Биэкситоны в полупроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.02 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

РАЗДЕЛ I. БИЭКСИТОНЫ В ОБЪЕМНЫХ ПРЯМ030НШХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ

ГЛАВА I. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ДОКАЗАТЕЛЬСТВА

СУЩЕСТВОВАНИЯ БИЭКСИТОНА И ТРИОНОВ. ОБЗОР.

§ I. Стабильность биэкситона относительно распада на два экситона.

§ 2. Оптические свойства биэкситона

§ 3. Экспериментальные доказательства существования биэкситона.

§ Коллективные и оптические свойства поверхностных эк сито нов.

ГЛАВА 2. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР

БИЭКСИТОНОВ.

§ 5. Волновые функции двух экситонов в объеме полупроводника.

§ 6. Фурье-образ энергии взаимодействия двух экситонов в недеформируемой решетке.

§ V. Энергия взаимодействия двух параэкситонов.

§ 8. Энергия связи биэкситона в недеформируемой решетке.

§ 9. Смещение экситонного уровня при больших плотностях возбуждения.

§ 10. Стабильность биэкситона в случае нескольких типов экситонов.

§ II. Спиновая структура и вращательные уровни биэкситона.

§ 12. Когерентное спаривание экситоное и бозе-эйнштейновская конденсация биэкситонов в полупроводниках

§ 13. Энергия связи отрицательного экситонного иона.

ВЫВОДЫ.

ГЛАВА 3. ЭКСИТОН-ФОНОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ И ЕГО ВЛИЯНИЕ

НА ЭНЕРГИЮ СВЯЗИ БИЭКСИТОНА.

§ 14. Эффективный гамильтониан биэкситона в деформируемой решетке.

§ 15. Энергия диссоциации биэкситона в деформируемой решетке.

§ 16. Нетрадиционные механизмы экситон-фононного взаимодействия. Изотопическое смещение экситонных серий в кристалле

§ 17. Связывание экситонов в молекулу при взаимодействии с колебаниями решетки.

§ 18. Вероятность образования биэкситона, обусловленная экситон-экситонным взаимодействием

§ 19^ Вероятность излучения фотона при связывании двух экситонов в биэкситон.

§ 20. Длина свободного пробега биэкситона при рассеянии на акустических фононах

§ 21. Возбуждение биэкситона при поглощении оптического фонона.1^

ВЫВОДЫ.

ГЛАВА 4. НОВЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ СУЩЕСТВОВАНИЕМ ЭКСИТОНОВ БОЛЬШОЙ ПЛОТ

НОСТИ И БИЭКСИТОНОВ.

§ 22. Двухфотонное рамановское рассеяние в кристалле CvCt.

§ 23. Двухфотонное поглощение биэкситоном в кристалле Сивт.

§ 24, Двухфотонное резонансное рамановское рассеяние в Сцвг.

§ 25. Люминесценция из бозе-конденсированного состояния биэкситонов в кристалле GjCt

§ 26. Двухфотонное ДЕухэкситонное поглощение света и бозе-эйнштейновская конденсация экситонов в ОуъО.

§ 27. Правила отбора для излучательной Оже-рекомбинации с участием двух экситонов.

§ 28. Влияние ориентированной деформации и постоянного электрического поля на двухфотонное экситонное поглощение Ov^O.

ВЫВОДЫ.

РАЗДЕЛ II. БИЭКСИТОНЫ И ТРИОНЫ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА.

ГЛАВА 5. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР БИЭКСИТОНОВ И ТРИО НОВ.

§ 29. Эффективный гамильтониан поверхностного биэкситона.

§ 30. Фурье-образ энергии взаимодействия поверхностных экситонов. Смещение экситонного уровня в зависимости от концентрации экситонов

§ 31. Энергия диссоциации биэкситона.

§ 32. Возбужденные состояния поверхностного биэкситона. •

§ 33. Энергия связи триона Х^.

- 5

§ 34. Энергия сеязи отрицательного иона X" ■ (ее&) поверхностного экситона

ВЫВОДЫ.

ГЛАВА б. ДВУХФОТОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЭКСИТОНОВ И БИЭКСИТОНОВ.

§ 35. Общая постановка задачи, гамильтониан и волновые функции.

§ 36. Однофотонные прямые разрешенные и запрещенные дипольные переходы.

§ 37. Двухфотонное поглощение поверхностными экситонами.

§ 38. Двухфотонное поглощение поверхностным биэкситоном.

§ 39. Угловые зависимости двухфотонного поглощения поверхностными состояниями.

ВЫВОДЫ.

ТАБЛИЦЫ

РИСУНКИ.

Индивидуальные свойства экситонов и их участие в различных физических процессах в твердом теле при небольших уровнях возбуждения достаточно полно изучены и освещены в монографиях

Новый этап в исследовании экситонов начался с появлением лазеров и их использованием для создания высокой плотности экситонов в кристаллах. В системе экситонов высокой плотности при низкой температуре взаимодействие между ними определяет свойства всей системы, приводит к коллективным состояниям. Кристаллы приобретают новые оптические свойства, обусловленные новыми электронными состояниями.

Благодаря нескольким плодотворным идеям о новых электронных состояниях, физика полупроводников и диэлектриков при высоких уровнях возбуждения превратилась в один из развитых разделов физики твердого тела.

В области концентраций "И йе* <-1 и при низкой температуре кулоновское взаимодействие электронов и дырок двух экситонов может привести к образованию биэкситона. Идея о возможности существования комплекса из двух экситонов, подобного молекуле

В этой же области концентраций при отталкивательном характере взаимодействия экситонов либо биэкситонов возможна их бозе-эйнштейновская конденсация. К такому выводу пришли водорода, высказана в 1958г. независимо С.А.Москаленко М.А.Лампертом и

С.А.Москаленко Л.В.Келдыш, А.Н

Брандт Казелла и

При П вед ^ I обменные и корреляционные эффекты приводят к сильной коллективизации электронов и дырок, происходит фазовый переход в двухкомпонентную электронно-дырочную жидкость с металлическими свойствами. Идея о ее существовании принадлежит Л.В.Келдышу [1%] .

В настоящее время теоретически доказана стабильность би-экситона в прямозонных полупроводниках при всех значениях б = ^ I. Однако в некоторых полупроводниках энергия свягУ\ к зи биэкситона может быть малой. В непрямозонных полупроводниках энергетически выгоднее электронно-дырочная жидкость. Биэк-ситоны и электронно-дырочная жидкость обнаружены в целом ряде кристаллов [13-62]. Пока нет исчерпывающих доказательств бо-зе-эйнштейновской конденсации экситонов и биэкситонов.

Более сложный чем биэкситон многоэкситонный комплекс, связанный с примесью обнаружен в кремнии [63-66]. В [Ч] предсказана возможность образования заряженных комплексов - трионоЕ - экситонного Х~ и биэкситонного ионов. Теоретические расчеты подтвердили стабильность трио нов при 0^6$ I, и некоторые экспериментальные данные интерпретируются с точки зрения их существования.

Образование биэкситона в полупроводниках приводит к появлению новых нелинейных оптических процессов: двухфотонному поглощению биэкситоном, двухфотонному (гипер-) рамановскому рассеянию, оптической конверсии экситона в биэкситон, люминесценции из биэкситонного состояния, четырехфотонному оптическому смешиванию. Все эти процессы характеризуются гигантской вероятностью.

Двухфотонное поглощение биэкситоном приводит к появлению в области экситонного поглощения ноеой ветви поляритонного типа.

ДвухФотонное резонансное рамановское рассеяние используется для определения закона дисперсии экситонного поляритона, трансляционной массы экситона.

Уже известна и возможность практического применения биэк-ситонов для создания лазера с перестраиваемой частотой на основе явления ДЕухфотонного резонансного рамановского рассеяния либо четырехфотонной флюоресцнции .

Одно из направлений физики полупроводников при высоких уровнях возбуждения - коллективные и оптические свойства поверхностных экситонов. Изучение электронных состояний, локализованных у поверхности кристалла, началось с работы И.Е.Тамма [б?]. На возможность существования поверхностных экситонов типа Ванье-Мотта и необходимость исследования коллективных явлений в системе таких экситонов указали В.Л.Гинзбург и В.В.Кел-ле [б. В настоящее время обнаружены поверхностные экситоны [69-^0^ и двумерные экситоны и биэкситоны в многослойных полупроводниковых структурах Теоретически доказана стабильность поверхностного биэкситона и трионов при О^б»^ I.

Необходимость объяснения экспериментальных фактов, выявления новых свойств полупроводников для практического применения, необходимость миниатюризации приборов делают теоретические исследования объемных и поверхностных биэкситонов чрезвычайно актуальными.

В диссертационной работе изучен ряд важных вопросов физики биэкситонов, составивших научное направление: электронная структура и стабильность биэкситоноЕ, механизмы связывания двух экситонов в биэкситон, новые нелинейные оптические процессы с участием биэкситонов в объемных прямозонных полупроводниках; энергетический спектр поверхностных биэкситонов и трионов, двухфотонная спектроскопия связанных электронных поверхностных состояний.

Два раздела диссертационной работы посвящены соответственно теории объемных и поверхностных биэкситонов.

шводы

1. В модели двух зон рассчитаны сечения одно- и двухфотонного поглощения поверхностными экситонами и биэкситонами. Рассмотрены оба случая - разрешенного и запрещенного в дипольном приближении межзонного перехода. Численные оценки для показали, что сечения квантовых переходов одного порядка величины с аналогичными величинами в объемном случае. Показано, что "разрешенный" однофотонный переход возможен только в экситонное состояние с магнитным квантовым числом ** = 0, а "запрещенный" переход в состояния с «= I, И. = 1,2,. "Разрешенный" ДЕухфотонный переход возможен только в экситон-ные состояния с квантовыми числами 1^1 » I, I. "Запрещенный" переход возможен в состояния с ^ - ^ - 0, и/и*/«

2, 2.

2. Показано, что имеется гигантская сила осциллятора двухфотон' ного перехода в биэкситонное состояние. Она одного порядка величины с силой осциллятора однофотонного перехода в экситонное состояние.

3. Теоретико-групповым методом получены угловые поляризационные зависимости вероятностей двухфотонных переходов из основного состояния кристалла е возбужденные поверхностные состояния, характеризуемые неприводимыми представлениями десяти двумерных точечных групп. Они применимы для идентификации двухфо-тонного поглощения с образованием поверхностных электрон-дырочных пар, экситонов, биэкситонов, либо при возбуждении тех же электронных состояний в многослойных структурах. Найденные угловые зависимости существенно отличаются от угловых зависимостей двухквантовых переходов в объемных кристаллах и могут быть использованы для разграничения поверхностных (либо двумерных) и объемных электронных состояний в кристаллах и многослойных структурах.

1. Давыдов А.С. Теория поглощения света в молекулярных кристаллах. - Киев: йзд-во АН УССР, 1951. - 173с.

2. Давыдов А.С. Теория молекулярных экситонов. М.: Наука, 1968. - 260с.

3. Агранович В.М., Гинзбург B.JI. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов. М.: Наука, 1965 . - 374с.

4. Нокс Р. Теория экситонов. М.: Мир, 1966. ~219с.

5. Агранович В.М. Теория экситонов. М.: Наука, 1968. - 382с.

6. Москаленко С.А. К:теории экситона Мотта в щелочно-галоидных кристаллах. ЮС, 1958, 5, )§2, 147-155.

7. Lampert М.А. Mobile and immobile effective mass particle complexes in nonmetallic solids. Phys. Rev. Lett., 1958, I, No.7, 450-453.

8. Москаленко С.А. Обратимые оптико-гидродинамические явления в неидеальном экситонном газе. ФГТ, 1962, 4, $1, 276-284.

9. Blatt J.M., Boer K.W., Brandt W. Bose-Einstein condensation-of excitons. Phys. Rev., 1962, 126, No.5, I69I-I692.10

10. Casella R.C. A criterion for exciton binding in dense electron-hole systems application to line narrowing observedin GaAs. J-. Appl. Phys., 1963, ¿4» No.6, 1703-1705.

11. Келдыш JI.В., Козлов А.Н. Коллективные свойства экситонов вполупроводниках. ЖЭТФ, 1968 , 54, Ю, 978-993.

12. Келдыш Л.В. Заключительное слово. В кн: Труды IX Международной конференции по физике полупроводников. - Л.: Наука, 1969, С.1384-1393; Коллективные свойства экситоновв полупроводниках. В сб.: Экситоны в полупроводниках. -М.: Наука, 1971, с.5-19.

13. Москаленко С.А. Бозе-эйнштейновская конденсация экситонов и биэкситонов. Кишинев: Изд-во ан МССР, 1970. - 167с.

14. Москаленко С.А., Бобрышева А.И., Леляков а.В. и др. Взаимодействие экситонов в полупроводниках. Кишинев: Штиин-ца, 1974. - 243с.

15. Хаджи П.И. Кинетика рекомбинационного излучения экситонов и биэкситонов в полупроводниках. Кишинев: Штиинца, 1977. - 243с.

16. Бобрышева А.И. Биэкситоны е полупроводниках* Кишинев; Штиинца, 1979. ~ 182с.

17. Hanamura Е-., Hang Н. Condensation effects of excitons. -Phys. Reports, 1977, 33C, N0.4, 210-284.

18. Uikitine S. Properties of biexcitons. In: Springer tracts in modern physics, 1975, p.19-42.

19. Grun J.B. Biexcitons, experimental aspects. líuovo Cimento, 1977, 39B, Ho.2, 579-592.

20. Uikitine S. Physical chemistry of excitons. In: Molecular Spectroscopy of dense phases. - Elsevier: Amsterdam: Netherlands, 1975, p.3-17.

21. Klingshirn C., Haug H. Optical properties of highly excited direct gap semiconductors. Phys. Reports, 1981, 70, lío.5, 315-410.

22. Москаленко С.А. Введение в теорию экситонов большой плотности. Кишинев: Штиинца, 1983. - 303с.

23. Кулаковский В.Д., Кукушкин И.В., Тимофеев В.Б. Парциальный состав неравновесной электронно-дырочной системы большой плотности и экситонно-плазменный переход в одноосно-дефор-мируемом кремнии. ЯЭТФ, 1980, 78, jfí, 381-393.

24. Gourley P.L., Wolfe Т.P. Thermodinamics of excitonic molecules in Si. Phys. Rev. B, 1979, 20, No.8, 3319-3327.

25. Thewalt M.L.W., Rostworowski J.A. Excitonic molecules in

26. Si. Sol. State Commun., 1978, 25, Ho.12, 992-99326. Кукушкин И.В., Кулаковский В.Д., Тимофеев В.Б. Излучениеэкситонных молекул в одноосно сжатом германии. Письма

27. ЯЭТФ, 1980, 32, №4, 304-308.

28. Hvam J.M., Bivas A. Optical gain and induced absorption in high-density exciton system in CuCl. Phys. Stat. Sol.(b), 1980, 101, No.I, 363-372.

29. Mita Т., Sotome K., Ueta M. Exciton spatial dispersion determined ^through the two-photon Raman skatering via excitonic molecule state at large wave vectors in CuCl. Sol. State Commun., 1980, 3J3, No.II, II35-H38.

30. Maruani A., Chemla D.S., Batifol E. Study of the biexciton in CdS by low intensity nonlinear coherent mixing. Sol. State Commun., 1980, N°t7, 805-808.

31. Schmid W. Four-particle radiative transitions of biexci-tons and multiple bound excitons in Si. Phys. Rev. Lett., 1980, 45, Ho.21, 1726-1729.

32. Kulakovskii V.D., Timofeev V.B. The excitonic molekule emission in the uniaxially stressed Si with the different electron valley degeneracy. Sol. State Commun., 1980, 33, No.12, II87-H89.

33. Mita Т., Sotome K., Ueta M. Stepwise two-photon excitation into excitonic molecule via exciton state of large wave vectors in CuCl. J. Phys. Soc. Japan, 1980, 48, No.2, 496-504.

34. Masumoto Y., Shionoya S. Two-photon resonant coherent Raman scattering via excitonic molecules in CuCl. J. Phys.

35. Soc. Japan, I98Q, 49, No.6, 2236-2242.

36. Itoh Т., Watanabe S., Ueta M. Phonon interaction of exci-tonic molecule in CuCl. J. Phys. Soc. Japan, 1980, 48, Ho.2, 542-550.

37. Nozue У., Ueta M. Excitonic polariton dispersion in CuBr determined by resonant Raman scattering under two-photon excitation of excitonic molecules. Sol. State Commun., I?8I, ¿6, No.9, 781-785.

38. Masumoto U., Shionoya S. High-intensity effect on two-photon resonant coherent Raman scattering via excitonic molecules in CuCl, CuBr. Sol. State Commun., 1981, ¿8, No.9, 865-872.

39. Гуле S.r., Гудыменко Л.Ф., Лисица М.П. Форма полосы и механизмы излучательной рекомбинации биэкситонов в

40. ФТТ, 1981, 23, ffl, 1970-1975.

41. Pelant I., Hala J., Parena L., Vacek K. Luminescence of excitonic molecules in AgBr. Sol. State Commun., 1981, ¿6, No.8, 729-733.

42. Sotome K., Nozue Y., Ueta M. Acoustical phonon assisted two-photon excitation of excitonic molecules and resonant Raman scattering in evaporated CuCl films. Sol. State Commun., 1981, ¿6, No.6, 555-559.

43. Levy R., Bivas A., Honnerlage В., Yu O.H. Excitonic pola-ritons and biexcitons in Pbl2. Physica B+C., 1981, 105.1. No.1-3, 78-82.

44. Nozue Y., Itoh M., Cho K, Excitonic polariton dispersion in ZnSe determined by the resonant Raman scattering under two-photon excitation of excitonic molecules. J. Phys. Soc. Japan, 1981, 50, No.3, 889-894.

45. Кулаковский В.Д., Кукушкин И.В.,Тимофеев В.Б. Экситоны и экситонные молекулы в одноосно деформированном германии в магнитном поле. 1ЭТФ, 1981, 81, Л2(8), 684-695.

46. Mita Т., Sotome К., Ueta М. Distribution of excitonic molecules under the giant two-photon excitation in CuCl. -J, Phys. Soc. Japan, 1981, 50, No.I, 134-144.

47. Maier W., Blattner G., Kurtze G. Two-photon Raman scattering and high excitation luminescence in ZnTe. Z. Phys.

48. B, 1980/1981, 40, No.1/2, 15-18.

49. Бродин M.C., Жеру И.И., Каперко В.П., Мацко М.Г. Наблюдениеэкситонных молекул в кристаллах §GtJe . УЗШ, 1981, 2б, $5, 867-869.

50. Takagahara Т. Two-photon echo method to determine the transverse relaxation time of excitonic molecule. Sol. State Gommun., 1981, 38, No.3, 179-182.

51. Baumert R., Broser I. A tunable CdS polariton laser. -Sol. State Commun., 1981, ¿8, No.I, 31-36.

52. Baumert R., Broser I. Spectroscopy of real and virtual bi-exciton states in OdS: two-photon Raman scattering, four-photon fluorescence and induced radiative recombination. -J. Lumin., 1981, 24/25. Part II, 617-620.

53. Masumoto Y., Shionoya S. Dynamical relaxation processes of excitonic polaritons in CuCl studied by picosecond induced absorption. J. Phys. Soc. Japan, 1982, 51, No.I, 181-190.

54. Chemla D.S., Maruani A., Bonnouvrier P. Interference between four-wave and six-wave mixing in resonant coherent scattering from biexcitons in CuCl. Phys. Rev. A, 1982, 26, No.5, 3026-3028.

55. Михайлов Г.В., Разбирин Б.С., Юденич Л.С., Бруссо М., Кол-ле I., Корнет А. Температура и кинетика экситонного и би-экситонного газа в кристаллах Cd-S и CdSe # „ да, 1982, 24, J§9, 2610-2617.

56. Peyghambarian N., Chase L.L., Mysyrowicz A. Momentum -space condensation of probe biexcitons into a pumped state in CuCl. Optics Commun., 1982, 41, No.3, 178-181.

57. Kurtze G., Lyssenko V.G., Klingshirn C. The behaviour of the biexciton in CdS in magnetic fields. Phys. Stat. Sol.(b), 1982, 110, Wo.2, KI03-KI06.

58. Masumoto Y., Shionoya S. Superbroadened distribution of excitonic polaritons in CuCl. Sol. State Commun., 1982, 41, Mo.2, 147-149.

59. Honerlage B,, Levy R., Grun J.B, Four-wave mixing and hyper-Raman scattering in CuCl. Optics Commun., 1982, 43, No.6, 443-445.

60. Peyghambarian N., Chase L.L., Mysyrowicz A. Bose-Einstein statistical properties and condensation of excitonic molecules in CuCl. Phys. Rev. B, 1983, 27, No.4, 2325-2345.

61. Hvam J.M., Blattner G., Reuscher M., Klingshirn C. The biexciton level and nonlinear optical transition in ZnO. -Phys. Stat. Sol.(b), 1983, 118, No.I, 179-189.

62. Бродин M.C., Каперко В.П., Мацко М.Г. Межэкситонное взаимодействие и индуцированные экситон-биэкситонные переходы в 3aSe . ФГП, 1983, 17, J&9, 1568-1574.

63. Abram I. Nonlinear optical properties of biexcitons: single beam propagation. Phys. Rev. B, 1983, 28, No.8,4433-4443.

64. Mizutani G., Nagasawa N. Phase conjugation by four-wave mixing in CuCl: resonance enhancement by exciton and exci-tonic molecule and its polarization dependence. J. Phys. Soc. Japan, 1983, 52, No.6, 2251-2257.

65. Райе Т., Хенсел Дж., Филлипс Т., Томас Т. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках. М.: Мир, 1980. - 349с.

66. Каминский А.С., Покровский Я.Е. Рекомбинационное излучениеконденсированной фазы неравновесных носителей заряда в кремнии. Письма в ЖЭТФ, 1970, И, *7, 381-384.

67. Pokrovskii Ya.E. Condensation of non-equilibrium chargecarriers in semiconductors. Phys. Stat. Sol.(a), 1972, II, No.2, 385-4Ю.

68. Kosai K., Gerschenzon M. New photoluminescence line-spectra attributed to decay of multiexciton complexes bound to Li, В and P centers in Si. Phys. Rev. B, 1974, 9, No.2, 723-736.

69. Кулаковский В.Д., Пику с Г.Е., Тимофеев В.Б. Многоэкситон-ные комплексы в полупроводниках. УФН, 1981, 135. Я>2, 237-284.

70. Тамм И.Е. О возможной связи электронов на поверхности кристалла. z- Physik, 1932, 76, 849.

71. Гинзбург В.Л., Келле В.В. О поверхностных экситонах электронно-дырочного типа и связанных с ними коллективных явлениях. Письма в ЖЭТФ, 1973, 17, Л8, 428-431.

72. Best P.P. Inelastic low-energy electron diffraction from a silicon (III) 7x7 surface. Phys. Rev. B, 1975, 12, No.12, 5790-5796.

73. Lapeyre G.J., Anderson J. Evidence for a surface state exciton on GaAs (110). Phys. Rev. Lett., 1975, 35, No.2,1.7-I20.

74. Miller R.C., Kleinman D.A., Gossard A.S,, Munteanu 0. Bi-excitons in GaAs quantum wells. Phys. Rev. B, 1982, 25, No.10, 6545-6548.

75. Bastard G., Mendez E.E., Chang L.L., Esaki L. Exciton binding energy in quantum wells. Phys. Rev. B, 1982, 26, No.4, 1974-1979.

76. Hegarty J., Sturge M.D., Gossard A.S., Wiegman W. Resonant degenerate four-wave mixing in GaAs multiquantum well structures. Appl. Phys. Lett., 1982, 40, No.2, 132-134.

77. Bobrysheva A.I. The interaction of two excitons in a crystal. Phys. Stat. Sol., 1966, 16, No.I, 337-348.

78. Бобрышева А.И. 0 взаимодействии двух экситонов в кристалле. В кн: Некоторые вопросы теории экситонов. - Кишинев: РИО АН МССР, 1966, с.18-37.

79. Bobrysheva A.I., Miglei-M.P., Shmiglyuk M.I. On the biexci-ton formation in crystals. Phys. Stat. Sol.(b), 1972,53, No.I, 71-84.

80. Бобрышева A.M., Миг лей М.Ф., Шмиглш М.И. К теории биэкси-тона в полупроводниках. В кн: Аннотации докладов У Всесоюзной конференции по нелинейной оптике. - Кишинев: 1970,с.42.

81. Москаленко С.А., Бобрышева А.И., Карп И.А. и др. Биэксито-ны и когерентные состояния экситонов в кристаллах. В кн: Современные проблемы оптики и ядерной физики. - Киев: Нау-кова думка, 1974, с.134-146.

82. Бобрышева А.И., Карп И.А., Миглей М.Ф., Москаленко С.А. Энергия связи биэкситона в кристаллах. В кн: Новые полупроводниковые соединения и их свойства. - Кишинев: Штиинца, 1975, с.167-175.

83. Bobrysheva A.I., Moskalenko S.A., Vybornov V.I. The shift of the exciton level and the biexciton formation in crystals under high density excitation. Phys. Stat. Sol.(b), 1976, 76, No.I, K5I-K56.

84. Бобрышева А.И., Выборнов В.И. Энергия образования экситона при высоких уровнях возбуждения кристалла. В кн: Тезисы докладов УШ Всесоюзного совещания по теории полупроводников. (Киев, 1975, с.30-31).

85. Бобрышева А.И., Карп И.А., Москаленко С.А. Спиновая структура и вращательные уровни биэкситона. ФГП, 1975, 9, Ю, 605-607.

86. Bobrysheva A.I., Vybornov V.I. The biexciton in polar crystals. Phys. Stat. Sol.(b), 1978, 88, No.I, 315-319.

87. Бобрышева А.И., Выборнов В.И. Кинетические процессы с участием биэкситонов и фононов. ФГП, 1976, 10, 447451.

88. Bobrysheva A.I., Vybornov V.I. The probability of biexciton formation in crystals. Phys. Stat. Sol.(b), 1975, 69, No.I, 267-273.

89. Бобрышева А.И., Выборнов В.И. Рассеяние биэкситона на фо-нонах. ФГП, 1976, ГО, JêlO, 2015; Сб. ВИМИ "Риппорт", 1976, JÊ7.

90. Бобрышева А.И., Выборнов В.И. Кинетические процессы в полупроводниках с участием биэкситонов. В кн: Тезисы докладов УШ Всесоюзного совещания по теории полупроводников (Киев, 1975, с.30).

91. Бобрышева А.И., Выборнов В.И. Биэкситон в деформируемой решетке. « В сб. Собственные полупроводники при больших уровнях возбуждения. Кишинев: Штиинца, 1978, с.38-67.

92. Бобрышева А.И., Выборнов В.И. Поляризационные свойства двухфотонного резонансного рамановского рассеяния в кристалле В кн: Тезисы докладов ХХУ Всесоюзного совещания по лшинесценции (Львов, 1978, с.55).

93. Бобрышева А,И., Леляков A.B. Выборнов В.И. Люминесценция из бозе-конденсированного состояния биэкситонов в кристалле &С£ . ФГТ, 1978, 20, №, 1620-1625; Люминесценция из бозе-эйнштейновского конденсата (БЭК) биэкситонов в кристалле

94. В кн: Экситоны в полупроводниках. Тезисы Всесоюзного совещания (Ленинград, 1977, с.10).

95. Бобрышева А.И., Леляков A.B., Выборнов В.И. Поляризационные свойства полосы люминесценции бозе-конденсированных биэкситонов в кристалле1. Си et .- В кн: Тезисы докладов ХХУ Всесоюзного совещания по люминесценции (Львов, 1978, с.54).

96. Бобрышева А.И., Выборнов В.И. Двухфотонное резонансное ра-мановское рассеяние с участием биэкситонов в кристалле1. Ш .- В кн: Тезисы докладов IX Всесоюзного совещания по теории полупроводников (Тбилиси, 1978, с.60).

97. Бобрышева А.И., Леляков A.B., Выборнов В.И. Люминесценция бозе-конденсированных биэкситонов в кристалле QjCß . -В кн: Тезисы докладов IX Всесоюзного совещания по теории полупроводников (Тбилиси, 1978, с.61).

98. Бобрышева А.И., Выборнов В.И. Двухфотонное раманоЕСКое рассеяние связанное с биэкситонами в &С6 . В кн: Тезисы докладов IX Всесоюзной конференции по когерентной инелинейной оптике (Ленинград, 1978, с.169).

99. Bobrysheva A.I., Moskalenko S.A. Biexcitons in crystals with large ortho-para exciton splitting. Phys. Stat. Sol.(b), 1983, 112, 141-146.

100. Бобрышева A.M., Москаленко С.A. О когерентном спаривании экситонов и бозе-конденсате биэкситоноЕ в полупроводниках.- ФГТ, 1983 , 25, Ш, 3282-3285.

101. Bobrysheva A.I., Jeru I.I., Moskalenko S.A. The isotopic shift of the excitonic absorption lines in Ci^O crystals.- Phys. Stat. Sol.(b), 1982, 113, No.2, 439-445.

102. Бобрышева А.И., fepy И.И., Москаленко С.А. Изотопическое смещение экситонных серий в кристалле (ЬцО , в кн: Тезисы докладов XXII Всесоюзного совещания по физике низких температур (Кишинев, 1982, с.168-169).

103. Бобрышева А.И., Жеру И.И., Москаленко С.А. Электрон-фо-нонное взаимодействие и изотопическое смещение экситонных серий в кристалле й>гО . В кн.: Тезисы докладов Всесоюзного совещания "Экситоны в полупроводниках" (Ленинград, 1982, с.64).

104. Бобрышева А.И., Руссу С.С., Хаджи П.И., Москаленко С.А. Об одном способе создания высокой плотности долгоживущих экситонов в кристалле . ФГТ, 1983, 25, J£5,1562-1564.

105. Бобрышева А.И. Правила отбора для излучения света при столкновении двух экситонов. В кн.: Сложные полупроводники и их физические свойства. Кишинев: Штиинца, 1971, с.88-92.

106. Бобрышева А.И., Аблова Л.А. Влияние ориентированной деформации и электрического поля на двухфотонное экситонное поглощение Сия0 . Ш1, 1973 , 7, №, 1044-1050.

107. Бобрышева А.И., Аблова Л.А. Двухфотонные переходы в экси-тонные состояния Ù/qO . В кн.: Аннотации докладов У1 Всесоюзной конференции по нелинейной оптике (Минск, 1972, с.241).

108. Аблова Л.А., Бобрышева А.И., Леляков А.В., Москаленко С.А, Хаджи П.И. Излучательная рекомбинация экситонов в полупроводниках при больших уровнях возбуждения. Известия АН СССР, серия физическая, 1973, 37, J§4, 891-895.

109. Ablova L.A., Bobrysheva A.I., Lelyakov A.V., Moskalenko S.A., Khadzhi P.I. Radiative recombination of excitons in semiconductors at high excitations intensities. J. Lumin., 1973, 8, No.I, 82-88.

110. Bobrysheva A.I., Beryl S.I., Moskalenko S.A., Pokatilov E.P. The dissociation energy of the surface biexciton. -Phys. Stat. Sol.(b), 1980, 100, No.I, 281-288.

111. Bobrysheva A.I., Zyukov V.T., Beryl S.I. The interaction of surface excitons. Phys. Stat. Sol.(b), 1980, 101, No.I, 69-76.

112. Bobrysheva A.I., Zyukov V.T., Moskalenko S.A. The excited states of the surface biexciton. Phys. Stat. Sol.(b), 1981, 105, No.I, K45-K49.

113. Bobrysheva A.I., Grodetskii M.V., Zyukov V.T. Binding energy for the surface biexcitonic positive ion. J. Phys. C: Solid State Phys., 1983, 16, No.29, 5723-5728.

114. Бобрышева А.И., Зюков В.Т., Билинкис П.Г. Отрицательный ион поверхностного экситона» ФГП, 1981, 15, J&7, 14001402.

115. ИЗ. Бобрышева А.И., Зюков В.Т. Двухфотонное поглощение биэк-ситоном в тонкой пленке и в полубесконечном кристалле. -ФГТ, 1980, 22, №10, 3192-3194.

116. И4. Bobrysheva A.I., Moskalenko S.A., Zyukov V.T. The angular dependences of two-photon transitions to surface states. Phys. Stat. Sol.(b), 1982, III, Ho.2, K75-K80.

117. П5. Bobrysheva A.I., Beryl S.I., Zyukov V.T., Moskalenko S.A., Pokatilov E.P. The one- and two-photon absorption due to surface state excitons. Phys. Stat. Sol.(b), 1983, 115, No.I, 153-160.

118. Бобрышева А.И., Берил С.И., Москаленко С.А., Покатилов Е.П., Чебан И.О. Биэкситонные состояния на поверхности полярного кристалла. - В кн.: Экситоны и биэкситоны в полупроводниках. - Кишинев: Штиинца, 1982, с.182-195.

119. Бобрышева А.И., Берил С.И., Зюков В.Т., Москаленко С.А., Покатилов Е.П. Поверхностные экситоны и биэкситоны. В кн.: Тезисы докладов X Всесоюзного совещания по теории полупроводников (Новосибирск, 198а, 4.1, с.76-77).

120. Бобрышева А.И., Берил С.И., Покатилов Е.П. Энергия связи поверхностного биэкситона в полярных кристаллах. В кн.: Тезисы докладов Х1У Всесоюзного семинара "Экситоны в кристаллах" (Львов, 1979, с.20).

121. Бобрышева А.И., Берил С.И., Зюков В.Т., Москаленко С.А., Покатилов Е.П. Двухфотонные переходы с участием поверхностных экситонов. В кн.: Тезисы докладов Всесоюзного совещания по молекулярной люминесценции и ее применениям (Харьков, 1982, с.30).

122. Бобрышева А.И., Зюков В.Т., Билинкис П.Г., Гродецкий М.В. Возбужденные состояния биэкситона и экситонный ион на поверхности кристалла. В кн.: Экситоны и биэкситоны в полупроводниках. - Кишинев: Штиинца, 1982, с.195-204.

123. Бобрышева А.И., Берил С.И., Зюков В.Т., Москаленко С.А., Покатилов Е.П. Оптические свойства экситонов и биэкситонов на поверхности полупроводников. В кн.: Тезисы докладов Всесоюзного совещания "Экситоны в полупроводниках" (Ленинград, 1982, с.12).

124. Бобрышева А.И., Руссу С.С., Хаджи П.И. Двухфотонное двух-экситонное поглощение света и бозе-эйнштейновская конденсация экситонов в 0*0 . В кн.: Тезисы докладов Всесоюзного совещания "Экситоны в полупроводниках" (Ленинград, 1982, с.39).

125. Бобрышева А.И., Зюков В.Т. Трионы на поверхности полупроводника. В кн.: Тезисы XI Совещания по теории полупроводников (Ужгород, 1983, с.74-75).

126. Bobrysheva A.I., Baltaga V.V., Grodetskii M.V. Biexciton *two-photon absorption and Raman scattering in CuBr. -Phys. Stat. Sol.(b), 1984, 123, No.I, p.

127. Бобрышева А.И., Гродецкий М.В., Миглей М.Ф., Москаленко С.А. К теории биэкситона. В кн.: Тезисы докладов 2-й Всесоюзной конференции по теории твердого тела (Москва, 1969, с.45-46).

128. Касаманян З.А. О возможности образования экситонных молекул в полупроводниках. ФГП, 1967, I, Ю, 415-421.

129. Sharma R.R. Binding energy of the excitonic molecule. -Phys. Rev., 1968, 170, No.9, 770-772.

130. Wehner R.R. On the excitonic molecule. Sol. State Commun., 1969, No.5, 457-458.

131. Adamowski J., Bednarek S., Suffczynski M. Binding energy of the biexcitons. Sol. State Commun., 1971, 9, No.23, 2037-2038.

132. Akimoto 0., Hanamura E. Excitonic molecule. I. Calculation of the binding energy. J. Phys. Soc. Japan, 1972, 33, 1537-1567.

133. Huang W.T., Schroder D. On the calculation of binding energy of excitonic molecules. Phys. Lett., 1972, 38A, No.3, 507-508.

134. Huang W.T. Binding energy of excitonic molecules in isotropic semiconductors. Phys. Stat. Sol.(b), 1973, 60, No.I, 309-317.

135. Handel P.H. Approximate expression for the binding energy of isotropic biexcitons. Phys. Rev. B, 1973, 7, No.12, 5183-5186.

136. Никитин С., Хакен X. Спонтанное и вынужденное излучение экситонов при высоких концентрациях. Известия АН СССР, серия физическая, 1973, 37, #2, 220-227.

137. Henneberger К., May V. Dielectric liquid of Wannier-Mott excitons. Phys. Stat. Sol.(b), 1980, 98, No.I, K77-K8I.

138. Akimoto 0. Excitonic molecule. II. The case of anisotropic effective mass. J. Phys. Soc. Japan, 1973, .35,1. No.4, 973-995.

139. Brinkman W.F., Rice T.M., Bell B.T. The excitonic molecule. Phys. Rev. B, 1973, 8, No.4, I570-1580.

140. Sheboul M.I., Ekardt W. Theory of biexcitons using the boson formalism. The ground state binding energy.-Phys. Stat. Sol.(b), 1976, 73, No.I, 165-178.

141. Forney J.J., Quattropani A., Bassani F. Electron-hole exchange contributions to biexciton states. Nuovo

142. Cimento, 1974, 22B, No.I, 153-178.

143. Карп И.А., Москаленко С.А. Возбужденные состояния биэкситоноб. Ш, 1974, 8, *2, 285-288.

144. Gutljansky E.D., Khartsiev V.E. A theorem for dissociation energy and binding energy of biexcitons in isotropic model of a semiconductor. Sol. State Commun., 1973, 12, No.II, Ю87-Ю90.

145. Khartsiev V.E. The strict upper limit for dissociation energy of an "anisotropic" excitonic molecule. Sol. State Commun., 1975, 16, No.8, 977-980.

146. Bassani F., Forney J.J., Quattropani A. Energy levelstructure of biexcitons and related optical transitions.- Phys. Stat. Sol.(b), 1974, 65, No.2, 591-601.

147. Bassani P., Rovere M. Biexciton binding energy in Cu20.- Sol. State Commun., 1976, 19., No.9, 887-890.

148. Pollman J., Buttner H. Phonon influence on the biexciton binding in CuCl and CuBr. Sol. State Commun., 1973, 12, No.II, II05-II08.

149. Tran Thoai D.B. Exciton interaction potential in polar crystals. Z. Physik, 1977, 26B, No.2, II5-I23.

150. Haken H. Zur quantumtheorie des mehrelectronen systems in swingenden gitter. Z. Physik, 1956, 146, No.5, 527554.

151. Bednarek S., Adamowski J., Suffczynski M. Effective ha-miltonian for few-particle systems in polar semiconductors. Sol. State Commun., 1977, 21, No.I, 1-3.

152. Murat K., Katriel J. The lowest triplet state of the biexciton may be bound. Phys. Lett., 1979, 7IA, No.I, 143-145.

153. Haufe A., Henneberger K., May V. Boson description of many-exciton systems in polar semiconductors. Sol. State Commun., 1983, 45, No.9, 837-840.

154. Lee M.A., Vashishta P., Kalia R.K. Ground state of exci-tonic molecules by the Green-function Monte-Carlo method.- Phys. Rev. Lett., 1983, 51, No.26, 2422-2425.

155. Hanamura E. Theory of the high density exciton. I. J. Phys. Soc. Japan, 1970, 29, No.I, 50-57.

156. Quattropani A., Porney J.J. Theory of excitonic molecules. Nuovo Cimento, 1977, 39B, No.2, 569-578.

157. Levy R., Hönerlage B., Grun J.B. Biexciton dispersion in the degenerate-band case: CuBr as an example. Phys,

158. Rev. Lett., 1980, 44, No.20, 1355-1358.

159. Honerlage В., Levy R., Grun J.B. Invariant expansion of the interacting biexciton ground state in CuBr. Phys. Rev. B, 1981, 24, No.6, 3211-3219.

160. Hanamura E. Excitonic molecule. Electronic structure. -J. Phys. Soc. Japan, 1975, 22* Яо.6, I506-I5I5.

161. Gerlach B. Bound states in electron-exciton collisions. -Phys. Stat. Sol.(b), 1974, £3, No.2, 459-463.

162. Munschy G., Stebe B. Binding energy of the excitonic ion. Phys. Stat. Sol.(b), 1974, 6£» 213-222.

163. Инсепов 3.A., Норман Г.Э. Трехчастичные заряженные электронно-дырочные комплексы в полупроводниках. ЖЭТФ, 1975, 69, «4, I32I-I324.

164. Stebe В., Munschy G, Binding energies of the excitonic molecule ion and of the exciton ion . Sol. State Commun., 1975, 17» No.9, I05I-I054.

165. Munschy G., Stebe B. Non-adiabatic calculation of the binding energy of the excitonic molecule ion. Phys. Stat. Sol.(b), 1975, 72, No.I, 135-145.

166. Гоголин A.A., Рашба Э.И. Влияние взаимодействия экситонов на экситонные спектры. Письма в ЖЭТФ, 17, #12, 690 -693, 1973.

167. Гоголин А.А. Влияние биэкситонов на краевое поглощение и люминесценцию. ФГТ, 1973, 15, 2746-2756.

168. Рашба Э.И. Гигантские силы осцилляторов, связанные с экситонными комплексами. Обзор. ФГТ, 1974, 8, №7, I24I-I256.

169. Rashba E.I. Gigantic oscillator strengths in herent in exciton complexes. In: Springer Tracts in Modern Physics, New-York, 1975, p.150-167.

170. Hanamura Е. Excitonic molecule. IV. Optical properties. J. Phys. Soc. Japan, 1975, 21* No.6, 1516-1524.

171. Cho K. Emission line shapes of exciton molecules in direct and indirect gap materials. Opt. Commun., 1973, 8, No.4, 412-416.

172. Хаджи П.И., Петрашку К.Г., Москаленко С.А. Излунательная рекомбинация биэкситоноЕ в полупроводниках. ФГТ, 1975, 17, №, 2347-2355.

173. Moskalenko S.A. The properties of Bose condensed excitons and biexcitons. In: Molecular Spectroscopy of Dense Phases. Elsevier, Strasbourg, Prance, 1975, p.45-54.

174. Ханамура E. Теория спектра излучения полупроводников при больших плотностях возбуждения. Изв. АН СССР, сер. физ., 1973, 37, JI2, 347-354.

175. Shionoya S., Saito Н., Hanamura Е., Akimoto О. Anisotropic excitonic molecules in CdS and CdSe. Sol. State Commun., 1973, 12, No.3, 223-226.

176. Саито X., Шионойя С. Экситонная люминесценция и Фотопроводимость при большой плотности возбуждения. Изе. АН СССР, сер. физ., 1973, 37, №2, 290-297.

177. Hanamura Е. Biexcitons Bose condensation and optical response. - In: Springer Tracts in Modern Physics. Excitons at High Density. New-York, 1975, 72» p.43-69.

178. Ostertag E., Levy R., Grun J.B. The line shape of the bi-exciton luminescence in CuCl. Phys. Stat. Sol.(b), 1975, 69, No.2, 629-638.

179. Planel R., Benoit a la Guillaume C. Biexcitonic luminescence for "allowed" and "forbidden" polarization. Phys. Rev. B, 1977, 15, No.2, II92-I20I.

180. Henneberger P., Voigt J. Polariton effects in the opticalspectra of excitonic molecules. Phys. Stat. Sol.(b), 1976, 76, No.I, 313-323.

181. Hanamura E. Giant two-photon absorption to excitonic molecule. Sol. State Commun., 1973, 12, No.9, 951-953.

182. Comte C. The structure of the exciton and the biexciton in CuBr. Opt. Commun., 1975, No.I, 79-84.

183. Hanamura E. Bose-condensation of excitonic molecules. -J. Lumin., 1976, 12/13. II9-I29.

184. Segawa Y., Namba S. Stress-induced splitting of emission lines from excitonic molecules in CdS and ZnO.

185. J. Lumin., 1976, 12/13. 569-573.

186. Goede 0. Deformation effects on biexcitons in wurtzite-type crystals. Phys. Stat. Sol.(b), 1977, 81, No.I, 235-244.

187. Кулаковский В.Д., Тимофеев В.Б. Биэкситон ъ спектре излучения одноосно деформированного кремния. Письма в ЖЭТФ, 1977, 25, №10, 487-491.

188. Разбирин Б.С., Уральцев И.Н., Михайлов Г.В. Биэкситоны в кристаллах A2Bg. Письма в ЖЭТФ, 1977, 25, №, I9I-I94.

189. Михайлов Г.В., Разбирин Б.С., Уральцев И.Н. Прямозонные полупроводники при еысоких интенсивностях возбуждения. Биэкситоны. В кн.: Тезисы Всесоюзного совещания "Экси-тоны е полупроводниках". (Ленинград, 1977, с.8).

190. Evangelisti Р., Capizzi М., De Crescenzi М., Frova А., Baldacchini G. Magnetoluminescence and reflectance investigation of the CdS biexciton. Sol. State Commun.,1976, 18, No.7, 795-798.

191. Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Поляризация рекомбинационного излучения биэкситонов в деформированном германии. ФГТ, 1975, 17, «5, 1284-1297.

192. Пикус Г.Е., Бир Г.Л. Поляризация непрямой люминесценции в е магнитном поле и при одноосной деформации. В кн.: Тезисы докладов УШ Совещания по теории полупроводников (Киев, 1975, с.137).

193. КулакоЕСКий В.Д., Кукушкин И.В., Тимофеев В.Б. Экситоны и экситонные молекулы в одноосно-деформированном германии в магнитном поле. ЖЭТФ, 1981, 81, #2, 684-695.

194. Эделыптейн В.М. Диамагнитная восприимчивость экситонных молекул. ЖЭТФ,. 1979, 77, J&2, 760-763.

195. Кулаковский В.Д., Малявкин А.В., Тимофеев В.Б. Диамагнетизм экситонов и экситонных молекул в кремнии. ЖЭТФ, 1979, 77, 752-759.

196. Toyozawa Y. Resonance and relaxation in light scattering.- J. Phys. Soc. Japan, 1975, 41, No.2, 400-4П.

197. Гайтлер В. Квантовая теория излучения. М.: ИЛ, 1956.491с.

198. Bechstedt Р., Henneberger P. Two-photon resonance Raman scattering by excitons via an intermediate excitonic molecule. I. Bare-exciton approach. Phys. Stat. Sol. (b), 1977, 81, No.I, 211-220.

199. Henneberger P., Henneberger K., Voigt J. Two-photon resonance Raman scattering by excitons via an intermediate excitonic molecule. II. Polarization properties and po-lariton effects. Phys. Stat. Sol.(b), 1977, 83, No.2, 439-450.

200. Hanamura E., Takagahara T. Resonant Raman scattering and luminescence due to excitonic molecule. J. Phys. Soc. Japan, 1979, 47, No.2, 410-422.

201. Hanamura E. Bosercondensation of excitonic molecules. -J. Lumin., 1976, 12/13. 119-129.

202. Maruani A., Onder J.L., Batifol E., Chemla D.S. Nonlinear spectroscopy of biexcitons in CuCl.by resonant coherent scattering. Phys. Rev. Lett., 1978, 41, No.20, 1372-1375.

203. Maruani A., Ohemla D.S. Active nonlinear spectroscopy of biexcitons in semiconductors, propagation effects and Pano interference.-Phys. Rev. B, 1981, 23, No.2, 841-860.

204. Chemla D.S., Maruani A., Bonnouvrier P. Interference between four-wave and six-wave mixing in resonant coherent scattering from biexcitons in CuCl. Phys. Rev. A, 1982, 26, No.5, 3026-3028.

205. Mysyrowicz A., Grun J.B., Levy R., et al. Excitonic molecule in CuCl. Phys. Lett. A, 1968, 26, No.12, 615-616.

206. Souma H., Goto T., Ohta T., Ueta M. Formation and radiative recombination of free excitonic molecule in CuCl by ruby lasers. J. Phys. Soc. Japan, 1970, 23, No.3, 697709.

207. Gale G.M., Mysyrowicz A. Direct creation of excitonic molecules in CuCl by giant two-photon absorption. -Phys. Rev. Lett., 1974, 32, No.13, 727-730.

208. Nagasawa N., Nakata N., Doi J., Ueta M. The Bose-conden-sation of excitonic molecules in CuCl crystals.-^.Phys. Soc. Japan, 1975, 38, No.2, 593-594.

209. Nagasawa N., Koizumi S., Mita T., Ueta M. Generation of excitonic molecules by giant two-photon absorption in

210. CuCl and CuBr and their Bose-condensation. J. Lumin., 1976, 12/13, 587-592.

211. Levy R., Klingshirn C., Ostertag E., Vu Duy Phach, Grun J.B. Luminescence of a "cold" gas of biexcitons in CuCl. Phys. Stat. Sol.(b), 1976, 77, Ho.I, 381-391.

212. Chase L.L., Peyghambarian N., Grynberg G., Mysyrowicz A. Evidence for Bose-Einstein condensation of biexcitons in CuCl.-Phys. Rev. Lett., 1978, ¿2, Ho.18, I23I-I234.

213. Phach Vu Duy, Bivas A., Honerlage В., Grun J.B. Biexci-ton resonant two-photon absorption in CuCl. Phys. Stat. Sol.(b), 1977, No-2> 731.

214. Hasu Y., Koizumi S., Nagasawa H., Ueta M. Energy level scheme of excitonic molecule and exciton in CuBr. J. Phys. Soc. Japan, 1976, 41, Ho.2, 715-716.

215. Phach Vu Duy, Levy R. Biexciton two-photon absorption in CuBr. Sol. State Commun., 1979, 29, No.3, 247-250.

216. Hagasawa N., Mita Т., Ueta M. Radiative and two-photon resonance Raman processes associated with excitonic molecules in CuCl. I. Phys. Soc. Japan, 1976, 41, No.3, 929-936.

217. Itoh Т., Suzuki T. Excitonic polariton-polariton resonance scattering via excitonic molecules in CuCl. J. Phys. Soc. Japan, 1978, 45, No.6, 1938-1948.

218. Suzuki Т., Itoh Т., Ueta M. Two-photon resonance Raman . scattering with recoil of upper-branch excitonic polari-ton in CuCl. J. Phys. Soc. Japan, 1978, 44, No.I, 347348.

219. Miyamoto S., Shionoya S. Luminescence of excitonic molecule in ZnO. J. Lumin., 1976, 12/13, 563-567.

220. Дите А.Ф., Ревенко В.И., Тимофеев В.Б., Алтухов П.Д. Биэкситон б спектре CdS t индуцированный излучательный распад экситонно-примесных комплексов. Письма в 1ЭТФ, 1973, 18, Ю, 579-583.

221. Лысенко В.Г., Ревенко В .И., Тимофеев В.Б. Конденсация неравновесных электронно-дырочных пар вблизи примесных центров в кристаллах сульфида кадмия. Письма в ЖЭТФ, 1976, 24, т, 157-160.

222. Лысенко В.Г., Тимофеев В.Б. Биэкситон в спектрах "ультрачистых" кристаллов Oo/S ? Излучение экситонно-примесных комплексов. ОТ, 1976, 18, №, 1030-1033.

223. Miiller G.O., Rosier И., Weber Н.Н., Zimmerman R. Excitonic and non-excitonic high excitation luminescence from

224. CdS. J. Lummin., 1976, 12/13, 557-562.

225. Кукушкин И.В., Кулаковский В.Д., Тимофеев В.Б. Люминесценция экситонных молекул в германии и кремнии. Изв. АН СССР, сер. физ., 1982, 46, 3&, 253-258.

226. Benoit a la Guillaume С., Debever J.M., Salvan P. Radiative recombination in highly excited CdS. Phys, Rev., 1969, Ш» No«2» 567-580.

227. Saito M., Kuroiva A., Kuribayashi S., Aogaki Y., Shio-noya S. Optical formation and luminescence of excitonic molecule in CdS. J. Lumin., 1976, 12/13, 575-580.

228. Kurtze G., Maier W., Blattner G., Klingshirn C. Some results on electronic two- and one-photon Raman scattering in CdS. Z. Phys. B, 1980, 3£, No.2, 95-98.

229. Kleinman D.A. Binding energy of biexcitons and bound exciton in quantum wells. Phys. Rev. B, 1983, 28, No.2, 871-879.

230. Shinada M., Sugano S. Interband optical transitions in extremely anisotropic semiconductors. I. Bound and unbound exciton absorption. J. Phys, Soc. Japan, 1966, 21, No.10, 1936-1946.

231. Келдыш JI.В. КулоноЕское взаимодействие в тонких пленках полупроводников и полуметаллоЕ. Письма в ЮТФ, 1979, 29, Ш, 716-719.

232. Адамян В.М., Козицкий С., Пундик А. Спектр экситонов в слоистых полупроводниках. Ш, 1976 , 21, .№10, I70I-I709.

233. Del Sole R., Tosatti E. Surface state excitons in srmicon-ductors. Sol. State Commun., 1977, 22, No.5, 307-310.

234. Берил С.И., Покатилов Е.П. Экситонные состояния на поверхности кристалла. ФГП, 1980, 14, #1, 37-42.

235. Ivanov L.N., Lozovik Yu.E., Musln D.R. On the ground state of the two- and three-dimensional excitonic molecules. J. Phys. C, 1978, No.12, 2527-2534.

236. Dzhotyan A.P., Kazarian E.M., Enfiadjjian R.L. Complicated quasi-particle complexes in thin semiconductor films. -Thin Solid Films, 1979, 60, No.3, 279-287.

237. Chiarotti G., Nannarone S., Pastore R., Chiaradia P. Optical absorption of surface states in ultra high vacuum cleaved (III) surfaces of Ge and Si. Phys. Rev. B, 1971, 4, No.10, 3398-3402.

238. Del Sole R., Tosatti E. Electron-hole effects on interband transitions between surface states in semiconductors. Nuovo Cimento, 1977, 39B, No.2, 791-796.

239. Flores F., Rubio J. Selection rules for optical absorption on Si (III) faces. Phys. Stat. Sol.(b), 1975, 68, No.I, KI7-KI9.

240. Shinozuka Y., Matsuura M. Wannier exciton in quantum wells. Phys. Rev. B, 1983, 28, N0.8, 4878-4981.

241. Culik F. Exciton-exciton "collisions" in crystals.

242. Czech. J. Phys. B, 1966, 3, Ho.16, 194-206.

243. Blatt J.M. Theory of superconductivity. Academic Press Hew York and London, I964, p.84.

244. Onodera Y., Toyozawa Y. Excitons in alkali halides.

245. J. Phys. Soc. Japan, 1967, 22, Ho.3, 833-844.

246. Гельман Г.Г. Квантовая химия. Москва, Ленинград: ТТЛ,1937. ~ 546с.242. 0-0hata К., Taketa H., Huzinaga S. Gaussian expansions of atomic orbitale. J. Phys. Soc. Japan, 1966, 21, Но.II, 2306-2313.

247. Bivas A., Levy R., Grun J.В., Comte С., Haken H., Nikiti-ne S. Excitonic absorption and emission of cuproux chloride during exci-tation by a powerful light source. -Opt. Commun., 1970, 2, Ho.5, 227-230.

248. Kato Y., Goto T., Pujii T., Ueta M. The effect of high density excitons on the exciton bands in CuCl. J. Phys. Soc. Japan, 1974, ¿6, Ho.I, 169-176.

249. Kuroda H., Shionoya S. Dynamical processes of high density single excitons and excitonic molecules in CdSe. -J. Phys. Soc. Japan, 1974, ¿6, Ho.2, 476-484.

250. Valatin J.G., Butler D. On the collective properties of a boson system. Huovo Cimento, 1958, 10, Ho.I, 37-54.

251. Coniglio A., Marinaro M. On condensation for an interacting boson system. Huovo Cimento, 1967, 48B, Ho.2, 249-261.

252. Coniglio A., Mancini P., Maturi M. On the coexistence of single- and two-particle condensation in an interacting boson gas. Huovo Cimento, 1969, 63B, Ho.I, 227-235.

253. Evans W.A.B., Imri Y. On the pairing theory of the Bose superfluid. Huovo Cimento, 1969, 63B, Ho.I, 155-184.

254. Mavroyannis С. Resonant coherent pairing of excitons in molecular crystals. Phys. Rev. B, 1974, 10, No.4, I74I-I747.

255. Mavroyannis C. Coherent pairing of excitons in insulators and semiconductors. J. Low. Temp. Phys., 1976, 25, No.3/4, 501-523.

256. Nandakumaran V.M., Sinha K.P. Possibility of a condensed phase of excitons becouse of phonon induced exciton-exci-ton pairing. Z. Phys. B, 1975, 22, No.2, I77-I8I.

257. Хейне В. Теория групп б квантовой механике. М.: И.Л., 1963. - 522с.

258. Hylleraas Е.А. Electron affinity of positronium. Phys. Rev., 1947, 71, N0.8, 491-493.

259. Thomas G.A., Rice T.M. Trions, molecules and excitons above the Mott density in Ge. Sol. State Commun., 1977, 22, N0.6, 359-363.

260. Kawabata T., Muro K., Narita S. Observation of cyclotron resonance absorptions due to excitons ion and excitonic molecule ion in silicon. Sol. State Commun., 1977, 23, N0.4, 267-270.

261. Combescot M., Nozieres P. Condensation of excitons in germanium and silicon. J. Phys. C, 1972, 5t No.17, 2369-2391.

262. Brinkman W., Rice T.M. Electron-hole liquids in semiconductors. Phys. Rev. B, 1973, 7, N0.4, 1508-1524.

263. Келдыш Л.В., Силин А.П. Электронно-дырочная жидкость в полярных полупроводниках. ЗЙЭТФ, 1975, 6£, 1053-1057.

264. Knox R.S., Nikitine S., Mysyrowicz A. Kinetics of biexci-ton formation in CuCl. Opt. Commun., 1969, I, No.I, 19-21.

265. Souma H., Suzuki К., Ueta M. Stimulated emission of excitonic molecule in CuCl single crystals. J. Phys. Soc. Japan, 1971, 30, No.2, 589-590.

266. Shaklee K.L., Leheny R.F., Nahory R.E. Stimulated emission from the excitonic molecules in CuCl. Phys. Rev. Lett., 1971, 26, No.12, 888-891.

267. Souma H., Koike H., Suzuki K., Ueta M. Stimulated emission of excitonic molecule in CuBr. J. Phys. Soc. Japan, 1971, ¿1, No.4, 1285.

268. Mahutt.e C.K., Matsuura M., Wang S. On the electronic polarization effect on excitons in insulators. Can. J. Phys., 1972, 50, No.4, 375-391.

269. Toyozawa Y. The exciton lattice interaction and the line shape of the exciton absorption band. Progr. Theoret. Phys., 1958, 19, No.2, 214-216.

270. Hylleraas E., Ore A. Binding energy of the positroniummolecule. Phys. Rev., 1947-, 71, No.8, 493-498.

271. Слэтер Дж. Электронная структура молекул. М.: Мир, 1965. - 587с.

272. Hulin D., Mysyrowicz A., Benoit a la Guillaume С. Evidence for Bose-Einstein statistics in an exciton gas. -Phys. Rev. Lett., 1980, £5, No.24, 1970-1973.

273. Крейнгольд Ф.И., Лидер К.Ф., Соловьев Л.5. Изотопическое смещение экситонных линий в спектре поглощения в -Письма в ЗНЭТФ, 1976 , 23, £12, 679-681.

274. Крейнгольд Ф.И., Лидер К.Ф., Сапега В.Ф. Влияние изотопического замещения на спектр экситонов в кристалле Ск^О . ФГТ, , 1977, 19, НО, 3 1 58-3160 .

275. Крейнгольд Ф.И., Лидер К.Ф. Влияние изотопического замещения на экситонные спектры полупроводниковых кристаллов.- В кн.: Тезисы Х1У Всесоюзного семинара "Экситоны в кристаллах", Львов, 1979, с.47.

276. Watters R.G., Pollak F.H., Bruce R.H., Cummins H.Z. Effects of uniaxial stress on excitons in Cu20. Phys. Rev. В, 1980, 21, No.4, 1665-1685.

277. Nikitine S. Excitons. Chapter 9 in "Optical properties of solids". Plenum Press, 1969, 197-237.

278. Trebin H.R., Cummins H.Z., Birman J.L. Excitons in Cu20 under uniaxial stress. Phys. Rev. В, I981, 23, No.2, 597-606.

279. Липник А.А. Связывание и распад экситона Мотта на фоно-нах и примесных центрах. ФГТ, 1961, 3, Л8, 2322-2332.

280. Lewonczuk S., Ringeissen J., Nikitine S. Spectre excito-nique de CuBr. Comparaison avec CuCl. J. Physique(France), I97I, 32, No.II-12, 941-948.277. ^зическая акустика. M.: Мир, 1962, Т.ЗВ, приложение 2.

281. Grun J.В., Nikitine S., Bivas A., Levy R. Luminescence of copper halides excited by a high power laser. J.1.min., 1970, b-2, 241-253.

282. Ансельм А.И., Фтрсов Ю.А. Длина свободного пробега не локализованного экситона в атомном кристалле. ЖЭТФ, 1955, 28, Я2, I5I-I59.

283. Градштейн И.О., Рыжик И.М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. М.: ГИТО, 1971. - П08с.

284. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. - 456с.

285. Хаджи П.И. Функция вероятности. Кишинев: РИО АН МССР, 1971, - 398с.

286. Mysyrowicz A., Hulin D., Antonetti A. Long exciton lifetime in CupO. Phys. Rev. Lett., 1979, 43, No.15, II23

287. Mysyrowicz A., Hulin D., Benoit a la Guillaume C. Study of exciton luminescence in Cu20, J. Lumin., 1981, 24/25« Part II, 629-632.

288. Ландау JI.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. (Нерелятивистская теория). М.: Физматгиз, 1963. - 702с.

289. Ормонт Б.Ф. Структура неорганических веществ. М.: ГИГТЛ, 1950. - 968с.

290. Cornwell J.P. Group theory and electronic energy bands in solids. north-Holland Publ. Сотр., Amsterdam-London, 1969. - pp.288.

291. Гросс Е.Ф., Каплянский A.A., Агекян В.Т., Буляница Д.С. Поляризация желтой серии экситона в спектре GtgO при деформации кристаллов. -ФТТ, 1962, 4, Л6, 1660-1666.

292. Гросс Е.Ф., Каплянский А.А., Агекян В.Т. Деформационное расщепление голубой и синей серий экситона в спектре кристаллов Си*0 . -ФТТ, 1962, 4, Л8, 2169-2178.

293. Overhauser A.W. Multiplet structure of excitons in ioniccrystals. Phys. Rev., 1956, 101, No.6, I702-I7I5.

294. Брыксин В.В., Фирсов *>.А. Взаимодействие электрона с поверхностными фононами в пластинке ионного кристалла. -ФГТ, 1971, 13, $2, 496-503.

295. Берил С.И., Покатилов Е.П. Поверхностные состояния в квантовом диэлектрике. ФГП, 12, НО, 2030-2033.

296. Гомбаш П. Проблема многих частиц в квантовой механике. -М.: ИЛ, 1952. 279с.

297. Давыдов А.С. Теория твердого тела. М.: Наука, 1976. -639с.

298. Loudon R. Theory of nonlinear optical processes in semiconductors and insulators. Proc. Phys. Soc., 1962, 80. 952-959.

299. Mahan G.D. Theory of two-photon spectroscopy in solids. -Phys. Rev., 1968, 170, No.3, 825-838.

300. Hostler L. Coulomb Green's functions and Furry approximation. J. Math. Phys., 1964, No.5, 591-604.

301. Hostler L. Coulomb Green's function in, j- dimensionalspace. J. Math. Phys., 1970, II, No.10, 2966-2970.

302. Христенко С.В. Штурмовские разложения функций Грина дляпростейших систем. ТМФ, 1975, 22, $1, 31-45.

303. Бобрышева А.И., Москаленко С.А., Шмиглюк М.И. К расчету силы осциллятора при двухфотонном поглощении в экситонное состояние. ФГП, 1967, I, МО, 1469-1478.

304. International tables for X-ray crystallography. Vol.1. Symmetry groups. The Kyhoch Press, Birmingam, England, 1952, p.24.

305. Арутюнян Г.М. Об экситонном поглощении в размерно-квантованных полупроводниковых пленках. "РГП, 1982, 16, #2, 369-371.

306. Москаленко С.А., Бобрышева А.И.,Правила отбора и энергетический спектр экситонов. Учет внешних полей и направленных деформаций. <ЙГТ, 1962, 4, *8, 1994-2004.