Эффекты анизотропии в оптических спектрах слоистых полупроводников группы А4В6 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ
|
Кулибеков, Айдын Микаил оглы
АВТОР
|
||||
|
доктора физико-математических наук
УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
|
||||
|
Баку
МЕСТО ЗАЩИТЫ
|
||||
|
1994
ГОД ЗАЩИТЫ
|
|
01.04.10
КОД ВАК РФ
|
||
|
|
||||
, АКАДЕМИЯ НАУК АЗЕРБАРЦЩАНА
• г
■ ' ШЮЖУТ ФИЗШИ ИМЕНИ'Г. М. АБДУЛЛАЕВА
На правах рукописи
айшн ттш отш кулибеков
. УЖ 621.315.592
эшта АНШОТРОПШ! В ОПТИЧЕСКИХ СПЕКТРАХ слоистых . ПОЛУПЕОВОДНЙКОВ гатш а4в6
01.04.10 - физика полупроводников И диэлектриков
АВТОРЕФЕРАТ
диссертация на сонскакиэ учоноя степони ' доктора физико-мятвматичоских наук
ЕЛКУ ~ 1934
Работа выполнена в Институте физики имени Г.М.Абдуллаева АН Азербайджана и на кафедра физики Азербайджанского Йнжэнорно-Строи-таяьнэго Унизерситата Министерства Образования Азербайджанской Республики.
■ . Научные консультанты: '
доктор физико-математических наук, старший научный сотрудник Д.А.Гусейнова ' ,
. доктор физико-математических наук, старший научный сотрудник Р.Л.Сулейманов
официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, профессор Тагиев Б.Г.'
доктор физико-математических наук, профессор Дирочка А.И.
доктор физико-математических наук, профессор Бакиров М.Я, ■
{: .,і/щая организация - Бакинский Государственный Университет им. Расулзадв Министерства Образования Азербайджанской Республики .
Г;:1, іта состоится " 2 " 1994 г,в
чассіі к/п г.
заседании одноразового Специализированного Совета ь/д и»-.1 /4 по защите диссертаций на соискание ученой степени дсісї.• азико-математических наук при Институте физики Академии наук Лт.'"..5ар.д;кан8 '
; 370143, Баку., пр. Г.Дкавида, 33.
С , ..'.'.оертацнеп можнс. ознакомиться в библиотеке Института фнзмки ■ !: Азербайджана.
гоферат разослац—г 1331 г
ЬЬлТиав Н.М.
- а -
ВВЕДЯ РЖ
Актуальность роботы, Кзоморфшэ полуиронодннкокыэ сс>'
/ г>
днноння типа А*В - СеЭ, &?у, 5пЗ и ИГ-пЗа - кристаллизуется в орторомбичьской структура (иространстл'нная грушш
1Г
0^) „ хорнкторизушдар.ся наличием двойных сл'юи, сьязь му;:ду которыми оничитольно слвбуу, чш ннутрн слоов,
С ОДНОЙ стороны СЛОИСТЫО ПОЛуПрОВОДНМКН груша-1 д'Ьз? иредстсвляш- ккчерзс как кристаллы е сильной аниьотропшп фивнчаскнх саоПств. С другой стороны ооуиэсталйнно эшмсн голограмм на оотоипйзкшх поверхностях скола, оСдаруэкэнш структурных фаусшд лоруходоа, а4'(-вхтс»и шрэклмчуи-яя н электркчаскоп памяти, стимулировало неслздоьшния 'злзктричес-1*лх, магнитик, фотоалоктрическнх и оптичоских свойств слоистых орторонбичооких СООЛИН0НИЙ группы А'ТЗ0.
Пр&ИТИЧРСКИ tsc.fi иоолидозания физачаских сисйств слоистых кристаллоз ставят иврид собой одну даль - установить С«0б9Н.Ч(К;ТИ 11;х.)ЧНЛ«КИЯ. сильной отруктурио-я. анизотропии и .
конпрутых явлинння „ Наиболао полно ата проблема рушена ни
% £
согсщня и слоистых полупроводниках грушш Аиа (0иЗц,'1п?з н др-) '
В^осто с тем. слшстш пеллупрооодники груши А^В5 ОбЛЗ-дсат радс^1 оугостдешш отлкчкя и овнимают особоэ П0ЛСКЭ1ШЭ п ряду слоистых кристаллов. Их относят к "прокомуточкему"
Т1П1У КрЯСТОЛЛОЗ, рОСПОЛПГОЯ МОЭДУ СЛОИСТЫ!?» И "оЗЫЧИЬ'КН*'
нзслсиетегш кристаллит. Пз нанболоо сущэстЕэнпнл извэспкх ргавкий! кжзду слонстынн полупроводомсин группы Л4!}6 н Л3з'5 угжгт но дез. Как нзеертно» аигсетау паяунрозодаикн тгл-з
СаЗа, 1п5а. 6аЗ в отлтио от Сс-З, беЗз, ЗпЗ и ЗпГе хвракто-разуштся изотроншп физичэекш снойстз в 'иоскосги слот. Хота анизотропия свойств кристышез ивучуна нодсстетог1-но, имшищиаси даннио .укааш&ют ни сильную оптичаскую анизотропии и плоскости слоив. Далао, принято считать, что ка слабоэ взинмодийствло мизду слоями в кристаллах А%6 отшчи-от взаимодэлстшю мехшу атомами халькох'эна (нанримор, £э -За в БаЗц) поскольку расстояния ммшшо мазду зтими вто;шкн являются кратчайшими ииаду соседними слуями. В силу спошф!-ческого кристаллического строении нзинмодзйстшэ язаду ело-
Л л ■
янн и криста члах А В шродоляотзи практически и ргшнол
стапани как атомами халькозина, так и атомами металла, т.о.
атсиами, расналилииншш но только на •"гранииил'* слоив, но и
находящихся "шутри их.
'Таким образен,основная цель работы заключалась в уста-лоылшши особанностоп прояшшння шшзотронИЙ крмя’ШШШШЙЙ «■труктуры о фазмчоиких (главным образом онтичасю-и) сыойст-ьх слоистых ерторембичооких полупрошдннков группы АаВ®.
В качиство иьтодои исследований были ь’ыОраш ошмчоскнэ , георзтичоскио мьтоды нослодоишшп энергетического егшктра, юкольку такио нотодц окивьшаатоя шоьмь нкрормигниннгш о .. чки зрении изучения войной структур.!оиобзнно в пааунро-
■ цниках со слоистой структурой, т.к. шоокоз качество ес-.УГСЭННОЙ ПОШр^КОСТИ СЛОУЦ криитшиюи ПООИШШв’Г рОГНОТрН-розать оптнчаокш ешктры и инроком оиэктральном дпаиаио--цклачая область 1п-> » Ед.
Ваглуш ик^ориошао об шщзотроиин сил связи месгно пояу-,ь изучая шшянш одноосного даалвния на штичвекна сиол-
!. В слоистых кристаллах этот нотод приобритшт особу:о ■сльносгь вчиду оудаотыойннин итомои, ськзаннах кезду со-рналичныуш типами санзвя.
Д.ДМ ДОСТИЛПЬИМ ПООТаВДОННОЯ ШЛИ проводились &ШДУИЙЕИ8 едовшия: изучались спектры отроминчч» псч’ло^инин, дауяг ННОЗХ) ПОГЛОданИИ, фотшшминэсиониин, фотопроводимости, лиииоины© спектра при разных тетюратурах, при различна ри«аиии пвдаяшаго свата и сриэнтаиии вкшшн'о здоктри- • ого пиля относитал.ъко хркст&мох’р^ичзскнх ооэя, при ио-ч одинокого дивлэния, проводился теоршичвский раочвт ой структуры. >
Научная новизна проведанных исследования:
Формчронцмин зксктонннх. спектров слоистых пшунроводни-ов группы Д^З6 цгпчнуи рапь играют 'л|/-к>ктц сьато-экснтон-014» СКе!2КНаНИЯо В частности. 8 без у геометрии "необык-СНВННОГО дучи” удгитсч нарох’нстрироьзть "сказанную" сва-о-зксятонмуш ноду.
• р
-чоисти* соих'инаинч типа Л 3 мсжн6 рассматривать как .1оист('-п.мииодич1'ск!!н срвдч по поктовтв.гаи нредочшшч. ля таких пояупроноцникоо характерен двупариоднчоскип ярактур тгор] ермниношвд спуктров пропускания и отриаэ-ин, занисимость ко^йнпиентоп сггрнмжня и пропускания т толгашн образцов. ■ . .
апупрс»одинхсм групш ЛЛВб и отдичне от слоистых • полу-роводннксо х'руплч Д^В6, из свог.отизнно зевишз’.ооть до-Ср'ПШ10!!111ДЧ ПОТИШНШГСЗ ОТ Д1<а':'.ЧШЯ и т?гпэрэтурч, что ОУСЛСШЯНО ОДИНвКОЕУЧ.Ч ЗНОКГИН "МВ!Х" и "гзнутрислоэки” гфсрчяиисшш пото1ш:г*,':са в папупрсволткпч группы д¥\
4. Сгюьтры фотопроооднмости монокристаллов сульфиде германия оушвопюнно измвнчнлгсы ири ианимжлм орлентвиим хлвктри-ЧВСКОГО исхлн в пноскости слоев, ВВИД;' того. что в проводин ост и участвуют разнш тиш носителей, хврвктврюуиви-он рнз.чичной величал вниа'-гграши илаынжюстм. 0
Б. Гкишрноч рвсполсжвнио энерштических зон, оОуагонленнои "давидовскнм" рясаюіиюниом сооплний при учете мв*сл«*-жл'о вэакмодьйствнч, налив: сн характерной особенностью оитичускмл спектров слоистьи палуироиодмикоа груши Л4В6.
' Научнвч иннжчпъ диссертвиии состоит в оОннрухвгни ноаш огітнчиикиі. Жактов (с«ито-ч»еитонж» гачайиани». слшсто-ію-риидич'*ский явря*г.*р раснриііо/.оннл ікжвзілвля нрилимлонйи), которш моі'і т ствть базисом дян ноасич» (кддхоіл к исслвлша-
1.ка огггнчвсккх свойств слоисто* іхлдииа ы.< А*ВЬ, в твхжу дополняют и расширяя существующий і-.а с«гасмч зшния об <чіги-ЧЬ'СККХ сиолствах И ЗОННОЙ структуре СЛОИСТШ палупргАКЩЧЧКОО группы А^З®. . •
Гірнктнчкскпй ік»"мость д»сс«ьтаіш состоит в том, что результаты исследования открынект иаьсіюктива іоцілник исто-ствоньах оптических зеркал игфракрік-ьоіч/ дшнкшни, ко:*И.и-иггНТо* Оі р'с;:.чин ксяорш могло уну^илять. лсоіСйрая тшгдеу -п-і, я так;;у нсгншлкхожа эт^;: кристалла » то£ об. '.о';!1:; ^ п*х.-*икм, їм;? тр-уі-іс.-. і;и^;^нон-‘У сюр::стр/.;-
ї'.’р ;:і) о^г сто-і іуриеУіНЧМЖиа м.;.~!Л! і: !і^Х-
-г^нчл. и і\с_. іклі . ..л.:. іч-,* ісгр/ггу:'
... 'її1' ; *: С‘- Ы» Сі.іуіоЬ'Н.гГ. - - С “V > ''
V--/ 1 гу с. V і:;-'-\У
1. В ончктрах оитичискош поглосиния слоистых соединония типа лроянлчвпс* уффокты сиато-икситонищч» скьлишжмн, гршхщнибв* к ыоамсяноотн наОждения скованной чхси-. ОН-фО-
ТОННОЙ МЦ1*4.
2. Нлсш&нш) двухтонного пиглосдания и орторшОичаских кристаллах типа сулифиди Армении при бшьиих интенсивностях лазарни1-о калучиним, оОуелошюьо дкнвмичьским иамвнэншм разности нас»; льнноствй в ионе про»с,1,имости и валонтноЯ нот.
3. Соадишния орторшОичвской груши А^В6 халнются слиисто-нэ'.'мццическими но показатели ирелсшьния средами, что гроячлнетсн .» дау| щрииоичьских юторфиренииомшх спектрах и аалюимости колДОмииьнтои отражения и пропускания от таяеяни образиои.
« . В пилирнзиаии излучения В|и, при х-влиавых тоилературих, п слоистых лилунроиодикках груши А^В5 проявляется зкснтон-1к» состояния, свядоншэ с ^ирэгакньин пэрсхсшяш.
б. Знак иименеииа кирмш иаиреедниой мы и слоистых палу-
^ л
чроаодмилах типа АТЗ но аанисит от тоннврзгура я дьвяэ-
'ти, иииду о^някозого знака "внутри" н "н^кслоецух" дз-'
фиргтиншни! !кп онииалоа.
С. 3 сичктрч:', ”чтир<,чч1ян:!жтн свдсра--?0:;тесхч;; ссэдакзкгЛ „л. Г,
груши и о !^ст но^итяи, соститгепгуг:™:» ро:;я>п
Анру&шн» рсніот, Штьриилы раСкуігі обсувались на оя, дующих кшфорининнх, соиашаниих и сзминарах: Всоооіозной Кі фореншіи по физики нолупроводникои (Ваху, 1332г)г Коорщнн. иионном соїшщинии социалистических стран "Оигозлектроника' (Бику, 1339г). З Всисшзной научно-тшшнчиской конфвр&нші "Маториаловодонмв калькогонидои полуиройодникоо" (Чернош 1391г), 1 Национальной конфьрьниин "Дофокти и пилупроаодн ках" (Санкт-Петербург, 19921і) н сомимарах института физик АН АзйрО. РискуСликии„ кафедры физики АзорбнПдаанского ик норно-строитального унньироитита.
Публикации. Сеноьшоо иодвр&анис» днссиртаики иалошно 20 шчатнах работал, опубликованиях ь зарубижных, цен гран них и республиканских изданиях. •
Обтзим и структура дикоиртвиии. Диссортаиия состоит и виидония, 4, глаа, основных результатов и выводов, списка тируемой литература. Работа изложша на 302 страницах, со доршт 28 таблиц, 90 рисунков И библиографию на 140 нашле ваний.
' СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ
Во ыввдонии обоснована ноль и задачи исследовании, с мочена новизна, научиап и практически» значимость работы, сфоріулиршани пилса&ния, шноонмын м вишнгу н кратко иь хі)ііо содержание диссертации.
• В первой глава диссертации содормтоа обзор лчгврэт> по кристаллической н зошюл структура, фазовим перояод&м,
кшшчосксй связи, ОПТИЧОСКИМ И фаі’ОЗліЖТрИЧеСКИМ СВОЙСТШ
■ - 9 - •
слоиигш оргоршбичвских соединений груши А^В6. Привналм-аириаан'і кристнлличиокая структура и свойства симмьгрии слоистые криста.иіои А*ВС. Эти соединения ((*;5 ,<3и3и .ЭпЭ и ^пБв)
кристаллизуются и структуру орторомСической сижчжии с про-
1 6
стрьиспажной рунной симметрии (Рсеп). Эльма нт аркан ичьми - приииугияьшй пиргииюлоиипод о параметрами в, и, с со^ряит 4 атома катиона и 4 атоми аниона. Атс*ы анионоа и яитмшоа обраэуагг лмойше» слом, Жфындикулнрнн» кристял-ЛОІ'І^ИЧОСКОЙ ОСИ С. В ХЧУИУНТНрН.ОЯ ячейке сщ^ржится 2 диойнах слоя.
«Ь анализа литвратуры видно, что с.г.омотае орторомбичес-К.ІЙ) соединении -типа А4?5 недостаточно хороио иаучаны. Расчет ионной структуры а г их соединений ироьодился с учвт-л 270-ти аюских воли и раалинонни ьиакооих функция злактроиа, что <.<5осішчииа»т прах-! ически хоромуи сході'.»ость уроинуй, _г.вхзгз« а смростносїи фундьментіиіьноі'о кран с точностью 0,1 зВ. Характерний ііоііішнсо рьакх'югьнии чальнтныл зон (Г^Гд), (Г^Г^), (Г,.,Гц) и (Г^Г^) нсно прослеживается ыи всех случаях, что яа-хт ген следствием слоистости крмстьляоа.- Вэлмчнны рвеегчиэ-кий ион и точки Г|, оОуолои.'енкыа иуакмодойотии»’! ноуду ' сличим и улемеигирной ячейке равны 0,3 и 0,6 '.«В дум б-зон с-о^ьна и іирмания, со<ітіл>тствонно.
Проаедена идентификация структур, найладт'.нх в оптических сцактрах гг их кристнляои. Іісс/.здшано аликкисі гсзс-торонліі’о «латин на зонную струю уру рвсс.читрииаш.:нх "огинаний. Структуры оптически* елактроц, вклычаа оснеишз шхн и спактриа *%№), иызинны оптическими иорзхздї,*;:і из линиях Д н V л ы точках Гни вини Врюиг-'Л'ип.
- 10 -
Вместо с тем в мерной главе стмочаатсн, что иминтся ряд проблем, іраОушмх дсльнайаего исследования свойств 'лих кристаллоы. В частности, до сих пор но успаноалана природа края поглощения, соотвэт ствулиш*' пароходам. поляризоааншы параллельно кристаллографической оси "в* крис-чоиіоо тиіш &S. Ш исследован механизм двухсотенных и сло'У) «сследово-ш лмхииъсиаатда.в проиисса в этих кристаллах. Пои исследования фотопроводимости ко уделано дсисгноо внимании аллотропии .^отопроьоддаости и зависимости от капривлании прилженното
.'ЛУК’фИЧЭСКОГО НОЛЯ. ЙОТ ИОСЛОДОВШІНЙ по ВЛИЯНИЯ ОДНООСНОЙ
. .^формации на зонную структуру з-гих полупроводников.
Во игороп глпиэ приводятся роиулычпи злс.шримон-
талыш?: иссладоаиний ко^фиішонта диухф-угонноі-о поглоо»кий
;:ри ЗООК дим фиксированной длины волны ( 1,0; «хм ) лазера с
длителоностыи импульса 35 р;>. Эксморимонтальна» ризульта-
чти сравниваются с суіи.'Отиук)іі«ки теориями и (Лз^нона
і учатся насыщения двухфотонниго г.о'лпосэкии прямсхзокниго по-
■ '/проводника при Оальаих инієнс^йн.с-сткх- .,uW'j-<ji'o излучения
:.о счет дннамичаскс -о изманоний разности населенностей о
:-.т* проводимости и ВАЛВНТНОЙ чеки.
Рассчитанные из укспери^онтельных оаьисимостья значения
х-зффиииантоо даухфотонного поглоиении n^fEgu) и і Е § а)
, зны, соответственно: <*.= (гД^ОДЬЮ * см-f-^T * и а • -і
• ',8^0,3см»№т, что на ?ри порядка нвиьыа, чая в GaS
• 3sSa. Следует однако отметить, что для сульфида и ;j..oH4ca галлия коэффициент деухфотшноі'о по-.-доиеиия
. тлэдыляли из экспериментов с излучением относительно малой . ..енсиьности s 10 Мат/см^ и сравнении с интенсивности-
- И -
им, wjiіичьгіуьн!і'ли и дшмоЯ р.чбота ( - 30 ГВг/ctf2 при EJu , и 15 ГВт/см2 при Ejja). Для различных образцов отклонения от задании* і*и.личин со<;тоил^!>і приблизительно *. 103!. Еольшиа энвчонны поротой разрушин^й дли гооматрии EJa согласуются с том фаг..ом, что прочусмжио одного и того яы кристалла для аедынной і-оомогрии из длина иилны 1,0G мкм исагда бодь-еэ ( - на 6%), чьм дли гьинотрии Е|а. Далое приводится рмау/ы aiы исслодоумниА спектром фитипнннисдониии (&1) ни конт ролируьинх примосой a GuSi u CeS, - дезтсч квчаст-юниан имтирпрчіниим воинскиого коханиама излучатольиис парях .доы, саязанннх с наблидйы-’ы.чм структурами. В паяярн-уоиин Е5а «««’нил <0.5) іе;ел максимально» значение, однеко и ЕЦи он рздко ослабевал, что подтвчрэдало сильную паляриагци-оиііую шш;н/гро<іта излучения. В отличи» от других ребог |!са"эдоиа_г.кс‘, Ошуй із и рок пн обчисть длин воли, a Tajci-a ниб/яшалось больиои количастио nc:.v_“. отчетливых пкхсз. Q г.онокристаллвх GuStj полосы при 1,2S1G; 1,ZCCG; 1,275;
1.Л603; 1.2ЄБ6; 1.233;1.302; 1,312; 1,3265; 1,3363; '1.3434; 1,3530; 1,3510и 1,3674 -‘З оЗуадогпену f.'r-np'.i-
кзлучаталиьїіи гираходаїн. Структура 1,3674 зЗ • саягвна с нэличкс*л свободного зкснтокэ, структур'» 1,351 j3 cooTtwTCTuyoT с:;ситсн, сцр.зкннуЯ с при«.эсыа Si.
В GaS полоса при 1,ЗСЗ; 1,351; 1,376; 1,353 н 1,419 j3 обусловлэни д«< о р: і о - е ли у г гт орг- •: ї канилеи рк«!б:шр.ш-м, т.к. они предпочтительно нкб^-дцеттся при низких текпзрэ-т»рзх н euckoix кси;игнтр-і::!Пї Г’м’гд'.зп пагссз при
1,5 -j3 синзанэ с рэкейянсшмИ стсйадых ксситог.зп нэ глу-6o:uc np;,-rjC!i:n сзнтрш.
- 12 -
В этой же гливе приводятся результаты исследований интерференционных спектров пропускання монокристаллов СЗеЭ о &іЗ>, взнтых из различны* гехнилш'нчвских партия. Блаїхідиря слоистой структури и, как следствие, простоты приготовления шюско-паралле/ьшх лявстинок, слоистые кристаллы являются идеальными объектами дли интерференционное исследований. 8 реиультяге исследований инт»р>>-реноионншс спектров пропускання минокристщщон (Зы5 было ікжазено четкое проявление диуиериодического характера ин-тер^еренпионных квраин. В спектрах просматриваются два перм-оде интор*»ренииа: одному соотиетстыукт "овычмые" значении показателя преломления п-3,2; другому - "иаимально '«аль»" с п-=0.1Л. В интерфурениионных спектрах толстых (сі-770 нам) образцов СеЗ присутствует интерференция соответствующая "малому" п=0.14.
Из спектров отрвнвния йгИ видна ХЕрактерная для многих слоистых полупроводников особенность спектри -резкий рост коэффициенте отршньния (Р) .в обгвстм < & . Величина К за краех пиглснаенин соответствует обычным значениям показателя преломлении п» 3.2 ы соответствии с формулой Френеля. Значение Р в полосе ірозрачьости значительно Осигьие. Вместе с тем, учет отражения света от задней грани пшзшхот уменьшить значение Е шілоть до его полного сгл«*і1>знпя при перехода через край поглощения. Такой корректировке поддаются спектры отражения срчвнитильно тонких (до 70 мкм ) образцов С*.^, в ксл оры-ч доминирую-сими являются интерОерениионнае спектры пропускания с п*о,2. В случие толстых (сі- 770 мкм> оОразиов длнная к^рректи-
- 13 -
pvma m ирмюдит к сглахніюння ктг}і}ииюнта orpsm-ния при пароход» чьрез край пеглодания. Значении R*0,5; получоннов jyin толстых (7J0 мкм) кристаллов (с учотсм отражения от аадной грани), хорош согласуется о п“0,14. оііреднлоншм из интвр^ирокииониых спектроа пропускания.
Считая рассмвтрииачмын обьокты пространственно г')однородными но іюкауч'іолії преломления мим"> осїьяснить данныа РНЗУХЬГВ'Ш. Д)!Я JTOl'O НВОбХОДИ-ЧО ЛроД)1(Х!!СИ<ИТЬ №>риодичэскуа МОДУЛЯЦИИ ц нипраалинии пьршндккулярнсм ПЛОСКОСТИ СЛОНЫ.
Дисшрсия . иокаиитйлм ироло-июния "п* кристаллоз
CnSu устанавливалась из анализа ннтор^рограмм пропускания
Тч*нким (-V 10 мкм) и толстых ( -» 1Б0 нкм) обраацш. Дія но-
лиризайми BJa установлена зависимость (П',1 м=г (у), в об-
люгн малых частот немлучпи сооп.’этстауит ииичэнмг.ч
nil. Слодуыт отмутить некоторую ааииснмисть і'начоний "п"
от тшіЕчніі ксопэдоуаншл толстых обрггиез Sh?j. 11сха:;о-
тъла пруле.ишния $iSy и'области 0,1-0,0 їЗ удо&г.етігсрпзт
° -1 7
пркч'олннийноя uufKCHJiWTH тина <и‘"-1.) =->, . сто сз- •
начкит, что днсіг^рсга исхьаатяя ирулс^иакня мета о опм-
СЧТЬ МОДУЛЫ!] ОДНОГО 'J^’I'jSTHKHOI’O ОС^ИЛЛЯТОрЗ.'
Зиачонг» зкарх-ин «шюрзии 5у и ть“,ім одного сз-ииллятори иСично сиянываэтся о хар2ктврс:і ш.чическсЛ се::з’.) и кристаллах. їїнржотр 5^ удиилотс-орпэт •.'/ліс’.значаї’и'ізсксіу еоотне^энга Н , vr.:з Н - кшрдчнаиншисо 'зг.сло катио-
на, Z3 - 4'^'г’-алытя кал/літность анноия, .4^- к::-х".о трсаоу в структурной однннии, сидор."» e*ifl о;:'::! гі;.;;ич. ft-
- К -
постоянная, характеризующим хипичискую сиизь. Дли кша-лунтн;« кристаллов /’=0,37, о для ионнии С<=0,2о. Зависимость Г* иг Нц отра/янот иш>с*стн>« коррулиаи:э ио~'ду
крлсгаллхчоикоЯ структурой и хш-.ичнской связью аисзсти: |ф*1 парохода из октиздричоского о.;ру;;-.-.‘(Ия(МС*Ь) к титраздрп* Ч!.'СК«!У (Н « 4) И Ошгао НИЭКипу (Н„'3) уио/.нчиисутся
V \у
дадя коздоинтной саяии и крнстшикг*:.
■ _В__трзтьой гл'шо излтчдогся (.оиультсты росчота ион-
ной структуру орторомбичоских соолмгиннл группы А^в6 ют ода!
I кял 'Дш м'аниинла а дцуслолхол х однослс.'шод коду-чих . Слона-\ий характер л ил кристаллов находя г сита отра^аняо и структура .знерготичасксач) смоктра. Прл расчото 30*102 структур мтричмие злв.чонги псоццсчкяониишм рчссчзтривчэтг1 кьк иццгчжичнии парематри, и ж подгонку иромзиолит
га:;, чтоба аш[роизиоакянсь ;;ихзонны:> снтическии (■«;*•-
яедч, язьигт^и из эксперинонта. В случая слоуных крист» •.чи, кода суадстоокнуш ролв игркит иного» ьзкторы обратной р.- -иоткл, удибнаа иарьирооать фор-4.эктор-г .атсмшх псовдопотин циали--, которца виь^чят только от соойсти индивидуальна итсмоз.
Харухторлсэ попарное? рвс:шс»ун«& ваштш о он ясно I роилнкиааитсн ыо воох случи»*, что мылмотся слудс • »м>м слоистости кристаллов. Величины росизалония зон и тьчку Г, оОуслиш.унные азакмодэйстйн^м мауду диоякими слоям л в зиюи’.'Ягер.ч’чЛ ячайко, равна С.З и 0,6 зЕ д.: я б-зон &; и С-з, г; ::тл11'ст1;л-!чо.
Во исох указанных структурах ячуотся игилирозачнс!--гиушш пз 4-х зон, которцу отдалена о г оснонноЯ гр.иш ип-
ЛЗ'НТНІІЇ 'JU!1 сирс.чюі УНУрІЧТИЧОСКІ'-М зіглорсм іюрчдха G -Jo. -Рааульгагы исслэдоиакнП иаииотнш слоистых ооодмкиння Л^Ь® iiwu'juu'j:irr, что при подгонку мидолоа аоняоЯ структур МОД ОПТИЧУСКНУ ХИраКТОрИСТИЛИ ни удьития odV.i'.-HHTb
дуншэ но i'wo’jmmcchm с уі'лоилч разртаинком. Постолу Сші
Ир«ЛД‘-*Н рИСЧЬТ »ОННС‘Я структуру GtiS и ОДИОЛОрНСЯ НOL>>JM н еу руиультати ср:;иниь'алг!сь со сньктрш'л фагозмиосии. При пн— юрнрчтчиии •.•киїі'ірк.-.унто придіїилагапос», что ксмпонч.чти ('•*— пульса з.іоктр'.-на вдоль иолрхноотн кр^столли СеЗ coxpw зтся нрч иш.-ту .ілуї'.'і рон.у. "чхсирун цдооцрзгэшю 'jn'jpir.j трс::а її і'-'іпульсу, ілірудоі'Ялн полс:.^:".* h.j-
4'!/t»rtcw a«rwitt.i:! о. длііюЯ зк»рп:'-*Л. Огс>тсти;« ;:;,/ср-
о ;iіскгпп і і ■■пульса» іщ:іi’jндіікуляр:ЮЛ wsair.--і -.піі г-':ч':!ло Уіиі. } rjjy.'-.їдли н:;;;:нл cruu.:: і; ! д.!.-лі■ • 's > л.ило іг-іір’Л'ЛЗКг'я. •
■' ::л -'.T'-rj.1: г ■ і : p^-i'.ypvx:'і ue.tHU структурі ■ ■■ ■ і {. ;:С!'ор;;!-::і .'“'.л1.::: \ч
. У. і- іч мутні::; г-пр
!' • ", " у-'.* !'\м од (.'1'-= :;тр' і
■ у і'; v ■ ’ \ і":
,:р<л:;;';;-о -j: :•• :л-угі :чс:с:<с ”0 •'.r:'::crj:: сл-л'ї-
іі;.-'! hi-?. ; иопоотилмч;:/.-
отру '.тур1! " " суослс^ио:-) u ? a:i:?p:".;::u';!r::-
!....■ с!!^:;'!'р'.ми -‘ото: :::cc::'t о угло.".:Ч р^р":'';:'' ■>
і'^-ГСГі У'!{'"! A.
у::'.’рі.':м ;х:‘Л';ч структурі! C./J.C'.O и C'.f сі/;.": •. ..рлпльыл с-лггрлуп ::::’річл'іі'г'сгсх'о >:>. ■
- 14 -
снтвльно оси симметрии С(), что, по-видимому, связано с происхоаданиим укшанкых гон из р-фуккиий атомов, составлккь щих роиатку. ■
Приводятся ривультиты расчете распродшшния зяик-їроИного иирцда стдвльных rpy.ui валентных вон для у>..,5о с ' испольаоъанием волновых Функций, полученных и;» расчета его аонной структурі) метода нсов^опотонииали. Рассматривалось пягь груші ІШ четыре УОНЫ о вилентноЯ зоне ЭТОГО соодянуим*. Плоскость.на которой приводится рп-предо-лонии сьрмда, шбрьна тих, что она со,ц<-"р:*ит две рщличныо синаи 2,,-:;^. причим одна из сиядон расположена одаль слоев, и друї’аіі-цоїшрек. Из расправления аарчда 4-х СШЬіХ НИМЛИХ ЗОН ВИДНО, что Оальиая чисть элвкгреной ПЛОТНОСТИ сосридогочина ОАОиіО йтиму :•>.•. Заряд сл&дуюшэй грушы ион (5-0) происходит из смешивании орОитилый з.»
и сконцентрирован вОлиан атомы с проим/шотвинныч вкладем -.-состояний. Для рьспрудв.іания грядовой плотности деух слидуьиіХ групп зон (3-12) и (13-16) характерно наличиэ иаксячуно плотности ^аряда иосароднш линии, свяічіваіііаал вто.чн з., и Зирадовая шюіноспь самой вора ной і’руч-
іін 17-20 носит онтксвяааииоциД характер, поскольку заряд сконшнгрлрован вн& лиши, свяліва.^и^Л соседние атомы
0*1* Пм . Д.’_іг-О р'іОІ ІрЬ ДсзЛВНИУ ІЗар'*,.*СЬОЛ ПЛ< ЯЬі >0*1 И ВДО.'ІВ ний-равлілн.чА сь>3:і -іі-ги внутр,; сциой ічдір*роввнной ПЛОСКОСТИ, ІИЛіарВК Гофр.ірОВаННОй Ш.ОСКООІ> И Ме*„ЧУ СЛОЯМИ.
Опері’Иі-І Пр>ІМІхК МС-.'иіуиіЛііклХ , СО^ВеТОТ В/'і^ПА ос-
новним структурам спектров отрш^ыя и - .0 —) для поляризаций БЦи, 22° и Е5« уво^нчкешьтея в ікл.за'ста
Си::»» Как cjioj^tci из расчитоы ію диэлоктрич&с-
сис'О типрий, дарина орудий заириаиннои аоны , по juofj'.’HH при’ >;>но с<чяь:'1хтиуюдай осноинону пику слек-•rp-лі * <»- ». геи приФшаНіг.лиііо одинаковой для u £Ь>в (4 .Ь 4,1 уЛ), а тика» , ..ія r..5u u Gn.Jw (3,63 и 3,64 •j.l). П'рш'. ч гр > п іірнд і аііллот cptuyuuu разность мьаду радиу-
С< • ^ >■ н - OjO .-uj.iid ^иу> hf-itw а ‘.<»ДИНЬНИИ И ЯйЛИвТСИ
нарий w > рвішіїлоким и кр:-л-ылс. Г) с-імзи о этим параметр
I nL НІЛ'ОЧІС» !Ір<лІср!ЛіОНШіа1йі!'. Ьч.'ІИЧ.'Нв КОВШЮНТНОЙ COCTOU-
химической CJX3H, а0у<;.'!Оіи;«н>юй гибридизацией »-м
Ус'Г»гіі.іілиі;р, ч"и глиинуо ііикй ілшктров «2 (*vj) ДЛЯ і’ачн^и' >і *нй В|с, SJtr і іі|і; vhhwwch н сі ороиу баяьскх знвр-. *:.Й о уюличэдким »и^м«т{« к(*:-шжтжл;тн »"* в трушю нзо-нор^иы* г'^дмнуний А4ВЄ . Така* киррилниия яалкотся и с»кл’глпітьки о і іродцаг.з таимый исиинирс.ишиом кдоздзнтксй t> орч орикСичщ ,\wl крист аялax А4Ь'', слиіовинной нз »-н , иии м, как и ч сиидиьаниих оо і^юднуй о&гаит-H-jct.n і. Сомідз іжрхчии liujioiiiivo u-jm, • оитичоскиэ Rapsiсуду '■ кі/гціа (ік'риируйг стоу:<'!ури <хпичыжих спектров • rf :лч^.і й . і!;мі:сх<шЯ'Г иа с-уроимігй льгиок<ю. На это уксгы-чтч'. и оходоіьо сшктроц j/t'Kipwi а такя* спэктрш
і >ui'Jiotut»! -;и я сопциинний с одиниксмими ктконини. Оснскгиыэ ‘ ■; .-Кіури СІІвКі'риИ *2 (No> форнирун/і-ся ОІІТИЧОСКИНИ переходами ю С-х'&а глубикиї аилишнііх зоч. связанных с н-уроа-нчми анионш. і'іо аниріч>,-щвоккч пожаданню» основних пиков
сгджтры *2 (' ■>) НЬЛ.ЧШТСя О.ПИЗД ДЛЯ СЛОИСТЫХ cot)ДИКУНИП л fi
А Б с одинь!-оными инншами.
. Проведано исследование іюглснданин В Gk-Sw ДЛЯ НШШрИ-ваиий Ь'|а и Е|в при 295 , 77 и 4,2К лля толщин 9,5; 32;
112 и 260 мкм. Обнаружена ярко вырааенния поляризационная анизотропия. При 4,2К в спектрах нвблщцввтся зкситонныя пик (1,364 зВ). . . ' ’
В с.,:, грая фундаментального ииглошэния в поляризации падающего свита Е|а определяется срямыни разоренными пэ-рихидани в зкситонное состояние (1,735 эВ при 4,2К). Коэффициент поглощения света для твких периодов > 10* си-1, поэтому зкситданый пик поглощения в удается зарегистрировать .<шь ка достаточно тонких образцах d- 1-2 нкм.
Отличительной особенностью криках поглощения, полученных в гидаетрии Е|в (на толстых образцах -2 ка) ншшэтсн наличии пика поглощения, энергетическою полсманив которого совпадает с поисивнием экситонного пика нагло-щэния, соответствующего прямым разрешенный переходам. Указанный пик обычно регистрируется лишь на тонких (1-2 мкм) образцах cws в поляризации Е|а. Другой особенность*] спек-трш поглощения в икмвтрии EJb является малая ««личина (20-30 см-^) коэффициента гюглоценяи и сложная спектральная зависимость. Характер поляризационной анизотропии SnS такой ьи, кйк о Знає, но отличен or Gt->3 vi Gw з». В области ст > 103с«-1 нь&гидаэтсй резкиЧ poor ко^киминта шл-лосіння, и при 1,39 зВ дня Е|в -"іиімчо**. Ско^іюти ЗГО"
го гілоча в зависимости от температури равна 2,5-10“^ їВ/К.
Следует отметить, что края собственного поглощения g^s а и области прямых разрешенных переходов для поляризации Е|р имеет одинаковую природу, как и край поглощения c..s
и впп.. дли пиляризаиим Е|в.
Исслодшинн зависимость ко-'М'ииивнта поглощении (к) от толщины об^аииш длн различных длин волн. Уотнновлино. что с уионьшнием тилиины кристалла "к" уввличивоэтся. Данный (]>акт имул кнсто и в других соодиненинд группы А^В6.
Использование диЦфорчнииальной ньтолики иооиалило установить знячннни іноргии ншірймой экситонной зоны в о»-Ки при твмшратури 4ПК, равное 1.316 -‘В. Данков значвнив энорги.и определилось но знерічпичвсксгіу пшгасзнши пилон А^ , А2 и Ад на основании прадіїолікания, что структура и А2
овязніш с пороходнни. происходи иым с эмиссией фононов, а структура Ад иоявлчотсч прн высоких температурах и обусловлена тем г» переходом (А., ), но сопроооядожимся
погло5»ни»н фонона.
Ка основ» "'ворвтико-грунпоаого анализа к рассчитанной аонной структуры устаноалина эниргин фонона (26 мэЗ), иринималшйго участие в данном нэпркмом пэрэходо н ого симка грия (у4). ,
Согласно рассчитанной аонной структура о»5ы непрямой пароход в поляризации ЕЦа осусэствляэтся чорэз виртуальный трэход н затем с участнзм фонона в зону Нэпря-
кой пароход в полярмззики БЗа мо^эт осуетствлятьси чэрзз виртуальный шраход •+ л^, о затем о участкам того ;гэ фо- . нона, что и для поляризеини Е§а в оону Поскольку наг-ричннй злокэнт, кходякий а формулу йроятности порзходн для ЕЗа Семь!:;о, чем для ЕЦв, интенсивности ШрЗЗСДОЗ в полярн-рнзишш ЕЗн бшьг:э, чем прн Е”в. Сдэлсн еьшод о тс;!, что
Г.02Л ПОГЛС^К!'!! !:С!1С!Ср!!СТаЛЛСЭ в*6а фсрУфуОТСЯ !С5К НЄП-
ряхыми, так И прямыми переходами » зкситонн.<ю зону.
Отличительной чертой поведения смоктані поглошнии 4 Г
слоистьіі соединений А В’’ о условиях гид.ооспэтического давления является четкое различие коуМ'ииие.чп > давления края поглощения при К-Ц-тБЫС1 см-1 дня пичяризвіиа Е{в и Е|в.’ Например, в области прямій раз^шеш-ш переходов при *<■> *• і крий поглощения аіЗи для ЕЦ« счннилтса со скоростью & -(0,65+0.0б)*10-4 зВЖІа, ■ :>,„н .. с.,-;- ируец .. -(0,М1
0*0©)*Ю-^ эВ/Ша. При ь..> •.= е край поглодания . 5из«- и . дяя Е*в дишвэтся со скиростиэ >* - -(І.Зі-О.І)• 10~4
иВ/Ша. Денные значения Слизки к значениям коэффициентов давления ширины прямой оеаре«очной ионы слоистых соединений А^В^. Под влиянием хнфосч а г кчискохч» да прения взеим;> действие между слоями в кристаллической річагтке увеличивается, что приводит к у..к>личиниі<: соотввтстыуклад расщеплений и уменьшению между у он к;;* зазоров н окрести.» ги абсолютных экстремумов зон.
Приводится результаты исследований о,глооснаго давления на ионную струк-уру монокрист и -лов ^ з при различны? температурах. Дается схема экспериментальной установки дад проведения оптических исследований по -ддкоосному давленим.
Показано, что одноосное снигче, направленное порпенд «улярно слоям, в монокристаллах о.с приводит к сближению вон, обризута край фундаментального ноглоииния. Указанное сближение зон, в свою очередь, нк.’уоіся следствием росте рас давления давыдовских пер, хар^.уте;.;-^ для ^ннои структуры слоист0і‘0 кристалла. Этот результат совпадает с результатом влияния на зонную структуру кчя кристалк’г всестороннего
(ГХ Р'>С' ЧТИЧОСКМ’О) С.-И ГНЯ. ЙЧГ'СТв с тем, этот (Я13ул лет су~ да л чмно 1угли>-штсн иг результате, полуденного при иску»-^ош'чми ««"чиним ■>л‘«у'сьо:,о днилония на а он1-у га структуру лр^твляон Л'^Б”, ГА'1 иник измв -;еним запрещенной аил
IР’д мм <уц'(>'>;н(л'о цанлгжия аникеит от температур м
Болкчикч чриклндннаеи.ч'о лнапенин. поскольку знаки не»- и 1й(утрмслл№а ;'У|>ормниии<ныл потенииолоа ь кристаллах А^3 ри:*.' ,<чн‘;. Укюьннаи оишчие с.чдаачо со спецификой крнстал-
.■ичосчиго «л'(хтннн >тих диух классом слоистых соединений. В о р •
крис.ч'ллчх тииа А'т-’ межслоооне се>ои определяются взаимен -1мы>-чи мнвду атомами металла и металла с халько-х'ен-*'. .'хенно чккой гц:| кристаллического строения определи")? рчзлич;'» :»‘нк<»1 Оир.(четких коуЭДицнентон, обуслоиленны.' мея-и внутри" <■!!«« к<оимодойствием чтимов и кристалле.
Иннч си. >-чин им**ет место » кристаллнх типа А^В®. ?".чсь
Мьжи^.'.»?ЗОЯ . •1 ИИВ ОПрвДМЛНОТСН М1г. «ЫО ХВЛЬК! ■ ’,'М-
хал> кы^ч, та.< и м-галл-халькоген, поскольку расстоянии^ между <т-меми х--ьк«.>-“нв на соседнчх слое» примирительно <-ак*«* же ..с!К и рц'-ссоянич неги -... халькоген.
/ ■он!'-' по ’той причин» знаки меж- и ьнутрислоешх потен-им.оя в г ристн ‘и:их типа С-'З окя.'шьдаяси оминаксвши, о чем снкг^тельстиуют НТК .1#4<)рМ01'Ч0ННЫХ 3“.С1!УриМВНТ09.
Р реЗу.'ЫьТЬ 1!-’'СЛ(?«'-ие!1ИЙ с'^-ктрои ПОГЛСМаЖИЯ монокр.ю-таллоа беЭ нь- дано, гю \<мсты. (•» 2 мм) г»1разиах при ма- -л температурах и ’»к ! н?ьи;-ьмоП гммвгр^» 'необыкновенного луча”, когдч н'' :иулен1-,ч колебаний ■ рмческого к*ч, т ора падаю1.*?!••* «гм/чуки • с«.--'ии."ч*т нако'то'л '. ухчм о *(. -• Т(*5 ,.о1'рзфич1,(:и. ось") "и" кристалла, и и;.- лом вол-
копой (к), злвктричкский (Е) векто^ь иадвш&шч) изпучония и ось "и” кристалла лвжат и одной плоскости, воимоино наблюдении пика. энортьтичоиков пплажании которцго и интирвши» тиш.иригур от 4,2 до 83.К в точности повторяит 'шкииоо для зкситонного пика поглошнии, наОлшдаиаигоом на тоьких (->1 ккм) образцах при нормально падании свога на поварх-
нс<сть криста^в и приводимо» в липфатури. При фик-
сированной томпоратуро возрастании вшауказамного угла приводит к росту мнтансианости пика. Всо сказанное при тираненном учото толщины образца пооволнат утпарадать, что в данной ситуации имиьт моею найлшдшшу эксигон-фо~ т:;;иой моды, т.». и этих кристаляих сильно выраяаны иоля-р.,онши эффекты.
В чатиаотой глайо налагаются результаты раечнта внутри-ес .мой и махыонной плотности состояний во Эи, приводится ■люстры *2(В> йгЗа для различных поляризаций свата о «-■ч^см 16 вора них валентных зон и 17 нижних зон проыцци-Дян соединений биЭ и (ЗыЭы на основе данных расчета ио.1..ой структуры и однослойной и ода л И МеТОДШ псевдо-1Ь; онииала пост рои на плотность состояний Н(Е).Она сравни-«лт-И с фотоэ;4Иссисншым споктрш и далаэтси иааод о П'>, что нияниэ валантшо зоны распсшжана около -13 и
- Л "’3, они сСязани сиоу’м мронсхаданиоу бантишщимся связям Сс и 5. Сдздукетя группа зон расиола^ана на уровне -6 и -V она нронсгодит от бадтающцея связей горбатая. Случайся Осдыдая группа ода происходит от р-состояний , с:.:; .„здз^их горизонтально и виргикилышо штрихи. Как и г. • агтлось, ентиевкгищахйш оостошшя описывагит зону
проводимости. В таблицах приводятся экспериментапьные и іаічислонньїо зноріитичі.чікіга «взора діли исех этих соэдикэ-ниЯ вдоль симметричных линий Л и V.
На основ» рассчитанной зонно>\ структуры, вычислены эффективные массы дарок и электровоз вблизи зкстромі'кз на линиях а и V. Эффективные массы дарок и эле ктронсз э направлениях. перпендикулярным симметричные -линиям а и V очень волики и иногда противоположного знака.
Далее анализируется спектры отрицания (0) (Зейз, а тагаа* э.тектроотраявния (30) И термоотргкэния (ТО) ЗтБ и &£3э С иелью установления величин наименьших ирияых энергетических зазоров для оптических перэходоз о'Вда и Е^в э орторсі-бичэских соединениях А^В6 были провадаиі исследования спектров (30) ОеЭз и Эп5 и области основного края поглокэния при комнатной температуре. .
Как о тличительнуя особенность спектров-. 30 слоистых-
соэдйшння Л*В6 и окрестности фу ксаквнталь ного крзя о -
поглощения следует отметить их сильную поляризационную
анизотропии, особенно з области длинноволновых структур. В окрестности наименьшего прямого і*нері■этического зазора в зоне Ериллюзна ЗпЭ оптические перехода разрешены доя поляризации ЕЦв, а в окрестности следующего' по величию зсзсрэ
- для ЕЦа. В (Зе5у реализуется другая ситуация: се-ая длинноволновая структура Еа в спектрах 30 СеЗе формируется іфтши (яптьоо'МЧ дарэдрдами, разрезанными для пояяриэаш Ци *:і Шуьмзх:~л^-Л!} Шк:ІРДУ 5-іҐір!)СУИНОЙ &ОкЫ ДЯЯ ЭТОЙ пшырмзацми.
Результаты иссдадсваний спектров 30 5пЗ и (ЗеЗе, твюэ
- ^4 -кик и '-.’игрой ни/жмдении, укк^ви^г, что структура а (враг— Тичаски* ат о'ггсримОмчшжих с цкдннини^ А^й1' и скрии .'чости •бСаЧИЛ'НЫ* аки 1'Р*)МУИ0И шишнчсь р»Л>.|-иЧ>»ОМ дли хьлькогинид ..., Си и ^1.
(Лшоу!.а митмики ксияид'^ьння сиокг'/ий отражение, алвк-
Трисп^ЮШНХ'1 И Юр*! •Ч рМЖи.ШЧ и 5||3. Уи .'ИН0Ш101Ш
|1Ш1Я{'-И^иииинаи ИНИич'ф'-ШН е(ЯчшиТ|, ,1 №ЛИЧИН Ко'лК'ИииЬНТШ офшвинил й энь^тл'нч'.г*»-.* ииимв ния осноииы* никои беЗе, иоосмпни и ооласти ч.»шр:’ий 1,5-3,^ )В. 1ш и^ьо, чти хари:< . ар*1(>Я осоО^тачПйи с^кц- -1 отршкиния Сь?Я и^имлсм ьаличь:; ии; -ких н№ ■; со слабо шрдаинкмми струг .ушши. ч'»и свчлани и (юрокрт'иим ичАрльных О.жлш.'.яжк мх но .твргим и<(--;лход<->о и аонной структур» биЭи.
Налички уиких пикш* в сшк-ф-’и Э0 и '10 оиЗ при 1,3 ,Л> ддн 1КШ*ризаиии £|и и при 1,6 дв» мояьрицацим Е£|и /хь'зи-ьаот ка их и.-,.мгонн>.. природу. >+тн ш-кн саванн о «ООТВОЧ ОТиуШЩИММ НаИМОНЬИНМИ ПрхИЫМЙ .)нор11> тичыжими
ешорими Х4М -Сопостишишн» пшижк-'нии 1шь Э0 >рн 1,3 аВ для Е|н с г.лшанмвм "плача”!.» кривой поглоожим для Б|а о учатш тем^ютурного одшга пооышшт вак-лзчить, что "ияочо" свюано с прямым звпришониим (и пзянриааиии Е|а) шрехццом.
Характерной осслЗинлостыо тан.шратуршх !*аии';имсх, ■ ей с.%зктров траления ншшотсн ишинкно^нио ношх структур саг поикаюния температуры до 6Ш, хот^ыв стшпшятси бо-лва отчатлинши ир*с температура иидксач) гелия. В частности, нмг гвлившх темлиратурах отчетливо видны структуры при 2,46 и 3,1 зВ (Е|в). Ь ночириьашш Б|в нотю структуры воаниквмг
- 25 -
при 2.29; 2.34 и 2.63 аВ(4,2К).
Спвктри тн[моотр.-кі>чич можжрмсталлоэ GeSs Сипи исслэ-довьш и палчриуоданним синто при 300 и 20!t. 3 этих споктрпз н^седаотся слнош імки но Фонэ аяігахнх оон, ноблздс»-її£ї ь споктрах о,-аа«»ния. Эти никл хорозо разротоки, осоЗан-ио при SCSt. Отличительной особенностью спэктрои твриоотрхэ-ння явливтсч сильная поляризационная анизотропия. Роикиэ структур в сьуктрах туріоотріаханим в области 1,5-2,4 чЗ наблюдаются для паиярнзчцнм Ego, структурам ториоотрэ-їунии а облести 2.G-3.3 эВ Діія поляризации ссата ЕЦв соитиатствуат основной пик отрег.эния, распалспзшыя при 2,6 эВ.
Кик слодувт из 4hcj;ohhoi4> д^юргшимроивния спзхтроз отрз?г»ння, форма споктроэ тврмоогрзгинкя при SCC11 вплоть да
2,5 эВ, находится о хорален соотсотстиии о зткгл д!;йэ ротированными спнктрнми отрицания (i/R)(tiR/ctE). Следовательно, а области низ'.wit анэргий спактри тармоотрганим обуслоагоны ишшнуняу.ч аниргий критических точек о температурой, а вклад тш-шврзтурного уанрения мал. В области балов высоких знвргия изнонанив ішро/іотра уширзния с твнгюратурся становится. по-видимому, более су щэ отванный.
Наиболчв кизкоан&ргвтичвскиа минимума в спэстрах тьрчі>отрм-гения рїсіїадстана при 1,28 аВ (Ер) и 1,33 зЗ (Е|в) при Suit. Дііншіо структура пр 'лизитаяьно нз порядок волччины нрэсышакгг остальные и обусловлены сигналом термо-Гіоглхіония вблизи край поглощении. Значения этих энергия могут бить приблизительно приняты ва ширину зипрэгенной
ЗОНЫ &3с?.
.'-^а і інки і) сішкт рах <-(Е), шаиаш олтичвс-у. ьі :.г.ґ.:*а^ л и V и и точках Г и и. Зти
- 25 -
2* Ср^.-І7.-.;И С ТВфИоа СЛиЦі'ОТ, что структурі Н ОІГТИ-•\-:-::о:і а- д.- ОбЗ^ и и оОлаоти зниргий 1,5-4,б
ІІ, ::]УХ1і. -і
к»ю і
Oj_.AJ._ii. о.'іі^І’їіі.'КІТСН ни ИорХНИХ ЬІІЛиН'ПіШІ ІІОН, рііСІІШІО-
■иЗК.,-1 Ьі і; г-.^7КЧЛ’!'.оа обллстм от чула ДО -1,6 .іВ, на
ін и ойі.асін зт>;л’ий 1,5-3,0 у в дда \_-і. V '-і.5-3)-Ц.5-3,Б) дуін 3:і5. Б ойшістн шидаа и.1 і' і с (Е) су^стиу^і::’) оусС’лікооуіі сіккигодгси
• -і г.. от бидао глуСоких ь&лштш а он.
-5 ^3 :: Б_'С.■ і:
мь ні: ии>"
і'рс.іа:;с:. ," і і;;. Е и V, с
.. ^
: - иі.с,: -!:. ".яітал',!1 :::
. ; , і- і і чи: і!;1- іі;и'іО.:::-
. г- . .. ., .. ^ . - , ( ^ . і. 1 .... ,, ^.
. , . лл;/,:; : ири:„:.і.:. V ;.'■ )■,
; . г ::...,г;.ч;і:.; мі.' і::,-,).
. . :ил
лл:.:. Г: (п) і: п^'х-
' -..Гч.-;;,-.^п:чиі;і.)с і; о~*
______ ^^Ли^іітіи (<- : .■-) ;
с....* і'-'-О :;...і и.п:;
пт;-.. і, оанилісі п;> опій..і ; -;і.ч:;:п.;-
її;:;; спзстроз (*>••)
Г. ' ' то:; іг.:: зпор:':;,:.:, ч-/;
І;, с.. . ти.-і;з і! Сііаігф.'. ; и
5,S. Дія n.)!rf| п'ляучоНАї зипчачіш д.:я Oc-”j З
(ЕЗ'й, когор.;у гіі/.од-п L7. у iicpcr.-:! ^ci'-zz:
(EJu и ЕЦв), ••илучзи.'; 'і у.і рзсчуто stic/.-b
/Тля Sn":> - 3,7(K"f!) к 3,0(S'U), ЧТО rs'.r?
отси c ,‘Ч’-ску уст-»'.»*:!'-*? 3,0. ~
^0-’т*> ^-Гс> u ^)0’ xufis;<rap'JH Круге,1 рс-гг
•j3 ку'1>ч;-мл / к иго.
О ■
сик'.-1'т П l’k-'зд :з ''q .m, G-?3> u г: : ••
киз «оригоіу, (Jvp .50!-:с^:":э стр;':гг
r:<hi<4 ti оббеги I-'-. ^3. Пр:і (vj * 13 :Г ' •■.■ничониа и^килько "•„•ныла ,іх;ам:л її,-
для Sii~y. ?с«чотіі"у імтвмия ^q..^ (?.»Гі :-■•: ■зксг.срх.‘:знт:і!;ь>:-:-»
3K9pitnK4fcx!'"j я:;г.-чси::сстн auk гз -л спектрі рил.ьноЛ и :інії’сЯ чпстзя u про!!ниио!!ості< (г), ссчяітсіігінно. '-угл-лл я« пагорь ■иі'.жтрг:нси (ІяС-*-1)) СиОз у «гсСогшскгги а іштс-р’чілз 0-5 зЗ, з те:с-з с н'Л!осрэдсгп?нно спвктру Int-e"'
Поскольку и o3jaoth ознагяа’о крзт гг:
1,5 зЗ) « » О, то по !tcp:'/j спзктри г-оаать схйкгр';:! лл^. В ейкзетн 1,5-2 сЗ г: гонкь будот сбусла&мваться пріешр-io з prr , нескольку *’• О. З сЗлгсти -3,5 j3 форт-iu спектроа !'сдулк"конного отр'г.:чч.!Я C-r.
ПИНН HUXC-yy ИЗ ^ !_'р;• У СиЗ.'С pej .«C^y.-.KI.VC-.-'C
(лAg}. Грм >■! "З г.о-.\''і>аі'г>нт |"|»|Л| кстая область спектра і’/’лу.'л.ичсі.і-'.ч'о о;;.а :
дяинноишноодн, в осноансм Судіг обусннили.чатьсн тилько с аротишл ісшюніім 'знаком.
Приводятся ризультагы исслидшиниЯ сііоктрои фотопроводимости (СП) ионіжри'.:'гішіш буй ири температурах 77 и ЗОСК. Привадена схема зкспирининтальной установки, исіюдьзсчіаііиойсм для и-ослодоианиЯ. Изложниц результаты нослэдоьаниа при различных пилиризашілх ішдшііішго сцита н различии* наїїраидаминх ирнлогашного злоктричпекпго шин.
Во всух зксішрпконтах ію ЇП ииморонии проводились и рогнмо ианряжинин, т.і». нагруиочноо сопрсаишинии и поїш смтшшя образца шОмралось іч>раздо киньшим, чан соиро-їишшниа образца. Би.чо оСннрукшш хариктврнои для ■:лонсшх криотшиїои попарной распиливании структур и ;:шктрах 03, соотііотстиуюша различии;.: пшшриоаииим
і идашізлч} сиути. Тик, при тиииаритури 77К а пила-грации свити Е^а б споктрах СІІ ииОлкіДшитси структури о зкаргиячн 1,71; 1,61 и 2,14 зВ, и то ир^ин как и пидярнаа-ґ'М ЕОа иидны структури 1,72; 1,62 и 2,32 зВ ("а" и "и"-^'автеллигрефичискно оси, диашісш а плоскости слоя).
При нсслодооиими СЯ монокристшілш С^З, ось-иом щ со с .• зрони. пр^ишпили.лой той, ни которую нинасики контакти -; ік наииввэиая "обратная" гаомитрия) Сили асфаксироаани . ;ьг;кз сигнали СП. Виличкна ш на насколько норадчоа лапала ту, которая акидалась с • учотаї полишупта паг-эшя и толщш образин. Это скдатодьстиуог о таї,
. і диЗо фагоносптеди ойиэдоиг бшіиаой і’лубтюа даффуаии, з суостиуот зфиктішшій иу>.ании:і аорудачи зюргки сю-\т пя волна чэраз кристалл. Боамсввио таки* сосуккггесаанио
схЧмх 37их механизмов.
Исследования вннзотрогжи СП GeS и зависимости от іюлп-риаъцни пвдиіаавіч) излучения показали, что при температура 77К в спектрах с палгрнзаииоЯ с нет а йЦв воемсеяно на&гащвнке экси тонного :.нка с энергией 1,726 эВ.
Ипуччнив анизотропии спектров ОТ GsS а зависимости от нагревления прилсквнного электрического поля токгэ вийшло ряд ноыьл свойств птих спевнений. Тал. установлено, что при изменении направления электрического поля в плоскости слом о F|ы на F|a в спек.’рах СП меняется не только средняя интенсивность скх-на.ш, что нояэт Сыть обусловлено анизотропны! про»ид.«ости н плоскости слоя, но сугоственко иэннетси и форма спектра. Интенсивность сдниу структур увеличивается, друїш - уконььеегои. Это свидетельствует о тем, что носители, обраэозчшй» в рэзультато могзонного поглодания свита, дангг вклад в СП из пч состояний, в которых
они оказались в результате зтен.’о поглощении. В то гэ сроня, о
указа.чже носители обладает различной анизотропией эффективных масс. Это обстоятельство поввшяет путем изменения ориентации электрического поли определить анизотропия эффективных масс различных носителей, соответствующих разным зонный состояние в GeS гіо спектрам Ш. '
ЯодоОными S3 икскеримвнтеии была установлена высокая степень анизотропии прдаесноя SO монокристаллах GsS. В спектрах, снятых при температуре ЗООК при прилагэнии элек-три'ї‘'схах> паїя Fjjs в наиболее длинноволновой части спектра просматривается плечо с энергией 1,58 эВ, слабо поляризованное по гая учении. При изменении направлений
- зо -
Прнлсктшоїч) '.шжтрииьскиі’и поля ми F|b, іишчи исчьин&т. ОСНОВІШ£ РЕЗУЛЬТАТЫ и шводу
1. Обниружинц анспальна малии иночшши ко^І'чииянтиі да/іфо-
тиінш’о іклтіоданим в GuS- t (2,4 t 0, і) ■ 10~* itWBr (Е|а), * (4.6 t 0,3)-10"4 ен'Кйт (EJa), иЯуслошшнннэ
ЛЬНгЦІЄ ШШШНМИМ ДОУХ^ЮТШиШ’О ПШМГКШННМ U ІірМН>Х»'«4ЖХ4
полупроводнике, ири больших интинсинн<х:тчх ла’.іорн'>го излучения DU СЧЬТ АИНИМИЧИ'ІКаі'О K'JKBHOWW рЮ'ЮО'ГИ нисилон-
нос'гвй и иони ііроиццнмоити и ші"штгний yotia.
2. Уотвношшно, что оіїі*кт(_sj фстлкглинисшншя сульфида и сминцди ivpMUtuui oOyojiou-HiHij милучитїлльніїуи иииіримус-ИНМИ ШрУХЦЦЩЫ, и тнк£і> рокохбинииизИ сиибоддих и санзаншх зкситоНии.
3. Обнаружил дыушрии^ччокиП хирикгор иитвр*;уронциомК1а
ишктрои прииускшшя, тилциннії* аоиисимость кімффишіжтои отрахмиии и пиглощнни моьокристиллуи груши А^ВС, обус-лошшжиу ниодшрцдньш риииродашниим иилиаитьлн нролои-линин вдоль шшршяинми, иаршндикулмрнш-о слош, чтс нкївсякут риоа'.ЕтркіНіТЬ йти иоодининии кик иііиисто-шрио-дмчискиу no ti'JKuuuTtsxa нродоилании срэды. с
і. Готансшуноа что расирсдалиниэ плотности злоктршниго иврзда сло;:зіш орторшб.ічискнї сооднниний уквїїизаит па ко^апэнтеля корііктир сиязи (^.ду кстионш и и плача і с;іутря слал с частично; ионном и.хлвдш, меду слойці плотность вгрда шнкшиїьнз. Сзноишо структурі ciistvrpoj Со(Ьы) фСЙХ^ПуэтСЯ «П’ИЧОСКІЛИ іюрзходпии на бш^о глубоїсю: кюїтш вен, еыиззнног о р-уроинюи сшіанш.
• - 31 -
Б. Кз экспаркнантельных и теорэтичоски рассчитанных споктрсз ('«хионний плотности состояний *2 1^) и фотоэ.вдктрми-ш споктрш и/огности валентных состокияя иипуироводннкоэ ТИШ № ус г итм/шт, что структура спвктрои 3
иОлясы 1-7 аЗ связаны с штмчоскича поргходами из группа вэр^ннз валентных р-зон шириной 5~Б зЗ и нданив зоны проводимости, а шсокознвр;*»тичоскиа пики, расположннца г&-.«иъи 5-9,6 зВ - с дароход^и из валентных 5-зон катниноэ.
С. Впарена и аактрчх пиглс-цмния при геляэтах тимперэтурох оОньруганы зкситонкыо состояния, соотвэтстгг1'-иднз азпрэ-шнки пароходам и поляризации надучэния Е§а и ионолрно-тпллзх 6-3(1,735 зВ), Се&г(1,364 зЗ) н Й15э(1,16 зВ).
7. Устенияхяно, что а отличие от слоиитих качупроуодникоа
О £• '
грунта Л 2(ОаЗ-;. IпЗи.СьЗ), гдэ знак нзменония сирины запроданной зош под ылияниаг* одноосного даалонин зависит от таи:.ьрэтури и давления, дяфоршиионн^о потенциала и слоистт нолупр-шодниках грушш А^В^ЧЕэЗ, <3е?е. 313. ЗаЭз] 1<м ««висят от токшрагуру н дзиланин, вслэдстаиэ различного хорактара межслооиого кзаимодэР.ствия в двух указанных типах слоистых кр-ютиллсв.
8. Зиириыи в спектрах гюг'лоеуния толстых (- 2 ми) образцов
сульфида гере«ани.ч 1/ри низких текпэратурзх э гасмэтрнн
"иуоСгикноиенного'’ луча об(шругька смешанная зкситон-фо-
тоинаи моде, что укиэыиввт кв . лмум роль поляритонншс
■*Х«ктоо в отичв'-ких сивктрах указами кристаллов, с.
9. гпарвы» в 12И(;охс'' •Ласти сшктроы фсггснфоыццимости и отражения устянсшона характорман особенность зокноя
• ■*
структуры слоиспуХ полупрозоми^оз чипа - и'мшрнсо
• - 32 -
ресиаліиинію u<)H, оЗусловлиннио "дивццоиским" рвсилиини-wm vmapivi ичисккх сіх'.томииА u puayj.ururu мвшлоиьк.им иин-иимдайствия.
10. Biiuptbu оОїШрувиІЮ иимоніжиь UllbKVpuil фОТ<ЛірШ<и1ИМООТИ МиНОлрИОї ІІЇШІЛІ Ol’S при ІІЛНЬ.-ІЄНпИ ориоіпвини злектрич&с-к<л\> пшш u ішхжоиги їлииа, что низовий учнсгивн а проиосаа фиі'иіроицдииїхп'й ниситолий оисл юпетиуіи'циі. рналмчиим іиліиин сосі осиним.
Осншнив pujyjibiиііі р»5ош ишкскини u іцшлуїииш статьиа:
1. Гщіимзцр<? 4>.Н., Гусойїкжи Д.А., Кумвиніяі AM., Нойшш-a;y# H.V., Opyjnvu Г.С. Зонния структура н сниктр отро-Ніон.ін оолонида іирмания.-Бику ,1982 r., 1G о. (Процент іі 47/Иа-т фиуики AH АаорО. ССР).
2. УаІіиюпЬ G., Gtfetiicutite P.M., Cu^ulnuva D.A., KrlvuiLu G., KuJibyltuv A.M., Of uOiliuv G.S., Siluilia А. PwrHcUsn-ct‘. Ніш bui erhx-lwice ьі'іі-.іі a u/itl шмчу bum] sliUL'tiiie ui GuSo ciyiCulb. РІіуь. Siai boJ. (b) . 1993, v 117. l> 1. p 61-02
■3 TywiflHOnu Д.А., KyjinOsjKou A.M., Ііойминзьдо И.К. І'кои-юниий край ііиглоиуния нонокрнитиллои GaSj. ФТП, 1S33, 1.17, JT. -i. v. 733-7-Ю, )
i. TycvfittotiU Д.А., Kyлиск/хіні A.M., Оруда-Ш Г.С. Н&пржюП зкснтон и «шнидв лрмашш. СТП, 1365, т.19, Я 11, с. 2ШЗ-2051.
Б. Гусиймоии Д.А.. Ку.»іибокш A.M. С.юкгра отршконин коно-крі-;сішиоj CaSa и ішториала текпзратур 4,2-ЗООК. ДАЙ
- 55 *-
АдарА GGP,1SZ5, г.Ш. $ 11. с. 10-12. '
G. ГуеаИнова Д.А., Мамодов М.М., Кулибакоа А.Н. Края пеі’-Г.о іШг.ин S'S. Яаэ. ЛН Лaepd. ССР, сор. фіи-івл. и нье. ниук, 2£во, Я 5, о, 78-80.
7. Гавіймида Ь.Ы., Гушіінша Д.Л.» Міладиз 1-і. М., Ору.о.й-з Г.С. .Кулийокслі А.Н. Зонкак структура сртцхйбйч&ски* Kj-woTBJijioj таїш A%5 u o^-iocj’uihcll модули. ДАВ AhapO.
■ ССР, 1987. t.XLIII, Jl 10. «j.25-23.
0. Гітч.'іі.Чііада -5.И.. ГусеЯнши Д.А., Алиои А.Н.. Кулибикиа А.М. ЗьрміУИ-іН иминсллъ ь ортороиОнчоскои SuSe. ДАД Aac-pO. СС.РД563, v.KLV. .¥6, с. 13-23.
9. Ал.'шль>урду.9Ь К.P.. Куднбыкш A.M. Лчііивьсцунііня hokoht-ролируиміїх ііриу.асьи a GuS. ДАН AaapO. COP, 1S30, т. 11. Ji 5, с. 34-38.
10l FycevSi-*.u'і Д.A., It^MbdOrj Д.0., КjJiiлом A.M., Oyj:bi ^who Р.А.Па)іир.'^нинонньу и дофц-юьинсчшыь соиЗинносіїї ярий фундаментального иоглошинни GuS. (KM, 1330, г.32. Я 11, с. 3301-3305. . .
11. Ги.чииьв Д.О., Кулибикоа А.М., СулиОма.юв Р.А. 3&sш сь-.ітоикгіно.чниго смош-шании в 6ьЗ. Еуоргиннч. матуриа-.чы. 1922, і'.Н8. й 12. о. 2433-2440.
12. Су^оііманои Р.А., Аликпьров 0.3., ГимаагШ Д.О., Нулибши. A.M. 34фькііі проинлинин малого аокииаголя ирылкшнши ь олонсшх крнотнл'шк GuS.- Бику, 1992, 20 стр. ЇІропрмнт АН АабрО .Рыли „ Й -153.
13. A_nuKiiPpi.ii) 0.3., Гі.'митш Д.0., Кулнбокии А.Н.» С-улвйненс Р.А. ДііупарНОДЧЧОеМіЙ Лирик!Op ИНШр^орыШИЦпНЫЯ СІ13К-тров iv,iu;wiHX криогаллоа 6зЗ. ОТТ, 1S33, Т.35, & 1, о.
184 - 186.
14. Кулибиков А.М.. вюшр Р., Аллахаирдиин К.Р., Хларвр Д.
Д«*уіфотонние лаглычаж» пмлиимкунцнш лшюрных иипуль-иш ы слоястом OuS. ОТП, 1933, т.27, » 7 , о.1270-1276. 13. Алвкіюрон 0.3., Гшкмюи Д.О., КулмОокоа А.М., Сулийманои Р.А. Анмаотриііии фотotіроаедкмоотй и ишокриоталми OwS. ОТП, 1933, т.27, J» 7 , о.1301-130в.
;; даяишны ни иладушщи kohJw^huhhx и ооыеввнша:
18. Гшиаодде в.М., Гуовйиша Д.А., КудиОикои А.И. Оптически» сішктри м ииннвн структура сал&ннда горманиц. Труда вив-СЧЛАіНий КОНфврвНиШІ по фадикв иидуиригюшшкш. Вику,
1982, т.1,с. 134-135. ' .
1>. І'вшсаи Л.0., КуяиОъкои А.М., Сулуйиинш Р.А. Пиаириао-ШОНЬьШ ОирСУНИОУТЦ Сіюктрш Kpuuuuiv IIUTJIUOHUH крш-тшиоа Gy S. Труді кицадиншшинниги соьэцаниы ошшілио-тичуския стран но фиинчискка провдышя иітохкікгрипмлн ("Оігголііахтршцліі-вЗ"), 16-20 о&тнОри 1939 г, с. 62. Гікакуи Д.О., Кулибикш А.М., Суданлнниа Р.А. Вдимндо '^цнсюедшч) диилиннн >14 при а фундц.;У.Чі альноічі иогло^иния фаілслзои GwS. Tpyj,j коидомшиишиго «Комнин осина-а«уг»:чусх«3( «•fpcii аа <;;w:J4'..4'Ki','i npuU;..;;;:.: c;r>imyt«pu;t;i-4; ("0: гго.'.VjX-і. ии: - Й5і"}, 16-20 iktv.'v. \Z-J5 г. с. 22.».
■ УіХіГі:і'.ь: . Г< Kv’J'.Wj't.-'U..' /..і;., І/Л.п.'ІЇІЛ'С;
.... ;.і - і v : .. їм-.: ;-\..-МП ь ш.іл.цгс.» 0_і>. іі;;::1:; ■■ ,ги,;-
гг. Алекшроа 0.3., ІЧчзвов Д.О., КулиОэкив A.M., Сул»п*аноэ Р.А. Гизонтюнив <их)гочния и сіюкгрзх фотопроводимости слоистого OeS. Тээиси докладов 1-ой азиюнальноЯ хснфг#-ругШ’ди "Дэфэ- ти и иолуирон'^.чиких'*. Сянхг-Пот«рбурт, 1902, т.1, С.07.
~*6-X У Л А О В
груїілу „’кд'лн 5пркмчоч}фіРішіа{іин екситон снектрлзрикгої форма-•сыада ишг во екоитскун гарним;! рЭДшдапри муьум роп ojHojup. •ладан, -- з - да "гл^ри-ада иаыг” Ъэцдэсасшщб "гаршшг’' ишиг-■оп ыодупу годд отмэк мумкуи '-).лур. .
• A4Bfj т;сьл£ Сиричошмэлара, сындырма вмсоднпя корп. ла^лн-пе-s муіиїт К/ми бахмэт оляр. Ну Ларимкечир'имшгардэ бурахма на :рма сшисгрлзршгил виторфпронп'Зк сппктрл^ри шшгюраодду хаФ дет;,;гр< rajTap\i3 вп Зур-зхма пмспллары нумуналоран галынли-и асыли tujjp.
групукдин фпргли оларв;-, А4В® группу .{арнмкечиричнлэрдэ лаЗ-вг, лалді.г.ші де* іо^юсн.ія аотонсзалпарннчи ааар&лэри э^ни ол-уун, дофуршсизо іі'чтоисиалларі тэо^га* ва температурдан асялн і. ■ шум сулф-Л шнэкристадшшп кечиричадткдз мухтелпф иовлу дп-илар іілп-і'<■{' отллвз ошюрин луруклук штзотропаЗасы л олхуі'удясш ла.ідь д'орлогаэи електрик cahacramu истнгггмзта дз-КДЗ (ІГЛ'ОК'іПЛрИЧИГОК . :’.Гі;сТрЛОрИ ahMffljjDWIH даречедп -дз^ишир. грушіу ;njj7.; Зар№.'Х<чиричилврїш oivra? «гоктрлорїишн характор H.jjLir.i о:;г:,'"ир >w, оплгрдц «пери зонолары яуг ^врлзшир, бу jjiopapsc:: слогами позора олмаглп, спжшвларин "дшшдоп" Парте» IbIZ J’T-Oh од/иург . ,
The effects of liijKt-eMciton •ciixtion plays important role in
<•» 6
farming the excitonie spectra of tha A 0 groups layered semcon-ductors. ’
The layered compounds pf types inayoe considered as layered
periodic medium by refractive index, For this semiconductors are ty-r.ica’l the two-per iodic character of tha interference spectra , ct t ransnii s si di'i arid reflection r-nd dependence tha coefficients uf reflection and transmission upon thickness of samples.
■ ihe spectra cf photoconductivity essentially changing with on—, irritation electrical field in the piano of layers, because different types of carriers take part an conductivity. This in associated with difference of anisotropy of tha mobility.
The characteristic peculiarities of the- optic spectrum of tne
4 (j
Jayered semiconductors of the A‘ B group is pairs position of the Energy bands due to the “Davydov" splitting of levels related with the interlayer interaction.
