Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых сплавов n-Bi1-xSbx тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СПЛАВОВ ВИСМУТ-СУРЬМА

1.1. Кристаллическая структура и энергетический спектр сплавов висмут-сурьма

1.2. Законы дисперсии в висмуте и сплавах висмут-сурьма

1.3. Влияние внешних воздействий на энергетический спектр сплавов висмут-сурьма.

1.4. Электрические и оптические свойства полупроводниковых сплавов Е>1ьх $Ь,г

1.5. Анализ литературных данных и постановка задачи исследований

Глава П. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ П-В[нх 5Ьх

2.1. Используемые образцы

2.2. Установки для исследования электрических и фотоэлектрических свойотв В1,~х $Ьх

2.3. Автоматизированная система для исследований спектрального распределения ФИ и ФМЭ

Глава Ш. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СПЛАВОВ П~Ь1,-х5Ьх

3.1. Элементы теории ФП и ФМЭ

3.2. Полевые зависимости ФП и ФМЭ при температурах 4,2+40°К.

3 .3. Спектральные зависимости ФП и ФМЭ.

3.4. Примесные состояния в сплавах /7

3.5. Анализ электрических свойств полупроводниковых сплавов П-Ыы $Ьх

V ■ Стр.

Глава 17. РЕКОМБИНАЦИОНШЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

СПЛАВОВ /7- ßihX Sbx

4.Х. Определение времен жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых сплавах Bi-Sb . юб v 4.2. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в полупроводниковых сплавах /7- ßi^x Sbx III

4.3. Фотоотклик в скрещенных электрическом и магнитном полях

Глава У. ПРИЕМНИКИ ДАЛЬНЕГО ИК ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СПЛАВОВ n~ßihx Sbx

5.1. Характеристики приемников

5.2. Применение приемников из полупроводниковых сплавов ff- ЗЬл

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.

Дальний Ж и субмиллиме тровый диапазоны являются сравнительно новыми и недостаточно освоенными диапазонами электромагнитных волн, которые в последние годы находят все более широкое применение в науке и технике. При освоении новых диапазонов длин волн для практического использования необходимы, с одной стороны, развитие технологии производства материалов, обладающих оптимальными для конкретного данного применения свойствами, а с другой стороны - глубокие и всесторонние исследования соответствующих физических явлений и процессов. Разработка устройств дальнего ИК и субмиллиме трового диапазонов длин волн вызвала интерес к исследованию физических свойств узкозонных материалов.

В настоящее время известен целый ряд узкозонных материалов. Например, большие успехи были достигнуты при исследовании и использовании узкозонных полупроводниковых соединений на основе халькогенидов ртути и свинца (Сс!,х Идх Те, РЬ,-х, Те обладающих тем свойством, что ширина запрещенной зоны этих материалов плавно меняется в зависимости от состава компонентов.

В 1959 году Джейн в своей работе [I] показал, что твердый раствор БЬХ в некотором интервале значений X является полупроводником. С этого момента к сплавам висмут-сурьма возник реальный практический интерес. Интерес этот, в частности, обусловлен возможностью создания на основе твердых растворов висмут-сурьма генераторов и широкополосных высокочувствительных приемников дальнего ИК и субмиллиметрового диапазонов длин волн, работающих на явлении собственной фотопроводимости.

В настоящее время полупроводниковые лазеры генерируют излучение в широком диапазоне длин волн от Д = 0,33 мкм (¿?/?5) •до 32 мкм (РЬоц 5е ) [149] . Возможности продвинуться в область более длинных волн на основе использования указанных выше материалов, по-видимому, весьма незначительны, что объясняется тем, что в области больших длин волн в Р6^х .£е имеет место значительное поглощение излучения на оптических колебаниях решетки, что и препятствует получению генерации.

Не решен в дальнем ПК диапазоне окончательно и вопрос с приемными устройствами, так как существующие фотоприемники, работа которых связана с примесными состояниями, и приемники, работающие на тепловых эффектах, в силу тех или иных своих особенностей не могут полностью решить проблему приема излучения дальнего Ш диапазона длин волн (10+100 мкм). По этой причине необходимо исследование других полупроводниковых материалов.

Особый интерес, по-видимому, следует обратить на полупроводниковые сплавы . Известно, что при 0,07 < Х<0,22 эти сплавы являются полупроводниками с шириной запрещенной зоны от 0 до 25 мэВ, Таким образом, в случае обнаружения фотопроводимости в этом материале могут быть созданы широкополосные фо-топриемншеи дальнего ИК и субмиллиметрового диапазонов длин волн, а в случае реализации в лазерной генерации диапазон генерируемых длин волн будет больше 50+60 мкм.

В связи с этим исследования сплавов с целью создания указанных выше устройств должны включать в себя изучение как электрических, так и фотоэлектрических свойств, так как именно такие комплексные исследования позволяют изучить энергетическую структуру материала и рекомбинационные процессы в нем, и, как следствие, определить область возможного практического применения.

Учитывая изложенное выше, в задачи диссертационной работы входило:

- обнаружение и исследование полевых зависимостей ФП и ФКЭ в полупроводниковых сплавах $ЬХна длине волны Л = 10,6 мкм при различных температурах с целью определения диффузионных длин и времен жизни неравновесных носителей заряда;

- совместное исследование спектральных зависимостей ФП и ФЙЭ для изучения энергетической структуры этих материалов;

- исследование температурных зависимостей коэффициента Холла И Проводимости в /7- of. Si.г.

- исследование рекомбинационных свойств неравновесных носителей заряда в /7- Sbp

- создание высокочувствительного широкополосного приемника дальнего ИК диапазона длин волн на основе n~Bi-i~x

- исследование шумовых характеристик полупроводниковых спшвоъ п-BihK Sb%.

Спектральные исследования фотопроводимости и фотомагнитного эффекта проводились на автоматизированной системе для спектральных исследований, созданной на базе фурье-спектрометра и Весктап 720//? н и микро-ЭВМ " MERA -60м.Для обеспечения возможности исследований фотоэлектрических эффектов при гелиевой температуре фурье-спектрометр был модернизирован.

По результатам выполненной работы на защиту выносятся сле-дуицие научные положения:

1) Впервые в полупроводниковых сплавах h-Bihx 5^хобнаруже ны и проведены исследования ФП и ФНЭ на длине волны Л = 10,6 мкм в широком диапазоне температур, электрических и магнитных полей. Полученные результаты хорошо согласуются с современными теоретическими представлениями.

2) В полупроводниковых сплавах n-Bi,.x Sb% имеются глубокие примесные состояния донорного типа, положение которых изменяется в зависимости от содержания сурьмы. Концентрация этих примесей для различных образцов может достигать ~ 1016+1017 см"3.

3) Показано, что доминирующим механизмом рекомбинации при температурах Т < 40°К является рекомбинация через центры типа Шокли-Рдца, роль которых выполняют обнаруженные глубокие донор-ные состояния.

4) Экспериментально показана возможность создания и изготовлен высокочувствительный широкополосный приемник дальнего ИК диапазона длин волн на основе Sbx ♦

5) Исследования шумовых характеристик полупроводниковых сплавов п- Bl,.x Sb* показали, что основным видом шумов при низких частотах в этих сплавах являются шумы типа 1 /j .

Изготовленные из Six приемники с успехом применялись в измерениях электрических параметров эпитаксиальных структур п-п* Go /¡s путем исследований спектральных зависимостей отражения от структур в области плазменного резонанса.

Рассмотрена возможность работы приемников из Sbx в супергетеродинном режиме при накачке лазером соответствующей длины волны.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РА.БОТЫ

1. Впервые в полупроводниковых сплавах п-В}.^* обнаружены фотопроводимость и фотомагнитный эффект и проведены исследования этих эффектов в широком диапазоне температур, электрических и магнитных полей. Полученные результаты хорошо согласуются с современными теоретическими представлениями. Рассмотрены перспективы использования этих эффектов для решения рада научных и практических задач.

2. Показано, что в полупроводниковых сплавах п-Вк^* 5ЬХ имеется глубокий донорный уровень, расположенный вблизи валентной зоны* Положение этого уровня зависит от содержания сурьмы. Концентрация уровня для отдельных исследованных образцов может достигать Ю^-Ю17 см .

3. Измерены диффузионная длина и времена жизни неравновесных электронов и дырок при низких температурах. Исследованы рекомбинационные характеристики указанных сплавов. Показано, что доминирующим механизмом рекомбинации при температурах Т 40°К является рекомбинация через центре типа Шокли-Рида с участием обнаруженного глубокого донорного уровня.

4» Предложен способ изучения глубоких примесных состояний с помощью совместных спектральных исследований ФП и ФМЭ.

5. Исследовано влияние деформации на спектральное распределение ФП и ФМЭ. Показано, что растяжение образцов в триго-нальной плоскости вызывает смещение глубокого донорного уровня в направлении валентной зоны.

6. Проведены теоретические и экспериментальные исследования фотоотклика в в скрещенных электрическом и магнитном полях. Показано, что такие исследования позволяют определять отношение времен жизни неравновесных электронов и дырок (Тп/Тр).

7. На основе полупроводникового сплава /7 - ВI нх создан высокочувствительный широкополосный приемник дальнего ЙК диапазона длин волн. Приемник использовался в спектральных иссдедоf ваниях плазменного отражения от эпитаксиальных структур /7-/7

6аЛ* .

8« Исследованы шумовые характеристики полупроводниковых сплавов п~ В1,-х $ЬХ» Показано, что основным видом шумов при низких частотах в этих сплавах являются шумы теш У/У • Исследования токовых зависимостей шумов показали, что они имеют степенную зависимость , причем ^ меняется от 4 на частоте 10 Гц до 2 на частоте 10 кГц. На частотах выше 100 кГц токовая зависимость шумов зарегистрирована не была. Эти исследования позволяют выбрать оптимальный режим работы фотоприемников.

9. Рассмотрена возможность создания супергетеродинного и фотовольтаического приемников на основе п-В1(-х ВЬХ* Показано, что для получения потенциального барьера на П-В1Нх БЬх пер*5" пективным является олово.

1. Join A. L. Tempe x a tul e Dependence о/ t he

2. Ръоре ъ tie $ о/ Bismuth Ontlmony - PhtfS. fiev., 19S9, v. л/6, p. /51Р- -/sz 9.

3. Фальковский I.A. Физические свойства висмута. УФН, 1968, т.94, в.1, 0.3-41.

4. Абрикосов A.A., Фальковский Л.А. Теория электронного энергетического спектра металлов с решеткой типа висмут, 131$, 1962, т.43, в.3(9), C.I089-II0I.

5. Эдельман B.C. Свойства электронов в висмуте. УФН, 1977, т.123, в.2, с.257-287.5. бо&п 5. Bond Sttuciute о/ Bismuth: Рse и do-pot entiad йрръояс/?-PhtfS. fíe v., v. 166, A/3,

6. Fq¿ícovLM.} LLñP*f. Bond structure &nd FetmL Su. к/a ce of Úntimony: Ps eadopotential Üpptooch. Phy%, fev., /066, и л/2,p. 562-56?.

7. Woiff PA. TVailU elements and Selection tu¿s. fet- the tu^o- #a/rd snodet? cf ßismuth-J. Phtfs. С hem. Sofrds, J9M, v. 25, a/10, p MS?-¿06?.

8. Фальковский Л .А., Разина Г.С. Электроны и дырки в висмуте. -ЖЭТФ, 1965, Т.49, в.1(7), с.265-274.

9. Tichovoésky £ у., TVavtoides / 6. TVapneto-хе flection studies о/ the #and stxuctute.

10. Bismuth- Üntimony So£ St. Comm.,1. JQ69, и л/15, p. 927-931.

11. Srntifi 6E ßata^i PwetZ Sfficiive q Расtot 0/ one/ Mpfes in Sismul/t. Phys. Rev., v. S35, л/¿/A, p.

12. Go ¿in S. ßo/jaf 77?оЖ£ fot ßiismuih ßnti то/7 у Qitysr Phys. Rev., </96?, v. л/3> p s3&-s32.

13. Эдельман B.C., Хайкин М.С. Исследование поверхности Ферми висмута методом циклотронного резонанса. ЖЭТФ, Х965, т.49, в.1(7), с.107-116,

14. Qnictlföe. 6. A Bono/ Situeiuve. ¿?/ Siff

15. Phys. Leit., v. 2PA, а/2, p 60J-¿><22.17. fain Ü. L.} Йог nig s. H. £ ted tens and Mo/esin Bismuth. Phys. Pev., v. -/27, л/2,p.

16. Брандт Н.Б., Долголенко Т.Ф., Ступоченко Н.И. Исследование эффекта де Гааза-ван-Альфе на у висмута при сверхнизких температурах. ЖЭТФ, 1963, т.45, в.5(11), C.I3I9-I335.

17. Брандт Н.Б., Любутзша Л.Г. Исследование частотной модуляции квантовых осцилляций магнитной восприимчивости у висмута. -ЖЭТФ, 1964, т.47, B.5(II), C.I7II-I7I6.

18. Брандт Н.Б., Мюллер Р., Пономарев Я.Г. Исследование закона дисперсии носителей в висмуте, легированном примесями акцепторного типа. ЖЭТФ, 1976, т.71, в.6(12), с.2258-2277.

19. Беловолов М.И., Брандт Н.Б., Вавилов B.C., Пономарев Я.Г.

20. Исследование оптических, осцилляционных и гальваномагнитных эффектов у легированных полупроводниковых сплавов ßi/~x ~ ЖЭТФ, 1977, т.73, в.2(8), с.721-731.

21. Гиду Д.В., Глински М., Мунтяну Ф.М. Особенности магнитосоп-ротивления сплавов Bi^ Sb/ (0,1 < X < 0,25). ФТТ, 1977, т.19, в.5, с.1450-1452.

22. КулаковскиЙ В.Д., Егоров В.Д. Исследование плазменного отражения в висмуте и сплавах висмут-сурьма. ФТТ, 1973, т.15, в.7, с.2053-2059.

23. Голик A.B., Королюк А.П., Белецкий В.И., Коткевнч В.И. Магнит оакустические резонансы в висмуте„ ЖЭТ£, 1976, т.71, в.К7), с.330-340.

24. Брандт Н.Б., Разуменко М.В. К вопросу о влиянии примесей на энергетический спектр электронов у висмута. ЖЭТФ, i960, т.39, в.2(8), с.276-284.26. fevceiw* L. G. fieiütivLstic в and Sttvatvte.

25. Cti£cu£atic>/? &LS/nui/r. y. Pbys.

26. So&afs, Ргъдагно/? fites s, J96% к 2S, WJOt p. Jfffj- J902.

27. Fettelta L. £ ßanaf Situcture Gz&v&fti*/? ¿-0t. 2tTliA &Х/оглUm- ^ fi/;ys. C/t*/7t. Se^iafs, Р-еъ^амм fite-ss, И 29, />.

28. Btown P.M TVwceiafes, ¡¡f. C. Wapneiots/Saz -"Li&f l/r ßLswut/j-Phyi. fev-, К S29> A/f р. 2055-2Об

29. Брандт Н.Б., Ястребова В .А., Пономарев Я .Г. Электронные фазовые переходы И.М.Лв£шща у висмута. ФТТ, 1974, т.16, B.I, с,102-109.30. '¿¿Ые.г. R.M Smaii- fLetßf 6а £van о mag г? е. ¿L с- Te/?sot of Bismuth at v. 12 J, л/5, p. 1ЧИ- iVSO,

30. Брандт Н.Б., Чудинов С.М., Караваев В.Г. Исследование бесщелевого состояния, индуцированного магнитным полем в сплавах висмут-сурьма. ЖЭТФ, 1976, т.70, в.6, с.2298-2317.

31. Брандт Н.Б., Пономарев Я.Г. Электронные переходы в сплавах висмут-олово, висмут-свинец, висмут-сурьма и висмут-сурьма-свинец под действием давления. ЖЭТФ, 1968, т.55, в.4(10), с.I215-1237.

32. Брандт Н.Б., Диттманн X., Пономарев Я .Г. Переходы металл-полупроводник в сплавах 5t/-y5fcx под действием давления. -ФТТ, 1971, т.13, в.Ю, с.2860-2872.

33. Lethet ¿S.,Cuff K.R, Wtiica^s Z. к. ¿негд?-Вайс/ Pazatnetezs q*c( Re ¿ative ВаидГ-Ыде Tnoiions ¿и Si-Sb Qf£ö</S System neat the 5e-friiryieiai-SemtcoHctuctoi Тгаи$Исои,- Ры of Ttfoc/егн Physics, * 7Ю

34. BzokSH 2). М.,в1?1/егюаи S.^ ¿factions, си Bi-Sb Üffoys-Phys. Re«, /964, ia ¡36, л/1 A, p. A Z 90-A299.

35. Алексеева В.Г., Заец Н.Ф., Кудряшов A.A., Ормонт А.Б. Зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниковых твердых растворах от концентрации сурьмы. ФТИ, 1976, т.10, в.12, с.2243-2247.

36. Иьаок IV, DefyûKt Schneidet Меъъмопя P.

37. The Semiconductor- Sen?imetoâ TtansiiLan ¿n

38. BiHX Sbx aeeocfs v*ith Xk0,22~ Pfy s. Stat. Saé./Ç/, V.ss, /VY, p. JOÇ- fjo.

39. Oefyûbt Меъътапп P. Cycfotton TTIasses in Semiconducting 3i,~x SSx Phys. Stat. Sotfël J9Ï6, V.75, л/J, p. /S9-/9&.

40. Брандт H.Б., Свистова Е.А., Семенов M.B. Электронные перехода у оплавов висмут-сурьма с высокой концентрацией сурьмы в сильных магнитных полях. ЮТ, 1970, т.59, в.2(8), с.434-444.

41. Wehtâi /у. Die Magnetische Suszeptifi&tät von Bi und ßi-Sb-Lepieti/npen. Pesics of Condensed TVotte^, </06&, v,S> л/2, p. ¿ï-S/3.

42. Мщюнова Г.А., Судакова М.В., Пономарев Я.Г. Закон диспер-оии носителей в сплавах ßl/-x ^х . ФТТ, 1980, т.22, в.12, с.3628-3634.

43. Брандт Н.Б., Любутива Л.Г., Крюкова H.A. Исследование энергетического спектра электронов в сплавах Bi Sb . - ЖЭТФ, 1967, т.53, в.К7), е.134-141.

44. Миронова Г. А., Судакова M .В., Пономарев Я.Г. Исследование зонной структуры полупроводниковых епдавов S6* . -ЖЭТФ, 1980, т.78, в.5, с.1830-1851.

45. Oefyûtt £■> Schneidet S., И г oak IV., //еъъюапп Р. The Semi conductor Seminretaé Ttansition in ßihxSbA ¿¡¿toys-Phi/s. SШ. Sof.féJ, /9?б, I/ fy1. A/1, p. KÏ5-HU.

46. И one f. О. Bono! Stbuc¿u*e. о/- УлЖит ¿Intimo-niofe. ¿f. Phys. CAesr?. Soéíaís, Sfr?, л/4,

47. Стриха M.B. Оже рекомбинация дырок через глубокие доноры в Уп£Ь П -типа. ФТП, 1984, т.18, в.З, с.441-445.

48. Брандт Н.Б., Щекочихина В.В. Исследование влияния примесей сурьш на эффект де Гааза-ван Альфе на у висмута. ЖЭДФ, 1961, т.41, в.5(11), с.1412-1420.

49. Dte-sse¿Mus № В., 777av*c?í¿/é>$ S. Oése<t vatios? (?/ C/ntetáo'/rc/ Ttfr/rsifiofts i/? Ü^tísvo/iy. /%ys. Rev., 1965, V.M, a/S, p. 259-26O.

50. Брандт Н.Б., Ястребова В.А., Белоуеова O.H., Хессе Д., Пономарев Я.Г. Некоторые новые данные о структуре энергетического спектра

51. В i и сплавов Bí /-я $bx , Полуметаллы и полупроводники с узкими запрещенными зонами. Материалы Ш Всесоюзного симпозиума, Львов, 1973, с.102-107.

52. Родионов H.A., Редько H.A., Иванов Г.А. Кинетические явления в сплавах Bl0eg S60/i2 с малым содержанием дырок зоны . ФТТ, 1979, T.2I, в.9, с.2556-2562.

53. Брандт Н.Б., Чан Тхи Нгок Бик, Пономарев Я.Г. Изменение анизотропии поверхности Ферми у полупроводникового сплава

54. Брандт Н.Б., Чудинов С.М. Осцилляционные эффекты в полуметаллических сплавах Bihx $bx подавлением. ЖЮТ, Ï970,т.59, в.5(1), с.1494-1508.

55. Boyfe W.S., 5taits<f**cï А Ъ. Far Уп/гагес/ Studies û/- Bis nut h- Pfys. fie*, /9бо, к /2 о, /Vâ, p. /946-1949.

56. A/onney C.A, вяълеу.Р Co/?ti^uous line-tevcseaf Coherent Rac/Lafies?- Pcs/rrp&af Bl Q2 S bos £ fee-it ¿a- ffuû^z^potf ¿e-vets-Pfys. fiev. Lett, , v.2s, p//e9-/d?5.

57. БенеславскиЙ С. Д., Фальковский Л .А. Об инвертировании близких зон магнитным полем. ФТТ, 1974, т.16, в.5, с.1360-1368.60. /АХ/. The- Enevfy Вяло/ TffoûfU Bismuth Re so tut ten Off û Dis--съероглеу.- Low Tesvp. Pfys., И 2S,1. А/5/6, p.$2¥-Mû.

58. McCâute. / Càcù H. S*»*' Tffeakâ ÛHtif Pt£>f etiles Séee-tt^rts Ln ôis/rruth. -Sût St. к 21, A/M, p /0S5- -/Û/S.

59. Буянова E.H., Евсеев B.B., Иванов Г.A., Миронова Г.А., Пономарев Я.Г. Определение параметров закона дисперсии носителей у полупроводниковых сплавов ßl^x Sbx И -типа. ФТТ, 1978, Т.20, в.7, с.1937-1946.

60. Брандт Н.Б., Диттманн X., Пономарев Я.Г. Бесщелевое состояние, возникающее в полупроводниковых сплавах Bi/~/ Sbx под действием давления. ФТТ, 1973, т.15, в.З, с.824-835.

61. Стукан В.А., Трифонов В.И. 0 точности измерений коэффициента поглощения сред. Всесоюзн. симп. по приборам, технике и распространению ОД и субММ волн в атмосфере. Тезисы докладов, M., 1976, с.163-16?.

62. Мартяхин В.А., С тукан В.А., Трифонов В.И., Шевченко ВЛ. Измеритель мощности ИМ и сусШ диапазонов радиоволн на основе Уп Sb : a/l Sb . Всесоюзн. симп. по МИ и субММ волнам. Тезисы докладов, Харьков, 1978.

63. Vctts/inc УR Te/rtpetaiute 2)e.per?a/e#c& ¿he S-rtccyy Pap ¿'/7 Se/7?icerrc/uztots Physica,

64. V. В If, /1//, p. /¿/9-jM.

65. Vec-c/il M.P, . ???ag/?etia1.of- is? Louy-Qua*tc//n- ?7u/1.mit P/,yS. Rev 8, /9Щ V. 9, A/S, p. 3257-3265-.

66. Vecc/jL M.P.t Dtessefhaus M.S. Tempetatc/te. Depen-0/enc.e. of £he. Вале/ PQta/Heiets of Bis/nat/i,- Phys. Rev B, v. jo, a/2, p.

67. Чиркова Б .Г. Исследование оптических и фотоэлектрических свойств узкозонных полупроводниковых твердых растворов вис-мут-сурьма. Кацд.днсс., ЙРЭ АН СССР, М., 1979.

68. Брандт Н.Б., Пономарев Я.Г. К вопросу о влиянии давления на энергетический спектр электронов в сплавах висмут-сурьма. -ЖЭТФ, 1966, т.50, в.2, е.367-371.

69. Брандт Н.Б., Диттманн X., Пономарев Я.Г., Чудинов С.М. Переход полупроводник-"квазиметалл—полупроводник в сплавах

70. Bi~x под действием давления. Письма в ЖЭТФ, 1970,1. T.IX, в.5, с.250-253.

71. Брандт Н.Б., Свиотова Е.А., Вале ев Р.Г. Исследование перехода полупроводник-металл в магнитном поле у системы висмут-сурьма. ЖЭТФ, 1968, т.55, в.2(8), е.469-485.

72. Брацдт Н.Б., Свистова Е.А. Электронные переходы в сильных магнитных полях. УФН, 1970, т.101, в.2, с.249-272.

73. Брандт Н.Б., Свистова Е.А., Каширский Ю.Г. Взаимодействие зон и переход из металлического в полупроводниковое состояние в магнитном поле. Письма в ЖЭТФ, 1969, т.9, в.4, с.232-236.

74. ShocAéey \Mt Peac/Vl/T Statistics of the. Re-c0/r?á¿/7atie?/r$ of /-/o¿es Оме/ Phys. Rev., -/962, V.St, A/5, p. &S5-S42.

75. Азбель М.Я., Брандт Н.Б. Превращение металла в диэлектрик и особенности электронных характеристик металлов в сильных магнитных нолях. ЮН, 1965, т.48, в.4, с.1206-1209.

76. Маслов Ю.П. К изучению электрофизических параметров ж зонной структуры полупроводниковых растворов. ФТП, 1975, т.9, в.II, с.2049-2053.

77. Коршунов B.C., Маслов Ю.П., Рымкевич П.П., Маслов П.Г., Пере-вознаков Е.Н. Температурная зависимость важнейших параметров зонной структуры Si , Sb и их сплавов. Полуметаллы и сегнетоэлектрики. Сборник научн.трудов ЛГПИ им.Герцена, Л., 1976, с.101-107.

78. T/Iartín В. Leir?e*-¿.£. Вапс/-£а%е Со ¿auctions fez. &¿smuíh one/ Bismuth- ¿/ntisnoni/ (2¿¿0£/S-Pfys. Re-V В, V 6, A/2, p. 3032-30M.

79. Брандт Н.Б., Кульбачивский В .А., Минина Н.Я. Влияние растяжения на поверхность Ферми у висмута. Письма в ЖЭТФ, 1977, т.26, в.З, с.173-176.

80. БенеславскиЙ С.Д., Брандт Н.Б., Голямина Е.М., Чудинов С.М., Яковлев Г Д. Магнитное вымораживание в полупроводниковых сплавах Bi~ . Письма в ЖЭТФ, 1974, т.19, в.5, с.256-260.

81. Брандт Н.Б., Яковлев Г.Д. Магнитное вымораживание в полупроводниковом сплаве Bi 0,905 ^^,095 при сверхнизких температурах. ФНТ, 1977, т.З, в.7, с.864-868.

82. Бонч-Бруевич В.Л. Сб. "Физика твердого тела", ВИНИТИ, 1955, с.129.

83. Du(ju¿ М. Pzoptie.t¿$ ¿/&s so-¿atiorts £p¿l¿/e-S #¿s/7?uú/?- anÍL/noi/te. P/?ys. Stat. ¿965, v.SJ, VJ, p ¿¿/9-J5&.

84. Редько H.A., Полынин В.Й., Иванов Г .А. Механизм рассеяния электронов в сплавах ßihX Sbx (0 < X ^ 0,16) при низких температурах.- ФТТ, 1984, т.26, в.I, с.10-13.

85. Богданов Е.В., Владимиров В .В., Горшков В.Н. Комбинированный пробой в полупроводниковых сплавах висмут-сурьма. ЖЭТФ, 1983, т.84, в.4, с.1468-1473.

86. Ldnni*у. CutfKE Hoi sfecibo* W the. Band Situate. ^ßi^Sfo The. Phys. o/- SetrrLfrre-ia^s а/к/ Ttaiteisgap Sesntaonc/., Pt<?e.tо/- Ы- Сел/. DaMas, Petgan??/? Ptess, /9Ы, p. 26.

87. Брандт Н.Б., Свистов E.A., Свистова E.A., Яковлев Г.Д. Межзонный пробой и пинч-эффект в сплавах висмут-сурьма. ЖЭТФ, 1971, т.61, в.3(9), с.1078-1086.

88. Бравдт Н.Б., Богданов Е.В., Мананков В.М., Яковлев Г.Д. Измерение скорости ударной ионизации в полупроводниковых сплавах висмут-сурьма. ФТТ, 1981, т.15, в.4, с.813-815.

89. Николаев В.И. Исследование несовершенств 1фисталлической структуры сплавов висмут-сурьма рентгенографическим методом. -Автореф.кавд.диссерт., ЛПШ им .Герцена, Л., 1971.

90. Алексанян А.Г., Казарян Р.К., Хачатрян A.M. Полупроводниковый лазер на основе Bi /-/ $Ьх . Квантовая электроника, 1984, T.II, в.З, с.492-496.

91. Абдуллаев A.A., Алексеева В .Г., Заец 6.Ф., Лившиц Т.М., Ор-монт А.Б., Чиркова Е.Г. Оптические свойства сплавов висмут-сурьма. Письма в ЖЭТФ, 1973, т.17, в.6, с.292-295.

92. Лившиц Т.М., Ормонт А.Б., Чиркова Е.Г., Шульман А.Я. Оптическое пропускание полупроводникового твердого раствораihX Sbx . ЖЭТФ, 1977, т.72, в.З, C.II30-II39.

93. Алексеева В.Г., Лифшиц Т.М., Чиркова Е.Г., Шульман А.Я.

94. Si /-x Sbx новый полупроводниковый материал. - РиЭ, 1978, т.ХХШ, в.9, с.1926-1938.

95. Лившиц Т.М., Ормонт А.Б., Чиркова Е.Г., Шульман А.Я. Оптические свойства Si h-x Sbx . Препринт № 4(227) ИРЭ АН СССР, M., 1977.

96. Брандт Н.Б., Германн Р., КульбачинскиЙ В.А., Лавренюк М.Ю., Минина Н.Я., Шнайдер г. Исследование валентной зоны у и сплавов BihX $bx при деформациях типа одноосного растяжения. ФТТ, 1982, т.24, в.7, с.1966-1972.

97. Брацдт Н.Б., КульбачинскиЙ Б.А., Минина Н.Я., Широких В.Д. Изменение зонной структуры и электронные фазовые переходыу Si и сплавов ВL /- х Sbx при деформациях типа одноосного растяжения. ЖЭТФ, 1980, т.78, в.З, C.III4-II3I.

98. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. М., ИЛ, 1961, 304 с. (стр.53).

99. Арапов Ю.Г., Поншсаров Б.Б., Цидильковский И.М., Шелушинина H .Г. Об аномалии температурной зависимости коэффициента Холла в НдСс/Те . ФШ, 1979, т.13, в.Ю, с.1932-1940.

100. Выставкин А.Н., Олейников А .Я., Панкрац Е.В., Смирнов А.Я., Стрельников В.Н., Фурщик А.Б. Автоматизация измерений на фурье-спектрометрах длинноволнового инфракрасного диапазона.-Автометрия, 1978, в.2, с.75-83.

101. Мартяхин В.А., Олейников А.Я., Смирнов А.Я., Стукан В.А., Трифонов В.И. Спектральные характеристики приемников дальнего ИК диапазона на основе узкозонного полупроводникаff-ÔLf-x Sbx . ФТП, 1980, т.14, в.9, с. 1716-1719.

102. Довгяло A.M., йценко Е.Л. Система для обучения и решения задач в режиме диалога с вычислительной системой. Кибернетика, 1973, в.З, с.134-145.

103. Диалоговые системы моделирования. Под ред.Пирогова В.В., Риtга, "Зинатне", 1977, 176 с.

104. Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла. М., "Сов.ра-диои , 1974.

105. Равич Ю.Й. Фотомагнитный эффект в полупроводниках и его применение. "Сов.радао", М., 1967 , 96 с.

106. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М., 1979, 416 с.

107. Киреев П.С. Физика полупроводников. М., 1969, 592 с.

108. Мананков В.М. Генерационно-рекомбинационные процессы и пин-чевание электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых сплавах висмут-сурьма. Кацд.дисс., М., МГУ, 1982, 129 с.

109. Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках. Л., 1970, 304 с.но. Ictwac/ikí W., Cewatciyk R., Ko¿oafziejc¿ak^ The Geneее/ fe-2)1 ta/r %tegtaf $. -Phys. Stat. So£, -f965, v.JO, а/2, p. 5-fS- 54*.

110. И inch M. A. f Вгои ñ.^., Simmons A, fíe.c.¿?méi nailon mecho ni s/77s in S-M-j* Яр MTe

111. Phys., /97а J v.M. p. J61/9- 466$.

112. Блекиор Дк. Статистика электронов в полупроводниках. М., 1964 , 392 с.

113. Рнвкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М., 1963, 496 с.

114. Смит С. Полупроводники. М., 1982, 560 с.

115. Отчет ЙРЭ АН СССР Jfc 149/217-2-75, шифр "Вес-ИРЭ". Исследование возможностей создания измерительных генераторов миллиметрового и субмшшшетрового диапазона радиоволн. М., 1976, 72 с.

116. L о VC" F. ¿f. Low-Tentpevatuve беъ/палшт ôo^o/v-eits. -fi Ûpi. Soc. ûrrte'c., 4961, к 5d, л/jj, p. ¿ЗОО-^ЗО//.

117. Коган Ш.М. К теории фотопроводимости, основанной на изменении подвижности носителей тока. ФТТ, 1962,т.4, в.7, с.1891-1896.

118. Гельмонт Б Д., Дьяконов M.ÏÏ. Примесные состояния в полупро-л воднике с нулевой запрещенной зоной. ЖЭТ1, 1972, т.62,в.2, с.7X3-724.

119. Отчет ЙРЭ АН СССР & IIQ/179-10-71 том I, Шв$р "Линия-АН", Приемные устройства субмшшиме трового диапазона для целей связи и исследования распространения радиоволн в атмосфере. M., 1971, 97 с.

120. Мартяхин В.А., Трифонов В,И. Глубокий донорный уровень в fl-ßLhx $bx . ФТП, 1985, T.I9, в.З, с.407-411.

121. Агаров И.Д., Выставкин А.Н., Мартяхин В.А., Олейников А.Я., Смирнов А.Я., Трифонов В.Й. Исследование фотомагнитного эффекта в ff-Ôif-x Sbx с помощью автоматизированной системы для спектральных исследований. РиЭ, 1986, т.XXXI, в.1, с.216-218.

122. Богданов Б.В., Мартяхин В .А., Трифонов В.И. Измерение ширины запрещенной зоны в полупроводниковых сплавах п- Ôl h х $bx.

123. Бонч-Бруевич В.Л., Гуляев Ю.В. К теории ударной рекомбинации в полупроводниках. ФТТ, i960, т.2, в.З, с.465-473.

124. Бонч-Бруевич В.Л. К теории оптических переходов в полупроводниках. -ФТТ, 1962, т.4, в Л, с .298-299.

125. Дмитриев A.B. Примесная рекомбинация в узкозонном полупроводнике с возбуждением локальных фононов. ФТП, 1983, т.17, в.12, с.2222-2224.

126. Баранский П.И., Клочков В.П., Потнкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник, Киев, 1975 , 704 с.j 130. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. М.,1976, 432 с.

127. Богданов Е.В., Брандт Н.Б., Мананков В.М., Флейшман Л.С., Резонансная ударная ионизация у полупроводниковых сплавовi/-/ Sbx в магнитном поле. Письма в ЖЭТФ, 1982, т.35, в.2, с.75-77.

128. Богданов Е.В., Брандт Н.Б., Мананков В.М., Флейшман Л.С.

129. Рекомбинация носителей заряда в полупроводниковых сплавах ßLhx Sbx . ФТП, 1984, T.I8, в.7, с.1263-1268.

130. Брандт Н.Б., Богданов Е.В., Мананков В.М., Яковлев Г.Д. Рекомбинация горячих носителей тока в полупроводниковых сплавах висмут-сурьма. ФТП, 1981, т.15, в.4, с.810-813.v 134. Акимов Б.А., Брандт Н.Б., Свистова S.A., Свистов Е.А.,

131. Яковлев Г.Д. Высокочастотная проводимость полупроводниковых сплавов ßL-Sb в условиях межзонного пробоя. ФТП, 1973, т.7, в.7, с.1342-1346.

132. J. Патли Е. Фотопроводимость в далекой инфракрасной области. Сб."Длинноволновая инфракрасная спектроскопия", Мир, М., 1966, с.177-254.

133. Круз П., Макглоулин Л., Иакквистон Р. Основы инфракрасной техники. Воен. изд-во МО, М., 1964 , 464 с.

134. Любченко А.В., Саяьков Е.А., Сизов Ф.Ф. Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники. Киев, 1984, 256 с.

135. Выставкин А.Н., Годик Э.Э., Губанков В.Н., Коган Ш.М., Лиф-шиц Т.М., Надь Ф.Я., Франце с с он А.В. Высокочувствительные приемники электромагнитных излучений. Проблемы современной радиотехники и электроники. М.» 1980, с .359-412.

136. Дульнев Г.Н. Тепло- и массообмен в радиоэлектронной аппаратуре. М., 1984, 248 с. (стр.31).

137. Копылов В.Н., Межов-Деглин Л .П. Исследование кинетических коэффициентов висмута при гелиевых температурах. ЖЭТФ, 1973, т.65, в.2, с.720-734.141. Get^S TS.,Ho£ste СЛ. Heat

138. Capacities floin { to 300К oj Zh,Cc/t Bi and Y.-Phys. Re{969, Ш, a/3,p6?9 6<$>s.

139. Девятков А.Г., Коган Ш.М., Лившиц T.M., Олейников А.Я. Электропроводность сурьмянистого индия И -типа при низких температурах. ФТТ, 1964, т.6, в.6, с.1657-1663.

140. White. G.K. Т^гтав expansion о/ efemenis ai ¿ovr 7ktoipetatt4?e$:J?s,$b ctnd Bi.-g. Phf/s. С: Soft с/ Siate Ph</s.f Wz, v. Г, M19, p. 273i Z

141. Маделунг 0. Физика полупроводниковых соединений элементов Ш и У групп. М., 1967, 480 с.

142. Мартяхин В.А. Рекомбинационные свойства полупроводниковых сплавов Bii-ytSb* . ФТП. В печати.

143. Thomas PL Rocftig, ¿/awes RMouck. /thefca^-l Coop£ес/во^омeiet system jot one tnitftmeUt

144. Cobiinuuvn oisezvaiton .-¿of frfta*«/*»* IllitftmdeA. Waves, у/,Ч,А/Л,р.2.9Э-ЗОЭ.

145. W.A/L¿¿KWt U/a¿po¿& Cafowa //?, Ноьтая T. С. fHe ta /- Se/77¿ c¿?/7¿/¿/¿ contacts P4/-x Те.-The Pht/s. of se/nl/veíaés an¿/ Senrccenaf.

146. Pi oc. %t. &nf да ¿¿as, Texas, p/¿s~S9¿.

147. Выставкин A.H., Мигулин В.В. Приемники миллиметровых и субмиллиметровых волн. РиЭ, 1967, т.12, в.II, с.1989-2005.

148. Елисеев П.Г. Исследование инжекционных квантовых генераторов. Труды ФИАН, т.52 "Квантовая электроника", M., 1970, с .3-117.

149. Hoân P. T., Giêson^W, Paéik £ D.

150. Pe.fAfiance stu¿/¿es cf 3u¿P and Spitaxíaéf¿¿/r? fj-type. P¿ys, Vît, и//,

151. Pet/cou/ííí S., Thot fanaiP. H. 6e~ne*¿r¿¿ze-¿/ Dieéec ¿<t¿ a pun с í¿ en ал с/ P/asn?on Phone* coup&fftfin and Cof Te*r 5o¿. Sí. C¿>n?n?., /975, К А р. /Û93-JÛ96.

152. PetÁ-ou/iéz S.} Steele*- fi Chatacéetízatlon of Sa /s éy Раг C/nftate.// Pef^ecÍLyiiy.- Jnft. Pht/s., /??3, V./3, sVÏ, p. 324-326.

153. Gout, MH.S. Lún^¿¿uaí¿na¿ Phonon-Pôasnwn Cûuptfin^ In 6a/?£'Phc/sLca,1. И 6¿/, УЗ, p 6/3 620.

154. Poée*cí fi . ¿onp¿¿и¿/¿na/¿?pt¿catf Phonon-Peasmo» Caup¿ír?f ¿n CSS-fi Opp¿. fíhys., ¿96?, V./9, A/d, p 5d.

155. Ван-дер-Зил А. Фдуктуационные явления в полупроводниках. -ИЛ, M., 1961, 232 с.