Экспериментальное исследование лазерно-стимулированных реакций на границе жидкость-твердое тело тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.03 ВАК РФ

институт общей физики

На правах рукописи УДК 621.373.826:621.793

брук михаил ремович

экспериментальное исследование лазерн0-стшулир0ванных реакции на границе жидкость - твердое тело

01.04.03 - радиофизика, включая квантовую

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата фдзико-математических наук

к

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

Москва - 1992 г.

Работа выполнена в Институте общей физики РАН

Научные руководители - доктор физ.-мат. наук Б.С.ЛУКЬЯНЧУК,

- кандидат фга.-мат. наук Г.А.ШФЕЕВ.

Офицальные ошоненты - доктор физ.-мат. наук С.В.Гапонов, :

- доктор физ.-мат. наук В.И.Конов..

Ведущая организация' - НИЦГЛАН.

на заседании специализированного советг. Д-003.49.02 в Институте общей физики РАН (г. Москва ул. Вавилова 38).

Защита состоится

Ученый секретарь специализированного совета доктор физ.-мат. наук

В.П.БЫКОВ

г: • ■; р э

I Общая характеристика работы.

Актуальность исследований. Одним из актуальных направлений в современной радиофизике является изучение взаимодействия лазерного излучения с, веществом. Такие исследования наряду с общенаучным интересом имеют ряд практических применений в области мгосроэлек-. троники и интегральной оптики. В частности, для увеличение степени интеграции элементов и .создание трехмерных микросхем, в последний годи широко используется излучение различных типов лазеров. Наибольший объем исследований посвящен изучению физико-химических процессов, инициируемых излучением либо, непрерывных лазеров (Аг+, Кг+, УАС:Ш3+), либо эксимерннх лазеров [1,2]. В связи с требованием перехода в микроэлектронике и интегральной оптике к субмикронным размерам, наиболее широкое применение получили эксимерные лазеры, представляющие собой громоздкую, сложную и дорогую технику, включающую специальную оптику. Кроме того при эксплуатации этого класса лазеров возникают проблемы, связанные с экологической чистотой. Поэтому представляется актуальным исследование возможности использования хорошо отработанного лазера на парах меди для решения технологических задач. С одной стороны, по таким параметрам, как длительность импульса и пиковая мощность, лазер на парах меди стоит в одном ряду с эксимерными лазерами. Это позволяет с его помощью, такта как и с помощью эксимерных лазеров, реализовать, за счет вовлечения нелинейных и неравновесных процессов, физико-химические явления, не реализуемые при воздействии излучения непрерывных лазеров. С другой стороны, частота повторения импульсов в лазере на парах .меди на два порядка выше, чем в случае эксимерного лазера, что позволяет реализовывать процессы, трудно реализуемые с помощью эксимерных лазеров, и значительно увеличить скорость обработки.

Перечисленные -причины обосновывают актуальность фундаментальных и пршсладных исследований, слузкащих достиканим более глубокого понимания природа и особенностей взаимодействия импульсного лазерного излучения (х к ю не, Р а 100 Вт) с веществом, а токг:е воз^оп-.ностей практического использования этих процессов.

Цель работы: исследование особенностей фнзпко-химических процессов на границе твердое тело - жидкость, обусловленных воздействием юлпульсно-пэрлодаческого излучения. лазера на парах шдл и наличием гадкости, а 'такие возмопностей га использования для локальной' обработки поверхности. Болов конкретно, целью иследовашй являлось:

- исследование физико-химических ьгахшшимов при осандошш ие тал-лов из водных электролитов на п-т;я полупроводника;

- оценка кинетических констант' пирол:ггачоского осаодения золота из растворов трифешшфосфяновых комплексов;

- исследование физико-химических процессов травления полупроводников в сильно разбавленных растворах травителя.

Защищаемые положения.

1. Иод действием излучония лазера на парах кеда о пиковой интенсивностью в интервале I 10а - Ю9 Ет/сы2 кохшо реализовать осазданио металлов из водных расворов электролита на п-тип полупроводника (СаАа, Б1). .

2. Локальная металлизация диэлектрических под покак под действием лазерного излучения моеэт быть реелизована из растворов для хюргаеской металлизации.

3. Инициирование осаздення металла лазером на парах меда из металлосодергшщих органических комплексов позволяет оценить кинетические константы пиролитического разложения 8тих соединена без непосредственного измерения температуры в зоне протекания реакции.

4. Облучение кристаллов полупроводников излучением лазера на пергл мэдя в интервале тковых интенсивностей 1= 5*10®+Ю10 Вт/см2 под слоем Бжвсш нейтральной жидкости позволяет осуществить высокоскоростной рекам локального удаления вещества из облучаемой зоны.

5. Реализация гадкофззного процесса травления, с одновременной кэталлЕЗ&циеЯ отверстия возможно под действием излучения лазера на парах кода.

Кауп'пя новизна работы. В основу диссертации легли оригшаль-ше исследования автора, выполненные за последние пять лет. Установлен ряд новых явлений и закономерностей, предложены теоретические модели, позволяющие объяснить - конкретные физико-химические процессы на гражце твердое тело - жидкость при лазерном воздействии. К числу приоритетных результатов автор относит:

1 Обнаружение эффекта двухстадийного осаэдешя меда на п-тип полупроводника с быстрой стадией порядка времени экспозиции и медленной стадией длительностью порядка 10 мшу т. Быстрая стадия осаждения и наблюдавшаяся кольцеобразная форма осадка могут быть объяснены совместным действием терыоэде и эде Дембера.

2 Обнаружение наличия времени активациеннего рекиаа при лазерном ишщировакв! реакции химического никелирования.

3 Разработка методики определения кинетических констант шроли-тического оеввденля металлов из растворов без непосредственного измерения тешературц.

4 Экспериментальную реализацию высокоскоростного процесса локального удаления вещества под слоем химически нейтральной жидкости, не связанного с химическим травлением.

Практическая ценность работы связана с возможностью использо-ва1шя исследованных явлений для управления процессами в химической технологии. На базе проведенных исследований создана установка и

методика лазерной кидкофазной обработки полупроводников.

Апробация работы. Материалы диссертации докладывались на Всесоюзных и Международных конференциях, совещаниях, симпозиумах, школах, семинарах. Перечислим некоторые из них: 7ВЯ Всесоюзная конференция по взаимодействию оптического излучения с веществом (Ленинград 1988)¡Optica'88, Third International symposium on modern optica (Budapest 1968); 137th Event of the federation of Eurpean chemical societies, Int. conf. on "laser Induced' chemistry" (Be-chyne, Czechoslovacia 1939); XIII Международная конференция по когерентной и не линейной оптике, (Минск, 1988); Всесоюзный семинар "Лазерная техника и ¿технология" (Вильнюс 1988); Международная школа "Лазеры и их применения" (Саяногорск, 1989); 2nd European conference on quantum electronics EQEC'89 (Dresden, GDR, 1989); V Всесоюзный семинар "Фотофизика поверхности" (Овсяное, 1989); Международная школа "Лазерная микрообработка поверхности (Ташкент, 1989); Е-MRS/ICEM'91 (Strasburg 1991); (Черновцы 1991); 2й Советско-греческий семинар "Лазеры и их применения" (Москва 1991).

Материалы диссертации также докладывались на научных семинарах ИОФАН и Сегедского университета им. А.Еожефа.

Публикации. Основное содержание диссертационной работы изложено в 10 статьях, опубликованных в отечественных и зарубежных журналах, список которых приведен в конце автореферата.

Объем работы. Дисертация состоит из введения, трех глав, заключения и списка литературы. Диссертация содержит /2О страниц машинописного текста, включая¿// рисунок, одну таблицу и библиографию из ¿О наименований, включая 10 авторских публикаций. Личный вклад автора. Все вошедшие в диссертацию результаты, получены лично автором, либо при его непосредственном участии. Постановка задач и разработка моделей, качественно объясняющих экспери-

кэлтаяывю результата! проводилась совместно с Г.Л.Игфевим. Рад

теоретических расчетов к гл. I осуществлен в тоорчосяом сотрудничество с колэгвет из State University or Hew York at Pulíalo, которшл ODTcp шраязет искрошпзв признательность.

Обсуидошю акспэргагэнтальшх результатов задач, ксслэдуогда в гл. 3, происходило сопистзю с Б.С.Яукытчукоя.

2. Содоргантэ работн.

Дггссертацня состоит пз сведения п 3х глав основного содержания.

Во введении обоснована актуальность диссертационной работа, сформулирована ее цель.

3 Iой главе изучается процесса осокдешш гаталлов из водшх растворов электролита на полупроводник.

Во 2ой глазе изучаются процесса сса^опля кэталлов, не зависящей от влэктричвеюк свойств подлости. Это -осаядапио из растворов для ZET.340CIÍOÍI мзгаллпзацот к растворов мвталлосодерзспзсс органячв-CICTX КОгЗИЭКСОБ (ШС). Эти процесса погут бнть использовали дал оаегдакпя металлов па д/з подлога.

В 35Й главе изучаются процессы травления поаерхлостп под слоем "'ПДЧООТИ.

Пэрэйдом к более подробному пзяпгняв содорггзвяя дггссортсции. Во введении обоснована схгуальяость дпссэртациошоЯ работы, сформулирована ее цель, пзлогэпн защищаемая положения, а такпз приведено распределение материпла по главам.

В первой главе исследуются процессы осаждения металлов из вод-шк растворов электролитов на полупроводшпси п-тша при воздействии кятульсно-пориодичоского лазерного излучения.

В §1.1 дан обзор литературы по томе первой главы. Кратко перечислены основные мехаштзш осаздония металлов из водных растЕО-ров электролитов на - поверхность подложки при воздействии лазерного

излучения. В более ранних исследованиях ряда авторов [31 было экспериментально установлено, что при воздействии непрерывного излучения и отсутствии внешнего электрического поля металл из электролита осаадается только на полупроводник р-типа, тогда как на п-тип осахдение отсутствует. В случае воздействия импульсно-пзриодического лазерного излучения ситуация качественно меняется за счет вовлечения неравновесных я нелинейных процессов. В широком диапазоне параметров лазерного излучения было обнаружено осаздеше металла из электролита на полупроводник п-типа, тогда как, в .случае р-типа осаадение отсутствует,

В §1.2 описана схема экспериментальной установки, на которой проводились исследования химических реакций инициируемых на граница жидкость твердое тело. Для инициирования реакций использовался лазер на парах меди (Х=0.51мкм, т = 10 не, Г«10 кГц). Была собрана специальная схема, позволяющая проецировать маску на подложку с уменьшением 500 раз. Эта устадовка значительно упростила проведение исследований химических реакций на границе жидкость твердое тело. Далее приведены результаты исследований осаддения меди из электролита на поверхность п-СаАв н Б1. В процессе осандения шевтея две стадии - быстрая и медленная. Быстрая соответствует осазденшв значительного количества металла за несколько импульсов лазерного излучения. Медленная стадия осаадения соответствует увеличению размера осадка в ширину и высоту- на 10 -г Ь0% за время 10*15 минут при сохранении контакта образца с раствором. Медленная стадия наблюдается при освещении осааденной дорожки лазерным • излучением, интенсивность которого на несколько порядков меньше интенсивности, стимулирующей осаадение.

Осадок на ранних стадиях имеет кольцеобразную форму - металл осакдается на периферии освещенной области, а поверхность в центре протравлена. При более длительной экспозиции происходит зарастание

центральной области. Осадок обладает хорошей адгезией к поверхности полупроводника. Тип Контакта зависит от мощности излучения, инициирующего осаждение, и мокет.быть как барьерным, так и омическим.

Приведены типичные зависмости геометрических размеров и морфологии осаздодашх дорокек от интенсивности лазерного излучения инициирующего осаздение, скорости сканирования пучка по подложе и концентрации электролита.

В § 1.3 показано, что кольцеобразная форма осадка и отсутствие осавдения на полупроводник р-типа могут быть объяснены действием следующей разновидности фотозлектрохимического механизма. Осавдешта металла из електролита происходит за счет эдс Дембера и термоэдс. Известно [41, что эдс Дембера и термоэдс для электронного полупроводника направлены в одну сторону, а для дырочного полупроводника -в противоположна, т.е. в первом случае потенциалы суммируются, а во втором - вычитаются. Отсутртвие осавдения на полупроводник р-типа при кмпульсно-периодическом воздействии может быть объяснено тем, что необходимая для осавдения разность потенциалов не достигается.

Сфорлулирована математическая постановка задачи. Получены уравнения, описывающие динамику изменения термоэдс и эдс Дембера. Форма осадка определялась интегрированием нестационарного неоднородного тока осавдения.

В § 1.4.Приведены результаты численных расчетов математической модели, сформулированной в § 1.3. Анализ динамики изменения суммарного потенциала показал, что область максимального потенциала в течении импульса и некоторое время после его окончания движется от центра к периферии освещенной области. Потенциал вблизи центра после окончания лазерного импульса падает. Наличие корреляции медду пространственым профилем эдс и формой осадка на ранних стадиях свидетельствует в пользу предложенного механизма осавдения..

В § 1.5 приведены основные результаты главы.

Во второй главе диссертации рассмотрены процессы осаждения из растворов металлосодержащих органических комплексов (МОК) и растворов для химической металлизации.

В § 2.1 сформулированы основные отличия рассматриваемых процессов от системы, исследованной в первой главе диссертации. Такие процессы менее критичны к электрическим свойствам подложи. Это объясняется тем, что атом металла находится либо в електронойтраль-ноы виде (в случае растворов ЫОК), либо в виде иона (в случае растворов для химической металлизации, когда в растворе содержатся как окислитель, так и восстановитель). К отличиям от процессов, рассмотренных в предыдущей главе, относится и то, что осоздение металлов из растворов монет происходить под действием непрерывного лазерного излучения [1,2,53.

В § 2.2 дан обзор литературы по осаадению металлов из растворов для химической металлизации. Описан механизм протекания реакции и его особенности, возникающие при инициировании реакции излучение« непрерывного лазерного излучения. Отмечено, что импульсно-периодическоэ воздействие приводит к особенностям протекания реакции и в этом случае.

В § 2.3 исследуются особенности протекания реакции химического никелирования при воздействии лазерного излучения. Экспериментально показано, что при определенных условиях реакция химического никелирования, пинцированная в произвольном месте медной дорокки, распространяется на всю медную дорожку. Показано, что при лазерном воздействии осуществляется активация поверхности поддоиси. Это выражается в том, что на той части поверхности подложки, которая подвергалась воздействию лазерного излучения, может протекать реакция химической металлизация, в то время как на остальной части осаждение отсутствует. Осаждение начинается спустя некоторое характерное

время - время активации. Обнаружено, что активированное состояние поверхности полупроводников сохраняется в течении долгого времени, т.о 4 реакция металлизации монет происходить как'непосредственно во время лазерной обработки, так и спустя некоторое время.

В § 2.4 исследуется кинетика пиролитического осаздения золота из трифешлфосфшовнх комплексов одновалентного золото. Для оптимального подбора МОК в копкротных задачах по осавдешго необходимо знать кинетические константы реакции[I,2,6-8]. Предложена методика, позволяющая определить кинетические константы реакции осандения без непосредственного измерения температуры.

В 5 2.4.1 предложена методика позволяющая в линейном приближение оценить кинетические константы пиролитического осандения при при воздействии импульсло-периодического излучения. Эксперкмонталь-но определялась скорость осаздения золота (до^) для трох или более (1)значоний лазерной мощности Значения кинетических констант

получаются из решения переопределенной системы уравнений:

Т

\1>4=Ь с ехр( --— )

Г„ + аР

к

где: с - концентрация МОК в растворе, к - предзкстгононцивлышЯ множитель, Та - температура активации разложения КОК, Г1{ - комнатная тегатаратура, а а ~ коэф$яцепт пропорционально "ти кокду тетяпэратурой и средней мсцностыз лазерного излучения. Результаты исследования сведет в таблиц/. Обсуядается пределы применимости предложенной модели.

В 5 2.4.2 исследуется осаидениэ золота при инициировании реакции непрерывным лазерным излучением. Осаздение осуществлялось на стеклянную подложку с напыленной на нее тонкой металлической пленкой. Величина температуры подложки в области протекания реакции определялась численным решением уравнения теплопроводности. Значение энергии активации получалось из тангенса угла наклона оррени-

усовской кривой. Расчеты кинетических констант обоими этими мотодоками дают близкие значения. Полученные результата позболяют осуществить выбор оптимального соединения для конкретной задачи. .

В 8 2.6 приведены основные результаты главы.

В третьей главе рассмотрены процессы травления полупроводников. Процессы травления и осавдения обусловлены одними и теми не механизмами (91. Рассмотрена область параметров лазерного излучения, когда в освещенной области на' поверхности доминируют процессы трав-лония. Эти исследования были ориентировшш на создание высокоскоростной, но низкотемпературной обработки полупроводников. Такое сочетание вайю обеспечить, например, в случае полупроводников с мелким легированием или таких, как CdJI^ _zTe.

В § 3.1 дан обзор литературы по изучаемой проблеме. Отмечено, что высокие скорости протекания реакции могут бить связаны со снятием диффузионного лимитирования процесса [1,2,6-8]. Рассматривается несколько факторов, приводящих к снятию диффузионного лимитирования. К ним относятся:

- малые размеры области протекания реакции;

- мощные конвекционные потоки в кидкости;

- мощные термодкффузионные потоки.

В § 3.2 исследуется травление CdzIig1 _хТе под слоем кидкости. Эксперименты по лазерно-стимулировашюму травлению проводились по той кэ схеме, что и эксперементы по осаждению металлов, но при несколько иных значениях параметров лазерного излучения.

При увеличении концентрации травителя зависимость глубины про. травленных в КРТ канавок от скорости сканирования лазерного излучения по подложке становится немонотонной, на зависимости появляется максимум. Наличие втого максимума может быть объяснено, например, термодиффузионными потоками. Молекулы Brg, поглощающие излучение, перемещаются за счет термодаЗфузии в более нагретую область. Благо-

даря этому формируется положительная обратная связь давду температурой и концентрацией, и в среде развивается термодиффузионная неустойчивость [101: Обогащенная травителем область принимается к поверхности раствора над кристаллом. В этом случае максимум на зависимости 'глубина - скорость' можно интерпретировать как "просветление" канала, обусловленное срывом термодаффузионной неустойчивости и уменьшением оптической толщины с ростом скорсти сканирования. [

Отмечено, что инпульсно-периодическое воздействие приводит к ряду особенностей и в этом случае. Оказалось, что эффективное удаление вещества подложки в области воздействия лазерного излучения глогсет происходить' и в отсутствии травителя под слоем химически нейтральной гладкости, например, дистиллированной воды, ДМФА, ДМСО.

Высокие скорости этого процесса связаны, презде всего с тем, что при лазерном воздействии 'в поверхностном слое твердых тел происходит генерация неравновесных дефектов типа вакансий, вакансион-ных пор, дислокаций и т.п., которые влияют на физические и химические свойства поверхности, а так же на энерго- и массоперенос вблизи поверхности, и, следовательно, на кинетику и динамику различных физико-химических процессов. Теория этого вопроса развивалась, например, в работах Ш-141. Высокая частота повторения импульсов приводит к быстрой эволюции ансамбля неравновесных дефектов. Генерация дефектов может также происходить и вследствие акустической волны, возникающей на границе раздела твердое тело - жидкость, и 'большого числа циклов нагрева и охлаждения освещенной области. Когда концентрация вакансий достигает значений 1019см~3, в ансамбле вакансий начинают сказываться кооперативные эффекты, приводящие к структурным и фазовым переходам как в- самом ансамбле точечных дефектов, так и в кристаллической решвтквСИ-143.

Сильное влияние на скорость исследуемого процесса оказывают

такко высокая тешзрэтура поверхности в конце шлульса лазерного излучения (моаот достигать внпчония температура шшвл-зпня), генерация ттеноявпого звука п аффекты, связанные с образованием мшсропу-.еырьков вблизл поверхности.

В 5 3.3 исследуется возможность хадкофазного травленая полупроводнике с одновременной металлизацией стоно;с отверстия. Характер процесса сильно загасит от интенсивности лазерного излучопля. Скорость процесса резко увеличивается, если иятэнсканоо-ть превышает некоторое характерное для дшппк екешр^зкт&шых услов;1й значение. •

В качестве примера технологического применения исследованного процесса, реализовано изготовление бойшгчного контакта - сквозного металлизированного отверстия в полупроводниковой подлозке. Приведэ-ш результаты Оке-анолиза такого контента, изготовленного в СаАв при использовании раствора Оензолвольфрамтрнкарботла. Оцешси толщины слоя металла, полученные из результатов этого анализа дах/г величену в несколько 1000 А, что вполне достаточно для обеспечена! надежного контакта мовду поворхностяйл полупроводниковой пластины. 3. Оснобшэ результаты диссертации.

1. Экспериментально -подтворадена возможность осадцешм «ода из водных растворов электролитов на п-тип нолупроводшпеов (СаАз, Б1) при воздействии излучения лазера на парах меда. Получзпы кэталлп-чеекпо осадки в виде линий с попзрзчнвди размерами порядка I ккм и хорошей адгезией к поверхности полупроводника. Показано, что изменяя параметры лазерного воздействия мокко получать как омический, так и барьерный тип контакта металл/полупроводник, что позволяет осуществить изготовление нелинейных элементов - диодов, транзисторов.

2. Обнаружена двухстадийность осаждения моди из водных растворов электролитов с быстрой стадией длительностью порядка времени

импульса и медленной стадией длительностью порядка 10 мил.

3. Предложена модель, объясняющая быструю стадию осаядения совместным действием термоэдс и аде Дембера. Численный расчет формы осадка в соответствии с предложенной моделью согласуется с формой, наблюдаемой в эксперименте.

4. Обнаружено, что при лазерном воздействии осуществляется активация поверхности полупроводниковой подложки. Это выражается в том, что на той части поверхности полупроводника, которая подвергалась воздействию лазерного излучения, могаэт протекать рэакщг химической металлизации, в то время как на остальной часта осаэдо-ние отсутствует. Реализована локальная металлизация диэлектрических подлонок.

5. Предлокенна методика оцегаси кинетических констант реакции лазерно-сгимулированного пиролитического разложения МОК. Полученные результаты позволяют осуществить оптимальный выбор.МОК для конкретных практических задач. Определены кинетические константы для восьми трифенил}осфяновых комплексов золота.

6. При облучении полупроводниковых кристаллов излучением лазера на парах меди в интервале попсовых интэнсизпостеЗ 1= 5лЮ8-г Ю10 Вт/см2 под слоем хлмчески нейтральной гшдкг та реализован реким локального удаления вещества из облучаемой зоны не связанный с химическим трввлониэм. Под действием излучения лазера на парах меди реализован режим, при котором кидкофвзный процесс удаления вещества осуществляется одновременно с металлизацией отверстия. С помощью такого воздействия изготовлен электрический контакт меяду различили! уровнями микросхем.

Основные результаты диссертации опубликованы в статьях:

1. М.Р.Брук, Ф.В.Бункин, ГО.Е.Назаров, Г.А.Шзфеев. Осавдэкке металлов на полупроводники из водны), растворов под действием лазера на парах меда. Препринт ИОФАН И286, Москва, 1987.

2. L.Nanal, I.Hevesl, r.V.Bunkln, B.S.Luk'yanchuk, К.R.Brook, G.A.Shafeev, D.A.Jelskl, Z.C.Wu, T.F.George, Lauer-Induced metal deposition on semiconductors from liquid electrolytes. Appl. Phys. Lett, v.54, £8, p.736-738, (1989).

3. Z.C.Wu, D.A.Jelskl, T.F.George, L.Nanal, I.Hevesl, F.V.Bun-kin, B.S.Luk'yanchuk, M.R.Brook, G.A.Shafeev. lbdel oi laser-Induced metal deposition on semiconductors from liquid electrolytes. Chemistry of Materials JSI, p.353, (1989).

4. М.Р.Брук, Ф.В.Бункин, А.А.Лялин, Г.А.Шафеев. Кинетика лазер-но-стимулированного травления HgxCd1_хТе. Квантовая электроника, т.17, Ш, с.931-933, (1990).

б. М.Р.Брук, Е.А.Морозова, Г.А.Шафеев. Лазерно-стимулированное химическое осакдение никеля. Известия АН СССР сер Физическая, т.54, JSI2, С.2480-2485, (1990).

6. М.Р.Брук, Е.А.Морозова, Г.А.Шафеев. Лазерно-стимулировалное химическое осаадение никелевых пленок. ФХОМ, JiВ, с.85, .(1991).

7. M.R.Brook, K.I.Granberg, C-.A.Shafeev. Kinetics of laser-Induced Au pyrolytlc deposition Irom the liquid phase. Appl. Phys., A52, p.78-81, (1991).

8. М.Р.Брук, Г.А.Шафеев, В.С.Петросян, В.П.Дядченко, К.И.Гран-Оерг, Е.И.Смыслова. Кинетика лаБерно-стимулировашюго осакдэяыя золота из жидкой фазы. Квантовая электроника, т.18, Ю, с.1088-1092, (1991).

9. M.R.Brook, G.A.Shafeev. Laser-assisted engraving of HgCdTe under a liquid layer. Applied Surface Science т.54, pp. 336-340, (1992).

10. Н.Р.Брук, . Б.С.Лукьянчук. Г.А.Шафеев. Лазерно-стимулировапное травление полупрово,щппсов A11~Bv1. Известия АН СССР сер. Физическая т.Бб, М, с. (1992).

Цитирсватшя в автореферате литература:

1. I.H.Boyd: Laser processing of thin films and mlcrostructu-гез; oxidation, deposition and etching of Insulators. Springer Ser. Mat. Scl. Vol.3 (Springer, Berlin, Heidelberg 1987).

2. D.Bauerle: Chemical processing with laseers. Springer Ser. Mat. Scl. Vol.1 (Springer, Berlin, Heidelberg 1986).

3. Ю.Я.Гурэвпч, Ю.В.Плесков. Фотоэлектрохимия полупроводников. М., Наука, 1983.

4. В.Л.Бояч-Бру'оЕпч, С.Г.Калашников Физика полупроводников. М., 'Наука', 1977.

5. А.А.Еременко, В.К.Козлова, А.И.Портнягин, А.Н.Рсманчепко, А.Е.Филиппов. Влиянне оптического излучения на процоссхга.шчоского никелирования. Квантовая электроника. .'311, c.16T7-I679, (1984).

Б. D.Baurle, B.Luk'yanchuK, K.PIglrcayer. On the reaction Kinetics In laser-induced pyrolytlc chemical processing. Appl. Phya. АБ0. p. 385 (1990).

7. N.A.Klrichenlco, K.Plglrcayer, D.Baurle. On the Kinstlc3 of non-equlmoleqular reactions In laaer chemical processing. Appl. Phys. A51, p.498, (19S0).

8.B.Luk'yanchu]c, K.Plglmayer, If.A.Kirlchenko, D.Baurle. Inversion effects in the Kinetics of laser-chemical processing. Physlca A180, p.285, (1992).

9. Ф.В.Бунккн, Н.Л.Шфаченко.Б.О.Лукьяичук. Неравновесные процессы в лазерной макрокшютике. Известия АН СССР Я 12, с. 58-72, (19Й7).

10. Бугасш Н.Д,, Лукьянчук Б.С., Шафэев Г.А. Термодиффузиоп-

ная неустойчивость 'и образование структур при лазерном нагреве поглощавдих кидкостей. Квантовая электроника, т. 12. с. 2391-2393, (1985).

11. В.И.Бойко, Б.С.Лукьянчук, Е.Р.Царэв. Генерация и фазовые переходы в ансамбле упруго взаимодействувдях вакансий при лазерном нагреве металлов. Труды ИОФАН т.30, Лазерная генерация неравновесных деффактов в твердом теле, ред. Ф.В.Бункин, с.6-82, (1991).

12. Е.Б.Яковлвв. Изменение вязкости при плавлении твердых тел. Металлофизика, т.12, ХВ, с.45, (1930).

13.-В.И.Емельянов. Нелинейные волны, и.: Наука 1989, с.198.

14. Я.В.Фаахов, И.Б.Хайбулин, Р.М.Баязитов, Е.Ы.Мисюрев, Р.Гретчел. Анизатропное локальное плавление монокристаллиического ы имплантированного кремния импульсами некогерентного света.Поверхность. Физика,, хишя, механика II, с.61| (1989).