Жидкофазная эпитаксия ниобата лития тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.18 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I .ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ НИОБАТА ЛИТИЯ.

§ I.Синтез и структура ниобата лития

§ 2.Жидкофазная эпитаксия - как один из основных методов изготовления волноводов

2-1 .Методы изготовления волноводов.

2-2.Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии

2-3.Кинетика эпитаксиального роста

§ З.Ниобат лития- как материал оптоэлектроники.

ГЛАВА П.МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

§ I.Определение кривых ликвидуса растворов в расплав

§ 2.Методика жидкофазной эпитаксии ниобата лития.45 2-1 .Капиллярный метод эпитаксии сегнетоэлектри

2-2.Установка и температурный режим эпитаксии ниобата лития.

2-3 .Выбор и подготовка подложек.

§ 3.Структурные исследования пленок.

§ 4.Оптические исследования пленок.

ГЛАВА Ш. ЖИДКОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ НИОБАТА ЛИТИЯ И ТВЕРДЫХ

РАСТВОРСВ L/W6/.yTQyD3.

§ I,Кривые растворимости системы LiVO^~Uff\lbjb)0^

§ 2.Жидкофазная эпитаксия пленок LiNbOj.

§ 3.Кинетика эпитаксиального роста

3-1.Модель стационарной кристаллизации . 85 3-2.Расчет толщины пленок и параметров ростовой системы.

3-3.Связь ростовых параметров с характером массопереноса.

3-4.Экспериментальное определение

3-5 .Влияние доменной структуры на кинетику роста.

§ 4. Жидкофазная эпитаксия пленок

ГЛАВА 1У.СТРУКТУРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПЛЕНОК.III

§ I. Рентгеноструктурный анализ пленок . III

I-I.Состав слоев.III

1-2.Монокристалличность и межплоскостные расстояния

1-З.Ориентационные соотношения.

§ 2. Морфология и совершенство эпитаксиальных слоев.

2-1 .Микроморфология поверхности.

2-2.Граница раздела подложка-пленка

2-3 Дислокационная структура.

§ 3. Доменная структура.

3-1.Микродомены в ниобате лития

3-2.Наследственность доменной структуры. . . .143 3-3.Точка Кюри эпитаксиальных пленок

ГЛАВА У. ОПТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК.

§ I. Исследование лучевой стойкости пленок ниобата лития.

§ 2. Показатель преломления и модовые характеристики волноводов.'.

§ 3. Затухание световой волны в пленке

Актуальность проблемы.Интересное сочетание электрооптических, пьезоэлектрических, акустических,нелинейнооптических свойств делают ниобат лития весьма перспективным для использования в интегральной оптике .В настоящее время волноводы из нио-бата лития широко используются в интегральной оптике в качестве управляющих элементов [i] Диффузионные волноводные электрооптические и акустооптические модуляторы обладают,как правило, большей эффективностью, чем их объемные аналоги.

Для создания эффективных интегрально-оптических элементов с низкими потерями исследовалась возможность получения волно-водных структур методами диффузии приме сей, обратной диффузии лития, ионной имплантации,эпитаксии [2] .Свойства волноводных слоев определяются в первую очередь принципиальными особенностями каждого из методов.Наиболее перспективным является эпитакси-альная методика, позволяющая получать пленки с резкой границей раздела,постоянным по всей толщине показателем преломления,заданной толщины и т.д.

Цель настоящей работы. Работа начата в период,когда в печати имелось лишь несколько разрозненных работ по получению волноводных слоев на основе ниобата лития различными методами. Целью работы явилось исследование процессов эпитаксиального роста пленок ниобата лития и твердых растворов ишь, То)03 из жидкой фазы, разработка методики получения совершенных волноводных структур на основе L/Nb03 , определение структурных и волноводных параметров полученных слоев.

Научная новизна работы. В работе впервые получены пленки сегнетоэлектриков осаждением из раствора-расплава, заключенного между двумя близко расположенными подложками (капиллярный метод). Получены уточненные значения температур ликвидуса системы

X =0.0,0.2 и 0.4), из которой осаждались пленки ниобата лития и твердых растворов .Построена модель стационарной кристаллизации,описывающая эпитак-сию ниобата лития,оценены значения основных параметров кристаллизационной системы.Изучен состав осажденных слоев и определены эффективные коэффициенты сегрегации ниобия и тантала при различных скоростях.Впервые приводятся результаты исследований доменной структуры пленок ниобата лития.Установлено влияние доменной структуры на кинетику роста, определен характер ее наследственности от подложки к пленки.

Основные положения«выносимые на защиту.

1.Разработка методики эпитаксиального роста из жидкой фазы пленок сегнетоэлектриков.

2.Результаты исследований физико-химических параметров системы LiVO^Lit^bh^Iox03 и процессов эпитаксиального роста.

3.Результаты исследований структуры и состава пленок на основе ниобата лития.

4.Результаты исследований доменной структуры пленок ниобата лития.

5.Результаты исследования порога поверхностного пробоя, показателя преломления и волноводных свойств эпитаксиальных пленок ниобата лития и твердых растворов

LM^ToyDs .

Практическая значимость работы. Полученные результаты могут быть использованы для выращивания пленок диэлектрических материалов (ниобатов, гранатов и т.д.), подбора оптимальных условий эпитаксии пленок ниобата лития и твердых растворов с заданными параметрами.Выращенные пленки на основе ниобата лития могут быть эффективно использованы в качестве активных элементов интегральной оптики .

Структура работы. Работа состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы.

Во введении кратко изложены цель работы, основные положения,выдвинутые на защиту, научная новизна и практическая значимость полученных результатов.

В первой главе дан обзор литературы по теме диссертации, приведены основные данные по синтезу и структуре кристаллов ниобата лития, описаны основы жидкофазной эпитаксии и её принципиальные особенности, обосновывается возможность и перспективность использования тонкопленочных структур на основе ниобата лития в оптоэлектронике.

Во второй главе описаны методики эшдгаксиального роста, физико-химических, структурных и оптических исследований .Детально изложена разработанная нами капиллярная методика жидкофазной эпитаксии пленок сегнетоэлектриков, позволяющая эффективно управлять процессом роста и получать слои с заданными параметрами.

В третей главе исследуется процесс жидкофазной эпитаксии ниобата лития и твердых растворов .По данным физикохимических исследований определены кривые ликвидуса системы LiVD3 -ШЬ,хЪх03 и оптимальные температурные режимы эпитаксии.Исследовалась кинетика эпитаксиального роста, построена модель стационарной кристаллизации, описывающая эпитаксию ниобата лития, в рамках которой определен характер массопереноса в жидкой фазе, установлена область диффузионного режима эпитаксии, оценены основные параметры кристаллизационной системы, Показано различие в скоростях роста на участках с различной поляризацией.Получены совершенные чистые и легированные желе -зом пленки

LiNb03 и йШ^уТОуОз .

В четвертой главе приводятся результаты структурных исследований пленок. Установлена высокая степень монокристалличности и однородность пленок по толщине.Определены межплоскостные расстояния, состав и коэффициенты вхождения отдельных компонент. Исследованы доменная и дислокационная структуры пленок .Установлена наследственность доменной структуры от подложки к пленке при малых толщинах и монодоменизация при длительном наращивании. Установлено влияние внешних воздействий на доменную структуру.

Пятая глава посвящена оптическим свойствам эпитаксиальных пленок.Исследовались порог поверхностного пробоя, показатель преломления и волноводные свойства пленок.Установлено повышение лучевой стойкости пленок по сравнению с объемными кристаллами. Определены профиль показателя преломления по толщине слоя и мо-довая структура.Измерено затухание света при волноводном распространении ( ^ I дБ/см для первых мод).

В заключении сформулированы основные результаты,полученные в работе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате проделанной работы показана возможность получении совершенных пленок L/Nb03 методом жидкофазной эпитаксии.

Разработана капиллярная технология эпитаксиального роста ниобата лития, которая позволила улучшить планарность и качество поверхности слоев в следствии выращивания из тонкого плоско-параллельного объема раствора-расплава, и дала возможность управлять несколькими параметрами роста одновременно.Эта методика позволяет с большой точностью воспроизводить ростовые параметры, в первую очередь толщину зазора, определяющую толщину и скорость роста пленки.

Исследована растворимость (X =0.0, 0.2,0.4) в расплаве Z//?/7- V2B5 , подобраны оптимальные температурные режимы процесса роста пленок ниобата лития и твердых растворов

L/fA/b, Та)Оъ Выращены гомоэпитаксиальные слои ниобата лития с примесью железа, пленки LlNb03 и твердых растворов Li(NbJo)[^ на подложках ищ различных ориентаций, ниобата лития на подложках Проведено более 200 экспериментов по осаждению пленок на основе ниобата лития.

Исследования процессов эпитаксиального роста позволили определить механизм и кинетику роста пленок из раствора в расплаве

Установлена область диффузионного режима эпитаксии при капиллярной технологии.

Построена в диффузионном приближении модель стационарной кристаллизации из ограниченного объема раствора-расплава, описывающая процесс кристаллизации ниобата лития.Определены основные параметры кристаллизационной системы и их связь с параметрами пленок, что позволяет на основе построеной модели прогнозировать толщину эпитаксиальных пленок.

Структурные исследования показали высокую степень монокристалличности пленок на подложках ШЬ03 И LiTo03. Определены межплоскостные расстояния пленок, которые в пределах точности измерений совпадают с их значениями для объемных кристаллов.Показано постоянство состава по толщине образцов.Установлено, что максимальная концентрация гомогенного вхождения ванадия в пленку не превышает 0,1 атм.% , а при оптимальных условиях роста равна ~0,05 атм %. Исследована зависимость состава пленки твердого раствора от условий эпитаксии.Определены значения эффективных коэффициентов вхождения тантала при различных скоростях роста.

Микроскопические исследования образцов показали, что морфология поверхности при оптимальных условиях определяется ориентацией и составом осаждаемого слоя. Наиболее гладкими с шероховатостью не более 0,2 мкм растут (0001) - ориентированные слои. Введение танталата уменьшает шероховатость поверхности пленки, которая при соотношении {То№)> 0,5 растет зеркально гладкой для всех ориентаций.Для полученных пленок характерно хорошее срастание с подложкой и плоский переход подложка-пленка,при осаждении на LilbO3 на сколах наблюдается четкая ровная граница раздела, толщина переходной области не более I мкм, при гомоэпитаксии граница раздела проявляется лишь при селективном травлении.

Определена плотность дислокации в пленке, которая одного порядка с плотностью дислокации в подложках.

Изучена доменная структура пленок ниобата лития.Показано наличие в пленках и объемных кристаллах микродоменов ввиде тонких стержней вдоль оси 2 , причиной возникновения которых могут быть локальные механические напряжения. Установлена связь доменной структуры пленок с доменной структурой подложек,ориентацией и составом слоя. Исследована температурная зависимость диэлектрической проницаемости эпитаксиальных структур.

Исследование лучевой стойкости пленок ниобата лития показало, что порог пробоя существенно выше порога пробоя объемных кристаллов, что должно быть связано с отсутствием разрушенного приповерхностного слоя. Установлено образование скоплений микродоменов больших плотностей при облучении поверхности лазерным лучом припороговой интенсивности.

Определен профиль показателя преломления пленок, который близок к прямоугольному и определяется концентрационным профилем. Вывод подтвержден анализом волноводных свойств пленок,мо-довая структура которых оказалась характерной для прямоугольного профиля.Затухания при волноводном распространении света порядка I дБ/см, что определяет возможность их эффективного использования в интегральной оптике.

Результаты проделанной работы позволяют сделать следующие выводы.

I.Впервые разработана капиллярная технология жидкофазной эпитаксии сегнетоэлектриков,которая позволяет улучшить планар-ность и качество выращиваемых слоев в следствии осаждения из тонкого плоско-параллельного объема раствора-расплава.Построены кривые ликвидуса системы Шъ -LNkJaA для значений X -- 0,0, 0,2 и 0,4 и определены температурные режимы эпитаксии ниобата лития и твердых растворов ниобат-танталат лития из раствора в расплаве Li20- 1f^S *

2.Определен характер массопереноса в жидкой фазе и установлена область диффузионного режима эпитаксии.Построена модель стационарной кристаллизации,описывающая эпитаксию ниобата лития. Определены основные параметры кристаллизационной системы.Получе-ны совершенные слои ниобата лития и твердых растворов с заданными параметрами.

3. Установлена высокая степень монокристалличности полученных пленок,постоянство состава по толщине,низкое содержание гомогенной примеси ванадия.Получены значения параметров решеток пленок и подложки LiTa03 .определены эффективные коэффициенты распределения тантала при различных скоростях роста.

4.Исследована морфология поверхности,граница раздела и дислокационная структура пленок ниобата лития.Показана связь морфологии поверхности с составом,ориентацией и скоростью роста.Определена плотность дислокаций в пленке, их ориентация и природа.

5.Впервые исследована доменная структура пленок ниобата лития.Размеры и конфигурация доменов определяются доменной структурой подложки, ориентацией и толщиной слоя. Показана наследственность доменной структуры из подложки в пленку при малых толщинах слоев. Определены температуры фазовых переходов пленок ниобата лития и твердых растворов

6. Оптические исследования показали наличие у пленок L/NbD3 и Ll№jq,D3 на подложках

UTq03 волноводных свойств.Прямоугольный профиль показателя, структурное совершенство, низкое затухание света определяют возможность эффективного использования полученных жидкофазной эпитаксией пленок в интегральной оптике.

В заключении хочу выразить глубокую признательность моему научному руководителю, заведующему лабораторией тонкопленочных материалов, кандидату технических наук,старшему научному сотруднику Хачатуряну Отару Арсеновичу за его требовательное руководство,помощь в работе и постоянную моральную поддержу .Я благодарен также всему коллективу лаборатории за исключительно теплую, дружественную атмосферу,в большой степени способствовавшую выполнению данной работы.

1. Интегральная оптика/ под ред.Тамира Т.-М.:Мир,1978.-344с.

2. Морозов В.Н.Плетнев В.А.,Попов Ю.М.Смирнов В.А. Интеграль-нооптические элементы и устройства.-Изв.АН СССР,сер.физ., 1980, т.44, Ш, 1651-1669.

3. Лапщкий А.В .Безводный метаниобат лития.-Ж. общей химии,1952, т.22,вып.1, с.33-41.

4. Rusman A., Holtzberg P. Heterogeneous Equilibria in systems LJ., figz0-NbJ]5 and Oxide Models. J. Am. Chem. Soc.,1958, v.80, HI, p.35-39.

5. Lerner P., Legras C., Dumas J.P. Stochiometric des Mono-cristaux de Metaniobate de Lithium.- J. of Cryst. Groizth, 1968, v.3, N4, p.231-235.

6. Carruthers J.R., Peterson G.E., Grasso N. Nonstoichiometric and Crystal of Lithium Niobate.- J.Appl. Phys., 1971, v.42, v.42, N5, p.1846-1851.

7. Исмаилзаде И.Г. Рентгенографическое исследование фазового перехода в ниобате лития,- Кристаллография,1965,т.10,ЖЗ, с.287-290.

8. Исмаилзаде И.Г.,Нестеренко В.Н.,Миршли Ф.А. Рентгенографическое исследование ниобата лития при высоких температурах.

9. Кристаллография,1968,т.13,Ж, с.33-37 .

10. Megaw H.D. A Note on the Structure of Lithium Niobate,

11. Acta Cryst., 1968, v.A-24, N6, p.583-588.

12. Abrahams S.C., Hamilton W.C., Reddy J.H. Ferroelectric study at 24 °C. J. Phys. Chem. Sol., 1966, v.27, N6/7, p. 1013-1018.

13. Abrahams S.C., Levinstein H.J., Reddy J.H;. Ferroelectric Lithium Niobate. Polycrystal X-Ray Diffraction Study between 24° and 1200°C.- J. Phys. Chem. Sol., 1966, v.27,1. N6/7, p.1019-1026.

14. Abrahams S.C., Reddy J.H., Bfernstein S.L. Ferroelectric Lithium Niobate. III. Single Crystals X-Ray Diffraction Study at 24°C.- J. Phys. Chem. Sol., 1966, v.27, N6/7, p.997-1012.

15. Кузьминов Ю.С. Ниобат и танталат лития.-М.:Наука,1975-223 с.

16. Nassau К.f Levinstein H.J., Lojacono G.H. The Domain Structure and Etching of Ferroelectric Lithium Niobate.- Appl. Phys. Lett., 1965, v.6, N11, p.228-229.

17. Акустические кристаллц/под ред.ШаскольскойМ.П.-ОД.: Наука, 1982.-632с.

18. Zhou Н., Tiang S. X-Ray Diffraction Topografic Study of Crystal Deffect in Acta Physica Siniga, 19B0, v.29, N3, p.374-379.

19. Ballman A.A. Growth of Piesoelectric and Ferroelectric Mathe-rials by the Chochralski Technique. J. Amer. Ceram. Soc., 1965, v.48, N1, p.112-113.

20. Федулов C.A.,Шапиро З.Н.Ладыжинский Г.В. Применение метода Чохральского для выращивания монокристаллов LiNbD^ , LiThD^и NaNbO-s-Кристаллография,1965, т.10, вып.2, с.268-269.

21. Nassau К., Levinstein H.J., Lojacono G.H. Ferroelectric Lithium Niobate. I. Growth, Domain Structure, Dislocations and Etching. II. Preparation of Single Domain Crystals.- J.Phys. Chem. Sol., 1966, v.27, N6/7, p.983-986.

22. Захарова H.Я. .Кузьминов Ю.С. Получение и исследование монокристаллов метаниобата лития.-Изв.АН СССР, сер.Неорг.матер., 1969, т.5,№6, с.1086-1090.

23. Исупов В.А. Кристаллическая структура сегнето и антисегнето-электрических соединений окислов,халькогенидов и галогени-дов.-В сб.:Сегяетоэлектрики,Ростов-на-Дону,1968,с.109-128.

24. Smolenski G.A., Krainik N.N., Khuchua N.P., Zdanova V.Y., Milnikova J.E. The Curie Temperature of Phys. Stat. Sol., 1966, v.13, N2, p.309-314.

25. Hemmerling J.R., Nerugt J.R., Real Structure Investigations of

26. Single Crystals Growth by Plux Method.- Krystal und Technick, 1980, v.15, N7, p.795-801.

27. Bergman J.R., Ashkin A., Ballman A.A., Dziedzic I.M., Levinstein H.I., Smith R.C. Curie Temperature, Birefringence and Phase-Matching Temperature Yariatious inas a Function of Melt Stoichiometry.- Appl. Phys. Lett., 1968, v.12, N3, p.92-94.

28. Burton I.A., Prim R.C., Slichter W.P. The Distribution of Solute in Crystals Growth from the Melt. I. Theoretical.- J. Chem. Phys., 1953, v.21, N11, p.1987-1991.26.

29. Pay H., Alford W.J., Dess H.H. Dependence of Second—Harmonic Phase-Matching Composition.- Appl. Phys. Lett., 1968, v.12, N3, p.89-92.

30. Byer R.L., Young 3!.P., Poigelson R.S. Growth of High-Quality LlNbD^ Crystals from the Congruent Melt.- J. Appl.Phys., 1970, v.41, N6, p.2320-2325.

31. Bridenbaugh P.M., Carruthers J.R., Dziedzic J.M., Nach P.S. Spetially Uniform and Alterable SHG Phase-Matching Temperatures in Lithium Niobate.- Appl. Phys. Lett., 1970, v.17, N3, p.104-106.

32. Габриелян В.Т. Исследование условий выращивания и некоторых физических свойств электрооптических и акустооптических монокристаллов ниобата лития,молибдата свинца и германата свинца.-Дисс.канд.физ.-мат.наук.-М.1978,-200с.

33. Рубинина Н.Н. Исследование механизмов внедрения железа в сегнетоэлектрические кристаллы метаниобата лития.-Дисс. канд.физ.-мат.наук.-М,1976.-135с.

34. Parfitt Н.Т., Robertson D.S. Domain Structure in Lithium Niobate Crystals.- Brit. J. Appl. Phys., 1967, v.18, N12, p.1709-1713.

35. Евланова Н.Ф.,Корниенко JI.C.,Рашкович Л.Н.,Рыбалтовский А.Д. Электронный парамагнитный резонанс некоторых редкоземельных ионов и ионов в кристаллах .-ЖЭТФ, т. 53, №6, с.I920-1926.

36. Шапиро З.И.,Федулов С.А.,Веневцев Ю.Н.,Ригерман Л.Г. Исследование системы LiNbD3 LiToO3 .-Изв.АН СССР,сер.физ.1965, т.39,№6, с.1047-1050.г

37. Shimura F., Fujino V. Crystal Growth and Fundamental Properties of LiNb,.jQyDb. J.of Cryst. Growth, 1977, v.38, N3, p.293-302.

38. Иона Ф.,Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы.-М.: Мир, 1965,555с.

39. Желудев Н.С. Основы сегнетоэлектричества.-М.: Атомиздат, 1973,472с.

40. Евланова Н.Ф.,Рашкович Л.Н. Доменная структура кристаллов метаниобата лития.-ФТТ,1971,т.13,М,с.282-284.

41. Desmukh K.G., Singh К. Domain Structure in Lithium Niobate Single Crystals.- J. Phys. D.: Appl. Phys., 1972, v.5, N9, p.1680-1685.

42. Desmukh K.G., Singh K. Interferometric Study of the Microto-pography Arising from 35° Domain Walls in Crystalls of LiNbOy- J. Phys. D: Appl. Phys., 1973, v.6, N11, p.1321-1323.

43. Desmukh K.G., Singh K. Ferroelectric Lithium Niobate. Growth Surface, Dendrits and Domain Structure.- Ferroelec-trics, 1974, v.7, N1-4, p.251-252.

44. Бвланова Н.Ф. Доменная структура монокристаллов метаниоба-та лития,выращенных методом Чохральского.-Дисс. .канд. физ.-мат.наук.-М,1978,153с.

45. Сирота Н.Н.,Яруничев В.П.,Горнистова Г.С. Доменная структура ниобата.лития с добавками переходных металлов.-Изв. АН БССР, сер .физ .-мат .наук ,1977 ,№5, с .79-82.

46. Клюев В.П. Долчинская P.M. ,Фарштендикер B.I. ,Федулов С.А. Получение монодоменных кристаллов метаниобата лития.- Кристаллография,1968 ,т.13 ,Ш ,с.531-533.

47. Bergman G. The Electrical Conductivity of Sol. State Comm., 1968, v.6, N2, p.77-79.

48. Nassau K., Lines Ш.Е. Stacking-Fault Model for Stochiometry Deviations inand UTa03 and the Effect on the Curie Temperature.- J. Appl. Phys., 1970, v.41, N2, p.533--537.

49. Peterson C.E., Carnevale A. Nb NMR Line Widths in nonstoi-chiometric Lithium Niobate.- J. Chem.Phys., 1972, v.56, N10, p.4848-4851.

50. Chen F.S. Optically Induced Change of Refractive Indices inand

51. Appl. Phys., 1969, v.40, N8,p.3389-3396.

52. Шерман А.Б.Деманов В.В. Поглощение упругих волн в восстановленном L/N6/J3.- ФТТ, I97I,t.I3,J&6, p.1690-1692.

53. Seraenchenko V.K., Bodnar I.I., Yarunichev V.P. Optical

54. Anomali in Indused by Fe and Hi Impurities inthe Temperature Range from 60° to 120°C.- Crystal Research and Technology, 1981, v.16, N7, p.1085-1087.

55. Osterberg H., Smith Z.W. Transmission of Optical Energy Along Surface.- J. Opt. Soc. Am., 1964, v.54, N9, p.1013--1084.

56. Schinetler E.R., Flam R.P., Wimot D.W. Optical Waveguides in L/Nb03 Formed by Proton Irradiation of Fused Silica.- J J. Opt. Soc. Am., 1968, v.58, N8-9, p.1171-1176.

57. Standley R.D., Gibson W.M., Rodgers I.W. Properties of Ion Bombarded Fused Quartz for Integrated Optics Appl. Opt., 1972, v.11, N6, p.1313-1316.

58. Destefanis G.L., Townsend P.D., Gailliard J.P. Optical Waveguides in

59. Nb03 Formed by Ion Implantation of Hellium. -Appl. Phys. Lett., 1978, v.32, N5, p.293-298.

60. Destefanis G.L., Gailliard J.P., Townsend P.D. Optical Waveguides in

61. Formed by Ion Implantation.- Radiation Effects, 1980, v.48, N1, p.63-68.

62. ToO3. Appl. Phys. Lett., 1975, v.24, N11, p.545-547.

63. Philips W., Hammer J.M. Formation of Lithium Niobate-Tan-talate Waveguedes.- J. Electron Matter, 1975, v.4, N3,p.549-565.

64. Smidt R.V., Kaminov J.P. Metall-Diffused Optical Waveguides in1.bO,.- Appl. Phys. Lett., 1974, v.25, N8, p.458-460.

65. Зилинг К.К. ,Надолинский В.А. ,Шашкин В.В. Диффузия титана в LiNb03 и ее влияние на оптические свойства.- Изв.АН СССР, сер.Не орг. матер. Д980,т.16,М, с.701-706.

66. Holmaii R.L., Cressman P.J., Auderson I.A. Processing and Properties of Diffused Lithium Niobate Planar Optical Wave-guedes. Perroelectrics, 1980, v.27, N1-4, p.77-80.

67. Зилинг К.К.,Покровский Л.Д. ,Шашкин В.В. ,Шшшлова Д.П. Связь профилей показателя преломления с кинетикой диффузии титана в планарных волноводах на ьм>а3 .-Автометрия,1978,М,с.103-108.I

68. Smidt R.V., Kaminov I.P., Carruthers J.R. Acoustooptic Duf-raction of Guided Optical Wa?rps in LiNb03 Appl. Phys. Lett., 1973, v.23, N8, p.417-419

69. Noda J., Fukuma M., Ito G. Phase Matching Temperature Variation of Second Harmonic Generation in Li out Diffused Layers.- J. Appl. Phys., 1980, v.51, N3, p.1379-1384.

70. Kaminov I.P., Carruthers J.R. Optical Waveguiding Layers in L/Mb03 and UTq03 .- Appl. Phys. Lett., 1973, v.22, N7, p.326-328.

71. Свиридов Е.В.,Мухортов B.M.,Головко Ю.И.,Захарченко И.Н., Дудкевич В.П.,Фесенко Е.Г. Гетероэпитаксиальные сегнето-электрические пленки PbWz .полученные ВЧ катодным распылением.-Письма в Жтф,1983,т.9,вып.3,с.163-166.

72. Takada S., Ohnishi М., Hayakawa Н., Mikoshiba N. Optical Waveguides of Single-Crystal LiNbO, Film Deposited by Sputtering.- Appl Phys. Lett., 1974, v.24, N10, p.490-492.

73. Ninomura K., Ishikani A., Matsubara J., Hayashi I. Second Harmonic Generation in a Sputteredш>о3 Film on Mg J. of Cryst. Growth, 1978, v.45, N2, p.355-360.

74. Александров Л.Н. Кинетика образования и структуры твердых слоев. Н,"Наука", 1972, 227с.

75. Miyazawa S. Growth of Li/\/b03 Single-Crystal Film for Optical Waveguides Modes.- Appl. Phys. Lett., 1973, v.23, N4, p.198-200.

76. Tien P.K., Riva Sanseverino S., Martin J.R., Ballman A.A., Brown H. Optical Waveguides Modes in Single-Crystalline ШЫЗЪ -L/Tq03 Solid Solution Films.- Appl. Phys. Lett., 1974, v.24, N10, p.503-506.

77. Kondo S., Miyazawa S., Fushimi S., Sugii K. Liquid-Phase-Epitaxial Growth of Single Crystal Thin Film.--Appl. Phys. Lett., 1975, v.26, N9, p.489-491.

78. Baudrant A., Vial H., Daval T. Liquid Phase Epitaxy of

79. Thin Film for Integrated Optics.- Matter. Res. Bull., 1975, v.10, N12, p.1373-1379.

80. Ballman A.A., Tien P.K. Technique for Growth of Thin Film Lithium Niobate by Liquid Phase Epitaxy.- U.S. Patent 3.998.687, 21.12.1976.

81. Ballman A.A., Brown H., Tien P.K., Riva Sanseverino S. The Growth of

82. Thin Film by Liquid Phase Epitaxy Techniques, J. of Cryst. Growth, 1975, v.29, N3, p.289-295.

83. Miyazawa S., Fushimi S., Kondo S. Optical waveguide of

84. Thin Film, Grown by Liquid Phase Epitaxy.- Appl. Phys. Lett, 1978, v.26, N1, p.8-10.

85. Baudrant A., Vial H., Daval T. Liquid Phase Epitaxial Growth of Thin Films.- J. of Crystal Growth,1978, v.43, N2, p.197-203.

86. Kondo S., Sugii S., Miyazawa S., Uehara S. LPE Growth of L/fA/6,7Ct)03 Solid-Solution Thin Film Waveguides on 1,/'Тй03 substrates.- J. of Cryst. Growth, 1979, v.46, N3,p.314-322.

87. Kondo S., Miyazawa S., Iwasaki H. Fabrication of Multilayer Optical Waveguide by LPE Technique.- Mat Res. Bull., 1980, v.15, N2, p.283-290.

88. Fukuda I., Hirano H. and LTa03 growth by the Capillary Liquid Epitaxial Technique.- J. of Cryst. Growth, 1980, v.5, N2, p.291-298.

89. Тимофеева В.А. Рост'.-, кристаллов из растворов-расплавов.-М.:Наука,1978.-268 е.,ил.

90. Андреев В.М. ,Долгинов Я.М. .Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитак-сия в технологии полупроводниковых приборов.-М.: Сов.радио,1975,-328 е.,черт.

91. Лодиз Р.А.,Паркер Р.Л. Рост- монокристаллов.-М.:Мир,1974.-540 с.,ил.

92. Материалы для оптоэлектроники:Сб.статей,М.,Мир,1976 с. 9-151.

93. Moon R.T. The Influence of Growth Solution Thickness on the LPE Layer Thickness and Constitutional Supercooling Requirement for Diffusion-Limited Growth.- J. of Cryst. Growth, 1974, v.27, N1, p.62-69.

94. Ijuin H., Gonda S. Computer simulations of Liquid Phase Epitaxy of III-V Ternary Alloys.- J. of Cryst. Growth,1976, v.33, N2, p.225-231.

95. Мильвидский М.Г.,Орлов В.П. ,Цепилевич В.Г. Особенности массопереноса при жидкостной эпитаксии.-Изв.АН СССР,сер. Неорг.матер., 1980, т.16,№ 7,c.II59-II63.

96. Литвин А.А.,Марончук Н.Е. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев из ограниченного объема раствора-расплава.-Кристаллография,1977,т.22, вып.2,с.425-428.

97. Литвин А.А. ,Марончук Н.Е. Дузовский A.M. .Якушева М.А. Влияние массопереноса и теплопереноса на рост эпитаксиальных слоев Л Е> в процессе принудительного охлаждения раствора-расплава.-Не орг. мате р. Д980,т.16,}& 2,с.204-207.

98. Болховитянов Ю.Б. Кинетика роста полупроводниковых пленок из раствора-расплава .-В кн.'.Полупроводниковые пленки для микроэлектроники.Новосибирск.Наука,1977,с.170-196

99. Rode D.L. Isoteiraal Diffusion Theory of LPE: Co As, CaP, "buble Garnet.- J. Cryst. Growth, 1975, v.20, N1, p. 13-23.

100. Малинин А.Ю. .Невский О.Б. Теория кристаллизации при эпитак-сиальном выращивании из раствора-расплава.-Неорг.матер., 1978,т.14I0,c.I774-I78I.

101. Malinin A.Yu., Nevsky O.B., Khryapov V.T., Mindjinov M.S. LPE Growth Rate Calculations.- Kryst and Teehnik, 1978, v.13, N8, p.915-920.

102. Malinin A.Yu., Nevsky O.B. Calculations of LPE Layer Thickness.» Kryst und Teehnik, 1978, v.13, N8, p.921-927.

103. Жовнир Г.И.,Марончук И.Е. Процессы массопереноса при получении эпитаксиальных структур соединений Л)п&у из жидкой фазы.- Автометрия,1980,№6, с.22^32.

104. Введение в интегральную оптику/Под ред. Н.Барноски.-М.:Мир, 1977,-368с.,ил.

105. Tien Р.К. Integrated Optics and New Wave Phenomena in Optical Waveguides.- Reviews of Modern Physics, 1974, v.49, N2, p.361-420.

106. Когельник Г. Введение в интегральную оптику.- Усп.физ.наук, 1977, т.124,вып.4,с.695-726.

107. Маркузе Д.Оптические волноводы.-М.: Мир,1974.-576 е.,черт.

108. Tien P.К. Light Waves in Thin Films and Intergrated Optics.-- Appl. Opt., 1971, v.10, N11, p.2395-2413.

109. Tien P.K., Martin R.J., Smolinsky G. Formation of Light-Guiding Interconnection in a Integrated Optical circuit by Composite Tapered Film Coupling.-Appl.Opt., 1973, v.12, N8, p.1909-1916.

110. Iwasaky Hi., Toyoda H., Niisaki N. Dispertion of the Refractive Indices of Crystals Between 20° and 900°C.--Jap. J. Appl. Phys., 1967, v.6, N9, p.1101-1104.

111. Гусева Л.M.,Клюев В.П.,Рез И.С.,Федулов С.А.,Любимов А.П., Татаров З.И. Исследование некоторых оптических характеристик Z/75Z73 .-Докл.АН СССР,1967,т.317,c.II6I-II63.

112. Midwinter J.E. Lithium Niobate. Effects of Composition on the Refractive Indices and Optical Second Harmonic Generation.- J. Appl. Phys., 1968, v.39, N7, p.3033-3038.

113. Amodei J.J., Phillipls W., Staebler D.L. Improved Electro-optic Materials for Holographic Storage Applications.-IEEE, J. Quantum Electronics, 1971, QE-7, N6, p.321-325.

114. Kaminov I.P., Stulz■••■■. L.W., Turner E.H. Efficient Strip-Waveguide Modulator.- Appl. Phys. Lett., 1975, v.27, N10, p.555-557.

115. Kaminov I.P., Carruthers J.R., Turner E.H., Stulz L.W. Thin-Film

116. ШЬ03 Elееtrooptic Light Modulator.- Appl. Phys. Lett., 1973, v.22, N10, p.540-542.

117. Ермолаев В.H.,Логачев Ф.А. Диффузионные волноводы ви электрооптическая модуляция света в них.- Квант.электроника ,1976,т.3 ЛЮ,с.2074-2079.

118. Smidt R.V., Kaminov I.P. Acoustooptic Bragg Defflection inpi-Diffused Waveguide.- IEEE. J. Quantum

119. Electronics (corresp), 1975, QE-11, HI, p.57-59.

120. Hideki Hayachi, Yoichi Fujii. An Efficient acousto-optic ТЕ ТМ mode converter utilizing a doubly confined optical and acoustic waveguide structure.- J. Appl. Phys. Lett., 1978, v.49, N8, p.4534-4539.

121. Uesugi N., Daikoki K., Fukuma M. Tuning Characteristics of Parametric Interaction in a three Dimensional LtffbD3 Optical Waveguid. J. Appl. Phys., 1978, v.49, N9, p.4945-4946.

122. Uesugi N. Parametric Difference Frequency Generation in Three-Dimensional Optical Waveguide.- Appl. Phys. Lett., 1980, v.36, N3, p.178-180.

123. Bonner W.A. Amovelnon Pb Flux Sistem for Preparation of Yttrium and Rare Earth Iron Gallium and Aluminium Garnets.-Matter. Res. Bull. 1974, v.12, N3, p.289-298.

124. Жуковский B.M. Дкаченко E.B. ,Петросян Ю.Г. Системы McjMoOif MeMoOt,.-,анх Д974, т .19 , с .1637-1640.

125. Бокий Г.Б.,Порай-Кошиц М.А. Рентгеноструктурный анализ. т.1.-М.:Наука,1964,-489 е.,ил.

126. Tolksdorf W. Growth and Properties of Garnet Films for Storage Applications.- IEEE, Trans. Mag., MAG-11, 1975, v.ll, N5, p.1074-Ю78.

127. Разработка методики,выращивание и исследование эпитаксиальных пленок ниобата лития.Отчет НИИ Физики конденсированных сред ЕГУ ,ГР 79045497,инв. №979677, Ереван,1980,41с. Авторы Хачатурян 0.А.Григорян С.Г.,Мадоян Р.С. и др.

128. Sugii E., Koizumi H., Miyazawa S., Kondo S. Temperature Variations of Lattice Parameters of and

129. NbtjQyO? Solid-Solutions.- J. Crist.Growth,1976, v.33, N1, p.199-202.

130. Хачатурян О.А.,Мадоян P.O. Капиллярный метод жидкофазной эпитаксии сегнетоэлектриков.Тез.докл. УП Всесоюзной конф. "Состояние и персп.разв.методов подуч.и анализа фер.,сегне-то-пьезоэл.,конденс.и резист.матер, и сырья для них". Донецк 1983,ч.1,с.51.

131. Мадоян Р.С.Хачатурян О.А. Жидкофазная эпитаксия ниобата калия.Расширенные тезисы докл. 6 Междунар.конф.по росту кристаллов .Москва ,10-16 сентября 1980,т.3,с.332-333.

132. Хачатурян 0.А.,Мадоян Р.С. Выращивание и исследование эпитаксиальных пленок L/Nb03 .Электронная техника,сер.6 Материалы ,1978 ,№4, с .41-42.

133. Khachaturyan O.A.,Madojan E.S. Liquid-phase Epitaxy of Potassium Niobate.-Crist.Ees. and Теchnol., 19.84, v. 19,N4,p.461-466.

134. Яруничев В.П. Влияние примесей окислов 3d. переходных элементов на спектры поглощения и другие физические свойства ниобата лития.-Дисс. канд.физ.-мат.наук.-Минск,1980.-185с.

135. Димарова Е.Н. Дуцив-ШумскиЙ Л. Ф., Пасечник Л.А.,Шанчук А.Н. О тепловых свойствах монокристаллов ниобата и танталата лития.-В сб.Диэлектрики и полупроводники,198018,стр. 10-14 (РЖ электр.1980 Д1Б 235).

136. Современная кристаллография,т.3.-М.:Наука,1980-408 с.ил.

137. Gilman J.J., Johnson W.G. Observations of Dislocation Glode and Glimb in Lithium Fluoride Crystals.- J. Appl. Phys., 1956, v.27, N9, p.1018-1022.

138. Nassau K., Levinstein H.J. Lojacono A.H., The Domain St Structure and Etching of Ferroelectric Lithium Niobate.-Appl. Phys. Lett., 1963, v.6, N11, p.228-229.

139. Ohnishi N.t Jizuka T. Etch. ШД1окз in Ferroelectric.- 1974, v.7, N1^4, p.269-270.

140. Ohnishi N., Jizuka T. Etch Study of Microdomains in Single Crystals.- J. Appl. Phys., 1975, v.46, N3, p.1063--1067.

141. Электрояно-зондовый микроанализ.-M.:МирД974,-260 е.,ил.

142. Калинин O.K. .Замятина Г.М.Перевертуп В.М.Дерехович С.Л. Атлас спектральных линий для дифракционного спектрографа.-Алма-Ата,1967,- 103 с.

143. Современная кристаллография,т.I.-М.:Наука,1979,-384 с.ил.

144. Борн М.,Вольф Э. Основы оптики.-М.:Наука,1973.-719 с.ил.

145. Смирнов И.К.,Поляков Ю.Г.,Орлов Г.Н. Установка дяя измерения показателя преломления и толщины прозрачных диэлектрических пленок оптическим методом.- Оптика и спектроскопия, 1979,т.47, $5,с.988-990.

146. Мадоян Р.С.Саркисян Г.Н.,Петросян Ю.Г.,Хачатурян О.А. Исследование фазовой диаграммы системы ЖНХД979,т.ШУ,вып.П, о.3088-3091.

147. Стромберг А.Г. ,Семченко Д.П. Физическая химия.-М. :Высшая школа,1973,-480 стр.,черт.

148. Дорфман В.Ф.,Шупегин М.Л. Смещение фазового и химического равновесия при ориентированной кристаллизации.Расширенные тезисы 6 Межд.конф.по росту кристаллов,Москва,10-16 сентября,1980. т.3 ,с.378-379.

149. Хачатурян О.А.,Мадоян P.O. Исследование эпитаксии Ь№3. Материалы У Республ.совещ.по неорг.химии, Ереван,Декабрь 1976, с.96-99.

150. Мадоян P.O.Саркисян А.Г.,Хачатурян О.А. О возможности программного расчета толщины эпитаксиальных пленок ниобата лития Уч.записки ЕГУ,Естественные науки.Физика ,1982, В 2,(150), с.68-72.

151. Мадоян Р.С. Дачатурян О.А. Кинетика роста эпитаксиальных пленок имьоъ -Изв.АН Арм.ССР,Физика,1983,т.18,вып.5, с.351-357.

152. Мадоян P.С. Дачатурян О.А. Особенности доменной структуры эпитаксиальных пленок LiNtO^.- Уч.записки ЕГУ, Естественные науки.Физика, 1983, Ж (152),с.71-86 .

153. Чайковский Э.Ф.,Воронов А.П. Деплвдкая Г.С.Досмына Н.Б., Ткаченко В.Ф. Влияние условий получения на структурное совершенство монокристаллических пленок ниобата лития.

154. В сб.науч.трудов ВНИИ монокристаллов.- Харьков,:I98I ,№7, с.67-71.

155. Болховитянов А.Ю. ,Болховитянова Р.И. .Мельников ПЛ. Зависимость морфологии пленок GdAS от условий жидкостной эпитаксии.- Изв.АН СССР,Неорг.материалы,1973,т.9,йв, с. 1320-1323.

156. Воронов А.П. Досмына М.Б. .Чайковский Э.Ф. Морфология эпитаксиальных слоев ниобата лития .полученных методом жидкофаз-ной эпитаксии.-В сб.науч.трудов ВНИИ монокристаллов, Харьков,19805, с.149-152.

157. Дистлер Г.И. Электрическая структура кристаллов,- В сб.: Проблемы современной кристаллографии.- М.:Наука, 1975, с.197-207.

158. Бурсиан Э.В. Нелинейный кристалл.Титанат бария.-М.: Наука, 1974.-295с.

159. Хачатурян О.А.,Мадоян Р.С. Исследование структуры пленок ниобата лития,выращенных методом жидкофазной эпитаксии.Тезисы докл.У Всесоюз.совещ. по росту кристаллов,т.П,Тбилиси, 1977, с.309^310.

160. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы.-М.: Мир, 1981, 736 е.,ил.

161. Зверев Г.М.Долядин С.А.Девчук Е.А.,Скворцов Л.А. Исследование процессов разрушения диэлектрических пленок под действием лазерного излучения.-Квантовая электроника,1977, т.4.J6 2,с.413-419.

162. Зверев Г.М.Долядин С.А.Девчук Е.А.,Скворцов Л.А. Влияние поверхностного слоя на стойкость ниобата лития к действию лазерного излучения.-Квантовая электроника,1977,т.4,№9, с. 1882-1889.

163. Ohnishi N. An Etching Study on a Heat-Indused Layer at the Positiv Domain Surface of Jap. J. Appl. Phys., 1977, v.16, N6, p.1069-1070.

164. Леванюк А.П.,Осипов В.В. К теории оптического искажения в сегнетоэлектриках и пироэлектриках.-Изв.АН СССР,сер.физическая,1975, т.39,№ 4,с.686-689.

165. Kratzig E., Orlowski R. Reduction of Optical Damage Effects in and Optical and Quantum Electronics, 1980, v.12, ИЗ, p.495-498.

166. Лазарев М.В.,Мадоян P.С.,Сухарев Б.В.,Хачатурян О.А. Волноводные свойства эпитаксиальных пленок ниобата лития. Тезисы докл.Х Всесоюзной конференции по сегнетоэлектрикам и их прим.в нар.хозяйстве, ч.2, Минск,,1982, с.163.

167. Burns W.K., Warner J. Mode Dispersion in Uniaxial Optical Waveguides. J. Optical Soc. of America, 1974, v.64, N4,p.441-446.