Анизотропия вторичной электронной эмиссии монокристаллов переходных металлов при средних энергиях электронов (дифракция и локализация электронов в кристаллах) тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. ВТОРИЧНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ И УПРУГОЕ КОГЕРЕНТНОЕ РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИМ ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ

1.1. Вторичная электронная эмиссия

1.2. Специфика взаимодействия электронов с монокристаллами

Выводы.

Глава П. ЛОКАЛИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ СРЕД,НЕЙ ЭНЕРГИИ В КРИСТАЛЛАХ

2.1. Модели упругого когерентного рассеяния электронов периодическим потенциалом кристалла

2.2. Борновское приближение локализации электронов в приповерхностном слое монокристалла

2.3. Основы динамической теории дифракции электронов

2.4. Данные численных расчетов волнового поля электронов в приповерхностной области монокристалла на основе динамической теории дифракции электронов

2.5. Локализация электронов в кристаллах и теоретические работы по вторичной электронной эмиссии

Выводы.

Глава Ш. ВТОРИЧНАЯ ДИФРАКЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ.

3.1. Модель внутренних источников и кинематическое приближение вторичной дифракции электронов

3.2. Динамическое приближение теории вторичной дифракции электронов.

3.3. Феноменологическая модель квазиупругого рассеяния электронов монокристаллом и результаты численных расчетов вторичной дифракции электронов

Выводы.1тг:

Глава 1У. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ АНИЗОТРОПИИ ВОЗБУЖДЕНИЯ И ВЫХОДА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ. ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

4.1. Экспериментальные способы исследования анизотропии возбуждения и выхода вторичных электронов

4.2. Изготовление и контроль монокристаллов переходных металлов.

4.3. Экспериментальные установки для измерения коэффициентов вторичной электронной эмиссии монокристаллов

4.4. Экспериментальная установка для исследования распределения анизотропии возбуждения вторичных электронов по спектру

4.5. Спектрометр вторичных электронов с угловым разрешением

Выводы.

Глава У. АНИЗОТРОПИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ВТОРИЧНОЙ ЭЛЕКТРОННОМ ЭМИССИИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ ( МЬ , Мо и № ).

5.1. Состояние вопроса и постановка задачи исследования

5.2. Зависимости коэффициентов вторичной электронной эмиссии монокристаллов , ^ и

§ от энергии первичных электронов

5.3. Влияние температуры на интегральные характеристики вторичной электронной эмиссии монокристаллов вольфрама и молибдена

5.4. Влияние угла падения первичных электронов на вторичную электронную эмиссию монокристалличе -ского вольфрама.

5.5. Обсуждение результатов

Выводы.

Глава У1. АНИЗОТРОПИЯ ВОЗБУЖДЕНИЯ ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ РАЗ

НОЙ ЭНЕРГИИ.

6.1. Состояние вопроса и постановка задачи исследования

6.2. Распределение анизотропии возбуждения вторичных электронов по энергетическому спектру

6.3. Анизотропия возбуждения вторичных электронов характеристических энергий.

6.4. Анизотропия возбуждения вторичных электронов, вылетающих вдоль нормали к поверхности кристалла

6.5. Анизотропия возбуждения вторичных электронов при изменении полярного угла падения первичных электронов

6.6. Обсуждение результатов

Выводы.

Глава УЛ. АНИЗОТРОПИЯ ВЫХОДА ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ.

7.1. Состояние вопроса и постановка задачи исследования

7.2. Анизотропия выхода упруго отраженных электронов

7.3. Анизотропия выхода электронов, отраженных с характеристическими потерями энергии

7.4. Анизотропия выхода вторичных электронов непрерывного спектра.

7.5. Сравнение анизотропии возбуждения и выхода вторичных электронов и применимость теоремы обратимости к неупругому отражению электронов

7.6. Анизотропия выхода оже-электронов

7.7. Обсуждение результатов

Выводы.

Актуальность теш. Изучению закономерностей взаимодействия электронов с твердым телом уделяется все возрастающее внимание. Это обусловлено, с одной стороны, возможностью получения при таких исследованиях фундаментальных знаний, с другой - важностью их результатов для практических приложений. Достаточно вспомнить, что волновые свойства электронов были экспериментально обнаружены при исследовании упругого рассеяния электронов твердым телом. Последующие научные достижения этого направления связаны с изучением свойств самого твердого тела. В частности, много ценной информации было получено о его структурных несовершенствах методами электронной микроскопии. Взаимодействие электронных пучков с твердым телом широко используется и на практике, например, во вторично-электронных умножителях, в различных электронно-лучевых приборах, в электронно-лучевой плавке и сварке и т.д.

Роль исследований взаимодействия электронов с твердым телом резко возросла в последние десять-пятнадцать лет, когда фактически произошло становление новой области науки - физики поверхности твердого тела, интенсивно развивающейся в настоящее время. Значение этого научного направления трудно переоценить. С одной стороны, это новый этап в изучении строения вещества в конденсированном состоянии, находящегося в особых условиях. С другой стороны, результаты этих исследований имеют огромное практическое значение и во многом определяют сейчас прогресс в таких важных областях техники как промышленный гетерогенный катализ, тонкопленочная микроэлектроника, материаловедение, противокоррозийные покрытия и т.д.

Развитие физики поверхности связано с разработкой и совершенствованием методов изучения ее на атомно-молекулярном уровне, т.е. с получением данных об элементном составе, структуре, электронном строении и динамике поверхностных слоев твердого тела. Ведущую роль в этих исследованиях играют сейчас методы электронной спектроскопии, в частности, вторично-электронная и рентгено-электронная спектроскопия.

Для получения фундаментальных знаний о поверхности необходимо в качестве модельных объектов использовать монокристаллы, структура поверхности которых определенна и воспроизводима. Однако при исследовании монокристаллов методами электронной спектроскопии надо учитывать анизотропию. При использовании вторично-электронных методов анизотропия проявляется двояко: во-первых, интенсивность эмиссии вторичных электронов (ВЭ) при облучении поверхности монокристалла пучком первичных электронов (ПЭ) зависит от его ориентации относительно осей кристалла (анизотропия возбуждения ВЭ); во-вторых, имеет место анизотропия выхода ВЭ, которая проявляется в структуре их угловых распределений. Анизотропия выхода обнаруживается и при облучении поверхности монокристаллов рентгеновскими лучами. Данные об анизотропии, кроме того, могут являться самостоятельным источником информации о поверхностных слоях монокристаллов, ярким примером чему служит определение их структуры методом дифракции медленных электронов. Однако и учет, и использование анизотропии возможны лишь при достаточно глубоком понимании механизма, обусловливающего анизотропию взаимодействия электронов с монокристаллами. Таким механизмом является упругое когерентное рассеяние (УКР) электронов периодическим полем кристалла. Внутри кристалла оно приводит к возникновению неоднородной по элементарной ячейке плотности электронов, которую мы будем называть локализацией электронов. Именно локализация и порождает анизотропию возбуждения ВЭ. Вне кристалла УКР электронов проявляется в анизотропии их выхода - дифракции электронов. В области средней энергии, к которой мы относим диапазон от сотен электронвольт до нескольких килоэлектронвольт, типичной для исследований методами электронной спектроскопии, УКР и определяемые им анизотропия возбуждения и выхода ВЭ были почти не изучены даже для монокристаллов с чистой поверхностью. Получение экспериментальных результатов в этой области и построение согласующейся с ними теории явления составляет первый необходимый этап в исследованиях анизотропии взаимодействия электронов с монокристаллами. Это определяет актуальность темы диссертации.

Цель настоящей работы состояла в экспериментальном установлении основных закономерностей анизотропии возбуждения и выхода вторичных электронов разной энергии и различного происхождения (упруго и неупруго отраженных ПЭ, оже-электронов, ВЭ непрерывного спектра) на примере исследования взаимодействия их с монокристаллами переходных металлов ( |\/{> , Мо и \д/ ) и в развитии мо -дельных представлений о механизмах дифракции и локализации электронов в кристаллах, необходимых при создании точной теории. При выявлении эффектов, связанных с УКР электронов, результаты исследования взаимодействия электронов с монокристаллами в ряде случаев сопоставлялись с данными для поликристаллических образ -цов этих же металлов, полученными в одинаковых экспериментальных условиях. Выбор модельных объектов определен следующими соображениями: многие свойства поверхности этих металлов уже хорошо изучены и это облегчает интерпретацию для них результатов; они широко используются в современных исследованиях по физике поверхности и применяются на практике.

В диссертации изложены результаты исследований, выполненных автором и под его руководством, в период 1969-1982 гг. Теоретические исследования проведены совместно с сотрудниками теор.отдела института. ,

Научная новизна работы состоит в том, что до ее выполнения вопрос об анизотропии коэффициентов ВЭЭ разных граней монокристаллов в области средней энергии не рассматривался, а анизотропия возбуждения и выхода БЭ непрерывного спектра почти не изучалась. В настоящей работе впервые проведено систематическое исследование всего комплекса важнейших ориентационных эффектов, проявляющихся в эмиссии ВЭ практически всего энергетического спектра в области средней энергии ПЭ. В научных представлениях об анизотропии впервые использовано борновское приближение для описания локализации ПЭ средней энергии в приповерхностной области кристалла, позволившее выявить роль УКР электронов на отдельных плоскостях кристалла, а с помощью численных расчетов, выполненных в многоволновом приближении динамической теории дифракции, проанализирован вопрос о формировании волнового поля электронов внутри кристалла по мере их проникновения вглубь. На основе полученных результатов численных расчетов предложена феноменологическая модель анизотропии, учитывающая локализацию ПЭ.

На защиту выносятся следующие основные положения.

I. ВЭЭ монокристаллов, в отличие от эмиссии из поликристаллических и аморфных твердых тел, анизотропна: каждой грани монокристалла присущи свои коэффициенты ВЭЭ и зависимости этих коэффициентов от энергии ПЭ, характерной особенностью которых является тонкая структура. Коэффициенты ВЭЭ и коэффициенты отражения электронов от трех основных граней {110}, {100} и Uli} Мо и W , а также грани {1003 |\i£> в диапазоне энергии 0,5-2,5 кэВ превосходят таковые для поликристаллических образцов этих металлов. Максимальные значения коэффициентов ВЭЭ как Мо , так и W , образуют одинаковую последовательность в зависимости от типа грани {Ы} : > {Щ . в ТО же время различия между коэффициентами испускания медленных истинно ВЭ этими гранями и поликристаллическими образцами заметно меньше.

2. Имеются два типа структур энергетических зависимостей коэффициентов ВЭЭ - структура 1-го и 2-го порядка, различающиеся энергетической протяженностью своих особенностей и обладающие разной чувствительностью к малым разориентировкам пучка ПЭ и к изменениям температуры кристалла.

3. Ориентация пучка ПЭ относительно осей кристалла влияет на интенсивность эмиссии ВЭ всего энергетического спектра. Интенсивность эмиссии всех ВЭ максимальна для симметричных ориента-ций пучка вдоль плотноупакованных рядов атомов и атомных плоскостей. Количественно анизотропия возбуждения ВЭ разной энергии выражена неодинаково. Наиболее сильно она проявляется у электронов, отраженных как упруго, так и неупруго с характеристическими потерями энергии. Этому высокоэнергетическому максимуму анизотропии свойственна тонкая структура. В области кратных и многократных потерь энергии анизотропия уменьшается и становится наименее выраженной в средней части спектра. Второй, существенно менее интенсивный максимум анизотропии возбуждения ВЭ обнаружен в области энергии 0,05-0,2 кэВ.

4. Анизотропия возбуждения ВЭ фиксированной энергии, но разного происхождения может быть различной. В частности, установленная нами анизотропия неупругого отражения электронов с ионизационными потерями энергии выражена сильнее, чем ВЭ непрерывного спектра такой же энергии. Анизотропия возбуждения оже-электронов, также превосходящая анизотропию возбуждения ВЭ непрерывного спектра, возрастает с энергией оже-электронов в диапазоне 100-230 эВ. Для высокосимметричных ориентаций падающего пучка она слабо меняется с энергией ПЭ в исследованной области 0,6- 1,5 кэВ. В случае ориентаций вдоль направлений с малой плотностью упаковки атомов в этом диапазоне энергии анизотропия возбуждения оже-электро-нов возрастает.

5. Угловые распределения ВЭ практически всего энергетического спектра анизотропны. Так же как и анизотропия возбуждения, анизотропия выхода ВЭ зависит от их энергии и происхождения. Наиболее интенсивные максимумы эмиссии, исключая брэгговские отражения ПЭ, затухающие с ростом энергии, дают квазиупруго рассеянные электроны и электроны, отраженные с однократными потерями энергии. С наибольшей вероятностью эти электроны выходят из кристалла вдоль плотноупакованных рядов атомов, а минимальный их выход наблюдается при наибольшем удалении от данных ориентаций. С увеличением потерь энергии анизотропия выхода отраженных электронов уменьшается. Для ПЭ из средней части энергетического спектра структура угловых распределений обращается, и ориентациям вдоль плотноупакованных рядов атомов соответствуют минимумы эмиссии. Количественно в данной энергетической области анизотропия выражена слабо. Конкретный вид зависимости анизотропии выхода ВЭ от их энергии зависит от полярного угла вылета, от энергии ПЭ и от температуры кристалла.

6. В случае нормального падения пучка ПЭ эмиссия электронов, квазиупруго рассеянных Мо {ЮОЗ, при малых и средних полярных углах вылета превосходит эмиссию из поликристалла во всех азимутальных плоскостях. С ростом полярного угла эффект превышения эмиссии ослабляется и при больших углах эмиссия электронов из монокристалла в минимумах угловых распределений становится ниже уровня эмиссии поликристаллического молибдена. Данный эффект свя зан с локализацией ПЭ, усиливающей рассеяние электронов на большие углы при их проникновении в кристалл.

7. Угловые распределения оже-электронов, возбуждаемых при ионизации М^ ^-уровней молибдена и имеющих энергии в диапазоне 120 - 230 эВ, анизотропны. В данной области с ростом энергии оже-электронов начинает формироваться структура угловых распределений, характерная для кикучи-картин. Угловые распределения оже-электронов практически не зависят от энергии ПЭ в диапазоне

1-2 кэВ.

8. Локализация электронов в тонком приповерхностном слое кристалла может быть описана с помощью борновского приближения, учитывающего дифрагированные волны всех порядков и допускающего аналитическое решение. Такой подход позволяет выделить два механизма локализации электронов. Один из них является брэгговским и связан с УКР электронов всей системой атомных плоскостей кристалла. Второй механизм обусловлен УКР электроне® отдельными атомными плоскостями кристалла. Он проявляется при симметричных и близких к ним ориентациях пучка и обусловливает локализацию ПЭ в окрестностях этих плоскостей. Относительная роль каждого механизма локализации электронов в сильной степени зависит от величины постоянной решетки. Вклад в локализацию электронов за счет взаимодействия с отдельными плоскостями возрастает, а за счет брэгговского механизма, наоборот, убывает при увеличении постоянной решетки. Данные численных расчетов, выполненных в динамическом приближении теории дифракции электронов, для приповерхностной области согласуются с результатами борновского приближения. Таким образом, явление локализации ПЭ средней энергии вблизи остовов атомов кристалла при симметричных ориентациях падающего пучка имеет многоволновую природу (даже при наличии только одной системы рассеивающих атомных плоскостей).

9. За анизотропию возбуждения ВЭ разной энергии ответственны различные неупругие процессы взаимодействия электронов с кристаллом, "чувствующие" их локализацию. Высокая анизотропия отражения электронов с небольшими потерями энергии возникает главным образом вследствие усиления квазиупругого рассеяния ПЭ на большие углы за счет локализации их в окрестностях остова, возникающей при симметричной ориентации пучка. Слабо выраженная анизотропия возбуждения ВЭ в средней части спектра определяется в основном процессами аномальной проницаемости электронов. Определяющую роль в появлении низкоэнергетического максимума анизотропии играют процессы возбуждения остовных и оже-электронов, усиливающиеся при симметричных ориентациях пучка вдоль плотноупакованных рядов атомов и атомных плоскостей. Одночастичным возбуждениям валентных электронов также свойственна анизотропия; однако их возбуждение при симметричных ориентациях, наоборот, наименее эффективно.

Практическая ценность работы состоит в следующем.

1. Результаты исследования анизотропии возбуждения и выхода ВЭ разной энергии и различного происхождения имеют большое значение для построения теории взаимодействия электронов средней энергии с монокристаллическим твердым телом, которая пока делает только свои первые шаги.

2. Результаты исследования анизотропии возбуждения и выхода оже-электронов, а также ВЭ непрерывного спектра важны для интенсивно развивающегося в настоящее время метода анализа монокристаллов с помощью количественной электронной оже-спектроскопии.

3. Результаты исследования анизотропии отражения электронов с ионизационными потерями энергии нужны для развития метода ионизационной электронной спектроскопии монокристаллов.

4. Полученные данные по угловым распределениям квазиупруго рассеянных ПЭ относятся также и к исследованиям поверхности монокристаллов методом рентгено-электронной спектроскопии.

5. На основании результатов исследования зависимости анизотропии упругого отражения электронов от энергии ПЭ можно рекомендовать диапазон энергии электронов для низковольтной растровой электронной микроскопии, в котором дифракционная контрастность изображения максимальна.

Работа состоит из введения, семи глав, заключения и списка цитированной литературы, В первой главе приведены общие сведения о вторичной электронной эмиссии и о наиболее общих закономерностях этого явления, установленных для поликристаллических и аморфных твердых тел; указана специфика взаимодействия электронов с монокристаллами и качественно освещены физические основы возникновения анизотропии возбуждения и выхода вторичных элект-рбнов из монокристаллического твердого тела. Во второй главе изложены теоретические представления о локализации электронов средней энергии в кристаллах и результаты оригинальных исследований локализации электронов в приповерхностном слое монокристалла на основе борновского приближения теории дифракции, а также полученных с помощью численных расчетов, выполненных в многоволновом приближении динамической теории дифракции. В главе Ш содержатся существующие в настоящее время представления о вторичной дифракции электронов и развита простая феноменологическая модель дифракции квазиупруго рассеянных кристаллом электронов, основанная на использовании теоремы обратимости и указанных выше результатов численных расчетов волновых полей электронов в кристаллах. В главе 1У проанализированы методы исследования анизотропии возбуждения и выхода вторичных электронов и описаны экспериментальные установки, в которых эти методы были реализованы. Здесь же приведены и краткие сведения об объектах исследования. В главе У изложены результаты экспериментального исследования анизотропии интегральных характеристик ВЭЭ и влияния на нее температуры кристалла. Изучению распределения анизотропии возбуждения вторичных электронов по энергетическому спектру, а также анизотропии возбуждения отдельных выделенных из непрерывного спектра групп вторичных электронов (оже-электронов и электронов, отраженных с ионизационными потерями энергии) посвящена глава У1. Глава УП содержит результаты исследования анизотропии выхода вторичных электронов разной энергии и различного происхождения, включая оже-электроны.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах т-гъч/.

Основные результаты работы состоят в следующем.

I. Разработаны методики исследования всего комплекса ориентационных эффектов- ВЭЭ монокристаллов и созданы соответствующие экспериментальные установки (установки для получения данных об интегральных коэффициентах ВЭЭ и влиянии на них температуры кристалла и угла падения первичного пучка; установки для исследования дифференциальных зависимостей ВЭЭ от ориентации падающего пучка ПЭ относительно осей кристалла; спектрометр ВЭ с угловым разрешением, позволяющий исследовать пространственные распределения ВЭ разной энергии в большом диапазоне телесных углов вылета). При этом на первом этапе работы использовались отпаянные стеклянные приборы, а в дальнейшем - цельнометаллические установки с безмасляной системой откачки.

2. Исследование интегральных коэффициентов ВЭЭ показало, что ВЭЭ монокристаллов, в отличие от эмиссии из поликристаллических твердых тел, анизотропна. Каждая грань монокристалла характеризуется своими коэффициентами ВЭЭ и своими энергетическими зависимостями, характерной особенностью которых является тонкая структура. Коэффициенты отражения электронов от основных исследованных граней монокристаллов |\/Ь , М0 и \у , а также их полные коэффициенты превосходят таковые для поликристаллических образцов. В то же время различия между коэффициентами испускания медленных ВЭ моно- и поликристаллическими образцами существенно меньше. Высокие значения коэффициентов отражения и полной ВЭЭ обусловлены повышенной локализацией ПЭ в области остова кристалла, реализующейся при высокосимметричных ориентациях пучка ПЭ, соответствующих нормальному его падению на исследованные грани. Обнаруженные структуры энергетических зависимостей различных коэффициентов ВЭЭ коррелируют для каждой грани и сходны для однотипных граней разных металлов. При этом имеется два типа структуры - более крупная структура 1-го порядка и более мелкая структура 2-го порядка. Обнаруженная для них разная чувствительность к температуре кристалла и малым разориентировкам пучка ПЭ свидетельствует о различии механизмов их происхождения. Анализ угловых зависимостей ВЭЭ, а также сопоставление интегральных коэффициентов ВЭЭ моно- и поликристаллических образцов показали, что одночастичные возбуждения валентных электронов анизотропны.

3. Обнаружено, что анизотропия возбуждения свойственна ВЭ всего энергетического спектра, так что характер волнового поля электронов, возникающего в приповерхностном слое кристалла и определяемого граничными условиями входа пучка, влияет на всю картину движения их в кристалле. Эмиссия ВЭ всех энергий возрастает при ориентациях пучка ПЭ вдоль плотноупакованных атомных рядов и плоскостей кристалла. Однако количественно анизотропия возбуждения у ВЭ разной энергии и различного происхождения выражена не -одинаково. Она максимальна у быстрых отраженных электронов, где усиление эмиссии ВЭ обусловлено главным образом возрастанием вероятности квазиупругого рассеяния ПЭ на большие углы. Анизотропия минимальна в средней части спектра, где она в основном связана с процессами аномальной проницаемости. За возрастание анизотропии возбуждения ВЭ в области 50-200 эВ ответственны главным образом процессы возбуждения остовных и оже-электронов. ПЭ, отраженные с ионизационными потерями, и оже-электроны характеризуются более высокой анизотропией возбуждения, чем ВЭ непрерывного спектра, обладающие такой же энергией. За анизотропию возбуждения оже-электронов в области 0,5-0,6 кэВ ответственны преимущественно процессы возбуждения их ПЭ, идущими в глубь кристалла. В то же время, при энергии Ер^1,5 кэВ сопоставимый вклад вносят и быстрые ВЭ обратного потока. Анизотропия возбуждения оже-электронов возрастает с их энергией, что обусловлено увеличением глубины их выхода и связанным с ним усилением локализации ПЭ на этих глубинах.

4. Исследования угловых распределений ВЭ показали, что анизотропия выхода свойственна ВЭ практически всего энергетического спектра. Однако характер и количественное ее проявление зависят от происхождения и энергии ВЭ. На нее также оказывают влияние энергия ПЭ и температура кристалла. Наиболее интенсивные максимумы эмиссии, исключая брэгговские отражения ПЭ, затухающие с ростом энергии, дают квазиупруго рассеянные электроны и электроны, отраженные с однократными потерями энергии. С наибольшей вероятностью они вылетают из кристалла вдоль плотноупа-кованных рядов атомов, а минимальный их выход наблюдается при наибольшем удалении от данных ориентаций. С увеличением потери энергии анизотропия выхода отраженных электронов падает. Для электронов из средней части энергетического спектра обнаружен качественно иной вид структуры угловых распределений - ориента-циям вдоль плотноупакованных рядов атомов соответствуют минимумы эмиссии электронов. Сопоставление угловых распределений электронов, квазиупруго рассеянных моно- и поликристаллом, обнаружило превышение эмиссии электронов из монокристалла при всех азимутах, спадающее с ростом полярного угла. Этот результат указывает на существование взаимосвязи между локализацией ПЭ и дифракцией ВЭ. Установлено также, что с ростом температуры кристалла анизотропия выхода ВЭ падает, однако характер этих изменений различен для ВЭ разной энергии. Для квазиупруго рассеянных ПЭ эти изменения главным образом обусловлены уменьшением выхода электронов в направлениях максимумов эмиссии, что определяется многоволновой природой вторичной дифракции. Сравнение анизотропии возбуждения и выхода ВЭ в условиях обратимости траекторий падающих ПЭ и вылетающих отраженных электронов показывает, что теорема обратимости приложима к комплексу процессов упругого когерентного рассеяния электронов, их квазиупругого рассеяния и неупругого рассеяния с небольшими потерями энергии. В частности, для кило -вольтных электронов она выполняется при потерях энергии, не превышающих примерно 200 эВ. С увеличением энергии ПЭ этот диапа -зон потерь энергии расширяется. Исследования угловых распределений оже-электронов с энергиями из диапазона 100 - 230 эВ пока -зали, что они сильно анизотропны. Их структура зависит от энергии оже-электронов и на нее практически не влияет энергия ПЭ. В исследованной области энергии существенную роль в анизотропии выхода оже-электронов начинает играть механизм дифракнии, приводящий к возникновению кикучи-картин.

5. В сфере теоретических представлений об упругом когерентном рассеянии электронов в настоящей диссертации развит новый подход к описанию локализации электронов в приповерхностном слое кристалла, основанный на борновском приближении. При этом оказалось возможным учесть дифрагированные волны всех порядков. Такой подход позволил выделить два механизма локализации электронов в приповерхностных слоях кристаллов. Один из них обусловлен УКР электронов отдельными атомными плоскостями кристалла. Он проявляется при симметричных и близких к ним ориентациях пучка и обусловливает локализацию падающих ПЭ в окрестностях этих плоскостей. Второй механизм является брэгговским и связан с УКР электронов всей системой рассеивающих атомных плоскостей. Относительная роль каждого механизма в сильной степени зависит от постоянной решетки кристалла. При ее увеличении вклад в локализацию электронов за счет взаимодействия с отдельными плоскостями возрастает, а за счет брэгговского механизма, наоборот, убывает. Данные о локализации электронов в приповерхностных слоях кристалла большей толщины получены с помощью численных расчетов, выполненных методом связанных волн динамической теории дифракции электронов. Они согласуются с результатами, полученными в борновском приближении. Из совместного анализа данных обоих приближений следует, что локализация электронов средней энергии вблизи остова кристалла при входе в него вдоль симметричных и близких к ним ориентации имеет многоволновую природу. Тем самым показана необходимость использования в таких условиях многоволнового приближения теории дифракции электронов. На основе результатов численных расчетов предложена новая феноменологическая модель вторичной дифракции квазиупруго рассеянных ПЭ, учитывающая локализацию ПЭ при их проникновении в кристалл. Показана необходимость привле -чения многоволнового приближения и для описания вторичной дифракции электронов. Указано, что определяющую роль в упругом когерентном рассеянии электронов средней энергии играют плотноупа-кованные цепочки атомов. При этом для получения корректных ре -зультатов следует учитывать их дискретное строение.

Таким образом, главный итог работы состоит в установлении влияния упругого когерентного рассеяния электронов средней энергии периодическим потенциалом кристалла на весь комплекс процессов, протекающих в нем при бомбардировке электронами и приводящих к эмиссии ВЭ. Полученный экспериментальный материал, отражающий это влияние, составляет необходимую базу для развития строгой теории движения электронов средней энергии в кристаллах, которая в настоящее время делает только свои первые шаги. Прове -денный же теоретический анализ указывает основные моменты, которые должны быть учтены при решении этой задачи в области сред -ней энергии электронов.

Развитие теории необходимо не только с точки зрения получения фундаментальных знаний о закономерностях взаимодействия электронов с твердым телом, но в настоящее время очень важно и для практики в связи с разработкой количественных методов элементного анализа поверхности твердого тела и,в частности, методов электронной спектроскопии. Изученные в работе ориентационные эффекты ВЭЭ монокристаллов убедительно показывают, что без учета как анизотропии возбуждения, так и анизотропии выхода ВЭ, невозможно получать надежную количественную информацию об элементном составе поверхности монокристаллов. В свете этого многообещающими представляются дальнейшие исследования различных ориентационных эффектов для более сложных монокристаллических объектов, поверхностные слои которых состоят из атомов разных элементов или содержат примесные атомы. Важным объектом будущих исследований должны стать и монокристаллы с пленочными покрытиями. Исследованные ориентационные эффекты ВЭЭ могут составить основу для разработки новых структурных методов анализа поверхности. Все эти перспективные направления исследований требуют всестороннего развития.

В заключение автор считает своим приятным долгом выразить глубокую благодарность заведующему лабораторией физической электроники профессору Н.Й.Ионову и заведующему сектором адсорбционных процессов доктору физико-математических наук В.Н.Агееву за благожелательное отношение к работе и ее поддержку. Автор выражает искреннюю благодарность сотрудникам лаборатории и аспирантам, принимавшим участие в исследованиях, - Б.З.Алиеву, С.Л.Заславскому, И.И.Пронину и Д.П.Бернацкому. Автор также глубоко признательна заведующему теор.отделом профессору О.В.Константинову и аспиранту И.А.Шмулевичу, совместно с которыми проведен теоретический анализ взаимодействия электронов с монокристаллами.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Подводя итоги настоящей работы можно сказать, что основное ее содержание составляет комплексное экспериментальное исследование различных ориентационных эффектов во ВЭЭ монокристаллов, обусловленных упругим когерентным рассеянием электронов периодическим потенциалом кристалла для области средней энергии. Эти эффекты целесообразно разделить на две группы - эффекты, связанные с влиянием ориентации пучка ПЭ относительно осей кристалла (анизотропия возбуждения ВЭ), и эффекты, определяемые ориентацией вылетающих ВЭ относительно осей кристалла (анизотропия выхода ВЭ).

Исследования велись последовательно по трем направлениям. Первый этап работы состоял в исследовании интегральных коэффициентов ВЭЭ разных граней монокристаллов и привел к установлению анизотропии их вторично-эмиссионных свойств. На втором этапе было изучено распределение анизотропии возбуждения ВЭ по энергетическому спектру и тем самым выяснена роль упругого когерентного рассеяния электронов в эмиссии ВЭ разной энергии и различного происхождения. На третьем этапе были исследованы основные закономерности анизотропии выхода ВЭ. Большое внимание в работе уделено и развитию модельных представлений об упругом когерентном рассеянии электронов средней энергии периодическим полем кристалла.

1. Добрецов Л. H., Гомоюнова M.B. Эмиссионная электроника, М.: Наука, 1966.

2. Бронштейн И.М., Фрайман B.C. Вторичная электронная эмиссия. М.: Наука, 1969.

3. Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. М.: Наука, 1977.

4. Raether H. Solid. State Excitations by Electrons /Plasma Oscillations and Single Electron Transitions.- In: Springer Tracts in Modern Physics. Berlin Heidelberg' - New York, Springer, 1965, v.38, p.85-157.

5. Ritchi R.M. Surface Plasmons in Solids. Surf. Sei., 1973, V.34-, NI, p.I-19.

6. Применение электронной спектроскопии для анализа поверхности. /Под ред.Х.Ибаха. Рига: Зинанте, 1980. - 315 с.

7. Характеристические потери энергии электронов в твердых телах. Сб.статей под ред.А.Р.Шульмана. М.: Изд-во иностр. лит., 1959. - 270 с.

8. Методы анализа поверхностей. /Под ред.Зандерны. М.: Мир, 1979. - 580 с.

9. Протопопов О.Д. Оже-спектроскопия в применении к исследованиям поверхности сложных эмиттеров. М.: Институт электроники, 1970.

10. Кораблев В.В. Электронная оже-спектроскопия. Л.: ЛПИ им. М.И.Калинина, 1973.

11. Запорожченко В.И. Применение метода электронной Оже-спектро-скопии для количественного анализа химического состава твердого тела. Электронная промышленность, 1978, в.II-12,с.36-47.

12. Bauer, Е. Methods of Surface Studies Depending on Inelastic Scattering of Electrons.-Vacuum, 1972, v.22, p.539-552.

13. J3# Gerlach R.L., Houston, J.E., Park R.L. Ionization Spectroscopy of Surfaces. Appl. Phys. Lett., 1970, v. 4-, p. 179-181.

14. Находкин Н.Г., Мельник П.В., Коваль И.Ф, Ионизационная спектроскопия поверхности твердого тела. Поверхность. Физика, химия, механика, 1982, № 10, с.1-14.

15. Willis R.F., Christensen. N.E. Secondary-Electron-Emission Spectroscopy of' Tungsten:: Angular Dependence and Phenomenology.- Phys. Rev. B, 1978, v. 18, N 10, p.5140-5161.

16. Best: P.E. Energy- and Angular-Dependent Secondary-Electron Emission from a Si (ill) 7X7 Surface. Emission from bulk states. Phys. Rev. B, 1976, v. 14, N. 2, p., 606-619.

17. Грачев Б.Д., Комар А.П., Коробочко Ю.С., Минеев В.И. Фокусировка электронов в тонких монокристаллических пленках меди. Письма в редакцию ЖЭТФ, 1966, т.4, № 7, с.241-243.

18. De Bersuder L. Observations sur 1*emission secondaire de la face (001) de l'aluminium lieè à la diffraction des electrons de faible et moyenne énergie. C.R. Acad. Se. Paris, 1967, v. 265 B, t. 885-888.

19. Аброян И.А., Титов А.И. Угловая зависимость радиационной проводимости и вторичной эмиссии при бомбардировке монокристалла германия электронами. ФТТ, 1967, т.9, № II,с.3628-3630.

20. Stern R.M., Taub Н. Origin of Angular Dependence of Secondary Emission of Electrons from Tungsten^ Phys. Rev. Lett., 1968, v. 20, N 24-, p. I540-I34-3.

21. Комар А.П., Коробочко Ю.С. Некоторые эффекты каналирования электронов низких энергий кристаллами. ФТИ им.А.Ф.Иоффе, Л., 1968.

22. Шульман А.Р., Кораблев В.Б., Морозов Ю.А. Угловая зависимость вторично-эмиссионных характеристик монокристаллов кремния. ФТТ, 1968, т.Ю, № 6, с.1570-1572.

23. Комар А.П., Коробочко Ю.С., Грачев Б.Д., Минеев Б.И. О механизме возникновения тонкой структуры угловой зависимости коэффициента вторичной электронной эмиссии монокристаллов. -ФТТ, 1968, т.Ю, Я 6, с.1547-1548.

24. Аброян И.А., Титов А.И. Влияние температуры и ионной бомбардировки на угловые зависимости вторичной электронной эмиссии монокристалла германия. ФТТ, 1968, т.Ю, с.3432-3434.

25. Шульман А.Р,, Кораблев В.В., Морозов Ю.А. Угловая зависимость коэффициента вторичной электронной эмиссии монокристаллов кремния в диапазоне энергий первичных электронов от 100 до 2000 эВ. ФТТ, 1968, т.Ю, № 6, с.1913-1915.

26. Taub Н., Stern R.M., Dvoryankin V.F. Temperature dependence of Mean Free Path in Secondary Electron Emission. -Hiys. Stat. Sol., 1969, v. 33, N 2, p. 573-577.

27. Wolf E.D., Everhart Т.Е. Electron Beam Channeling in Single Crystal Silicon by Scanning Electron Microscopy. Appl. Phys. Lett., 1969, v.14, N 10, p.299-300.

28. Davisson C.J. and Germer L.H. Diffraction of Electrons by a Crystall of Nickel. Hiys. Rev., 1927, v. 30,1. N 6, p.705-707.

29. Thomson G.P., Red A. Diffraction of Cathode Rays by a

30. Thin Film. Nature, 1927, v.119, Jun 18, p.890-891.

31. Дворянкин В.Ф. и Митягин А.Ю. Дифракция медленных электронов метод исследования атомной структуры поверхности. -Кристаллография, 1967, т. 12, №6, с.1112-1134.

32. Наумовец А.Г. Исследование структуры поверхностей методом дифракции медленных электронов: достижения и перспективы. Укр.физ.журнал, 1978, т.23, Jfc 10, с.1585-1607.

33. Роберте М., Макки Ч. Химия поверхности раздела металл -газ. М.: Мир, 1981 (гл.З).

34. Pendry J.В. bow Energy Electron Diffraction. The Theory and its Application to Determination of Surface Structure. Acad. Press: London, New York,1974.

35. Powell C.J. Attenuation Lengths of Low-Energy Electronsin Solids. Surf. Sci., 197-4-, v. N I, p. 29-46.

36. Penn.D.R. Quantitative Chemical Analysis by ESCA. -J. Electron Spectroscopy, 1976, v. 9, p. 29-40.

37. Seach M.A., Dench W.A. Quantative Electron: Spectroscopy of Surfaces:a Standart Data Base for'Electron Inelastic Mean Free Paths in Solids. Surface and Interface Análisis, 1979, v. I, N I, p. 2-II.

38. Robins J.L., Gerlach R.L., Rhodin T.N. Kikuchi Bands in Low Energy Electron Diffraction. J. Appl. Phys., 1966, v. 37, N 4, p. I945-I95I.

39. Johnson D.C., McRae. A.U. Kikuchi Bands in Low Energy-Electron Diffraction. J. Appl. Phys., 1966, v. 37, N. p. I945-I95I.

40. Mosser'A., Burggraf'C.R. Etude du fond continu des diagrammes de diffraction obtenus a partir d'une face (IOO) de pêriclase (MgO). C.R. Acad.Sc. Paris, 1972, t.274, ser. B, p.1355-1358.

41. Mosser'A., Burggraf С.,Goldsztaub S. Etude des bandesde Kikuchi obtenues sur une face (001) de MgO aves des electrons de 400 et 1500 eV. C.R. Acad. Se. Paris, 1973, t. 277,-ser.B, t.195-198.

42. Mosser A., Burggraf С., Goldsztaub S., Ohtsuki Y.H. LEED Kikuchi-Pattern: Phonon and Plasmon Contributions. -Surf. Sei., 1976, v. 54, N 3, p. 580-592.

43. Mosser A., Shindo S., Adachi Y. Angular and Temperature Dependence of LEED Kikuchi Pattern Intensity. Phys. Stat. Sol., 1977, v. 43 A, N I, p. 295-304.=

44. Bethe H. Theorie der beugung von elektronen an kristallen. Ann. Phys., 1928, v. 87, N I, p.55-129.

45. Stern R.M., Perry J.J., Boudreaux D.S. Low-Energy Electron -Diffraction Dispersion Surfaces and Band Structure in Three-Dimensional Mixed Laue and Bragg Reflections. Rev.

46. Mod. Phys., 1969, v. 41, N 2, p.275-396.

47. Хирш H., Хови А., Никольсон P., Пэшли Д., Уэлан M. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир, 1968.

48. Erstrub P.J., McRae E.G. Surface Studies by Electron Diffraction. Surf.Sei., I97I, v. 25, N. I, p. 1-52.

49. Jona F., Storier J.A., Yang V/.S. Low Energy Electron Diffraction for Surface Analysis. Rep. Prog. Phis., 1982,1. N 5, p.527-385.

50. Ван-дер-Циль А. Измененная теория образования вторичных электронов в твердых телах. Проблемы современной физики.

51. Электронная и ионная эмиссия. М.: ИЛ, 1956, № 9, с.43-49.

52. Baroody Е.М. Excitation of Electrons in Metals by Primary

53. Electrons.- Phys. Rev., 1956, v.97 , N10,. p.1679-1684.

54. Вятскин А.Я. Теория неупругого рассеяния электронов в металлах. I. ЖТФ, 1958, № 10, с.2217-2227.

55. Вятскин А.Я. Теория неупругого рассеяния электронов в металлах. П. ЖТФ, 1958, II, с.2455-2468.

56. Humphreys C.J. The Scattering, of Fast Electrons by Crystals.- Rep.Prog.Phys., 1979, v.42, N11, P.I825-I887.

57. Hashimoto H., Howie A, Whelan M.J. Anomalous Electron Absorption Effects in Metal Foils: Theory and. Comparison with: Experiment. Prog. Roy. Soc., 1962, v. A269,p.80-117.

58. Хейденрайх P. Основы просвечивающей электронной микроскопии. М.: Мир, 1968, с.204-352.

59. Вергасов В.Л., Чуховский Ф.Н., Пинскер З.Г. Многоволновая теория дифракционного рассеяния быстрых электронов в кристаллах. П. Разрешимые системы. Кристаллография, 1982, т.27, № 4, с.645-651.

60. Stern R.M. The Back Scattering of Electrons by Crystals at Low and. High Temperatures. Phys. Rev. Appl., 1974-, v. 9, N.3, p. 377-384.

61. Бабудаев А.Я., Воробьев С.A., Каплин В.В., Попов Д.Е. Плоскостной эффект аномального прохождения электронов в кристалле. Изв.АН СССР, сер.физ., 1976, т.40, в.8, с.1691-1695.

62. Howie A., V/helan M.J. Diffraction Contrast of Electron Microscope Images of Crystal Lattice Deffects. II The Development of Dynamical Theory. Proc. Roy. Soc., 1961,v. A 265, N 1313, p. 217-237.

63. Radi G. Complex- Lattice Potentials in Electron Diffraction

64. Calculated for a Number of Crystals. Acta Cryst., 1970, v. A 26, N I, p. 41-56.,

65. Константинов O.B., Шмулевич И.А. Каналирование света в среде с периодическим изменением показателя преломления. -ФТТ, 1982, т.24, № II, с.3201-3209.

66. Konstantinov О.V., Romanov Yu.F., Schmulevitch I.A. The Multiwave Regime of Light Diffraction by Volume Phase Gratings. Optical and Quantum Electronics, 1984, v.16, N I, p. 25-34.

67. Константинов O.B., Романов Ю.Ф., Тропченко А.Ю., Шмулевич И.А. Фокусировка света при многоволновой дифракции на объемной фазовой решетке. Препринт ФТИ им.Иоффе АН COOP, Л., 1983, № 803.

68. Yoshioka H. Effect of Inelastic Scattering on Electron Diffraction. J. Ehys. Soc. Jap., 1957, v. 12, N 6, p. 618-628.

69. V/helan M.J. Inelastic Scattering of Fast Electrons by Crystals. I. Interband Excitations. II. Phonon Scattering.- J. Appl. Ehys., 1965, v.36, N-7, p.2099-2103,p.2I03-2II0.

70. Howie A., Stern R.M. The Optical Potential in Electron Diffraction. -Z.Naturforsch., 1972, v.27a, N3, p.382-389.

71. Serheels R., Haentjens D. Extension of the Yoshioka Theory of Inelastic Electron Scattering in Crystals. Phil. Mag., 1980, v. A42, N1, p.I-II.

72. Титов А.И. Взаимодействие заряженных частиц средних энергий с монокристаллическим германием. Дисс., Л., 1969.

73. Кораблев В.В., Майоров А.А., Румянцев В.В. Изменение угловых зависимостей вторичной электронной эмиссии монокристаллов при снижении работы выхода. ФТТ, 1981, т.23, $ 8,с.2337-2342.

74. Кораблев В.В., Майоров А.А. Анизотропия эмиссии вторичных и оже-электронов для монокристаллов со сниженной работой выхода. Изв.АН СССР, сер.физ., 1979, т.43, £ 3, с.635-641.

75. Кораблев В.В. Влияние кристаллической структуры веществана процессы рассеяния и эмиссии вторичных электронов. Дисс., Л., 1982.

76. Румянцев В.В., Кораблев В.В., Дубов В.В., Морозов Ю.А. Влияние кристаллической структуры твердых тел на упругое отражение электронов промежуточных энергий. Изв.АН СССР, сер. физ., т.46, }£7, с. 1336-1348.

77. Артемьев В.П., Макаров В.В., Петров Н.Н., Подсвиров О.А. Определение параметров дифракционного каналирования электронов в монокристаллах по энергетическим спектрам обратного рассеяния. ФТТ, 1983,т.25, с.684-691.

78. Shindo S., Mosser A. Contrast Change of the LEED Kikuchi Pattern due to Plasmon Excitation. Surf. Sci., 1978, v. 71, N I, p. 155- 160.

79. Аброян И.А., Бабанина О.Б., Заславский С.Л., Титов А.И. Неупрутое отражение электронов от монокристаллов, имеющих на поверхности неупорядоченную пленку. ФТТ, 1973, т.15 , с.2215-2217.

80. Аброян И.А., Подсвиров О.А., Сидоров А.И., Титов А.И. Влияние аморфной пленки кремния на анизотропию неупругого отражения электронов от монокристалла кремния. Письма в ЖТФ,1979, т.5, №21, с. 1287-1290.

81. Laue M.V. Die fluoreszenzrontgenstahlung fon einkristalleni. Ann. der Phys., 1935, v. 23, N. 7, p. 705-746.

82. Kainuma J. The Theory of Kikuchi Patterns. Actc Crys., 1955, v. 8, N. 2, p. 247-257.

83. Kono S., Goldberg S.M.,, Hall N.T. , Fadley C.S. Chemosop-tion geometry of с (2*2) oxygen on Cu (001) from Angle Resolved Core-Level X-Ray Photoemission. Phys. Rev.,1980, v. 22, N 12, p. 6085-6103.

84. Kikuchi S. Beugung der Materiestahlen. Phys. ZS., 1930,v. 31, p.737-752.

85. Alam M.N., Blachman^ M.Pashley D.W. Higfc-Angle Kikuchi

86. Pattern in the Bragg Case. Phys.Ctat.Sol.,1973,v.I9a, p.647-652.

87. Kawamura Т., Ichikava M., Goldsztaub S. Kikuchi Patterns in the Bragg Case.-Phys.Stat.Sol., 1973, v.I9a, p.647-652.

88. Okamoto K., Ichnokawa Т., Ohtsuki Y.H. Kikuchi Patterns and Inelastic Scattering. J., Phys. Soc. Japan^ 1971»30, N 6, p.1690-1701.,

89. Okamoto K.,, Ichinokawa Т., Ohtsuki Y.H. Excess and Defect Kikuchi-Bands. Phys. Rev. Lett., 1970, v.3IA, N 10, P. 570-575.

90. Pogany A.P., Turner P.S. Reciprocity in Electron Diffraction and. Microscopy. Acta Crys., 1968, v. A24-, N I, p. ЮЗ-Ю9.

91. Тегарт В. Электролитическое и химическое полирование металлов. М.: ИЛ, 1957.

92. Попилов Л.Я. Электрополирование и электротравление металлографических шлифов. М.: ИЛ, 1963.

93. Васильковский Д.Н., Таджиева Э.М. К вопросу возникновения особой структуры проволок. ФТТ, 1962, т.4, № I, с.90-95.

94. Шульман А.Р., Кораблев В.В., Морозов Ю.А. Вторичная электронная эмиссия монокристаллов молибдена. ФТТ, 1970,т.12, с.758-762.

95. Тренделенбург Э. Сверхвысокий вакуум. М.: Мир, 1966, с.24.

96. Taylor N.J. The Role of Auger Electron: Spectroscopy in. Surfaces: Elemental Analysis. Vacuum, 1969, v. 19, N12, p. 575- 591.

97. Заславский С.Л. Взаимодействие электронов средних энергий с монокристаллами и тугоплавких переходных металлов. Дисс. . канд.физ.-мат.наук. Л., 1980.

98. Афанасьев В.П., Явор С.Я. Светосильный энергеанализатор с двойной фокусировкой. Письма в КТФ, 1975, т.1, в.17, с.779-781.

99. Алиев Б.З. Вторичная электронная эмиссия монокристаллов W и Mo. Дисс. . канд.физ.-мат.наук. Л., 1971.

100. Бронштейн И.М., Пронин В.Г1. Пространственное и энергетическое распределение вторичных электронов для золота. ХУП Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Тезисы докладов. Л., 1978. с. 239.

101. Полонский Б.А. Электронная оже-спектроскопия при низких возбуждающих токах. Промышленная электроника, 1978, в.П-12, с.52-59.

102. Пронин И.И. Исследование дифракционного рассеяния электронов средних энергий монокристаллическим молибденом методом вторично-электронной спектроскопии с угловым разрешением. Дисс. . канд.физ.-мат.наук, Л., 1982.

103. Laposky А.В., Whetten N.R. Dependence Secondary Electron Emission-on Crystal Orientation^ Phys. Rev. Lett., 1959, v. 3, N. II, p. 510-513.

104. Laponsky А.В., Whetten- N.R. Dependence of Secondary Electrons from MgO Single Crystals on: Angle of Incidence . -Phys. Rev., I960, v. 120, N. 3, p. 801-806»

105. Dekker- A.J. Variation of 'Secondary Electrons of Single: Crystals with the Angle of Incidence. Phys. Rev. Lett., I960, v. 4-, N. 2, p. 55-58.

106. Soshea R.W., Dekker A.J. Pine Structure of Secondary Emission vs Angle of Incidence of the Primary Beam: on: Titanium Single Crystals. Phys. Rev., 196I, v. 121, N 5, p. 1362-1369.

107. Ю4. Soshea R.W., Dekker A.J. Pine Structure of Secondary Emission vs Angle of Primary Beam on Titanium Single Crystals.- Phys. Rev. Lett., 1961, v. 5, N I, p. 39-41.

108. Шульман A.P., Кораблев В.В., Морозов Ю.А. Вторичная эмиссияи упругое отражение электронов от монокристаллов. Изв. АН СССР, сер.физ., 1971, т.35, №2, с.218-224.

109. Кораблев В.В. Анизотропия вторично-эмиссионных свойств монокристаллов. Дисс., Л., 1971.

110. Bas Е.В., Escher; S. Vergleichende Unfersuchune uber die

111. Anisotropie der durch Primar-Elektronen und Primar*-Ionen ausgelosten Sekundar-Elektronen-Emession von Silizium. -Helv. Phys. Acta, 1967, v. 40, p. 352-354.

112. Palmberg P.W. Secondary Emission' Studies on Ge and Na-covered Ge. J.Appl.Phys., 1967, v.38, N 5, p.2137-2147.

113. Грачев Б.Д. Каналирование электронов в кристаллах. Дисс. . канд.физ.-мат.наук, Л., 1971.

114. Reimer L.,Badde H. G., Buhring W. Orientirugs-anisotropie des rucksttreukoeffizienten und sekundäre elektronenausbeute von 10-100 keV-elektronen.- Z.fur Ang.Ehys.,1971, v.3I,p.I45-I5I

115. Савицкий E.M., Буров И.В., Капустин В.И. Вторичная электг ронная эмиссия монокристалла соединения в системе молибденродий. Доклады АН СССР, 1977, т.233, № 3, с.353-355.

116. Савицкий Е.М., Буров И.В., Капустин В.И. Вторичная электронная эмиссия монокристаллов системы молибден- ниобий. -Доклады АН СССР, 1976, т.231, N I, с.75-79.

117. Малышев C.B. Исследование структуры и вторично-эмиссионных свойств эпитаксиальных пленок окислов щелочноземельных металлов. Дисс. . канд.физ.-мат.наук, Л., 1977.

118. Добрецов Л.Н., Мацкевич Т.Л. Роль отраженных электронов во вторичной эмиссии. ЖТФ, 1957, т.27, № 4, с.734-737.

119. Бронштейн И.М., Сегаль Р.Б. Пробег медленных вторичных электронов в металле и роль неупруго отраженных электронов во ВЭ. Доклады АН СССР, 1958, т.123, Р 4, с.639-641.

120. Бронштейн И.М., Денисов С.С. Неупругое рассеяние в твердых телах при наклонном падении первичного пучка. ФТТ, 1965, т.7, № 6, с.1846-1855.

121. Ellis W.P. As (0001) Surfaces: Auger, Loss and Photoelec-tron Spectroscopic Studies.-Surf.Sei., 197^, v.41, p.I25-I4I.

122. Allie G., Blanc E., Dufayard D. Etude experimentale des electrons retrodiffuses par les faces (001) de l'aluminium et ( III) du silicium. Surf . Sci., 1974-, v.4-3, N 2, t. 54-5-561.

123. Baines M., Howie A., Andersen S.K. Crystalline Effects in Backscattering and Auger Production. Surf. Sci., 1975, v.50, N 2, p. 546- 553.

124. Allie G., Blanc E. Dufayard D., Stern R.M. Etude experimentale de l'influence l'angle d'incidence des electrons primaires sur le rendement de l'émission. Surf. Sci., 1974-, v. 46, N. I, p. 188-196.

125. Rusch T.W., Ellis W.P. High-Angular-Resolution Secondary -Electron Spectroscopy: Kikuchi Corrélation for As ( OOOI) .-Appl. Phys. Lettr., 1975, v.26, N 2, p.

126. Майоров A. A. Особенности эмиссии вторичных (в том числе

127. Оже) и отраженных электронов из монокристаллов в диапазоне энергий первичных электронов 100-2000 эВ. Дисс., Л., 1979.

128. Грачев Б.Д., Козловский С.С., Коробочко Ю.С., Минеев В.И. 0 влиянии каналирования на форму энергетического спектра рассеянных электронов. Письма в ЖТФ, 1977, т.З, 16, с.845-847.

129. Аброян И.А., Подсвиров О.А. Глубина формирования анизотропии обратного отражения электронов от монокристаллов кремния. Письма в ЖТФ, 198I, т.7, в.З, с.181-185.

130. Подсвиров О.А. Анизотропия неупругого отражения электронов от совершенных и несовершенных кристаллов кремния.1. Дисс., Л., 198I.

131. Haas Grant J.T., Dooley G.J. Auger-Electron Spectroscopy of Transition Metals. Phys. Rev. B, 1970, v.I, N p. 14-4-9-14-59.

132. Нестеренко Б.А., Снитко O.B. Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников. Киев: Наукова думка, 1983 (гл.З).

133. Шмулевич И.А. Влияние локализации потока электронов в монокристаллах на эффекты анизотропии вторичной электроннойэмиссии. Дисс. . канд.физ.-мат.наук, Л., 1983.

134. Schilling J.S., Webb M.В. Low-Energy Electron Diffraction from Liquid Hg: Multiple Scattering, Scattering Factor and Attenuation. Phys.Rev.B, 1970, v.2,N 6, pI665-I676.

135. Бронштейн И.M., Пронин В.П., Стожаров В.М. Однократное и кратное взаимодействие при упругом рассеянии электронов на атомах твердого тела. ХУ1 Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Махачкала, 1976, ч.П, с.118-119.

136. Коваль И.Ф., Крынько Ю.Н., Мельник П.В., Находкин Н.Г. Длина свободного пробега электронов для образования поверхностных плазмонов в алюминии. ФТТ, 1976, т.18, № 9,с.2572-2576.

137. Koval I.E., Krynko Yu.N., Melnik P.V., Nakhodkin N.G., Shaldervan A.I. The Determination of Electron Mean Free Paths in.Solids by Depth and Angular Dependences of Ine-lastically Scattered Electron Spectra. Surf. Sci., 1978, v. 77, N I, p.4-0-51.

138. Крынько Ю.Н., Мельник П.В., Находкин Н.Г. Влияние возбуждения поверхностных плазмонов на интенсивность пиков спектра НОЭ. ФТТ, 1980, т.22, JÉ 5 , C.I294-I30I.

139. Крынько Ю.Н. Исследование дифференциальных характеристик неупругого отражения электронов. Дисс., Киев, 1984.

140. Шульман А.Р., Кораблев В.В. Угловые зависимости вторично-эмиссионных характеристик монокристаллов ниобия. Электронная техника, серия 4, 1971, в.1, с.68-73.

141. Коваль И.Ф., Крынько Ю.Н., Мельник П.В., Кошевая С.В., Находкин Н.Г. Длина свободного пробега электронов для образования плазмонов в алюминии. ФТТ, 1975, т.17, № 4, c.II38-II4I.

142. Goodenough J.B. Вал! Structure of Transition Metals andtheir Alloys.-Fhys.Rev., I960, v.120, N1, p.67-83.

143. Хароуэр Г.А. Электроны Оже в энергетическом спектре вторичных электронов, эмиттированных Мо и W . В сб.: Характеристические потери энергии электронов в твердых телах. М.: ИЛ, 1959, с.196-202.

144. Tharp L.N., Schieber E.J. Energy Spectra of Inelasticaly Scattered Electrons and LEED Studies of Tungsten. J.Appl. Phys,, 1967, v. 38, N 8, p. 3320-3330.

145. Зашквара B.B., Корсунский М.И., Редькин B.C., Масягин В.Н. Характеристические потери энергии электронов в W , Кь и No . ФТТ, 1969, т.II, В 12, с.3667-3669.

146. Чайковский Э.Ф., Редькин B.C., Зашквара В.В., Сотников В.Г. Идентификация некоторых пиков в спектре характеристических потерь энергии электронов в вольфраме. ФТТ, 1973, т.15,1. В 6, с. 1947-1948.

147. Кремков М.В. Интерпретация особенностей спектров энергетических потерь на примере молибдена и вольфрама. ФТТ, 1976, т.20, $ 8, с.2790-2793.

148. Кораблев В.В. Спектры характеристических потерь энергии электронов в монокристаллах вольфрама. ФТТ, 1970, т.12, Jfc 6, с.1638-1640.

149. Lucher P.E. Energy Loss Mechanisms in Low Energy Electron Scattering from W (100) and their Use as a Surface Sensitive Spectroscopy. Surf. Sci.,, 1977, v. 66, N I, p. 167-188.

150. Артамонов O.M., Болотов Б.Б., Кремков М.В. Рассеяние медленных электронов от монокристалла молибдена. Изв.АН СССР, сер.физ., 1973, т.37, №12, с.2495-2498.

151. Ballu, Y., Lecante J., Rousseau Н. Energy-Loss Spectra of Mo {l003r Clean and Covered with Oxigen. Phys. Rev., B, 1976, v. 14, N 8, p. 3201-3214-.,

152. Малышев С.В. Исследование структуры и вторично-эмиссионных свойств эпитаксиальных пленок окислов щелочноземельных металлов. Дисс., Л., 1977.

153. Зашквара В.В., Чокин К.Ш. Разделение спектров поверхностных и объемных плазменных потерь энергии ниобия. ФТТ, 1975, т. 17, №7, с. 1935-1939.

154. Weaver J".H., Lynch D.W., Olson C.G. Optical Properties of Niobium from 0,1 to 36,4 eV. Phys. Rev. B, 1973, v.7,1. N 10, p.4-311-4318.

155. Weaver ¿Г.Н-., Lynch D.W., Olson C.G. Optical Properties of V, Та and Mo from 0,1 to 35 eV. Phys. Rev. B, 1974,.v. 10, N 2, p. 501-516.

156. Weaver C.G., Olson C.G., Lynch D.W. Optical Properties of Crystalline Tungsten. Phys. Rev. B, 1975, v. 12, ii 4, p. 1293-1297.

157. Edwards D., Jr., Propst F.M. Energy Loss Spectra of Ine-lastically Scattered Electrons from Tungsten. J. Chem. Phys., 1971, v. 55, N II, p. 5175-5178.

158. Everhart Т.Е. Simple Theory Concerning the Reflection of Electrons from Solids. J. Appl. Hays., I960,, v. 31, N 8, p. 1483-14-90.

159. Находкин Н.Г., Остроухов A.A., Романовский В.А. Неупругое рассеяние электронов в тонких пленках. ФТТ, 1962, т.4, о.1514-1524.

160. McAfee Y7.S. Determination of Energy Spectra of Backscatte-red Electrons b^r Use of Everhart's Theory. J. Appl. Phys., 1976, v. 47, N 3, p. II79-II84-.

161. Opal C.B., Beaty E.C., Peterson W.K. Tables of Energy and Angular Distributions of Electrons, Ejected from Simple Gases by Electron Impact. JIM Report, N 108, Universityof Colorade, Boulder. Colorado, 1971.

162. Огурцов Г.Н. Энергетическое распределение электронов, испускаемых из атома аргона при электронном ударе. ЖЭТФ, 1973, т.64, № 4, с.1149-1153 .

163. Бете Г.А. и Ашкин Ю. Прохождение излучения через вещество.- В кн.: Экспериментальная ядерная физика (под.ред.Э.Оегре ), т.I, ч.П, § 2. М.: ИЛ, 1955, с.215-256.

164. Горелик В,А. Формализация метода количественной электронной оже-спектроскопии. Электронная промышленность, 1979,1. В 11-12, с.47-52.

165. Powell C.J. Cross Sections for Ionization of Inner-Shell Electrons by Electrons. Rev. Mod. Phys., 1976, v. 48, N I, p.33-47.

166. Bishop H.E., Riviere J.C. Estimates of the Efficiencies of Production of Electron-Excited Auger. Emission.-j.Appl„

167. Phys., 1969, v. 40, N 4, p.1740-1744.

168. Крынько Ю.Н., Мельник П.В., Находкин Н.Г. Неупругое отражение электронов и его роль в образовании Оже-электронов. Изв.АН СССР, сер.физ., 1976, т.40, №2, с.2505-2511.

169. Jablonski A. Estimation of Backsсattering Factor for Low Atomic Number Elements and Their Alloys. Surf. Sci., 1978, v. 74, N 3, p. 621-635.

170. Канченко B.A., Крынько Ю.Н., Мельник П.В., Находкин Н.Г. Вклад отраженных электронов в образование оже-электронов для разных углов скольжения первичного пучка. ФТТ, 1978, т.20, JS I, с.250-252.

171. Allie G., Blanc Е., Dufyard D. Experimental Study of Surface and Bulk Plasmon Losses Induced in A1 (OOl)by Low Energy Electrons. Surf. Sci., 1977, v. 62, N I,p. 215-232.

172. McDonnell L., Woodruff D.P. Angular Dependence, of Auger Electron Emission from a Single Crystal Specimen. Vacuum, 1972, v. 22, N 10, p. 477-480.

173. McDonnell L., Woodruff D.P., Holland B.W. Angular Dependence of Auger Electron Emission from Cu (III) and ( 100)

174. Surfaces. Surf. Sci., 1975, v. 51, N I, p. 249-269.

175. Weeks S.P., Liebsch A. Comparison of Angular Resolved

176. Measurements of Auger Emission from a clean Nickel ( 100) Surface with Electrons Multiple Scattering Calculations. Surf. Sci., 1977, v. 62, N I, p.197-205.

177. White. S.J., Woodfuff D.P., McDoonell L. Angular Dependence of Auger Electron. Emission from Si and Cu Surfaces in Present of Overlayers. Surf. Sci., 1978, v. 72, N I,p. 77- 83.

178. Matsudaira T., Onchi M. Angle-Resolved Auger Emission from Ag ( 100 ) Surface. Surf. Sci., 1978, v. 74, N 3, p. 684-690.

179. Zehner D.M., Noonan. J.R., Jenkinz Ъ.Н. Angular Resolved L^VV Auger Emission Spectra from Cu (100) . Phys. Lett., v. 62A, N 4, p. 267-269.

180. Hilferink H., Lang E., Heinz K. Angular Resolved Auger Emission and LEED Kikuchi Intensities at 850 eV fro'm a

181. Ni (I00) Surface. Surf. Sci., 1980, v.93, Ni2, p.,398-406.

182. Носов А.П. Анизотропия оже-эмиссии монокристаллов. Автореф. дисс. . канд.физ.-мат.наук. М., 1983.

183. Burns J. Angular-Distribution of Secondary Electrons from (100) faces of Copper and Nickel. Phys Rev., I960,v. 119, N I, p.I02-II4.

184. Appelt G. Fine' Structure Measurements in the Energy Angular Distribution of Secondary Electrons from a (HO)Face of Copper. Phys.Stat.Sol., 1968, v.27, N 2, p.657-669.

185. Mosser-A, Burggraf C., Goldsztaub S. Validité du pricipe de, réciprocité pour la diffusion inelastique des electronsde 400 et' 1500 eV par une (001) Mg. C. R. Ac ad". SC., Paris, 197^, t. 278 B, p. 327-330.

186. Гомоюнова M.В., Алиев Б.З. Вторичная электронная эмиссия грани {III} монокристалла вольфрама. ФТТ, 1969, т.II, гё II, с.3619-3621.

187. Гомоюнова М.В., Алиев Б.З. Кристаллографическая анизотропия отражения электронов от монокристаллов вольфрама. ФТТ,1970, т.12, № 10, с.2472-2474.

188. Гомоюнова М.В., Алиев Б.З. О кристаллографической анизотропии вторично-эмиссионных характеристик основных граней монокристаллов. ФТТ, 1970, т.12, № II, с.2742-2744.

189. Гомоюнова М.В., Алиев Б.З. Вторичная электронная эмиссия монокристаллов вольфрама и молибдена. Х1У Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Тезисы докладов. Ташкент: ФАН УзССР, 1970, с.12.

190. Гомоюнова М.В., Алиев Б.З. Кристаллографическая анизотропия вторичной электронной эмиссии и отражения электронов от монокристалла вольфрама. ФТИ им.А.Ф.Иоффе АН СССР, Л., 1970, с. 13.

191. Гомоюнова М.В., Алиев Б.З. Вторичная электронная эмиссиямонокристаллов Mo и W . Изв.АН СССР, серия физическая,1971, т.35, JË 2, с.231-236.

192. Гомоюнова М.В. Анизотропия истинной вторичной электронной эмиссии. ФТТ, 1972, т. 14, №12, с.3498-3500.

193. Гомоюнова М.В., Алиев В.З. Анизотропия характеристик движения электронов средних энергий в монокристаллах вольфрама. В сб.: Структура и свойства монокристаллов металлов. М.: Наука, 1973, с.198-216.

194. Гомоюнова М.В., Алиев Б.З. Влияние угла падения электронов на структуру вторично-эмиссионных характеристик монокристаллов. В сб.: Эмиссионная электроника. Материалы научного семинара. М., 1974, с.75-84.

195. Гомоюнова М.В. Вторичная электронная эмиссия металлов и сплавов. В сб.: Сплавы редких металлов с особыми физическими свойствами. М.: Наука, 1974, с.185-192.

196. Гомоюнова М.В., Заславский С.Л., Пронин И.И. О структуре вторично-эмиссионных характеристик монокристаллического молибдена. ФТТ, 1976, т.18, В 5 , с.1383-1386.

197. Гомоюнова М.В. Вторично-эмиссионная спектроскопия поверхности твердого тела. ЖТФ, 1976, т.46, Л 6, с.1137-1170.

198. Гомоюнова М.В., Заславский С.Л., Пронин И.И. Влияние угла падения электронов на эмиссию вторичных электронов разных энергий из монокристаллического ниобия. ХУ1 Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Тезисы докладов, ч.П, 1976, с.99.

199. Гомоюнова М.В., Заславский С.Л., Пронин И.И. Анизотропия упругого отражения электронов от монокристаллического молибдена. ФТТ, 1978, т.20, № 5, с.1586-1589.

200. Гомоюнова М.В., Заславский С.Л., Пронин И.И. Анизотропия ионизационных потерь энергии электронов в монокристаллическом молибдене. Письма в ЖТФ, 1978, т.4, № 14, с.864-868.

201. Гомоюнова М.В., Заславский С.Л., Пронин И.И. Ориентационные эффекты в электронной оже-спектроскопии монокристаллического молибдена. ФТТ, 1978, т.20, #9, с.2786-2790.

202. Гомоюнова М.В., Заславский С.Л., Пронин И.И. Анизотропия вторичной электронной эмиссии при наклонном падении электронов на Mo {100}. ФТТ, 1978, № 12, с.3645-3653.

203. Гомоюнова М.В., Заславский С.Л., Пронин И.И. Упругое отражение электронов от монокристалла Mo {1001г. Ш Всесоюзный симпозиум по вторичной и фото-электронной эмиссии. Краткие содерж.докл. M., 1978, с.Ш-Н2.

204. Гомоюнова М.В., Заславский С.Л., Пронин И.И. Анизотропия возбуждения оже-электронов в монокристаллическом молибдене. Ш Всесоюзный симпозиум по вторичной и фотоэлектронной эмиссии. Краткие содерж.докладов. M., 1978, с.109-110.

205. Гомоюнова М.В., Заславский С.Л., Пронин И.И. Ориентацион-ные эффекты во вторичной электронной эмиссии монокристаллического молибдена. ХУЛ Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Краткие содерж.докл., Л., 1978, с.286-287.

206. Гомоюнова М.В., Заславский С.Л., Пронин И.И. Проявление дифракционных эффектов в отражении электронов с однократными потерями энергии. Письма в ЖТФ, 1979, № 5, в. 16, с.1008-1033.

207. Гомоюнова М.В., Заславский С.Л., Пронин И.И. О необходимости учета дифракционных эффектов в количественной электронной оже-спектроскопии монокристаллов. Письма в ЖТФ, 1979, т.6, в.2, с.93-96.

208. Гомоюнова М.В., Пронин Й.И., Бернацкий Д.П., Заславский С.Л. Анизотропия возбуждения и выхода вторичных электронов из монокристалла ГЧо {Ю0.г. Там же, с.47-48.

209. Гомоюнова М.В., Константинов О.В., Шмулевич И.А. Анализ анизотропии вторичной электронной эмиссии монокристаллов в бор-новском приближении. Там же, с.45-46.

210. Пронин И.И., Гомоюнова М.В., Бернацкий Д.П., Заславский С.Л. Установка для исследования дифракционных эффектов, проявляющихся в электронной спектроскопии с угловым разрешением. -Там же, с.51-52.

211. Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Бернацкий Д.П., Заславский С.Л. Дифракция электронов средней энергии на монокристалла Мо £1003 - ФТТ, 1981, т.23, » 5, с.I276-I28I.

212. Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Бернацкий Д.П., Заславский С.Д. Электронная оже-спектроскопия с угловым разрешением монокристалла Мо {100}. ХУЛ Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. М., 198I, с.324-325.

213. Гомоюнова М.В., Константинов О.В., Шмулевич И.А. Анализ анизотропного возбуждения оже-электронов в борновском и динамическом приближениях теории дифракции. Там же, с.300-301.

214. Gomoyunova M.V., Konstantinov O.V., Shmulevitch I.A. The Perturbation Theory of Diffraction Effects in Secondary Electron Emission onCrystal Surface.-Surf.Sci.,1981,v.108,p28I-29I,

215. Гомоюнова М.В., Пронин И.И. Анизотропия выхода электронов средней энергии из монокристаллического молибдена. ХШ Всесоюзное совещание по рентгеновской и электронной спектроскопии. Тезисы докладов. Львов, 198I, с.173.

216. Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Шмулевич И.А. Вторично-электронная спектроскопия монокристаллов. Всесоюзная школа по физике, химии и механике поверхности. Тезисы докладов. Нальчик, 198I, с.181.

217. Гомоюнова М,В., Пронин И.И. Применимость теоремы взаимности к неупругому отражению электронов низкой энергии. Тезисы докладов XI Совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: Изд.МГУ, 1981, с.101.

218. Гомоюнова М.В., Константинов О.В., Шмулевич Й.А. Локализация электронов низкой энергии в кристаллах. Там же, с.102.

219. Гомоюнова М.В. Электронная спектроскопия поверхности твердого тела. УФН, 1982, т.136, № I, с.105-148.

220. Гомоюнова М.В., Заславский С.Л., Пронин И.И. Анизотропия взаимодействия электронов средней энергии с монокристаллами переходных металлов. ФТТ, 1982, т.24, № 2, с.390-395.

221. Гомоюнова М.В., Пронин И.И. Анизотропия возбуждения и выхода оже-электронов монокристаллического молибдена. Поверхность, 1982, т.I, » 7, c.II2-II7.

222. Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Бернацкий Д.П., Заславский С.Л. Приложение теоремы обратимости к вторичной электронной эмиссии. Изв.АН СССР, сер.физ., 1982, т.46, № 7, с.1324-1328.

223. Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Заславский С.Л. Анизотропия выхода вторичных электронов из монокристаллического молибдена. ФТТ, 1982, т.24, № 9, с.2173-2178.

224. Гомоюнова М.В., Константинов О.В., Шмулевич И.А. Локализация электронов средней энергии в монокристаллах и ее роль в электронной спектроскопии поверхности твердого тела. Изв.АН СССР, сер.физ., 1982, т.46, & 12, с.2308-2311.

225. Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Бернацкий Д.П., Заславский С.Л. Спектрометр вторичных электронов с угловым разрешением для исследования поверхности монокристаллов. ПТЭ, 1982, I,с. 175-Г78.

226. Бернацкий Д.П., Заславский С.Л., Пронин И.И., Гомоюнова М.В. Система регистрации спектрометра вторичных электронов. ПТЭ, 1982, I I, с.178-180.

227. Гомоюнова М.В., Пронин И.И. Применимость теоремы взаимности к неупругому отражению электронов низкой энергии. Труды XI Совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: Изд.МГУ, 1982, с.353-357.

228. Гомоюнова М.В., Константинов О.В., Шмулевич И.А. Локализация электронов низкой энергии в кристаллах. Там же, с.427-430.

229. Гомоюнова M.B., Пронин И.И., Шмулевич И.А. Анизотропия угловых распределений электронов с энергией 2 кэВ, квазиупруго рассеянных монокристаллическим молибденом. Письма в ЖТФ,1982, т.8, в.19, с.II84-II87.

230. Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Шмулевич И.А. Влияние первичной и вторичной дифракции на квазиупругое рассеяние электронов средней энергии монокристаллическим молибденом. Препринт ФТИ, № 804, 1983. 33 с.

231. Гомоюнова М.В. Роль ориентационных эффектов в электронной спектроскопии поверхности твердого тела. Всесоюзный симпозиум "Электронная микроскопия и электронография в исследовании образования структуры и свойств твердых тел." Звенигород, 1983, с.Г?1.

232. Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Шмулевич И.А. Дифракция электронов средней энергии, испускаемых приповерхностными слоями монокристаллов. Всесоюзная школа по физике поверхности. Тезисы оригинальных докладов. Ташкент, 1983, с. Ю5.

233. Gomoyunova M.V., Pronin 1.1., Shmuleviteh I.A. Kikuchi Patterns of Mo {100} and Primary Electron Localisation. -Surf. Sei., 1984, v. 139, N 2, p. 443- 452.