные выражения для ПЭ, связанные с распределением (3), остаются без изменения.

ПР изменяет также вклад маделунговского члена ПЭ на До,, (релаксационная добавка к маделунговской составляющей ПЭ), * для которого получено соотношение:

Дом =2тш-</п-Чб- -- £

.'У 1 V ,exP(~GniH2'i,5)-1

I 2 G»,u,

и1и2 wm:

1 _ ____] 1,(6)

где - длина двухмерного вектора обратной решетки;

(12 - целые числа; штрих у знака суммы означает, что слагаемые с Hi = р.? = 0 надо исключить; .Vi и определяют проекцию вектора сдвига плоскости в единицах длин векторов трансляции в двухмерной прямой решетке. Для небольших 8 «1 Дстд/ имеет зависимость от 8, близкую к параболической.

Равновесную ГГР найдем из условия минимума полной ПЭ a(a,ß,S) = min .

ПР изменит дипольный барьер, который определяется параметрами и и ß и, следовательно, РВЭ. Кроме того, изменится структурный вклад в РВЭ, связанный с изменением потенциала первой плоскости:

АФ = (7)

а(а + ß)

Полученные выражения (3)-(7) справедливы для любой структуры металла и любой грани.

Расчеты ПЭ и РВЭ провели с учетом IIP и ее влияния на анизотропию ПЭ и РВЭ щелочных металлов. Для заданной величины 5 находился минимум ПЭ по а и ß. Затем из набора зна-

чений ПЭ для различных 8 находится минимум ПЭ по 5. Результаты расчетов сведены в табл. 1.

Таблица 1. Поверхностная энергия и работа выхода электрона граней с малыми индексами Миллера монокристаллов щелоч-_ных металлов с учетом релаксации.__

Металл Грань 8 РГП а,е 1 а, а.с,-' ZG, а,е, мДж/м" Ф. ! эВ

100 -0,04 0,94 1,4 -0.350 605 3.179 1

Литий 110 0 0,99 1,5 -0,343 435 3,426

111 -0,11 0,7 1,19 -0.588 430 3.507 !

100 0,02 0,8 0,69 0,199 311 2.962 !

Натрий 110 0,01 0,89 1,0 0,124 252 3,082 i

111 -0,04 1,00 0,55 0,866 357 2.653 |

100 -0,12 1,05 0,59 1,712 124 2,008 |

Калий 110 0 0,85 1,15 -0,307 145 2,694 j

111 -0,02 0,8 0,5 0,750 210 2,412 !

100 0,02 0,5 1.2 -1,13 116 2.382 j

Рубидий ПО 0,05 0,85 0,4 1,388 103 2.737 j

111 -0,1 0,8 0,39 1,313 111 2,389 :

100 -0,01 0.74 0,44 0,921 91 2.213 :

Цезий 110 0,06 0,8 0,34 1,675 76 2,631 ;

111 -0,13 0,89 0,69 0,326 66 1,740 !

Сравнивая полученные данные с литературными, можно отметить, что за исключением грани (110) натрия наблюдается снижение ПЭ релаксированных поверхностей. Из таблицы 1 видно также, что на рыхлой грани (111) во всех случаях наблюдается сжатие (5 < 0), на плотноупакованной грани (1 10) растяжение (8 > 0), а в случае Li и К поверхностная релаксация для этой грани отсутствует (8 = 0). Оценки показывают, что ПЭ ре-лаксирующих граней, как правило, ниже нерелаксированных. Для РВЭ такой закономерности не наблюдается.

Далее, в третьей главе изучено влияние электрического поля на ПЭ с учетом поверхностной релаксации.

Самосогласованные расчеты влияния слабых электрических полей на электронные характеристики поверхности были про-

ведены Лангом [2], затем схема Ланга была усовершенствована путем учета дискретности решетки,

В настоящей работе мы приводим вариационные вычисления равновесной ПР во внешнем однородном электрическом поле и ее влияние на ПЭ.

В отличие от известных работ, где в рамках модели Ланга с учетом дискретности решетки было рассмотрено влияние сильных электрических полей на ПЭ, мы учитываем не только дискретность структуры в первом порядке теории возмущений по псевдопотенциалу, но и зависимость маделунговского члена от релаксации первой поверхностной плоскости во внешнем электрическом поле. Мы используем решеточную модель границы раздела Ланга-Кона [3]. в которой в качестве нулевого приближения принимается модель однородного положительно заряженного фона, распределение которого на границе раздела задается ступенчатой функцией

п+(г) = Щ-г), (8)

где п - объемная плотность свободных электронов, <9(-г) -функция Хэвисайда. Вдали от границы раздела в вакууме разместим отрицательно заряженную плоскость с поверхностной плотностью заряда Е, которая создает поле, направленное от металла (Е>0). Обозначим равновесное расстояние между плоскостями е объеме через с]0 и, будем считать, что релаксирует только первая поверхностная плоскость, отстоящая на расстоянии

от границы однородного фона в направлении г >- 0. Тогда расстояние первой плоскости от границы фона

(9)

Распределение электронной плотности п_{г) на границе зададим двухпараметрической функцией, учитывающей асимметричное распределение /?_(-) межфазной границе (3), где гиб-бсова координата уже зависит от внешнего электрического поля: 1с, - гиббсова координата определяется из условия сохранения заряда:

Электрический потенциал ср(г) найдем из решения уравнения Пуассона с учетом непрерывности ф(г) и ф'(г) на границе и, считая, что на больших расстояниях поле задано:

Иш — = Е.

Г—¿[я

01)

Полевая добавка к электростатической энергии с учетом (10), (И) и распределения п_(г) (3) имеет вид:

с" = 2 ш

^а" (3 )4лп

« 3 ^Г Е V

Ог = -л?П-

2 и™;

тс/г

4тш )

г0>о, (12)

(13)

Вклады в поверхностную энергию, явно не зависящие от внешнего поля, остаются без изменения. Вклад от электрон-ионных взаимодействий (полевая добавка) входит в ПЭ через . Для релаксационной добавки к электрон-ионному взаимодействию £7 в поле с учетом, что § « 1 находим:

До

£ рв

4ш7-^0 .Г^^-^Аш-,, (14)

а"(а-гр)

где также как в <зполе учтено в выражении координаты Гиб-бса 2,^. Выражение (14) получено с использованием (3) и псевдопотенциала Ашкрофта.

Изменение вклада в ПЭ от ион-ионных взаимодействий вследствие релаксации, так называемую релаксационную добавку Лсд/ к маделунговской составляющей ПЭ молено найти по формуле (6).

К приведенным выражениям необходимо добавить энергию, связанную с взаимодействием положительно заряженной плоскости с внешним полем и поляризационную добавку, включаю-

щую члены, обусловленные поляризацией поверхностных ионов. Считая последнюю малой, имеем:

Е1

<зРг = ~——Ьс1. (15)

Е 8л

Равновесную ПР для заданного внешнего поля напряженностью Е найдем из условия минимума полной Г1Э.

Расчеты ПЭ в начале проводились в отсутствии поля (Е = 0) для щелочных металлов и представлены в таблице 1.

Наличие поля усиливает поверхностную релаксацию и изменяет значения ПЭ. При Е> 0 ПЭ понижается, при Е<0 увеличивается. Например при Е = 0 с (110) натрия 252 мДж/м2. При Е = +2.6х 107 В/см о(110) = 243 мДж/м2, а при Е = - 2.6* 107 В/см с(110) = 260 мДж/м2. В сильных полях вследствие ПР различие в анизотропии увеличивается. Например, при £ = + 2.6хЮ7 В/см различие в изменении Аа/о0 граней (100) и (110) натрия может достичь 2% (оо - ПЭ в отсутствие поля).

Затем в третьей главе изу чается вопрос о влиянии давления на ПЭ металлов.

Зависимость поверхностного натяжения или поверхностной энергии от давления позволяет оценивать поверхностную плотность конденсированной фазы (или автоадсорбцию) на границе с газом.

Однако данных по влиянию давления на ПН (или ПЭ) жидких, а тем более твердых металлов в литературе крайне мало.

Экспериментальные исследования влияния давления на Г1Н органических жидкостей и воды дают увеличение ПН с ростом давления, а в случае металлов в интервале давлений от 10" до 103 Па влияние давления инертных газов не обнаруживается, либо изменения обусловлены наличием кислорода и других примесей в газовой среде и связанным с этим изменением взаимодействия газовой среды (образование окислов, усиление растворения газов в металлах с увеличением давления). Данные о влиянии высоких давлений на ПН металлов в литературе отсутствуют.

В связи с этим нами проводилось исследование влияния давления на ПЭ простых металлов в рамках метода функционала электронной плотности.

Распределение электронной плотности зададим в виде двухпараметрической экспоненциальной пробной функции, описывающей ассиметричное распределение электронной плотности на межфазной границе (3).

Основные вклады в а, оцениваются по тем же формулам, что и на границе металл - вакуум в отсутствие давления. Вследствие релаксации поверхностного слоя, вызванной наличием давления, у поверхностного слоя, появляются дополнительные вклады в ПЭ:

- Релаксационный вклад к поправке а/)Л. - это вклад Лсг/К ,

связанный с изменением межплоскостного расстояния. При гс >-</()( 1/2-5) Ла^. рассчитывается по формуле

До =-2л(/7</„)"6

а [3

(16)

а при гс, -< </()(! /2 - б)

Ла';'1 = 4 яй "с/„--—т ехр[-а( с/,/2 + 2,. )]с!ц а ;•.)[ 1 - ехр( а&1)] »(17)

(а + Р)а"

где 5 - величина поверхностной релаксации, которая варьируется.

- Поверхностную энергию Маделунга ал/, связанную с ион - ионным взаимодействием, оценим также с учетом релаксационной поправки:

о„ +Аал/. (18)

где - аМ12п, а«,- - поверхностный аналог постоянной Маделунга. зависящий от структуры кристалла и ретикулярной плотности частиц грани {Ьк}), 2 — число электронов на ячейку Вигнера-Зейтца.

Релаксационная добавка д<тЛ( к энергии Маделунга будет

зависеть от поверхностной релаксации . которая связана с давлением соотношением:

р/си =8ехр[3</*)[1 + 0.158<^ +0.05(&/*')2], (19)

О находится путем минимизации о и варьируется от 0 до 0,2:

dl=d0tls. (20) где d ~ d<t( I -5). n = ihj{ 1-8) - плотность положительного заряда металла под давлением, н п - положительная плотность заряда в объеме металла, сц - модуль упругости. В случае натрия с,,=0.073x10" Н/м\ /,= 1.09. Предварительные оценки для Na показывают, что при давлениях 100 МПа относительное уменьшение ПЭ (Да/а) составляет - 10,0%.

Далее, в третьей главе, в рамках термодинамики поверхностных явлений, изучается вопрос о взаимосвязи Г1Э и ПН нано-частиц, находящихся в электрическом поле.

Запишем дифференциал для избыточной свободной энергии в случае искривленной поверхности:

(21)

где 8Д, - полная работа образования элемента искривленной поверхности. В уравнении (21) и далее принято: по дважды повторяющимся индексам подразумевается суммирование. Д, — jj.f +ZjFi|> - электрохимический потенциал, eZ, - электрический заряд частицы (е - заряд электрона), F- число Фарадея, ср -потенциал электрического поля.

Записывая выражение для 5А„ в изохорно-изотермическнх условиях через разность давлений р' - р" в частице (фаза 1) и окружающей фазе (11) [4]. после несложных преобразований при Г= const получим:

Я да Rda R да 8Г,

ст +--= а +--+---- +

2 дЯ 2 дЯ 2 дТ, дЯ

R да сГ, ох Я ди" (' Я дГ

(22)

2 <ЗГ й\- дЯ 2 дЯ \ 2 дЯ , где o = dFl.¡¡dсо - удельная свободная поверхностная энергия.

с?ст / дЯ - выражает размерный эффект поверхностной энергии. Уравнение (22) выражает взаимосвязь между поверхностной энергией а и поверхностным натяжением а с учетом размерных эффектов поверхностной энергии, натяжения, адсорбции и поверхностной концентрации /-го компонента изотропной, сфери-

ческой наночастицы сплава, находящейся в электрическом поле.

Уравнение (22) применимо вплоть до размеров частиц, когда еще можно выделить поверхностный слой частицы (в приближении монослоя) и объемную часть наночастицы. При радиусах частицы меньше некоторого критического значения Я < Яс (Яс для металлических частиц ~ 10 нм) термодинамическую систему можно считать гомогенной и, говоря о фазовом давлении, внутри частиц необходимо учитывать расклинивающее давление. В некоторых работах считают, что при Я < Яс понятие фазового давления и макроскопического поверхностного натяжения теряют смысл [5]. В случае наночастиц щелочных металлов и сплавов при Я > Яс, размерные эффекты поверхностной энергии и поверхностной концентрации проявляются в интервале размеров 10 нм < Я < 20 нм.

Если частица несферична, и имеет место анизотропия ее поверхностных свойств, то для разности фазовых давлений необходимо записать более сложное соотношение, а также учесть тензорный характер поверхностного натяжения, что приведет к более сложному чем (22) соотношению.

Далее рассматривается вопрос о связи поверхностных свойств (ПЭ и ПН) с остаточным электросопротивлением.

На связь поверхностных и электрических свойств указывалось в ряде работ. Например, особенности а на изотермах и политермах поверхностной энергии часто коррелируют с особенностями на изотермах и политермах электрического сопротивления. Учитывая связь о, о, р с параметрами электронной структуры, в работе показано наличие корреляций между разностью ПЭ, разностью РВЭ и остаточным сопротивлением Ар/С.

В четвертой главе описываются результаты изучения влияния ультрафиолетового облучения на поверхностное сопротивление металлических пленок на кремнии и микроканальных структурах.

К числу распространенных технологических операций, применяемых при создании систем металлизации к кремнию, относится фотонный отжиг как когерентным, так и некогерентным излучением, который позволяет модифицировать физико-химические свойства полупроводниковых структур.

В настоящей работе изучается влияние ультрафиолетового излучения на поверхностное сопротивление металлических пленок на кремнии и микроканальных структурах.

На рис. 1 и 2 в качестве примера показаны зависимости поверхностного сопротивления пленок Cr-Ni на Si и Сг на микроканальных структурах от времени отжига при ультрафиолетовом облучении. Аналогичные зависимости получены и для пленок Al/Si. Показано, что для систем Cr-Ni/Si, Сг на микроканальных структурах оптимальное время отжига составляет 6 и 4 с. соответственно, так как при этих временах отжига поверхностное сопротивление минимально.

На рис. 3 и 4 приведены сканы поверхностей пленок хрома на микроканальных структурах до и после отжига.

0 2 4 6

Рис. 1. Зависимость сопротивления пленки Сг на МКП от времени отжига.

, оR(t)/R

Рис. 2. Зависимость сопротивления пленки (Cr+N¡)/Si от времени отжига.

5 '5

МКУ1

Рис. 3. Сканы поверхности хрома на микроканальных структурах до

отжига.

л/км

Рис 4. Сканы поверхности хрома на микроканальных структурах после

отжига.

Из сравнения сканов пленок до и после отжига видно, что размеры неровностей после облучения уменьшаются. Это связано как с оплавлением неровностей, так и с усилением поверхно-

стной диффузии при облучении. Таким образом, отжиг приводит к образованию более однородной пленки, снижению дефектов и в целом к снижению сопротивления. Фотонный отжиг при соответствующем подборе режима облучения приводит к улучшению морфологии поверхности и, соответственно, к уменьшению поверхностного сопротивления.

В заключении приводятся основные выводы диссертационной работы.

Выводы

1. В рамках МФЭГ1 с учетом дискретности положительного заряда получены вклады в ПЭ и РВЭ, связанные с поверхностной релаксацией.

2. На границе низкоиндексных граней щелочных металлов показано, что на рыхлых гранях (111) наблюдается сжатие межплоскостных расстояний (5 < 0), на плотноупа-кованных гранях (110) наблюдается растяжение (5 > 0), а в случае Li и К поверхностная релаксация отсутствует (5 = 0).

3. Оценки показывают, что ПЭ релаксирующих граней, как правило, ниже нерелаксированных. Для РВЭ такой закономерности не наблюдается.

4. Наличие поля усиливает поверхностную релаксацию и изменяет значения ПЭ. При Е > 0 ПЭ снижается, при Е < 0 увеличивается. В сильных полях вследствие ПР различие в анизотропии увеличивается. Например, при Е = +2.6*107 В/см различие в изменении Аа/а0 граней (100) и (110) натрия может достигать 2% (<т0 - ПЭ в отсутствие поля).

5. Оценки влияния давления на ПЭ в рамках МФЭП для Na показывают, что при давлениях ЮОМПа относительное уменьшение ПЭ (Аа/а) составляет ~ 10%.

6. В рамках термодинамики поверхностных явлений установлена взаимосвязь между поверхностным натяжением и поверхностной энергией в сферической изотропной металлической наночастице, находящейся в электрическом поле.

7. Установлена корреляция между разностью поверхностных энергий (работ выхода электрона) металла матрицы и примеси и остаточным сопротивлением.

8. Изучено влияние времени фотонного отжига с помощью ультрафиолетового облучения на поверхностное сопротивление пленок хрома и алюминия на кремнии и микроканальных структурах. Фотонный отжиг при соответствующем подборе режима облучения приводит к улучшению морфологии поверхности и соответственно к уменьшению поверхностного сопротивления пленок.

Цитируемая литература

[ 1 ] Дигилов, Р. М. Анизотропия поверхностной энергии и работы выхода щелочных металлов / Р. М. Дигилов, В. А. Созаев, X. Б. Хоконов // Поверхность. Физика, Химия, Механика. - 1987. - Вып. 6. - С. 13-18.

[2] Lang, N. D. The density—functional formalism and the electronic structure of metal surfaces / N. D. Lang H Solid State Phys. -1973.-V. 28. №4.-P. 225-300.

[3] Lang, N. D. Theory of meta! surfaces: Charge density and surface energy / N. D. Lang, W. fCohn И Phys. Rev. В.- 1970. — V. 1,№ 12.- P. 4555-4568.

[4] Задумкин, С. H. Общие условия равновесия межфазных границ и уравнения капиллярности / С. Н. Задумкин, X. Б. Хоконов / Методы исследования и свойства границ раздела контактирующих фаз. Киев: Наукова Думка, 1977,- С. 163 -175.

[5] Самсонов, В. М. Условия применимости термодинамического описания высокодисперсных и микрогетерогенных систем 1 В. М. Самсонов II ЖФХ. ~ 2002. - Т. 76, № 11. - С. 20632067.

Основное содержание диссертации опубликовано в работах:

1. Кашежев, А. 3. Зависимость поверхностной энергии металлов от давления / А. 3. Кашежев, В. К. Кумыков,

A. Р. Манукянц, И. Н. Сергеев, В. А. Созаев // Известия РАН, Сер. Физическая,-2009,-Т. 73, №8.-С. 1243- 1245.

2. Гедгагова, М. В. О Высокотемпературных измерениях поверхностного натяжения металлов в условиях вакуума / М. В. Гедгагова, X. М. Гукетлов, В. К. Кумыков, А. Р. Манукянц, И. В. Сергеев, В. А. Созаев // Известия РАН. Сер. Физическая,- 2007.- Т. 71, № 5,-С. 631 - 633.

3. Гукетлов, X. М. Влияние фотонного отжига на структуру и электрические свойства тонких металлических пленок на кремнии / X. М. Гукетлов, А. В. Демченко, В. К. Кумыков, А. Р. Манукянц, В. М. Фетисова // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники - 2006.- № 3 - С. 77 - 79.

4. Кумыков, В. К. Поверхностное натяжение цветных металлов на границе раздела твердая фаза - собственный пар /

B. К. Кумыков, А. Р. Манукянц, М.В. Гедгагова // Известия высших учебных заведений, Цветная металлургия- 2006 - № 4-

C. 44-47.

5. Кашежев, А. 3. Взаимосвязь между поверхностным натяжением и поверхностной энергией в сферической изотропной наночастице металлического сплава, находящейся в электрическом поле / А. 3. Кашежев, А. Р. Манукянц, В. А. Созаев // Вестник КБГУ, Серия Физические науки - 2004.- Вып. 9- С. 42 - 43.

6. Кашежев, А. 3. О связи поверхностной энергии и работы выхода электрона с остаточным сопротивлением металлов / А. 3. Кашежев, А. Р. Манукянц, В. А. Созаев / Сборник научных трудов СО отделения АН и ВШ РФ №4, Владикавказ,-2006.- С. 18 - 20.

7. Граневскнн, С. Л. Возможности атомно-силовой микроскопии при изучении поверхности МКП на наноуровне / С. Л. Граневский, Е. Н. Козырев, А. Р. Манукянц, В. А. Созаев / Труды СКГМИ (ГТУ), юбилейный выпуск,- 2006,- С. 125 - 128.

8. Кашежев, А. 3. Влияние давления на поверхностную энергию металлов / А. 3. Кашежев, В. К. Кумыков, А. Р. Манукянц, И. Н. Сергеев, В. А. Созаев / Материалы 1 Международного симпозиума «Физика низкоразмерных систем и поверхностей» (LDS - 2008), п. Лоо - 2008,- С. 289-292.

9. Козырев, Е. Н. Влияние ультрафиолетового облучения на поверхностное сопротивление металлических пленок на

кремнии и микроканальных структурах / Е. Н. Козырев, П. К. Короткое, В. К. Кумыков, А. Р. Манукянц, В. А. Созаев / Материалы 11 Международного Междисциплинарного симпозиума «Порядок и беспорядок и свойства оксидов (ODPO-l 1), п. Jloo.-2008.-T-2.-C. 153-155.

10. Созаев, В. А. Влияние ультрафиолетового облучения на структуру и поверхностное сопротивление металлических пленок на кремнии и микроканальных структурах / В. А. Созаев, П. К. Коротков, В. К. Кумыков, А. Р. Манукянц, Е. Н. Козырев, X. С. Хосаев //Труды СКГМИ.- 2008,- Вып. 5.- С. 55 - 59.

11. Созаев, В. А. Поверхностная энергия и поверхностная релаксация щелочных металлов во внешнем электрическом поле / В. А. Созаев, В. К. Кумыков, А. Р. Манукянц // Вестник КБГУ, Серия Физические науки - 2009,- Вып. 12 - С. 3-6.

Подписано в исчтъ%'/.£,У. Форма! би ч 84 •/>,. бумага офсетная. I'apt¡тура Тайме. Печап» на ризографе. Уел н.л. I Тираж/¡'¿' на. Заказ jtfl/, Ошсчапшо в отделе оперативной полиграфии СКЧ МИ (I ТУ). 362021. Владикавказ. ул. Николаева. 44.

Содержание диссертации автор исследовательской работы: кандидата физико-математических наук, Манукянц, Артур Рубенович

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Глава 1. Современное состояние исследований по теме.

1.1. Метод функционала электронной плотности и поверхностные свойства твердых металлов и сплавов.

1.1.1. О методе функционала электронной плотности.

1.1.2. Анизотропия поверхностной энергии и работы выхода электрона чистых металлов.

1.1.3. Размерные эффекты поверхностной энергии и работы выхода электрона

1.2. Влияние фотонного отжига на физико-химические свойства поверхности твердых тел.

1.2.1. Лазерный отжиг полупроводниковых структур.

1.2.2. Фотонный отжиг с помощью некогерентного излучения.

1.3. Поверхностное натяжение металлов в твердой фазе.

1.3.1. Метод нулевой ползучести.

1.3.2. Высокотемпературный вариант компенсационного метода нулевой ползучести для измерения поверхностного натяжения металлов в твердом состоянии.

1.3.3. Поверхностное натяжение некоторых металлов, используемых в электронике.

Выводы.

Глава 2. Методика приготовления образцов и их исследований.

2.1. Методика напыления металлических пленок на кремний и микроканальные структуры.

2.2. Методика измерения электрических характеристик тонких пленок на кремнии и микроканальных структурах.

2.3. Методика изучения морфологии пленок с помощью атомно-силового микроскопа.

2.4. Методика рентгенофлуоресцентного и рентгеноструктурного анализа металлических пленок.

Выводы.

Глава 3. Поверхностные и электрические свойства металлов в твердом состоянии.

3.1. Вариационные вычисления релаксации чистых металлических поверхностей.

3.2. Поверхностная релаксация во внешнем электрическом поле.

3.3. Влияние давления на поверхностную энергию металлов.

3.4. Взаимосвязь между поверхностным натяжением и поверхностной энергией в сферической изотропной наночастице металлического сплава, находящейся в электрическом поле.

3.5. О связи между поверхностной энергией и работой выхода электрона с остаточным сопротивлением металлов.

Выводы.

Глава 4. Поверхностное сопротивление и морфология металлических пленок на кремнии и микроканальных структурах до и после фотонного отжига.

4.1. Зависимость поверхностного сопротивления металлических пленок от времени фотонного отжига.

4.2. Рентгенофлуоресцентный и ренгеноструктурный анализ тонких металлических пленок.

4.3. Морфология металлических пленок на наноуровне до и после фотонного отжига.

Выводы.

Введение диссертация по физике, на тему "Влияние внешних воздействий на поверхностную энергию и поверхностное сопротивление металлических систем"

К числу важнейших физико-химических ' параметров металлических пленок на кремниевых и диэлектрических подложках относятся поверхностная энергия, электрические и адгезионные свойства, а также структурные особенности поверхности пленок. Особое внимание уделяется фундаментальным характеристикам поверхности: поверхностной энергии сг и работе выхода электрона Ф. В последнее время достигнут существенный прогресс как в теоретических, так и в экспериментальных исследованиях сг и Ф чистых металлических поверхностей. Ранее в рамках метода функционала электронной плотности были установлены закономерности влияния внешних электрических полей, адсорбированных покрытий, размеров образцов на поверхностные свойства металлических систем. Однако в прежних работах не учитывалось влияние релаксации структуры на а и Ф металлов при наличии значительных электрических полей и давлений. Не была установлена связь между поверхностной энергией и поверхностным натяжением наночастиц металлических систем, находящихся в электрических полях. Появление современных атомно-силовых, туннельных микроскопов позволяет выявлять взаимосвязи между некоторыми поверхностными свойствами и морфологией поверхности пленок, изученной на наноуровне. Однако подобных данных в литературе пока недостаточно. Вместе с тем, управляя структурой и морфологией пленок с помощью различных технологических приемов, можно получить гетероструктуры с прогнозируемыми свойствами. Одним из способов влиять на структуру, строение и свойства пленок является фотонный отжиг, который позволяет локализовать тепловую энергию в приповерхностной области и уменьшить термическую нагрузку на полупроводниковые и диэлектрические подложки, тем самым, сохраняя их функциональные свойства.

Цель работы - изучение влияния электрического поля и давления на поверхностную энергию и ультрафиолетового излучения на поверхностное сопротивление металлических систем. В соответствии с поставленной целью решались следующие задачи:

- Изучить в рамках метода функционала электронной плотности (МФЭП) влияние релаксации структуры на анизотропию поверхностной энергии (ПЭ) и работы выхода электрона (РВЭ), а также влияние внешних электрических полей и давления на ПЭ.

- Установить взаимосвязь между поверхностной энергией и поверхностным натяжением (ПН) наночастиц металлических систем в электрических полях.

-Выявить взаимосвязи между ПЭ и РВЭ с остаточным сопротивлением металлов.

- Оптимизировать технологию фотонного отжига металлических пленок на кремнии и микроканальных структурах.

- Выявить взаимосвязи поверхностного сопротивления металлических пленок с их морфологией до и после фотонного отжига.

Научная новизна

- В рамках МФЭП разработана методика оценки релаксации структуры, ПЭ и РВЭ граней (100) - (111) щелочных металлов.

- Впервые в рамках термодинамики поверхностных явлений установлена взаимосвязь между ПЭ и ПН наночастиц, находящихся во внешнем электрическом поле.

Практическая значимость

Методика фотонного отжига металлических пленок на кремнии и микроканальных структурах позволит оптимизировать технологии изготовления электронных приборов (лавинно-пролетных диодов, приборов ночного видения, диодов Шоттки и т.д.). Данные по ПЭ и РВЭ металлов могут использоваться при конструировании новых катодных материалов. Результаты ПИР используются при чтении спецкурсов в КБГУ и СКГМИ.

На защиту выносятся

- Данные по поверхностной энергии, работе выхода электрона низкоиндексных граней щелочных металлов, полученные в рамках МФЭП с учетом релаксации структуры.

- Установленная взаимосвязь между ПЭ и ПН наночастиц в электрических полях.

Апробация работы

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на 10 и 11 Международном симпозиуме Фазовые превращения в твердых растворах и сплавах» (ОМА-10, п. Лоо, 2007), на 11 Международном симпозиуме «Порядок и беспорядок и свойства оксидов» (ODPO-11, п. Лоо, 2008), на 1 Международном симпозиуме «Физика низкоразмерных систем и поверхностей» (LDS-2008), на научных семинарах кафедр физики и электронных приборов СКГМИ, физики межфазных явлений в КБГУ.

Личный вклад автора. В диссертации приводятся результаты в основном полученные лично автором. Цели и задачи исследования сформулированы научным руководителем проф. В.А. Созаевым.

Заключение диссертации по теме "Физика конденсированного состояния"

Выводы по работе

1. В рамках МФЭП с учетом дискретности положительного заряда получены вклады в ПЭ и РВЭ, связанные с поверхностной релаксацией.

2. На границе низкоиндексных граней щелочных металлов показано, что на рыхлых гранях (111) наблюдается сжатие межплоскостных расстояний (S< 0), на плотноупакованных гранях (110) наблюдается растяжение (5> 0), а в случае Li и К поверхностная релаксация отсутствует (S= 0).

Е = +2.6х 10 В/см различие в изменении Ao/oq граней (100) и (110) натрия может достигать 2% (а0 - ПЭ в отсутствие поля).

5. Оценки влияния давления на ПЭ в рамках МФЭП для Na показывают, что при давлениях 100 МПа относительное уменьшение ПЭ (Ло/о) составляет ~ 10%.

Список источников диссертации и автореферата по физике, кандидата физико-математических наук, Манукянц, Артур Рубенович, Владикавказ

1. Кон, В. Электронная структура вещества — волновые функции и функционалы плотности / В. Кон // УФН. - 2002. - Т. 172, № 3. - С. 336 -348.

2. Ролдугин, В. И. Квантоворазмерные металлические коллоидные системы /

3. B. И. Ролдугин // Успехи химии. 2000. - Т. 69, № 10. - С. 899-923.

4. Вакилов, А. Н. Теоретические методы в физике поверхности / А. Н. Вакилов, М. В. Мамонова, В. В. Прудников, И. А. Прудникова. -ОМГУ. Омск, 2001. - 123с.

5. Ухов, В. Ф. Электронно-статистическая теория металлов и ионных кристаллов / В. Ф. Ухов, Р. М. Кобелева, Г. В. Дедков, А. И. Темроков // М.: Наука, 1982.-160 с.

6. Теория неоднородного электронного газа / Под ред. С. С. Лундквиста, Н. Марча. М.: Мир, 1987. - 400 с.

7. Kiejna, A. Surface properties of alkali metal alloys / A. Kiejna, K. Wojciechowski // J. Phys. C. Solid State Phys. 1983. - V. 16. - P. 68836896.

8. Yamauchi, H. Surface segregation in jellium binary solid solutions / H. Yamauchi // Phys. Rev. 1985. - V. 31, № 12. - P. 7688-7694.

9. Дигилов, P. M. К теории поверхностной сегрегации сплавов щелочных металлов / Р. М. Дигилов, В. А. Созаев // Поверхность. 1988. - Вып. 7.1. C. 42-46.

10. Kiejna, A. Responce of a stabilized jellium surface to a static electric field / A. Kiejna // Surf. Sci. 1995. - № 1-5. - P. 6765-6569.

11. Kiejna, A. Surface stress of stabilized jellium / A. Kiejna, P. Ziesche // Solid St. Commun. 1993. - V. 88, № 2. - P. 143-147.

12. Погосов, В. В. К теории самосжимающихся твердых и жидких металлических кластеров / В. В. Погосов // ФТТ.-1995.- Т. 37, №9.-С. 2807-2813.

13. Кашежев, А. 3. Поверхностные свойства сплавов щелочных металлов /

14. A. 3. Кашежев, А. X. Мамбетов, В. А. Созаев, Д. В. Яганов // Поверхность. 2001. - № 12. - С. 53-59.

15. Дигилов, Р. М. Индуцированная поверхностная сегрегация в сплавах щелочных металлов / Р. М. Дигилов, В. А. Созаев // Поверхность. 1992. -№ 4. - С. 22-25.

16. Самойлович, А. Г. Электронная теория поверхностного натяжения металлов / А. Г. Самойлович // ЖЭТФ. 1946. - Т. 16, № 2. - С. 135-150.

17. Smoluchowski, R. Anisotropy of the electron work function of metals / R. Smoluchowski // Phys. Rev. 1941. -V. 60. - P. 663-674.

18. Бурмистров, С. H. Влияние модуляций электронной плотности на поверхностное натяжение металлов / С. Н. Бурмистров, JI. Б. Дубровский // ФТТ. 1981. - Т. 23, Вып. 10. - С. 3104-3107.

19. Партенский, М. Б. К самосогласованной теории энергетического барьера на границе металла с диэлектрической средой / М. Б. Партенский,

20. B. Е. Кузема // ФТТ. 1979. - Т. 21, Вып. 9. - С. 2842-2844.

21. Бигун, Г. И. Влияние субмонослойных пленок на поверхностные свойства металлов / Г. И. Бигун // УФЖ. 1979. - Т. 24, № 9. - С. 1313-1320.

22. Badiali, J. P. Effect of solvent on properties of liquid metal surface / J. P. Badiali, M.L.Rosenberg, J. Goodisman // J. Electr. Chem. 1981. — V. 130.-P. 31-45!

23. Дигилов, P. M. Размерный эффект поверхностной сегрегации в сплавах щелочных металлов / Р. М. Дигилов, В. А. Созаев // Поверхность. 1989. — № 11.-С. 22-24.

24. Geldart, D. J. Exchange and correlation energy of an inhomogeneous electron gas at metallic densities / D. J. Geldart, M. Rasolt // Phys. Rev. B. 1976. -V. 13, №4.-P. 1477-1488.

25. Задумкин, С. H. К обоснованию правила Бравэ / С. Н. Задумкин // ФТТ. -1963.-Т. 5,Вып. 11.-С. 3317-3318.

26. Задумкин, С. Н. Взаимосвязь между поверхностными и другими свойствами веществ / С. Н. Задумкин, А. И. Темроков, И. Г. Шебзухова, И. М. Алиев // В кн.: Поверхностные явления в расплавах / Киев: Наукова Думка, 1968.-С. 9-20.

27. Темроков, А. И. О теплофизических характеристиках поверхностей кристаллических тел / А. И. Темроков // Теплофизика высоких температур. 2000. - Т. 38, № 4. - С. 573-578.

28. Задумкин, С. Н. Приближенная оценка ориентационной зависимости поверхностной энергии и поверхностного натяжения металлических кристаллов / С. Н. Задумкин, И. Г. Шебзухова // ФММ. 1969.- Т. 28, №3.-С. 434-439.

29. Шебзухова, И. Г. О расчете поверхностной энергии металлов IB группы электронно-статистическим методом / И. Г. Шебзухова, С. Н. Задумкин,

30. B. К. Кумыков // В кн.: Смачиваемость и поверхностные свойства расплавов и твердых тел / Киев: Наукова Думка, 1972. С. 146-151.

31. Шебзухова, И. Г. Расчет анизотропии поверхностной энергии металлических кристаллов / И. Г. Шебзухова // Физика и химия поверхности / Нальчик: КБГУ, 1982. С. 27-31.

32. Шебзухова, И. Г. Влияние полиморфных превращений на анизотропию поверхностной энергии Зс1-металлов / И. Г. Шебзухова, JI. П. Арефьева // Вестник КБГУ, Сер. Физические науки. Нальчик: КБГУ. 2004. - Вып. 9.1. C.7-9.

33. Покровский, Н. JI. Вычисление поверхностной энергии сплавов / Н. JI. Покровский, В. А. Созаев // Юм — Розери. Адгезия расплавов и пайка материалов / Киев: Наукова Думка, 1984. № 12. - С. 51-55.

34. Калажоков, X. X. Расчет поверхностной энергии граней металлических монокристаллов по их значениям работы выхода электрона / X. X. Калажоков // Известия СКНЦВШ. Серия естественные науки. -1988. № . - С. 77.

35. Калажоков, X. X. К расчету поверхностной энергии грани монокристалла через значение ее работы выхода электрона / X. X. Калажоков, А. С. Гонов, 3. X. Калажоков // Металлы. 1996. - № 3. - С. 53-55.

36. Задумкин, С. Н. Поверхностная энергия и работы выхода гладких граней металлического монокристалла / С. Н. Задумкин, И. Г. Шебзузова, Б. Б. Алчагиров // ФММ. 1970. - Т. 30, № 6. - С. 1313-1315.

37. Hohenberg, P. Inhomogeneous electron gas / P. Hohenberg, W. Kohn // Phys. Rev.-1964.-V. 136.-P. 846-871.

38. Kohn, W. Self consistent equations including exchange and correlation effects / W. Kohn, L. J. Sham // Phys. Rev. - 1965. - V. 140. - P. 1135-1138.

39. Lang, N. D. Theory of metal surfaces: charge density and surface energy / N. D. Lang, W. Kohn // Phys. Rev. B. 1970. - V. 1, № 12. - P. 4555-4568.

40. Кобелева, P. M. К расчету поверхностной энергии металлов в модели дискретного положительного заряда / Р. М. Кобелева, Б. Р. Гельчинский, В. Ф. Ухов // ФММ. 1978. - Т. 45, № 1.-С. 25-32.

41. Monnier, R. Surface energy of simple metals: Self consistent inclusion of ion potential / R. Monnier, J. R. Perdew // Phys. Rev. Lett. 1976. - V. 37, № 19. -P. 1286-1289.

42. Kiejna, A. Surface properties of simple metals in a structureless pseudopotential model / A. Kiejna // Phys. Rev. B. 1993. - V. 47, № 12. - P. 7361-7364.

43. Kiejna, A. A note on face dependent surface properties of simple metals / A. Kiejna // J. Phys. D. Solid State Phys. - 1982. - V. 15. - P. 4717-4725.

44. Дигилов, P. M. Анизотропия поверхностной энергии и работы выхода электрона простых металлов в модели Ланга / Р. М. Дигилов, Ю. А. Орквасов, X. Б. Хоконов // В кн. Поверхностные явления на границах конденсированных фаз / Нальчик: КБГУ, 1983. С. 3-22.

45. Дигилов, Р. М. Анизотропия поверхностной энергии и работы выхода щелочных металлов / Р. М. Дигилов, В. А. Созаев, X. Б. Хоконов // Поверхность. Физика, Химия, Механика. 1987. - Вып. 6. - С. 13-18.

46. Таут, М. Достижения электронной теории металлов. Т.1, 2 / М. Таут, И. Мертиг, П. Реннерт и др.; Под редакцией П. Цише, Г. Леманна. — М.: Мир, 1984.-346 с.

47. Хейне, В. Теория псевдопотенциалов / В. Хейне, М. Коэн, Д. Уэйр. М.: Мир, 1973.-224 с.

48. Дигилов, Р. М. Анизотропия поверхностной энергии и работы выхода в присутствии адсорбата / Р. М. Дигилов, В. А. Созаев, X. Б. Хоконов // Поверхность. 1987. -№ 12. - С. 138-139.

49. Fall, С. J. Anomaly in the anisotropy of the aluminium work function / C. J. Fall, N. Bingelli, A. Baldereschi // Phys. Rev. B. 1983. - V. 28, №. 12.1. P. 7544-7547.

50. Kiejna, A. On adhesive energies at bimetallic interfaces / A. Kiejna, J. Zieba // Surf. Sci. Lett. 1985. - № 59. - P. 411-415.

51. Ибрагимов, X. И. Работа выхода электрона в физико-химических исследованиях расплавов и твердых фаз на металлической основе / X. И. Ибрагимов, В. А. Корольков. М.: Металлургия, 1995. - 75 с.

52. Williams, F. L. Binary alloy surface composition from bulk alloy thermodynamic date / F. L. Williams, D. Nason // Surf. Sci. 1974. - V. 5, №2.-P. 377-381.

53. Матысина, 3. А. Ориентационная зависимость поверхностной энергии свободных граней идеальных ГПУ кристаллов / 3. А. Матысина, И. Б. Лимина // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 1999. - № 11. - С. 88-90.

54. Матысина, 3. А. Поверхностная энергия свободных граней типа (hkl) ГПУ кристаллов / 3. А. Матысина // Поверхность. - 1995. - № 4. - С. 13.

55. Владимиров, А. Ф. Анизотропия работы выхода электрона и ретикулярное уплотнение «рыхлых» граней металлических кристаллов / А. Ф. Владимиров // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1999. - № 9. — С. 66-68.

56. Liu, X. Y. Anisotropic surface segregation in Al-Mg alloys / X.Y.Liu, P. P. Ohotnicky, J. B. Adams, C. L. Rohrer, R. W. Hyland // Surf. Sci. 1997. -V. 373, № 2-3. - P. 357-370.

57. Crampin, S. Segregation and the work function of a random alloy: Pd — Ag (111) / S. Crampin // J. Phys.: Condens. Mater. 1993. - V. 5, № 36. - P. 14431447.

58. Лозовой, А. Ю. Автосегрегация на поверхности неупорядоченных сплавов / А. Ю. Лозовой, П. А. Коржавый, А. В. Пономарева, Ю. X. Векилов // Материаловедение. 1997. -№ 1. - С. 43-50.

59. Smirnova, Е. A. Surface segregation in AlZn Random Alloys / E. A. Smirnova, P. A. Korhavyi, Yu. Kh. Vekilov // Phys. Low-Dim. Struct.- 1999.- V. 5, №6.-P. 113-116.

60. Дигилов, P. M. Поверхностная энергия и работа выхода щелочных металлов с учетом сегрегации / Р. М. Дигилов, В. А. Созаев // В кн. Адгезия и контактное взаимодействие расплавов / Киев: Наукова думка, 1988. -С. 87-95.

61. Bogdanov, Н. Electronic surface properties of alkali metal alloys / H. Bogdanov, K. F. Wojciechovski // J. Phys. D.: Appl. Phys. - 1996. - V. 29. -P. 1310-1315.

62. Бынков, К. А. Термодинамические свойства металлов и сплавов в методе модельного функционала электронной плотности / К. А. Бынков, П. П. Каминский, К. М. Кузнецов, В. Ф. Перевалова, Ю. А. Кон // В кн.

63. Фазовые равновесия, структура и свойства сплавов / Киев: Наукова Думка, 1990.-С. 147-159.

64. Гранкина, А. И. К ориентационной зависимости эффекта поверхностной сегрегации в бинарных сплавах / А. И. Гранкина, В. И. Рыжков, М. А. Васильев // Поверхность. 1988. - № 6. - С. 105-109.

65. Канчукоев, В. 3. Влияние электрического поля на анизотропию поверхностной энергии сплавов щелочных металлов / В. 3. Канчукоев,

66. A. 3. Кашежев, А. X. Мамбетов, В. А. Созаев // Письма в ЖТФ. 2001. -Т. 27, №20.-С. 89-91.

67. Созаев, В. А. Межфазная энергия и энергетический барьер на границе металлическая наноструктура — диэлектрик / В. А. Созаев, Р. А. Чернышева, Д. В. Яганов // Известие вузов. Материалы электронной техники. 2003. - № 4. - С. 61-64.

68. Лошицкая, К. П. Влияние диэлектрических покрытий на концентрационные зависимости межфазной энергии и работы выхода электрона тонких пленок сплавов щелочных металлов / К. П. Лошицкая,

69. B. А. Созаев, Р. А. Чернышева // Поверхность. 2005. - № 9. - С. 104-108.

70. Канчукоев, В. 3. Влияние электрического поля на поверхностную энергию и работу выхода электрона тонких пленок сплавов щелочных металлов /

71. B. 3. Канчукоев, А. 3. Кашежев, А. X. Мамбетов, В. А. Созаев // Письма в ЖТФ. — 2001. —Т. 28, № 12.-С. 57-61.

72. Фоменко, В. С. Эмиссионные свойства материалов / В. С. Фоменко. -Справочник, Киев: Наукова Думка, 1981. 362 с.

73. Блейкмор, Дж. Физика твердого состояния / Дж. Блейкмор. М.: Металлургия, 1972. - 488 с.

74. Кашежев, А. 3. Концентрационная зависимость работы выхода электрона сплавов алюминий-литий / А. 3. Кашежев, К. П. Лошицкая, В. А. Созаев // Вестник КБГУ, Сер. Физические науки, Нальчик: КБГУ. 2007. — № 11.—1. C. 8-9.

75. Дриц, М. Е. Сплавы щелочных и щелочноземельных металлов / М. Е. Дриц, JI. JI. Зусман. Справочник. М.: Металлургия, 1986. - 248 с.

76. Бондаренко, Г. Г. Эмиссионные свойства алюминий — литиевого сплава / Г. Г. Бондаренко, А. В. Шишков // Поверхность. 1995. - № 5. - С. 35-38.

77. Kellock, A. J. Thin film adhesion improvement under photon irradiation /

78. A. J. Kellock, G. L. Nyberg, J. S. Williams // J. Vac. 1985. - V. 35, № 12. -P. 625-628.

79. Katsuhiro, Y. Hologen and mercury lamp annealing of arsenic implanted into silicon / Yokota Katsuhiro, Nuta Kenji et. al. // Jap. J. Appl. Phys. 1987. -Pt. 2.26, № 2. - P. 87-89.

80. Альтудов, Ю. К. Лазерные микротехнологии и их применения в электронике / Ю. К. Альтудов, Ф. Г. Горицин. М: Радио и связь, 2001. -С. 370-374.

81. Бузанева, Е. В. Температурная зависимость сопротивления омических контактов металл-п-арсенид галлия / Е. В. Бузанева, Г. Д. Попова,

82. B. И. Стриха // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. -1976. Вып. 6. - С. 77-82.

83. Стриха, В. И. Физические основы надежности металл-полупроводник в интегральной электронике / В. И. Стриха, Е. В. Бузанева. М.: Радио и связь, 1987.-254с.

84. Демчук, А. В. Модификации морфологии поверхности кремниевых слоев под действием импульсного лазерного излучения наносекундной длительности / А. В. Демчук, Н. И. Данилович, В. А. Лабу нов // Поверхность, химия, механика. 1988. — № 8. - С. 84-88.

85. Micheli, F. Laser microfabrication of thin films: Part two / F. Micheli, I. W. Boyd// Optics and laser technology. 1987. - V.19(l). - P. 19-25.

86. Воронков, В. П. Влияние лазерного отжига на электрические характеристики МДП структур на основе GaAs / В. П. Воронков,

87. B. М. Калыгина, С. Ю. Муленков и др. // ФТП. 1992.- Т. 26, Вып. 6.1. C. 1120-1123.

88. Pizzuto, С. Activation of electrical carriers in Zn implanted InP by lowpower pulsed-laser annealing / C. Pizzuto, Q. Zollo, G. Vitali // J. Appl. Phys. -1997. V. 82(11). - 1 D. - P. 5334-5338.

89. Kramer, K. J. Crystallinity, strein, and thermal stability of heteroepitaxial

90. SixxGex / Si (100) layers created using pulsed inductd epitaxy / K. J. Kramer, S. Talwar, T. W. Sigmun, K. Weiner // Appl. Phys. Lett.- 1992:- V. 61.-P. 769-771.

91. Lombardo, S. Demonstration of laser-assisted epitaxial deposition of GexSixx, alloys on single-crystal Si / S. Lombardo, M. O. Thompson // Appl. Phys. Lett. 1991. - V. 58. - P. 1768-1770.

92. Монахов, Э. В. Структурные и композитные перестройки в

93. ОС — Ge — Si02 — Si (111) при импульсном лазерном облучении / Э. В. Монахов, О. И. Лебедев, Ф. Г. Васильев и др. // Микроэлектроника. -1997.-Т. 26, № 1.-С. 64-70.

94. Кумыков, В. К. Влияние некоегерентного светового излучения на сопротивление контакта металл кремний / В. К. Кумыков, X. М. Гукетлов, X. Т. Шидов, Р. 3. Ошроева // Изв. Вузов. Материалы электронной техники. - 2003. — № 2, С. 30-31.

95. Кумыков, В. К. Установка для высокотемпературного нагрева в вакууме тугоплавких металлов и сплавов / В. К. Кумыков, X. М. Гукетлов // Заводская Лаборатория. Диагностика материалов. — 2004. № 6. — С. 3536.

96. Скоров, Д. М. Поверхностная энергия твердых металлических фаз / Д. М. Скоров, А. И. Дашковский, В. Н. Маскалец, В. К. Хижный. М.: Атомиздат, 1973. - 172с.

97. Хоконов, X. Б. Методы измерений поверхностной энергии и натяжения металлов и сплавов в твердом состоянии / X. Б. Хоконов // В кн. Поверхностные явления в сплавах и возникающих из них твердых фазах / Кишинев: Штиинца, 1974. С. 190-261.

98. Kumykov, V. К. On the measurement of the surface free energy and surface tension of solid metals / V. K. Kumykov, Kh. B. Khokonov // J. Appl. Phys. -1983.-V. 54(3).-P. 1346-1350.

99. Кумыков, В. К. Поверхностное натяжение некоторых редкоземельных металлов в твердом состоянии / В. К. Кумыков, X. М. Гукетлов // ФММ. -1983. Т. 56, Вып. 2. - С. 408-409.

100. Кумыков, В. К. Поверхностное натяжение цветных металлов на границе раздела твердая фаза собственный пар / В. К. Кумыков, М. В. Гедгагова,

101. A. Р. Манукянц // Известия высших учебных заведений, Цветная металлургия. 2006. - № 4. - С. 44^7.

102. Кумыков, В. К. Измерение поверхностного натяжения материалов электронной техники / В. К. Кумыков, X. М. Гукетлов, М. В. Гедгагова // Известия РАН. Серия физическая. 2006. - Т. 70, № 4. - С. 593-596.

103. Гедгагова, М. В. Высокотемпературные измерения поверхностного натяжения металлов в вакууме / М. В. Гедгагова, X. М. Гукетлов,

104. B. К. Кумыков, А. Р. Манукянц, И. В. Сергеев, В. А. Созаев // Известия РАН, Сер. Физическая. 2007. - Т. 71, №5. - С.631-633.

105. Попель, С. И. Поверхностные явления в расплавах / С. И. Попель. — Свердловск: Металлургия, 1994. 432 с.

106. Шидов, X. Т. Температурная зависимость контактного сопротивления на границе Si-Al и Si-Cr. / X. Т. Шидов, К. А. Гетажеев, А. К. Шухостанов / Физика и технология поверхности. Сборник научных трудов. Нальчик, КБГУ, 1990.

107. Борисенко, В. Е. Наноэлектроника: учеб. пособие для студентов специальности «Микроэлектроника» дневной формы обучения в 3-х частях Часть 2 Нанотехнология / В. Е. Борисенко, А. И. Воробьева. Мн: БГУИР, 2003.-76 с.

108. Jona, F. А1{111} revisited / F. Jona, D. Sondericker, P.M.Marcus // J. Phys

109. C. 1980. - V. 13, № 8. - P. L155 - L158.

110. Bianconi, A. Al Surface Relaxation Using Surface Extended X-Ray-Absorption Fine Structure / A. Bianconi, R. Z. Backrach // Phys. Rev. Lett.- 1979.-V. 42.-P. 104-108.

111. Noonan, J. R. Truncation-induced multilayer relaxation of the Al(l 10) surface / J. R. Noonan, H. L. Davis // Phys Rev. B. 1984. - V. 29, № 8. - P. 4349-4355.

112. Вакилов, А. И. Расчеты решеточной релаксации металлических поверхностей с учетом влияния градиентных поправок на неоднородностьэлектронной системы / А. И. Вакилов, В. В. Прудников, М. В. Прудникова // ФММ. 1993. - Т. 76. - С. 38^48.

113. ЮЗ.Берч, А. В. Поверхностная энергия и многослойная релаксация поверхности ГЦК—переходных металлов / А. В. Берн, А. Г. Липницкий, Е. В. Чулков // Поверхность: физика, химия, механика.- 1994.- №6.-С. 23-31.

114. Sahni, V. Variational calculations of low-index crystal face-dependent surface energies and work-functions of simple metals / y. Sahni, J. B. Perdew, J. Guenebaum // Phys Rev. B. 1981. - V. 23, № 12. - P. 6512-6523.

115. Sholl, C. A. The calculations of electrostatic energies of metals by plane wise summation Proc / C. A. Sholl // Phys. Soc. 1967. - V. 92. - P. 434-449.

116. Оура, К. Введение в физику поверхности / К. Оура, В. Г. Лифшиц, А. А. Саранин, А. В. Зотов, М. Катаяма. М.: Наука, 2006. - 491 с.

117. Andersen, J. N. Oscillatory relaxation of the Al(110) surface / J. N. Andersen, H. B. Nielsen, L. Petersen, D. L. Adams // J. Phys. C. 1984. - V. 17. - P. 173192.

118. Jona, F. LEED Crystallography / F. Jona // J. Phys C. Solid State Phys.-1978. V. 11. -P. 4271-4306.

119. Smith, J. R. Self consistent theory of electron work functions and surface potential characteristics for selected metals / J. R. Smith // Phys. Rev. B. -1969.-V. 181,№2.-P. 522-529.

120. Партенский, M. Б. Проникновение электрического поля в металл и его влияние на величину поверхностного барьера / М. Б. Партенский, Я. Г. Смородинский // ФТТ. 1974. - Т. 16, № 3. - С. 644-647.

121. Партенский, М. Б. Некоторые вопросы электронной теории металлической поверхности / М. Б. Партенский // Поверхность.- 1982.— Вып. 10.-С. 15-32.

122. McMullen, Е. R. Effects of an intense electric field on metal surface geometry / E. R. McMullen, J. P. Perdew, J.H.Rose // Solid State Commun. 1982.-V. 44, №6. -P. 941-945.

123. Kiejna, A. The effect of strong electric field on lattice relaxation of metal surface / A. Kiejna // Solid State Commun. 1984. - V. 50, № 4. - P. 349-352.

124. Дигилов, P. M. Влияние внешнего электростатического поля на поверхностную сегрегацию в сплавах щелочных металлов / Р. М. Дигилов, В. А. Созаев // Поверхность. 1990. - № 10. - С. 138-139.

125. Lang, N. D. Self-consistent properties of the electron distribution at a metal surface / N. D. Lang // Solid State Commun. 1969. - V. 7, № 15. - P. 10471053.

126. Lang, N. D. The density-functional formalism and the electronic structure of metal surfaces / N. D. Lang // Solid State Phys. 1973. - V. 28, № 4. - P. 225300.

127. Lang, N. D. Theory of metal surface: charge density and surface energy / N. D. Lang, W. Kohn // Phys. Rev. B. 1970. - V. 1, № 12. - P. 4555-4568.

128. Badiali, J.P. Effect of solvent on properties of liquid metal surface / J. P. Badiali, M.L.Rosenberg, J. Goodisman // J. Electr. Chem. 1981. — V. 130.-P. 31-45.

129. Кумыков, В. К. Поверхностная энергия и поверхностная релаксация щелочных металлов во внешнем электрическом поле / В. К. Кумыков, А. Р. Манукянц, В. А. Созаев // Вестник КБГУ, Серия Физические науки. -2009.-Вып. 12.-С. 3-6.

130. Русанов, А. И. Фазовые равновесия и поверхностные явления / А. И. Русанов. Ленинград: Химия, 1967. - С. 99-106.

131. Русанов, А. И. / А. И. Русанов, Н. Н. Кочурова, В. Н. Хабаров, ДАН СССР. 1972. - Т. 202. - Вып. 2. - С. 380-383.

132. Попел ь, С. И. / С. И. Попель, В.В.Павлов, В. Н. Кожурков // в сб.: Поверхностные явления в расплавах / Киев: Наукова Думка, 1968. С. 86105.

133. Длечников, И. // Техническая мысль. 1976. -№ 12, Вып. 2. - С. 101-108.

134. Хабаров, В. Н. / В. Н. Хабаров, Н. Н. Кожуркова, А. И. Русанов // Вестник Ленинградского Университета. 1974. - № 4. - С. 127-132.

135. Унежев, Б. X. Влияние газовой среды на поверхностное натяжение жидких металлов / Б. X. Унежев, С. Н. Задумкин, А. А. Карашаев / В кн.: Электрохимия и расплавы. М.: Наука. - 1974. - С. 111-118.

136. Махова, М. М. Физика межфазных явлений / М. М. Махова, Б. X. Унежев, X. Б. Хоконов, А. X. Эфендиев. Нальчик: КБГУ, 1981. - С. 41-44.

137. Simon, G. Gesamteenegie destorter kristalle / G. Simon, U. Hubner // Acta Phys. Austriaca. 1972. - V.35. - P. 51-63.

138. Кашежев, A. 3. Влияние давления на поверхностную энергию металлов /

139. A. 3. Кашежев, В. К. Кумыков, А. Р. Манукянц, И. Н. Сергеев, В. А. Созаев / Материалы 1 Международного симпозиума «Физика низкоразмерных систем и поверхностей» (LDS 2008), п. Лоо. - 2008. - С. 289-292.

140. Кашежев, А. 3. Зависимость поверхностной энергии металлов от давления / А. 3. Кашежев, В. К. Кумыков, А. Р. Манукянц, И. Н. Сергеев,

141. B. А. Созаев // Известия РАН, Сер. Физическая. 2009. - Т. 73, № 8.1. C. 1243-1245.

142. Задумкин, С. Н. Общие условия равновесия межфазных границ и уравнения капиллярности / С. Н. Задумкин, X. Б. Хоконов / Методы исследования и свойства границ раздела контактирующих фаз. Киев: Наукова Думка, 1977. С. 163 - 175.

143. Samsonov, V. М. Molecular Dynamical Simulation of Structure Formation After Nanodroplet Spreading Over Heterogeneous Surfaces / V. M. Samsonov,

144. V. V. Dronnikov, A. A. Volnukhina, S. D. Muravyev // Surf. Sci.- 2003.-V. 532-535.-P. 560-566.

145. Шоршоров, M. X. Ультрадисперсное структурное состояние металлических сплавов и соединений и его влияние на фазовые превращения и свойства / М. X. Шоршоров. М.: Изд-во ИМЕТ, 1997.200 с.

146. Шоршоров, М. X. // Материаловедение. 2000. - № 5. - С. 6-12.

147. Русанов, А. И. Полное условие механического равновесия на искривленной несферической поверхности / А. И. Русанов, А. К. Щекин // Коллоидный журнал. 2002. - Т. 64, № 2. - С. 209-212.

148. Базулев, А. Н. Применение термодинамической теории возмущений к расчету поверхностного и межфазного натяжений нанометровых микрокапель / А. Н. Базулев, В. М. Самсонов, Н. Ю. Сдобняков // ЖФХ. -2002. Т. 76, № 11. - С. 2073-2077.

149. Самсонов, В. М. Условия применимости термодинамического описания высокодисперсных и микрогетерогенных систем / В. М. Самсонов // ЖФХ. 2002. - Т. 76, № 11. - С. 2063-2067.

150. Созаев, В. А, О связи поверхностного натяжения и поверхностной энергии в наночастицах металлических сплавов / В. А. Созаев // Поверхность. -2005.-№ 11.-С. 118-119.

151. Shuttleworth, R. // Proc. Rhys. Soc. Ser. A. 1950. -V. 63, № 4. - P. 444.

152. Дашевский, M. Я. Поверхностные явления в расплавах алмазоподобных фаз / М. Я. Дашевский // В сб.: Поверхностные явления в полупроводниках. Научные труды, МИСиС / М.: Металлургия, 1976. — № 89. С. 10-15.

153. Лифшиц, И. М. Электронная теория металлов / И. М. Лифшиц, М. Я. Азбель, М. И. Каганов. М.: Наука, 1971. - 415 с.

154. Guyot, P. Contribution a la theorie de la resistivite electrique des joints de grains metalliques / P. Guyot // Phys. Stat. Sol. B. 1970. - V. 38. - P. 409^114.

155. Кашежев, A. 3. О связи поверхностной энергии и работы выхода электрона с остаточным сопротивлением металлов / А. 3. Кашежев,

156. A. Р. Манукянц, В. А. Созаев // Сборник научных трудов, Владикавказ: СКГМИ. — 2006. №4. - С. 18-20.

157. Ниженко, В. И. Поверхностное натяжение жидких металлов и сплавов /

158. B. И. Ниженко, Л. И. Флока. -М.: Металлургия, 1981. 209 с.

159. Алчагиров, Б. Б. Исследование работы выхода электрона бинарных систем In-Pb, In-Sn, Sn-Pb / Б. Б. Алчагиров, X. X. Калажоков, X. Б. Хоконов // Поверхность. Физика. Химия. Механика.— 1982.— Вып. 7. С. 49-55.

160. Александров, Б. Н. Влияние примесей на остаточное электросопротивление свинца / Б. Н. Александров, В. В. Дукин.// ФММ. -1974. Т. 38, Вып. 6. - С. 1191-1200.

161. Александров, Б. Н. Остаточное сопротивление как критерий чистоты металлов / Б. Н. Александров // Физика конденсированного состояния, Харьков. 1970. - Вып. 6. - С. 52-101.

162. Двуреченский, А. В. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов / А. В. Двуреченский, Г. А. Качурин, Е. В. Нидаев, Л. С. Смирнов. М.: Наука, 1982.-208 с.

163. Королькова, И. Лазерный отжиг ионно — имплантированных слоев в тонких металлизированных кремниевых структурах / И. Королькова, Г. А. Крысов, Ю. П. Синьков // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ.- 1986.-Вып. 7 (391).-С. 65-71.

164. Kemerink, G. J. Indium vacancy interaction in laser annealed solution / G. J. Kemerink, F. Pleiter // Hyperfine Interact.- 1987.- V. 35.- №H.-P. 711-712.

165. Armigliato, A. Electron microscopy of As supersaturated silicon / A. Armigliato, D. Nobili, S. Solmi, A. Bourret, P. Werner // J. Electron. Chem. Soc. 1986. - V. 133, № 13. - P. 2560-2565.

166. Верещагина, 3. Д. Импульсное вжигание металлических пленок в кремнии / 3. Д. Верещагина, Г. А. Крысов, Е. А. Цехмейстер, А. С. Сергеичев // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1983.- Вып. 10 (358) . -С. 57-59.

167. Некоторые часто встречающиеся сокращения

168. ПЭ — поверхностная энергия.

169. РВЭ работа выхода электрона.

170. МФЭП метод функционала электронной плотности.

171. ПН — поверхностное натяжение.

172. Ячейка ВЗ — ячейка Вигнера-Зейтца.

173. МКП — микроканальная пластина.

174. ПР поверхностная релаксация.