Вопросы разработки и исследования дрейфово-диффузионных магнитотранзисторов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

t. ВВЕДЕНИЕ.

2. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫХ ПРИБОРОВ

2.1. Датчики Холла и магниторезисторы.

2.2. Магнитодиоды

2.3. Магнитотранзисторы.

2.4. Магниточувствительные приборы и схемы

В последнее время все большее применение находят полупроводниковые гальваномагнитные приборы* Неослабевающий интерес к гальваномагнитным явлениям и приборам, основанным на них, объясняется рядом особенностей и достоинств, основные из которых:пропорциональность выходного сигнала векторному произведению электрического и магнитного полей, действующих на прибор, отсутст вне электрической связи между входной и выходной цепями этих приборов, малые габариты, потребляемая мощность, высокая надежность и другие. Эти особенности делают их перспективными для широкого научного и промышленного использования и позволили сконструировать серию простых, удобных и надежных измерительных приборов и функциональных устройств разнообразнейшего назначения / 1-23 /, создание которых без гальваномагнитных приборов было бы затруднительно, а в некоторых случаях - невозможно.

До недавнего времени техническое использование находили лишь датчики Холла и магниторезисторы. Основные недостатки этих приборов - относительно малая величина выходного сигнала и низкая чувствительность к магнитному полю - существенно тормозили их широкое внедрение в технику.

Открытие магнитодиодного эффекта / 24-26 / и разработка приборов на его основе - магнитодиодов различных типов, а также серийный их выпуск промышленностью нескольких стран еще более увеличили интерес к гальваномагнитным приборам.Магнитодиоды обладают высокой чувствительностью к магнитному полю (на 2.3 порядка большей, чем у датчиков Холла и магниторезисторов), существенной величиной выходного сигнала, однако имеют недостатки, из них наиболее существенные: сильная температурная зависимость характеристик прибора, нелинейность его выходной характеристики и относительно шзкая чувствительность к малым магнитным полям.

Возрастающие с каждым годом исследования, обязанные с изучением магнитного ноля Земли, разведкой полезных ископаемых, исследованием слабых магнитных полей биологических объектов и космического пространства»разработка систем пассивной навигащи и внедрение некоторых автоматизированных систем, требуют создания магниточувствительных приборов, удовлетворяющих общим требованиям, предъявляемым к современным полупроводниковым приборам и обладающих высокой чувствительностью к малым магнитным полям, малым весом и габаритами, линейностью выходных характеристик.Требованиям, предъявляемым этими важнейшими народно-хозяйственными задачами в значительной степени удовлетворяют недавно разработанные магнитотранзисторы различных типов / 27-30 /. Однако этим перспективным магниточувствительным приборам до настоящего времени в отечественной и зарубежной литературе уделено недостаточно внимания* Результаты исследований, изложенные в настоящей работе, в некоторой степени восполняют этот пробел.

Цель данной работы - разработка и теоретическое и экспериментальное исследование диффузионно-дрейфовых магнитотранзисто-ров, пригодных для использования в качестве датчика слабых и средних (до 0,1 Т) магнитных полей и в перемножителях аналоговых сигналов.

В работе разработаны методы расчета статических и динамических характеристик диффузионно-дрейфового магнитотранзистора в зависимости от основных электрофизических параметров применяемого полупроводникового материала, геометрии прибора и внешних электрических и магнитных воздействий. По разработанным методикам расчитаны и изготовлены лабораторные образцы германиевых магнитотранзисторов и исследованы их основные характеристики. Расхождение расчетных и экспериментальных данных не превышает

12%. На базе германиевых магнитотранзисторов разработаны и изготовлены перемножители аналоговых сигналов. Разработана и изготовлена опытная партия кремниевых приборов, попользованных в разработках магнитометра и устройстве для контроля качества поверхностей изделий из ферромагнитных материалов.

На защиту выносятся следующие основные полученные новые результаты:

1. На основании анализа процессов, происходящих в структуре диффузионно-дрейфового двухколлекторного магнитотранзистора получены простые выражения для расчета чувствительности и выходных параметров прибора в зависимости от тока эмиттера, магнитного поля, действующего на пластину прибора, геометрических размеров и основных электрофизических параметров пластины.

2. Проанализированы динамические свойства прибора. Получены соотношения для расчета быстродействия прибора в зависимости от его геометрии, электрических воздействий на прибор и электрофизических характеристик применяемого материала пластины. Выявлены и исследованы причины, влияющие на линейность амплитудно-частотной характеристики и даны зависимости, позволяющие оценить амплитудно-частотную характеристику прибора. Для оценки порога чувствительности измерены и проанализированы шумы опытных образцов магнитотранзисторов. Разработана эквивалентная схема для переменного сигнала двухколлекторного диффузионно-дрейфового магнитотранзистора и даны выражения для расчета ее элементов.

3. Выявлены и проанализированы причины,влияющие на температурную зависимость выходной характеристики прибора.

4. Разработаны опытные образцы магнитотранзисторов, созданы методики и установки и проведено экспериментальное исследование основных статических и динамических характеристик магнитотранзисторов, дан анализ полученных результатов.

- ■ ■ .• . . . . 1

Г 5. В качестве примера использования магнитотранзисторов разработаны и изготовлены аналоговый перемножитель сигналов и измеритель индукции магнитного поля.

Практическая ценность работы. Перспективы применения магнитотранзисторов достаточно широки. Разработанные методы расчета характеристик прибора и полученные количественные соотношения позволяют рассчитывать изготовляемые магнитотранзисторы с заданными характеристиками и при использовании их в качестве элемента системы или интегральной схемы обеспечивать оптимальное согласование параметров цепей.

Устройства с использованием разработанных магнитотранзисторов внедрены в производство ЦНИИХМ, НЙЙТМ, организации ;НИС и используются в разработках ОКБ и других предприятий. Общий экономический эффект от использования результатов работ составляет более 75 тыо.руб. в год. Результаты внедрения и расчеты экономической эффективности приведены в приложении.

Диссертация состоит из 6 разделов, списка цитированной литературы и приложения. Объем работы 406 стр.текста, 59 рисунков, 131 наименование цитированной литературы.

Основные результаты работы можно кратко сформулировать следующим образом.

6.1. Проанализировано влияние скрещенных электрического и магнитного полей на распределение инжектированных эмиттером неосновных носителей тока в базе дрейфово-диффузионного магнитотранзистора. Показано, что относительное изменение концентрации неосновных носителей тока в области коллекторов (относительная чувствительность) является линейной функцией значений суммы под-вижностей основных и неосновных носителей тока, скрещенных магнитного и электрического полей, действующих на базу прибора ж места расположения коллекторов и не зависит от уровня инжекции неосновных носителей тока, типа проводимости материала базы и его удельного сопротивления. Установлено, что выходная характеристика магнитотранзистора - значение тока коллектора в зависимости от магнитного поля и тока в базе - при низких уровнях инжекции имеет квадратичную зависимость от тока эмиттера, а при высоком уровне инжекции ток коллектора пропорционален току эмиттера. Получены простые соотношения для расчета выходных характеристик магнитотранзистора и оценки его чувствительности. Исследована входная характеристика магнитотранзистора - зависимость тока эмиттера от приложенного напряжения мевду контактами эмиттера и базы. Эта зависимость при высоком и низком уровне инжек-ции имеет экспоненциальный вид.

6.2. Проанализированы динамические свойства прибора. Получены выражения для расчета быстродействия прибора в зависимости от его геометрии и электрофизических характеристик применяемого материала пластины. При высоком уровне инжекции перенос неосновных носителей тока от эмиттера к коллектору обусловлен, в основном, диффузионными процессами, происходящими в пластине. Время переноса неосновных носителей тока, определяющее быстродействие прибора в этом случае не зависит от тока эмиттера. При низком уровне инжекции перенос неосновных носителей обусловлен дрейфовыми и диффузионными процессами в пластине прибора, поэтому время переноса обратно пропорционально плотности тока, протекающего через пластину прибора и зависит от электрофизических параметров применяемого полупроводникового материала. С увеличением концентрации неосновных носителей в пластине (увеличением тока эмиттера) влияние дрейфовых процессов на время переноса носителей тока ослабевает. Приведены некоторые возможные пути повышения быстродействия прибора.

Установлены причины, влияющие на линейность амплитудно-частотной характеристики прибора и показано, что на нелинейность этой характеристики наибольшее влияние оказывает шунтирующее действие емкостей эмиттерного и коллекторных р-n- переходов.

6.3. Разработана эквивалентная схема магнитотранзистора для переменного сигнала и даны выражения для расчета ее элементов.

6.4. Даны и обоснованы рекомевдации по выбору рациональной

- 151 - ( геометрии прибора. Целесообразно в приборе иметь пластину толщиной с, шириной 2 с и длиной 4 с. С = 0,15.0,4 диффузионной длины смещения неосновных носителей тока. Оптимально располагать коллекторы на торцах пластины в ее средней части. Рассмотрены особенности электрических режимов магнитотранзисторов для обеспечения линейных характеристик и высокой чувствительности прибора.

6*5. Приведена методика и результаты экспериментального исследования основных статических, динамических и температурных характеристик магнитотранзисторов. Показано, что у электрически симметричного балансного магнитотранзистора температурные изменения выходных характеристик происходят, в основном, из-за температурного изменения подвижностей основных и неосновных носителей тока в пластине.

6.6. Разработаны, изготовлены, исследованы и применены в ЦНИЮШ опытная партия магнитотранзисторных перемножителей аналоговых сигналов. Опытные образцы магнитотранзисторов использованы в НИИТМе в устройствах оценки качества обработанных ферромагнитных деталей. Разработана конструкция магнитотранзисторного измерителя индукции магнитного поля. Исследована возможность и выявлены основные преимущества использования магнитотранзисторов для считывания информации с магнитного носителя.

6. ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ВЫВОДЫ

Разработанные элементы теории в разделе 3, согласуемые с экспериментальными данными раздела 4, активного полупроводникового магниточувствительного элемента - дрейфово-диффу зионного магнитотранзистора, обладающего высокой / 50 В/т (ор. .125 мА/т) при токе эмиттера 5 мА/ чувствительностью и линейной зависимостью выходного сигнала (разности коллекторных токов) в диапазоне магнитных полей - 0Д.+0,1 Т при значительных изменениях тока эмиттера, позволяют синтезировать конструкции магнитотранзисто-ров с заданными свойствами статических и динамических характеристик и производить анализ и расчет электрических режимов при использовании его в измерительных устройствах и схемах управления.

1. Стильбанс J1.C. Гальваномагнитные явления. В кн.: Полупроводники в науке и технике:, т.1, М.-Л., изд. АН СССР, 1957 , 469 о.2. 1узе В.П. Техническое применение эффекта Холла. В кн.:Полупроводники в науке и технике. тД, М.-Л., изд. АН СССР, 1957, 469 с.

2. Жузе В.П., Регель А.Р. Техническое применение эффекта Холла. Л., ЛДНТП, 1957, вып. II, 91 с.

3. Сунь Су-Фо. Измерение мощности посредством полупроводниковых приборов (основанных на эффекте Холла). М., ГШ, 1958,80 с.

4. Пинскер А.П. Применение полупроводниковых генераторов Холла в автоматике. Киев, Государственное изд.технической литературы УССР, 1961, 181 с.

5. Богомолов В.Н. Устройства с датчиками Хохла и датчиками магнитосопротивления. М.-Л., ГЭЙ, 1961, 168 с.

6. Овчаренко Н.й. Гальваномагнитные явления в полупроводниках и их техническое использование. М., "Высшая школа", 1961, 100 с.

7. Савенко В.Т. Применение эффекта Холла в технике связи. М., Связьиздат, 1963, 112 с.

8. Полупроводниковые приборы в измерительной технике (сборник статей). Перевод с немецкого. М.-Л., "Энергия", 1964,256 с.

9. Овчаренко Н.И., Дорогунцев В.Г., Басс Э.И., Будкин В.В. Применение гальваномагнитных элементов в релейной защите и автоматике. М.-Л., "Энергия", 1966, 120 с.

10. Хомерики O.K. Применение гальваномагнитных датчиков в устройствах автоматики и измерений. М., "Энергия", 1971, 112 с.

11. Афанасьев Ю.В., Студендов Н.В., Щелкин А.П. Магнитометрические преобразователи, приборы, установки. Л., "Энергия", 1972, 272 с.

12. Панчишин Ю.М., Усатенко С.Т. Измерение переменных магнитных полей. Киев, "Техн ка", 1973, 140 с.

13. Вайсс Г. Физика гальваномагнитных полупроводниковых приборов и их применение. Перевод с немецкого. М., "Энергия", 1974, 384 с.

14. Разин Г.И., Щелкин А.П. Бесконтактное измерение электрических токов. М., "Атомиздат", 1974, 160 с.

15. Хомерики O.K. Гальваномагнитные элементы и устройства автоматики и вычислительной техники. М., "Энергия", 1975, 176 с.

16. Шнин В.В., Степанов Б.М. Практическая магнитометрия.Измерение магнитных полей и электрических токов с помощью пассивных индукционныхи Холловских преобразователей. М., "Машиностроение", 1978, 112 с.

17. Arlt G. Hall Effekt -ч Vierpole mit hohen Wirkungsgrad. rSolld - State Electronics", I960, v. I.

18. Grützmann S. Hall Effekt gyrators, Isolators and circulators with high efficiency. "Pros. IEE", 1963, v.5I, N II.

19. Котенко Г.И. Магниторезисторы. Л., "Энергия", 1972, 80с.

20. Лебедев A.A., Стафеев В.И., Тучкевич В.М. Некоторые свойства диодов из германия с примесью золота. "ЖТФ", 1956, т.26,в 10 с. 2I3I-2I4I.

21. Стафеев В.И. Модуляция длины диффузионного смещения какновый принцип действия полупроводниковых приборов. "ФТТ", I, JI959, с. 841.

22. Стафеев В.И. Полупроводниковый прибор, Авторское свидетельство СССР И 213194, 1958.

23. Викулин И.М., Глауберман М.А., Никулина 1.Ф. Датчик магнитного поля на основе двухколлекторного магнитотранзистора. "ПГЭ", 1974, * 5, с.I81-182.

24. Викулин И.М., Глауберман М.А., Викулина Л.ф., Запороя-ченко Ю.А. Исследование характеристик двухколлекторного магнитотранзистора. "ФТП", 1974, т.8, № 3, с.580-583.

25. Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла. М., "Советское радио", 1974, 328 о.

26. Романовский Ю.В. Применение датчиков Холла для считывания информации в гранатовых пленках. В кн.: Труды Института электронных управляющих машин, вып. 44, 1974, с. 69-76.

27. Митева В.И. Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для измерения сигналов в диапазоне СВЧ. В кн.: Научные приборы, № 7, М., 1975, с.27-35.

28. Piwonski W. Hollotrony. "liad, telekomun.", 1977, I7, $ 10, 277-279.

29. Васильев В.И. О датчиках Холла малых размеров. "Радиотехника и электроника", 1978, 23, J& 2, с.375-384.

30. Патент Японии Jfi 19743, кл. 99(5) I, 1966.39.' Wick R., Solution of the Field. Problem of the Germanium Gyrators. n J. Appl. Phys.", 1954, v. 25, N 6, p. 741.

31. Ананьев А.П. Кольцевой гальваномагнитный датчик, "ПТЭ", 1971, № I.

32. Hoff Frantisek. Povodne oznamenia pouziti nekoherentich polovodicovych zdroju zareni pro prenos informace. "Elektrotechn, easop.", 1967, 18, N 5, 353-363.

33. Погодин В.И., Уваров A.A. Гальваномагнитные преобразователи в автоматике (обзор), "ПСУ", 1974, й II, с. 38-40..

34. Викулин й.М., Стафеев В.И. Полупроводниковые датчики. М,, "Советское радио", 1975, 104 с.

35. Гаман В.И., Калыгина В.М., Хлестунов А.П. Влияние магнитного поля на вольт-амперные характеристики и переходные процессы в германиевых диодах с полу ограниченной базой, ФТПД969, т.З, № 2, с.188.

36. Каракушан Э.И., Стафеев В.И. Магнитное управление током, Издательство ЖВВЙА им. А.Ф. Можайского, Л., I960, с.19.

37. Стафеев В.И., Каракушан Э.И. Магнитодиоды. Серия "Полупроводники", вып. 13, изд. ДДНТП, 1964, 35 с.

38. Каракушан Э.И., Стафеев В.И. Магнитодиоды. "ФТТ", 1961, 3, с. 677.

39. Стафеев В.И., Каракушан Э.И. Магнитодиоды. М., "Наука", 1975, 216 с.

40. Гамолин Е.И., Каракушан Э.И., Коварский В.Я., Комароврких К.Ф., Стафеев В.И* Кремниевые магнитодиоды. "ФТП", № 8, i 1975, с. 1465-1470.

41. Каракушан Э.И., Стафеев В.й. К теории магнитодиодов. "«ИТ, 1976, Ä 8, с. I44I-I444.

42. Каракушан Э.И., Стафеев В.И. Магнитодиоды с отрицательным сопротивлением. "Радиотехника и электроника", 1964, т.9, ЛИ, с. 2027.

43. Bergtold F. Magnetfeldfühler für die Automatik. "Automatik", April, 1969, S. 123, 124.

44. Sony. Sony's universal magneto diode. "Techn. Jap,", 1968, I, N I, p. 26-29.

45. Патент США J6 3519899 кл. 317-235, (H0II.I5/oo), 1970, приоритет Японии.

46. Патент Японии Л» 17824 кл. 99(5) 12, (H0Iv), 1971.

47. Патент Японии й 539 кл. 99(5) 12 (H0Iv ), 1971.

48. Патент Японии Jfc 7580 кл.99(5) I2(H0IV ), 1970.

49. Юдин В.В. йонно-лучевая технология в производстве полупроводниковых приборов (обзор). "Электронная техника" сер. 2. Полупроводниковые приборы, вып. 3, 1969, с.56-67.

50. Егиазарян Г.А. , Мнацаканян Г.А., Мурыгин В.И., Стафеев В.И. Кремниевые магнитодиоды, чувствительные к направлению магнитного поля. Ф.Т.П., 1975, 9, № 7, с.1252-1259.

51. Паринов Е.П., Крутанов Ю.В. Магнитодиоды КД301А-КД301Е и их применение. "Электронная техника", вып.З, 1973, с. 44.

52. Betko J., Hlasnik J., Merinsky К. Ge-Magnetodloden in flüssigen Helium. "Z. Naturforsch.", 1967, 22a, H. 12, S.2I2I.

53. Проспект магнитодиодов фирмы "Сони", Япония.

54. Патент Японии Л 7579 кл.99 (5) 12, (HOI V ), 1970.

55. Каракушан Э.И. , Коварский В.Я., Комаровских К.Ф. Магнитодиоды из кремния, легированного никелем. "ФТП",1970 , 4, J63,c.628.

56. Гамолин Е.И., Каракушан Э.И., Мурыгин В.И. Магнитодиодный Ьффект в p-L-n -структурах из арсенида галлия. "ФТП", 1969, 3, » 12, с. 1745.

57. Патент Японии » 14975 кл. 99(5) Jj 12, (HOIv ), 1967.

58. Einsatz von Magnet Doppeldioden. "Elek. - Anz.", 1970, 23, N 5, 84.

59. Page J. Double diode sensible af l'induction magnetique. "Hqaut-parleur. Electron prof.", 1971, N 1292, 24-26.

60. Husa V., Вепс I., Kri J. Mistkova kremikova magnetodiode. ?Elektroteohn. obz.% 1971, 60, N 4, 179-185.

61. Патент Японии № 5837, кл.Ш A 32, 1970.

62. Патент США » 3610968, кл. 307-309,(HOII I5/oo,H0I 5/оо), 1971.

63. Патент Японии № 3I92I, кл.98(5) А6, (H03v ), 1971.

64. Srivastova C.B., Mlsra M, "J. Angew. Phys." 1962, 14, p. 579.

65. Misra M. "Indian Jouxn Pure Appl.Phys", 1965, 3, p. 30.

66. Чарыков H.A., Соловьев A.К., Соколов A.T. Экспериментальное исследование влияния магнитного поля на коэффициент передачи тока в транзисторах с однородно легированной базой. "Труды Московского энергетического институтам, 1972, вып. 142.

67. Saleh N. The frequency limits of bipolar junction transistors in intense magnetic fields."Phys.status solidi(a)",1975*

68. Викулин И.M., Стафеев В.И. физика полупроводниковых приборов. М., "Советское радио", 1980, 296 с.

69. Викулин Й.М.,Каншцева И.А., Глауберман М.А., Викулина 1.Ф. Влияние геометрии на магниточувствительные свойства биполярных транзисторов. "ФТП". .1975, т.9, » 8, с. 1534-1538.

70. Патент ФРГ J6 1206080, кл. 21 е 12.

71. Патент США # 3389230, 18.06.68 г.

72. Der "Magnistor" ein magnetisch steuerbarer Transistor. ".Elektronik - Praxis", 1971, 6, OTT 7-8, 10, II, 12,

73. Викулин И.М., Глауберман М.А., Егиазарян Г.А., Каншцева H.A., Манвелян Ю.С. Влияние межэлектродных соотношений на электрофизические параметры двухколлекторных магнитотранзиоторов. "ФТП", 1981, т.15, J* 2, с. 399-403.

74. Валитов P.A., Доманов В.А., Зубрицкий Л.А. Характеристики германиевого балансного магнитотранзистора. В кн.: Вестник Харьковского университета. Радиофизика и электроника, 1974,вып.3, с.97-99.

75. Викулин И.М., Каншцева H.A., Глауберман М.А. Влияние электрического поля в базе на чувствительность двухколлекторных магнитотранзиоторов. "ФТП",1976, т.10, * 3, с.785-787.

76. Викулин И.М., Каншцева H.A., Глауберман М.А. Влияние ЭДС Холла на чувствительность двухколлекторного магнитотранзистора. "ФТП", 1977, т.П, » 3, с. 587-588.

77. Викулин И.М., Глауберман М.А., Каншцева H.A. К вопросу о распределении потока неосновных носителей заряда в базе двухколлекторного магнитотранзистора. "ФТП",1977, T.II, Jfc 4, с.645--650.

78. Рекалова Г.И., Персианов Т.В., Шахов A.A. Устройство для измерения индукции магнитного поля. Авт.свид. Л 298905, кл. 33/02, 1971.

79. Патент Англии » I243I78, кл. HIK, (H0II II/I4), 1971.

80. Недолутко И.Г., Сергиенко Е.Ф. Однопереходные транзисто- 159 r. " ' I5ы. М., "Энергия", 1974, 104 с.1 91. Каракушан Э.И., Стафеев В.И., Штагер А.П. Двухбазовый магнитодиод. "Радиотехника и электроника", 1964, т.9, И 6, с.1034

81. Патент США Л 3305 780, кл. 330-6, 1967.

82. Патент Японии й 38587, кл. 99(5) J II (H0I у )» 1972.

83. Патент США Jft 3585462, кл.317-235,(Н0П11/оо) ,1971.

84. Патент Японии J* 40460, кл.99(5) 12, (Н01У), 1971.

85. Патент США ü 3518459, кл.307-309 (НОЗк 3/оо),1970.

86. Kataoka S., Hashizume N., Iida S. Magnetoreactive element 2nd new solid-state inductor. "Solid State Electron.", 1968, JI, N I, p. 155-162.

87. Патент Японии Л 17825, кл.99(5) 12, (Н01У), 1971.

88. Патент США № 3614556, кл.317-235 к, (H0II II/I0), 1971. 100. Стильбанс I.C. Физика полупроводников. М., "Советскоерадио",1967, 452 с.

89. Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках.!., "Наука", 1970, 303 с.

90. Suhl Н., Shockley W. Concentrating Holes and Electrons by Magnetic Fields. "Phys. Rev.", 1949, v. 75, N IO, p.1617-1618.

91. Трутко А.Ф. Методы расчета транзисторов. М., "Энергия", 1971, 272 с.

92. Шокли В. Теория электронных полупроводников. М., ИМ, 1953, 714 с.

93. Валитов P.A. Доманов В.А., Зубрицкий Л.А. Измерение переменных магнитных полей с помощью дрейфового магнитотранзисто-ра в с б.Информационный бюллетень, вып. I, Харьков, "Вища школа", 1974, с. 46-47.

94. Валитов P.A., Доманов В.А., Зубрицкий Л.А. Характеристики дрейфового магнитотранзистора в кн. Нелинейные эффекты в микроэлектронике и их применение, Киев, 1974, с.20-21.

95. Вронский И.В., Шипулин A.M. К вопросу о модуляторном транзисторе. В кн.¡Полупроводниковые приборы и их применение. Сборник статей под редакцией H.A. Федотова, выпуск Л 22, М. ,Изд. "Советское радио", 1968, с.180-184.

96. ПО. Кристенсон Р., Уоллесен Д. Изготовление парных транзисторов вместо подбора пар. "Электроника", 1969, т.42, Jfc 3.

97. Радиотехнические схемы на транзисторах и туннельных диодах (теория и расчет), под редакцией Валитова P.A., М."Связь", 1966.

98. Гальперин М.В., Злобин Ю.П., Павленко В.А. Транзисторные усилители постоянного тока. М., "Энергия", 1972, 272 о.

99. Стафеев В.И. Влияние сопротивления толщи полупроводника на вид вольтамперной характеристики диода. "ЖТФ", 1958, т.ХХУШ, в. 8, с. I63I-I64I.

100. Иванов С.Н., Пенин H.A., Скворцова Н.Е., Соколов Ю.Ф.Фи-зические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов. Изд."Советское радио", 1965.

101. Баранов Л.И., Селшцев Г.В. О характере инерционности диодов с р-п -переходом при малых скоростях утечки неосновных носителей тока через невыпрямлянвдий контакт. "Радиотехника и электроника", 1964, т.9, Ä 6, с.1092-1096.

102. Авакьянц Г.М., Лейдерман А.Ю.Влияние скорости рекомбинации у невыпрямляющего электрода на вольтамперную характеристикурезкого p-п -перехода. "Радиотехника и электроника", 1964, т.9, №4, с. 670-675.

103. Доманов В.А. и др. Исследование вопросов разработки магниточувствительных полупроводниковых структур. Отчет по теме 995, ВНТИЦ, Jfc 75042864, 1975 г.

104. Доманов В.А. и др. Исследование и разработка магнито-транзисторов. Отчет по теме А 1128, ВНТИЦ, № 79065923, 1976 г.

105. Дзехцер Г.Б., Орлов О.С. P-t-p Диоды в широкополосных устройствах СВЧ. М., "Советское радио", 1970, 200 с.

106. Пауль Р. Транзисторы. М., "Советское радио", 1973,504с.

107. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М., "Энергия", 1973, 656 с.

108. Бокринская A.A., Скорик Е.Т. Методы измерения мощности СВЧ. Киев, "Техника", 1962.

109. Kroeiner Н. On the Theory of Hall-Effect Isolators for Tunnel Diode Amplifiers. "Solid-State Electronics", 1964,v.7,N5.

110. Kuhrt F., Lippmann H.I«, Wiehl К. Ober das Frequenzverhalten von Hallgeneratoren. "Arch.elektr.Übertr.", 1959,13,341.

111. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М., "Энергия", 1973.

112. Мэндл М. 200 избранных схем электроники. М., "Мир", 1980,344 с.

113. Чернышев Ю.О., Доманова С.Р., Доманов В.А. Некоторые особенности магниточувствительных полупроводниковых приборов. В кн.: Четвертая райональная научно-техническая конференция по применению вычислительной техники, Ростов-на-Дону,1975, с.155-156.

114. Мазель Е.З., Пресс Ф.П. Планерная технология кремниевых приборов. М., "Энергия", 1974, 384 с.

115. Magnetism and Metallurgy. V. 1-2. Ed. by Berkowitz, Kneller. New York London, "Academic Press", 1969, 833 p.- 162 •.I

116. Г 130. Сиаккоу М. Физические основы записи информации. М. »Связь, ^980, 192 с.

117. Доманов В.А. и др. Исследование методов оптимального построения магниточувствительных структур. Отчет по теме А 1384, ВНТИЦ, № 0182.8061982, 1981 г.