Динамика макроскопической поляризации спонтанно-поляризованных диэлектриков тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ



v^opoiEcitói ктшттгашя паяшзшт

Ra aiϕnax rvEoratcu

JJrKvUS Ceprc-il ¡йшхяаегач

ДШШт 1«.'\КРОСШДГШ2КО;1 ПОЛЙИЕУС"! СП01т\1-1Ю-иШЯК!ЗСл]Л!"Ж ДШЕИПИИ

01.04.10 - йяэика полупроводнш-ов н дам&гзшка»

Л. в i о р о ф о р а 7 дковортаднк па еоискгшпа ученой отопка доктора $2зл):о-»ате!ятотрого?г ипуя

Зоретеа ~ 1993

Рабата выполнена на к»Т<щре эксиоршгсято;- г.по": <Тя..«:к'Д1 Яизкчёс-кого факультета Воронежского государсхаг'.тюго унш?ро:ттета

Шаодалътш оппонента:

доктор Физико-математических наук, прсхТессор БД.Струков

доктор ^зикочлатетткческих наук, праТессор Б.М.Даракяйй

доктор фкзжсяла-хи.итичесгах паук, профессор Б.И.Снооев

Ведущая организация: ГЛоскоескк'; ппсгкхут рядаотвзазкк, аяектроллюх у. автот/атски - ШРЗ\.

Научный'консультант - доктор физико-кзтематических наук, профессор Л.К.Качкшва

Зенита состоится 5 июля 1ЭЭП г. в II часов на заседании специализированного сойота Л 053. 18,03 при Воронежском гооу-, дарственном университете: 394693, Еоропед, Утжорсктетская пп»1

С рюсертшяеИ юг.ою озаакегктье* г библиотеке Воропсзхскогс государственно!*© ушгоергатста

Автореферат р^зосл-ш 28 ют 1Ж' г„

Ученый секретарь спедпа-атзпроватгозо повета

доктор (Т-из;гко-::атотт.-.,:со!и1:< наук,

профессор • Э.КДзгазшо?

OUiiVI XAРЛКТЕРИOil-3>'Л РЛГ.ОТи

Актуальность пробдозд» Совпешипя Лпзгсса спштмчкмгадирп-"ю.лл;ш;х дгадсктркков (унпюлжх гтрозлсктргкоп, ссгнетозлсгтрп-г<ов ч рцтоизсшкых ni ттсркллов ) ягляотся игтаейпт раздатом на-пш о тисрдоь тало. Iiaudaiaralt трогрссс в j^oii .области знание я зшю япа-пкельшо порспшшгон розшшя связаны с ilîtsintolt оегнс- ' гоолсктрпиов, хотортя на протт;;р:пи' своей tí алее чем полупш овол истории ¡ю знача периодов сподп пля застоя и до еттх пер птюдол— гдет оставаться олгасл из налоолее яитерсиьнс развдвамцнхея незтов 'Hwmi торг,ого тела и й.шшш дкэлектртков. Пгстчяни этого-чаклччаютая в яонроде са.гагс объектов иссгрдогаилл, обладатечтх не— эбтчшш сочетаниями оазиообоаз^нг ушпалытчх «изичосклх сьоГ.зтп, изучение -которых 1-:г.сет как ^тпзвмояодъяое, так с прявласноо значение, • ..

Поол;."стом .?кзшш спсчтошочталяррэоваиннх • диэлектриков и, в частности, «гада! сегнсюэлектркков «гпляотся r.-ipoiaiii круг'проблем-как. общего, тше и чаемого характева, среди■ которих ввделл! )?ся прсблек» структуршг* я-азов»*тс перого-^п и ¡фитгчеекгх.ятзлепг':., дн-■ кигвиш рстотгаг а ез раяп a r03inL-"i0t<ciai;i оионтатк»! пгавтризацчг Ps каззннх перзтодах, ксдулз'роьашшх i: несоразмерных епстсп, .« нелшючнкх яплвний» роста крнстаапов» позерлюстншг яглогеь: м тонки:: .гярнок; закошялериостои ^орггтротлшТ я дгсодзшп докезтг1.'. структ/ри i* др. . '

Члсло вновь огкрнвлегv¡:i ;ли^.геичх боодч/гетй!, омотеялмлш. к пйяЯ1л;:.-!П днэлектрекал, постоянно ivotct, лричит этот рос;1 является не только кзл1г-к'сг.псш1!;.1, ¡а)• н.качоствопкгл, вслпдсяше лого в cœpy зштирисов yiaart, тлиигх-гцихоя и;с изучением, п нас-•ítíinoo врочч оказались шгаспс.па::л1 bi •сог.отомпррг'.тур'шо сперх-nprto^usi, ноулорядсчлп'но к стсмгяпойобшге маторгаш, кошозк-тн различного состава, голяпгле чоллгерк, :.:пдкг,е кргстчлли, ¡vjpic-тггт.т;.

£'-ссь komosokc nco'j'iîuur.v 'т".п;-'чос;а-!:с охю."сть спонтанно-лолл-•CTCTiíii'iaix д'гсуге;:т.::«*п н ronowo» чтого евчзан оо саотгесюг:.:: 1:.дтгс.д;чеакг1Ш н;глвч£лп'<г:,.л пх осцо^аогз структурного свойсгва-:юл лолчриагисл:, ¡rc;<.1:xreo ярко влр^ло'П! в с?г:;ото-

пос::олт>ку г- ynv.:: i-:p::ovvjEax: ora: -зн^чяташю уоа.~гва-•сся ол..'гсдарл c¿-;;3i:t:.ст^ктузти Вб лтатзпоекпе ■ ;и:яа'лл:сс::1ч: овс г' ояр-олол'-лтге.ч т:о '•"'i.T-.rio прлголо" îtpnciai-' ■л, во тшс:;о завв^лт Л ])чг>.;п:ч.ч-:ч (Тактс-рс . -, г:;' ггаллчгл

в' кркстадтпческоИ решетке дефектов,' лзэюадсйотвуюдах цпуг с дру-том е с домеш-гшта. границами, Вследствие этого ыакроскотптокая галярпзмшя Ps являющаяся количественной wopov! степ-лп: заполя-рЕзованности с'огнсто^дектрика о учетск его розбгенгя на допс-ш, рглзивпетск сильно зависящей от указанных ("акторов, причем но только в окрестности структурного фазового перехода, по зачастую и значительно щкее точки Кюрл Т„.

Несмотря на .обилие накопчепшх к настожче»^/ врзятегш экспериментальных данных,' -многие вопросы статики и дингаахки макроскопической поляризация споитанно-пол-яризовашшх диэлектриков и непосредственно сзя»аншо с ншла вопроси дикагяки доменкой структуры реальных' (.содержащее дефект}' сегштоэлектриков остаются откриты-кз. До <тк пор тш ясна гошцишальная возможность продсказаипя'в деталях ища реальной дог,'era. J: структуры, закономерностей ее фор-шровшшя. bp-Бремене и поведет«:'под деЧствчеп ншчш электрических- аолеЛ. С одно:!- стороны это обусловлено недостаточной изученностью строения доменных границ к, как следствие, расхо-гдошт-с:.т' Э1сспер*алентаи.ннх результатов с теоретотеским описанием -дпна-кики доконов , G .другой стороны Кб до конца изученной является проблема зашитая ■ дефектов ■ на дащашческие свойства цотенной структуру, процессы ее изменения под действием различиях Факторов. В овя-•sii о - этап з&:оком<зрю -возникает '.задача изучения .федсказуемостп, CTcriiLrbKoo-xiMt агспроцзЕодаглостк - поведения .макроскопической по-..jtopiijojiHU оегнет.оэлектркксв как в статических, так и в разню: да-на:л-^:сЬ1:кх ре::иг,1ах. Эти исследования, необходимые для-развития-' тесрчо-жюстлк прздетьвленнй о физических ¡¿еханизглах поведения до. кашой. структуры и спонтанной поляризации в реальных кристаллах, одновргменно является -основой целенаправленного поиска эффектов-, галс путей фор'.гирозания 'заданных свойств сегнетоэлектриков $:а-'девдого управления not цад. использований' этпх кат-ериглоа в устройствах современной твердотельной электроники.

• Ъ свете изложенного задача разностороннего м углубленного • изучения вопросов динамики. макроскопической поляризации сясьт.анко-. Поляризованных" дйэдекгриков и в перъую очередь их нелплб{шых пред-ставитолейс';гнетозлектриков, -шляется актуальной. -.'.-' Состояние г.рс^леш. К началу, выполнения настоящей работ

-г#) 'ряЕзяичнцми' яоежедовьтёлтда бис получен обпгарнкй'и ра»-Нообредкый экспериментальный материал;тгазволивпглй выработать он: ределенныо представления ;с "механизмах переполяризацьи (реорвент?.--гии вектора')"'в оегнет.озлектриках л об основных этапах итого

сложногоионпюШгого процесса. £iwa шяглвш общие .кратерик формирования догсешюГ; структуры прл сегштоэлектрнческом -$азовэ1г переходе ir оо звоакцпп во врекеш. Л это >;;с время катались систем?.-' тическке «сследскашя нелинейных спонтагаонки!£рпзов!ЧШшх ярпс-ттллов со специально введспшл! пралеснип и о дефектами рядашр-oiGioro 11Рсиота",дС'Н:1Ч. Во taiorou orí: pajera: били и'ициировяш потребностям! цраклхг, в частности, задачей .создания шроэлехзри- ' ческих прпешиксэ йлекгроиатшяръ-ого излученчя. Однако эй: исследования проводились, как правиле, в сравнительно узкой темпера-турком интервала кше Tf.. Практически незатронутой осгадняась проблема лзученш текперагурзоге поведения, впом'шглой. и макрос-копи— ческой полнрнзодии разл1гшнх типов споктэшю-лолярсзов-дншх ьрпс-талдеш з широком гстврвэле тожеретур, включая бшгаие к абсашг-иому пулю, что не позволяло отдалить аТфек'Л!, связашыо о югфо-ратурикм изменением дог.енноп структура от пйсоктов, сбуслоачетшз: поведением опояганнсА шляриаадил. •

Внедрение в начата годов в зкспоржлег.'Галълуи арзташу . новкх методов шзуашзашгя доеденной структур (в. том члел.о я. оптически нераалкчитИ I80°~oü ходлакеарпой доменной структур: i) таких гяк метод пирс зонда,- растрбзо;! элзкяронкоЯ- мкфсскспкн,' не;.?.-гичеоких хеидга!" кртстадлов, поззодпдо бодео детально изучить вопросы отазжш и дшюшка дстнной структур:-! сехД-тетоплектрцкон. 3 это яв' эрзмк началось' изучение свойств роалгнгЛ! дошшой струк-гуры, строения домешшх стенок, келкшзноп их взакшдо&зтшя с • дефектами Билл лыработачи гфёдсте.ьле'шя о мэжшзтх Фср.'т>.фова-шя ir природе внутреннего поля," создаваемого до?екгаш, .'вводипк-.п з кристалл при росте л виде специально педо^а-чпн'х пря?.*оовЙ ядя зади?л;иан;шми.

Несмотря на зшчительшй прогрес-с,' достигнутая лги изучении ¡воиств реальных крнстатдов, рчд нопроссп, -связьшшх с проблсмо.1 шкалики макроскопической г. япдадгес лргощиЕйалышо

¡начензо, остается нераиишшл. В пергу» очородь ато относится к рЗлеме устойчивой воспроизводимости хгиозенпвго состоять глк-'OCKOTOweÓKCiU полчрнза'сш, регулярности ее. поведения во зшгапх сяях.- .

В последыша- года а'рашгшкх облаоигх Лизики усилился плте-г,с к налипейяш лглсгск», V. язучс:лд уадзшойшх. дина;зпес;.'.ч истем н сообешю их хаотического псведеиля. Оегпетоолзктрэтсц рсдстадляяг ccdo.t адеалише о^ъектм для лзучекля acwnoioii;;ir: з;стов в -ГБердак. телах, a ::pooTctee олсктр^оскно него: с сегар-

тоэаектрикош очень удобны для изучения проблемы детермштрован-ного хаоса в .нелинейных колебательных системах. С другои^сторош метода нелинейной дйнашки (экспериментальные, кошшэтершв, математические 3 могут' быть использованы для получения принцптталь-но новой инфортлацш! о сзоаотвах с охнет о электриков во внепшем переменном электрическом поло.

. Решению этой к тесно щотатавдих. к ней проблем, связанных с особенностями динамических свойств макроскопической паяяриза-И1П1 реальных сехчгетозлектричссюк кристаллов, посвящена цастоя-'щая доссергадио1шая работа.

■ Нйль тботн. Целью настоящей работ» являлось установление причин и закономерностей проявления нестабильности ткросколяес-кой полярпзащш споиташо-па1яркзова1в51х диэлектриков (лгаейшх к шштеКшх) в .статических т«х' дшшшчвсккх условиях Св отсутствие и при' катгати внешних лолещх воздействий) » развитие представлений. о реальном поведешш доменной ст'ру1:турц сешетоэлектржов. в . разш>: рс::-.ш.'ях код. де&ьтзкеи тзйшшсс элехстргтееских полей,' выявло-. шш физических- причал возинкиоьешя хаоса в. сегнетозлектршсах.

В соответствии с целью работы, с учетом выбранных для ее доствшвк методов п объектов исследования, были поставлены сло-дуицпе осиоммо задачи:

' -"изучение обзйвс свойств «ажрослояическоЯ'поляржзавдш раз-лпчям»ляко1&шх а'' ншшпоШшх с-понтахшо-паидазоватшх кристаллов в йирокогл интервале температур б -статическом .ре:хаме С в .отсутствие внешних ттевых. воздействий) ;

- установление обгдих закономерностей товеденкя какроскопп-ческой. подяризацки ровшшх сегнетоэл-ектрикой в различных апери-одкчоокох двнакических режимах ( переходных .релаксахщотрых процес-

.•сах) , сталированных внешшш постоянным электрпческш полем;

- выявление' особенностей ряпзхъаз глкросксдогческой поляризации в периодических рсжмах (г. процессах переяоллризации) под действием синусоидального к 'импульсного электрических падей;

- исследование условии к кехишзмов вбзнзпшовехшя готических колебаний в сегнстиоктричсскпх кристаллах-при их шпишчес-коГ; перополяризахцгг. во яиеанеы электрическом пахе;

- изучение особенностей дйяпицки дотжишоЗ структура, и 'гакро-скопячссхоИ нагяризафгк в тохшсратурныУ областях ее езмопронзволь но!'! (не езязашхой .о внелаплх пачешмн •юз'доиотшотд1) нестабильности; ' '

- изучение процессов С" обуеловтагогдих их механизмов) &ор~

шрбвз^чя во времени внутрошюго паяя, созданного в монокрас-.

те-слах трют1-тщ-лсул1Д'ятя (TIT!) радиационным дефектами.

Объекты к методы- исследования. Выбор объектов исследования был продиктован задачам работы. Изучение особенностей НоЕодесия ; макроскопической поляризации в широком длчтервзле температур проводилось для больного числа различны: представителей отючтаяно- •. пешфизовашшх кристаллов - динойшх п-'роэлектрыгоч- л сегнстпо— лектрчкев.

Из линейных пироапектрссоз были ИЭучёкЕ М0Н01фИСТаЛЛН тур-; малинов, резорцина, :срчеталлы группы со структурой в^рдгг-э (BeG, OJS , ZnO), моногидраты сульфата лития и нитрита барил, кристаллы кшкрикита и нефелина.

Оегнотоэлектршси были продс-га'икш- в отой части работа кристаллами. разного структурного типа с 'газовыми переходами тиго смещения и порядок-беспорядок» как первого, таг. и- второго рода, ле-ютцимп в температурном интервале от 12 Ii до IP.0P К: ПС, дилщро-(Т-оа'атьг калия и -цезия - KDP, СХ>?, догдцроарсенат рубидия - PDA, титанат бария - BaTt-Og, ниобат лития ~ LiHW^ '». дтаольцкй 'строп-ци'} ттрогпюиат - ДСС.1, литий таллий пртрэт - LIT, тшеаркозг.и- -' кчл1-щ1й хлорат - TSCC.

- •' тЛсоледовщщ>- динамических свойств »."¿асросконическиЗ 'подяриза- * щш. при висривх- полевых воздействиях С переходные релаксационные процессы .и процессы перечолярлзацет;) проводились на кристаллах, отвеча.'И'агс еяедпотдаи условиям:

.- нгчичиэ простой 1о0°-ой подви-геюй п чувствительной к впегс- • чим воздействия!,; домишой структуры, • '

-возможность ерзшштельпо простого гогуодвд хрястелП'Ш ко: поттяльяо чистых, tüs и легировавши рэшьгтют грплесЛ:тп ;пе>-реппя г. загхдйнт'я, •

- 1ш;тнгл;::е'"ьость, во-пс :лл:х,- к ::;yiy меделыпх оегнито.'Урл-■трнкэл, во-втори.с, к кристаллам, ш-еяиш практическое значение.

TJ.iiaiwora«eii атеист зтим условилд.. отвечает ияучзтжиеся 'з работе кргета-ил; ITC и ore лстаровдтгис аналоги,- а так-sc игчото-т;::е ^ггетадлп з-рупяы -I'D Р. ' -

Основными метода-л/;с.';едохк1га:ч ягллл. лс: статический и 'ссайИ2Т.:т:!чес1з:Л катоды г.жкртшя :а:эолче;г?пр<еокЬг.?• коэ>М.я:,иеь-

«/1Г . . '

та I , vjicxi л^розлект-рпеогоя г низкочастотной диг,лск-тг,:тчйс:-ой . рслет.оашш, метод :!:r/r,L.-r.ji базового портрета'н отобравший Пурл---

д.*я ^оатодсвауельчого рсзолгшспого KLO коктурч <: дгаслвдесхеи "cm'ü: a'iii" сггнз^с/хи■ктрглгсс.к'лм KOivici-ic-iTopois, метод гал:.-лт!-

чсского анализа оиектров тока переполяризации, штоды низкочастотной диэлектрической спектроскопия и эффективной диэлектрической нелинейности, шгода петель диэлектрического гистерезиса и импульсной Сио. Мерцу) перэполяризалии.

Научная 'новизна. '

Впервцо ироведеш систематические экспериментальные исслодо-s вшшя условии возшшювенкя хаоса в реальных водороде одер;сащих сегнетоэлектриглх (, па примере кристаллов TTC, KD Р, О DP), при их переполярнзации в синусоидальном электрическом поле и найдены области существования устойчивых хаотических колебашш в разных переменных: "амплитуда поля - тешература", "амплитуда,- частота" и др.

На основэаши . полученных результатов впервые предложена физическая модель возникновения хаоса, в основу которой полтени пред-• ставлешш. о нерегулярности процессов начального зародкшеобразо-вания при переполяризации сегнотоэлсктриков в сильных электрпчес-ких палях, приводящей к нерегулярно:^,. невооцронзводаг.юь'у поведению мгновенных . значений макроскопической- поляризации и скорости ее изменения....

Расширены физические представления о дина:я1ческих свойствах шкро'скопической поляризации реальных спонтанко-паля.ризо&иппсс' диэлектриков; {/дкроскопичестой поляризации присущи различ!шс вида нерегулярного Скак спонтшшого, .так и вынужденного,) поведения,-имеющего либо структурное, либо доменное происхоздегаш.

Найдены 'общие закономерности, присущие релаксашюгогому поведении макроскопической поляризации реалышх кристаллов ТПЗ в раз7 них режимах воздействия шеинегс электрического поля.

. Впервые обнаружен ряд особенностей релаксационных и пере-••клотателышх характеристик но:.гшально чистых и дефектных кристаллов ТГС в температурной области спонтанной, неустойчивости доменной структуры этих кристаллов.

. При анализе вре:.»шшх зависимостей внутреннего поля смешения, созданного в'крно'таллох ТГС рентгеновским облучением, идентифицированы два типа радкацпошагс де.Текгоз, ответственных за немонотонное изменение внутреннего поля со временем^

Оонолшо 3a;i.'îïï-t'i9'.'?Jo положения. I. Хаотические колобаикк в водородсодерглщкх сегнетоэлсктршсах, пербиоо}физуекаас силышм евнуоондалышгл' электрический полем, .вмеки? домошое происхождение, ■ • 2»'Возникновение хаоса при дареполяризащш сегиетоэдектриков

обусловлено нерегулярен.!, периодически новоепроизводимым хп-.рактером процессов 'зароздеиия и исчезновения доменов под действием герскетюго 'алекгрпчеокого г.аля. 3» Стулировапшо шоапкм постоянный атеитргпестд полом про-' цсссн релаксационного поведения кжроскопяческо!! поляризацис реальных сегнотсплоктриков (па првлеро 'ГГС) контролируются:

- при установлении равновесного палнризотнкого состояния} бистрш.т» npci;ccca:."î укрупнения демзиов с, их закрепленкем на дефектах,

- при установлении равновесного деполяризяванкого состояния: бистршдт процесса:.« изгельчешя доменной структуры и галиури-рувдгслп медяспишл! процессами укрупнения доменов с int доело— дузерпл закрегоштегл на дефектах.

4. Выделенные кнтервалц тошератур и значонш! по'с?0язшого ояек-трстеского паяя, внутри которше процесс« релаксадаогатого взиэ-

■ ;нонпя макроскопической поляргзапгш щистяллоз ITC соввряаэтся с одним врекеие« релаксации, располагаются, соотвотстзойио, . в тегтшратурно;1 области спонтанной неустойчивости докошей структуры и вблизи значений коэрцитивного паля кристалла.-

5. Уялтяяриость процессов дтшгчсскоЗ пероггаляразаюш реалывк кристагтов (.на примере Т.ГС ) к связанпоо с noli суцсстБовашо з спектре тока перопатяризшсн; четшх гаркопик, ' ойушоаяенц iis-л^шем в кристалле исперскличаекой частя объема, различие?.: во---лпчпш переключает"! части объеьа в .двух полусерподах впегдте-го паля и несогаасовакнш поводехкем' дошюих стенок п sapo— ЯивеЯ домолов под действием пореподярязувдого патя.

Пралспгческрл значт.'ость гг.-'отт. Найденные в работе 'услозют пвпродсказуотго хаотичосхсого поведения t.cucpocicormccKaü зздии практически lœmix кристаллов груш TIC к 1ШР могут бить попользовали при разработки и создшвш аш.<е1ггов и устройств тдардотслъно!! алектрашпж, кепельзулгдгх зфхГектк порвклотмтя поляризации сегяетоэлестрнков, для повыленля отпбхигьиостп. п йоспро-иэво.дп.*. :остл рабочих гпроиотров таапх устройств.

Исследованные в работе особенности рата*«;ацпопшсс л пзре-пеллрдаага'ошнх свойств кристаллов. 7T?. в тоетзротурпсП eàÂrra самопроизвольной неустойчивости ■домеиноЛ структура дотает ваться при хобых нрактнчеоюа пр1а:онениях отах кртоталл^-и

Метод гармонического ллксгза Спектра тока прг^гтрпзацга мсг:ет быть использовал как просто!! а иедеошй • г:- дс-д-тадя уппполярносш оегнетоалектрдчеекзпг кристаллов,1 .Ьзгкзят^й о? ■•.vettern их дефектности.

Полученный- 2 работе результата и закономерности ;,:о1гут слу-кыь экспериментальной основой для дальне iimero развития шдгль-1ШХ л теоретических ггеедстгхлении о реальной домеано-Ч структуре сегнетоэлектриков.

Аггпобатзи вэ.ботн. Основанз результаты работн докладывались и обсукдались: на 8 •- 13 Всесоюзных конференциях по физдке сег-нотоэлектриков. ( 1973 -- 1392 гг.), та 5 я V Европейских конференциях по сегнетоэлектричеству (TS83 г., Кспашля н 1991 г., Граничь ), на 4 Японо-советском свъшознуме но сегнетсзлектричеству (1Э8Б г., Япония), на 2 Всесоюзном семинаре по физике сегнето-эластшсов X 1Э82 г".) , на Всесоюзной конференции "Реальная структура и свойства ацентрпчнцх г^отацлрв'' (I99Q г.) , на Всесоюз- . ной. конференции "Современно проблемы пазики ч ее ярплс;швйм (1990 г.), на 2 Бресошной конференцш ро физике диэлектриков (1982 г.), на J роветско-лолъшсом симпозиуме но физике оегкето-алектриков. (J99Q rj , на 2 Всесоюзной ' конференции по физшео-хц-мическим основам технологии. сегнетоэлектрпков (1983 у.), на 8 Воеооюзнои конференции по росту кристаллов (1985 г.), на 17 п 18 ЫаадутродннХ: школах по сегаетоэлектричзотву ( Польщ, 1990 я 1991 rr.)t на. рескольких Нездународних школах и конфорездшх кр сошетоэлектричеству (ГДЕ-1, ФРГ, 198?., I9B4.,. 1983, 19Я8, 1990, 1991гг.)гца киу-и:ых cOi.nniapax ряда отечественных к зарубелных вузов (Ьоро^е;.ср^й rpcyiPiBepoHText ВарсЯ1ел:рк;й полителртаеокгл Снститут, Киевский нрлителшческии институт, университет К'г.ртшк Лидера..— г.Галлеt <ИТ, дейпцигский университет, ДрэздекокпЙ Технический у ШБерсмтет).

^блтгкатрк в '.отты!! втелал автот>а. Всего по теме диссертанта опубликовало более 40, работ. Список основных публккдцей (-10 наименовать;) приводится; в конце автореферата.

Все эхеюрнтзптшшше результат!!, представлекше в диссертант», получен» явторрк лттао ала при его непосредственном участил'. Автору прннадл.ехат акалаз и обобщенно всего-цикга работ по теме диссертант, а таюхе основные» представленные на замтту по-лоиенкл и вывода-.днссергащи». •

Структура и объем г-абсти. Диссертация состоит из Введения, четырех глав, заключении и швоцов, списка цистровашой литературы. Обзор литературы ноопт. целенаправленный дарцстэр и рассредоточен пэ глазам' и- шрагри^йл. Содерхашге диссертадта прл скво: ной -щкороуш пзлоззно на 332 страницах", вк.та'-'ая 215 страниц тьюЕксного текста, 152 тыс., 2 таблицы,.библ.- 281 ВРлакноБанЕЕ

согдамш здвзш

Во_Впедешш обосновано а с^уагьнооть теш, поткано состояние проблош, «Хэрцулировяш цель к задали.работу, перечислены объекты ц уотэди исследовании, укп&акн научная новизна полученных результатог ;i irt щлктическая знаилшеть, .перечислены осной-)шз ьоучшю палскення, ■вычосигае па зогщту;

. плата-"Хаотические ялтещш з согнвтоэлектряках" •

'Б :ПелБ0М''Шраграп;;е сбоочсшвается возмомнооть использоишшя.

¡экспериментальных методов исследования нелинейных дипчшческшг систем.Для кзучешш дишлшн ».пкроскопкческой. поляризации, а, следовательно, и домештой структуры сегкстоэлекч'ркческих кристаллов в процессах пзрополчризадап. -

Любая динамическая <ь частности колебательной) оистег.г., содсрги?л!дя- сегнетсэлектричеслий кристлп» Находящиеся в полярной фазе, является нелинейно!"'. У простых (с шлш числом .степеней свобода) полиаеГшкх детермшшрзганшх (характорпзущгсея отсутствием случайных параметров или воздействий) •системах пои определенных условиях могут реалюовтаться мучашше,' непрздека-зуешо двгсгхнип, лолуппже название детотадишронашi»ii хпол./I/, Простежгей нелинейной колебательной системой.яитлзтег последовательный резогагеньй R L С-коитур, осдерггшщй з качестве натшоШюго алеиекта согиетоэлдктричэсзий конденсатор...

В течение последних 10 лет появится ряд исолодоганлй. (например /2/), покззаншгх, что в таком коктурв йогут' возникать • ецнуя-дегаше хаотические колебания, птегигл; устэ.гшзни характер. Пос- . кальку в ссги'стоэяоктпеском oopaane при возбуждает контура, горепептал олектпшгеок'м ншпйюшюи осуществляется птюцеос циклической переиатярнзгвди, з шоточцей' работе бадо проддок,еао не--•пользовать зкоперидевтальчне метода анализа каи-б.ипг'1 в кептурз '«"От изучения оссбмглостеЛ ддпгхтп доксньой отруктурн сегйетс-злектрпков в птом ела: ком процессе. . .

Краткий обзор устаноггггшхся в литературе основных ?окятлй '¡логической д:п1а:.л;-л /I/ кашпе.гных сусгек доказывает, что для того, чтобы динамическая or,схема баю способно к геяеращп 'хясса, однчл из неебтод'п.их vuroairii язляетсл нащтчио в ней неустойчивости .I70.fi ОбЦЛЙ ОГРОНИ'ХПНООТП возмазмх з ней да.'п.-.стсгГч Кроме.того, г- снотека- об^затаг.ьпо присутствовать гмее-лнбо изкои-гтю--

лирусмо; «упк зо^гл^снйл (дъкиония) , кс-торыо с одной сторож не r-DpyiTU'T? 1.Т!КрОСГ.ОГС ЧОСКОЙ Д0Т«С;.7;ЗП1р0.эД1-Л00ГЧ C'«:cv.-'tl, а с другой

при íja^nnuci в система кеуетоКппвостй' в цртшпе погут при опро-дбшявзс услсвпях приводить г. ее случайно^, хздттсока.'у поведешь /I/.

Допускал, что хаотпзад:-л колебания в контура с сегпетооле;;-тряксс! гссот бтлгь связана с ссобегаюстяпн дина-лл::: тпиросконк-ческол поллризг'"л.гг кгпеттдла и процессе ого перепслг.рлзапгз:, целесообразно начать изучение птоблеш с поиска возгяхаглх -псус-тоЛчивостеи к t.s.oix возцпич!.::'! в поводешт гпкроскояпчсской по-ляркзачшг спо1ггшшо-поляр5тзсг.-:«йш:с диэлектриков.

Ьо втором параграфе приводятся результат« экспериментального псследоткш стагдческкх ( без полевых воздействий') темпер-лтутешх зависимостей пироэлектртисского :со:*'< ютонта, наиболее полио от-рагаиетс соответствуйте тегхературнос ипглоиепие микроскопической поллпизлпги для двух осиовплх типов спонтсишо-поляризовашшх кристаллов - л:и:0л1ШХ" га:рог'лсктр:гкоп и собственник оогиетоэлек-. трикоз. . "

. ХарактсрчоЛ особенность»' тсстаратурнпх зависимостей пдро-аяектрглесн.ого ko»j«*rcu:ci:fa дкнеЛнпх тсфоолоктриков простого состава является их кочотсг.слссть вплоть до те; гпсгсл'ур к 5 К. Лнрлиткчсскпс "oxcrciic.Q. з лгкс.'.л'.остеЛ ^'(Т) ятих кристаллов чашк-•ге:):!ст:>т.гдл.з: -^упкуис зг Дс-бая и Зй5с?е;;иа .согласуется с зхсгс-prx.'vrií ■ ■ ко j.сс:: госледсдаижш eítcpívvk тсчпогатур

(5 - Г00 )¡) зл пегллчепнег; области самке низких, тапил-лтур (Т~ 53 -ТО I"), где гроявлягтея дополкителыпк:, npo;TFi:o!.wc:ap.:;l ко знаку, гглтд в злпхеипоеть f(.1) . Этот ьмгзд, :c!urj опх-

скьдо'Л:" х;..'ра,кгс-р':стг-'-''Зс;;о'.1 ¡'"ушашо:; Борча, приводит к тот.у, что in:i: нс::о:срол тгчтзрдтуро Т:5 К в птих кристаллах даг.-чх 'происходить 0'-.'::а зи^кл'г^рехоз^члхекга, т.е. в злагсихсстд ?s(Tj::px ото'' '.гузе "оллсл: глол^'.-аться экстрему?:;. Голь до.чодч'тсль-

Н0Г0,л;члл:'пг0 по те:чк:р"Л7т-' уклада ^ гпьисч:лоть ¿Х'.'.) У'-0-' 'ц.т.аетоя с гост':"", дс" 'ялз ip-.зчои и cito у'лз!.:;гет ча о'тот-ствокчзодъ дел-Клав ••пгг.^-чос- пЪнгд'-.нге 'I's('i') кр::пт х-ля- n?<v го вкг.а хрп тогххдхх'урлх кило-5 i".

'"■---се огчдглчао Ч'хтолд-'.:оох'кххатгь т(-х:х;р:л'урх;д: r;x:r'':;i~-мосты:' '.:': лд-inicii кплдр'зл'л':: чраодггхх.аотол к луяе'.члх лх^олек-тз;;:слх сллх:ого. созт^га. ii ; ;o;:oxpxct"w:ax coi.io'íct - va тур*-ликов .она зг.сч-;.-.■:mokt-.vh чо K.^v^ictc-j крц тсч ню ступах I?. -- jí.

Cp'vyt &т>о:»лс!:;гг>ггоз ]л;д^!::стсл класс крхс лгд.;оп,

в стр:,_,дуго ;:р.:еу-дподы:чк:е колдрхи.е ko^íck-xj,

сяособпие к угорчдочешта в огтедачешйх тег-лоргтурта' «нтерБ.'\л:ис, Б нштболсс детально било исследовано поведение сиоиташой

пагяризацлк монокристаллов моногидратов сульфата лития к нитрита оерия, у которых тшовлл г.олярпьпл: квмшгексзда стляюгся моле— кулн кристаллизационной вод./. 5 завком юстях Р$С'л')этых хркотал-лов экстремальное поведение, сспрсволдаэдееся сменой знака шро-коэу'нылет-а, наблюдается при температурах.103 К к ISC К, соответственно, и связано с "замора.'дтанием" еодвгосностд диполей IlgO /Б/ при этих тешгературах. Наблюдаемая в окрестности температуры смеш зияла пирокои^пциекта (.экстремума неитабаль-ность значений свидетельствует об определенной нестабильности, неравновесноетк опмп'аст.'о-золяргзопанаого состояния этил; кристаллов Е указанной гшпора^урноЗ «тбластп.

Прлпп'дшгатьной особенностью завиошлостей ) сегнетеэлек-трикоз является m: оудзстсенко пемснототжй.,* часто нерегулярный характер, пкеячий место.ие тачыад вблизи Тс, не и при 'более rasj-кях температурах, и обусловливай перегл'ро1п:&ми их дшеппой структуры, которые особешто сильны в еодсродсодеркглдгх. сегаотоздгктри-кат: TTC, К DP, СЬР, PDA, ЬТТ„. . ' '

Немонотонность и нестабильности макроскопической шлярязй-шпт является обтаем свойством спо.чталлго-иатяр-чзоваяяых даэлехтрс-ксв, В линейных пироэлектриках црояплодпя стой неустойчивости имеют чисто структурное • происхождение-, сравнительно иеваисш и в ситу природы кристаллов, по-видимому,. но могут быть обнаружены при воздействии на кристалл вчелнего элсктрпчео1сого паля,

В сепютозлектриках, особенно зодбродсодсргюажх, -напротив,-эта неустойчивость поляргзацяи, галегадгя в о сгозном доменную природу, весьма значительна,, проявляется в лпроком иптерваче. тегле— • эатур г. додана быть особ сто замзтной в дгаастчеош. ршослах ,под действием внегшегр паля) , в том числе,и в силу неодноглгач-юсти зависимости рсетг-изатда от нопряпсилооп внеаиэго паля Р(й).

В третьем параграфе описаны основные зкалерплеиталыше дай 'оде обнаружена* и исслодотлггл хаотических когсбпниЛ.

В диссертации-э-ru гсоледоьа:п!Я ггротзодплйеь по схеме, с по-¿í'tb'o которой ма-::ко било наблхдатм

• времелгуп зависимость нолебалпил заряда 7t на образце к тока первполяргзги?щ ч, ^ , текупего через образец • тазовый портрет сиотеьы - оовскупзюсть згвпсгтмостей oreicaKî'-w» эвсживэ мгновенного состояш;я толяризатггп: в сб ганце сегиьтозлектрзнесюто кристалла;

стобрг::глше сдвта - разновидность отобраре-кич Цуэнкаро, состоящее из точек разовой траектории, разделенных временем,- рав^ пня периоду Y внешнего злектр1г-:еокоио почЁ|

- спектр мощности колебательного рк-шп;

- петли диэлектрического гистерезиса,

а тгшле померять зависимости эффективной диэлектрической проницаемости F- ^ от напряженности Е0 переменного электрического поля» Все кайпэдоикя мокко было проводить при одновременном приложении к образцу постоянного электрического ио.дя

Здесь ;:;е приводятся результата тестпроЕашш различных колебательных регзилов контура (в том числе и хаотических )!с образцами номинально чистого кристалла ТП! по времешюй зависшюстп ш-ходного сигнала, спектру мощности, воду (Тазового портрета и" ото-бранения Пуанкаре,.из которых наиболее- иадошшш и информативными являются последние два. ■ .

3 четвертом параграфе проведен краткий обзор литературных' ' данных по-изучению хаоса в сегнетозлектрдчосшх кристаллах сегне-товол соли, TTC, КЪР, бетаин-арсоиатя, ткомочовшш, получениях друтаст авторш/л, начиная с 1983 г, - времени появления - первых публикаций по этой проблеме."

За редким исключением во всех рассмотренных работах изучались шнупдетше-колебания RLC-контура с нелшешюй сегпетоэлектричес-кой егжостыэ: Поведение этой систеш в первом лрнблшешш описывается уравнением Дуфгашга /I/, которое моксет быть получено из закона Кирхгофа для контура с использованием электрического уравнения состояния дая согнетоэлоктрика с фазовым переходом второго рода, к имеет вид /2/: -

i^+pV -Чсоbat , (?)

Г f'i • V° = st > * > L° •

о)* и <5 - соответственно, сопротивление, линейная шц;уктив-ность, резонансная частота и добротность контура, с/ и S толщина и площадь образца,' d и ji - коэ'хТгщдспты разла-ешш тор-ьэдинашческаго потевдпала вряд но четным степеням поляризации, U0 - шязиктуда внешнего напряпсепш.

Это уравноняо, как било показано б /4/, наряду с периодическими- рсяскипли допускает peaenaft в виде каскада удзоош:к периода колебали!:, которой для различных данапгчест: спетом является наиболее распространенным сценарием развития хаоса. Естественно, что использование этого уравнения ( исследотнного далеко не полностью /If) для анализа поводещя рассматр:шаемол систсщ ограничено в такой же степени, в какой ограничено описание реального сегнсто-электрика с помощьютермодйнашческоуо нотенщюла, представялемо-гов виде полинома но четным степеням поляриэащш /5/.

Шм» одной из этих работ практически не рассматривались се— гпетрэлектршюские аспект проблеш хаоса, сшзатпге с динамикой. доменной структуры кристалла в процессе его гореподпрпзадга. На существование такой связи указывает, а частности, то,-что уравнение (1) в принципе допускает хаотические решения при разных комбинациях знаков коо-Тйтартентов К - к у/I/. Это означает, что Нормально хаос возможен и в параэлектрической |".а:зо(к>0, То, что оксперимонТа^по хаос наблюдается только гаке Тс опродс— летаю указывает на'о., .буя роль нелинейности доменного пропехогсдо-нпя в возниглговенин хаоса в сегнстоолектрическлх кристаллах.

Во второй главе "Причины возишеновенил и условия супествова-ши хаоса'в реальных тюдородсодоркшанс ссгнетоолектр:тках" пред-, ставлснн результаты эг.спори.!ентольиого исследования хаотических колебаний в кристаллах групп .ПХ! и КВР в зависимости от параметров перепошфиаушего паля, от темшратуры, от велгляш и направления внешнего постояшюго электрического паля, а такие рассмат-* ривается пшюте .внутреннего нагл на существований хаотичосиа Колебаний в кристаллах ПС. Эти результаты пачскенн в основу модели вогтппаювения хаоса в согпотоолсктр1г:сских кристаллах.

В первом параграфе приводятся, результаты экспериментального исследования хаотического поведения ноюшально чистых кристаллов • TIC в ьэвисшости от тегтетатурн и амплитуды Е0 персполяризуэдего ■ноля, "а также от напряженности шейного постоягтого• 8Лвктргяеско-го поля.

Б кристаллах ITC хпос -наблюдается только в сегнетозлектри-ческой фазе, возшцеая при увеличении амнлктудм паля через последовательность' биТуриаццИ•удвоения периода колебаний. Бо всем исследованном интервале температур (20 - 55 °С) амплитудная область существования хаоса в кристаллах ТГС шлеет ш&енш и - в'ерхилоа rjxi— mm, которые моног'оннэ поыл-антся с ростом температуры. Одновременно с новизрнкем температуры уменьшается инрина этой области. Возникновение хаоса происходит в поле, аглш:тз75а которого птаплер-но в 2-3 раза больше коэрцитивного поля образца, определенного при той ."о частота персподлризуннего подл пс петло гистерезиса.

Приложение постоянного электрического паля приводит к значительно!,у повн'леннп шелней грашпщ амплитудной области хаотических калсбаш!й и к слабому росту ее верхней границы. При этом воздействие поля Е_ нротпвополб.ул'ых направлений для номинально чистого TIC оказывается одинаковом.

Запкожюоть -упловк!! возникновения хаоса от wuimninrc шпо параметров прямо указывает на ощгсдолпшуи воль догдспноЧ cTpyîwy-pu в хаотизаштк колебаний, поскольку ис изменение г. процессе по-•рополяризации такие ' зависит от тошюратуга, амплитуда г.огомелктого

ii вслмчинн постшшого олсктппчооких чолкл,

Во втором параграфе обсухдяотся модель яозш!К1Ю1!0'а*я хчоел, основанная на представлениях о том, что осговннм кохошкилом. поведения дошнной структура, приводящим к хаосу,, является нерегулярность, НС'СКСОрдИНИрОП'-ЩШОС'ТЬ V. Н(ЛЗОСПрСИЗВОД1ДЧОСТЬ от периода к периоду актов зарождения новпх доменов в сильном не пеполлрпзутодсм поле.

Вид «Тазового портрета •( залиснмос.ти • }) « хаотическом режиме указывает на то, что мгчоввштсс значение fnitpocKorowocKOíí поляризации, определяемое мгповенннш- полидоп:щми доменных стенок, а тают мгповшшоя скорость пзшпешш Ру', ' опродсляешя iTHovcmmr-tn скоростями зарогсдешщ доменов.н мгновенными скорсстяш домокшх стенок,• ко воспроизводятся от периода к периоду. Поломснпе'изображающей точки 'faaoBoii плоскости непредсказуемо, т.е. в момент времени -Ь + Y оно пишется совершенно шип.' по сравнении с моментом времени t .

Перенатяризацпл реального кристалла в сш1усоида?пл:ом ядактрп-чесдом-¡юЛе осуществляется а результате колебаний дсменннх стенок исходах доменов около их-начальных подокссипй, вознпгловошэт, нос-лсду-дасго роста (в' одном иолупприоде) гг'.зтечегповглнтя (в другом по-дудериоде). зародогей новых 'домоков /б/, ¡i irpnwtßne .ио'гртужфиасть' изменения- макроскопической иалиризанди мо-.мт возникать из-за i;e-• регулярности обоих этих процессов. 1.:млость амплитуд • ксщибапкД до-мгшшх стенок (»10™?. Жл), судзстговчцпг ;илие."- rp^innp, изггдтуд- . .под области хаоттгчор'кцх 'гелебщау:, близко.;! пс получше к' патюго-. '»ш полям, кнтекспгдгаго .зароднгшой^хи^пип'лл, ifü^ojuiü?.: в../G/, указывает .иа- .веду!пу» 'parc. в тозгайсчов'еннг.хлоса шеш'ю пронеосол интенсивного начального зародшою^разоачдид, т.е. • т/оцсксок no/nve-••ния неких 'анткпароллад^ш'х до:,г:*оо v : не ходких »ододокодвге е-'-ластях кристалла. .;'-.'■''.

. ' 'Cjns'ee'TBOEaauo'- в рсольнр^ к;ч:о;'аг«е чпсйределетгЛ -по пороговым юляи н'по кргткчаекгм нол.ч,- актп'лндл пспгггов за род! fir о '.газования /о/ кптатг .¡с трм>"» что 'г- цл'-о:л гг.07чдт-г;i-í:':rior-"-i^nr'' оцссс-Еозш-щнрвс'аи-!- больного числа .попч:-: доменов//удег тчуоходнть '.па . уровне '.отдольшх знрэлгпе»'. неоиуогрепмно, с- пл;ч* p-tsKcc-

тямк начальных оаз мц-vry отделыи гд* за^однм-дд. Д-льнеЛлсе ^а'ьедс-

ш;о птнч затод^лед п упа'шчттшдсмеч пело сохрашт эту нерегулярность, ко'.'орля при пс&ледуьзви их тощош; и беконом wore лпгль уечтггеп п отдельные легче мм; будут оотллл'лрелзать с рлчян'.п "••отожги?: и гимпиитудамн. Эта норсгути.-рпость будет еупеспотать до «ч-х пор, пока длительность указаниях процессов будет ооогплляхь tíuu.'py:-! 4fioTb общего npei.:oim пореклллсгЬш. Б полях, я которчх on-. т;сдел!:;7|'.ч': становится ллптельпоетъ этапа слияния домонных отскок соеодлих дотленоп, характоилпучцегося онлышм. ва'шшленс.тьном сто-

и значительно уменьшается роль проме-луто'шых стадий гпхлцесса ucî еполярпзллтии, оо.човтш ч; актором становится указанно-? ьзаплодой-стгою, приходя:",с о к синхронизации колебаний доменов. В этих полях наблюдается исчезновение хаоса и колебания вновь становятся. периодическими, несмотря на то, что процесс пореподяпгзацл!:! но прелые— t/tf носит ярко внрадешнй налинеlinnii характер.

При пошлсшги температур!! досщллятся пороговые пол/я jrirren-еппчого за;полд:леобр'1.зотлшя, пап я. лкткпися» как начального, т;пг и пристеночного яаро.глгиообразеганпя /б/, что зшонюмешо п;«1Е0диз к ио1Чс.с1Г)Ш значений этлаитудо переиадяшзутаего паля, ш;.иг/ ко-лчгаплл доменная структура и пеляризаыия Рг кристалл?, войдут себя • нерегулярно - хлоггчоски.

Йричпна кайтаядаеьтос изменений хаотических колгбашй т. крыс- . rvtt'U TTC под действием иоотеннлюго эле'л-рлпт.ского поля г- ргллках проддо:.:ешго1; модели заключается в том, что эта ноле »шягпю или помюстьп выключает из процесса перепеляризгисш зтап начального зг-рождения (в одном пол/периоде) ;; чсчозп'спенкя (в дротом Палупе-pí4)i;ej доменол' с ма.л;лл; 3:ut4on;ur.nr пороговых полой 'и обеспечивает тл):чп;гл!овение хаоса за счет те.; доменов, которые пмоот бегов высокие значения пороговых палей зара'.'донпя.

В третье:г Har>arp-'iíe тос.г.'лтрчтется хаотическое паэедошге пг:п:сс1шх крчк-таллоп ÏPG + Or2' и ТГО л-Lj«t.-плаипл, обладании '■ч.-.епер'л^еытельио олред&ллзяли гнугрмппя-дг полями ейошешш- T¡on. ' Ноек.олыг,' в утих-кристаллах процесс чсрсполчризашыг затруднен по с::а:.п'."':ги"1 с чистыми крпстагла:::: ТГС, то в. зчеиерименте наблюдается закбномеппоо смс!'-;с1шс япьлкгудно.л оодасти хаотических колеба-чип г сторону более сильных налей, йз-за действия: щгутреныего. поля- область хаотических колебания а нерс'м?>»злх(Е_,1"0) оказывается «rcwtroi; .щопь ven Е_ на-гатачшу,. примерно равную ьлугрешему !'0.Г' с.;:г;з1'5п, :ч; псдс^:е:..сго пол тех же условиях-по' иотла дазлек-т^нчесч-.я'о гистерезиса. ' , ■ ■ '

Б четвертом параграфе обоуядается характер шлшштудао-частот-

нмх областей существования хаоса в кристаллах TIC. Оообоо внимание уделено впервые наблюдавшемуся для кристаллов ITC сценарию появле-' ния хаоса но через бифуркации удвоегаю периода, а через квазипериодичность. »

В пятой параграфе рассматриваются хаотические колебания в кристаллах KDP и С Î) Р. Доменное происхождение хаоса в. этих кристаллах помимо тех соображении, которые были высказаны вше для кристаллов TTC, подтверждаются результатами по влиянию Механического воздействия на эти кристаллы, приводящего к умешгтшю под-• вешости их доменной структуры и, 1сак следствие, к подавлишю хаоса.

Оообнй интерес представляют результаты, полученные для кристалла CD.P, у которого наблюдается шок тип амплитудно-температурной Области хаотических колсбшшй - не сузкающеися, а расширяющейся при Т—vTQ и примерно совпадающей с областью "плато" в зависимостях £Cï). Кроме того, у образцов, обладающих аномально высокими значешшш «Г»«, * I0Ö , хаотические колебания затягиваются в па-раэлоктрпчеокуи газу до температур на 2-3 К ваше Тг , где еие сохраняются аномально высокие значения ¿ и монет наблюдаться . остаточная плроэлектхягческад активность.

Б тпетьеч главе "Процессы релаксационного поведения пакро-скош-гчрскрй поляризации кристаллов TTC, оттлулировшшне постслн-. кик электрически.! полем" рассматриваются долговременные процессы . изменения мшпюскотгческой поляризации чистых и де^ектнчх кристаллов ÎK», вызвшпше приложением (режм полярпзацш! ) , тдаутсистей (родил нереггаллрпзагачт)или выключение« Срсташл деполяризации) внешнего йостоякного электрического поля.

Закокомоглюсти указаштх процессов исследовались по врглленкшд зависимостям низкочастотно!! диэлектрической прошчдаемостп, измеряемой в. слабом(~ 1-3 Б/см) электрической поле, проводимости & , измеряемой параалельно. с ¿'•мостовин методом, статического гпгроплек-тркчесг.ого козц'идчента'(только в ркяша деполяризации).

Зависимости. s(¿) , firtft) , носят отчетливы:! релаксацион-' характер и сшхигваотся. экспоненциальны!.® ^ункцитх! вода:

a(t)* (а* - , (2)

где a (t) - текущее значение измеряемого параметра (а - € , <? t ¡f релакс1тру1ас.(его от начального значешш о, к установившемуся 0„ , f — время релаксации. ■ ' .

В- кристаллах ТГС переход к равновесному -состоянию, icai: правило', осупсствляотся с несг.олъкн;-: рргч'.онами рся'усспцип, Это указывает па то, что в ролгихэд:гипп:х процессах (осоЗонио отчетлэтхо в релиле поропол.'1?пза!СП!) находят отргслслке освовггкс атапн процесса персклшетгя палярллм'лгл: яаро;трсоб разовягаю, торцевой рост зародхпей сквозь кристалл в 11апрлзу1С1пп». нагарной оси, расширение дои .нов вследствие бокового двпгшагя доменных стенок, слияние соседних доменов.

Проявление того хин иного этапа в рслаксап;:он:шх процессах, их абсолютная г. относитатьнач длительность, соэтаопешге характеризующих их времен релаксации. зависят от вида процесса ( релакезки-- ошшй процесс пелярнз'ясш, псрсполяризшсня или депалярпзалнпт), от начального состояния доменной структур,: образца (подвдоменноо хия монодонениое), от тешератури, от велнчнш возмутаэдего постоял-ного электрического паля,.от крисутстхлш в кристалле дефектов.

Показано, что • при Е » со rut существует такой интервал tc.:.v-поратур, внутри которого переходхшй процесс осудсствллется с одшзл временем релаксации аналогично, при Т = const существует область •значешгЛ Е_, для которой ратаксацисшхый' процесс тагсхе описывается одним временем релаксации. Этот (¡акт является -допалхштелтзл экспериментальным подтверждением закона подобия дая яоведек:.<т домен- . ной структуры в зависимости от адектричсского паля и температура, »согласно .которое электрическое поло уменьшает энергия шетгоашах различных этапов процесса пореподяризацпп, а повышение темхерату-ры поникает. поля: активации .соотвстствущих этапов, Выдолешшо hi— тервалн температур и полей, по обе сторояу от которых• релакса:ш-оноде процессы описиваптся. нсскодъкпглн, четко различивши. вреяо- -нами релахссацшх, прхгвязани, соответственно, к температурной области самопроизвольной нестабильности домеш-Юй структуры кристалла tic п к области полей, блнзул'х к коэшнтлгзно'ду полю образца»

Экспсрклситзльныс температурные зависимости времени релакса-щзх алеют ярко вываленный зкетрешлыый характер с одйпм «ли двумя максгелугтали, располскешалл: в тешештуриой областя спонтанной неустойчивости доысщиЛ . структуры щястниоп TIC.

При этих температурах экстрскигънос поведение обнарулохваот Tazc.ce температурные завиепдастл и друкос параглетров.кристаллов 1ТС: поле активацтх процеоса иыпульспой переполярнзацки, коэ<Кхп.шонт сшллетрип рлпульса тока перегшнеиил, статический коэффициент угаг-пояярности, внутреннее поле смещения малой величины до 200 В/см >

2С

' Возраотаые времен? релаксации в указанной, области температур, ио-вцдшлогту, свидетельствует о том, что усиление ошнташюи неустойчивости доменкой. структуру сопровождается значительна,! увеличением .числа рзлаксаторов - доменов к доиепннх стенок, взаимодействие., мегду которыми при этом такае увеличивается. В результате времен—, ная устойчивость неравновесного состояния доменной структуры, созданного'.знсаним полей'Ш воздействием,в этой температурной области возрастает.

Введете примеоких шш.радиацпонннх дефектов, не изменяя в целом 'качественного ища зависимостей. V (т),. шпвлем абсолютно значения времен релаксации, поскольку: !) в кршзт-ииах с дефекта-., ми исходное состояние доменной.структуры в меньшой степени отлича-. ется от ее конечного состояния^ а при больгаой концентрации дефектов это различие,'прпюдямо-к. возникновения релаксационного процесса,^• макет практически отсутствовать; 2) в дефектных кристаллах запрещение дкяеишх стенок в ношх ыолопегалях устойчивого раьио-■ веспя завершается быстрее, так кап общее число уаких датачежй:, создаваемых дефектами; — больше.-

Роль возмуцагачегс фактора — постоянного электрического поля, наиболее отчетливо прослеагеается при сопоставлении врем?нр рела'к^ . сощш процеезой,' цротсказдих под действием поля Е_ (реккл поляра-, зацэ;. и керспалярпзадри) и в его отсутствие (.решал деполяризации). Во.втором случае. Ъ оказывается примерно та два порядка.вине. Раз: личзп при .атом и вид защсшлостей (Е_) . Если в первом случае Т уменьшается с ростом Е_ ., то бо втором - увеличивается, причем без какого-либо насыщения вплоть до Е_.-ЗЕС, в то время как значения пироэлектрического коэффициента достигают насыщения у.хе при .

0,5 - 0,7 Е0. Это означает,, чте в режиме деполяризации, когда предварительно прилаженное к образцу поле не определяет нспосродст*-'• вешю скорость'перехода к новому состоянию равновесия, его величина влияет как на степень заполяризовшшости кристалла, так и на устойчивость поляризованного состояния. .

В этой не главе исследованы релаксационные процессы тормиро-. вания в кристаллах. НС внутреннего поля смещения, созданного рентгеновским облучите!.», Зти процессы изучались по временным завиоп-. мостям Ег11 к , Обоснована правомерность сопоставления за-

висимостей Е Дь) п у1^) лрк условии, что значения Е невелики ч4 ЗСО.В/ом).

ОглйЧЕТельной особенностью зтпх вавис:плосто'1 явчяется их не-

мслотсш.'оств, связанная с существованием двух последовательных игпоимут/оп, вромл р.ояьдеюш которых попивается с ростом -температуры. Тпкор поведение ECM(fr) является следствием соответствующего иоворення 1:0 ерсмош системы рсирпциоипнх додок'гоб. ¡¡сотому 1лозно cn.vitb, что налучсшто зашсимоотн E0,,W и обусловлена обаазопликом в 1.П2 при облучении двух ccftonmix типов дефектов, ооладлгдтл: ушиты вр .-мечами мпзш!» Один тип дефектов возникает, бистро и тапдо быстро исчезает, вызывая появление первого глаксп-муил зависимости £ ,(i). Гторол тип дефектов, кдотдпы значительно больтао времена как образования, так и траке;'орл'дндн в устойчпвуп конфигурации, вызывает поглалошк; второго макеш.еум! кгутрощюго. поля. Анализ дапмх ЭаР-исслод'оиаглИ -оЗлучоюесс кристаллов ТГС /7/ позволяет предпололпгь, что ttusa.ii де-'.'окгг.мп явлгегдоя короткош-вукио ptvoaewn: ClbCCOili лоахвяоюттс и* кл-вшах X, п долгсх-дп-вудие радикалы NlI^CuCOo, обрелууглооя па глгцппах II и III.

В отливке от чистого ТГС d. к'гстаглах LAATC после- рентгеновского облучения п зависимостях Б ¡пАч'ххкто'п толыю о.щт. сплум, ^орежртлзй'г«! приметно чорел таксе .".с л.ренл после об.лучо- . кил, что и второй маг.сп.уп в чистом "ПС. .Уто означает, что времоп-н:<е изменения Er,f в кристаллах ЬЛТТС после рентгеновского облучения связаны, вероятно-, только с образовалагем' рвдгалоп МЙСПСО".

Б у':''1 пс п-го'1 глг.во. "'.¡сследогашго ¡глоцосеов перепсистизацпи чсрпсь'ллов- TIC mfcto.'icm гар.рш1Чосхбг6 акаплал". рассмстре:а особенности «огсдегла 1лрл>н;лес;и"х cocTiuv;/cT5U'опс\ктрл чоха, utavarrec-jcoli перепомятс:? леи'.. крг.стт'ЛЛбэ TIC (чистых п с до1 сктами ) в-зависимости' ot'-fi!-t:ntyri н. ЧАСТОТ« • ПСрО^\1/ПГ.Яу>Ти',иГО VMXi .от тсмлс-рлгурн, от.'валпипл дленного г:6сто;П«-:ого одектрдчоского падл.

Г.лрмсн'нчосклн'состав спектра тохд иерепааяр.'аГ'Шз: определяется унилол лргеггьч п-хлгесов пс-хлл .лсиил-, аазпадке'й о? нплд'.нл в кр'ле талло де'ектов рчзл::ч7:ого лноилад-довкл» При отсулстллыв \л:н--глллриосл: спектр оодерллв г;лхл'6 нсчи'лп;0:Гар:лоп;йсс1д;е ..

■ сосдллля-тдие, ьр, как иллаалл ¡лароведспичх нсследокнпгй, тта еддулдл -с рса-нл;одсл дали в л -л:дл л о чистых' 1Гристаггах» спектр:.: которых ссдбп-ат и <■■-.: : ■:. гар'-'лилл. '

."Присутствие' в споптро четт^д'армфыгг: позволяет.ооплрудивать ::соь:г\ слайу:-; углгкад.р.честь процесса нер(л;ад.ул:здлдл, которая но ' мллст б.у.ь алрегне л лгалллу дтлти.чп мстсд.ч№, илгокмер, *ш петле . дслчектрического ллотерезпеа.. •; . '

Ушиголлрнссть процесса •яегоиол'Ярнзшвш, т.о. ого ¡юсге-здетрст-ность в двух «оследовйтелышх пачупер:1о.пдх .порепояярчяуздогр падл

связана с шадшетричнык изменением домзняой структуры кристалла во внесшем скиусоцдгтьном поле и исает быть вызвана: нодичиеу в кристалле непереклычаемоп части объема, ь которой компонента о противополагают направлением вектора Г,. неодинаковы; неодинаковостью твойичнш переключаемой части объема в двух полуперяодах внешнего поля; • несогласованностью (."некогереяткостыо") дативная ■доменных стенок и зародшей доменов вс визшньм поле.

Метод гармонического анализа, ноаволянциЗ вчделжь з процео-. се передсляризацип составляющие целиком связанные с его несимметричностью — четные гармоники, дает во?мо:;;ность для более детальнс-. го .и&учештя. особениос-геЛ поведения домеднои структуры реального сегнетозлектрдка в.сияусопдапьлом электрическом поле.

. Наблюдаемое в эксперименте увеличение эотлктуд четных гармоник (на примере второй -- Л^) при увелглешш ашсткгуда Ес переполяризующего паля (по" крапнш. мере ло ЕС*ЕС) свидетельствует о том» что на с;онс общего возрастания тога переполярпзацпи (растут и нечзтнцз гармошпи) происходит одновременно уветс'чещ'.б обде!'; не-си.метричног.ти процесса' пьрепсиярвссцил. Поскольку е ростом Е -роль первых двух из .укгзашщ:; «шге причта возникновения аодм,«от-ричьс'-с, поведения доменной структуры дахдю, убивать, мо-шо чред-, подшить, что при увеличении Е0 увеличивается степень асимметрии, оляза: доя с несогласованностью поведения б з,йектрнчоск.ж полз доменных стенок и. зарсдоие;! нопцх дошюч., .

В полях. Е0 ^ Е ' наблюдается насыщение нечетких г&рмэшш, с. Чатеме• гаруоидки достигают максимального значения, плел? чего, при дальнейшем. уволичо1ти'-Е0 набльодаотся их незначительны:;: спад, Это.съядетельствуот с. одной стороны о том, что ток персноляриза-ции достиг яэ01йцсдая, а с другоЗ стороны - о некотором удак&воиэтт ноошлметричнсстк■переключения поляризаций, Е птод области полей-становятся :4п1импльннкз вклады в сбпу.э пусжг.хугтмтчкоста» порепелл-рпзэции от непорещвочаемцх (упрямых) облаете'.; кристалла и от ло-слшотрнчиостп поведения в поле переключаемо:! части обьема. Бмос--те с тем, в этих полях резко начинает возрастать интенсивность процессов зарождения новых домонов, невоопроизводлтл.:;- V иорогужтг*-ный хароктео которые (Гл.2), 'по-'зид:&:оцу, вносит осиовнпч г.лад в'несимметричность, процесса поретолярнзга.ггл в этих условиях.

В кристаллах,с нсподвишшмч нсаярлаш дефекта™, которд.е существенно позлнапт доля активации црсиесоо- начального зародимо-образованйя и-'бокового дщ:<сеш>я домешакс -стенок /3/ и, ыо-г».д:':..о-цу сишю.вэдотсмое^с--характер сосйгретет«•;г:г>1ГС '.телрзделглпС- чо полям (.энергиям ) актнтзацг.;:, •неспгоегрэтпсоть процесса пороло, л-

рпзацш проявляется более рез:;о при измочешш аглплитудч персполлг-рнаукдего поля. По ото;! сфгчиье и кристаллах LATKJ и Е/.Л'ГГС ai.-h-плнтудачо згия'сшлосхк второй гармони::? A^CEq) в отлггчие от анало-пглпнх зависп гостей для номинально -шстого Ш», TIO * и ШЗ. облу-хешого ре.чтгепов'лаь.гп лучсия, тгзментатся скачкообразно в .области полейt ¡гродасстз'/о'.'нх криво!'! ), Кроме того в этак' полях указанные завислгмостп тге.ют гистерезис по rcvi.o ÍCC) Б/см.

Б /0/ било доказано, что двгаленде до'лешшх стенок в условиях, их отрыва от атмосй ери •кеподгашшх де^юктоз долглно носить гпстеро-зиишй характер ц сопровождается соответстгувдгал гистерезисом зависимости диэлектрической пронлцаеуостн .от веллаип^ прплокешлого электрическсго паля. Экспериментально этот э^рект us наблюдался и был обнаружен в настоящей работе в зависимостях хграотеристик процесса переотичения, зависших от асшлметрии атого процесса ' -(амплитуд четных гармоши) , от ашлитуды выемного синусоидального паля. ■ •

Наиболее слокшсе поведение амдтатуд четных гармоник наблпда-ется ь спектрах гока геречоятризации грлиескых (о. хромой) и облу-. ченных кргсталлоз TTC. Б этих кристаллах наблюдается noraviciuie до-иалиителышх тксимумоз га зависимостях As>(E0),' Ло(Е_), А/>(Т) в . области слабых (ес < 3?U ) палей. Такое se поведение ггплитуд четных гармснтш наблюдается и в чистых кристаллах ТГС при придалешгп к ним небольшого (>до Ï00 В/'см) постоянного электричэсяого поля. ' Это связано о тем, , что в области слабые полей домгпшрутлцш ялжот-ся механизм несгадлетричнооти перехтиченил поляризагцш,. обусловден-ннй' дзйсгвшд поля Е >г, tum Ев , прпзодштим к неодинаковости переключения образца с деух неравных полупориодах резулътиругздего поля Е^- Ем+ Е_ (или E,(f Еок). Упеашчешэ тяотггтпм• лерепояяри-зухгаего паля постепенно подавляет действие поля Е([так Е_) , в.. результате чего процесс перепол>ф1:заыгст слп.гкетризуетея чт аирипту-. да второй га геле1 паси пройдя через максггмум начинает убыгать.- Ее новы.'! рост и появление второго мзксимут чабл'одается цри переходе в область палей EU>.E0, в которой ии »eacirereçTS яереполяркзатж па-чшлает возрастать вследствие резкого уваллггения числа дсменов п. дометни стенок, включготщхся в этот процесс и по разному взапмо-действу.алдх с дефектами. Баледствпе этого степень несогласованности тавёдендя доменчой структуры со внешнем поле увеличивается, приводя: к уваллпечик несптл'отричнести процесса перегголяркз'апдш, сокрошадатацецуси редки* ростом гзггси-уд четных гармекчк«; .*

Исследование спектров тока перепоаяризации, релаксационных процессов и ха'отшеского поведеши! примесных и облуюншх кристаллов ШЗ показало, что супссч'ву^'се в них внутреннее поле сложным образом взаимодействует с внешшш электрическими подяш и додшо. содержать две компонент!?, о;з:а из которых гяпет быть скомпенсировала im перешгочена внешним полем, а вторая - нет.

Это предположение било подтверждено при исследованиях частотных зависимостей внутреннего поля кристаллов ITC с дефектами, а. такге результатами исслсдовашш температурных зависимостей пирот-электрического коэффициента и ткроскояической поляризации кристаллов XIC с двойной примесью фосфора к L, «с -алашша.

• Исследовашш тешературшгх завпсш,-остей шяштуда второй гармоники на разных частотах показало, что пз двух кнкящушз зависимостей A.gCT) нкзкотешератур'-шй имеет релакеащюнную природа: прп увеличении частоты он смещается в сторону более высоких температур. .

.С использованием этих результатов были проведены оценки анергии активации V4 релаксационного двлт.енкя доменных стенок под действием перспатерпзумщего поля,- J'jvi кристаллов TIC + Сг-0+ эти оценки дали среднее значение W„ *2,8 эВ, а для 'ITC, облученного рентгеновскими лучами,2 î,2 эЗ.

Йзуш. незавпсгс.жи мотодш.и были определена эиериш взаимо-'действия '\а/ш домешшх сгенок с дефектам« в кристаллах TTC, Kt>P, С DP и CDA. Расчеты проводились на основе модели /Э/, предлепеп-ноЗ для объяснения происхождения механических потерь в сегкетоэ-локтриках и основанной на представлешьях о лавинообразное отрыве доменных стенок от закрепляющих их дефектов.

Кз результатов этих расчетов следует, что сшлой годвиеной доменной стрзстурой среди исследовагагах кристаллов обладает кристалл с г>р ( wD3 с= Î0"4 эЗ).

При удалешз; от точки Юори в сторону болов низких температур наблюдается возрастание W 3 -, прослеживаемое дяя всех исследо-е&шшх приставов.

OGKOBIIUE РШУЛЬТАТЫ РЛБОТЦ ÏI BUBOJJU ■

Дкссертодая посвящена изучению явлений, обусловленных днпа-иккой гпкросколкчсзкой поляризации споктанно-полчризованшх даз-лектриг.ов как крп шсшдас. палевых воздействиях, так и при их отсутствии. lia основа комплексных исследований в. работе (на примере кристаллов групп ITC с KÜP) рассмотрена роль доменной структуры, • определявшая 'реальное поведение макроскопической поляризации

оцоролсоЛерг.плшх сегнетоалектриков в различных динамических ре-

1П.-ЛХ-.

Полученные результата могут быть обобщена в следумззгх осноз-ых шводах.

1. Экспериментально доказало, что процессн переполяризацпя сидыевс Еодородсо-срлапзк сегпетоолектркков (на примере крпстал— ов групп 7ГС и Kl) Р ) в синусоидальных электрических полях могут • ■существляться таким образок, что в последовательном резонансном

1 L С - контуре с сегнетозлектрпческпм образцом возникают вынуж-. lemnio хаотические колебалшя, шсздие доменное пропсхалдепие.

Появление хаоса, регпстрируемоо по видам времошюЯ реалязп-цш колебаний и их сяектрзГмомкости, остоиограммам (Тазового портрета и отображений Пуанкаре, в кристаллах TTC осу?1:сстюяйтся но .'олько через .последовательность бифуркаций удвоенил периода коле— Jaiffiii, но такг.е н через ивазиперподичиость кодебашй.-

2. Впервпе получены и исслодовапц топогргмма областей хаоти-. lecKoro поведения указанных крксталдоз з переметших: "те:ллера,т/-ра - амплитуда переколяризукгдего пола", "астату» —. частота полг.", 1папртг.еикость постояйпого электрического паля - г&таштуда перепо-тярпзулцего поля. -

На условия возникновения хаоса и вид областей хаотического поведения в указанных, координатах сильное • юшвке оказывает ia^ns-рсинее «поле, создшшоо в кристалле примостили или редоацпошшмй дефектами. '

Предложена йдлзотсская модель, согласно которой хаос в сегнето электриках обусловлен нерегулярность», несогласованностью и нев.'С-производимостьэ от периода к пер.:о.~,' процессов -зарозде-няя анти-параллельнкх доменов и их. последуйзего поведения в сильных электрических. пагях.

3i. Нестабильнее состояния макроскопической поляризации линей-шх и нелинейных спонталпю-паччг'изсг-гиппсс доалекгэкков обнаруживаются че только в динамически гл-гзгл:з:х глгле ,но п в статических (пироэлектрические) исследованиях и сбуслоаче:ш: -вкладом в поляризацию доХокткой подеистомц, особслиостяш отамнкп полятязгх комплексов структура, особенностях деггллгчесгак свойств доменной структури кристаллов. '

4. Бизвашще постсягаолл электрическим- полем процессн перехода макроскопической поляризации оещетоалоктрпков (на примете кристаллов групш 'СГС} из одного, равновесного состояния в другое обусловлены: ■ " " ' " .

•î) в раяаксакточнкх процессах поляризации и перэчогя.ризащп'» проаошоцюг. под действием постоянного электрического пате,. .быст-рцш процессами укрупнения доменов о их закреплением на дефектах естественного !лли искусственного происхождения;

2) в релакеащош-дьх процессах деполяризации, соверэтапцду ся в отсутствие внешнего-поля, быстрым распадом поляризованного ссето-хяшя, ведущим к увелкчешпо ч&;ла доменных стенок, и ■ конкурирующим •кедлешшм процессом укрупнения доменной структуры.

5. G кристаллах -TTC о црныесишк или ргздгадиоЕннмя дефектаж характернее времена указанных релаксационных процессов (jtt.4) меньше ооолветствущйх времен ралакоэция в чистых кристаллах, поскольку: i) в кристаллах с дефектами исходное состояние дотжнной структура в ыенгьшен степени чем ь чистых отличается от ее конечного . еостояшя, . а яри. большой ютщентрацти дефектов это различие практически мокст отсутствовать; 2) в релаксационных процессах, про-текапцих.з кристаллах с' дефектами,' закрепление доменнах стенок в новых наложениях усто^'чивого равновесия завершается быстрее в сяду болиюх'о. общего числа -таапх полочеешнг. создаваемнх дефектами.

•В темпзрйтурнол области самопроизвольно:! нестабильности доменной структуры Хтгри неизданном .значения постоянного элоктротес-кого поля) и в области полей вблизи коэрцитивного (при постоянной тежературе ) зтозенкие релаксачаотгае процессы реализуются с .едпдз' характерном временем релаасэцад. Вне этих е-дцеленных интервалов • значений полн и -TOMiiepaTypa релаксация, макроскоштчзскол' поашрнза-. цчл осуществляется с нескаплзлдг временами ртлакеллгаи

- G. Ункполярность процесса щсслячеокой переполяризаннд сегне-тоЭлектр1жа (. на'лргнере кристаллов ТГС-) , исследованная по поведению'спектра гарсояпк тока нэреполярлзацли, обуслэгллпл: дали-, чпем в кристалле нспереклылазгол части объема, с рео.тьадояиы по величине кп.глонепташ с прзтлвололсшдкл пппрг'ачёти»'! ь них вектора Ps ; пёс!:ммслг:вшостья)* во.:шчш:л nepoRT-Kajria":.чаегг облсма г ' деу;с шхтулорподах .вягяяегс поет; ¡¡ооогласовгли-ость-) ("чскох-орон-. тностью") поведендя додошх стенок и зпродн'ел' доменов чод'дгл- . .стшем дзрёпачпр!.зу:ок,ег9 пост.. ' . . • . ■ ■' . '•

.работе получен тпкзе рдд 'шводоз," шо-лп^ болел чаеглн'. -. дар: •.!:?•? л.

I. Существование г номинально 'ччетпх.к дегодлачх чг..?пл1лл-х ТГС особой леышрчтурче': обллг:т:: сгкя№ишс:'. Сне w..<fs<;v;:oU о глел- • што тзозделствлятл; ) пеуето.'ла гос'У домгллоН arr.yu'VP- фгчплягт-ся по цаНяз'опому в работе аномал ьног.гу 'ловад л:лм л irv: 'лггк;:-:

релаксант макроскопической поляризации, поля активации процесса" юлпульсной переиолярпз'ации. внутреннего поля смещения, козКящ-«пта силметрии тллтульса тока перегдлвсгош, коз^пционта статической ушталярностп»

Неравновесное состолше макроскопической паляркзащт в этой . температурной ос .асти обладает лоютешюЯ врскешю!!. устойчивость»»

2. Немонотонное изменение во лзремеш внутреннего патл омадо-ния и пироэлектрического коэЭДсциента облучошшх рентгеповскпля лучами кристаллов TTC обусловлено возникновением в кристалле двух типов дефектов, которые при сопоставлении с результата:.1:! ЭПР-ис— следований облученных кристаллов ТГС. могут быть пденте1[«циро?а~ ни naît короткскивущис радикалы СЕ>С00Н п долгогглвупио рздика-п? NîJoGHCO". В'облученных кристаллах LATTC основным пздтвдгашягд

О " *

дефектом является второй - дашшвуацй радикал. . ' ' .

3.» Внутреннее пале в. дефектных кристаллах TTC. состоит из двух компонент - переключаемой и пеперез'лвчаемой во внеглгем ацентрическом поле, соотназеипе медду которая зависит от природы дефектов и их концентрации. Реверепруег.ал кототсысыта вяутроиието паля чувствительна к действия теглпёратурпого откпга и .ею пара- ' метрам.

9Р

./С CJ

Цитированная литература

I. Нэймарк Ю.И., Лакда П.С. Стохастические и хаотические колебания.

М.: Кчуке, 1987.- 423с. 2- Boice Н., Albers J., Petersson J. Chaotic behaviour of nonlineae electro.neohanical resonators (Kochelle Salt)// Jap. Jourru of Appl. Fbys.- 1985.- V.24, Suppl.24-2.- P. 715-71?.

3. Галицкий Б.Ю. Влияние динамики дииольных элементов структуры

на пироэлектрические свойства кристалла // Зг.зика твердого тела. 1981.- Т.23, » 3. - С.315-818. , '

4. Ubda J. Randomly translccional phenomena in the system governed by buffing's equation/, Cf„ Stat. ?hye.- 1979.- V.20.- P.131-196.

5. Сонин А. С., Отру ков Б. А. Введение в сег-нетоэлзктричестБо. М.: Высшрр школа, 1970.- 271 с.

6. Донцова Л.И. Дсыэннся структура и процессы 180°~ой переполяри-

эащш модельных ссгнетоэлектрикоь. Автореф. дне____докт.

физ.-мат.наук, Воронеж.- 199136 с.

7. Дзмьянчук А.П. Исследование субструктуры парамагнитных дефектов в ¿'-облученных монокристаллах глицина и триглицинсульфата. Двтореф. дясс.... кавд. фнз.-ыаг. каук, Ниев.- 1976,- 28 с.

8. йедосов В.И., Сйдоркин А.С. Нелинейность диэлектрической про-пицсекости в сегнетоэлектрических кристаллах с дефектеш Ц &:зяла .твердого тела,- 1977.- Т. 19, № в.- С.1632-1637.

9. Гриднзв С.А., Прелое B.C.', Постников B.C., 'Гурко б O.K. Аналитические возможности метода внутреннего трения, М.: Наука. -

1973С.I08-I2I.

.' Основные га б тачании автора по тема диссертации

1. Варякаш В.М., Дождин С.К., 3/.;рам0овскпя Т. А., Новик В.К. Сегиетоэяектрпческиз свойства кристаллов дикелщийстронцнй про-писпатп в интервале' 4,2-300 К.// Кристаллография.- ' 1975.-Т.20,

' К'2.- 0.4^5-43^.

2. Дроэдин С. К., Новик В.К.Гвврилоза Н.Д., Копцик В. А:, Попова Т.В. Поведение полярных кристаллов при низких теипературвх// Изв. Mi СССР, серия физнч.- 1975,- Т.39, С.990-994.

. Новик 'Р..К., Ibp.o Г.С., IiapHXHHP. H.-i., Дроудин С.Н., Г'аврплооа Н., Скрябин В.Г. //' Пироэлектрический эффект в пьезоэлектрических кристаллгх. /У М., 1976, ¿6 с, Госстандарт СССР, ВШШ'ХРИ, ВНИЩГСССД, ВНШК'Л. Серия Государственная с*.упба стгчдсртиих спрпЕОч^пвг данных. L Kanysheva L.Ju, Eroshdin S.N.. Bidorkin A.S. Tht freeainc of the domain structure In tho CDP c.ryrttp.l resulting from the structural reconstruction of tho domain vol2 я// ?erroeleotri.c»»-

1931.--Vol.- Ь37-'Ю.

3. Кгмышева JJ.H., Дрождин G.H., Сидоркин А.С., Бупм&.н. B.C. •

Особенности пепэполлризационных свойств дигидрсфасфэт«' дз.эия, обусловленные наличие« доменной структура /У Кристаллография.-.

1981.- Т.26, №3.- С.540-545.

5. Новик В.К., Дроядин С.К., Гаврилова Н.Д.'Шроэлектричоские и диэлектрические свойства монокристаллов литий-таддпй' тд-отудтй// Физика твердого тела.- 1982.- Т.,44, J?5.- C.I555-I557. 7. Новик В.К., Бочков Б.Г., Гаврилова Н.Д., Дровдш С.Н. 0 закона-температурного изменения пироэлектрического коэффициента полярных диэлектриков И Письма в ЫТФ.- 1932.- Т.З, №16.-С.963-992. 3. Дроздик' С.Н., Попов B.!i. Исследование кизкетемпзрртурлой енэ-. магий поляризпнии кристалла сульфата лития моногидрата.//' Тезисы 2 Всесоюзной конференции "физика диэлектриков", Baity,.

1982,- С.II8-II9.

9. C-avrilove H.D.i Drozhdin S.N., Novik V.K., Haksimcv j3.G. Relationship between tne pyroeleotric coefficient and tho .tatties dynamics of pyroelectrics// Solid St. .Coo.- 1983»- 'V.^B,

:0. Гаврилова К.Д.. Максимов Б.Г., Новик В.К., Дровдин С.Н.

Низкотемпературное поведение пироэлектрического коэффициента // Ф1Т.- 1985.- Г.27, С.2597-2609. [I- Камщева Я.Н., Дрозхдин С.Н., Панков? Т.Н. Температурная зависимость времени релгкееции яоляризещш в. кристалле ТГС /У Б , Вопроса фкзики формообразования и фгзозых превраи1ени^.Калининs КРУ, 1985, С .'151-156. [2- Дрсждин С.Н., »{амышеза Л.Н. Пироэлектрические и . диэлектрические свойств? чистого и поикеского трнсаркозинкгльцийхлорлда У/ В 'т. Сегнетоэлзктрики ч пьээоэлектрики. Кэлинии, КРУ,- -J.935,C. 63-66. [2. ProahOin P.N., Kanyohevn -L,H c-t il. Investigation of Che iritev-hai field of doped TG3 crystals// Phyn.stat.i3ol.(a).- 1936,-V.94-.- P.. K69-K?i. - . -

14.-КадуцЬУуа L.if., Drozhdin S.N., Serdyuk О.М. Tl)f'influence or '.defccts on the processes of polarization relegation in TGG cryuts'lr//. Pixy л • s.t at. sol. (a). - 1986.- V.97 .-'P. K?.9-K,V-(.

15- KtBysheva L.U,, Drochdin S.H. She peculiarities of the ёЗ.езкто-■ physical properties of the КНР croup crystals conneofecC '.JiH'a the domain structure- dynamic-^// Ferroelectrics.- 'i9B7»~ V»V 1<-

' ', P..281-29'j, ■

15- Сердюк Q.t.1. , Камыиэвн-Л.Н. , .Дюмдин C.H., БарЗашш» А.Б.

: Роль внутреннего поля е процесса/, релаксэции микроскопической • ..■подярмзации'кристаллов ТГС УУ, «ТТ.- 198S.- Т.ЗО, 1*2.-0.540-544. - 17.. -Камгшова Л. К., Дождин С.Н., Сердюк О.'М. Влияние 'радиационных .дефектов, на процессы релаксации макроскопической веляризации -в '.кристалле ТГС У/ ¡¿Л,- 1933.- Т.53, ft 8.- 0.1607-1633..

Х8-. Кгкыиеда. Я.Н., , Сердал: О.М. -Особенности оявкгро-

_физических саойсть ©егнетоэяектричёского трвгдяцинсульфг.тs. . обусяозлбцгныс шутраишш полем.У/Дел. ВШИГИ,, Z0t04.33,¥3045-В88.

.19. iCamyohp>ru.'iJ.Н.» Drozhdin S.U. The .repolarization -processes .'.та

forrgelectric iflS fcy haraonic ahalycis -method// Fwrcelecta-icrs.-. ' . 1Э39.- V.Sp.- P.501-50&. ' .

20. Lv.ozhdiu-S.il., Kauysbeva Ъ.II,, tierdyak О.И.. Lovr-frccmency die-'• leotric ..relaxafc.ioii ia 3PGS crystals// jFerroelcktrizitat. ЕГЧ

MLU fcUlt-ViVtenbcr« Beits?.- 1939-.-I;i'5 C<"326 ? - -

21. Й'.акдин C.H., Камышева;Л.И.; Лютельхорст M., Зайцев? O.A.

. Хаотическо<з'.доведение доменной структуры кристаллов триглициы сульфате в -процессе' пцрзшляршации /У Тезисы, декледоз 12 Ёсе---соасной. конференции по физике cei нетеолектрйков.?остов-у»-,!Ь|<у, 193?.- Т.З- С.5. ■ ■

22.- Сердык- Q.'iui Камдаево Л.И. . Дэоэдак.О.Н. .Частотная и тггсоратур-Иая зг.васиуосаа 'внутреннего поля.дефектных 'кристаллов ТСС // <STT.- 1930.- Т.32, КЧ.-' С.¡¿98-300.,. •

- .23.. КамшапА Д.Н. /Иридии. С.Н.- Две разновидности кристаллов дигид-■рофосЛ:птя калия /У Изв. АН СССР,/Сер .'Неорганические. мап.-ернел»;.-i9S0.-.';',.2С\ $1.- С. 147-140. •• 24-, 'Kmaiotfe. Д. И'.," Сердйк 0.3i.\ Дю»дан С.Н/,. З'-Йцевя ОЛ.

-дойетвлс точечных дефектов с доменныги сген!:.:чл;'ь всдеиид-:г-д,ер-. ■ц/аих сегиетоэлектриках // Ш. 19&Q.-. 'Г.32, .166^7-1671.

25. Дроккии С.И., Kí.'i'¡>;..:es'.i Л.П. Хзос в водородссдеряап?« сегнето-олектричосках кристсллгх // Тезисы доклэдч I Советско-польского

симпозиум? по физике согкетоолестрикоз и родственных материалов. IOkíu, 1У90- С.211-212.

26. Дродч.ш с.Н., Кяк-^кввг? Л.Н., Дистельх.орст и др. Хаотическое поведен:;-; доучпюЯ структура кристаллов триглицичеульфзта в процесса: переполчрпз-nv.r.i // Письма в аТЗ,- 1090.- Т. 16, !М.~ С. [-5.

27. Дрссвдин С.Н., Кгмдаоэв Л.Н., Сордпк O.Ü., Шевченко Н.Н. Особен- * нссти процессов переполлрнз^И'лн монокристаллов триглицннсульфатр// Сй.Рзл.'лссгционни'Э прсцосси я диэлектриках,Воронеж, КМ, 1990.- * С. 16-21.

23. Дрс-хдии С.Н., ifeMtcoBP .Т.Н.. С-зр;;»к 0<Ü. Внутреннее полз в сег-нетоолектричзеккх яристгячех (на примере триглищшеульфятя).// Труды Всосшзнол конференции "Реальная структур? и свойства оцентрачнюс кр:1ст"ллоз", Елргозедэнсл, 1920, 4.2, С.56-63. . i

22. Дгсадии С.Н., Л.Н. , Косарева О.А., Сердюк O.U. Внут-

реннее полз в кри vi гл.-.с тряглицинсульфитя // Сб. Электронное строение и свойств?» голупрсэсдяаков и cernerosлектрикоэ,Воронел, ВРУ, 19У1, С.Ь7-0У. !

30. j^po,дин С.Н., iÍAWa-seef Л.Н., Бзчксв БЛ\, а?Яге X. .Дистельхорст Г: Особенности спектра тока переполнраз Шии кристаллов '¿ТС// Сб. Оллкгронное строение и свойств? полупроведникоо и евгнетоолзк-триков. Воронеж, ВГУ, 1931, С.ПЗ-124.

31. Дрождин С.Н., Кекихево Л.Н. Хаос в всдородссдержрдах согнето- " ' 'электрических кристаллах /' фистяллсгррфия.- 1921,- Т.36, .М.-

С. 925-930.

32. Gavrilova М.В., Katejinov K.G. ,;iovir. Y.К., Proshdin З.П. Th ■ low-tonneraturo bohoviour of the pyrcil'ictric coofficient // Ferroclcctrico.- 1991.- Y.1СО,- P. 225-240.

33. i'ro?.hJin П.П., Ktir,yu!:c /n L.!í, Hopolnriaation nnd chaotic phor.o-rr.er?n in ra ni JCurroeloct ríe cryatnl^ // Ferroelecí: riten.- 199^'.-V.12S.- ?. 269-27*. '

34. Дролдпн С.Н. »oTü'jucnio яглския :три перелоляризецки водородсо-дерлпдих сегичтоэлоктрикоп П Дэп.ВШТИ 25.02.92,-í63I-B92, 63с.

35. EesnrejBiûD A.B., 1Ьвик Б.К., Новиков В.Н., Гаврилова Н.Д., Дровди« G.H. Роль протонов б аномалиях шроолйктричзсккх свойств монокристаллов ТРС с дефект еш при 'Г « 1,5 - 10 К // '/1!ГГ.- J992.- Т. 18, И.- G. 406-415.

ÙQ, Дрол-дип С.Н. Доменный ¡лехевизы возникноветш хеоса при вере-no ляр;;.эг;ции сегнвтоэлектрических монокристаллов Ц Тезису докладов 13 конференции по физике свгнетоэлзст^икоь. Тверь, 1992, Ï.I, С.143.

37. Дрокдин С.Н., Голицына O.U., Катушева Л.Н. и др. Влияние температуры на частотный диапазон хаотического поведения кристаллов 'ITC П Там т.е. С. 1.53.

38. Droshdin S.U., Kcrjytihsva L.II. Donain origin of chaos in ferroelectric. TGS // -Ab.itr. of ISFD-2, liant, 1992, P.378.

39. Дрождин С.Н., Камышева Л.Н. Доменный ыехшшзи возникновения хпося в сегнетоэлектрических кристеллех ТГС П 5ТТ.- 1992.-

• Т.34, FJ.- С.2797-2803.

¡lO. Dr-oalidiii S.U., Kf.r.iyßhevn L.N. Chaos end domain behaviour in forroolectrica // Abstr. of 13th General Conference in the Condensed Matter Division BPS, Begontibure, 1993.- P.28.

Заказ ¿06 от 25.05.53 г. Тир. 100- i-хз. Формат COxSO 1Дб. Объем I п.л, Офоетгйя лаборатория В1У.