Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках

Коровкин, Михаил Владимирович

Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Коровкин, Михаил Владимирович АВТОР

доктора физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ

Томск МЕСТО ЗАЩИТЫ

1998 ГОД ЗАЩИТЫ

01.04.10 КОД ВАК РФ

Автореферат диссертации на тему "Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках"

ОН

с.'

На правах рукописи

КОРОВКИН Михаил Владимирович

ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ В РАДИОДИАПАЗОНЕ, СВЯЗАННЫЕ С ДИНАМИКОЙ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ

В ДИЭЛЕКТРИКАХ

01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико - математических наук

Томск

1998

Работа выполнена в Томском политехническом университете

Научный консультант доктор физ. - мат. наук, профессор,

член - корреспондент РАЕН К. П. Арефьев

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор С. Г. Боев

( НИИ высоких напряжений при Томском политехническом университете)

доктор физико-математических наук, профессор Ю. И. Головин

(Тамбовский государственный университет) доктор физико-математических наук, профессор Э. Д. Алукер ( Кемеровский государственный университет)

Ведущая организация Уральский государственный технический

университет ( УХТУ - УПИ )

Защита состоится 29 декабря 1998 г. на заседании диссертационного совета Д 063.80.07 Томского политехнического университета по адресу: 634034, г.Томск, пр. Ленина, 30.

С диссертацией можно ознакомиться в научно-технической библиотеке Томского политехнического университета

Автореферат разослан ноября ] 998 г.

Ученый секретарь диссертационного совета доктор физ.-мат. наук, профессор,

академик РАЕН ^ ^'"А. П. Суржиков

Актуальность проблемы. Исследования электромагнитных эффектов в радиодиапазоне, наблюдающихся при механическом разрушении различных диэлектриков, проводятся, начиная с 60-х годов, с целью поиска электромагнитных предвестников разрушения и разработки методов неразрушающего контроля качества материалов. Образование свежих заряженных поверхностей при отслаивании полиморфных пленок от диэлектрических подложек (ЛА.Тюрикова ) при раскалывании кристаллов (Л.М.Беляев, В.В.Набатов, ГО.Н.Мартышев, В.М.Финкелъ, Ю.И.Головин, Н.Г.Хатиашвили ) или разрушении их лазерным лучом (К.П.Арефьев, С.А.Воробьев, А.Д.Погребняк) сопровождаются радиоизлучением в результате газоразрядных процессов. За последнее десятилетие достигнуты значительные успехи в исследовании радиочастотной электромагнитной эмиссии при пластической деформации ионных кристаллов, связанной с динамикой заряженных дислокаций (Ю.И.Головин), при полиморфных и фазовых превращениях в гетерогенных кристаллических диэлектриках (В.Н.Сальников, П.Ф.Зильберман) и жидких кристаллах (Е.Г.Аксельрод, В.А.Добрин), при структурной релаксации в стеклообразных диэлектриках (М.Д.Бальмаков).

термостимулированного радиоизлучения ставился под сомнение. Изучение электромагнитных эффектов в радиодиапазоне, не связанных с процессами разрушения материала, и определение основных закономерностей их возникновения в этом случае необходимо проводить с использованием достаточно хорошо изученных кристаллов с ионным и ионно-ковалентным типом связи, в которых моделируются дефекты структуры с помощью радиационного воздействия. Эти диэлектрики могут служить модельными объектами при изучении новых физических явлений и закономерностей, свойственных не только этим типам кристаллов, но и присущих большому классу диэлектрических материалов имеющих широкое практическое применение, например, в качестве дозиметров, оптических лазерных сред, конструкционных материалов, работающих в полях ионизирующей радиации.

Исследование электромагнитных эффектов в радиодиапазоне при различных воздействиях на кристаллические диэлектрики позволяет не только расширить область изучаемых физических свойств, но и логически завершить весь спектр наблюдаемых электромагнитных явлений в твердых телах. Эти работы представляют собой новое перспективное направление в физике диэлектрических структур -радиочастотно-эмиссионную спектроскопию кристаллических диэлектриков.

Цель работы : исследование явления генерации

электромагнитной эмиссии при тепловом, оптическом и радиационном воздействии на кристаллические диэлектрики путем детального изучения качественных закономерностей возникновения в радиочастотном диапазоне сигналов электромагнитной эмиссии вследствие преобразования и отжига радиационных дефектов в кристаллических и стеклообразных диэлектриках, определения характеристик электромагнитной эмиссии, условий и процессов, приводящих к ее генерированию, а также разработка методики регистрации наблюдаемых электромагнитных эффектов и определения возможностей метода электромагнитной эмиссии для исследования физико - химических свойств диэлектрических материалов.

Научная новизна. Установлено, что генерирование

электромагнитной эмиссии в радиодиапазоне при тепловом, оптическом и радиационном воздействии на неорганические диэлектрики является их фундаментальным свойством.

Экспериментально показано, что генерирование различной по характеристикам сигналов электромагнитной эмиссии, возникающей в диэлектриках, обусловлено эволюцией, отжигом и взаимодействиями между собой объемных, линейных и точечных заряженных дефектов и

отражает динамику релаксационных процессов во временном интервале 20 нсек - 20 мсек.

Впервые экспериментально обнаружено генерирование фотостимулированной электромагнитной эмиссии в радиационно и аддитивно окрашенных щелочногалоидных кристаллах и термостимулированной электромагнитной эмиссии в ЩГК, облученных при температуре жидкого азота; возникновение электромагнитной эмиссии связывается непосредственно с электронно-дырочными рекомбинационными процессами и носит квантовый характер.

Экспериментально установлено, что термоактивированное движение дислокаций в ионных кристаллах сопровождается электромагнитным излучением в радиодиапазоне, параметры которого определяются динамикой дислокаций.

Обнаружен эффект радиационной "памяти", заключающийся в проявлении остаточной дефектности после отжига радиационных центров окраски, в природных и синтетических кристаллических диэлектриках.

Разработана высокочувствительная методика регистрации сигналов электромагнитной эмиссии по электрической составляющей в радиодиапазоне частот до 50 МГц, позволяющая обнаруживать сигналы с амплитудой от 350 мкВ в широком интервале температур. Показано, что определяющее значение имеет согласование электрической антенны-датчика с измерительной схемой регистрации электромагнитных сигналов.

Практическая ценность работы определяется новыми экспериментальными данными о процессах электрической релаксации в диэлектриках, которые определяются динамикой заряженных дефектов. Метод термостимулированной электромагнитной эмиссии применен для неразрушагощего контроль качества диэлектрических материалов и изделий с целью выявления макроскопических неоднородностей (пор, трещин, и т.д.), а также остаточной дефектности кристаллов, подвергавшихся ранее воздействию ионизирующей радиации, что следует учитывать, в частности, при восстановлении дозиметрических свойств детекторов ионизирующего излучения и оптических запоминающих сред на основе ионных кристаллов. Предложено использовать температурные зависимости генерирования сигналов электромагнитной эмиссии для изучения динамических параметров движения дислокаций в щелочногалоидных кристаллах при тепловом и термомеханическом воздействии. Разработан способ диагностики и дозиметрии пучка рентгеновского излучения.

Для Института Технического Стекла (г.Москва) разработаны рекомендации по использованию метода термостимулированного

радиоизлучения для контроля качества материалов и изделий из силикатного стекла с целью выявления в них технологических дефектов. На примере расчленения карбонатных пород палеозойского фундамента нефтегазовых месторождений Томской области по их радиационно-оптическим свойствам на основе эффекта радиационной "памяти", разработаны практические рекомендации для ПГО "Томскнефть", "Томскнефтегазгеология" и Томского комитета природных ресурсов при проведении поисково-разведочных работ на нефть. Результаты научных исследований внедрены в учебный процесс для чтения лекций и практических занятий со студентами по курсам "Физика твердого тела" и "Кристаллография".

Апробация работы и публикации. Основные материалы диссертации опубликованы в 32 работах и обсуждены на 27 научных конференциях, в том числе: на III Всесоюзной научно-технической конференции по термомеханическим методам разрушения горных пород (Днепропетровск, 1976); на Всесоюзной конференции "Физика диэлектриков и материалы квантовой электроники" (Москва, 1977); на IV и VI Всесоюзных симопзиумах "Оптические и спектральные свойства стекол" (Рига, 1977, 1986 ); на IV, VI, VII Всесоюзных и VII, IX Международных совещаниях "Радиационная физика и химия ионных кристаллов"( Рига, 1978, 1986, 1989; Томск, 1993, 1996); на Всесоюзном совещании "Электроимпульсная технология и электромагнитные процессы в нагруженных твердых телах" (Томск, 1982); на научной сессии Всесоюзного минералогического общества "Роль технологической минералогии в развитии сырьевой базы СССР" (Ленинград, 1983); на IV и V Всесоюзных и VI и VII Международных совещаниях "Радиационные гетерогенные процессы "(Кемерово, 1986, 1990, 1995, 1998); на X Юбилейном и XI Всесоюзных симпозиумах по механоэмиссии и механохимии твердых тел (Ростов-на-Дону, 1986; Чернигов, 1990), на I, II и III Томских Международных междисциплинарных школах - семинарах "Непериодические быстропротекающие явления в окружающей среде" (Томск, 1988, 1990, 1992), на Второй Международной научно - технической конфференции "Актуальные проблемы фундаментальных наук" (Москва, 1994), на ХШ Российском совещании по экспериментальной минералогии (Черноголовка, 1995), на Международной конференеции, посвященной столетию со дня открытия явления радиоактивности и столетию Томского политехнического университета "Радиоактивность и радиоактивные элементы в окружающей среде" (Томск, 1996), на Международной конференции "Закономерности эволюции земной коры" (Санкт-Петербург, 1996), на Международной научно -технической конференции "Диэлектрики - 97" (Санкт-Петербург, 1997), на Международной конференции "Спектроскопия, рентгенография и кристаллохимия минералов" (Казань, 1997), на

научной конференции "Актуальные вопросы геологии и географии Сибири"( Томск, 1998), на Международной конференции "КОЯШ '98" ( Томск, 1998), на Международной конференции "Радиационно -термические эффекты и процессы в неорганических материалах" (Томск, 1998).

Кроме того, материалы диссертации обсуждались на научных семинарах в Институте физики АН Латвийской ССР (Рига), в Институте физики АН Эстонской ССР (Тарту), в Институте естественных наук Бурятского филиала СО АН СССР (г.Улан-Удэ), в НИИ физики твердого тела при Латвийском госуниверситете, в НИИ прикладной физики при Иркутском госуниверситете, в Московском и Харьковском госуниверситетах, в НИИ синтеза минерального сырья (г.Александров), а Дальневосточном Институте минерального сырья (г.Хабаровск), в Забайкальском НИИ министерства геологии СССР (г.Чита), Институте физики при Ростовском госуниверситете.

Личный вклад автора. В основу работы положены результаты экспериментальных и аналитических исследований, полученные автором лично или при его участии. Автором лично определено стратегическое направление исследований. В подавляющем большинстве проводимых изысканий автором непосредственно формулировались исходные предпосылки, определялись цель работы и методы ее достижения, обобщались результаты и делались выводы. Автором разработана методика и создана экспериментальная установка для регистрации электромагнитной эмиссии в кристаллических диэлектриках при оптическом, тепловом и радиационном внешнем стимулирующем воздействии.

В работы, написанные в соавторстве, личный вклад автора является определяющим в формулировке исходных предпосылок постановке задачи исследования, экспериментальной части и обсуждении полученных результатов, разработке теоретических моделей и расчетов. При использовании и обсуждении разработок соавторов и других материалов делаются необходимые ссылки в тексте диссертации.

Объем и стуктура работы. Диссертация состоит из введения, 7 глав, заключения и списка цитируемой литературы. Работа изложена на 173 страницах текста, содержит 76 рисунков, 5 таблиц и библиографию из 544 наименования.

Защищаемые положения.

1.Генерирование электромагнитной эмиссии в радиодиапазоне является фундаментальным свойством неорганических диэлектриков и связано с образованием, эволюцией и отжигом объемных, линейных и точечных дефектов при их термическом, оптическом и радиационном возбуждении.

2.Термоактивированное движение заряженных дислокаций в ионных кристаллах сопровождается генерированием

электромагнитной эмиссии, характеристики которой определяются процессами динамики дислокаций.

З.Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, сопровождающие преобразование и отжиг центров окраски при фото-или термостимуляции, обусловлены электронно - дырочными рекомбинационными процессами.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Движение микрозарядов в твердых телах при различных условиях должно вызывать вариации электрического поля, которое связано с порождаемым им магнитным полем, поэтому раздельное рассмотрение электрического и магнитного полей имеет лишь относительный смысл. Для регистрации электромагнитного в радиодиапазоне излучения применяются датчики - антенны, преобразующие энергию электромагнитного поля в электрическую энергию: электрические и магнитные. Поскольку применение ферритовой ( магнитной ) антенны для регистрации TCP оказалось невозможным , так как при нагревании ферриты сильно изменяют свои свойства, а при высоких температурах вообще непримнимы из-за нелинейности параметров, малой чувствительности и выгорания изоляционных компаундов, то нами применялась электрическая антенна, представляющая собой емкостной датчик, образованный двумя плоскими электродами, между которыми помещался исследуемый образец. В данном случае, строго говоря, термин "излучение" следует считать не совсем точным, так как при указанной схеме регистрация электромагнитных эффектов происходит на расстояниях, много меньше длины волны излучения г « X , т. е. в ближней зоне. Поэтому, на XI Симпозиуме по механоэмиссии и механохимии ( 1990 г.) предложено заменить термин "радиоизлучение", введенный Тюриковой Л.А., на более широкое понятие " электромагнитная эмиссия" (по аналогии с термином "акустическая эмиссия"), под которым в нашем случае понимается электромагнитное поле, регистрируемое в ближней зоне по электрической составляющей в радиочастотном диапазоне.

МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННОЙ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ЭМИССИИ

Нами разработана высокочувствительная методика регистрации электромагнитных сигналов в радиодиапазоне при термическом, оптическом и (или) радиационном воздействии на диэлектрики.

В качестве электрического датчика-антенны применялись либо накладные массивные никелевые электроды с фиксированным межэлектродным расстоянием для стабилизации емкости датчика в процессе измерения, либо платиновые, нанесенные на поверхность кристалла по трафарету методом катодного распыления в вакууме, или алюминиевые электроды, нанесенные методом термического распыления. Напыление электродов - антенны улучшает электрический контакт на границе металл - диэлектрик и снижает уровень шумов, обусловленных приэлектродными процессами, но не изменяет качественный характер температурных зависимостей генерирования электромагнитной эмиссии, что указывает на взаимосвязь объемных и поверхностных явлений.

Блок - схема экспериментальной установки, позволяющей проводить комплексные исследования в интервале температур 80 -700 К представлена на рис.1. Для изучения высокотемпературных эффектов (20 - 800 °С ) применялась специально сконструированная высоковакуумная измерительная ячейка. Исследуемый образец помещался в вакуумную измерительную ячейку, нагревание производили с постоянной скоростью 0.1 - 0.3 град/сек.

Особое внимание уделено согласованию высокооомного входного сопротивления и малой входной емкости электрического датчика с измерительной схемой. Из многих различных схем выбрана оптимальная конструкция малошумящего широкополосного эмиттерного повторителя. Сигнал с электрического датчика усиливался широкополосным высокочастотным усилителем УЗ-29 и затем регистрировался счетчиком импульсов, и анализировался с помощью осциллографа, анализатора спектра, амплитудного анализатора импульсов и т.д. Интегральная интенсивность электромагнитной эмиссии представлена гистограммой распределения скорости счета сигналов (сШ - количества импульсов за определенный промежуток времени). Максимальная чувствительность измерительного тракта по входу составляла 350 мкВ.

Электромагнитная эмиссия в радиодиапазоне исследовалась : в ионных кристаллах - чистых и активированных щелочногалоидных ( №С1, ^С1:Сс1, НаС1:РЬ, КС1, КС1:Т1, КС1:РЬ, КВт, 1лР), окислах М§0; ионно-ковалентных синтетических и природных кристаллах кварца (81'Ог) и топаза {АЬ [8104] ( Р,ОН)} ; а также стеклообразных диэлектриках - образцах технического и кварцевого стекла. Поскольку данные образцы неорганических диэлектриков отличаются различным содержанием и типом дефектов, и особенностями их образования под действием ионизирующего излучения, то выбор этих материалов в качестве объектов исследования оказался обоснованным и целесообразным. Исходя из различий и общих закономерностей возникновения сигналов электромагнитной эмиссии в радиодиапазоне

Рис.1. Блок-схема установки для синхронной регистрации электромагнитной эмиссии и люминесценции диэлектриков в интервале температур 80 - 700 К.

Рис.2. Фотография поверхности кристалла МаС1 (ч), облученного гамма квантами дозой 1,88 МГр в течение 1,5 года; размер кристалла 20 мм х 10 мм х 3,2 мм

судили о преимущественном вкладе в эффект генерирования тех или иных процессов эволюции и отжига объемных, линейных и точечных дефектов структуры исследуемых образцов.

Создание радиационных дефектов в диэлектриках производилось путем облучения образцов нейтронами (на экспериментальном реакторе ИРТ-2000 НИИ ЯФ при ТПУ), электронами (на электростатическом генераторе ЭСГ-2,5 НИИ ЯФ при ТПУ), а также рентгеновским (УРС - 55) и гамма-излучением ( на радиоизотопных источниках ГУЛ - 60Со ТГУ и ГИГ7-3 "Исследователь" ТГУ и НИИ ПП), и контролировалось по спектрам оптического поглощения в ультрафиолетовой, видимой и инфракрасной областях спектра с помощью спектрофотометров 5РЕСО!Ш ЦУ, У1Б и 5РЕС01Ш 751Ы.

Важную роль в радиационном дефектообразовании играет не только вид или доза облучения, но и мощность дозы, т. е. продолжительность облучения. С ростом дозы облучения в кристаллах растут концентрации центров окраски, их комплексов и скоплений. Установлено, что при длительном облучении происходит более отчетливое формирование макроскопических скоплений дефектов одного сорта, чем при менее продолжительном облучении большей интенсивности. Так, в двух группах образцов ЩГК, облученных на разных радиоизотопных источниках гамма- квантами дозой ~1,88 х108 Р в течение примерно 100 часов и ~1,5года, наблюдается различие не только в спектрах оптического поглощения, но и появление в последнем случае крупных макроскопических пор в результате радиационно-стимулированной диффузии (рис.2). Вывод о преимущественной агрегатизации радиационных дефектов вследствие длительного облучения при малых мощностях дозы учитывался нами при выборе условий облучения ЩГК с целью создания точечных дефектов. Эффект влияния мощности дозы у - облучения использовался для преимущественного создания электронно-дырочных центров одного типа в кристаллах кварца и топаза.

Форма регистрируемых импульсов отражает закон изменения элементарного релаксационного процесса, обусловливающего появление электромагнитной эмиссии, и содержит временные и энергетические характеристики этого процесса (рис.3 ). Амплитуда импульсных сигналов не превышает 1,5 мВ. Импульсный характер электромагнитной эмиссии при отжиге радиационных дефектов не связан с разрядными явлениями, характеризующимися сплошным спектром радиоизлучения и возникающими при раскалывании или расщеплении твердых тел. Сплошной спектр нами наблюдался с помощью анализатора спектра С4 - 8 лишь в исключительных случаях (рис.4).

Рис.3. Осциллограмма электромагнитного импульса при нагревании кристалла КаС1 ( I = 145 °С, развертка 500 мксек / дел, и = 500 мкВ / дел).

Рис.4. Сплошной спектр радиоизлучения при вторичном нагревании образца технического стекла (Т=140°С). Сигналы в области 19-22 МГц достигают значений амплитуды 2,1 В на фоне калибровочных меток 0,10 и 20 МГц .

ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ В РАДИОДИАПАЗОНЕ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫМИ И ИОННЫМИ ПРОЦЕССАМИ ПРИ НАГРЕВАНИИ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ДИЭЛЕКТРИКОВ

Типичная температурная зависимость (ТЗ) скорости счета импульсов радиочастотной электромагнитной эмиссии (РЭМЭ) и синхронно регистрируемой термостимулировашюй люминесценции (ТСЛ) в облученных щелочногалоидных кристаллах представлена на рис.5. Нагревание кристалла КВт , на поверхность которого нанесены электроды - антенна из платины, производилось со скоростью 0,1 К -с непосредственно после прекращения рентгеновского облучения 0=4,5 часа, и=40 кВ, 1=20 мА). На ТЗ РЭМЭ можно выделить два участка: низкотемпературный и высокотемпературный.

Рис. 5. Электромагнитная эмиссия (а, б) и люминесценция (в)

кристаллов КВг,

облученных рентгеновскими лучами при термическом стимулировании.

На первом участке (а) о 50 юо 150 2оа 250 зоо 350 ее наблюдается ряд максимумов РЭМЭ симбатно коррелирующих с рекомбинационной

люминесценцией, которая обусловлена термическим отжигом дырочных центров с последующей рекомбинацией дырок на Р-центрах. При температурах выше 20 °С процесс термического разрушения Р-центров в облученных кристаллах характеризуется многостадийностью и важную роль при этом играют ионные процессы. Достаточно хорошее совпадение максимумов термостимулированной люминесценции и термостимулированной электромагнитной эмиссии в области температур отжига радиационных центров окраски в щелочногалоидных кристаллах позволяет говорить о прямой взаимосвязи этих явлений и предполагать, что генерирование электромагнитной эмиссии в радиодиапазоне также обусловлено ионными и электронно-дырочными рекомбинационными процессами, и отнюдь не связано с аппаратурными эффектами, случайными помехами, нарушением экранировки и т.д.

Второй участок на ТЗ РЭМЭ ( б ) характеризуется резким увеличением интенсивности счета сигналов РЭМЭ, которая достигает величины более, чем на три порядка превышающей уровень фона.

Генерирование электромагнитной эмиссии щелочногалоидными кристаллами на участке (б) обусловлено термоактивированным движением заряженных дислокаций, которое становится возможным, когда энергии дислокации достаточно для термофлуктуационного преодоления тормозящих ее движение стопоров.

Аналогичные закономерности получены и для других ЩГК. Для необлученных кристаллов характерно наличие только второго, высокотемпературного участка (рис.6).

Проведены исследования электромагнитной эмиссии в радиодиапазоне, обусловленной термоактивированным движением заряженных дислокаций и их взаимодействие с точечными дефектами.

Релаксация механических напряжений при пластической деформации щелочногалоидных кристаллов определяется движением заряженных дислокаций и сопровождается изменением электрического потенциала на поверхности образца, "всплесками" электрического сигнала, импульсами акустической и электромагнитной эмиссии.

Различные дефекты кристаллической решетки, содержащиеся во всех реальных кристаллах, вызывают в них случайно распределенные поля внутренних напряжений, под действием которых происходит спонтанное скачкообразное движение дислокаций без приложения внешней нагрузки. Тепловое воздействие на ионные кристаллы понижает предел текучести, увеличивает подвижность дислокаций, что может быть обусловлено как термической активацией движения дислокаций, так и отжигом структурных дефектов, которые препятствуют движению дислокаций. Термоактивированное движение дислокаций в щелочногалоидных кристаллах, выявляемое методом химического травления, наблюдалось разными авторами (А .А. Дургарян, В.Б.Парийский, С.Б.Лубенец,А.А.Алыбаков и др.). Типичная зависимость скорости счета импульсов электромагнитной эмиссии при нагревании необлученных ЩГК представлена на рис.6. <Ш

[имп|

500

250

1 1 г 1 1 - 1 1

У,

<ш

(ими] 15000

10000

5000

120

160

190 Т, С

начинается с некоторых стартовых каждого типа кристалла, удовлетворительно

Рис. 6. Температурная зависимость скорости счета сигналов электромагнитной эмиссии при нагревании необлученных кристаллов НаС1.

Резкое увеличение скорости счета импульсов РЭМЭ, превышающее значения фона почти на три порядка, температур, характерных для совпадающих с

известными по литературным источникам результатами исследовании динамики дислокаций. Затем скорость счета импульсов достигает максимальной величины и, оставаясь по-прежнему высокой, имеет некоторую тенденцию к уменьшению. Импульсы РЭМЭ наблюдались на экране осциллографа и представляли собой сигналы колоколообразной формы амплитудой до 10 мВ с длительностью переднего фронта 10-20 мкс как положительной, так и отрицательной полярности (рис. 7).

Рис.7. Параметры и форма электромагнитного \ " 1 / ' Т;. к л - импульса в облученном

гамма квантами

кристалле ХлБ в области термоактивированного движения дислокаций (при Т= 330 °С). Скорость развертки 10 мксек, амплитуда 500 мкВ / дел.

Согласно современным представлениям ( Ю.И.Головин, М.И.Молоцкий, А.М.Косевич, И.Г.Маргвелашвили) при пластической деформации кристаллов движение заряженных дислокаций может приводить к генерированию электромагнитной эмиссии в радиочастотном диапазоне, которое может регистрироваться по электрической составляющей в ближней зоне (как импульсы электрического потенциала).

Механизм этого явления представляется следующим образом. Движение заряженных дислокаций в кристалле становится возможным, когда энергия дислокации достаточна для термофлуктуационного преодоления тормозящих ее движение стопоров. Начиная с некоторых "стартовых" температур возникает спонтанное движение дислокаций, число которых растет с температурой. Дислокация, окруженная облаком заряженных дефектов, движется скачкообразно с небольшой скоростью ( < 10 3 см/сек), не отрываясь от своей "атмосферы". При этом акте скачкообразного перемещения заряженной дислокации относительно компенсирующего ее заряд облака Дебая-Хюккеля вследствие раздвижения центров тяжести зарядов возникает электрический дипольный момент, флуктуации которого приводят к появлению на поверхности кристалла импульсов электрического потенциала.

Дипольный момент Р; , обусловливающий появление импульса

электрического потенциала, определяется выражением Р,- т}хдхйх£, где г) - число дислокационных сегментов, совершающих одновременный скачок, с1 - длина сегмента, я - линейная плотность зарядов на единицу длины дислокации, % - смещение дислокации относительно компенсирующего ее заряд облака. Величина электрического потенциала <р на поверхности кристалла, находящейся на расстоянии г определяется по формуле : <р = (Ржг) /4пе<,ег3

Учитывая, например, для кристалла ЫР средние оценки значения величин, входящих в это соотношение (ч» (3,1 • 10 й ч- 3,3 -Ю10 ) Кл/м, (1 « (1,0 -г 6,6) х 10"5 м , % » ( 1,0 -г- 4,0 ) х10-б м) получим значение индуцируемого дипольного момента Р* ю Ю-21 ч-1020 Кл ■ м. При измерении потенциала ф > 350 цУ на поверхности кристалла (г « 5 х10" м) минимально регистрируемый дипольный момент соответствующий порогу чувствительности составит РЗКсп » 3,05 -Ю"20 Кл -м, для чего необходимо т| к 3 ч- 50 дислокационных сегментов, совершающих одновременный скачок. Вполне возможно и легко объяснимо одновременное коллективное движение даже большего количества дислокационных сегментов.

Для описания процесса температурной зависимости регистрации сигналов электромагнитной эмиссии в области температур термоактивированного движения дислокаций, имеющего термоактивационный характер, может быть использована формула Аррениуса:

N & Ыоехр (-Еи/кТ) Согласно этой формуле, зависимость N = Г (1/Т) должна представлять собой прямую линию. Действительно,

экспериментальные точки высокотемпературного участка на этой зависимости укладываются на прямую линию, наклон которой соответствует энергии активации термоактивированного движения дислокаций (рис.8). Изменение энергии активации отражает динамику дислокаций и характер их взаимодействия с локальными стопорами. Радиационное воздействие, как известно, приводит к увеличению величины заряда на дислокации, уменьшению длины дислокационных сегментов и длины пробега, и, в конечном итоге, к закреплению дислокаций и упрочнению кристалла. Как при пластической деформации, так и в процессе термического стимулирования облученных кристаллов также наблюдается эффект их упрочнения, выражающийся в смещении начала ( " старта" ) термоактивированного движения дислокаций в сторону более высоких температур и резком увеличении значений энергии активации. Аналогичный эффект упрочнения наблюдается и в термически закаленных кристаллах (рис. 8, Ь ).

625 555

500

Т,К

Рис. 8. Изменение энергии активации в области

термоактивированного движения дислокаций облученных (а), термически отожженых до 350 °С и повторно облученных (Ь), и неравномерно по толщине облученных рентгеновскими лучами (с) кристаллов КС1: Т1.

Динамика термоактивированного движения дислокаций зависит от распределенных полей внутренних напряжений в кристалле. Если кристалл облучить нервномерно по толщине например, сначала мягким рентгеновским излучением (11=10 кВ, 1= 30 шА, 1=60 мии.), в результате чего у облучаемой поверхности создается микрослой с высокой концентрацией радиационных центров окраски, а затем в течение 15 минут жестким рентгеновским излучением (17=50 кВ, I=30 тА), достигая равномерного "прокрашивания" остальной части кристалла, то такое неравномерное распределение радиационных дефектов не приводит к какому - либо изменению кинетики отжига центров окраски и характера термостимулированной люминесценции, но вызывает появление гетерогенного распределения стопоров - заряженных вакансий и междоузельных ионов радиационного происхождения, и , возможно, электрического поля в образце. В этом случае в области температур движения дислокаций наблюдается сложное изменение значений энергии активации (рис. 8. с), обусловленное, вероятно, процессами торможения дислокаций дополнительными стопорами и двойным электрическим слоем.

Энергия активации термостимулированного движения дислокаций, определяемая методом регистрации импульсов РЭМЭ, например, для необлученного кристалла ПИ, равна Еа « 0,96 эВ и совпадает с некоторыми оценками энергии активации, полученными другими методами, например, с помощью измерений величин пробега дислокации в электрическом поле Еа « 0,9 , 0,93 эВ , что примерно в два раза больше, чем соответствующая величина, полученная методом внутреннего трения, и резко отличается от значений 0,2 и 0,7 эВ, определенных по температурным зависимостям напряжения т или скорости движения дислокаций V = Г ( Т ). Высокие

значения "стартовых" значений энергии активации в облученных ЩГК, полученные методом счета импульсов РЭМЭ для процесса термоактивированного движения дислокаций, отражают стадии их взаимодействия со стопорами, в качестве которых выступают заряженные точечные дефекты. Учитывая, что энергия активации перемещения только одиночных вакансий в ХлБ равна ~ 0,67 эВ , то энергетические затраты на перемещение линейного комплекса дефектов - дислокации должны быть соответствующими. Получаемые различными методами предельно низкие значения энергии активации в ЩГК, вероятно, соответствуют "надбарьерному" движению дислокаций, когда их взаимодействие со стопорами преодолевается силой внешнего механического или электрического воздействия, и совпадают со значениями Еа при их термическом стимулировании на конечных стадиях при высоких температурах.

Взаимодействие движущихся дислокаций со свободными зарядами, возникающими при отжиге радиационных дефектов и центров окраски в облученных кристаллах, усиливает интенсивность радиочастотной электромагнитной эмиссии, что наблюдается в области их термоактивированного движения (рис.9) или в условиях термомеханического воздействия.

Рис.9.Люминесценция (а) и электромагнитная эмиссия на низкотемпературном участке (б) и в области термоактивированного движения дислокаций (в) при нагревании

кристаллов №С1 : РЬ, облученных гамма квантами.

250 Т, °С

В кристаллических

диэлектриках линейные дефекты - дислокации - являются непременным атрибутом в отличие от стеклообразных диэлектриков. В исследованных нами образцах кварцевого и технического многокомпонентного стекла электромагнитные эффекты, характерные для динамики дислокаций в ионных кристаллах, не наблюдались.

Диэлектрические кристаллы могут эффективно накапливать электрический заряд при их облучении заряженными частицами: электронами, протонами, ионами или альфа - частицами, вызывая заряжение поверхности и поляризацию кристалла. Наряду с заряжением кристалла происходит также создание радиационных дефектов. Отжиг радиационных центров окраски вызывает появление

подвижных носителей заряда с последующей рекомбинацией их на комплементарных центрах окраски, что сопровождается

термостииулированной люминесценцией, релаксацией

радиоэлектронного состояния за счет изменения объемной проводимости, и появлением электромагнитной эмиссии в радиочастотном диапазоне.

На температурной зависимости скорости счета импульсов РЭМЭ кристаллов ЫИ, облученных ионами платины с энергией несколько кэВ, наблюдается интенсивный максимум в области 120150-170 °С и резкий экспоненциальный рост скорости счета импульсов, начиная с 250 °С, увеличивающийся по сравнению с фоном на 4 порядка (рис.10, а). После двухнедельной выдержки при комнатной температуре идентичного образца 1лР интенсивность электромагнитной эмиссии принимает вид (рис. 10 , Ь) постоянной скорости счета ( фон ) вплоть до 320 °С, после которой начинается резкое увеличение скорости счета. Экспоненциальный рост числа

зарегистрированных импульсов при нагревании кристаллов УР в высокотемпературной области связывается с

термоактивированным движением дислокаций, рассмотренным выше.

Рис.10. Скорость счета электромагнитных импульсов при нагревании кристаллов 1лР, свежеоблученных ионами

платины (а) и после двухнедельного хранения (Ъ), с - релаксация поверхностных зарядов о (из работы [1]).

Максимум электромагнитной эмиссии в области 120-150-170 °С совпадает с изменением

эффективной плотности поверхностных зарядов а монокристалла LiF , инверсией знака при 150 °С и последующим отжигом радиоэлектретного состояния. В этом случае процессы генерации свободных носителей заряда и рекомбинации или захвата их в связанное состояние приводят к флуктуациям их концентрации, что в электрическом поле радиоэлектрета обусловливает генерирование электромагнитной эмиссии по типу генерационно-рекомбинационного

! dN

0>)

750

Ь)| _ 500

и- Jfr - 250

300 т, °с

шума, характерного для полупроводников. При длительном хранении ("старении") кристаллов 1лР, облученных низкоэнергетическими ионами платины происходит релаксация радиоэлектретного состояния, тогда электромагнитная эмиссия в радиодиапазоне, обусловленная этим эффектом не наблюдается (рис.10, Ь).

В работе экспериментально исследована динамика проявления эффекта радиационной "памяти" путем регистрации импульсной радиочастотной электромагнитной эмиссии при нагревании ЩГК, облученных различными видами и дозами ионизирующего излучения. Воздействие ионизирующего излучения на щелочногалоидные кристаллы приводит к нарушению их структуры, появлению междоузельных ионов и ионных вакансий, на которых локализуются возникающие в результате ионизационных процессов электроны и дырки, и образованию таким образом электронных и дырочных центров окраски. При этом кристалл приобретает окраску, в ультрафиолетовой и видимой областях спектра наблюдаются характерные полосы оптического поглощения, соответствующие определенным центрам окраски. С ростом дозы облучения возрастает концентрация как простых центров ( например, Р - центров), так и сложных их комплексов и скоплений : Рг , Рз , Р4 , К, Уг , У4 и другие (рис. 11). При нагревании облученного кристалла до некоторых температур все центры окраски разрушаются и кристалл полностью обесцвечивается. Казалось бы, что все радиационные дефекты, созданные облучением отожглись, однако при последующих опытах с исследуемым кристаллом отмечаются проявления остаточной дефектности - эффект радиационной "памяти ".

Я, К? Ъ

Рис. 11. Спектры оптического поглощения кристаллов 1лР, облученных гамма-квантами: 1 - доза 4,0 хЮ5 Р, 2 - 3,5 хЮ6 Р, 3 -1,08 хЮ8 Р, 4 - повторно облучен 4,0 хЮ5 Р после облучения дозой 1,08 хЮ8 Р и нагрева до 450 °С .

Например, в облученном рентгеновским излучением дозой я 3,5 хЮ6 Р кристалле 1лР образуются И- и Рг - центры (рис. 11, кривая 2), термический отжиг которых сопровождается обесцвечиванием, люминесценцией и радиочастотной электромагнитной эмиссией (рис. 12, а). Симбатная корреляция максимумов РЭМЭ

Е, эВ

свидетельствует о взаимосвязи наблюдаемых явлений с электронно-дырочными рекомбинационными процессами. При достижении температур полного обесцвечивания ( -700 К) процесс нагревания облученного рентгеновским излучением кристалла 1ЛР прекращали, и охлаждали образец, находящийся в вакуумной измерительной ячейке, со скоростью 0,3...0,1 К-с1 . При охлаждении регистрация импульсов РЭМЭ продолжалась ( рис.12, б), ТСЛ при этом не наблюдалась. Максимумы РЭМЭ в режиме охлаждения наблюдаются в том же интервале температур, в котором при нагревании регистрируется максимальная скорость разрушения

Рис. 12. Радиочастотная электромагнитная эмиссия (1), люминесценция (2) и кинетика отжига центров окраски в облученных ренгеновскими лучами кристаллах 1лР при первом нагревании (а), при последующем охлаждении (б), при повторном нагревании (в).

Это свидетельствует о том, что структурные нарушения, связанные с радиационным облучением кристалла, сохранились. После

охлаждения кристалла до комнатной температуры при повторном цикле нагревания наблюдается интенсивная РЭМЭ ь интервалах температур проявления ТСЛ (рис.12, в), хотя при вторичном нагревай™ свечения ТСЛ не наблюдается Скорость счета РЭМЭ в режиме охлаждения и повторного нагревания возросла на 1 -2 порядка по сравнению с первичным нагреванием. С каждым последующим циклом нагревание-охлаждение интенсивность РЭМЭ уменьшается, максимумы становятся менее отчетливыми.

Однако полный отжиг проявления эффекта радиационной памяти в облученных кристаллах 1ЛР удалось достичь нагреванием почти до температур плавления кристалла (- 1050 К).

центров окраски и интенсивная ТСЛ.

Если облученный кристалл после одного цикла нагревание -охлаждение вновь облучить в прежних условиях ионизирующей радиацией, то интенсивность РЭМЭ при повторном нагревании возрастает в несколько десятков раз по сравнению с первоначальным измерением, хотя интенсивность ТСЛ практически не изменяется. Кристалл как бы хранит "память" о предыдущем радиационном воздействии, которая проявляется в виде электромагнитной эмиссии в радиодиапазоне. Необходимо отметить что величина амплитуды импульсов РЭМЭ при регистрации эффектов "памяти" в режиме охлаждения превышает более чем на два порядка аналогичную характеристику РЭМЭ, связанную с разрушением центров окраски, и близка по своим значениям к параметрам РЭМЭ, характеризующим электроразрядные явления. Следовательно, после термического обесцвечивания в кристалле сохранились оптически неактивные, но электрически заряженные дефекты.

Действительно, если кристалл 1ЛР, облученный высокой дозой («1,08 х108 Р), нагреть до температуры термообесцвечивания (к 450 °С) и вновь его облучить малой дозой ( ~ 4,0 х 105 Р), то в спектрах оптического поглощения обнаруживаются сложные Р-агрегатные центры окраски (рис.11, кривая 4), которые не должны наблюдаться при таких малых дозах (рис.11, кривая 1).

Заряженные точечные дефекты, бывшие центрами окраски, выявлялись Г.И.Дистлером с сотрудниками в обесцвеченных термообработкой облученных кристаллах ИаС! путем декорирования золотом. При этом на свежих поверхностях расколотого кристалла наблюдались заряженные скопления дефектов, между которыми были видны нити микропробоев. Можно считать, что именно скопления "бывших" центров окраски (остаточная дефектность) приводят к появлению электрической микрогетерогенности, образованию квазиэлектретного состояния и возникновению микроразрядов, сопровождающихся импульсной электромагнитной эмиссией в радиочастотном диапазоне. Причем, при первом нагревании облученного кристалла еще несформировавшаяся, спонтанно образующаяся внутренняя поляризация, обусловленная отжигом центров окраски, экранируется появляющимися свободными зарядами, в то время как при охлаждении или последующем нагревании обусловленные ею механизмы генерирования электромагнитной эмиссии проявляются в условиях дефицита свободных зарядов.

ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННАЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ЭМИССИЯ В ИОННО - КОВАЛЕНТНЫХ КРИСТАЛЛАХ

Ионный характер связи между кристаллообразующими частицами в полярном ионном кристалле обусловливает эффекты локальной поляризации кристаллической решетки при движении медленных электронов проводимости ( или дырок), возникающих при отжиге центров окраски, вследствие чего при электронно - дырочных рекомбинационных процессах следует ожидать существенного вклада ионных поляризационных эффектов. Путем подбора иной диэлектрической матрицы, например, кристаллов кварца или топаза, отличающихся иошю-ковалентным характером связи, можно выделить процесс преимущественной электронно-дырочной рекомбинации, локализованной на определенном центре. Центрами рекомбинации в высокочистых (синтетических или природных) кристаллах кварца являются ионы кислорода, слабое свечение которых регистрируется в спектрах рентгенолюминесценции (рис.13 ).

Рис.13. Спектры

рентгенолюминесценции необлученного (1) и облученного гамма - квантами ( 4.0 х 105 Р) кристалла синтетического кварца.

Облучение радиационно-стойких

кристаллов кварца рентгеновским 400 600 им излучением или гамма-квантами малой мощности дозы ( ~ 3,8 Р/сек) приводит к ионизации кремнекислородного тетраэдра и появлению электронно-дырочных центров окраски. В номинально чистых синтетических кристаллах кварца эти центры являются неустойчивыми, поскольку подвижный ион водорода, присутствующий в них в качестве иона-компенсатора, локализуясь вблизи кремнекислородных тетраэдров не позволяет создать устойчивый дырочный [БЮ4 Р" - центр. При облучении таких кристаллов кварца гамма-квантами с высокой мощностью дозы (~ 360 Р/сек) в результате высокой плотности возбуждения возникают дополнительные дефекты, эффективно стабилизирующие легкоподвижные ионы водорода, что приводит к появлению устойчивой пары центров "электронный [БЮ4 ]5_ и дырочный [БЮ4 ]3- : [ БЮ4 ]4- + е-} = [ БЮ4 р и {[ БЮ4 ]4" + е+ } = £¡04 р".

Термическое разрушение электронных центров вызывает освобождение электрона и его рекомбинацию на ионах кислорода по схеме:

[ БЮ4 ]5' -> {[ БЮ4 ]4 + е-} + [ БЮ4 р- [ Б104 ]*■ + Ьу (365 нм) ; [ Б104 р {[ 5104 ]4" + е-} + О- (немостиковый) + Ьу ( 630 нм) ; ( в тех случаях, когда кристалл кварца активирован алюминием, изоморфно замещающим кремний в кремнекислородном тетраэдре, рекомбинация происходит на дырочных кислородных центрах дефектного алюмокислородного тетраэдра:

[ БЮ4 Р" {[ 8Ю4 ]4" + е- } + [ АЮ4 ]«- [ АЮ4 ]5" + Ьу ( 470 нм) ;) и сопровождается как электронно - дырочной рекомбинационной термолюминесценцией в области температур 50 - 70 °С , так и электромагнитной эмиссией в радиодиапазоне (рис.14 ).

Рис.14. Термостимулированное электромагнитное излучение (1,3) и люминесценция (2,4) кристаллов синтетического кварца, изодозно (4.0 х 105 Р) облученных гамма-квантами мощностью дозы 3,8 Р/ сек (1,2) и 360 Р/сек (3,4).

Генерирование сигналов РЭМЭ при нагревании кристаллов синтетического топаза,

облученного гамма-квантами малой мощностью дозы, наблюдается преимущественно в интервале 200 - 300 °С. В этом же интервале температур разрушаются электронные центры окраски, соответствующие центрам Е - типа в кварце. Аналогичные закономерности наблюдаются и в других кристаллах с ионно - ковалентными связями : природном оптическом кварце, высокочистом поликристаллическом кварците, природном и синтетическом топазе ( в том числе и ювелирных его разновидностях). Таким образом, экспериментально наблюдаемая радиочастотная электромагнитная эмиссия при нагревании облученных гамма -квантами ионно- ковалентных кристаллах кварца или топаза возникает при электронно - дырочных процессах, связанных с излучательной рекомбинацией на ионах кислорода, находящихся в различных структурных положениях. Очень короткие сигналы электромагнитной эмиссии с длительностью несколько микросекунд

и амплитудой около 500 мкВ регистрировались преимущественно в синтетических кристаллах (рис. 15).

^ —- Рис.15. Форма импульса

, , электромагнитной эмиссии

^ > . ■ - ' , - . - < при нагревании

' - ( . . синтетического топаза ( Т =

í . . - „ ~ ' г - - ' * 230 °С, Скорость развертки

; - - • _ д >' г/ ■ 1мксек/дел, амплитуда 200

V* " - ,1, мкВ /дел.

[: « "- ^ШШ*. -V -

¡ - * . В отличие от чистых

Г 1 ~ -Г- ' " а

t , _ . синтетических кристаллов, в

- - сложных природных

; » . • кристаллических диэлектриках

v . >.- - < • . радиационное воздействие отличается рядом

особенностей. Радиационная модификация минералов зависит не только от вида и параметров ионизирующего излучения, но и в значительной степени от структуры самого минерала. Разрыв химических связей под действием радиации, перезарядка примесных центров, диффузия различных примесных ионов-компенсаторов вызывает специфические изменения физических свойств минерала, отличающиеся не только от других видов воздействия (теплового, оптического, механического), но и присущие только определенному генетическому типу. Так, в минералах силикатной группы особая роль в качестве индикатора геохимических и термодинамических условий минералообразования отводится выявлению дефектных кремнекислородных тетраэдров, в которых кремний изоморфно замещен алюминием, а компенсация избыточного заряда осуществляется щелочными ионами. Облучение ионизирующей радиацией кварца, топаза, кварцита, характеризующихся более щелочными и высокотемпературными условиями образования, приводит к диффузии щелочных ионов-компенсаторов (Na, К) от алюмо-кислородных тетраэдров, с образованием дымчатых центров окраски. При нагревании этих минералов регистрируются характерные температурные зависимости люминесценции и интенсивности электромагнитной эмиссии, которые не отжигаются при первом нагревании, и проявляются при последующих измерениях (эффект радиационной памяти в минералах). При облучении минералов, образовавшихся в более кислых условиях минералообразующей среды, диссоциация комплексов "алюмокислородный тетраэдр - щелочной ион" и диффузия ионов-компенсаторов (Н, Li), зависит от мощности дозы радиационного воздействия.

ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ В РАДИОДИАПАЗОНЕ, СВЯЗАННЫЕ С ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫМИ ПРОЦЕССАМИ

В процессе облучения диэлектриков ионизирующим излучением происходят одновременно разнообразные процессы в электронной и ионной подсистеме кристалла. Наблюдаемая при этом высокая интенсивность электромагнитной эмиссии не позволяет, на наш взгляд, выделить вклад рекомбинационных процессов в интегральную интенсивность РЭМЭ Для выделения преимущественного вклада электронно-дырочных процессов нами проведены исследования радиочастотной электромагнитной эмиссии при нагревании щелочногалоидных кристаллов 1лР и КВг , облученных при температуре жидкого азота, а также при фотостимуляции.

80 135 19» 245 Т, К

Рис. 17.Термостимулированная электромагнитная эмиссия( а ) и люминесценция ( б ) кристаллов КВг, облученных при 80 К.

[имп]

Рис.16. Затухание интенсивности электромагнитной эмиссии после прекращения рентеновского облучения кристаллов КС1: Т1. при 295 К.

После прекращения облучения скорость счета импульсов

электромагнитной эмиссии спадает (рис.16), что может быть связано с процессами туннельной рекомбинации электронных и г f дырочных центров окраски и (или)

J Ij /О I,МИН т. .

генетически связанных пар {Т1 -Vk} в кристаллах КС1 : Т1. При освещении светом в видимой области гпектра интенсивность электромагнитной эмиссии резко возрастает. При нагревании кристаллов КВг, облученных при 80 К, наблюдается интенсивная термостимулированная люминесценция, пики свечения которой коррелируют с максимумами счета импульсов РЭМЭ

I (рис.17). Пик ТСЛ при 122 К (6) обусловлен отжигом Нд-[отн.ед.] центров.

(а) [имп]

)

100

Пик ТСЛ при 155 К является неэлементарным и обусловлен двумя перекрывающимися пиками: слабым 145 К, связанным с разрушением Р'-центров и сильным 157-160 К, обусловленным делокализацией Ук-центров с последующей их рекомбинацией с электронными центрами окраски. Пик ТСЛ при 215 К обусловлен разрушением Ур -центров, а пик 245 К связан с первой стадией разрушения У» -центров.

Приведенные результаты исследований свидетельствуют, что данные электромагнитные эффекты в радиодиапазоне обусловлены непосредственно процессами электронно-дырочных взаимодействий в излучательных центрах рекомбинации.

Оптическое воздействие, например, на аддитивно окрашенный кристалл КВг в области Р-полосы поглощения ( Хт = 640 нм), вызывает сложный процесс перезарядки центров захвата электронов. Благодаря достаточному оптическому возбуждению электроны освобождаются из Р -центров и могут мигрировать по кристаллической решетке с последующей локализацией как на анионных вакансиях в избытке имеющихся в кристалле, вновь образуя Б -центры, так и на других микродефектах, создающих мелкие энергетические уровни захвата электронов. Этот процесс сопровождается преобразованием центров окраски и диффузионно-контролируемыми туннельными реакциями, фотостимулированной оже-эмиссией электронов, а также сложной зависимостью генерации фотостимулированной электромагнитной эмиссии от времени оптической стимуляции, свидетельствующей об электрической и электромагнитной активности кристалла. После релаксации процессов, вызванных фотостимуляцией в Р - полосе, скорость счета импульсов электромагнитной эмиссии регистрируется на минимальном уровне, соответствующему стационарному уровню фона. Тогда фотостимуляция образца производилось в инфракрасной области 10003000 нм через фильтр ИКС-2 при комнатной температуре (рис. 18).

Рис. 18. Стимулированная ИК - светом электромагнитная эмиссия аддитивно окрашенного кристалла КВг.

о 10 20 зо

50 мин

В результате ИК-освещения интенсивность электромагнитной эмиссии резко возрастает, а затем спадает до уровня,

предшествующего освещению (до уровня фона). В результате фотостимулированного разрушения мелких электронных ловушек, свободные электроны рекомбинируют на анионных вакансиях с образованием И* Б-центров. Затем этот процесс прекращается. В данном случае наблюдаемая фотостимулированная электромагнитная эмиссия связана непосредственно с электронными процессами и созданием Р-центров через стадию релаксации их возбужденного состояния.

Поскольку движение электронов ( или дырок) описывается моделью взаимодействия частицы с квантованным полем методами квантовой теории поля, то электронно-дырочные рекомбинационные процессы и связанные с ними электромагнитные эффекты носят квантовый характер.

В отличие от индуцированных электромагнитных эффектов, квантовый характер которых определяется состоянием всей излучающей системы в целом, генерирование фотостимулированной электромагнитной эмиссии определяется скорее параметрами элементарного излучателя, чем коллективными эффектами. Можно предположить, что ячейка, включающая в себя центр рекомбинации и область кристалла, определяемую сечением взаимодействия рекомбинирующих частиц, совершает переход из одного энергетического состояния в другое при акте рекомбинации. Такой переход будет сопровождаться перемещением зарядов из одних положений в другие и будет вызывать поляризацию кристаллической решетки. Поскольку данный переход происходит в течение конечного времени, то во время перехода происходит изменение поляризации образца от значения Р| через максимум до нуля.

Многочисленными экспериментами по люминесценции в окрашенных кристаллах показано, что выше основного состояния имеется достаточно устойчивое (метастабильное) состояние, в которое переходит электрон в процессе колебательной релаксации -релаксированное возбужденное состояние ( РВС ), которое обладает большим радиусом, намного превышающим расстояние между ближайшими соседями в решетке. Время перехода из 2Р*-состояния в 18*-состояние (время жизни в РВС) вычислено для Р- центров, и составляет (в микросекундах) 0,59; 1,1 и 2,1 в кристаллах КС1, КВг и К1 соответственно.

Генерирование импульса электромагнитной эмиссии сложной формы ( например, рис.19.), в этом случае обусловлено изменением во времени суммарного дипольного момента Р^ = X Р, (1), где Р](1) - дипольный момент ¡-той ячейки, а суммирование производится по всем N элементарным ячейкам, включающим в себя центр рекомбинации. Если бы все элементарные диполи двигались

строго когерентно, то в этом случае эффект генерирования электромагнитной эмиссии был бы максимальным. Вероятно, это может быть достигнуто лишь в лазерах, работающих на центрах окраски, с помощью модуляции вынуждающего излучения.

Рис. 19. Осциллограмма

импульса электромагнитной эмиссии сложной формы, полученная при нагревании кристалла КВг, облученного при 80 К, в области Ук - Р рекомбинации ( Т » 160 К, скорость развертки 1 мксек / дел, амплитуда 100 мкВ / дел).

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. В работе впервые детально исследованы качественные закономерности возникновения электромагнитной эмиссии в радиодиапазоне в ионных и ионно-ковалентных кристаллах в результате эволюции и отжига радиационных дефектов при внешнем тепловом, оптическом и радиационном воздействии. На основе моделирования процессов динамики радиационных дефектов в кристаллических и стеклообразных диэлектриках и сравнительного анализа экспериментально наблюдаемых электромагнитных эффектов в радиодиапазоне сделан вывод, что генерирование сигналов электромагнитной эмиссии является фундаментальным свойством твердых тел.

2. Электромагнитная эмиссия в радиодиапазоне возникает при термоактивированном скачкообразном движении заряженных дислокаций в ионных кристаллах, вызывающем индуцируемый электрический дипольный момент, флуктуации которого приводят к появлению сигналов электромагнитной эмиссии, что несет информацию о динамике дислокаций в кристалле.

3. Экспериментально обнаружено и изучено генерирование импульсной радиочастотной электромагнитной эмиссии, обусловленной следующими процессами : 1) накоплением и релаксацией объемного заряда, электретного состояния в диэлектрике, а также радиоэлектретного состояния, при термической стимуляции, вследствие флуктуаций носителей заряда в электрическом поле электрета и появления электромагнитных эффектов генерационно -рекомбинационного типа; 2) взаимодействием потоков движущихся заряженных дислокаций со свободными зарядами, возникающими при отжиге центров окраски в радиационно облученных кристаллах, при

термоактивированном или термомеханическом стимулировании; 3) эволюцией и отжигом радиационных дефектов и центров окраски при термическом или оптическом воздействии. В этих случаях возникновение электромагнитной эмиссии в радиодиапазоне обусловлено коллективными эффектами, связанными с флуктуациями концентраций (потоков) заряженных дефектов, вызывающими флуктуации дипольного (мультипольного) момента системы зарядов в объеме кристалла.

4. Показана взаимосвязь электронных и электронно - дырочных процессов, с возникновением электромагнитной эмиссии в радиодиапазоне вследствие теплового или оптического инициирующего воздействия на кристаллические диэлектрики, содержащие радиационные центры окраски. Генерирование сигналов электромагнитной эмиссии в данном случае обусловлено элементарными актами релаксации возбужденного состояния дефектных диэлектриков, определяющихся собственными свойствами электронно-дырочного взаимодействия в кристаллической матрице, а не всей излучающей системой зарядов в целом. Форма регистрируемых импульсов содержит временные и энергетические характеристики переходного процесса и отражает динамику электрических релаксационных процессов в кристаллических диэлектриках.

5. Разработана высокочувствительная методика регистрации сигналов электромагнитной эмиссии в радиодиапазоне частот до 50 МГц (по электрической составляющей), возникающей в неорганических диэлектриках при термическом, оптическом и радиационном стимулировании в широком интервале температур.

Полученные результаты вносят определяющий вклад в развитие нового научного направления в физике диэлектриков: радиочастотно - эмиссионную спектроскопию диэлектриков.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах :

1.Коровкин М.В. Электромагнитное излучение возбужденных ионных кристаллов при термическом стимулировании / Материалы научно-практ. конф.:Молодые ученые и специалисты Томской области в 9 пятилетке. - Томск: Изд-во ТГУ, 1975. - С.217-220.

2.Воробьев A.A., Сальников В.Н., Коровкин М.В. Наблюдение радиоимпульсов при нагревании кристаллов и минералов в вакууме // Известия ВУЗов. Физика. - 1975. - № 7. - С. 59 - 64.

3.Бреховских С.М., Воробьев A.A., Завадовская Е.К., Сальников В.Н., Коровкин М.В. Регистрация импульсного электромагнитного излучения в диапазоне радиочастот при нагревании периклаза и технического стекла //Известия ВУЗов. Физика. - 1977. -№4. - С. 124 -131.

4.Коровкин М.В., Сальников В.Н. Термостимулированное радиоизлучение диэлектрш<ов // Радиационные эффекты в твердых телах. Тез. докл. Всес. конф. - Ашхабад, 1977. - С. 138 - 139.

5.Коровкин М.В., Притулов А.М. Термостимулированное радиоизлучение возбужденных монокристаллов Л^О // Радиационная физика и химия ионных кристаллов. Тез. докл. IV Всес.совещ. - Рига, 1978. - С. 213-214.

6.Сальников В.Н., Заверткин С.Д., Коровкин М.В. Электромагнитные и акустические эффекты вследствие структурных изменений в стеклах // Известия ВУЗов. Физика. - 1980. - №1. - Деп.в ВИНИТИ, №3981 -80. - 27 С.

7.Коровкин М.В. Механизмы генерирования электромагнитных импульсов облученными кристаллами при механическом и тепловом воздействии // Электроимпульсная технология и электромагнитные процессы в нагруженных твердых телах. Тез. докл. Всес. научн. совещ. - Томск, 1982. - С. 181.

8.Сальников В.Н., Коровкин М.В. Исследование оптических и электромагнитных свойств технических стекол // Оптические и спектральные свойства стекол. Тез. докл. VI Всес. симпозиума. - Рига, 1986. - С. 154.

9.Коровкин М.В. Исследование термостимулированного радиоизлучения облученных МДМ - систем // Воздействие ионизирующего излучения и света на гетерогенные системы. Тез. докл. IV Всес. совещ. - Кемерово, 1986. - 4.2. - С. 36 - 37.

Ю.Коровкин М.В. Электромагнитная эмиссия обусловленная движением дислокаций при термомеханическом воздействии на ионные кристаллы // Тез. докл. X Юбилейн. Всес. симпоз. по механоэмиссии и механохимии твердых тел. - Москва, 1986. - С. 32.

11 .Сальников В.Н., Коровкин М.В., Галанов Ю.И. Исследование отжига радиационных дефектов в ионных кристаллах методом термостимулированного радиоизлучения // Радиационная физика и химия ионных кристаллов. Тез. докл. VI Всес.конф. - Рига, 1986.-С.308-309.

12.Коровкин М.В. Рекомбинационные механизмы радиоизлучения в ионных кристаллах // Непериодические быстропротекающие явления в окружающей среде. Тез.докл.междисциплинарной школы-семинара. - Томск, 1988. - 4.2. -С. 133 - 135.

13.Коровкин М.В., Галанов Ю.И. Термостимулированное радиоизлучение при релаксации электретного состояния в кристаллах ир II Известия ВУЗов. Физика. - 1989. - № 3. - С. 102 - 104.

М.Коровкин М.В.,Сальников В.Н. Эффект радиационной памяти в диэлектрических кристаллах // Радиационная физика и

химия неорганических материалов. Тез. докл. VII Всес. конф. - Рига, 1989.-С.178.

15.Коровкин М.В. Образование гетерогенных структур в ЩГК при различных интенсивностях гамма - излучения // Радиационные гетерогенные процессы. Тез. докл. V Всес. совещ. - Кемерово, 1990. - С. 63-64.

16.Korovkin M.V. Dislocation dynamics in irradiated alkali halide crystals II Радиационная физика и химия неорганических материалов. Тез. докл. VIII Междунар. конф.-Томск, 1993.- Ч.2.- С. 23.

17.Сальников В.Н., Монингер Г.Г., Заверткин С.Д., Коровкин М.В., Долгов И.В. О некоторых электрофизическихх свойствах кварцитов II Физико - технические проблемы разработки полезных ископаемых. -1994. - № 3. - С. 89 - 98.

18.Коровкин М.В. Радиочастотная электромагнитная эмиссия в кристаллических диэлектриках // Труды Второй Международ, научно - техн. конф.: Актуальные проблемы фундаментальных наук. - Москва,

1994,- Т.З - С.А16-А19.

19.Коровкин М.В., Бетхер М.Я., Иванова О.А. Радиационные гетерогенные процессы в ювелирных топазах // Радиационные гетерогенные процессы. Тез. докл. VI Международ, конф., Кемерово,

1995. - С. .25.

20.Коровкин М.В., Сальников В.Н. Эффект радиационной "памяти" в синтетических минералах // ХШ Российское совещание по экспериментальной минералогии. Тез.докл.- Черноголовка: Институт экспериментальной минералогии, 1995. - С. 52.

21.Коровкин М.В., Сальников В.Н. Эффект радиационной "памяти" в природных и искусственно выращенных кристаллах. / Геология 2. Ред. кол.: А.Н.Тихонов , В.А. Садовничий и др. (Программа "Университеты России") - М.: Изд-во Московского .ун-та,

1995. - С. 200 - 204.

22.Korovkin M.V., Sal'nikov V.N. Radiation "memory" effect in synthetic minerais / Experiment in Geosciences. - 1995.- Vol.4, № 4. - P. 82 -83.

23.Коровкин М.В. Влияние мощности облучения на эволюцию радиационных дефектов в кристаллических диэлектриках. / Тезисы докладов 9-й Международной конф. по радиационной физике и химии неорганических материалов (РФХ - 9), - Томск: Изд. ТПУ,

1996. - С. 205.

24.Коровкин М.В., Герих Л.Ю., Лебедева Н.А., Барский А.М. Оценка радиационной обстановки в природных и техногенных районах экологической нестабильности методами радиационной минералогии. / Радиоактивность и радиоактивные элементы в окружающей среде. Материалы Международной конф., посвященной

столетию со дня открытия явления радиоактивности и столетию Томского политехнического университета, - Томск, 1996. - С. 472 - 474.

25.Коровкин М.В. Генерация радиочастотной электромагнитной эмиссии вследствие электрической релаксации в кристалличесих диэлектриках / Диэлектрики - 97. Тез. докл. Международ, научно -технич. конф. - Санкт-Петербург : Изд-во СПбГТУ, 1997. - С. 114 -115.

26.Тищенко Г.И., Галанов Ю.И., Коровкин М.В., Токаренко Г.Г. Особенности расчленения палеозойских карбонатных толщ нефтегазоносных отложений методами гамма-термолюминесценции и инфракрасной спектрометрии / Актуальные вопросы геологии и географии Сибири. Материалы научной конф., посвяш. 120-летию основания Томского гос. ун-та,- Томск: Изд-во ТГУ, 1998. - Т.2. -С. 155-158.

27.Иванова O.A., Изох П.Э., Коровкин М.В., Томас В.Г. Рентгенолюминесценция синтетического топаза / Актуальные вопросы геологии и географии Сибири. Материалы научной конф., посвяш. 120-летию основания Томского гос. ун-та, - Томск: Изд-во ТГУ, 1998. -Т.З.-С.66-71.

28.Коровкин М. В. Влияние мощности у - облучения на эволюцию радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах. / Деп. в ВИНИТИ 19.03.98 г. № 757 - В98. - 13 с.

29.Arefiev K.P., Korovkin M.V. Electromagnetic effects in radiofrequency range connected with dynamics of radiation defects in crystal dielectrics / KORUS '98 . Abstracts the second Russian-Korean International symposium of science and technology. August, 30 - September, 5 at Tomsk polytechnical university. - Tomsk, Russia, 1998. - P. 157.

30.Коровкин M.B. Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках / Радиационно - термические эффекты и процессы в неорганических материалах. Тез. докл.Международной конф. - Томск, 1998,- С. 152-154.

31.Коровкин М.В., Иванова O.A. Особенности рентгенолюминесценции синтетических кристаллов топаза / Физико-химические процессы в неорганических материалах. Тез. докл. Международной конф.- Кемерово, 1998. - Т.1. - С.36-38.

32.Коровкин М.В., Галанов Ю.И., Арефьев К.П. Термоактивированное движение дислокаций в кристаллах фтористого лития // Известия ВУЗов. Физика. -1998. - № И - С.124 -126.

Подписано к печати 25.11.98. Формат 60x84/16. Бумага ксероксная. Печать RISO. Усл.печ.л. 1,92. Уч.-изд.л. 1,74. Тираж 100 экз. Заказ № 270. «Н® ипф m Лицензия лт №1 от 18.07.94. Типография ТПУ. —i». 111У 634034, Томск, пр.Ленина, 30.

Содержание диссертации автор исследовательской работы: доктора физико-математических наук, Коровкин, Михаил Владимирович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Литературный обзор

1.1. Электрические и электромагнитные эффекты в диэлектрических материалах.

1.2. Электрические эффекты при разрушении твердых тел.

1.3. Электрические и электромагнитные эффекты при пластической деформации ионных кристаллов.

1.4. Радиационное дефектообразование и отжиг радиационных дефектов в ионных кристаллах.

1.4.1. Центры окраски в кристаллах 1лР.

1.4.2. Радиационные дефекты и центры окраски в кристаллах окиси магния.

1.4.3. Особенности образования и отжига радиационных дефектов в кристаллах кварца.

ГЛАВА 2 . Методика исследований.

2.1. Отбор и приготовление образцов для исследования.

2.1.1. Облучение кристаллов.

2. 1.2. Расчет поглощенной дозы при облучении электронами . . ^65 ? 2.1.3 Влияние мощности дозы облучения на эволюцию радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах

2.2. Методика исследования термолюминесценции в диэлектриках

2.3. Методика измерения термостимулированной проводимости.

2.4. Аппаратура и методика исследования электромагнитной эмиссии в радиодиапазоне.

2.4.1. Выбор датчиков.

2.4.2. Согласование электрического датчика с измерительной схемой.

2.4.3. Блок - схема регистрации сигналов термостимулированной электромагнитной эмиссии.

2.4.4. Исследование характеристик термостимулированной электромагнитной эмиссии.

ГЛАВА 3. Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, обусловленные электронными и ионными процессами при нагревании ионных кристаллов.

3.1. Термостимулированная электромагнитная эмиссия при релаксации радиоэлектретного состояния в кристаллах фтористого лития.

3.2. Взаимосвязь эффекта генерирования электромагнитной эмиссии с термостимулированной люминесценцией в щелочногалоидных кристаллах.

3.3. Термостимулированная электромагнитная эмиссия в кристаллах окиси магния.

3.4. Эффект радиационной памяти в ионных кристаллах.

ГЛАВА 4. Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с термоактивированным движением дислокаций в ионных кристаллах.

4.1. Генерирование электромагнитной эмиссии при термоактивированном движении дислокаций в щелочногалоидных кристаллах.

4.2. Радиочастотная электромагнитная эмиссия в ионных кристаллах при термомеханической активации.

ГЛАВА 5. Электромагнитные эффекты в стеклообразных диэлектриках.

5.1. Результаты амплитудно-частотного анализа электромагнитного излучения при нагревании образцов технического стекла.

5.2 . Влияние облучения на электромагнитные эффекты в стеклах.

ГЛАВА 6. Термостимулированная электромагнитная эмиссия в ионно - ковалентных кристаллах.

6.1. Генерирование радиочастотной электромагнитной эмиссии при электронно - дырочных рекомбинационных процессах в кварце.

6.2. Термостимулированные люминесценция и электромагнитная эмиссия в кристаллах топаза.

ГЛАВА 7.Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с электронно - дырочными процессами

7.1. Регистрация термостимулированной электромагнитной эмиссии щелочногалоидных кристаллов, облученных при температуре жидкого азота.

7.2. Фотостимулированная электромагнитная эмиссия в аддитивно окрашенных кристаллах

7.3. Особенности генерации электромагнитной эмиссии в ионных кристаллах при радиационном стимулировании.

7.4. Механизмы генерирования электромагнитной эмиссии в радиодиапазоне при электронно - дырочных рекомбинационных процессах в диэлектриках.

Введение диссертация по физике, на тему "Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках"

Актуальность проблемы. Исследования электромагнитных эффектов в радиодиапазоне, наблюдающихся при механическом разрушении различных диэлектриков, проводятся, начиная с 60-х годов, с целью поиска электромагнитных предвестников разрушения и разработки методов неразрушающего контроля качества материалов. Образование свежих заряженных поверхностей при отслаивании полиморфных пленок от диэлектрических подложек (Л.А.Тюрикова ) при раскалывании кристаллов (Л.М.Беляев, В.В.Набатов, Ю.Н.Мартышев, В.М.Финкель, Ю.И.Головин, Н.Г.Хатиашвили ) или разрушении их лазерным лучом (К.П.Арефьев, С.А.Воробьев, А.Д.Погребняк) сопровождаются радиоизлучением в результате газоразрядных процессов. За последнее десятилетие достигнуты значительные успехи в исследовании радиочастотной электромагнитной эмиссии при пластической деформации ионных кристаллов, связанной с динамикой заряженных дислокаций ( Головин Ю.И.), при полиморфных и фазовых превращениях в гетерогенных кристаллических диэлектриках (В.Н.Сальников, П.Ф.Зильберман) и жидких кристаллах (Е.Г.Аксельрод, В.А.Добрин), при структурной релаксации в стеклообразных диэлектриках (М.Д.Бальмаков).

Воробьевым A.A., Завадовской Е.К., Сальниковым В.Н. впервые было экспериментально обнаружено, что радиоизлучение возникает при нагревании минералов и горных пород в определенных температурных интервалах протекания физико-химических процессов: выделения слабосвязанной и конституционной воды (дегидратация), разрушения минерала вследствие взрыва газово-жидких включений (декрепитация), окислительно - восстановительных реакций, полиморфных превращений в кварце и кварцсодержащих породах. Несмотря на очевидную связь генерации радиоизлучения и процессов разрушения минералов и горных пород при нагревании и механическом воздействии, также отмечалось, что на отдельных минералах ( флюорите, кварце, пирите) наблюдается совпадение максимумов изменения электропроводности, термолюминесценции и интенсивности счета электромагнитных импульсов в области температур выделения запасенной энергии. Такие результаты не могут быть однозначно связаны только с адгезионно - когезионными явлениями при расщеплении, раскалывании или декрепитации твердых тел и предполагают участие электронных и ионных процессов при нагревании минералов без их разрушения. Последнее явление связано непосредственно с отжигом точечных дефектов в минералах и горных породах, но поскольку какие-либо теоретические и экспериментальные сведения о возможности генерирования радиоизлучения при этом процессе отсутствуют как в отечественной, так и в зарубежной научной литературе, то сам факт существования термостимулированного радиоизлучения ставился под сомнение. Изучение электромагнитных эффектов в радиодиапазоне, не связанных с процессами разрушения материала, и определение основных закономерностей их возникновения в этом случае необходимо проводить с использованием достаточно хорошо изученных кристаллов с ионным и ионно-ковалентным типом связи, в которых моделируются дефекты структуры с помощью радиационного воздействия. Эти диэлектрики могут служить модельными объектами при изучении новых физических явлений и закономерностей, свойственных не только этим типам кристаллов, но и присущих большому классу диэлектрических материалов имеющих широкое практическое применение, например, в качестве дозиметров, оптических лазерных сред, конструкционных материалов, работающих в полях ионизирующей радиации. 7

Цель работы : исследование явления генерации электромагнитной эмиссии при тепловом, оптическом и радиационном воздействии на кристаллические диэлектрики путем детального изучения качественных закономерностей возникновения в радиочастотном диапазоне сигналов электромагнитной эмиссии вследствие преобразования и отжига радиационных дефектов в кристаллических и стеклообразных диэлектриках, определения характеристик электромагнитной эмиссии, условий и процессов, приводящих к ее генерированию, а также поиск оптимальной методики регистрации наблюдаемых электромагнитных эффектов и определения возможностей метода электромагнитной эмиссии для исследования физико - химических свойств диэлектрических материалов.

Научная новизна. Установлено, что генерирование электромагнитной эмиссии в радиодиапазоне при тепловом, оптическом и радиационном воздействии на неорганические диэлектрики является их фундаментальным свойством.

Практическая ценность работы определяется новыми экспериментальными данными о процессах электрической релаксации в диэлектриках, которые определяются динамикой заряженных дефектов. Метод термостимулированной электромагнитной эмиссии применен для неразрушающего контроль качества диэлектрических материалов и 9 изделий с целью выявления макроскопических неоднородностей (пор, трещин, и т.д.), а также остаточной дефектности кристаллов, подвергавшихся ранее воздействию ионизирующей радиации, что следует учитывать, в частности, при восстановлении дозиметрических свойств детекторов ионизирующего излучения и оптических запоминающих сред на основе ионных кристаллов. Предложено использовать температурные зависимости генерирования сигналов электромагнитной эмиссии для изучения динамических параметров движения дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах при тепловом и термомеханическом воздействии. Разработан способ диагностики и дозиметрии пучка рентгеновского излучения.

Для Института Технического Стекла (г.Москва) разработаны рекомендации по использованию метода термостимулированного радиоизлучения для контроля качества материалов и изделий из силикатного стекла с целью выявления в них технологических дефектов. На примере расчленения карбонатных пород палеозойского фундамента нефтегазовых месторождений Томской области по их радиационно-оптическим свойствам на основе эффекта радиационной "памяти", разработаны практические рекомендации для ПГО "Томскнефть", "Томскнефтегазгеология" и Томского комитета природных ресурсов при проведении поисково-разведочных работ на нефть. Результаты научных исследований внедрены в учебный процесс для чтения лекций и практических занятий со студентами по курсам "Физика твердого тела" и "Кристаллография".

Днепропетровск, 1976); на Всесоюзной конференции "Физика

10 диэлектриков и материалы квантовой электроники" (Москва, 1977); на IV и VI Всесоюзных симопзиумах "Оптические и спектральные свойства стекол" (Рига, 1977, 1986 ); на IV, VI, VII Всесоюзных и VII, IX Международных совещаниях "Радиационная физика и химия ионных кристаллов"( Рига, 1978, 1986, 1989; Томск, 1993, 1996); на Всесоюзном совещании "Электроимпульсная технология и электромагнитные процессы в нагруженных твердых телах" (Томск, 1982); на научной сессии Всесоюзного минералогического общества "Роль технологической минералогии в развитии сырьевой базы СССР" (Ленинград, 1983); на IV и V Всесоюзных и VI и VII Международных совещаниях "Радиационные гетерогенные процессы "(Кемерово, 1986, 1990, 1995, 1998); на X Юбилейном и XI Всесоюзных симпозиумах по механоэмиссии и механохимии твердых тел (Ростов-на-Дону, 1986; Чернигов, 1990), на I, II и III Томских Международных междисциплинарных школах - семинарах "Непериодические быстропротекающие явления в окружающей среде" (Томск, 1988, 1990, 1992), на Второй Международной научно - технической конфференции "Актуальные проблемы фундаментальных наук" (Москва, 1994), на ХШ Российском совещании по экспериментальной минералогии (Черноголовка, 1995), на Международной конференеции, посвященной столетию со дня открытия явления радиоактивности и столетию Томского политехнического университета "Радиоактивность и радиоактивные элементы в окружающей среде" (Томск, 1996), на Международной конференции "Закономерности эволюции земной коры" (Санкт-Петербург, 1996), на Международной научно - технической конференции "Диэлектрики - 97" (Санкт-Петербург, 1997), на Международной конференции "Спектроскопия, рентгенография и кристаллохимия минералов" (Казань, 1997), на научной конференции "Актуальные вопросы геологии и географии Сибири"( Томск, 1998), на

Международной конференции "КО!Ш8 '98" ( Томск, 1998), на Международной конференции "Радиационно - термические эффекты и процессы в неорганических материалах" (Томск, 1998).

При использовании и обсуждении разработок соавторов и других материалов делаются необходимые ссылки в тексте диссертации.

Объем и стуктура работы. Диссертация состоит из введения, 7 глав, заключения и списка цитируемой литературы. Работа изложена на 173 страницах текста, содержит 70 рисунков, 5 таблиц и

Заключение диссертации по теме "Физика полупроводников"

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах :

2.Воробьев A.A., Сальников В.Н., Коровкин М.В. Наблюдение радиоимпульсов при нагревнии кристаллов и минералов в вакууме // Известия ВУЗов. Физика. - 1975. - № 7. - С. 59 - 64.

3. Бреховских С.М., Воробьев A.A., Завадовская ЕК., Сальников В.Н., Коровкин М.В. Регистрация импульсного электромагнитного излучения в диапазоне радиочастот при нагревании периклаза и технического стекла //'Известия ВУЗов. Физика. - 1977. -№ 4. - С. 124131.

4.Коровкин М.В., Сальников В.Н. Термостимулированное радиоизлучение диэлектриков // Радиационные эффекты в твердых телах. Тез. докл. Всес. конф. - Ашхабад, 1977. - С. 138 - 139.

5.Коровкин М.В., Притулов A.M. Термостимулированное радиоизлучение возбужденных монокристаллов MgO // Радиационная физика и химия ионных кристаллов. Тез. докл. IV Всес.совещ. - Рига, 1978. -С. 213-214.

7.Коровкин М.В. Механизмы генерирования электромагнитных импульсов облученными кристаллами при механическом и тепловом

250 воздействии // Электроимпульсная технология и электромагнитные процессы в нагруженных твердых телах. Тез. докл. Всес. научн. совещ. -Томск, 1982. - С. 181.

10.Коровкин М.В. Электромагнитная эмиссия обусловленная движением дислокаций при термомеханическом воздействии на ионные кристаллы // Тез. докл. X Юбилейн. Всес. симпоз. по механоэмиссии и механохимии твердых тел. - Москва, 1986. - С. 32.

П.Сальников В.Н., Коровкин М.В., Галанов Ю.И. Исследование отжига радиационных дефектов в ионных кристаллах методом термостимулированного радиоизлучения // Радиационная физика и химия ионных кристаллов. Тез. докл. VI Всес.конф. - Рига, 1986.- С.308-309.

12.Коровкин М.В. Рекомбикационкые механизмы радиоизлучения в ионных кристаллах // Непериодические быстропротекающие явления в окружающей среде. Тез.докл.междисциплинарной школы-семинара. -Томск, 1988. - 4.2. - С. 133 - 135.

13.Коровкин М.В., Галанов Ю.И. Термостимулированное радиоизлучение при релаксации электретного состояния в кристаллах LiF // Известия ВУЗов. Физика. - 1989. - № 3. - С. 102 - 104.

14.Коровкин М.В.,Сальников В.Н, Эффект радиационной памяти в диэлектрических кристаллах // Радиационная физика и химия

251 неорганических материалов. Тез. докл. VII Всес. конф. - Рига, 1989.-С.178.

16. Korovkin M.V. Dislocation dynamics in irradiated alkali halide crystals // Радиационная физика и химия неорганических материалов. Тез. докл. VIII Междунар. конф.-Томск, 1993.- Ч.2.- С. 23.

17.Сальников В.Н., Монингер Г.Г., Заверткин С.Д., Коровкин М.В., Долгов И.В. О некоторых электрофизическихх свойствах кварцитов // Физико - технические проблемы разработки полезных ископаемых. -1994. - № 3. - С. 89 - 98.

18. Коровкин М.В. Радиочастотная электромагнитная эмиссия в кристаллических диэлектриках // Труды Второй Международ, научно -техн. конф.: Актуальные проблемы фундаментальных наук. - Москва,

1994,- Т.З - С. А16-А19.

19. Коровкин М.В., Бетхер М.Я., Иванова O.A. Радиационные гетерогенные процессы в ювелирных топазах // Радиационные гетерогенные процессы. Тез. докл. VI Международ, конф., Кемерово,

1995.-С. .25.

20. Коровкин М.В., Сальников В.Н. Эффект радиационной "памяти в синтетических минералах // ХШ Российское совещание по экспериментальной минералогии. Тез.докл.- Черноголовка: Институт экспериментальной минералогии, 1995. - С. 52.

21. Коровкин М.В., Сальников В.Н. Эффект радиационной "памяти" в природных и искусственно выращенных кристаллах, / Геология 2. Ред. кол.: А.Н.Тихонов , В.А. Садовничий и др.

252

Программа "Университеты России") - М.: Изд-во Московского .ун-та, 1995.-С. 200-204.

22. Korovkin M.V., Sal'nikov V.N. Radiation "memory" effect in synthetic minerais / Experiment in Geosciences. - 1995.- Vol.4, №4.-P. 82 -83.

23. Коровкин M.В. Влияние мощности облучения на эволюцию радиационных дефектов в кристаллических диэлектриках. / Тезисы докладов 9-й Международной конф. по радиационной физике и химии неорганических материалов (РФХ - 9), - Томск: Изд. ТПУ, 1996. - С. 205.

24. Коровкин М.В., Герих Л.Ю., Лебедева Н.А., Барский А.М. Оценка радиационной обстановки в природных и техногенных районах экологической нестабильности методами радиационной минералогии. / Радиоактивность и радиоактивные элементы в окружающей среде. Материалы Международной конф., посвященной столетию со дня открытия явления радиоактивности и столетию Томского политехнического университета, - Томск, 1996. - С. 472 - 474.

25. Коровкин М.В. Генерация радиочастотной электромагнитной эмиссии вследствие электрической релаксации в кристалличесих диэлектриках / Диэлектрики - 97. Тез. докл. Международ, научно -технич. конф. - Санкт-Петербург : Изд-во СПбГТУ, 1997. - С. 114 -115.

26. Тищенко Г.Г., Галанов Ю.И., Коровкин М.В., Токаренко Г.Г. Особенности расчленения палеозойских карбонатных толщ нефтегазоносных отложений методами гамма-термолюминесценции и инфракрасной спектрометрии / Актуальные вопросы геологии и географии Сибири. Материалы научной конф., посвяш. 120-летию основания Томского гос. ун-та.- Томск: Изд-во ТГУ, 1998. - Т.2. - С.155-158.

253

27. Иванова О.А., Изох П.Э., Коровкин М.В., Томас В.Г. Рентгенолюминесценция синтетического топаза / Актуальные вопросы геологии и географии Сибири. Материалы научной конф., посвяш.120-летию основания Томского гос. ун-та, - Томск: Изд-во ТГУ, 1998. - Т.З. -С.66 - 71.

28. Коровкин М. В. Влияние мощности у - облучения на эволюцию радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах. / Деп. в ВИНИТИ 19.03.98 г. № 757 - В98. -13 с.

29. Arefiev К.P., Korovkin M.V. Electromagnetic effects in radiofrequency range connected with dynamics of radiation defects in crystal dielectrics / KORUS '98 . Abstracts the second Russian-Korean International symposium of science and technology. August, 30 - September, 5 at Tomsk polytechnical university. - Tomsk, Russia, 1998. - P. 157.

30. Коровкин M.B. Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках / Радиационно - термические эффекты и процессы в неорганических материалах. Тез. докл.Международной конф. - Томск, 1998.- С.152-154.

31. Коровкин М.В., Иванова О. А. Особенности рентгенолюминесценции синтетических кристаллов топаза / Физико-химические процессы в неорганических материалах. Тез. докл. Международной конф.- Кемерово, 1998. - Т.1. - С.36-38.

32. Коровкин М.В., Галанов Ю.И., Арефьев К.П. Термоактивированное движение дислокаций в кристаллах фтористого лития // Известия ВУЗов. Физика. - 1998. - № И - С. 124 - 126.

254

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Различные виды воздействия ( механическое, тепловое, оптическое, радиационное) на неорганические диэлектрики вызывают в них эволюцию структурных дефектов и появление неравновесных физико-химических процессов, связанных с движением микрозарядов или перераспределением зарядовой плотности, которые сопровождаются возникновением электромагнитных полей. Генерирование в радиочастотном диапазоне импульсной электромагнитной эмиссии, регистрируемой в ближней зоне по электрической составляющей, является фундаментальным свойством реального твердого тела, связано с созданием, эволюцией и отжигом объемных, линейных и точечных дефектов, отражает динамику релаксационных процессов во временном интервале 20 не - 20 мс в синтетических и природных кристаллических и стеклообразных диэлектриках при термическом, оптическом и радиационном возбуждении.

В отличие от адгезионно - когезионных явлений, связанных с образованием свежих, электрически заряженных поверхностей, сопровождающихся электрическим пробоем газового промежутка в начальной стадии разрушения и, как следствие, генерацией радиочастотной электромагнитной эмиссии в широком спектре радиочастот, при электрической релаксации также имеют место флуктуационные процессы, не связанные с разрушением кристалла.

Экспериментально регистрировалась импульсная радиочастотная электромагнитная эмиссия, обусловленная : 1) накоплением и релаксацией объемного заряда, электретного состояния в диэлектрике, а также радиоэлектретного состояния, при термической стимуляции, вследствие флуктуаций носителей заряда в электрическом поле электрета и появления электромагнитных эффектов генерационно

247 рекомбинационного типа; 2) термоактивированным движением заряженных дислокаций в щелочногалоидных кристаллах; 3) взаимодействием потоков движущихся заряженных дислокаций со свободными зарядами, возникающими при отжиге центров окраски в радиационно облученных кристаллах, при термоактивированном или термомеханическом стимулировании; 4) эволюцией и отжигом радиационных дефектов и центров окраски при термическом или оптическом воздействии. В этих случаях электромагнитные эффекты в радиодиапазоне обусловлены флуктуация ми концентраций (потоков) заряженных частиц и (или) флуктуациями дипольного (мультипольного) момента системы зарядов, связанного с их перераспределением по объему кристалла. Форма регистрируемых импульсов содержит временные и энергетические характеристики переходного процесса, а изменение интегральной интенсивности РЭМЭ отражает динамику электрических релаксационных процессов в кристаллических диэлектриках

Рекомбинационная электромагнитная эмиссия, сопровождающая преобразование и отжиг центров окраски при фото- или термостимуляции, обусловлена электронно - дырочными рекомбинационными процессами, и носит квантовый характер. Можно предположить, что скачок поляризации некоторой области кристалла (ячейки, включающей в себя центр рекомбинации) в результате взаимосвязанных электронных и ионных процессов приводит, как следствие, к появлению импульса электрического потенциала, длительность которого (10 не - 100 мке) соответствует времени рекомбинационного процесса (включая время жизни в релаксированном возбужденном состоянии).

Для моделирования указанных процессов, обусловливающих генерирование электромагнитной эмиссии в радиодиапазоне, применялись радиационно-чувствительные и радиационно-стойкие

248 ионные и ионно-ковалентные кристаллы, а также стеклообразные диэлектрики - образцы технического и кварцевого стекла. Поскольку данные образцы неорганических диэлектриков отличаются различным содержанием и типом дефектов, и особенностями их образования под действием ионизирующего излучения, то выбор этих материалов в качестве объектов исследования оказался обоснованным и целесообразным.

Создание радиационных дефектов в диэлектриках производилось с учетом влияния вида, дозы и мощность дозы облучения ионизирующей радиацией, выбору которых посвящено отдельное исследование.

Разработана высокочувствительная методика регистрации электромагнитных сигналов в радио диапазоне при термическом, оптическом и ( или) радиационном воздействии на диэлектрики, позволяющая проводить комплексные исследования в интервале температур 80 - 700 К в радиодиапазоне до 50 Мгц, соответствующему параметрам регистрируемых сигналов 20 нсек - 20 мсек, с чувствительностью измерительного тракта 350 мкВ, а также проводить амплитудно-частотный анализ регистрируемых сигналов.

Метод регистрации электромагнитной эмиссии эффективен для изучения радиационных дефектов в диэлектриках, как новый канал информации о структуре и свойствах твердого тела, дополняющий известные и используемые методы исследования дефектных твердых тел. Исследование электромагнитных эффектов в радиодиапазоне при различных воздействиях на кристаллические диэлектрики позволяет не только расширить область изучаемых физических свойств, но и логически завершить весь спектр наблюдаемых электромагнитных явлений в твердых телах. Полученные результаты вносят определяющий вклад в развитие нового научного направления в физике

249 диэлектриков: радиочастотно - эмиссионную спектроскопию диэлектриков.

Список источников диссертации и автореферата по физике, доктора физико-математических наук, Коровкин, Михаил Владимирович, Томск

1. Фарадей М. Экспериментальные исследования по электричеству. Т.1. М.: Изд-во АН СССР, 1974. - 848 с.

2. Obreimoff I.W. // Proc.Roy.Soc. 1930. - Уо1.А127. -Р.290-297.

3. Hess G. // Zeits. f. Phys. 1932. Уо1.78. - Р. 117-124.

4. Корнфельд М.И. Электрический заряд твердых диэлектриков// ФТТ 1975. Т.17,В.З. -С.932 - 934.

5. Корнфельд М.И. Электризация ионного кристалла при пластической деформации и расщеплении // УФН.-1975.-Т.116,В-2 -С.327 339.

6. Корнфельд М.И. Электрические заряды на поверхности ЩГК // ФТТ 1971. ТЛХВЗ. - С.474-479.

7. Корнфельд М.И. Избыточные электрические заряды в-щелочногалоидных кристаллах //ФТТ 1968. - Т.10,В.8 - С.2422-2430.

8. Корнфельд М.И. О происхождении избыточных электрических зарядов в ЩГКУ/ ФТТ 1970. - Т.12.ВЛ - С318-349.

9. Молоцкий М.И. Дислокационный механизм электризации ионных кристаллов при расщеплении // ФТТ.- 1976. Т. 18, В.6 - С Л 7631764.

10. Дистлер Г.И., Кортукова Е.И. Исследование электрической структуры зеркальных сколов монокристаллов LiF, СаГг , MgO Л ФТТ. 1973. - ТЛ5-, ВЛО - 02917-2921.

11. Дистлер Г.И., Токмакова Е.И. Исследование электрических свойств поверхности ионных кристаллов // Кристаллография. 1969. -Т. 14, В.4 - С .4-055-4-058.

12. Дистлер Г.И., Саровский ЭХ. Электрический рельеф поверхности ЩГК // ФТТ 4969. - Т.41, В.2 - С.547-550.

13. Дистлер Г.И., Власов В.П., Герасимов Ю.М., Кобзарева С .А. Декорирование поверхности твердых тел. М.:Наука,1976. - 214с.

14. Дистлер Г.И. Электрическая структура кристаллов // УФН -1971. Т.104. В.4-С.685- 709.

15. Дистлер Г.И., Лебедева В.Н., Москвин В.В. Исследование центров окраски ЩГК на электронно-микроскопическом уровне // Кристаллография. -1969. Т. 14, В.4 - С.664-671.

16. Дистлер Г.И. Реальная структура, релаксационная способность и дальнодействие кристаллических поверхностей // Изв.АН СССР. Сер.Физ., 1968. - Т.32 -СЛ 044- 1055.

17. Дистлер Г.И., Токмакова Е.И. Сетчатая структура кристаллов NaCl // Кристаллография. -1972. Т. 17, В.З -С.634-638.

18. Дистлер Г.И. Электрическая структура кристаллов / Проблемы современной кристаллографии-М.:Наука,1975.-С.197-207.

19. Дистлер Г.И., Лебедева В.Н., Москвин В.В., Кортукова Е.И. Электрическая структура ЩГК при распаде их твердых растворов // ФТТ 1969. -Т.11, В.8 - С2390-239Х

20. Golovin Yu.I, Dyachek Т.P. The influence of dislocation charge on the cleavage surface charge of alkali halide crystals // Phys. stat.sol. (a) -1985.-Vol. 93-K61 -K64.

21. Мецик M.C. Поверхностная электропроводность свежих сколов кристаллов слюды Н Изв.Томского политех.ин-та. 1956. - Т.91 - С.413-424.

22. Мецик М.С., Афанасьев Н.В. Исследование электризации кристаллов слюды в момент расщепления с помщью катодного осциллографа // Изв.ВУЗов.Физика 1957. - № 1 - С.126-127.

23. Мецик М.С., Жидиханов P.A. Экспериментальное изучение изменений межплоскостного расстояния dooi при нагревании у кристаллов флогопита и мусковита // Кристаллография. 1958. - Т.З, В.1 - С.95-98.

24. Мецик М.С. Электризация кристаллов слюды при их расщеплении //ЖТФ. -1958. Т.28, В.1 -С.109- 113.

25. Дерягин Б.В., Мецик M.С. Роль электрических сил в процессе расщепления слюды по спайности// ФТТ-1959.-Т.1, № 10 С.1521-1528.

26. Мецик М.С. Физика расщепления слюд. Иркутск :Вост. Сиб. кн. изд., 1967.-278 с.

27. Millier R., Chang С.С. Low energy electron diffraction of electric dipoles on mica surface // Surface Sci. 1968 - Vol.9, No.3 - P.455-458.

28. Berzina I.G., Berman I.B., Domareva A.S. Structure defects in mica crystals // Acta crystfllogr. 1966. -Vol.21, No.7 - P.A16& - A169.

29. Корнфельд M.И. Электрическое поле пластически деформируемых кристаллов фтористого лития // ФТТ 1976. - Т. 18, В.7 -С.2071-2072.

30. Постников О.С., Иевлев В.М., Аммер В.А. Декорирование взаимозаполняющих поверхностей раскола щелочногалоидных кристаллов // ФТТ 1975. - Т. 17, В.З -€.946-948.

31. Герасимов Ю.М., Дистлер Г.И. Ориентированная кристаллизация золота на поверхность кристалла NaCl через аморфную углеродную пленку // Кристаллография. 1969. - ТЛ4, Кб -С.1101-1104.

32. Дистлер Г.И., Токмакова Е.И. Исследование эпитаксиального роста сернистого свинца через граничные аморфные слои, копирующие электрическую структуру поверхности кристаллов NaCl // Кристаллография. 1971. - Т.16, В.1 - С.212-217.

33. Дистлер Г.И., Шеняковская JI.A. Эпитаксия на аморфных граничных слоях, копирующих электрическую структуру поверхности кристаллов // ФТТ 1969. - ТЛ1, В.2 - С.48&-490.

34. Дистлер Г.И. Информационная структура твердых тел как определяющий фактор гетерогенных процессов / Активная поверхность твердых тел. М.:Наука, 1976 ю - с.22 -31.

35. Герасимов Ю.М., Говорков В.Г., Дистлер Г.И. Визуализация микропробоев на поверхности сколов закаленных кристаллов NaCl // ФТТ 196&. - Т. 10, В. 10 -С.3115-3117.

36. Воробьев A.A., Воробьев Г.А. Электрический пробой и разрушение твердых диэлектриков. М.:Высшая школа, 1966. -224 с.

37. Дистлер Г. И. Электрическая структура поверхности полупроводников и граничных слоев // ДАН СССР. 1971. - Т.199, № 4- С.802-804.

38. Кравец А.Н., Варшавский Д.С. Статистическая модель пробоя диэлектрика / Физика диэлектриков и перспективы ее развития, т~2.-Л.:Наука,1973. С.297 299.

39. Молоцкий М.И. Экситонный механизм образования сложных активных центров при разрушении // ФТТ 1978. - Т.20, В,7- С.2042- 2046.

40. Молоцкий М.И. Генерация ионизационных волн при разрушении//ФТТ. 1978. -Т.20, В.7-С. 1957-1961.

41. Кожогулов О.Ч., Кожогулова А.Б., Макаров В.ГЦ Шалпыков А. Структура примесных дефектов и их влияние на микротвердость кристаллов NaCl и KCl / Физические свойства неметаллических кристаллов. -Фрунзе:Илим,1981. С.39-44.

42. Фридкин В.М., Желудев И.С. Фотоэлектреты и электрофотографический процесс. М.:АН СССР,i960. -208-с.

43. Губкин А.Н. Электреты. -М.:АН СССР, 1961. 140 с.

44. Свитков В.И., Крылова И.В. Электрические заряды на поверхности окислов при электронной бомбардировке, возбуждающейэкзоэмиссию// Изв.ВУЗов.Физика 1981. - № 10 -С.91-92.

45. Боев С.Г., Галанов А.Н. Заряжение монокристалла фтористого лития при раскалывании // ФТТ. 1980. - Т.22, № 10 - С. 3069 - 3075.

46. Громов B.B. Электрический заряд в облученных материалах. -М.: Энергоиздат,19&2. -112с.

47. Дерягин Б.В., Кротова H.A. Электрическая теория адгезии (прилипания пленок к твердым поверхностям) и ее экспериментальное обоснование//УФН. 1948. -Т.36, В.З -C.3&7-4Q&

48. Дерягин Б.В.,Кротова H.A. Адгезия.-М.:АН СССР, 1949.-244 с.

49. Дерягин Б.В., Кротова H.A., Кириллова Ю.М. Исследование зависимости адгезии высокополимеров к стеклу от давления и природы окружающей газовой среды // ДАН СССР. 1954. - Т.97, №3 -С475 - 478.

50. Воробьев A.A. Теория механоэлектрических преобразований в твердых диэлектриках / Деп.в ВИНИТИ. -№3290-78. 40 с.

51. Карасев В.В., Кротова H.A., Дерягин Б.В. Исследование газового разряда при отрыве пленки высокополимера от твердой подкладки// ДАН СССР.- 1953. Т.89, №1 -С.109-112.

52. Дерягин Б.В., Кротова H.A., Хрусталев Ю.А. Электрические свойства ювениальных поверхностей / Активная поверхность твердых тел.-М.,1976.-С. 6-15.

53. Дерягин Б.В., Кротова H.A., Смилга В.П. Адгезия твердых тел. -М.:НаукаД973. -279 с .

54. Карасев В.В., Кротова H.A., Дерягин Б.В. Исследование электронной эмиссии при отрыве пленки высокополимера от стекла в вакууме // ДАН СССР. 1953. - Т.88, № 5 - С.777 - 780.

55. Воллобрандт И., Хрусталев Ю.А., Линке Э., Кротова H.A., Дерягин Б.В. Генерирование электронов высоких энергий при разрушении твердых тел // ДАН СССР. 1975. - Т.225, № 2 - С.342-344.

56. Мамбетов Д.М-. Исследование газового разряда в свежеобразованных монокристаллах, полученных при испарении раствора на металлической пластинке Л ДАН СССР. 1966. Т. 171, № 1, -С.143—Н6.

57. Тюрикова Jl.А., Евдокимов Ю.М., Москвитин Н.И., Кротова H.A. Исследование применимости закона Пашена к адгезии полимеров в условиях повышенного давления в окружающей газовой среде U ДАН СССР. 1969. - Т.184, № 3 - С.658 - 660.

58. Тюрикова Л.А., Авербух Б.Г., Москвитин Н.И., Кротова H.A. Исследование параметров радиоизлучения при нарушении адгезии полимер твердое тело // ДАН СССР . - 1971. - Т.201, № 4 -С.833 - 836.

59. Тюрикова Л.А., Кротова H.A., Авербух Б.Г. Генерирование электромагнитных волн при нарушении адгезионной связи / Механоэмиссия и механохимия твердых тел. -Фрунзе: Илим, 1974. -С.107-109.

60. Беляев Л.М., Набатов В.В., Мартышев Ю.Н. О времени свечения в процессах трибо- и кристаллолюминесценции Л Кристаллография. -1962. Т.7, В.4- С.576-580.

61. Беляев Л.М.,Набатов В.В., Мартышев Ю.Н. Исследование свечения при разрушении кристаллов. Времена высвечивания / Физика щелочногалоидных кристаллов.-Рига, 1962. С.

62. Финкель В.М., Головин Ю.И., Середа В.Е,, Куликова ГЛ., Зуев Л.Б. Электрические эффекты при разрушении кристаллов LiF в связи с проблемой управления трещиной // ФТТ. 1975. - Т. 17, В.З -С.770-776.

63. Финкель В.М., Тялин Ю.И., Головин Ю.И., Муратова Л.И,, Горшенев М.В. Электризация щелочногалоидных кристаллов в процессе скола// ФТТ. 1979. - Т.21, В.7 - С.1943-1947.

64. Гольд P.M., Марков Г.П., Могила П.Г., Самохвалов М.А. Импульсное электромагнитное излучение минералов и горных пород, подверженных механическому нагружению // Изв.АН СССР.Физика Земли. 1975. - Т.7 - С.109-Ш.

65. Кротова H.A., Карасев B.B. Исследование эмиссии при раскалывании твердых тел в вакууме // ДАН СССР. 1953. - Т.92, № 3 -С.607 - 610

66. Журков С.Н., Куксенко B.C. О прогнозировании разрушения горных пород .} Изв. АН СССР. Физика Земли. 1977. - № 6 -С. 11 -18.

67. Мирошниченко М.И., Куксенко B.C. Излучение электромагнитных импульсов при зарождении трещин в твердых диэлектриках // ФТТ. 1980. - Т.22, В.5 - С.1531-1533.

68. Перельман М.Е., Хатиашвили Н.Г. Электромагнитное излучение при трещинообразовании и хрупком разрушении твердых тел // Сообщения АН Груз.ССР. 1980. - Т.99, № 2 - С.357-360.

69. Перельман М.Е., Хатиашвили Н.Г. О радиоизлучении при хрупком разрушении диэлектриков // ДАН СССР. 1981. - Т.256,№ 4 -С.824-826.

70. Хатиашвили Н.Г., Гогошидзе Д.А.,Зилпимиани Д.О. Спектр электромагнитного излучения при скалывании щелочногалоидных кристаллов // Сообщения АН Груз.ССР. 1983. - Т.110, № 1 - С.45-48.

71. Ржевский В.В., Ямщиков B.C., Шкуратник B.J1., Лыков К.Г., Фарафонов В.М. "Эмиссионные эффекты памяти" в горных породах // ДАН СССР. 1983. - Т.273, № 5 - С. 1094-1097.

72. Соболев Г.А., Демин В.М., Лось В.Ф., Майбук Ю.Я. Исследование электромагнитного излучения пород, содержащих минералы, полупроводники и пьезоэлектрики // Изв.АН СССР. Физика Земли. 1982. - №11 - С.72-84.

73. Воробьев A.A., Чаусов В.М., Гордеев В.Ф. Импульсное радиоизлучение при царапании некоторых диэлектрических тел // Изв. ВУЗов. Физика. 1979. - № 10 - С.126-128.

74. Воробьев A.A., Гордеев В.Ф., Неверова Н.К. Электромагнитное излучение в диапазоне радиочастот при механическом разрушении льда // Деп.в ВИНИТИ. № 435-78 - 6 с.

75. Качурин Л.Г., Ко лев С., Псаломщиков В.Ф. Импульсное радиоизлучение, возникающее при кристаллизации воды и некоторых диэлектриков // ДАН СССР. -1982. -Т.267, № 2 С.347-150.

76. Голубничий П.И., Громенко В.М., Филоненко А.Д. О рекомбинационном механизме излучения, сопровождающем коллапс кавитационного пузырька, инициированного высоковольтным электрическим разрядом//ЖТФ. 1982. - Т.52, ВЛО - С.1966-1971.

77. Беляев Л.М., Набатов В.В., Писаревский Ю.В., Шалдин Ю.В. Триболюминесценция в кристаллах LiF при разрушении их лазерным пучком // Кристаллография. 1965. - ТЛО, В.5 - С.767-768.

78. Арефьев К.П.,Воробьев С.А., Кузнецов М.Ф.,Мастов Ш.Р., Погребняк А.Д. Эффект генерации электромагнитного излучения при лазерном воздействии в твердых телах // ЖТФ. 1984. - Т.54, В.4 -С.808-810.

79. Хатиашвили Н.Г. Электромагнитное излучение ионных кристаллов, стимулированное акустической волной Л Письма в ЖТФ. -1981.-Т.7, В.18 -С.1128- 1132.

80. Хатиашвили Н.Г., Перельман М.Е. Генерация электромагнитного излучения при прохождении акустических волн через кристаллические диэлектрики и некоторые горные породы // ДАН СССР . 1982. - Т.263, № 4 - С.839-842.

81. Мамбетов Д.М. Электроразрядные и эмиссионные явления при адгезионном разрушении твердых тел / Механоэмиссия и механохимия твердых тел. Фрунзе:Илим,1974. - С. 15-20.

82. Мамбетов Д.М. Электрические явления при адгезионном и когезионном разрушении твердых тел . Фрунзе:Мектеп,1973.

83. Воробьев A.A. Прямое преобразование механической энергии в электрическую на основе дефектной структуры твердого тела // Дешв-ВИНИТИ. ЧЛю -№ 3743-76. - 177 е.; ЧД1. - № 3458-76. -150 с.

84. Воробьев A.A. Заряжение поверхностей при разрушении, контакте или трении тел // Деп.в ВИНИТИ. ЧЛ. - № 2702-82. -242 е.; 4.2.-№2703-82.-157 с.

85. Воробьев A.A. Деформация и релаксация, изменение свойств и разрушение твердых тел // Деп.вВИНИТИ. Ч. 1. - №3096-82. -251 с; 4.2. - № 3469-82,468 sl

86. Тезисы докладов VII Всес.Симозиума по механоэмисии и механохимии твердых тел. 26 октября 1979 г. -Ташкент, 1979.

87. Тезисы докладов VIII Всес. Симпозиума по механоэмиесии и механохимии твердых тел. 1-3 сентября 1981 г. -Таллин,!981.

88. Тезисы докладов Всес. научн. Совещания "Электроимпульсная технология и электромагнитные процессы в нагруженных твердых телах". Томск, 16-18 ноября 1982 г. -Томск, 1982.

89. Боев С.Г. Заряжение диэлектриков электронным облучением //Деп.в ВИНИТИ, №17Ш-7&,-1^с.;

90. Боев С.Г., Сигае& Г.И. Заряжение диэлектриков при облучении их заряженными протонами //Деп.в ВИНИТИ, № 2308-78 .

91. Pogrebnjak A.D., Mastov Sh.R., Kuznetsov M.F., Arefiev K.P., Rakin S.V., Yorobiev S.A. Observation of RF puises from solids during laser irradiation// Phys. Stat.Sol.-1984.-Vol.85, No.l.-P.K31 K33.

92. Боев С.Г. Ушаков В.Я. Радиационное накопление заряда в твердых диэлектриках и методы его диагностики.-М.: Энергоиздат, 1991.-240 с.

93. Зуев Л.Б. Физика электропластичности щелочно-галоидных кристаллов,- Новосибирск : Наука, 1989. 120 с.

94. Белозерова Э.П. Заряженные дислокации в гцелочногалоидных кристаллах. Деп. в ВИНИТИ 29.01.85 г. : Костромской технологический институт.- Кострома, 1985. № 2520 -85 Деп. -104 с.

95. Ботаки А.А., Воробьев А.А., Ульянов В.Л. Радиационная-физика ионных кристаллов. М.: Атомиздат, 1980. - 208 с.

96. Молоцкий М.И. Дислокационный механизм эффекта Мисры// Письма в ЖТФ. -1980. Т.6, ВЛ. - С52-55.

97. Бреховских С.М., Воробьев А.А., Завадовская Е.К., Сальников В.Н., Коровкин М.В. Регистрация импульсного электромагнитного излучения в диапазоне радиочастот при нагревании периклаза и технического стекла // Изв.ВУЗов.Физика. -1977. -М4-СЛ24-131.

98. Косман М.С., Муравский Б.С. Возникновение колебаний тока в кремнии при высоких импульсных напряжениях // ФТТ. 1961. -ТД ВЗ -€.2504-2506.

99. Косман М.С., Созина А.Н. Релаксационные колебания & диэлектриках //ДАН СССР. Т.156, №4-С. 778 - 780.

100. Карташев Э.М., Тулинов Б.М., Бартынев Г.М. К теории хрупкого разрушения стекол в неизотермических условиях.// Физика и химия стекла. -4977. Т.З, №6. -С.Ш-606.

101. Карташев Э.М., Бартенев Г.М. К теории хрупкого разрушения стекла в неоднородных температурных полях // Физика и химия стекла.- 1978. Т.4, № 4 - С.427-432.

102. Мазурин О.В. Стеклование и стабилизация неорганических стекол. Л.: Наука ,1978. - 62 с.

103. Гегузин Я.Е. Очерки о диффузии в кристаллах.-М.:НаукаД974. -254 с.

104. Троицкий O.A. Дефекты в стеклах // Изв.АН СССР. Неорганические материалы. -1966.-Т. 11, № 7.-С. 1260-1276.

105. Бартенев Г.М., Щеглова Н.М., Сандитов Д.С. О механизмах релаксации напряжений в силикатных стеклах при высоких температурах // Физика и химия стекла. 1980.- Т.6, № 2.-С. 195-202.

106. Сандитов Д.С. О микротвердости и температуре стеклования неорганических стекол // Физика и химия стекла.-1977. -Т.3,№1.-С,14-19.

107. Закис Ю.Р. О применимости представлений о квазичастицах и дефектах в стеклах//Физика и химия стекла.-1981 .-Т.7,№4. -С.385-390.

108. Матвеев М.А., Матвеев Г.М., Френкель Б.М. Расчеты по химии и технологии стекла.-М.: Изд-во лит-ры по строительству, 1972.-С.151-152.

109. Усовицкий М.Б. К вопросу об использовании дифференциально-термического анализа и дилатометрических измерений для исследований ликвационных явлений в стеклах /Ликвационные явления в стеклах. -Л.: Наука, 1969. С. 105-108.

110. Старцев Ю.К., Клюев В.П., Вострикова М.С. Определение температур стеклования по одновременно регистрируемым зависимостям расширения и электропроводности // Физика и химия стекла. -1978.-Т.4,№3.-С.278-288.

111. Ершов О.С. К методике измерения электропроводности щелочных стекол // Физика и химиястекла.-1977.-Т.З,№ 6.-С.607-611.

112. Ершов О.С., Шульц М.М. Особенности временных зависимостей электропроводности щелочных стекол И Физика ш химия стекла. 4977. Т.З, № 1 -С.167472.

113. Гегузин Я.Е., Кривоглаз М.А. Движение макроскопических включений в твердых телах. -М.:Металлургия, 197L 344 с.

114. Гегузин Я.Е., Овчаренко H.H. Одвижении макроскопических газовых включений в монокристалле NaCl под влиянием малых электрических полей И ДАН СССР.-1965.-Т.163, №3 С.621- 623.

115. Михлин ЭЛ. О движении пор в твердом теле, вызванном термической миграцией атомов по их поверхности // ФТТ. 1964. -Т.6, ВА-С2&13-2824.

116. Косевич A.M. Поляризация и движение поры в ионном кристалле в электрическом поле // ФТТ. 1965. - Т.7, № 2 - С. 451 - 458.

117. Гегузин Я.Е., Овчаренко H.H., Эйвазов Э.А. Влияние электрического поля на поведение газовых включений в щелочно-галоидных кристаллах // УФЖ. 1968. -Т.13, № 4.-С.581-588.

118. Косевич A.M., Маргвелашвили И.Г. Изменение формы сферической поры в ионном кристалле под действием электрического поля // УФЖ. -1969, ТЛ 4, № 2. - С.269-293,

119. Гегузин Я.Е., Симеонов С.С. Динамика нерастворимых включений в ионном кристалле в зоне вакансионного пробоя // ФТТ. -1970. -Т.12,В.З. С.911-912.

120. Гегузин Я.Е., Симеонов С.С. Движение частиц окислов в ионных кристаллах в электрическом поле // УФЖ.-Т.16,№ 3.-С.495-497.

121. Лифшиц И.М., Гегузин Я.Е. Поверхностные явления в ионных кристаллах // ФТТ. 1965. - Т.7, ВЛ. - С.62 - 65.

122. Маргвелашвили И.Г. Электрические явления в ионных кристаллах с макроскопическими дефектами U Электронные и ионныепроцессы в твердых телах. Вып. 5. Тбилиси: Мицниереба, 1973. -С.151-166.

123. Stepanov A.W. -Zeit. f. Phys, 1933.- Vol.8L - P.560-569.

124. Урусовская A.A. Электрические эффекты, связанные с пластической деформацией ионных кристаллов. УФН, 1968.- Т.96, В. 1.-С 39-60.

125. Whitworth R.W. Charged dislocations in ionic crystals^ -Adv. Phys. 1975. - Vol.24, № 2. - P.203-304.

126. Мартышев Ю.Н. Исследование свечения и электризации кристаллов LiF при их деформации // Кристаллография.-1965.-Т.Ю, В.2. С.224-226.

127. Бредихин С.И., Шмурак С.З. Стимулированные деформацией всплески электрического сигнала в кристаллах ZnS // ФТТ.-1975.-Т.47, В.8. --С.2453-2455.

128. Бредихин С .И., Шмурак С.З. Люминесценция и электрические характеристики пластически деформируемых кристаллов ZnS// ЖЭТФ.-1977.-Т.23, №4. -С.1460-1469.

129. Шевцов Г.И., Мигунов Н.И., Соболев Г.А., Козлов Э.В. Электризация полевых пшатов при деформации и разрушении //ДАН СССР.-1975.-Т.225, №2. С.313-315.

130. Шевцов Г.И., Соболев Г.А., Шевцова И.Н. Электризация полевых шпатов при их деформации и разрушении // Изв.АН СССР. Физика Земли.-1984. №8. - С.97-105.

131. Джонстон В., Гилман Дж. Скорость передвижения, плотность дислокаций и пластическая деформация в кристаллах фтористого лития // УФН. 1960. - Т.70. - С.489-514.

132. Гилман Дж. Механические свойства кристаллов У/ УФРТ-1963.-T.3G, В.З. С.455-505.

133. Инденбом В.Л., Орлов А.H. Современные представления о подвижности дислокаций // Динамика дислокаций. Харьков, 1968.-С.5-34.

134. Ландау А.И., Боржковская В.М., Торкатюк М.Т. Движение дислокаций & реальных кристаллах, содержащих крупные локальные дефекты (стопоры) // Дефекты и свойства кристаллической решетки.-Киев: Наукова думка, 1968. С.47-62.

135. Лубенец C.B. Подвижность дислокаций в кристаллах с дефектами структуры // Физика конденсированного состояния. -Вып.24. -Харьков, 1973. С.17-37.

136. Рожанский В.Н., Степанов В.М. Скачкообразное перемещение дислокаций а кристаллах NaCl Л ДАН СССР. i960. -Т.133, В.4. - С.804-806.

137. Парийский В.Б., Лубенец C.B., Старцев В.И. Подвижность дислокаций в монокристаллах бромистого калия M ФТТ. 1966. -Т.8, В.4. - С. 1227- 1238.

138. Ракова Н.К., Предводителев A.A. Движение дислокаций и релаксация напряжений в кристаллах хлористого натрия // ФТТ.-1965. Т.7, В.4. -С.1081-1085.

139. Бехтурганов К., Блистанов A.A., Предводителев A.A., Шаскольская М.П. Температура и концентрационная зависимости длин пробегов дислокаций & полосе скольжения в кристаллах КС1:РЬ и LiF:Mg //Динамика дислокаций.- Киев: Наукова думка, 1975.-С. 199-204.

140. Зуев Л.Б., Громов В.Е. Температурная зависимость релаксационных характеристик кристаллов хлористого натрия // Диэлектрики и полупроводники, вып.5.-Киев: Вища школа, 1974.-С.92-95.

141. Боярская Ю.С., Житару Р.Н. О влиянии дефектов решетки на подвижность дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах //Изв.АН СССР. Сер. Физическая. 1968. - Т.32, В.1. - С.39-43.

142. Блистанов A.A., Гусев Э.Б., Добржанский Г.Ф., Смушков И.И., Тагиева М.М., Шаскольская М.П. Влияние точечных дефектов на движение дислокаций в ионных кристаллах // Динамика дислокаций в ионных кристаллах. Харьков, 1968. - С. 470-480.

143. Лубенец C.B., Новикова И.Г. Температурная зависимость предела текучести и подвижности дислокаций в кристаллах КС1:Ва U ФТТ. 1968. - Т.10, В.9, - С.2857-2859.

144. Eshelby J.D. е.а. Charged dislocations and strength of ionic crystals // Phil.Mag. 1958. - Vol.3, № 25. - P.75-89.

145. Шевцова И.H. Заряжение подвижных дислокаций « электризация ионных кристаллов при пластической деформации // ФТТ. 1983. - Т.25, В.4. -С.11724178.

146. Политов Н.Г., Галусташвили М.В., Паперно И.М. Формирование облака Дебая-Хюккеля вокруг свежих дислокаций -в кристаллах LiF // Кристаллография. 1973. - Т. 18, В.1. - С.200-202.

147. Зуев Л.Б., ТурчиновштТ.Е., Гудимова Н.П. О возбуждении заряженных дислокаций в кристаллах LiF // ФТТ. 1969. - Т. 11, В.З.-С.806-808.

148. Зуев Л.Б. Дебаевское экранирование и дислокационные процессы у поверхности кристаллов LiF // Поверхность. 1982. - № 2.-С.56-60.

149. Загоруйко H.B. Действие постоянного электрического и импульсного магнитного полей на движение дислокаций в хлористом натрии // Кристаллография. 1965. - Т.10, В.1. - С.81-86.

150. Блистанов A.A., Сойфер Я.М., Шаскольская M.IL Движение дислокаций под действием электрического поля в щелочногалоидных монокристаллах // Кристаллография. 1966. - Т.11, В.5. - С.827-829.

151. Зуев Л.Б., Турчинович Г.Е. Движение дислокаций в кристаллах LiF в электрическом поле П ФТТ. 1968. - Т.10, В.9. -С.2811-2813.

152. Швидковский Е.Г., Тяпунина H.A., Белозерова Э.П. Влияние электрического поля на поведение заряженных дислокаций // Кристаллография. 1962. - Т.7, № 3. - С.471-472.

153. Colombo L^ Kataoka Т., Li J.C.M. Movement of edge dislocations in KCl by large electric fields. Phil.Mag. - 1982. - Vol.A46. -№2. -P.211-215.

154. Дрияев Д.Г., Медик-Шахназаров В. А. Движение заряженных дислокаций в кристаллах LiF в переменном электрическом поле У/ ФТТ 1966, - Т.8, B.1L - С3280-3281.

155. Альшиц В.И., Дрияев Д.Г., Мелик-Шахназаров В.А. Дислокационный электромеханический эффект в кристаллах фтористого лития // Электронные и ионные процессы в твердых телахг в.6.-Тбилиси: Мецниереба, 1973.-С.68-83.

156. Strumane R.t De Batist R. The charge of dislocation in alkali halides crystals// Phys.Stat.Sol. -1963-.-Vol.3-, № 8. P. 1387-1391.

157. Галусташвили M.B., Паперно И.М. Зависимость заряда, дислокаций от скорости их движения в кристалле LiF // Электронные и ионные процессы в твердых телах, в.7.-Тбилиси: Мецниереба, 1974.-С.61-71.

158. Галусташвили М.В., Паперно И.М. Электрический заряд быстродвижущихся дислокаций // Электронные и ионные процессы в твердых телах, в.8. -Тбилиси: Мецниереба,1975.-С.42-46.

159. Галусташвили М.В., Дрияев Д.Г. Движение заряженных дислокаций под действием импульса лазерного излучения /У ФТТ.-1983. -Т.25. С. 1904- 1906.

160. Лубенец С.П. Подвижность дислокаций при низких температурах У Физические процессы пластической деформации при низких температурах. Киев: Наукова думка, 1974. - С.220-252.

161. Галусташвили М.В., Зайончик MJK., Паперно И.М. Определение скорости движения дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах И Электронные и ионные процессы в твердых телах, вА -Тбилиси: Мецниереба, 1975. С. 143-146.

162. Галусташвили М.В. Электрические эффекты при пластической деформации кристаллов LiF // ФТТ. 1970. - Т.12, В.4. -С.1263-1266.

163. Косевич A.M., Маргвелашвили И.Г. Излучение электромагнитных и звуковых волн дислокацией, равномерно движущейся в ионном кристалле // Изв.АН СССР. Сер.физическая.-1967. -Т.31.-С.848 850.

164. Косевич A.M., Маргвелашвили И.Г. Излучение электромагнитных и звуковых волн дислокацией, равномерно движущейся в ионном кристалле//УФЖ.-1967.-Т.12,В.12.-С.2010-2021.

165. Размадзе А.К. Излучение упругих волн при пластической деформации монокристаллов LiF //Электронные и ионные процессы в-твердых телах,вЛ. -Тбилиси: Мецниереба,1974.-С.72-79.

166. Бойко B.C., Гарбер Р.И., Кривенко Л.Ф., Кривуля С.С. Звуковое излучение двойникукшщх дислокаций при их выходе из кристалла // ФТТ. 1969. -Т.11, ВЛ2. - С.3624-3626.

167. Бойко B.C., Гарбер Р.И., Кившик В.Ф., Кривенко Л.Ф. Экспериментальное исследование переходного излучения звука дислокациями при выходе их на поверхность // ЖЭТФ. 1976. - Т.71.-С.708-713.

168. James D.R., Carpenter S.H. Radiationship between acoustic emission and dislocation in crystalline solids // J.Appl.Phys. 1970. -Vol.42, № 12. - P.4685 - 4697.

169. Бойко B.C., Кившик В.Ф., Кривенко Л.Ф. Условия регистрации импульсов акустической эмиссии, генерируемых при выходе на поверхность отдельных дислокаций // ЖЭТФ. 1982.-Т.82, В.2. - С.504 - 508.

170. Воробьев A.A. Механоэлектрические явления при квазистатическом нагружении твердых тел // Деп.в ВИНИТИ: вып.Ь-244с, №75-81; вып.2.-249 с, №76-84.

171. Воробьев A.A. Заряженные точечные и линейные дефекты в ионных кристаллах и их перемещение во внешних полях. -Т.1.-239 с. -Деп.в ВИНИТИ, № 1330-81.

172. Воробьев A.A. Спонтанное установление механического равновесия и механоэлектрические преобразования в породах недр.-68 с. -Деп.в ВИНИТИ, №4518-77.

173. Воробьев A.A. Увеличение ионной электропроводности ионных кристаллов, минералов и горных пород во время пластической деформации и разрушения. -Деп.в ВИНИТИ: -Т.1.-130 е., № 2300-81; -Т.2. 210 е., № 3084-81;-Т.З.-251 е., № 4409-81.

174. Сальников В.Н. Исследование электромагнитного излучения и аномальных изменений электропроводности, возникающих вследствие физико-химических процессов в минералах и горных породах при их нагревании. Дисс. на соискание уч.степени к.г.-м.н., Томск, 1977.

175. Инденбом В.JI. Подвижность дислокаций в кристаллах 1 Материалы школы по теории дефектов в кристаллах и радиационных нарушениях. 4.1. -Тбилиси: Ин-т физики АН Груз. ССР, 1966. -С.5 12.

176. Соловьев В.А., Сачко В.Н. Поле напряжений вокруг дефектов типа дислокационных скоплений в изотропных и анизотропных кристаллах // Кристаллография. 1976. - Т.21, В.5. - С. 877 - 885.

177. Парийский В.Б., Ландау А.И., Боржковская В.М. Спонтанные скачки дислокаций в монокристаллах LiF // ФТТ. -1963. -Т.5, В.9. -С.2570-2575.

178. Парийский В.Б., Ландау А.И., Старцев В.И. О скачкообразном движении дислокаций в монокристаллах LiF // ФТТ.- 1963. -Т.5, В.5. С. 1377-1385.

179. Шпунт A.A. О дислокациях в кристаллах LiF, возникающих при действии сосредоточенной нагрузки H Кристаллография. 1962.- Т.7, В.З. -С.474-476.

180. Смирнов^ Б.И., Ефимов Б.А. Влияние поверхности на плотность винтовых дислокаций в деформированных кристаллах LiF 11 Кристаллография. 1966. - Т.11, В.2. - С.323 - 324.

181. Данильчук Л .TL, Смородина Т.А. Наблюдение полей напряжений вокруг отдельных дислокаций методом аномального прохождения рентгеновских лучей // ФТТ.-1965.- Т.7, В.4. С.1245-1247.

182. Алыбаков A.A., Таштандиев М., Шамырканов Ы. Влияние температуры на микротвердость и подвижность дислокаций а облученных кристаллах фтористого лития с примесью урана // Труды Киргизского госун-та, сер.физич.наук, в.6,ч.2. Фрунзе, 1975.- -С.32-35.

183. Алыбаков А.А.,Таштандиев М.,Шамырканов Ы. Влияние температуры на подвижность дислокаций и микротвердостькристаллов NaF-U / Влияние точечных дефектов на свойства кристаллов. Фрунзе: Илим, 1974. - С.7-11.

184. Гайдученя В.Ф., Блистанов A.A., Шаскольская M.IL Термически активируемое скольжение в кристаллах LiFvV ФТТ. 1970. -Т.12, В.1. -С.36 - 41.

185. Парийский В.Б., Третьяк В.В. Температурная зависимость подвижности дислокаций в монокристаллах КВг /У ФТТ. 1967.-Т.9, №9-. - С.2457 - 2462.

186. Дургарян A.A., Мурадян И.М. Скачкообразное движение неизолированных дислокаций в KCl // Изв.ВУЗов. Физика. 1980. -№7. - С.60 - 64.

187. Костюков Н.С., Сигаев Г.И., Антонова H.H., Боев С.Г. Релаксация заряда и электрических моментов керамических диэлектриков, облученных электронами //Электронная техника, сер.6. Материалы. 1979. - В.7. - С.72 - 76.

188. Костюков Н.С., Боев С.Г., Сигаев Г.И. Действительные значения объемной электрической проводимости электротехнической керамики //Электронная техника, сер.6. Материалы. 1979. - В.7. - С.77-80.

189. Анненков Ю.М., Сигаев Г.И., Боев С.Г. Неизотермичес кая релаксация электрических моментов радиоэлектретов // -Деп. в ВИНИТИ, № 2942-78. 10 с.

190. Дургарян A.A., Мурадян И.М. Исследование температурной зависимости дислокаций в кристаллах хлористого калия У Динамика дислокаций. -Киев: Наукова думка, 1975. С.196 - 199.

191. Гайдученя В.Ф., Горбач С.С., Шаскольская МЛ. Анизотропия подвижности дислокаций в ионных кристаллах J Динамика дислокаций.-Харьков, 1968. С. 129 - 138.

192. Сойфер A.M., Щеголева З.А., Мадикян P.A. Подвижность дислокаций в чистых и примесных кристаллах LiF // ФТТ. 1969. -ТЛ1, В.12. - С3665 - 3667.

193. Алыбаков А.А.,Таштандиев М. Влияние облучения на температурную зависимость подвижности винтовых дислокаций в примесных кристаллах фтористого лития / Физические свойства ионных кристаллов. Фрунзе: Илим, 1978. - С.З -11.

194. Паперно И.М. Роль точечных дефектов и их скоплений s радиационном упрочнении кристаллов LiF //Электронные и ионные процессы в твердых телах, В.9. -Тбилиси: Мецниереба, 1977. -С.63-72.

195. Урусовская A.A., Кнаб Г.Г. Влияние рентгеновского облучения на динамические свойства дислокаций в кристаллах LiF / Динамика дислокаций. Киев: Наукова думка, 1975. - С. 68 - 72.

196. Дистлер Г.И., Лебедева В.Н., Москвин В.В. Визуализация центров окраски щелочногалоидных кристаллов. // ФТТ. 1968. -Т.10, В.П.- С. 3489 - 3491.

197. Молоцкий М.И., Суровцев И.С. О возможности возбуждения миероволнового излучения при импульсном нагружении металлов // Письма в ЖТФ. 1983. - Т.9, В.2. - С.85-88.

198. Бардышев И.И., Цыганова А.Д., Хрусталев Ю.А. Позитроны в радиационных дефектах кристалла LiF // Изв.АНСССР. сер.неорганич.материалы. 1979. - Т.15, № 5. - С.812 - 815.

199. Фотопроводимость / Под ред.Ш.М.Когана.-М.:НаукаД 967.156 с.

200. Лобанов Б.Д., Максимова Н.Т., Щепина Л.И., Яровой П.Н. Конденсация радиационных точечных дефектов в дислокации в кристаллах LiF // УФЖ. 1982. - Т.27, № 3. - С.454- 455.

201. Юшкин Н.П. Проблемы генетикоинформационной минералогии / Проблемы генетической информации в минералогии. -Сыктывкар, 1976. -С.4-6.

202. Воробьев A.A., Завадовская Е.К., Кочербаев Т.К. Физические свойства твердых растворов щелочногалоидных соединений. -Томск: Томский госун-т, 1972. -186 с.

203. Воробьев A.A. Ионные и электронные свойства щелочногалоидных кристаллов. -Томск: Изд-воТомского ун-та, 1968.-306 с.

204. Воробьев A.A. Центры окраски в щелочногалоидных кристаллах. -Томск: Изд-воТомского ун-та, 1968. -39Ü с.

205. Сальников В.Н. Электромагнитные эффекты в интервале выделения конституционной воды из кристаллической решетки мусковита // Изв.ВУЗов. Физика. 1977. - № 1. - С .20 -27.

206. Лобанов Б.Д., Максимова Н.Т., Хулугуров В.М., Парфианович И.А. F агрегатные центры в кристаллах LiF-MgOH // ЖПС. -1980.-Т.32, В.6. - С. 1079 - 1083.

207. Ван-Бюрен Х.Г. Дефекты в кристаллах. -М.: ИЛ, 1962. 584 с.

208. Громов В.В. Влияние ионизирующего излучения на кинетику растворения твердых тел. -М.: Атомиздат, 1975.-126 с.

209. Анненков Ю.М., Боев С.Г., Сигаев Г.И. /У Изв.ВУЗов. Физика. 1976.- № 1. - С. 142 -144.

210. Васильев Е.М., Зингер Г.В. Дозиметрия электронного пучка. Научный отчет, НИИ ЯФ при ТПИ, 1976.

211. Tabata Т., Ito R. An algorithm for the energy depozition by fast electrons // Nucl Sei. engin. 1974. - Vol.53. - R226 - 239.

212. Васильев E.M. Методика расчета поглощенной дозы при электронном облучении (Е=0,9-2,0 Мэв). Научный отчет, НИИ ЯФ при ТПИ, 1976.

213. Миллере Д. К. F -центры в щелочногалоидных кристаллах //Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах, вып.5. -Рига, 1976. С.76 - 90.

214. Миллере Д.К., Аболиньш Я.Я., Баумание Э.А. Образование F -центров при низких температурах. Уч.зап. Латв. ун-та.- 1975. -Т.234.-С.76 - 81.

215. Калнинь Ю.Х., Котомин Е.А. Радиационностимулированная агрегация неподвижных дефектов Френкеля // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиац. повреждений и радиад. материаловедения. 1984. - В.1(29);2(30). - С. 18 -34.

216. Козловский В.В., Ломасов В.Н., Марущак Н.В. Диффузия примеси замещения в облученном ионами кристалле И ЖТФ.-1985. Т.55, В.11. - С.2175 -217&

217. Лущик Ч.Б. Исследование центров захвата в щелочногалоидных кристаллофосфорах // Труды ИФА АН ЭССР.-1955.-№3. 230 с.

218. Лущик Ч.Б. К теории термовысвечивания // ДАН СССР. -Т.101, В.4. -С.641 -644.

219. Заитов Ф.Н., Карк В.Я. Комплексное исследование центров захвата в щелочногалоидных кристаллофосфорах с двухвалентными примесями // Труды ИФА АН СССР. 1957. -№ 6. - С.82 - 125,

220. Лёвшин В.Л. Фотолюминесценция жидких и твердых веществ. -М.: Гостехиздат, 1951. 456 с.

221. Кюри Д. Люминесценция кристаллов. М.: ИЛ, 1961. - 200 с,

222. Степанов Б.И., Грибковский В.П. Введение в теорию люминесценции. Минск; Изд-во АН БССР, 1963. - 443 с.

223. Фок М.В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1964. - 284 с.

224. Антонов-Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров. -М., 1966. 324 с.

225. Адирович Э.И. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов. М.: Наука, 1956. - 352 с.

226. Комовский Г.Ф., Ложникова Q.H. Люминесцентный анализ при изучении руд и минералов. -М.-Л.: Геогеологтехиздат, 1954. 92 с.

227. Ashhy G.E., Kellagher R.G. // Amer.Mineralogist, 1958. -Vol43, No7. -P. 8-16.

228. Максенков В.Г. Применение термолюминесценции для исследования минералов осадочных пород / Физич.методы исследования минералов осадочных пород. -М., 1966.- 114- 128.

229. Терентьев Н.Л., Шкатов В.Т. Установка для изучения термолюминесценции // Изв.Томского политех, ин-та. 1971.-Т.180. -С.146-148.

230. Даниэльс Ф., Бойд Ч., Саундерс Д. Термолюминесценция как средство научного исследования // УФН. 1953. - Т.51, В.2. - С .271 -286.

231. Ракчеев А.Д. Термолюминесценция минералов и горных пород и ее значение для геологии // Изв.ВУЗов. Геология рудных месторождений. 1962. - № 5. - С.11-22.

232. Гасюк A.M., Абрамова Э.Д. Основные факторы, влияющие на интенсивность термолюминесценции минералов //Исследования в области химич. и физич.методов анализа минерального сырья. -Алма-Ата, 1971. СМ -71.

233. Желудев И.С. Физика кристаллических диэлектриков.-М.: Наука, 1968. 463 с.

234. Богородицкий Н.П., Волокобинский Ю.М., Воробьев A.A., Тареев Б.М. Теория диэлектриков. М. - JI.: Энергия, 1965. - 344 с.

235. Пархоменко Э.И. Электрические свойства горных пород. -М.: Наука, 1965. 168 с.

236. Лидьярд А. Ионная проводимость кристаллов. -М.:ИЛ, 1962.- 222 с.

237. Сальников В.Н., Приезжев Б.Н. Методика измерения электропроводности образцов горных пород в широком интервале температур // Физ.-техн.проблемы разработки полезн.ископаемых -1982. -№ 1. С.82 - 90.

238. Сальников В.Н. Электрофизические свойства горных пород (электропроводность и радиоизлучение образцов горных пород при их нагревании). -Томск: Томский политех, ин-т, 1977.- 84с.

239. Сальников В.Н. Влияние метаморфизма на электропроводность горных пород и минералов // Геология и геофизика.-1975. -N7. -С.110-119.

240. Воробьев A.A., Сальников В.Н. Наблюдение радиоволн и аномальных изменений электропроводности при нагревании образцов горных пород и минералов // Физ.-техн.проблемы разработки полезн.ископаемых. 1976.- № 5. - С. 3-5.

241. Мелик-Гайказян И.Я., Лисицин В.М., Рощина Л.И. Влияние дефектности катионной субрешетки на образование центров окраски // Изв.Томского политех.ин-та. 1971. - Т.180. - С.139 - 145.170i У

242. Георгиев Г.П., Зирап В.Э. Отжиг радиационных дефектов и перенос зарядов в NaCl при температуре выше комнатной // Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига: Латв.ун- т им.П.Стучки, 1980. - С.ЗО - 57.

243. Савельев И.В. Курс общей физики.Ч.2.-М.:Наука,1970.-432 с.

244. Рытов С.М. Теория электрических флуктуаций и теплового излучения. -М.: АН СССР. 1953.- 232 с.

245. Рытов С.М. Электрические флуктуации и тепловое излучение // УФН. 1955. - Т.55, № 3. - С.299 - 314.

246. Файн В.М. Квантовые явления в радиодиапазоне // УФН. -1953. Т.64. № 5. - С.273 - 313.

247. Долгирев ЕЛ., Малеев П.И., Сидоренко В.В. Детекторы ядерных излучений. Л.: Судпромгиз, 1961. - 223 с.

248. Соболева H.A. Меламид А.Е. Фотоэлектронные приборы. -М.:Высш.школа, 1974. 376 с.

249. Эпштейн МЛ. Измерение оптического излучения в электронике. М.: Энергия, 1975. - 312 с.

250. Кременчугский Л.С. Рощина Q.B. Пироэлектрические приемники излучения. -Киев: Наукова думка, 1979. 382 с.

251. Надененко СЛ. Антенны. М.: Связьиздат, 1959. - 551 с.

252. Верещагин Е.М. Антенны и распространение радиоволн. -М.: Воениздат, 1964. 238 с.

253. Драбкин АЛ. Антенно-фидерные устройства.-М.: Соврадао.1974. 536 с.

254. Хомич В Л. Ферритовые антенны. -М.: Энергия, 1969. 94 с.

255. Белоцерковский Г.Б. Антенны. -М.: Оборонгиз. 1962. 492 с.

256. Казарин А Л. Методы расчета и измерения характеристик и параметров антенн. -Минск, 1971. 146 с.

257. Финкель В.М. Физические основы торможения разрушения^ -М.: Металлургия, 1977.-360 с.

258. Карпов Р.Г., Карпов Н.Р. Электрорадиоизмерение. -М.: Высш.школа, 1978. 272 с.

259. Валитов P.A., Сретенский В.Н. Радиотехнические измерения. -М.: Сов.радио, 1970. 212 с.

260. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам/Под ред.Н.Н.Горюиова.-М^Энергия, 197^.-744 с.

261. Милехин А.Г. Радиотехнические схемы на полевых транзисторах. -М.: Энергия, 1976. 141 с.

262. Колотилов Н.М., Крылов В А. Технические методы и средства защиты от электромагнитного излучения радиочастот.-М., 1970.-43 с.

263. Каден Г. Электромагнитные экраны в высокочастотной технике электросвязи. -М.;Госэнергоиздат, 1957. 317 с.

264. Рогинский В.Ю. Экранирование в радиоустройствах. -Л.: Энергия, 1970. 111 с.

265. Эрглис К.Э. Защита электронной аппаратуры и измерительных систем от внешних помех// ПТЭ. -1969. № 3. - С.5 - 17.

266. BepF Л.F. Введение в термографию.- М.: Наука, 1969. 395 с.

267. Данишевский С.К., Сведе-швед Н.И. Высокотемпературные термопары. -М.: Металлургия, 1977. 234 с^

268. Мирский Г .Я. Радиоэлектронные измерения.-М.Знергия, 1975. 600 с.

269. Брянский Л.Н., Левин М.М., Розенберг BJ3. Радиоизмерения. Методы. Средства. Погрешности. -М.: Изд-во Стандартов, 1970.- 336 с.

270. Лозицкий БЛ. Мельниченко И. И. Электрорадиоизмерения. -М.: Энергия, 1978. -224 с.

271. Богомолов В.Н., Кудинов Е.К., Фирсов Ю.А. О возможности электромагнитного излучения при фазовых переходах // ФТТ. 1972.-Т.14. В.7. - С.2075- 2078.1. О»

272. Хлопова А.Н. Рентгеновские данные о фазовом переходе а-в ß кварц // Кристаллография. - 1962. - Т.7, В.4. - С.568 - 572.

273. Виноградов Е.А., Жижин Г.Н., Мельник H.H., Филиппов O.K. // ФТТ. 1976. - Т.18, В.9. - С.2647 2651.

274. Виноградов Е.А., Жижин Т.Н., Малыпуков А.Г. Термостимулированное излучение поверхностных поляритонов // ЖТФ. 1977. -T.73, В.4(10). - С.1480 -1484.

275. Белоусов Н.И„ Гроднев И .И. Радиочастотные кабели.-М.: Энергия, 1973>- 328 с.

276. Грейсух М.А., Кучинский Г .С., Каплан Д.А., Мессерман Г.Т. Бумажно-маслянная изоляция в высоковольтных конструкциях. -М.: Посзнергоиздат, 1963,

277. Кучинский Г.С. Тапупере О .О. Регистрация ионизационных характеристик изоляции // Электричество. 1960. - № 11. -С.11-16.

278. Техника высоких напряжений У Под ред.Д/ВРязевича. -М.Энергия, 1964. -471 с.

279. Койков С.Н., Цикин А.Н. Электрическое старение твердых диэлектриков. -М.: Энергия, 1968.- 188 с.

280. Рекомендация ло измерениям частичных разрядов в силовых трансформаторах //Электротехника. 1967. - № 9.

281. Харкевич А.А.Спектры и анализ.-М.:ГостехиздатД 957.-236 с.

282. Райзер Ю.П. Лазерная искра и распространение разрядов. -М.:Наука,1974. 308 с.

283. Коган Ш.М. Низкочастотный токовый шум со спектром типа 1/f в твердых телах // УФН.-1985. Т. 145, В.2. - С.285 - 328.

284. Палескис В.П., Шоблицкас З.Л., Миколайтис Г.С., Матукас И.П. Исследование электрических флуктуации //Литов.физ.сб. -1982.-№4.-С.Ю9- 112.

285. Левинштейн М.Е„ Румянцев С.Л. Шум 1/f горячих электронов в GaAs // ФТП. 1985. - Т. 19, В.9. - С. 1651 - 1656.

286. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.-М., 1963.

287. Завадовская Е.К., Борисовский B.B« Головчанский Е.М. Запасенная энергия в щелочногалоидных кристаллах при больших уровнях радиационного воздействия / Радиац.физика неметаллических кристаллов.Т.3, ч.З. -Киев:Наукова думка, 1971. С.42 - 50.

288. Эланго М.А. Физические процессы при возбуждении щелочногалоидных кристаллов ионизирующими излучениями. 1.Создание центров окраски в монокристаллах NaCl //Труды ИФА АН СССР. 1961. - Т.17. - С.135 - 146.

289. Колонцова Е.В~ Файзулаев Я.З. Радиационный отжиг в гамма-облученных кристаллах типа NaCl / Радиац.физика неметаллич. кристаллов, Т.З.ч.З. Киев:Наукова думка,1971. - С.38 - 42.

290. ЗООЛансон H.A. Дефекты и термостимулированная люминесценция в нитевидных, и макрокристаллах КВг повышенной чистоты / Труды ИФА АН СССР. Тарту, 1975. - Т,44. - С88 - 101.

291. Заитов Ф.Н. Об устойчивости F-центров олхраски в щелочногалоидных кристаллофосфорах //Труды ИФА АН СССР. -Тарту, 1961. Т.15. - С.138 -148.

292. Зирад В.Э., Гравер B.EL, Круминьш И.Я. Взаимосвязь ионной проводимости и термостимулированной деполяризации в кристаллах КВг / Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига; Латв.ун-т им.П.Стучки. 1975. - ВА - С. 129- 141.

293. Бауманис Э.А., Плаудис A3., Аболиньш Я.Я., Миллере Д.К. Накопление и разрушение F-центров в KCl и КВг/Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах.-Рига: Латв.ун-т им. П. Стучкит 1977.-В.6.-С.90- 102.

294. Грязнов М.И. Интегральный метод измерения импульсов. -М.: Сов.радио, 1975. 279 с.

295. Дине Д., Виньярд Д. Радиационные эффекты в твердых телах. -М.: ИЛ, 1960.

296. Конобеевский С.Т. Действие облучения на материалы. -М.:Атомиздат, 1967.- 401 с.

297. Парфианович И.А., Пензина Э.Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск, 1977. -208 с.

298. Платонов А.Н. Природа окраски минералов. Киев: Наукова думка, 1976.- 204 с.

299. Лущик Ч.Б. Квазичастицы в кристаллофосфорах разных классов // Изв.АН СССР.Сер.физическая. 1969.-Т.ЗЗ, Bl5.-C.889- 894.

300. Лущик Ч.Б. Элементарные механизмы создания радиационных дефектов в ионных кристаллах / Труды ИФА АН СССР. -Тарту, 1972.-Т.39. С.81 - 99.

301. Лущик Ч.Б., Витол И.К. Эланго М.А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах // УФН. 1977. - TJ22, В.2. - 0223 - 251.

302. Henderson В., Werts I.E. Defects in the alkaline earth oxidesM Adv.Phys. 1968.-VoU7, № 70. - P.749 - 855.

303. Эланго М.А. Механизм и кинетика создания радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах рентгеновскими лучами / Труды ИФА АН СССР. -Тарту, 1974. Т.42. - С.175 - 194.

304. Эланго М.А. Механизм создания радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах и его значение для радиационной физики твердого тела / Труды ИФА АН СССР. 1975. - Т.43. - С.63 -80.

305. Лущик Ч.Б. Собственные электронные возбуждения ж дефекты ионных кристаллов У Труды ИФА АН СССР.- 1978. Т.48. -С.24 - 63.

306. Клингер М.И., Лущик Ч.Б., Машовец Т.В.^ Холодарь ГЛ., Шейнкман М.К., Эланго М.А. Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений У УФЫ. 1985. - Т. 147, В.З. -С.523 - 558.

307. Лущик Ч.Б.,Вале Г.К.,Эланго М.А. Электронные возбуждения ионных кристаллов и элементарные механизмы создания центров окраски У Изв.АН СССР.Сер.физическая. 1967, - Т.31, .№5. -С.820-828.

308. Лущик Ч.Б. Фотосоздание точечных дефектов в объеме и на поверхности ионных кристаллов / Активная поверхность твердых тел. -М, 1976. СЭ02 - 317.

309. Витол И.К., Зирап В.Э., Круминь BJL, Миллер Д.К. Механизмы генерации радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах / Труды межвуз.конф.по радиационной физике. -Томск: Изд-во Томского ун-та, 1970. С.46 - 54.

310. Лущик Ч.Б. Автолокализация электронных возбуждений и фундаментальные явления в ионных кристаллах / Труды межвуз. конф. по радиационной физике. -Томск: Изд-во Томского ун-та, 1970.-С.8- 17.

311. Лущик Ч.Б., Эланго М.А. Структурно нечувствительные и каталитические механизмы радиационного создания дефектов в ионных кристаллах 1 Труды межвуз.конф.по радиационной физике. -Томск: Изд-во Томского ун-та, 1970. -С.23-26.

312. Лущик Ч.Б., Витол И.К., Эланго М.А. Экситонный механизм создания F-центров в бездефектных участках ионных кристаллах /УФТТ. 1968. - Т. 10, В.1.0, - .С2753 - 2759.

313. Лущик Ч.Б., Лийдья Г.Т., Эланго М.А., Яэк И.В. Исследование процессов генерации радиационных дефектов в ионных кристаллах У Радиационная физика. Рига,1964.-Т.1.- CJL5 - 25.

314. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.И., Йыги Х.В., Плоом Л .А., Пунг Л.А., Тийслер Э.С., Эланго A.A., Яансон H.A. Распад электронныхвозбуждений на катионные френкелевские дефекты в щелочно-галоидных кристаллах / Труды ИФА АН СССР.- Тарту, 1975. Т.43. -С.7-62.

315. Куусман И.Л., Лийдья Г.Т., Лущик Ч.Б. Люминесценция свободных и автолокализованных экситонов в ионных кристаллах / Труды ИФ АН СССР. Тарту, 1976. - Т.46. - С.5 - Ж

316. Toyozawa Y.F. Proposée! mode! of exeitonie meehanism for defect formation in alkali halides. J. Phys. Soc. Japan. - 1978. - Vol.44,No 2.-P.482 - 488.

317. Алукер Э.Д., Лусис ДЛО., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. -Рига: Зинатне, 1979. 252 с.

318. Лущик Ч.Б. И злу чательный и безизлучательный распад экситонов в ионных кристаллах JJ Известия АН Латв. £€Р. Сер. физ.и техн.наук. 1984. - № 2. - С.57 - 67.

319. Миллере Д.К., Тале И.А., Котомин Е.А. Единый подход к описанию процессов накопления и отжига радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах / Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1975. - В.4. - С.24-- 72.

320. Григорьева Л.Г., Миллере Д.К. Термостимулированная люминесценция КС1 при 300-600 К / Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1975. - В.4. -С. 153-1-67.

321. Лущик Ч.Б., Эданго М.А. Исследование элементарных механизмов создания радиационных дефектов в ионных кристаллах / Радиационная физика неметаллических кристаллов. Киев: Наукова думка, 1971. - Т.З, Ч.З. -С.12 - 22.

322. Анненков Ю.М., Франгульян Т.С. Температурные зависимости образования F-центров в щелочногалоидных кристаллах и их твердых растворах / Радиационная физика неметаллических кристаллов. Киев: Наукова думка, 1971. - Т.З, Ч.З. - С.25 - 31.

323. Антонов-Романовский B.B. Об образовании в твердых телах больших скоплений рекомбинирующих частиц одного сорта // ФТТ. 1981. - Т.23. В.8. - С.2384 - 2393.

324. Антонов-Романовский В.В. Об образовании в твердом теле больших скоплений рекомбинирующих частиц одного сорта при возбуждении (одно- и трехмерная непрерывные модели) // ФТТ. -1983. Т.25, В.2. - С.599 - 601.

325. Винецкий В.Л. Генерационно-рекомбинационный механизм образования кластеров точечных дефектов в кристаллах JJ ФТТ. -1983. Т.25. В.4. -С.1159 -1165,

326. Кузовков В.И., Котомин Е.А. Образование кластеров радиационных дефектов / Физика фазовых переходов. -Рига, 1980. -С. 132 146; 147 -153.

327. Воробьев A.A. Завадовская Е.К., Головчанский Е.М. Основные закономерности накопления энергии при облучении в ионных кристаллах / Радиационная физика неметаллич. кристаллов.-Киев: Наукова думка, 1971. Т.З, Ч.З. - С.З - 12.

328. Лущик Ч.Б., Тийслер Э.С. Рекомбинационные процессы в щелочногалоидных кристаллах, активированных галлием / Труды ИФА АН СССР. Тарту,!959. - Т.10. - С.135 - 165.

329. Herreros I.M., Jaque F. // Phys. St. Sol., (b). 1977. -VoL23, No.l.-P.k21-k23.

330. Воробьев A.A., Сальников В.И., Коровкин M.B. Наблюдение радиоимпульсов при нагревании кристаллов и минералов в вакууме У/ Изв. ВУЗов. Физика. 1975. - № 7. - С.59 - 64.

331. Шварц К.К., Грант З.А., Мекс Т.К., Грубе М.М. Термолюминесцентная дозиметрия. Рига: Зинатне. 1968. - 185.

332. Шварц К.К., Кристапсон Я.Ж., Лусис Д.Ю., Подинь A.B. Фтористый литий: оптические свойства и применение втермолюминесцентной дозиметрии / Радиационная физика.- Рига, 1967. Т.5. - С.179 - 235.

333. Шварц К.К., Витол А.Я., Калниньш Д.О., Лусис Д.Ю., Подыныи A.B. Радиационные эффекты в кристаллах фтористого лития / Изв.АН СССР. Сер.физическая. 1967.-Т.31. Л*Л2.-С.2028-2034.

334. Парфианович И.А., Лобанов Б.Д.^ Смольская Л.П., Непомнящих АЛ!. Георгиевская .Л.М., Шнейдер А.Г. Рекомбинационная люминесценция и дозиметрические свойства кристаллов LiF- S. LiF-Mg.Eu / Л юминесценция и спектр .анализ. -Иркутск, 1974. -В.З.-СЛМ6.

335. Парфианович И.А., Хулугуров В.М., Лобанов Б.Д., Максимова Н.Т. Люминесценция и вынужденное излучение центров окраски в LiF// Изв.АН СССР.Сер.Физическая. 1979. - Т.43, № 6.-С.1125 - 1132.

336. Парфианович И.А., Пензина Э.Э., Саломатов В.Н., Хулугуров В.М. Перестраиваемые лазеры инфракрасного диапазона на центрах окраски в ионных кристаллах / Люминесценция и точечные дефекты в кристаллах.-С.2-25. Деп.в ВИНИТИ, № 2513-75.

337. Гусев Ю.Л., Маренников С.И., Чеботаев В.П. Генерация на и F2" -центрах окраски в кристаллах LiF в спектральной области0.88-L2 мкм У/ Письма в ЖТФ. 1977. - Т.З, В.7. - С.305 - 307.

338. Гусев Ю.Л., Маренников С.И., Чеботарев В.П. Перестраиваемые лазеры на центрах окраски // Изв.АН СССР. Сер.физическая. 1980. - Т.44, № 10. - С.2013 -2028.288

339. Непомнящих А.И., Раджабов Е.А., Егранов A.B. Центры окраски и люминесценция кристаллов LiF.- Новосибирск:Иаука, 1984.113 с.

340. Панова А.Н., Угланова В.В., Чаркина Т.А. Оптические свойства рентгенизированных кристаллов LiF различной чистоты / Радиационная физика. Рига.1965. -Т.З. - С.27 - 31.

341. Лобанов Б.Д., Максимова Н.Т., Щепина Л.И. Оптическое преобразование F- и F-агрегатных центров окраски в кристаллах LiF // ЖПС. 1984. - Т.35, В.2. - €.335 - 337.

342. Метревели П.И. Нацвлишвили Г.И. Радиационное коллоиды лития в тонких пленках / Радиационная физика твердого тела и радиац. материаловедение. -Тбилиси, 1974. С. 197 - 206.

343. Ворожейкина Л.Ф. Центры окраски в облученных кристаллах фторида лития / Электронные и ионные процессы в твердых телах. Тбилиси: Мецниереба, 1968. - В.З. -С.16 - 26.

344. Андреев Г.А. Отжиг радиационных дефектов в облученных нейтронами кристаллах LiF-Mg / Изв.АН СССР. Сер.неорганические материалы. -1972. Т.8, № 10. - С.1774- 1777.

345. Басиев Т.Т., Воронько Ю.К. Миронов С.Б., Осико BJEL,. Прохорова A.M. Кинетика накопления и генерации р2+-центров в кристаллах LiF(F2 ) // Письма в ЖЭТФ. 1979. - Т.ЗО, ВЛО. - С.661 -665.

346. Farge Y. Toulouse G., Lambert M. Observation et etude d'un nouveau centre colore dans le fluorure de lithium irradie // J. Phys. 1966. -Vol.27, No.5-6. - P.287- 294.

347. Флеров В.И. Зависимость эффективности образования F-центров от температуры во фтористом литии //Изв.АН Латв.ССР. Сер.физ.и техн.наук. 1977. - № 4. - С.ЗЗ - 36.

348. Vanderlugt R.I., Kim Y.M. Conversion of F3+-ceníers and destruction of R-centers in LiF with R-Light // Phys. Rev. 1968. -Vol.171, No.3. - P. 1096- 1103.

349. Лобанов Б.Д., Хулугуров В.M., Парфианович И.A. F-агрегатные центры в кристаллах LiF LbO IJ Изб.ВУЗов.Физика. -1978. -№4.-С.81 -85.

350. Nahum I., Wiegand D.A. Optical properties of some F-aggregate centers in LiF // Phys.Rev. 1967. - Vol.154, No.3. - P.817 --830.

351. Михнов C.A., Ходинский A.H. Деградация F2+ • a Fr ■ центров в радиациояно окрашенных .кристаллах фтористого лития // ЖПС, 1985. Т.42. - С.298 - 303.

352. Алексеева Е.П., Соцердотова FJB. Механизм создания F-центров в кристаллах LiF на первой стадии / Люминесценция и спектр .анализ. Иркутск. 1974. -В.З. - С. 110 - 116.

353. Метревели П.И. Рост пор в тонких пленках LiF под электронным облучением// ФТТ. 1982. - Т.24, BJL - С605 - 607.

354. Ворожейкина Л.Ф., Политов Н.Г. Металлические и квазиметаллические центры в ионных кристаллах / Электронные и ионные процессы в тв.телах. -Тбилиси:Менциереба, 1971 .-В.4.-С.36-87.

355. Мамонтов А. ГЦ Стародубцев В.А., Чернов И.П. Ионизационное ускорение преобразования центров окраски в области малых доз излучения// ЖТФ. 1985. - Т.55. - С.2056 - 2058.

356. Hughes А.Е. Stability fnd production of R' centers in lithium fluoride // Solid state Communs. -1966. Vol.4, № 7. - P.337-339.

357. Боярская KXC., Грабко Д.З., Пашкова Д.С. Параметры пластической деформации некоторых ионных кристаллов. Кишинев^1983. 48 с. ( Препринт ИПФ АН Модд. ССР)

358. Васильев С.Г. Исянова Е.Д., Лобанов БД., Максимова Н.Т., Овчинников В.М., Проворов A.M. Дирульник И.А. Эффективный лазер на оптически стабильных Fi -центрах в кристаллах LiF // Письма в ЖТФ. 1984. - Т. 10, В.4. - С.248 -25L

359. Алыбаков A.A. Исследование люминесценции и центров окраски в кристаллах LiF-Mg У Влияние дефектов решетки на свойства кристаллов. Фрунзе: ИлимД971. - С.48 - 52.

360. Флеров В.И. Зависимость эффективности образования Ук-центров от температуры во фтористом литии /У Изв.АН ЛатвССР. Сер.физ. и техн.наук. 1977. - № 1. - С.59 - -63.

361. Пунг Л.А. Неизотермическая релаксация ЭПР автолокализованных дырок в кристаллах LiF и NaF / Труды ИФА АН ЭССР. -Тарту,1966. Т.34. - С.164- 165.

362. Mayhugh M.R. Color centers and the thermolurninescence mechanism in LiF // J. Appl. Phys. 1970. - Vol.41, No. 12. - P.4776-4782.

363. Войтович А.П., Калинов B.C., Калоша И.И., Михнов С.А., Овсейчук С.И. Генерация излучения в зеленой области спектра лазером на кристаллах фтористого лития с радиационными центрами окраски //ДАН БССР.- 1986. Т.ЗО, № 2. - С.132 - 134.

364. Игитханишвили Д. Д., Квавадзе К, А. Термостимулированная проводимость облученных кристаллов LiF / Электронные и ионные процессы в тв.телах. Тбилиси: Менциереба, 1974. - Т.7. - С.29 - 33.

365. Архангельская В.А., Полетимов А.Е. Нелинейное поглощение света термопреобразованными Райцентрами в кристаллах LiF // Оптика и спектроскопия. 1984. - Т.57, В.З. - С.377- 378.

366. Алексеева E.H. Низкотемпературная люминесценция LiF -фосфоров /Труды межвуз. конф. по радиац. физике. Томск, 1970. -С. 165 - 168.

367. БоганЯ.Р., Витол И.К. Исследование дырочных процессов и их роль в радиационных явлениях в щелочно-галоидных кристаллах / Труды межвуз. конф. по радиац. физике. Томск,1970. -С.120 - 124.

368. Яансон Н.А. Дефекты и термостимулированная люминесценция в нитевидных и макрокристаллах КВг повышенной чистоты / Труды ИФА АН ЗССР.- Тарту, 1975. Т.44. - С.88 - 101.

369. Нурахметов Т.М., Эланго М.А. Агрегатизация галогена в КВг, облученном рентгеновскими лучами / Труды ИФА АН ЭССР.-Тарту,1979.-Т.49.-С.7-23.

370. Круминыи В.Я. Бауманис Э.А. Структура На -Ук-полосы поглощения и фотохимические реакции в рентгенизированных кристаллах КВг Ка. / Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. -Рига, 1975. - В.4. - С ,82 - 98.

371. Круминып В.Я., Бауманис Э.А. Генерация и термическое разрушение \т2 центров в КВг / Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. -Рига,! 975. - В А -С. 99 - 110.

372. Яансон Н.А. Гиндина Р.И. Исследование точечных дефектов в кристаллах КВг, выращенных из раствора и расплава У Труды ИФА АН ЭССР.- Тарту Л974. С. 195 - 214.

373. Круминып В.Я., Бауманис Э.А. Роль Г -центров в процессах рекомбинации радиационных дефектов в кристаллах КВг- Ыа / Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. -Рига, 1976. -В,5. С.Я - 100.

374. Круминып ВЛ„ Бауманис Э.А. Рехомбинационные механизмы генерации и терморазрушения У 4 -центров в кристаллах Квг / Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1976. В.5. -С.101-126.

375. Нагорный А.А. Тепловое разрушение центров типа Ук в смешанных кристаллах КВг-К1 / Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига.1979. - В.7 - С.69 - 79.

376. Ахманов С.А. Гадонас Р., Данелюс Р., Каманов В.Ф. Коротеев Н.И., Пискаркас A.C. Спектроскопия релаксации возбужденных состояний и пикосекундная релаксация в F-центрах // Письма в ЖТФ. 198Í. - Т.34, В.9. - С.504 - 50Ä.

377. Лахно В.Д., Балабаев П.К. Самосогласование решения jb континуальной модели F-центра и проблема релаксированного возбужденного состояния// Олтика и спектроскопия. 1983. - Т.55. В.2. - С.308 - 312.

378. Bosi L., Bussolati С., Со va S. Radiative lifetimes of exited M and R centecs in alkali halides// Phys. stat. sol. ,(b).-l 972.-Vol.50, No.l.-Р.ЗП-318.

379. Swank R.K., Brown F.C. Lifetimes of the exited F-centers Л Phys. Rev. -1963.- Vol. 130, No. 1.- P.34-4L

380. Медведев Б.А., Паршков O.M., Силкина Т.Г., Симоненко Г.В. Процессы усиления и генерации света в щелочногалоидных кристаллах с электронными центрами окраски II Оптика и спектроскопия. 1984. - Т.56, ВЗ. - С.478 - 48Х

381. Григоров В.А., Мартынович Е.Ф., Парфианович И.А., Хулугуров Б.М. Захват электронов активатором при лазерной стимуляции КС1:Т1 II Люминесценция и спектр.анализ. -Иркутск, 1974. В.З. - С.92 - ЮГ

382. Березин A.A. К теории фотоионизации F-центра окраски // ФТТ.-1967. Т.9. - С.2756 - 2757.

383. Шлюгер АЛ.,. Канторович Л.Н., Тиликс Ю.Е. Расчеты электронной структуры электронных и дырочных центров в щелочногалоидных кристаллах // Химия твердого состояния,-Кемерово, 1981. С. 156 - 171.

384. Рыжанов С.Г. О радиоспектроскопическом методе детектирования свободных экситонов в кристаллической решетке /У Изв.ВУЗов.Физика. 1967. - № 5. - С.140 - 144.

385. Бичевин В.В. Термостимулированная электронная эмиссия кристаллов NaCl и КС1, легированных серебром, таллием, индием // Труды ИФА АН ЭССР. Тарту, 1974. - Т.42. - С.228 - 232.

386. Кярнер Т.Н., Соркин Б.А. Дырочные процессы в кристаллах MgO при фотостимулированной люминесценции и электронной эмиссии // ФТТ. 1978. - Т.20, В.9. - С.2696 - 2699.

387. Тетерис Я.А. Кинетика рекомбинационного процесса V2- и F-центров в кристаллах КВг // Изв. АН Латв. ССР. Сер.физ.и техн. наук.-1977. № 27 - С.16-20.

388. Бичевин В.В. Фотостимулированная электронная эмиссия с F-центров щелочногалоидных кристаллов J Труды ИФА АН ЭССР.-Тарту, 1975. Т.43. - С.90 - 113.

389. Аболтинь Д.Э., Витол И.К., Гринфельдс А.У. Туннельная люминесценция КС1 / Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1980. - С. 132- 142.

390. Nakajima Т. Thermoluminescence and colour centers in LiF crystals irradiated at room temperature // J. Phys.C.: Solid State Phys. -1971, Vol.4-РЛ060-1068.

391. Okada M., Atobe R., Nakagawa M. Higher F-aggregate centers produced during thermal annealing in LiF crystals irradiated at pill temperature // Annu. Rep. Res. Reaktor Inst. Kyoto Univ. 1976. -Vol.5.-P.160- 164.

392. Никаноров С.П., Кардашев Б.К. Упругость и дислокационная неупругость кристаллов. М.: Наука, ! 985. -250 с.

393. Щепина JI.И., Алексеева Л.И., Лобанов Б.Д., Шуралева Е.И., Парфианович И.А. Радиационно-стимулированные процессы в кристаллах LiF различного примесного состава // УФЖ. 1984. - Т.29, В.12. -С.1668- 1673.

394. Колонцова Е.В., Телегина И.В., Зефирова В.Л. Влияние облучения на дефектную структуру монокристаллов LiF/Радиацион. эффекты в тв. телах.-Киев: Наукова думкаД977.-СЛ58-162.

395. Колонцова Е.В., Линник В.М. Дефектная структура у-и X облученных щелочногалоидных кристаллов// Кристаллография.-!969. -Т.14, В.6. - СЛ044 -1049.

396. Зефирова В А., Колонцова Е.В., Телегина И.В. Влияние отжига на дефектную структуру облученных нейтронами кристаллов LiF // ДАН СССР. 1971. - Т.199, В.4. - С.821 - §23.

397. Эртс Д.П., Горбовицкая Т.Н., Дзелме Ю.Р., Авотинын Ю.Э., Тиликс Ю.Е. Исследование отжига радиационных дефектов в LiF методом хемилюминесценции и термостимулированной люминесценции // Изв. АН Латв.ССР. Сер. физ. и техн.наук.- 1981.-№2.-С.61-64.

398. Андреев Г.А., Васильев ГЛ. Отжиг точечных дефектов в гамма-облученных кристаллах LiF // ФТТ.-1969.-Т.11, В.1.- С.222 224.

399. Завадовская Е.К., Кузьмина A.B. Энергия, запасаемая в ЩГК при облучении // Изв.ТПИ. Томск Л 965. - ТЛ40. - С.35 - 42.

400. Соболевская C.B., Давиташвили TJIL, Джорджишвиди Л.И., Калабегишвили Т.Л., Политов Н.Г. Исследование спектров ЭИР фторида лития в широком интервале доз облучения / Электронные и ионные процессы в тв.телах.-Тбилиси:Менциереба,1971.-Т.4.-С.114-120.

401. Игитханишвили Д.Д., Соболевская C.B. Влияние превращений радиационых дефектов на электропроводность л ЭПР кристаллов LiF / Электронные и ионные процессы в тв. телах -Тбилиси: МецниеребаД975. -Т.8. -С.19- 28.

402. Андреев Г.А. Отжиг радиационных дефектов в облученном нейтронами кристаллах LiF-Mg // Изв.АН СССР. Сер.неорганические материалы. 1972. - Т. 10. - С. 1774- 1777.

403. Воронков В.В. Отжиг вакансий в процессе охлаждения кристалла и вызванное им перераспределение примеси // Кристаллография. 1972. - Т. 17, В.З. - С.466 - 472.

404. Кнаб Т.Г., Урусовская А.А. Два типа F-центров в кристаллах LiF рентгенизированных при комнатной температуре // Кристаллография. 1971. - Т.16, В.1. - С.181 -185.

405. Кнаб Г.Г., Урусовская А.А. Исследование дефектов структуры фтористого лития методом термостимулированной электронной эмиссии// ФТТ. 1968. - Т.10, в.2. - С.644 --643.

406. Беляев JLM, 1£наб, Урусовская А.А. Термолюминесценция и термоэкзоэмиссия с кристаллов LiF, подвергнутых деформации, термообработке и облучению / Механоэмиссия и механохимия тв.тел.-Фрунзе:Илим, 1974 С. 183 -186.

407. Андреев Г.А., Смирнов Б.И. Образование точечных дефектов при пластической деформации кристаллов LiF // ФТТ. 1968. -Т. 10, В.6. - С. 1692- 1698.

408. Давиташвили Т.Ш., Политов II.Г^ Соболевская C.B. Центры окраски и коллоиды в кристаллах LiF / Электронные и ионные процессы в тв.телах.-Тбилиси:Менциереба,1973. Т.5. - С.36 - 55.

409. Зефирова B.JL, Колонцова Е.В., Луценко В.П. Дефекты в облученных электронами монокристаллах LiF и NaCl при различных условиях облучения // Вестник МГУ. Сер.физл астроном. 1976. -Т.17. - С.706 - 711.

410. Sibley W.A.,Chen J. Radiation damage in MgO // Phys. Rev. -1967. -Vol.160, No.3. P. 712 - 716.

411. Лущик И.Б., Куусманн ИЛ., Кярнер ТЛ,, Лущик Н.Е., Малышева А.Ф., Миленина Р.В., Ратае Л Л., Савихина Т.Н., Соовик

412. Х.А. Электронные возбуждения и люминесценция окиси магния / Труды ИФА АН СССР. Тарту, 1977. - Т.47. - С.59 - 92.

413. Kroes R.L. The formation of defects in MgO / AIAA Paper, 1970.-P.70 826.

414. Гусев Ю.Л., Коноплин С.Л., Маренников С.И. Генерация когерентного излучения на F2 -центрах окраски в монокристалле MgO // Квантовая электроника. 1977. - Т.4, № .9. - С.2024 - 2025.

415. Henderson В., Werez J.E. Defects in the alkaline earth oxides // Adw. Phys. 1968. - Vol.17, No.70. -P.749 - 755.

416. Кофстад П. Отклонение от стехлометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов.-М.:Мир,1975. -396 с.

417. Sonder Т., Sibley W.F. Defects creation by radiation in polar crystals / Point defects in solids , ed by J.Crowford.-N-Y. -London, Plenum Press, 1972. P.201 - 209.

418. Hughes A.E., Henderson B. Color centers in sample-oxides / Point defekts in solids, ed. by J. Crawford. -N-Y. London, Plenum Press, 1972.-P.381 - 489.

419. Henderson В., Garrison A.K. Huperfine interaction of defects in insulators // Adv. Phys. 1973.- Vol.22, No.4. - P.423 - 528.

420. Валбис Я.А., Рачко З.А. О механизмах люминесценции вблизи края собственного поглощения в кристаллах окислов с широкой запрещенной зоной / Электронные и ионные процессы в ионных 1фисталлах. Рига,1976. - В.5. - С Л 55 - 163.

421. Кярнер Т.Н. Термическая стабильность дырочных центров и дырочная рекомбинационная люминесценция MgO, СаО и SrO с различными примесями У Труды ИФ АН СССР. -Тарту, 1977, Т.47.-С.93- 110.

422. Калдер К.А., Кярнер Т.Н., Лущик Ч.Б., Малышева А.Ф., Миленина Р.В. Коротковолновая люминесценция кристаллов MgO // ЖПС. 1976. - Т.25, В.4. - С.639 - 644.

423. Kappers H.F., Dravnicks F., Werts I.T. Optical absorption of the Voh -center in MgO I I Solid state communs. 1972. - Vol.10, No.12.-P.1265 - 1269.

424. Chen Y., Abraham M., Templeton L., Unrah W. Role of hydrogen and deuterium in the V- center formation in MgO // Phys. Rev. D. - 1975. - Vol.11, NoJL - P.881 - 890.

425. Abraham V., Chen Y., Unruh W. Formation and stabulity of Voh- and V-centers in MgO/У Phys. Rev., В.- 1974. Vol.9, No.4. -P.1842-1852.

426. Chen Y., Kolopus L., Sibley W. Defects luminescence of tlie irradiated MgO // J. Luminescence. 1970. - .No 1-2. - P.633 - 640.

427. Primak K.W., Luthra J. Radiation induced expansion and increase in refractive index in magnesium oxide; evidance for F - center // Phys. Rev. - 1966.- Vol.150, No.2. -P.551 - 561.

428. Chen Y., Willians R., Sibley W. Defect cluster centers in MgO J J Phys. Rev. 1968. - Voi.182, No.3. -P.960 - 964.

429. Kappers L.A., Kroes R.L., Hensley E.B. F+- and F-centers in magnesium oxside // Phys. Rev., B. 1970.- Vol.1, No.10.- P.4151 - 4157.

430. Gager W.B., Klein M.J., Jones W.H. The generation jf vacancies in MgO single crystals by explosiy chock J J AppL Phys. Letters. 1964.-Vol.5, No7. - P.131 -132.

431. Калдер K.A., Кярнер Т.Н., Лущик Ч.Б., Малышева А.Ф., Миленина Р.В. Экситонный и электронно-дырочный переносы^ энергии в люминесцирующих кристаллах MgO У/ Изв.АН СССР. Сер.физическая.- 1976. Т.40, № 11. - С2313 - 2316.

432. Hecht H.G., Taylor E.D. Thermoluminescent study of the color centers in irradiated polycrystalline MgO // J. Phys. and Chem. Solids. -1967.-Vol.28, No.8. -P.1599 -1605.

433. Миронова H.A. О существовании V° -центров в MgO / Радиационные дефекты в полупроводниках. МинскД972. -сЛ92-194.

434. Chen Y., Trueblood D.L., Show O.E., Tobeer H.I. Colour centrs in electron irradiated MgO // J. Phys. C: Sol. Stat. Phys.- 1979.-Vol.3, № 12.-P.2501 -2508.

435. Кузнецов A.С. Радиационные дефекты в кристаллах MgO, возникающие в результате рентгеновского облучения / Труды ИФ АН

436. ЭССР.-Тарту,1976. Т.45. - C.I01 - 120.

437. Лущик Ч.Б. Электронные возбуждения и ионные дефекты в щелочногалоидных кристаллах // Изв. АН СССР. Сер.физичсская,-1971. Т.35, № 7. -C.13Ô5 - 1311.

438. Куусман И.Л., Лущик Ч.Б. Собственная люминесценция ионных кристаллов с автолокализующимися экситонами УУ Изв.АН СССР.Сер.физическая. 1976. - Т.40, № 9. - C.17S5 -1791.

439. Анненков Ю.М., Суржиков А.П., Погребняк А.Д., Суржиков В.П. Образование радиационных дефектов в кристаллах MgO при высоких плотностях возбуждения JJ ЖТФ. 1980. - Т.50, В.8.- С.222-224.

440. Суржиков А.П. Образование радиационных дефектов в анионной подрешетке монокристаллов окиси магния при высоких плотностях возбуждения ускоренными электронами. Дисс. . канд.физ.-мат.наук. Томск,! 982. - 165 с.

441. Кярнер Т.Н. Фото- и термостимулированная люминесценция, легированной .разными примесями окиси магния- У Труды ИФ АН ЭССР. Тарту,1979. - Т.49. - С.172 -184.

442. Kappers L.F. Hensley F+ F centers conversions in magnésium oxide II Phys. Rev., В.- 1972. - Vol.6, No.6. -P.2475 - 2477.

443. Tench A.I., Duck M.I. Radiation damage in oxides.l.Defect formation in MgO // J. Phys. C.: Solid State Phys. 1973.-Уо1Д No.7. -P.1134- 1148.

444. Смирнов Б.И. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов. Л.: Наука, 1989. - 236 с.

445. Власова М.В., Горбачук С.И., Каказей Н.Г., Мельник В.М. Инициирование F-центров сильным всесторонним сжатием поликристаллического MgO // Изв. АН СССР. Сер. неорганические материалы.-1983.-Т.19, В.7. С.1213 -1215.

446. Соркин Б.АМ Бичевин В.В„, Кяэмбрэ Х.Ф. Дырочно-нндуцированная экзоэлектронная эмиссия // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1982. - Т.46, № 7. - C.14Q7 - 1411.

447. Самойлович М.И., Цинобер Л.И. Особенности радиационных центров окраски и микроизоморфизм в кристаллах У/ Кристаллография. 1969. - Т.14, В.4. - С.755 - 766.

448. Сальников В.Н., Кумеев С.С.Арефьев К.П., Килеев В.П. Исследование дефектности микроклина методами аннигиляции позитронов, электропроводности и импульсного электромагнитного излучения // Минералогический ж.- 1981. Т.З, № 5 . - С. 97 - 105.

449. Дистлер Г.И., Лебедева В.Н., Москвин В.В. Визуализация центров окраски щелочногалоидных кристаллов // ФТТ.-1968. Т. 10,1. B.11. С.3489 - 3491.

450. Головин Ю.И., Дьячек Т.П., Усков В.И., Шибков A.A. Электромагнитное излучение деформируемых щелочно-галоидных кристаллов // ФТТ 1985. - Т.27, В.2. - С.555 - 557.

451. Головин Ю.И., Шибков A.A. Электромагнитное излучение и динамика дислокаций в щелочно-гадоидных ^кристаллах // X Юбилейный симпозиум по механоэмиссии и механохимии твердых тш. 24 26 сентября 1986 г.,г.Ростов-на-Дону.Тез .докл.- М.,1986. - С.23 - 24.

452. Воробьев А А., Завадовская Е.К., Сальников В.Н. Изменение электропроводности и радиоизлучение горных пород и минералов при физико-химических процессах в них // ДАН СССР. 1975. - Т.220, В.1.1. C.82 85.

453. Сальников В .ГЦ Ганькина Л.Н. Наблюдение электромагнитных импульсов в нагреваемых образцах горных породвследствие отделения минералообразующих растворов // Изв. ВУЗов. Геология и разведка. 1978. - № 5 - С. 61 - 68.

454. Воробьев A.A., Сальников В.Н., Заверткин С.Д. Регистрация электромагнитных импульсов при полиморфных превращениях кварца // Изв.ВУЗов.Физика. 1975. - № 8 С. 138 - 145.

455. Okada М., Atobe К., Nakagawa М. Hihger F aggregate centers produced during thermal annealing in LiF crystals irradiated at pile temperature. Annual Report Research Reactor Institute Kyoto University., 1976. - Vol.9. - pp.160 - 164.

456. Девятко Ю.Н., Маклецов A.A. Пространственно неоднородное распределение дефектов в облучаемых материалах. / Известия АН Латв.ССР, сер. физ. и техн. наук (Латвийский физический журнал).- 1986.- № 3. С. 18 - 24.

457. Николис Г., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных системах. М.: Мир, 1979.

458. Хакен Г. Синергетика. М.: Мир, 1980.

459. Смоэс М. Синергетика. М.: Мир, 1984.

460. Драган О.П., Драган Я.П. Синергетика и ритмика выделения компонентов при радиолизе кристаллов.// Препринт Физико механический ин-т АН УССР, 1982. - № 54. - 55 с.

461. Селищев П.А., Сугаков В.И. Самоорганизация дефектов в кристалле под облучением. // Вопросы атомной науки и техники. Сер.физика радиационных повреждений и радиационного материаловедения. 1990.- № 2 - С. 3 - 6.

462. Винецкий B.JL, Калнинь Ю.Х., Котомин Е.А, Овчинников

463. A.А. Радиационно стимулированная агрегатизация дефектов Френкеля в твердых телах. // УФЫ. - 1990.- Т.160, В.10. С. 1 - 33.

464. Сальников В. Н., Заверткин С. Д., Коровкин М. В. Электромагнитные и акустические эффекты вследствие структурных изменений в стеклах // Изв.ВУЗов. Физика. 1980. - №1. - Деп. в ВИНИТИ, № 3981-80.- С.

465. Korovkin M.V., Sal'nikov V.N. Radiation "memory" effect in synthetic minerais. / Experiment in Geosciences.-1995.-Vol.4, № 4.-P.82-83.

466. Головин Ю.И., Шибков А.А. Исследование динамики дислокационных скоплений в неметаллических кристаллах методом анализа электромагнитной эмиссии. / Latvian Journal of Physycs and Technical Sciences. -1991. № 4. - P. 51 - 64.

467. Тялин Ю.И., Финкель B.M., Гурова O.B., Копылов Н.В. Специфика скоплений заряженных дислокаций / ФТТ 1985. - Т27,1. B.10.-С. 3005- 3009.

468. Сойфер Я.М., Сорокин Ю.Г. Релаксация напряжений при взаимодействии дислокаций с радиационными дефектами / Механизм релаксационных явлений в твердых телах.-М.:Наука, 1972.-С. 159-163.

469. Головин Ю.И., Дьячек Т.П., Орлов В.И., Тялин Ю.И. Нестационарное электрическое поле быстрой трещины скола в монокристаллах LiF / ФТТ. 1985. - Т.27, № 1. - С Л110 - 1115.

470. Головин Ю.И., Шибков A.A. Быстропротекающие электрические процессы и динамика дислокаций в пластически деформируемых щелочно-галоидных кристаллах / ФТТ.-1986.-Т.28, № 11.-С.3492- 3499.

471. Головин Ю.И., Шибков A.A. Скачкообразная дислокационная поляризация монокристаллов LiF, деформируемых одиночным скольжением / Кристаллография. 1987. - Т.32, В.5. -С. 1206 - 1210.

472. Головин Ю.И., Шибков A.A. Коллективное поведение дислокаций и быстропротекающие электрические процессы при деформировании монокристаллов ZnSe / Кристаллография. 1987. -Т.32, В.2. - С.413 -416.

473. Головин Ю.И., Дьячек Т.П., Долгова В.М. Заряженные дислокации в щелочно- галоидных кристаллах, подвергнутых импульсному сжатию/Кристаллография.-1987.-Т.32, В.6. С.1468 - 1473.

474. Kisel V.P. Mobility of dislocations in NaCl single crystals at low temperature / Phys. stat.sol. (a), 1976. Y.36. - P. 297- 306.

475. Кардашев Б.К. Закономерности термически активируемого движения под действием напряжений акустических волн в щелочно-галоидных кристаллах / ФТТ 1985. - Т.27, № 3. - С. 787 - 800.

476. Даринская Е.В., Урусовская A.A., Беспалько A.A., Геринг Г.И. Исследование динамики дислокаций при деформации кристаллов NaCl сверхкороткими импульсами облучения в электронном пучке / ФТТ. 1982.- Т.24, В.З. - С. 940 - 941.

477. Гестрин С. Г., Сальников А.Н., Струлева Е.В. Взаимодействие движущихся заряженных дислокаций с облаками точечных дефектов в ионных кристаллах во внешнем магнитном поле // Кристаллография. 1997. - Т.42, № 6. - С.965 -968.

478. Гестрин С.Г., Сальников А.Н., Струлева Е.В. Поперечный дислокационный аналог эффекта Нернста Эттингсхаузена в ионных кристаллах // Изв.ВУЗрв.Физика. - 1996. - № 1. - С.80 - 83.

479. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е.Кинетические особенности движения дислокаций в ионных кристаллах, стимулированного импульсом магнитного поля // Известия РАН. Сер. физическая. 1997. - Т.63, № 5. - С.965 - 971.

480. Воробьев A.A., Сальников В.Н. Наблюдение радиоволн и аномальное изменение электропроводности при нагревании образцов горных пород и минералов // Физико-технич. проблемы разработки полезных ископаемых. 1976. - № 5. - С.З - 15.

481. Зильберман П.Ф. Генерация радиочастотного излучения при фазовых переходах в системе KNO3 NaNCb // Изв. АН СССР. Сер. неорганические материалы. - 1985. - Т.21, № 1. - С.157 - 158.

482. Аксельрод Е.Г., Добрин В.А., Заверткин С.Д., Заплатина И.О., Зарубин В.А., Крюк В.И. Пострадиационные эффекты при фазовых переходах в жидком кристалле: эмиссия электронов и электромагнитных импульсов//Письма в ЖТФ.-1993.-Т.19,№ 1.-С.74-78.

483. Силинь А.Н., Трухин А.Н. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02. Рига: Зинатне, 1985. - 244 с.

484. Вахидов Ш.А., Гасанов Э.М., Самойлович М.И., Яркулов У. Радиационные эффекты в кварце. -Ташкент :ФАН, 1975. 188 с.

485. Вахидов Ш.А., Ибрагимов Ж.Д., Хушваков О.Б., Юлдашев А.Д. О неударной генерации дефектов в кристаллах кварца // ЖТФ -1992.- Т.62, В.4. С.176 - 178.

486. Комов И.Л. Радиационная минералогия. М. : Энергоиздат, 1982.-175 с.

487. Марфунин А.С. Спектроскопия, люминесценция и радиационные центры в минералах. М.: Недра, 1975.- 327 с.

488. Таращан А.Н. Люминесценция минералов.- Киев: Наукова думка, 1978.- 296 с.

489. Орленев П.О. Стабильные парамагнитные центры в природном кварце : методы измерения в порошке, абсолютные концентрации и их вариации // Минералогия. ж.-1984.-№ 1.-С. 17 24.

490. Раков Л.Т., Моисеев Б.М. Палеодозиметрические свойства 02 3" -центров в кварце // ДАН ССР. 1989. - Т.305, № 1. - С. 192 - 194.

491. Брик А.Б., Дегода В.Я., Маразуев Ю.А., Радчук В.В. Реконструкция доз радиоактивного облучения кристаллов а кварца из Чернобыльской зоны // Журн. прикл. спектроскопии. - 1996. - Т.63, № 1. - С. 158 - 160.

492. Раков Л.Т. Радиационные свойства структурных дефектов в кварце // Геохимия. 1997. - №6. С.637 - 642.

493. Bossoli R.B., Jani M.G., Halliburton L.E/ Radiatin-induced E"2 ctnters in crystalline SiCb // Solid State Communs. 1982. - Vol.44, No.2 . -P.213-217.

494. Матросов И.И., Погорелов Ю.Л. Влияние прокаливания на спектры ренгенолюминесценции кварца // Изв. АН СССР. Сер.геологическая. 1977.- № 9.- с.89-94.

495. Минералогия и кристаллофизика ювелирных разновидностей кремнезема / В. Г. Балакирев, Е. Я. Киевленко, Л. В. Никольская, М.И. Самойлович, В. Е. Хаджи, Л. И. Цинобер. М. : Недра, 1979. -149 с.

496. Вотяков СЛ. , Крохалев В.Я.,Пуртов В.К., Краснобаев A.A. Люминесцентный анализ структурного несовершенства кварца. -Екатеринбург : УрО РАН, 1993. 71 с.

497. Максимчук В.Г., Таращан А.Н. О собственной люминесценции кислородосодержащих минералов (силикаты) // Кристаллохимия и спектроскопия минералов. Киев: Наукова думка, 1984. -с. 15-35.

498. Физические исследования кварца. М.: Недра, 1975. - 65 с.

499. Коровкин М.В. Электромагнитное излучение возбужденных ионных кристаллов при термическом стимулировании / Материалы научно-практ. конф.:Молодые ученые и специалисты Томской области в 9 пятилетке. Томск: Изд-во ТГУ, 1975. - С.217-220.

500. Семенов К.П, Фотченков A.A. Эффективность воздействия на кварц различных видов излучения // Кристаллография. 1977. -Т.22.- вып.5.-с.571-578.

501. Priest V., Cowan D.L., Reichel D.G., Ross F.K. A danglingsilicon-bond defect in topaz./ J. Applied Physics, 1990. V.68,No.6. - P. 3035 -3037.

502. Серебренников A.M. Экспериментальные исследования электронно-дырочных центров в кварце. Часть 2. Центры свечения / Минералогический сб. Львовского ун-та. 1972. - № 32. - С. 15 - 20.

503. Синтез минералов. Том 1 / Хаджи В.Е., Цинобер Л.И., Штеренлихт Л.М. и др. М.: Недра, 1987. - 487 с.

504. Цинобер Л.И., Самойлович М.И., Гордиенко Л.А. Некоторые особенности дымчатой окраски в кристаллах кварца с примесью Al. // Кристаллография. 1965. -Т. 10., В.6,- С. 879-898.

505. Лютоев В.П. Электронно-парамагнитный резонанс и термолюминесценция кристаллов кварца Приполярного Урала / Физика минералов и их аналогов. Л.: Наука, 1991. - С. 108 - 111.

506. Павлишин В.И., Мазыкин В.В., Матяш И.В., Возняк Д.К. Тенденция изменения содержания структурной примеси алюминия в процессе роста кристаллов кварца. // Геохимия.-1978.- № 2.-С.266-275.

507. Румянцев В.Н. Структурный алюминий в кварце как индикатор физико-химических условий кристаллизации. // Записки Всес. минералогич. общества. 1979. - Т. 108, В.6. - С. 647 - 657.

508. Матросов И.И., Погорелов Ю.Л. О сверхлимитном накоплении светосуммы термолюминесценции в кварце // Ж. прикл. спектроскопии.- 1976. Т.29, В.5. - С.825 - 830.

509. Матросов H.H., Чистяков В.К., Погорелов Ю.Л. Исследование термолюминесценции геологических материалов.-Томск: Изд-во Томского ун-та, 1979. 114 с.

510. Горобец Б.С. Спектры люминесценции минералов.-М.:ВИМС, 1981.-153с.

511. Юргенсон Г.А. Типоморфизм и рудоносность жильного кварца.-М.: Недра, 1984. 149 с.

512. Лариков А.Л., Шумский A.A., Брик А.Б., Матяш И.В. О новом подходе к восстановлению условий образования кварца по даннымЭПР //Геохимия. 1991. - № 10. - С. 1510 - 1513.

513. Аксельрод Е.Г., Беспалов В.В., Добрин В.А., Крюк В.И., Кузьмин А.Н., Мелехин В.П. Акустическая эмиссия при фазовом переходе первого рода в жидком кристалле // Доклады РАН. 1995. -Т.345, № 3. - С.320 - 323.

514. Данчевская М.Н., Овчинникова О.Г., Целебровский А.Н. Исследование дефектов в синтетическом кварце методом термолюминесценции //Ж. физ. химии.-1985.-T.LIX,№ 11.-С.2818-2823.

515. Данчевская М.Н., Овчинникова О.Г., Целебровский А.Н. Исследование дефектов в синтетических кристаллах кварца // Изв.АН СССР. Сер.неорганич. материалы. 1986. - Т.22, № 2. - С. 245 - 250.

516. Лысаков B.C. Об оценке эффективных сечений, коэффициентов и термических энергий захвата дырок в кристаллическом кварце // Доклады АН Тадж.ССР. 1991.- Т.34, №1. -С. 30 - 32.

517. Платонов А.Н. Природа окраски минералов.- Киев: Наукова думка, 1976.-264 с.

518. Nassau К. Abterinq the color of topaz.- // Gem. g. and Gemol.-1985.- Vol. 21, № 1,- P.26 34.

519. Бальмаков М.Д. Структурная релаксация и радиоизлучение // Физика и химия стекла. -1987.- Т. 13, № 5. С. 781 - 784.

520. Коровкин М.В., Пригулов A.M. Термостимулированное радиоизлучение возбужденных монокристаллов MgO // Радиационная физика и химия ионных кристаллов. Тез. докл. IV Всес.совещ. Рига, 1978. - С. 213-214.

521. Головин Ю.И., Фурса Т.В. Влияние заряда поверхности на излучение электрических импульсов деформируемыми монокристаллами LiF// Известия ВУЗов. Физика.- 1987.-№10.-С. 117-118.

522. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние света и магнитного поля на подвижность дислокаций в ионных кристаллах // Известия ВУЗов. Физика. 1998. - № 7. - С.31 - 36.

523. Леко В.К., Мазурин О.В. Свойства кварцевого стекла. -Л.:Наука, 1985. 166 с.