Кинетические свойства полупроводниковых кристаллов, легированных магнитными примесями тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

Глава I. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СТРУКТУРЫ ЦИНКОВОЙ ОБМАНКИ,

ЛЕГИРОВАННЫХ МАГНИТНЫМИ ПРИМЕСЯМИ

§ I.I. Модель молекулярного кластера. Граничные условия на поверхности кластера

§ 1.2. Приближение сильной связи в проблеме глубоких уровней. Приближение Малликена-Вольфсберга-Гельмгольца

§ 1.3. Построение групповых орбиталей кластера.

Расчет групповых интегралов перекрывания

§ 1.4. Самосогласованный расчет энергетических уровней примесей с незаполненной Зс1-оболоч-кой в Cede, и Эп-Sg,

Глава П. ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ ГРУППЫ ЖЕЛЕЗА НА ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ С РАЗЛИЧНОЙ

ШИРИНОЙ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ

§ 2.1. Особенности рассеяния носителей тока магнитными примесями в широкощелевых полупроводниках

§ 2.2. Влияние магнитных примесей на рассеяние носителей тока в полупроводниках с узкой запрещенной зоной

§ 2.3. Расчет удельного сопротивления и термо-эде узкощелевых полупроводников, легированных магнитными примесями

Глава Ш. ВЛИЯНИЕ ПАРАМАГНИТНЫХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОННУЮ СТРУКТУРУ И ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ В УЗКИХ ЭНЕР

ГЕТИЧЕСКИХ ЗОНАХ .бб

§ 3.1. Одночастичная функция Грина. Энергетический спектр системы

§ 3.2. Двухчастичная функция Грина

§ 3.3. Расчет статической электропроводности

ВЫВОДЫ

Актуальность темы. Широкие экспериментальные и теоретические исследования физических свойств полупроводниковых соединений обусловлены их применением в электронной технике. Большой теоретический интерес представляет исследование влияния примесей первой переходной группы на физические свойства полупроводниковых кристаллов, в частности, на. энергетическую структуру и явления переноса. Наличие в полупроводниковом кристалле магнитных примесных центров, обуславливающих образование глубоких уровней в запрещенной зоне, приводит к существенному изменению транспортных свойств кристаллов.

Несмотря на значительное внимание исследователей, проблему глубоких примесных уровней до сих пор нельзя считать решенной. Об этом свидетельствуют трудности не только в количественном, но и в качественном описании кинетических коэффициентов примесных полупроводниковых кристаллов [3, 27, 34, 45, 47] . Остаются невыясненными некоторые принципиальные вопросы, связанные с состоянием 3<£-металла в полупроводниках с различной зонной структурой; определением роли различных механизмов рассеяния носителей тока и их влиянием на кинетические коэффициенты; аномальным поведением кинетических коэффициентов указанных соединений в области низких температур и области высоких магнитных полей.

Часть этих вопросов рассматривается в данной работе: изучается роль примесей ЗсС -переходных металлов в формировании зонной структуры полупроводниковых соединений AgBg, исследуется влияние механизма рассеяния на обменном потенциале примесных атомов на кинетические коэффициенты полупроводников с различной зонной структурой в присутствии магнитных примесей. В работе детально рассмотрены явления переноса в кристаллах с узкими энергетическими зонами, активированных парамагнитными примесями, и выяснена физическая природа температурной зависимости статической электропроводности указанных материалов.

В настоящей работе данные вопросы рассматриваются на примере полупроводниковых соединений СсСТе , Sh.Se , Р64-Л5оэЛе. , материалов с узкими энергетическими зонами, легированных элементами первой переходной группы. Поскольку каждая из изучаемых в настоящей работе задач имеет свою специфику, обзор литературы приводится в каждом случае при обсуждении отдельных вопросов.

Целью работы является исследование влияния магнитных примесных атомов на энергетическую структуру и явления переноса полупроводниковых соединений с различной зонной структурой.

Задачи, которые ставятся в диссертации, заключаются в следующем:

- выбрать и обосновать модель описания системы примесных центров в полупроводниках;

- исследовать генезис залегания примесных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводникового кристалла в зависимости от порядкового номера примеси группы железа;

- произвести учет обменного взаимодействия при расчете температурной зависимости подвижности носителей тока при рассеянии на магнитных примесях в широкощелевых полупроводниковых кристаллах;

- изучить температурный ход удельного сопротивления и термо-эдс при учете рассеяния на ионах переходных элементов в узкощелевых полупроводниках в низкотемпературной области;

- исследовать энергетическую структуру и статическую электропроводность полупроводниковых соединений с узкими энергетичеекими зонами в присутствии примесей группы железа.

Общая методика исследований. В работе использованы методы, применяемые в проблеме исследования глубокого центра в кристалле: теория групп, кластерный вариант метода молекулярных орбита-лей как линейной комбинации атомных орбиталей (МО JIKA0). При решении самосогласованных систем уравнений и диагонализации секу-лярных матриц высоких порядков использовались численные методы, для реализации которых привлекалась вычислительная техника. При исследовании кинетических коэффициентов использовались метод функций Грина и метод кинетического уравнения.

Научная новизна работы определяется наиболее существенными из полученных результатов.

Обосновано применение кластерной модели для расчета энергетического спектра глубоких примесных центров в тетраэдриче-ских бинарных полупроводниковых соединениях. Впервые дано теоретическое объяснение кинетических коэффициентов в узкощелевых полупроводниках, активированных примесями первой переходной группы в области низких температур.

Впервые получены аналитические выражения, описывающие расцепление узкой энергетической зоны под влиянием легирования примесями группы железа, температурный ход статической электропроводности в узких энергетических зонах с учетом электрон-примесного рассеяния.

Определена роль обменного взаимодействия в процессах электрон-примесного рассеяния в полупроводниковых кристаллах.

Практическая ценность работы состоит в возможнсоти использования полученных теоретических результатов для объяснения экспериментально наблюдаемых оптических, ЭПР, кинетических свойств полупроводниковых соединений.

Полученные результаты позволяют глубже познать физическую сущность явлений, происходящих в электронной подсистеме узких энергетических зон, а также в полупроводниках с различными законами дисперсии, содержащих магнитные примеси.

Результаты проведенных исследований могут послужить основой для дальнейшего теоретического изучения кинетических свойств полупроводников, легированных примесями переходных элементов. Такие исследования будут полезными при создании устройств информационной техники, приборов автоматики и других электронных устройств.

Защищаемые положения

1. Легирование широкозонных полупроводников теллурида кадмия и селенида цинка примесями элементов первой переходной группы приводит к появлению в запрещенной зоне глубоких примесных уровней.

2. Глубина залегания примесных уровней группы железа, как правило, возрастает с возрастанием порядкового номера элемента легирующей примеси от Ma к ^ (исключение составляет ). Примеси и V не дают примесных уровней в запрещенной зоне теллурида кадмия.

3. Подвижность носителей тока в теллуриде кадмия в присутствии магнитных примесей претерпевает значительные изменения, особенно в области низких температур, что согласуется с экспериментальными данными.

4. При активировании узкощелевых полупроводников ^.3CSn.<CGTe примесями с незаполненной 3d -оболочкой в удельном сопротивлении и термо-эдс возникает ряд особенностей, что объясняется аномальным электрон-примесным рассеянием носителей тока.

5. Парамагнитные примесные атомы приводят к расцеплению узкой энергетической зоны.

6. Температурный ход статической электропроводности электронного газа в узких энергетических зонах объясняется на основе рассчитанной зонной структуры и обусловлен как междузонными электронными переходами, так и процессами температурного разброса внутри зоны.

Апробация работы. Основные результаты исследований, изложенных в диссертационной работе, докладывались и обсуждались на следующих конференциях, симпозиумах и семинарах: У1 Всесоюзном симпозиуме "Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы" (Львов, 1983 г.), XI Всесоюзном совещании по теории полупроводников (Ужгород, 1983 г.), У Всесоюзном совещании "Шизика и техническое применение полупроводников АПВУ1п (Вильнюс, 1983 г.), 1У Всесоюзной конференции по кристаллохимии интерметаллических соединений (Львов, 1983 г.). ХУ Всесоюзном семинаре "Экситоны в кристаллах" (Черновцы, 1981 г.), школе-семинаре "Теория полупроводников" (Черновцы, 1982 г.), конференции молодых ученых Львовского института проблем механики и математики (Львов, 1982 г.), Ш школе по термоэлектричеству (Черновцы, 1982 г.), Уральской школе-семинаре по физике редкоземельных полупроводников (Свердловск, 1983 г.), У1 Всесоюзной школе-семинаре "Спектроскопия молекул и кристаллов" (Чернигов, 1983 г.), ежегодных конференциях преподавателей и студентов Черновицкого госуниверситета (Черновцы, I979-1983 гг.).

Публикации. Материалы диссертации опубликованы в работах Q3, 19-25, 37, 38].

Объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, приложения, примечания, выводов и списка цитируемой литературы.

ВЫВОДЫ

1. Показана возможность применения кластерных методов на основе теории МО ЛКАО для расчета глубоких примесных состояний в бинарных полупроводниковых соединениях тетрагональной симметрии при учете граничных условий на поверхности кластера.

2. Исследовано влияние примесей с незаполненной 3d-оболочкой на энергетическую структуру CdTe и . Показано, что примеси Sc. ,TL , V не дают примесных уровней в запрещенной зоне; при переходе от ми к cl глубина залегания примесных уровней увеличивается, что согласуется с экспериментальными данными.

3. На основе полученных данных об энергетической структуре изучена температурная зависимость подвижности носителей тока в теллуриде кадмия, активированного магнитными примесными атомами. Показано, что в области высоких температур (200-500 К) относительный вклад рассеяния на магнитных примесях в теллуриде кадмия в подвижность составляет ^ 10-15$. При низких температурах (~ 50 К) указанный вклад составляет Ь0%.

4. Объяснено аномальное поведение удельного сопротивления и тер-мо-эдс в области низких температур для узкощелевых материалов на основе учета квантовостатистического характера рассеяния носителей тока на парамагнитных примесях марганца.

5. Определена роль примесей группы железа низкой концентрации в формировании энергетического спектра полупроводниковых соединений с узкими энергетическими зонами. б. Исследован температурный ход статической электропроводности электронной подсистемы узких энергетических зон, обусловленный рассеянием на магнитных примесных атомах. Показано, что электропроводность определяется конкуренцией двух процессов: междузонными переходами и температурным разбросом электронов внутри зоны.

1. Абрикосов А.А., Горьков Л.П., Дзялошинский И.Е. Методы квантовой теории поля в статистической физике. М.: гизматгиз,1962.- 444с.

2. Абрикосов А.А. О рассеянии электронов в металле на магнитных примесных атомах и особенности поведения сопротивления. -6LCS , 1965, 2, PI, с. 21 37.

3. Андрианов Д.А. Аномалии эффекта Холла в InSb(Mn^). , 1976, 10, №3, с. 568 - 570.

4. Андрианов Д.Г., Каратаев В.В., Лазарева Г.В., Муравлев Ю.Б., Савельев А.С. О взаимодействии носителей заряда с локализованными моментами в InSS<Afn> и In.Jks<(MrO. (Ш, 1977, II,1. Р 7, с. 1251 1259.

5. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978. - 615 с.

6. Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела. М.: Мир, 1979, т. 2, - 422с.

7. Еабий П.И., Гавалешко Н.П., Савчук А.И. Обнаружение глубокого давня в CdTe:Co. В кн.: Тезисы докладов II Всесоюзного совещания по глубоким уровням в полупроводниках. - Ташкент, 1980, ч. I, с. 49.

8. Бальхаузен К. Введение в теорию поля лигандов. М.: Мир, 1964. - 360с.

9. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев: Наук, думка, 1975. - 704 с.

10. Бацанов С.С., Звягина Р.А. Интегралы перекрывания и проблема эффективных зарядов. Новосибирск:Сиб. отд. изд.- ва "Наука",1966, т. I, 386с.

11. Берсукер И.Б. Электронное строение и свойства координационных, соединений. Л.: Химия, 1976. - 352с.

12. Бунин М.А., Матвеев Ю.А., Петров Н.А., Сухецкий Ю.В. Кластерный расчет электронного строения примеси бора в кремнии. -Ш1, 1983, 17, №11, с. 2025 2030.

13. Виноградова М.Н., Гуриева Е.А., Жарений В.И. и др. Влияние примесей переходных элементов (TL ) на кинетические свойства Р6 Те. Ш1, 1978, 12, № 4, с. 663 - 668.

14. Гавалешко Н.П., Иванчук Р.Д., Курик Н.В.,Скицко Й.Ф. Особенности влияния примесей с незаполненной 3cL -оболочкой на экси-тоны в CdTe. Ш\ 1976, 18, № 8, с. 2371 - 2375.

15. Горн И.А., Зиборов А.И. Процессы фотоионизации ионов Сг и Fe в монокристаллах 5/ъ£е . В кн.: Тезисы докладов У Всесоюзного совещания "Физика и техническое применение полупроводников А11^1". - Вильнюс, 1983, т. I, с. 34 - 35.

16. Губанов В.А., Жуков В.П., Литинский А.О. Полуэмпирические методы молекулярных орбиталей в квантовой химии. М.: Наука, 1976. - 219с.

17. Дейген М.Ф., Зевин В.Я., Маевский В.М. и др. Исследование концентрационной зависимости ЭПР Nlrt* в монокристаллах CdTe.-§ТТ, 1967, 9, Ш 4, с. 983 996.

18. Дейбук В.Г., Мельничук С.В. Самосогласованный расчет примесных уровней системы Сс1Хе:Мгь . У®, 1984, 29, № 2, с. 305306.

19. Дейбук В.Г., Мельничук С.В., Ницович В.М.Низкотемпературные особенности кинетических коэффициентов узкощелевых полупроводников, легированных магнитными примесями. УШ, 1983, 28,№ I, с. 94 - 97.

20. Дейбук В.Г., Мельничук С.В., Ницович В.М. Низкотемпературная термо-эдс в : Мгъ . В кн.: Материалы III школы по термоэлектричеству, 1982 г., Черновцы, 1983, ч. I, с. 88 -89. - Рукопись деп. б УкрНИИНТИ 2 авг.1983 г. № 862Ук - Д83.

21. Дейбук В.Г., Чоботар В.И., Мельничук С.В., Ульяницкий К.С., Ницович В.М., Савицкий А.В. Подвижность носителей тока в тел-луриде кадмия, легированного марганцем. Известия вузов: Физика,. 1982, № 4, с. 24 28.

22. Дидора Т.Д., Ницович В.М. Исследование магнетосопротивления в узкой энергетической зоне. ФТТ, 1976, 18, № 7, с. 2085 -2088.

23. Дмитриев А.И., Багинский В.М., Лашкарев Г.В. и др. Эффект Кон-до в • В кн.; Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: Материалы 1У Всесоюз. симпоз.',Львов, 1975, т.2, с. 64 - 67.

24. Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977. - 615 с.

25. Зубарев Д.А. Двухвременные функции Грина в статистической физике. -УШ, I960, 71, № I, с. 71 116.

26. Ирхин Ю.П. Модель Хаббарда для переходных металлов и аномалии их теплоемкости и магнитной восприимчивости. ЖЭТФ, 1974, 66,3, с. 1005 1018.

27. Кикоин К.А., Флеров В.Н. Оптические переходы в узких зонах. -ФТТ, 1974, 16, с. 362 369.

28. Круковская Л.П., Миронов Й.Ш., Титков А.Н. Мелкий акцепторный уровень железа в антимониде галлия. Ш1, 1978, 12, № 4, с.689-692.

29. Лашкарев Г.В., Кикодзе P.O., Слынько Е.И., Марчук И.З. Магнито-и электроактивные состояния марганца в узкощелевом полупроводнике PSh/Snx Те ( 0.18^x^0.23). ШI, 1979, 18, №8,с. 1548 1555.

30. Мастеров В.Ф. Глубокие центры в полупроводниках. ФТП, 1984, 18, № I, с. 3 - 23.

31. Мастеров В.Ф., Саморуков Б.Е. Глубокие центры в соединениях А111^. Ш1, 1978, 12, № 4, с. 625 - 652.

32. Мельничук С.В., Дейбук В.Г., Личук М.В., Товстюк.Н.К. Влияние примесей группы железа на свойства бинарных полупроводников. -В кн.: Одиннадцатое совещание по теории полупроводников: Тезисы докл., Ужгород, 1983, с. 327 -,328.

33. Мельничук С.В., Крамарь'В.М. Магнитная восприимчивость полупроводниковых кристаллов, легированных примесями переходных элементов. -У®, 1979, 24, №3, с. 383-387.

34. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. -М.: Мир, 1977.

35. Ницович В.М. Исследование взаимодействующих систем в металлах. -Докторская диссертация. Киев, 1978, 309 с.

36. Ницович В.М., Тимочко Б.М., Кановский И.Я. Влияние магнитного поля на переход Мотта в модели Хаббарда. ФТТ, 1977, 19, № 7, с. 2122 - 2125.

37. Омельяновский Э.М., Фистуль В.И. Примеси переходных металлов в, полупроводниках. М.: Металлургия, 1983, 192с.

38. Орлецкий В.Б., Сизов ш.Ф., Лашкарев Г.В., Товстюк К.Д. Определение некоторых параметров зонной структуры твердого раствора Мо. g&SnejgTe . ФТП, 1975, 9, № 2, с. 269 - 275.

39. Охотин А.С. Влияние легирования переходными металлами на термоэлектрические свойства селенида серебра и теллурида свинца.

40. В кн.: Получение и поведение материалов в космосе. М.:Наука,1978, с. 163 170.

41. Пайнс Д. Проблема многих тел. М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1963. - 232 с.

42. Петраковский Г.А., Лосева Г.В., Соколович В.В. и др. Высокотемпературный ферромагнетизм и переход металл-полупроводникIв хромовой сульфошпинели железа. ЗЕЭТФ, 1980, 70, Р 6(12), с. 2413 - 2421.

43. Полуэмпирические методы расчета электронной структуры. М.: Мир, 1980, т.1, с.47.

44. Равич Ю.Й., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца тР^Тб. ,

45. PSSe , Pes . м. -.Наука, 1968. - 383с.

46. Ройцин А.Б. Теория глубоких центров в полупроводниках. -Шй, 1974, 8, №1, с. 3-29.

47. Рябоконь В.Н., Свидзинский К.К. Акцепторные примеси замеще-ния в полупроводниках. ФТП, 1971, 5, № 10, с. 1865 - 1870.

48. Самсонов Г. В., Прядко И.®., Прядко JI.3?. Электронная локализация в твердом теле. М.: Наука, 1976. - 340 с.

49. Слэтер Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. М.: Мир, 1978. - 662 с.

50. Соколов В.И., Черняев В.В., Чукичев М.В. и др. Электронные переходы в SnSe. , обусловленные <№ . ёТТ, 1983 , 25, № 6, с. 1585 - 1589.

51. Стоунхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах. М.: Мир, 1978, т.1, - 569 с.

52. Тележкин В.А., Толпыго К.Б. Рассмотрение локальных центров валентных кристаллов как задачи многих электронов. ФТТ, 1977, 19, №10, с. 3031 - 3039.

53. Физика и химия соединений А11^1. Пер. с англ. Под ред. проф.

54. С.А.Медведева. М.:Мир, 1970. - 624с.

55. Харрисон У. Псевдопотенциалц в теории металлов. М.: Мир, 1968. - 314 с.

56. Эварестов Р.А. Квантовохимические методы в теории твердого тела. Д.: Изд. Леиингр. ун-та, 1982. - 280 с.

57. Эварестов Р.А., Котомин Е.А., Ермошкин А.Н. Молекулярные модели точечных дефектов в широкощелевых твердых телах. Рига: Зинатне, 1983.

58. Эварестов Р.А. Кластерное приближение в теории точечных дефектов в твердых телах. ЖСХ, 1983, 24, № 4, с. 44 - 61.

59. Anderson P., Localized magnetic states in metals. Phys. Rev., 1961, 124, nN 1, p. 41 - 53.

60. Bari R.A., Kaplan T.A. Electrical conductivity and thermodynamics of the narrow-half-field-band Habbard model. Phys. Rev.,1972, B6, U12, p. 4623 4628.

61. Bartel L.S. Modified Zener model for ferromagnetism in transition metals and alloys. Model calculation of T . Phys. Rev.,С1973, B7> H7, p. 3153 3165.2+

62. Biernacki S.W. and Hamera M. LGAO approach to Mn in ZnSe. -Phys. Stat. Sol.(b), 1977, 79, N2, p. 683 689.

63. Brown D.A., Chambers W.J., Fitzpatrick N.J. Molecular orbital theory of transition metal complexes. Inorg. Chem. Acta Revs., 1972, 6, N1, p. 7 - 30.

64. Cieplak M.Z., Godlewski M. and Baranowski J.M. Optical charge transfer spectra of Cr2+(d^) and Cr+(d^") in CdTe. Phys. State Sol.(b), 1975, 70, N1, p. 323 - 331.

65. Gusachs L. Semiempirical molecular orbitals for general poly-^ atomic molecules. J. Chem. Phys., 1965, 43, N10,p. 4743 -4744.

66. Dahl J.P., Ballhausen G.J. Molecular orbital theory of inorganic complexes. Adv. Quant. Chem., 1968, 4, N1, p. 170-226.

67. De Alti G., Galasso V. On the overlap population analysis in the SCCG MO method. Chem. Phys. Lett., 1971, 8, N2, p. 223 -225.

68. Doniach S. Theory of low-temperature anomalies in dilute al— loys. Phys. Rev., 1966, 144, N2, p. 382 - 389.

69. Duke C.B., Silverstein S.D. Theory of s-d scattering in dilute magnetic alloys.II. Derivation and solution of linear vertex equations. Phys. Rev., 1967, 161., 12, p. 470 - 477.

70. Epstein A.J., Etemad S., Garito A.P., Heeger A.J. Metal-insulator transition and antiferromagnetism in a one-dimantional organic solid. Phys. Rev., 1972 B5, 113, p. 952 - 977.

71. Epstein A.J., Conwell E.M., Sandman D.J., Miller J.S. Electrical conductivity of N-methyl phenazinium tetracyanoquinodi-methane (NMP-TCNQ). Sol. State Gommun., 1977, 23, ИЗ, p.355-358.

72. Ermoshkin A.N., Evarestov R.A. Point defects in Lithium Hydride crystals. Phys. Stat. Sol.(b), 1974, 66, H2, p. 687 -694.

73. Ew/arage A.O., Woodbury D.A. Electrical properties of manganese-doped gallium phosphide. J. Appl. Phys., 1976, 47, N4, p. 1595 - 1596.

74. Pock V. Natierungsme thode zur Lossung des quantenmechanischen Mehrkorperproblems. Z. Phys., 193o, Bd.61^, s. 126 - 148.

75. Gaj J.A., Ginter J., Galazka R.R. Exchange Interaction of5

76. Manganese 3d States with Band Electrons in CcL Mn Те.1.""л X

77. Phys. Stat. Sol.(b), 1978, 89, N2, p. 655 662.

78. Haas G. Spin-disorder scattering and magnetoresistance of magnetic semiconductors. Phys. Rev., 1968, 168, Ж2, p.535-538.

79. Hattori K. Effects of intra-site vibrations on the electrical conductivity in a disorder Hubbard chain. J. Phys. Soc. Japan, 198o, 49, H2, p. 638 - 643.

80. Haydock R., Heine V., Kelly M.J. Electronic structure based on the local atomic environment for tight-binding bands. -J. Phys. C5, N20, p. 2845 2858.

81. Hubbard J. Electron correlation in narrow energy bands.- Proc. Roy. Soc., 1963, A276, p. 238 257.

82. Hubbard J. Electron correlation in narrow energy bands. 3. -Proc. Roy. Soc., 1964, A281, p.401 419.

83. Hubbard J. Electron correlation in narrow energy bands. 4. -Proc. Roy. Soc., 1965, A285, p. 542 547.

84. Hubbard J. Electron correlation in narrow energy bands. 5. -Proc. Roy. Soc., 1967, A296, p. 82 89.

85. Ihle D. Electrical conductivity in the Hubbard model including electron-phonon interaction. Preprint JINR, E7-10319, Dubna, 1976.

86. Ihle D. Electrical conductivity in the strong coupling nonhalf-filled and Hubbard model. Phys. Stat. Sol.(b), 1978, 86, N1. p. 283 - 289.

87. Jaczynski M., Kossut J., Galazka R. Influence of exchange interaction on the quantum transport phenomena in Hg^ ^Mn^Te.-Phys. Stat. Sol.(b), 1978, 88, N1, p. 73 85.

88. Joannopoulos J.D., Xndurain P. "Cluster-Bethe-lattice" method: electronic density of states of amorfous and crystalline homopolar solids. Phys. Rev. B, 1974, 10, 112, p.5164-5174.

89. Jullie D.W., Lukens J.E., Kao Y.H. Observation of interactions between two superconducting phase-slip centers. Phys. Rev. Lett., 1977, 28, N16, p. 915 - 918.

90. Kalra M.L. Role of the electron scattering processes in the Hubbard model in the insulator-to-metal transition. Phys. Stat. Sol.(b), 1983, B115 , N2, p. 575 - 585.

91. Kogutyuk I.P., Uitsovich V.M., Skrypnik F.V. A study of the concentration dependence of Hall and Verdet coefficients in the Hubbard model. Phys. Stat. Sol.(b), 1980, 99, N1,p.183-186.

92. Kolodziejczak J. Transport of current carriers in n--type indium antimonide at low temperature. Acta phys. pol., 1961, 20, N4, p. 289 - 302.

93. Kondo J. Resistance minimum in dilute magnetic alloys. -Prog. Theor. Phys., 1964, 32, N1, p. 37 49.

94. Kossut J. On the scattering of conduction electrons by magnetic impurities in semiconductors of InSb-type and HgTe-type band structure. Phys. Stat. Sol.(b-), 1975, B72, И1, p. 359-367.

95. Kossut J., Walukiewicz A. The longitudiaal magnetophonon effect in semiconductors containing magnetic impurities. -Sol. State Commun., 1976, 18, N3, p. 343 345.

96. Kossut J. The disordered scattering in zincblende narrow-gap semiconducting mixed cristals. Phys. Stat. Sol.(b), 1978, B86, N2, p. 593 - 601.

97. Koster G.F., Slater J.C. Wave functions for impuriry levels.-Phys. Rev., 1954, 94» p. 1395.

98. Kozarzewski B. Indirect coupling between localized magnetic moments by narrow band electrons. Acta Phys. Pol., 1980, A 57, Ж4, p. 541 - 548.

99. Kranzer D. Hall and drift mobility of polar p-type semiconductors: II. Application to ZnSe, CdTe and ZnTe. J.Phys.С, 1973, 6, N 14, p. 2977 - 2987.

100. Kubo K. Statistical-mechanical theory of irreversible processes. J. Phys. Soc. Japan, 1957, Г2, N6, p. 570 - 586.

101. Lindstrom M., Kuivalainen P. et al. Photomagnetoresistence Cd, J«ln Те. Physica, 1983, BO 117 - 118, pt. 1, p. 4791."""-A. '481.

102. Lloyd P., Wave an propagation through an assembly of spheres. II. The density of single-particle eigenstates. Proc. Roy.Soc., 1967, 99, N567, p. 207 - 216.

103. Lowdin P.O. Approximate formulas for manycenter integrals in the theory of molecules and crystals. J. Ghem. Phys., 1953, 21., N2, p. 373 - 375.

104. Lyapilin I.I. Threshold scattering of conduction electrons by magnetic impurities in semimagnetic semiconductor in strong magnetic field. Sol. Stat. Commun., 1983, 45, N3,p.309-310.

105. Messmer R.P., Watkins G.D. Molecular-orbital treatment for • deep levels in semiconductors: Substitutional Nitrogen andthe lattice vacansy in diamond. Phys. Rev. B, 1973, p. 2568 - 2590.

106. Mott H.F. The transition to the metallic state. Phylos. Mag., 1961, 6, N 62, p. 287 - 309.

107. Mott N.F. Electrons in transition metals. Adv. Phys.,1964, 12, N 51, p. 325 - 422.

108. Mulliken R.S. Electronic population analysis of LOAO MO molecular wave function.I. J. Chem. Phys., 1955, 23., p.1833-1840.

109. Murrell J.l. & Harget A.J. Semi-empirical self-consistent-field molecular orbital theory of molecules. London: Wi-ley-Interscience, 1972, 180 p.

110. Nagaoka Y. Self-consistent theory of low-temperature anomalies due to s-d exchange interaction. Prog. Theor.Phys., 1967, 31» И1, p. 13 - 28.

111. Nguyen The Khoi, Ginter J. and Twardo?/ski A. Magnetooptical study of the fundamental absorption edge in Cd. Mn Те.1.Л

112. Phys. Stat. Sol.(b), 1983, Ц7, N1, P* 74115. Nolting W. On the connection between electric and magnetic properties of the Hubbard model. - Phys. Stat. Sol.(b), 1975, В70, Ж 2, p. 505 - 516.

113. Ohkawa P., Fukuyama H. Effects of paramagnetic impurity scattering in weakly localized regime of disorder two-dimentional systems. Techn. Kept. ISSP, 1981, A, N 1158, p. 1 -22.

114. Osborne C.P. Impurities in 3d-transition metals: Correlation effects in narrow energy bands. J. Phys. P: Metal Phys., 1972, 2, Ж 6, p. 1100 - 1113.

115. Pantelides S.T. The electronic structure of impurities andother point defects in semiconductors. Eev. Mod. Phys., 1978, 50, 14, p. 797 - 859.

116. Radlinski A.P. On properties of cobalt impurities in zinc selenide crystals,. Phys. Stat. Sol.(b), 1978, 86, Ж 1, p. 41 - 46.

117. Ridley B.K. Photo-Hall effect and photoconductivity in p-type epitaxial GaAs:Cr. J. Phys. G, 1982, 15., Ж 33,p. 6865 6879.

118. Roothaan G.G.J. New developments in molecular orbital theory. Rev. Mod. Phys, 1951, 23, N1, p. 69 - 89.

119. Sadakata I. Effects of impurities on strongly correlated electrons in a narrow band. Techn. Rept. ISSP, 1973, A, N 567, p. 1 - 31.

120. Savage H., Rhyne j.j., Holm R. et al. Magnetic properties of manganese-doped mercury telluride. Phys. Stat. Sol.(b), 1973, 58, 112, p. 685 - 689.

121. Schrieffer J.R. and Wolff P.A. Relation between the Anderson and Kondo Hamiltonian. Phys. Rev., 1966, 149, N2, p.491 -492.

122. Schulmann J.N., McGill T.C. Band strueture of AlAs-GaAs(100) superlattices. Phys. Rev. L2?tt., 1977, 39, Ж 26, p.1680 -1683.

123. Silverstein S.D., Decke C.B. Theory of s-d scattering in dilute magnetic alloys. I. Pertrubation theory and the derivation of the low equation. Phys. Rev., 1967, 161, Ж 2,p. 456 469.

124. Stankiewicz J. and Aray A. Electrical properties ofp-type Mn^Gd^Te crystals. J. Appl. Phys., 1982, 53, Ж4, p.3117-3125.

125. Suhl H. Paramagnetic impurities in metals at finit temperatures. Physics, 1965, 2, И 1, p. 39 - 59.

126. Toth G., Leloup J.Y., Rodot H. Scattering by magnetic Mn impurities in PbTe:Mn alloys. Phys. Rev.£, 1970, 1,, N 12,p. 4573 4577.

127. Twardowski A., Nawrocki M., Ginter J. Exitonic magnetoabsorp-tion in Cd., Lin Те mixed crystals. Phys. Stat. Sol.(b),1."""X л1979, 96, IT 2, p. 497 506.

128. Twardowski A., Rokita E., Gaj G.A. Valence band spin-orbit splitting in CdTe and Cd^^In^Te and giant Zeeman effect in the I7 band of Cd. Mn Те. Sol. State Commun., 1980, 36, H 11, p. 927 - 930.

129. Ueda K., Moriya T. Contribution of spin fluctuations to the electrical and thermal resistences of weakly and nearly ferromagnetic metals. J. Phys. Soc. Japan, 1975, 39, N3,p.605-615.

130. Van Vleck J.II. Models of exchange coupling in ferromagnetic media.- Rev. Mod. Phys., 1953, 25, N1, p. 220

131. Watabe M. Transport coefficients of quantum plasma. Prog. Theor. Phys., 1962, 28, U2, p. 265 - 282.

132. Wolff P.A. Localized moments in metals. Phys Rev., 1961, 124, IT 4, p. 1030 - 1035.

133. Wolfsberg M., Helmholz L. The spectra and electronic structure of the tetrahedral ions MnO^, CrO^ and CIO^. -J.Chem.Phys., 1952, 20, N 3, p. 837 843.

134. Woodbury D.A., Kennewell J.A., Blacemore J. Negative magneto-resistance in GaAs containing Mn or Ni.-J. Appl. Phys., 1977,48, ИЗ, p. 1268 1271.

135. Yndurain P., Loannopoulos J.D. "Cluster-Bethe lattice" me-thode: the electronic density of states of heteropolar systems. Phys. Rev.,B, 1975, 11, N8, p. 2957 - 2964.1. ПРИМЕЧАНИЕ

136. Личный вклад диссертанта в работы, написанные в соавторстве

137. Дейбук В.Г., Чоботар В.И., Мельничук С.В., Ульяницкий К.С., Ницович В.М., Савицкий А.В. Подвижность носителей тока в тел-луриде кадмия, легированном марганцем. Известия вузов СССР. Физика, 1982, № 4, с.24-28.

138. В работе температурные зависимости подвижности, носителей тока измерены экспериментально и вычислены теоретически как в чистых образцах теллурида кадмия, так и в легированных марганцем.

139. Дейбук В.Г., Мельничук С.В., Ницович В.М. Низкотемпературные особенности кинетических коэффициентов узкощелевых полупроводников, легированных магнитными примесями. УЖ, 1983, 28, № I, с.94-97.

140. Диссертанту принадлежат все теоретические расчеты кинетических коэффициентов в узкощелевых полупроводниках, легированных примесями переходных металлов. Руководили работой доцент Мельничук С.В. и профессор Ницович В.М.

141. Диссертантом выполнены все основные расчеты, принимал участие в постановке задачи. Вивчарюк В.Н. выполнил некоторые численные расчеты. Постановка задачи принадлежит доценту Мельничуку С.В. Руководил работой профессор Ницович В.М.

142. Исследуется влияние примеси марганца на термо-эдс узкощелевого твердого раствора в области низких примесных концентраций.

143. Диссертантом выполнены все теоретические и численные расчеты. Руководили работой профессор Ницович В.М. и доцент Мельни-чук С.В.

144. На основе метода функций Грина в работе исследуется статическая электропроводность в узких энергетических зонах, обусловленная рассеянием носителей тока на парамагнитных примесях.

145. Диссертант принимал участие в постановке задачи, а также выполнил все теоретические расчеты. Руководили работой профессор Ницович В.М. и доцент Мельничук С.В.

146. В работе исследуются энергетическая структура, оптические свойства и ЯМР бинарных полупроводников в присутствии магнитных примесных атомов группы железа.

147. Энергетическая структура исследовалась диссертантом. Мельни-чуку С.В. принадлежат расчеты оптических переходов в бинарных полупроводниках с магнитными примесями. Руководили работой доц. Мельничук С.В. и проф. Ницович В.М.

148. Диссертанту принадлежит исследование кинетических свойств материалов с узкими энергетическими зонами при учете рассеяния на магнитных примесях. Оптические свойства исследовались Вивчарю-ком В.Н. и Крамарем В.М. Руководил работой проф. Ницович В.М.

149. Дейбук В.Г., Мельничук С.В. Самосогласованный расчет примесных уровней системы СЫХе: Мгь . У®, 1984, т.29, № 2, с.305-306.

150. Диссертантом проведены основные расчеты, принимал участие в постановке задачи. Постановка задачи и руководство работой принадлежат доценту Мельничуку С.В.