Динамическая теория рассеяния излучений кристаллами с макроскопически однородно распределенными дефектами произвольного типа тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение .б

ГЛАВА I. ДИНАМИЧЕСКАЯ TEOFWfl РАССЕЯНИЯ ИЗЛУЧЕНИЙ

РЕАЛЬНЫМИ МОНОКРИСТАЛЛАМИ (ОБЗОР)

1.1. Общие замечения.

1.2. Когерентное рассеяние в идеальных кристаллах

1.2.1. Маятниковые полосы

1.2.2. Эффект аномального прохождения излу -чений.

1.3. Динамическая теория рассеяния искаженными кристаллами.

1.3.1. Влияние тепловых колебаний атомов и слабых статических искажений на основные когерентные эффекты динамической теории.

1.3.2. Теория контраста отдельных дефектов

1.3.3. Динамическая теория диффузного рассеяния

1.3.4. Трехкристальная рентгеновская дифрак-тометрия.

1.3.5. Интегральная отражательная способность кристалла.

1.4. Квантовая теория каналнрования быстрых заряженных частиц в монокристаллах как многоволновой случай динамической теории рассеяния

1.5. Выводы.

ГЛАВА 2. ДИНАМИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ КОГЕРЕНТНОГО РАССЕЯНИЯ

ИЗЛУЧЕНИЙ КРИСТАЛЛАМИ, СОДЕРЖАЩИМИ МАКРО

СКОПИЧЕСКИ ОДНОРОДНО РАСПРЕДЕЛЕННЫЕ ДЕФЕКТЫ

ПРОИЗВОЛЬНОГО ТИПА.

2.1. Метод выделения сильных волн.

2.1.1. Одноволновой случай

2.1.2. Двухволновой случай

2.2. Классификация дефектов кристалла по их влиянию на картину рассеяния в динамической теории (особенности влияния на форму линии)

2.2.1. Дефекты первого класса

2.2.2. Дефекты второго класса

2.3. Влияние дефектов разного типа на когерентные эффекты аномального прохождения и маятниковых полос

2.3.1. Рассеяние электронов и рентгеновских лучей в идеальных твердых растворах и упорядочивающихся сплавах

2.3.2. Особенности динамической дифракции медленных нейтронов в упорядочивающихся системах.

2.4. Выводы. ИЗ

ГЛАВА 3. ДИНАМИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ ДИФФУЗНОГО РАССЕЯНИЯ В

КРИСТАЛЛАХ С ОДНОРОДНО РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ДЕФЕКТАМИ ПРОИЗВОЛЬНОГО ТИПА.

3.1. Общие выражения для интенсивности диффузного рассеяния при динамической дифракции

3.1 Л. Случай дифракции по Лауэ.

3.1.2. Случай дифракции по Брэггу.

3.2. Качественные особенности влияния дефектов различного класса на картину диффузного рассеяния в динамической теории

3.3. Эффект аномального прохождения диффузно рассеянных лучей

3.4. Изодиффузные линии и профили интенсивности

3.4.1. Случай дифракции по Лауэ.

3.4.2. Случай дифракции по Брэггу.

3.5. Картины Кикучи для упругого диффузного рассеяния.

3.6. Трехкристальная рентгеновская дифрактомет-рия монокристаллов с однородно распреде -ленными дефектами.

3.7. Выводы

ГЛАВА 4. ПОЛНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ ИНТЕНСИВНОСТЬ РАССЕЯНИЯ

В МОНОКРИСТАЛЛАХ С ДЕФЕКТАМИ.

4.1. Вывод основных выражений в общем случае дефектов произвольного типа

4.1 Л. Полная интегральная интенсивность рассеяния в монокристаллах произвольных толщин.

4.1.2. Предельные случаи тонкого и толстого кристаллов

4.2. Эффект определяющего вклада диффузной составляющей полной интегральной интенсивности рассеяния в монокристаллах

4.2.1. Макроскопически однородно распределенные дефекты кулоновского типа

4.2.2. Однородно распределенные дислокации

4.3. Выводы.

ГЛАВА 5. КВАНТОВАЯ ТЕОРИЯ КАНАЛИРОВАНИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ

ЧАСТИЦ В МОНОКРИСТАЛЛАХ С МАКРОСКОПИЧЕСКИ

ОДНОРОДНО РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ДЕЯНТАМИ.

5.1. Основы рассмотрения в рамках динамической теории рассеяния задачи каналирования в кристаллах с дефектами

5.1.1. Вывод и обоснование эффективного потенциала

5.1.2. Решение граничной задачи каналирования

5.1.3. Оценки и критерии применимости метода выделения когерентной части рассеяния

5.2. Особенности плоскостного каналирования, обусловленные наличием сложного базиса в монокристаллах.

5.2.1. Расчет эффективного потенциала

5.2.2. Ориентационные эффекты.

5.2.2.1. Бинарная модель типа Кронига-Пенни

5.2.2.2. Бинарная модель типа Пешля -Теллера.

5.3. Влияние дефектов различного типа на осо -бенности ориентационных зависимостей вторичных процессов при каналировании

5.3.1. Точечные дефекты (примеси внедрения и замещения)

5.3.2. Включения и дислокационные петли

5.4. Выводы.

ЗАКЛШЕНИЕ

Одной из важнейших проблем, составляющих основу научно-технического прогресса, является создание материалов с оптимальным (для кавдой сферы их применения) комплексом физических свойств. Решение этой задачи основано на установлении связи между структурой и свойствами кристаллических материалов. Поэтому разработка физических методов исследования совершенства структуры кристаллов является одной из актуальных задач физики твердого тела. Наиболее информативными методами исследования структуры материалов являются дифракционные методы. Важное место среди них занимают прямые методы наблюдения отдельных дефектов. Однако проявляемые макроскопические свойства кристаллов определяются усредненными (статистическими) характеристиками их строения, которые трудно извлекать из результатов, полученных прямыми методами. Кроме того, прямые методы из-за имеющихся пределов их чувствительности оказываются ограниченными возможным наблюдением дефектов только достаточно больших размеров. А наибольший научный и практический интерес для физики прочности и пластичности, физики радиационных повревдений, полупроводникового материаловедения, микроэлектроники и других областей физики твердого тела и новой техники представляют сведения о структуре и макроскопических характеристиках малых кластеров дефектов (на ранних стадиях их образования).

Поэтому особое значение имеют чувствительные и в таких случаях дифракционные методы исследования дефектов структуры кристаллов, основанные на изучении особенностей расцределения интенсивности рассеянного излучения в пространстве обратной решетки, не зависящих от конкретной конфигурации случайного расположения дефектов в кристалле, а определяющихся макроскопическими характеристиками их однородного распределения. Теоретической основой црименения этих методов для исследования поликристаллов и сильно искаженных монокристаллов является кинематическая теория рассеяния излучений. Однако кинематическая теория не описывает картину рассеяния почти совершенными монокристаллами, так как не учитывает существенные в этих случаях процессы многократного рассеяния и сложного интерференционного взаимодействия волн, приводящие к появлению когерентных эффектов динамической теории рассеяния идеальными кристаллами (маятниковые полосы, аномальное прохождение излучения, линии Кику-чи и др.), и следовательно, не может быть положена в основу создания методов изучения характеристик дефектов в таких кристаллах. В то же время все возрастает применение в самых различных областях техники именно таких монокристаллических материалов с все более совершенной структурой, чему способствует достигнутый прогресс в области их изготовления, а также в создании современной экспериментальной базы для развития методов исследования структуры таких монокристаллов и в результате управления их свойствами.

По этой причине приобретает большое значение и становится необходимым создание теоретической основы развития количественных дифракционных методов, применимых для исследования структуры достаточно совершенных монокристаллов, т.е. построение динамической теории рассеяния, которая бы позволила строго описать особенности влияния макроскопически однородно распределенных дефектов различного типа на картину рассеяния и, в частности, на основные когерентные эффекты динамической дифракции, весьма чувствительные к нарушениям периодичности в реальных монокристаллах и поэтому широко использующиеся при экспериментальном изучении дефектов. Таким образом, изложенное выше позволяет заключить, что настоящая диссертационная работа посвящена актуальной проблеме.

Цель работы

Целью настоящей диссертационной работы являются теоретическое описание влияния макроскопически однородно распределенных дефектов любого класса на формирование дифракционной картины когерентного и некогерентного рассеяния в реальных монокристаллах и установление строгих количественных соотношений между характеристиками дефектов и экспериментально измеряемыми параметрами, характеризующими как особенности распределения интенсивности рассеяния в пространстве обратной решетки, так и толщиннуго и угловую зависимости интенсивности рассеянного излучения, а также вторичных процессов, сопутствующих каналированию быстрых заряженных частиц в таких кристаллах, и таким образом, работа посвящена созданию теоретической основы раз -вития современных экспериментальных методов прецизионных количест -венных исследований характеристик дефектов в монокристаллах на базе использования когерентных динамических дифракционных эффектов.

Научная новизна

В диссертации впервые получены автором следующие основные результаты.

Построена динамическая теория рассеяния рентгеновских лучей, нейтронов и электронов в монокристаллах с макроскопически однородно распределенными дефектами произвольного типа, учитывающая брэггов -ское и диффузное рассеяние, но не ограниченная, как ранее, случаем слабых искажений.

На ее основе обобщена проведенная Кривоглазом в рамках кинема -тического рассмотрения классификация дефектов по их влиянию на картину дифракции излучений на случай динамического рассеяния.

Предсказан и теоретически описан ряд новых механизмов и физических особенностей проявления динамических эффектов в реальных кристаллах и упорядочивающихся сплавах.

Установлены конкретные количественные зависимости экспериментально измеряемых параметров когерентных эффектов Бормана, маятниковых полос, особенностей скачков интегральных интенсивностей вблизи краев поглощения и др. от характеристик дефектов в монокристаллах с учетом неаддитивности влияния различного типа искажений и отклонения распределения статических смещений атомов от гауссов -ского.

Определена интенсивность и проведен анализ динамических эффектов диффузного рассеяния излучений монокристаллами с макроскопи -чески однородно распределенными дефектами произвольного типа.

На базе построенной теории создана основа количественных ис -следований реальной дефектной структуры таких монокристаллов методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии.

Впервые найдена полная интегральная интенсивность динамического рассеяния излучений в монокристаллах с макроскопически однородно распределенными дефектами, содержащая как брэгговскуго, так и диффузную составляющие, и на этой основе дано строгое количественное описание параметров толщинных зависимостей полных интегральных отражательных способностей реальных монокристаллов и установлена их связь с характеристиками дефектов.

На основе развитого метода выделения сильных волн построена квантовая теория каналирования быстрых заряженных частиц в моно -кристаллах с макроскопически однородно распределенными дефектами произвольного типа.

Предсказан и количественно описан ряд новых физических эффектов и особенностей плоскостного каналирования и сопутствующих яв -лений в монокристаллах многокомпонентных систем со сложным базисом и установлена взаимосвязь величин, регистрируемых в экспериментах по каналированию, с параметрами многокомпонентных систем и харак -теристиками содержащихся в них дефектов различного типа.

В диссертации сформулированы и обоснованы научные положения и выводы, совокупность которых можно квалифицировать как новое пер -спективное направление в области физики твердого тела - когерент -ные эффекты динамической дифракции и плоскостного каналирования в монокристаллах с макроскопически однородно распределенными дефек -тами произвольного типа.

Основные положения, выносимые на защиту

1. При рассеянии излучений в монокристаллах с макроскопически однородно распределенными дефектами первого и достаточно малой концентрацией второго классов из-за эффективной некогерентности щю -цессов диффузного рассеяния могут сохраняться, как и в идеальных и слабо искаженных кристаллах, сильные когерентные волновые поля, которые оказываются, однако, существенно зависящими от характеристик дефектов разного типа.

2. Для дефектов первого класса в случае динамической дифракции ситуация коренным образом отличается от существующей при кинемати -ческом рассмотрении, и диффузная составляющая интенсивности рассеяния может стать основной с ростом толщины кристалла и степени его искажений и, в частности, давать огфеделяющий вклад в полную интегральную отражательную способность монокристаллов. При этом для диффузного рассеяния оказывается характерным эффект аномального щюховдения интенсивности.

3. При плоскостном каналировании в кристаллах с макроскопически однородно распределенными дефектами должны проявляться предсказанные, обоснованные и количественно описанные в рамках квантово-механического рассмотрения новые физические эффекты и особенности, связанные как с возможным наличием нескольких различных подрешеток в монокристаллах со сложным базисом (эффект расщепления предельного угла плоскостного каналирования, индуцированное каналирование и др.), так и со спецификой влияния дефектов разного типа (качественно различное влияние примесей внедрения и замещения, а также точечных дефектов и их кластеров и т.п.), аналогичные описанным ранее в рамках классических теорий главным образом в случае осевого канали-рования.

Практическая ценность

Установленные в работе конкретные количественные зависимости экспериментально измеряемых параметров (основных когерентных эффектов динамической дифракции, толщинной зависимости интегральной от -ражательной способности кристалла, профилей интенсивности в трех -кристальной рентгеновской дифрактометрии, толщинных и ориентацион -ных зависимостей интенсивности вторичных процессов при каналирова -нии) от характеристик макроскопически однородно распределенных де -фектов разного типа составляют теоретическую основу расширения ин -формативности существующих и создания новых методов прецизионного количественного исследования структурного совершенства монокристаллических материалов. Многие из перечисленных результатов получили экспериментальное подтверждение и нашли практическое применение.

Апробация работы

Материалы диссертации были доложены и обсувдались на следую -щих конференциях, совещаниях и семинарах:

1. 10-е Совещание по применению рентгеновских лучей к исследованию материалов, Москва, 1971.

2. 2-я Школа по физике радиационных повревдений и радиационному материаловедению, Алушта, 1979.

3. Всесоюзное совещание "Диагностика поверхности ионными пуч -ками", Донецк, 1980.

4. 5-й Семинар по дифракционным методам исследования искажен -ных структур, Иркутск, 1981.

5. II-е Всесоюзное совещание по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, 1981.

6. 3-я Школа по физике радиационных повреждений и радиационному материаловедению, Алушта, 1981.

7. 12-е Всесоюзное совещание по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, 1982.

8. 13-е Всесоюзное совещание по применению рентгеновских лучей к исследованию материалов, Черноголовка, 1982.

9. 2-е Всесоюзное совещание по методам и аппаратуре для исследования когерентного взаимодействия излучения с веществом, Ереван, 1982.

10. б-й Семинар по дифракционным методам исследования искаженных структур, Ленинград, 1982.

11. 1-й Республиканский семинар по изучению радиационных и технологических дефектов в полупроводниковых кристаллах дифракционными методами, Киев, 1982.

12. 13-е Всесоюзное совещание по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, 1983.

13. 10-я Бакурианская школа по радиационной физике металлов и сплавов, Бакуриани, 1983.

14. 3-й Всесоюзный семинар "Радиационные дефекты в сверхпроводниках", Бакуриани, 1984.

Публикации

По теме диссертационной работы вышло 40 публикаций автора. Основные результаты диссертации опубликованы в 20 работах, перечень которых приведен в конце диссертации.

Объем работы и ее структура

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения, изло

5.4. Выводы

В главе 5 на основе развитого метода выделения сильных волн построена квантовая теория каналирования быстрых заряженных частиц в монокристаллах с макроскопически однородно распределенными дефектами произвольного типа, которая обобщила результаты квантовоме -ханического рассмотрения каналирования в идеальных кристаллах,проведенного Каганом и Кононцом /280-28§7 с учетом тепловых колебаний. Показано, что в нулевом приближении теории возмущений по малому отношению потенциальной энергии взаимодействия быстрых заряженных частиц с кристаллом к их кинетической энергии задача сводится, к примеру, в случае плоскостного каналирования в кристаллах с дефектами, к решению одномерного уравнения Шредингера с эффективным потенциалом, зависящим от параметров искажений кристалла. Компоненты Фурье этого потенциала соответствуют узлам обратной решетки кристалла, расположенным на одной прямой, являющейся нормалью к семейству атомных плоскостей, вдоль которых происходит каналирование. Учтены поправки следующего порядка теории возмущений к приближению эффективного потенциала, из-за которых потенциал становится нелокальным и неэрмитовым и начинает зависеть от энергии частиц. Показано, что влияние этих поправок оказывается малым при достаточно большой энергии частиц. В результате установлены критерии применимости приближения эффективного потенциала.

Показано, что в рамках этого приближения проведенное обобще -ние теории, к примеру, в случае кристаллов с несколькими атомами разного сорта в элементарной ячейке и, в частности, упорядочиваю -щихс.я сплавов позволяет сделать вывод о наличии ряда новых интересных особенностей каналирования в таких системах.

Так, появление дальнего порядка в сплаве должно приводить к расщеплению предельного значения угла плоскостного каналирования , аналогичному эффекту теней и полутеней при осевом каналировании Г J. Такое расщепление максимально при полном порядке в сплаве. Наличие нескольких подрешеток в таких системах с различным значе -нием максимумов и минимумов эффективных потенциалов, усредненных по узлам в пределах каждой подрешетки, обуславливает возможность существования эффектов "индуцированного" каналирования и "наведенных" квантовых осцилляций плотности распределения частиц в таких системах. Эти эффекты проявляются, к примеру, в дополнительном (не при углах каналирования) подавлении выхода ядерных реакций и дру -гих неупругих процессов и проявлении их квантовых осцилляций на одной из подрешеток сплава за счет соответственно зависания частиц и квантовых осцилляций их плотности распределения над другой подрешеткой.

Предсказаны и количественно описаны также такие новые физические особенности эффекта плоскостного каналирования и сопутствую -щих явлений в монокристаллах многокомпонентных систем со сложным базисом, как существенное качественное влияние нескольких подрешеток на распределение каналированных частиц по импульсам и его изменение с глубиной; появление дополнительных максимумов в ориента-ционных и толщинных зависимостях выхода вторичных процессов и др.

Установлена связь наблюдаемых в эксперименте по плоскостному каналированию в реальных монокристаллах с несколькими атомами разного сорта в элементарной ячейке таких величин, как предельный угол плоскостного каналирования, минимальный относительный выход , периоды ориентационных и толщинных осцилляций, с характеристиками макроскопически однородно распределенных дефектов разного типа.

Показано качественно различное влияние примеси внедрения и замещения, а также существенное отличие влияния точечных дефектов и их кластеров.

Установлены конкретные зависимости этих величин от параметров дальнего порядка в сплавах, концентрации внедренных атомов, структуры сферических кластеров дефектов, их радиусов при постоянной плотности, эффективного радиуса и ориентации дислокационных петель, объемной доли дефектов и др.

На этой основе предложены использующие явление каналирования и, в частности, предсказанные в работе эффекты, новые методы экспериментального изучения реальной структуры монокристаллов, а также продемонстрированы возможности существенного расширения информативности уже широко применяющихся методик.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Проведено теоретическое рассмотрение динамического рассея -ния рентгеновских лучей, нейтронов и электронов в монокристаллах с макроскопически однородно распределенными дефектами произвльного класса, учитывающее как брэгговскую, так и диффузную составляющие дифрагированной интенсивности.

Указанное рассмотрение существенно основано на доказательстве того физического обстоятельства, что из-за случайного характера распределения дефектов диффузное рассеяние оказывается эффективно некогерентным (полностью или частично), и многократность его некогерентного рассеяния становится несущественной.

Последнее позволило динамическую теорию рассеяния излучений, созданную ранее для идеальных и слабо искаженных кристаллов, развить применительно к случаю монокристаллов с макроскопически однородно распределенными дефектами произвольного типа в тех эксперименталь -ных условиях, когда наблюдаемые величины не зависят от конкретных конфигураций случайного расположения дефектов в монокристаллах, а определяются усредненными характеристиками их макроскопически однородного распределения.

2. На основе развитой теории обобщена проведенная Кривоглазом в рамках кинематического рассмотрения классификация дефектов по их влиянию на картину дифракции излучений на случай динамического рассеяния, когда существенными становятся динамические когерентные эффекты и кинематическая теория неприменима.

Установлено появляющееся при этом изменение характера влияния различного типа дефектов на форму брэгговских линий. Показано, что в целом (за исключением случая малых концентраций дефектов второго класса по Кривоглазу) разделение дефектов на два класса сохраняется таким же, как и в кинематической теории. Однако даже для дефектов первого класса влияние на форму линии оказывается принципиально другим.

Кроме того, установлены особенности, связанные с появляющимся многообразием аспектов влияния искажений кристалла на чисто дина -мические (когерентные) эффекты, отсутствующие в кинематическом приближении. Показано, что эти эффекты сохраняются и в монокристаллах с макроскопически однородно распределенными дефектами первого класса и достаточно малыми концентрациями второго и вместе с тем проявляют особую чувствительность к искажениям решетки кристалла и поэтому могут служить основой современных прецизионных методов экспериментального исследования дефектов в монокристаллах.

3. Получены общие выражения для интенсивности диффузного рассеяния в монокристаллах с макроскопически однородно распределенными дефектами произвольного типа в случаях дифракции Лауэ и Брэгга, устанавливающие зависимости особенностей распределения интенсивности диффузного фона в пространстве обратной решетки от типа и характеристик дефектов разного класса.

Проанализирована структура полученных общих выражений и построены типичные характерные профили интенсивности диффузного фона и изодиффузные линии. Проведено их исследование в различных случаях дефектов.

Показана возможность существенного отклонения в количествен -ном и качественном отношениях характера распределения диффузного рассеяния монокристаллом с дефектами произвольного типа от предсказываемого кинематической теорией в непосредственной окрестности узлов обратной решетки, причем не только в областях порядка ширины брэгговских отражений, но и в областях, на порядок и более превы -шающих эти ширины.

4. Дана общая теория Кикучи - линий и полос, обусловленных когерентными эффектами динамической дифракции диффузных волн, возникающих из-за упругого некогерентного рассеяния на отклонениях от идеальной периодичности в кристаллах.

5. Предсказан (и уже получил экспериментальные подтверждения) эффект аномального прохождения диффузного излучения.

6. Проведенное теоретическое рассмотрение, учитывающее брэг -говское и диффузное рассеяние, положено в основу создания нового метода количественного исследования реальной дефектной структуры монокристаллов на базе трехкристальной рентгеновской дифрактометрии (ТРД). Предложена процедура сопоставления измеряемых и рассчитанных в рамках построенной теории профилей ТРД, которая в принципе дает возможность получать надежную количественную информацию о характе -ристиках дефектов монокристаллов.

7. Найдена полная интегральная интенсивность динамического рассеяния излучений в монокристаллах с макроскопически однородно распределенными дефектами, содержащая как брэгговскую, так и диф -фузную составляющие.

Показано, что в отличие от кинематической теории рассеяния, где относительный вклад диффузного рассеяния в полную интегральную

2М интенсивность^не, зависит от толщины кристалла и равен )/ в (в - обощенный статический фактор Дебая-Валлера), т.е. зависит только от степени искажений и пренебрежимо мал для дефек -тов первого класса в предельном случае в условиях динамической дифракции ситуация коренным образом изменяется. Вклад диффузного рассеяния становится все более значительным с ростом толщины кристалла и даже может быть основным при толщинах много больших длины экстинкции, если вызванные дефектами первого класса искажения не слишком слабы (ICT^M^I), т.е. дефекты первого класса в этом случае эффективно становятся дефектами второго класса.

Построенная динамическая теория толщинных зависимостей полных интегральных отражательных способностей реальных монокристаллов позволила устранить имеющиеся противоречия между экспериментальными результатами и существовавшими ранее теориями, учитывающими только брэгговскую часть рассеянного излучения, и дала строгое количест венное описание параметров указанных толщинных зависимостей и их связи с характеристиками дефектов.

8. На основе развитого метода выделения сильных волн построена квантовая теория каналирования быстрых заряженных частиц в монокристаллах с макроскопически однородно распределенными дефектами произвольного типа.

Предсказан и количественно описан ряд новых физических особенностей эффекта плоскостного каналирования и сопутствующих явлений в монокристаллах многокомпонентных систем со сложным базисом. Это эффекты расщепления предельного угла плоскостного каналирования; индуцированного каналирования и наведенных осцилляций плотности вероятности распределения частиц и, следовательно, выхода вторичных процессов; существенного качестввенного влияния наличия нескольких подрешеток на распределение каналированных частиц по импульсам и его изменение с глубиной; появления дополнительных максимумов в ориентационных и толщинных зависимостях выхода вторичных процессов и др.

Установлена количественная взаимосвязь величин, регистрируе -мых в экспериментах по каналированию, с параметрами многокомпонентных систем и характеристиками дефектов различного типа. На этой основе предложены новые методы экспериментального изучения реаль -ной структуры монокристаллов, а также продемонстрированы возможности существенного расширения информативности уже широко применяю -щихся методик.

1. Джеймс Р. Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей. -М.: Изд-во иностр. лит., 1950. - 572 с.

2. Гинье А. Рентгенография кристаллов. М.: Физматгиз, 1961. -604 с.

3. Кривоглаз М.А. Теория рассеяния рентгеновских лучей и тепловых нейтронов реальными кристаллами. М.: Наука, 1967,- 336 с.

4. Иверонова В.И., Ревкевич Г.П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. М.: Изд-во МГУ, 1978. - 277 с.

5. Каули Дж. Физика дифракции. М.: Мир, 1979. - 431 с.

6. Кривоглаз М.А. Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах. Киев: Наук, думка, 1983. - 408 с.

7. Пинскер З.Г. Дифракция электронов. М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1949. - 404 с.

8. Электронная микроскопия тонких кристаллов /П.Хирш, А.Хови, Р. Николсон и др. М.: Мир, 1968. - 576 с.

9. Dederichs Р.Н. The theory of diffuse X-ray scattering and its application to study of point defects and their clus -ters. J. Phys. F: Metal Phys.; 1975, 5» N 2, p. 471-496.

10. Кривоглаз М.А. Применение рассеяния рентгеновских лучей и тепловых нейтронов для исследования несовершенств в кристаллах. -В кн.: Металлы, электроны, решетка. Киев: Наук, думка, 1975 , с. 355-386.

11. Рябошапка К.П. Кинематическая теория рассеяния рентгеновских лучей в твердых телах, содержащих различные дислокационныеструктуры.: Автореф. дис---- докт. физ.-мат. наук. Киев:1981.- 28 с.

12. Мартыненко О.В. Теория рассеяния рентгеновских лучей кристаллами, содержащими дислокационные структуры с корреляцией : Ав-тореф. дис канд. физ.-мат. наук. Киев, 1981. - 16 с.

13. Ehrhart P., Trinkaus Н., Larson B.C. Diffuse scattering from dislocation loops. Phys. Rev. B, 1982, 2£, p. 834 - 848.

14. Darwin C.G. Philosophical Magazine, 1914, 27, 315, 675.

15. Ewald P.P. Zur Begrundung der Kristalloptik. Teil 3. Ann. Phys., 1917» vol. j?4, N 23, p. 519 - 556."

16. Laue M. Ergebnisse der Exakten Naturwissenschaften, vol.10.-Berlin: Julius Springer, 1951. P« 153 - 158.

17. Bethe H. Theorie der Beugung von Elektronen an Kristallen. -Ann. d. Phys., 1928, 8£, N 1, s. 55 129.

18. Zachariasen W.H. Theory of X-ray diffraction in crystals . -New York: Wiley, 1945. 255 Р»19. laue M. Rontgenstrahlinterferenzen. Leipzig: Akad. Verl., 1946. - 410 S.

19. James R.W. The dynamical theory of X-ray diffraction. Solid State Phys. , 1963, 15, P- 55 - 222.

20. Batterman B.W., Cole H. Dynamical diffraction of X-rays by perfect crystals. Rev. Mod. Phys., 1964, £6, N 3, p. 681717.

21. Эвальд П. Кристаллооптика видимого света и рентгеновских лучей. УФН, 1966, 89, № 2, с. 287-304.

22. Humphreys C.J. The scattering of fast electrons by crys tals. Rep. Prog. Phys., 1979, 42» N11, p. 1825 - 1887.

23. Sears V.P. Dynamical theory of neutron diffraction. Can. J. Phys., 1978, £6, N 10, p. 1261 - 1277.

24. Пинскер З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. M.: Наука,1982.-392 с.

25. Kato N. Spherical wave theory of dynamical X-ray diffrac -tion for absorbing perfect crystals. I. The crystal wave fields. - J. Appl. Phys., 1968, N 5, p. 2225 - 2250.

26. Kato Б. Spherical wave theory of dynamical X-ray diffraction for absorbing perfect crystals. II. Integrated reflec -tion power. J.Appl. Phys., 1968, 22» N 5» p. 2231 - 2237.

27. Влияние давления и температуры на период маятниковых полос / Н.Д.Раранский, Г.С.Бояджан. В кн.: Тез. ХШ-го Всесоюз. совещ. по применению рентгеновских лучей к исследованию материалов. Черноголовка, 1982, с.181.

28. Олехнович Н.М., Карней А.Л., Олехнович А.И. Соотношение интен-сивностей диффузного и когерентного рассеяния рентгеновских лучей для монокристаллов кремния с дефектами кластерного типа.-Металлофизика, 1984, 6, №5, с. 46-50.

29. Borrmann G., Hildebrandt G. Rontgen-Wellenfenlder in grossen Kalkspatkristalien und die Wirkung einer Deformation. Z. Naturforsch., 1956, 11a, N 7, S. 585 - 587.

30. Schurmann H.W. Zeitschrift fur Physik, 1966, 18£, p.67 78.

31. Афанасьев A.M., Кон В.Т. Динамическая теория рентгеновских лучей в кристаллах с дефектами. Препринт ИАЭ, М., 1969.- 36 с.

32. Takagi S. Dynamical Theory of Diffraction Applicable to Crystals with any Kind of Small Distortion. Acta cryst., 1962, vol. 15, N 12, p. 1311 - 1312.

33. Afanasev A.M., Kohn V.G. Dynamical Theory of X-Ray Diffraction in Crystals with Defects. Acta cryst., 1971, vol.A27, N 5, p. 421 - 430.

34. Kato N. A Theoretical Study of Rendellosung Fringes. Part I. General Considerations. Acta cryst., 1961, vol. 14,it 5, p. 526 532.

35. Инденбом.В.JI., Чуховский Ф.Н. Проблемы изображения в рентгеновской оптике. УФН, 1972, 107, №2, с. 229-265.

36. Петрашень П.В. Метод функций Грина в теории динамического рас -сеяния рентгеновских лучей в искаженных кристаллах: Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук. Москва, 1976. - 22 с.

37. Слободецкий И.М., Чуховский Ф.Н., Инденбом В.Л. Дифракция рентгеновских лучей в условиях пространственно-неоднородной динамической задачи. Письма в ЖЭТФ, 1968, т.8, в.2, с. 90-94.

38. Афанасьев A.M., Кон В.Г. Динамическая теория сферической рент -геновской волны. Общий формализм.- ФТТ, 1977, т.19, в.6, с, 1775 1783.

39. Аристов В.В., Афанасьев A.M., Кон В.Г., Половинкина В.И., Сни-гирев А.А. Динамическая дифракция сферической рентгеновской вол ны на двух совершенных кристаллах. Препринт, Черноголовка :1. ИФТТ АН СССР, 1983, 26 с.

40. Инденбом В.Л., Суворов Э.В., Слободецкий И.Ш. Дифракционная фокусировка рентгеновских лучей. ЖЭТФ, 1976, т.71, в.1, с. 359-369.

41. Batterman B«W. An effect dynamical diffraction in fluorescent X-ray scattering. -Appl.Phys.Lett.,1962, Л, p. 68-69.

42. Batterman B.W. Effect of dynamical diffraction in X-ray fluorescence scattering.- Phys. Rev. A, 1964, 133» N 3; P* 759 764.

43. Miyake S«, Hayakawa K., Miida R. Variation of emission yield of X-rays from crystals with diffraction conditions of exci -ting electrons. Acta Crystallogr. A, 1968, 24, N 1, p. 182191.

44. Annaka S« Direction dependence of the intensity anomaly of the X-ray thermal scattering accompanying the Bragg case reflection. J. Phys. Soc. Japan, 1968, 24, N6, p.1332-1337.

45. Batterman B.W. Detection of foreign atom by their X-ray fluorescence scattering. Phys. Rev. Lett., 1969, N22, к 14, p. 703 - 705.

46. Annaka S. Pine structures in intensity variations of X-ray fluorescence scattering and thermal diffuse scattering during the dynamical diffraction. J.Phys. Soc. Japan, 1971, 30; p, 1214 - 1215.

47. Щемелев B.H., Круглов M.B. Внешний фотоэффект из совершенных монокристаллов германия в условиях брэгговского (Ш)-отражения рентгеновских лучей. ФТТ, 1972, 14, с. 3556-3562.

48. Ефимов О.Н., Щемелев В.Н., Круглов М.В. Исследование монокристаллов с помощью внешнего фотоэффекта в условиях брэгговской дифракции. В кн.: Ученые записки Ленинградского государст -венного университета. - Л., 1974, № 370, с.83-90.

49. Golovchenko J.A., Batterman B.W., Brown W.Ii. Observation of interfaal X-ray wave fields during Bragg diffraction with an application to impurity lattice location. Phys. Eev. B, 1974, 10, N 10; p. 4239 - 4243.

50. Применение метода внешнего фотоэффекта в условиях брэгговского отражения для исследования структуры германия при механи -ческой обработке / М.В.Круглов, В.Н.Щемелев, Б.Г.Захаров, Е.

51. A.Созонтов. Электронная техника. Сер. 6. Материалы, 1975, вып. 10, с. 124 - 130.

52. Kikuta S.K., Takahashi Т., Tuzi Y. Variation of the yield of electron emission from a silicon single crystal with the diffraction condition of exiting X-rays. Phys. Lett. A, 1973, JO, p. 433 - 434.

53. Trucano P. Use of dynamical diffraction effects on X-ray to determine the polarity of GaP single crystals. Phys. Rev.

54. B, 1976, 12, p. 2524 2531.

55. Афанасьев A.M., Кон В.Г. Внешний фотоэффект при дифракции рентгеновских лучей в кристаллах с нарушенным поверхностным слоем. ЖЭТФ, 1978,74, вып.I, с. 300-313.

56. Исследование тонких кристаллических слоев полупроводниковых материалов /А.М.Афанасьев, Б'.Г.Захаров, P.M.Имамов и др. -Электрон, пром-сть, 1980, вып. И/12, с. 47-55.

57. Kohn V.G., Kovalchuk M.V. On the theory of external photoef -feet accompanying X-ray diffraction in an ideal crystal with disturbed surface layer. Phys. status solidi A, 1981, 64, p. 359 - 366.

58. Ewald P.P. Zur Begrundung der Kristalloptik. Teil 4. Z. Krist., 1937, vol. A97, N 1/2, 1-27.

59. Edward J.Saccocio, Alfred Zajac. On the proper modes of propagation of X-rays. Acta crystallog., 1965, 18, К 3, p.478-460*

60. Penning P., Polder D. Dynamical theory for simultaneous X-ray diffraction. Part I. Theorems concerning the n-beam case. -Philips. Res. Repts., 1968, 2^, N 1, p. 1-11.

61. Penning P. Dynamical theory for simultaneous X-ray diffraction. Part II. Application to the three-beam case. Philips. Res. Pepts., 1968, 23, N 1, p. 12-24.

62. Hildebrandt G.Rontgenwellenfelder in einem Dreistrahlfall.

63. Phys. status solidi, 1967, 24, N 1, p. 245 261.

64. Ewald P.P.; Heno Y. X-ray diffraction in the case of three strong rays. I. Crystal composed of non-absorbing point atoms. Acta crystallogr. A, 1968, 24, N1, p. 5 - 15.

65. Afanasev A.M., Kohn V.G., Borrmann Effect in the Three-Wave Case of X-Ray Diffraction. Phys. Stat. Sol. (a), 1975, vol. 28, N 1, p. 61-70.

66. Afanasev A.M., Kohn V.G. On the Theory of Simultaneous X-ray Diffraction. Acta cryst. - Acta cryst.; 1976, vol. A32, N2, p. 308 - ЗЮ.

67. Afanasev A.M., Kohn V.G. Symmetrical Cases of Simultaneous X-ray Diffraction and the Borrmann Effect. I. The Analysis of Photoelectric Absorption. Acta cryst., 1977, vol. A33, N1, p. 178 - 184.

68. Кшевецкий С.А., Микайлюк И.П. Усиление аномального проховдения рентгеновских лучей при шестиволновой дифракции. Кристалло -графия, 1976, т.21, в. 2, с. 381 - 382.

69. Heidenreich R.D. Electron microscope and diffraction studyof metal crystal textures by means of thin sections. J. Appl. Phys.; 1949, 20, N9, p. 993 - Ю10.

70. Kato N. Dynamical theory of electron diffraction for finite polyhedral crystal. III. Fresuel diffraction formula. J. Phys. Soc. Japan, 1955, 8, N3, p. 350 - 359.

71. Whelan M.J., Hirsch P.B. Electron diffraction from crystals containing stacking faults: I. Phil. Mag., 1957, 2 , N 21, p. 1121 - 1142.

72. Whelan M.J., Hirsch P.R. Electron diffraction from crystals containing stacking faults: II. Phil. Mag., 1957, 2, N23, p. 1303 - 1324.

73. Hirsch P.В., Howie A., Whelan M.J. A kinematical theory of diffraction contrast of electron transmission microscope images of dislocations and other defects. Philos. Trans. Roy. Soc. London, 1960, A252, N 1017> P- 4-99 - 529.

74. Whelan M.J. An autline of the theory of diffraction contrast observed at dislocations and other defects in thin crystals examined by transmission electron microscopy. J. Inst. Metals, 1959, it, Part 24, p. 392 - 405.

75. Hashimoto H., Howie A., Whelan M.J. Anomaloies electron ab -sorption effects in metal foils. Phil. Mag., 1960,1. P. 967 97^.

76. Howie A., Whelan M.J. Diffraction contrast of electron microscope images of crystal lattice defects. III. Resullts and experimental confirmation of the dynamical theory of dislocation image contrast. Proc. Roy. Soc. A, 1962, 2N 1329; p. 206 - 230.

77. Kato N. Dynamical diffraction theory of waves in distorted crystals. II. Perturbation theory. Acta Crystallogr., 1963, 16, Part 4, p. 282 - 290.

78. Hildebrandt G. Gekrummte Rontgenstrahlen im schwach verform-ten Kristallgitter. A Laue-Fell der Interferenz. Z. Kris-tallogr., 1959» 112, N 11, S. 312 - 339.

79. Schlangenotto H. Dynamische Theorie der Rontgenbeugung fur de-formierte Kristalle. Z., Phys., 1967, 20^, N1, ' s. 17 - 36.

80. Lang A.R.; Brit. Journ.Appl. Phys.; 14, 904, (1963).

81. А.Отье, М.Совахе. Тезисы докладов 7-го Конгресса Кристаллографов, М., 1966 (2.22).

82. Прямые методы исследования дефектов в кристаллах /Сб. статей под ред. А.М.Елистратова. М.: Мир, 1965. - 352 с.

83. Кон В.Г. Динамическая теория взаимодействия излучения с иде -альным и реальным кристаллом: Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук. М., 1972. - 18 с.

84. Каганер В.М. Формирование изображений в лучевой и дифракционной оптике рентгеновских блоховских волн: Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук. М., 1984. - 16 с.

85. Чамров В.А. Влияние поверхности на упругие поля и электронно-микроскопические изображения дефектов в кристаллах: Автореф. дис. . кацц. физ.-мат.наук. М., 1984. - 15 с.

86. Суворов Э.В. Рентгеновская оптика блоховских волн в кристал -лах с дефектами: Автореф. дис. докт.физ.-мат.наук. Черноголовка, 1981. - 28 с.

87. Аристов В.В. Широкоугловая рентгеновская дифракционная оптика и ее применения: Автореф. дис.докт.физ.-мат.наук.- Черноголовка, 1979. 36 с.

88. Чуховский Ф.Н. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в упруго изогнутых кристаллах. I. Лауэ-дифракция. Металло -физика, 1980, 2, № 6, с. 3-27.

89. Чуховский Ф.Н. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в упруго изогнутых кристаллах. II. Брэгг-дифракция. Металлофизика, 1981, 3, №5, с.3-30.

90. Тихонова Е.А. Динамическое рассеяние на эквидистантных изогнутых отражающих плоскостях. I. Уравнения. Металлофизика, 1980, 2, И, с.32-43.

91. Тихонова Е.А. Динамическое рассеяние на эквидистантных изогнутых отражающих плоскостях. П. Слабо и сильно искаженные кристаллы. Металлофизика, 1980, 2, Ш, с.34-43.

92. Takagi S. On the temperature diffuse scattering of electrons, I. Derivation of general formulae, J, Phys. Soc. Japan, 1958, 1J, N 2» P* 2?8 - 286.

93. Parthasarathy R. The temperature factor in the dynamical theory of X-ray interference for a perfect crystal with heat motion. Acta crystallog., 1960, 1J5, N 10, p. 802 -806.

94. XI5. Ohtsuki Y.H. Temperature dependence of X-ray absorption by crystals. I. Photo-electric absorption. J.Phys. Soc. Japan, 1964, N 12, p. 2285 - 2292.

95. Ohtsuki Y.H. Temperature dependence of X-ray absorption by crystals. II. Direct phonon absorption. J. Phys. Soc. Japan, 1965, 20, N 3» p. 374 - 380.

96. Афанасьев A.M., Каган Ю. О подавлении неупругих каналов при резонансном ядерном рассеянии в кристаллах. ЖЭТФ, 1965,48, вып.I, с. 327 - 341.

97. Каган Ю., Афанасьев A.M. Подавление неупругих каналов при резонансном рассеянии нейтронов в регулярных кристаллах. ШЭТФ,1965, 49, вып.5, с.1504 1517.

98. Ц9. Yoshioka Н. Effect of inelastic waves on electron diffraction.

99. J. Phys. Soc. Japan, 1957, 12, H6, p. 618 628.

100. Whelan M.J. Inelastic scattering of fast electrons by crystals. I. Interband excitions. J. Appl. Phys. , 1965, 56, N 7, p. 2099 - 2105.

101. H.Voschioka, V.Kainuma.- J.Phys.Soc. Japan,1962,1£,Suppl.,11,134

102. Whelan M.J. Inelastic scattering of fast electrons by crystals. II. Phonon Scattering. J. Appl. Phys., 1965, £6, N7, p. 2103 - 2110.

103. Ohtsuki Y.H. Effects of lattice vibrations on dynamical diffraction of electron and X-rays. J. Phys.Soc. of Japan,1966, 21, N 11, p. 2300 2306.

104. O'Connor D.A. The dynamical theory of the interaction of X-rays and neutrons with phonons. Proc. Phys. Soc., 1967, 91> Part 4, IT 574, p.917-927.

105. Kainuma Y., Yoshioka H. Damping of electron waves due to Y/eak reflections. J. Phys. Soc. of Japan, 1966, 21, N 7,p. 1352 1362.

106. Hall C.R., Hirsch P.B. Effect of thermal diffuse scattering of propagation of high energy electrons through crystals. -Proc. Boy. Soc., 1965, 286, N 1405, p. 158-177»

107. Афанасьев A.M., Каган Ю., Температурное изменение ширины и сдвига резонансного уровня при движении частиц в кристаллах. КЭТФ,1967, 52, вып. I, с.191-207.

108. Afanasev A.M., Kagan Yu. The role of lattice vibrations in dynamical theory of X-rays. Acta Crystallogr. A, 1968, 24, N 1, p. 163 - 175.

109. Квашнина JI.Б., Молодкин В.Б., Тихонова Е.А. Влияние тепловых колебаний на рассеяние электронов в приближении динамической теории. ФТТ, 1967, 9, вып. 6, с. 1660 - 1668.

110. Чуховский Ф.Н. К динамической дифракции быстрых электронов в идеальном колеблющемся кристалле. Кристаллография, 1968 , 13, вып. 6, с. 960 - 968.

111. Тихонова Е.А. Основные уравнения динамической теории рассея -ния рентгеновских лучей для несовершенных кристаллов. ФТТ, 1967, 9, вып. 2, с. 516-525.

112. Молодкин В.Б., Тихонова Е.А. Влияние диффузионного рассеяния на эффект Бормана. ФММ, 1967, 24, вып.З, с. 385 - 394.

113. Молодкин В.Б. Динамическая теория рассеяния излучений в несовершенных кристаллах: Автореф. дис. канд. физ.-мат.наук. -Киев, 1969. 22 с.

114. Dederichs Р.Н. Dynamical scattering theory for crystals with point defects. Phys. status solidi, 1967, N 1, p. 377 -386.137«Dederichs P.H. Effect of defect clustering on anomalous X-ray transmission. Phys. Rev. B, 1970, 1, N 4, p. 1306 - 1317.

115. Dederichs P.H. Dynamical diffraction theory by optical potential methods. Solid State Phys., 1972, 2£, p. 135 - 236.

116. Takagi S. On the temperature diffuse scattering of elect -rons. II. Applications to practical problems. J. Phys. Soc. Japan, IT 3, P. 287 - 296.

117. Молодкин В.Б. Динамическая теория диффузного рассеяния электронов слабо искаженными кристаллами. ФММ, 1969, 27, вып. 4, с. 582 - 591.

118. Olekhnovich N.M., Olekhnovich A.I. Dynamic effects of diffuse X-ray scattering near Bragg reflections.- Phys.status solidi A, 1981, 62, N 2, p.427-ВД.

119. Fujimoto P., Kainuma Y, Inelastic scattering of fast electrons by thin crystals.-J.Phys.Soc. Japan, 1963, 18, N 12, p.1792-1804.

120. Ishida K. Inelastic scattering of fast electrons by crystals.-J.Phys.Soc.Japan, 1970, 28, N 2, p.450-457

121. Ishida K. Inelastic scattering of last electrons by crystals. II. The excess and defect Kikuchi bands. J.Phys.Soc.Japan, 1971, 10, N 5» P.1439-1448.

122. Okamoto K., Ichinokawa Т., Ohtsuki Y. H. Kikuchi patterns and inelastic scattering. - J.Phys.Soc.Japan, 1971, 10, N 6, p. 1690-1701.

123. Miyake S., Kohra K., Takagi M. The nature of the specular reflection of the electrons from a crystal surface. Acta Crys-tallogr., 1954, 2» 11 5, p.393-401.

124. Eisenberger P., Alexandropoulos U.G., Platzman P.M. X-ray Brillouin scattering. Phys.Rev.Letters, 1972, 28, Iff 23, p.1519-1522.

125. Rez P., Humphreys C.J., Whelan M.J. The distribution of intensity in electron diffraction patterns due to phonon scatte -ring. Phil.Mag., 1977, IS, H 1, p.81-96.

126. Kashiwase Y., Kainuma Y., Minoura M. Observation of a diffraction pattern caused by thermal diffuse scattering of X-rays.-J.Phys.Soc.Japan, 1981, SO, N9, p.2793-2794.

127. Siems A. Quantitative Untersuchungen an Kikuchi-Strukturen.II.

128. Termisch diffuse Streuung. Phys. status solidi A, 1978» 56, N 2, p.697-709.

129. Larson B.C., Schmatz W. Huang diffuse scattering from dislocation loops and cobalt precipitates in copper. Phys. Bev. B, 1974, 10, N 6, p.2307-2314.

130. Iida A., Kohra K. Separate measurements of dynamical and kinematical X-ray diffraction from silicon crystals with a triple crystal diffractometer. Phys. status solidi A,1979, £1, N 2, p.533-542.

131. Iida A. Applications of X-ray triple crystal diffractometry to studies on the diffusion-induced defects in silicon crystals. Phys. status solidi A, 1979, 5ft, N 2, p.701-706.

132. Zaumseil P., Winter U. Triple crzstal diffractometer investigations of silicon crystals with different collimator-analyser arrangements. Phys. status solidi A, 1982, 70,1. U 2, p.497-505.

133. Zaumseil P., Winter U. Triple crystal diffractometer investigations of imperfections in silicon crystals with Laue-case diffraction. Phys. status solidi A, 1982, 21* w 2» p. 455-466.

134. Fingerland A. Das Dreikristalldiffraktometer eitie Einleitung zur Theorie. In: Dynamische Interferenz-theorie. Leipzig: AkadL. Verl., 1976, S.162-164.

135. Godwod K.J. Dreikristallrontgenspektrometer. In: Dynamische Interferenztheorie. Leipzig: Akad. Verl., 1976,1. S. 165-180.

136. Кривоглаз M.A. Влияние геометрических искажений на распределение интенсивности фона на рентгенограмме или нейтронограм-ме. $ММ, 1959, 8, вып. 4, с.514-530.

137. Александров П.А., Афанасьев A.M., Мелконян М.К. Теория рас -сеяния рентгеновских лучей кристаллом с дефектами поверхности. Кристаллография, 1981, 26, вып. 6, с.1275-1281.

138. Мелконян М.К. Рентгенодифракционные методы исследования тонких поверхностных слоев: Автореф.дис канд. физ.-мат.наук.1. Аштарак, 1983, 16 с.

139. Барабаш Р.И., Криволгаз М.А. О рентгенографическом исследовании дефектов кулоновского типа в слабо искаженных кубических кристаллах. Металлофизика, 1979, № I, с.33-51.

140. Алексанян JI.A., Пинскер З.Г., Чуховский Ф.Н. Теория образования Кикучи-электронограмм. Кристаллография, 1972, 17,вып. 6, с.II07-III4.

141. Chukhovskii F.N., Alexanjan L.A., Pinsker Z.G. Dynamicaltreatment of Kikuchi patterns. Acta Crystallogr. A, 1973»^ 22, N 1, p.38-45.

142. Елистратов А.И., Ефимов O.H. Влияние нарушений периодичности на эффект аномального прохождения рентгеновских лучей.Интегральные характеристики аномального прохождения рентгеновских лучей. ФТТ, 1962, 4, $ 9, с.2397-2410.

143. Ефимов О.Н. Интегральные характеристики аномального прохождения рентгеновских лучей для кристаллов германия с дислонациями. ФТТ, 1963, 5, № 5, с.1446-1476.

144. Maruyama 3. Anomalous transmission of X-rays through germanium single crystals containing dislocations and impurities.-J.Phys.Soc.Jap., 1965, 20, N 8, p.1399-1405.

145. Datsenko 1.1., Skorokhod M.Ya., Vasilkovskii A.S. The ef -feet of dislocation on the intersity jumps at the interferential transmission of X-rays near the K-edge of absorption in Ge. Phys.status solidi A, 1968, £0, К 1, p.231-237.

146. Низкова А.И., Гуреев А.Н., Даценко Л.И. Изучение кинематической компоненты рассеяния рентгеновских лучей при лауэ-дифракции от различных плоскостей в тонких реальных кристаллах.1. ФТТ.

147. Kato N. On Extinction I.General Formulation Acta Cryst., 1976, A 32, N 3, P.453-457.

148. Kato N. On Extinction II. The Theory of Secondary Extinct -ion. Acta Cryst., 1976, A 32, N 3, p.458-466.

149. Kato N. On Extinction III. An Improvement of the Secondary Extinction Theory. Acta Cryst., 1979, A 35, p.9-16.

150. Kato N. On Extinction IV. Integrated intensities in secon -dary extinction theory Acta Cryst., 1980, A 36, p.171-177.

151. Kato N., Statistical dynamical theory of crystal diffraction I.General formulation Acta Cryst; 1980, A 36, p.763-769.

152. Kato N. Statistical dynamical theory of crystal diffract -ion II. Intensity distribution and integrated intensity in the Laue cases Acta Cryst, 1980, A 36, p.770-778.

153. Като H. Новый подход к решению проблем, связанных с экстинк-цией. Кристаллография, 1981, 26, № 5, с.942-948.

154. Иверокова В.И., Кузнецов А.В. Вычисления зависимости интерференционного коэффициента поглощения рентгеновских лучей от плотности дислокаций. ФТТ, 1973, 15, № 9, с.2689-2693.

155. Лидер В.В., Чуховский Ф.Н., Рожанский В.Н. Эффект экстинкции при динамическом рассеянии рентгеновских лучей в кристалле Ge , содержащем дислокационные петли. ФТТ, 1977, 19, №8, с.1231-1237.

156. Иванов А.Н., Скаков Ю.А., Фомичева Е.И. Определение плотности дислокаций по эффекту экстинкции при съемке "на отраже -ние" (по Брэггу). Завод.лаб., 1982, 48, № 9, с.53-55.

157. Effect of dislocation density on integrated intensity of X-ray scattering by silicon crystals in Laue geometry / M.H. Olekhnovich, A.L.Karpei, A.J.Olekhnovich, L.D.Puzenkova. -Acta crystallogr. A, 1983, N 1, p.116-122.

158. Скороход М.Я., Даценко Л.И., Гуреев А.Н., Васильковский А.С. Исследование совершенства кристаллов однокристальным спектрометром в случае лауэ-дифракции. УФЖ, 1970, 15» № 5, с.787-795.

159. Robinson М.Т., Oen O.S. Computer studies of the slowing down of energetic atoms in crystals. Phys.Rev., 1963, 132, N 6, p.2385-2398.

160. Onderdelinden D. Single-crystal sputtering including the channeling phenomen. Can. Journ.Phys., 1968, 46, N 6, p. 739-745.

161. Зоммерфельдт X., Машкова Е.С., Молчанов В.А. Энергетическая зависимость ионно-электронной эмиссии кристаллов. ФТТ, 1971, 13, вып. 3, с.819-823.

162. Elston S.B., Sellin A., Breining M., et al. Coincidence experiments concerning convoy-electron production by 1-8,5 Mev/u highly ionized projectiles traversing polycrystalline solids and axial channels in gold. Phys. Rev. Lett., 1981,1. N 5» p.321-324.

163. Baro A.M., Salmeron M. Secondary electron emission rocking curve from copper. Phys. Status Solidi, 1972» Ъ49, N 2, Р.К135-К139.

164. Коваленко Г.Д. Эмиссия вторичных электронов из монокристаллов кремния и ниобия под действием ультрарелятивистских электронов. УЖ, 1981, 26, № II, с.1839-1843.

165. Китов В.Ю., Парилис B.C. Ориентационные эффекты в эмиссии оже-электронов при ионной бомбардировке твердых тел. -Письма в ЖТФ, 1979, 5, ® 21, с.1297-1300.

166. Armitage А.P., Woodruff D.P., Johnson P.D. Crystallografic incident beam effects in quantitative Auger electron spectroscopy. Surface Sci., 1980, 100, N 4, p.1483-1490.

167. Tafto J. Channelling effects in electron induced X-ray emission from diatomic crystals. Z. Naturforsch., 1979» 34a, II 2, p.452-467.

168. Sharma R.P., Kurup M.B., Prasad K.G., et al. Comparison of channelling dips for backscattering and M X-ray yields in U02 single crystal. Nucl. Instr. Meth., 1981, 122, N 2> p. 421-426.

169. Mazzoldi P. Flux peaking lattice location. - In: Material characterization using ion beams. London: New York: Plenum Press, 1978, p.429-^53. (NATO adv. study inst. ser., ser. B: Physics, vol. 28).

170. Nelson R.S., Mazey D.J. The influence of channelling on radiation famage produced in silicon during ion bombardment.- J. Mater. Sci., 1967, 2, N 3, p.211-216.

171. Urban K., Yoshida N. The effect of electron diffraction channeling on the displacement of atoms in electron-irradiated crystals. Rad. Eff., 1979, 42, N 1, p.1-15

172. Dearnaley G., Wilkins M.A., Goode P.D., et al. The range distribution of radioactive ions implanted into silicon crystals. In: Atomic collision phenomena in solids. Am -sterdam; London; North-Holland publ. сотр., 1970, p.633~ 656.

173. Wilson R.G. Channelling of 20-800 keV arsenic ions in the110 and the 100 directions of silicon, and the roles of electronic and nuclear stopping. J. Appl. Phys., 1981, 12, N 6, p.3985-3988.

174. Bogh E. Defect studies in crystals by means of channelling- Canad. J. Phys., 1968, 46, N 6, p.653-662.

175. Quere Y. Dechannelling cylinder of dislocations. Phys. Status Solidi, 1968, £0, N 2, p. 713-722.

176. Morgan D.V., Van Vliet D. Computer simulation applied to channelling. In: Atomic collision phenomena in solids. Amsterdam; London: North-Holland publ. сотр., 1970,p.476-500.

177. Swanson M.L., Howe L.M., Jackmann Т.Е., Moore J.A. Channelling studies of defects. Nucl. Instr. Meth., 1982, 194,1. N 1-3, p.163-174.

178. Swanson M.L. The study of lattice defects by channelling. Rep. Progr. Phys., 1982, 4^, N 1, p.47-93»

179. Carstanjen H.-D. Interstitial positions and vibrational amplitudes of hydrogen in metals investigated by fast ion channelling. Phys. Status Solidi (a); 1980, N 1, p.11-26.

180. Могу J., bigeon E. Studies on dechannelling by defects and on lattice site location of hydrogen in face-centered cubic metals. J.Mater. Sci., 1982, 1£, N 4, p.925-935

181. Yagi E., Koyama A., Sakairi H., et al. Lattice location of Ni atoms implanted into crystals as investigated by means of channelling method. J. Phys.Soc. Jap., 1981, J2O, N 3,p. 873-880.

182. Swanson M.L., Jackman Т.Е., Howe L.M., Quenneville A.P. The depth and angular dependence of the mid-channel flux of He ions in Al crystals. Nucl. Instr. Meth., 1982, 194,1. N 1-3, p.139-142.

183. Takahashi I. Channelling study of low-Z impurity dissolved in metals. Nucl. Instr. Meth., 1982, 124, N 1-3, p.187= 191.

184. Gemmel D.S. Channelling and related effects in the motion of charged particles through crystals. Rev. Mod. Phys., 1974, 46, N 1, p.129-228.

185. Rimini E. Analysis of defects by channelling. In: Material characterization using ion beams. London; New York: Plenum Press, 1978, p.455-482. (NATO adv. study inst. ser., ser.1. B: Physics, vol. 28).

186. Gavrilenko G.M., Fedyanin V.K. Stochastic processes in channelling. Physica, 1981, 105A, N 2, p.229-244-.

187. Кумахов M.A., Ширмер Г. Атомные столкновения в кристаллах.-М.: Атомиздат, 1980. 192 с.

188. Э24. Barrett J.H. Monte Carlo channelling calculations. Phys. Rev. B, 1971» 1» N 5» p.1527-1547.

189. Kaufmann R., Meyer 0. Computer simulation of channelling measurements in carbon-implanted NbC-single crystals. -Rad. Eff., 1979, N 1, P.53-59.

190. Смирнов А. А. О возможности использования канального, теневого и других эффектов, связанных с прохождением частиц через монокристаллы, для исследования сплавов. ФММ, 1967, 23, № 3, с.385-390.

191. Смирнов А.А., Этингоф Е.И. К теории канального эффекта в упорядочивающихся сплавах. УФЖ, 1969, 14, № 10, с.1635-1637.

192. Этингоф Е.И. Возможность определения положений внедренных атомов в сплавах внедрения с ГЦК решеткой с помощью эффектов каналирования и теней. ФММ, 1974, 38, вып. I, с.48-57.

193. Квашнина Л.Б. К теории теневого эффекта в упорядочивающихся сплавах. Рассеяние быстрых частиц цепочкой атомов упорядочивающегося сплааа. ФММ, 1975, 39, №6, с. 11-361144.

194. Delsarte G., Jousset J.С., Могу J., Quere Y. Dechannelling of fast transmitted particles by lattice defects. Ins Atomic collision phenomena in solids. Amsterdam; bondon: North-Holland publ. сотр., 1970, p.456-475

195. Quere Y. Etude de defauts cristallins par canalisation. -Ann. Phys., 1970, N 2, p.105-138.

196. Ronikier-Polonsky P., Desarmot G., Housseau N., Quere Y. Dechannelling by gas bubbles in a solid. Rad. Eff., 1975, 22, N 1/2, p.81-88.

197. Van Vliet D. Dechannelling of fast ions at dislocations. -Phys. Status Solidi (a), 1970, 2, N 3, p.521-529.

198. Kudo H. Dechannelling of fast ions in distorted crystals. I. Dislocations. J. Phys. Soc. Jap., 1976, N 6,p. 1645-1653.

199. Kudo H., Mannami M. Dechannelling of fast ions in distorted crystals. I. Spherical precipitates in Al-Zn alloy. -J. Phys. Soc. Jap., 1976, 40, N 6, p.1654-1658.

200. V/ielunska D., Wielunski b., Turos A. The effect of dislocations on the planar dechannelling. I. Transparency ef -feet. Phys. Status Solidi (a), 1981, 68, H 1, p.45-51.

201. Zakowicz V/., Pantell R.H. Effects of dislocations on channelling. J. Appl. Phys., 1981, J?2, ^ p.2799-2803.

202. Pathalc A.P. Motion of charged particles in curved planar channels: effects of dislocations. Phys. Rev. B, 1976, 12, N 11, p.4688-4697.

203. Sakurai T. Effects of atomic displacements in Guinier-Pres-ton zone of Al-Zn alloy on channelling of protons.-J.Phys. Soc. Jap., 1973, 25» N 1, p.113-119.

204. Иванов М.А., Квашнина Л.Б. Влияние дефектов кристаллической решетки на осевую теневую картину. ФММ, 1979, 48, № 4,с. 857-867.

205. Иванов М.А., Квашнина Л.Б. Влияние тепловых и статических смещений на ширину и форму осевой теневой картины в упорядочивающихся сплавах. Металлофизика, 1979, I, вып. 2, с.30-36.

206. Иванов М.А., Квашнина Л.Б., Этингоф Е.И. Изменение осевой теневой картины при возникновении дефектов в кристаллах. -Металлофизика, 1984, 6, № 2, с. 11-17.

207. Timm A., Zimmermann W., Kollewe D. Channeling in Mg and Zn doped gadolinium gallium gernets. Nucl. Instr. Meth., 1982,

208. Berger R., Sanjines R., Jaccard C. Some aspects of the inaction of light ions with D.gO ice crystals. Nucl. Instr. Meth., 1982, 1^4, N 1-3, p.181-185.

209. Berti M., Drigo A.V., Cohen C., et al. Channeling in virgin and Yb implanted yttria stabilized zirconia. Nucl. Instr. Meth., 1982, 1^2, ^ 5, p.605-615.

210. Picraux S.T., Vook F.L. Structure of hydrogen center in D-im-planted Si. Phys.Rev. B, 1973, 16, N 5, p.2066-2077.

211. Knapp T.A., Follstaedt D.M. Trapping site location for Sb in Pe-Ti-Sb-C alloys. Nucl. Instr. Meth., 1981, 182/183, part II, p. 1017-1022.

212. Braunstein G., Kalish R. Channelling analysis of high temperature ion-implanted diamond. Nucl. Instr. Meth., 1981, 182/183, part I, p.691-697

213. Andersen J.U., Chechenin N.G., Zhang Zu Hua. Location of impurities in compounds by asymmetry of channelling dips. -Appl. Phys. Lett., 1981, N 9, p.758-760.

214. Barrett J.H. Mechanism of ion dechannelling in compound semiconductor superlattices. Appl. Phys. Lett., 1982, 40,1. N 6, p. 482-484.

215. Тестарди JI., Вегер M., Гольдберг И. Сверхпроводящие соеди -нения со структурой -вольфрама. М.: Мир, 1977. - 435 с.

216. Meyer 0. Radiation damage and superconductivity in V^Si single crystals. J. Nucl. Mater., 1978, £2, N 1, p.182-189.

217. Testardi L.R., Meek R.L., Poate J.M., et al. Channelling in V^Si: atomic displacements and electron-phonon/defect interactions. Phys. Rev. Lett., 1977, 12, N11, p.716 -719.tL

218. Meyer 0., Seeber B. Channelling effect measurements of He induced damage in V^Si single crystals. Solid State Com-muns, 1977, 22, N9, p. 603 - 607.

219. Kaufmann R.; Meyer 0. Computer simulation of channelling measurements on V^Si single crystals. Rad. Eff., 1979 , 40, N 1/2, p. 97 ~ Ю4.

220. Kaufmann R., Meyer 0. Computer simulation of channelling measurements in He-irradiated V^Si single crystals. Rad. Eff., 1979, 40, N 3, p. 161 - 166.

221. Meyer 0., Kaufmann R.; Appleton B.R., Chang Y.K. Radiation damage in the non-metal sublattices of V^Ge and V^Si single crystals. Solid State Communs., 1981, £9, N 7, P. 825 -829.

222. Sweedler A.R., Сох D.E. Superconductivity and atomic ordering in neutron-irradiated Nb^Al. Phys. Rev. B, 1975» 12, N 1, p. 147 - 156.

223. Pande C.S. Effect of nuclear irradiation on the superconducting transition temperatures of A-15 materials. Solid State Communs, 1977» 24» И 3» p. 241- 245.

224. Besslein В.; Ischenko G., Klaumunzer S.; et al. High disor -der effects in superconducting Nb^Sn after heavy ion irradiation at low temperatures. Phys. Lett. A, 1975» 53» N1, p. 49-51.

225. Гощицкий Б.Н. Радиационные дефекты в сверхпроводящих материалах. ФММ, 1979, 48, вып.4, с. 707-735.

226. Lehmann М., Saemann-Ischenko G. Superconductivity and electrical resistivity of disordered Mo^Si thin films with A-15 structute and e/a = 550. Phys. Lett. A, 1982, 82» N 7» p. 369 - 372.

227. Бор H. Прохождение атомных частиц через вещество. М., Изд-во иностр. лит., 1950. - 150 с.271* Fowler Н.А., Erginsoy С. Is proton channelling a diffraction process? Phys. Lett. A, 1967» 24, N 7» p. 390 - 391.

228. Lervig P., Lindhard J., Nielsen V. Quantal treatment of di -rectional effects for energetic charged particles in crystal lattices. Nucl. Phys. A, 1967, 96, N 3, p. 481 - 504.

229. Cowley J.M. The channelling of fast charged particles through crystals. Phys. Lett. A, 1968, 26, N 12, p. 623 - 625.

230. Howie A., Spring M.S., Tomlinson P.N. Interpretation of electron planar channelling data. In: Atomic collision phenomena in solids. - Amsterdam; London; North-Holland publ. сотр., 1970, p. 34 - 4в.

231. DeWames R.E., Hall W.F., Lehmann G.W. Anomalous particle diffraction in perfect crystals. Phys. Rev., 1966, 14B, N 1, p. 181 - 185.

232. Chadderton L.T. Wave/particle quality in proton channeling in crystals. Phys. Lett., 1966, N5, p. 303 - 304.

233. DeWames R.E., Chadderton L.T., Cohen E.B. Verification of quantum effects in the scattering of heavy charged particles by single crystals? Rad. Eff., 1970,-N 2, P- 195 - 196.

234. Newton C.S., Chadderton L.T. Comments on the scattering of charged particles by single crystals. I. General case. -Rad. Eff., 1971, 10, N 1, p. 33 40279. Chadderton L.T. Diffraction and channelling. - J. Appl.

235. Cryst., 1970, 2, N 3, p. 429 465.

236. Каган Ю., Кононец Ю.В. Теория эффекта каналирования. I. -ЖЭТФ, 1970, 58, № I, с. 226 244.281 • Каган Ю., Кононец Ю.В. Теория эффекта каналирования. П. -Влияние неупругих столкновений. ЖЭТФ, 1973, 64, №3, с. 1042 - 1064.

237. Каган Ю., Бабаханян Э.А., Кононец Ю.В. Особая роль надбарьер-ных состояний в картине каналирования электронов в кристаллах.- Письма в ЖЭТФ, 1980,31, № 12, с. 776 780.

238. Бабаханян Э.А., Воробьев С.А., Кононец Ю.В., Попов Д.Е. Энергетическая зависимость структуры угловых распределений электронов при плоскостном каналировании. Письма в ЖЭТФ, 1982 , 35, № 5, с. 184 - 187.

239. Новицкий В.Г. Функция Вигнера в некоторых задачах одночастич-ной квантовой механики. Металлофизика, 1983, 5, № 2, с. 120. (Рукопись деп. в ВИНИТИ 25.01.83, № 391-83 Деп.).

240. Novitzky V.G. A semiclassical approximation for the Wigner distribution function. Application to planar channelling. -Phys. Lett. A, 198$, 94, N 9, p. 437 440.

241. Novitzky V.G. General solution for the continuum model planar channelling distribution function. Phys. Lett. A, 1981, 8£, N 1, p. $8 - 40.

242. Иверонова В.И., Кацнельсон А.А., Кисин В.М. Расчет интерференционного коэффициента поглощения рентгеновских лучей в крис -таллах с точечными дефектами. ФТТ, 1969, И.» № II, с. 3154-60.

243. Кривоглаз М.А., Смирнов А.А. Теория упорядочивающихся сплавов.- М.: Физматгиз, 1958. 388 с.

244. Гудзенко Г.И., Молодкин В.Б. Динамическая теория рассеяния в твердых растворах. Киев, 1975. - 27 с. (Препринт/АН УССР , Ин-т металлофизики, 75.4).

245. Гудзенко Г.И., Молодкин В.Б. Маятниковые решения в упорядочивающихся сплавах. Киев, 1975. - II с. (Препринт/ АН УССР, Ин-т металлофизики; 75.6).

246. Гудзенко Г.И., Молодкин В.Б., Новицкий В.Г. Динамическая теория рассеяния нейтронов в твердых растворах. Киев, 1977. -25 с. (Препринт/АН УССР, Ин-т металлофизики; 77.4).

247. Молодкин В.В., Новицкий В.Г. Квантовая теория каналирования в упорядочивающихся сплавах.- Киев, 1979. 41 с. (Препринт/ АН УССР, Ин-т металлофизики; 79.8).

248. Молодкин В.Б., Новицкий В.Г. Квантовая функция распределения при плоскостном каналировании в упорядочивающихся сплавах. -В кн.: Диагностика поверхности ионными пучками: Тезисы докладов Всесоюзн.совещания, Донецк, 1980, с.125-126.

249. Молодкин В.Б., Олиховский С.И., Осиновский М.Е. Динамические эффекты при диффузном рассеянии излучений в кристаллах с хаотически распределенными дефектами.- Киев,1981.-46с.-(Препринт/ АН УССР, Ин-т металлофизики; 13.81).

250. Кирилюк А.П.,Молодкин В.Б.,Новицкий В.Г. Квантовая теория рассеяния заряженных частиц кристаллами с хаотически распределенными дефектами.- В кн.:Тр.Х1 Всесоюзн.совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами.М.,МГУ,1982,с.125-129.

251. Кирилюк А.П.,Молодкин В.Г. Квантовая теория ориентационных эффектов в монокристаллах бинарных систем.—Тез.докладов ХП Всесоюзн. совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М., МГУ, 1982, с.36.

252. Гудзенко Г.И., Молодкин В.Б. Динамические эффекты дифракции излучений при фазовых переходах порядок-беспорядок. В кн.: Тез. докл. ХШ-го Всесогозн. совещ. по применению рентгеновских лучей к исследованию материалов. Черноголовка, 1982, с. 39.

253. Кирилюк А.П., Молодкин В.Б. Квантовая теория ориентационных эффектов в монокристаллах многокомпонентных систем. I. Киев, 1982. - 56 с. (Препринт/АН УССР, Ин-т металлофизики; 7. 82).

254. Кирилюк А.П., Молодкин В.Б. Квантовая теория ориентационных эффектов в монокристаллах многокомпонентных систем П. -Киев, 1983. 51 с. - (Препринт/АН УССР, Ин-т металлофизики; 83.6).

255. Datsenko L.I., Mizkova A.I., Zhuravlyov B.F. The Integratedintersities of the Laue-diffracted X-rays for monocrystalscontaining macroscopically homogeneously distributed defects.

256. Phys. states solidi, 1984,

257. Gureev A.N., Gudzenko G.I,, Datsenko L.I., Molodkin V.B.

258. The X-ray Laue diffraction near the absorption k-edges of the GaAs lattice atoms. Phys. status solidi. A, 1973» 12» N 1» P. 319 - 336.

259. Молодкин В.Б. Классификация дефектов кристалла по их влиянию на дифракцию излучений в рамках динамической теории рассеяния. I. Когерентное рассеяние. Металлофизика, 1980, 2, №1, с. 324.

260. Молодкин В.Б. Классификация дефектов кристалла по их влиянию на дифракцию излучений в рамках динамической теории. Киев, 1976. - 43 с. - (Препринт/АН УССР, Ин-т металлофизики; 376.4).

261. Молодкин В.Б. Квантовая теория ориентационных эффектов в упорядочивающихся сплавах. М.: ВИНИТИ, 1980. - 4 с. - (Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиац. поврежд. и радиац. материаловед./ВИНИТИ" Вып. 1(12)).

262. Молодкин В.Б. Динамическая теория диффузного рассеяния в кристаллах с хаотически распределенными дефектами. Металлофизика, 1981, 3, № 4, с. 27 - 38.

263. Молодкин В.Б., Олиховский С.И., Осиновский М.Е. Динамическая теория диффузного рассеяния рентгеновских лучей и электроновв кристаллах, содержащих дефекты кулоновского типа. Металлофизика, 1983, 5, № I, с. 3-15.

264. Gudzenko G.I., Molodkin V.B., Uovitskii V.G. Dynamical diffraction in alloys. Phys.status solidi, A, 1982, 21* N » p.115-120.

265. Гудзенко Г.И., Молодкин В.Б., Олиховский С.И., Осиновский М.Е. Интегральные характеристики лауэ-дифракции в кристаллах с дефектами кулоновского типа. Металлофизика, 1983, 5, № 3,с. 10-15.

266. Молодкин В.Б., Олиховский С.И., Осиновский М.Е. Динамическая теория диффузного рассеяния излучений в кристаллах с дефектами кулоновского типа (лауэ-дифракция). Металлофизика, 1983, 5, № 5, с.3-И.

267. Молодкин В.Б., Даценко Л.И., Хрупа В.И., Осиновский М.Е., Кисловский Е.И., Кладько В.П., Осадчая Н.В. К вопросу о рентге-нодифрактометрических исследованиях хаотически распределенных дислокаций в монокристаллах. Металлофизика, 1983, 5, Jfa б, с. 7-15.

268. Молодкин В.Б., Олиховский С.И., Осиновский М.Е. О применении диффузного рассеяния рентгеновских лучей для исследования структурного совершенства монокристаллов. Металлофизика, 1983, 5, № 6, C.II2-II4.

269. Кирилюк А.П., Молодкин В.Б. Связь величины предельного угла плоскостного каналирования с характеристиками дефектов кристалла и особенностями процессов их образования. Металлофизика, 1934, б, № 3, с.120-121.

270. Е gorova I.V., Molodkin V.Be, Uovitsky V.G. Planar channeling in real crystal with srveral sublattices. Phys.Lett. A,1984, 102, U 1-2, p.38-40.

271. Кирилюк А.П., Молодкин В.Б. Влияние дефектов в монокристаллах многокомпонентных систем на величину предельного угла плоскостного каналирования. Металлофизика, 1984, б, № 4, с.П-15.