Динамическая дифракция рентгеновских лучей на кристаллах, содержащих статические и акустические искажения структуры тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

AÍÍAJiE^rt НАУК УКРАИИ HliCïliïiT IIOJiУ ПРОВ0/4îiiKGB АН УКРЛ1Ш

УДК 548.'Ж На пр.овах рукс^пиш

ХРУПА ИМЕРИЙ ИВАНОВИЧ

ДвНАШЧВДОЯ Д11ФРАШШ РШТОНШСШ JD"M1 ИЛ iW!CJÜii',.í, СОда'ЖУК СТАТИЧЕС1ШИ 1! АКУСШЧКСШш МСКАЖНШ ОПУШУ! I¡

Ol .04.07 - физика твердого тела

A il т ope ij) e p a т диссертации на соиска;гле учено.": с'.-«»«ти доктора фпэики-иатепп'личеоки:: нпу !'.

Работа Бююлкеьи в Институте полупроводников АН Украины (r.KliGu)

Оф I ЩИ гс: Ы ШÜ ОПП С Ни н ты:

член-корреспондент АН Беларуси доктор фиэи;:о-математических наук

Н.М.ОЛЕШШЧ доктор физико-математических наук

В.А.КУШУБВ доктор физико-!,;атематкческих наук профессор Л .В .ТИХОНОВ

Ведушая организация: Физлко-технкчеокий институт АН СССР им. А.Ф.Йсффи (г. С.-Петербург)

Защита состоится " ¡9 " ¿¡¿^¡за-ля J992 г. в часов н

заседании Специализированного совета Д.016.37.01 при Институте изтгиглофизикп Ali Украины (г.Киев, пр. Вернадского, 36, конферен -пал Института металлофизики АН Украины).

С диссертацией мокно ознакомиться в библиотеке Института металлофизики АН Украины. Отзывы на автореферат в двух экзекпдл pax, заверенные печатью учреждения, просим нацравлять по адрес} '¿ív'CfiO, ГСП, Киев-142, пр. Вернадского, 3G, Институт ызталлофиг ки АН Украины.

Автореферат разослан " SH&OfJ K:?¿p.

.■Ученый секретарь Специализированного

совета Д.016.37.01 !"шцедг;т физико-математических наук Э.Г.МДДАТШ.

ogi'/ui x;j-".r':та rtu?!.

i!ilve;,.ep'.v.;p;.r: o t;. ; rT""T : ;'чала pata ^'алласму a-ca'a aai'cua-

:гдла:;;лл г. л : i--^ hí :'i отру:aa/y лакаа-лаа: разлалиэл ирттсг-1;; j na ::•!-:з;а:лл:ла;'! л рзптлал;асллл :a::cea « уалсвлл:: дкнамлчаекой дддЬ-;алл л; л ралр-лЗоле: .я аа-.; лалучслллх гг ¡¡ей;:: дл^рактсла-■ , , г о i - ; i:-r ¿oro/с/; с. у:;'!.1-'- ла*; д;л : лла'; :тлп 'азн. ::р;а. л;л.л:чл(ллк ;.м-

Л ' .V -J; ' I -j ■__I - -л ' л;:х : л лозл; : лалзулалли с салд-

лл'лл ¡; aaaa- ca;a: ' алсаеела: л, ct;::orí.o л ¡ ye ли' хлапли о^лаи ;¡;..í-ду :C¡i cvay; vypoa и еаа.Узл k¡ лаааллл; : гхл-С1".п:>дС8.

хате.у; \a"oaéoa;:a : .-.<.■ г-en е'^улаг, учее дпаглаалл < i нр'латаллсз кал; i : - ven ал-еу алалал вз'ч-ла ;;:n ■ллулсго тела. Ср-дч: чсг;одо» r.c-ллллллчпа: с ¡'py ¡турлого ce:;: :aai:ct:t.\ лсалллез лалболеа iH::pcp;.:a-хллала ; аллл-'о : лолееанодл;a.л:ш:снлле азаодн.

ijo::;o.:LK,v ллелла ¡ алсуеслсллчезлкз езолотап крлслаллсц слри--лллзлхл етаалаалчзегллл : : ^ :, г. • : -го i - с; v : pt • ir: рсалхюл структур;;, ¡a:;-:-" л;зчз:ла: ллз.лг ;::; уакта: ахрлчсаллл изтеди лес; л-дояалия aura ; '.;.!.. - : (уерзцлзлла'л по еллллу) лау ч^гристг.:; дау oktcïi стру;:-./i ;; iy ;,.V: ллл.л . лл у'л'.'ллл, п арату а лзуч- ¡¡нем ззксч:ске}.цо~ ала, глаза;;;.. : ; а:у ; зкцлалчл? ¡¡лаала'дза птазачеогл:: искала;;;:;; "л'уг-уу:"' ; злач.^. : :л;:а ла. [ .л: ' з:3д ел , дгелолацлл, na¡ya¡.ema; и - : -у л - У у ! ¡лл/л.1 , .лзлтз л:::, ; ;р :¡ i : л о г лст>ол:лз с л г ic

иол.-i долз] ¡алн iy :.с. ^ ".■ л, :л;ач;;'ге.я1л:лл ллтерза представляет лс-слеусзз!'.;? рллг:;.;_;!1* í . ЗЛазСКЛ.' ЛУ'ЛЙ (ЕЛ) и акуатлчзокп воз-зулуенллз лзззтазлал. В л^з.ллле;.: случал лерчодлчность дероризлил ;;оалол:л-т пгсвсети последов.-; i слыш!» анализ законе: л;рностеи дчурак-»kkïho: V взс1Елод{:Го7.>ия РЛ с !;оццс?льимм кристаллом, так как аку-a'¡ су '- ло;..'йлл;л7 р ■ссл1:::; п^лл^тси для И1 ¿un:;oro:< ctü'í;;лоских м;;ко.гсл,.у ovj yieiy; л. ¡"¡олз"сталь судэе^азлксло ул::лпч;-л cxopcorei: i':c;ipoc¡у >лг;л:л и ¡улллглллс :JJ; л звука. Лезло:,;/ л ¡-оуль^а'!1:; -¡лкогл алплисл л;л:л;.::л;л: длл '',ур:л-г01л!он:л!т yfуеллацпеллогз лсля произ-••• i :¡.-:ci к глла. G ctc..c!'h, слаиоо акус-п'.^гзсксй зоздоГютопе

не. ".о1! -иг управл'^ь penrreiiojc::;ri виллса1лл полгл внутри кристалла, Ч1:;; ¡л.-л:л' (л:ль : спол;^о:3а.;:0 длл раеллролля незмо гостей !•> л.,-дпа с л ; -у :::'Vj лил; лостпкл ['лаль::':: кр!'ста "лол .

Ь uocjiaaaaa лаг:: дсслпалуа' суу: ата^лллл г:рог]лсс п разрайот-VJ Д1'!-а>а MecKOii iauj iai ^лсселлпл f-Л ;;сидоалыл;'лл ;-р;;стг1Лламп. а 'гл:л:л и ае::к'!ал::л »'с.:.лл:с:.:ав рллаголоакусткчсетл:;: азал:"одс;а:гн!1Л

в coacj-шошв« крвотеяйах длл разных диапазонов длин волч акустических колебаний. В синей с згг.м, представляет значительный интерес 8кси«1шин?«ишод прсьорки георотчс-ских результатов, а так-кг получение до^юрлацш: о характере рсктгеноалуотпчсских вэак.'о-дойС1ввй Д'.л кристаллов, содйрж&эдх структурнш искажения.

Таким образом, на основании вышесказанного мелко сделать заключен«», к.-о нзетокци работа псавящена актуальной-проблеме.

Поль г зJotu состояла и скспс-рюлеитальном исследовании закономерностей дина..пчсской д1:т-ро'ц;;:и РЛ на кристаллах, содерзжцих статические s; акустические кске.-ения структуры, в том числе:

1. В изучении влияния на характер зависимости интегральной отражающей способности (КОС) и ее компоазн? от порядка рефлекса статических искаяеннй структура различного типа (ш.кроде.]актов, дисликеци'Л, приповерхностных наружен;-.;! структур!,:) в широком диапазоне K3tk3iCHi:;i cic-лспи струну риьвг искажений и уровня поглоцзшп РЛ, а также в разработке ¡экспрессных д^рактомзгрических методов определения интегралыик характеристик структурного совершенства кристаллов.

2. В исследовании особенностей дифракции РЛ па роальнах кристаллах в условиях ультразвукового возбуждения и создании впеоко-чувствительши-; ренттекоакустпческих методов структурной диагностики кристаллов.

Методика исследования - двукристальная и однокристальная д:,|~ рактометрия, а также рентгеновская топография на базе серийных рентгеновских аппаратов (АРОС, ДРОН, УРТ), анашпические и числе-ini.'e ¡.асчо-П! на основе динамической теории рассеяния РЛ с применением c/jM.

Иеучноя чозьзна работы определяется совокупностью результатов, ci ормулироврнньк п заключении диссертации и призеденшх в

в торс.-! ера'j а. Основные существенно новые рсьульт.-mi диесс-р--¡•чи-гичок т;а';отн состоя? в следующем:

!. Получено ¡экспериментальное подтверждение предсказании t jv,:.n«ci:eK теории расс?я'.шя излучений в кристалле с х<ютичесп; ,;-.'н :г.сд(>лг?шл!И!? дс^екчааа лроиз'юлкчот'о типа о - apEKT'-j.e лгелг-

с!ч! полной иос.

Окс«сри".ем->льпс> показано, что в широком диапазоне }рсв-" .:«г::си,,счг.'{ ГД с рездод 1'орял,ка -к^са^ции ллл динамичоекгл: р.>• ; ■ ■: ..• •. о ■'.'¡("•С'/толмив к «ч*г в КОС чемл'гретппл Г".".--

копоти и уоклкзаогг-л злклнн; peñero.¡ ни кнтснскпкоеть рефлекса.

3. Установлено, что, гг^г.гнпя с некоторого уровня структур/шх искачеггий дгл р .'флоксов ?исспк порядков происходят переход к пи-нонаткческсчу роллх:у дг!ра:;ц;:и, сопрсзоздаг^кИея потерей чувстпи-'.•ольисста J'Oü г дально^тз:"/ уеэличешя стелен» ::сказсс!«:Я кристалла.

A. Показано, т/о в ус::га!шх с.шбого поглощения РЛ па основания згзисккосси "ОС i^r порядка рс*л.«{са *:от;т би-л» получена инло-р;.:;щил об кпгограл'ллл" хэркторкеэтзггч дефектов, а кисте о npnj «-де логй"л:ирущ1!х дсДор-оцнонкнл полой и степени анизотропии искажений кристалла для рчдашк« кристаллографзчееккх направлений.

5. 1''етхшопдепо, что знак и величина из'лоасат! отрачащей способности толстого кристалла при пеханкпоскоп ойраостке ого пход-Hoií ; .осорхностп спр.деляо'гся величиной углевой расходикоси: первична о пучка PI. Похасаиа воянсдность корректного определения пнтегра-ьнж r.ppainopncTi-.z нарушениях сло^в, оиразую^ихся при г/л,-хянччзегой обработке- кристаллов.

6. Обнаружено, кто влгяниз до/октоз на интенсивность рефлик-сг. ус::пгааотся и условиях рзптгепоакустичесхого реосианса (PAP) за енот по ;ан;;о.нкя когерентной соотзш1Ян;:;оП расозянпя. Показзна bc.;:.'o:.;iíccí'!> разделения когерентной и дю-Кузной конконепт ИОС по акллктрлннч аавг.о:. х-сш1 интенсивности отрачений, изг'ероиннм в условиях i Vil, что пссооляос рожать пчдачу корректного оих^долеиш! иитогрзльшос ха^а'-л-ристик доф-октсв.

V. Внорзк.е устапсзлопп закономерности кахшения фоиг.лт j¡(.v;';i-ля прострзнслвонлого распределения кнгснсшшостк рефлексов -'VaV прц иезбув;донпи и кристалле ультразвуковое: колебаний (УЗК) г.зл разшлх дивпазон-в длин воли, как в гоонетрпв Лауо, так и Брпггс..

B, Сонару "оно. что я условилх ГДР хаг актор влияния па ферму J^J локализованиях и ! аепрзделошовс г.скочси::!: структура различи,. кпериио показано всзяояность ппецизяенноко определения erjy-гяур-ля ''-чего р.:: k¡ котоллк'к окой р-яитгн, '¡"г,-е от-" :ня яа.ен"

i.'; i i : Л л

терисгш.* дефектов на сопозс ешлиза ирострзистзоиной структуры отраженного пучка.

10. Разработан комплекс високочувстъитолыЕ^х методов ¡экспрессной дифрактоыетркческой диагностики сюпсни структурного совершенства ионокрксгаллкчсскнх материалов.

В д::ссй}:тгц!'.;: сфорг.улцроващ: я обоснованы научнно полонетш и вывод-/., соьо;у;]:;исть r.oTopiD: представляет собой экслериыенталь-нуа основу нового научного направления: роитгеноакустическке эф-tjuKTii динамической дифракции с ноэдеальнсм кристалло.

Научная и практическая значимость работ;', Пэлученшо и работе новее дшшы-з суцзстоеньо разьивг?!т ^лзи-.сакио представления с; кехатюп-та дуфракциоккшс, р:,Н1-гсисаку.!Тичсск!1й взаимодействий а ксще&лыюи крисхалле и г;о1:а~1л:ам" существенную роль некогерентной ког.лонепты расселили г, условиях дш-ммической дифракции, а таете создай? основу для рась.протш функциональных возможностей суцесааугпцзс и создания иоык. методов количественного исследова-ши стопин/ структурного совершенства конокристаллических материалов. Разработанное в диссертации интегральные дпфракто;.;етриче-скио методы структурной диагностики монокристаллов позволяют получать количественную ;:п1ормацию о характеристиках как ростовых кока.ченил структур;?, возникающих на ранних стадиях дефектообразо-вешмя (кластеров точечных дефектов, предвыдо.юлнл новых фаз, дислокаций. распределенных деформаций), так и технологических дефектов, ос;раку:;т.".г<ся при механической обработке копокристоллов (нарушенной прнпсьорхностнкй слой), а такьо в процессе производства и оксплуатации поиборов.'

Методики конароля структурного сосесгенстоа мочокристалличо-ских пластин переданы- для использования и услиыгях производства на Завод чистпх металлов (г.Светловодск), 1110 "Кркс.'^лл" (г.Клев), ПО "Родон" (г.Ивано-Франковск). Полученные- в дизсоргациоинай работе результаты используются для решения задал; полупроводниковэ-го материаловедения и микроэлектроники в Институте полупроводников АН Украиш, Институте кеталлофкзики АН ^'крайни, Институте физики твердого тела АН Рсеспк. .

0CH03MJE ПШХйОЖЯ, BltHOClfiUS НА ЗАЩИТУ.

I. При д;'налшчесчой дифракции 1-Л. соотношение вкладов в ичте-грпльцум с.тглпгвщую способность (ПОС) .чесовершенного кристалла к-. п.|.устном л дпр^уоноП компонент еег.исит от структурного ссп<"-р-

!

ueiicïii ч с peni i и с-? порядка р.: ;я-п:с ; i.p:nio:í с реет порядка от-ре...елпя усилллаетел "ел;лиил "v:aúi: • руктурклл лслалелни на ин-•лн'сйьнссть р;-А тскоа c:í cwï сучсочкр.шого уаел»:чопия отиосис-ол!-кого склада з 1,0С j í ; : о г-. • р- ; - ! ít: £ о fi ко."ло::э1КП, -по при далше'^'.а улеличенни урепнл кг .ал;к:. крлетзлл.. для р'.Тлекс^о иысоких перлд-гс.в •ч.зь'зает Г.:С к кянолптп'ч'ггхыу :ir-\AC.\7, зопрезекди'з-

:.ся ПОТерел чуйСТЗ.г.од! 'roOIÏÏ СТО!! .¡II! ксссг.£р™СИСПЗГ1. ра осло-л инк; зазиеклсстл i'.CC от ллллдла. р-Тлелсл, кзлеееклеп л кристалл-1 |)ш:сг!»;св5к:!.)Г« 'i -ллкел i; услелнял елл-зл-о л ^лгтеллл Г.'.1, го-.;ло j:q. ролтно оч^едоллть палат; алыл/л тир.!:;? услал д- {ектел, а так^о ирлу.лр' д-'1; ci лл:;пс.л:тл палил и стел' ла алпзетропни искалониа кристалла для зеданлл" кристалле;1] . \'ч:-?:г'лк лгаеаале; ли.

Л, Характер литтс-лмости илш:зкл!сс?и ре^л^кса от ашли.^лм ультрлззукз;т л колебали;; п уелогшлл ¿ еht; елеакустлчсскопо pia.aaa-са явллетел нелегал, очи;:', с !лл!плу:л:л, распололеллл!: и области но-болгллл е^елптуд, истерли пезлкка :т зсл;дстлие Kcaeypapyíe! ;; л ал;; ллпл л; 1 iOC ¡.' ,ла:ллелол лодлалиплл ил У2К зР -лета Борлала и роста и акуеллюелл лозаулделлол риал лллз уилепеи ео-'летп диг'ракции, и су:.;ос';.: л:но зависит ст ¿челт серу клурлел почал*.лил, что поззолл--сг но екел-^клептал! л;;:' ""^т^тудлл" зл;~ леллеелкл длл север! еллокс л лелл- члллл-о ::ра:-.-злл:г рл-делл. л- ;л; л 1РС котароитпач ií Дир-бузпои л!лллл(лт ;; с:п;?,ту_ лл л. ллтерлолллн ларзлтаркстикп дерк-% и . Чул зтыил ;чла-еть !'СС л <:лг''п:л иска--злил;: структуры и услоин--пл илелеокелолллл лд:у:<- улезае;-;л л-л/аклелоз лозишаетсл ь несколько ]лл>.

л. ü ¡оолетрлл ла.уз л Ррэгга характер иачалек-ш ¡pop; и л; < ёл~ лл пре;;Л| -лиелиг шлл'а раслрзделзнпл интенсивности дирракциоппех п «ксимупы* J ) , при пой бурении а кристалла УЗ.Т, опрсдол.х-тся соо-шокишеы длили зол:« ультразвука и зкстилкциочнР; длины, при-'■¡л: в условиях la"? лар^ктер влиянлл на фоглу ) локалпзелаан-шж и распрацслейте? ксгзгдпшй структур!! }ао,!л;ле!!. На ссналалии анализа фо}!':л премилой , иамс-рсш. лс а усдогипх ?АР, i.«o«dt

быть впполлено npeiyasiíuaííce онредот'аллт^а стру]Л,гурп!"с (f,sr".'opc3 кристаллической решетки, а такле статического :;;л:тоьа ,1'збал-йаллора м угог.ил де'<ои:ации за счет 1:акрсл'с;г;г;[л;;;л.

4. Б крист; тле с де!|лк':агл пренследн'!' су!:;естае!>!К"3 излел>л;иа -éopï'ti пробила Jí'-T-J очгпеаллклч' а л'зпле.лли Брэгга пучка PJ!. Побштлглал ¡jiiic-iiciíBiií/CTi! от; iw.moro ис-сооерй'гци»! слаб-люглоча! цим кристаллом излучении на не:лл'а:ли xip/jî.v.ji': рг.вна иитгнсивнос'Л!

s.

дк,г':узпого рнссгкнпн, чус поолслло? ка uoin/йь агатоа npoc:рачст-»•: ..-1СП структур;; сггшюго пучка эдгот интегральный ггслсд п сдабс :*. Ьузио!; :.-л::к-нот-н » опррде.тль интегральные х^ра::-тй] usïïîk!' долек: ob,

Косх.дсьання, п: одогавяениао и диссертации лвля^лся розуль-гс.О! со .■. стоптель:''Ù рзботи сотора, г.оторм/у тзкпе принадлежат ш.с~а::и.\а о • : с 1 ; зрл:.лл'тол. вшоди отдел глаз, оСщио выводи дис-сор1оцлг г ccütsiiao пслс::;с;ыя, представленные на защиту. Отдельны-« иолизешш oKCKtipiлсягегльно проверялись в cor.; торстве с сотрудниками отд. I 1.9 1ITI /Л Украины и с сотрудниками теоретического отдела Ш-С Ail Украины. Часть океиери'леитов но иэучешкэ рентгеноакусти-чесиих взаимодействий а реальшк кристаллах выполнялась совместно с ¡(.Г.оытлиым.

Апробации работы. Ыатс-ру'лн диссех тацш были дслозеш и сб-с,7г-;дал;'сь ¡п. слцдуыдех кон^ерощвйх, ссъе.п;днкях и семинарах: 13 Всесопгиос! совещание по щшсисню рентгеновских лучей к исследо-вани.о материалов (Черноголовка, 198?.), Воссо!сз:л>1 семинар "Приборы для исследования фазовых принраценлй ропггонсвскини рокци-окнгак методами" (I-'лев, 1982), I Нснаедскствсшое совещании "Рент-гоногрофичеекие методы в современной г.г,.кроллглтрош:коп (Черноголовка, IQ8£), 2 Всесоюзное совещание по кзтодгм и аппаратуре дд-г воеледооанлл когерентного взаимодействии г-здученая с сещооюоы

1582), I Республиканский семинар "Исследование рядиэцп-•лших г. технологии сок дефектов п полупроводниках мя M^c-v"-"!" 'Киер, 1952), ко^Т-орещпд ''Динамическое рдссачние 1 з'.т-счосеких лучол леккленным:: кристаллом;;" (К»:«», 12о'4), 4 Зсс-CiHiuiC'.. cout Tjij-yü ¿'гиги структур»' а лелупоооодлпках" ¡.Г^весв-ллвлг, IV84), ¡м-.;г;л:ар;,диая конЬерсж,.:.«: "•"¡ко.'Ьтье и структур'-Л' .логзцпк в :и,луигопод>ткпх" Шоскза. i'J&j), глоыуодн;-лислил msü.'P ''Pe:r;re;io;;n-; оащиолныэ йссл^доавнпл обл-ыл'к п'м-алеллд л к: 1;от?лло<" (Oncoctv, Ii'86), Республиканский с;><:-m.p 'Аналоги'-:-, е-ч.с исследования материалсо к и.л;ол1;л г-.л-лгг iл": ..-v-vs"

,Ä-'S'/ !, 2 ксеоогзы .>л совеызнло во ;зелехл ллмллл-лслои [i"crraï,)V'3 "Рентген" (Черновцы, ), -1 ooecu*.PHi;e с. п..цз-ïb'3 по г.О' лоовт-ю: л n?ai;iо—,".-:гвглс лзлу-онлк о вс.усм'.-л' ( uv;.

1. i/. ;'л;л К{Л'01 ЛЛЛЗГрлф'П'Л?0!;И-' ЛОЛЛЛМСС ^ЛОС1'!!', )':.■ г'',

л ' ■сое.'. >луп>"л - (з -"чл""'и;-? "о ч.Л'.оузовс:;;:.! Л' Пг .ло~л.л

1 ' зтгем" , ИЛ11ЛП!, î "'G'-. ^. 2 'луЛ' лрз щлл ;;,'• j;;. Л'. Л"Л .Л' ".у j -i-лOr •

с !

ни:з рентгеновских лучей в кристаллах с динамическими и статическими искажениями (Ялта, 1990), 5 Всесоюзное совещание по когерентному взаимодействию излучения с веществом (Симферополь, 1990), Международная конференция "Микрсэлектроника-90" (Минск, 1990), 3 Всесоюзная конференция по физике и технологии тонких полупроводниковых плене:; (Ивано-Франковск, 1990).

Публикации. По материалам диссертационной работы опубликовано 60 печатных работ, включая авторское свидетельство. Список ос-нозних работ приведен в конце автореферата. В работах написанных в соавторстве, автору принадлежат результаты, изложенные в диссертации.

Структура обгам диссертации. Диссерглши состоит из введения, постп глав (катдая г.з которых содержит вгедение и заключение) заключения и основных результатов. Общий обхем диссертации составляет 309 г.«аг!ипсппстк страниц, вклвчая 227 страниц 00110311014) текста, 09 рисунков и 21 таблицу, список цитируемой, литературы из 255 нашсковаши.

(ХйеЛ-ЛПЖ КШШ.

Во рведеикч сбоснсгош акту'.-ц.кость выбранного направления исследований, с]ермулиропанн цель и н./лигша работы,, основные по-леэтешш, выносимые па защиту, практическая ценность порченных результатов. Кратко рассмотрено состояние проблемы изучения за-кснсперпеси-Л динамической дифракциии излучений па реальных кристаллах .

В п ори ой' главе экспериментально исследовано влияние ткроде-фектоо на полную П0С кристалла, а также ее когерентную и диффузную составляк.цпе. Изучены зависимости И0С от порядка рефлекса в Еирском диапазона изменения степени структурных искажений и уровня поглощения РЛ.' Эксперимента дыр показана корректность выр'ане-ний для НОС слабопоглсдапцего кристалла, полученных в рамках динамической теории рассеяния РЛ в кристалле с'дефектами кулоновс-кого типа,- Установлено', что в условиях динамической дифракции РЛ соотношение величин вкладов в ИОС когерентно]'! н дцффу'эиа! компонент определяется порядком рефлекса. 'С ростом, порядка рефлекса для слабых искажений увеличивается относительна вклад, в ЙСС диффузного рассеяния и усиливается влияние дефектов на интенсивность рефлекса, что может быть использовано-для повышения чувствительности метода интегрально!'! дкфрчктеметричесг <.Н диагностики струк-

турних искажений. Показано, что роль од Секта аномального прохождения для диффуако рааоелнщк волн'усиливается с ростом порядка рефлекса, но резко яэдает при уменшешш размера дефектов. Развиты экспрессные интегральные дифрактометрическио методы, позволяющие на основании ьсбнспмости ЯСС от порядка рефлекса получить информацию оо интегральных характеристиках дефектов, а также о природе домдипрукцих деформационных полей и степени анизотропии иска-женки кристалла для заданных кристаллографических направлений.

Во втором параграфе проведен анализ выражений для НОС тонкого (/■£- I, - линейный коэффициент фотоэлектрического поглощения, - толщина, cos (9 ,0 ~ угол Брэгга) реального кристалла, получениях в рамках динамической теории рассеяния излучений образцами с хаотически распределенными в объеме дефектами. Показано, что при невысоких уровнях поколений для анализа экспериментальных значений ИОС в образцах с микродефектами когут быть использованы аналитические выражения: -г/ч

последнее из которых не учитывает отличия в уровнях дополнительного ослабления энергии PJi при диффузном рассеянии на дефектах ( Яа , /р^ - когерентная и диффузная компоненты HOC; R,. , R,.' -- ИОС совершенного и идеально-мозаичного кристаллов, % - восприимчивость кристалла, статический фактор Добая-Валлера,S -5 ~ кссффнциент дополнительнее потерь анергии излучения при диффузном рассеянии). ■

Исследования, проводились на бездислокационкых кристаллах 8|.л«1Я в исходном после выращивания структурном состоянии, а vti:~ ",!■ после различит: термообработок, приводящих к возрг.^тглдао ст"-искажений образцов. Измерения 'ЛОС выполнялись с почх»ь^ г-тотального споктрел:-тра (рефлексы III, ЗоУ, 2ЯЭ, 445, 6Ä;, t.ü..

An сL'oiir:;- точное.« атпрокепмяцпп oKcnci.ixci'va :ты>. знь -Jr.-ч.>'". -'О т'.'оретлч'-сгой зрчиекмостью вычисляли K.'pof.."яД11'.''К1гь;й nfcpjr.*' гр Р

Сделан гч.С!..!.. Ч5'0 едпвпмдо. 'I) хорошо ■яшоквают огонерг.м: :;-•гчл"-. мм" .-¡гчяь'с. " их чочоцью оценивать f-^ и определять /.«

- v\го cor; - о.ооз).

¡..i-yrr- ' > оСобцсны для случая а симметричной д\драки,пи и

кпюлнспа экспердацнтплыпя проверка последних путе:л сопоставления экспор:адси?&;:ыт и раечотпр;: очзчения ИОС в кристаллах с известными структурп'.в.'п хара'ггерксг.аивш. Поко.ззно, что при варьировании геометрических параметров мо.жно добиться существенного изменения вкладов в ИОС когерентной и диффузной компонент. Зто может бпть и.спользовано для повг.яопия чувствительности интенсивности дифрагированного пучка к кскалхнияя! пристала , по сравнения с симмот-рич;плм случаен.

В третье г: парагроУз изучена зависимость i X/G тонкого реального кристалла от порядка рсллекса. !!а основан:':: изкерепях толцинних зависимостей ЦОС для двух семейств рефлексов рассчитан! значения прироста НОС в нарушенном кристалле, по сиави-ян:1:; с идеальпъвч, а таксе величина когерентной и диффузной компонент. Оказалось, что относительный прирост i ЮС существенно увеличивается с ростом порядка отражения, за счет внлзда диффузного рессоапш, п то время как аосолптнпе значения НОС и ее кешоиент у сажают. Сделан pis од, чти чувствительность к искажениям кристалла метода, основанного на анализе величин i IС С в условиях слабого поглощении Pi, может онть существенно повнязна. пги иональзоваяяв змсоккх порядков о глажений. По-кззапа возможность выявления слаонх рсстовкх искажений структур в бСОДПОЛОКОППСНК! Л' ГЛНСКГЯОТГ ТЛЯХ И ОЯрОДОЛОППЛ их ХарЯКТО! пстик.

;3 четвертом лярлгляяо рассмст: оно ялуо~дкфракция ;н и промо-яуте' них и :ч.:ео:я. г 14 езняя поглощения foi. пселедсзз.ни D'iacncrui.поста поведения ZOO, а таило"; .-я когляонепт и гляжгралызд: характеристик дефектов, при впрьиропачки в мирокчл полделах уронил поглеяяпия РЛ, порядка дифракции и длиня волнн. 1]оказа.чс, что при про;.'-'- у " оянях ,7 ( К -- еО деУокля; сказ'ьапт сравнительно слабое влияние ь« 1-00. Ь стоя д;ия1пзсно А находится граничняя уровень поглощения , для которого значения :!0С з ссверяенпом п порушенном кристаллах рзвиы. Параметр Аж «учетептелен к уроиии искажения! реиетки. Он возрастает при уз'жкглгепии объемней доли искажений и яри уменьшении дли1л1 волны Рл.

Установлено, что ni и уволияенип пегглка роф.лекса возможен пора-ход от вогну той к вкяуклей телмлннол заяп1.я.моотн ¡'Об. При эте,: прм-ПСЯОДЯТ ЯОЗрЗСЯЗЗЯЯ; !'0 , ЯОЛО.'ЯЛТЯКО ПОД. р.:СПГВДОЛОЯ!Я; вкл'-гяя в ЙСС я : р] у о и с'îi и ложа -'Ямал1. коха.'.:я;т. i ля,я::,. икоол . '-.С дкфрузнгя жлягляня: уя. л: 'лляа-'" я; де ( ляля-ленного пр-pia ч>ж1 о чоо-том толллич! крео;зл:=1 и , ■ : я;хл рефлекса. а ттокз и ум. ньяялш длиня каллы РЛ, m о сяк р.. • • л ".сгву'.т со * ел/, ¡..я "ело ^иязяя'' (яч:х

эффектов для диффуоно рассояшшх волн, в то время как .уровень аномального прохождения когерентных волн в этих условиях снилает-оя.

В пятом папагроЛо рассмотрены методы определения интегральных характеристик дефектов, основанные на анализе зависимостей Я- (h J , Я: (ИJ яги регистрации ИОС длл кристаллографически эквивалентных симметричного и асимметричного рефлексов. Показана возмс.лоность определения характеристик роегговых никродефектов, о тшс.ш степени анизотропии иска?.«ш:й кристалла. Приведен пркыер получения информации о природе дсмкнируклцих деформационных полой для з> ланных кристаллографических направлен;»!. Проведено сопостав-л.г иго дн^рактсметричоских да^.дк о результатами независимых методов .

Во второй главо рассмотрена закономерности влияния хаотически распределенных дислокаций на полную "00 слабогюглсщзшрк РЛ кристаллов, а толоке на когерентную н диффузную составляющие рассеяния. В частности,, проведен анализ выражения для ИОС тонкого дис-локгцкопкого кристалла в условиях динамической дифракции РЛ. Рас-смотр .и вопрос о необходимости перенормировки величины статлчоско-го фактора. ДеСлл;-Всллерл и учета дополнктелыс.:х потерь сноркип РЛ ул. счел диффузного ¿ассслшм. Экснерименталнзо изучен характер поведения аол'цккия зависимостей НОС и углевого раслределенил интенсивности отрол-.еьлюоо и пропедлего пучков РЛ. При етсм установг лено, что д..лргхцлеикцо параметры сущоо'шенньм образом зависят от степени насыщения длололацки примесными атомами. Показано, что в условиях слабого гюглоценил РЛ значительны;; вы/а", в ИОС дает но-когерентная коыноненыл. Отот вклг<д уьеаичтаз'ш: с ростом порядка реллекса. Исследовалы закономерности перехода ЯСС к киноматилоск му пределу при увели юнии плотности дислокации или лг.роцла д:фрлн~ \пи. Рассмотрены способы определения интегральных характерно¡лл; структурного совершенолиа д.чслокацкон:лнх кристаллов в из;".'скя юл зависимости от плотн"С"'и диолоклций и порядка рефлекса. Разв'-тн ■экспрессные ди^ракт- метрические методики структурной диагностики гоиериенства технически важных кристаллов,

?о втором пярагркге проведен анахкз '/ОС слабспсг.ч О ЦЗ ЮШ,К \ лгьста.ллсв, содержащих невысокие концентрации дислокаций К Л', ¡.А.

Т |;ЧгГ'''), Проведено сопоставление случаен рассеяния излучений в ¡•i кт-у.чг сроч и динамическом режимах. Показано, что наличие в лмл'мшло хаотически распределенных дислокаций не приводит к пол-

¡¡ему подавленно динамического регккма дифракции при у слезли jVi \ЛС -Л""- снеднее расстояние мс-ду дислокация",и

больсе -Л ). При /Щ/. >. роль динамических эффектов невелика и рассеяние происходит в кинематическом режиме. Учет динамического характера дифракции Рй на кристаллах с небольпими .'Ус/. приводит к необходимости перенормировки L ( L LT ~ f/д. 1 J, вследствие эффективного исчезновения пгдчда дальних дислокаций. Поскольку при N,.!/^ f/rJc величина не превыыает I, для описания НОС дислокационных кристаллоз формально мо-аю воспользоваться аппарате:!, развитии для случая дефектов кулсновското тк.па.

Проверка этого предположения на пластинах кремния, содержащих однородно распределенные ростовие дислокации показала, что выражение (I) корректно описывает экспериментальные тодщинше зависимости НОС и момет быть использовано для определения интегральных характеристик ( /1*" , ) дислокационных кристаллов.

В третьем пагаврафе выполнены исследования поведения толщин-кых зовисиксстей НОС для дислокационных кристаллов, а также проведено сравнение углов его распределения шпенсквнсстей отраженного и пр'-гздеего пучков для кристаллов с дислокациями и образцев с .•ликредефектаки. При этом установлено, чао характер упомянутых зависимое^:" дел дсj е;:еan двух типов в общих чертах подобен. Общин являйся и то обстоя- эльстве, что значения I дгг::о для те-

лексов игеолих порядков, .1 такыо тот еакт, что ослабление ГЛ за счет д*„;фузиого ресоеянки может (-ыть сравнимым с фотоэлектг нчсс;-кими потерями энергии излучения. л_

Вместо с те:.!, величина КОС (соответственно £. , /Ь, ) дисло-кгщисшяос кристаллов существенны?-! образом зависит от степени на-епцония днслскацкН атомами декорируыщей примеси. Поэтому метглло-грз.; цческсв значение Мк не в полной мере характеризует стопе.чь совершенства таких образцов. Такые показано, что при Щ ъ 10'W" величина полной НОС в значительной маре определяется некогерентной компонентой, в то время кот: когерентная составляпщал сильно умещена, по сравнение с совеп::°;:гым кристаллом.

Рассмотрены сиссобц определения значений V , ¡xKl в iq ие-таллах с дислокациями по значении;.! ¡100.

3 четвертом параграфе изучены закономерности перехода НОС к кинематическому пределу с ростом порядка рефлекса при лауэ-дифра-кцин на тонких кристаллах^ содержащих хаотически pacnj еделешше ростовые дислокации (9-10'" <\'CJ, -4 3-107см~^ по данным металлом-

г-а;;;:': . Ретлстеллс"л; Л 3 Л' 'л". л . ллулчлл ! О . ■. . . J _ } .

е50, ■ аО. Устзчсе-." ал е лза .л "а;, лз ГЛЗЛ • зоз 30'. • ЛЗ Л"

сулесл лениал уп^а.... ......ЗЛ'ОШЛХ зла ичл б и ;сл.:ез е- ,;.•• -'Л''' ■'у

Таг пул : . га.ря.лла зтезл,0!;л : 4 у. ;л; у'". -

J0- не и , у;к ; л' 1ЛЛЛ..ЗЗЛО л пр'-;: л.а ' С роста ; пор;1'1' " } ■ ЛЛ. Л .3 J-, . ■ . ч ■

vi I л;;ч ;;;.',,-т.. ■ о7'Ло-з; ..Л: iaaee; а пел; !' ; слила м ;; (, .........■• .

л: cea л " лззлО -с.лл.аа:б; лз з.лтз'1-

; лапу .л нал л л '1 ■ : лет- 'Л у.' Л'ОКЧЛ, ;ла длл ра: . .лее;, злзо; ч" чзулд-

к'з и юлила г иоезлод л ; ллелатлло ллолу р леи;; / Д1аг;а;;ции. зелзело.л-

улелез' ел ncroyai !-'ал . ЛИ; лел;л!оелл PCO п д лле ;оз.. з лзл'.лзпчл: сте--

че ли ; 'Л......лл'; . . лет 'Зу-Л 3 лезллелз,! ьзличилп

л о/, а ; а ; ,аа pal лек. .

О пл.о" пзз,.го; лпол.члн а .Л .лТСЛ:ПЗ з,; екзл ачалпз ст;л:

ЛИ ОТ: у:лаел;оге сезе ал cica и ол .лреднаалп ад ; телллчески азлнлл

; ч;не;л ■■■'¡■'Ллез [--ú , Ос. 'Тс ,(-:., J, С'ЛЛраапчх !'зеллзло дпело-

кацил.

лз етчеё чллзо Э.а r.'jpm анталыв ;;ауч л езкеио"е;л:оетп плпя--

пил пл з ;сл er лчзоллле чарупюлча структур:; пл лл] ;улат'лл". а ;ллро-

гол д; оёаз'о-е е,л.° г лл; ууе чче пеглощеш'л il ':■ а:лчил>л"ла что а

Ч~ лета 'Iii''

■з:лл;; к при г/охан;

лл л<"

поста;.';; прлкслодчт езз'Чоллдзюз тызнсн:::) еоз.:: у.;-1 е'ллукл.чзл: при-

лил отра-v-пл 1 у пеололлллз!, еоарелолдз четка ' ilC'J -л сч аал!л" еонтпол комис i при !-р -л i 1: л;ла '.: ' С'Ш лиТро; ирозапла1 з cjT;eCTE-гы;зе узелччлл сл. лига: IJI, что сбьлсл ci!dco!?nc.yîi

аса гуг; е::еолпз;л уе-дл-а. иелол;зу последней аулилтл v.- зрчтеету jri* (шонс»/--:1Г»

а' л'Ч. '.Î лзолл; чоел.г л чо:лаасл глюиаледлт •а eiaraya а лОа ;аа сеолг-ч-нз : '■•ол'олзптл уас-а7лпл "noniллчлем ал—челл ал.: л-за "' ; ла p-ii-HapjL" литого Сала л пезк:оилл. • у; cnaai-va,-iiocïit î'jC л прпиоьер .леатккм исключила; с:л;,ллул.. И . л ;лчл ¡рас таллах с сильна ларуо-лллглл пазогхплотллч да» е°рле;лсг ¡ллачл"' порядной пабларлетсл леуход РХ к'зчг.-•зтлчоепелу ч: ч-т-Л'1'. У;;"--ланио DOJ'XHOI'O наиболее исха.ееьного слон U'o;:.y"JTa .-егорсл напел ta-iiní-O пзшкуил1 оле'.ч чте.меЛ'П ее .;-;с.е.-,,;л yayyi "a: Лз.- елал.анмл кулста-:iTvau;CKoii ^атпои; иогзлилног.епие д>;'<а,-:очсокчу З'рлектлп raoocaiiai Рл. /р.педе.чпе И ОС тс^стег о ; рпстл-лла с '.ц.'/чеььда едлеп Ы'Л) аа злодчзп Г'ткп ее] ^делле'тон ■ cnKyp;;py;oi=v,i илледпем лехаглс.'П'П пег...-•лее ••, и>1'- i aa;ee.a:-'¡;a j-'Л а ШС и уаолнча::чк;;л уровня поглоаулшт; пали,. •• золе он/л-лих искажении рсизтги. ^жктивность стих кэда-

е-ч;

i л.

з а; ;; ачааа " а :

Г'.ч a п '..or :yry., o;:- jaa. рл:а а ; .ал.ло. ко:1 за дла i. ■ : с . ала a.а лаз уг Y влнллл ïtл" •с: ■ í -

у

У

\'\ У л:

. с

• , : Г:', г:: : '";:!.!, л а .:: л.': .: ' .•в "' у i I— v. : л: гост.::: по-í . ."„'олое нога ru: н-'.' ллллн хлтслалль-ла/о-ук у ааиро-

* i' ^'!■'■ '■'-- - "аалзчла ла- ■ ano .ал л ;y.ra>:;o глвозулло звоне;' ioct.'.'í ov. г .v •:. S íocí.í ; t о: а: .а титулы ульт; п-лзуасг коле;':;;./i о; г .■?■■. .ле;-:::; уровня;: а. зз-лллл l'ï. L' случае злуо-длЬ апл л Г. ла у л'О аллаах, вазоух у^ала лз; o;;¡:cbl::; ( 0.-,. 4 ) УсУ, j-аллалaaa¡ вер :ход HC'J .' ¡аа.лалич аскоау it; ; п.--лу и выполнена лоааа гр: тория а того г. ¡'е:л"дл. Показано, а. лозлл о а арас; т ,Л" лплл.л a -зал „.i приводит к члл торану ссл: л -ул аа иаалла: госта Л'. Í-" аса, Вслодстнис лл-..:ч:ч,.:с.:у p.aaay длЬзачд!:; трочеходит пу (лла-.по; го о.:': а..ца, aa^iiayyax УЗК. С. то сен. >>-оть' .. т. fj; 'J-'i j ; ■ i л'р "злачсни!! г УУ С лгалла. hi-'.О ' , ла счяг у^личския исходного онлл.уп r'u. О ' , г !:3 ::•"■■:!'ого л. а. ■; V 1 Л" : о со Уел; новльно, что aja :алл у/аСУл: узезаза: ;; моеть от; тс-:i oiir-fooiiocT',! селу ленного кристалл;: ст аап лаурл; поперечных УУУ r.i' п.:: аа ленала харакзль с ¡нашлу-аы и м;::аа;зо-:;з !.з;;ол г.";:. Ра . ла-, асооолчоеза .завкеалоу.у j-/) п;^ сл ¡г.'лСслз'с чг:>'с, оол:; ¡ззлзоллл-'гсл усдоп::;.- ;.с:. т i • • .л i с a i су с i ' : :1 : о с i с о г о ;"ôo:.3!!c:i, г:оо,:з случаи хч! актер а'лзлптузчюй сапксг/¡ос; л ин-

i'O Ht.' охо" :: ккн:.; г..;:.т, е слу:."-:- г yr.Ojfi:" .я л.зьозёулллпе; л зл ;

дс. ллеч . or::o:v;il.i! РЛ 0:3B¡;ci:-

GÓp^Oila Ü3':.VX3 у; ;

дооонке х-з. ор' рлкрИ'лл:..: ¡ о 'У.гус уснипх ульл

а злнза "уястахтзлгзл ;; ¡¡р^азу^озвзао в ■ ..лзло

з:.j :а;з(Л1. Проведено онеяерлмантелиюо ксслс-':'-,н,,'-Д'"-л'.-.нхя лнт; нехзг.ссл: .-млгчаит.скнк диг-а но солоаамал дольгл .'/-í,' в иска-

ааал а; чг.та.тллх гп :; уие:;:а;л;а:: л-::;л:: удп aaiiot а Ь'Л>.„ ^ч-з. j .. _:.:< а чте : : . з ■ "а.а а.ал.з/Д'а: у л ! '

"а.-; . ; аа: ... ■ v. , ■' ,т,.-, \

ауга. Дано объяснение нгкЗпздодссс закономерностей на основе шв-лкза характера пзлананлл елрлл; дисперсионно:: повелллоезл динамической дифракции.

So о тс: ем пара-раД^ с-селеркмантальча лауча;;:: залзлеззрнеела перехода, НеС к к;:лзнатпЧ(;Ско:.:у пределу при лара-д; :;>л; у;:;; ла :аа :-талле кри;алш б услззплх гагусакчаокого Бсзбу<:;д„плл лора л;оаелно-tпллл колебания:.:;; = Критерия перехода г. лллематлчсслезу/ р.. аллу tac- • сеяния в его:.; случае ллзот следуаций ьдц:

\HW\ > ijn/лу (j)

Чтобы снизать в оксиеримогглг ¿'льтразауксьлз деформации до приемлемого уровня, использолз,л;сь рефлексы иисоких порядков (660, Бег'). Иомзрснг« 1]раа(':,:'л;;сл :-:з а-челллл: бездлслокационного крем-пал аелллнол H'iO мал ё'дьттла.-' ; ааа: : а;,': "знал сдаига с векторе:,: поляризации, караллсл; лл:л велг^зу лоебукдаллсХ) а образ-

це с поьючьэ кларцелого пьезопреобразазателя.

Для укьепильи рг'ДтексоЕ реализован переход ИСС к кинематическому пределу. На амплитудных записпмостях ИСС набллдался началь-übi'x линеГашй участо;: (Я-~}HWj ). При сродшяс значениях /HIV/ величина НОС пропорциональна ///f//"^ . Для болших деформации происходит нае:„г:;стл:е ачшииудной зависимости, соответствующее переходу к кинематическсму проделу дифракции. Для наиболее совершенна участков кристаллов измеренное отношение КОС о кинематическом пределе к значению для невозбужденнох'о кристалла (Г) близко г. расчетному t 3;глекия iHWj , при которых ИОС достигает кинематического предела, лсропо согласуются с.критерием (3). В несовершенных участках кристалла переход ИОС к к:й:а:аткиесксь(у пределу несколько затянут. Ото сопровождается уконшешеи значения Г, за счет повышения исходного'значения ИОС для нозсэбуадеглого кристалла, обусловленного диффузным рассеянием на м;;кродеф>:лгах.

В третье:.; параграфе изучен вопрос о влияииг. урокня пеглег,!.— пня FJI на отрал:а!сд.ую способность иекаяекгах ультразвуком кристаллов. Измерения завислмсстел u^Wj проводитесь для рефлексов ■V-JC в грнсталлах бсэдислокационного грешны ч диапазоне толщин образцов от 2,75 ш до 15 ш. Использовалось характеристическое излучение, а также тормозное излучение с длинами волн 0,3 Л и 0,4 А

Устоноплснс, что пои проме/хутогиалх уровнях поглощения ГЛ за-OKe.ajec'ib отргзлаощеп способности совершенного кристалла от адали-

туды дс-.'о} "ярил рсыотки, вызванных полсречнг:;п ультразвуков!:?.*« хол-Г'лллл.ял. яеслл немонотонная характер с минимумом или я'-'"але-ляг; оч.янллля !я/ . ¡Зта ессзеглюоть зависимости ) проявляется наиболее Я' лго яя яастотл ульт; :.я вука, с(ответствугдей условию Р..?. flj я г л ля 'и в россе: зоы'оы обзляо т:рис:ялл;п микро-ре; октоя ' ' я КЛ' яя я "я- ' ли Л;" : яя Л ул*я| "ллукг'яв: ДО1'i J 'я'гин Г."'ЗКО сии— ..-.".еле:. у: яяччечяося; :че:яа чувсы-ятелян j: поксут-

■ ~ "я в л. л'' ллло сг; у:-:туря:г: искерляя'", хло »т-ят быть использовано для яя д-'млк'с'гхпи.

Ь уя.;? лг'Ч'я."'"с поучено елилпио .VTní ¡Я1 просп анетвечнео

распределение л;......: 'Л'.я сям-.•••чо,св. Уз-ер-тил профиля ичтоясив-

пссги '■ ' ■ ллздяолок-циенж я кристалле кремния

толдипоя 2,3 мл д.л . я ля -МО ( Arr hw~ излучение). Поперечные ультразвуковые коя<'л:.л.. различно:: i-':;c.ro-;4 с волновым вектором, язя я:лелыл"" о ¡: ем:л я я я;оя^.яя'"Я :: я'ол сСряеп; помол:;вы ш. озспр^оС розе л га гя.л из пяел-ля^ ллы;я. '/л . якзлено, ч:о яги небольших IV характер изменения профилей '.] voy с ростом амплитуды ультразвука к коротковолновом случав Д.. ./1 суг'.ествснпо отличается от резонансного п длинноволнового случаев Cl¿ Л • Причем для двух пс-яяедп;яс случаев поведан» зкеперпмзнтальпьгх зависимостей ,7(':r-J и обл;и,х чертах оказалось подобным. Для увеличение интенсивности а ксгсжепнсы улх тразвуком кристалле происходит по большей части основания дельты Бормана. Для >у\ увеличение О наблюдается только в центральной части дельты, в то время как на ее периферии происходит унспяызнно интенсивности.

3 пятой гмат гкеперимент&тьно изучены закономерности влиянГ.н CTpj'KiypHux дефектов на лпуо-дифракцяй в условиях рентгеноакусти-ческого резонаяяа. Л частности, исследс.вялю влияние микродефсктоз, возникающих и результат-.; термообработки крнсталлса, на степень подавления збезита- Бормана л условиях Р1Р Показано, что введение в кристалл ля.кродефзктев приводят к еущеетче^локу увеличении значения интенсивное':!н рефлекса, соответствующего максимальному уровня подавления аномального прохождения FJI. Установлено, что влияние на интенсивность рефлекса дефектов усиливается в условиях Г.'.Р, по сравнению со случаем невозбулзденного кристалла.

Показано, что по зависимостям интенсивности рефлекса от амплитуды поперечной ультразвуковой волны, распространяющейся вдоль толщины кристалла, с длиной, равной длине экстннкцпи (условие PAF)

IG.

Cv . „ ,.р'.л:;л■!л> i.fv , -o;...: к.лл.у :л;хл. л ,'.л/ мл..'ллл•-

■.■_;их ¡хл ; лом:> . , л;;; :. '.еналанн xa n . '-.o л yi.ea алолло

хлл^л.л; ; м:л; j ■ ,;ом oo: ox- ex .Cr'.\ „.'л и .;:.<-мчеи:.. дли-

ной поддали;: :и.:мал" .ю j -узле дльд,- • олор;д..дл.. аула;. Ддл: слу-ч:и: кр.ют-лк.-. кромлдл с к.-лредахахламд, воз.лл л:л 1 ь резулвтат^ ТсрмооУХ,„лсл л;, оплилу '"'лл-! ооа параметра, характер. _-■„ ..ухо Д1ррлх-цклэ в ло- vi,. ¡¡им крлстлл.х ( L , > - : Д;ллмл лллтелп ха-

рльтсыл; ¿ л ¡'О! л''-'лл;:£;;;:л гккро . ' ' 1: г л. ■ .

Г'.-л . -л' ллл зглм-. л мерности иллльл.: слаС. : лрд^ндл: периодичности к] л л, гл - лпллско,: релхлки ла лау,.^ про)ллл пространственного раенледил люд xh'i с нечогаол.. дифрагированного г;, лка в условиях PAP. Пакал,"!'л ! ссно.оюсчь од; .ддллелня п.' ддннхм ;.ечлгсллагустдч .'ского очлг.а; лл ■ i л уре лил ;л ■] ормацпн крч-,..алла ла слот ...лгропскамеххл, а тагла: вол';чч;л: , 'ллл^х-йг.^и удктоел :Пгл -Ь; хлоре, Гъссчптанн значен,;л омк параметра;. для кристаллов крхаыа, нлдучднннх методом Чохрдльсхого, до ¿i пооло ормооераооткл.

Окс-торнмиптал; ло изучено влхлнд_ хаотически рдел: t делен.о:х роотогмх дисяокаци." в крхллал^о кремнчд на ха^ахтч.р щд;стр<шс:, оп-пого распределении". Ил iohokbhootk агщюзо.^шк ¡¡учков, а тагле на их амплитуднно запхлднастх при вooûyoovox: в образцах слабых попсречюхх ультразвуковых колобанчб , C:;j'.дотонн уровень дну о:м.;-цпГ' ренет;.;:, ссзхаваемнд /рмла-хдрала., л та".\е статически.'; фактор Дебал-баллора Цх п коо;;хь!иено дополнительных потере ¿коргьа за счет диурузнлго раооо;л лл нл дислокациях. Ыехучоннео значение П'^ 1 подтворило:' необходимость перенормировки отол велюллл: для случал динамической дпрракцил ГЛ на дислокационных кристаллах.

i:.' ьТуром парягр:1 ■: гоолол лчано влияние кддргдоЛ актов сгс-пень подавлен m аноллл;на; о п,,ъ.лл,л;лллл ГЛ л уел;ддлд ¿V.?. [.. ох.■-ри.мопг nj:oBCij;n::oii в толстил кристаллах íO-3X¡ .;ллла:лллл1Г ло ¡-¡.о:, лл.л (10 - 15 !:л), получ-лл-.ого ;.'л.л,ллм Чохральскл'?.', в исходном поо л: В1:рл:лллалил оосюлллх, а ',лл поолс от.ллгол .. i :. лл;хл Л' ч грл Í350"'0 ¡: 6,5 ч Hj.x J.ICú"C, Члл'."Л.' ульлразву:.. '.-л '.Л1р, оо.',.лл-саву. ллл лллхллвк^ск-.'лу ; л^-,.л.нсу о0гл.здсь5 л ïmлооол лл; ер.лвл'; ОТ;, ¡л, у ;'.зло^лалло;,, 1Лл ллл алгола r¡ о; глл: лллл^:-.л, : j.î ,•. iimí, типа ЛмО i!; Л олдлхлуд.' улвтр.вву). J, O'l Ol ЧиЛ:у;Л : ; ла л: ллл; ;лу У", лл:--MOin.ij ил i ; локл л., и и, ал; мальпоко п|Л;хо лчлллл Г." л ; . лллч ус-

ЛОВИВл.

bíinapj хам Лаж. yi.xi:... л;лл ]'лусч;лм л; ала: а лл ьулалл О [л i,

' Oe, ' а,л M• a1 n ,;оп.л;ое '. Í;'1/.:.: '''"a c.n т;;г. апч "• на о

еЛО'Л po.H, ¡',-деее-гле „ ;e уль-д icч.уха.

le ,

"'-1' VeO!) 7C ее ' - : ' ' ■

о, есть ; е .лелсо. г;" ; en усп-

.. . - . ., " ~ ' ; " с " е е.". !'■.'"' еЧ' :Л1 '

-, .. .... , .., , -, . ! ' , ^ - .. . ...... T,j - с_

. . , " .ее.о, е,.гее г,!".:-) р "часслнил,

■ . :.. 'л,„л; часггчне. кончено'': унт ч". лесе л' "" р'.;":л:л. в етл >_; -'т. Нее

■ " у ,' П ЧС ОЛ :•! О ' 'е-г'Л ' ".Г;"' ~f.r. " Те"'е, ЧТО H

Показано, что ен:-;енче кчооп-льые; ча_, еле »рос [_4 , ;';гут С.чть р^о." ; ;. :~ч о печсдыз ело-гуидн:: соотнпхонкп:

/< - - У}( ¡i'-) úl, [( .7, ~ ) /( /7, - л О,/ ,

i

с-еь

-~-У р.

еЛ, .т

•л? — у- • — ••/ - (•!}

'го Д, Г'а.". !(| ¡ОСТЬ рсёлееел дел coo "Г.„;ч:;'его п де^окЮ"-

10 ароосллсо о /ат'чю ультраг" . -- лд'ен-' oopeave,

о-сечее :ого на. reo сединат при анро^'я"'чеч, ?осро;,гг-у:'С!;. гсгги or'пл'л'удиеч oar'loeae'1':'" ; лрчеое лениен, ''.'- - по" 'гчоорчо ¡нал г;г:гтео, С, ■• отиотсчле ?ур:-.с ,г-::; лч пс'ллечоу^се'::

i'pv.c

Ое'.л'.о:, : еел'--л'лал.:а л чт-лись об. .а^ ,¡ с .дизлол-'-рк-'-нот е >г/:г.т* ■. "р;з':р "еег j еее'оцо" иохральското, до и тюте утиго Z ч "Г" а.о ч лун LлСГ'"'0. ^иплчеупине заоксеноотл /птенскви

je ре"л. jca до и и соло етлекл ^орлецов снималась е оач;'л:'о;ч,о: îvsb : -, для .л С.-1 А при рещотрацпи узкой центр': льной гасчп ( 1/.J0 ) •Ч''ёраг'ирс aairaoro луч'-а, иьоаопресбраеоаатгль чиобата

:• оенеа.,' • • ьстсто.п оного 26 возбужденней па ti етьол

гоомгчю'о ( г-8 ¡Тп,)- создавал в образцах чолерочлно ульт] i-

воле:: с : ол^овн:.< вохторюм, ¡;орпе!!дкуу.'ч:]л,;..л! "гргр;:;ч'С 'Л' 'уестплла л se'T.'¡у .H'ypairr;iai.

С помощью выражений (4) для образцов, термообработанных прп В50°С, получош следующие значения параметров: = 1,5-Ю-3, /Ч/ = 0,4 см-1 (~ '¿,1) см"3). На основании выражения:

/лг (й)

вьшолнени оценки характерного радиуса микродефектов (/С =1,5 мкм), которые хорошо согласуются с известными данными, полученными при измерении диффузного рассеяния методом двукрпстальной дпф-рактометрип. Исходя из модели крупных кластеров:

г.-м'^н)1'; (6)

где уЗ — 0,01 \ 7-1 - величина вектора обратной, решетки, рассчитаны значения концентрации дефектов (/г - Для образца, термообработанного при 1Ю0°С, с учетом эффектов динамического перерассеяния диффузного фона, значение /2 рассчитано с помедью выражения: ^ V _ ^

к аР -х/Г ^^ > (V)

что в напеы случае дает В - 2 мкм. Подставляя (1,4 см--'- па основании (4)), и (I в (о), найдем Ь, — 10"^, соответственно из (6) /г- с: Ю^см-^. Таким образом, повышение температути шипело к увеличению концентрации ввделений,- а их радиус прп этом изменился незначительно. Корректность рассчета И/ подтверждена данными рентгеновской топографии.

В четвертом паратое:!е изучено влияние структурных кекалепнл на прост] анственное распределение интенсивности ди/ра лллл:алло1 о пучка в условиях РАР. При возбуждении в сплыюлоглецлхдам кристалле попер,очных УЗл, распрсстран.лацпхс.1; вдоль отремалдях плоскостей, с длиной волны, на несколько процентов канаыей длшш окстин-ьции, для каядого состояния поляризации на профиле дг.урагкрсьа:шоп пучка наблюдается пара линий пониженной штепсизнистп, расстояние между которпмп равно:

^ гт ¿тв 7 ^ (0)

Из (8) видно, что чувствительность Х- к изменению/1 велика вблизи границы зоны Бршишэна, где дисперсионная поверхность характеризуется большими- значениями кривизны, что приводит к значительному повороту нормали к дисперсионной ветви при относительно не-

больном изиенглии сарини щели. Это обстоятельство мозеет быть ис-пользезаио /для прецизионного определения /{ . Анализ выражения Л =( С3 ) [й показывает, что основную

стибку при спрглолсн'М Л. пол: вносит неопределенность в значении скорости слуга С^ , которая нззестча с точностью пркблизи-таи-'ло 0,2%. Тск^сть же относительных нз"ерекий А. по отиешонко например, к эталону "о~ет бить деводенз до 0,053;"!-. Так епкбка в 3% в и.емеролнп приводит к огибке всего в 0,0Г,"' в значении /1 НЛП структурного |;а;"а;г. 1 /•' . -

При наличии л ; у :-акреде*.ор:зций вследствие миграции точек возбуждения .-- л -;.;а; лналлал ветви лучи в дельте Бормана превращаются в крив ол'а "ал а-л траектории и резонансное условие па резной глубине вьт.олняетзя длч различных нолневых полей, '¡[.ормиру-Ю'1Х дельту Еорнана. Пеетсыу аномальнее прохождение подавляется ультразвуке;; в некоторой интервале траектории, а не для отдельных • лучей, как в идеальном кристалле. Показано, что по зналенич максимальной частоты ультразвука Л;' , при которой исчезает тонкая структура профиля интенсивности, могло определить уровень деформаций с в образце:

" -г 2

где - мегллссксстнсе расстояние'.

Преведены тосчетн грс^члсЯ дл;; еслер'ленных ьр;,е".ала?

лремпг.я, яри зарьнрезании ^'-¡п-рйпйсппсс параметров и характ-дла;--7!'К ультразяукегьк колебании. что позволило опти''Г"чр'~л чть условия кублддения тонкой структура профиля в центральной '-га оасти.' Разработана йвтач?члгл,аа"'лал"1ая методики да 'еактеметрнчеекай рагн-страциге профилей раопрадо,:ан"л интенскпюстк па основание» дельт;; Бормана с пом ;::ыэ схапкрованил внходис". пег ауллести малеианоге кристалла узкой зхоп.неч ¡полью детектора. Ге>истрирсвалнсь ре^лекал тала. ¿¿У, 440 при днфраьч/Л МоК.^ ~ и -излучений в кристалле аремнкя ра-элично;: степени структурного сосериенстиа. 1:ас-ечкта.гагтле для разтх V,; по формуле (8). на основанг.и а-кспсримен-тальнцх значений ^ , велкач'лз-.' ./1 для наиболее совершенны--: образце;5 херово согласуются мгл-ду собой и с известными литератур;!лл;и данными,

Установлена существ енше изменения фор;.® профилей ) гри ■«.личин в кристалле атруктурных искажений. Характер этих изменений различен для случаев короткепериодных ' и длкнноперпо,:цл:х

искажений. В пешом случае по величине.Л мелет быть выполнено прямое определение статического фактора Дебал-Валлера, в последнем - ыо.г.но рассчитать уровень ыакродефюрмации. Найденные значения ¿, , удовлетворительно коррелируют с известными результатами. Величина £г, для кристалла кремния, выраженного методом Чохраль-ского (5 = б'Ю-') хорошо согласуется с известна:.": данными, полученными при анализе кривой качания запрещенного рсфлскса 222.

В патом пар,аграфе исследовались закономерности ллуе-дпфракцп;1 на акустически возбужденных кристаллах, содержащих дислокации. Выполнено определенна интегральных характеристик структурного совершенства дислокационных образцов. Изучались кристаллы кремния, содержащие в рассеивающей области хаотически распределенные росто-> вые дислокации с плотностью Д^ равной 2-М^С1.Гс (обр. I) и 5-10^ см-' (обр. 2). Осуществлялась регистрации пропилеи З'я) , а так-ке измерение амллитудша; зависимостей . Регистрировались

рефлексы 220, -140 при днрракцчп характеристического излучения, а такие тормозной компоненты спектра с длиной волны Л = 0,4 А.

В обр. I в условиях РЛР наблюдались характерные измене!;;::: форш прежняя 0{з>) , по сравнению с совершенным кристаллом, ^то использовано для определен;:.-; С .

Поведение амплитудных зависимостей интенсивности рефлекса в условиях ПАР для дислокачионллс кристаллов аналогично нг.бдкщавсе-ыуся для образцов, содорлащих ыпкродофиктп. Анллив а;;;;ли';'удных зависимостей позволил с помощью ыцюздниИ ('Л спроделигь интегральные л.а; актеристики кристаллов, содержащих дислокации. )\ш обр. I, 2 получены следующие значении параметров: ¿^ - 7,4•10"^, /Ч^ = 1,13 см"1, 440, А9:1С -излучение; Сг ----- 3,5-10"3, 1,Ь см-1,

220, СХ - 0,4 А. с'

В постои главе оиспсркмоптально изеледозаш еа;ллкла:рл >стп дифракции РЛ б геометрии лрогга на кристаллах кремния различной степени структурного север1 ал;стаа, возбуадешак уллтрлзиукоьымп колебаниями.

Изучено влияние сли'нг; ультразвуковых дофор^ций, а таило структурных де;актов, возникающих в процессе выращивания, при по-следусс^й 'ллачообраОотко, на интегральные интенсивное: раа{лст:со>' высоких порядков в случае дифракции Рл с различал: длиной Билны , АуКд^ ; 0,4 А) на почти совершенных а-]¡ысталлах кремния, полученных методами Чохральского иди беотигельн^я зо:;;;.);'1 плавки. Сделан вывод о перспективности использования рлСлекслв высших но-

рядков (777, 868, 903) при брэгговской дпфращии жесткого излучения для диЛрактометр;п;еской диагностики слабых 10"') деформаций кристаллической реккетки.

!!-учоч характер амплитудной зависимости интегральной отра.чав-цей способности кристалла кремния, искаденного сдвиговым!; ультразвуковыми колебаниями, вплоть до высоких значений IV , обеспечивающих переход к кинематическому рслп'.му дифракции. Рассмотрено влияние структурных дефектов па процесс перехода КОС к 'чпюмати-ческсму пределу. Показана возможность определения в рентгеноакус-тпчееком оксперкм ."ее величины статического фактора Дебая-Саллера. Рассчитана величин* I /•,(с, 15) для кристалла кремния, выраженного по Чохральскому, четорнй просел термообработку в течение 2 ч при 850°С.

Установлено существенное отличие характера изменения |оргн профиля пространственного распределения интенсивности отраженного рентгеновского пучка 3 (2С-) при возбуздении в совершенном кристалле кремния коротковолновых или длинноволновых колебаний. Для

главной особенностью изменения формы является увели-

чение интенсивности на периферии профиля. Для - укирение

профиля. Указанные различия исчезают при больших амплитудах колебаний .

¡'зучен;.; закономерности пространственного распределения интенсивности Орентгеновских пучков, отраженных кристаллами кремния, содержащими дефекта различного типа (дефекты кулсновского типа^ возникшие в процессе вырацизания методом Чохральского или при термообработке (2 ч, 3£0оС); ростовые дислокации с плотностьп ойО^см""'-). Показано, что, если длина абсорбции излучения ¡1*> оудестгенно превосходит очелпнционнун длину./! , то при достаточном удалел-ши о" течки падения первичного пучка ос- 2 /\ икте;.~ сквьестъ отраженного иокал.еньым кристаллом излучения равна инте-ичлнн. ; (ас углом рассеян;'..:' интенсивности дн'фузной компоненты', ."и преф'лям О(Ъ-) Дня исследуемых образцов определены интегр»ль-ыыо характеристики их структурного совершенства (сатп }ескки фек-тор Де'ня-еадле] а /_ , коне'фициент дополнительных потерь анергии излучения /А,, за счет чгффузного рассеяния). Для термеобработан--мого образца не е'ы/м дат«;« найдены кощентрация и характерный гаечер леагктгз. Одела.!! вывод о перспективности дн.фргзктсмстрп"ес--г ;го еете-.а сенуг-ас.юГ: д; агностики слабо покаченных кркстглч. п, . снсе.лн:н го н". -'налиае п]крилей отречение го рентгеиорег^го

пучка.

^ заключении диссертации приведены наиболее существенные результаты:

I. Экспериментально показана корректность выражений длп полной интегральной отражающей способности тонкого реального кристалла, полученных г, рамках динамической теории рассеяния РЛ в крт'.с • талле с хаотически распределенными дефектами произвольного типа.

2. Сксяэриыентально установлено, что при динамической дифракции РЛ. ссотнсыепие величин когерентной и диффузной компонент рассеяния определяется порядком рефлекса. С ростом порядка рефлекса увеличивается относительный вклад в НОС реального кристалла диффузной сосланлякщей и усиливается влияние дефектов на интенсив^-ность рефлекса.

3. В кристаллах с дефектами различного типа исследованы закономерности перехода от динамического к кинематическому режиму дифракции РЛ с ростом степени искажений или порядка рефлекса. Установлено, что, начиная с некоторого уровня структурных искажения для рефлексов высоких порядков происходит переход к кинематкческо'-у режиму дифракции, сопровождавшийся потерей чувствительности ЮС

к степени искажений кристалла.

4. Показано, что ъ условиях слабого поглощения РЛ на основании зависимости. ЦОС от порядка рефлекса может быть получена информация об интегральных характеристика;-; дефектов, а так да с природе деформационных полей и степени анизотропии искажений кристалла для заданных кристаллографических направлений.

15. Найдена связь дифракционных параметров с интегральными характеристиками дефектов в области промежуточных уровней поглощения РЛ.

6. Установлено, что знак и величина изменения отражающей способности толстого кристалла при механической обработке ого входной! поверхности определяются величиной угловой расходимости первичного пучка РЛ. Показана возможность корректного определения интегральных характеристик-нарушенных слоев, образующихся при механической обработке кристаллов.

7. Экспериментально-реализован переход от динамического it кинематическому режиму при дифракции РЛ на акустически возбужденных

кристаллах как в геометрии Лауа, так и Брэгга. Выполнена проверка 'критерия перехода ИОС к кинематическому проделу с ростом амплитуды ультразвуковых колебаний, а также изучено влияние на характер такого .перехода структурных дефектов.

?nr.j кол, 1 члчч л"нлх, vi1;;" завис: :ло ;л; 11 ; ; т •л- i : • ; ; -1 ■■1 cm

ро-л-члаз, Jiiv'.' и очллег;н про------у rc'-av у;-ли:'б п.л оглупля i л для

разных ухзллз. H'а улан "нлч ./? I ■ !,- . .Устах в.г не . лас л луна-л!

ебЛЛСТН О'ЛНЧ" "00 Л' J{¡x'j ЛПЛЛГ'ТЛЛ '¡ПЛ^'г-глЛл: с ЛЛ'Л—;, 'Л л при

небелых:.: Ъ' , ллл'ллл лсб' лс '••-но лл-л"""1 " уел л'л л i HOI ополи уСТ;Л!ЛС1'ЛЛЛ : ' ."■•! ' Л1'СЛ .

9. коеллдлв л;л л : ■ ;лл^ с :ру ¡: г утл : • : лткаллчб; лл л "а англу 'лклвлудныл лауч.атлнетчн -л, л'-1, Сл ллралл кл, ч"о в.хк: "ил ;;< '<_:■■,л на интенсивность руллхсл успл'-л.'?'лгол в условиях : онтн-нгл'-уол н~ ческлго ;°зслл!!сл, сч~т педачлг мал нагерлнл'хл: еллплл'лл ух: расссл'ч:;-:. Пок-Т' . л;.-■ и-сть р а'делонхл клал] лллнач и .уху'ул а б состав ллкг1,их ;;•> ■ .'»"п vctkm 3^} , 'лзнерен,:гм п упд. виж рантгоноакустячеел; га ..лалчзлез, что позволяет угнать задачу чог-роктпого опродел'Хчил лиг" грал ; : :у ' характеристик дл'рч:тов.

10. Впервые устэксзгони олхалсерноолл' лз'лалл1лл: улр"н гр фмля нространетвоьного распре,кна пня нкгокевкноетв рец'лгкосв при в'.-обу;%дс1П!К с кристалле ультразвука для разню; да тнззоллв . !, , как в гоонетрки Лг/з, так и Ерзгла. Показано, что характер клн--1.0HHÜ простр ШСТГ»0!ЧШ распределения й { ! при возбу хдонин У кристалле удвтрллхуковнл колебанвл. орлее лзекныи образен стлгл

ся для хсрстксвол".нх.д я д.тчннезолновых колобапкл. И; одлот-н ланкам откх !-зг:з:!гн .

11, Обнауулллл^ чгл а условиях ргнлтовллхустичесхого г юончч-оа характер влияния kj â;p:-y "J i'-*"-J .т°::ат!;згзанн:--'' я гл\опг ллолг н-л'"л ;:ехо;~"чп:х отгул-туры ;азлпчеч. Показана лозчол назль голцизч'чг--'чпо .лтан язл-н л'я о-? г.утул'чнх авхсалп '-чхетллл;з-!Л'1!ч |! recc-T'Hi, а, ,r:....TÍ, sfPTüijfeKO! о ''•'■хтора небал-итхл'ла к уравнл доб-р'лыкл v, •«-са.ла за сч> чг-го ллла'; ла;л ча сонлланхч лчэ.лсл ч' ч'ппчр! j' , алл ¡оиных а лоло^/тл а л 'р'л;ол;.-узтпчлсл лао роач'л.ноа.

"0. Оа-■- у-ане оря- 'хчклчоч-чп -чoTavb! аре'пля .7 Л о

Х'Н' t. :pr>V'-i■-■j ч гла.лет~Л'и Брэгг? Hyxi.-i ГЛ !рн н">лл глг п к"; • то • i.- акта" . '"-ч-f 'н:? в лаке лкос'гв в'к^елоахя дк?лузг"ен 1:о"хочпч"н ■ лл. - - н лнгаучн:^нля люоглал'лллх хярйкге-рч'стпк длуогглв 'а ло:.за алалгзл лр..аг; aaooaoHHoii структуры отра-'.т-ого hvxío-. Гн,

[J. ргтр-Иотлч ло;лвл(л;о новых, вг'сокочувотзиаолвгп-'х методов ллелл.оенл! -у * уа . гч ■ -г; '"'солол двагнеоглкп от';П"л'л eapyxyp.ioi " ■ л к _ л'?сг"ч лл'.' чус ла.л-ччеокюс хатервачов .

'.erar,;?., ; г/ ги<л'л дгееот ллцт-ч еп.у '";кх:о1-'н:о а улкл'лл:

1. Хрупа В.П., Кисловский L.H., Д/Ш,енко Ji.il. Рассеянна рентгеновских syv.iü тонкши упруго де]>орл.ироьинпы;,:п кристаллами, содерхацкмп дьелок&циэшкз петли // Взааллорпзпка. - 1920. - Т.2, !." 4. - С.55-59.

2. Хрупа Е.И., Даценко Л.2. Рассеяние ренчлчлк аекпх луней тонким! реальными кикпалламк кремния // 2Т2. - Kci. -- Т.24, 23,

- С.950-952.

3. 2ала;улл: ß .,В., Даценки Л.Й., Хрупа ß.I-1., OcHia-uCKia. 'ЛХ., Ккспл леллй j:.H. , Кла.^ько в.п., Осадили г..в. i.' i опросу а > *;итшю-дп;}р,.и;т^.:е':рлчеекпх пс^лег.асаплял хаотически распределенных дне-лог&цьГ. ь манекрпсталлах. // галла,!ьзика. - 1923. - Т. о, 6. -

■ С.'/-15.

4. Хрупа Б Л!., Даценко JI.JJ., Оааудк.я П.В. Влияние дислокглп;й на интегральные интепс:ллл<ети л^уо-лду; агкроьаплых пучков н случае пролеыуточл^гх ъолцхн кристаллов // 21л. - 1983. - Т.23, 2 С.

- С.944-945.

5. Хрупа В.П., Кпслоаскпй 2.11., Даценко Л.II. Определение локальных деформаций в реальнлаупруго лзои;утыл монокристаллах // Заводская лаборатория. - 1933. - Т.19, Г 6. - С.59-61.

6. Даценко Л.П., Ку/ытаб Т.Г., Кисловский 2.П.. Хрупа З.П. Оксдрссснсо изучение структурной од поре, ¡.нести ьгдюгх-пстчдлич'ос-кпх пластин // Заводская „viö'op .-!&;•,>-.. У.М. -- '¿'.¿О, 2 5. -С.Зо-оЛ.

7. Ыолодкин В.В., ¡¡накопи 2.2;, Хр„л.а В.П., (ал у ал од tl.il., Осплоискпй Ы.Е., Даценко Д.П. Интегральные херак'идплтлкп cipyr-турного еоверыснстса декорированных иодью бездкелеллауаалныа ri'XO'iu-л л ев кремния // У22. - 1984. - 1.29, 2 1U. - 0.15:2-1531.

0. Дацонке Л.1!., Клад: ко В,II., Кксиоаекпл E.H., Х^упа В.И. Рассеяние рентх'еновекпх луч;.« с длинами палы вблизи K-iy. ая погло-дения в »tu:nix монокристаллах йшар.кк полупрог.одни; чп // Крпста-ллогщля. - 1984. - Т.28, 23. - 0.1229-1370.

9. Когут II.В., Хрупа В.П., lij окип-ньч. 22-., Ддцанк., j;,I2 Влияние дефектов, возникалцих r.j.i: лбразпелаЗ -»б- мч« aoi-aaxL-en., на рассеяние ронтген^зских лучей уоьпык т:упсталаа:.:п в случае льуе-дкрракцпи // 2еталло(;папкл. - 1935. - Т27, 2 1. - 0.31-8-1.

10. Даценко Ji.И., Кисловский 2.И., Кры^таб Т.1., Ii] екопенла П.В., Хрупа В.2. Особенности лауа-дш; ракции ренп'01К.вс..ш; лучай в кристаллах с нарушенной абразивной обработкой папархпаегьы // Поверхность. - Физика, химия, механика, - 1935. - в.22 - С.6м -

- 73.

11. Даценяо Л.И., X] улж Е .1!., Крышгоб Т.Г., Кпеловск.чГ, З.П., Обнаружение усиления оффекта Бор:гзка в кристаллах с нзруяенной структурой псгсохиоо?)! // Ш..- 19СГ-. - Т.30, ГО. - C.II34-IJ04.

12. Дацгкко Л.П., Хрупа В.П., Кл>слг*ский Е.И., Николаев З.В. Особенносхи рассеяния рентгеновских лучей в переходной области толщин ртлънкх кристаллов // УТ. - Ц'ВБ. - Т.30, .'.7. - С. 1049 --

- 105.2.

13. Кисловский E.1I., Кр'-лтаб Т.Г., Хрупа Б.П., Дапенко Л.К. Рассзянис рентгеновских лучен елльпопогледляляжя монокристпллеми с нарушенной о тру :у, --.3 пгзорхности // ГетеллеТизкка. - IXG. -Т.8, :/3. - С. ЬЯ-'::.

14. ХрупаВ.!;.. яля лб Т.Г., Кисловский Е.Н. Спрпделг>ии-интегральных характеристик структурного еоверзонстпа галчог: истзл-лоа полупроводников // Заводская лаборатория. - 19Гб. - T.ÍVJ, .'. ir.

- С.46-47.

15. Крыжтаб Т.Г., Хрупа В.П., Даценхо Л.И. Л.луэ-диТnai-цыя рентгеновских лучей в сильнопоглощп'оцпх монокристаллах // У Т. 1 1Ы35. - Т.31, .71?.. - С Л 845-1849.

15. Дгцепко Л.И,, ХрупаВ.]!., Скороход М.Л., Николаев я .П. Ссобснностп лауо-дпфрз1:ции рентгеновских лучей в тонких кристаллах кремния, содержащих ростовые и декорированные дислокации // У<Ж. - 1937, - Т.32, 1. - С.97-102.

17. Дацонко Л.Й., Хрупа В.И., Скороход я.Я., Николаев В.В., Осянозснпй 11.5., Олихсвский С.И. Лауэ-дифрпкция рентгеновских лучей я тонком кристалле с анизотропными искажениями кристаллической розетки // Металлофизика. - iju7. - Т.9. У I, - C.65-7I.

18. Даценко Л.я.,Ооновский M.S., Хрупа В.П., Кры?лтяб Т.Г., Николаев З.В., Скороход Г..Я, Особенности ляуг-дифракции г, моно-крисмллах, (я.доплгщкх per геаке и декорирсвенные дислокация // Металлофизика. ÍÍ37. - Т.9, 5 2. - З.ТС-Е* .

19. КисаояокяГ! ЕЛ1., Хрупа Б,II. Чвразруоэоцщй контроль -трут дурней однородности кпкокристаллических материалов // Гжспс-электроника. - 1937. - Сер. 3, в.З. - С.64-65.

20. Даценко л .Р.. 1Срыптзб Т.Р., Кисяозскпя Е.Н., Хрупа 3.!!. Особенности зфл ястя ¿сг.нана з кристаллах Si с сильно ппругеннол поверхность:-) // У2С. - 1963. - Т.33, - С.757-772.

21. Горло II.л., Хрупа В.Й., Кяадько В.П., Кисловский З.Н., '.'йрнг'О! Б .11. Ряллгг-як вегя'о гссясдсванкя структурной едяородн -стя кркстоллея Cafe //Снводскяк лаборатория.-1933.- Т.54 ,.'."8. -С. 0*7 .

22. Дацепко Л.И., Хрупг В.íí., Скороход í.í.h. Рситговсзская нлосковолнс.вая телограбия еллбсиоглол.'-л.лцнх кристаллов в проходящем п отра'-коппо;.; пучках // Кристаллографил. - 1953. - т.33, Г1 I. -С.234-235.

23. Николаев В.В., Хрупа В,П., Даценко Л.П., Скороход tú.Я. Распределение интенсивности лауо-ди'Тр.агировапчегл пучков в тонких реальных плпетс.ллах ¿¡I // УЮ. - 1988.-'.' 10. - С .Хае,ó-1072,

24. Д-цепко Л.И., Николаев В.В., Хрупа В.П. Л.1уо-дкОгакция рентгеновских лучей в тонких кристалах с сильно пару ¡ле;.л: зли поверхностный // ¿'£2. - 1969. -Т.34, 2 3. - С.468-474.

25. Николаев В.В., Олиховский С.П., Осинсвскии U.E., Хрупа

В .П. Интегральная отражательная способность тонких реальных монокристаллов // йета.ллоёпзлка. - 1969. - T.II, 2 2. - С.02-56.

20. Николаев В.В., Хрупа В.П., Скороход 1.1.Я., Григорьев Д.О. Влияние поверхностны:? нарушений структуры на отража&цую способность топких кристаллов // Металлофизика. - I960. - Т. II, I,- 2. - С.68-73.

27. Оснповскпй М.Е., Хрупа В.Я., Николаев Б,В., Скороход ¡í.fi. Рептгоподк;рракциз;шпп апзлиз структурного соверленства слабой5г-делулолуе; бездислокационнлгх кристаллов // Металлофизика. - I960, -Т.II, 3. - С.62-57.

26. Хрупа 0 21., 1{лады:о В.П., Кпел^вспил L.H., 1оллл Л.В. Контроль толщины насуленного слоя в структурно-;лллд:з; здллз-с ¡.а.е-кристаллах // заводская лаборатория. - I960. - Т. Со, л ,4. - C.6I--04.

20. Келллаб 0.1л, Хрупа Ь.л. нллопралтнлз .;a¡ ак :..рист пли слр „чз,у; п.лч; с^зе1 зл-нстьа !1..'Лулр.л.одл;:ковпл азлел^пе . сл.леа // Квааиззл. -л,;ка. - Ь.'пои. - 1909. - з.ЗО. - O.oi-a/.

00. Хрупа В.Р., р/л'епко 0.0. , Плзолаоз В.В.. Ска. зход ¡.'..О,, Гранту; ев Д.О. Влпаппе долезла различна!; ¡¡рирч-Тл за олззлзал.ль-нуа способность слабо поил л.;:л.л;лх крисл;лл.л; л: и азу;¡резании порядка лауз-дл;; аклии // УбО, - 19.33. - Т.2-Р 1!. - 0.17о2-л 70е.

Л : . д. Л: . Л. j: .0. J вас и .луз о.Л. г • : I.. б 22 . ' .'133! 0.: . .о Л i-Л з.з i алтее., verane пзлучз.пз: лз ¿р,лз,.з:ло р .¡.и.:, з;з,ол. ал-ео а-.лз улт . ¡ з ...¡уко;.: // 2_ .л.лло ¡ пзпко - j Об.., . '; ,; Д 2í. -Г Г : ■1

. 0;.ло,ллз:л е..;;., У; ул. 0,2:. Í, лизлле'л уз'лз..' : : езл о ..а'.: . 3,3; леи л:' уз- .:,; у; зз; л: р: ., Л" л л U'ora кзл,/з ч.з. а ¡ш ееас-■i..".; -v..-.пр. галлзз // : зле.л .1Сл 2 , , л ч .зз. - .О О ■ Т.!:..,

-.J";;. - 0.51-;;:;.

.¡o. arava V.i., rtlTcolmv 'J.':., •Skr.rokJjcd ;.!.i'e. 0,i th:t tr\-••:-.lti:r.< \-<s twif. 5;,lip-si«'al -ad '•.'.n<-T..iticrl "-ray diffraction ia thin cry -i tit In Ui ran-lc;?tj' diiitrC.-ulod >iLi7 «K/iiloss // PV'7'i. Stat. Sol. A. ~ rpy;. - 7.11 Gif 2. - P, B'l-uyty.

34. /yi;o>r;u ji.i;., x'ivai'- 3.4., 3i!ti;h 4.P. ( Tpo;;;ato-t cho-ccOHocTb hhux panav;;a-: crae] xcir;;;; ;; ¡:{

,;;03 iifa i;po:.:: :-:y to^hix ypoetjxx norao'yHHH po:.; '-.hcocx'tc -ly;,,:; //

ysx. - tew. - t.35, - c,ii9i-.-/.<j.

35. Xpyna 0.1'., .ViiiKu 4.P. K ocy c ox;'.;;;;:;: .y.i&rrvc'y:— Ha ;mT3iiCi'B«0CTf> i :ttc-.'.{cncKrcc Ai:Jpa;;n;!CH!:!ac pcJ.;3K«cn /./ i't-T...»-flofnoi'K.a. - 1990,- '..TK; .'.') /. - C.30-P4.

33. Xpyno B.P. Vzwrns y.'ibTpaonyxcciri « oipyayy-

Phhx flrlcKTon na KHTCKCirBHOCTb 5prrcrcic::x piiiTrcao^F|puKiii:c!'ia'.i pfijviCKSCD DVCOK5IX HOp.priKCB // . - 1990. - 1.12, !" 5-

- C.4P-5-L

Si'. Xpyna B.H., Sktkh M.F., flutf-rao JE.if. Bji/'-hx.? c?pyc;yy- " xyqexrcB na poHrrtiioaKycTsnfCCKitft ps3o;raHC a Kp::cTaj:.;;nx KpCfHno! // y- 1920. - 1.35, !■? 9. - C.I379 - 1381.

33. Xpyna B.iJ. C'TpaxaTejBHM anccmlaccib Kpnc-ranxa c Kipj Hen Bxo#HO>i acoaprnccTto npn AxJpaKLiUh peHTreHOBcxux .ly.'e;; r ]■<>-~t!KO ooileicTa Eop.vaua // yrd. - 1990. - T.35, 9. - C.I37I-J373.

39. En tin r.H. t Klirupa V.I., Oaisenko L.I. Brjgg and diffusa crw:pr-n.<?nt3 of X-ray reflection mansursd usinri; acoustic excitation of Si crystal -.vith oxide prccipitatag //' J". A-ppl.

cry:?tallsgr. - 1990, _ V. 23, K5„ - v. 555-353.

10. Xpyna D.'-h, rpxrcpbOB /1.0., ^aiscnxo Jl.iL Tcbkctwcu. hh-TorpajiBKort OTpaxaToaBHcii c-/oe>o<jHocTH HocouopacHHuK KpHCTa.T.Ton nasi-TJX Towtu't or nopazin /ni.^KiMfyoKoti .iny!vv-t;;{iraKi;j:n // yiH. -- '390, - T.35, 9. - C.Tj93-I398.

••* i.. rchrutti V.I,, Orirr.rov ¡i.O., fiitolao? V.V., 3stnanko 5 . I. , volo.ikia V. 3. Influence of dnfcctn ca the thicknesn dopan-

aca of in loyal r<? inactivity of diaiocation-frs» 3i licwti cry-•itul? // pby.-:. ry.at. Sol. A. - •"990. - V.12-1, N1. - P. 11-50.

4a, En tin .t,, ii'irupn ilighly precise atructuro factor T.e».wrf»n"t!t by virtus of acoustic excitation // Acta eryatallow. - - v.'if., - P.

43. Хрупа В.П. Д;;фра:л-оы.->ар1р;йск»:11 анализ дцс.'сиац'леыт кристаллов // 3uv одевая лаОсраторил. - 19Л. - Т.07, Р 2, -

К ьопросу увеякчвшх в госастркв Лауо отра::;а:с:;ол сп:ео;,лости толстого кристалла с нарушенной абраокзпой обреботхай входной поьерхнсстл.о ii !Леерхность. Ькзпке, л: .. ., ы е.а,,е" а. - ЛЛ. --- ь .5, - С Л 51-1 Л.

4G. Хрупа B.L., Эктиа П.Р. Слияние ульераз?уко£Ы" : о,.ебанин ..■л прост -анствелну.а огрукзуру стопленного рентной: вохеео [¡утка Металлофизика. - 19Л. - 1ЛЗ, Г. I. - 0Л.ЛЛ24.

40, Хру.а В.И., Потросян 0.3., Лили; Н.Р., доце.чко ¿.П., Начулин b.v. льуз-;;.:фр."н:цпл на акусп!чес»ш возСуздь-ц.аж крхстел-лах Kpe:.uiiTi, с:>де.г.г.*а,П'-; дислокации // У.: !. - 1001. - ?.2о, У. О С.421-425.

47. Хрупа В.П., Sh'i'iih К.Р. Ендел-.-Нне диффузной компоненты рассеянна ре.чтгенозеккх лучел, 0ci!cn:«i::cw на анализе пространственной структуры отралсснлою пучка // ;,; етлелоЛ;зкка. - Ю'Л. •• T.I3, .0 3. - С.117-125.

48. Khrupu V.I., Satis. I.E., IV. U. or. ¿о L.X. ;.Ъс: i tr;.»sitic.. of dynaEic;).l cuss o£ X-ray t.'ii i: lo.i to eiie,: t Leal cac in perfect and rticl cil icon с г;,'к tula cirjt-rtasl l>y n'letr // Fny,-.

btat. Sol. A. -• 1991. - V. 1Л5, i,:.1, -

49. Xpynab.il., Энтпн И.P. Илыни« структурных. искренне

на пространственное распределение интенсивности дифрагирован л его пучка в условклх рентгеноакустнчезкого резонанса // ЛТ. - [УЛ. - Т.33, v 0. - С.1621-1025,

сО. Xpynari.il. Ронтг'-новсппя динвелчоскед /ые доцин па кристаллах, содерладпх статические к акуатечеенне :1с:л.елн:л структуры (обзор) // '.'.егаллефкзнка. - 1001. - Т.13, 0, - C.4V-V7.

51. Хрупа В.¡¡., Энтпн i'.P.,, Деде.нее ji.I:. Реализация lit,-;!

да от динаничееконо к кинематическому ролклу д:..г;,акцеп рон.че.1.:. еккх лучей в геометрии Брэггь на кристалле к; : мнил, псеаеаеклл.: ультразвуке;,: // ЛВЬ. - 1901. - Т.61, ).- 0. - ОЛОО-ЛЛ.

52. En tin I.E., Ehrupa V.I. Spatial intensitj prufilo of £-ray bean reflected хгез! nearly perfect tiilicea nr.d di-fi'uar, ucbttoTing ceasurcnmat // J. Appi. crjntallofre. - 109''. - \'.2!',, H 'i-. - P. 405-4,04.

С. 41-43.

44. Дацеьло Л .И. г Скороход?.!.Я., Хруаа Б,Г.., Г.-торш. Д.0.