Динамика лавинного процесса в структурах с отрицательной обратной связью тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

АКАДОШЯ' КЛУК СССР

ОГДГ.НА ГХт-'М И ОКШ1А СКТПЕГЬСКОЙ тааявщга

ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

12жгм ГШ. ЛЕЕВДЕВЛ

На правах рукописи

БОГДАНОВ СЕРГЕЙ ВИТАЛЬЕВИЧ да 539.293:537.529:621,383

ДШШЖА ЛАВИННОГО ПРОЦЕССА В СТРУКТУРА! С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗШ

Специальность 01.04.07 - фавлка твердого тела

Автореферат диссертации на сояскание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва- 1991г.

Работа выполнена в лаборатории неравновесных и наишейннх явлений в твердых телах отделения физики твердого тела ордена Ленина и ордена Октябрьской революция Оизэтеского института им. П.Н.Лебедева АН СССР.

Научные руководители: доктор физико-математических наук В.Э.Шубин

кандидат физико-математических наук А.Б.Кравченко

Официальные оппоненты:доктор физико-математических наук, профессор А.П.Шотов

кандидат технических наук В.Н.Крутиков Ведущая организация: Московский институт электронной техники

Защита диссертации состоится "27 " января 1992 г. в 9 час. 00 мин.

на заседании Специализированного совета № К002.39.01 при Физическом институте АН СССР. Адрес: Москва, Ленинский проспект,53

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Физического института им.П.Н.Лебедева АН СССР.

Автореферат разослан "_" 1991г„

Ученый секретарь Специализированного совета, кандидат физико-математических

наук В.А.Чуенков

ОБЦАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность теш.Полупроводниковые структуры, работающие в режиме лавинного умножения, широко используются для решения прикладных задач в областях оптической связи, локации, оптической обработки информации и др. Современная технология изготовления приборов микроэлектроники позволяет создавать структуры в той или иной степени удовлетворяюще жестким . ^ебованиям, предъявляемым к ним при работе в режиме лавинного умножения в условиях высокой напряженности электрического поля. Однако как для экспериментальных исследований физики процесса лавинного умножения, так и для прикладных целей весьма существенна возможность реализации однородного по площади лавинного процесса с высоким коэффициентом умножения. Существенным фактором, принципиально ограничивающим степень однородное" • лавинного процесса и предельно достижимый интегральный по площади коэффициент умножения, является наличие во всех полупроводниковых структурах различного вида пространственных неодно-родностей.

Как было обнаружено, использование структур , содержащих период диэлектрик-полупроводник (в ВДП структурах) или широкозонный слой - узкозонный слой (в гетероструктурах), позволяет реализовывать больше (до 10^- Ю5) коэффициенты усиления сигналов при отсутствии так называемых шкроплазмеиных явлений, что косвенно свидетельствует о высокой степени однородности лавинного процесса. Было показано, что это обусловлено отрицательной обратной связью

соос).

К моменту постановки данной диссертационной работы 00С исследовалась в ВДД структуре. Было показано, что 00С возникает вследствие накопления неосновных носителей на границе раздела "тэлектрик-полупроводник и проявляется в ослаблении электрического поля в

-г -

слое полупроводника, в котором протекает лавинный процесс. Била обнаружена самостабилизация лавинного тока и исследованы особенности динамики процесса лавинного умножения в ЩП структуре при' ияцульсном освещении. Качественное объяснение основных закономерностей этих явлений было дано на основе рассмотрения, выполненного в приближении однородной по площади ЭДП структуры, т.е. без учета влияния пространственных неодаородаостей. Поэтому дальнейшие исследования лавинного процесса в структарх с ООС весьма актуальны.

Целью диссертационной работы являлось исследование лавинного процесса в структурах с ООС с учетом цространственннх неоднород-ностей в полупроводниковых и диэлектрических слоях.

Оо.новннг» зяпачи исследования:

- выяснение справедлив ости модели, составленной в приближении однородности параметров полупроводниковой структуры по плопеди

и рамок применимости такой модели при описании динамики лавшшого. процесса в структурах с ООС путем проведения измерений для ОДП и гетероструктур по динамическим вольтамперннм характеристикам (ДВАХ), импульсным $ототокам и др. и количественного сопоставления экспе-римвнтальных данных с моделью;

- изучение влияния пространственных неодаородаостей на лавинный процесс в структурах с ООС, построение приближенной теоретической модели, описывающей экспериментально на'тадаемнй лавинный процесс с учетом неодаородаостей в полупроводниковых и диэлектрических слоях;

- разработка на основе этих исследований методов для определения характера и параметров неодаородаостей в ВДП структурах.

Научная новизна работы. Предложена модель лавшшого процесса в структурах с ООС, содержащих пространственные неоднородности как в диэлектрическом, так и полупроводниковом слоях; исследовано

влияние пространственных неоднородностей на динамику лавинног-: тока, исследован процесс выравнивания неоднородностей коэффициента .умножения по площади структурно выявлены особенности лавинного процесса в условиях больших коэффициентов умножения (M~I000); исследован характер встраивания заряда в диэлектрик при лавинной шжекцш горяча носителей из кремния в .Xf'Og.

Пщктдческая„ценность. Ha основании проведенных исследований разработаны физические основы функционирования лавинных фото-приешиков с OQC; позволяющие создавать конструкции приборов. опт ими з ированныо для решения конкретных задач фоторегис- рации, а также проводить анализ различных режимов работы лавинных приборов. Разработан интегральный высокочувствительный метод получения информации о распределенных по площади ВД1 структуры неоднород-ностях диэлектрического слоя.

Положениях, .выносимые. на_защиту

1. Динамика лавинного процесса в однородной ЩП структуре

в условиях импульсной фотогенерации определяется временной константой Тас = const]С Ja-плотность инициирующего тока, М- оэффициент умножения) и проявляется в обострении переднего фронта нарастания тока, уменьшении амплитуды импульсного лавинного тока < при TZc-z Zp ) и спаде тока в пределах импульса ( при ), где Тг и Ти -длительности фронта и

импульса инициирующего тока. Наличие пространственных неоднородностей как в диэлектрическом, так и в полупроводниковом слоях приводит к уменьшению величины Тос .

2. Выравнивание коэффициента умножения по площади в случае •' наличия пространственных неоднородностей в слое диэлектрика и достаточно однородного слоя полупроводника ( для которс.'о

где % - потенциал лавинного пробоя полупроводника, Ы - коэффициент умножения) обусловлено образованием инвер-

сионного слоя переменной плотности, формирующегося вследатвие накопления неосновных носителей заряда и их поверхностного перетекания вдоль интерфейса структуры.

3. Неоднородность встраивания заряда в диэлектрике при лавинной инжекции носителей в процессе многократного воздействия электрических импульсов обеспечивает выравнивание электрического поля и коэффициента умножения по всей площади неоднородной ЭДЦЛ структуры, в том числе в случае неоднородного полупроводникового елок.

4. В условиях больших коэффициентов умножения (превглдающих

п

10° для МОП структур) умножение нарастает с увеличением напряженности поля в полупроводнике существенно медленнее по сравнению с аналогичной зависимостью лавинного умножения в р-п переходе, что связано с локальным уменьшением напряженности поля в областях умножения за время акта лавинного умножения единичного носителя.

5. Разработан интегральный высокочувствительный метод измерения плотности распределения вероятностей случайно изменяющихся по площади ОДП структуры толщины диэлектрического слоя и плотности встроенного заряда, основанный на анализе экспериментально измеряемой зависимости импульсного лавинного тока от времени.

6. В исследованных МОП структурах ( № - - р-$1 ) плотность распределения вероятностей по фиксированному заряду имеет колоколообразну® форму с характерной полушириной около Ю-8 Кл/См2. В результате инжекции горячих электронов и захвата заряда на ловушки ширина распределения увеличивается, достигая в условиях близких к пробою диэлектрика величины порядка

Ю-7 Кл/СгА

- 5 - ■

Aitpo<fenifff работа.Основные результаты работы докладывались на I и П Всесоюзных совещаниях-семинарах "Математическое моделирование и экспериментальное исследование электрической релаксации в элементах микросхем" (£урзу$,1983:и Одесса, 1986г.), П Межведомственном соведании "Проблемы разработки и создания лавинных ДДП-фотоприемняков" (Тбилиси, 1984г.),УШ и IX Всесоюзных симпозиумах "Электронные процессы на поверхности и в тонких слоях полупроводников" (Киев, 1984х\. и Новосибирск, 1988г.), Всесоюзном совещании по лавинным ФМ-приборам (Суздаль, 1986г.), 6-й Международной конференция ¿¿¿щеп ( //VF0S ,89) (1йрхЕНГ, 1989г.), П Республиканской конференции "Физические проблема ВД1-интегралыюй алектроники" (Севастополь, 1990г.).

Публикации.По результатам цроведенных исследований опубликовано 12 печатных работ, в том числе 4 статьи, тезисы 5 докладов, 3 авторских свидетельства СССР на изобретения. Список работ приведен в конце реферата.

Структура и объем работа .Диссертационная работа состоит из введения, 4-х глав и заключения. Всего страниц - 150, из них пе лтного текста - 105, рисунков - 45. Список литературы содержит 87 наименований.

СОДОТАНИЕ РАБОТЫ

Во введении охарактеризована общая направленность работы, обоснована актуальность темы, сформированы основные цели и задачи исследования, научная новизна работы, её практическая ценность и положения, выносимые на защиту.

В первой главе дан обзор литературы по основным вопросам данного исследования.Рассмотрены физические основы теоретических и экспериментальных исследований процесса лавинного умножения в

различных полупроводниковых структурах. Проанализированы функциональные зависимости коэффициента умножения от напряжения на ОГО полупроводника, справедливые для структур, не имеющих 00С между лавиннш током и зарядом инверсионного слоя (р-п переход, металл-полупроводник и т.п.). Указано на наличие во всех таких структурах локальных областей повышенного умножения( названных микроплазмами), вызванных пространственными неоднородностями параметров структур. Отмечено, что это обстоятельство сильно усложняет изучение и практическое применение лавинного процесса в этих структурах. Рассмотрены некоторые особенности динамики лавинного процесса в структурах с 00С (ЭДН, гетероструктурах и др.). Описаны вида пространственных неоднородностей, существующих в полупроводниковых структурах. Дая сравнительный анализ методов экспериментального исследования неоднородностей, использующих сканирование поверхности и интегральные измерения. Дан краткий обзор характеристик лавинных фотоприемншсов на основе различных полупроводниковых структур.

Вторая глава посвящена исследованию лавинного процесса в структурах с 00С, проведенному в рамках однородного приближения. Проанализирована модель, описывающая динамику лавинного процесса в структурах с ООО в приближениях однородности коэффициента умножения по площади структуры и бесконечно тонкого инверсионного слоя.

Описаны экспериментальные образцы, представлявшие собой структура о двумя типами обратной связи: ВДП и гетероструктуры. Ошгсана методика измерений, которая ваключалась в регистрации следующих электрофизических характеристик: переходных токовых характеристик( динамических вольт-ампера« характеристик-ДВАХ),

формирующихся при приложении к отру турам импульсного напряжения, вольт-амперных характеристик в стационарном режиме питания и временных зависимостей фототоков, возникающих при импульсной засветке структуры. Проведен сравнительный анализ экспериментальных и расчетных ( на основе модели в однородней приближении) электрофизических характеристик при варьировании различных параметров: амшштуда и скорости изменения приложенного напряжения, интенсивности и длительности импульсной засветки, .времени задержки светового импульса относительно начала импульса напряжения, заряда инверсионного слоя, фиксированного зар-та в диэлектрическом слое и др.

Проведенный анализ показал, что в неоднородных ЗДД структурах при выполнении определенных условий формируется однородный по площади лавинный цроцеоо, Для исследованных КОП структур на основе кремния »таг условия заключаются в накоплении инверсионного заряда во средней поверхноотной плотностью не менее 1СГ® Кл/См^ и образовании в диэлектрическом слое встроенного (фиксированного) заряда со средней поверхностной плотностью не менее ( 2 + 3 )* 1СГ® Кд/См^ при многократном приложении к структуре импульсов напряжения. Обнаружено, что при выходе за рамки этих условий происходит отклонение расчетных временных зависимостей импульсного фототока от экспериментальных, обусловленное наличием в ВДП структурах пространственных неоднородностей. По результатам исследований лавинного-' процесса, проведенных при варьировании параметров этого процесса в широком диапазоне значений обнаружено, что при коэффициентах умножения электронов,

о

не превышающих 10 , модель дает количественное согласование расчетных и экспериментальных результатов для динамики однородного

лавинного процесса. Установлено, что в условиях импульсной генерации в полупроводнике, например при импульсной подсветке структуры, отрицательная обратная связь приводит к укорочению переднего фронта импульса лавинного тока, уменьшении его амплитуды и спаду тока за время импульса. Эти измерения усиливаются с увеличением коэффициента лавинного умножения, амплитуда и длительности фронта инициирующего импульса.

Исследовано поведение темнового тока в МОП структурах. Анализ экспериментальных зависимостей коэффициента умножения от времени в пределах приложенного к структуре импульса напряжения и от крутизны нарастания этого импульса показал, что темновой ток имеет стационарную и нестационарную компоненты. Установлено, что амплитуда нестацянарной компоненты возрастает как с увеличением напряженности электрического поля в слое диэлектрика ( 5/С^). так и с увеличением скорости нарастания этого поля. Это свидетельствует в пользу того, что природа этой компоненты тока определяется инлекцией в слой кремния дырок, происходящей при туннельной зарядке ловулеЧных центров 02.

Модель лавинного процесса в ВДП структуре расширена на гетероструктуры путем учета сквозного тока через такие структуры. Показано, что темповой ток основных носителей определяет предельно достижимый коэффициент умножения гетероструктуры. Рассмотрено влияние темнового тока на форму импульсных лавинных токов.

Исследованы характер поведения и природа электронной и дырочной компонент сквозного тока в гетеросгруктуре типа никель -карбид кремния-кремний (р-типа). Обнаружено, что в диапазоне напряженности полей свыше Ю4В/см сквозной ток через слой карбида имеет компоненту,обусловленную туннелированием электронов из

кремния по механизму,типа Нордтей. -Фаулера; дырочная составляющая сквозного тока из никелевого электрода значительно меньше электронной.

Третья глава посвящена исследованию лавинного процесса в структурах с ООС, содержащих пространственные неоднородности. Построена приближенная модель, позволяющая описывать лавинный процесс в структурах с ООС с учетом неоднородностей как в диэлект рических, так и в полупроводниковых слоях. В модели рассмотрены крупномасштабные неоднородности с характерными размерами, цревы-шавдими толщину ОГО и диэлектрическог слоя, которые оказывают основное влияние на лавинный процесс. ¿Модель основана на том,что лавинный процесс в каждом из однородных участков поверхности структуры описывается такими же уравнениями, как в случае однородной модели, а общий ток расчитывается путем суммирования, токое от всех этих участков, т.е. интегрированием тока по всей площади полупроводниковой структуры. В модели учитывалось поверхностное перетекание носителей заряда из областей с меньшим потенциалом в области с большим поверхностным потенциалом. Наличие в структуре неоднородностей по плотности встроенного заряда, толщине диэлектрического слоя, концентрации легирующих примесей и др. параметров учитывалось введением плотности распределения вероятностей значений этих параметров. Благодаря этому интегрирование "площади структуры удалось заменить интегрированием по самим величинам указанных параметров.

Для изучения влзяяия кяплгдсродностей диэлектрика на лавинны процесс были проведены исследования на ЭДД структурах с заданным профилем толщины диэлектрического слоя. Показано, что теория удовлетворительно описывает даяние эксперимента, в частности

- го -

формирование на ДВА! характерной "ступенькк* тока, обусловленной кашляем деух частей о различными толидааыа диэлектрика, п большую скорость спада фототока в пределах светового импульса в неоднородном случае по сравнению с однородный. Исследован процесс выравнивания неоднородаостеЯ напряженности электрического поля и коэффициента умножения по площади структуры. Показано, что в этом случае выравнивание обусловлено накоплением инверсионного заряда в местах структуры с наибольшим поверхностным потенциалом и напряженностью электрического поля, приводящим к образованию инверсионного слоя переменной плотности.

Теоретически и экспериментально исследовано влияние пространственных неоднородкостей полупроводникового слоя на лавинный процесс. Показано, что в этом случае модель описывает эксперимен-нальиые данные на качественном уровне. Показано, что неравномерность накопленного инверсионного заряда по плоцвди структуры, как »в предыдущем случае, приводит к выравниваний поверхностного потенциала, однако оно не сопровождается выравниванием коэффициента умножения, т.к. сохраняется существующая в структуре неоднородность электрического поля.

В данной работе доказано, что в олучае структур о неоднородным полупроводниковым слоем всё же может быть получено выравнивание лавинного процесса по пяощада. Однако это достигается не в течение одного импульса, как в случае яеоднородностей диэлектрического слоя, а при многократном воздействии электрических импульсов. Физический механизм такого выравнивания объяснен тем, что., как известно, процесс лавинного умножения сопровождается инжекцией горячих носителей из полупроводника в зону проводимоотя диэлектрика и зарядкой центров захвата х> диэлектрике. Захват

зарядов в условиях неоднородного винного процесса оказывается сильнее в областях с большей плотностью лавинного тока, что приводит в этих областях к более сильной экранировке и общему выравниванию электрического поля, определяющего интенсивность лавинного процесса в структуре. Выявлено влияние на процесс выравнивания величин зарядов,захваченных на ловушки и накопленных в инверсионном слое, а такае поверхностной подвижности носдтелеС варяда.

Разработан интегральный высокочувствительный метод получения . информации о распределенные по площади ЩН структуры неоднород-ностях диэлектрического слоя, основанный на анализе аксперлмек-тально измеряя»? зависимости импульсного лавинного тока от времени. Метод позволяет определять Плотность распределения вероятностей случайно изменяющихся по шгощада структуры толщины диэлектрического слоя и плотности встроенного варяда. С использованием этого метода исследован характер Процесса захвата заряда в диэлектрике.

Исследована зависимость коэффициента умножения от напряженности электрического поля tía поверхности полупроводникового слоя Щ1 структуры. Обнаружено, что при больших интегральных по

о

площади коэффициентах умножения (превышающих 10' ) нарастание экспериментальной зависимости для кремниевой МОП структуры более медленное по сравнению о рассчитываемой из разработанной модели. Показано, что это расхождение обусловлено локальным уменьшением напряженности поля в областях умнонения за время акта лавинного умножения единичного носителя.

Четвертая глава посвящена анализу поведения импульсных сигналов в лавинных фотояриешгаках на основе структур с 00С (ВДП и гетероструктур), работающих как в импульсном, так к

стационарном режимах питания.-Рассмотрено поведение темнового коэффициента умножения в зависимости от приложенного к структуре напряжения.Для приемников на основе ЬЩП структуры даны численное и аналитическое описания изменения импульсного лавинного тока во времени. Определены условия, при которых происходит укорочение переднего фронта и уменьшение амплитуда импульса фототека, приводящие к отклонения коэффициента усиления фотосигнала от коэффициента умножения, а тштае условия спада лавинного тока в пределах светового импульса. Рассчитаны амплитудные(световыечастотные и нагрузочные характеристики лавинных фотопрясмнпков с ООО, необходимые для оптимизации параметров фотоприемшжов при работе в различных рсжг.гах. Показано, что для фотоприешмкоэ с 00С не происходит значительного ухудшения линейности световых характеристик л заметного искажения форды принимаемых сигналов для коротких световых импульсов малой мощности- при регистрации которых в наибольшей степени проявляются преиэдпцесмза лавшашх фотоврием-ников.

Э. зактачениц сформированы основные результата раб' ВЫВОДИ

I. Получены аналитические и численные решения системы уравнений, описывающие динамику лавинного процесса в ВДП структурах с однородной по поверхности полупроводникового слоя напряженностью электрического поля. Проведенные эксперименты по измерению динамических вольт-амперных характеристик (ДВАХ) и импульсных фототоков показали адекватность заложенных в основу модели представлений при малых и средних коэффициентах умножения

о

(не пвдвыцаюцях 10 для ¿ГОД структур).

- 13 -

2. Разработана модель лавинного процесса в неоднородных ЦДЛ ж гетероструктурах, учитывающая наличие пространственных неодпородностэЁ по плотности фиксированного заряда в диэлектрическом олое, толщине отого слоя, концентрации легирующих примесей и др. Модель описывает динамику распределения по площади напряженности электрического поля, определяющей интенсивность лавинного умножения, а на базе этого - основные экспериментально наблюдаемые особенности лавинного процэсса в неоднородных структурах с отрицательной обратной связью (временные зависимости фототока, ДВАХ в др.).

3. Исследован процесс выравнивания коэффициента умножения по площади структуры о отрицательной обратной связью. Показано, что неоднородность встраивания заряда в диэлектрике при лавинной внжекции носителей в процессе многократного воздействия электрических импульсов обеспечивает выравнивание электрического поля и коэффициента умножения по всей площади неоднородной МДП структуры, в том числе в случае неоднородного полупроводникового слоя. Выравнивание умножения в случае неоднородного диэлектрического слоя обусловлено выравниванием шля за счет более быстрого накопления неосновных носителей на участках структуры с наибольшим поверхностным потенциалом, а также перетекания на эти участки носителей из соседних областей.

4. Разработана методика определения параметров неоднород-ностей диэлектрического слоя ЩП структуры. Обнаружено, что в кремниевых МОП структурах плотность распределения вероятностей по фиксированному заряду имеет колоколообразную форму с характерной полушириной около 10"® Кд/См2. В результате инжекции горячих электронов и эахвата заряда на ловушки ширина распреде-

ления увеличивается, достигая в условиях близких к пробою диэлектрика величины порядка Ю-7 Кд/См2 .

5. Обнаружено отклонение результатов расчетов по разработанной модели от экспериментальна* данных, проявляющееся в болев медленном нарастании экспериментального коэффициента умножения от напряженности поля на поверхности полупроводникового слоя МЯЛ структуры при больших коэффициентах умножэпия ( превышающих для МОП структуры). Показано, что расхождение обусловлено локальным уменьшением напряженности поля в областях умяолкппя за время акта лавинного умножения единичного носителя.

Список работ, опубликованных по теме диссертации.

1. Hi>OQdcuusv S. V. Jùt-iMrc/i&HU) £ and SÂuJL И& of акь^ясДг

m MIS iiWi^, - jâC^. ÏÙU. Wf^r.&t.y>Mf-367 (/986).

2. Богданов C.B., Кравченко А.Б„Шубин В0Э„ Динамика лавинного процесса в ВДП структуре. Тезисы докладов Всесоюзного совещания по лавинным ЗИЛ-приборам (Суздаль, 1986 г.) 0.2-3.

3. Богданов C.B., Кравченко А.Б,, Плотников А„Ф,, Шубин В,Э. Динамика лавинного процесса в ЩГС структуре при нестационарном инициирующем токе. Препринт 253, М, ШАН, 1"87, 34 о.

4. Богданов C.B. Математическая модель лавинного процеооа в ВД1 структуре. Тезисы докладов IX Всесоюзного симпозиума

■ Электронные процессы на поверхности и в тонких слоях полупроводников" (Новосибирск, 1988), ч.I, с.55.

5. Богданов C.B., Щушаков Д.А. Лавинная методика исследования неоднородностей в ЦДЛ структурах. Там же 0.56-57.

6 . УЬо^е^Сиг^г-

5. V; ЯпюяоггЯ^ i/.ß. аю/

$ht*/&xtcov- ¿D.Ü. Ьъе+йргъА&п pf M/S ifau&iiux&t

Science, к Щ />/>. 38/-3S7 f <9*9).

7. Богданов C.B. .Кравченко А.Б., Шубин В.Э. Формирование импульса фототока в лавинном ВДП фотоприемнике. Электронная техника. Cep.II. Лазерная техника и оптоэлектроника, вып.З (55), с.87-91 (1990).

8. Богданов С.Б., Кравченко А.Б. Кинетика отклика при импульсном фотовозбуждении в лавинных фотоприемниках с отрицательной обратной связью. Тезисы докладов П Республиканской конференции "Физические проблемы ВДП- интегральной электроники" (Севастополь, 1990г.), с.29.

9. Богданов C.B., Поваров П.П., Шутаков Д.А. Исследование неоднородностей 8ВД1 структуры с использованием режима лавинного умножения. 1&м же , с.30.

10. Басов Н.Г., Богданов C.B., Караванский В.А.и др. Лавинный 1ВД1 фотопряемшпс, a .о. Л II27497, 1983 г.

П.Богдвнов C.B., Кравченко А,Б., Плотников А.Ф., Щубин В.Э. Способ регистрации световых импульсов. Положительное решение по заявке » 4724X35/25 (I029I3), 1989г.

12. Богданов C.B., Кравченко А.Б., Шубин В.Э. Лавинный Щ1 фотоприемник. Положительное решение по заявке ft 4732210/25 (II2749), 1989г.