Явления захвата магнитного потока в "односвязных" YBa2Cu3O7-x керамических высокотемпературных сверхпроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.01 ВАК РФ

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ

к: з од

11\ НОЯ '007

На правах рукописи Ростами Халил Росгамовяч

ЯВЛЕНИЯ ЗАХВАТА МАГНИТНОГО ПОТОКА В "ОДНОСВЯЗНЫХ" УВагСизО т., КЕРАМИЧЕСКИХ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПГОВОДНИКАХ

01.04.01 -Техника физического эксперимента, физика приборов, автоматизация физических исследований.

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-нагематпчесхнх паук

Москва -1997

Работа выполнена в Ордена Трудового Красного Знамени

Институте радиотехники и электроники РАН

Научный руководитель: кандидат физико-математических наук АА.Суханов.

Официальные оппоненты: доктор физихо-ыатенатическнх наук Б А. Ацархян каодидат физкко-натематических наук Е. В. Благов

Ведущая организация: Научно-производственное объединение "Исток"

Защита диссертации состоится ¿^/¿>-¿^.1 1997 г. в П>, часов на заседания специализированного совета Д.002.74.03 при Институте радиотехники и электроники РАН (103907, ГСП-3, Москва. Моховая 11).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института радиотехники и электроники РАН.

Автореферат разослан 1997 т.

Ученый сасретарь специализированного совета кандидат физико-математических наук

Перцовский МЛ.

ОБШДЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Вот уже 10 лет продолжаются интенсивные и разносторонние исследования физических свойств высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) [1,2). Неослабевающий интерес к исследованиям ВТСП определяется, ко крайней мере, двумя важными обстоятельствами: во-первых, фундаментальной значимостью исследований, направленных на выяснение механизма высокотемпературной сверхпроводимости, а во-вторых, появлением широких возможностей использования ВТСП в прикладных целях.

Уже первые исследования [2, 3] показали, что ВТСП являются сверхпроводниками II рода, как правило, представляющими собой весьма сложные джозефсоновосие среды (ДС), состоящие из ВТСП гранул, соединенных меаду собой слабыми дасозефсоновскиия связями. Как гранулы, так и межгранульные прослойки (слабые связи) существенно различаются по химическому н фазовому составу п по структуре, что приводят к большому разбросу локальных значений их критических сверхпроводящих (СП) параметров. При этом физические макросвойства ВТСП, в основном, определяются невысокими значениями СП параметров слабых связей, в частности, критический ток ВТСП образцов ограничивается критическим током наиболее "слабых" связей ДС |2].

Так как величины критических СП параметров: температуры Тс, тока^;, аапряженностей магнитного доля Не), На являются определяющими при отборе сверпроводннжов для прикладных целей [4], то, естественно, что в последние годы исследования ВТСП значительной мере направлены на изучение физических процессов, происходящих в слабых связях.

В этой связи как с прикладной, так и с фундаментальной точек зрения весьма актуальным и интересным представляется обнаружение н исследование новых физических эффектов, происходящих в дасозефооновских средах, я их практическое использование.

Одним из наиболее информативных и удобных методов исследования джозефсоновскмх ВТСП сред является изучение их магнитных свойств. Известно, что магнитным свойствам ВТСП, также как и магнитны« свойствам "классических" жестких сверхпроводников II рода, свойственен гистерезис, связанный с явлением захвата магнитного потока (ЗМП) [5]. Однако, если механизм ЗМП в "классических" сверхпроводниках, заключающийся в проникновении магнитного потока в виде абрикосовских вихрей в сверхпроводник н в их пивнинге на хаотически распределенных внутри сверхпроводника дефектах, изучен достаточно полно (в частности, известно, что от распределения абрикосовскнх вихрей, силы их шшиинга и вх крипа зависят величина критического тока и магнитные свойства сверхпроводника) [6,7], то механизм ЗМП в ВТСП подробно не изучен.

Если принять во взимание важную роль ЗМП в формировании физических мажросаойств "классических" сверхпроводников и механизм ЗМП в них, связанный с пишшнгом вихрей на дефектах, то становится очевидным, что изучение ЗМП может служить Еысокоинфорыативаыи методом диагностики ВТСП керамик и пленок. Кроме того, как известно из исследований "классических" сверхпроводников [8], наличие или отсутствие захваченного магнитного вихря мозкет служить источником информации. Поэтом)' очевидно, что исследование явления ЗМП в ВТСП является весьма актуальной задачей.

Целью настоящей работы является комплексное экспериментальное исследование захвата магнитного потока в БТСП: пространственно -временных характеристик ЗМП и их зависимостей от внешнего магнитного поля, температуры, транспортного тока, толщины образца, технологии изготовления образцов и т. д.

Основные задачи проведенных исследований заключаются в:

- последовательном изучения механизма ЗМП в "односвязных" У-ВТСП керамиках.

- нестроении физической модели "одиосвязлых" У-ВТСП с ЗМП, адекватно описывающей их остаточную намагниченность в широком диапазоне магнитных полей.

- изучении принципиальной возможности создавая приборов на основе явления ЗМП в ВТСП-керамихах и пленках, определения характеристик и области применения таких приборов.

- анализе возможности использования измерений ЗМП как метода диагностики качества ВТСП-керашие п плеиок.

Научная новизна работы состоит в том, что в ней впервые детально изучены механизмы ЗМП в "односвязных" У-ВТСП керамиках. Показано, что в зависимости от технологии изготовления образца, области внешних магнитных полей, температуры и режима захвата можно варьировать парциальные вклады различных механизмов в ЗМП (1. захват вихрей в замкнутых СП контурах, состоящих из СП гранул, соединенных сяабьшн джозефсоновсхнми связями: 2. захват абршсосовскнх вихрей в СП гранулах к т. д.), что позволило:

- впервые обнаружить новый тип немонотонных магннтополевых зависимостей захваченного иагнитного поля в слабых полях, связанный с захватом иагнитного потока в СП контурах (состоящих из СП гранул, соединенных слабыми джозефсоновсзашн связями) и

взаимодействием между ними.

- впервые построить модель "односвязного" У-ВТСП с ЗМП, адекватно описывающую пространственные распределения захваченного потока в широком диапазоне магнитных полей (определяемые ЗМП в слабых связях в области слабых полей и подавлением СП слабых связей абрикосовсшмп вихрями гранул при переходе в область сальных полей).

Научная и практическая аенность. работы определяется тем, что она существенно расширяет имеющиеся представления о механизмах явления ЗМП в ВТСП. Результаты диссертации могут служить началом работы по созданию управляемых токон элементов памяти, реверсивных запоминающих сред с высокой разрешающей способностью, созданию чувствительных датчиков магнитного поля, его пикового значения и широкодиапазонных магнитных компараторов, разработки эффективных методов диагностики БТСП материалов и т.д..

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Разработан и реализован оригинальный универсальный автоматизированный измерительный комплекс для комбинированного исследования магнитных свойств БТСП: для изучения пространственно-временных характеристик, магнетополевых, температурных и токовых зависимостей ЗМП и т. д.

2. Проведен комплекс экспериментальных исследований явлений захвата магнитного потока (ЗМП) в односвязных керамических У-ВТСП: магнетополевых и пространственно-временных характеристик ЗМП и их зависимостей от температуры, транспортного тока, толщины образца, технологии их изготовления и т.д.,что позволило более детально изучить механизмы явления ЗМП в ВТСП керамиках и, в частности, показать, что в зависимости от технологии

изготовления образцов, области внешних магнитных полей, температуры я режима захвата можно варьировать парциальные вклады различных механизмов в ЗМП ( ЗМП в замкнутых СП контурах, захват абрнкосовских вихрей в СП гранулах и тд.).

3. Обнаружен новый тип немонотонных ыагнитополевых зависимостей захваченного магнитного поля - эффект "отрицательного захвата" в слабых полях. Для объяснения обнаруженных особенностей предложена модель взаимодействующих сверхпроводящих контуров ("колец") с разными критическими параметрами. Оценены характерные размеры СП колец.

4. Изучена эволюция пространственного распределения магнитных нолей, захваченных в цилиндрических односвязных У-Ва-Си-0 керамических ВТСП, при изменении внешних магнитных полей от очень слабь« до сальных. Показано, что в области слабых полей Но й 50 Э остаточная намагниченность количественно хорошо описывается моделью Вина, в области полей Но > 1 кЭ - моделью однородной намагниченности, а а диапазоне нолей 50 Э < Но < 1 кЭ происходит плавный переход между соответствующими пространственным распределениями.

Показана важность учета пространственного распределения захваченного магнитного поля прн выборе моделей, адекватно описывающих остаточную намагннченость У-Ва-Си-0 керамики в широком диапазоне внешних магнитных полей.

5. Обнаружено сильное влияние геометрических факторов на релаксационные характеристики ЗМП, в частности, показано, что с увеличением расстояния между ДХ и образцом (по осн образца) и при радиальном перемещении ДХ по поверхности от центра к

краю образца нормированная скорость логарифмической релаксации ЗМП растет и что с уменьшением толщины образца скорость релаксация ЗМП уменьшается.

6. Продемонстрирована принципиальная возможность использования макроодносвязных ВТСП керамик в пленок с ЗМП в качестве реверсивных запоминающих сред, элементов памяти, датчиков магнитного поля и пикового значения магнитного поля, а также широкодиапазонного магнитного компаратора. Указаны пути улучшения характеристик н некоторые области применения этих приборов.

7. Предложено использовать явление ЗМП для неразрушающего экспресс-контроля качества Y-ВТСП образцов и для диагностики технологии изготовления Y-ВТСП. Показано, в частности, что используя реверс внешнего магнитного пола, можно добиться контрастного выделения дефектов с размерами ДХ, а с помощью сканирования датчиком Холла во поверхности ВТСП - построить то-пограмму распределения дефектов в ВТСП образце.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на международных конференциях Materials Research Society (MRS) 1995 Fall Meeting, Boston 1995; MRS 1996 Spring Meeting, Saa Francisco, 1996; MRS I99i Fall Meeting, Boston, 199«.

Публикации. По результатам диссертации опубликовано 22 печатных работы, в тон числе 6 изобретений. Список трудов приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и приложения и содержит 137 страниц текста, в том числа 42 рисунка и список литературы из 65 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность рассматриваемых вопросов, изложен, "путеводитель" по диссертации, сформулированы цель работы в основные положения, выносимые на защиту.

Диссертация не содержит отдельной главы, посвященной обзору литературных источников do теме работы: необходимые обзорные сведения приведены непосредственно по ходу изложения материала.

Первая глава посвящена исследованию иапштополевых зависимостей ЗМП. Описан впервые обнаруженный новый тип неионото-ных зависимостей ЗМП от прикладываемого в режиме ZFC импульсного магнитного поля с одним или несколькими участками отрицательного дифференциального захвата, расположенным в области слабых полей (5- 30 Э). Исследовано влияние температуры и транспортного тока наэффехт "отрицательного захвата".

Немонотонные полевые зависимости ЗМП наблюдались на образцах жерамгос Y-ВТСП, приготовленных методом твердофазной реакции в режиме одноразового спекания па воздухе. Отличительными особенностями этого режима были нагрев до температуры близкой к температуре плавленая Ti = 1025o - 10505 С и длительные выдержки в течение 4 - 6 часов в процессе охлаждения при температурах Тг= =950*0, Тз= 7WC кТ4 = 650° С. Такой резким синтеза выбирался с целью получения керамик с большим количеством слабых связей с близкими по величине н достаточно высокими критическими полями, чему, невидимому, способствует отсутствие промежуточного размалывания образцов, частичное их "подплавление" и длительные выдержки при температурах образования тетраго-

нальной и орторомбических фаз н ори температуре окисления. В результате спекания получались черные, слегка оплавленные образцы ВТСП керамик с крупнозернистой структурой и Т=92-93,5 К.

На типичных зависимостей величины захваченного магнитного поля (ЗМП) от амплитуды импульса внешнего магнитного поля Htr(Hö) выделяются несколько интервалов полей Но с характерными изменениями ЗМП. Для нолей Но меньших первого джозефсонов-сзсого критического магнитного поля HciJ ~3 Э .. захват в образце отсутствует. Захваченное магнитное поле возрастает до 2,5 Э при Hü ä HctJ в сравнительно узком интервале полей ДНо = 0,5 - 1 Э и достигает максимума при II ш« = 20 -30 Э, При Hmax < H j< H «ш захваченное поле уменьшается, проходит через минимум при Haie = =40 - 50 Э, снова возрастает и выходит на насыщение при Н&> 600 Э.

Характерно, что на наблюденных магнитополевых зависимостях участку протяженного и глубокого минимума (или минимумов) предшествует резкий скачок ЗМП в области Hei

Для последовательного объяснения результатов предложена модель взаимодействующих СП колец. Согласно этой модели при малых полях захват магнитного потока в режиме ZFC происходит в большом количестве "слабых" (с малыми значениями Не) колец, имеющих большие размеры и занимающих практически весь объем образца, а в больших полях начинается захват в "сильных" кольцах малого размера. При этом создаваемые последними сильные локальные ЗМП подавляют СП в "слабых" кольцах. Вследствие этого происходит перераспределение полей колец, захваченные поля становятся сильно неоднородными в знакопеременными. В резуль-

тате, измеряемые датчиком Хошха средние захваченные поля уменьшаются, п на зависимости ЕЦНо) возникает участок с "отрицательным захватом".

Очевидно, что согласно предложенной модели для возникновения участка "отрицательного захвата" необходимо, чтобы прн Но > HciJ произошел захват в достаточно большом количестве "слабых" колец , подавление захваченного потока которых должно приводить» немонотонности. Таким образом, участку спада на зависимости Htr(Ho) должен предшествовать участок резкого роста Htr. что и наблюдается на опыте.

Оценены характерные размеры "сальных" и "слабых" СП колец, которые составили, соответственно, 15-20 мкм я 3040 мкм. Эти значения, хорошо согласуются с приведенными в литературе (?].

Во второй главе описаны исследования пространственно-временных характеристик ЗМП п их зависимость от магнитного поля, температуры, транспортного тока, технолог ли п толщины образцов. Исследование радиального и осевого распределений ЗМП цилиндрических образцов и сопоставление полученных данных с результатами теоретических расчетов позволило построить модель ЗМП, адекватно описывающую остаточную намагниченность Y-Ba-Cu-О керамик в широком диапазоне внешних магнитных полей. В частности, получены данные, показывающие, что в области низких полей (Но < SO Э) осевое я радиальное распределения остаточной наиагннчености количественно хорошо описываются моделью Бкна, а в области полей Но ä 1 кЭ - моделью однородной намагниченности.

Нормированные осевые распределения захваченного магнитного поля цилиндрического образца, рассчитанные в рамках моделей

Бина и однородной намагниченности, определяются соответственно выражениями;

Ни(2)/на(0) = [1 /ЬАг5Ь(11.Л|)] {(Ь+2^Ь[Е_/(Ь+г)1 - гАге^КА)}

и

Б диапазоне полей 50 Э < Но < 1 жЭ прослеживается плавный переход пространственных распределений ЗМП между соответствующими зависимостями.

Показано, что такой же переход происходит и при увеличении пропускаемого через образец транспортного тока.

Исследования пространственных распределений ЗМП позволили бесконтактным методом определить плотности енутригранульного и межгранулвного токов, которые при среднем размере гранул 10 юси и температуре образца Т =7? К составляли соответственно IО5 А/см1 и 40 А/см2. По плотности критических токов вычислены значения сил пшшинга, действующих на единицу длины одиночного вихря, захваченного внутри гранулы, и вихря в ыежгранульном пространстве. Получено, что при Но=0 они составляют соответственно 2*10 3 дин/сы и 10-1 дин/см. Эти результаты согласуются с данными, полученными в [10,11].

В этой же главе описано влияние геометрических факторов на релаксационные характеристики ЗМП. Обнаружено, что при увеличении расстояния между ДХ и образцом ( по оси образца ), а также при перемещении ДХ радиально по поверхности от центра к краю образца нормированная скорость логарифмической релаксации ЗМП возрастает. Показано также, что скорость логарифмической ре-

лаксацяпи скорость пространственного спада ЗМП падают с уменьшением толщины образца.

В третьей главе изучена возможность использования макроскопически односвязпого ВТСП с ЗМП в качестве реверсивной запоминающей среды. С этой целью исследованы характеристики полного цикла локального запоминания (запись - хранение - считывание -стирание). Использованы два способа локальной заппсп: 1 .запись магнитным концентратором; 2. запись локальным нагревом при: помощи "горячей лшшп". Считывание производилось датчиком Холла. Для керамики 1-2-3 получены следующие значения "локального" захваченвого магнитного поля: Ниг я 30 - 40 Э при 77 К и Ниг **<50 -70 Э при 4Л К; для плешш 1-2-3 - Лиг* 100 Э при 4,2- 9 К. Из закона релаксации локального ЗМП следует, чю на временном, интервале от 1 до 103 часов при 77 К Нщ-падает лишь на 10%..

Описаны способы повышения плотности записи информации.

Показано, что ЗМП можно стирать с помощью транспортного-тока, и, следовательно, ВТСП с ЗМП можно попользовать в качестве элемента памяти, управляемого током.

В четвертой главе на основе полученных нами результатов, продемонстрированы иные возможности использования У-ВТСП с ЗМП в прикладных целях., в частности, описан принцип работы: датчика магпптного поля и его пикового значения, а также широ-кодиапазоиаого магнитного компаратора. Чувствительность таких датчиков может составлять 1СИ-105 Э. При использовании ВТСП с; более резким скачком магнитного отклика, и низким значением НеIх и при поддержания рабочей температуры датчика вблизи Тс представляется возможным повысить чувствительность датчиков

но крайней мере на порядок. Чувствительность датчиков магнитного поля можно повысить до 10 т-10 8 Э при применения метода взаимоиндуктивностей [12]. Указаны некоторые области применения этих приборов. Кроме того, в четвертой главе продемонстрирована возможность использования явления ЗМП для неразрушакицего экспресс-контроля качества ВТСП образцов и для диагностики технологии изготовления ВТСП, в частности, показано, что используя реверс внешнего магнитного поля, можно добиться контрастного выделения макродефектов с размерами ДХ (0,15 *0,45 мм2), а с помощью сканирования по поверхности ВТСП датчиком Холла -построить топограмму распределения ыакродефектов в ВТСП образце.

Б заключении перечислены основные результаты работы, сформулированы выводы и предложены некоторые пути дальнейших исследований ЗМП.

В приложении описан принцип работы разработанной и реализованной автором оригинальной автоматизированной универсальной установки для комплексного исследования магнитных свойств ВТСП, необходимой для решения задач, поставленных в диссертации. Детально описан принцип работы каждой из составных частей установка и приведены их характеристики. Созданная установка, в частности, позволила: I. Прецизионно задавать нужную температуру образца в диапазоне 42 - 300 К н поддерживать ее с большой точностью (точность не хуже 0,01 К).

2. Получать высокостабильные однородные магнитные ноля с уровнем нестабильности меньше 10 5 Э при нолях до ± 80 кЭ, им-

пульсно шгп лииенпо (с линейностью не хуже 0,01%) меняющиеся во времени с регулируемыми величиной я скоростью (скорость ввода поля до 10 вЭ/сек) от одной полярности в другую. При этом, с целью сокращения времени проведения эксперимента в измерительном комплексе предусмотрена возможность остановки развертки магнитного поля возле любой интересующей точки и очень плавной развертки его около этой точки.

3. Пропускать через образец стабильный во времени (со стабильностью тока не хуже 10-? А на уровне тока нагрузки 5 А) линейно (со степенью нелинейности не большей 0,01%) или импульс-но (ступенчато) меняющийся ток.

4. С заданным шагом я с точностью 10 госм перемещать образец в пространстве на размере до 25 мм.

5. С большой воспроизводимостью измерять датчиком Холла магнитные поля величиной 10 2-105 Э, при этом удалось существенно (по меньшей веере на порядок) повысить чувствительность холшовекого магнетометра.

6. Исследовать динамическую магнитную воспршшчивость.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

1. Разработан и реализован оригинальный универсальный автоматизированный измерительный комплекс дан комбинированного исследования магнитных свойств ВТСП: для изучения пространственно-временных характеристик, магветополевых, температурных и токовых зависимостей ЗМП и т д.

2. В результате последовательного экспериментального изучения явления ЗМП в односвязных У-ВТСП керамиках продемонстрнро-

вана смена различных механизмов ЗШ1 при изменении внешних магнитных полей, температуры, режима захвата и технологии изготовления образцов.

3. Обнаружен новый тип немонотонных магнитополевых зависимостей ЗМП, реализующийся в слабых полях (< 30 Э). Для объяснения результатов предложена модель взаимодействующих СП колец. Оценены характерные размеры СП колец, хорошо согласующиеся с литературными.

4. Показано, что в области низких полей (Но 5 30 Э) пространственные распределения ЗМП хорошо описываются моделью Вина, а в области сильных полей (Но £ 1 ¿Э) - моделью однородной намагниченности. В диапазоне полей 50 Э < Но < 1 кЭ прослежен плавный переход между соответствующими зависимостями.

5. Исследования пространственных распределений ЗМП позволили бесконтактным методом определить плотности внутригра-вульного и иеясгранульного токов. По плотности критических токов вычислены значения сил пиннннга, действующих на единицу длины одиночного вихря, захваченного внутри гранулы, и вихря в мезкгранулыюм пространстве. Полученные результаты хорошо согласуются с литературными.

6. Показано, что скорость спада нормированного осевого распределения захваченного магнитного поля и скорость приведенной логарифмической релаксации (1/На)-с1Н:гЛ11п1 уменьшаются с уменьшением толщины образца.

7. Обнаружено, что с увеличением расстояния между ДХ и образцом и при радиальном перемещении ДХ по поверхности от центра к краю образца скорость приведенной логарифмической релаксации ЗМП возрастает.

3. Продемонстрирована принципиальная возможность использования макроодносвязной ВТСП-керампки и пленки с ЗМП в качестве реверсивной запоминающей среды и элементов памяти.

9. Показано, что ВТСП керамики срезкам скачком магнитного отклика (диамагнитный момент, захват магнитного потока) могут быть использованы для создания простых датчиков магнитного поля, его пикового значения п шпрокодиапазонного магннтиого компаратора.

10. Предложено использовать явление ЗМП для неразру-шающего экспресс-контроля качества ВТСП образцов и для днгностгаея технологии пх изготовления .

Публикации по теме диссертационной работы

1. Kh.R. Ozmanyaa*, V.B. Sandomirskii and A A. Sukhanov. Magnetic field trapping HTSC as a reversible memory medium. Superconductor Science and Technology. 1990, v. 3, pp. 255-258.

2. Kh. R. Rostami, AA. Sukhanov and V.V. Mantorov. A new type of non-monotonic field-dependence of trapped magnetic flux in YBa2Ca-5d u- Superconductor Science and Technology. 1996, v. 9, pp. 736-733. 1

3.X. P. Ростами, AA. Суханов, В.В. Манторов. Немонотонные полевые зависимости захваченного магнитного потока в Y-ВТСП -эффект "отрицательного захвата". Физика нкзкнх температур, 1996, т.22, N I, с. 58-61.

4.Х. Р. Ростами, В. В. Манторов, В. И. Омельченхо. Пространственное распределение захваченного магнитного потока в цилиндрических ВТСП. Физика низких температур, 1996, т. 22, N 7, с. 736-741.

5. Kh. R. Rostami, A. A. Sukhanov and V. V. Mantorov. The magnetic field sensor on the base of YBaCuO ceramics with sharp

jump of magnetic reply. Microwave Proceedings of Materials V., edited by M. F, Iskander, E. R. Peterson, J. G. Kiggans, J. Ch. Bolomey ( Materials Research Society Proceedings, San Francisco, CA,SA), 1996, v. 430, p. 349

6. Kh.R. Rostami, AA. Sukhanov, and V.V. Mantorov. The use of magnetic flux trapping effect for nondestructive express control of HTSC iahomogeneities, Materials Research Society 1995 Fall Meeting, Symosiam F: Defects in. high-temperature superconductors -characterization and relations to processing and properties, F5.21 (Abstracts pp.199-200), November 27-December I, 1995, Boston, MA, USA.

7. Kh.R. Rostami,A. A. Sukhaaovand Y. V. Mantorov. The magnetic field sensor on the base of YBaCuO ceramics with sharp jump of magnetic reply. MRS 1996 Spring Meeting, Symposium O: Microwave proceeding of materials V, 0172 (Abstracts p.256), April 8-12,1996, San Francisco, CA, USA.

8. Kh. R. Rostami, V. V. Mantorov, A A Suklianov. The wide-range magnetic comparator based on Y-HTSC. MRS 1996 Fall Meeting, Symposium GG: High-temperature supercoaductivity - interplay of

fundamentals and applications, GG3.14 (Abstracts p. 696), December 2-6,1996, Boston, MA, USA.

9. Kh. R. Rostami, V. V. Mantorov, A. A. Sukhanov. The features of thickness dependences of trapped magnetic flux in YBaCuO HTSC . MRS 1996 Fall Meeting, Symposium GG: High-temperature superconductivity - interplay of fundamentals and applications, GG12.31 (Abstracts p. 717), December 2-6,1996, Boston, MA, USA

10. Kh. R. Rostami, V. V. Mantorov, A. A. Suklianov. The spatial-temporal characteristics of trapped magnetic flux in Y-HTSC and its dependence on sample's thickness. MRS 1996 Fall Meeting, Symposium GG: High-temperature superconductivity-interplay of fundamentals and applications, GG3.B (Abstracts p. 696), December 2-6, 1996, Boston, MA, USA.

11. А А. Суханов, X.P. Озманян", В .Б.Сандокшрскнй. Сверхпроводимость в объемных и пленочных керамиках Bi-Sr-Ca- Са-О, Письма

в Журнал эксперимент. в теоретич. физики, 1988, х. 43, N 1, с. 19-20

12. X. Р. Ростами. Установка для исследования эффекта захвата магнитного потока в высокотемпературных сверхпроводниках. Измерительная техника, 1995, К 1, с. 45-48.

13. X. Р. Ростами. Устройство для исследования физических свойств высокотемпературных сверхпроводниов. Измерительная техника, 1995, N 12, с. 31-33.

14. X. Р. Ростами. Чувствительный холловский магнитометр на переменном токе. Приборы н техника эксперимента, 1993, N 6, с. 132-133.

15. X. Р. Ростами. Низкочастотный генератор синусоидального тока дня питания датчика Холла. Приборы и техника эксперимента,

1993,N4, с.219 -220.

16. Озманян" Халшг Ростаиович. Устройство для регулировки тока сверхпроводящего соленоида. Авторское свидетельство

N 538169 от 15.09 .1989 с.

17. Озманян* Хадал Ростамович. Устройство для регулировки ток» сверхпроводящего соленоида. Авторское свидетельство N 1512371

от 1.07.1989 г.

18. Ростами Х&тал Ростамовнч. Преобразователь "код-ток". Патент РФ N 2007862 от IS. 02.1994 г.

19. Ростами Халдл Ростамовнч. Устройство для создания магнитного пола. Заявка на выдачу Патента РФ на изобретение

N 94037397/07(036701) приоритет от 29.09.94.

20. Ростами Хазгал Ростаиович. Генератор тока. Заявка на выдачу Патента РФ на изобретение N 94038953/09(036773) приоритет от

29.09.94.

21. Ростами Халил Ростамовнч. Способ и устройство дата регистрации магнитного поля. Заявка па выдачу Патента РФ па изобретение N95106569/07(011699) приоритет oi 19.04.95.

22. Kh. R. Rostami, V.V. Maatorov, A. A. Suthanov. Magnetic field peak value sensor based on YBaCuO ceramics with sharp jump of trapped magnetic flux. Sensors and Actuators A. (accepted to publication).

* Озианяп является бывшей фамилией Х.Р. Ростами

ЦИТИРУЕМА_Я ЛИТЕРАТУРА

1. Физические свойства высокотемпературных сверхпроводников, п/ред Д.М. Гинзберга, Москва, "Мир", 1990 г., стр. 541-543.

2. Высокотемпературные сверхпроводники, п/ред Д. Нелсона, М.Уитттшяиа,Т. Джорджа, Москва, "Мир", 1988 г., с.397400.

3.Б.З.Мейлихов. Динамические свойства ВТСП-керамик (обзор). Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1989, t2,"N9,

с. 5-29.

4. Дне. Уильяме. Сверхпроводимость и ее применение в технике. Москва "Мир", 1973 г., с. 173-182.

5. АЛ. Дьяченко, В. В. Чабакешсо. Необратимые явления в поглощении электромагнитного поля в пластинах ВТСП. Физика низких температур. 1992, т. 18, N 8, с. 826-837.

i.A. Кемпбелл, Дж. Иветс. Критические токи в сверхпроводниках. Москва, "Мир", 1975 г., с. 135-148.

7. Г. Брехна. Сверхпроводящие магнитные системы. Москва, "МирМ97<; г., с. 228-2*8.

8. А.К. Звездин, А.Ф. Попков. Магнитные вихри в сверхпроводниках второго рода. Электронная промышленность, 19S3. N8 (125), с. 20-25.

9. CA. Випсалов, М.М. Рзаев, Д.Н. Токарчук. Частотная зависимость магнитополевого отклика гранулированных сверхпроводников. Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1990, т. 51, N 3, с. 138-141.

1Ö.AA. Жуков, BJB. Мощалков. Критическая плотность тока в высокотемпературных сверхпроводниках (обзор). Сверхпроводимость: физика, химия, техника. 1991, т. 4, N 5, с. 850-S37.

11. МЛ. Петров, М.В. Красинькова, Ю.Й. Кузьмин, ИД. Плешаков. Бесконтактные измерения критических токов в сверхпроводящих пластинах и пленках. Физика твердого тела. 1990, т32, N 2,

с. 379-383.

12. BJC. Игнатьев, С.В. Черных. Сверхпроводящий магнитометр с обратной связью по магнитному полю. Приборы и техника эксперимента. 1996, N2, с. 124-12«.