Аномалии дислокационной пластичности вблизи точек фазовых переходов первого ряда тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Лисаченко, Дмитрий Андреевич АВТОР
кандидата физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
Санкт-Петербург МЕСТО ЗАЩИТЫ
1993 ГОД ЗАЩИТЫ
   
01.04.07 КОД ВАК РФ
Автореферат по физике на тему «Аномалии дислокационной пластичности вблизи точек фазовых переходов первого ряда»
 
Автореферат диссертации на тему "Аномалии дислокационной пластичности вблизи точек фазовых переходов первого ряда"

РГ6 од

2 а С-:;

. РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ФЮШО-ТЕШЧРХЖИЙ ИНСТИТУТ имени А.Ф.ИОФФЕ

На правах рукописи

ЛИСАЧЕНКО Дмитрий Андреевич ;

АНОМАЛИИ ДИСЛОКАЦИОННОЯ ПЛАСТИЧНОСТИ ВБЛИЗИ ТОЧЕК ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ ПЕГЗОГО РОДА

(специальность 01.04.07 - физика твердого тела)

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени

кандидата физико-математических наук

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ 1993

Работа выполнена в Сато'-Пдтербургском электротехническом университете им. В.И.Ульянова(Ленина).

Научный руководитель : доктор физико-математических наук

А.Л.КОРЖЕНЕВСКИЙ.

Официальные ошюненты: доктор физико-математических наук

Г.А.МАЛЫГИН,

доктор физико-математических наук А.С.СВДОРМН.

Ведущая организация : Научно-исследовательский институт

математики и механики при Санкт-Петербургском университете.

Защита состоится " " ОЕДНЙу-А 1993 г> Б 10 часов на заседании специализированного совета К 003.23.02 при Физико-техническом институте шони А.Ф.Иоффе РАН по адресу: 194021> Санкт-Петербург, к-21, Политехническая ул., 26. ,

О диссертацией мскно ознакомиться в научной библиотеке ФТ1(.

Литороферат разослан " Л&г^с^ 1993 г.

Учений секретарь сшниади'.-мр'лзишого совета К 003.23.02

к:чиу.дат физико-математических наук С. И. Р о ко длин

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы.- Дислокационная структура реального кристалла, с одной стороны, в значительной степени определяет такие практически важные свойства твердого тела, как пластичность и прочность. С другой стороны, во многих случаях использовании кристаллов они либо интересны именно в окрестности точек фазовых переходов (ФП), либо проходят через такие течки при достижении рабочей температуры. Кроме того, в самом процессе реального фазового' перс-хода в кристалле важнейшую роль играет дефектная подсистема.

Этим и объясняется важность теоретического и экспериментального исследования ФП в реальных (дефектных) кристаллах. Кроме традиционной постановки - о влиянии дефектов на ФП, этот вопрос имеет и обратную сторону, которая к настоящему времени исследована очень мало, - о влиянии ФП на состояние самой дефектной структуры кристалла, в частности, на дислокационную пластичность.

Поэтому представляет несомненный интерес изучение устойчивости '.дислокационного ансамбля вблизи точек структурных фазовых перо-ходов.

Целью настоящей работы являлось:

- Теоретическое описание ФП 1-го рода на типичных элементах дислокационной структуры кристалла при изменении их формы в процессе пластический деформации. Численное моделиррванио этих процессов.

- Выявление возможной самопроизвольной неустойчивости этих элементов, индуцированной локальным ФП.

- Вычисление вызванного ФП изменения силы взаимодействия различных дефектов в кристаллах.

- Исследование изменения вследствие ФП характера движения дислокм ций через препятствия различной природы.

Научные положения, выносимые щ> защиту : 1) При приближении к точке ФП 1-го рода существует интервал т^упе ратур, в котором прямолинейная форма дислокаций становится гслед ствие локального ФП неустойчивой при отсутствий внешней погрузи:-. Возможно увеличение плотности дислокаций путем генерации дислокз ционных источников. Изменение предела упругости кристалл:! в^лиз/

ФП зависит от структуры дислокационного ансамбля.

2) В случаях как преодоления дислокацией упругих полей точечных дефектов, так и при движении в - потенциальном рельефе Пайерлса вблизи точки ФИ резко меняется высота активационного барьера. Характер преодоления движущейся дислокацией полей точечных дефектов может вследствие локального ФП смениться с активационного на без-активационннй.

3) Локальный ФП на дефектах изменяет силу их упругого взаимодействия и приводит-к изменению равновесной формы протяженных дефектов.

4) В определенной области параметров, отрэжакщих структуру кристалла и характеристики фазового перехода, возможен самопроизвольный процесс, обратный полигонизации - распад малоугловых границ в кристаллах. •

Научная новизна. Все положения, выносимые на защиту, являются новыми. Епервые рассчитан ряд типичных дислокационных конфигураций вблизи точек ФП. Для некоторых из них построены численные модели, позволяющие выйти за рамки оценок предельных случаев. Теоретически предсказан ряд явлений, которые могут оказывать заметное влияние на механические свойства твердых тел при прохождении ими точек структурных ФП вследствие спонтанного увеличения плотности дислокаций и распада устойчивых дислокационных структур.

Научная и практическая ценность результатов работы Результаты диссертации могут быть использованы для объяснения * и продсжазагая некоторых свойств реальных твердых тел в окрестности точик фазовых переходов, а также для усовершенствования существуют".« статистических моделей динамики дислокационного ансамбля.

2?Л0Ш Основные результаты работы докладываюсь ко следующих конференциях, семинарах и симпозиумах:

-XI Кеесоюзяс.я конференция по физике сегнетоэлектри-крь. Черлоьцы, |?67 г.

- IV Бее?о;.мп>1 икола-семинар по сегнетоэлектричеству, Д^лргь^'.ияи'К. г.

-• а -

- XII Всесоюзная конференция по Дшике сопттоэлнктр!'-ков, Ростов-на-Дону, 1980 г.

- V Всесоюзная школа-семинар по физике еагнетоэлаети-ков, Ужгород, 1991 г.

- XIII Всесоюзная конференция по физике сепчотоалоктри ков, Тверь, 1992'г.

- XXIII и XXIV Всесоюзные щколы-симпозиумы физиког. -теоретиков "Коуровка", 1990'и 1992 гг.

- VII Международная конференция по еегнетоэлектрнче;: • тву, Саарбркжкен, ФРГ, 1989 г.

- VII Европейская конуаршция по сегнетоэлектрнчеотау, Дижон, Франция, 1991 г.

Публикации и г спад автора. Основные результата диссертн ■ ции опубликованы в 14. печатных работах, в '¡см числе 6 статьи* (см. список литературы), написанных в соавторстве с А.Л.Корженевским. Автору принадлежат участии в постановке задачи и анализе результатов, основные аналитические расчеты £1,2,4.-6] и численное моделирование 14,6].

Объем и структура работы Объом диссертации составляет 112 страниц, включая 12 рисунков и список литературы из НУ наименований.

ОСНОВНОЕ

- о -

СОДЕРЖАНИЕ ■ ДИССЕРТАЦИИ

Н главе 1 рассмотрено современное состояние исследований вопрос н газовых переходов и пластичности, связанных с дислокационной структурой кристалла. Некоторые из них кратко обсуждаются ниже.

I ряде работ аномалии различней природы в дислокационных кристалла л, индуцировашше локальным ФП. изучались в рамках теории Ландау Полг дислокаций учитывалось введением тространст-

вегчо-закисящой локальной температуры ФП в виде А = 4 (т - В з1п'/) / г) в модели ФП, описываемой разложением

Р - А1)3 + Вт4 + ... ....... -

Одной из первых попыток теоретического исследования зародыше-

ооразования аа дислокациях была работа ['¿], в которой описаны нити сверхпроводящей фазы вдоль дислокаций и высказано предположение э возможном изменении пластических свойств кристалла. Однако затем изучение локализованных сверхпроводящих состояний ' показало, что они связаны не с дислокациями, а с плоскостями двойшкования.

1.^11 изучении структуры облает"1? новой фазы в дислокационном кристалле в рамках перколяционного подхода [3] установлено, что упорядоченные области вблизи дислокаций уже вдали^от точки ФП могут образовывать каркас, который пронизывает весь кристалл и, хотя занимает малую часть его объема, представляет собой состояние с преобладавши знаком параметра порядка. Повтому ФГ1 в кристалле с дислокациями должен проявляться как малозаметный резкий порколяци-онный переход в каркасе с псслэду-одда размытым пароходом в объеме.

Члтиросны исследования сшш-переортзнтационных переходов в криегмлч:: типа феррит-гранатов к]. Области новой фазы на дислокациях осазали.сь доступны непосредственному наблюдению в микроскол, 1'. измерение их размпра, который увеличивался как 1/(Т-Т ), иск ¡VI?, Ч'Л) лекальная те;ямратурэ ФП линейно спязяна с величиной аь.5 жт упруг::* напряжений. Хсро^-зз согласие простой модели и. гкеп!!. и.\'.е!ГО и доступность для наблюдения позволяют использовать 1П для снутрошии напряжений от различных источников.

ЛгылыыП ".'(.-орзтичоский анализ зарождения новой фазы на длс-:л кы'.ллх и рядэ простых моделей III 1-го и с-го рода на неподвижных

одиночных дислокациях дин ь [5.1.

Вопрос Об УСТОЙЧИВОСТИ прямо.!!ИНОЙНОЙ формы ДЛСЛ<ЖацИЙ ПОЛ-нимался^начиная с работы [6], где было установлено, что е сильно анизотропной среде, когда .пинейнья энергия дислокации особэн.:о ре яко зависит от направления, ее прямолшв? >'ат1 форма не оС.язьуадьно устойчива при любой ее ориентации. Позднее дислокационные сигменги в виде ломаной линии в сильно анизотропных кристаллах были -^блару -жены экспериментально, в частности,, в латуни, и обсуздалпм. возможность возникновения неустойчивости того же рода в кристаллах ти-таьа при резком возрастании его упругой енизотропии вблизи ФП 17

В изучении преодоления дислокацией сетки.стопоров обычно исходят из простых моральных представлений (критический угол атаки и др.). Однако характер преодоления препятствий дислокацией, "одетой" "шубой" новой фазы вблизи ФП, может существенно отличаться, поэтому изучение взаимодействия таких дислокаций с препятстш ями становится актуальной задачей.

Интересных последствий ФП можно ожидать и для малоугловых грешщ, упругое поле которых резко отличается от поля отдельных дислокаций.

Таким образом, были изучены, с одной стороны, образование новой фазы на дислокациях при ФГ1; и с другой - движение .дислокаций в реальном кристалле. Однако оставался совершенно неисследованным вопрос об эволюции структуры дислокационного пчеямоля и об измени-нии пластических свойств вследствие "одевания" дислокаций новий фазой. 'Начало его изучению было положено в рьбоча/ А.Л.Корженевского 18], где был сделан принципиальный вывод о возможной неустойчивости дислокаций вследствие локального ФП. В ят;« работах в рамках феноменологической теории Ландау ФП 1-IV рода го свободной энергией вида

Г = |<1эг | |(Т-Т0)ч3+ I пй>

+ ^Ч2«, + б* (г)) е 1 и (с .-л, .£ /3)?* $ с'

^ ' 1т 1т 1т' ^ 1 ! к К и к и ,

где 1 - Г}(г) - параметр порядка, с - с .г) - у! . ?Р»»я

ция, (г) - деформации, созданная уирут'.ми ¿«»¡ектакш, и--п/ п.чм».

что линейная энергия дислокаций, "ояотнк' аюАглт ново;' {-¡.'.и, пере

ио^<ируч'1\:я: чет, - (1-Г(Т;) ^Ъ' (где ц - модуль сдвига, Ь - вектор ;'•«[тирса)', а условие является характерным критерием гроы^ен'.тя ряда аномалий. Отсюда можно оценить величину температурного интервала, в котором аномальное поведение дислокаций может иметь место: дТ= (0.1- 10)К дпя ФИ типа порядок-беспорядок и (1-10ПЖ ,;.пя ФП тина смещения ['П.

1'ла.<а завершается кратким рассмотрением кинетики ФП з процессе движения "шуб" новой фазы вместе с дислокациями.

Исходя из рассмотренного формулируется ряд задач о возможном вменении структуры дислокационного ансамбля при ФП с учетом образования яа нем новой фазы. В исслеповании этой проблемы использование феноменологического подхода к описанию разового перехода в упруго-изотропной среде и рассмотрение геометрически простых дислокационных. систем будет вполне адекватным современному уровню развития науки.

В глапо £ выяснен характер неустойчивости .дислокации на прос тоЛших примерах сегмента с закрепленными концами в однородном внешнем поле ллибо в кристашю, пересыщенном вакансиями, путем анализа его равновесной формы в зависимости от температуры вблизи точки ФП 1-го роде. Б простом наглядном частном случаепри малых прогибах винтоного сегмента в его плоскости скольжения Х7, закреплен-пого в точках х-га, у=0 - он имеет форму ^ б(ха-аг)

1-2Г(Т)) *

что и 51-:кШьос;т на критическое значение параметра 1(Т) = 1/2 при некстст.н.л темперг-гуре Т. Поскольку прогиб краевого сегмента, на- . протнъ, уменьшается, то изменение пластического поведения кристалла ьГ''1ИГ:й СП ничинаот резко зависеть от конкретного вида дислокационно!! структуры.

Пс х^'ро ./обличения напряжения б увеличивается величина про-гип;, сегмента и соплем1 срывается на генерацию дислокационных пе-теш мо мехлкисму Франка-Рада. Критической напряжение для винтово-¡1." сч-гмбнтй становится вблизи ФП томпературно-зовисящим: о г (Т) -()<Ь/в)(1-Г(Т)> гп'1-НТ)).

Таким образом. в кристалле при пал:чш внесы/х или внутренних

_ о -

упругих напряжений за счет температурного уменьшения б (Т) возможна спонтанная генерация дислокационных петель, приводящая после многократного прохождения точки ФП к увеличению плотности дислокаций и к изменению предела упругости.

Выше рассматривалась реализация неустойчивости дислокационного ансамбля путем скольжения дислокационного сегмента. Однако механизм потери устойчивости не связан с природо! сил, действующих на дислокации, а вызван усилением "эффективной анизотропии" вследствие различного характера ФИ на сегментах различной ориентации. Кроме того, в хрупких кристаллах переползание является основным механизмом движения дислокаций. Поэтому представляет интерес рассмотрение их неустойчивости при неконсервативном движении.

В результате рассмотрения баланса осмотической силы и силы линейного натяжения получено уравнение, описывающее равновесную конфигурацию сегмента с вектором Бюргерса,направленным по оси '¿:

(1-2Г)1г3 + 12(1-Г) Ъ

/<Ъа ф —--------в < 0 ,

Ь3 V

где Ь - длина сегмента, 1, й -длина его проекции на плоскость ХУ и на ось ОХ, ч> - углав'ой размер проекции сегмента на плоскость ХУ. В частности, при р = ж получаем величину критического пересыщения с. для генерации дислокационных петель источником Бардина-Херринга:

к Т 1п(с./с ) > (/<ЪУ /а) (1-КТ)) .

Ъ * О А

Значение критической концентрации с. уменьшается около ФП, поэтому около Ф.П может возникнуть спонташ: я генерация дислокационных петель,и справедливы те ке замечания, что и в отношении источника Франка-Рида.

Таким образом, и когда скольжение дислокаций возможно, и когда оно заблокировано и их движение определяется диффузионными процессами, структура дислокационного ансамбля должна ш...,еняться в процессе ФП. При этом определешше его элементы обладают меньшей устойчивостью и трансформируются при теыт&ратурах, более дплеких от точки ФП, чем другие.

В маво 3 исследованы вызвалниэ локальным ФП осоОеннести про-

- 10 -

одоления дислокацией поля точечных препятствий.

Анализ процесса преодоления дислокационным сегментом поля упругих дефектов лежит в основе термофлуктуационной теории скорости деформации пластичных твердых тел. Изменение фермы сегмента и высота активационного барьера при его движении в иоле точечного центра дилатации, леса дислокаций и других дефектов изучались ранее с помощью различных приближений - линейного натяжения, приближения ма.гых прогибов, сосредоточенной силы. Из результатов глав 1,2 следует ожидать, что "одевание" дислокаций, приводя к резкому ■уменьшению их линейной энергии, должно изменить и характер •взаимодействия дислокации с дефектами решетки. Настоящая глава посвящена качественному и количественному изучению этого вопроса на ряде примеров, допускающих достаточно полное численное исследование.

Форма дислокаций находилась путем численного интегрирования уравнения равновесия сегмента в неоднородном внешнем поле е достаточно широком интервале исходных данных (однородная нагрузка, мощность дефекта, расстояние от дефекта до дислокации, температура). Далее вычислялась энергия различных конфигургдай сегмента.

Расчеты показывают, что вблизи ФП 1-го рода равновесная конфигурация дислокаций может сильно зависеть от температуры и, что более важно, меняется интервал напряжений активационного движения сегмента.

В термофлуктувционнсм моделировании обычно принимают модельный параметр - критический угол атаки препятствия, связанный с критическим напряжением и длиной согмента: <5crL= ^ со8(ц> /2). Этот параметр меняется вблизи ФП и в случае краевой дислокации ,о-жет быть аппроксимирован линёйной—зависимостыо (6 L)(Tj = (ff L) (1 + const ГСП) ,

с г его "

где const .ависит от модели и имеет порядок величины 0.2.

По такой же'схеме исследовалось и движение через точечные препятствия винтоеого сегмента (для которого б , напротив, убывает), а также движение дислокации в поле иных, кроме дилатационных, упругих центров. Так, дефект тетраэдрического типа нельзя одаоЕ.^а-чло определить как притягивающий или отталкивающий, поскольку это зжшеит и от его ориентации относит' ilho сегмента. Дефект типа-cjUiurct'UR центр создает упругое поло сс сложной угловой заг.исимо-

стью, ~ котором возможно появление и исчезновение с температурой более чем дв.уг" устойчивых конфигураций сегмента.

В традиционном моделировании прохождения дислокации через сетку препятствий обычно считается, что сегмент представляет собой дугу окружности, при этом не различаются линейные энергии краевой и винтовой компонент. Однако это различие еще усиливается вблизи ФП, поэтому представляло бы большой интерес исс.),.здование движения дислокации сквозь сетку препятствий с добавлением в существующие программы расчета еще одного модельного параметра - учитывагацего ориентационную и температурную зависимости критического угла.

Поскольку дислокация при движении преодолевае1* потенциальный рельеф Пайерлса, в работе ог^нено изменение активационного барьера зарождения перегибов, вызванное "одеванием" дислокаций вблизи ФП. Величина барьера Ф в случае, когда "одевается" компонента, возникающая при перегибе, уменьшается как (1-2ИТ))1/3 . а в противоположном случае возрастает как (1+1(Т)/2)1/2. Поскольку скорость активационного движения дислокаций содержит фактор ехр(-Ф/кТ), то характерный температурный интервал аномального движения дислокаций в рельефе Пайерлса ЛТ находится из дф(Т) ~ кТс. Если Ф >> кхс, то ЛТ будет много больше интервала дт аномалий, описанных в Гл.1,2.

В главе 4 рассчитана форла двойниковых границ(ДГ) вблизи вдетых" дислокаций, оценено изменение силы их пиннкнга, проанализировано влияние ДГ на 'зародышеобразование в кристалле.

Б рамках континуальной модели изогнутая граница описывается плотностью непрерывно распределенных, дислокаций, а уравнение их равновэсия есть интегральное уравнение, путем решения которого для различных г.точников напряжения найде! , что дополнительный вклад в измеие;шо формы ДГ и силы пиктшга ДГ на дислокациях, вызванный наличием "шубы", может быть существен. При небольших радиусах "шубы" изменение этой силы оценивается как ? - Р (1 + Ь4 *а(Т) (р('Г)/уо)2).

Поскольку искривленная ДГ создает локальный сдвиг ^¿мперзтури ФП ¿Т_ , естественно ставить вопрос о возможной неустойчивости ДГ' подобно дислокациям. Однако сцэнкн показывают, что для образования на ДГ новой фазы необходимы слишком бс.пьпис амшштуды ее прогибч и температуры, настолько близки* к ФП, ч?о становятся болго сускт-

- 12 -

венны другие виды структурной неустойчивости.

В главе 5 численным анализом процесса локального ФП на малоугловых границах (МГ) в рамках модели дислокационной стенки показано, что и при отсутствии внешних полей при определенных условиях субграницы могут утратить упругую устойчивость своей плоской формы .и распасться на отдельные дислокации. Исследованы некоторые возможные механизмы ее спонтанного распада в окрестности точки ФП.

Приведем простейшую оценку. Считая, что в стенке упругая энергия дислокации есть цЪа

Е = —- 1п(11/Ь) « 1/2 .

4я( 1-1/) '

где й - расстояние между дислокациями, получаем, что для вывода ее из МГ надо затратить упругую энергию ~ цЪг/2. С другой стороны, при этом выигрыш р энергии шубы - порядка $ с г /<ьа. Поэтому в температурном интервале, соответствующем 1 > 1 > 1/2, может реализоваться неустойчивость МГ путем еэ активационного распада на отдельные дислокации.'

Другим возможным путем распада МГ может быть гармоническое возмущение ее формы. Как показывают результаты численного расчета, эффективный упругий модуль изгибных колебаний дислокационной стенки х можно записать при р/Ь > 0.1 в виде

Х(Т) = *Д1 - И - 0.1)) = кД1 + 0.4 1- 4Г(Т) ) ,

где в=Ь/Ь. Если *(Т) при некотором Г (Т) становится отрицателпшм, это значит, что стонка перестает сопротивляться изгибу и самопроизвольно прогибается безактивационным образом.

Анализировалась численно также возможность распада МГ путем выхода из нее отдельной ди локации. Конфигурационная сила ?А= -зФ/ех, выталкивающая дислокацию из стенки ("архимедова" сила), значительно компенсирует Сфугую возвращающую. Конкретный механизм риспада может быть и другим, например, при одковремоыом выходе из МГ нескольких соседних дислокаций.

Количественная оценка области, неустойчивости МГ при характерной деформации ФП е=Ю"3 дает з ~ ('\2-5)е. тс ость е ~ 10"2- 10"? и 1) -( 1 о''— Ю4)А. № с такими Ь принято относить к субграницам.

- 13 - -

На основании проведенных расчетов и оценок с использованием реальных значений параметров можно утверждать, что в достаточно широком интервале температур вблизи точки ФП первого рода возможна неустойчивость субграниц, индуцированийл зарождением новой фазы на составляющих ее дислокациях.

Кроме того, из результатов работы ясно, что динамически;? свойства стенки будут также меняться (частота ее малых колебаний будет уменьшаться, а затухание - расти).

В заключении кратко сформулированы основные результаты работы и обсуждается возможность экспериментального наблюдения дислокационных аномалий вблизи точек ФП.

Особый интерес, которого заслуживают эти явления, вызван тем, что они должны наблюдаться в экспериментально доступных условиях: в температурном интервале (0.1-10) К вблизи точки перехода для ФП типа порядок-беспорядок и (1-100) К для ФП типа смещения , а сама "шуба" (и. следовательно, дислокационная структура) доступна прямому наблюдению, так как ее радиус может достигать порядка микрона.

При медленных скоростях дислокации будут термоактивациокно преодолевать барьеры Пайерлса и поля дефектов. Тогда, как показано в главе 3, характер их движения может резко изменился в силу экспоненциальной зависимости скорости движения от высоты барьера (при не слишком больших скоростях дислокации, когда "шуба" успевает за ней. Пр1 больших же скоростях аномалии индуцированные ФП могут и не наблюдаться).

При экспериментальном исследовании пластических свойств кристаллов, находящихся в окрестности точек ФП 1-го рода, величина аномалий будет определяться как свойствами самого ФП (симметрия параметра порядка, значение скачка деформации), так и дефектностью кристалла (структура дислокационного ансамбля, преимущественный тип точечных дефектов). Поэтому для облегчения интерпретации экспериментальных результатов было бы целесообразно сравнивать результаты для образцов с такими дефектными структурами, у которых аномальные вклады от эффекта "одевания" максимально различны.

В завершеш:е наметим направления дальнейших '/сследоьа-г.'й, которые какутся наиболее интересными и актуальными:

- и - ,

- изучение кинетики фазовых превращений при локальном ФП на движущихся дефектах;

- моделирование движения дислокации через массив препятствий с критическими параметрами, зависящими вследствие ФП от температуры и ориентации дислокации;

- экспериментальные исследования пластических свойств вблизи точек фазовых переходов в кристаллах с контролируемой структурой дислокацио'шого ансамбля.

ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА

1. Кишинец Ю.М.,Лэванюк А.П..Сигов А.С. Вклад дислокаций в аномалии физических свойств кристаллов вблизи точек структурных фазовых переходов //Кристаллогр. 1985. Т.30. N 5. С. 837-840. •

2. Набутовский В.М.,Шапиро Б.Я. Сверхпроводящая нить вблизи дислокации // ЖЭТФ. 1978. Т.75. N 3. С. 948-959.

3. Кривоглаз М.А. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей и нейтронов на флуктуационных неоднородностях в неидеальных кристаллах. Киев. Наукова Думка. 1984. 287 о.

А. Власко-Власов В.К.,Дедух Л.М..Инденбом М.В..Никитенко В.И.

Магнитный сриентационный фазовый переход . в реальном кристалле //ЖЭТФ.1983. Т.84. N 1. С. 277-288.

5. .Пумпян П.Е. Образование зародышей новой фазы на протяженных дефектах в кристаллах, испытывающих структурные фазовые переходы -Дисс...канд.физ.мат.наук. Ростов-на-Дону, 1991.

6. de Wit G., Koehler J.S. Interaction of dislocations with an applied stress in anisotropic crystals // Phys.Rev. 1957. vol.116. N.5. p.1113-1120.

7. Jourdan C., Gastaldl J., Grange G. Nucleatlon of the titanium a and p phases. In situ study of the dislocation role by synchrotron x-ray topography. // Phase Transitions. 1989. vol.14, p.201-208.

8. Корженевский А.Л. О фазовых переходах первого рода в дислокационных кристаллах // ФТТ.1986, т. 28, в.5, с.1324-1331.

- .15 -

ОСНОВНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ПО ТИЛЕ ДИССЕРГА1ЩИ

1. Корженевский А.Л., Лисаченко Д.А. 00 изменении равновесной формы дислокационного сегмента вблизи точек фазовых переходом первого рода // ФТТ.1Э88, т.30, N5, с.1492-1494.

2. Корженевский А.Л., Лисаченко Д.А. Неконсорвйтивное движение и неустойчивость дислокационного ансамбля вблизи точек фазовых переходов первого рода.// ФТТ.1990, т.32, N6. с.1769-1771.

3. Korzhenevsk.il A.L. .Llssachenko D.A.- Tlie Instability of the dislocation ensemble near the first-order phase transition pointa In crystals.//Ferroelectrlcs Letters, 1991,vol.'?, n.6,p.135-142.

4. Корженевский А.Л., Лисачэнко Д.А. Термофлуктуациошое движение дислокации в поле упругого точечного центра вблизи точек структурных фазовых переходов первого рода.// ФТТ.1991, т.33, N5, С.1558-1562.

5. Корженевский А.Л., Лисаченко Д.А. Взаимодействие дислокации с двойниковой границей кристалла, находящегося вблизи точки фазового перехода первого рода.//ФТТ.1992. Т.34. N.4. С.1064-1069. .

6. Корженевский А.Л., Лисаченко Д.А. Образование новой фазы на доменных стенках и их структурная нестабильность около точек фазовых переходов. Изв. АН. сер.физ.' 1993. т.57, в.З, с.11-14:

РГП ПИЯФ,зак.432,тир.Ю0,уч.-изд.л.0,7; 17/У1-1993г. Бесплатно