Диффузия примесей в поверхностных слоях полупроводников вблизи твердофазной границы раздела тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

1. ВЗАИМНАЯ ДИФФУЗИЯ В БИНАРНЫХ ТВЕРДОФАЗНЫХ СИСТЕМАХ

1.1. Теория реакционной диффузии

1.2. Теория влияния механических напряжений на диффузию.

1.3. Метода определения коэффициентов диффузии

1.4. Взаимная диффузия в системах металл-полупроводник, окисел-полупроводник.

Выводы к главе I.

2. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА ДИФФУЗИЮ ПРИМЕСЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

2.1. Дрейф атомов примеси в поле неоднородных механических напряжений.

2.2. Решение уравнения диффузии с учетом дрейфа атомов примеси.

2.3. Низкотемпературная диффузия Л-и, в St

2.4. Диффузия Т& и Цо в $>6.

Выводы к главе 2.

3. РЕАКЦИОННАЯ ДИФФУЗИЯ В БИНАРНЫХ СИСТЕМАХ МЕТАЛЛ -ПОЛУПРОВОДНИК.

3.1. Аморфизация полупроводника в процессе термообработки вблизи его контакта с металлом.

3.2. Модель реакционной диффузии в системах металл -полупроводник

3.3. Диффузия никеля в кремнии.

3.4. Низко температурная диффузия в системе МС-^аЛй

3.5. Диффузия Ft в

3.6. Диффузия Со в G-clM

Выводы к главе 3.III

5. общие вывода.ИЗ

Проблема диффузионного легирования полупроводников является весьма сложной и многогранной. Физико-химическое изучение этой проблемы позволяет подойти к решению таких важных вопросов, как контролируемое изменение свойств полупроводников, создание полупроводниковых материалов с новыми свойствами, повышение качества известных материалов. Работа в этом направлении имеет чрезвычайно важное значение в связи с решением вопросов надежности и воспроизводства свойств активных элементов приборов, в которых используются легированные полупроводниковые материалы HI

В 60-е - 70-е годы диффузия примесей исследовалась в основном в объеме материалов элементарных ( ) и бинарных полупроводников ( (глЛ*>. Ctcl , и др.) для выяснения механизма и основных закономерностей диффузии в области высоких температур. Результаты этих исследований обобщены в известных монографиях [ 2 - 5" J

Поскольку диффузия примесей при высоких температурах использовалась на практике, главным образом, как метод получения легированных областей, например, при изготовлении биполярных транзисторов, экспериментальное исследование диффузионных процессов проводилось для случая диффузии из газовой фазы. Математическое описание процесса соответствовало, как правило, условиям диффузии из постоянного источника. Было показано, что на диффузию примесей в области высоких температур существенное влияние оказывают собственные дефекты монокристалла и межпримесное взаимодействие: влияние внутренних электрических полей и комплексообразова-ние. Установлены главные закономерности диффузии с учетом этих эффектов [<в,7] , выяснены некоторые особенности диффузии примесей в полях механических напряжений [%,$]• *

В последнее десятилетие основное внимание исследователей привлекает изучение диффузионных явлений в многослойных структурах металл-полупроводник: металл-металл-полупроводник, металл-диэлектрик-полупроводник, металл-диэлектрик-металл, протекающих в области низких температур J . Это связано с исключительной ролью многослойных структур в современной микро- и опто-электронике, а также необходимостью изучения физики межфазных явлений в твердых телах. Для отыскания путей повышения стабильности элементов микроэлектроники особое значение приобретают исследования процессов низкотемперааурной диффузии, во многом определяющей их деградацию [И] . Между тем, диффузионные процессы в структурах "тонкая пленка-полупроводниковая подложка" в настоящее время изучены недостаточно [4 5] , с одной стороны это связано с экспериментальными трудностями, возникающими при анализе распределения примесей в тонких (0,1-1 мкм) слоях. С другой стороны, в настоящее время отсутствует теория диффузии в вышеуказанных структурах. Последнее обстоятельство обусловлено исторически тем, что внимание исследователей было сосредоточено, в основном, на биметаллических структурах, чему положили начало пионерские исследования Я.И.Френкеля и М.И.Сергеева по реакционной диффузии [М] , а также работы В.С.Горского по изучению влияния упругих напряжений на взаимную диффузию в биметаллических системах£f5,<f6j. Вследствие этого теоретические модели диффузионных процессов, изложенные, в частности, в [U-13] не учитывают особенностей полупроводниковых структур.

Цель работы состоит в теоретическом и экспериментальном исследовании диффузионных процессов с учетом особенностей структуры пленка-полупроводник в практически важных системах Ли-Mi -&С, Tg - , Uo-&t,Co' ^аН , А/С - G-аМй , Fe- C-aZg ив применении полученных результатов для разработки высокочувствительных датчиков давления. В соответствии с поставленной целью в работе решались следующие основные задачи:

1. Анализ основных факторов, ответственных за особенности диффузии примесей в твердофазных структурах, содержащих полупроводниковую подложку.

2. Теоретический анализ диффузии в напряженных слоях полупроводников и реакционной диффузии при наличии межфазной границы.

3. Экспериментальные исследования диффузии элементов 1-й (Ли) Ш-(б>), УШ -(ЛС, Со, Fe) , а также РЗЭ ТЬ и Но в приповерхностных слоях кремния, арсенида и антимонида галлия с целью проверки результатов теоретического анализа и определения основных параметров диффузии.

Научная новизна работы состоит прежде всего в том, что в ней последовательно проводится теоретический и экспериментальный анализ особенностей диффузионных процессов, обусловленных асимметрией физических и химических свойств структур металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник. В частности, исследовано:

1. Влияние релаксированных вблизи границы раздела механических напряжений на диффузию примеси и формирование слоя амортизированного полупроводника.

2. Особенности протекания реакционной диффузии в системе металл-полупроводник, обусловленные наличием аморфизированного слоя полупроводника и поликристаллической структурой металлической пленки.

3. Особенности протекания реакционной диффузии в системе металл-полупроводник Л^ Bs , обусловленные неодинаковой подвижностью

1 и В компонентов.

Практическая ценность диссертации заключается в том, что развитые в работе модели диффузионных процессов и представленные теоретические концентрационные кривые распределения примесей для системы "пленка/полупроводник" могут быть использованы:

1, Для решения задач управляемого легирования приповерхностных слоев полупроводников.

2. При изучении деградационных явлений в активных элементах микро- и оптоэлектроншш.

Разработанный в диссертации метод определения параметров диффузии в разупорядоченном слое системы металл-полупроводник может быть использован при разработке технологических режимов изготовления различных полупроводниковых приборов. В частности, в приложении 2 к диссертации этот метод применен при изготовлении миниатюрных акустоэлектрических датчиков давления на основе системы Mi- (г&М . Результаты разработки внедрены в серийное производство.

Защищаемые положения.

1. Механические напряжения оказывают существенное влияние на процесс диффузионной гомогенизации в полупроводнике посредством дрейфа атомов примеси в неоднородно-напряженных слоях.

2. Полученное решение уравнения диффузии с учетом дрейфа удовлетворительно описывает результаты эксперимента по диффузии в системах Ju-SC , TS-Si t Но - SC и может быть использовано при анализе процесса диффузии примеси как в поле механических напряжений, так и в электрическом поле, в частности, в поле контактной разности потенциалов.

3. Фазовое многообразие диффузионной зоны системы металл - полупроводник позволяет записать уравнения диффузии в каноническом виде посредством введения эффективных параметров.

4. Предложенная теоретическая модель реакционной диффузии удовлетворительно описывает результаты эксперимента по диффузии в системах Ж ~ S>i, УС - (r<xJ-£ , Fe - tf-a. $8

5. Особенности реакционной диффузии в системе металл - соединение AgBg обусловлены в низкотемпературном интервале неодинаковой подвижностью А и В компонентов, а в высокотемпературном интервале - диссоциацией соединения А3В5.

Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов, списка цитируемой литературы и трех приложений.

5.7. Результаты исследования кинетики роста РЗ в системе

Mi- (rojs использованы при изготовлении макета высокочувствительного датчика гидростатического давления.

1. Усков В,А. Многокомпонентная диффузия в моноатомных и бинарных полупроводниках. - в кн.: Свойства легированных полупроводников. - М.: Наука, 1977, - с.129-134.

2. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1961,- 462 с.

3. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. -Л.: Наука, 1973, 384 с.

4. Атомная диффузия в полупроводниках. Под редакцией Шоу Д.1. М.: Мир, 1973, 684 с.

5. Джафаров Т.Д. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах.- Л.: Наука, 1978, 207 с.

6. Абдуллаев Г.Б., Джафаров Т.Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурых. М.: Атомиздат, 1980, - 280 с.

7. Синдер М.Н. Теоретические исследования условий образования приповерхностных профилей в полупроводниках. канд. дисс. -М. 1982, - 169 с.

8. Соколов В.И., Трегубова А.С., Федорович Н.А., Шеленкевич В.А., Шульпина И.Л. Влияние механических напряжений на диффузию бора в кремени. ФТТ, 1979, т.21, r<-J 5, - C.I4II-I4I5.

9. Царевская Т.С. Исследование закономерностей диффузии бора и фосфора в кремнии в условиях упругой и пластической деформации. канд. дисс. Горький, 1979, - 161 с.

10. Усков В.А. Процессы диффузии в кремнии и их роль в технологии получения материалов и приборов. в сб.: Проблемы производства полупроводникового кремния, - М. 1979, - с.30-31.

11. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. под. ред. Поута Да., Ту К., Мейера Дж. - М.: Мир, 1982, - 576 с.л "

12. Усков В.А., Ерофеева Е.А., Линева Н.А. Низкотемпературная диффузия примесей в кремнии. сб.: "Легирование полупроводников". - М.: Наука, 1982, - с,110-114.

13. Горский B.C. Исследование упругого последействия в сплаве Си-Ли о упорядоченной решеткой. ЖЭТф, 1936, т.6, № 3, с.272-277.

14. Процессы взаимной диффузии в сплавах. под.ред. Гурова К.П. М.: Наука, 1973, - 359 с.

15. Гуров К.П., Карташкин Б.А., Угасте Ю.Э. Взаимная диффузия в многофазных металлических системах и сплавах. М.: Наука, 198I, - 350 с.

16. Щербединский Г.В. Изучение диффузионного взаимодействия углерода с легирующими элементами в тройных системах на основе железа.: Автореф. докторской дисс. М., 1973, - 33 с.

17. Маннинг Д?к. Кинетика диффузии атомов в кристаллах. М.: Мир, 1971, - 277 с.

18. Васькин В.В. Влияние внутреннего электрического поля на одновременную и последовательную диффузию в полупроводниках. -Ш, 1968, т.2, № I, с.102-109.

19. Старк Дк.П. Диффузия в твердых .телах. М.: Энергия, 1980, -239 с.

20. Лобов Б.Я. Диффузионные процессы в неоднородных твердых средах. М.: Наука, 1981, - 295 с.

21. Юм-Розери В. Введение в физическое материаловедение. М.:Ме-таллургия, 1965, - 203 с.

22. Мчедлов-Петросян П.О,, Танатаров Л.В. Об одной задаче реактивной диффузии. TO, 1981, т.51, № 7, с.1345-1355.

23. Бокштейн Б.С. Диффузия в металлах. М.: Металлургия, 1978, -с. 10.

24. Николаев Н.И. Диффузия в мембранах. М.: Химия, 1980, - 232с.

25. VW ?оо F.J.I (Ые.<Ж (У.Ь. Dilution, in ike. tiici^u^- аМшьапси^btwtsM, M Ti Of Ti-AlаПор, Ыа. v.M p. Ы-Н

26. Гегузин Я.Е. Диффузионная зона. M.: Наука, 1979, - 343 с.

27. Браун М. Доллимор Д. Галвей А. Реакции твердых тел. М.: Мир, 1983, - 359 с.

28. Третьяков 10.Д. Твердофазные реакции. -М.; Химия, 1978,-359с.32. f/Ceo&t' М.Д. Ъ£ffub-'on, iewtusс Сп. Т(гСк ШЫ.-Tk.goL FCiMi, v. 59., НЪ, р. HAS-ЧЧ2> .

29. ЬиИсиЖ мам- It 1кя flow of ifr.fiwiitCei to сзж.cUtUccdioMPt-oc. floy. Soc., i9Sej V. p.W-МЬ

30. Пантелеев В.А,, Муравьев В.А, Влияние упругих напряжений на диффузионные процессы в полупроводниках. ФТТ, 1977, т.19, № 3, - с.682-686.

31. Васькин В.В. Некоторые вопросы теории диффузии в полупроводниках. Канд. дисс. Горький, 1968, - 156 с.

32. Тимошенко С.П. Курс теории упругости. Киев: Наукова Думка, 1972, - 501 с.

33. Цог^сиС (гЛD. С.Х- bkcLracterC-iatCoh. of

34. OuicL cbfeets и Шп, (ьи-cL . jk. Soft. Fc'£m4 j

35. M4G, у/.Ъ4,Ы <\l , p. УСГ-ЙУ6

36. Калинкин Ю.Л., Пантелеев В.А. Новый механизм влияния упругих напряжений на миграцию замещающей примеси в кремнии. В сб.: 5-й Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов. Тезисы докладов. М, 1982, - с.94.

37. Соколов В.И., Шеленшкевич В.А. Особенности диффузии бора в кремнии. В сб.: 5-й Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов. Тезисы докладов. - М, 1982, - с,88.

38. Алехин В.П. Физика прочности и пластичности поверхностных слоев материалов. М.: Наука, 1983, - с.280 с.

39. Валиев К.А., Козлов Б.И., Кокин А.А. и др. Распределение термоупругих деформаций в приповерхностной области термически окисленного кремния. В сб.: "Микроэлектроника", - М.:Сов. Радио, 1972, вып.5, - с.282-295.

40. Федорова Т.Ф., Усков В.А., Панасенко А.Г. Распределение напряжений и деформаций вблизи раздела эпитаксиального слоя и подложки. В сб. Тез. докл. Всесоюзной конференции по физикесоединений А3В5, 1981, Новосибирск, о.22-23.

41. Пашков В.И. Равновесные дислокационные структуры и их взаимосвязь с диффузией примесей в полупроводниках. Канд.дисс., Горький, 1970. - 145 с.

42. Рал fox, TJ. Diffu-Hoh, Си- fri&cx>n- III. &еке^их.Иск ofeyczii Тек. ca+uuei a-t clim&ihg diffusion- in-cLcexci diiZctOL'tCo^s (Zm.PL М>*>£осаЛСс>п, -CnJucubteet c&ffu-H'otb* U(oo-f) vufztah- Jj/ifJ- Pktf-j. Ы-p. ЬоЧЪ-ЛОЧ.

43. Павлов П.В., Пашков В.И. Равновесная дислокационная структура в неоднородно'легированном полупроводнике. ФТТ, 1969,т. II, II, с. 3078-3084.

44. Усков В.А. Исследование влияния внутреннего электрического поля, на однокомпонентную и многокомпонентную диффузию в полупроводниках. Канд.дисс., Горький, 1967. - с.190.

45. Малкович Р.Ш. Методика расчета подвижности примесных ионов в твердых телах. ФТТ, I960, т.2, № II, - с.2784-2794.

46. St Sot (A),4914, ir. f, Ы&, p. Uoi-ifOS.54' Na^-^ura, T.t S., НСгс^Ы Л. Diffusion, о*, tkifrtaih^ Boiufda^ th. stfstesvt Sc (zo&'cij-du. (film),- JbffM. Pktfl. fatt /&УЗ гглз ,

47. Малкович Р.Ш., Покоева В.А. Диффузия золота в сильнолегированном кремнии. ФТТ, 1976, т.18, № 9, - с,2606-2610.

48. Ахмедова M.Mf, Берман Л.С., Лебедев А.А. Влияние меди на диффузию золота в кремнии. Ш, 1976, т.Ю, № 12,-с.2363-2364.

49. St&ywJt. Oh, tkz Tk&orie. of ih. biffuAioyv of bold into SC&wt . Pkyt. St Sot., 1910,». A6*ffJZ.,-f>.52<-629.58. и.^кьи.Ь W. ,%ej£Cftr Я. Меьк-мгИгъ Сшс1 Jtinztiw of -Ькя dUff^HOn, of ftotct- in. Н&сон. J. JtffZ. PAy<f., <9ZO , U 2.*, ЫЧ, p. 36/

50. U., Moze-fvCCLol W., Seeges-A, biff и* Сок. offroZd c^ nUvoyi: a, wv hu>dd.~ Afij^. Phft. &dt V.S2 , p, SS7- -/60.

51. Jt^boKOva. I.V., KcLctyrouhviw К. V., Uidem/ В. V-, Snu-Wtu?i/ L S. £>afu4ion of Uoyv aotct in- H&tcK, CL^nzaPed with,

52. Валиев K.A., Пашинцев Ю.И., Петров Г.В. Применение контакта металл-полупроводник в электронике. М.: Радио и Связь, 198I, - с.248.

53. Ort&etv А.К .в&иел Pctntah'otv, sttuttute And obie+ctation, of frotel s ilitidz on, froM £ux.feL№ . J. A/ifd. ,we )v.44> VH, p. ja34.

54. Йелс1 dht K. Y. , Tu КМ- Рог^а.Иоя> Cbnot vwi tcMii&tLOn. Of CLtwcrtp,h.cui frUtUoUi of -tfa, utte^efcuee, Iztwezh, ikin. Om-cI СиУуьог^ксиЬ Кёсеои, fCtmi.

55. Тк. Sot. MhtA, , 1925, V, 104 ^ Vl/Z , p. <(9?-ZOG.

56. Линева Н.А., Сахаров С.В., Усков В.А., Фомичева З.В. Влияние термообработки на формирование структуры переходного слоя в системе Ati-St Неорган.материалы. 1979, т.15.- с. 731-734.

57. Линева Н.А., Сахаров С.В., Усков В.А. Влияние низкотемпературного отжига на формирование разупорядоченной области в системе "Золото р - кремний, легированный бором". -Техника средств связи. Сер. ТПО, 1979. вып.2, с.22-26.

58. Хансен М.» Андерко К. Структуры двойных сплавов. T.I. М.: Металлургиздат, 1962. - с.253.

59. Дидик В.А., Малкович Р.Ш. О низкотемпературной диффузии золота в кремнии.- ФТП, 1982, т.16, JS 4. с.745-747.

60. Ски W.K., Ucit& Н., Иау&с Ж, МИШ* И., MitcM M.A.Ju, KM. IcU+btifittbtion, of tkz- dcnuh^ut cliffutxMj in, tifUcCek*

61. Otowotaje 1.0.AhfitoM M. fiMciffe*. 1M Ihf-tu±nv> of iU ha-{или oj thz suAsbtate on, илеЬЛ si&u'cfe fet-med ftoM, tfan. Mi .-Ik. Sot. , tf 32 tfj -p. -fi/3 -1So.

62. BbthCMj G-.X.P., Yootv KM. / cUu^i (r., SihXcvccy S., cCev&v$e>n ct.X.

63. Tkz c&i&tvci,tCon, of fiiMrctcdifft^iorv of Mi in- &ihf&- vu/dal Si -L in, depth Лссшм, e&ectxcH,

64. Koos V., ^еи-упАяп, И. A, St>uMU in- Шк tutfei li&udt jcerrt. Phfft. St. Sol, W5, v. A19J biz t К НЧ- H6.

65. Х.Я., Hu-ng g.S.f May&t I.W. Struck.1.- ЯоЛ&гаЛ- diffusions toajdu. J. Vcu. Ou^d .}1. QZS, ia Mj HZ,

66. Тешабаев А.Т., Бахадырханов М.К., Зайнабидинов С. Исследование скоплений никеля в кремнии. Изв. АН Уз. ССР, сер. ф-м наук, 1976, № 5, - с.74-75.

67. Бахадырханов М.К., Зайнабидинов С. Влияние низкотемпературного отжига на поведение атомов никеля в кремнии. ФТП, 1978, т.12, Р 4, - с.683-688.

68. Wdtrnvc М.} ТСкд C-Y., Ти К. h/. Atonic yvu>Ubrv о J- do^ynjihtvcjcLUcU XZCttcL. ■foth^odCch,. Th. Sol Fclh^,

69. Pwtcni'ui R., bcika, fi. P. HcuoUoCLt tCw> 2iSciccoUe-i of /nUa£ h'&uok- fot-majrCo^: Ct бо^иХеч, {iy^dc^tCoh, . 7A. Sot. Ft'-e^, 49121 v. г - f>.$ ¥2 .

70. Scsuuvton, R.Jl., Mc. CcdoUn- 1.0. ЫшДиХСон, of CLtyu>tvlbOui $>i&e<DH' ihto solid ft^MtWtwn.- I. V/xa. StC. CU^oi ТЪскм-ё., 49*2, V. 4F, ыp. /351-JSS4.

71. R>o&£*u$k£ R.L, Mt.CaldCh, Т.О. ytowtk. of Si to finocUctz UcMtcvt &tvLfacu.- XAr/yf.PkyS.,946 t v.44 tNS, p. 2260 - 22 62 .

72. Лобов Б.Я. Диффузионные процессы в неоднородных твердых телах. шиз и Хим.обработки материалов, 1976, № 2,-с.77-104.

73. Отъкс И., МСиль. И. Eff-eU of bo^fiwatte sUm оу^ rt&ttioh, dcffu-tion- С*. th& Си-ВС gCste^ . — Тииц. Jfy. iMt. МеЛсЖ, 19УЧ, и. 42 ,#2.p.-to? 442.

74. Todojccxo K, TesWunvoto I. The. -utko-nuol cLffutCoH,of Uteh, ih. H&ton. J. fyjrf. Ptyi*. 49П, v. V9fN6jxb5Z7-$5?9.

75. G-i4£oh. C. F.t PoviloKC-i E.I., KzbtJu>w b.t 7U zffzit of Mali eotfrU on. bo^CLKt bCffu-но^ Curto $etyUa>n.clucbo'u.-Т.ЕШРихЖьи. $oe.,4942, v.449^6, р.НЧ- ГУД.

76. Пантелеев В.А., Гугина Т.О., Андон В.М., Еловская А.И. Влияние упругих напряжений на диффузионные процессы в полупровод-никах.-ФТТ, тД9, № I, с.181-184.

77. Пантелеев В.А., Гугина Т.С,, Муравьев В.А. Влияние упругих напряжений на диффузионные процессы в полупроводниках. ФТТ, 1978, т.20, № 2, - с.562-564.

78. Аморфные полупроводники. Под. ред. Бродски М. - М.: Мир, 1982, - 419 с.

79. Аскаров Б.А., Оксенгендлер Б.Л., Юнусов М.С. Атомная диффузия в аморфных полупроводниках. Изв. АН Уз. ССР, сер.Физ.-мат.наук, 1983, - № 2, с.48-51.

80. Двуреченский А.В., Рязанцев И.А., Смирнов Л.С. Диффузия водорода в аморфном кремнии. ФТП, 1982, т.16, № 4, - с.621-624.

81. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение. Под ред. Кесаманлы Ф.П., Наследова Д.Н. - М.:Наука, 1973, - 471с.

82. Хлудков С.С., Чалдышева Н.В. 0 механизме диффузии железа в арсениде галлия.-Изв.Вузов:Физика, 1982, т.25,№5,-с.П5-П7.

83. Шишияну Ф.С., Георгиу В.Г. Диффузия, растворимость и электрическая активность Fe в (кхР ФТП, 1976, т.Ю, № II -с.2188-2190.

84. Куликов Г.С., Никулица И.Н. Диффузия и растворимость кобальта в арсениде галлия. ФТТ, 1972, т.14, № 9, - с.2704-2707.

85. OLdou/ В. skott oit-ffuHOhb of ti&vvt Cn. ike. lll-Vкпэ-т.

86. Фистуль В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1977, - 240 с.

87. Шермергор Т.Д. Теория упругости микронеоднородных сред. -М.: Наука, 1977, с.21-29.

88. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике. М.: Наука, 1974, - с.129.

89. Литвиненко С.А., Митрофанов В.В., Соколов В.И. Внутренние напряжения в системе кремний-окисел и их влияние на образование пор в окисле. ЖТФ, 198I, т.51, Р 4, - с.828-830.

90. Справочник по специальным функциям. Под ред. Абрамовича М. и Стиган И. - М.: Наука, 1979, - с.195.

91. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976, - с.270.

92. Агеев В.В., Коковина В.Н., Приходько Н.Е., Трошина Е.П.

93. Агеев В.В., Коковина В.Н., Приходько Н.Е., Трошина Е.П. Диффузия тербия и гольмия в кремнии. Известия ЛЭТИ, 1977, № 211, - с.80-85.

94. Коковина В.Н., Фролова Т.Н. Исследование многокомпонентной диффузии примесей в кремнии, Известия ЛЭТИ, 1978, № 228,- о,131-134.

95. ИЗ. Кидяркин В.М., Фирсова Т.И., Ивин А.Л. Влияние условий термообработки на свойства растворных пленок двуокиси кремния.- Электронная техника, сер,Материалы, 1975, № 10, с.46-52.

96. Усков В.А., Федотов А.В., Ерофеева Е.А. Диффузионные явления в материалах функциональной микроэлектроники. Межвузовское научное совещание-семинар. "Проблемы функциональной микроэлектроники". Тезисы докладов.-Горький, 1980, - с.182-183.

97. Усков В.А., Родионов А.И., Власенко Г.Т., Федотов А.Б. Диффузия редкоземельных элементов в кремнии.-5-я Всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования полупровод, материалов. Тезисы докладов.-М.:ИМЕТ им.А.А.Байкова,1982,с.81.

98. Федотов А.Б., Царевская Т.О., Усков В.А. Влияние термоупругих напряжений на диффузию бора в системе Si- SiOL Неорга-нич. материалы. - М., 1983, т.19, № 4, - с,521-524.

99. Уие, IX, \/о1{*уфс F. И/. InffajM-tiz, of ftwUty £o&cL'fita -Hon- on. So&cte- гмг'Ш&^'о^аЛСоК'. l.C^^t fxKOwtk. 19*5; V. A9, N3, р-Ъ09-Ъ4Ч.

100. Хансен M., Андерко К. Структуры двойных сплавов, т.2 М.: Металлургия, 1962, с.ИОО-ИОЗ.

101. Усков В.А., Сорвина В.П., Федотов А.Б. Влияние комплексооб-разования на диффузию Со в Irdfig Неорганические материалы. - М, 1975, т.II, № 6, с.1012-1015.

102. Усков В.А., Федотов А.Б. Диффузия и растворимость Fe в

103. Ш Всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов. Тезисы докладов. М,: ИМЕТ им.А.А.Байкова, 1975, с.146-147.

104. Усков В.А., Федотов А.Б., Ерофеева Е.А., Думаревская Н.С. Реакционный механизм диффузии переходных элементов в кремнии. П Всесоюзное совещание по глубоким уровням в полупроводниках. Ч.П, Тезисы докладов. -Ташкент, 1980, с.147-148.

105. Федотов А.Б.Особенности диффузионных, явлений в системе металл-полупроводник. Тезисы докладов научной конференции молодых ученых Горьковской области. - Горький, 1983, - с,12I.

106. Усков В.А., Родионов А.И., Федотов А.Б., Думаревская Н.С. Диффузия и фаз о образование в системе NC -S>c Неорганич. материалы. М., 1984, т.20, № 7, - с.1147-1150.

107. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. -М.: Сов.Радио, I960, 423 с.

108. Полякова A.JI. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов. -М.: Энергия, 1975, 167 с.- 127 -Приложение I