Глубокие уровни точечных дефектов в сплавах на основе халькогенидов свинца тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.09 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЗОННАЯ СТРУКТУРА И ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ДЕФЕКТОВ

В СПЛАВАХ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА

1.1. Энергетический спектр носителей заряда в сплавах на основе халькогенидов свинца

1.2. Влияние облучения электронами на свойства сплавов Pb].xSnxSe HPbi.xSnxTe

1.3. Влияние легирования примесями с переменной валентностью на свойства РЬТе и сплавов на его основе

1.4. Особенности легирующего действия галлия в РЬТе и сплавах на его основе

ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ОБРАЗЦЫ

2.1. Методика измерения гальваномагнитных и фотоэлектрических эффектов

2.2. Методика создания и измерения давления

2.3. Методика облучения быстрыми электронами

2.4. Подготовка образцов к измерениям. Параметры исследованных образцов

ГЛАВА III. ЗОНА РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ОБЛУЧЕННЫХ

ЭЛЕКТРОНАМИ СПЛАВАХ PbbxSnxSe(x<0.03)

3.1. Полевые зависимости коэффициента Холла в окрестности перехода диэлектрик-металл, индуцированного давлением

3.2. Зависимости концентрации дырок от давления в окрестности перехода диэлектрик-металл

3.3. Параметры зоны радиационных дефектов

ГЛАВА IV. ГЛУБОКИЕ УРОВНИ ГАЛЛИЯ В СПЛАВАХ РЬ1.хОехТе<Оа>

4.1. Гальваномагнитные эффекты при вариации положения уровня Ферми и состава сплава

4.2. Модель энергетического спектра носителей заряда

ГЛАВА V. ЗАДЕРЖАННАЯ ФОТОПРОВОДИМОСТЬ И ДОЛГОВРЕМЕННЫЕ

РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В СПЛАВАХ РЬ1хОехТе<Оа>

5.1. Фотоэлектрические явления и кинетика фотопроводимости при инфракрасной подсветке

5.2. Пик отрицательной фотопроводимости, индуцированный стационарной инфракрасной подсветкой

Исследование энергетического спектра и микроскопической структуры точечных дефектов в кристаллических твердых телах и, в особенности, в полупроводниках является одной из важнейших задач современной физики твердого тела. Примеси и другие точечные дефекты (собственные и радиационные дефекты), в значительной степени модифицируют энергетический спектр полупроводника и позволяют эффективно управлять электрофизическими, оптическими и фотоэлектрическим свойствами исходных кристаллов [1-3]. Облучение быстрыми частицами может кроме того приводить к образованию новых типов дефектов (комплексы, кластеры) не типичных для равновесного состояния кристалла и позволяет получать материалы с новыми физическими свойствами, которых невозможно достичь другими способами [4, 5].

Изучение энергетического спектра и природы радиационных дефектов и примесей в халькогенидах свинца и сплавах на их основе имеет свои специфические особенности, важнейшими из которых являются следующие. Во-первых, эти материалы, как и все полупроводники группы А4В6, характеризуются значительными отклонениями от стехиометрического состава. Поэтому исходные нелегированные кристаллы имеют высокие концентрации собственных точечных дефектов (№=1018-И019 см"3), которые по своей природе близки к первичным радиационным дефектам (вакансии и междоузельные атомы в подрешетках металла и халькогена). Это обстоятельство существенно затрудняет экспериментальные исследования, поскольку требует выделения вклада легирующей примеси и радиационных дефектов в исследуемые параметры полупроводника на фоне вклада собственных структурных дефектов.

Во-вторых, эти полупроводники относятся к классу узкощелевых материалов и обладают малой шириной запрещенной зоны, малыми эффективными массами носителей заряда и высокими значениями диэлектрической проницаемости. Поэтому мелкие водородоподобные уровни дефектов в этих материалах вообще не наблюдаются, а глубокие уровни радиационных дефектов и примесей, в отличие от широкозонных полупроводников, располагаются в основном на фоне разрешенных состояний и являются резонансными уровнями [6-9].

И, наконец, в-третьих, при высоких (существенно превышающих концентрации собственных структурных дефектов) концентрациях легирующей примеси или радиационных дефектов уровень Ферми в полупроводниках А4В6 оказывается стабилизированным глубоким дефектным уровнем, положение которого относительно краев разрешенных зон зависит от температуры, магнитного поля, состава сплава и давления [9-11]. В этих условиях изменение состава полупроводника или приложение внешнего давления позволяют изменять относительное расположение краев разрешенных зон и примесных или радиационных уровней, индуцируя перераспределение носителей заряда между локализованными и зонными состояниями и даже переходы металл-диэлектрик или диэлектрик-металл [9, 11].

К началу выполнения настоящей работы был накоплен обширный экспериментальный и теоретический материал по влиянию легирования примесями III группы (In, Ga, Tl,) и облучения быстрыми электронами на энергетический спектр носителей заряда и электрофизические свойства полупроводников А4В6 [9-11]. Однако, существовал и целый ряд спорных вопросов и нерешенных проблем, требующих дополнительного экспериментального изучения. Настоящая работа посвящена решению части таких проблем для двух групп сплавов на основе халькогенидов свинца - сплавов Pbj„xSnxSe(x<0.03), облученных быстрыми электронами, и сплавов Pb[„xGexTe (0.04<х<0.08), легированных галлием.

Ранее было установлено, что облучение сплавов PbixSnxSe(x<0.03) быстрыми электронами приводит к возникновению в энергетическом спектре носителей заряда глубокого уровня (зоны) радиационнных дефектов, расположенного в запрещенной зоне и стабилизирующего уровень Ферми чуть выше потолка валентной зоны. Гидростатическое сжатие облученных кристаллов вызывает сближение глубокого уровня с потолком валентной зоны, перетекание электронов из валентной зоны на уровень и переход диэлектрик-металл, индуцированный давлением. Однако, надежные экспериментальные данные о структуре и основных параметрах зоны радиационных дефектов, а также механизмах проводимости в окрестности перехода диэлектрик-металл, индуцированного давлением, отсутствовали.

Легирование сплавов РЬ1хОехТе(0.04<х<0.08) галлием вызывает появление глубокого примесного уровня (или уровней) ян-теллеровского типа, стабилизирующего уровень Ферми в запрещенной зоне сплавов. В легированных сплавах обнаружены долговременные (с характерными временами до 105 с) релаксационные процессы при низких температурах, связанные с переходами между глубокими уровнями и разрешёнными зонами при инфракрасной (ИК) подсветке, и эффект задержанной фотопроводимости при гелиевых температурах. Однако, энергетическое положение глубоких уровней (диаграмма перестройки энергетического спектра носителей заряда при изменении состава сплава) и даже количество глубоких уровней, а также параметры, характеризующие долговременные релаксационные процессы при ИК фотовозбуждении в легированных галлием сплавах, были неизвестны.

Цель работы. Общая задача настоящей работы состояла в исследовании гальваномагнитных и фотоэлектрических явлений в сплавах на основе халькогенидов свинца с глубокими уровнями радиационных дефектов и примесей с целью построения моделей перестройки энергетического спектра носителей заряда при изменении состава сплавов и под давлением, а также определения параметров, характеризующих долговременные релаксационные процессы при ИК фотовозбуждении в легированных сплавах.

Конкретные задачи исследования включали в себя:

1. Исследование гальваномагнитных явлений в слабых и сильных магнитных полях с целью получения информации о механизмах проводимости и параметрах носителей заряда в окрестности перехода диэлектрик-металл, индуцированного давлением в сплавах РЬ1.х8пх8е(х<0.03), облученных быстрыми электронами.

2. Построение барических зависимостей концентрации дырок в металлической фазе облученных электронами сплавов РЬ1х8пх8е(х<0.03) и определение основных параметров зоны радиационных дефектов в рамках существующей модели энергетического спектра облученных сплавов.

3. Поиск и обнаружение глубоких дефектных уровней, индуцированных примесью ва в энергетическом спектре носителей заряда сплавов РЬ1.хОехТе(0.04<х<0.08), и построение диаграммы перестройки спектра при изменении содержания германия в сплавах.

4. Изучение кинетики фотопроводимости в сплавах РЬ1хОехТе (0.04<х<0.08), легированных галлием, определение критической температуры появления задержанной фотопроводимости, энергетического барьера в конфигурационном пространстве и характерных времен релаксации фотопроводимости при ИК фотовозбуждении легированных галлием сплавов.

Научная новизна и положения, выносимые на защиту.

В настоящей работе исследованы гальваномагнитные явления в облученных электронами сплавах РЬ1х8пх8е(х<0.03) в окрестности перехода диэлектрик-металл, индуцированного давлением, а также гальваномагнитные и фотоэлектрические явления в легированных галлием сплавах РЬ1.хОехТе (0.04<х<0.08) при вариации концентрации легирующей примеси и потока электронного облучения.

В результате проведенных исследований в работе впервые:

1. В окрестности перехода диэлектрик-металл, индуцированного давлением, определены основные параметры носителей заряда в облучённых электронами сплавах РЬ1х8пх8е(х<0.03) и обоснована необходимость учета существования трёх механизмов проводимости: поверхностной проводимости электронного типа, зонной дырочной проводимости и дырочной проводимости по зоне радиационных дефектов Е^.

-82. Путём сравнения экспериментальных и теоретических зависимостей концентрации носителей заряда от давления в металлической фазе, индуцированной давлением, определены основные параметры зоны радиационных дефектов Е^ в сплавах РЬ1х8пх8е(х<0.03) (скорость генерации радиационных дефектов сПЧи/с1Ф и ширина зоны а).

3. Обнаружены увеличение концентрации электронов и переходы из диэлектрической в металлическую фазу в легированных галлием сплавах РЬ1.хОехТе как в результате увеличения содержания легирующей примеси, так и при электронном облучении. Предложена модель перестройки энергетического спектра носителей заряда в исследованных сплавах под действием облучения быстрыми электронами.

4. В запрещенной зоне легированных галлием сплавов РЬ1.хСехТе(0.04<х<0.08) обнаружен глубокий дефектный уровень, положение которого относительно дна зоны проводимости зависит от состава сплава. Построена энергетическая диаграмма движения уровня относительно краёв разрешенных зон при изменении состава сплава и показано, что легирование галлием должно приводить к возникновению в энергетическом спектре сплавов РЬ1.хОехТе двух различных глубоких уровней.

5. Установлено, что в сплавах РЬ1.хвехТе кинетика релаксации фотопроводимости при низких температурах (Т<ТС«60 К) характеризуется наличием, по крайней мере, двух механизмов рекомбинации неравновесных носителей заряда с существенно различающимися временами жизни. Определены основные параметры, характеризующие релаксационные процессы (времена жизни неравновесных носителей заряда Т] и т2, высота энергетического барьера разделяющего зонные и примесные состояния в конфигурационном пространстве).

6. На кривых нарастания фотопроводимости обнаружены аномальные участок задержки фотоотклика и пик отрицательной фотопроводимости при стационарной ИК подсветке сплавов РЬ1.хОехТе<Оа> в области низких температур (Т<ТС«60 К). Обнаруженные особенности объясняются в рамках модели, предполагающей фотоиндуцированный структурый переход по крайней мере части объёма образца из ромбоэдрической в кубическую фазу в результате фотоионизации носителей заряда с примесного уровня в зону проводимости и перестройки кристаллического окружения дефектных центров.

Практическая ценность диссертационной работы заключается в том, что:

1. Полученные в настоящей работе данные о скорости генерации и параметрах глубоких уровней радиационных дефектов в сплавах Pbi.xSnxSe, Pbi.xGexTe<Ga> могут быть использованы для эффективного управления параметрами этих материалов и приборных структур на их основе с помощью электронного облучения, изготовления датчиков потока и интенсивности облучения при регистрации больших интегральных потоков электронов, а также могут позволить прогнозировать пределы работоспособности приборных структур на основе халькогенидов свинца в условиях проникающей радиации и вести целенаправленный поиск путей повышения их радиационной стойкости.

2. В работе продемонстрированы возможности реализации диэлектрического состояния с низкими (близкими к собственной) концентрациями носителей заряда и определены основные параметры, характеризующие долговременные релаксации фотопроводимости, в сплавах PbixGexTe, легированных галлием. Эти результаты представляют интерес с точки зрения изготовления согласованных по параметру решетки изолирующих подложек для эпитаксиальных плёнок и приборных структур, разработки высокочувствительных фотоприемных устройств на основе легированных сплавов, а также расширения спектрального диапазона фоточувствительности приёмников ИК излучения на основе халькогенидов свинца.

Апробация работы. Результаты исследований, изложенные в диссертации, докладывались и обсуждались на II и III Международных школах-коференциях «Физические проблемы материаловедения полупроводников» (Черновцы, Украина, 1997, 1999 гг.), VIII Международной конференции «Мелкие уровни в полупроводниках» (Монпелье, Франция, 1998 г.), VIII Международной конференции «Высокие давления в физике полупроводников» (Салоники, Греция, 1998 г.), IV и V Международных конференциях «Материаловедение и свойства материалов для инфракрасной оптоэлектронники» (Киев, Украина, 1998, 2000 гг.), Международной конференции студентов и аспирантов по фундаментальным наукам "Ломоносов-99" (Москва, 1999 г.), VIII Международной конференции «Идентификация и визуализация дефектов в физике полупроводников» (Нарита, Япония, 1999 г.), IX Международной конференции по узкощелевым полупроводникам (Берлин, Германия, 1999 г.), IV Российской конференции по физике полупроводников "Полупроводники-99" (Новосибирск, 1999 г.), Осенней сессии американского общества материаловедов - MRS Fall Meeting (Бостон, США, 1999 г.), VI Международном совещании «Нелинейная оптика и кинетика возбуждений в полупроводниках» (Марбург, Германия, 2000 г.), IX Международной конференции «Мелкие уровни в полупроводниках» (Хиого, Япония, 2000 г.), II Международной конференции «Фундаментальные проблемы физики» (Саратов, 2000 г.).

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка литературы. Первая глава содержит литературный обзор по теме исследования, вторая глава - описание экспериментальных методик, применяемых в работе, а каждая из последующих трёх глав содержит оригинальные результаты, полученные автором.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. В окрестности перехода диэлектрик-металл, индуцированного давлением, исследовано влияние давления на электрофизические свойства облученных электронами сплавов РЬ1х8пх8е(х<0.03) п- и р-типа. В рамках двухзонной модели рассчитаны полевые зависимости коэффициента Холла, удовлетворительно согласующиеся с экспериментальными данными, и определены основные параметры носителей заряда в облучённых сплавах. Показано, что в окрестности перехода диэлектрик-металл необходимо учитывать существование трёх механизмов проводимости: поверхностной проводимости электронного типа, зонной дырочной проводимости и дырочной проводимости по зоне радиационных дефектов Ец.

2. Установлено, что в облучённых электронами сплавах РЬ1.х8пх8е(х<0.03) переход диэлектрик-металл под действием давления сопровождается перетеканием электронов из валентной зоны в зону радиационных дефектов Еи и, как следствие, увеличением концентрации свободных дырок. Путём сравнения экспериментальных и теоретических барических зависимостей концентрации дырок в металлической фазе определены основные параметры зоны радиационных дефектов Е1ь скорость генерации радиационных дефектов с1Ни/<ЗФ=(0.45±0.1) см"1 и ширина зоны а=(15±5) мэВ.

3. Исследовано влияние электронного облучения на электрофизические свойства сплавов п-РЬ 1 х6ехТе(0.04<х<0.08), легированных галлием. Показано, что облучение быстрыми электронами так же, как и увеличение содержания галлия в сплавах, индуцирует увеличение концентрации электронов и переход к металлическому типу проводимости и может служить эффективным, дополнительным к легированию, средством управления электрофизическими параметрами легированных сплавов. Предложена модель перестройки энергетического спектра носителей заряда в сплавах РЬ1хОехТе<Оа> под действием облучения быстрыми электронами.

-1104. Установлено, что легирование РЬ1хОехТе галлием приводит к формированию в запрещённой зоне сплавов глубокого примесного уровня галлия, положение которого относительно потолка валентной зоны практически не зависит от содержания германия в сплаве: Е0а - Ь~6 « 45 - 2000 х мэВ. Предложена модель энергетического спектра носителей заряда, позволяющая предположить, что легирование теллурида свинца и сплавов на его основе галлием должно приводить к появлению в энергетическом спектре двух различных дефектных уровней. В теллуриде свинца это известный ранее глубокий уровень, расположенный на 70 мэВ ниже дна зоны проводимости, и резонансный уровень в зоне проводимости.

5. Показано, что в сплавах РЬ].хОехТе<Са> кинетика релаксации фотопроводимости при низких температурах (Т<ТС) характеризуется наличием двух типов релаксационных процессов: быстрого с характерным временем Т]~0.1 с и медленного - х2>103 с. Для сплава РЬо.94Сгео.обТе<Оа> по температурной зависимости времени релаксации фотопроводимости в рамках модели, предполагающей возникновение автолокализационного энергетического барьера, разделяющего примесные и зонные состояния в конфигурационном пространстве при низких температурах, оценена высота барьера W=23±2 мэВ.

6. В области низких температур (Т<ТС) на кривых нарастания фотопроводимости сплавов РЬ1.хОехТе<Оа> обнаружены участок задержки фотоотклика и пик отрицательной фотопроводимости. Для объяснения обнаруженных аномалий предложена модель, согласно которой при ИК подсветке сплавов происходит постепенное накопление искажений в ближайшем кристаллическом окружении примесных центров и переход по крайней мере части объёма образца в кубическую фазу из-за опустошения дефектных центров в результате активации электронов с примесного уровня в зону проводимости и перестройки кристаллического окружения дефектных центров.

1. Точечные дефекты в твердых телах. Сборник статей. //М.: Мир, 1979.

2. Ланно М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. //М.: Мир, 1984.

3. Ланно М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. //М.: Мир, 1985.

4. Физические процессы в облучённых полупроводниках. Под ред. Л.С. Смирнова. //Новосибирск: Наука, 1977.

5. Вавилов B.C., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. //М.: Наука, 1988.

6. Каллуэй Дж. Теория энергетической зонной структуры. //М.: Мир, 1969.

7. Бассани Ф., Пастори Паравичини Дж. Электронные переходы и оптические переходы в твёрдых телах. //М.: Наука, 1982.

8. Кайданов В.И., Равич Ю.И. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках AIVBVI. //УФН, 1985, т.145, в.1, с.51-86.

9. Маделунг О. Физика твердого тела. Локализованные состояния. //М.: Наука, 1985.

10. Akimov В.А., Dmitriev A.V., Khokhlov D.R. and Ryabova L.I. Carrier transport and non-equilibrium phenomena in PbTe and related materials. //Phys. Stat. Sol. (a), 1993, v.137, N1, p.9-55.

11. И. Брандт Н.Б., Скипетров Е.П. Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках AIVBVI с помощью давления (обзор). //Физика низких температур, 1996, т.22, №8, с.870-891.

12. Абрикосов Н.Х., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI. IM.: Наука, 1975.

13. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца РЬТе, PbSe и PbS. /М.: Наука, 1968.

14. Kawamura Н. Phase transition in IV-VI compounds. //Lect. Notes in Phys., 1980,v.l33,p.470-494.

15. Жукова Т.Б., Заславсшй А.И. Исследование фазового превращения и структуры a-GeTe. //Кристаллография, 1967, т.12, в.1, с.37-41.

16. Лебедев А.И., Случинская И.А. Влияние легирующих примесей на сегнетоэлектрические фазовые переходы в PbTej.xSx и Pbj.xGexTe. //ФТТ, 1993, т.35, в.З, с.629-635.

17. Лебедев А.И., Абдуллин Х.А. Исследования электрических свойств Pbi.xGexTe с примесью индия в области фазового перехода. //ФТП, 1984, т. 18, в.4, с.624-627.

18. Такаока S., Murase К. Anomalous resistivity near the ferroelectric phase transition in (Pb, Ge, Sn)Te alloys semiconductors. //Phys. Rev. B, 1979, v.20, N7, p.2823-2833.

19. Suski Т., Такаока S., Ishii K., Murase K. High-pressure investigation of ferroelectric phase transition in PbGeTe. //J. Phys. C, 1984, v.7, N12, p.2181-2192.

20. Маслов B.B., Барышников C.B., Казаков B.B., Драбкин И.А. Зависимость температуры фазового перехода в Pb.xGexTe от давления и концентрации носителей. //Элементарные возбуждения в сегнетоэлектриках. Л.: 1983, с.30-33.

21. Hohnke D.K., Holloway Н., Kaiser S. Phase relations and transformations in the system PbTe-GeTe. //J. Phys. Chem. Sol., 1972, v.33, N11, p.2053-2062.

22. Antcliffe G.A., Rate R.T., Buss D.D. On the ferroelectric nature of the cubic-rhombohedral phase transition in Pb!xGexTe. //Solid State Commun., 1973, v. 13, N7, p. 1003-1006.

23. Sugimoto M., Matsuda Т., Hatta I. Specific heat capacity of PbbxGexTe at their structural phase transition. //J. Phys. Soc. Jap., 1981, v.50, N5, p.1555-1559.

24. Takano S., Kumashiro Y., Tsuji K. Resistivity anomalies in PbixGexTe at low temperatures. //J. Phys. Soc. Jap., 1984, v.53, N12, p.4309-4314.

25. Rabii S. Investigation of energy-band structures and electronic properties of PbS-113and PbSe. //Phys. Rev., 1968, v. 167, N3, p.801-808.

26. Martinez G., Schluter M., Cohen M.L. Electronic structure of PbSe and PbTe. I. Band structures, densities of states and effective masses. //Phys. Rev. B, 1975, v.ll,N2, p.651-659.

27. Conklin J.B., Johnson L.E., Pratt G.W. Energy bands in PbTe. //Phys. Rev., 1965, v.137, N4A, p. 1282-1294.

28. Rabii S. Energy-band structure and electric properties of SnTe. //Phys. Rev., 1966, v.142, N2, p.478-489.

29. Tung Y.W., Cohen M.L. Relativistic band structure and electronic properties of SnTe, GeTe and PbTe. //Phys. Rev., 1969, v. 180, N3, p.823-826.

30. Bauer G. Magnetooptical properties of IV-VI compounds. //Lect. Notes Phys., 1980, v.133, p.427-446.

31. Calawa A.R., Dimmock J.O., Harman T.C., Melngailis I. Magnetic field dependence of laser emission in PbixSnxSe diodes. //Phys. Rev. Lett., 1969, v.23, N1, p.7-10.

32. Harman T.C., Calawa A.R., Melngailis I., Dimmock J.O. Temperature and compositional dependence of laser emission in Pb!xSnxSe. //Appl. Phys. Lett., 1969, v.14, N11, p.333-334.

33. Harman T.C. Narrow-gap semiconductor lasers. //J. Phys. Chem. Sol., 1971, v.32 (Suppl.), p.363-382.

34. Гуреев Д.М., Засавицкий И.И., Мацонашвили Б.Н., Шотов А.П. Определение зонных параметров твёрдых раствовров Pb.xSnxSe из спектров фотолюминесценции в магнитном поле. //ФТП, 1979, т. 13, в.11, с.2129-2134.

35. Nimtz G., Schlicht В. Narrow-gap lead salts. //Narrow-Gap Semicomductors, Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-New York-Tokyo, 1983, p. 1-117.

36. Kohn S.E., Yu P.Y., Petroff Y., Shen Y.R., Tsang Y., Cohen M.L. Electronic band structure and optical properties of PbTe, PbSe and PbS. //Phys. Rev. B, 1973, v.8, N4, p. 1477-1488.

37. Dimmock J.O., Melngailis I., Strauss A.J. Band structure and laser action in-114

38. PbixSnxTe. //Phys. Rev. Lett., 1966, v.16, N26, p.l 193-1196.

39. Butler J.F., Calawa A.R., Harman T.C. Diode lasers of PbixSnxSe and PbbxSnxTe. //Appl. Phys. Lett., 1966, v.9, N12, p.427-429.

40. Lewis A.V., Nicholas R.J., Ramage G.S., Bauer G., Stradling R.A., Lopez-Otero A. Effective masses in n- and p-type PbixGexTe. //J. Phys. C, 1980, v. 13, N4, p.561-569.

41. Takaoka S., Murase K. Band edge structure transformation due to the ferroelectric transition in Pbi.xGexTe alloy semiconductors. //J. Phys. Soc. Jap., 1982, v.51, N6, p.1857-1864.

42. Bangert E., Bauer G., Fantner E.J., Pascher H. Magnetooptical investigation of phase-transition-induced band-structure changes of PbixGexTe. //Phys. Rev. B, 1985, v.31, N12, p.7958-7978.

43. Antcliffe G.A., Parker S.G., Bate R.T. CW operation and nitric oxide spectroscopy using diod laser of Pbi.xGexTe. //Appl. Phys. Lett., 1972, v.21, N10, p.505-507.

44. Antcliffe G.A., Chapman R.A. Diffused junction photovoltaic infrared detectors using PbbxGexTe with 0.05x<<0.11. //Appl. Phys. Lett., 1975, v.26, N10, p.576-577.

45. Gibson A.F. The absorption spectra of single crystals of lead sulphide, selenide and telluride. //Proc. Phys. Soc., 1952, v.65, Pt.5, N389B, p.378-388.

46. Maitre A., Le Toullec R., Balkanski M. Fundamental absorption of PbSe. //Proc. Intern. Conf. Phys. Semicond., Warszaw, 1972, Pt.2, p.826-831.

47. Лихтер А.И., Пель Э.Г., Руднев A.B. Зависимость ширины запрещённой зоны некоторых полупроводников от давления. //ФТП, 1971, т.5, в.4, с.699-702.

48. Засавицкий И.И., Мацонашвили Б.Н., Погодин В.И. Влияние гидростатического давления на спектры излучения лазеров Pbi.xSnxSe. //ФТП, 1974, т.8, в.4, с.732-736.

49. Martinez G. Band crossing and laser emission in Pb!.xSnxSe alloys underhydrostatic pressure. //Physics of IV-VI Compounds and Alloys, ed. S.Rabii, 1974, p. 215-218.

50. Dimmock J.O. K-p theory for the conduction and valence band of Pb!xSnxTe and Pbi.xSnxSe alloys. //The Physics of Semimetals and Narrow Gap Semiconductors, ed. D.L.Carter and R.T.Bate, PergamonPress, N. Y., 1971, p.319-330.

51. Tsuji K., Takano S. Quantum oscillations of velocity of sound in PbixGexTe in rombohedral phase. //J. Phys. Soc. Jap., 1982, v.51, N6, p.1851-1856.

52. Tsuji K., Kumashiro Y., Takano S. Energy surfaces and domain structure of PbbxGexTe in rhombohedral phase. //J. Phys. Soc. Jap., 1984, v.53, N4, p. 13971405.

53. Martinez G. Band inversion of Pb.xSnxSe alloys under hydrostatic pressure. I. Theoretical band structure analysis. //Phys. Rev. B, 1973, v.8, N10, p.4678-4685.

54. Брандт Н.Б., Пономарёв Я.Г., Скипетров Е.П. Энергетический спектр носителей заряда в сплавах Pb!.xSnxSe. //ФТТ, 1987, т.29, в.11, с.3233-3240.

55. Parada N.J., Pratt G.W. New model for vacancy states in PbTe. //Phys. Rev. Lett., 1969, v.22, N5, p. 180-182.

56. Parada N.J. Localized defects in PbTe. //Phys. Rev. B, 1971, v.3, N6, p.2042-2055.

57. Pratt G.W. Vacancy and interstitial states in the lead salts. //J. Nonmetals, 1973, v.l, N2, p.103-109.

58. Hemstreet L.A. Cluster calculations of the effects of single vacancies of the electronic properties of PbS. //Phys. Rev. B, 1975, v.l 1, N6, p.2260-2270.

59. Hemstreet L.A. Cluster calculations of the effects of lattice vacancies in PbTe and SnTe. //Phys. Rev. B, 1975, v.12, N4, p.1212-1216.

60. Волков Б.А., Панкратов O.A. Зонная структура и энергетический спектр точечных дефектов в полупроводниках А4В6. //Препринт ФИАН, 1980, №127, №130.

61. Волков Б.А., Панкратов О.А. Электронная структура точечных дефектов в полупроводниках А4В6. //ЖЭТФ, 1985, т.88, в. 1, с.280-292.

62. Панкратов О.А., Поваров П.П. Многоэлектронные эффекты и зарядовые состояния вакансий в полупроводниках А4В6. //ФТТ, 1988, т.ЗО, в.З, с.880-882.

63. Pankratov О.А., Povarov P.P. Charge states of vacancies in IV-VI semiconductors. //Sol. State Commun., 1988, v.66, N8, p.847-855.

64. Брандт Н.Б., Зломанов В.П., Ладыгин E.A., Пономарёв Я.Г., Скипетров Е.П., Шибаев П.В. Переход металл-диэлектрик под действием давления в сплаве Pb0.875Sn0.i25Se, облучённом быстрыми электронами. //ФТТ, 1987, т.29, в.1, с.246-249.

65. Брандт Н.Б., Дубков В.П., Иванова Г.В., Ладыгин Е.А., Скипетров Е.П. Переход металл-диэлектрик, индуцированный электронным облучением, в сплаве PbixSnxSe(x=0.25). //Вестн. Моск. Ун-та. Сер.З, Физика. Астрономия,1987, т.28, в.5, с.96-97.

66. Брандт Н.Б., Дубков В.П., Зломанов В.П., Иванова Г.В., Ладыгин Е.А., Скипетров Е.П. Влияние электронного облучения на гальваномагнитные явления в n-PbbxSnxSe(x=0.25). //ФТП, 1987, т.21, в. 12., с.2136-2141.

67. Brandt N.B., Dubkov V.P., Skipetrov Е.Р., Ladigin E.A. Resonant defect states in Pbi„xSnxSe(x=0.125), irradiated with electrons. //Sol. State Commun., 1988, v.65, N12, p.1489-1493.

68. Скипетров Е.П., Дубков В.П., Мусалитин A.M., Подсекалов И.Н. Проводимость по локальной зоне в сплавах PbixSnxSe, облучённых электронами. //ФТП, 1988, т.22, в.10, с.1785-1791.

69. Брандт Н.Б., Доропей В.Н., Дубков В.П., Скипетров Е.П. Зона локальных состояний в сплаве Pbi.xSnxSe(x=0.125), облучённом электронами. //ФТП,1988, т.22, в.8, с. 1462-1473.

70. Brandt N.B., Skipetrov Е.Р. High-pressure spectroscopy of electron irradiated semiconductors. //Semicond. Sci. Technol., 1989, v.4, N4, p.260-262.

71. Пономарёв Я.Г., Скипетров Е.П. Закон дисперсии носителей заряда в сплавах PbixSnxSe. //Структура и свойства соединений AIVBVI (под ред. А.Н. Ковалёва), М.: Металлургия, 1990, с.81-93.

72. Дубков В.П., Скипетров Е.П. Влияние давления на электрофизические свойства PbixSnxSe(x:rr0.25), облучённого электронами, в диэлектрической фазе. //ФТП, 1990, т.24, в.1, с.104-108.

73. Ковалёв Б.Б., Скипетров Е.П. Резонансная зона в сплаве Pb1.xSnxSe(x=0.07), облучённом электронами. //ФТП, 1990, т.24, в.8, с.1379-1383.

74. Брандт Н.Б., Ковалёв Б.Б., Скипетров Е.П. Зона радиационных дефектов в сплаве Pbi.xSnxSe(x=0.34). //Физ. и техн. высоких давлений, 1992, в. 12, с.5-9.

75. Скипетров Е.П., Ковалёв Б.Б. Зона радиационных дефектов в сплавах PbixSnxSe с инверсным спектром. //Неорг. Матер., 1992, т.28, №12, с.2322-2326.

76. Brandt N.B., Kovalev В.В., Skipetrov E.P. Pressure studies of the energy spectrum of irradiation-induced defects in Pb|xSnxSe. //Proc. IV Int. Conf. "High Pressure in Semiconductor Physics". Thessaloniki, Greece, 1990, p. 170-173.

77. Ковалёв Б.Б., Скипетров Е.П. Глубокий локальный уровень в сплавах PbixSnxSe(x<0.03), облучённых электронами. //Материалы VIII Всесоюзного сипозиума по полупроводникам с узкой запрещённой зоной и полуметаллам. Львов, 1991, ч.П, с.181-183.

78. Brandt N.B., Kovalev В.В., Skipetrov E.P. Pressure studies of the energy spectrum of irradiation-induced defects in PbixSnxSe. //Semicond. Sci. Technol., 1991, v.6, N6, p.487-490.

79. Skipetrov E.P., Zvereva E.A., Kovalev B.B., Mousalitin A.M., Skipetrova L.A. Mechanism of defect formation process in electron-irradiated PbixSnxSe alloys with inverse band structure. //Phys. Stat. Sol. (b), 1998, v.210, N2, p.797-800.

80. Скипетров Е.П., Ковалев Б.Б., Скипетрова JI.А., Зверева E.A. Кинетика накопления радиационных дефектов при глубоком электронном облучении сплавов PbixSnxSe. //ФТП, 1998, т. 32, в.12, с.1409-1413.

81. Брандт Н.Б., Скипетров Е.П., Ковалев Б.Б., Скипетрова Л.А. Энергетический спектр радиационных дефектов в сплавах Pbi.xSnxSe (х<0.06), облученных электронами. //Вестн. Моск. Ун-та. Сер.З, Физика. Астрономия, 1999, т.40, в.2, с.42-45.

82. Брандт Н.Б., Скипетров Е.П., Слынько Е.И., Хорош А.Г., Штанов В.И. Гальваномагнитные эффекты в сплаве p-PbixSnxTe(x=0.2), облученном электронами. //ФТП, 1990, т.24, в.1, с.51-58.

83. Брандт Н.Б., Скипетров Е.П., Хорош А.Г. Резонансная зона радиационных дефектов в сплаве p-Pbi.xSnxTe(x=0.2), облученном электронами. //ФТП, 1992, т.26, в.5, с.888-895.

84. Скипетров Е.П., Некрасова А.Н., Пелехов Д.В, Сидоров В.И. Электрофизические свойства p-Pb i .^пДе^О .2) при глубоком облучении электронами. //Неорг. Матер., 1992, т.28, №12, с.2372-2376.

85. Tao T.F., Wang C.C., Sunier J.W. Effect of proton bombardment on Pbo.76Sno.24Se. //Appl. Phys. Lett., 1972, v.20, N7, p.235-237.

86. Wang C.C., Tao T.F., Sunier J.W. Proton bombardment and isochronal annealing of p-type Pbo.76Sno.24Se. //J. Appl. Phys., 1974, v.45, N9, p.3981-3987.

87. Брандт Н.Б., Гаськов A.M., Ладыгин E.A., Скипетров Е.П., Хорош А.Г. О положении локальных уровней радиационных дефектов в сплавах Pb.xSnxTe, облученных протонами. //ФТП, 1989, т.23, в.11, с.2034-2038.

88. Кайданов В.И., Мельник Р.Б., Черник И.А. Исследование теллурида свинца с примесью индия. //ФТП, 1973, т.8, в.4, с.759-762.

89. Голубев В.Г., Гречко Н.И., Лыков С.Н., Сабо Н.П., Черник И.А. Электрические свойства твердых растворов Pbi.xInxTe при температурах жидкого гелия. //ФТП, 1977, т.11, в.9, с.1704-1708.

90. Ерасова Н.А., Ефимова Б.А., Захарюгина Г.Ф., Кайданов В.И. Примесные состояния In в некоторых твёрдых растворах на основе PbTe. //Изв. АН СССР. Неорг. Матер., 1978, т. 14, в.5, с.870-874.

91. Драбкин И.А., Квантов М.А., Компаниец В.В. Магнитная восприимчивость PbTe с примесью In. //ФТП, 1979, т.13, в.Ю, с.2064-2066.

92. Акимов Б.А. Энергетический спектр, глубокие квазилокальные уровни и метастабильные электронные состояния в халькогенидах свинца и олова. //Докт. дисс., М.: МГУ, 1985.

93. Feit Z., Eger D., Zemel A. Quasilocal impurity states in Pb!xSnxTe and PbSe0.08Te0.92 liquid-phase epitaxial layers doped with group-Ill elements. //Phys. Rev. B, 1985, v.31, N6, p.3903-3909.

94. Сизов Ф.Ф., Пляцко C.B., Лакеенков B.M. Глубокие уровни в PbTe. //ФТП, 1985, т.19., в.4, с.592-596.

95. Вейс А.Н., Немов С.А. Температурная зависимость положения квазилокального уровня в РЬТе<1п>. //ФТП, 1980, т.14, в.1, с.1130-1133.

96. Akimov B.A., Brandt N.B., Ryabova L.I., Sokovishin V.V., Chudinov S.M. Band edge motion in quantizing magnetic field and nonequlibrium states in Pb.xSnxTe alloys doped with In. //J. Low Temp. Phys., 1983, v.51, N1/2, p.9-32.

97. Акимов Б.А., Зломанов В.П., Рябова Л.И., Чудинов С.М., Яценко О.Б. Переходы полупроводник-металл-полупроводник в сплавах PbixSnxTe(In) под действием давления. //ФТП, 1979, т.13, в.7, с.1293-1301.

98. Акимов Б.А., Вадхва Р.С., Зломанов В.П., Рябова Л.И., Чудинов С.М. Переход в бесщелевое состояние под действием давления в сплаве Pbi.xSnxTe с примесью In. //ФТП, 1977, т.11, в.6, с.1077-1083.

99. Мойжес Б.Я., Драбкин И.А., Диссоциация нейтральных состояний гетеровалентной примеси (In, Ga, Т1) в РЬТе. //Проблемы современной физики. Л.: Наука, 1980, с.128-145.

100. Драбкин И.А., Мойжес Б.Я. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примеси на положительно и отрицательно заряженные состояния. //ФТП, 1981, т. 15, в.4, с.625-648.

101. Grodzicka Е., Dobrowolski W., Kossut J., Story Т., Witkowska В. Peculiarities of transport properties in semiconductors with resonant impurities: HgSe:Fe versus PbTe:Cr. //J. Cryst. Growth, 1994, v.138, N1-4, p.1034-1039.

102. Grodzicka E., Dobrowolski W., Story Т., Wilamowski Z., Witkowska B. A study of the resonant Cr donor in IV-VI lead compounds. //Cryst. Res. Technol., 1996, v.31 S, p.651-654.

103. Akimov B.A., Lvova N.A., Ryabova L.I. Quantum oscillatory properties of the semimagnetic semiconductor PbTe(Cr). //Phys. Rev. B, 1998, v.58, N16, p. 10430-10434.

104. Story Т., Gorska M., Lusakowski A., Arciszewska M., Dobrowolski W., Grodzicka E., Golacki Z., Galazka R.R. New mechanism of f-f exchange interactions controlled by Fermi level position. //Phys. Rev. Lett., 1996, v.77, N16, p.3447-3450.

105. Story Т. IV-VI semimagnetic semiconductors with rare earth ions. //Acta Phys.- 121

106. Polonica A, 1997, v.92, N4, p.663-672.

107. Grodzicka E., Dobrowolski W., Story T. Resonant state of 4f14/13 Yb ion in Pbi.xGexTe. //Acta Phys. Polonica A, 1996, v.90, N4, p.801-804.

108. Выграненко Ю.К., Слынько Е.И. Фотоэлектрические свойства твёрдых растворов PbixGexTe<Ga,Yb>. //ФТП, 1996, т.ЗО, в. 10, с. 1876-1878.

109. Skipetrov Е.Р., Chernova N.A., Slyn'ko E.I., Vygranenko Yu.K. Energy spectrum and parameters of deep impurity level in Pbi.xGexTe alloys doped with Yb. //Phys. Rev. B, 1999, v.59, N20, p.12928-12934.

110. Skipetrov E.P., Chernova N.A., Slyn'ko E.I. Ytterbium-induced Jahn-Teller states in PbixGexTe alloys. //J. Cryst. Growth, 2000, v.210, N1-3, p.288-291.

111. Бытенский Л.И., Кайданов В.И., Макеенко В.П., Мельник Р.Б., Немов С.А. Самокомпенсация донорного действия висмута в телуриде свинца. //ФТП, 1984, т.18, в.13, с.489-492.

112. Лыков С.Н., Черник И.А. Осцилляционные эффекты Шубникова-де Гааза в теллуриде свинца с примесью индия. //ФТП, 1980, т.14, в.1, с.47-54.

113. Абдуллин Х.А., Лебедев А.И. Спектры и кинетика примесной фотопрововодимости легированных индием твёрдых растворов Pbi.xGexTe. //Письма в ЖЭТФ, 1984, т.39, в.6, с.272-274.

114. Акимов Б.Б., Брандт Н.Б., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Фотопроводимость сплавов PbixSnxTe, легированных Al, Ga, In, Cd. //Письма в ЖЭТФ, 1980, т.6,в.20, с. 1269-1273.

115. Акимов Б.Б., Албул А.В., Рябова Л.И. Кинетика фотопроводимости PbTe(Ga). //ФТП, 1995, т.29, в. 12, с.2158-2168.

116. Akimov В.А., Bogoyavlenskiy V.A., Ryabova L.I., Vasil'kov V.N., Zimin S.P. Photoconductivity kinetics in high resistivity n-PbTe(Ga) epitaxial films. //Semicond. Sci. Technol., 1999, v. 14, N8, p.679-684.

117. Волков Б.А., Панкратов O.A. Ян-Теллеровская неустойчивость кристаллического окружения точечных дефектов в полупроводниках А4В6. //ДАН СССР, 1980, т.255, в.1, с.93-97.

118. Волков Б.А., Осипов В.В., Панкратов O.A. Перестройка дефектов и долговременные релаксации неравновесных носителей в узкозонных полупроводниках. //ФТП, 1980, т. 14, в.7, с.1387-1389.

119. Каган Ю., Кикоин К.А. Туннельная примесная автолокализация в полупроводниках. Природа аномальных свойств соединений PbixSnxTe с примесью индия. //Письма в ЖЭТФ, 1980, т.31, в.6, с.367-371.

120. Васильев А.Н., Волков Б.А., Волошок Т.Н., Кувшинников C.B. Природа и зарядовые состояния примеси Ga в РЬТе. //Письма в ЖЭТФ, 1995, т.61, в.9, с.768-773.

121. Васильев А.Н., Волков Б.А., Волошок Т.Н., Кувшинников C.B. Неравновесная парамагнитная восприимчивость примесных центров галлия в теллуриде свинца. //ЖЭТФ, 1998, т.114, в.5(11), с.1859-1867.

122. Шейкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках (обзор). //ФТП, 1976, т. 10, в.2, с.209-233.

123. Андреев Ю.В., Гейман К.И., Драбкин И.А., Матвеенко A.B., Можаев Е.А., Мойжес Б.Я. Электрические свойства Pb!xSnxTe с примесью индия. //ФТП, 1975, т.9, в.Ю, с.1873-1878.

124. Anderson P.W. Model of the electronic structure of amorphous semiconductors. //Phys. Rev. Lett., 1975, v.34, N15, p.953-955.

125. Romcevic N., Romcevic M., Khokhlov D.R., Ivanchik I.I. Optical properties of gallium-doped PbTe. //High-temperature semiconductor and novel inorganic materials, ed. G. van Tendeloo et al, 1999, Kluwer Academic Publ., p.297-302.

126. Белогорохов А.И., Иванчик И.И., Попович 3., Ромчевич H., Хохлов Д.P.

127. Структура DX-подобных центров в узкозонных полупроводниках AIVBVI, легированных элементами III группы. //ФТП, 1998, т.32, в.6, с.679-683.

128. Белогорохов А.И., Слынько Е.И., Хохлов Д.Р. Аномалии спектров фотопроводимости PbTe(Ga). //Письма в ЖТФ, 1992, т. 18, в.8, с.30-34.

129. Акимов Б.Б., Албул А.В., Ильин В.Ю., Некрасов М.Ю., Рябова Л.И. Спектры фотопроводимости и проблема примесных состояний в PbTe(Ga). //ФТП, 1995, т.29, в.11, с.2015-2023.

130. Belogorokhov A.I., Ivanchik I.I., Khokholov D.R., Ponomarev S. Local lattice mode-induced far-infrared selective photoconductivity in PbTe(Ga). //Brazil. J. Phys., 1996, v.26, N1, p.308-312.

131. Herrmann K.H., Mollmann K.-P., Wendt M. Photoeffects in strongly gallium-doped lead telluride above critical temperature. //Phys. Stat. Sol. (a), 1983, v.80, N2, p.541-546.

132. Засавицкий И.И., Мацонашвили Б.Н. Панкратов O.A., Трофимов В.Т. Двухэлектронные захваты и параметры Ян-теллеровского центра в Pb,xSnxTe:In. //Письма в ЖЭТФ, 1985, т.42, в.1, с.3-6.

133. Засавицкий И.И., Матвеенко А.В., Мацонашвили Б.Н. Трофимов В.Т. Спектр фотопроводимости эпитаксиальных слоев Pbi.xSnxTe(In). //ФТП, 1986, т.20, в.2, с.214-220.

134. Абдуллин Х.А., Лебедев А.И. Примесная фотопрововодимость в твёрдом растворе PbixyGexSnyTe, легированном индием. //ФТП, 1985, т. 19, в. 10, с.1725-1730.

135. Lebedev A.I., Abdullin Kh.A. Impurity photoconductivity and electrical properties of Pbi.x.yGexSnyTe doped with indium. //Phys. Stat. Sol. (a), 1985, v.91, N1, p.225-234.

136. Акимов Б.А., Никорич A.B., Хохлов Д.Р., Чесноков С.Н. Проводимость сплавов Pb0.75Sn0.25Te(In) при комбинированном воздействии электрического и магнитного полей. //ФТП, 1989, т.23, в.4, с.668-672.

137. Akimov В.А., Khokhlov D.R. Lead telluride-based photodetectors: a newapproach. //Semicond. Sci. Technol., 1993, v.8, N1S, p.S349-S351.

138. Волков Б.А., Ручайский O.M. Внутрицентровые кулоновские корреляции, зарядовые состояния и спектр примесей III группы в узкощелевых полупроводниках AIVBVI. //Письма в ЖЭТФ, 1995, т.62, в.З, с.205-209.

139. Volkov В.А. //Lead Chalcogenides: Physics and Applications, ed. D. Khokhlov, New York: Gordon and Breach Publishers, 2000, in press.

140. Akimov B.A., Bogoyavlenskiy V.A., Ryabova L.I., Vasil'kov V.N. Observation and experimental study of negative photoconductivity in n-PbTe(Ga) epitaxial films. //Phys. Rev. B, 2000, v.61, N23, p.16045-16051.

141. Preier H. Recent advances in lead-chalcogenide diode lasers. //Appl. Phys., 1979, v.20, N3, p. 189-206.

142. Бушмарина Г.С., Грузинов Б.Ф., Дедегкаев T.T., Драбкин И.А., Жукова Т.Б., Лев Е.Я. Особенности легирующего действия Ga в РЬТе и твердых растворах PbTe-SnTe. //Изв. АН СССР. Неорг. матер., 1980, т.16, в.12, с.2136-2140.

143. Бушмарина Г.С., Грузинов Б.Ф., Драбкин И.А., Лев Е.Я., Нельсон И.В. О стабилизации уровня Ферми в сплавах PbixGexTe, легированных Ga. //ФТП, 1977, т.11, в.10, с.1874-1881.

144. Вейс А.Н., Кайданов В.И., Костылева Н.А., Мельник Р.Б., Уханов Ю.И. Примесные состояния галлия в теллуриде свинца. //ФТП, 1973, т.7, в. 5, с.928-930.

145. Акимов Б.А., Албул А.В., Иванчик И.И., Рябова Л.И., Слынько Е.И., Хохлов

146. Д.Р. Влияние легирования галлием на свойства твёрдых растворов

147. Pbi„xGexTe. //ФТП, 1993, т.27, в.2, с.351-354. • • б

148. Акимов Б.А., Брандт Н.Б., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р., Чудинов С.М., Яценко

149. О.Б. Аномальное поведение примесных центров в сплавах Pb.xSnxTe(Ga) под действием давления. //Письма в ЖЭТФ, 1980, т.31, в.5, с.304-307.

150. Аверкин А.А., Бушмарина Г.С., Драбкин И.А., Санфиров Ю.З. Влияние гидростатического сжатия на электрические свойства PbixGexTe с-125 примесью Ga. //ФТП, 1978, т. 12, в.11, с.2219-2223.

151. Аверкии А.А., Бушмарииа Г.С., Драбкин И.А., Саифиров Ю.З. Влияние всестороннего сжатия на электрические свойства PbixSnxTe с примесью Ga. //ФТП, 1981, т. 15, в.1, с.197-199.

152. Скипетров Е.П., Некрасова А.Н., Пелехов Д.В, Рябова Л.И., Сидоров В.И. Электрические и фотоэлектрические свойства PbTe(Ga), облучённого электронами. //ФТП, 1994, т.28, в.9, с. 1626-1635.

153. Скипетров Е.П. Стабилизация донорного действия галлия в сплавах PbixSnxTe, облученных электронами. //ФТП, 1995, т.29, в.8, с.1416-1424.

154. Брандт Н.Б., Пономарев Я.Г. Электронные переходы в сплавах висмут-олово, висмут-свинец, висмут-сурьма и висмут-сурьма-свинец под действием давления. //ЖЭТФ, 1968, т.55, в.4(10), с.1215-1237.

155. Jennings L.D., Swenson С.A. Effects of pressure on the superconducting transition temperatures of Sn, In, Та, T1 and Hg. //Phys. Rev., 1958, v. 112, N1, p.31-43.

156. Киреев П.С. Физика полупроводников. //M.: Высшая школа, 1975.

157. Petritz R.L. Theory of an experiment for measuring the mobility and density of carriers in the space-charge region of semiconductor surface. //Phys. Rev., 1958, v. 110, №6, p.1254-1262.

158. Петровский В.И., Соловьев H.H., Омельяновский Э.М., Ивлева B.C. Влияние поверхностной проводимости на электрофизические свойства компенсированного n-InSb. //ФТП, 1978, т. 12, в. 10, с. 1904-1908.