Воздействие импульсных магнитных полей на подсистему дефектов и свойства немагнитных кристаллов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

На правах рукописи

Дронов Максим Александрович

Воздействие импульсных магнитных полей на подсистему дефектов и свойства немагнитных кристаллов

Специальность 01 04 07 - «физика конденсированного состояния»

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

ВОРОНЕЖ-2007

003178028

Работа выполнена в Воронежском государственном университете

НАУЧНЫЙ РУКОВОДИТЕЛЬ доктор физико-математических наук,

профессор Левин Марк Николаевич

ОФИЦИАЛЬНЫЕ ОППОНЕНТЫ, доктор физико-математических наук,

профессор Клюев Виктор Григорьевич

ВЕДУЩАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ Воронежская Государственная

Технологическая Академия

Защита состоится «27»декабря 2007 г. в 17 часов на заседании диссертационного совета Д 212 038 06 при Воронежском государственном университете (394006, г Воронеж, Университетская пл 1,ауд428) С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Воронежского государственного университета

доктор физико-математических наук, профессор Матвеев Николай Николаевич

Автореферат разослан

Ученый секретарь диссертационного совета

Дрождин С Н

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ Актуальность темы.

Исследование воздействия слабых магнитных полей на дефектную подсистему (микроструктуру) диамагнитных кристаллов является актуальным как с прикладной, так и фундаментальной точки зрения. С одной стороны привлекает перспектива технологического использования таких воздействий для управления микроструктурой реальных кристаллов с целью придания им требуемых свойств С другой стороны остается невыясненной природа самого явления структурных изменений в немагнитных кристаллах в результате воздействия магнитного поля, энергия которого ничтожно мала на тепловом фоне

В первых статьях о влиянии слабого Т) импульсного магнитного поля (ИМП) на реальную структуру твердых тел сообщалось о распаде дефектных комплексов в щелочно-галоидных кристаллах ИаС1 в результате воздействия ИМП [1], о долговременных («запаздывающих») структурных изменениях, индуцированных импульсом магнитного поля в полупроводниковых соединениях АШВУ [2]. К сожалению, в дальнейшем эти исследования долговременных трансформаций дефектных комплексов в кристаллах, вызванных кратковременным воздействием ИМП, не получили должного развития.

Основной объем экспериментальных исследований был посвящен изучению «магнитопластического» эффекта, состоящего в повышении подвижности дислокаций в слабых магнитных полях и впервые описанного в работе [3]. Возможный механизм магнитопластического эффекта был предложен в [4] и базировался на развитых в спиновой химии представлениях о механизмах магнитной чувствительности реакций радикальных пар в жидких средах Повышение подвижности дислокаций в магнитном поле объяснялось облегченным откреплением дислокации от парамагнитного точечного дефекта - стопора. Предполагалось, что роль магнитного поля, как и в спиновой химии, состоит в изменении спинового состояния радикальной пары, образуемой ненасыщенной валентной связью в ядре дислокации и парамагнитным стопором, вследствие чего меняется вероятность химической реакции радикальной пары

Несмотря на привлекательность разработанной в спиновой химии концепции магнитных спиновых эффектов в химических реакциях, правомерность ее использования для объяснения воздействия магнитных полей на реальную структуру немагнитных кристаллов, наблюдаемых как изменение дефектной структуры и подвижности дефектов, остается под вопросом В частности, предположение [5] о том, что распад парамагнитных дефектных комплексов, являющихся стопорами дислокаций, происходит в магнитном поле за счет изменения спинового состояния короткоживущих радикальных пар, возникающих при термофлуктуационном удлинении и последующем разрыве напряженных химических связей, встречает

принципиальные возражения [6] Время изменения заселенности спиновых уровней в магнитном поле (10"9-10'85) существенно превышает время жизни флуктуационно-растянутой связи (~10"135), а прямая экспериментальная проверка не подтверждает влияния магнитного поля на разрыв механически напряженных ковалентных связей.

При исследовании влияния ИМП на низко-дислокационные нелегированные полупроводниковые кристаллы АШВУ было установлено, что наличие парамагнитных примесей не является необходимым условием чувствительности диамагнитных кристаллов к внешним магнитным полям К началу выполнения данного исследования в литературе был накоплен достаточно большой объем экспериментальных данных, убедительно свидетельствующих об уникальной способности ИМП существенным образом воздействовать на реальную структуру и свойства диамагнитных материалов различной природы. В то же время вопрос о том, имеет ли воздействие относительно слабых магнитных полей на дефектную структуру весьма разнообразных по химическому составу, типу химических связей и физическим свойствам немагнитных кристаллических твердых тел достаточно универсальный характер оставался открытым

Полученные в данной работе результаты, в совокупности с результатами других исследований, позволили дать положительный ответ на этот вопрос и, наряду с результатами других исследований, стали основой для построения феноменологической схемы, позволившей с единых позиций описать магнито-индуцированную перестройку дефектной структуры кристаллов [8,

9].

Выбор объектов исследования был обусловлен тем, что полупроводниковые кристаллы АШВУ, галогениды серебра и ВТСП купраты УВаСиО являясь немагнитными кристаллами с различным типом химической связи, кристаллической решетки и проводимости, характеризуются высокой чувствительностью свойств к состоянию дефектной подсистемы, изменения которой могут надежно контролироваться хорошо развитыми прецизионными электрофизическими и фотолюминесцентными методами

Цель работы состояла в установлении общих закономерностей воздействия импульсных магнитных полей на дефектную структуру и - свойства немагнитных кристаллов различной природы.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие задачи исследования

1. Проведение экспериментальных исследований воздействия ИМП на дефектную структуру и свойства полупроводниковых соединений АШВУ

2. Проведение экспериментальных исследований влияния магнитных полей на люминесцентные свойства кристаллов галогенидов серебра и фотографические свойства светочувствительных слоев на их основе

3 Проведение экспериментальных исследований воздействия ИМП на температурную зависимость проводимости купратных ВТСП УВаСиО

Научная новизна

1 Впервые обнаружены эффекты изменения температуры плавления кристаллов ГпАз и физико-химических свойств поверхности кристгллов 1пР и СаАэ в результате воздействия ИМП

2 Впервые обнаружены эффекты изменения интенсивности фотолюминесценции кристаллов галогенидов серебра и фотографических свойств светочувствительных слоев на основе микрокристаллов А£На1 результате воздействия ИМП

3 Впервые обнаружен эффект изменения знака коэффициента температурной зависимости сопротивления ВТСП керамики УВаСиО вблизи перехода в сверхпроводящее состояние в результате воздействия ИМП

Практическая значимость

1 Воздействия ИМП могут быть использованы для снижения исходной дефектности немагнитных кристаллов

2 Воздействия ИМП могут быть использованы для активации физико-химических процессов формирования покрытий на поверхности немагнитных кристаллов

3. Воздействия ИМП могут быть использованы для очувствления фотоматериалов

4 Обнаруженная чувствительность фотопроцессов к магнитному воздействию может быть использована для визуализации магнитных полей

Положения, выносимые на защиту:

1. Воздействие ИМП на кристаллы полупроводниковых соединений АШВ4' приводит к долговременным немонотонным изменениям физико-химических свойств кристаллов, обусловленным перестройкой дефектной подсистемы кристалла с распадом исходных дефектных комплексов, образованием подвижных вакансий летучего компонента и возникновением диффузионных потоков продуктов распада

2. Воздействие ИМП на кристаллы галогенидов серебра вызывает долговременные изменения интенсивности фотолюминесценции кристаллов, что обусловлено распадом исходных дефектных комплексов с образованием подвижных вакансий летучего компонента и диффузионных потоков точечных дефектов, приводящих к формированию новой микроструктуры с повышенным содержанием вакансий серебра в объеме и серебросодержащих комплексов на поверхности кристалла

3 Воздействие ИМП на ВТСП УВа2Си307_х изменяет знак температурного коэффициента сопротивления в области сверхпроводящего перехода, что обусловлено переходом ВТСП из нормального металлического состояния в

псевдощелевой режим вследствие повышения содержания х кислородных вакансий в цепочках Cu-0 решетки YBa2Cu307.x.

Апробация работы. Ниже перечислены конференции, семинары и совещания, на которых представлялись результаты работы

IV Международный семинар по сегнетопластичности (Воронеж, 2003), V Международ. Науч.-техн конф «Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов» (Воронеж, 2003), Международная научно-техническая школа-конф «Молодые ученые — науке, технологиям и профессиональному образованию» (Москва, 2003), IX Международ науч-техн конф «Радиолокация, навигация, связь» (Воронеж, 2003), Topical Meeting of the European Ceramic Society "Nanoparticles, Nanostructures, Nanocomposites" (S -Peterburg, 2004), XI Международ, науч.-техн. конф «Радиолокация, навигация, связь» (Воронеж, 2005), III Всерос конф «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах Фагран-2006» (Воронеж, 2006), LVII International Conference of Nuclear Physics (S -Petersburg, 2007).

Публикации. По результатам исследований, представленных в диссертации, опубликовано 18 печатных работ, в том числе 7 статей, 3 доклада и 8 тезисов докладов на научных и научно-технических конференциях, совещаниях и семинарах В совместных работах личный вклад автора состоит в проведении экспериментальных исследований и участии в интерпретации результатов

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, включая аналитический обзор литературных данных (глава I), выводов и списка литературы. Объем диссертации составляет 150 страниц машинописного текста, включая 59 рисунков Список литературы содержит 132 наименования.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы, сформулированы цель и задачи работы, определены научная новизна и практическая значимость полученных результатов, указаны положения, выносимые на защиту, приведены данные о структуре диссертации, основных публикациях и апробации работы

Первая глава представляет собой аналитический обзор опубликованных экспериментальных данных по воздействию слабых магнитных полей на дефектную структуру и свойства немагнитных кристаллов. Сопоставлены механизмы влияния слабых магнитных полей на химические реакции радикальных пар в рамках концепции спиновой химии и механизмы влияния слабых магнитных полей на дефектные реакции в немагнитных кристаллах в рамках концепции решеточного магнетизма, индуцированного дефектами

(01ЬМ) [9] На основе проведенного анализа обоснован выбор полупроводниковых соединений АШВУ, галогенидов серебра и ВТСП купратов в качестве объектов исследования, а импульсного магнитного поля в качестве воздействия

Вторая глава посвящена исследованию воздействия импульсных магнитных полей на дефектную структуру и свойства кристаллов полупроводниковых соединений АШВУ

В первом разделе второй главы представлены результаты исследования эффекта изменения температуры плавления Тт кристаллов ЬгАэ после воздействия импульсного магнитного ноля в зависимости от дефектности кристаллов Воздействие ИМП осуществлялось серией 1500 симметричных треугольных импульсов с амплитудой В=0 3 Т, длительностью г =4x10'5 5 и частотой следования /=50 Яг Импульсы магнитного поля формировались разрядами батареи конденсаторов через низкоиндуктивный соленоид Образцы обрабатывались и хранились при Г=300 К вместе с контрольными образцами, не подвергавшимися воздействию ИМП. Методом дифференциально-термического анализа (ДТА) установлено, что кратковременная обработка кристалла 1пАб ИМП приводит к заметному уменьшению его температуры плавления Тт Данные ДТА, характеризующие

Основная особенность

эффекта состоит в его зависимости от степени исходной дефектности кристалла, обусловленной

нарушением стехиометрии и/или наличием примеси Эффект наблюдается в 1пАз5 легированных свободной серой и в нестехиометрических кристаллах 1пАэ с избыточным содержанием индия, но отсутствует в беспримесных кристаллах 1пАз стехиометрического состава и в кристаллах бинарных сплавов ¡пАз-ЛгнЗз Заметное понижение Тт в дефектных кристаллах 1пАб можно связать с обнаруженным ранее [7] эффектом долговременной преципитации металлического компонента в кристаллах АШВУ, вызванной распадом исходных вакансионно-примесных комплексов в результате воздействия ИМП Образование в кристаллах 1пАз низкоплавких кластеров индия приводят к понижению температуры плавления кристалла, а масштаб эффекта определяется степенью исходной дефектности кристалла Интерес к обнаруженному эффекту обусловлен тем, что вызывающий его распад исходных вакансионно-примесных комплексов не может быть вызван прямым энергетическим воздействием ИМП Энергетическое воздействие магнитной компоненты ИМП, связанное с эффектом Зеемана, не превышает в наших экспериментах ~10"3 кТ, что при

этот эффект приведены в таблице 1

Образец роЯЫП после ИМП (сутки)

5 10 50

ЬгАх без ИМП 1210 1210 1210 1210

1пАз без примеси 1210 1210 1210 1210

1210 1210 1210 1210

1210 1200 1208 1210

Шз+К^ЫЪ 1210 1194 1204 1210

¡пАя избыток I 1210 1174 1198 1203

Таблица 1 Температура плавления образцов 1пАз Тт К до и после воздействия ИМП

температуре воздействия ИМП Т-300 К составляет величину ~10"5 eV, недостаточную для инициации каких-либо структурных перестроек, требующих энергии eV. Электрическая компонента ИМП имеет напряженность ~1 V/cm, а индукционный нагрев кристалла InAs по сделанной оценке не превышает 1 К Роль магнитного поля в инициировании распада дефектных комплексов сводится к снятию спиновых запретов на дефектные реакции, а собственно распад происходит за счет тепловой и механической энергии решетки кристалла. ИМП инициирует в объеме нестехиометрического кристалла InAs распад дефектных комплексов избыточных вакансий летучего компонента Vas и антиструктурных дефектов Ast, или Бы с образованием одиночных вакансий V^, диффундирующих из объема к поверхности кристалла Диффузия вакансий мышьяка из объема кристалла к поверхности и встречная диффузия атомов As и S вызывает обеднение поверхности летучими компонентами и обогащением её нелетучим компонентом - металлическим индием. Потоки точечных дефектов нарушают исходное распределение элементов по толщине, которое восстанавливается диффузией избыточного нелетучего компонента In с поверхности в объем, что приводит к восстановлению свойств кристалла Долговременной характер наблюдавшегося эффекта объясняется медленным характером диффузии при комнатной температуре ИМП-индуцированные эффекты возможны и в других полупроводниковых кристаллах AIUBV.

Второй раздел посвящен исследованию воздействия ИМП на кристаллы GaAs и 1пР. Обработка образцов ИМП проводилась в указанном выше режиме. Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней DLTS был обнаружен эффект необратимого изменения спектра поверхностных электронных состояний (ПЭС) в монокристаллах GaAs в результате воздействия ИМП. Анализ наблюдавшегося эффекта на микроскопическом уровне в настоящее время не представляется возможным, поскольку не установлена микроскопическая природа исходных дефектов с ГУ Эффект отсутствует при предварительной обработке кристаллов GaAs в парах селена,

приводящей к формированию на поверхности гетерограницы Ga2Se3-GaAs и существенному снижению исходной плотности ПЭС (рис.1).

Возникновение потоков

подвижных точечных дефектов в результате распада исходных дефектных комплексов под ИМП приводит к и

немонотонным изменением ее способности Эффект (сотни часов при комнатной температуре)

збо воздействием

т,к изменению топологии поверхности

Рис 1 БЬТБ спектры структур АЮаАэ I - исходный, 2, 3 - через 1 и 7 суток после ИМП, 4, 5 - с обработкой парами сорбционной Бе до и через 3 суток после обработки долговременного ИМП

немонотонного изменения топологии поверхности полупроводниковых кристаллов проявляется в снижении планарности поверхности на первом этапе и ее последующем повышении до уровня, превышающего исходный. Изменение со временем рельефа поверхности кристалла ваАв в результате воздействия ИМП продемонстрировано профилями сечений образца на рис.2.

х, пт

.-Ал-/1

\v

/~АЛ

\

-\ f

w. лА ЛЛ^^ллл ^с

z, пт

Рис.2. Рельеф поверхности GaAs: а -до ИМП, Ъ, с ъ d - через 5, 7 и 15 суток после воздействия ИМП.

Финишное сглаживание рельефа поверхности в результате воздействия ИМП согласуется с наблюдавшимися ранее эффектами гомогенизации элементного состава и структурного совершенства кристаллов АШВ в результате обработки ИМП [7,8].

Изменения топологии поверхности и характера рельефа поперечных сечений образцов, вызванные воздействием импульсного магнитного поля, сопровождаются изменением сорбционных свойств поверхности полупроводников. Исследования изменения адсорбционной способности поверхности кристаллов под действием ИМП проводились методами микроволновой спектроскопии, обладающими высокой чувствительностью к наличию и состоянию молекул воды в исследуемой среде. Контролировались спектры отражения в диапазоне частот 26-37 GHz. В результате воздействия ИМП происходит повышение адсорбционной способности кристаллов, которое с течением времени сменяется устойчивым снижением способности поверхности к адсорбции влаги. Процесс немонотонного изменения сорбционных свойств кристаллов продолжается сотни часов при комнатной температуре в корреляции с изменением рельефа поверхности.

Эффект повышения сорбционной и геттерирующей способности поверхности полупроводникового кристалла в результате его обработки ИМП наглядно показан на примере кристалла твердого раствора Sb-As (рис.3).

В результате воздействия ИМП на поверхности увеличивается концентрация дефектов,

которые концентрируются в областях с исходными структурными нарушениями. В итоге на поверхности кристалла проявляются

царапины, нанесенные в результате предшествующей механической шлифовки. На контрольных образцах, не обрабатывавшихся ИМП, эти структурные нарушения не проявляются.

щ

Яммд! ЯИ1 щттш ЙШ

Ш . • mm 1

Рис.3. Поверхность кристалла БЬ-Аэ до, через 5 и 15 суток после воздействия ИМП (фото в РЭМ).

В третьем разделе второй главы на примере кристаллов InP представлены результаты исследований влияния предварительной обработки импульсным магнитным полем кристаллов фосфида индия на кинетику их низкотемпературного (Г = 313 К) химического окисления и показана возможность использования обработки полупроводниковых материалов ИМП для увеличения скорости химических реакций, протекающих на их поверхности,- Окисление обработанных ИМП и контрольных образцов проводилось одновременно Кинетические кривые, характеризующие рост окисных слоев описываются известным формальным кинетическим уравнением d = (kt)n, где d - прирост толщины оксидного слоя, nm; t- время экспозиции пластин в окисляющей среде, min, к — константа процесса nm'/n-min'. Для пластин, подвергнутых обработке ИМП, константа скорости химической реакции составляет (978 ± 92) птш min1, что выше константы

скорости окисления контрольных е 10»,V/m пластин (780 ± щ птш да/я-1_ Изменение ю

скорости окисления сопровождается

изменением диэлектрической прочности

оксидных пленок (рис.4). Эффект

повышения скорости химического

окисления InP в результате

предварительной обработки кристалла

ИМП может быть объяснен в рамках

Рис.4 Разность толщин Ad окисных ___„„™„„„T„,„™

. _ _ представленного выше механизма,

слоев на InP, полученных без и с

обработкой кристалла ИМП, и поля Е ответственного за возникновение тока утечки 1 цА через слой, Диффузионной неустойчивости в полученный с ИМП, от времени t после кристаллах полупроводниковых

обработки кристалла. соединений АШВУ. Долговременной

немонотонный характер изменения скорости окисления происходит синхронно с изменением сорбционной способности поверхности кристалла Максимальное повышение скорости окисления и максимум сорбционной способности достигаются на 5-6 сутки после воздействия ИМП, после чего эффект монотонно уменьшается и перестает проявляться после 20 суток выдержки Зависимость диэлектрической прочности окисных пленок от выдержки пластин после ИМП обработки перед окислением меняется в противофазе с изменением скорости окисления InP.

Практически важно то, что качество пленок, полученных на подложках, предварительно обработанных ИМП и выдержанных после этого воздействия в инертной среде, оказывается выше, чем у контрольных образцов.

Третья глава посвящена исследованию влияния магнитной обработки кристаллов галогенидов серебра и светочувствительных эмульсионных слоев с микрокристаллами AgHal на спектры фотолюминесценции этих кристаллов и фотографические свойства фотоэмульсий. В первом разделе третьей главы

представлены результаты исследования воздействия ИМП на

люминесцентные свойства монокристаллов хлорида серебра. Впервые

обнаружен эффект долговременного немонотонного повышения

интенсивности фото-люминесценции монокристаллов AgCl в результате

кратковременного воздействия

ИМП (рис.5)

Эффект предположительно

связан с распадом под действием

ИМП вакансионных комплексов в

кристалле А£С1, образованных

вследствие нарушения

стехиометрии кристалла из-за

потери летучего компонента С1

Распад дефектных комплексов

происходит с образованием

подвижных вакансий хлора,

движение которых может

сопровождаться занятием части из

них атомами серебра с

образованием антиструктурных На вставке зависимость интенсивности ФЛ при дефекхов (ахомы в узлах С]) и

вакансий серебра А^^. Известно, что основная полоса люминесценции Ляа1=490 пт при 77 К обусловлена рекомбинацией Шёна-Клазенса на катионных вакансиях^? в объеме монокристалла AgCl. Повышение концентрации последних дефектов и объясняет повышение интенсивности основной полосы люминесценции после воздействия ИМП. ИМП-индуцированным распадом дефектных комплексов, содержащих вакансии летучего компонента, выше объяснялся эффект долговременного перераспределения компонентов в полупроводниковых соединениях АШВУ. Подобно тому, как это происходит в кристаллах А111ВУ, на начальном этапе после магнитного воздействия поверхность кристалла А§С1 обогащается металлическим элементом А§ за счет диффузии атомов С1 по вакансиям вглубь кристалла с образованием и последующим выравниванием градиента концентрации элементов в приповерхностном слое. Нарушение стехиометрии поверхностного слоя А§С1 с обогащением его серебром приводит к образованию на поверхности дополнительных комплексов типа (А^)п, ответственных за повышение интенсивности люминесценции в длинноволновой полосе 600-800 пт, а восстановление стехиометрии приповерхностного слоя со снижением его дефектности - к последующему понижению интенсивности люминесценции во всем спектральном диапазоне. Важно то, что воздействие ИМП на дефектную подсистему немагнитного кристалла наблюдалось не косвенным образом, по изменению какого-либо макроскопического свойства (пластичности, сорбционной способности,

Рис 5 Спектры ФЛ А%£1 1-до и 2,3,4,5,6-через 24,48,72,98,168 час после воздействия ИМП

электропроводности итп),а непосредственно по изменению концентрации дефектов с известной микроскопической структурой

Второй раздел посвящен исследованию влияния ИМП на люминесценцию микрокристаллов хлорида серебра А§С1(1), легированные иодом Выяснялось влияние основных типов дефектов, а именно, примеси и поверхности на обнаруженную чувствительность кристалла AgCl к магнитному полю Повышение содержания примеси иода I в кристаллах А£С1 приводило к радикальному изменению реакции кристалла А§С1 на воздействие ИМП (рис 6 а)

Рис 6 Спектры ФЛ а) и ФСВЛ b) AgCl(I)5% до воздействия ИМП(1) и спустя 2(2) и 22(3) ч после воздействия ИМП

В отличие от повышения интенсивности основной полосы фотолюминесценции в кристаллах AgCl с малым содержанием примеси, в кристаллах с повышенным содержанием иода происходит падение интенсивности люминесценции

Смещение максимума полосы люминесценции в легированных кристаллах в длинноволновую область с 480 пт до 530 пт свидетельствует о преобладающей рекомбинации через йодсодержащие центры, а не собственные дефекты кристалла. ИМП-индуцированным распадом этих йодсодержащих центров в объеме кристалла AgCl и обусловлен обнаруженный эффект понижения интенсивности фотолюминесценции. Влияние обработки кристалла ИМП на параметры поверхностных центров люминесценции в длинноволновой области спектра (600-650 пт) исследовалось известным методом фотостимулированной вспышки люминесценции (ФСВЛ) Изменения ФСВЛ (рис 6 Ь) синхронно повторяют изменения фотолюминесценции (рис 6 а) Полученный результат свидетельствует о том, что лимитирующей стадией в долговременном многоэтапном процессе преобразования всей дефектной системы кристалла в результате воздействия ИМП являются дефектные реакции в объеме кристалла

В третьем разделе представлены результаты исследования влияния магнитного поля на люминесцентные и фотографические свойства светочувствительных слоев (СЧС) на основе микрокристаллов А|*На1.

Свежеприготовленные СЧС и слои, хранившиеся в течение 10 лет, противоположным образом реагировали на воздействие ИМП: у свежих слоев повышалась. вуаль и снижалась светочувствительность, а у состаренных СЧС понижалась вуаль и повышалась светочувствительность (рис.7). Полученный результат обусловлен различным исходным состоянием дефектной подсистемы

микрокристаллов А^а! и свидетельствует о различной природе центров вуали и центров светочувствительности. Кроме того, впервые наблюдался эффект повышения скорости проявления в постоянном магнитном поле. Этот эффект может быть обусловлен влиянием магнитного поля на скорости химических реакций радикальных пар, происходящих при проявлении СЧС, и находит объяснение в рамках спиновой химии. Обнаруженный эффект открывает возможность визуализации магнитных полей фотографическим способом.

Четвертая глава посвящена исследованию воздействия ИМП на диэлектрики сложного состава. В первом и втором разделах IV главы представлены результаты исследования воздействия ИМП на ВТСП керамику УВаСиО. Основной результат состоит в обнаружении изменения знака

температурного

цчса-п коэффициента

сопротивления керамики УВа2Си307.х в области перехода в

сверхпроводящее состояние в результате воздействия ИМП (рис.8 а), что свидетельствует об изменении механизма проводимости оксидной ВТСП керамики в результате такого

воздействия. Эффект возникает при

Рис 7. Характеристические кривые СЧС. Свежеприготовленные: 1 -исходная, 3 - после воздействия ИМП; состаренные за 10 лет: 2 исходная, 4- после ИМП

Рис 8. (а) р(Т) образцовУВа2СизСЪ-х, обработанных ИМП: при различных режимах -1 - исходный образец, 2 - после обработки ИМП с индукцией Во=0,3 Тл в течение 1=1мин при температуре Т=400К, 3- режим обработки ИМП В0=О,32Тл, 1=1мин, Т=410К, 4 - Во=0,5Тл, Ммин, Т=420К, (6) р(Т) образца УВа2Си307.х через 2,24,48 и 120 час после обработки ИМП (В0=0,5Тл, Ммин, Т=420К).

достижении порогового значения амплитуды ИМП и характеризуется долговременной (сотни часов при 300 К) релаксацией к исходному состоянию (рис В б) По данным рентгеновского дифракционного анализа обнаруженный эффект сопровождается переходом УВа2Сиз07-х из сверхпроводящей орторомбической модификации в несверхпроводящую тетрагональную.

Во втором разделе IV главы предложен механизм изменения типа проводимости ВТСП керамики УВаСиО в результате воздействия ИМП. Эффект предположительно обусловлен переходом оксидного сверхпроводника из нормального металлического состояния в псевдощелевой режим за счет потери части атомов кислорода в цепочках Си-0 Псевдощелевой режим отличается от нормального металлического состояния пониженной плотностью электронных состояний вблизи поверхности Ферми, что вызвано образованием спаренных электронов при температурах ниже температуры перехода Т* Отрицательный знак температурного коэффициента сопротивления в псевдощелевой области свидетельствует о том, что падение проводимости при понижении температуры за счет снижения числа носителей не компенсируется ее повышением за счет уменьшения рассеяния носителей на фононах Если воздействие ИМП

приводит к уменьшению содержания кислорода в линейных цепочках Си-О или, другими словами, повышению содержания кислородных вакансий л, то точка, характеризующая состояние образца на фазовой диаграмме х-Т, сместится влево (рис 9) Это соответствует переходу образца из металлического состояния с положительным температурным

коэффициентом сопротивления в псевдощелевое состояние с отрицательным температурным

коэффициентом сопротивления

орторомбическая Т,К

тетрагональная

PMF-treated Imnat

\ Meial

Рчеийй \ Л

Сар \

regime

Об 04 02 0 S О,

Рис 9 Качественный вид фазовой диаграммы соединения УВа^СизО? ,

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Воздействие ИМП на кристаллы полупроводниковых соединений АШВУ приводит к долговременным немонотонным изменениям физико-химических свойств кристаллов. Впервые наблюдались эффекты изменения температуры плавления 1пАб, спектра поверхностных состояний ваАэ, топологии и сорбционных свойств поверхности БаАз и 1пР. Эффект обусловлен перестройкой дефектной подсистемы кристалла с распадом исходных дефектных комплексов, образованием подвижных вакансий летучего компонента и возникновением диффузионных потоков продуктов распада

2 Воздействие ИМП на кристаллы галогенидов серебра вызывает долговременные изменения интенсивности фотолюминесценции, что обусловлено распадом исходных дефектных комплексов с образованием подвижных вакансий летучего компонента и диффузионных потоков точечных дефектов, приводящих к формированию новой микроструктуры с повышенным содержанием вакансий серебра в объеме и серебросодержащих комплексов на поверхности кристалла

3. Воздействие ИМП приводит к изменениям интенсивности фотолюминесценции и фотографических характеристик светочувствительных слоев на основе легированных микрокристаллов галогенидов серебра, связанным с изменением содержания дефектных комплексов, являющихся светочувствительными центрами и центрами вуали

4. Впервые наблюдался эффект повышения скорости проявления светочувствительных слоев на основе галогенидов серебра магнитным полем Эффект обусловлен влиянием магнитного поля на скорости радикальных химических реакций, происходящих при проявлении и объясняется в рамках спиновой химии Обнаруженный эффект открывает возможность визуализации магнитных полей фотографическим способом.

5 Воздействие ИМП на ВТСП УВагСи^.* приводит к изменению знака температурного коэффициента сопротивления в области перехода в сверхпроводящее состояние, что обусловлено переходом ВТСП из нормального металлического состояния в псевдощелевой режим из-за повышения содержания кислородных вакансий * в цепочках Си-0 решетки УВа2Си307.х

6. Общие закономерности воздействия ИМП на немагнитные кристаллы различной природы состоят в том, что эти воздействия вызывают долговременные немонотонные изменения свойств кристаллов за счет распада исходных дефектных комплексов с диффузией образующихся продуктов распада, их взаимодействием и формированием новой дефектной подсистемы кристалла

Цитированная литература

1. Дистлер Г.И О влиянии слабого импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых тел / Г И. Дистлер, В М Каневский, В В Москвин, С.Н. Постников, JI.A. Рябинин, В П Сидоров, Г Д Шнырев // ДАН СССР.- 1983 -Т. 268,№ 3. - С 591-593.

2. Алыниц В И О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля / В И. Алыпиц, Е В Даринская, Т М Перекалина, А.А. Урусовская // ФТП - 1987 - Т.29, №2. - С.467-471.

3 Давыдов В Н Запаздывающие структурные изменения в полупроводниках, стимулированные магнитным полем / В.Н Давыдов, Е А. Лоскутова, Е Н Найден // ФТП. - 1989. - Т.23, №9 - С. 1596-1600

4. Молоцкий МИ Возможный механизм магнитопластического эффекта / ФТП -1991. - Т 33, №10. - С 3112-3114

5 Головин Ю.И Возможная схема магнитостимулированной релаксации метастабильных комплексов точечных дефектов в ионных кристаллах / ЮИ Головин, РБ Моргунов // Известия РАН - 2000. - Т.64, №9. -С 1683-1687.

6. Закревский В А. О возможном влиянии магнитного поля на разрыв механически нагруженных ковалентных связей / В А Закревский, В А Пахотин, А В. Шульдинер // ФТП. - 2002. - Т 44, №11. - С 1990-1993

7. Левин МН Эффект магнитно-индуцированной диффузионной неустойчивости в полупроводниковых соединениях A1UBV / М.Н Левин, Г.В. Семенова, Т.П. Сушкова И ДАН - 2003. - Т. 388, №5 - С. 608-610.

8 Belyavsky VI Spin effects in defect reactions /VI Belyavsky, M N. Levin // Phys Rev В -2004.-V.70 -P 104101 (8).

9. Belyavsky V.I Defect-induced lattice magnetism. Phenomenology of magnetic-field-stimulated defect reactions in nonmagnetic solids / V.I. Belyavsky, M.N. Levm, N J Olson//Phys Rev В -2006.-V 73 -P 054429(6).

Основное содержание диссертации опубликовано в работах: Публикации в изданиях по перечню ВАК РФ

1. Воздействие импульсных магнитных полей на ВТСП керамику УВа2Сиз07.х / МН Левин, В В Постников, М.А. Дронов // Письма в Журнал Технической Физики -2003 - Т. 29, № 11,- С.7-13

2 Effect of Pulsed Magnetic Field on YBCO Ceramic/ M N Levm, V I. Belyavsky,

V V Postiukov, E A. Dolgopolova, M A. Dronov II Ferroelectrics - 2004. —

V 307.- P.161-166

3.Влияние магнитного поля на свойства фотоматериалов / Т.В.Волошина, М А Дронов, М.А Ефимова, А.Н Латышев, М Н. Левин, В.А, Москинов // Химия высоких энергий. - 2005. - Т. 39. №3 С.213-217

4 Воздействие импульсных магнитных полей на люминесцентные свойства монокристаллов хлорида серебра / Т.В. Волошина, МН Левин, М.А

Дронов, Т.В Кавецкая // Письма в Журнал Технической Физики - 2006 -Т. 2, № 11.- С 84-89

Статьи в изданиях, не входящих в перечень ВАК РФ, труды конференций

5 Окисление кристаллов фосфида индия с предварительной магнитной обработкой / Г В. Семенова, ОН Шуйская, А.В Татаринцев, ЭА. Долгополова, МА Дронов, МН Левин // Конденсированные среды и межфазные границы -2005 -Т. 7, №2 - С. 150-153

6. Воздействие импульсных магнитных полей на спектр поверхностных электронных состояний монокристаллов арсенида галлия / М.Н Левин, ( А В Татаринцев, М А Дронов, А.В Каданцев, Г.И Котов // Конденсированные среды и межфазные границы - 2005 - Т. 7, № 4 - С. 370-372

7 Изменение температуры плавления арсенида индия после воздействия импульсного магнитного поля / В.В Постников, МН. Левин, М.А. Дронов, ОМ Шуйская, Г.В Семенова, ТП Сушкова// Конденсированные среды и межфазные границы -2006 -Т 8,№ 1 -С 46-49.

8 The Effect of Pulsed Magnetic Fields on YBa2Cu307.x Ceramics / MN Levm, V.V Postnikov, M A Dronov // Ferroelasticity . Book of Abstracts of IV International Seminar on Ferroelasticity - Voronezh, 2003. - P 39-40

9 Pulsed Magnetic Field Processing of Ceramic Nanomatenals / E.A Dolgopolova, M.A. Dronov, M.N. Levm, V V. Postnikov // Nanoparticles, Nanostructures, Nanocomposites' Proceedings of Topical Meeting of the European Ceramic Society. - Saint-Peterburg, 2004. -P.87

10 Селективное воздействие слабого постоянного магнитного поля на фазовые переходы в сегнетоэлектрических кристаллах с водородными связям / В.В Постников, МН Левин, МЮПалагин, М.А /фонов // Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов материалы V Международ Науч-техн конф - Воронеж, 2003 -С 91-92

11 Воздействие импульсных магнитных полей на фазовый переход высокотемпературного сверхпроводника/ М Н Левин, В В.Постников, М А Дронов// Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов материалы V Международ. Науч-техн. конф.— Воронеж, 2003 - С 93-94

12 Воздействие импульсных магнитных полей на ВТСП керамику Y-B-C-О/ М Н Левин, В В Постников, Э А Долгополова, М А. Дронов // Молодые ученые - науке, технологиям и профессиональному образованию-материалы Международной научно-технической школы-конф. - Москва, 2003 - С.203-206.

13 Прасолов Б Н, Сафонова И А, Палатин М Ю, Дронов М А "Реологическая модель движения доменной границы в сегнетоэлектрике и сегнетоэластике в поле подвижных стопоров", Abstracts of IV International

Seminar on Ferroelastics Physics, Voronezh, Russia, September 15-18,2003, p 84.

14 Влияние импульсных магнитных полей на ВТСП керамику YBCO/ М А Дронов, В В Постников, М Н Левин // Молодые ученые — науке, технологиям и профессиональному образованию: материалы Международной научно-технической школы-конф. - Москва, 2003. - С 136-139

15 Влияние импульсных магнитных полей на кристаллизацию полимеров / М.Н Левин, Б.Н Прасолов, В В.Постников, А В.Татаринцев, М.А Дронов // Радиолокация, навигация, связь- материалы IX Международ науч-техн конф -Воронеж,2003.-Т II.-С 1216-1223

16 Воздействие импульсных магнитных полей на поверхностные свойства полупроводниковых кристаллов / А В Татаринцев, М А Дронов, В Р. Гитлин, М Н. Левин // Радиолокация, навигация, связь материалы XI Международ науч -техн. конф - Воронеж, 2005 - Т 1 - С. 556-569

17 Влияние магнитных полей на фотолюминесценцию кристаллов галогенидов серебра и фотографические свойства светочувствительных слоев на их основе/ МН. Левин, МА Дронов, ТВ. Волошина, // Кибернетика и высокие технологии 21 века Воронеж, 2007. - С 557-562

18 The Effect of Pulsed Magnetic Fields on The Real Structuring of AIUBV Semiconductor Compounds / E A Dolgopolova, M A Dronov, M N Levin // Book of Abstracts of LVII International Conference of Nuclear Physics — Saint-Petersburg, 2007 — P.347

Отпечатано

копировальным салоном—типографией "ФОРТУНА" г Воронеж,ул. Ворошилова,2 /200 , тел. (4732) 51-22-70 заказ № 70 формат 60х84,бумага копировальная " Снегурочка" подписано в печать 23 11 2007 Отпечатано 24 112007 г тираж 140 экз

ВВЕДЕНИЕ

СОДЕРЖАНИЕ

ГЛАВА I

ВОЗДЕЙСТВИЕ СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА СПИН

ЗАВИСИМЫЕ РАДИКАЛЬНЫЕ И ДЕФЕКТНЫЕ РЕАКЦИИ аналитический обзор)

1.1. Экспериментальные данные по воздействию импульсных магнитных полей на дефектную структуру и свойства немагнитных Кристаллов.

1.2. Механизмы влияния слабых магнитных полей на химические реакции радикальных пар в рамках концепции спиновой химии.

1.3.Механизм влияния слабых магнитных полей на дефектные реакции в немагнитных кристаллах в рамках концепции решеточного магнетизма, индуцированного дефектами (DILM).

ГЛАВА II

ВОЗДЕЙСТВИЕ ИМПУЛЬСНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА

ДЕФЕКТНУЮ ПОДСИСТЕМУ И СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

СОЕДИНЕНИЙ AmBv

2.1 Эффект изменения температуры плавления арсенида индия в результате воздействия импульсного магнитного поля.

2.2 Воздействие импульсных магнитных полей на поверхностные свойства кристаллов арсенида галлия и фосфида индия.

2.3 Влияние предварительной обработки импульсным магнитным полем кристаллов фосфида индия на кинетику их окисления.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ II.

ГЛАВА III

ВЛИЯНИЕ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТЦИЮ КРИСТАЛЛОВ ГАЛОГЕНИДОВ СЕРЕБРА И ФОТОГРАФИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СЛОЕВ НА ИХ ОСНОВЕ 3.1 Влияние импульсных магнитных полей на люминесцентные свойства монокристаллов хлорида серебра.

3.2 Влияние импульсного магнитного поля на люминесценцию микрокристаллов хлорида серебра, легированных йодом.

3.3 Влияние магнитного поля на люминесцентные и фотографические свойства светочувствительных слоев на основе галогенидов серебра.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ III.

ГЛАВА IV

ВОЗДЕЙСТВИЕ ИМПУЛЬСНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА КУПРАТНЫЕ

ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ

4.1 Воздействия импульсного магнитного поля на структуру и свойства

ВТСП керамики YBaCuO.

4.2 Возможный механизм изменения типа проводимости ВТСП керамики YBaCuO в результате воздействия импульсного магнитного поля.

4.3 Селективное воздействие слабого постоянного магнитного поля на фазовые переходы в сегнетоэлектрических кристаллах с водородными связями.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ IV.

Актуальность темы.

Исследование воздействия слабых магнитных полей на дефектную подсистему (микроструктуру) диамагнитных кристаллов является актуальным как с прикладной, так и фундаментальной точки зрения. С одной стороны привлекает перспектива технологического использования таких воздействий для управления микроструктурой реальных кристаллов с целью придания им требуемых свойств. С другой стороны остается невыясненной природа самого явления структурных изменений в немагнитных кристаллах в результате воздействия магнитного поля, энергия которого ничтожно мала на тепловом фоне.

В первых статьях о влиянии слабого (B^l Т) импульсного магнитного поля (ИМП) на реальную структуру твердых тел сообщалось о распаде дефектных комплексов в щелочно-галоидных кристаллах NaCl в результате воздействия ИМП, о долговременных («запаздывающих») структурных изменениях, индуцированных импульсом магнитного поля в полупроводниковых соединениях АП,ВУ. К сожалению, в дальнейшем эти исследования долговременных трансформаций дефектных комплексов в кристаллах, вызванных кратковременным воздействием ИМП, не получили должного развития.

Основной объем экспериментальных исследований был посвящен изучению «магнитопластического» эффекта, состоящего в повышении подвижности дислокаций в слабых магнитных полях и впервые описанного в работе. Возможный механизм магнитопластического эффекта был предложен в и базировался на развитых в спиновой химии представлениях о механизмах магнитной чувствительности реакций радикальных пар в жидких средах. Повышение подвижности дислокаций в магнитном поле объяснялось облегченным откреплением дислокации от парамагнитного точечного дефекта - стопора. Предполагалось, что роль магнитного поля, как и в спиновой химии, состоит в изменении спинового состояния радикальной пары, образуемой ненасыщенной валентной связью в ядре дислокации и парамагнитным стопором, вследствие чего меняется вероятность химической реакции радикальной пары.

Несмотря на привлекательность разработанной в спиновой химии концепции магнитных спиновых эффектов в химических реакциях, правомерность её использования для объяснения . воздействия магнитных полей на реальную структуру немагнитных кристаллов, наблюдаемых как изменение дефектной структуры и подвижности дефектов, остается под вопросом. В частности, предположение о том, что распад парамагнитных дефектных комплексов, являющихся стопорами дислокаций, происходит в магнитном поле за счет изменения спинового состояния короткоживущих радикальных пар, возникающих при термофлуктуационном удлинении и последующем разрыве напряженных химических связей, встречает принципиальные возражения. Время изменения заселенности спиновых уровней в магнитном поле (10"9-10"8sec) существенно превышает время жизни

1 "X флуктуационно-растянутой связи (-10 sec), а прямая экспериментальная проверка не подтверждает влияния магнитного поля на разрыв механически напряженных ковалентных связей.

При исследовании влияния ИМП на низко-дислокационные нелегированные полупроводниковые кристаллы АШВУ было установлено, что наличие парамагнитных примесей не является необходимым условием чувствительности диамагнитных кристаллов к внешним магнитным полям. К началу выполнения данного исследования в литературе был накоплен достаточно большой объем экспериментальных данных, убедительно свидетельствующих об уникальной способности ИМП существенным образом воздействовать на реальную структуру и свойства диамагнитных материалов различной природы. В то же время вопрос о том, имеет ли воздействие относительно слабых магнитных полей на дефектную структуру весьма разнообразных по химическому составу, типу химических связей и физическим свойствам немагнитных кристаллических твердых тел достаточно универсальный характер оставался открытым.

Полученные в данной работе результаты, в совокупности с результатами других исследований, позволили дать положительный ответ на этот вопрос и, наряду с результатами других исследований, стали основой для построения феноменологической схемы, позволившей с единых позиций описать магнито-индуцированную перестройку дефектной структуры кристаллов.

Выбор объектов исследования был обусловлен тем, что полупроводниковые кристаллы AnIBv, галогениды серебра и ВТСП купраты YBaCuO являясь немагнитными кристаллами с различным типом химической связи, кристаллической решетки и проводимости, характеризуются высокой чувствительностью свойств к состоянию дефектной подсистемы, изменения которой могут надежно контролироваться хорошо развитыми прецизионными электрофизическими и фотолюминесцентными методами.

Цель работы состояла в установлении общих закономерностей воздействия импульсных магнитных полей на дефектную структуру и свойства немагнитных кристаллов различной природы.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие задачи исследования.

1. Проведение экспериментальных исследований воздействия ИМП на дефектную структуру и свойства полупроводниковых соединений AnIBv.

2. Проведение экспериментальных исследований влияния магнитных полей на люминесцентные свойства кристаллов галогенидов серебра и фотографические свойства светочувствительных слоев на их основе.

3. Проведение экспериментальных исследований воздействия ИМП на температурную зависимость проводимости купратных ВТСП YBaCuO.

Научная новизна

1. Впервые обнаружены эффекты изменения температуры плавления кристаллов InAs и физико-химических свойств поверхности кристаллов InP и GaAs в результате воздействия ИМП.

2. Впервые обнаружены эффекты изменения интенсивности фотолюминесценции кристаллов галогенидов серебра и фотографических свойств светочувствительных слоев на основе микрокристаллов AgHal результате воздействия ИМП.

3. Впервые обнаружен эффект изменения знака коэффициента температурной зависимости сопротивления ВТСП керамики YBaCuO вблизи перехода в сверхпроводящее состояние в результате воздействия ИМП.

Практическая значимость

1. Воздействия ИМП могут быть использованы для снижения исходной дефектности немагнитных кристаллов.

2. Воздействия ИМП могут быть использованы для активации физико-химических процессов формирования покрытий на поверхности немагнитных кристаллов.

3. Воздействия ИМП могут быть использованы для очувствления фотоматериалов.

4. Обнаруженная чувствительность фотопроцессов к магнитному воздействию может быть использована для визуализации магнитных полей.

Положения, выносимые на защиту:

1. Воздействие ИМП на кристаллы полупроводниковых соединений АШВУ приводит к долговременным немонотонным изменениям физико-химических свойств кристаллов, обусловленным перестройкой дефектной подсистемы кристалла с распадом исходных дефектных комплексов, образованием подвижных вакансий летучего компонента и возникновением диффузионных потоков продуктов распада.

2. Воздействие ИМП на кристаллы галогенидов серебра вызывает долговременные изменения интенсивности фотолюминесценции кристаллов, что обусловлено распадом исходных дефектных комплексов с образованием подвижных вакансий летучего компонента и диффузионных потоков точечных дефектов, приводящих к формированию новой микроструктуры с повышенным содержанием вакансий серебра в объеме и серебросодержащих комплексов на поверхности кристалла.

3. Воздействие ИМП на ВТСП YBa2Cu307.x изменяет знак температурного коэффициента сопротивления в области сверхпроводящего перехода, что обусловлено переходом ВТСП из нормального металлического состояния в псевдощелевой режим вследствие повышения содержания х кислородных вакансий в цепочках Cu-0 решетки УВа2Сиз07.х.

Апробация работы. Ниже перечислены конференции, семинары и совещания, на которых представлялись результаты работы.

IV Международный семинар по сегнетопластичности (Воронеж, 2003); V Международ. Науч.-техн. конф. «Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов» (Воронеж, 2003); Международная научно-техническая школа-конф. «Молодые ученые - науке, технологиям и профессиональному образованию» (Москва, 2003); IX Международ, науч.-техн. конф. «Радиолокация, навигация, связь» (Воронеж, 2003); Topical Meeting of the European Ceramic Society "Nanoparticles, Nanostructures,

Nanocomposites" (S.-Peterburg, 2004); XI Международ, науч.-техн. конф. «Радиолокация, навигация, связь» (Воронеж, 2005); III Всерос. конф. «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах. Фагран-2006» (Воронеж, 2006) ); LVII International Conference of Nuclear Physics (S.-Petersburg, 2007).

Публикации. По результатам исследований, представленных в диссертации, опубликовано 18 печатных работ, в том числе 7 статей, 3 доклада и 8 тезисов докладов на научных и научно-технических конференциях, совещаниях и семинарах. В совместных работах личный вклад автора состоит в проведении экспериментальных исследований и участии в интерпретации результатов.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, включая аналитический обзор литературных данных (глава I), выводов и списка литературы. Объем диссертации составляет 152 страницы машинописного текста, включая 59 рисунков. Список литературы содержит 132 наименования.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Воздействие ИМП на кристаллы полупроводниковых соединений АШВУ приводит к долговременным немонотонным изменениям физико-химичес-ких свойств кристаллов. Впервые наблюдались эффекты изменения температуры плавления InAs, спектра поверхностных состояний GaAs, топологии и сорбционных свойств поверхности GaAs и InP. Эффект обусловлен перестройкой дефектной подсистемы кристалла с распадом исходных дефектных комплексов, образованием подвижных вакансий летучего компонента и возникновением диффузионных потоков продуктов распада.

2. Воздействие ИМП на кристаллы галогенидов серебра вызывает долговременные изменения интенсивности фотолюминесценции, что обусловлено распадом исходных дефектных комплексов с образованием подвижных вакансий летучего компонента и диффузионных потоков точечных дефектов, приводящих к формированию новой микроструктуры с повышенным содержанием вакансий серебра в объеме и серебросодержащих комплексов на поверхности кристалла.

3. Воздействие ИМП приводит к изменениям интенсивности фотолюминесценции и фотографических характеристик светочувствительных слоев на основе легированных микрокристаллов галогенидов серебра, связанным с изменением содержания дефектных комплексов, являющихся светочувствительными центрами и центрами вуали.

4. Впервые наблюдался эффект повышения скорости проявления светочувствительных слоев на основе галогенидов серебра магнитным полем. Эффект обусловлен влиянием магнитного поля на скорости радикальных химических реакций, происходящих при проявлении и объясняется в рамках спиновой химии. Обнаруженный эффект открывает возможность визуализации магнитных полей фотографическим способом.

5. Воздействие ИМП на ВТСП YBa2Cu307.x приводит к изменению знака температурного коэффициента сопротивления в области перехода в сверхпроводящее состояние, что обусловлено переходом ВТСП из нормального металлического состояния в псевдощелевой режим из-за повышения содержания кислородных вакансий л: в цепочках Cu-0 решетки УВагСизС^.

6. Кратковременное воздействие ИМП на сегнетоэлектрический кристалл ТГС приводит к долговременному повышению низкочастотной диэлектрической проницаемости кристалла в парамагнитной фазе, что обусловлено повышением подвижности доменных стенок в результате распада дефектных комплексов, являвшихся стопорами доменных стенок и обеспечивавших их «пиннинг» в исходном кристалле.

7. Общие закономерности воздействия ИМП на немагнитные кристаллы различной природы состоят в том, что эти воздействия вызывают долговременные немонотонные изменения свойств кристаллов за счет распада исходных дефектных комплексов с диффузией образующихся продуктов распада, их взаимодействием и формированием новой дефектной подсистемы кристалла.

1. Вонсовский С.В. Магнетизм. /С.В. Вонсовский - М. : Наука. - 1971. -1032 с.

2. Effects of Magnetic Fields on the Mutual Annihilation of Triplet Excitons in Molecular Crystals / Johnson R.C. et al. // Phys. Rev. Lett. 1967. - VOL. 19,№6,-P. 285.

3. Merrifield R.E. Theory of Magnetic Field Effects on the Mutual Annihilation of Triplet Excitons / R.E. Merrifield // J. Chem. Phys. 1968. -VOL. 48,№12,-P. 4318.

4. Hayashi H. Magnetic field effects on dynammic behavior of excited molecules / H. Hayashi, Y. Sakaguchi, H. Abe // Physica. 1990. - VOL. 164,-P. 217-221.

5. Франкевич Е.Л. Новый эффект увеличения фотопроводимости полупроводников в слабом магнитном поле / Е.Л. Франкевич, Е.И. Балабанов // Письма в ЖЭТФ. 1965. с T.I, В.6, - С.33-37.

6. Власов В.П. Оже-электронная спектроскопия полупроводниковых кристаллов после воздействия импульсного магнитного поля / В.П. Власов, В.М. Каневский, А.А. Пурцхвадзе // Физика твердого тела. -1991. Т. 33, №7. - С. 2194-2300.

7. Reaction yield detected magnetic resonance spectra of intermediate pairs of triplet excitions evolution of spectra during degeneracy of energy levels / Lesin V.I. et al // Phys. Stat. Sol. 1977. - VOL. 84(b), №2, - P.513-520.

8. Frankevich E.L. Photoconductivity of sublimated rubrene films during oxidation. The magnetic field effect / E.L. Frankevich, M.M. Tribel, I.A. Sokolik // Phys. Stat. Sol. 1976. - VOL.77, №1, - P.265.

9. Frankevich E.L. Magnetic resonance of short-lived triplet exciton pairs detected by fluorescence modulation at room temperature / E.L. Frankevich, A.I. Pristupa, V.I. Lesin // Chem. Phys. Lett. 1977. - VOL 47, №2,1. Р.304.

10. Ю.Постников С.Н. Влияние импульсных магнитных полей на усталость быстрорежущей стали / С.Н. Постников, А.Д. Кунгин, А.А. Черников // Электронная обработка материалов. 1981. - №6. - С. 8-11.

11. П.Франкевич E.JI. Двухкратные резонансные СВЧ переходы в промежуточных комплексах реакции аннигиляции триплетных экситонов / E.JI. Франкевич, А.И. Приступа, В.И. Лесин // Письма в ЖЭТФ. 1977 - Т.26,. В.77. - С.725-729.

12. Пека Г.П. Физические явления на поверхности полупроводников / Г.П. Пека //Киев : Вища школа. 1984. - 214 с.

13. Влияние слабого магнитного поля на электропроводность пленок полиацетилена / Е.Л. Франкевич и др. // Письма в ЖЭТФ. 1982. -Т.36, В.77,-С.401-404.

14. Suzuki К. X-ray Studies on Precipitation of Metastable Centers in Mixed Crystals NaCl-CdC12 / K. Suzuki // J. Phys. Soc. Japan, 1961. - VOL. 16. -P. 67.

15. П.Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. / Я.И. Френкель М. : Изд-во АН СССР, 1945. - 724 с.

16. Лифшиц И.М. Влияние длины свободного пробега электронов на. образование трека траектории заряженной частицы в. металле / И.М. Лифшиц, Я.Е. Гегузин // ФТТ. 1965 - Т. 7, - С. 62-68.

17. Кривоглаз М. А. Эффекты, связанные с обогащением дефектами слоем вблизи границы или в тонкой пленке неметаллического кристалла / М.

18. A. Кривоглаз // ФТТ. 1968. - Т. 10. - С. 3348-3352.

19. Molotski М. Dislocation paths in a magnetic field M. Molotski, V. Fleurov //J. Phys. Chem. 2000. - V. В104. - №16. -P. 3812-3816.

20. Molotski M.I. Theoretical basis for electro- and magnetoplasticity / M.I. Molotski // Mat. Sci and Engin. 2000. - V. A287. - P. 248-258.

21. Головин Ю.И. О роли обменных сил в формировании пластических свойств диамагнитных кристаллов / Ю.И. Головин, Моргунов Р.Б. // Доклады РАН. 1997. - Т. 354. - №5. - С. 632-634.

22. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников / А.В. Ржанов // М.: Изд-во АН СССР,. 1971. - 480 с.240 природе глубоких акцепторов в антимониде индия / Заитов Ф.А. и др. // ФТП. 1981. -Т.15, В.6. - С. 1230-1232.

23. Давыдов В.Н. Запаздывающие структурные изменения в полупроводниках, стимулированные магнитным полем / В.Н. Давыдов, Е.А. Лоскутова, Е.П. Найден // ФТП. - 1989. - Т.23, В.9. - 1596-1600.

24. Левин М.Н. Импульсная магнитная обработка кремниевых подложек для осаждения тонких пленок методом пульверизации / М.Н. Левин,

25. B.Н. Семенов, А.В. Наумов // Письма в ЖТФ. 2001. - Т.27, В.7. - с.35-39

26. Pawlowski L. The Science and Engineering of Thermal Spray Coatings. / L. Pawlowski // Chichester UK : Wiley. 1995. - 500 P.

27. Herman H. Thermal Spray: Current Status and Future Trends / H. Herman, S. Sampath, R. McCune // MRS Bulletin. 2000. - V. 25. N 7. - P. 17-25.

28. Спектрально-люминесцентные свойства пленок, полученных распылением растворов тиомочевидных комплексов кадмия на нагретую подложку / Семенов В.Н. и др. // Журн. прикладной спектроскопии. 1993. - Т. 59. № 1-2. - С. 114-119.

29. Семенов В.Н. Подготовка и свойства пленок Bi2S3 / В.Н. Семенов, О.В. Остапенко, А.Н. Лукин // Неорганические материалы. 2000. - Т. 36. №2.-С. 160-163.

30. Киселев А.В. Инфракрасные спектры поверхностных соединений и адсорбированных веществ / А.В. Киселев, В.И. Лыгин М. : Наука. -1972.-459 с.

31. Левин М.Н. Воздействие импульсных магнитных полей на тонкие слои Cdo.5Zno.5S / М.Н. Левин, В.Н. Семенов, Ю.В. Метелева // Письма в ЖТФ,-2001.-Т. 27, № 10. -С.37-42.

32. Физические свойств тонких пленок CdS-In2S / В.Н. Семенов и др. // Неорганические материалы. 2000. - Т. 36, В. 2. - С. 111-114.

33. Влияние магнитного поля на интенсивность электролюминесценции монокристаллов ZnS / Ю.И. Головин и др. // ФТТ. 1999. - Т. 41, № 11. - С. 1944-1947.

34. Влияние магнитного поля на пластичность, фото- и электролюминесценцию монокристаллов ZnS / Ю.И. Головин и др. // Письма в ЖЭТФ. 1999. - Т.69, № 2. - С. 114-118.

35. Воздействие импульсных магнитных полей на реальную структуру кристаллов арсенида индия / М.Н. Левин и др. // Письма в ЖТФ. -2002.-Т. 28, № 19.-С.50-55

36. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках / С.В. Булярский и др. М.: Наука. - 1997. - 352 с.

37. Чеботкевич Л.А. Движение дислокаций под действием магнитного поля / Л.А. Чеботкевич, А.А. Урусовская, В.В. Ветер // Кристаллография. 1965. - Т. 10, - В.2, - С.688-692.

38. Взаимодействие блоховских стенок с дислокациями в слабых полях / Чеботкевич Л.А. и др. // ФТТ 1967. - Т.9, - С. 1093-1097.

39. Hayashi S. Plastic Deformation of Nickel Single Crystals in an Alternating Magnetic Field / S. Hayashi, S. Takahashi, M. Yamamoto // J. Phys. Soc.

40. Japan. 1968. - VOL.25. - P.910.

41. Hayashi S. Magneto-plastic effect in nickel single crystals / S. Hayashi, S. Takahashi, M. Yamamoto // J. Phys. Soc. Japan. 1971. - V. 30, № 2, - P. 381.

42. Hayashi S. Magneto-plastic effect in nickel and nickel-cobalt alloy single crystals / S. Hayashi, S. Takahashi, M. Yamamoto // J. Phys. Soc. Japan -. 1972. V. 32, № 2, - P.349-352.

43. Hayashi S. Effect of an alternating magnetic field on the flow stress of Ni and Ni-Co alloy single crystals / S. Hayashi, S. Takahashi, M. Yamamoto // Phys. Letters. 1972. - V. A 42. с P. 171-172.

44. Кравченко В.Я. О влиянии магнитного поля на электронное торможение дислокаций / В.Я. Кравченко // Письма в ЖЭТФ. 1970. -В.12, № 77. - С.551-555.

45. Galligan J.M. Electron-Dislocation Interaction in Copper / J.M. Galligan, T.N. Lin, C.S. Pang // Phys Rev. Letters. 1997. - VOL.38, №8, - P.405.

46. Galligan J.M. The electron drag on mobile dislocations in cooper and aluminum at low temperatures. Strain rate, temperature and field dependence / J.M. Galligan, C.S. Pang // Appl. J. Phys. 1979. - V.50, № 10,-P.6253-6256.

47. Абраимов B.B. Влияние магнитного поля на низкотемпературную пластическую деформацию некоторых нормальных ГЦК металлов / В.В. Абраимов // ФНТ. 1980. - Т.6, В. 10, - С.1334.

48. Головин Ю.И. Оптическое возбуждение магниточувствительных центров в ионных кристаллах / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, С.З. Шмурак // Доклады РАН. 1998. - Т. 360. - №6. - С. 753-755.

49. Лебедев В.П. Электронное торможение дислокаций в алюминии в магнином поле / В.П. Лебедев, B.C. Крыловский // ФТТ. 1985. - Т.7, В.5,-С.1285-1290.

50. Galligan J.M. Dislocation drag mechanisms in normal state metals / J.M.

51. Galligan // Scripta Metall. 1984. - V.18, № 7, - P.653-656. 51., Магнитный резонанс в короткоживущих комплексах структурных дефектов в монокристаллах NaCl. / Головин Ю.И. и др. // Доклады РАН. - 1998. - Т. 361. - №3. - С. 352-354.

52. Electron dislocation drag at low temperatures / Galligan J.M. et al // J. Appl Phys. 1986. - VOL.59, - P.3747-3755.

53. Kim C.S. Viscosity limited dislocation motion / C.S. Kim, J.M. Galligan // Scripta Metall. 1992. - vol.26, - p. 1769.

54. Kim C.S. Dislocation velocities at low temperatures / C.S. Kim, J.M. Galligan // Acta Mater. 1996. - VOL.44, - P.775-779.

55. Климов Ю.И. Долговременная релаксация параметров полупроводниковых структур после воздействия магнитного поля / Ю.И. Климов, В.М. Масловский, К.В. Холоднов // Электрон, техника. -1990. Сер. 3. - Вып. 5(144). - С. 22-26.

56. Гришин A.M. Электронное торможение дислокаций в магнитном поле / A.M. Гришин, Е.А. Канер, Е.Л. Фельдман // ЖЭТФ. 1976. - Т.70, В.4, -С.1445-1450.

57. Molotski М. Influence of static and alternative magnetic fields on plasticity of crystals / M. Molotski, V. Fleurov // Phil. Mag. Lett. 1996. - V. 73, №1. -P. 11-15.

58. Molotski M. Spin effectsin plasticity / M. Molotski, V. Fleurov // Phys. Rev. Lett. 1997. - V. 78. - №14. - P. 2779-2782.

59. Molotski M. Manifestations of hyperfine interaction in plasticity / M. Molotski, V. Fleurov // Phys. Rev. 1997. - V. B56. - №17. - P. 1080910811.

60. Molotski M. Dislocation paths in a magnetic field / M. Molotski, V. Fleurov // J. Phys. Chem. 2000. - V. В104. - №16. - P. 3812-3816.

61. Pavlov V.A. The Influence of Permanent Magnetic and Alternative Electric

62. Fields on the Dislocation Dynamics in Ionic Crystals / V.A. Pavlov, L.A. Pereturina, N.L. Pecherkina // Phys. Stat. Sol с 1980. VOL.57, №2, -P.449-452.

63. Влияние пластической деформации на парамагнитную восприимчивость монокристаллов молибдена / А.И. Дерягин и др. // ФММ. 1971. - Т.32, В.6, - С.1231-1234.

64. Власов К.Б. Дислокационный магнетизм в переходных парамагнитных металлах / К.Б. Власов, А.И. Дерягин, В.А. Павлов // ФММ. 1977. -Т.44, В.6, - С.1206-1214.

65. Дерягин А.И. Магнитная восприимчивость пластически деформированных вольфрама и молибдена / А.И. Дерягин, Р.Ш. Насыров // ФММ. 1980. - Т. 49, В 6, - С.1199-1203.

66. Sharp E.J. Magnetic Polarizations of Electrons at Dislocations in Alkali Halides / E.J. Sharp, D.A. Avery // Phys. Rev. 1967. - VOL.158, №2, -P.511-514.

67. Косевич A.M., Шкловский B.H.// ЖЭТФ. 1968. т.55, в.3(9) ,c.l 131-1139.

68. Покровский B.JI. Спиновые волны на дислокациях / B.JI. Покровский // Письма в ЖЭТФ. 1970. - Т. 11, № 4, - С.233-235.

69. Бучаченко A.JI. Второе поколение магнитных эффектов в химических реакциях / A.JI. Бучаченко // Успехи химии. 1993. - Т. 62, № 12. - С. 1139-1149.

70. Бучаченко A.JI. Лекции по спиновой химии / А.Л. Бучаченко // М : изд.1. МГУ.-2000-345 с.

71. Зельдович Б.Я. Магнитно-спиновые эффекты в химии и молекулярной физике / Б.Я. Зельдович, A.JI. Бучаченко, E.JI. Франкевич // УФН, -1988.-Т. 155,-С. 3-45.

72. Бучаченко A.JI. Фотохимия уранила: спиновая селективность и магнитные эффекты / A.JI. Бучаченко, И.В. Худяков // Успехи химии. -1991. Т. 60, № 6, - С. 1105-1127.

73. Бучаченко A.JI. Химически индуцированное радиоизлучение и химическая радиофизика / A.JI. Бучаченко, B.JI. Берлинский // Успехи химии. 1983. - Т. 52, № 1 - С. 3-19.

74. Бучаченко A.JI. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях. / A.JI. Бучаченко, Р.З. Сагдеев, К.М. Салихов Новосибирск : Наука. - 1978. -296 с.

75. Бучаченко A.JI. Магнитные эффекты в химических реакциях / A.JI. Бучаченко // Успехи химии 1976. - Т. 45, № 5. - С.761-792.

76. Salikhov К.М Spin polarization and magnetic field effects in radical reactions, edited by Yu.N. Molin. / K.M. Salikhov et al. 1984. - Elsevier, Amsterdam. - 286 p.

77. Бучаченко A.JI. Химия на рубеже веков: свершения и прогнозы / A.JI. Бучаченко // Успехи химии. 1999. - Т. 68, № 2. - С. 99-117.

78. BuchachenkoA.L. Chemical generation and reception of radio and microwaves / A.L. Buchachenko, E.L. Frankevich // VCH Publisher : New York.- 1993.- 180 p.

79. Бучаченко A.JI. Ядерно-спиновая селективность химических реакций / A.JI. Бучаченко // Успехи химии. 1995. - Т. 64, № 9. - С. 863-871.

80. Сагдеев Р.З. Влияние магнитного поля на процессы с участием радикалов и триплетных молекул в растворах / Р.З. Сагдеев, К.М. Салихов, Ю.И. Молин // Успехи химии. 1977, - Т. 46, № 4, - С. 569

81. Effects of Magnetic Fields on the Mutual Annihilation of Triplet Excitons in Molecular Crystals / R.C. Johnson et al // Phys. Rev. Lett. 1967. -VOL. 19, №6.-P. 285-287.

82. Зельдович Я.Б. Магнито-спиновые эффекты в химии и молекулярной физике / Я.Б. Зельдович, A.JI. Бучаченко, E.JI. Франкевич // УФН. -1988.-Т. 155,№ 1,-С.З -45.

83. Belyavsky V.I. Spin Effects in Defect Reactions / V.I. Belyavsky , M.N. Levin // Phys. Rev. 2004. - V.B70, №10, - P. 104-110.

84. Белявский В.И. Магнонный механизм реакций дефектов в твердых телах / В.И. Белявский, Ю.В. Иванков, М.Н. Левин // ФТТ. 2006. - Т. 48, № 7.-С.1255-1259.

85. Альшиц В.И. «In situ» изучение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl методом непрерывного травления / В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Е.А. Петржик // ФТТ. 1991. -Т.ЗЗ, В. 10, - С. 3001.

86. Молоцкий М.И. Возможный механизм магнитопластического эффекта / М.И. Молоцкий // ФТТ. 1991. - Т. 33, № 10. - С.3112-3114.

87. Molotski М. Spin effectsin plasticity / М. Molotski, V. Fleurov // Phys. Rev. Lett. 1997. - V.78, №14. - P. 2779-2782.

88. Движение дислокаций, стимулированное импульсом магнитного поля с амплитудой до 30 Т, в кристаллах NaCl / Ю.И. Головин и др. // Кристаллография. 1998. - Т.43, В.6. - С. 1115-1120.

89. Тяпунина Н.А. Влияние магнитного поля на неупругие свойствакристаллов LiF / Н.А. Тяпунина B.JI. Красников, Э.П. Белозерова // ФТТ. 1999. - Т.41, №6, - С. 1035-1041.

90. Левин М.Н. Селективное воздействие слабого постоянного магнитного поля на кристаллы триглицинсуль-фата / М.Н. Левин, В.В. Постников, М.Ю. Палагин // ФТТ. 2003. - Т. 45, № 9. - С. 1680-1684.

91. Структурные превращения в твердых растворах Sb-As при воздействии слабых импульсных магнитных полей / В.В.Постников и др. // Конденс. среды и межфазные границы. 2002. - Т. 4, №4 - С. 326-332.

92. Влияние импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых растворов в системе Sb-As / М.Н. Левин и др. // Физика твердого тела. 2003. - Т. 45, №4. - С. 609-612.

93. Воздействие импульсных магнитных полей на реальную структуру кристаллов арсенида индия / М.Н. Левин и др. // Письма в ЖТФ. -2002.-Т. 28, №19.-С. 50-55.

94. Булярский С.В. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках / С.В. Булярский, В.И. Фистуль. М. : Наука, - 1997.-352 с.

95. Стрельченко С.С. Соединения AII,BV / С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев. М.: Металлургия, - 1984. - 144 с.

96. Мильвидский М.Г. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений / М.Г. Мильвидский, О.В. Пелевин, Б.А. Сахаров. М : Металлургия. - 1974. - 392 с.

97. Данилюк АЛ. Колебательная релаксация поверхностной проводимости кремния после воздействия слабого магнитного поля / АЛ. Данилюк, А.И. Нарейко // Поверхность. -1996. -№ 9. С. 27-33.

98. Изменение упруго- напряженного состояния структур Si-Si02 / Кукушкин Н.В. и др. // ЖТФ. 1985. - Т. 55. Вып. 10. - С. 2083-2084.

99. Левин М.Н. Воздействие импульсных магнитных полей на кристаллы Cz-Si / М.Н. Левин, Б.А Зон // Журнал Экспериментальной и Теоретической

100. Физики. -1997. -Т. 111, № 4. С. 1373-1397

101. Levin M.N. Magnetic-field induced generation of A-like centers in Cz-Si / M.N. Levin, B.A. Zon // MRS Proc. 2000. - Vol. 583. - P. 278-284.

102. Левин M.H. Эффект магнитно-индуцированной диффузионной неустойчивости в полупроводниковых соединениях AmBv / M.H. Левин, Г.В. Семенова, Т.П. Сушкова // ДАН. Физика. 2003. - Т. 388, № 5. - С. 11-13

103. Активация поверхности полупроводников воздействием импульсного магнитного поля / М.Н Левин и др. // ЖТФ. 2003. - Т. 73,№10.-С. 85-87

104. Долговременные изменения топологии поверхности кристаллов CsSi после воздействия импульсного магнитного поля / М.Н. Левин и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2003. - Т. 5. №2.-С. 213-215.

105. Якушев А.И. Взаимозаменяемость, стандартизация и технические измерения. / А.И. Якушев, Л.Н. Воронцов, Н.М. Федотов М. : Машиностроение. - 1986. - 352 с.

106. Левин М.Н. Импульсная магнитная обработка кремниевых подложек для осаждения тонких пленок методом пульверизации / М.Н. Левин, В.Н. Семенов, А.В. Наумов // Письма в ЖТФ. 2001. - Т. 27, № 7.-С. 35-39.

107. Levin M.N. Relaxation processes induced in Si- SiC>2 systems by ionizing radiation and pulsed magnetic field treating / M.N. Levin, V.M. Maslovsky // Solid State Comm. 1994. - V.90. №12. -P.813 - 819.

108. Косцов A.M. Абсорбционные спектры кристалла триглицинсульфата в коротковолновом диапазоне / A.M. Косцов // Изв. РАН. Сер. Физика.-2000. Т. 64, № 9. - С. 1712-1713.

109. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн. 2. Пер. с англ./ Под ред. С.Зи. -М.: Мир. 1986. -453 с.

110. Крячко В.В. Бесконтактный метод исследования зарядового состояния границы раздела полупроводник-диэлектрик / В.В. Крячко и др. // ЖТФ. 2004. - Т. 74, №10. - С. 128-133.

111. Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидом галлия Сысоев Б.И. и др. // ФТП. 1995. - Т. 29. №1. - С. 24-32.

112. Автоматизированная установка для емкостной спектроскопии полупроводников / А.В. Каданцев и др. // ПТЭ. 2004. - №6. - С. 138139.

113. An investigation of the passivating effects of hydrogen sulphide on the GaAs(100) surface / Hughes G.J. et al. // Mater. Sci. Eng. B. 1991. - V. 9. -P.37-41.

114. Реконструкция и электронные состояния гетерограницы Ga2Se3~ GaAs / Б.Л. Агапов и др. // ФТП. 1999. - Т. 33. №6. - С.712-715.

115. Comparison of deep levels spectra and electrical properties of GaAs crystals grown by vertical Bridgeman and by liquid encapsulated Czochralski methods / A.V. Markov et. al. // Solid St. Electron. 2002. - V. 46.-P. 269-277.

116. Сошников И.М., Дементьев H.H. // Химия: Теория и технология. 1999.-№ 2.-С. 43-48.

117. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. / Уманский Я.С. и др. М.: Металлургия. - 1982. - 632 с.

118. Волошина Т.В. Влияние магнитного поля на свойства фотомтериалов / Т.В. Волошина Т.В., М.А. Дронов, М.А. Ефимова, А.Н. Латышев, М.Н.Левин, В.А. Москинов // Химия высоких энергий. -2005. -Т.39, № 3. -С.213-217.

119. Effect of Magnetic Fields on Preparation of Silver Halid Emultion in Gelatin and its Mechanism / Yan Jun et al. // Photogr. Sci. Photochem. -2002. V.20, № 5. - P.358-362.

120. Effect of Pulsed Magnetic Field on YBCO Ceramics / M.N. Levin, V.I. Belyavsky, V.V. Postnikov, E. A. Dolgopolova, M. A. Dronov // Ferroelectrics. 2004. - V.307. - P. 161-166.

121. Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения / П.В. Мейкляр // М: Наука. 1972г - 456 с.

122. Джеймс Т.Х. Теория фотографического процесса / Т.Х. Джеймс Пер. с англ. Под ред. Картужанского A.JI. Л.: Химия. - 1980. - 672 с.

123. Гриднев С. А. Механическая нелинейность высокотемпературного сверхпроводника УВа2Сиз07. / С.А. Гриднев,

124. Н. Иванов, А.Г. Лучанинов // Известия АН СССР. Серия физическая. 1989. - Т. 53, № 7. - С. 1349-1352.

125. Высокотемпературная сверхпроводимость: фундаментальные и прикладные исследования. / Сб. статей под ред. Киселева А.А. Вып.

126. Л.: Машиностроение. - 1990. - 686 с.

127. Плакида Н.М. Высокотемпературные сверхпроводники. / Н.М. Плакида М. : Международная программа образования. - 1996. - 288 с.

128. Dagotto Е. Correlated electrons in high-temperature superconductors. / E. Dagotto // Rev. Mod. Phys. 1994. - V. 66, № 3. - P. 763-840.

129. Левин M.H. Влияние импульсной магнитной обработки на кристаллизацию и плавление полиэтилен-оксида. / М.Н. Левин, В.В. Постников, Н.Н. Матвеев // ЖФХ. 2003. - Т. 77, № 4. - С. 758-761.

130. Левин М.Н. Селективное воздействие слабого магнитного поля на сегнетоэлектрические кристаллы с водородными связями / М.Н. Левин, В.В. Постников, М.Ю. Палагин // ПЖТФ. 2003. - Т. 29. № 12. -С. 62-67.

131. Воздействие слабых импульсных магнитных полей на кристаллытриглицинсульфата / М.Н. Левин и др. // ФТТ. 2003. - Т.45, №3. - С. 513-517.

132. Лайнс М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. / М. Лайнс, А. Гласе // М.: Мир. 1981. - 736 с.