Фотоиндуцированный парамагнетизм примесных центров в узкощелевых полупроводниках A IV B VI тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.09 ВАК РФ

Введение.

Глава I. Свойства РЬТе и Pb}.xSnxTe, обусловленные глубокими примесными центрами Ga я In.

§ 1Л. Кристаллическая структура, энергетический спектр и примесные состояния в полупроводниках AIVBVI.

1Л Л. Кристаллическая структура и энергетический спектр.

1.1.2. Собственные дефекты и примеси.

§1.2. Системы с отрицательной энергией взаимодействия электронов. Задержанная фотопроводимость.

1.2.1. Концепция отрицательной энергии Хаббарда.

1.2.2. Модели примесных центров в AiVBVi.

1.2.3. Влияние примесей на упругие свойства полупроводников AivByi.

§1.3. Магнитные свойства полупроводников AIVBVI.

1.3.1. Магнитная восприимчивость РЬТе и SnTe.

1.3.2.Магнитная восприимчивость Pb}.xSnxTe.

1.3.3.Магнитная восприимчивость РЬТе и РЪ¡.xSnxTe, легированных элементами III группы.

Краткие выводы и постановка задачи исследования.

Глава II. Экспериментальные методы исследований.

§ 2.1. Объекты исследования.

§ 2.2. Электрофизические измерения.

§ 2.3. Электромагнитное возбуждение ультразвука.

§ 2.4. Методы измерения магнитной восприимчивости.

Глава III. Метастабильные магнитные состояния

In и Ga в полупроводниках AIVBVi.

§3.1. Задержанная фотопроводимость в РЬо^по^Те:!!! и РЬТе:Оа.

§ 3.2. Аномалии упругих свойств РЬТе:Оа.

§ 3.3. Влияние примесей III группы на магнитную восприимчивость РЬТе и Pbo.75Sno.25Te.

§ 3.4. Модель фотоиндуцированного парамагнетизма примесных центров в узкощелевых полупроводниках.

Выводы.

Основой современных информационных технологий являются полупроводниковые материалы. Для создания приборов и устройств на их основе могут использоваться как свойства собственно полупроводниковой матрицы, так и свойства, возникающие при ее легировании. Наиболее широко в настоящее время используются элементарные полупроводники -германий и кремний. Главным физическим параметром, определяющим быстродействие полупроводниковых приборов, является подвижность носителей электрического заряда. Она пропорциональна длине свободного пробега и обратно пропорциональна эффективной массе носителей. Увеличение длины свободного пробега достигается путем глубокой очистки полупроводника, и здесь, по-видимому, уже близок технологический предел. Эффективная масса носителей является параметром энергетического спектра и определяется лишь типом выбранного полупроводника. Дальнейшее развитие полупроводниковых технологий связывается с переходом к материалам с малыми значениями эффективных масс. Наиболее распространенными среди них являются полупроводники семейств АцВут СУ, - (£*, Бе, Те); АшВу: (А1, Са, 1п) - (Р, Аэ, ЯЬ); А1УВУ1: (ве, 5*«, РЬ) - Те).

Значение эффективной массы носителей заряда определяется величиной энергетической щели между потолком валентной зоны и дном зоны проводимости. Создание твердых растворов бинарных соединений в пределах указанных семейств позволяет варьировать параметры энергетического спектра и тем самым изменять характеристики создаваемых полупроводниковых приборов.

Наряду с технологиями, основанными на физических свойствах чистых полупроводниковых материалов, существуют технологии, использующие особые свойства легированных полупроводников. К основным областям использования таких материалов относятся высокоскоростная цифровая микроэлектроника, оптоэлектроника и инфракрасная оптика.

Введение примесей в полупроводниковые матрицы приводит к появлению примесных уровней в энергетическом спектре. Примесные состояния, энергия связи которых мала по сравнению с шириной запрещенной зоны, называются мелкими. Глубокие состояния, как правило, возникают, когда основной вклад в энергию связи дает не электрическое притяжение, ослабленное диэлектрической проницаемостью е, а короткодействующий потенциал, который определяется химической природой примеси. Мелкие донорные состояния можно считать отщепившимися от зоны проводимости, а мелкие акцепторные состояния - от валентной зоны. Глубокие состояния принадлежат в равной мере обеим зонам и могут быть и донорными и акцепторными.

Глубокие состояния примесных центров оказывают существенное влияние на электрофизические свойства полупроводников. Так, например, легирование полупроводников АшВу элементами IV и VI групп, полупроводников АпВу1 и А1УВу1 элементами III группы приводит к стабилизации уровня Ферми и задержанной фотопроводимости. Стабилизация уровня Ферми означает, что, во-первых, концентрация носителей заряда может оказаться значительно меньше, чем количество введенной примеси, и, во-вторых, полученная концентрация не меняется при введении других донорных и акцепторных примесей. Явление задержанной фотопроводимости заключается в том, что фотоионизация примесных центров переводит их в метастабильные состояния, которые оказываются долгоживущими при низких температурах. Эти состояния вызывают нестабильности в работе создаваемых полупроводниковых приборов. Безуспешность попыток, предпринятых для исключения метастабильных состояний, привели к необходимости всестороннего экспериментального и теоретического исследования фундаментальных свойств примесей в полупроводниках. К настоящему времени электрофизические, гальваномагнитные, оптические свойства полупроводников А1УВу1 изучены очень подробно. Однако остается ряд вопросов, на которые нельзя ответить, используя только традиционные методики исследования полупроводников. До сих пор не до конца ясен вопрос о механизме легирующего действия элементов третьей группы в полупроводниках А1уВуь и> как следствие, вопрос о зарядовых состояниях этих примесей. Имеются различные мнения о том, какие процессы ответственны за ряд других явлений, таких как задержанная фотопроводимость, стабилизация уровня Ферми и сверхпроводимость в этих материалах. Понятно, что в перечисленных эффектах "задействована" кристаллическая решетка полупроводника. На наш взгляд, для построения моделей, адекватно описывающих свойства примесных состояний, необходимо исследовать упругие и магнитные свойства полупроводников. Магнитные свойства указанных материалов определяются тем, каковы зарядовые состояния примесей в полупроводниковой матрице и тем, как эти зарядовые состояния изменяются при фотоионизации. Изменение зарядового состояния примеси сопровождается деформацией кристаллического окружения, что, в свою очередь, отражается на упругих свойствах полупроводниковых материалов.

Цель работы состояла в экспериментальном исследовании магнитных и упругих свойств теллуридов свинца и олова, легированных примесями III группы, и уточнение на основе полученной информации микроскопической модели примесных центров.

В качестве объектов исследования в настоящей работе использовались материалы, в которых наиболее ярко проявляются эффекты стабилизации уровня Ферми и задержанной фотопроводимости.

Конкретные задачи диссертационной работы включали:

1. Исследование упругих свойств PbTe.Ga при различных режимах засветки в интервале температур 4.2 -г- 100 К.

2. Исследование магнитных свойств PbTe.Ga, РЪТе:1п, Pbo.75Sno.25Te:In с различной концентрацией примесей при различных режимах засветки в интервале температур 2 -f 300 К.

3. Анализ и сопоставление полученных экспериментальных данных с теоретическими представлениями.

Апробация работы проводилась на Ломоносовских чтениях, МГУ им.М.В.Ломоносова, Москва, 1994; XVI Международной конференции по акустоэлектронике и физической акустике твердого тела, Сыктывкар, 1994; XXX совещании по физике низких температур, Дубна, 1994; III Международной конференции по интеллигентным материалам, Лион, Франция, 1996; XXIII Международной конференции по физике полупроводников, Берлин, Германия, 1996; сессии Научного Совета по магнетизму РАН, Москва, 1999. Основные результаты работы докладывались на семинарах кафедры физики полупроводников и кафедры физики низких температур физического факультета МГУ.

Актуальность проведенного исследования определяется тем, что в последнее время значительно возрос интерес к материалам, изменяющим свои хромические, магнитные, диэлектрические и другие свойства под действием оптического излучения. Представляется необходимым выявить условия, при которых возможно управление с помощью света кооперативными явлениями в твердом теле. Одним из таких явлений служит фотоиндуцированный фазовый переход в металлоорганических соединениях [1].

Научная новизна данной работы заключается в том, что в ней впервые

- обнаружено новое физическое явление - фотоиндуцированный парамагнетизм примесных центров элементов III группы в полупроводниках aivbvi.

- исследованы упругие свойства теллурида свинца, легированного галлием, и обнаружены аномалии скорости и затухания ультразвука, связанные с перестройкой примесных центров. предложена модель фотоиндуцированного пармагнетизма примесных центров III группы в полупроводниках AIVBVI.

Перечисленные выше положения выносятся на защиту.

Практическая ценность проведенного исследования заключается в том, что достигнутое понимание физических процессов, происходящих при взаимодействии оптического излучения с полупроводником, позволит усовершенствовать параметры полупроводниковых приборов, создаваемых на основе исследованных материалов.

По материалам диссертации опубликовано 9 печатных работ, список которых приводится в конце диссертации [А1-А9].

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, приложения и списка цитированной литературы. В первой главе диссертации рассматриваются модели примесных состояний элементов III группы в полупроводниках AiVBVb излагается концепция отрицательной энергии взаимодействия электронов на примесном центре (энергии Хаббарда) в применении к различным полупроводниковым материалам,

ВЫВОДЫ.

1. Методом электромагнитного возбуждения ультразвука исследованы упругие свойства монокристалла РЬТе и РЬТе:Са. В РЬТе :Оа возбуждаются лишь низкочастотные колебания, отвечающие собственным модам пластины в плоскости. Такие особенности генерации характерны для полупроводящих материалов, содержащих магнитные центры. Аномалии упругих свойств и амплитуды возбуждаемого ультразвука наблюдались в РЬТе.Са при Т - 60 ч- 80 К, что может быть связано с перестройкой примесных центров, ответственных как за задержанную фотопроводимость, так и за фото индуцированный парамагнетизм.

2. В температурном интервале 2 ч- 300 ^"исследованы магнитные свойства монокристаллов РЬТе, РЪТе:Оа(О.Зат.%), РЪТе:1п(1ат.%), РЪТе:1п(2ат.%), РЬо 75Зпо25Те:1п(0.5ат.%), РЬо.75$По.25Те:1п(2ат.%). Во всех исследованных образцах (за исключением нелегированного РЬТе) при отогреве после подсветки при Т = 40 ч- 60 К наблюдался пик парамагнитной восприимчивости на фоне слабо зависящего от температуры диамагнитного отклика. При низких температурах зависимость намагниченности РЬТе.Са от магнитного поля демонстрирует четко выраженный гистерезис, а температурные

1. Koshihara S. The photoinduced phase transition in spin - crossover complexes. 1.: Optical properties of low - dimensional materials, ed. by Ogawa T. and Kanemitsu Y. World Scientific, Singapore, 1998, Vol.8, Chap.3.

2. Littlewood P.B.and Heine V. The infrared effective charge in IV VI compounds. J.Phys.C.,1979, 12, 4431.

3. Littlewood P.B. The cristal structure of IV VI compounds. J.Phys.C., 1980, 13,4855.

4. Dimmok J. К p theory for the conduction and valence bands of Pbi„xSnxTe and PbixSnxSe alloys. The Physics of Semimetals and Narrow Gap Semiconductors, ed. D.L.Carter and R.T.Bate. Pergamon Press, N.Y., 1971, p.319-330.

5. Martinez G., Schluter M., Cohen M.L. Electronic structure of PbSe and PbTe. Phys. Rev. B, 1975, 11, 651.

6. Tanaka H. and Morita A. The cristal binding energies of the Iv-Vi semiconductors. J. Phys.Soc. Japan., 1979, 46, 523.

7. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. М, Наука, 1968.

8. Tung Y.W., Cohen M.L. Relativistic band structure and electronic properties of SnTe, GeTe and PbTe. Phys. Rev., 1969,180, 823.

9. Ерасова H.A., Ефимова Б.А., Захарюгина Г.Ф. и др. Примесные состояния индия в некоторых твердых растворах на основе PbTe. Изв. АН СССР, сер. «Неорганические материалы», 1978,14, 870.

10. Parada N.J. and Pratt G.W. New model for vacancy states in PbTe. Phys. Rev. Lett, 1969, 22, 180.

11. Parada N.J. Localized defects in PbTe. Phys.Rev. B, 1971, 3, 2042.

12. Волков Б.А., Панкратов O.A. Электронная структура точечных дефектов в полупроводниках А4В6. ЖЭТФ, 1985, 88, 280.

13. Кайданов В.И., Немов С.А. Влияние примеси таллия на рассеяние дырок в теллуриде свинца. ФТП, 1981, 15, 542.

14. И.Кайданов В.И., Немов С.А., Равич Ю.И. Резонансное рассеяние носителей тока в полупроводниках типа AIVBVi (Обзор). ФТП, 1992, 26, 201.

15. Немов С.А., Осипов П.А., Парфеньев Р.В. Резонансные примесные состояния в полупроводниках и связанная с ними сверхпроводимость. СПб, изд-во СПбГТУ, 1999.

16. Немов С.А., Равич Ю.И. Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности. УФН, 1998, 168, 817.

17. Лазаренко М.А., Гаськов A.M., Зломанов В.П., ак. Новоселова A.B. Легирование теллурида свинца галлием. ДАН СССР, 1981,259,1375.

18. Акимов Б.А., Брандт Н.Б, Гаськов A.M. и др. Примесные состояния Ga и фотоэлектрические явления в сплавах PbTe(Ga). ФТП, 1983, 17, 87.

19. Аверкин A.A., Бушмарина Г.С., Драбкин И.А. и др. Влияние всестороннего сжатия на электрические свойства PbixSnxTe с примесью галлия. ФТП, 1981, 15,197.

20. Rosenberg A.I., Wald F. Massiv heterovalent substitutions in octahedrally coordinated semiconductors. J. Phys. And Chem.Sol., 1965, 26, 1079.

21. Niehuus E., Nicke H. Halleffects und leitfaehigkeitsmessungen an den mischkristallen PbTe-InTe. Ann. D. Phys., 1966, 17, 77.

22. Аверкин A.A., Кайданов В.И., Мельник Р.Б. О природе примесных состояний индия в теллуриде свинца. ФТП, 1971, 5, 91.

23. Кайданов В.И., Мельник Р.Б., Черник И. А. Исследование теллурида свинца с примесью индия. ФТП, 1973, 7, 759.

24. Кайданов В.И., Равич Ю.И. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI. УФН, 1985, 145, 51.

25. Акимов Б.А., Брандт Н.Б., Курбанов K.P. Фотоэлектрические явления в РЬТе, легированном индием. ФТП, 1983, 17, 1604.

26. Weiser К., Klein A., and Ainhorn M. Electrical properties of indium-doped lead tin telluride. Appl. Phys. Lett., 1979, 34, 607.

27. Гейман К.И., Драбкин И.А., Матвеенко A.B. и др. Аномальные электрические свойства слоев PbixSnxTe с примесью индия. ФТП, 1977, 11,499.

28. Акимов Б.А., Брандт Н.Б., Богословский С.А. и др. Неравновесное металлическое состояние в сплавах Pb!xSnxTe(In). Письма в ЖЭТФ, 1980, 29, 11.

29. Вул Б.М., Воронова И.Д., Калюжная Г.А. и др. Особенности явлений переноса в Pbo.7sSno.22Te с большим содержанием индия. Письма в ЖЭТФ, 1980, 29,21.

30. Сизов Ф.Ф., Пляцко C.B., Лакеенков В.М. Глубокие уровни Ga в РЬТе. ФТП, 1985, 19, 592.

31. Бушмарина Г.С., Грузинов Б.Ф., Драбкин H.A. и др. О стабилизации уровня Ферми в сплавах PbixGexTe, легированных Ga. ФТП, 1977, 11, 1874.

32. Бушмарина Г.С., Грузинов Б.Ф., Драбкин И.А. и др. Изменение концентрации носителей тока при легировании РЬТе галлием. Изв. АН СССР, сер. «Неорганические материалы», 1987, 23, 222.

33. Акимов Б.А., Зломанов В.П., Рябова Л.И. и др. Перспективные материалы ИК-оптоэлектроники на основе соединений группы AIVBVI. Высокочистые вещества, 1991, 6, 21.

34. Буйлова Н.М., Сандомирский В.Б. Экспериментальные исследования сверхпроводимости в вырожденных полупроводниках. УФЫ, 1969, 97, 119.

35. Черник И.А., Лыков С.Н. Объемная сверхпроводимость в легированном теллуриде свинца при 1.4 К. ФТТ, 1981, 23, 1400.

36. Weiser К. Phys. Doping of PbTe with group-Ill elements: an ionic lattice approach. Rev. B, 1981, 23, 2741.

37. Anderson P.W. Model for the electronic structure of amorfous semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1975, 34, 953.

38. Street R.A. and Mott N.F. States in the gap in glassy semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1975, 35, 1293.

39. Kastner M., Adler D. and Fritzsche H. Valence alternation model for localized gap states in lone-pair semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1976, 37, 1504.

40. Barraff G.A., Kane E.O. and Schlueter M. Silicon vacancy: a possible "Anderson negative-IP' sistem. Phys. Rev. Lett., 1979, 43, 956.

41. Watkins G.D. and Troxell J.R. Negative-U properties for point defects in silicon. Phys. Rev. Lett., 1980, 44, 593.

42. Mooney P. M. Donor-related levels in GaAs and AlxGaixAs. Semicond. Sci. Technol., 1991, 6, B1 B8.

43. Chadi D.J. and Chang K.J. Theory of the atomic and electronic structure of DX centers in GaAs and AlxGabxAs alloys. Phys. Rev. Lett., 1988, 61, 873.

44. Chadi D.J. and Chang K.J. Energetics of DX-center formation in GaAs and AlxGaixAs alloys. Phys. Rev. B, 1989, 39, 10063.

45. Драбкин И.А., Мойжес Б .Я. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примесей на положительно и отрицательно заряженные состояния. ФТП, 1981, 15, 625.

46. Андреев Ю.В., Гейман К.И., Матвеенко А.В. и др. Электрические свойства Pbj.xSnxTe с примесью индия. ФТП, 1975, 9, 1235.

47. Драбкин И.А., Квантов М.А., Компаниец В.В. и др. Зарядовые состояния In в РЬТе. ФТП, 1982,16, 1276.

48. Romcevic N., Romcevic М., Khokhlov D.R. et al. Optical properties of gallium-doped PbTe. In: «High-Temperature Superconductors and Novel Inorganic Materials» ed. by G. Van Tendeloo et.al., 1999, Kluver Academic Publ., 297.

49. Белогорохов А.И., Иванчик И.И., Попович 3. и др. Структура DX-подобных центров в узкозонных полупроводниках AIVBV1, легированных элементами III группы. ФТП, 1998, 32, 679.

50. Martinez A., Santiago F, Davis J.L. et al. Decay kinetics of photoconductivity of PbSnTe doped with indium. J. Appl. Phys., 1985, 58, 4618.

51. Martinez A., Abbundi R.J., Houston B. et al. Effect of illumination and magnetic fields on the electron transport properties of Pbo.75Sno.25Te doped with indium. J. Appl. Phys., 1985, 57, 1 165.

52. Волков Б.А., Панкратов O.A. Ян-Теллеровская неустойчивость кристаллического окружения точечных дефектов в полупроводниках AIVBVI. ДАН СССР, 1980, 225, 93.

53. Каган Ю., Кикоин К.А. Туннельная примесная автолокализация в полупроводниках. Природа аномальных свойств соединений PbixSnxTe с примесью In. Письма в ЖЭТФ, 1980, 31, 367.

54. Park С.Н. and Chadi D.J. Orthorhombic symmetry DX centers in S-doped GaSb, GaAs, and AlxGabxAs. Phys. Rev. B, 1996, 54, 14246.

55. Park C.H. and Chadi D.J. Microscopic structure of DX centers of column III and VII impurities in CdTe. Appl. Phys. Lett., 1995, 66, 3167

56. Park C.H. and Chadi D.J. Bulk lattice instability in II-VI semiconductors and its effect on impurity compensation. Phys. Rev. Lett., 1995, 75, 1134.

57. Park C.H. and Chadi D.J. First-principles study of DX centers in CdTe, ZnTe, and CdxZnbxTe alloys. Phys. Rev. B, 1995, 52, 11884.

58. Kawamura H. Phase transition in IV-VI compounds. Lect. Notes Phys., 1980, 133,470.

59. Васильев A.H. Электромагнитное возбуждение ультразвука в метачлах и полупроводниках. Докторская диссертация. Москва, МГУ, 1987.

60. Васильев А.Н., Гайдуков Ю.П., Никифоров В.Н. Низкотемпературная аномалия скорости ультразвука в Pb0.75Sn0.25Te(In). Письма в ЖЭТФ, 1985, 41, 466.

61. Беляев А.Е., фон Барделебен Х.Ю., Оборина Е.И. и др. Индуцированное ультразвуком преобразование DX-центров в AlGaAs:Si, ФТП, 1994, 28, 1544.

62. Mooser Е. Magnetic susceptibility of impurity-trapped elecrons and holes in semiconductors. Phys.Rev., 1955, 100, 1580.

63. Bowers R. and Yafet Y. Magnetic susceptibility of InSb. Phys.Rev., 1959, 115, 1165.

64. Гельмонт Б.Л., Иванов Омский В.И., Коломиец Б.Т. и др. Магнитная восприимчивость дырок в HgTe, InSb и Ge. ФТП, 4, 299, 1970.

65. Matyas М. The magnetic susceptibility of p-type CdSb. Czech. J. Phys., 1967, В 17, 227.

66. Matyas M. The susceptibility of lead telluride PbTe. Czech. J. Phys., 1958, 8,301.

67. Matyas M. The susceptibility of selenides and tellurides of heavy elements. Czech. J. Phys., 1958, 8,309.

68. Багинский В.М., Кикодзе P.O., Лашкарев Г.В. и др. Влияние структурного перехода на магнитные свойства SnTe. ФТТ, 1977, 19, 588.

69. Литвинов В.И., Дугаев В.К. Особенность магнитной восприимчивости вблизи точки сегнетоэлектрического фазового перехода в узкощелевых полупроводниках AIVBVI. ЖЭТФ, 1979, 77, 335.

70. Лашкарев Г.В., Бродовой А.В., Летюченко С.Д. и др. Магнитная восприимчивость и кинетические явления в Pb;xGexTe при структурном фазовом переходе. ФТП, 1987, 21, 1921.

71. Lashkarev G.Y., Migley D.F., Shevchenko A.D. et al. Magnetic susceptibility and electrical properties of p-PbixSnxTe. Phys. Stat. Sol., 1974, 63, 663.

72. Фальковский Л.А., Бродовой А.В., Лашкарев Г.В. Магнитная восприимчивость узкощелевых полупроводников. ЖЭТФ, 1981, 80, 334.

73. Акимов Б.А., Рябова Л.И., Чудинов С.М. g-Факторы электронов и дырок в сплавах Pb.xSnxTe в области прямого и инверсного спектра. ФТТ, 1979,21,708.

74. Волков Б.А., Ручайский О.М. Температурная зависимость магнитной восприимчивости в полупроводниках А4В6. ФТТ, 1998, 40, 57.

75. Браташевский Ю.А., Прозоровский В.Д., Харионовский Ю.С. К вопросу о рассеянии электронов в твердых растворах Pb.xSnxTe. ФТП, 1977, 11, 195.

76. Багинский В.М., Дмитриев А.Н., Лашкарев Г.В. и др. Материалы IV Всесоюзного симпозиума по полупроводникам и полуметаллам с узкой запрещенной зоной, 3, 51. Львов, 1975.

77. Драбкин И.А., Квантов М.А., Компанией В.В. и др. Магнитная восприимчивость РЬТе и Pb!.xSnxTe с примесью индия. Материалы V

78. Всесоюзного симпозиума по полупроводникам с узкой запрещенной зоной, 2, 78. Львов, 1980.

79. Андроник К.И., Бойко М.П., Лужковский А.В. Влияние примесной полосы таллия на магнитную восприимчивость теллурида свинца. ФТП, 1988, 22, 1878.

80. Акимов Б.А. Энергетический спектр, глубокие квазилокальные уровни и метастабильные электронные состояния в халькогенидах свинца и олова. Докт. дисс., М., МГУ, физический факультет, 1985.

81. Каганов М.И., Васильев А.Н. Электромагнитно-акустическое преобразование результат действия поверхностной силы. УФН, 1993, 163, 67.

82. Васильев А.Н., Гайдуков Ю.П., Каганов М.И. и др. Трансформация электромагнитной энергии в звуковую электронами проводимости в металлах в магнитном поле (нормальный скин-эффект). ФНТ, 1989, 15, 160.

83. Чечерников В.И. Магнитные измерения. М., 1969.

84. Физическая акустика под ред. У.Мэзона. t.IV, часть Б. «Мир», М., 1970.

85. Гришечкина С.П., Журавлев А.А., Моллманн К.-П. и др. Резонансный внутрицентровый переход в теллуриде свинца, легированном галлием. ФТП, 1991,25, 677.

86. Кнорре Д.Г., Крылова Л.Ф., Музыкантов B.C. Физическая химия. М., «Высшая школа», 1990.

87. Bastard G., Lewiner С. Indirect-exchange intaractions in zero-gap semiconductors. Phys. Rev. B, 1979, 20, 4256.

88. Al. А.Н.Васильев, Т.Н.Волошок, Ю.П.Гайдуков, Н.П.Данилова. О природе задержанной фотопроводимости в PbTe(Ga). Письма в ЖЭТФ, 1993, т.58, в.12, с.970-974.