Исследование температурной зависимости работы выхода основных граней монокристалла молибдена тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ .5

ГЛАВА I. ОБЗОР ТЕОРЕТИЧЕСКИХ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ РАБОТ ПО ИССЛЕДОВАНИЮ ТКРВ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ .Ю

§1.1. О температурной зависимости работы выхода электрона .10

§ 1.2. Современные теории анизотропии ТКРВ . . . 18-

§ 1.3. Экспериментальные исследования ТКРВ монокристаллических поверхностей .28

§ 1.4. Выводы из обзора и постановка задач диссертации .-.43

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ РАБОТЫ ВЫХОДА.

§ 2.1. Анализ кривой задержки в методе Шелтона . 45

§ 2.2. Обоснование выбора методики .49

§ 2.3. Конструкция экспериментального прибора

2.3.1. Препарирование монокристаллических эмиттеров.52

2.3.2. Экспериментальный прибор .55

2.3.3. Вакуумные условия .58

§ 2.4. Анализ чистоты исследованных поверхностей 60

§ 2.5. Электрическая схема измерения .67

§ 2.6. Юстировка прибора и ее разрешающая, способность 71-

§ 2.7. Оценка и учет поправок к величине задерживающего потенциала

2.7.1. Поправка на термо э.д между эмиттером

• и коллектором .77

2.7.2. Оценка величин возможных падений напряжений 80

ГЛАВА 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТОВ.

§3.1. Влияние адсорбции молекул остаточного газа на коллекторе на кривые задержки .82

§3.2. Исследование ТКРВ контрастных граней вольфрама

3.2.1. Проце,дура и результаты измерений ТКРВ вольфрама .86

3.2.2. Определение термоэмиссионных параметров исследованных граней монокристалла вольфрама 93

3.2.3. Контроль согласованности полученных результатов .95

§ 3.3. Исследование ТКРВ основных граней монокристалла молибдена.

3.3.1. Исследование влияния состояния поверхности коллектора на результаты измерения ТКРВ эмиттера .99

3.3.2. Исследование ТКРВ плотноупакованных граней

100) и (110) монокристалла молибдена . . 104

3.3.3. Определение термоэмиссионных параметров исследованных граней молибдена .I07

§ 3.4. Исследование упругого отражения медленных электронов от поверхности граней Мо . . . . II3-II

3.4.1. Методика исследования КУО медленных электронов в приборе типа Шелтона .II4-II

3.4.2. Энергетическая зависимость КУО медленных электронов от граней монокристалла молибдена П8

ГЛАВА 4. АНАЛИЗ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ

§4.1. Температурная зависимость работы выхода граней монокристаллов .124

§ 4.2. Анализ анизотропии ТКРВ граней монокристалла молибдена с точки зрения современных теорий . 130

§ 4.3. Оценка вклада термогенерации точечных дефектов на поверхности грани в ее ТКРВ . . . 133

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ . 144

Температурный коэффициент работы выхода (ТКРВ) однородной поверхности является, наряду с самой работой выхода, важнейшей эмиссионной характеристикой поверхности.Из-за отсутствия в настоящее время законченной теории работы выхода и ее темперао турнои зависимости, значения этих величин для различных однородных эмиттеров определяется экспериментально. В частности, для основных граней монокристаллов важнейших тугоплавких металлов (\л/ , Та , Мо ,N6 N1,Ке ) достаточно надежно определены значения работ выхода /I/. Значения ТКРВ для подавляющего большинства однородных поверхностей неизвестны вовсе, а отдельные значения для ряда граней монокристаллов IV/2-8/, N6 /9/, Та /10-11/, Си /13-12/ и N1 /14/, полученные в опытах разных авторов, плохо согласуются друг с другом. Литературные данные ТКРВ для этих кристаллов противоречивы не только по величине, но и по знаку. Основной причиной такого положения являются значительные технические трудности экспериментального определения ТКРВ чистых однородных поверхностей. Необходимо иметь в виду, что целый ряд зависящих от температуры факторов (адсорбция на поверхности молекул остаточного газа, .диффузия примесей из объема кристалла, дефекты кристаллической решетки и др.) приводят к температурной зависимости работы выхода, могущей значительно превысить истинную температурную зависимость работы выхода чистой однородной поверхности.

Трудности, возникающие при измерении ТКРВ, очевидно, обусловлены малым абсолютным значением этого коэффициента(порядка 10"~4 - 10"^ эВ К"1), что предъявляет к эксперименту особые требования по чистоте и однородности поверхности и чувствительности измерительной аппаратуры. Проведенные до настоящего времени измерения не дали исчерпывающих результатов из-за несоблюдения указанных требований в полной мере. Пока не представляется возможным сделать какие-то общие выводы о механизмах, обуславливающих температурную зависимость работы выхода чистой однородной поверхности.

Для создания последовательной теории температурной зависимости работы выхода, для понимания механизмов, ответственных за изменение работы выхода с температурой, необходимо иметь большое число экспериментальных данных, выполненных на однородных поверхностях различных материалов и в соответствующих условиях.

Поэтому для решения проблемы температурной зависимости работы выхода большое внимание в эмиссионной электронике уделяется актуальной задаче - экспериментальному измерению работы выхода и ее температурного коэффициента для набора граней монокристаллов металлов.

Наиболее удобными объектами исследования ЖРВ являются низкоиндицированные грани монокристаллов тугоплавких металлов. Чистота поверхности в этом случае может быть достигнута достаточно интенсивной термической обработкой в высоком вакууме без нарушения кристаллической структуры образца.

Для одного из важнейших в электровакуумном производстве материала - молибдена - до нас не была измерена температурная зависимость работы выхода ни для одной грани.

Основной целью диссертационной работы являлось установление кристаллографической зависимости температурного коэффициента работы выхода основных граней монокристалла Мо.

Для достижения указанной цели в работе были поставлены конкретные задачи, решение которых выносится на защиту:

1. Разработка экспериментального прибора и измерительного комплекса, позволяющего в автоматическом режиме записывать кривые задержки термоэлектронной эмиссии однородного эмиттера при различных температурах.

2. Результаты измерения ТКРВ основных граней (НО), (112), (100) и (III) монокристалла Мои (НО), (III) монокристалла

W .

3. Результаты измерения коэффициента упругого отражения медленных электронов от граней (ПО), (112), (100), (III) Mo.

4. Результаты измерения термоэлектронных параметров указанных граней Мо и W .

5. Теоретический расчет вклада термостимулированных точечных дефектов на поверхности однородной грани в температурную зависимость работы выхода.

Научная новизна полученных в работе результатов заключается в следующем:

1. Впервые измерены ТКРВ основных граней (ПО), (100), (112) и (III) монокристалла молибдена и методом Шелтона полу-чёны значения ТКРВ для граней (ПО) и (III) вольфрама.

2. Впервые модификацией метода Шелтона исследована энергетическая зависимость коэффициента упругого отражения медленных (до 20 эВ) электронов от граней (ПО), (112), (100) и (III) молибдена.

3. Впервые теоретически рассмотрена модель температурной зависимости работы выхода, обусловленная термогенерацией точечных дефектов на поверхности.

4. Установлено максвелловское распределение электронов по энергиям, эмиттированных с однородных поверхностей вольфрама и молибдена.

Полученные в работе результаты имеют определенное научное и практическое значение. Экспериментальные исследования анизотропии ТКРВ монокристаллов тугоплавких металлов способствуют построению общей теории работы выхода однородных поверхностей и выяснению механизмов температурного изменения работы выхода. Предложенная в работе теоретическая модель температурной зависимости работы выхода за счет термогенерации точечных дефектов и выполненные расчеты свидетельствуют о существенной роли этого процесса в механизме температурной зависимости.

Данные о ТКРВ отдельных граней монокристаллов тугоплавких металлов могут быть использованы при конструировании приборов новой техники (ТЭПы, МГД генераторы, электровакуумные приборы и др.)

Определенное научно-практическое значение имеют разработанные в диссертации методические вопросы: впервые в СССР использована усовершенствованная методика Шелтона, позволяющая комплексно исследовать важнейшие эмиссионные параметры однородных поверхностей (работа выхода, термоэлектронная постоянная, ТКРВ, коэффициент упругого отражения медленных электронов и его энергетическая зависимость).

Диссертация состоит из 4 глав. В первой главе дан обзор работ по теоретическому и экспериментальному исследованию ТКРВ. Во второй главе изложена разработанная методика экспериментальных исследований. В третьей главе приведены результаты экспериментов. В четвертой главе проведено обсуждение полученных результатов, сопоставление их с существующими теоретическими моделями, а также изложен выполненный теоретическш расчет о вкладе в температурную зависимость работы выхода термостимулированного образования точечных дефектов на поверхности идеальной грани.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Создана экспериментальная установка, позволяющая в одном приборе прово,дить исследования термоэлектронных параметров однородных монокристаллических поверхностей, температурной зависимости работы выхода и коэффициента упругого отражения. медленных электронов этих поверхностей.

2. Прямолинейность зависимостей логарифма термоэлектронного тока на коллектор от величины задерживающего потенциала свидетельствует о максвелловском распределении по энергиям электронов, эмиттированных однородными гранями монокристаллов молибдена и вольфрама.

3. Впервые исследованы температурные зависимости работы выхода ТКРВ основных граней монокристалла молибдена и контрастных граней вольфрама методом Шелтона в интервале температур 1450-1900 К и 1800-2200 К соответственно. В указанных температурных интервалах изменения работы выхода для всех граней хорошо аппроксимируются линейными зависимостями, по которым рассчитаны ТКРВ:

Поверхность : d(e04>) in"5 вн.тг1 dT

III) Mo - (8,5+1,0)

100) Mo + (8,0+0,5)

112) Mo - (12 +1,0)

HO) Mo - (30 +6,0)

III)W + (8,2+1,2)

110)w - (13 +5,0)

4. Определены термоэлектронные параметры четырех граней молибдена и двух граней вольфрама. Показано, что рассчитанные по величине постоянные Ричардсона, значения ТКРВ исследованных граней по знаку и порядку величины согласуются с результатами непосредственных измерений.

5. Получены энергетические зависимости коэффициента упругого отражения медленных электронов (до 20 эВ) от чистых и загрязненных граней (ПО), (112), (100) и (III) молибдена, немонотонный ход которых свидетельствует об интерференционном механизме отражения электронных волн.

6. Выполнен теоретический расчет, в котором рассмотрен вклад в температурную зависимость работы выхода грани изменения концентрации поверхностных точечных дефектов, влияющих на дипольный момент поверхности. Оказалось, что анизотропия температурного коэффициента работы выхода, обусловленная, наличием на поверхности дефектов в виде собственных адатомов, определяется в основном анизотропией энергии образования дефектов. Обсуждаемый эффект наиболее выражен для "рыхлых" граней кристаллов, для, которых энергия образования дефектов существенно меньше теплоты испарения атомов.

7. Для "рыхлой" грани (III) Mo проведена модельная оценка ТКРВ, обусловленного температурным изменением суммарного ди- ■ польного момента собственных адатомов и вакансий в равновесных условиях: получено согласие по знаку и порядку величины с экспериментально измеренным значением.

8. Указаны основные направления дальнейших исследований с целью глубокого изучения температурной зависимости работы выхода однородных граней монокристаллов.

Считаю своим приятным долгом выразить благодарность Н.А.Горбатому за научное руководство настоящей работой, А.Ф.Чумаченко за помощь в проведении экспериментов и мастерам Г.С.Рубцу и С.Азимбаеву за стекло,цувные работы.

1. Фоменко B.C. Эмиссионные свойства материалов.- Киев: Науко-ва думка, 1981, с. 90-190.

2. Hutson A.R.гVelocity analysis of thermionic emission from single-crystal tungsten,- Phys. Rev., 1955» v.98, N04,p.889-901,

3. Wan Oostrom A, Temperature dependence of the work function of single-crystal planes of tungsten in the range 79°-298°.- Phys. Letters, 1963, v.4, p.34.

4. Swanson L.W,, Crouser L.C. Total-Energy distribution of field-emitted electron and single-plane work functions for tungsten.- Phys. Rev., 1967, v.163, Ho3, p.622-640.

5. Madey Т.Е., Votes J.T. Work function studies chemisorpti-on of diatomic molecules on single-crystal tungsten.-Supplemento ol nuovo cimento, 1967, v.5, p.905.

6. Pine J., Madey Т.Е., Scheer M.D. The determination of work function from the ratio of positive to negative surface ionization of an alkali halide,-Surf. Sci., 1965, v.3, p.227«

7. Hopkins B.J., Lee T.J., Williams C.B. Temperature coefficients of work functions of the (110) and (100) surfaces of tungsten and polycrystalline tungsten foil.- Journal of Applied Physics, 1969, v.40, p.1728.

8. Чекина В.А., Горбатый H.A. Распределение скоростей термоэлектронов монокристалла вольфрама. В кн.: Эмиссионная электроника: Материалы научного семинара, Рязань, 1971. -- Рязань: изд. Московский рабочий, 1974, с.85.

9. Дикова JT.K., Стригущенко И.В. Определение температурныхкоэффициентов работы выхода граней монокристалла ниобия.-- Радиотехника и электроника, 1975, т.20, с.8.

10. Shelton H* Thermionic emission from planar tantalum crystal.« Phys. Rev., 1957, v.107, p.1553.

11. Finn R.M., Nicholson J.W., Trischka J.W. Thermionic constants and electron reflection for Ta(100) by the Shelton retarding field method.- Surf. Sci., 1973, v.34, p.522.

12. Blewis E.H., Growell C.R. Temperature dependence of the work function of single-crystal faces of copper.- Phys. Rev., 1964, v.133, p. A580.

13. Haas G.A., Thomas R.E. Work function and secondary emission studies of various Cu crystal faces.- Journal of Applied Physics, 1977, v.48, p.86.

14. Christmann K., Ertl G,, Schober 0. Temperature dependence of the work function of nickel.- Zeitschrift fiir Naturforschungen, 1974, v.29a, p.1516.

15. Шуппе Г.H. Термоэлектронные параметры граней монокристаллов тугоплавких металлов, Изв. АН СССР, сер. физ., 1966, т. 30, с.1935.

16. Херинг К., Никольс М. Термоэлектронная эмиссия. М. : ИЛ, 1950, с.195.

17. Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. -М.: Наука, 1966, с.

18. Kiejna A., Wojciechowski K.F., Zebrowski J. The temperature dependence of metal work functions.- Journal of Phys. F: Metal Physics, 1979, v.9, p.1361.

19. Векслер В.И. 0 кристаллографической анизотропии температурного коэффициента работы выхода.-ФТТ,1981,т.23,с.1809.

20. Lang N.D., Kohn W. Theory of metal surfaces work function. -Phys. Rev., 1971, ИоЗ, p.1215-1233.

21. Векслер В.И. Вторичная ионная эмиссия, металлов. М.: Наука, 1978, с.109.

22. Krahl-Urban В., Niekisch Е.А., Wagner Н. Work function of stepped tungsten single crystal surfaces.- Surf. Sci., 1977, v.64, p.62-68.

23. Love H.M., Glenn L. Dyer. Work function of the (311) plane of tungsten.- Canad. J. Phys., 1962, v.40,p.1837-1840.

24. Rowe J.Е., Traci J.С. Critical behaviour of d-band pho-toelectrons near Curil temperature of nickel.

25. Phys. Rev. Lett., 1971, v.12, p.799.

26. Vedernikov M. Thermoelectric powers of transition metals. Adv. in Phys., 1969, v.18, p.337.

27. Medicus G. Thermionic constants determination from retarding field data.-J.Appl.Phys., 1979, p.3666-3673.

28. Артамонов O.M., Камолов С.А. Исследование спектров полного тока вольфрама и сульфида кадмия в процессе адсорбции. Радиотехника и электроника, 1976, №9, с.1924--1930.

29. Герт JI.M., Горный Д.С., Кишмахов Б.Ш., Лоцко Д.В., Миль-ман Ю.В., Новиков Г.А., Сухинин В.А., Торчун Н.М., Черненко Т.В. Поверхность. Физика, механика, химия, 1983, № 2, с. 137-144.

30. Дюбуа Б.У., Соловьева Г.С., Рожденственский В.М., Куракина Л.А. Работа выхода электронов граней (100) и (НО) монокристаллов сплавов вольфрама с танталом. ФТТД975, т. 17, Ш, с.1503-1509.

31. Зандберг Э.Я., Палеев В.И., Каратаев В.И. О применимости формулы Саха-Ленгмюра при поверхностной ионизации.- ЖТФ, 1966, №, с.1460-1468.

32. Малышев С.В., Андропов А.Н. Исследование граней (100) и (НО) монокристалла молибдена в процессе вакуумной очистки. В кн.: Физическая, электроника, Труды ЛПИ. - Л.: 1977, № 356, с.18-23.

33. Дехтяр И.Я., Колесник В.И., Овсиенко Д.Е., Патока В.И., Силантьев В.И., Соснина Е.И. Анизотропия сублимационных свойств эквивалентных кристаллографических граней вольфрама, содержащих углерод. УФЖ, 1981, т.26, №2, с.1328--1334.

34. Dooley III G.J., Haas T.W. Behaviour of refractory metal surface in ultra-high vacuum as observed by low-energy electron diffraction (LEED) and Auger electron spectroscopy,- J, Vac. Sci. and Techn., 1970, v.7, No6, p.S90-S100.

35. Haas T.W., Grant J.Т., Dooley G.J. III. Some problems inthe analysis of Auger electron spectra.- J. Vac. Sci. and Techn., 1970, v. 7, No1, p.43-45.

36. Haas T.W., Grant J.Т., Dooley G.J.III. Auger-electron spectroscopy of transition metals.- Phys.Rev., 1970, v.1, No4, p.1449-1459.

37. Васильев Г.А. Магниторазрядные насосы. M.: ИЛ, Энергия, 1970, с.112.

38. Агеев В.Н., Губанов А.И., Джалилов С.Т., Иванцов Л.Ф. Изучение взаимодействия кислорода с танталом методом ЭСД. ЖЭТФ, 1976, т.46, № 12, с. 2600-2605.

39. Агеев В.Н., Джалилов С.Т. Изучение взаимодействия кислорода с ниобием методом ЭСД. ЖТФ, 1977, т.47, J6 12, с. 2540-2545.

40. Dawson Р.Н. An AES and SIMS study of the Co-adsorption of Co2 and 02 on molybdenum.- J. Vac. Sci. and Techn., 1979, v.16, No1, p.1-5.

41. Becker J.A., Becker E.J., Brandes R.G.- Reactions of oxygen with pure tungsten and tungsten containing carbon.-J. Appl. Phys., 1961, v.32, p.411-423»

42. Глебовский В.Г., Канченко И.В., Шипилевский Б.М.кинетика взаимодействия примесей углерода и кислорода, растворенных в ниобии. Поверхность. Физика, химия, механика, 1982, № 12, с. I01-106.

43. Шипилевский Б.М., Глебовский В.Г. Закономерность взаимодействия примесей углерода и кислорода при высокотемпературном отжиге тугоплавких металлов в вакууме. Поверхность. Физика, химия, механика, 1982, № 7, с.26-37.

44. Азизов У.В., Сабиров С.Т. Спектры Оже-электронов пленочных систем Ва-Мо (НО) и Ba-Cs-Mo (НО). Изв. АН

45. УзССР, сер. физ.-мат. наук, 1977, №5, с.56-59.

46. Азизова Д.Х., Горбатый H.A., Чумаченко А.Ф. Температурная. зависимость работы выхода основных граней Мо. В кн.: ХУШ Всесоюзн.конф.по эмиссионной электронике, М.: 1981, тез. докл. - М.: 1981, с.180-181.

47. Козлов И.Г. Современные проблемы электронной спектроскопии. М.: Атомиздат, 1978, с.24-33.

48. Simpson J.S. Design of retarding field energy analyzers.-Rev. Sei. Instr., 1961, v.32, No12, p.1283-1293.

49. Царев Б.М. Контактная разность потенциалов. М.: 1949, с. 41

50. Царев Б.М. Расчет и конструирование электронных ламп.-М.: Энергия, 1967, с.148-151.

51. Сквайре Дж. Практическая физика. М.: Мир, 1971.

52. Хутсон Д. Статистика для физиков. М.: Мир, 1970.

53. Дьюк К.Б. Рассеяние электронов твердыми телами. В кн.: Новое в исследовании поверхности твердого тела. - М.: Мир, 1977, № 2, с.68-82.

54. Якубова 3. Отражение медленных электронов от граней (НО), (100) и (III) вольфрама и грани (III) кристалла молибдена. Автореферат канд. дисс. - Ташкент: 1973.

55. Khan J.H., НоЪзоп J.P., Armstrong. Reflection and diffrac tion of slow electrons from single crystals.- Phys. Rev., 1963, v.129, p.1513

56. Большов В.Г. Исследование термоэлектронной эмиссии при переходе из твердого в жидкое состояние. ЖТФ, 1956, т.26, C.II50.

57. Кашетов А. Работа выхода и поверхностная, энергия граней металлических монокристаллов (тугоплавкие металлы ОЦК,

58. ГЦК и ГПУ решеток). Автореферат канд.дисс. - Ташкент: 1975.

59. Азизов У.В., Вахидов У.В., Султанов В.М., Шейнберг Б.М., Шуппе Г.Н. Эмиссионные свойства монокристалла молибдена.-ФТТ, 1965, т.7, №9, с.2759-2761.

60. Маштакова В.А., Шишкин Б.Б. Испускание электронов накаленными монокристаллами переходных металлов. В кн.: Тезисы докладов ХУШ Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике. - М.: Наука, 1981.

61. Маштакова В.А., Шишкин Б.Б. Аномальные вольтамперные характеристики вакуумных .диодов с металлическими монокристаллическими электродами. Письма в ЖЭТФ, 1979, т.30,2, с.99-102.

62. Азизова Д.Х. 0 влиянии поверхностных точечных дефектов на температурный коэффициент работы выхода. В кн.: Всесоюзный симпозиум физики поверхности твердого тела., Киев: 1983, тезисы докл. - Киев: 1983, с.21.

63. Азизова Д.Х., Паз.дзерский В.А., Ципинюк Б.А. 0 влиянииповерхностных точечных дефектов на температурный коэффициент работы выхода. Поверхность. Физика, химия, механика, 1984, № 9, с.96-99.

64. Andersen P.W. Localized magnetic states in metals.-Phys. Rev., 1961, v.124, No1, p.41-53.

65. Newns D.M. Self-consistent model of hydrogen chemisorp-tion.- Phys. Rev., 1969, v.178, No3, p.1123-1135.

66. Гомер P. Некоторые вопросы теории хемосорбции. В кн.: Новое в исследовании поверхности твердого тела, М.: ИЛ, 1977, № I, с.189-317.

67. Паздзерский В.А., Ципинюк Б.А. Ионизация атома вблизи поверхности металла. ФТТ, 1978, т.20, №. II, с.3283--3287.

68. Plummer E.W., Young R.D. Field-emission studies of electronic energy levels of adsorbed atoms.- Phys. Rev., 1970, v.B1, No5, p.2088-2109.

69. Gadzuk J.W. Resonance-tunneling spectroscopy of atoms adsorbed on metal surfaces: Theory.- Phys. Rev., 1970, v.B1, No5, p.2110-2129.

70. Besocke K., Wagner H. Adsorption of W on W(110): work function, reduction and Heland formation.- Phys. Rev. B, 1973, v.B8, Ho 10, p.4597-4600.

71. Резник А.И., Руденко H.B. Влияние точечных дефектов поверхности металла на величину работы выхода электрона.--Изв. АН СССР, сер.физ., 1982, т.46, № 7, с.1282.

72. Jackson D.P. Surface relaxations in cubic metals.- Canad. J. Physics, 1971, v.49, No16, p.2093-2097.

73. Дворякин В.Ф., Митягин А.Ю. Дифракция медленных электронов метод исследования атомной структуры поверхности.--Кристаллография, 1967, т.12, № 6, с.1112-1134.

74. Wilson J.M., Bastow T.J. Surface thermal expansion for Cr(100) and Mo(100) single crystals.- Surf. Sci., 1971,v.26, p.461-470.

75. Свойства элементов. 4.1. Физические свойства. Справочник под редакцией Г.В.Самсонова. 2 изд.переработ, и доп. М.: Металлургия, 1976, с.600.

76. Горбатый H.A., Азизова Д.Х., Чумаченко А.Ф. Температурная зависимость работы выхода основных граней молибдена.- Изв. АН СССР, сер.физ., 1982, т.46,F7, с.1292.

77. Горбатый H.A., Азизова Д. О температурной зависимости работы выхода однородных граней металлических монокристаллов. В кн.: Эмиссионная электроника: сб.науч.тр. Ташкент.ун-та, 1982, с.6-10.

78. Давыдов С.Ю. Зависимость электронного состояния адатомов от их концентрации. ФТТ, 1977, т.19, №11, с.3376--3381.

79. Kiejna А., Wojciechowski K.P. Work functions of metals relation between theory and experiment.- Progress in Surf. Sei., 1981, v.11, p.293-338.

80. Антропов Г.М., Кузнецов Т.Д., Мягков К.Г. Вычисление наружной работы выхода идеализированного вольфрама. В кн.: Физическая, электроника. Алма-Ата: Изв.КазГУ, 1976, с.51.

81. Азизова Д.Х., Горбатый H.A., Кузнецова Н.М. Разработкамето.дики исследований температурного коэффициента работы выхода однородных граней металлических кристаллов. - В кн.: Эмиссионная электроника: сб.науч.тр.Ташкент, ун-та, 1978, № 550, с.36-43.

82. Горбатый H.A., Азизова Д.Х., Чумаченко А.Ф. Исследование температурного коэффициента работы выхода грани (III) Mo методом Шелтона. В кн.: ХУЛ Всесоюзная конф. по эмиссионной электронике, Л.: 1979, тез.докл. - Л.: 1979, с.146.

83. Горбатый H.A., Азизова Д.Х., Чумаченко А.Ф. Исследование температурного коэффициента работы выхода грани (III) методом Шелтона. Изв. АН СССР, сер.физ., 1979, т.43, № 3, с.484-487.

84. Горбатый H.A., Азизова Д.Х., Чумаченко А.Ф. Температурная. зависимость работы выхода однородной грани (100) монокристалла молибдена. В кн.: Исследования по физике твердого тела: сб.науч.тр.Ташкент.ун-та, 1981, 668, с.73-77.

85. Азизова Д.Х., Горбатый H.A. Температурная, зависимость работы выхода граней (НО) и (III) монокристалла вольфрама. В кн.: ДАН УзССР, 1983, №. 10, с.25-26.

86. Азизова Д.Х., Горбатый H.A. Исследование отражения медленных электронов от граней монокристалла молибдена в приборе Шелтона. В кн.: XIX Всесоюзная конференцияпо эмиссионной электронике, Ташкент: 1984, тез.докл. - Ташкент: 1984, Ш I, с.127.