Явления переноса в твердых растворах Pb1-xSnxTe(In) в переменных электрических полях тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.09 ВАК РФ

Список сокращений.

Список основных обозначений.

Введение.

Глава I. Энергетический спектр и примесные состояния в

РЬ1х8пхТе (обзор литературы).

1.1 Нелегированные полупроводники класса А4В6.

1.2 Характерные проявления примеси 1п в сплавах РЬ1-х8пхТе.

1.2.1 Стабилизация уровня Ферми в РЬТе(1п).

1.2.2 Примесь индия в РЬ1.х8пхТе.

1.2.3 Долговременные релаксационные процессы в РЬ1.х8пхТе(1п).

1.2.4 Вольт-амперные характеристики.

1.2.5 Теоретические модели.

1.2.6 Спектральные характеристики фотопроводимости РЬо.758по.25Те(1п).

1.3 Твердые растворы РЬо.753по.25Те(1п) в переменных электрических полях.

1.3.1 СВЧ-гашение фотопроводимости.

1.3.2 СВЧ-стимуляция квантовой эффективности.

1.3.3 Емкость структур на основе эпитаксиальных пленок РЬо.758по.25Те(1п).

Глава II Методика эксперимента.

2.1 Исследованные образцы.

2.2 Измерительные установки.

2.2.1 Измерительные камеры.

2.2.2 Экспериментальные установки.

2.3 Ошибки измерений.

2.3.1 Измерение импеданса.

2.3.2 Точность измерений.

Глава III Чувствительность Pbo.7sSno.25Te(In) к излучению субмиллиметрового диапазона.

3.1 Экспериментальные результаты.

Современные тенденции развития физики в области оптоэлектроники направлены, в частности, на увеличение рабочей длины волны соответствующих приборов до десятков и сотен микрон. Субмиллиметровый (терагерцовый) диапазон электромагнитных волн занимает особое место в существующей проблематике. С одной стороны, именно этой спектральной области соответствуют характерные частоты фононов в твердых телах, а также вращательно-колебательных мод тяжелых молекул, что представляет большой интерес для спектроскопических исследований. Более того, большое количество важных задач в совершенно других сферах деятельности связано с исследованием излучения терагерцового диапазона. Это, например, оптическая земная и космическая связь, контроль за состоянием загрязненности атмосферы, медицина, геофизика, ИК-астрономия, криминалистика и многие другие [1-9]. С другой стороны, терагерцовый диапазон электромагнитных волн является, пожалуй, одним из наименее освоенных. Это связано, в основном, с тем, что в этой спектральной области ограничено использование как радиофизических методов - со стороны более длинных волн, так и оптических - со стороны более коротких. В частности, чувствительность существующих приемников излучения субмиллиметрового диапазона существенно ниже, чем приемников инфракрасного и радио - диапазонов.

Исследования фотопроводимости легированных индием твердых растворов на основе теллурида свинца - теллурида олова показали, что эти материалы обладают высокой фоточувствительностью не только в среднем ИК, но и в терагерцовом диапазоне длин волн. Красная граница фотопроводимости в настоящее время не установлена. Высокая электрофизическая однородность этих полупроводников в сочетании с высокой фоточувствительностью позволяет рассматривать их как весьма перспективные материалы для создания оптических детекторов излучения терагерцового диапазона.

Фундаментальный аспект проблемы примесных состояний в рассматриваемых соединениях не менее важен и интересен.

Данной проблеме посвящено довольно много экспериментальных и теоретических работ. Тем не менее, ряд вопросов остается невыясненным, и исследования в этом направлении продолжают оставаться актуальными. Индий в Pbi.xSnxTe проявляет переменную валентность и формирует в энергетическом спектре систему примесных уровней, которые могут располагаться как на фоне разрешенных энергий, так и внутри щели. К основным свойствам, обусловленным особенностями примесной подсистемы, можно отнести стабилизацию положения уровня Ферми (УФ) и наличие долговременных процессов релаксации неравновесных электронных распределений при низких температурах. В настоящее время можно говорить о группе примесей, проявляющих переменную валентность в А4В6. Это элементы III группы: индий, галлий и талий, некоторые переходные и редкоземельные элементы. Все эти примеси стабилизируют положение УФ, однако каждая из них имеет и выраженные индивидуальные черты. Особое внимание к сплавам Pbi.xSnxTe(In) обусловлено тем, что ширина запрещенной зоны в них может плавно варьироваться путем изменения содержания олова вплоть до нуля, а стабилизированный УФ попадает в запрещенную зону в достаточно широком диапазоне составов 0.22<х<0.28. Задержанная фотопроводимость наблюдается при температурах ниже 25 К, при этом времена жизни неравновесных носителей заряда превышают 104с [10]. В эпитаксиальных пленках Pbo.7sSno.25Te(In) была обнаружена чувствительность к излучению с Х=\ 15 мкм, которая соответствует субщелевой области, при температуре Т=4.2 К [11].

Задержанная фотопроводимость в полупроводниках обусловлена наличием в энергетическом спектре рекомбинационного барьера, природа которого может быть обусловлена разными причинами. В неоднородных полупроводниках появление барьера является следствием пространственного разделения неравновесных носителей заряда на крупномасштабных флуктуациях потенциального рельефа краев зон. В РЬо.758по.25Те(1п) рекомбинационный барьер не связан с пространственной неоднородностью образца, а обусловлен микроскопическими характеристиками примесных центров. Теоретические аспекты этой проблемы подробно рассматриваются в главе 1. Существование рекомбинационного барьера определяет преимущества и недостатки детекторов, в которых время жизни неравновесных носителей заряда велико. К преимуществам относится высокая фоточувствительность, недостатком является низкое быстродействие. Поэтому разработка методов гашения задержанной фотопроводимости является важной и актуальной задачей. Кроме очевидного, но медленного способа возвратить образец в темновое состояние с помощью нагрева, для образцов РЬо.753по.25Те(1п) был разработан метод гашения сигнала задержанной фотопроводимости СВЧ импульсом. Механизм этого процесса остается не вполне понятным. СВЧ импульс, поданный на контакты образца, может приводить не только к гашению задержанной фотопроводимости, но и в определенных условиях стимулировать увеличение квантовой эффективности [12]. При исследовании процесса гашения фотопроводимости в условиях постоянного смещения, сопровождаемого СВЧ накачкой с варьируемой частотой, была выявлена немонотонная зависимость проводимости от частоты СВЧ-поля с явно выраженным максимумом на частоте 250МГц (СВЧ резонанс) [13]. Механизм этого эффекта также остается неясным.

Имеющиеся экспериментальные данные свидетельствуют о нетривиальном поведении материала в переменных электрических полях. Тем не менее, все характеристики электронного транспорта в основном исследовались в статическом режиме. Работ по изучению РЬ1.х8пхТе(1п) в переменном электрическом поле крайне мало [14-16], а интерпретация имеющихся экспериментальных данных неоднозначна.

Общая задача работы состояла в исследовании электрофизических свойств твердых растворов РЬо.758по.25Те(1п) в переменных электрических полях, а также в исследовании их фотопроводимости в субмиллиметровом диапазоне длин волн.

Конкретные задачи включали:

1. Исследование фотопроводимости твердых растворов РЬо.758по.25Те(1п) под действием излучения с длинами волн 176 и 241 мкм.

2. Исследование эффекта СВЧ-резонанса проводимости при варьировании статического электрического поля, мощности и частоты воздействующего переменного электрического поля-накачки.

3. Измерение статических и импульсных вольт-амперных характеристик твердых растворов РЬо.758по.25Те(1п) при воздействии СВЧ-полем с частотами в диапазоне от 50 до 650 МГц различной мощности.

4. Исследование импеданса твердых растворов РЬо.758по.25Те(1п) при варьировании частоты опорного сигнала в диапазоне от 20 Гц до 1 МГц, температуры в интервале от 4.2 К до 300 К, в магнитных полях до 4 Тл.

5. Исследование влияния геометрического фактора и концентрации индия на импеданс твердых растворов РЬо.753по.25Те(1п).

Научная новизна работы и положения выносимые на защиту:

1. Обнаружена фоточувствительность твердых растворов РЬо.758по.25Те(1п) к излучению субмиллиметрового диапазона с длинами волн 176 и 241 мкм. Это указывает на существование энергетических уровней, расположенных непосредственно вблизи дна зоны проводимости. В рамках существующих теоретических представлений эти уровни связывают с метастабильными примесными состояниями.

2. Исследован эффект низкочастотных диэлектрических потерь, возникающий при температурах 7>25 К и при инфракрасной подсветке при 7,=4.2К в объемных образцах твердых растворов РЬо.75$по.25Те(1п) в частотном диапазоне от 20 Гц до 1 МГц. Этот эффект связывается с дополнительным вкладом в поляризацию, обусловленным процессами перезарядки в примесной подсистеме. Определены характерные времена рассасывания зарядовых флуктуаций. 3. Исследован эффект СВЧ-резонанса проводимости при варьировании электрического поля, мощности СВЧ-накачки и её частоты. Обнаружена корреляция между частотой, отвечающей появлению резонанса, и характерными частотами рассасывания зарядовых флуктуаций, определенными из низкочастотных измерений. Эффект СВЧ-резонанса обсуждается в рамках представлений о колебаниях распределений электронной плотности метастабильных состояний.

Научная и практическая ценность работы: Ценность результатов работы заключается в том, что эффекты, полученные при исследовании твердых растворов РЬо.758по.25Те(1п), открывают перспективы применения данных материалов в качестве приемников излучения терагерцового диапазона. Длина волны красной границы фотоэффекта таких приемников является наивысшей из известных на сегодняшний день квантовых приемников излучения указанного диапазона. Полученные экспериментальные данные позволяют выбрать наиболее адекватную теоретическую модель для описания примесной подсистемы.

Апробация результатов работы: Результаты полученные в данной работе, докладывались на следующих конференциях: Всероссийской молодёжной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. (Санкт-Петербург, Россия 2002, 2004, 2005г.), совещании НАНОФОТОНИКА (Нижний-Новгород, Россия 2003, 2006 г.), VI Российской конференции по физике полупроводников (Санкт-Петербург, Россия 2003г.), 27 Международной конференции по физике полупроводников (Флагстафф, США 2004г.),

49 Годовом собрании Общества оптических инженеров (SPIE) (Денвер, США 2004г.), 3 всероссийской конференции «Необратимые процессы в природе и технике» (Москва, Россия 2005г.), 12 Международной конференции по узкощелевым полупроводникам (Тулуза, Франция 2005г.), 24 конференции по физике низких температур (Орландо, США 2005г.), VII Российской конференции по физике полупроводников (Звенигород, Россия 2003г.), XVI Уральской международной зимней школе по физике полупроводников (Кыштым, Россия 2006), а также на семинарах кафедры физики низких температур и сверхпроводимости физического факультета МГУ.

Публикации:

По теме диссертационной работы опубликовано 18 печатных работ, в том числе 2 статьи и 16 публикаций в сборниках тезисов докладов и трудов конференций.

Структура диссертации:

Помимо введения, основных результатов и выводов, данная работа содержит 6 глав. Глава 1 представляет собой обзор литературы, посвященной исследованиям примесных состояний индия в твердых растворах Pbi.xSnxTe(In). Также рассматривается проблемы спектральных измерений и гашения задержанной фотопроводимости в этих соединениях. В главе 2 описаны исследованные образцы и экспериментальные методики, применявшиеся при их исследовании. Здесь же приведено описание калибровки и тестирования прибора, использовавшегося для измерений импеданса исследуемых образцов. Полученные результаты представлены в главах 3-5. В главе 3 представлены результаты исследования фотопроводимости в субмиллиметровом диапазоне длин волн. Главы 4 и 5 посвящены исследованиям воздействия переменного электрического поля на твердые растворы Pbo.75Sno.2sTe(In). Полученные результаты обсуждаются в конце каждой из глав. Глава 6 посвящена обсуждению совокупности экспериментальных данных, полученных различными методами, и их интерпретации в рамках единой концепции.

Основные результаты и выводы

1. Обнаружена фоточувствительность твердых растворов РЬо.753по.25Те(1п) к излучению субмиллиметрового диапазона с длинами волн 176 и 241 мкм. Это указывает на существование в спектре материала энергетических уровней, расположенных непосредственно вблизи дна зоны проводимости. В рамках существующих теоретических представлений эти уровни связывают с метастабильными примесными состояниями.

2. Обнаружен и исследован эффект низкочастотных диэлектрических потерь, возникающий при температурах Т> 25 К и при инфракрасной подсветке при Т= 4.2 К в объемных монокристаллических образцах твердых растворов РЬо.75$по.25Те(1п) в частотном диапазоне от 20 Гц до 1 МГц. Определены характерные времена рассасывания зарядовых флуктуаций для исследованных материалов. Дополнительный вклад в поляризацию индуцирован процессами перезарядки в примесной подсистеме.

3. Исследован эффект СВЧ-резонанса проводимости при варьировании электрического поля, мощности СВЧ-накачки и её частоты.

4. Обнаружена корреляция между частотой, отвечающей появлению СВЧ-резонанса, и характерными частотами рассасывания зарядовых флуктуаций, определенными из низкочастотных измерений. Эффект СВЧ-резонанса обсуждается в рамках представлений о колебаниях распределений электронной плотности на метастабильных состояниях.

В заключение, пользуясь возможностью, выражаю искреннюю благодарность:

Моим научным руководителям, доктору физико-математических наук Людмиле Ивановне Рябовой и доктору физико-математических наук, профессору Дмитрию Ремовичу Хохлову за представление интересной темы, постоянное внимание и помощь в работе;

Доктору физико-математических наук, профессору Борису Александровичу Акимову и кандидату физико-математических наук Сергею Николаевичу Чеснокову за передачу опыта и помощь в проведении экспериментальных исследований;

Доктору физико-математических наук Евгению Владимировичу Богданову за постоянный интерес к работе и плодотворные обсуждения;

Доктору физико-математических наук, профессору Алексею Владимировичу Дмитриеву за плодотворные обсуждения и помощь в поиске литературных данных.

1. Р.Н. Siegel. Terahertz Technology. IEEE Transactions on Microwave theory and Techniques, 2002, v.50, №3, p.910-928.

2. D. Dragoman, M. Dragoman. Terahertz fields and applications. Progress in Quantum Electronics, 2004, v.28, №1, p. 1-66.

3. M. Nagel, P. Haring Bolivar, M. Brucherseifer, H. Kuz. Integrated THz technology for label-free genetic diagnostics. Applied Physics Letters, 2002, v.80, №1, p. 154-156.

4. K. Kawase. Terahertz imaging for drug detection & large-scale integrated circuit inspection. Optics & Photonics News, 2004, v. 10, p.34-39.

5. K. Kawase, Y. Ogawa, Y. Watanabe. Non-destructive terahertz imaging of illicit drugs using spectral fingerprints. Optics Express, 2003, v.l 1, №20, p.2549-2554.

6. B.B. Hu, M.C.Nuss. Imaging with terahertz waves. Optics Letters, 1995, v.20, №16, p. 1716-1718.

7. C.H. Townes, R. Genzel. What is happening at the center of our galaxy? Scientific American, 1990, v. 64, N.4, p.46-55.

8. G.Pilbratt. FIRST Far Infrared and Submillimetre Space Telescope. - Infrared Physics and Technology, 1994, v.35, N.2-3, p.407-418.

9. DughaishZ.H. Lead telluride as a thermoelectric material for thermoelectric power generation. Physica B, 2002, 322, pp. 205-223.

10. AkimovB.A., Brandt N.B., Klimonskiy S.O., RyabovaL.I., KhokhlovD.R. Dynamics of the semiconductor-metal transition induced by the infrared illumination in the Pbi.xSnxTe(In) alloys. Phys.Rev.Lett.A, 1982, v.88A, N9, p.483-486.

11. KhokhlovD.R., IvanchikI.I., Raines S.N., WatsonD.M., PipherJ.L. Performance and spectral response of PbixSnxTe(In) far-infrared photodetectors Appl.Phys.Lett., 2000, v.76, N.20, p.2835-2837.

12. AkimovB.A., KhokhlovD.R. Lead telluride-based photodetectors: a new approach. -Semicond.Sci.Technol., 1993, v.8, S349-S351.

13. Долженко Д.Е., ИванчикИ.И., НикоричА.В., Хохлов ДР., ЧесноковС.Н. СВЧ резонанс задержанной фотопроводимости в Pbi-xSnxTe(In) Письма в ЖЭТФ, 1992, т.55, в.2, с. 125-128.

14. А.Э.Климов, В.Н.Шумский. Фотоемкостной эффект в узкозонном PbSnTe<In>. -Прикладная физика №3, с.74-78 (2004).

15. KlimovAE., Shumsky V.N. Photocapacitance effect in narrow band gap PbSnTe<In>. -Proceedings of SPIE, 2003, v.5126, p.341-346.

16. Климов А.Э. Эпитаксиальные фоточувствительные структуры на основе теллуридов свинца олова. - Докт. дисс., 2005, Институт физики полупроводников СОР АН, Новосибирск.

17. ChesnokovS.N., DolzhenkoD.E., IvanchikI.I., KhokhlovD.R. Far infrared highperformance lead telluride-based photodetectors for space-born applications. Infrared Phys. Technol., 1994, v. 35, №.1, pp. 23-31.

18. Marfaing Y. Optoelectronics with II-VI and IV-VI compounds. Materials Science and Engineering, 1991, B9, p.169-177.

19. Springholz G., SchwarzlaT., HeiW., AiglebM., PascherH. Molecular beam epitaxy of leadsalt-based vertical cavity surface emitting lasers for the 4-6 цт spectral region -Journal of Crystal Growth, 2001, v.227-228, p.722-728.

20. Henini M. An Overview of Narrow Bandgap Semiconductors. Ш-Vs Review, 1994, v.7, N.2, p.44-49.

21. Zogg H., Alchalabi К., Zimin D., Kellermann K. Lead chalcogenide on silicon infrared sensors: focal plane array with 96x128 pixels on active Si-chip. Infrared Phys. Technol., 2002, v.43, p.251-255.

22. Zogg H., Maissen C., Masek J., Hoshino Т., Blunier S., Tiwarl A.N. Photovoltaic infrared sensor arrays in monolithic lead chalcogenides on silicon. Semiconductor Science and Technology, 1991, 6, C36-C41.

23. Pitcher P., Goldberg B.B., Bauer G. Far-infrared investigations of strained PbTe. Physical Review B, 1994, v.49, №24, pp. 17029-17039.

24. Varshava S.S., PelekhL.N., VainbergV.V. Low-temperature sensors based on telluride microcristals. Sensors and Actuators A, 1992,30, pp.55-58.

25. Fürst J., Pascher H., SchwarzlT., BöberlM., HeissW., Springholz G., Bauer G. Midiinfrared IV-VI vertical-cavity surface-emitting lasers with zero-, two- and three-dimensional in the active regions. Applied Physics Letters, 2002, v. 81, N2, pp.208-210.

26. Oswald J., PippanM. Review of nipi structures for photon detection. Semicond. Sei. Technol., 1993, 8, S435-S442.

27. Rogalski A. Infrared detectors: an overview. Infrared Physics & Technology, 2002, 43, pp. 187-210.

28. Gelbstein Y., DashevskyZ., DarielM.P. High performance n-type PbTe-based materials for thermoelectric applications. Physica B, 2005, 363, 196-205.

29. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS. Наука, Москва, 1968.

30. Абрикосов Н.Х., ШелимоваЛ.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений А^В71. -М: Наука, 1975

31. Dalven R. A review of the semiconductor properties of PbTe, PbSe, PbS and PbO. -Infrared Physics, 1969, v.9, pp.141-189

32. Кайданов В.И., РавичЮ.И. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа IV-VI. УФЫ, 1985, т.145, в.1, с.51-86.

33. Lead chalcogenides: Physics and Applications, ed. by D. Khokhlov (N.Y., Gordon and Breach, 2000).

34. Wegner J.W., Willerdson R.K. Growth and Characterization of Single crystals of PbTe-SnTe. Trns.M.S. AIME, 1968, v.242, №3, p.366-371.

35. Mazelsky R., LubellM.S., Kramer W.E. Phase Studies of the Group IV-A Tellurides. -J.Chem.Phys., 1962, v.37, N 1, p.45-47.

36. KawamuraH.H. Phase transition in IV-VI compounds. Lect.Notes.Phys., 1980, v. 133, p.470-494.

37. Muldawer L. New studies of the low temperature transformation in SnTe. J. Nonmetalic, 1973, 1, N2, p. 177-182.

38. Daugton W.J., Tompson C.W., Curmen E. Lattice instability and phonon lifetimes in Pbi.xSnxTe alloys. J. Phys. C. Sol. State Phys., 1978, 11, N8, p. 1573-1581.

39. Nishi S., Kawamura H., Murase K. Study of Lattice Instability by mm-Wave Magnetoplasma Reflection in PbTe-SnTe Compoumd semiconductors. Phys. Stat.Sol. (b), 1980, v.97, N 2, p.581-590.

40. RetyA.M., JenaA.K., BeverB.B. On the solid solutions of tin telluride. Trans.M.S. AIME, 1968, v.242, N 3, p.371-373.

41. BisR.F., Dixon J.R. Applicability of Vegards law to the Pbj.xSnxTe alloy system. -J.Appl.Phys., 1969, v.40, N 4, p.1918-1921.

42. Miotkowska S., DynowskaE., Miotkowski I., Szczerbakow A., WitkowskaB., Kachniarz J., Paszkowicz W. The lattice constants of ternary and quaternary alloys in the PbTe-SnTe-MnTe system. Journal of Crystal growth, 1999, v.200, p.483-489.

43. Melngailis J., Kafalas J. A., Harman T.C. Shubnikov-de Haas Measurements in Pbi.xSnxTe under hydrostatic pressure. The Physics of Semimetals and Narrow-Gap Semiconductors, Carter D.L., Bate R.T., Eds. (Pergamon Press, New York, 1971), p.407-419.

44. RabeK.M., Jannopoulos J.D. Ab initio relativistic pseudopotential study of the zero-temperature structural properties pf SnTe and PbTe. Phys.Rev.B, 1985, v.32, N.4, p.2302-2314.

45. Rabii S. Energy-band structure and electronic properties of SnTe. Phys.Rev., 1969, v.182, N.3, p.821-828.

46. Tung Y.W., Cohen M.L. Relativistic band structure and electronic properties of SnTe, GeTe and PbTe. Phys.Rev., 1969, v.180 ,N.3, p.823-826.

47. Dimmock J.O., Melngailis I., Strauss A.J. band structure and laser action in Pb.xSnxTe. -Phys.Rev.Lett., 1966, v.16, N26, p.1193-1196.

48. Dimmock J.O. hp theory for the conduction and valence bands of Pbi.xSnxTe and Pbi.xSnxSe alloys. The Physics of Semimetals and Narrow-Gap Semiconductors, Carter D.L., Bate R.T., Eds. (Pergamon Press, New York, 1971), p.319-329.

49. Dixon J.R., BisR.F. Band inversion and the electrical properties of Pbi-xSnxTe. -Phys.Rev., 1968, v. 176, N 3, p.942-949.

50. Baleva M., Matveeva E. Temperature dependence of the energy gaps of the high-pressure phases pf PbTe. Phys.Rev.B, 1993, v.48, N.4, p.2659-2665.

51. Melngailis I., Calewa A.R. Photovoltaic effect in Pbi.xSnxTe diodes. Appl.Phys.Lett., 1966, v.9, N 3, p.304-306.

52. Ovsyannikov S.V., Shchennikov V.V., Popova S.V., Derevskov A.Yu. Semiconductor-metal transitions in lead chalcogenides at high pressure. Phys.Stat.Sol.(b), 2003, v.235, N.2, p.521-525.

53. Kaszuba W., Rogalsky A. The intrinsic carrier concentration in Pbi.xSnxTe, Pbi.xSnxSe and PbSi.xSex. Acta Physica Polonica, 1981, v.A59, N3, p.397-402.

54. Волков Б. А., Панкратов О. А. Электронная структура точечных дефектов в полупроводниках А4В6 ЖЭТФ, 1985, Т.88, B.I, С.280.

55. Bauer G., Burkhard H., Heinrich H., Lopez-Otero A. Impurity and vacancy states in PbTe. Journal of Applied Physics, 1976, v.47, N.4, p. 1721-1723.

56. DarnhausR., Nimtz G., Schlicht B. Narrow Gap Semiconductors. (Springer Tracts in Modern Physics, Vol.98, Ed. G. Hohler) (Berlin: Springer-Verlag, 1983).

57. Равич Ю.И., Немов С.А. Прыжковая проводимость по сильно локализованным примесным состояниям индия в РЬТе и твердых растворов на его основе (обзор). -ФТП, 2002, т.36, в. 1, с.3-23.

58. Немов С.А., Равич Ю.И. Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности УФН, 1998, т. 168, в.8, с.817-842.

59. Akimov В.А., Dmitriev A.V., Khokhlov D.R., Ryabova L.I. Carrier transport and non-equilibrium phenomena in doped PbTe and related materials. Phys. Status Solidi A, 1993, v.137, N.9, p.9-55.

60. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов "Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца" УФН, том 172, №8, стр.875-905 (2002).

61. Кайданов В.И., Мельник Р.Б., Черник И.А. Исследование теллурида свинца с примесью индия. ФТП, 1973, т.7, в.4, с.759-762.

62. Каширская Л.М., Рябова Л.И., Тананаева О.И., Широкова Н.А. Гальваномагнитные характеристики твердых растворов РЬТе(Сг) при изменении температуры и под давлением. ФТП, 1990, т.24, в.8, с.1349-1353.

63. Vulchev V.D., Borisova L.D. Impurity states of chromium in lead telluride. Phys. Status Solidi A, 1987, v.99, p.K53-K56.

64. Лыков C.H., Черник И.А. Осцилляционные эффекты Шубникова-де Газа в теллуриде свинца с примесью индия. ФТП, 1980, т. 14, в.1, с.47-54.

65. Grodzicka E., Dobrowolski W., Kossut J., Story T., Witkowska B. Peculiarities of transport properties in semiconductors with resonant impurities: HgSe:Fe versus PbTe:Cr. J.Cryst.Growth, 1994, v.138, p.1034-1039.

66. Story T., Wilamowski Z., Grodzicka E., Dobrowolski W., Witkowska В., Voiron J. PbSe:Cr new resonant donor system. - Acta Phys.Pol. A, 1995, v.87, p.229-231.

67. Акимов Б.А., Брандт Н.Б., Курбанов K.P., Рябова Л.И., Хасанов А.Т., Хохлов Д.Р. Фотоэлектрические явления в РЬТе, легированном индием. ФТП, 1983, т.11, в.9, с.1604-1608.

68. Аверкин А.А., Кайданов В.И., Мельник Р.Б. О природе примесных состояний индия в теллуриде свинца. ФТП, 19716 т.5, в.1, с.91-95.

69. Голубев В.Г., Гречко Н.И., Лыков С.Н., Сабо Е.П., Черник И.А. Электрические свойства твердых растворов Pbi.xSnxTe при температурах жидкого гелия. ФТП, 1977, т.И, в.9, с. 1704-1708.

70. ДрабкинИ.А., МойжесБ.Я. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примеси на положительно и отрицательно заряженные состояния. ФТП, 1981, т. 15, в.4, с.625-648.

71. ДрабкинИ.А., Ефимова Б. А., Захарюгина Г.Ф., Кайданов В.И., Мельник Р.Б., Нельсон И.В. Оптические свойства твердых растворов Pbi.xSnxTe. ФТП, 1973, т.7, в.4, с.794-797.

72. Бочарова Т.В., ВейсА.Н., Дашевский З.М., Котельников В.А, Крупицкая Р.Ю. Исследование коэффициента поглощения в тонких слоях РЬТе, легированных индием.-ФТП, 1981, т. 15, в.1, с. 175-178.

73. Вейс А.Н., Кайданов В.И., Немов С.А. Электрофизические и оптические свойства селенида свинца с примесью таллия при высоких температурах. ФТП, 1978, т. 12, в.8, с. 1599-1606.

74. Лыков С.H., РавичЮ.И., ЧерникИ.А. Проводимость по примесным состояниям и температурная зависимость кинетических коэффициентов в твердых растворах Pbi-xSnxTe с высоким содержанием индия. ФТП, 1977, т.11, в.9, с.1731-1737.

75. ВейсА.Н, КайдановВ.И., РавичЮ.И., РябцеваИ.А., УхановЮ.И. Исследование коэффициента поглощения РЬТе с примесью In. ФТП, 1976, т. 10, в.1, с. 104-110.

76. ЕрасоваН.А., Ефимова Б. А., Захарюгина Г.Ф., Кайданов В.И. Примесные состояния In в екоторых твердых растворах на основе РЬТе. Изв.АН СССР. Неорган.материалы, 1978, т.14, в.5, с.870-874.

77. Андреев Ю.В., Гейман К.И., Драбкин И. А., Матвеенко A.B., Можаев Е.А., МойжесБЛ. Электрофизические свойства Pbi.xSnxTe с примесью индия. ФТП, 1975, т.9, с. 1861-1863.

78. Гейман К.И., Драбкин И.А., Матвеенко A.B., Можаев Е.А., Парфеньев Р.В. Аномальные электрические свойства слоев Pbi.xSnxTe с примесью индия. ФТП, 1977, т. 11, в.5, с.846-854.

79. Zemel A., Eger D., Shtrikman H., Tamari N. Electrical properties of indium-doped LPE layers of Pbi.xSnxTe. J.of Electronic Mater., 1981, v. 10, N2, p.301-312.

80. Акимов Б. А., Рябова Л.И., ЧудиновС.М., Яценко О.Б. Перестройка энергетического спектра в сплавах Pbi.xSnxTe с примесью In при изменении их состава и под давлением. ФТП, 1979, т. 13, в.4, с.752-759.

81. Акимов Б. А., Зломанов В.П., Рябова Л.И., Чудинов С.М., Яценко О.Б. Переходы полупроводник-металл-полупроводик в сплавах Pbi.xSnxTe(In) под действием давления. ФТП, 1979, т.13, в.7, с.1293-1301.

82. Немов С.А., Равич Ю.И., Березин A.B., Гасумянц В.Э., Житинская М.К., Прошин В.И. Явления переноса в Pbo.78Sno.22Te с большим содержанием примеси In. ФТП, 1993, т.27, в.2, с.299-306.

83. Равич Ю.И., Немов С.А., Прошин В.И. Прыжковая проводимость по сильно локалидованным примесным состояниям индия в твердых растворах Pbo.78Sno.22Te. ФТП, 1995, т.29, в.8, с. 1448-1452.

84. Немов С.А., Прошин В.И., Равич Ю.И. Термоэдс и энергия активации прыжковой проводимости в твердых растворах Pbo.78Sno.22Te с большим содержанием 1п. -ФТП, 1996, т.30, в. 12, с.2164-2167.

85. Т.Г. Абайдулина, С.А. Немов, В.И. Прошин, Ю.И. Равич. ФТП, 1996, т.30, с.2173.

86. Немов С.А., Равич Ю.И., Прошин В.И., Абайдулина Т.Г. Явления переноса в твердом растворе (РЬо.78 5110.22)0.971по.озТе в области прыжковой проводимости. ФТП, 1998, т.32, в.З, с.311-314.

87. Немов С.А., Гасумянц В.Э., Потапова Д.А., Прошин В.И., Равич Ю.И. Проводимость с переменной длиной прыжка по примесным состояниям 1п в твердом растворе Pbo.78Sno.22Te ФТП, 2000, т.34, в.8, с.926-928.

88. Равич Ю.И., Немов С.А. Прыжковый перенос в твердых растворах (РЬо.788по.22)1-х1пхТе при дополнительном легировании. ФТП, 2001, т.35, в.2, с. 164170.

89. Немов С.А., Потапова Д.А., Равич Ю.И., Ханин С.Д. Плотность локализованных состояний в твердых растворах (РЬо.788по.22)о.951по.о5Те ФТП, т.35, в. 10, с. 1197-1199

90. ВулБ.М., Воронова И. Д., Кал южная Г. А., МамедовТ.С., РагимоваТ.Ш. Особенности явлений переноса в Pbo.78Sno.22Te с большим содержанием индия. -Письма в ЖЭТФ, 1979, т.29, в.1, с.21-25.

91. Акимов Б. А., БрандтН.Б., Богословский С. А., Рябова Л.И., Чудинов С.М. Неравновесное металлическое состояние в сплавах РЬ1.х8пхТе(1п). Письма в ЖЭТФ, 1979, т.29, в.1, с. 11-14.

92. Акимов Б.А., БрандтН.Б., Рябова Л.И., Соковишин В.В. Долговременные релаксационные процессы, индуцированные квантующим магнитным полем, в металлической фазе сплавов Pbi.xSnxTe(In). -ЖЭТФ, 1984, т.87, в.4(10), с. 1349-1360.

93. Акимов Б.А., Зломанов В.П., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Перспективные материалы ИК-оптэлектроники на основе соединений А4В6. Высокочистые вещества, 1991, в.6, с.22-35.

94. Волков Б.А., Воронова И.Д., Шотов А.П. Логарифмическая релаксакция долговременной фотопроводимости в Pbi.xSnxTe(In). ДАН СССР, сер. "Физика", 1987, т.293, в.З, с.602-606.

95. ВулБ.М., Воронова И. Д., Гришечкина С.П., РагимоваТ.Ш. Накопление и время релаксации электронов при фотоэффекте в Pbo,78Sno,22Te. Письма в ЖЭТФ, 1981, т.ЗЗ, в.6, с.346-350.

96. Martinez A., AbbundiRJ., Houston В., Davis J.L., AllgaierR.S. Effect of illumination and magnetic fields on the electron transport properties of Pbo.75Sno.25Te doped with indium. J.Appl.Phys., 1985, v.57, N.4, p.l 165-117076.

97. Martinez A., Santiago F., Davis J.L., Houston B. Decay kinetics of photoconductivity of PbSnTe doped with indium. J. Appl.Phys., 1985, v.58, N.12, p.4618-4620.

98. Акимов Б. А., Богоявленский В. А., Рябова Л.И., Васильков В.Н. Особенности фотопроводимости тонких эпитаксиальных слоев w-PbTe(Ga). ФТП, 2001, т.35. в.5, с.524-527.

99. Moellmann К.Р., Herrmann К.Н., Enderlein R., Proc. of the 16th Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors, Montpellier, 1982; PhysicaB, 1983, v.117/118, p.582.

100. Акимов Б.А., БрандтНБ., НикоричАВ., Рябова Л.И., Соковишин В.В. Деформационная корреляция автолокализованных состояний в Pbi.xSnxTe(In). -Письма в ЖЭТФ, 1984, т.39, в.5, с.222-224.

101. Акимов Б. А., Албул А. В., Никорич А. В., Рябова JI. И., Хохлов Д. Р. Фотоэлектрические явления в сплавах Pbo.75Sno.25Te с различным содержанием индия. ФТП, 1984, т. 18, в. 10, с. 1778-1783.

102. Акимов Б.А., Албул А.В., Никорич А.В., Широкова Н.А., Рябова Л.И. Неравновесные состояния, индуцированные ИК подсветкой в сплавах Pbi.xSnxTe(In) (х~0.22) с различным содержанием индия. ФТП, 1988, т.22, в.2, с.248-254.

103. Akimov В. A., Brandt N.B., Kerner B.S., Nikiforov V.N. Chudinov S.M. Switching effects in the dielectric phase of the Pbi-xSnxTe(In) compounds Solid State Commun., 1982, v.43, N.l, p.31-33.

104. Акимов Б.А. Энергетический спектр, глубокие квазилокальные уровни и метастабильные электронные состояния в халькогенидах свинца и олова. Докт. дисс., М., МГУ, физический факультет, 1984.

105. Акимов Б.А., Богоявленский В.А., Рябова Л.И., Васильков В.Н., СлынькоЕ.И. Термостимулированные токи и неустойчивости фотоотклика в сплавах на основе PbTe(In) при низких температурах. ФТП, 1999, т.ЗЗ, в. 1, с.9-12.

106. Akimov В.А., Bogoyavlenskiy V.A., RyabovaL.I., VasilkovV.N. Metastable electronic states and thermoelectrical instabilities in PbTe(In) based films. Phys.Stat.Sol.(b), 1998, v.210, p.787-790.

107. Хохлов Д.Р. Примесные и метастабильные состояния в теллуридах свинца и олова, легированных элементами III группы. Докт. дисс., М:, МГУ, физический факультет, 1991.

108. Akimov В.A., Brandt N.B., Kerner B.S., Nikiforov V.N., Chudinov S.M. Switching effects in the dielectric phase of Pbi-xSnxTe(In) compounds. Sol.St.Comm., v.43, N.l, p.31-33.

109. Акимов Б.А., БрандтН.Б., СтафеевВ.И., Никифоров В.Н., ЯценкоО.Б. Лавинообразные процессы в сплавах Pbi.xSnxTe(In), индуцированные сильным электрическим полем. Письма в ЖЭТФ, 1980, т.32, в.2, с. 139-143.

110. Волков Б. А., Осипов В.В., Панкратов О. А. Перестройка дефектов и долговременные релаксации неравновесных носителей в узкозонных полупроводниках. ФТП, 1980, т. 14, в.7, с. 13 87-13 89.

111. Каган Ю., Кикоин К. А. Туннельная примесная автолокализация в полупроводниках. Природа аномальных свойств соединений Pbi.xSnxTe с примесью In. Письма в ЖЭТФ, 1980, т.31, в.6, с.367-371.

112. Белогорохов А.И., Волков Б.А., ИванчикИ.И., Хохлов Д.Р. Модель "DX-подобных" примесных центров в PbTe(Ga). Письма в ЖЭТФ, 2000, т.72, в.З, с. 178-182.

113. Лыков С.Н., Черник И. А. О зарядовом состоянии примеси индия в теллуриде свинца. -ФТП, 1980, т.14, в.9, с.1861-1863.

114. ParadaN.J. Localized defects in PbTe. Phys.Rev.B, 1971, v.3, N.6, p.2042-2055.

115. Литвинов В.И., Товстюк К.Д. Об аномалиях электрических и магнитных свойств Pbi-ySnyTe(In). Туннельная автолокализация на отрицательных центрах. ФТТ, 1982, т.24, в.З, с.896-898.

116. Волков Б.А., Панкратов О.А. Электронная структура точечных дефектов а полупроводниках А4В6. ЖЭТФ, 1985, т.88, в.1, с.280-293.

117. Pankratov О.A., Volkov В.А. Sov. Sci. Reviews Sect. A Phys. Rev.(Ed. IM Khalatnikov), 1987, v.9, p.355.

118. Pankratov O.A., PovarovP.P. Charge states of vacancies in IV-VI semiconductors. -Solid State Commun., 1988, v.66, N.8, p.847-853.

119. Khokhlov D R, Volkov В A, in Proc. of the 23rd Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors, July 21-26, Berlin Vol. 4 (Ed. M SchefFer) (Singapore: World Scientific, 1996) p. 2941.

120. Волков Б.А, Ручайский О.М. Внутрицентровые кулоновские корреляции, зарядовые состояния и спектр примесей III группы в узкощелевых полупроводниках А4В6. -Письма в ЖЭТФ, 1995, т.62, в.З, с.205-209.

121. MooneyP.M. Deep donor levels (DX centers) in III-V semiconductors. J.Appl.Phys., 1990, v.67, p.Rl-R26.

122. Chadi D.J., Chang K.J. Theory of the atomic and electronic structure of DX centers in GaAs and AlxGai.xAs alloys. Phys.Rev.Lett., 1988, v.61, N7, p.873-876.

123. Засавицкий И.И, Матвеенко A.B., Мацонашвили Б.H., Трофимов В.Т. Спектр фотопроводимости эпитаксиальных слоев Pbi.xSnxTe:In. ФТП, 1986, т.20, в.2, с.214-220.

124. Засавицкий И.И, Матвеенко А.В., Мацонашвили Б.Н., Трофимов В.Т. Бесфоновый спектр поглощения Pbi.xSnxTe:In и зависимость фотопроводимости эпитаксиальных слоев от толщины. ФТП, 1987, т.21, в.10, с.1789-1795.

125. Засавицкий И.И, Мацонашвили Б.Н., Панкратов О.А., Трофимов В.Т. Двухэлектронный захват и параметры Ян-Теллеровского центра в Pbi.xSnxTe:In -письма в ЖЭТФ, 1985, т.42, в.1, с.3-6.

126. Винчаков В.Н., Кайданов В.И., Лыков С.Н., Рыков С. А. Туннельная спектроскопия квазилокальных примесных состояний индия в теллуриде свинца. Письма в ЖЭТФ, 1986, т.43, в.8, с.384-386.

127. БазьА.И., Зельдович Я.Б., Переломов A.M. Рассеяние, реакции и распады в нерелятивистской квантовой механике 2-е изд., М.: Наука, 1971.

128. LideikisT., Petraitienè A., SiktorovN., Simkienèl. Impurity absorption in indium-doped Pbi-xSnxTe. Solid State Communications, 1986, v.57, p.583-585.

129. Засавицкий И.И, Мацонашвили Б.H., Трофимов В.Т. Зависимость от состава параметров глубокого центра в эпитаксиальных слоях Pbi.xSnxTe(In). ФТП, 1989, т.23, в. 11, с.2019-2026.

130. Takaoka S., Murase K.J. Observation of Local Modes in Pbi.xSnxTe Doped with Group III Elements (In and Ga). Journal of the Physical Society of Japan, 1983, v.52, N. 1, p.25-27.

131. RomCevicN., PopovicZ.V., KhokhlovD., Nikorich A.V., König W. Far-infrared study of localized states in In-doped Pbi-xSnxTe single crystals. Phys.Rev.B, 1991, v.43, N8, p.6712-6716.

132. RomöevicN., PopovicZ.V., KhokhlovD.R. Raman scattering spectra of indium-doped PbTe. J.Phys:Condens.Mat„ 1995, v.7,N.26,p.5105-5109.

133. Б.А.Акимов, Н.Б.Брандт, Д.Р.Хохлов, С.Н.Чесноков. СВЧ-гашение остаточной фотопроводимости в Pbi.xSnxTe(In). Письма в ЖТФ, 1988, в. 14, в.8, с.731-735.

134. Засавицкий И.И., Мацонашвили Б.Н., Трофимов В.Т. Зависимость от состава параметров глубокого центра в эпитаксиальных слоях Pbi.xSnxTe(In). ФТП, 1989, т.23, в. 11, с.2019-2026.

135. Чесноков С.Н. Фотоэлектрические явления в твердых растворах PbixSnxTe(In). -Канд. дисс., М:, МГУ, физический факультет, 1988.

136. OkadaK., SekinoT. Agilent technologies impedance measurement handbook. 2003, Agilent Technologies Co. Ltd.

137. E. E. Haller, M. R. Hueschen, P. L. Richards. Ge:Ga photoconductors in low infrared backgrounds Appl. Phys. Lett., 1979, v.34, N.8, p.495-497.

138. Б. А. Акимов, В. В. Прядун, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов. Импеданс твердых растворов на основе теллурида свинца, легированного галлием. ФТП, 2004, т.38, в.З, с.293-295.

139. P. Lunkenheimer, V. Bobnar, А. V. Pronin, А. I. Ritus, A. A. Volkov, ALoidl Origin of apparent colossal dielectric constants. Phys.Rev.B, 2002, v.66, p.052105-1 - 052105-4.

140. P. Lunkenheimer, R. Fichtl, S. G. Ebbinghaus, A. Loidl. Nonintrinsic origin of the colossal dielectric constants in CaCu3Ti40i2. Phys.Rev.B, 2004, v.70, p. 172102-1 - 172102-4.

141. P. Lunkenheimer, R. Fichtl, J. Hemberger, V. Tsurkan, A. Loidl. Relaxation dynamics and colossal magnetocapacitive effect in CdCr2S4. Phys.Rev.B., 2005, v.72, p. 060103-1 -060103-4.

142. J. C. Maxwell, Treatise in Electricity and Magnetism. 3rd ed., (Dover, New York, 1991); R J. Wagner, 1913, Ann.Phys. (Leipzig), v.40, p.817.