Особенности магнитной восприимчивости чистых и легированных узкощелевых полупроводников Pb1-x Snx Te, PbSe тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ.

ВВЕДЕНИЕ . б

ГЛАВА I. НЕКОТОРЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ

РАСТВОРОВ РъSnх(Те,5е)

1.1. Кристаллическая структура и некоторые физико-химические свойства

1.2. Структура энергетических зон халько-генидов свинца . II

1.3. Сплавы халькогенидов свинщ и олова

1.4. Магнитная восприимчивость

1.5. Структурный фазовый переход

1.6. Примесные состояния

1.7. Постановка задач исследования

ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

2.1. Измерение магнитной восприимчивости

2.2. Методика экспериментального исследования кинетических эффектов в диапазоне температур (4.2 4- 450) К.

2.3. Приготовление монокристаллических образцов

2.4. В ы в о д ы.

ШВА 3. МАГНИТНАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ И ЗОННЫЙ СПЕКТР

ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ P6t-x Sn^Te

3.1. Магнитная восприимчивость твердого раствора РЬо.*г ^По.аь Те

3.2. Обсуждение результатов экспериментальных исследований MB узкощелевых твердых растворов Pbt-ac Sn^ Те

3.3. Выводы .'.

ШВА 4. МАГНИТНАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ И КИНЕТИЧЕСКИЕ

ЯШЕНИЯ В РЬ

4.1. Магнитная восприимчивость РЬ бе.

4.2. Кинетические явления в РЬ бе.

4.3. Обсуждение экспериментальных результатов

4.4. Заключительные замечания.

ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПРИМЕСИ ИНДИЯ НА МАГНИТНЫЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Pb^ Те

5.1. Экспериментальные результаты и их обсуждение.

5.2. Выводы

ГЛАВА б. МАГНИТНАЯ ПРИМЕСЬ МАРГАНЦА В УЗКОЩШВЫХ

ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ Рb,.^ Sn.^ Те

6.1. Магнитные свойства твердого раствора

Sa^Te , легированного марганцем

6.2. Электрические свойства твердого раствора (РЬ^ Sn.^)^ Ma*Te

6.3. В ы в о д ы.

Основные результаты диссертационной работы. Нб

Л и т е р а т ур а

Список обозначений рещ, нт ft Кб п , m »11» A>K

- магнитная восприимчивость.

- носители тока.

- ширина запрещенной зоны.

- концентрация носителей тока.

- концентрация электронов и дырок.

- диэлектрическая пронищемость.

- температура.

- масса свободного электрона.

- поправки к поперечным и продольным эффективным массам дырок ( + ) и электронов ( - ).

- матричные элементы операторов импульса.

- намагниченность, магнитный момент.

- напряженность магнитного поля.

- магнитная восприимчивость решетки и носителей тока.

- функция распределения электронов по энергиям.

- уровень Ферми.

- температура фазового перехода.

- удельное сопротивление, расстояние между магнитными центрами, плотность.

- коэффициент Холла.

- постоянная Больщана.

- двухпараметрический интеграл Ферми-Дирака. jy* — магнетон Бора.

F, - однопараметрический интеграл Ферми.

4 приведенный химпотенциал.

J1" — холловская подвижность. e« - температура Дебая. oC - термо - э.д

- химический потенциал, магнитная проницаемость. R- Ro. - холл-фактор. o, - деформационный потенциал.

Ъ. - постоянная Планка. e - характеристическая температура Кюри-Вейсса.

- парамагнитный коэффициент Холла.

OMC - отрицательное магнитосопротивление.

- интеграл обменного взаимодействия.

- плотность состояний на уровне Ферми.

CP X - функция Бриллюэна.

Рэф — эффективный магнитный момент.

Узкощелевые55 полупроводниковые твердые растворы Pbt.x Srtat (Те , ё>е ) представляют существенный интерес как с научной, так и с практической точки зрения. Ширина запрещенной зоны Ц этих соединений может варьироваться путем изменения содержания олова вплоть доЕ^ =0 L * 3 •

Малая ширина запрещенной зоны узкощелевых полупроводников обуславливает ряд свойств, которые существенно отличают их от полупроводников с большой шириной запрещенной зоны. К этим свойствам относятся малая эффективная масса электронов и вследствие этого большая их подвижность, большая величина статической диэлектрической проницаемости, наличие энергетических уровней собственных дефектов в разрешенных зонах.

Особенности зонной структуры твердых растворов Pb^Sa^Te^ высокая однородность моно1фисталлических слитков по составу дает возможность создавать на их основе приемники с управляемой областью фоточувствительности и лазеры с управляемой длиной волны собственного излучения [2, з] .

Фотоприемники, выполненные на основе имеют лучшую радиационную и термическую стойкость по сравнению с приборами на основе других узкощелевых соединений (например Gd ,.х Н ^ Т.е ) м//Узкощелевыми обычно считают полупроводники, у которых ширина запрещенной зоны меньше 0,23 эВ, т.е. меньше чем у3aSb.

Эффективность материалов, используемых в приборостроении в значительной мере определяется степенью их легирования. Поэтому важными являются вопросы о состоянии примесей в твердых растворах РЬ^.х. йа^ (Т©э £>© ), о их влиянии на физические свойства полупроводниковых материалов.

С этой точки зрения представляется актуальным исследование магнитной восприимчивости (MB) легированных твердых растворов, поскольку MB является термодинамической характеристикой, непосредственно отражающей энергетический спектр легированного кристалла. Поэтому она существенным образом зависит от концентрации примеси, формы ее нахождения в кристалле и зарядового состояния.

Основной задачей настоящей работы является определение и уточнение некоторых параметров зонной структуры твердых растворов Pblot (Те, £>е) с Oi х Также проведено исследование поведения примесей индия и марганца в твердом растворе РЬ^ бп.^ Те- в широком интервале изменения состава.

Задачи диссертационной работ-ы определены основным планом научных исследований Института полупроводников АН УССР. Представленные в ней результаты в основном получены автором в процессе выполнения темы "Исследование электронных процессов в узкозонных полупроводниках".

Работа состоит из введения и шести глав.

В первой главе приведен краткий литературный обзор публикаций, связанных с изучением кристаллической структуры, зонного спектра, магнитной восприимчивости, примесных состояний твердых растворов РЬ б^эс. (Те, fee ). В заключение главы сформулированы задачи исследований.

Вторая глава посвящена описанию методики и техники эксперимента. Дана оценка точности выполненных в диссертационной работе магнитных и электрических измерений. Описан способ изготовления экспериментальных образцов.

В третьей главе представлены результаты исследования магнитной восприимчивости твердых растворов ?Ь (О4 х 6 1 ). Для объяснения полученных экспериментальных данных использована теория Фальковского, построенная в рамках модели Диммока и учитывающая анизотропию зонного спектра и влияние удаленных зон. Установлено, что теория хорошо описывает эксперимент для всего диапазона составов в широком интервале концентраций носителей тока и температур.

В четвертой главе приведены результаты экспериментального исследования магнитных и электрических свойств

РЬбе.

Показано, что особенности температурных зависимостей магнитной восприимчивости, коэффициента Холла, термо-э.д.с. можно объяснить включением оптических фононов при Т ~ 200 К, что приводит к изменению температурной зависимости ширины запрещенной зоны.

В пятой главе изучено влияние примеси индия на магнитные и электрические свойства твердых растворов (х= о.IS; оъ> о.4)Установлено, что индий находится в заряженном состоянии относительно решетки. Возникающая при структурном фазовом переходе перенормировка зонного спектра приводит к особенностям температурных зависимостей магнитной восприимчивости и коэффициента Холла.

В шестой главе описаны результаты измерений магнитных и электрических свойств PbVx , легированных примесью марганца. Показано, что между ионами марганца существует обменное взаимодействие. Знак этого взаимодействия определяется концентрацией магнитной примеси Мп и концентрацией носителей тока.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Магнитная восприимчивость твердых растворов PbvxSn^Te, Se) является сильной функцией состава ( O^X^I ), температуры 4.2 * 300 ) К и концентрации носителей тока^ см вследствие малой величины ширины запрещенной зоны.

2. В твердых растворах

РЬ 0.6 8по, Те с примесью индия структурный фазовый переход происходит при температуре ~ 40 К.

3. В твердых растворах Pb4-x Sn* ^е I * > , индий rvi 4 + находится в двух зарядовых состояниях \jn и Jп •

4. В кристаллах ( Р^о.а <Зпо.б)09 4Те между ионами Мп+2 существует ферромагнитное упорядочение с энергией обменного взаимодействия ^ ^ 2эВ.

Основные результаты диссертационной работы

1. Исследована магнитная восприимчивость узкощелевых твердых растворов Рвкъ Sn^Te nu р - типа в широком интервале температур и концентраций носителей тока.

2. Показано, что в диапазоне составов (0 ^ X ^ I), концентта то о раций носителей тока (10 +10 ) см"" и температур (4,2 ^Т^ 500) К магнитная восприимчивость кристаллов Те описывается теорией Фальковского, построенной в рамках модели Диммока и учитывающей вклад в восприимчивость заполненной валентной зоны, анизотропии зонного спектра и влияние удаленных зон. Теория последовательно объясняет обнаруженные экспериментально аномальный диамагнетизм кристаллов, изменение знакасдХ//ът? при увеличении концентрации носителей тока (для X = 0.18;0,35) и при переходе от х < jc Lnv к jc > xmv •

3. Из исследований^ (Т ) и R. ( Т ) сделан вывод о механизмах рассеяния носителей тока в монокристаллах РЬ &е в интервале температур 77 * 300 К. Показано, что при концентрациях

Iу/ к 1018 см"3 и повышении температуры выше 200К к рассеянию носителей тока только на акустических фононах подключается механизм рассеяния на оптических фононах, что приводит к увеличению величины Ъ Eg/ЭТ и необычной зависимости магнитной восприимчивости от температуры.

4/ Анализ экспериментальных результатов измерений магнитной восприимчивости РЬ о.вг Sn Те с различным содержанием индия подтверждает предположение, что индий нахо дится в заряженном состоянии относительно решетки.

5. Экспериментально обнаружены особенности температурной зависимости магнитной восприимчивости, коэффициента Холла переходе. Установлено, что происходящая при СФП перенормировка зонного спектра приводит не только к особенности диамагнитной компоненты магнитной восприимчивости, имеющей минимум в точке Т - Тс, а также к увеличению коэффициента Холла, что связано с перетеканием дырок в тяжелую валентную зону.

6. Установлено, что в твердых растворах ае. Те-МпТе между ионами существует обменное взаимодействие, знак которого определяется концентрацией магнитной примеси Мп и носителей тока. Для кристаллов ( РЕ>0.л Sr>o.&

Те при JV ^ Ю20 см"3 взаимодействие между ионами марганЕр. носит ферромагнитный характер, при более низкой концентрации НТ имеет место антиферромагнитное взаимодействие.

7. Экспериментально обнаружены особенности магнитной восприимчивости, коэффициента Холла, удельного сопротивления, отрицательного магнитосопротивления в ё>П0.& Те с содержанием Мп 10 ат %, которые связаны с переходом системы локализованных спинов в упорядоченное ферромагнитное состояние с энергией обменного взаимодействия ~ 2 эВ.

8. Обнаружены магнитные состояния с большими эффективными магнитными моментами ~ 1300^Мв, которые связаны с

РЬ 0.6 Те с примесью индия при структурном фазовом переходом кристалла магнитное состояние при Т ^ 10 К.

1. Dimmock J.O, Melngailis L, Strauss A.J.

2. Band Structure and Laser Action in Pb^^Sn^Te. Phys. Rev. Lett, 1966, v.16, N.8, p.1193.2. Harman Т.О.

3. Narrow Gap Semiconductor and Lasers.

4. J. Phys. Chem. Sol, 1971. v.32, Suppl.1, pp. 363-383.

5. Antcliffe G.A., Parker S.G. Characteristics of Tunable Snx Те Junction Lasers in the 8-12y>*m Region.

6. Journ. Appl. Phys., 1973, v.44, N.9, pp. 4T45-4160.4. Bis. R.F., Dixon J.R.

7. Applicability of Vegard's Law to the РЬ- Sn Теt "*A Л1. Alloy System.

8. J. Appl. Phys., 1969, v.40. N.4, pp.1918-1921.

9. Равич Ю.М, Ефимова Б.А, Смирнов И'*А*;

10. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца рь те, PbSe, Pbs.1. М, 1968, 383с.

11. Burkhard Н, Bauer G., Lopez-Otero A# Par-infrared Reflectivity of PbTe Films on UaCl Substrates.

12. Sol. St. Coramun, 1976, v.18, If.7, pp.773-776.7'. Цидильковский И.М.

13. Зонная структура полупроводников. М, 1978, с 328.8. Allgaier R.S.

14. Magnetoresistance in PbS, PbSe and PbTe at 295°, 77,4°, 4,2K. Phys. Rev., 1958, v.112, N.3, pp. 828-836.

15. Burke J.R., Houston В., Savage H.T.

16. Anisotropy of the Fermi Surface of p-type PbTe. Phys. Rev. B, 1970, v.2, H.6, pp. 1977-1988. 10. Sitter H., Lischka K., Heinrich H.

17. Structure of the Second Valence Band in PbTe. Phys. Rev. В., 1977, V,16, N.2, pp.680-687.1. П.Илисавский Ю.В.

18. Эффект пьезосопротивления в PbTe и PbSe. ФТТ, 1962, т.4, ъЛ, с.918-927.12. Cardona М, Creenaway D.

19. Optical Properties and Band Structure of Group IV-VI and Group V Materials.

20. Phys. Rev., 1964, v.133, N.6A, pp.1685-1697.13. Walton A., Moss T.

21. Determination of Refractive Indev and Correction to

22. Effective Electron Mass in PbTe and PbSe.

23. Proc. Phys. Soc., 1963, v.81, N.521, pp. 509-513.

24. Walton A., Moss T.S., Ellis B.

25. Determination of the Electron Effective Mass in the1.ad Salt by the Infra-red Faraday Effect.

26. Proc. Phys. Soc., 1962, v.79, N.511, pp.1065-1068.

27. Stiles P., Burstein E, Langenherg D.

28. De Haas<-van Alphen Effect in p-type PbTe and n-type PbS. Joum. Appl. Phys., 1961, Suppl 32, N.10, pp. 2174-2178.16. Patel O.K., Slusher R.E.

29. Electron Spin-Flip Raman Scattering in PbTe. Phys. Rev., 1969, v.177, N.3, pp.1200-1202.

30. Palic E.D., Mitchell D.L., Zemel J.N.

31. Magneto-Optical Studies of the Band Structure of PbS, PbTe, PbSe.

32. Phys. Rev., 1964, v.135, N.3A, pp.763-778. 18. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников1.1977, М, 366с. 19* Melngailis J., Kafalas J. Harman Т.

33. Shubnikov De Haas Measurement in Pb.j Si^Te under Hydrostatis Pressure.

34. J. Phys. Chem. Sol., 1971, v.32, Suppl.1 pp.407-409. Melngailis J., Harman Т., Narraides G., Dimmock J. Shubnikov De Haas Measurement in Pb-.xSnxTe* Phys. Rev., 1971, v.3, N.2, pp. 370-375.

35. Лашкарев Г .В., Дмитриев АЖ

36. Особенности поверхности Ферми электронов и дырок вузкощелевых полупроводниках. ВЮник АН УРСР, 1978," №2, с. 12-23*.21. Cohen М., Tsang Y.

37. Theory of the Electronic Structure of Some IV-VI Semiconductors.

38. J. Phys. Chem. Sol., 1971, v.32, Suppl.1, pp. 303-317.

39. Allgaier R.S., Houston B.B.

40. Hall Coefficient Behavior and Second Valence Band in Lead Telluride.

41. J. Appl. Phys., 1966, v. 37, N.1, pp. 302-309.23. Andreev A.A.

42. The Band Edge Structure of the IV-VI Semiconductors. Journ. de Physique Suppl., 1968, v.29, pp.4-50.24. Esaki L., Stiles P.

43. New Type of Negative Resistance in Barrier Tunneling. Phys. Rev. Lett., 1966. v.16, N.24, pp.1108-1111.

44. Burke J.R., Allgaier R.S., Houston B.B., Babiskin J., Siebenmann P.G. Shubnikov De Haas Effect in SnTe. Phys. Rev. Lett., 1965, v.14, N.5, p.360.

45. Tauber R.N., Machonic A.A., Cadoff I.B. Thermal and Optikal Energe Gaps in PbTe.

46. Journ. Appl. Phys., 1966, v.37, N.13, pp.4855-4860.27. Dimmock J.O.k-p Theory for Conduction and Valence Bands of Pb- SnТе1.""л Лand Pb- Sn Se Alloys.1.X

47. Journ. Phys. Chem. Sol., 1971, Suppl 1, v.32, pp. 319-330.

48. Burke J.R., Houston B.B., Savage H.T. Anisotropy of the Fermi Surface of p-type PbTe. Phys. Rev., В., 1970, v.2, N.6, pp. 1977-1988.29. Kane E.O.

49. Band Structure of Indium Antimonide.

50. J. Phys. Chem. Sol., 1957, v.1, N.4, pp.249-261.

51. Lashkarev G.V., Migley D.P., Shevchenko A.D., Tovstyuk K.D.

52. Magnetic Susceptibility and Electrical Properties of1. P-pb1-xSnxTe'

53. Phys. Stat. Sol (b), 1974, v.63, H.2, pp.663-668.

54. Matyas M. Comments on the Magnetic Susceptibility of3 5

55. Some ArB' Semiconductors. Czech. J.Phys., 1958, v.8, p.301.

56. Вонсовский С.В. Магнетизм, М, 1971, ЮЗЮ.33. Zawadzki W.

57. The Magnetic Susceptibility of Semiconductors with Uonparabolic Energy Bands,

58. Phys. Stat. Sol., 1963, v.3, N.8 pp.1421-1428.

59. Фальковский Л.А., Бродовой A.B;, Лашкарев Г.В. Магнитная восприимчивость узкощелевых полупроводников. Ж Э Т Ф, 1981, т80, BI с.с. 333-348.35. Kristoffel N., Konsin P.

60. Electron-Phonon Interaction Microscopis Mechanism and Properties of Ferroelectrics Phase Transition. Ferroelectrics, 1973, v.6, N.1-—2, 3-12.36. Kristoffel N., Konsin P.

61. Displacive Vibronic Phase Transitions in Narrow-Gap Semiconductors.

62. Phys. Stat. Sol., 1968, v.28, N.1, pp. 331-377.

63. Кристофель H.M., Консин П.И.

64. Об электрон- фононной природе сегнетоэлектрических фазовых переходов.

65. Изв. АН СССР. Сер. физ.", 1969, тЗЗ, Ш2, c,c.I87-I9I

66. Kawamura Н., Murase К., Nishikawa S.,Nishi S., Katayama S.

67. Dielectric Constant and Soft Mode of Pb1 SnTe1.Х Xby Magnetoplasma Reflection.

68. Sol. St. Commun, 1975, v.17, N.3, pp. 341-344.

69. Jizumi M., Hamaguchi Y., Komatsubara K., Kato Y. Phase Transition in SnTe.

70. J. Phys. Soc. Jap., 1975, v.38, N.2, pp. 443-450.

71. Багинский В.М., Кик'одзе Р„0., Лашкарев Г.В., Радченко М.В". Магнитная восприимчивость и термо-эдс узкощелевых полупроводников Pb-jxSnxTe ПРИ структурном фазовом переходе. Препринт И.ф" АН УССР, №18, 1978.

72. Watarai S., Matsubara Т. Carrier-Concetration Dependence of Phase Transition in SnTe.

73. Progr. Theor. Phys., 1975. v.53. R.4, pp. 1214-1215.

74. Suski Т., Bay M., Zuczkowski W., Kobayashi K., Komatsubara K.

75. Pressure Induced Phase Transition in Pbg SnQ ^ Те. Sol. St. Conmiun., 1979, v.30, N.2, pp. 77-80.43. Katayama S., Mills D.

76. Theory of Anomalous Resistivity Associated with Structural Phase Transition in IV-VI Compounds. Phys. Rev.B., 1980, v.22, Ж.1, pp. 336-352.

77. Насыбуллин P.A., Гиршберг Я.Г., 3$унов H.H., Калимуллин P.X., Кухарский A'.Ai, Харионовский Ю.С., Шапкин В.В., Бурсиан Э.В;. Немотонная зависимость температуры оегнетоэлектрического фазового перехода в Pb.jxsnxTe от состава.

78. ФТТ, 1983, т. 25, в. 3, с. с. 784-788.45. Parada М.Т., Pratt G.W.

79. Hew Model for Vacancy States in PbTe.

80. Phys. Rev. Lett., 1969, v.22, N.5, pp. 180-182.46. Parada M.T.1.calized Defects in PbTe.

81. Phys. Rev. В., 1971, v.3, N.6, pp.2042-2055.

82. Сизов Ф.Ф., Орлецкий В'.Б., Радченко М.В.j Состояния вакансий Те в узкощелевом полупроводникеpb1-xSVe

83. ФТП, 1980, т. 14, Ш, 0.2II7-2I22.

84. Ковальчик Т.Л., Маслаковец Ю.П.

85. Влияние примесей на электрические свойства теллуристого . свинца;

86. ЖТФ, 1956, т.26, в.II, сС2417-2431.

87. Аверкин А.А., Кайданов В.И-., Мельник Р.Б.

88. О природе примесных состояний индия в теллуриде свинца-. ФТП, 1971» т. 5, в.1, с^91~94>.

89. Вейс А.Н., Немов С.А., Гуссар В.А., Кайданов В.И., Кумзеров С.А., Уханов Ю.И.

90. Исследование явлений переноса и инфракрасного отражения в PbSe легированном таллием. ФТП, 1977, т.II, в.4, с.699-702.

91. Кайданов В.И., Немов С.А., Новичков А.И., Нуромский А.Б. Рассеяние дырок и фононов в PbSe на примеси таллия. ФТП, 1977, т.II, в. 6, C.II87-II88.

92. Аверкин А.А., Бушмарина П.С., Драбкин И.А., Санфиров Ю.З. Влияние гидростатического сжатия на электрические свойства

93. Pbi-xGexTe G пРимеоью Ga* ФТП, 1978, т.12, B.II, с.2219-2223.

94. Бушмарина Г.С., Грузинов Б,Ф., Драбкин И.А., Лев Е.Я., Нельсон И.В.

95. О стабилизации уровня Ферми на сплавах Pb-|-.xGexTe легированных Ga.

96. ФТП, 1977, т. II, в.10, с.1874-1881.54. Абрикосов А.А.

97. Магнитные примеси в немагнитных металлах. УФН, 1969, Т. 97, в.З, с.403-427.

98. Иванченко Ю.М., Филлипов А.Э.

99. Дальнодействующее взаимодействие магнитных примесныхсостояний в вырожденных.полупроводниках. ФТТ, 1983, т.25, в.З, с.911-912.

100. Busch G.A. Halbleiter und Phosphore. 1958, Berlin.57. Метфессель 3., Маттис Д.

101. Магнитные полупроводники, М, 1972, 405с.58. Coker J. Edward.

102. A Chemical Polish for Sn^Pb^Te J. Electrochem. Soc., 1969, v.116, N.7, p.1021.

103. Слынько В.И., Никонюк E.C., Матлак B.B.

104. Нанесение контактов на поверхности полупроводниковыхкристаллов.1. ПТЭ, 1969, N23, с.2031.60. Blount E.J.

105. Bloch Electrons in a Magnetic Field. Phys. Rev., 1962, v.126, H.5 pp.1636-1653. 61'. родовой А.В., Лашкарев Г.В.

106. Магнитная восприимчивость п-рьте. М.: ЦНИИ "Электроника", 1983, № Р-8887/83. 62. Кикодзе P.O., Бродовой А.В.

107. Магнитная восприимчивость и зонный спектр узкощелевых твердых растворов Pb^Sn^Te (х=о.18). ФТП, 1978, т. 12, в. 6, с.1066-1073. 64. Бродовой А.В., Лашкарев Г.В., Фальковский Л.Д.

108. Магнитная восприимчивость и зонный спектр узкощелевых твердых растворов Pb^Sn^Te (Ойх « 1). Тезисы докладов совещания по физике узкощелевых полупроводников. Москва, 1981 г.

109. Бродовой А.В., Лашкарев Г.В., Сизов Ф.Ф., Радченко М.В. Отчет "Исследование электронных процессов в узкозонных полупроводниках".

110. ВНИИ Центр. М, регистр№Б934106 от 27 марта 1981 г;.

111. Товстюк К.Д., Лашкарев Г.В., Орлецкий В.Б., Шевченко А!.Д. Магнитная восприимчивость и электрические свойства1. РЪ0.82 Sn0.18Te' . .

112. УФЖ, 1974, т. 19, в. 5. с.864-867.67. Dionne G., Woolley I.

113. Optical Properties of Some Pb1 Sn Те.1.x

114. Alloys Detrmined from Infrared Plasma Reflectivity Measurements.

115. Phys. Rev. B, 1972, v.6, U.10, pp.3898-3913.

116. Akimenko N.I., Starik P.m., Tovstyuk K.D. Magnetic Properties of PbTe.

117. Phys. Stat. Sol., 1967, v.23, N.1, pp.93-96.

118. Лашкарев Г.В., Миглей Д.Ф., Товстюк К.Д., Шевченко А.Д. Магнитная восприимчивость и электрические свойства1. P-Pb0.65 Sn0.35Te'

119. ФТП, 1974, т.8, в.8, с.1425-1430.

120. Дорфман Я.Г. Диамагнетизм и химическая связь.1. Наука", М, 1961.

121. Лашкарев Г.В., Теоретическая и экспериментальная химия. 1966, №4, с.526.

122. Bauer J., Burkhard Н, Heirich Н, Lopez-Otero А, Impurity and Vacancy States in PbTe.

123. J.Appl. Phys., 1976, v.47, И.4, pp. 1721-1723. 73; Ivanov-oJcii V*I., Kolomietz B.T., Ogorodnikov V.K., Smekalova K.P., Tsmots V.M. Magnetic Susceptibility of Cdx Hg^Te. Phys. Stat. Sol. (a), 1972, v.14, И.1, pp. 51-58.

124. Лашкарев Г.В. Исследование электронных процессов в магнитном поле в узкощелевых твердых растворах Pb^Sn^Te. Автореферат докторской диссертации. Киев. 1979г.

125. Appold G., Grisar R., Bauer G., Burkhard H., Ebert R,, Pascher H., Hafele H.G.1.ter-and Intraband Magnetooptikal Transition in Pb.^Sn^Te.11.st. Phys. Conf. of Semicond., Edinburgh, Ser. N.43, 1978, p.29.76. Буджак Я.С., Товстюк К.Д.

126. Термомагнитные и магнитные свойства селенистого свинца. Изв. АН СССР (сер.физ), 1964, т. 28,№8, с.1318-1320. 77;. Лашкарев Р.В., Шевченко А.Д.

127. Магнитная восприимчивость носителей тока в рьп Q.sn^ nrSe,1. О.У4 0.0о

128. ФТП, 1974, т.8, в. 8, с.1598-Г600:.

129. Бродовой А.В., Лашкарев Г.В., Радченко М.В., Товстюк К.Д, Влияние оптических фононов на статическую магнитную восприимчивость и кинетические явления в узкощелевом полупроводнике PbSe.

130. ФТП, 1984, т.18, в.4, с.610-614.

131. Брандт Н.Б., Белоусова Н.И., Зломанов В.П., Пономарев Я.Г., Скипетров Е.П., Штанов В.И.

132. Перестройка энергетического спектра у ^ч-х311*36 при инверсии зон под давлением. ЖЭТФ, 1978, т.74, в. 2, с.646-657.

133. Кучеренко И .В'., Тактакишвили М.С., Шотов А.П. Исследование непараболичности валентной зоны и механизма рассеяния дырок в кристаллах Pb0#94Sn0^06Se.

134. ФТП, 1974, т.8, в.З, с,446-451. 81ч Сизов Ф.Ф., Лашкарев Г.В., Радченко М.В., Орлецкий В.В., Григорович Е.Т.

135. Особенности рассеяния носителей тока в узкощелевых полупроводниках.

136. ФТП, 1976, т.10, №10, с.1801-1608.

137. Zemel J.N., Jensen J.D., Schooler R.B. Electrikal and Optical Properties of Epitaxial Filmsof PbS, PbSe, PbTe and SnTe.

138. Phys. Rev., 1965, v.140, N.1, pp.330-342.

139. Ravich Y.I., Efimova B.A., Tamarchenko

140. Scattering of Current Carriers and Transport Phenomena in Lead Chalcogenides.

141. Phys. Stat. Sol (b)1 1971, v.43, N.2, pp.453-469.

142. Сизов Ф.Ф., Лашкарев Г.В., Радченко М.В., Орлецкий В.В. Температурная зависимость подвижности в твердом растворе1. Pb0.82Sn0.18Te

143. ФТП, 1976, т. 10, №-2, с. 393-396.

144. Фань Н.И. Поглощение инфракрасного излучения в полупроводниках1.

145. УФН, 1958, т.64, в. 2, о.315-360'.86. Ланг И.Г.

146. Исследование двухфононных процессов с помощью методаматрицы плотности.

147. ФТТ, 1961, т.З, в.9, с.2573-2588.

148. Кайданов В.И., Мельник Р.Б., Черник И.А. Исследование теллурида свинца с примесью индия. ФТП, 1973, т. 7, в.4, с. 759-764.

149. Драбкин И.А., Ефимова Б.А., Захарюгина Г.Ф., Кайданов В.И., Мельник Р.Б., Нельсон И.В.

150. Оптические свойства твердых растворов Pb^ir^Te. ФТП, 1973, т. 7, в. 4, с.794-797.

151. Дудкин Л.Д., Ерасова Н.А., Кайданов В.И., Калашникова Т.Н., Косолйпова Э.Ф.

152. Влияние примеси индия на электрофизические свойства теллурида олова.

153. ФТП, 1972, т. 6, в. II, с. 2294-2296.

154. Кайданов В.И., Мельник Р.Б., Германас Н.В. Примесные состояния индия в селениде свинца. ФТП, 1972, т. 6, в.4, с. 726 -728.

155. Драбкин И.А., Елисеева Ю.Я., Захарюгина Г.Ф., Нельсон И.В., Равич Ю.И.

156. Оптические исследования примесного уровня индия в PbTe и твердых растворах на его основе. ФТП, 1974, т. 8, в. 10, с. 1947-1951.

157. Андреев Ю.В., Гейман К.И., Драбкин И.А., Матвиенко А.В., Можаев Е.А., Мойжес Б.Я.

158. Электрические свойства PbixSnxTe 0 примесью индия. ФТП, 1975, т.9, в. Ю, с. 1873-1878.93. Мойжес Б.Я., Супрун С.Г.

159. Двухэлектронные состояния примесного центра в модели окружающего диэлектрического континуума. ФТП, 1982, т.24, в. 2, с. 550-554.94. Van Vleck J.H.

160. Theory of Electric and Magnetic Susceptibilities Oxford Univ. Press., Oxford, 1932.

161. Гейман К.И., Драбкин И.А., Матвиенко A.3., Можаев Е.А., Парфеньев Р.В.

162. Аномальные электрические свойства слоев Pb^Sn^eс примесью индия.

163. ФТП, 1977, т. II, в. 5, с. 846-854.

164. Hakamishi A., Matsubara Т. Structural Phase Transition in Mixed IV-VI Compounds.

165. Sol. St. Commun., 1979, v.32, N.7, pp.577-580.

166. Багинекий B.M., Кикодзе P.O., Лашкарев Г.В., Слынько Е.И., Товстюк К.Д.

167. Влияние структурного перехода на магнитные свойства SnTe. ФТТ, 1977, т. 19, в. 2, с. 588-590.

168. Kobayashi K.J., Kato J., Katayama Y., Komatsubara K.P.

169. Resistance Anomaly due to Displasive Phase Transition in SnTe.

170. Sol. St. Commun., 1975, v.17, H.7, pp.875-878.

171. Kobayashi K.Y., Kato J., Katayama Y., Komatsubara K.F.

172. Carrier-Concentration-Dependent Phase Transition in SnTe»

173. Phys. Rev. Lett., 1976, v.37, H.12, pp.772-774,

174. Shimada Т., Kobayashi K., Kato J., Katayama J., Komatsubara K,

175. Soft-Phonon-Induced Raman Scattering in IY-VI Compounds.

176. Phys. Rev, Lett., 1977, v.39, N.3, pp.143-146.101. Консин П.И.

177. Температурные зависимости ширины запрещенной зоны и электоронных спектров сегнетоэлектриков-полупроводников типа А1У ВУ1.

178. ФТТ, 1982, т 24, №5, с.1321-1327.102. Kawamura Н.

179. Soft-Mode Anomalies in PbSnTe Semiconducting Alloys, Proс III Int. Conf. Phys. Narrow-Gap Semicond. Warsaw, 1977, p. 5.

180. Житинская M.K., Кайданов В.И., Лыков С.Н.

181. Об особенности электропроводности поликристалов п-РЬТепри низких температурах.

182. ФТП, 1979, т. 13, в.1, с. 183-184.

183. Вродовой А.В., Ерасова Н.А., Кайданов В.И., Лашкарев Г.В. Влияние примеси индия на магнитные и электрические свойства твердых растворов рь1 Sn Те.1.—л X

184. Тезисы докладов совещания по физике узкозонных полупроводников, Москва, 1981 г.

185. Бродовой А.В., Лашкарев Г.В., Ерасова Н.А.

186. Влияние примеси индия на магнитные и электрическиесвойства твердых растворов Pb^Sn^Te (х=0.18;0.3;0.4) в сS: Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы. (Материалы У1 Всесоюзного симпозиума). Львов, 1983, с.201-203.

187. Лашкарев Г.В., Кикодзе P.O., Радченко М.В., Слынько Е.И., Марчук И.З.

188. Магнито- и электроактивные состояния марганца в узкощелевых полупроводниках Pb^Sn^Te. ФТП, 1979, т. 13, в.8, сЛ549-1555.

189. Лашкарев Г.В., Радченко М.В., Сизов Ф.Ф., Слынько Е.И., Тетеркин В.В.

190. Магнитные свойства твердых растворов рь1и u ръ1-хЬ1п2:Тев

191. Неорг. материалы, 1970, т. 6, в Л 2, с.2132-2135. 109. Андрианов Д.Г., Павлов В.М., Савельев А.С., Фистуль В.И., Цискаришвили Г.П.

192. Effect of the Exchange Coupling of Mn Jons on Magnetic Susceptibilities of ZnS:MnS Crystals. Phys,. Rev., 1964, v.133, N.3A, pp. 765-767.

193. Lara S., Xavier R.M., Taft C.1.direct Interactions Between Localized Magnetic

194. Moments in Doped Semiconductors.

195. J. Phys. Chem. Sol., 197J, v.38, N.7, pp. 795-799.

196. Каган Ю.М., Максимов Jl.A.

197. К теории аномального эффекта Холла в ферромагнетиках. ФТТ, 1965, т. 7, в. 2, с. 530-538;114. Escorne М., Mauger А.

198. Transport Properties of Sn1 Jin Те at Low Magnetic1.""a X1. Field.

199. Sol. St. Commun., 1979, v.31, N.11, pp.893-895.

200. Дейбук В.Г., Мельничук С.В., Ницович В.М. Низкотемпературные особенности кинетических коэффициентов узкощелевых полупроводников, легированных маннитными примесями.

201. УФЖ, 1983, т, 28, с. 94-97.116. Toyozawa Y.

202. Theory of Localized Spins and Negative Magnetoresistancein the Metallic Impurity Conduction.

203. J. Phys. Sol. Jap., 1962, v.17, N.6, pp.986-1004.

204. Khosla R.P., Fischer J.R. Magnetoresistance in Degenerate CdS Localized Magnetic Moments.

205. Phys. Rev. B, 1970, v.2, N.10, pp.4084-4097.

206. Cochrane R.W., Plischke M., Strom-Olsem J. Magnetization Studies of (GeTe>1-x (MnTe)x Pseudobinary Alloys.

207. Phys. Rev. В., 1974, v.9, N.7, pp.3013-3021.119. Hedgcock E.T.1.calized Magnetic Moments in Impurity-Banded Semiconductors.

208. Canadian J.Phys., 1967, v.45; N.4, pp.1473.

209. Бродовой A.B., Лашкарев Г.В., Радченко М.В., Слынько E;wH., Товстюк К.Д.

210. Влияние примеси Мп на магнитные и электрические свойства узкощелевых полупроводников (рь1 Sn )1 ш Те.i —у у i *"л x

211. ФТП, 1984, т.18, в. 9, C.I547-I55I.