Электрическая активность границ зерен в кристаллах профилированного кремния тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ В. И. ЛЕНИНА

На правах рукописи

ИЛЬЯШУК Юрий Михайлович

УДК 621.315.592

ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ АКТИВНОСТЬ ГРАНИЦ ЗЕРЕН В КРИСТАЛЛАХ

ПРОФИЛИРОВАННОГО КРЕМНИЯ

•

01.04.10 — физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Минск — 1993

Работа выполнена на кафедре фвзики полупроводников Белорусского государственного университета тени В.И.Ленина.

Научный руководитель:

кандидат фгаихо-цатеыатических наук, доцент Федотов А.К.

Официальные оппонента:

доктор физико-математических наук, профессор Борасеосо В.Е. (Минский радиотехнический институт).

кандидат физико-математических неук, доцент Лукашевич Т.А. (Белорусская политехническая академия).

Ведущая организация:

Институт твердого тела и полупроводников 1Н Белорусх.

Защита диссертации состоится

1993г. в 056.03.05

часов на заседании специализированного Совета Д по приеуадению ученой степени < кандидата физико-математических наук в Белорусской государственной университете имени В.И.Ленина (2200801 Минск, проспект Ф.Скорины, 4, ауд. 206).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Белорусского государственного университета имени В.И.Ленина.

Автореферат разослан " 1993Г.

Ученый секретарь Совета, кандидат физико-математических наук, доцент

В.Ф.Стельмах

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность теми. Профилированный поликремний, полученный методом Степанова, является перспективным материалом для производства фотопреобразователей. Однако его широкое применение сдергивается наличием в нем электрически активных границ зерен (ГЗ). При втом кроме практического интереса к межзерешшм границам, связанного о поиском возможностей их пассива'-ди, они вызывают и чисто физический интерес, т.к. представляют уникальный тип "внутренней" поверхности раздела в полупроводнике, не контактирующей с инород-шми средеш. Наблюдение на ГЗ большого спектра двух- и трехмерных еффектоз ысзет значительно расширить наше понимание физических явлений в полупроводниках в целом. Однако, несмотря на значительный объем литературных данных в этой области, ряд важнейших вопросов электрогспЯ индивидуальных ГЗ в полупроводниках, до сих пор оставался нерегешшм. К числу последних, по крайней мера применительно 35 гермашш а кргшспо, ыокно отнести следующие: недостаточное понимание природы пограничных состояний и, соответственно, особенностей протёккзтя электронных процессов на ГЗ в полупроводниках; пе-кзучмтость взаимосвязи тала ГЗ (т.е. ее атомной структуры, ориентации и т.д.) и их ¡электрической активности: отсутствие четкой качественной й количественной коррелящш меяду химической природой га п их олзк^рической активностью.

Цвльа.рпботи является изучение зериограшачной структуры про-^.цкроватшх кристаллов крешшя (ПК), определение взаимосвязи между кристолдогрэфическиш! параметрами границ зерен и их електричес-коЯ ак'ишноегъв, а такта вняснениэ природа влияния ' електрически активных грзпЗД зерен на токопэреиос в профилированном кремнии.

Для етсго необходимо било решить следующие задачи:

1. Изучать особенности зернограничного ансамбля кристаллов ПК п зависимости с? методов и релшмов их выращивания.

2. Иссдодойать влияние некоторых технологических операций (послеросговая Термообработка, легирование различными примеоями и т.д.) на олехяррзйоекиа свойства кристаллов ПК;

3. Установлю взаимосвязь мегщу кристаллографическими параметрами спонтанно зар-диьгЕНся ГЗ и их электрической активностью по отноаенаи |е основный и неосновным носителям заряда;

4. Изучить вязявпе границ зер.зн на токопореноо в ПК.

г 3 -

Научная новизна.

1. В кристаллах профилированного кремния установлено наличие трех типов зорен, существенно различающихся условиями образования, кристаллографическими параметрами, типом иетзвренних границ, а следовательно, и их вкладом в интегральные електрофизические свойства получаемых кристаллов.

2. Установлено взаимосвязь между кристаллографическими параметрами границ зерен и их елекгрической активностью по отношению к основным и неосновным носителям заряда.

3. Предложена и обоснована феноменологическая модель электрической активности одиночних границ зерен в крупнозернистых полупроводниках .

4. Ьперше исследован низкотемпературный токопереноо через одиночные спонташо зародившиеся границы зерен в кристаллах ПК. В результате установлены основные закономерности и механизмы алект-ропереноса вдоль и поперек плоскооти электрически активных границ различного структурного совершенства, в том числе в области гелиевых температур.

5. Установлено, что пропускание импульоов влектрического тока высокой плотности вдоль електрнчэски активных границ зерен при температуре ¡кидкого гелия приводит к отаигу пограничных дефектов к существенному пониженна или полному уничтожению потенциального барьера па такой граница при одновременном оохранениа высокой продольной проводимости.

6. Установлено, что траиопорт нооителей заряда вдоль плоокоо-ти электрически активной га ооучеотЕллетоя по двум каналец повышенной проводимости и характеризуется Б-образпой вольтаипораой характеристикой.

7. Показано, что границы серен ойцэго топа предотааяяпт ообоЛ естественную гетероструктуру типа полупроводаик-иэталл (оглыниш-роздешшй пол;проводщщ)-пояупрово,щщк оо слогана! потевдиолыю рельефе.«.

Практическая ценнооты

Результаты исследований, виполыеиих в работа, машш. практическое применение в НИК "Сатуры* ара разработке опытно- промшлен-ной технологии производства фотопрообразоаателей ни оонова про-филированного п^ликрешшя. Полученные результаты позволила офорыули-ровать рекомендации и определить пути оптимизации своЯотв иатериа-

ла и повышения эффективности фбтопреобраэователой из профилирован ного поликремния. Они могут быть также использованы при оптимизации свойств поликремния, полученного другими методами.

На защиту выносятся:

1. Особенности и взаимосвязь кристаллографической структуры и электрической активности спонтанно зародившихся границ зерен в кристаллах профилированного кремния различных модификаций.

2. Энергетический спектр плотности пограничных состояний на спонтанно зародившихся границах зерен в кристаллах профилированного кремния.

3. Феноменологическая модель формирования электрической активности спонтанно зародившихся границ зерен по отношению к основным и неосновным носителям заряда.

Апробация работы. Результаты диссертации докладывались и об-суядалисъ на II Всесоюзной конференции "Структура и влектрические свойства границ зерен в. металлах и полупроводниках" (Воронеж, 1987 Г.),' на XII Всесоюзном совещании по получению профилированных кристаллов и изделий способом Степанова (Ленинград, 1988 г.)¡ на II Дальневосточной школэ-оешшаре по физике и химии твердого тела (Благовещенск, 1903г.); на Всесоюзном семинаре "Внутренние границы раздела в материалах елвктрошюЯ техники" (Черноголовка, 1989 r.)¡ на II Иездународпсы симпозиуме по профилированным кристаллом (Будапешт» 1933)1 ua XII Всесоюзной конференции по физкке полупровод-шкюв (¡toen, 1990 г.)} из пвучно-техпической конференции "Перспективные материалы твердотельной электроника. Твердотельные преобра-оевзтэла в автоматике и робототехнике" (Минок, 1990 г.); на науч-по-техиичеоксм ееьшарэ "Шумовыо и дэградацпошшэ процесоы в полу-прозодппкоаих приборах" (Черноголовка, 1990 г.): пе VIII Общей ншфарэшши ESO "Тенденция В фязюее" (Амстердам, 1990)» па Европейской кояфэрешяп "Физика для Индустрия, Индустрия для Физики" (Краноп, 19Э1){ на Моддунородпш сяшозиумэ общества материаловедов США (Еоотоя, 1991).

Публикации. По тома диссертации опубликована 22 работы. Результата работа вс&т в 3 паутаиг отчета по НИР.

Структура я объо' дпссертецаи. Диссертация обстоят из введения, пята глаз о эвзшязнаен по каздой из них, выводов я cratciu. литература. Работа язлогеяа па 194 страницах, вшпячоя 45 рисунков, 6 таблиц и oí '.eos литературы из 119 наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы, сформулированы цель работы, научная новизна и практическая значимость полученных результатов. а такке основные положения, выносимые на защиту.

В первой главе приведен обзор основных способов получения профилированных кремниевых (ПК) кристаллов, а также результатов по изучению влияния дефектов структуры на КПД фотопреобразватедай (ФП), изготовленных на его основе. Показано сильное влияние измеренных границ на параметры ФП. Рассмотрены современные представления об атомном отроении и электрических свойствах границ зерен в полупроводниках. Дан обзор существующих експоргагентальных и теоретических исследований транспорта носителей заряда вдоль к поперек плоскости границ зерен. На основании анализа литературных дашшх выявлены проблемы в данной области и сфорыулироагшш ■ задачи дио-оертационной работы.

Вторая глава посвящена ошоашш измерительной устаиозна п комплекса вкопвримеяташшх метода« яоаяедовошЛ 1фиотоллографц-ческой структуры и електрофизических свойств зерногршшчного ш-самбля кристаллов ПК, а такие одиночных границ зерен, опонтышо зародившихся в них в процесое краотшишзащш.

Приведено описание некоторых ?ехнологкчэокш: реггиов получения изученных крешаевых профилей: мзедсыдратлых конокраотйалнчво-ких лент о тонкой двойниковой проолойкей, ленточных п шюгограшак кристаллов. Профили была легировании бореи до ккщезтрацщ: см--3. Из них вырезались образцы, ораептнрмишшо вдоль дгЗо попэ-рек ооц роста кристалла, а "¡акха вдоль подарок плосксогл ы сюзеренной границы. Образцы иыела вид парзядалошашдоз с длиной (012 мм, шириной 1-2 ш и толдаоЗ около 0,5 ш. Д&т изиорешя оф-фекта Холла, олевтропрозодпоога, велташ яокосого и сшггаа вольтаипорных характерпогак к зши делата сесть Ескгсглсг {дрг исковых в четыре потенциальных). Для псоасдссеаая рвдоиввтркшос;; активности грашщ па юаоишах креышгя бита: создав .¿отоэдэгтега-чеокие преобразователи о глубиной валогащд р-а перехода 0,4-0,5 мкм.

Третья глава посвящена исалвдованюа шгвгралыш сшгзггрэт. > ких свойств кр".оталлов ПК. Представлены результаты кослэдовагш! отруктурпл оообвиноотвй а температурных зоваоЕиостей проводаыоотс

и аффекта Холла образцов профилированного кремния, отличавшихся как по технологии получения и термообработки, так и по характеру содержащегося в них зернограничного ансамбля. Проведена систематизация некоторых електрических свойств таких образцов и установлены взаимосвязи между етими свойствами и технологическими факторами.

Показано, что зеренная структура профилированного кремния представлена в основном зернами трех типов: I тип - крупные одиночные зерна о размерами до 10 мм; II тип - группы узгах пластинчатых зерен параллельных оси роста; III тип - группы зерен, подобных типу II, но отклоненных от оси роста и прилегающих к ГЗ I типа. Наблюдались существенные различия в оубструктуре этих элементов зеренной структуры. В зернограничном ансамбле кристаллов ПК цояно выделить три группы ГЗ! точные специальные ГЗ о обратной плотностью совпадающих узлов &=3П. где п=1,2,3} границы близкие к специальным <2=3П. о углом отклонения ¿9^2°); ГЗ сильно отклоненные от специальных, или границы общего типа (¿9^3*5°). Такая последовательность типов ГЗ отражает и нарастание несовершенства их кристаллографической структуры. Наиболее несовершенными являются общего типа, при формировании которых могло наблюдаться даже иокривлэзтв фронта кристаллизации. ' Показано соответствие между морфологией зерен разного типа в ПК и кристаллографическими пара-иатраии границ неаду шиш. Крупные зерна I типа обычно разделены границами сильно отклоненными от специальных. Практически все ГЗ иекду зорвеып III типа характеризуются двойниковой .^ориентацией о 2=3 и ¿0^=6. Большинство границ иекду зернами II типа близки к &»3П (¡1=1,2), однако лаке в одной группе зерен значения для

разных ГЗ оусэотвешо различаются, в том числе могу* встречаться и • гршСщы обпзэго ТПП8.

У стоков лоно, что специфика морфологии зернограничного ансамбля ГПС (прзЕ»у™вотвэпноо раопологенив плоскостей электрически активных ГЗ общего топа вдоль оса роста кристалла) приводит к ечизо-тропви ого електричаокох свойотв относительно направления роста. Поедероотсвая термообработка (ТО) приводит к трансформации свойств отшс грашщ. Срзда .изученных нами рокпдан ТО к наибольшей однородности своЗота крзоталяов пряводал т чаоовой отжиг в смеси 0о+Н01

о о

прл Та 1200 С и охлаэд^шэ со окорость» 16 С/ыии. Добавление атомов

родаотюиолыпк олемзптоа а раоЬлаа рвотущвго ПК приводит к его частной очиотаэ от наяоотролзруомих примесей и дефектов.

т 7 -

В четвертой главе представлены результаты исследования влект рической активности (ЭА) оданочнх паспортизованных спонтанно зародившихся границ зерен в кристаллах профилированного кремния. ЭА ГЗ, а основном, оценивалась по их влиянию но транспорт основных носителей заряда (ОНЗ). Так же проведено сопоставление активности ГЗ к ОНЗ с их активностью к неосновным носителям заряда (ННЗ), определяемой по величине р е ком бин а ционн о го контраста в рьстровсы электронном микроскопе в режиме наведенного тока (ЕВМ-ыетодакэ).

Установлена взаимосвязь между кристаллографическими параметрами, морфологией и электрической активностью спонтанно зародившиеся ГЗ в ПК по отношению к ОНЗ и ННЗ:

1. Границы пассивные по отношению к основным и неосновным носителям заряда. Это, в основном, границы специального типа с Е=ЭП, где п=1, 2.

2. Границы активные только по отношению к неосновным носителям заряда. Такими свойствами обладают границы, близкие к специальным, а также фасетированные специальные ГЗ с точечный рекомбинационным контрастом.

3. Границы активные по отношению к основала! и неосновным носителям заряда - ГЗ обеого типа.

Величина токового кума на ГЗ такке завиоит от типа границы л возрастает в последовательности: специальные границы - границы слабо отклоненные от специальных - границы зерен общего типа.

Установлено, что ГЗ общего типа обладают ярко выраженной анизотропией электрических свойств. В поперечном направлении они характеризуются потенциальным барьером на пути движения носителей заряда, в котором существуют очень узкие Оезбарьершге места - "окна прозрачности" ("проколи"). В результате транспорт носители, заряда поперек плоскости ГЗ при температурах близких к кошатпоС (100-300 К) определяется ш термоскгатациой через потенциалышГ барьер границы, а при низюя (Т<77 К) - прохоздедаом чорзз ои "окна прозрачности".

При продольной ориантецвь тока по отноаони» в шоскооти ГЕ последняя представляет ооЗоЗ• систему двух каналов поваленной проводимости о Б-образной во^тькаерпей характеристикой. Один каз^ связан непосредственно о "едрси"' границы, в второй - с прагра:: № ной областью. Проводаихт» системы при Т<15 К линейно завхг-

сит от температуры к аааяогкчг» таким же зависимостям для очеш

- в

сильно в!фоадешшх полупроводников либо для неоднородных металлов. При отом кок в поперечном так и в продольном направлениях вти границы характеризуются наличием сильно неоднородного потенциального рельефа.

Установлено, что каждая из особенностей свойств ГЗ общего типа в профилированном кремнии проявляются ьо вполне определенных температурах интервалах, зависящих от хврактера дефекта о-ггримеошх атмосфер на таких границах. Дани объяснения етим особенностям.

В пятой главе на основе описанных в главах 3 и 4 результатов окспериментального исследования влияния меюерешшх границ на &лектрофизические свойства кристаллов профилированного кремния сформулирована и обоснована модель электрической активности спонтанно зародившихся границ в полупроводниках по отношению к основных! и неосновным носителям заряда. Эта модель полностью согласуется с приведенной выше классификацией ГЗ по их кристаллографическому типу и морфологией зернограничного ансамбля в цолом.

Согласно построошюй модели характер и степень октивпооти ГЗ определяется соотношением мегзду шириной области пространственного заряда дефектных центров на граница Я, воровским радиусом носителей на них Гф, расстоянием между дефектпши цвнрама а и диффузионной длиной пробега носителей заряда Ь (рис.1):

а - если а>2Ь, то ГЗ не активна пи к ОКЗ пи к 1Ш; б - если гчкекгь, то ГЗ октивно лишь к ШЗ (рекембинационно активная ГЗ);

в - если 2г^<ос2\'/, то ГЗ активна и к ОНЗ и к ННЗ, но не обладает повышенной продольной проводошетьв;

г - если а<2гф и а<23, то ГЗ, ективная к. ОНЗ и к ННЗ, обладает повышенной продольной проводаюстью;

д - если 2\?<Ж2Гф (иля $=0), то 1В обладает повшенной продольной проводимостью, но на влияет на поперечный .транспорт ОНЗ.

Три последних пушета этой классификации относятся в границам сильно отличовд®4СЯ от специальных разоряэптащтй.

Показано, что споптанпо зародившиеся границы зерен в полупроводниках ворешдаг образом отличаются от границ зерен, выращен а из двойной затравки (бикрястоллов), п фактически является естественными даойшши гетеропереходами типа полупроводюяс-металл (сильно вырожденный полупроводшж)-полупроводник со слошш потепциаль-

\ а

а

к

Рис. 1. Классификация границ зерен по олактричаской активности.

нш рельефом в плоскости границы. Предложена и обосновано модель распределения потенциала в плоскости одиночной електрстескн активной ГЗ общего типа.

Предложенные модели електрической активности 13 и распрад&ле-ния потенциала вдоль плоскости граияцы позволяют качественно описать вое особенности электрофизических овойств опоиташо серодшз-шихся границ зерен в полупроводниках.

В заключении сфорцулировашш основные результаты работы:

1. В профилированных кристаллах крешшя установлено наличие различных типов зерен, существенно отличащихоя услошшыа образования, морфологией, типом ыеааерешшх грашщ, и, как оледотшго, их вкладом в интегральные олектрофззичеокае овойс-тва получаешх крко таллов. Различия тагах овойств у кромпиевых профилей, получении* о помощью разных модификаций способа Степанова, опроделяотоя особенностями их зеренных ансамблей.

2. Установлена взаимосвязь ыеиду краотаялогрйфзчесШ£1 параметрами спонтанно зародившихся грашщ з&роя п йх електричесой активностью по отношению к ошовиш к ыоосношкУ восителг I заряда.

- специальные симметричные граница о обратной плотностью сов-

падающих узлов 2=3. 9, 27 не обладают электрической активностью ни к основным ни к неосновным носителям заряда;

- границы близкие к специальным о углом отклонения от ближайшей специальной ориентации ¿9^2° активны, в основном, только по отноаешго к неосновным носителям;

- границы общего типа о сильным отклонением (Щр>20) от специальных ориентация либо со случоШпг.м углами разориентации соседствующих зерэп активны и к ооновнш и к неосновным носителям заряда.

3. Установлено, что транспорт носителей заряда вдоль плоскости спонтанно зародившейся границы зерен общего типа ооущеотвляетоя по двум каналам повшэтюй проводимости и характеризуется В-образкой вольта;,шэрной характеристикой.

4. Показало, что пропускание вдоль олактрически активной гра-шщи зерен шшуяьеов тока высокой плотности при гелиевых температурах привода? к оущеотвенпому поникешш или полному уничтожению потенциального барьера на ней, при одновременном сохранении высокой продольной проводкиоотя.

5. Из измерений тешерзтуршх зашишоотей поперечных вольт-шяюрлых характерзотш{ я токового пума определено енергетическое расяраделоппо плотности пограшгашх состояний на спонтанно заро-дяпгзгея грогпщзх зерен общего типа в профилированном крешсии, характеризуемое наличием узкого пга?а в области еноргий 0,05-0,15 оВ виза нокодгга валентной зош и гарокого максимума в оередина запрещенной зспи. При 8тем плотность погрши"лшх состояний 'достигает еедгетг вплоть 5'101^

6. Ешгалопо вжятп'о логяровЕНия родкеземедьш олементами и восдэроотоБоЯ тврысобработк« за ппвграшшз олэктрофззичеокав свойства проВалпровашых кряотадкоз ке-зшяш, обусловлепое уменьшением йозцгвтргщга даслмсодай и изменением характера дефзктно-прздзеша атшефзр пз слзктра"вег<я ективши границах зерен.

7. Црвдясггвяэ я обосксвсва фзнсуэнологаческая модель олектря-?гс:сс2 вктЕЕЯоета ажзнотш споятенио аарвдэмягвя границ зерен общего чипа а крупзозертзеткх полупрозоднхжах. Согласно этой модели, актвшооть границ по отнсаешсо к основным и неосновным носят- -яяы заряда определяется соотиевенйем ые-аду шириной областей пространственного заряда дефектных центров на границе, соровским радау сом носителей на етих центрах, расстоянием между втю.'и центрами и

диффузионной длиной неосновных носителей заряда.

8. Показано, что електрически активные границы зерен фактически являются естественными двойными гетеропереходами типа полупроводник-металл (сильно вырокденный полупроводник)- полупроводник

со слокшм потенциальным рельефом в плоскости границы, что позволяет качественно описать все особенности токопереноса вдоль и поперек плоскости границ.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1. Электроперенос по границам зерен в германии и кремнии. / Илья-тук Ю.М., Федотов /.К. // Тезисы II Всесоюзной конференции по отруктуре и електрошаа! свойствам границ зерен в металлах и полупроводниках. - Воронек. - 1997. - о.167.

2. Артемьев А.В., Горелик С.С., Кац Е.А., Ильяшук Ю.М., Федотов А.К. Структура и влектрофиэические характеристики поликриотел-лического кремния, выращенного по методу Степанова. •// Тезисы докладов 2 Дальневосточной школы-семинара по физике н хишш твердого тела. - Благовещенск. - 1988. - о.70.

3. Диульде Д.А., Добрэго В.П., Ильяшук Ю.М., Федотов к.К., Раде-вич Е.И. Металлическая проводимость по границам аорен германия, легированного ртутью. // Физика твердого тола. - 1938. -т.30. - II 8. - с.2391-2396.

4. Артемьев А.В., Ильяшук Ю.М., Коц Е.А., Федотов А.К. и др. Границы зерен в тонкостенных шогогршппи кристаллах крешия, ен-ращеншх методой Степанова. // Известия АН СССР. Сер.фззич. -1988. - т.52. - 1J 10. - 0.1951-1958.

5. Fedotov А., Evtody В., Pionova Ь., Ilyashufc Ju.aKate.E. et.al. Grain boandariea etruoture and eleotrioal aotivitty in chaped grovm silioon. // II Internation 6ytnpoeim on Shaped Crystal Crowt. - Budapest, 14-16 November, 1939. - p.36.

6. Shaped grown silicon doped by rare-earth elessntes Elootrophy-sioal researohoa. / ratrln A., Ilyashuk Ju., Abroeimov i?., Drozclo? II. f iedotov A. et al. // II International Symposium on Shaped Orystal Growth. - Budapest, 14-16 Uoveabar, 1939. -p.38.

7. Исследование элзктрачосша обойств двойппкоеых. границ в кристаллах кромтш, хгалучешшх методом Степанова, и в ыезд.ддрат-ных ионоирист&лдлческиА лентах о тсгпссй двоШшгаво.» прослойкой. / Федотов А .К., Давевский У.П., йзшчо няэ В.Й., Идьиаук

D.U. // Материалы 7 Всесоюзного совещания по получению профилированных кристаллов. - Ленинград, ФТИ АН СССР. - 1989. -с.255-262.

8. Шомпше исюдного сырья и режимов термообработки на электрические параметры кремниевых кристаллов, взращенных способом Степанова. / Федотов А.К., Ильяшук D.M., Федотова В.В. // Материалы 7 Всесоюзного совещания по получении профилированных кристаллов. - Ленинград, ФТИ АН СССР. - 1989. - с.163-168.

9. Горелик С.С., Евтодий Б.Н., Ильяшук D.M., Кац Е.А., Федотов А.К.и др. Электрическая активность границ зерен в профилированных кристаллах кремния. // Препринт ИПТМ и ОМ АН СССР. -Черноголовка. - 1989. -ЯЗ.- 0.1-J8.

10. Fedotov A., Evtody В., Ilyaehuk .Tu. et al. Crain bondary structure and eleotrloal aotlvity in shaped silioon. // Journal oí Crystal Growth. - 1990. - v.104. - p.186-190.

11. Fedotov A., Ilyashuk Ju., Evtody В., Kate E. Grain boundaries oleotrioal aotlvity in shaped grown silioon. // Fhysioa Status Bolidi (a). - 1990. - v. 119. - N - p.523-534.

12. Pedotov A., Ilyashuk Ju. Kffeot of disordering on oarrier transport along grain boundaries in oemiconduotors. // Abstracto oí 8th General Coníerenoe oX EPS "TrendB in Physios". -Amsterdam. - 1990. - p.291<

13. Федотов Ä.K., Евтодий Б.Н., Кац Е.А., Ильяшук D.M. Нелинейный электронный транспорт по границам зерен в кремнии // Тезисы докладов 7 Всесоюзной конференции по физике полупроводников. -Киев, 1990. - 4.2. - 0.267-268.

14. Федотов А.К., Ильядук Ю.Ы. О природе электрической активности грашц зероц в кремнии и гериашш о разным типом проводимооти. // Воотпш: Белорусского ув-то. Сер.1. Фаз., мат., мех. - 1990. - И 3. - о.20-23.

15. Коломоец Г.П., Гкоченко H.H., Ильяпук S.U., Федотов А.К. Ио-следование низкочастотного токового шума ыеюереннше границ полшфяоталличеокого кремния. // Тезисы докладов научно-технического семинара "Щуновые идеградационше процессы в по-яупроводгансових приборзхн. - Черноголовка. - 1Э90. - 0.71-72

16. Фэдото» А.К., Евтодий Б.Н., Кац Е.А., Ильяпук D.M. Германий и кремний о единичными и множественными границами зерен как перспективный материал для преобразователей. // Тезисы докладов

научно-технической конференции "Перспективные материалы твердотельной электроники". - Минск. - 1990. - ч.2. - 0.21-22.

17. Fedotov A.. Ilyaahuk Ju., Uglyanetz V. fhe eleotrioal activity oontrol of grain bomdariec in shaped growi eilioon. // Abst-raota of the MKS 1991 lall Meeting. - Boston. - 1991. -p.Cb011.

18. Fedotov A., Ilyasiiulr Ju. 53ie ssri tolling and Eultietability e£-feote at the biciyatallina grain boundaries in shaped grown eilioon. // Abßtraots of the IfflS 1991 Fall lieeting. - Boston. - 1991. - р.СЬ012.

19. Fedotov A., Ilyaahuk Ju. Perspeotivo applications for soma of polyorystalline semiconductors aa roaterials for transiuoera // Abßtraots of the European Conferenoa "Physios for Industry -Industry for Phyeioa". - Craoow. - 1991. - p.49-50.

20. Федотов A.K., Ткаченко H.H., Колсыоац Г.П., ИдьяаукЮ.М. Токовый шум границ зерен в полшфаоталигабскоц црешша. // Слзика твердого тела. - 1991. - т.33. - й S. - 0.1593- 1595.

21: Федотов.А.К., Ильяиук В.М., Евдотий Б.Н., Кац Е.А. Сзыоменоло-гачесная модель электрической октшшооти границ sepen в пош-кристалличеоком креглшиг. // Электронная тоззшка. Сер. ыатериа-лы. - 1991- -н 7(261). - с. 12-16.

22. Ияьяшук D.M., Федотов A.Ii. и др. Лаборатортм работа со ооврз-ыеншш методам исследования полупроводаикоз. Часть 1 // Ротапринт ЕГУ. - Минск. - 1937. - с.23-34.

23. Патрин A.A., Ильшуи Ю.М. йсдотов A.K. и др. Разработка принципа построения аппаратуры и цзтодак ее пспольсоваяня для контроля 'качества исходах псод^еодшшогш; структур для фо-топрообразователей соднещкй: шоргш б олзктрзадеяуз, // Отчет. - Мшск. - 1990. - Н гос.р«гяотрацш! 01853803034.

24«. Ияьяшук Ю.М., Патриц A.A., тоз А .К. и др. Иеоледсзашо олектрофизияеока* овойств щашша .и .крешзевшс cspj«yp, яра-маняемш. да шгоюалешя црзсЗр^зсваязяай сошшчаоЗ еноргац. // Отчет. - Мешок.• - 1S85. - К тоо.рогаохраццн 01240034735.

25. Стельыах D.O., йшшук D.M., Федотов ¿.К. и др. РйзраСотглъ .метода высокоенергатятаой. пашой ещмштэддп гарскйзаишх полупроводников, штодаки фуцкцао-цадьЕсй &1£Гносшш полупроводниковых шлеряалов ьг "tpo- и оотоглектрошЕШ. Отчет. -Минск. - 1990. - Н гоо.рагшграции 01890003037.