Эффекты электронного переключения в тонких пленках полиариленфталидов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.13 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I Обзор литературы

§1.1 Пробой диэлектриков и контакт металлов.

§1.2 Электрическая формовка тонких диэлектрических окислов.

§1.3 Эффекты переключения в аморфных халькогенидных полупроводниках.

§1.4 Особенности эффекта переключения в полимерных пленках.

§1.5 Особенности переноса заряда в тонких пленках полимеров.

§1.6 Высокая электропроводность тонких пленок атактического полипропилена.

§1.7 Исследования высокой проводимости тонких пленок полимеров при низких температурах.

§1.8 Методические особенности проведения исследований высокой проводимости тонких пленок полимеров.

§1.9 Некоторые теоретические модели.

§1.10 Высокая проводимость тонких полимерных пленок: артефакт или реальность.

§1.11 Заключение.

ГЛАВА II Объекты и методы исследований

§11.1 Характеристика исследуемых полимеров.

§11.2 Характеристика пленкообразующих свойств полиариленфталидов на различных подложках на примере полидифениленфталида.

§11.3 Характеристика электронной структуры полимеров методами рентгено- и фотоэлектронной спектроскопии.

§11.4 Методы исследований.

§11.5 Анализ ошибок измерений.

ГЛАВА III Электронное переключение в системе металл-полимер- 94 металл, индуцированное одноосным давлением

§111.

§111.

§111.

§111.

§111.

§111.

§111.

§111.

ГЛАВА IV

§1У.

§1У.З

§1У.

§1У.

§1У.

ГЛАВА V

Влияние одноосного давления на электропроводность тонких пленок полимеров.

Температурные зависимости электропроводности тонких пленок полиариленфталидов. Визуализация электропроводящих областей в тонких пленках полифталидилиденбифенилилена с помощью метода жидких кристаллов.

Влияние электрического поля на электропроводность полимерных пленок вблизи порога перехода в высокопроводящее состояние, индуцированного давлением.

Изменение диэлектрической проницаемости тонких пленок полимеров вблизи порога перехода в высокопроводящее состояние, индуцированного давлением.

Поведение системы металл-полимер-металл при сверхнизких температурах. Фликкер-шум в электроактивном полимере. Роль артефактов.

Электронное переключение в системе металл-полимерметалл: роль граничных условий.

Идея эксперимента по электронному переключению, индуцированному изменением граничных условий на поверхности раздела металл-полимер.

Метод вариации граничных условий

Влияние плавления одного из электродов на электропроводность системы металл-полимер-металл.

Влияние температуры на вольтамперные характеристики системы металл-полимер-металл.

Анализ роли артефактов

Обсуждение результатов экспериментов

Обсуждение эффектов пред- и постплавления, выводы.

Влияние ловушечных состояний и допирования на переключение в системе металл-полимер-металл в ВПС.

§v.

§V.

§V.

ГЛАВА VI

§vi.l

§VI.

§VI.

ГЛАВА VII

§VII.l

§VII.

§VII.

§VII.

ГЛАВА VIII

§VIII.l

§VIII.

Термостимулированное переключение в тонких пленках 174 полимеров.

Влияние концентрации акцепторной примеси (Ь) на проводимость и термостимулированные явления в системе металл-полимер-металл.

Изменение оптических свойств полиариленфталидов при допировании йодом.

Влияние допирования на результаты измерения рентгеноэлектронных и фотоэлектронных спектров полиариленфталидов.

Влияние объемного заряда на электронное переключение в полимерах, допированных 12. Электролюминесценция в тонких пленках полиариленфталидов.

Фотолюминесценция полиариленфталидов.

Электролюминесценция в тонких пленках полимеров. 226 Катодолюминесценция.

Исследования структуры полимерных пленок методами 248 электронной и зондовой микроскопии

Наблюдение структуры полимерных пленок после различных воздействий.

Диффузионное декорирование проводящих областей в 256 полимерной пленке.

Обсуждение результатов электронно-микроскопических 259 исследований.

Наблюдение пленок полидифениленфталида в туннельном сканирующем микроскопе.

Обсуждение результатов экспериментов

Основные особенности переключения в высокопроводящее состояние в тонких пленках полимеров.

Анализ электронной структуры полиариленфталидов на 275 примере полидифениленфталида.

§УШ.З Взаимодействие модельных молекул с низкоэнергетическими электронами.

§УШ.4 Сравнение результатов по контактированию с данными 290 по исследованию электронного переключения в пленках полиариленфталидов.

§УШ.5 Динамика вольт-амперных характеристик системы М-П- 294 М в области перехода в ВПС по давлению. Заключение и основные выводы

Уникальное сочетание физических, химических и механических свойств полимеров делает их одними из наиболее перспективных материалов для использования в различных сферах нашей жизни. В последнее время большое внимание уделяется свойствам тонких пленок полимеров. Это обусловлено не только тенденцией развития современной информационной техники, но и теми необычными свойствами, которые демонстрируют некоторые представители этих синтетических органических материалов.

Являясь часто диэлектриками с сильно локализованными валентными электронами, эти материалы в тонких слоях могут демонстрировать очень высокую электропроводность без всякого допирования. Подобное поведение отмечалось в тонких диэлектрических пленках еще более 70-ти лет тому назад. Однако, до сих пор причины такого изменения свойств до конца не ясны. Накопленные к настоящему времени экспериментальные и теоретические результаты исследований позволяют предположить, что основы поведения органических полимерных и неорганических диэлектрических пленок имеют общую природу. И потому изучение полимеров может оказаться полезным в общенаучном плане.

Уместно отметить, что тонкие микронные слои нормальных металлов также могут обладать повышенной и даже сверхпроводимостью при определенных условиях. В тонких пленках твердых тел реализуются такие явления, как эффекты близости и аномальной близости, эффекты электроформовки, мягкий и восстанавливаемый пробой, А и В фриттинг, эффект электронного переключения и другие.

Многие из этих явлений объединяет несколько достаточно формальных параметров. В частности, они наблюдаются при толщинах меньших некоторой критической и в экспериментальной структуре типа «сэндвич»: металл-диэлектрик-металл (МДМ). Например, эффекты аномальной близости - до нескольких десятков нанометров, электроформовки - нескольких сотен нанометров, «мягкий» пробой - до нескольких микрометров, так же как и эффекты переключения и фриттинг. Для пленок нормальных металлов заключенных между сверхпроводящими берегами критическая толщина может достигать 50 мкм.

Подобное ограничение толщин в некоторых случаях связывают с такими параметрами носителей заряда, как глубина проникновения поверхностного заряда или длина когерентности куперовской пары, а высокую проводимость с резонансным туннелированием через относительно широкий потенциальный барьер специфической структуры. Металлические берега - электроды, между которыми располагается пленка, практически во всех этих экспериментах, необходимы, по-видимому, в качестве резервуара свободных носителей заряда, недостаток в которых испытывает диэлектрическая полимерная прослойка.

Наиболее сложной составляющей этой проблемы является вопрос о трансформации электронной структуры полимерного диэлектрика, в результате которой он становится хорошим проводником тока. До настоящего времени отсутствует общее представление о роли полимера в этом процессе. Спектр мнений довольно широк: от закорачивания между электродами через отверстия в полимерной пленке или дендритообразовании до генерации солитонно подобных возбуждений в полимерной цепи и возможности высокотемпературной сверхпроводимости. Вопрос усложняется тем, что проводимость в таких системах, как правило, неоднородная: в образцах возникают высокопроводящие области, окруженные диэлектрической матрицей.

Однако до сих пор вопрос об основных закономерностях явления электронного переключения и механизмах высокой проводимости полимерных тонкопленочных систем остается открытым.

В связи с этим настоящая работа посвящена экспериментальному исследованию явления электронного переключения в системе металл-полимерметалл (М-П-М) при воздействии на нее давления, электрического поля, температуры, легирующих примесей и т. п.

Несмотря на большой объем экспериментальных результатов, накопленных за несколько десятилетий исследований, до сих пор нет единого мнения в ответе на вопрос: возможна ли высокая проводимость в тонких пленках полимеров, каковы условия ее возникновения и каков физический механизм переноса заряда в этом случае. Обусловлено это, по-видимому, наличием часто противоречивой информации, включая и многочисленные теоретические построения.

В настоящей работе предпринята попытка разностороннего экспериментального исследования эффекта переключения в тонких пленках полимеров на примере одного их класса - полиариленфталидов. Эти полимеры по своим физико-химическим свойствам удобны для проведения такого рода исследований.

Основной акцент работы делался на нетрадиционные виды инициирования эффекта переключения. Обычно считается, что эффект переключения, как резкое изменение проводимости, может происходить в сильных электрических полях. В настоящей работе было сделано усилие расширить рамки этого явления и продемонстрировать возможность и свойства эффекта переключения, индуцированного давлением, термоионизацией ловушек и другими воздействиями на М-П-М систему.

Мы ожидали, что такой подход к проблеме мог дать не только новые экспериментальные результаты, но и высветить проблему с новой точки зрения, и позволить приблизиться к пониманию существа явления высокой проводимости в тонких диэлектрических пленках полимеров.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ.

Таким образом, экспериментально установлено, что в процессе электронного переключения индуцированного давлением происходит формирование электронных ловушечных состояний, расположенных вблизи уровня Ферми инжектирующего электрода в относительно узком энергетическом интервале. Эти состояния, по-видимому, создаются в результате захвата инжектированного заряда на молекулярные ловушки в полимерном материале.

Эта стадия перехода характеризуется значительным увеличением концентрации объемного заряда, активационным типом переноса заряда (причем энергия активации выше, чем в диэлектрической фазе полимера), существенно нелинейной ВАХ, которую можно интерпретировать в рамках модели токов, ограниченных объемным зарядом, наличием Ы-образного участка ВАХ, эффектом памяти на ее падающем участке.

Увеличение концентрации объемного заряда приводит к росту плотности электронных состояний в запрещенной зоне полимера. Об этом свидетельствует изменение формы ВАХ (приближение к линейному виду и увеличение проводимости). Можно предположить, что конечная стадия переключения - переход к линейной ВАХ с безактивационной температурной зависимостью проводимости образца, связана с перекрытием волновых функций электронных состояний, когда их радиус начинает превышать расстояние между соседними состояниями. Последующий рост концентрации приводит к стабилизации нового состояния.

Основные свойства всех типов переключений, рассмотренных в настоящей работе, хорошо укладываются в предлагаемую схему. Более того, можно рассмотреть некоторые следствия этой модели.

1. Высокие плотности токов, которые наблюдаются в тонких полимерных пленках обусловлены высокой концентрацией электронов в металлических контактах, которые согласно модели выступают в роли своеобразных резервуаров. Инжекционно-индуцированная подзона проводимости в полимерной пленке обеспечивает перенос этих носителей заряда с минимальным сопротивлением.

2. Принцип построения подзоны переноса заряда состоит в том, что внутри широкого барьера создаются глубокие электронные состояния, предположительно вблизи уровня Ферми. Известно, что проницаемость подобного барьера будет тем выше, чем больше плотность таких состояний. В основе такого соответствия лежит механизм резонансного туннелирования [123]. Можно допустить, что именно этим механизмом объясняется резкое увеличение тока в пред-переходной области.

3. Возможностью резонансного туннелирования в системе сверхпроводник-полимер-сверхпроводник (СП) можно объяснить экспериментальную регистрацию сверхпроводящего тока при температурах ниже СП перехода в оловянных электродах [81]. Измерения проводились в условиях, когда полимерная пленка, разделяющая электроды, находилась в высокопроводящем состоянии. Если допустить, что это состояние металлическое, то прямая аналогия с эффектом близости в нормальных металлах объясняет эти результаты. Как известно, в металлах эффект близости наблюдается в пленках, толщина которых не превышает радиус корреляции куперовской пары и может достигать 50 мкм.

4. Используя опыт настоящей работы, можно создавать тонкопленочные си-темы с управляемым, различными относительно слабыми внешними воздействиями, механизмом переноса заряда. Например, системы с управляемой температурой СП перехода и т.п.

5^ По-видимому, подобный подход может оказаться полезным не только для физики полимеров. Обращает на себя внимание то, что полимеры, как объекты исследования сумели аккумулировать в себе многие из известных свойств тонкопленочных систем, в том числе и неорганического происхождения. По нашему мнению это относится и к некоторым свойствам аморфных полупроводниковых стекол и к аморфным окислам. Именно для описания свойств последних впервые была предложена инжекционная модель. Однако в ней не рассматривалась возможность изменения концентрации ловушечных состояний в процессе инжекции заряда из электрода.

6. Идея взаимодействия избыточного заряда с полимерным органическим окружением и, как результат, создание новых дополнительных состояний переноса заряда традиционно используется в физике допированных полимеров, включая, в частности, и допирование поверхностью. В последнее время этот подход активно используется для объяснения такого инжекционо стимулированного явления, как электролюминесценция полимеров.

7. Эксперименты, проведенные в настоящей главе показали, что переключение, индуцированное давлением, можно рассматривать, как процесс контролируемый внешним воздействием. Интервал давлений, в котором можно осуществлять этот контроль невелик. Однако, предложенная гипотеза не ограничивает диапазон давлений в котором должна происходить перестройка зонной структуры. Следствием такого положения может быть возможность создания материала, в котором увеличение проводимости происходит в более широким интервале давлений, что в ряде случаев является полезным с прикладной точки зрения.

8. Набор новых эффектов, представленных в настоящей работе, может быть привлекательным в плане различных применений, диапазон которых может быть широким. От элементов электронной памяти и коммутирующих устройств, до элементов технологий сборки электронной аппаратуры, сенсорных устройств и физических датчиков, устройств преобразования информации и новых методик исследования твердого тела.

К основным выводам настоящей работы можно отнести следующие: 1. В результате проведенной работы доказано, что электронное переключение в системе металл-полимер-металл может быть инициировано не только электрическим полем, как это считалось до сих пор, но и с помощью других малых физических воздействий, в частности:

1.1. Экспериментально показано, что в тонких пленках полиариленфталидов, находящихся в конфигурации типа "сэндвич" металл-полимер-металл можно индуцировать переход из низкопроводящего состояния в высокопрово-дящее под действием малого давления.

1.2. Экспериментально показано, что в тонких пленках полиариленфталидов, находящихся в конфигурации типа "сэндвич" металл-полимер-металл можно индуцировать переход из низкопроводящего состояния в высокопрово-дящее в результате изменения граничных условий на поверхности раздела металл-полимер путем плавления одного из электродов.

1.3. Экспериментально показано, что в тонких пленках полиариленфталидов, находящихся в конфигурации типа "сэндвич" металл-полимер-металл можно индуцировать переход из низкопроводящего состояния в высокопрово-дящее в результате термоионизации ловушечных состояний полариленфта-лидов.

1.4. Экспериментально показано, что в тонких пленках полиариленфталидов, находящихся в конфигурации типа "сэндвич" металл-полимер-металл можно индуцировать переход из низкопроводящего состояния в высокопрово-дящее в результате введения в полимерную прослойку акцепторной примеси типа 12.

2. Проведенными многочисленными экспериментальными исследованиями показано, что основные электрофизические свойства системы металл-полимер-металл (для случая полиариленфталидов) находящейся в высокопроводящем состоянии одинаковы независимо от способа инициирования перехода, за исключением случая легирования акцепторной примесью, в котором изменения электронных свойств происходят практически во всем объеме пленки.

3. Предложена эмпирическая модель переключения в системе МПМ, которая подтверждена, как экспериментальными данными так и теоретическими расчетами, которые показывают, что в случае тонких пленок полиариленфталидов, используемых в системе металл-полимер-металл, переход из низ

317 копроводящего состояния в высокопроводящее возможен в результате последовательной трансформации энергетической электронной подсистемы полимерной пленки под действием инжекции зарядов из электродов или объема пленки. Этот процесс включает в себя несколько стадий, в том числе формирование электронной подзоны вблизи уровня Ферми через создание локализованных состояний обеспечивающих прыжковый перенос заряда на начальных этапах к когерентному переносу заряда на конечных в результате, например, перекрытия волновых функций соответствующих электронных состояний.

1. Франц В. Пробой диэлектриков. М.: Иностранная литература.- 1961.- 207 С.

2. Хольм Р. Электрические контакты. М.: Иностр. Литература.- 1961,- 464 С.

3. Holm R. A method for the determination of the heat conductivity ofmetals, particularly at high temperatures. Wiss. Veröffentlich.Siemens-Konzern, 1930, V.9, 300-311.

4. Чопра К.Л., Электрические явления в тонких пленках. Москва, "Мир", 1972, 434 С.

5. Holm R., Meissner W. Preliminary contribution of metal contacts with very thin films. // Z. Tech. Physik.- 1931.- V.12.- P.663-665.

6. Крейнина Г.С., Селиванова Л.Н., Шумская Т.И. Эмиссия и проводимость катода типа конденсатора. // Радиотехника и электроника. I960.- Т.5.- №8.-С.1338-1341.

7. Дирнлей Дж., Стоунхэм А., Морган Д. Электрические явления в аморфных пленках окислов. // УФН- 1974,- Т.112.- В.1.- С.6-128.

8. Lewowski T., Sendecki S., Sujak В. Current-voltage characteristics of a system of thin metal-insulator-metal films. // Acta Phys.Polon.- 1965.- 28.- №3.- P.343-348.

9. Gregor V.V., Phys. Thin Films.- 1966.-V.3.-P.131.

10. Волков А.Ф., Коган Ш.М. Физические явления в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью. // УФН- 1968.- Т.96.- №4,-С.633-672.

11. Hickmott T.W. Low-frequency negative resistance in thin anodicoxide films. // J. Appl. Phys.- 1962.- V.33.-№9.- P.2669-2682.

12. Hickmott T.W. Impurity conduction and negative resistance in thin oxide films. // J. Appl. Phys.- 1964.- V.35.- №7.- P.2118-2122.

13. Hickmott T.W. Potential distribution and negative resistance in thin oxide films. // J. Appl. Phys.- 1964.- V.35.- №9,- P.2679-2689.

14. Mott N.F. Metal insulator transition. // Rev. Mod. Phys.- 1968.- V.40.- №4.-P.677-682.

15. Mott N.F. Conduction in non-crystalline systems. I. Localized electronic states in disordered systems. //Phil.Mag.- 1968.- V.17.- №150.- P.1259-1268.

16. Mott N.F., Conduction and switching in non-crystalline materials. // Contemp. Phys.- 1969.- Y.IO.- №2,- P.125-138.

17. Simmons J.G., Verderber R.R. New conduction and reversible memory phenomena in thin insulating films. // Proc. Roy. Soc.- 1967.- A301.- №1464.- P.77-102.

18. Mott H. Электроны в неупорядоченных системах. М.: Мир.- 1969.- 240 С.

19. Соре R.G., Penn A.W. Hight-speed solid-state thermal switches based on vanadium dioxide. // J.Phys. Dl.- 1968.- №2.- P. 161-168.

20. Dearnley G. Electronic conduction through thin insulated oxide layers. // Phys.Letters- 1967.- V.A25.- №10.- P.760-767.

21. Pagnia H. and Sotnik S. Bistable switching in electroformed metal-insulator-metal devices. // Phys. Stat. Sol. (a)- 1988.- V.108.- P.ll-65.

22. Троян П.Е. Влияние напряжения переключения на характеристики элементов памяти на основе формованной МДМ-структуры. // Микроэлектроника-1996.- Т.25.- №2.- С. 150-152.

23. Гапоненко В.М., Нефедцев Е.В., Чернявский А.В. Деградационные процессы в тонкопленочных МДМ-катодах: расчет распределения температурного поля в формованном канале и его окрестности. // Изв. ВУЗов, Физика 1993.- №9,- С.73-78.

24. Мордвинцев В.М., Левин В.Л. Модель возникновения N-образной стационарной вольт-аперной харатеристики нано-металл изолятор - металл диода с углеродистой активной средой. // ЖТФ- 1996.- Т.66.- В.7.- С.83-95.

25. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А. Вольтамперная характеристика точечного контакта со стеклообразным полупроводником. // Радиотехника и электрон.-1963.- Т.8.- В. 12.- С.2097-2098.

26. Лебедев Э.А., Цэндин К.Д. В кн. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. СПб.: Наука.- 1996.- 486 с. гл. 6.

27. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Таксами И.А., Основные параметры переключателей на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников. // ФТП- 1969.- Т.З.- Вып.5.- С.731-735.

28. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Таксами И.А. К вопросу о механизме пробоя в слоях стеклообразных халькогенидных полупроводников. // ФТП-1969.- Т.З.- Вып.2.- С.312-314.

29. Ovshinsky S.R. Reversible electrical switching phenomena in disordered structures. // Phys.Rev.Letters.- 1968.- V.21.- № 20.- P. 1450-1453.

30. Saji M., Kao K.C. Some features relevant to switching processes in the amorphous semiconductor Sil2GeioAs3oTe48. // J.Non-Cryst.Solids- 1975.- V.18.-№2.- P.257.

31. Mott N.F. Conduction in non-crystalline systems. VII. Non-ohmic behaviour and switsching. // Phil.Mag.- 1971.- V.24.- P. 911-934.

32. Hindley N.K. Random phase model of amorphous semiconductors. // J.Non-Cryst. Solids- 1970.- V.5.- N.I.- P.17-30; 1970.- V.5.-N.1.- P.31-40.

33. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Сморогонская Э.А. К вопросу о механизме пробоя халькогенидных стекол. // ФТП- 1972.- Т.6.- С.2073-2075.

34. Сандомирский В.Б., Суханов В.А., Ждан А.Г. Феноменологическая теория концентрационной неустойчивости в полупроводниках. // ЖЭТФ- 1970.-Т.58.- №5.- С.1683.

35. Walsh P.J., Vogel R., Evans E.J., Conduction and electrical switching in amorphous chalcogenide semiconductor films.// Phys. Rev.- 1969.- V.178.- №3.-P. 1274-1279.

36. Bagley B.G.The field dependent mobility of localized electronic carriers. // Solid State Communs.- 1970.- V.8.- P.345-348.

37. Banerjee P.N., Datta M., Bhattcharya D.L. Electrical conduction in amorphous As2S3 films.//Thin Solid Films.- 1981.-V.76.-№2.-P. 179-184.

38. Barancok D., Dieska P., Krempasky J. Current-voltage characteristics of "crystallite-type" amorphous semiconductor. // Phys. Stat. Solidi (a)- 1974.- V. 22.-№1.- P.329.

39. Warren A.C. Switching mechanism in chalcogenide glasses. // Electron Letters- 1969.- V.5.- №9.- P.461-462.

40. Reinhard D.K., Arntz F.O., Adler D. Field-dependent conductivity of chalcogenide glasses. // Appl.Phys.Lett.- 1973.- V.23.- N9.- P.521-523.

41. Reinhard D.K., Adler D., Arntz F.O. Electron and photon-induced conductivity in chalcogenide glasses. // Appl.Phys.Lett.- 1976.- V.47.- №4.- P.1560-1573.

42. Казакова Л.П., Лебедев B.A., Рогачев H.A. Электронные явления в некристаллических полупроволниках. Л.: Наука, 1976, c.240.W Тр. 6-ой Межд. Конф. аморф. и жидких полупроводников. Л. 1975.

43. Pender L.F., Fleming R.G. Memory switching in glow discharge polymerized thin films.// J. Appl. Phys.- 1975.- V.46.- №8.- P.3426-3431.

44. Schmidt P.E., Mena J.G., Callarotti R.C. On the statistical aspects of threshold switching in thin polymer films. // Thin Solid Films- 1978.- V. 55.- №1.- P.9-14.

45. Hogarth C.A., Zov M. Some observation of voltage induced conductance in thin films of evaporated polyethylene. // Thin Solid Films- 1975.- V.27.- №1.- P.L5-L7.

46. Phadke S.D., Sathianandan K., Karekar R.N. Electrical conduction in polyferrocene thin films. // Thin Solid Films- 1978.- V.51.- №1.- P.L9-L11.

47. Staryga E., Swiatek J. The electrical conductivity in thin polycrystalline p-terphenyl films. // Thin Solid Films- 1979.- V.56.- №3.- P.311-319.

48. Bollard W.P., Christy P.W. Switching effect in electron beam deposited polymer films. // J. Non-Cryst. Solid- 1975.- V.17.- №1.- P.81-88.

49. Myoshi Y., Chino K. Electrical properties of polyethylene single crystals. // Japan J. Appl. Phys.- 1967.- V.6.- №2,- P. 181-190.

50. Sakai Y., Sadaoka Y., Okada G. Switching in poly-N-vinylcarbazole thin films. //Polymer J.- 1983.- V.15.-№3.- P. 195-199.

51. Sakai Y., Sadaoka Y., Okada G. Switching in polysterene and polymethyl methacrylate thin films. Effect of preparation conditions of polymers. // J. Mater. Sci.- 1984.- V.19.- №4.- P.1333-1338.

52. Jerome D., Mazaud A., Ribault M., Bechgaard K. Superconductivity in a synthetic organic conducor (TMTSF)2PF6. // J. De Phys. Lett.- 1980.- V.41.- N.4.-P.L95-98.

53. Chang C.K., Fincher C.R., Jr., Park Y.W., Heeger A.J., Shirakawa H., Louis E.J., Gau S.C., MacDiarmid A.G. Electrical conductivity in doped polyacetylene. // Phys. Rev. Lett.- 1977.- V.39.- P.1098-1101.

54. Ениколопян H.C., Берлин Ю.А., Бешенко С.И., Жорин В.А. Аномально низкое электрическое сопротивление тонких пленок диэлектриков. // Письма в ЖЭТФ- 1980.- Т. 33.-Вып. 10,-С. 508- 511.

55. Ениколопян Н.С., Берлин Ю.А., Бешенко С.И., Жорин В.А. Новое высокопроводящее состояние композиций металл полимер. // ДАН СССР, сер. Физ. химия. - 1981.- Т. 258.- В. 6.- С. 1400 - 1403.

56. Гутман Ф., Лайонс Л. Органические полупроводники. М.: Мир.- 1970,155 С.

57. Берлин Ю.А., Бешенко С.И., Жорин В.А., Овчинников А.А., Ениколопян Н.С. О возможном механизме аномально высокой проводимости тонких пленок диэлектриков. //ДАН СССР, сер. Физ. Хим.- 1981.- С.1386-1390.

58. Cognard J. Conduction electrique au travers d'un joint adhesif. // Vide Couches Minces 1989, V.44.- №246,- P.261-272.

59. Nakamura Y., Nishirawa K., Motohira N., Yanagida H. Satrin dependent electrical resistance of carbon-insulator composite. // J. Mater. Sci. Lett.- 1994.-V.13.- №11.- P.829-831.

60. Смирнова С.Г., Григоров Л.Н., Галашина H.M., Ениколопян Н.С. Зависимость сопротивления сверхтонких слоев полипропилена от их толщины. // ДАН СССР- 1985.- Т.283.- № 14.- С. 176 181.

61. Волкова A.B., Галашина Н.М., Григоров Л.Н., Ениколопян Н.С. О связи электропроводности и акустических характеристик композиций полипропилена с графитом.//ДАН СССР- 1988,- Т.-С.1381-1385.

62. Тестарди Л., Вегер М., Гольдберг И. Сверхпроводящие соединения со структурой ß-вольфрама. М.: Мир, 1977, 434 С.

63. Ениколопян Н.С., Григоров Л.Н., Смирнова С.Г., Возможная сверхпроводимость окисленного полипропилена в области 300 К. // Письма в ЖЭТФ- 1989.- Т.49.- В.6.- С.326-330.

64. Смирнова С.Г., Демичева О.В., Григоров Л.Н. Аномальный ферромагнетизм окисленного полипропилена. // Письма в ЖЭТФ- 1988.- Т.48.-С.212.

65. Igbal Т., Hogart S.A. Space charge limited current in evaporated polypropylene. // Int. J. Electron.- 1986, V.61.- №5.- P.555-559.

66. Усиченко B.M., Лосото А.П., Ванников A.B., Будницкий Ю.М., Акутин М.С. Явление проводимости в тонких полипропиленовых пленках. // ДАН СССР- 1987.- Т. 296.- В.6.- С.1414-1416.

67. Архангородский В.М., Гук Е.Г., Ельяшевич A.M., Ионов А.Н., Тучкевич В.М., Шлимак И.С. Высокопроводящее состояние в пленках окисленного полипропилена. // ДАН СССР- 1989.- Т. 309.- №3.- С.603 -606.

68. Белошенко В.А., Дьяконов В.П., Замотаев П.В., Набялек А., Пехота С., Прохоров А.П. К вопросу о ферромагнетизме атактического полипропилена. // ЖТФ- 1994.- Т.64.- В.12.- С.75-79.

69. George G.A., Development of Polymer Degradation-3. Ed. N.Grassie. London: Appl.Sci.Publ.- 1981.- P.173-206.

70. Демичева O.B., Рогачев Д.Н., Смирнова С.Г., Шклярова Е.И., Яблоков М.Ю., Андреев В.М., Григоров Л.Н. Разрушение сверхвысокой проводимости окисленного полипропилена критическим током. Письма в ЖЭТФ, 1990, Т.51, В.4, С, 228 -231.

71. Лебедев С.В., Савватимский А.И. Металлы в процессе быстрого нагревания электрическим током большой плотности. // УФН.- 1984.- Т. 144.-В.2.- С.215- 250.

72. Литтл У. Сверхпроводимость при комнатной температуре. // УФН- 1965.-Т.86.- №2.- С.315-326.

73. Григоров Л.Н. О физической природе сверхпроводящих каналов полярных эластомеров. // Письма в ЖТФ- 1991.- Т.17.- В.10.- С.45-50.

74. Takahashi A., Yamamoto S., Fukutome Н., Superpolaron model for metallic polyacetylene. // J.Phys.Soc.Jap., 1992, У.61, №1, P. 199-216.

75. Л.В.Келдыш. Сверхпроводимость в неметаллических системах. // УФН-1965.- Т.86.- №2.- С.327-333.

76. Демичева О.В., Смирнова С.Г., Андреев В.М., Григоров Л.Н. Аномально высокая электропроводность и магнетизм в пленках силиконового каучука. // ВМС, 1990, т.32(Б), №1, с.3-4.

77. Андреев В.М., Григоров Л.Н. Самопроизвольная генерация квазисвободных электронов слабополярных каучукоподобных полимеров. // ВМС Б- 1988.- Т.30.- №12.- С.885-888.

78. Grigorov L.N., Andrejev V.M., Smirnova S.G. New mechanism of the formation of superconductive ferromagnetizm structure in elastmers without conjugation in the backbones. // Macromol. Chem., Macromol. Symp.- V.37.- P. 177193.

79. Григоров Л.Н., Рогачев Д.Н., Краев A.B. Сверхпроводимость при комнатной температуре в пленках некоторых полимеров. ВМС, 1993, т.35, № 11, С.1921 1930.

80. Шклярова Е.И., Смирнова С.Г., Григоров Л.Н. Новый тип поляризации в пленках окисленного полипропилена. // ВМС- 1990.- Т.31.- №12.- С.885-886.

81. Тучкевич В.М., Ионов A.H.K вопросу о сверхвысокой проводимости полипропилена. // Письма в ЖТФ- 1990.- Т. 16.- №16.- С. 90.

82. Архангородский В.М., Ионов А.Н., Тучкевич В.М., Шлимак И.С. Сверхвысокая проводимость при комнатной температуре в окисленном полипропилене. // Письма в ЖЭТФ- 1990.- Т. 51.- В. 1.- С.56-61.

83. Ельяшевич A.M., Ионов А.Н., Ривкин М.М., Тучкевич В.М. Эффект переключения с памятью и проводящие каналы в структурах металл-полимер-металл. // ФТТ- 1992.- Т. 34.- №11.- С.3457-3464.

84. Коломиец Б.Т., Калмыкова Н.П., Лебедев Э.А., Таксами И.А., Шпунт В.Х. Локальное легирование и эффект памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. // ФТП- 1980.- Т. 14.- В. 4.- С.726-730.

85. Григоров Л.Н., Дорофеева Т.В., Краев А.В., Рогачев Д.Н., Демичева О.В., Шклярова Е.И. О двух принципиально различных механизмах локальной проводимости полимерных диэлектриков. // ВМС А- 1996.- Т.38.- №12.-С.2011-2018.

86. Agrinskaya N.V., Kozub V.I. On mechanizm of formation of highly-conducting channels in polymer film. // Solid State Communs.- 1998.- V.106.- №2.-P.111-114.

87. Mott N.F., Twose W.D. The theory of impurity conduction. // Adv. Phys.-1961,- V.10.- №38.- P.107-163.

88. Bogomolov V.N., Kolla E.V., Kumzerov Yu.A. Determinatrion on critical temperature of the ultrathin metals filaments superconducting transition and its dependence on the filament diameter. // Sol.State Communs.- 1983.- V.46.- №5.-P.383-385.

89. Giordano N. Experimental study of localization in thin wires. // Phys.Rev.-1980.- V.22.- №12.- P.5635-5654.

90. Larkin A.I., Ovchinnikov Yu.N. Fluctuation conductivity in the vicinity of the superconducting transition. // J. Low Temp. Phys.- 1973.- V.10.- №3-4.- P.407-421.

91. Bogomolov V.N., Kolla E.V., Kumzerov Yu.A. Determinatrion on critical temperature of the ultrathin metals filaments superconducting transition and itsdependence on the filament diameter. I I Sol. State Communs.- 1983.- 46.- №2.-P.159-161.

92. Хоэнберг П. Дальний порядок при сверхпроводящем переходе. // УФН-1970.- Т. 102.- В.2.- С.239-243.

93. Де Жен П. Сверпроводимость металлов и сплавов. М.: Мир.- 1968.- 248 С.

94. Ельяшевич A.M., Ионов А.Н., Кудрявцев В.В., Ривкин М.М., Светличный

95. B.М., Скляр И.Е., Тучкевич В.М. "Сенсорный" эффект в структурах металл -полиимид металл. // ВМС- 1993.- Т.35.- В.1.- С.50-53.

96. Ельяшевич A.M., Ионов А.Н., Тучкевич В.М., Борисова М.Э., Галюков О.В., Койков С.Н. Локальная металлическая проводимость тонких пленок полиимида как результат "мягкого" электрического пробоя. // Письма в ЖТФ-1997.- Т.23.- №14.- С.8-12.

97. Григоров Л.Н., Дорофеева Т.В., Краев А.В., Рогачев Д.Н., Демичева О.В., Шклярова Е.И. О двух принципиально различных механизмах локальной проводимости полимерных диэлектриков. // ВМС А- 1996.- Т.38.- №12.1. C.2011-2018.

98. Pagnia Н., Sotnik S. Bistable switching in electroformed metal-insulator-metal devices. // Phys. Stat. Sol. (a)- 1988.- V.108.- P.l 1-65.

99. Soad A., Tobazeon R. Ion transport across impegnated polypropylene. // Proc. Int. Conf. Conduct. And Breakdown Solid Dielec., Erlangen, July 7- 10, 1986, New York- 1986,- p.444-448.

100. Elyashevich A.M., Kiselev A.A., Liapzev A.V., Miroshnichenko G.P. A Model of a conductive channel in a thin insulating film. // Physics Leters A, V.156, № 1,2, P. 111-113.

101. Eagles D.M. Possible High-current superconductivity at room temprature in oxidized polypropylene and other quasi one-dimensional systems. // Physica С -1994.-V.225.- P.222-234.

102. Parmenter R.H. High-current superconductivity. // Phys.Rev. 1959.- V.116.-N.6.-P. 1390-1399.

103. Элиашберг Г.М. Взаимодействие электронов с колебаниями решетки в сверхпроводнике. // ЖЭТФ I960.- Т.38.- №3.- С.966-976.

104. Пономарев О.А., Шиховцева Е.С. Механизм влияния давления и поля на электропроводность сопряженных полимеров с изолирующими мостиками. // ЖЭТФ- 1995.- Т. 107.- №2.- С.637-648.

105. Шиховцева Е.С., Пономарев О.А. Устойчивость перехода диэлекрик-металл в кислородсодержащих полимерах. // Письма в ЖЭТФ- 1996.- Т.64.-В.7.- С.468-472.

106. Шиховцева Е.С., Пономарев О.А. Солитон-антисолитонные столкновения при фазовых переходах в тонких пленках кислородсодержащих полимеров. // Письма в ЖЭТФ- 1997.- Т. 66.- В.1.- С.31-36.

107. Петров А.А., Гоникберг М.Г., Салазкин С.Н., Анели Дж.Н., Выгодский Я.С. Поведение замещенных дифенилфталидов и соответствующих лактамов в условиях высокого давления и напряжений сдвига. // Известия АН СССР, сер. хим.- 1968.- №2.- С.279-285.

108. Adler D., Shur M.S., Silver M., Ovshinsky S.R. Threshold switching in chalkogenide class thin films. // J. Appl. Phys.- 1980.- V.51.- №6.- P.3289-3309.

109. Matsushita Т., Yamagami Т., Okuda M. Filamentary path formed on surfaces of the chalcogenide glasses. // Jap. J. Appl. Phys.- 1972.- V.l 1.- №7.- P.923-929.

110. Thomas D.L., Male J.C. Thermal breakdown in chalcogenide glasses. // J.Non-Cryst.Solids 1972.- V.8-10.- P.522-525.

111. Kaplan Т., Adler D. Electrothermal switching in amorphous semiconductors. // J. Non-Cryst. Solids 1972.- V.8-10.- P.538-541.

112. Кулик И.О., Шехтер Р.И., Шкорбатов А.Г. Микроконтактная спектроскопия электрон-фононного взаимодействия в металлах с малой длиной свободного пробега электронов. // ЖЭТФ- 1981,- Т.81.- В.6(2).- С.2126-2141.

113. Янсон И.К., Шалов Ю.Н. Спектр электрон-фононного взаимодействия в меди. //ЖЭТФ- 1976.- Т.71.- В.1.- С. 286-299.

114. Веркин Б.И., Янсон И.К., Кулик И.О., Шкляревский О.И., Лысых A.A., Найдюк Ю.Г. Модуляционная температурная спектроскопия элеменарных возбуждений в ферромагнетиках с помощью микроконтактов. // Изв. АН СССР, серия физ.- 1980.-Т.44.-№7.- С. 1330-1338.

115. Янсон И.К. Микроконтактная спектроскопия электрон-фононного взаимодействия в цинке и кадмии. // ФНТ, 1977, Т.З, №12, С.1516-1529.

116. Янсон И.К. Контактная спектроскопия высокотемпературных сверхпроводников. // ФНТ 1991.- Т.17.- №3.- С.275-299.

117. A.c. 234803 СССР, М. кл. 4 Н 01 L 21/28. Способ получения прижимных микроконтактов между металлическими электродами. Чубов П.Н., Акименко А.И., Янсон И.К. Опубл. 30. 05. 81, Бюл. № 20.

118. Янсон И.К. Нелинейные эффекты в электропроводности точечных контактов и электрон-фононное взаимодействие в нормальных металлах. // ЖЭТФ- 1974.- Т.66.- С.1035-1050.

119. Краев A.B., Смирнова С.Г., Григоров Л.Н. О местах локализации сопротивления в проводящих полярных эластомерах. // ВМС Б- 1993,- Т.З 5.-№8.- С.1308-1314.

120. Кулик И.О., Омельянчук А.И., Шехтер Р.И. Электропроводность точечных микроконтактов и спектроскопия фононов и примесей в нормальных металлах. //ФНТ. 1977. -Т.З. -№12.-С.1543-1558.

121. Шарвин Ю.В. Об одном возможном методе исследования поверхности Ферми. //ЖЭТФ. 1965. - Т.48. - С.984-985.

122. Lee М., Mitz D.B., Kapitulnik A., Beasly M.R. Electron tunneling and the energy gap in Bi2Sr2CaCu2Ox // Phys.Rev. B. 1989.- 39.- №1.- P.801-803.

123. Девятов И.А., Куприянов М.Ю. Резонасное туннелирование и "long -range proximity effect". // Письма в ЖЭТФ- 1994.- Т.59,- .3,- С. 187-192.

124. Брагинский JI.C., Баскин Э.М. Неупругое резонансное туннелирование. // ФТТ- 1998.- Т.40.- №6.- С.1151-1155.

125. Закревский В.А., Ионов А.Н., Лачинов А.Н. Аномально высокая проводимость в тонкой пленке полидифениленфталида. // Письма в ЖТФ-1998.- Т.24,- №13.- С.89-93.

126. Ralph J.E., Woodcock J.M. New filamentary model forvoltage-formed amorphous oxide films. // J. Non-cryst. Soids- 1972.- V.7.- №3.- P.236-250.

127. Szymansky A., Larson D.C., Labes M.M. A temperature-independent conducting state in tetracene thin films. // Appl.Phys.Letters- 1969.- V. 14.- №3.-P.88-90.

128. Gundlach K.H., Kadlec J. Negative resistance in organic monomolecular layers sandwich between metal electrodes. // Phys. Stat. Sol. (a).- 1972,- V.10.- P.371-379.

129. Couch N.R., Movaghar В., Girling I.R. Electromigration failure in filaments through Langmuir-Blodgett films. // Sol. State. Communs.- 1986.- V.59.- №1.- P.7-9.

130. Mann H.T. Electrical properties of thin polymer films. Part I. Thickness 5002500 A. // J. Appl. Phys.- 1964.- V.35.- №7.- P.2173-2179.

131. Демичева O.B., Шклярова Е.И., Волкова A.B., Смирнова С.Г., Андреев

132. B.М., Рогачев Д.Н., Григоров Л.Н. Природа электрофизических аномалий тонких пленок полиуретана. // ВМС- 1990.- Т.32(Б).- №9.- С.659-662.

133. Золотухин М.Г., Ковардаков В.А., Салазкин С.Н., Рафиков С.Р., Некоторые закономерности синтеза полиариленфталидов гомополиконденсацией п-(3-хлоро-3-фталидил)-бифенила. // Высокомолек. соед.- 1984.- Т.26а.- №6.- С.1212-1217.

134. Zolotukhin M.G., Skirda V.D., Sedova Е.А., Sundukov V.i., Salazkin S.N., Gelation in the homopolycondensation of 3-aryl-3-clorophtalides. // Macromol. Chem.- 1993.- V.194.- №2.- P.543-549.

135. A.C. 734989 СССР. Полигетероарилены для изготовления термостойких материалов и способ их получения. / Рафиков С.Р., Толстиков Г.А., Салазкин

136. C.Н., Золотухин М.Г. Б.И. - 19891.- №20.

137. Новоселов И.В. Взаимодействие полиариленфталидов и их аналогов с иодом. // Канд. дисс., ИОХ УНЦ РАН, Уфа 1996.

138. Салазкин С.Н., Золотухин М.Г., Ковардаков В.А., Дубровина JI.B., Гладкова Е.А., Павлова С.С., Рафиков С.Р. Молекулярно-массовые характеристики полиариленфталида. // Высокомолек. соед. 1987 - А29. - № 7. -С.1431-1436.

139. Fluka Chemie AG, Industrienstrasse 25, CH-9470 Buchs, Switzerland.

140. Digital Instruments, 520 East Montecito St., Santa Barbara, CA 93103, USA.

141. Q.Zhong, D. Innis, K.Kjoller, V.B.Ellings, Surf.Sci.Lett. 290 (1993) L688.

142. Rudolf Research, 1 Rudolph Road, P.O. Box 1000, Flanders, NJ 07836, USA.

143. Dilks A., Electron-Spectroscopy Theory, Techniques and Applications, Academic Press, London.- 1981.- V.4.- P.277.

144. Salaneck W.R. Photoelectron spectroscopy of the valence electronic structure of polymers. // CRC Crit.Rev. Soild State and Mat. Sci.- 1985.- V.12.- №4.- P.267-296.

145. Bredas J.L., Chance R.R., Silbey R., Nicolas G., and Durand Ph. A nonempirical effective Hamiltonian technigue for polymers: Application to polyacetylene and polydiacetylene. // J. Chem. Phys.- 1981.- V.75.- P.255-267.

146. Modelli A., Distefano G., Jones D. Application of electron transmission spectroscopy to conformational studies. Electron affinites of methylsubstituted biphenyls. // Chem. Phys.- 1983.- V.82.- N.3.- P.489-492.

147. Лачинов A.H., Жеребов А.Ю., Корнилов B.M. Аномальная электронная неустойчивость полимеров при одноосном давлении // Письма в ЖЭТФ -1990.-Т.52. В.2. - С.742-745.

148. Корнилов В.М., Лачинов А.Н., Металлоподобное состояние в полимерной пленке, индуцированное изменением граничных условий на ее поверхности //Письма в ЖЭТФ 1995.- Т.61.- B.l 1.- С.902-906.

149. Lachinov A.N., Zherebov A.Yu. and Zolotukhin M.G., Thermostimulated switching in thin polymer films // Synth. Metals 1993.- У.59.- P.377-386.

150. Zherebov A.Yu., Lachinov A.N., On the mutual influance of uniaxial pressure and electric field on the electronic instabilities in polydiphenylenephthalide // Synth. Metals 1991.- V.44.- P.99-102.

151. Лачинов A.H., Золотухин М.Г., Нетрадиционный механизм допирования в полиариленфталидах // Письма в ЖЭТФ -1991.- Т.53.- В.6.- С.297-301.

152. Kornilov V.M., Lachinov A.N., Electron-microscopic analysis of polymer thin films capable of switching to conductive state // Synth.Metals -1992.- V.53.- P.71-76.

153. Rasmusson J.R., Kugler Th., Erlandsson R., Lachinov A., Salaneck W.R., Thin poly(3,3'-phthalidylidene-4,4'-biphenylene) films studied by scanning force microscopy // Synth. Metals- 1996,- V.76.- P. 195-200.

154. Скалдин O.A., Жеребов А.Ю., Делев B.B., Лачинов А.Н., Чувыров А.Н., Зарядовая неустойчивость в тонких пленках органических полупроводников // Письма в ЖЭТФ -1990.- Т.51,- В.З.- С.141-145.

155. Свешников А.А. Основы теории ошибок., Изд. Ленинградского университета, Л., 1972, 132 С.

156. Moses D., Feldblum A., Ehrenfreund Е., Heeger A.J., Chung Т., MacDiarmid A.G. Pressure dependence of the photoabsorption of poly acetylene. // Phys.Rev. B-1982.- V.26.- N.6.- P. 3361-3369.

157. Brillante A., Hanfland M., Suassen K. and Hocker J. Optical studies of polyacetylene under pressure. // Physica B- 1986.- V.139/140.- P.533-536.

158. Kao К., Хуанг В. // Перенос электронов в твердых телах. М.: Мир.- 1984.-Т.1.- С.350.

159. Park Y.W., and Heeger A.J. Electrical Transport in Doped Polyacetylene. // J.Chem.Phys.- 1980.- V.73.- N.2.- P.946-957.

160. Де Жен П. Физика жидких кристаллов. М.: Мир.- 1977.- С.440.

161. Чистяков И.Г. Жидкие кристаллы.- М.: Наука.- 1965.- С. 186.

162. Чувыров А.Н., Лачинов А.Н. Исследование гомеотропной ориентации молекул нематических жидких кристаллов и возможности ее применения в целях модуляционной спектроскопии. // ЖЭТФ- 1978.- Т.74.- В.4.- С.1431-1444.

163. Чувыров А.Н., Лачинов А.Н., Авзянов B.C., Сонин A.C. Исследование границы раздела фаз нематический жидкий кристалл-полупроводник. // ФТТ, 1977, Т.19, в.4, С. 1191-1193.

164. Чувыров А.Н., Лачинов А.Н., Закирова А.Д. Исследование взаимодействия жидких кристаллов с кристаллическими подложками: система нематический жидкий кристалл полупроводник. // Кристаллография - 1983.Т. 28.- В.5.- С.980-986.

165. Невская Г.Е., Рубцов А.Е. Изучение дефектов в диэлектрических покрытиях кремния с помощью нематических жидких кристаллов. // Поверхность. Физика, химия, механика,- 1989.- Т.7.- С. 117- 124.

166. Скалдин O.A. Локальная проводимость тонких пленок полимеров. // Письма в ЖТФ.- 1991.- Т. 17.-В.19.- С.64 68.

167. Костылев С.А., Шкут В.А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках. "Наукова Думка", Киев. 1978.- С.203.

168. Ламперт М., Марк П.// Инжекционные токи в твердых телах. М.:"Мир", 1973, С.416.

169. Френкель И. О предпробойных явлениях в изоляторах и электронных полупроводниках. // ЖТФ.- 1938.- В.5.- С. 685-686.

170. Скалдин O.A., Жеребов А.Ю., Лачинов А.Н., Делев В.А., Чувыров А.Н. Зарядовая неустойчивость в тонких пленках органических полупроводников. // Письма в ЖЭТФ- 1990.- Т.51.- В.З.- С.141-144.

171. Zherebov A.Yu., Lachinov A.N. On the influance of trapping states on the electronic instabilities in Polydiphenylenephthalide. // Synth. Metals -1992.- V.46.- P. 181-188.

172. Kornilov V.M., Lachinov A.N. Electron-microscopic analysis of polymer thin films capable of switching to conductive state. // Synth. Metals 1993.- V.53.- №1.-P.l-6.

173. Electronic Properties of Quasi-One-Dimensional Materials, ed. by P.Monceau, Riedel, Dordrecht, The Netherlands. 1985.- P.360.

174. Heine V. Theory of Surface State. // Phys.Rev. A- 1965.- V. 138.-P. 1689-1694.

175. Поуп М., Свенберг Ч. Электронные процессы в органических кристаллах. -М: Мир. 1985. - 4.1. - 543 С.

176. Ionov A.N., Lachinov A.N., Rivkin M.M. and Tuchkevich V.M. Low-resistance state in Polydiphenylenephthalide at low temperatures. // Solid State Communs.- 1992.- V.82.- №8.- P.609-611.

177. Buckel W. Supraleitung Grundlagen und Anwengen, Physic Verlag GmbH, Weinheim/Bergstr. 1972.- P.320.

178. Лачинов A.H., Гоц С.С., Амирханов Р.Н. Некоторые характеристики электрического шума в электроактивном полимере. // Письма в ЖТФ.- 1993.-Т.19.- В.11.- С.48-52.

179. Скалдин O.A., Селезнева O.A. Токовый шум в тонких пленках полимеров в окрестности перехода диэлектрик металл. // Письма в ЖЭТФ.- 1992.- Т.56.-№1-2.-С.31-34.

180. Bakhtizin R.Z., Ghots S.S. and Cherrin-Yakhnuuk I.M. Recent results of modeling of statistic characteristics of semiconductor field emitters. // Journal de Physique.- 1987.- V.48.- N.ll.- P.203-208.

181. Bakhtizin R.Z. and Ghots S.S. Statistical model of semiconductor field emitter. // Surface Science.- 1992.- V.266.- P. 121-125.

182. Дж.Бендат, А.Пирсол в кн. Прикладной анализ случайных данных. М.: Мир. - 1989. - С.540.

183. Лачинов А.Н., Жеребов А.Ю., Корнилов В.М. Аномальная электронная неустойчивость полимеров при одноосном давлении. // Письма в ЖЭТФ -1990.-Т.52. В.2. - С.742-745.

184. Лачинов А.Н., Жеребов А.Ю., Корнилов В.М. Высокопроводящее состояние в тонких пленках полимеров // ЖЭТФ 1992. -Т.102.- С. 187-193.

185. Lachinov A.N., Zherebov A.Yu., and Kornilov V.M. // Influance of uniaxial pressure on conductivity // Synth. Metals 1991.- V.44.- P. 111-113.

186. Zherebov A.Yu., Lachinov A.N., On the mutual influance of uniaxial pressure and electric field on the electronic instabilities in polydiphenylenephthalide // Synth. Metals 1991.- V.44.- P.99-102.

187. Lachinov A.N., Zherebov A.Yu. and Zolotukhin M.G. Thermostimulated switching in thin polymer films // Synth. Metals 1993.- V.59.- P.377-386.

188. Zherebov A.Yu., Lachinov A.N., On the influence of the trapping states on electronic instabilities in polydiphenilenephthalide // Synth. Metals 1992.- V.46.-P.181-186.

189. Корнилов B.M., Лачинов A.H., Металлоподобное состояние в полимерной пленке, индуцированное изменением граничных условий на ее поверхности //Письма в ЖЭТФ 1995.- Т.61.- B.l 1.- С.902-906.

190. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. М.: Мир. - 1990. - 488 С.

191. Ненахов С.А., Щербина Г.И., Чалых А.Е., Муллер В.М. Работа выхода электронов в полимерах, адгезионно связанных с металлом. // Поверхность-1994,-Т.З.- С.77-81.

192. Липсон А.Г., Кузнецова Е.В., Саков Д.М., Топоров Ю.П. Исследование параметров двойного электрического слоя адгезионного контакта металл-полимер методом термостимулированной деполяризации. // Поверхность -1992.-Т. 12.- С.74-82.

193. Алчагиров Б.Б., Хоконов Х.Б., Архестов Р.Х. Температурная зависимость работы выхода электрона щелочных металлов. // ДАН.- 1992.- Т.326.- №1.-С.121-125.

194. Алчагиров Б.Б., Калажоков Х.Х., Хоконов Х.Б. Современные методы измерения быстрых изменений работы выхода электрона. // Изв. АН СССР, Сер. физ.- 1991.- Т.55. -С.2463-2467.

195. Zolotukhin M.G., Panasenko А.А., Sultanova V.S., Sedova E.A., Spirikhin L.V., Khalilov L.M., Salazkin S.N., Rafikov S.R. NMR study of poly(phthalidylidenarylene)s. //Macromol. Chem. 1985 -V.l86. - P. 1747-1753.

196. G.A.N.Connell, D.L.Camphausen, W.Paul, Theory of Poole-Frenkel conduction in low-mobility semiconductors. // Phil. Mag.- 1972.- V.26.- N.3.- P.541-551.

197. Сканави Г.И. Физика диэлектриков. (Область сильных полей). М.: Гос.изд-во физ.-матем. лит-ры. - 1958. - 907 С.

198. Зи С. // Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир. - 1984. - T.I. -455 С.

199. Schottky W. The semiconductor theory of the blocking layer and point rectifier. // Z.Physik. 1939. - V.l 13. - P.367-414.

200. Logdlund M., Dannetun P., Fredriksson C., Salaneck W.R., Bredas J.L. Theoretical-study of the interaction between sodium and oligomers of poly(p-phenylenevinylene) and poly(p-phenylene). // Synth.Met. -1994.- V.67.- №1-3.-P.141-145.

201. Patel K.D., Stivastava R., Phase transition related barrier height n Ga-Si Shottky diode. // J.Matter. Sci. Lett.- 1997.- V.16.- №18.- P.1509-1511.

202. Лоскутов C.B., Левитин B.B., Логосов B.B., Правда М.И., Изменение работы выхода электронов под влиянием деформирования металла. // ФММ-1995.- Т.79.-В.5.-СЗ-8.

203. Vancea J., Reiss G., Butz D., Hoffmann H. Thickness-dependent Effect in the Work Function Cu-films. // Europhys. Letters- 1989.- V.9.- N.4.- P. 379-384.

204. Кобелева P.M., Кобелев А.В., Кузема В.Е. Расчет электронного распределения вблизи границы металла с диэлектрической средой. // ФММ-1976.- Т.41.- В.З.- С.493-498.

205. Лачинов А.Н., Золотухин М.Г., Жеребов А.Ю., Салазкин С.Н., Валеева И.Л., Чувыров А.Н. Биполяронная проводимость полимера, стимулированная аномальной термической поляризуемостью молекулы. // Письма в ЖЭТФ -1986.-Т.44.-С.6-10.

206. Johansson N., Lachinov A.N., Stafstrom S., Salaneck W.R. A theoretical study of the chemical and electronic struture of the conjugated polymer poly(3,3'-phthalidyliden-4,4'-biphenylilene). // Synth. Metals 1994.- V.67.- №1-3.1. P.319-321.

207. Б.Г.Зыков., Ю.В.Васильев, В.С.Фалько, Лачинов А.Н. Хвостенко В.И. Резонансный захват электронов низких энергий молекулами производных фталида. // Письма в ЖЭТФ 1996.- Т.64.- В6.- С.402-406.

208. Zherebov A.Yu., Lachinov A.N. Thermostimulated instabilities in thin polymer films // Synth.Met. 1993.- V.55/1.- P.530-535.

209. Ubbelohde A.R. // Trans. Far. Soc. 1938. - V.34. - P.29.

210. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. Л.: Наука. - 1975 - 592 С.

211. Битюцкая Л.А., Машкина Е.С. Кооперативные эффекты пред- и постпереходных состояний при плавлении ионных кристаллов. // Письма в ЖТФ 1995.- Т.21.- В.17.- С.85-88.

212. Битюцкая Л.А., Машкина Е.С. Особенности пред- и постпереходных состояний при плавлении меди. // Письма в ЖТФ- 1995.- Т.21.- В.24.- С.90-93.

213. Stern Е.А., Zhang Ке. Local premelting about impurities. // Phys.Rev.Letters-1988.- V.60.- №18,- P.1872-1875.

214. Битюцкая Л.А., Машкина Е.С. Кооперативные эффекты пред- и постпереходных состояний при плавлении германия. // Письма в ЖТФ- 1995.-Т.21.- В.18.- С.8-12.

215. Амитин Е.Б., Миненков Ю.Ф., Набутовская О.А., Пауков И.Е. Экспериментальное исследование и анализ температурной зависимости теплоемкости кристаллической ртути в окрестности температуры плавления. // ЖЭТФ- 1985.- Т.89.- В.6.- С.2092-2098.

216. Зиновьев В.Е., Полев В.Ф., Талуц С.Г., Зиновьева Г.П., Ильиных С.А. Температуропроводность и теплопроводность Зс1-переходных металлов в твердом и жидком состояниях. // ФММ- 1986.- Т.61.- В.6.- С.1128-1135.

217. Theis W., Horn К. Surface Premelting in Al(llO) Observed By Core-Level Photoemission. //Phys.Rev.-1995.- B51.- №11.- P.7157-7159.

218. Савицкий E.M., Буров И.В., Литвак Л.Н. Работа выхода элементов. // ДАН СССР- 1974.- Т.218.- №4.- С.818-820.

219. Рзянин Б.Ф. // Теплофизика высоких температур 1973.- Т.П.- №1.-С.34-38.

220. Кокорин В.В., Черненко В.А. Возникновение импульсов ЭДС при фазовых превращениях в металлах под высоким давлением. // Физика металлов и металловедение- 1986.- Т.61.- №6.- С.1224 -1227.

221. Вольф Е.Л. Принципы электронной туннельной спектроскопии. Киев, «Наукова Думка», 1990, 445 С.

222. Корнилов В.М., Лачинов А.Н., Электронностимулированный переход диэлектрик-металл в электроактивных полимерах. // Письма в ЖЭТФ- 1995.- Т.61.- В.6.- С.504-507.

223. Adler D., Shur M.S., Silver M., Ovshinsky S.R. Threshold switching in chalcogenide glass thin films // J.Appl.Phys.-1980.- V.51.- №6.- P.3289-3309.

224. Fesser K., Bishop A.R., Campbell D.H. Optical absorption from polarons in a model of poly acetylene. // Phys. Rev. 1983. - V.27. - N.8. - P.4804-4825.

225. Tieke В., Bubeck C., Lieser G. Redox reactions of poly(l,4-phenylene) a spectroscopic study of thin transparent films. // Makromol. Chem.-Rapid Communs.-1982.- V.3.- №.5.- P.261-268.

226. Бразовский С.А., Кирова Н.Н. Экситоны, поляроны и биполяроны в проводящих полимерах. // Письма в ЖЭТФ. -1981. Т.ЗЗ. - №1. - С.6-10.

227. Bredas J.L., Chance R.R., Silbey R. Comparative theoretical study of the doping of conjugated polymers: Polaron in polyacetylene and polyparaphenylene. // Phys.Rev. 1982. - V.B26. - №10. - P.5843-5854.

228. Vardeny Z., Erenfreund E., Brafman O., M.Novak, H.Schaffer, AJ.Heeger, F.Wudl Photogeneration of confined soliton pairs (bipolarons) in polythiophene. // Phys.Rev.Lett. 1986. - V.56. - № 6. - P.671-674.

229. Orenstein J., Vardeny Z., Baker J.L. Eagle.G., Etemad S. Mechanism for photogeneration of charge carriers in polyacetylene. // Phys.Rev. 1984. - V. B30. -№2. - P.786-794.

230. Лачинов A.H., Золотухин М.Г. Пьезорезистивный материал и способ его получения // Патент РФ № 2006078 от 15.01. 1994.

231. Поуп М., Свенберг Ч. // Электронные процессы в органических кристаллах. М: Мир. - 1985. - 4.1. - 543 С.

232. Danielsen P.L., Ball R.C. A theoretical study of photoluminesvence in cis-polyacetylene. //J.Phys.(F) 1985.- V.46.-N.10.-P.1611-1622.

233. Лачинов A.H., Валеева И.Л., Селезнева O.A., Золотухин М.Г. Биполяронное поглощение света в полиариленфталидах // Журнал Прикладной Спектроскопии -1989.- Т.51.- В.5.- С.814-818.

234. Лачинов А.Н., Золотухин М.Г. Нетрадиционный механизм допировния в полиариленфталидах. // Письма в ЖЭТФ -1991.- Т.53.- В.6.- С.297-301.

235. Ginder J.M., Richter A.F., MacDiarmid A.G., and Epstein A.J. Insulator-to-metal transition in poly aniline. // Solid State Communs. 1987.- V.63.- N.2.- P.97-101.

236. Campbell D.K., Bishop A.R. Solitons in polyacetylene and relativistic-field-theory models. // Phys. Rev. В 1981.- V.24.- N.8.- P.4859-4862.

237. Su W.P., Schrieffer J.P., Heeger A.J. Solitons in polyacetylene // Phys. Rev. Lett.- 1979.- V.42.- №25.- P. 1698-1701.

238. Burroughes J.H., Bradley D.D.C., Brown A.R., Marks R.N., Mackay K., Friend R.H., Burns P.L.& Holmes A.B. Light-emitting-diodes based on conjugated polymers //Nature 1990. - V.347.- №6293.- P.539-541.

239. Heeger A.J., Parker I.D., Yang Y. Carrier injection into semiconducting polymers: Fowler-Nordheim field emission tunneling. // Synth. Metals- 1994.- V.67.-P.23-29.

240. Baigent D.R., Greenham N.C., Gruner J., Marks R.N., Friend R.H., Moratti S.C., Holmes A.B. Light-emitting diodes fabricated with conjugated polymers -recent progress. Synth. Metals- 1994.- V.67.- P.3-10.

241. Валеева И.Л., Антипин B.A., Лачинов A.H., Золотухин М.Г., Электролюминесценция в тонких пленках полимеров с невырожденным основным состоянием. //ЖЭТФ- 1994.- Т.105.- В.1.- С.156-167.

242. Као К., Хуанг В. // Перенос электронов в твердых телах. М.: Мир. -1984.-Т.2.-С.281.

243. Hwang W., Као К. On the theory of filamentary double injection and electroluminescence in molecular crystals. // J. Chem. Phys.- 1974.- V.60.- N.10. -P.3845-3855.

244. Букингем M. // Шумы в электронных приборах и системах. М.: Мир. -1986. -С.83.

245. Adler D., Henish Н.К., Mott N.F. The mechanism of thresold switchung in amorphous alloys. // Rev. Mod. Phys. 1978.- V.50.- N.2.- P.209-220.

246. Антипин B.A., Валеева И.Л., Лачинов A.H. Электролюминесценция в тонких пленках полимеров, обладающих аномально высокой проводимостью // Письма в ЖЭТФ 1992,- Т.55.- В.9.- С.526-529.

247. Pease D.C. Histological techniques for electron microscopy, Academic Press, New York, 1964, 246 P.

248. CMM-2000T, ЗАО «КПД», Москва, Зеленоград, МИЭТ, Технопарк.- 1998.

249. Эдельман B.C. Сканирующая туннельная микроскопия. // ПТЭ 1989.-№5.- С.25-49.

250. Kornilov V.M., Lachinov A.N. Electron-microscopic analysis of polymer thin films. // Journal de Physique- 1993.- V.3.- P.1585-1588.

251. Корнилов B.M., Лачинов A.H. Электропроводность в системе металл-полимер-металл: роль граничных условий. // ЖЭТФ- 1997.- T.l 11.- №4.- С. 1513 1529.

252. Fabish T.J., Saltsburg Н.М., Hair M.L. Charge transfer in metal/atactic polystyrene contacts // Journal of Applied Physics- 1976.- V.47.- №3.- P.930-939.

253. Duke C.B. and Fabish T.J. Charge-Induced Relaxation in Polymers. // Phys. Rev. Letters- 1976.- V. 37.- №16.- P.1075 1078.

254. Harper W.R. Contact and Frictional Electrification. Claredon Press, Oxford. -1967.

255. Davies D.K. The examination of the electrical properties of insulators by surface charge measurements. J.Sci.Instrum., 1967, v.44, N7, pp.521-524.

256. Davies D.K. Charge generation on dielectric surfaces. // Brit. J. Appl. Phys. (J.Phys.D)- 1969,- Ser.2.- V.2.- P.1533-1537.

257. Arridge R.G.C. The static electrification of nylon 66. // Br. J. Appl. Phys.-1967.- V.18.- P.1311-1316.

258. Kittaka S., J.Phys.Soc. Jpn.- 1959.- V.14.- P.532 .

259. Tsutchida E., Kitajima M., Yao Т., and Shinobara I., Kogyo Kagaku Zasshi -1966. -V.69.- РЛ 351-1354.

260. Harper W.R. The Volta effect as a case of static electrification. // Proc.R.Soc. A- 1951.- V.205.- P.83-105.

261. Vick F.A. Thteory of contact electrification.// Br.J. Appl. Phys. Suppl.- 1953.-№4.-P. 1-5.

262. Bausser H., Klopffer W., Rabenhorst H. // Advances in Static Electricity. -Brussels Auxilia. 1971. - V.l. - P.2-9.

263. Krupp H. Production of multiply charged ions in gas dicharge ion sources. // Nucl.Instrum.Methods.- 1970.- V.90.- P. 167-172.

264. Hays D.A. and Donald D.K. // Proceeding of Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena (Nat'l. Acad . Sei. Washington, D.C., 1972) p.74.

265. Hays D.A. Contact electrification between mercury and polyethylene: Effect of surface oxidation. //J.Chem.Phys.- 1974.- V.61.- P.1455-1462.

266. Andre J.M. Electronic Structure of Polymers and Molecular Crystals, ed. by J.M. Andre, J. Ladik, and J. Delhalle, Plenum, New York, 1975, 436 P.

267. Meier H., Organic Semiconductors, Verlag Chemie, Weinheim, 1974, Chaps. 2, 7, and 10.

268. Gibson H.W. Linear free energy relationships. V. Triboelectric charging of organic solids. // J.Am.Chem.Soc.- 1975.- V.97.- P.3832-3833.

269. Hirsch J., and Martin E.H. Electron-induced conduction in plastics II. Bulk excitation in polysterene and other insulating polymers. // J. Appl. Phys.- 1972.-V.43.- P.1008-1014.

270. Hermanson J. Elementary Excitations in Solids, Moléculas and Atoms, ed. by Devreese J.T., Kunz A.B., and Collins T.C. Plenum, New York, 1974, Part B, P. 211.

271. Duke C.B., Lipari N.O., and Pietronero L. The interaction of electrones with molecular vibrations of benzene. // Chem. Phys.Lett.-1975.- V.30.- P.415-420.

272. Wong S.F., and Schulz G.J. Vibrational Excitation in benzene by electron impact via resonances: Selective rules, // Phys.Rev.Lett.- 1975,- V.35.- P.1429-1432.

273. Richardson J.H., Stephenson L.M., and Brauman J.I. Photodetachment of electrons with the molecular vibrations of benzene. // J.Chem.Phys.- 1975.- V.63.-P.74-76 .

274. Dewar M.J.S., Zoebish E.J., Healy R.F., and Stewart J.J.P. AMI: A new general purpose quantum mechanical molecular model. // Am. Chem.Soc.-1985.-V.107.- P.3902-3909.

275. Andre J.M., Delhalle J. And Bredas J.L., "Quantum Chemistry Aided Design of Organic Polymers", World Scientific, Singapore, 1991.- 537 P.

276. Christophorou L.G., Carter J.G., and Christodoulides A.A., Long-lived parent negative ions in p-benzoquinone formed by electrone capture in the field of the ground and excited states. //Chem. Phys. Lett.- 1969.- №3. P.237-240.

277. Миронов B.A., Янковский С.Я. // Спектроскопия в органической химии. -М.: Химия. -1985, С 317.

278. Медведев Э.С., Ошеров В.И. // Теория безызлучательных переходов в многоатомных молекулах. М.: Наука, 1983.

279. Wu C.R., Johansson N., Lachinov A.N., Stafstrom S., Kugler Т., Rasmusson J., Salaneck W.R., The chemical and electronic structure of the conjugated polymer poly(3,3'-phthalidyliden-4,4'-biphenylilene). // Synth. Metals 1994.- V.67.- P. 125128.

280. Архипов В.И., Руденко А.И., Андриеш A.M., Иову M.C., Шутов С.Д. Нестационарные инжекционные токи в неупорядоченных твердых телах. Кишинев, "Штиинца", 1983, 175 С.

281. Bonham J.S., Jarvis D.H. A new approach to space-charge-limited conductive theory. // Aust.J.Chem.- 1977.- v.30.- №4.- P.705-720.

282. Мотт Н.Ф., Генри P.B. // Электронные процессы в ионных кристаллах. -М.: Иностранная литература. 1950.- 237 Р.

283. Nespurek S., Obrda J., Sworakowski J. A study of traps for current carriers in organic solids. // Phys. Stat. Sol. 1978. - A46.- P.273-280.

284. Nespurek S., Sworakowski J. A differential method of analysis of steady-state space-charge-limited current-voltage characteristics. // Phys. Stat. Sol.- 1977. A41.-P.619-627.