Електроннi властивостi багатодолинних напiвпровiдникiв з глибокими центрами радiацiйного походження тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

АКАДЕМ1Я НАУК УКРА1НИ 1НСТИТУТ Ф13ИКИ НАП1ВПР0В1ДНИК1В

На правах рукопису

СЕМЕНЮК Анатолш Костянтинович

УДК 621.315.592

ЕЛЕКТРОНН1 ВЛАСТИВОСТ1 БАГАТОДОЛИННИХ НАП1ВПРОВ1ДНИК1В 3 ГЛИБОКИМИ ЦЕНТРАМИ РАД1АЦ1 ИНОГО ПОХОДЖЕННЯ

01. 04. 10 — ()нзика нашвпров^дншив 1 д1електри1ив

АВТОРЕФЕРАТ

днсертацП' на здобугтя вченого ступеня доктора ф1знко-математнчннх наук

Кшв — 1993 р.

Робота виконана в '1Ф.ЧП, 1НЛ -АН УкрэУки I на кафедр? ф!зикк Луиького 1кдустргального институту

0ф1ц1йН1 опонентк :

член-кореспондент АН Украгни • доктор фхэйко-матвматйчких наук, професор Литовченко В.Г.,

доктор ф1зико-катематичних наук, професор ДоОровольський В.М..

доктор фгзико-натемагнчних наук Бондар Б.М,

: Зедуча орган*эац1я

- Чврн1реиький дёржавиий ун1ворситет .

Захиствибудвться/ 1993 Р- °

ва заС1данк1 сп0Ц{ал1зовано'г радй Д.016.25.01 при 1нсти?у?1 ф!змки нап1впров1дник1в АН УкраТни за адресов: 252023, Ки1ь - 28, проспект Науки, 45.

Здиовртац1ев можна озкайрмктйсь в <31ол1отвц1 Лнотитуту ф!зйки нап1£пров1днйк1Б АК УкраТни.

Автореферат роз!слано 1993 р.

Вчений «екрвтар спец1агЛзоБано1 ради,.

доктор фi зкко-матЕ«аткчних каук С .С. Хценко

- -

2ЛГЛЛЬНЛ ХАРАКТЕРИСТИКА »Ö30T2

iscrsksisss тг*:?. c-ítskkí дгслтлргччл kisia-tpcstr-uiki:» еде¿трокisa сгзкгда' гз хядначядя -роз^пт«

Tzsz-.z гол г с ¿Г; я:-: pa-:oï-;5.'.r;c-:Î2.a,

згдззд i ss«íps2ü3iHa -r^Klr-a, сзггедз2??ок1зса.. С-е^сг&пя :* ¿тг-.р:£лгми для зтос£2гцтга наЯдлрдсго азу едетгрежглх пр:;ла"1з г багагодог.;л<я1 кап:лпрсв:дк;:?::5. серэд кках rowrœ пэт^дзз

xpejíaiS. Значнз «Егтяяа каукдг'лх ргзрсЗог - тлердсго ?î-

да - пз'-глагЕчя з paKHix рсб:~ i да гучзсзах 1х??н:лгя1х дсзлхд-гакь глибог.:',-, з Kar.iicpcsixju^x - г.рг.гхттка

де£ех?1з.

0з?ги1нз2яя '-:астгг.тл г::сггих скергхй яддяс ccíca сзтужклЛ i добре г.сэтродьазанчй кетод г.зртзгзпя стугйннз здсзядхсгзндз?: у твгрдкх Т1лах. Доглхд^г.чая дес-зхт:з г:р;:сг2я1чн01 грзтет.-гд-гссзно2Дзк>:я ея??я : фНсэтна.чи sissííísosrsjni хрзггг-.

д:з нас вех-гкг наухоге. та сра^г:»-1-:?i 'газмял дз '¿як—. лиз:глх прсблг:« ç-i2;nc: гз'ордогз' 3 osraaKîS «2- язсу.тл зз-. рат.сго рпз"'.-г:-7 дозгадх-'н.-. p2ziaiü»s?x ефелтхз з aanÍEspcsism--казг,' згиойеко• сильяго' ^утдзз1стз I" елсЕгрг.-::-:;гх пзрамтр^л до ядввкгх 2«npc.4iKSE£nb, а так cat Н-ДД323Ч32Е0 ггясглм ззвгсгу-8вя:«В1 гряладЪ. Пор яд s «срзтэткгти .ггзгггси

.• тт?сбзе:<а рега1зуэ?ьс£- яраэтнча! Kcässssocri sspjsssas загзкгсга--кк 5-ar.isriposiäik5is за- длглмзгоэ pasiauil. ссгм з xssjjcn* г.рх-xsazis «ього с у.ейтесанэ- лггугзнмп (НТЛ) для

■ ркмзнкя кай51дыз.' одкор1д:<Ях "'.jcpzc-raais £зома:в. ïïp::

sanÍ2r.po2ÍiiÍKto»s яргдад^з зздгзслкштя глаз-

ги- зитгср-гзгясс?! : Is j-.ôâjs т*дгх=5

гкхсрягтсгузчя иатерхаги з 2;:е-опез сдзср1дя5згз га зглнтггякгха

::е?а'!>;гр£•:•«, 3 ;• :. ци;; яеоднорхдкостсй взагалх :

• з:-;.;>ека при гоякгах була 1 залнаастьсл актуальное.

Поггупоьэ Оуло доеягнуто аначного протрксу ? технолог].?

доскок&лнх Kpi7cvif.ii-. кран«: г: : Гириан'Е, я;а стаьа-■>•" ьиоокочис?ик« каг«р1пла*:« по коиионтраа: ? :егехт?кчно аг.ткв-дон¿год (¿ЙЮ^ с:-;"3}, г калик кЦстои кяснв (~1015ск"-;) ; гдавдкгацг са ссизяКсГ лрслЛ '.нос?*. Б;?;:ср;:е?аккк ?а-

к*;;: к^шггйлЬ »■ сЛгн:Л гас кашЫстг. мяч^ги приро-

ду : прост1г.'кх дефькт1в. г.Ь,ет»:г.у !х утгорения 1

а1дп^-лу, лояи.ьнгр:-ц!^ ¡.аймаке к учацтс ¿оу1вое об-

и^кека сстелкх:;.

-■ссЛ^л.агт! .глгсткггстей йагатг дой;;;;-

ксгЛз-проьгдпкгЛй тйпу 51, сс 2 •:;:?нач?к,гъся г;«№тр1-сс крнсги.-.!')!!?У граг;:к та характере-;-: м1?;г:г;>к/;;-:х Вико-

гкегакик для од.чой1ск«х. пругжу. д^формь-

а;;: СГи* ), як! зуиогасвтг. ке гхгыа: к1жатон;:;;х в1дсга—

¡¡сп, алс > ц-'мегр:: гуаткк, ¡^ъодить до оутткк:х ■

и:Л',: ;>: еес.т>гет.:чксгг. спектра. Ие, и слзл ь^ргу, вааначас вгд-;;с:Л;аЛ »«¿ш: Ь: «йктрок»::« -БгасгидЬетвй, ьиг-члшя ям:;: дас" гафэрмац1ъ про дсс^ддузак! сб"СЕ.?к.. Пбракскяйьия ¿езулгаттост! засгосува^кк ОПЛ при дос.-ЛдхенкЛ рад1ан1Г.-дз$окг:ь ъ креккП с впспврймента Вотк1нса по встанодхекиа ' катодом ал? кIпроструктура А- та Е-цэнтрхЕ (асоц:ац1У вакапсП а 8»0М0«.К«СНВ Та £ атомоу донориот ДОКУКИ, В1ДПЭВ1ДКо) .

?а:Лацх!ЛЛ дофзкти л крекк:Т 1 гсрханП с,як правило, аеитраик сильно?_зохаделектрокхз 2 глубокими р1ьким5: в .' Пробхама глкбоккх центров зкаходкться серед пайбШъ здгуелым»; вйЛзиц! нап1впров1дш:к1в як.'-в тооротачно-щ астн'лЛ, гак 1 в праятйчйсш/ плаиГ» 555"я.зку' з-' К90бххдн1с?в

ззй^з пгчтшг: рздхацтПпо? отлЛксгг: no:-;: i л î з o.:.o:ctüc:íí:<-/ ■ Застссуваанг, :л:>- >- СПл ус.-г: дат;! insopyínií про так.1 гл::йс-к1 i;o¡:-vp:i. Сок:::?.:;;:

П03у~?:-:МЯ калча.ггт::^ лЭДИЗТЬСЛ .'.or-'n-lskí'-.v;! л Х:л»КС". -"гч-.:-

к«х ягиi.crxa.e saiooгрсг-н*,;:«« измраии. то при .v.w'iz ï:? дсфорнац;:, s о;; я пзлпзе.чк;- о:-:?с-ми». "ix груя з rparni отипть гзтячио , moíci олзстгр^гагаол «точна п-'рнср:

t:uú:i. Биач<*:*кя. П оутт"Л!> дояскагяе при с -.г : 7:

з :сремн:х.

Таким чином, доелíдхення алектрсянях вдасгазостей •Улгд-год,--линних нап:впр22:д:!;:к1з, опремхнекиу. част^г.м'Л г/с^х язяяеться актуальная 1 дсЦлькам як з яауховг,<у,тах- i « •лра'.тл«-аоиу аопокта?:. Робота сб"сд.чан.1 однкм зягзльним напрякксм - р-ль ргд1ац:?.::пх ефикт:;: з форму:-у«к! адастзэсот&й багзтодолгнких «а-П12Пров1Дки:'Лз з зр-зхуваик.гч. !х лэгузання, • прозто-

penoí одноршшетг, .саиетрИ- христалхчно» гратки та яохальких uo.'irpia.

Котоз. Дсботи_ було Кймплг::сн9 досл^дгення алехтроняи.ч -лас-тигсстеЯ ог.рсмЦзжх"0ага?одсдиниих нал:зг,р;-31дн.:1й1з Sl ä 0¿ , . $í<Ge> , •• спрямргаи*. из зегачоздгккя привода.. p'aiisaîn«;« i ï:< згтлнзу на .улкогич:-:: яяжг&.в soehíehíx -.элзктричких, кагнг.'мих, дэф0рмиа1йнах- полях. У 2:дпоз?диоот1 з псстаялвяов'метси orío-т: прозодялось: ••■■;-..;' ■.-/ "

. I. Ексг.вриУдигзль'ио' дссл:джчмня.-б''см:<о-"рад15н?:?кг. як;-.:; i :с1::«ячк:«- »|вк?Ь яри. слрс:инйм:!£ Si . та С-5 -з nusdocsc-гДчаихи «оодиоргдиостячи техислorí«иого : рзаЬ«!»иого походдоь-ня. ' ■''.. . ' ' ■-.". " '

',. с. Розсс-ösa .колол! :£..óRcn35!ótóH?ú3>»»a -Ti ncooinnxa пза ло-с л ; дхс :< u i :с i « :о ти • ! ; :' с ф< ■ г.т : г. в ;п$ома«лп:»х sptioTxiax ».р-м.-ii^

: rep xas; io a сваз1пгр1одйчк;<и (заруватки) рсзполиок. ¿ckísok "s s scc.zQ-zjb~í4.Kn cnpo«ÍBaUíí£ ддя 3»ísa ада.гатуда..неоднороднее-

т;, a Tasas ¿за акэначаиня Tí вьрьагтр1ь.

3. Sas'-ieusK природа p&zi&aißKax порувень, впдиьу ïx ка-пзоазск р-зкгк£:кйц£?, с1кзтач;« та тензсефекти 'Б сссдливо чистих. кригтглах ереиз-лг, опрок1кзках ¿ '-к.вантакиг едектрона-

KZ î нейтронах*..

¿smIçïskuk вдэсгро^ í3/.--:hkx napaxeTpis «síítjjohho траке-двгопкего краулгs в .провес i Е1длзду. еярякэванв ка рссразсу cnzcoSiz r.izr.\za:m pasia^insoí ctí&koct:.сидоглгх на-r.pXSCtfS.

5. Вксп5р«»сита«ьве 'гягчеккя тз::гсзл-е;;т2 ü з хеггте^ах з т;-;".«:: auií-hvx, ¿.i-; üxtíb i в1::сор;:гта::;:к -i^x деийх -ддй жткачьгж й;;:зггрсгт: f, г структур« rxrçe&x дг>х»д|—

ках v"r:r<íz,

ó. tro'iKí? пчрэ-орхснтааП ?¿¿iasi»:Kax ¿C*3Í:?Í¿

s ¿i ra 51С Ge > текзос^ег-тга в. уном*

csítKrs- 0.11 s гдг.£ск:гх цгигр;ь.. ..

tüJ-ъгух KS-ZSZ'VZZ c;:ei.t3c;n;;ci:izincrb в 'сдаЗ/.^г i c&sskkx CS 10 й/о:}'-•si-^'rps'iaiíx полет., ефгхт Хсддг.1 к£гк1тогг»о?у, п**с-гссгЛр t n^cso-Xozs-siscr np« иноь1сы-:х треках до ~ LSDOQkT/c:-:; iäKipsKiKKS часу ¡síttk kscshczûîîîc nzziïz струму : чгегкегз е.ч.-Лс-UÜ csswpscRcr.ír: гдкбохгх pisáis С DLT5 ) тг кзггкьзкйя s '

tbyxcia Sisa^KS^ïç^STS^

¿escsïas сяркЛнйкь'к- .чггз&аиг seccsxx esapriti, sc яедйс с сбой bqtvzozZ кгтед еёзрзздеаогс гг-тив? кз едеыреак! •е.-.сстй-serri KÄiisspcsissicis,- гпегоз застосоьана ддг. ¿cmííssh.hs oí"ch-

но-грздхзнтазх э-;ехтхэ з кремнх! та гзрман!?. Вялзлано t поясме-но багатззазозэ зрсстзна-л градхснтхз питзмсго опзру з результат! олромхнэння,. зижден!1 дозлиз.зн! об"5мко-град1з.чтя: зфекти Невиетй-аттхнгекзуз^иа та Ригя-Дгдгха.-

На ос н о а £ дослхдязкня ххн-зтичяйх ейхтхз э опрсипшних кра-'сталах з сарузатам розязд1Л0Х дзмхззх розрахзэана модэль пэр!о-. дачно каеднорхдкого; напхЕярззхлл/ха, яка» описуе еаспериментальн! . результат»-. Показано» до.при.дозах опр^мхнзннч. коли ¡сонаентра:ц1я захзллэнкх на глкбзгЛ рх'зя! ног 1 :'э струму, наблидаетъсл до- иШ-малгноГ гонизнтр&ц!! до* 1 гам - в' зарах»- сппстэрхгаетьая зтдхия&ния з!Д закону Ома з слайклх-алэктричнях л элях, с'уггезий зйлиа яару-зато? структура на ЗА.С в "грхвчих ' полях",'- сильна, аяхззтрспхя гздьваномагнЬтаих а^вжгхз.. - -

Зяврвэ зидзлвно 'граначка, .положения р;зня ^ерм! в заборонеахй зонх при опром1йвня1.вивэкочис*зто• краяй'ха■ великими дозами легхях частох ( Т -кзантхз, елехтрсяхэ )■ ', холи дсмхнузчлми дефектами з крлзталх отзвть ¿хзакансП; показано,, го. зойо реалхзуеться такгз при рззпал: кластэрхз з пррцзо! тзрмоосробки кремихэ, .сязом!нгно-го вгцзсами частхами:''(нвЗтройэдя'')(>^?а/ЙЙА'3«.'.-,у ;

Виязлай! та|досЛ1дж^1;:яоз1^м9хак1зм:гталзоа^эктхз а бага- '• тодол::нк;:,< напхзпрозхДкилах,;-зуисвзен! -5:<:к:з;!кдм Гл'лбзкпх внап-гзтичних. рхзнхз,. а т-ахздагомнов первз?хгнтаи!'5а до£зкт!в при сильних одноа1оних-деформаШйх. • Зпврзб. зявчви! Тзязоабзкт:«, зу-повлек!• атомной лёреорх-5н7ац!ез..А-цвнтр!в з -кристалл* твэрдчх : розчин!в. 51 < 6« >■ ' та. ¿омплейохв э эяергэтичним рхвнвм ■ Е^-0,2 еВ. в крэмнП. •

Практична цхдн^сть роботиполягаз а сл!дуячому: I. Спхльно зЗТМК,одержан: результата використавувалась для визначеиш. ступеня однзр1дност1 промизлозих хриоталхэ крэмнхв,

- s -

гаросуваких a. pis»»!* технргспчних уиовах. 3- пор1вияння експерк-' «акт&ш»;х i рограхоьаиих дсзззих i текпсратурнкх золежкостей ■ e$c&TKmoï рухлизоз?! яосПз струну та- зольт-акпггрнкх характе- • ркстик кризт-и-Лв взтаиовлссться ная»н!сть танкоТ структура вару-гатоТ периодично? иооднор!дност1 í 'визвьчавться ÏT • параиетри ь n-Si i n-Gc .

2. Експермшктадьио оЗгрухговано метод пЦьааоння рад!ац18-' HDÏ ctü'.KooTi apäa-iis, прв"язаииЯ з Езтановленняк граничного nsssojiOHbs pi sua Ферм! в кркстаяг.х з лои1нуачоэ г.оицзнтраи1со

3. ChpHHaüi .коккротв! результат;-, застссуганкя-. пеьиоТ ра-AÍauiйнй-тстжi'ihoï сорз':-;;; кристал1з для -psaaiâauiï-задач! aiд— ьидйхпй ат1?.позт1 с;:лс.1.;'х т.^.;:з?зрних' структур на cohcíí iiTS-Si по i-iSKOïoiiJia до кс'.:т:оинэго эпрзм1к<;нкв.

Зизм&чы:! до^зр.-саи!««!. sví ни- енергатачного нодожяня pisáis osnsb>n:x ¿таринякх дерехттз i дэяхих глибо-

Küx aiHTpis T-exiiOScrisiîorc походхення• s кремнН i гчзрчзнП, по коже паздухити осясаои рззрзбю: чутдишх -те»:зэс0г:сср1з, пркзка-чеки'х для pr.;¡от;-: s вкрбшоку нггбрдгд!' ucxs;:ï-:ni:x паг.рулань i в pîsHKX такпсрзгурикх смаотях.

5. На C3KC3Í регультатхв в;:и1рвьання тонзсофскт:з з высокое точк1сть ькзкачено- консгзкту деформаа1йногс ггот-зяцхалу 3 .. ь кркстадач -крема i в з'р1энов -кокаентра^сэ' хзоъадекткоТ домхдки rr-p-'a¡:ir ; показано, со осноану роль s млйдолкикоь'у poscicsamii вШтразть 4 -переход«.

Подойник» so зин0£ятия_йа ¿зхязтд

I- 2. л з :;тр £>ï i э ! : ч н i здазтизозт! onpoKiueHHx реадьних при-с тал i s tpokkio i rop»3hin Зкэк&чаг-тьея., кр!к-bUommx фак?о?:в, такса: гшсднорхдкостям;; розподхлу д-змхао:-: i дег>окт:н та сб"снно-

-град* -;нткккч роль зростас при

сац:: дсм'-моао? ярозЧдмсст! з ростам доз:; рзлхгд::".

2. Метода глзкачэикгг параметр!з ааруз1?з? :*ер:ол;:ч;:зг кд-однозхдлсст: ( ■ампл1тулл, пвр£оду, тонко? структур;' } пдяхсн

г-

сгЛзетзздення ехсперлмоктал!>н.-;х дозосих 1 тгклорггтур-пх зад«*-нсстьй прсахдз'зсг!, е~с-ктизнс? рухллаос?! нсс*Хз ! зодъг-

ашорних характеристик кр-,-стад£в з рсзрахукхсаоа модзлдя г.зрха-длчно неоднср£дного кап:зпрозш^ха. результата эязиаченяз наз-га.чнх'яара«зт?1в ддл прсмислозхх крхстал'Хз' краккхя 1 гэрмзнЛз, одержзлхх при р!знн:< тох:!о-".ог1ч:н;;х умозах зародузання.

3. Закономгоност! гллмзу лер1здйчШ!х I статястячно розг.од:-дэнлх з об"~:п нооднср1дностз2 газьза:!с:<ггк1Т1Л едахтл з :лро-:инен::х крхстзяах Г--51 та п—С<г , -■-> дозволили зяявятл до-даткозу дн!зот?олха мапЛтосг.сру» сбуг.огдену бага?одол;!.ча1стз зснн-э: структур:;.

Граллчна полоззняя. рхзкя з ззйсрс:!гн:й зон! ар;:

опром:>:2н!:Х чистого кро>:н1э вгдикаик -дсспка • легхпх часто:-;, поли дом1кузчичк дг^зктам;; з йркстгдх 'сталть- акдотери! гд:13ок1. цаатря-б! г.а:са:-:о: Т. Результата влзченкк- рехонЗ^йац!?.;«!;; г.азачагр^з 1 52-иа?::к:: у^дбиня о 1 П. пел 4 -спрсмг.-акк!, пи:

цс сстакн!.язляаться эторлкняяа • дефектами 1 угзгрэ'аться ззяхсч спарзаання поод;ш.ох:,.х захансха, рухзизйх.прк тзшюратурх опрсм^-векяя' христайа. Блйгйоякя- гравхчного поаозздгкя -р1заа §?рн» при териосбрсбц! чистого, крени2а*- еяро:»1иеного пай??с:ш«и.

5. Застсеугаяня рад1а::1Пко-тор:ач?!о'£ оброб;::?, ко спрпяе утасрзни« гзтеруочах аогтр1з у вя'гаяд! кяоавзс-кроил!-

йових прэцип1т.чт1э та грмсгеа£зацП кркатдла, для п1д2яаею:я ра-д£ац£Яно? стьИсосп силозих тлристоршге структур, вяготсалених на основ! явятронко тран^мутаШйно лагованого кремн£в.

6. Мехакгзни ?екэоефокт!Е в багатодолинких нап!впров!дн»-' ках при сдков1сикх прукнкх деформациях,обуковлен!: '

а) -зк!кос ексрг!? !о1йзац!Т глибоглх центр 1 в -рад1ац!йиого • 1 ТЗХКСЛОГХЧНОГО похсдхоння,

• •б) етомнор ■пореор1снтац|г.с анЛзстротшх раД1вц1?.них . дефек-т!и, '

в) зк!нов вкладу юкдо'линнкх ^ -переходхв тв.■впливои хзо-валентно? домхвхи гер^акхв ка розЫевання носПь струму в одно--вхенс дшфоркованкх кркстаяах п- Се> ,

г) вплквом еаруззтоУ пер!сдичйо1 не.однорхдностх ка ефек-т«вну рухливЬть нос! струну • в-.опром1ненвх П-$1'- та п-ве «

7» .Методика ьияелеинй акх зстрсгЛ ? ! вивчвння атокмо? пере-ор!сктацИ .ралхшЛйних ■двф.е-ктхв' в крекнх: г гермакхг на основ! результатов досд!д*еннп. ?еизое4е-ктхв в --у ковах 'ск,1ьнх;х<- одж>в!с-ккх дефоркая!й. Результата к'.значоння двфоркацгйких зкхк енер-! гетичнога положения .глибоки* рхвнхв, а такая вн.ергН ••атакко! переор!ситааП ряду. рад! шШ5нкх дефект!в,.-як! в*користан! для уточнения !х приводи-Л електронкс! структура.

Осноыи рсзультати, представлен!..в'•диоертацЦ, • дэпов!дели-ся ка: всеоовз«!П карад!' з'рад!аи1йн61 .ф!зиы1- иекетал!чних кри-сталхв (Мгкськ, 1Рбор. ) , -всесован!й, хонференц!!'' водо дефект!в' структур«- в 1ШГС1$ярСБ1Дкиках (Новоскбхреьк, 1969р.), 1У коорди-нацШий парад! з проблоии "радхацхйна фхзкка ненетал!чних хрн-аталхв" (Кпхв, 1969р.) . к£жнарсднхГ; кокференШ по..рад!аа!йних ефектах.в н8п!впр6в!дниках;(Ньв Йорк, Олбенх, 1970р.) , всееевз-наму сккпозхуи1 ПС радхаахйикх де?-актах-В напхЕпровхдккках ( Мхкс^к, 1972р.), воероюзкхй нарадх "Технология х кетоди одер- -

ж.-ляпя однор1дяих MOHCKpHOTajia кремяЬ. виро-дуваних з розплаву" ( Москза, Подольск, 1977 р.) , II 535сзозя:Л кон1-ор?яи!'{ по глубоких ргзнзх 2 нэпtз-л?оэ1дянлК (Талнвнт, 15-50 р.) , III ззэсо-сзни! яау'х-)30-т<2¿к 1ча 1?. я^н^зо^нцИ "Техкслзгхя одврчання i ма-тэргал "знаэс гзэ одяср tдаслэговздах моногАиотал1з хремн1з" (йос-хза, 1332р.) ,. 2сзсолзя1а кэкИрзии* 1 з рзд:ац1.1но? Ф1 закя на-п:зпргл:д:-:л:-::з i слоогднек/х мат«р:&дхз (Тал-сект, 1534р.) , всэ-соазнлй KOH-iep-ii-iuiT "Удссконзлзния технолог!'! сдзряакня : доо-Л1д.*энь монохристалхэ оооблизо чистого капхзпрстпднихозого хрем-я1а" (Москва, IS55p.) , XIII та Х1У зсэзразаях сзм1нарах "?ад:а-ц13на фхзиха на^элроз1д.-.л.-::з"(Нозо:иб1рсьх, 1557, 1585 p.p.) , иаухэзо-тэхнгчному ssMinapt "Едэктронхка дефектов з хрзмнП i структурах на його озновх" (Кл:з, 1533 р.) , м;.лнзрод:ая хонгз-pc-Kuii ва рад!ац12ному •«ат9р1алозяазс1зу .(Адуата, ISSOp. ), а такая обгаэзразазязь на дэргчних озмгнарах до рад:ац:?.них ефах-тзх а нап1зл?оз1дн:-::<ах''( Ка-?а...X7III нац{окадький osMixap, 1932р.), на пленумах наукзззГ Р-адз АН Ухрахни ло npo&sexi зиха. надiзпроэ:дяикiз"(Кигз>.».XXXI плзну.ч, 1955р.) , . яа об"зд-наному яауховому. oeMisapt 31дди:2 ^ 7. та ^.аЭ ¿нотитуту кя нап1злроэ1дняЕ1а АН' У.храгни С 155Эр; ).: ''•:

Публпйц^Ь - \ : ; ' : ' -

Осноэкий'матера дязаршлТ опубликований з 50 наукових."■ .

прааях т-а в мснотрафt ?, -опааок шх. падания в *:нц1 автореферату. ■■

Лисзртзи!:: схдадзаться з встулу, семи роздШэ' та зисноз-

Miстать-337•отор1нок мазвнопясного тексту, з тому числх 59 рисункгэ, 20 таблиць. i 01бл1огра<*£Ю з 4С0 наза.

. ЗН1СТ РОБОТ»'.

У встулГ ойгрунтована актуальн!сть тени досл!дження, сфор-мульована кета та основн! задач1 роботи, висв1тлено наукове 1 практично эначеннр Ух реагЛзацИ.

В дарзому £озДШ подана загальна характеристика явив, цо мавть м!сие в досл!джуъаких нап1впров1дниках при опром!ненк1 тх • легкими частками -такики.як....^ —кванти 1 сбидк1 елоктрони з енер-г!сс 1 + 2 НоВ.. Проанал1зовано, со зи1ии електроиких властивос-теИ кристал кромн1г 'Г германпри важливих.для; практики тем- . пературах вкзначавться вторкнними дефектами, як.1 яглйеть собою комплекс» утвороваких опреснениям ваканс1й 1 (Лхвузлових атом!в 3' атомами ж 1мIч.чях лоуЛаок та м1ж -собой 1 кавтъ. глмбок! р1вн1 в заборонен1.Я эон1, Описа|Л. осиовк.1 фактори, ко впливавть'на. рад1-ацШЛ з>Лни вяастивостей кристал!в:-1 природу електрично актив-кйх дефектных центр1в. Приведено короткий оглкд в1доких:тнп1в точкових рйд1ац1йпих дефектов, необххдии.й для анал!зу материалу наступних роздШв. ГИдкреслено, по -практично вс! рад1ац1йн! дефекта з Ьзтаноыеиов м1кроструктуроп являьться некуб!чиими центрами в куб1ч!Цй гратц! кремихв 1 геркан1в, тобто точ.кова група скыатрП цих центров нихчв групи:симетр1? г.ристала; аласкэ,це знаходить св1й прояв в тенэоефектах при одков1сн1й деформац!У I в цьому рсзун:нн1 под1бк1 сб"сктне аяхэотропнимк.

Зикладен! також даяк1 мэтодичн! пктаккя приготування зраз-к!в, ?х опроШнзння Л випалу та проведения вимдрввань э (Ильи детазц-кик описом оригинально! методики досл^дження ,т.ензсефокт1в при сильних однов1сних пружних дефорнац1ях, коли реадгзусться енергетичие розяоплення долин дЕ » кТ Л досягасться повне переселения електронгв провхдност! в долини, що опускавтьоя по икал! енерг1Е.

- 13 -

Лру_гяй_розд1л прксвячениа. рад!ац!йнйм ефзктам з г.росторозо яеоднорхдних логованих 'красталах герман1о Д. крзми1о, ао обумов-лонх н.эрхвно^ирки.ч розподиом' дом!аок : дзфвхт!з' в гх сб"ен!. ОскДдьха .зм1ки' 'град1сн?!'э патомого'-опору (.70 ) визиачаЬтьоя змхками кокцектрацх? (П.) х рухдавостГ С^Ц.) нос:п струну, то передуем були дзсд1дзсен! змхяи «их пзракдтрхз в результат: У--оп?С:-«1нення спзцхально вхд:браг:их дссит:> однорхдних криеталхз з 'пирохими- концентрахИйниля- Ьттэрзалами осногаи'х 'легувчгх .до-мхаок. Експгриментально зстаяозлэно, зо ^алегнхсть ДН=Мо_*Л = = -|(Л.о) пои фгксоваких дозах С "т>=сг№51 ) мае ссепенезиа хаэаксзз ' • ' ?

ДП^Х-Ло ■ , (I)

де локазе.их стзпекя т лелить в межах С, I 0,3^ для промнс-добих кристалхв кремяхз : германха п-типу, а ^ = е;п.$1 . Вхдпс-Б1дальиим1: за змеиз:знкя понцектрацхс нос Из струму е дефекта з глубокими резнями Ес~0,2 еЗ, Е -О.ЗйЗ, 3?„+0,25е3 з П-Се I А-, Е-цектри та б12акаяс:'/ з • Показах«,' во.для правильного

в'пэначання хокцентрацП-Л рухлазост: нос1'х"з струму, а такса• полодаимя енергэтичких рхнн.хз род:ац:Яких дефект!.в по рэзул&та-. тзх хсллхвських зимхрзззиь. кесбххд.чо користуватися'т'емпзратур-., ноя х концеятрацхйнсз залехностями Холл-фактора. Рухлизхсть на-с!1з струму з облает! перэзажко фононного розехввзння практично •не Зй'Днпеться при- £ -спромхяенн! досить однорхдних по у кри-сталХз дозами

Встаковлено, ао хсяуич! в початховсмустаи! градхента (э .завидя эростайть в результат! опреаДиання П-'бе , п-та р-Б1 I зменаупться в р-Се . Причиной цього в зм1ни кснцентр.щП носПэ струму в1длов1дно до (I) . Зростакня в результат! опрошнекня приводить до эменвзння «фактивнях значвнь рух. . ,ос-

71 кос!г» струну в участках зразк1в з р!экими град1ентаки, до к!льк!сно узгсджу сться з розрахункаки, проведении на основ! те-орП Хорр!кга в застосуванн! до нап!впров!дника з одном1рним стрибкон концектрацН нос!Ув струну. На основ1 отркманих результата проанал1зован! коиливост! ! реал!зоЕано вкзначення ступени однор!дност! з застосуванням опром!ненкя прокислових криста-л1в кренн1в, вироцених ь р1зних технолог!чних умовах; одеркано, ко аналог1чн! кристали НТ.1— $1. характеризуются в Ч «- 5 раз!в мекаими в!дкосники в!дхилз1шями питокого опору.

Бккоркстання олромЬшння для зб!льзення дало можлив!сть вкд1лкти 1 досл^дитв об"пхио-град!ентн! ефекти Нернста-Етт1нгс-хаузена 1 Риги-Ледска, як! кагть л1н!йку залекк!сть В1д кагн!т-ного поля 1 кшдратлчиу .залекк!сть в!д величина струму, прояЕ-дявться при холл1вських вгклрсвзкнях ! у.труднвсть визначення к!-нетичккх параметр!в иап1впро»1Днкк1в уже-в слабких магк!тних I електркчних'полях.

3 третьему С0йл!л! представлен! регультати дослхдження гл-неткчнкх о4»ект!в г. опроса неких пристал ах кремн:в 1 геркан1о з варуватов пер1сдично» • кеодкор!дк!ств (£ПН) , по являс собов пе-рходичку 5«:ну к-онцоктрацП .дом!=ок■ .вздовзк напрямлу росту"пристал! в ! самочинно роад1зусться при лио;Р. технологи вкроцуван-ня мсно.1;ристад!з з розпдаву. Вперзе етксркстане % — сприинення для зм!ки в авроких- мехах град!ен?!в у , зукоьлеких ЗПН,- дас ков!, можливост! для дослЛдяення сильних ерект!в впливу шаруза-тз!' структури на к!нетпч'гг: явнда в нал1впров:дякках.

Експвриментально показано, со багаторазове змекшенкя ефек-тевноХ рухливсст! носНв струну■ з результат! опрокЫння зраь-к!в креми1ю 1 гермаки!, о?!еитзЕаних в-довж ос: росту монокрк-отад!з, зумовльне зростаикяк в1дчоеноГ шгал^уди Е!Ш.(й* т^-Т'«

де"г£ - с-зродкя ко:-:цонтраи!я нос!:з птруму) . Ко.'.;! а.часлхлок. оа-ром!нення конц-гя?рац!л. захопдгних на глнбокг асз:?з струму

кабл::нйстьог. до мпим^льно; зиххд.чоУ ';';< коицеитрацП з царгх (И(гДп). сутгсзо гмхкзгться тэмпгратуриа. залота^сть рухлизост!

прсяал.-.ютьз/-: в!,.хйлеккя 'БАХ з:д заколу Ома а слаб:::« 'ехектричзя'х- полях I з:д 1х ходу з "грхвчих" полях длл багатодо-лакяих кал1ЕГ.роз1дкик1з типу п-ие .

В д,1фуз!/.ксму наблихэнн! розсхязакня електронхз на зарядхз-нйх дефектах, .яхэ прим1ккна,'. коли довхина зхлъного пробегу электронов £ , дэбахвська дозжина екракузання Л характерний рогм!р (перход ) н-зоднорхдностх I задозЬчъняэть умоз! \,0 <<Л- •

розрахоза.ча одко.чхрна модель изрузато неоднородного каглзпро-зхдника, яка-ог.иауз експзримекталыи результат;;. Бизначек: г.ерхэд 1 амплхтуда 1ПН зляхом сгизстазленн.г екег.ериментальних х розра-хозанкх дозозих I температурних залежностяЯ-рухлизост!:

^^^^^ (Е)

дз — доля захсплзних на глибок! центра носНэ струму,

р-- гхоказник степеня з бхкомгальному вираз: й0 &р для

розпоДхлу домШи вэдовя-ос! ОХ,":збхдьсення. яхого <р = 2,4,...) да«: мсжливхсть. пбрэходити до опйсу гов'йШй р1зк'.!х несднор!д-ностей, 50 реал1зуС?ЬСч при зростзнм! доги опрсм!некия. Шляхсм пор!вняння експеримаатальних БАХ з розрахоганяйй зиязляеться наявн!стьтонкоI структура ШПН у вигляд! дзох тнп!в аа?!а.'з р£э-.яими пер!одами та акпл!тудани х зизкачаяТься ?х параметр» для промислових кристал!в, цо добрэ узгодауються з результатами,-одеряаними як на основ! залежностей (2),так ! з даними дослхд-вднь.1ншши методами.

3 аналхзу гальваномапЛтних ефв.ктхв в ¡( — А найтронно оп-роыЬшшх. красталах вотанозлеко, ио неоднорхдност! с::рйчиняоть дсдатковий магн!тооп!р,-;який с квадратною ф/нкц!ео ви величики магнитного поля. Показано, во при значнхиампл1тудх перходичнси неоднородное?! -зричайна акхзотрсп1я гальваиомагнхтних е-ректхв, зукоБлана■ ан1зстр'оп1со афективних мао ; чаехзрелаксацп", нхве-лосться б!льа сильиоо- ан!зотроп1со,- пов"язаное з ааруватов структуре». Ог.исак! результат;'! вивчекня прн'гол!йо»их-температурах, отрибково!. £3 провхдаост! .¡С -опрокхненого' П-Се пнхзотрогпя пхоУ. зумовлопа'.ШПЯ 1 лас мождив1сть;-.оц1'.нитк параметр» -кеоднорЛд-• ного роапрд1лу-.до«1аок б сильно деропаних кристала/.. Эиявлена оЗ"снно-град1 ентна ¿'—ере при onpoH.ine.HKi крэкн!» '1- вивчеи!. 1Т залезиост! в!д хнтенсизиоат! \ дозк рад!ап'У,.-■ Знайде.чо, со дег-радац!я пркьгох 'в!тка Б/С< крсм:-айоБ!:х ди^узхР.них р-п пароход!в зкаел1дэх ояремхнонкя послаЗдасться у вкпадку тако: ор!сктац!? ' базового пристала, при як!й -нектар гуетини струму не парати.час парк росту.

Роздь-._Ч£т»аотий_ приевччонкй дослыздтш •рад!аи!Р.них. Д-Р-сакт!в в оооблиьо чистому кргмя!:.: Поряд з «окливхсто ьизчати у коИ!дьа ч;:ат;:х кристалах р-5[ простхи! радхаиШн! дефект;:, такий матер!ал вибраний це ! тому; со тут с/змога максимально змеиги»: -вплав об"емно-град!ентнйх ефакт1в,. ■оск!льки коиаэнтра-Цхк носПв струму зрос.тада при опро«!нэкнх х досягала-насичения.

Результата, детального доелфкжёння: блектрофхзичких I рзкои-бхнац!йиих властнзостЬй Т-опромЬ'.еного особливо.чистого. кремнхю показали, «о оенфвнкми- дефектами.-'пр.и. вэлкхкх дозах опромхнйнпя (ё > ТО17 г.в/сй^> ягляоть-ся^бхвак^шс!?. Коли б!вакаис!'х стаоть . ' ■до^нувчики дефектами 3.пристал!, рхвань Ферм! заР.мас .граничив прдохвикк а розм!;цене: посереди-

и: мЬ: донорням- Щ +С0,2э' - 0,03)о3 : к;:кнгн акцепторним р1зяем бхвакаяо!!. 'При цьому- крекнХЗ стае -радхацхЛно стЫким натзр!а-лом по сво?х.° олоктроа*зачнкх властизос^ях,- :;о мсхз бути ли:-:о-ристско. для П1дзкден:;я рад:аа!Йяо! ст:?.кост1 приг.адхз яаг.'а-г.ров1Дк:-:коз--м електрсн::-:::.: 3 схрокому дктэрпалх доз 'з~с"?с:,*~ ноя'ня 2'10154-2-<г*101- ¡сг/ск2 узггенкя б:2акакс1Я

опяоуетьск'- залежн1стз:

. . (3)

да хоефШеят'-С «. 2 ' Ю2 (з точн:ота до рсзмхрност: ) . Нел1-нп*.ка ззлежнхсть (3) показу-:, го осковна частяяа утвсривакях б1ва.-саяс1й яг с г.эрзяннкми дефектами,-а одержустъоа з рззуль-татх' спаркзаякл лсодлноких. вакаяохй, рухдизкх лри температур: спрои1неняк кр;ютал1з' (300 К ) .

В припуцснк: домхнулчог хокцонтрац:; у йзя1зпроз1дняку. з.чфотэряах цзятр:з ( б.хзакаяс хй ) „ ко кацть дсноркиП I акцэп- . торкай глн5о;::.р1гк1 з екорг1?ли 10нх?.а:;11£ 3-£ та^ -.-..,-'(Вт, - ¿2 ) , розрвхукрд приводить до такого. зара-

зу для гр&начного род охаян я ргвнг^Фермх з заборокая1а-зон1'-

дз , . - фактор:-: к;рсд:т:«к:-:.-: зхдпозхдяях- стакхз, а. величина .первого додаяка-поркдху-кТ .0,03 еЗ при 300 К. На ос;:с~ з! отрккаяих данях, а --зрахувакаяк-'.С-^ ). та ьяа.Тдеяогр оксп'-ри-ментально граничного пслсж'екпя рд.-к!'.для акцепторного.-.-ргвяя б1вакаксИ,'.со а:дпбз1 дал переходу кхя .¿'аряхозийа • станами V'° V-" одержано -подоявннл/в- заборсйзи»й зон! — . Еу+<0,5г £. 0,03) еВ.

При ]Г'-опрок1н0нн1'-вио.окочастого крокн1п вводиться при- ■ "наймн!■два типи рвкомб1нац1Йних цсн?р!з« Основну роль 13 рОКСМ—

б i нац! T ni едя нал их доз опрок1ивння 10Ь k.b/ck2) вШграю« комплекса ввкансП з дом!ах.аки, при великих дозах ( Х017кз/сиг> 6ÍBaKa¡iCÍí. Визначен!. ntpojiisis захопденкя нер!вноваянИх носПв струму на глибокх центри.

Описан i рад!ии!йн1 ефекти ари опромхнекн! криетал!в важля-: ки частками (нейтронами ) . В результат! опронПтння чистого крёик!с льидкймй рвакториимк нейтронами- кр!м точкових дефектов утворввться протяин! облает! posopi ентування (кластери ) , asi ' складаються з б!Цканс!йного ядра !'док!вковогдефектноУ. оболон-к». 3 зростаниям дози опрон1нення р!вень &ерм! прямуе до сере- • дини зл.оорононо'/ эоки. Термообробка ( вхдлал ) кристал!в -niasa г — . нейтронного олром{нвния яри'? водить-.до розладу. кдлот^р!«, .-^рояв-лошш CiBasanciñ 1 етнаШзацхУ рхвня ФермГ в граничному - поло»-хенн1, коли б!вакане!7-стаять Д0к!вуюч.пми 'дефолтами.

.S SflFSPiL £02Д1л1'У-'взасмоз»"'взку"в{«г.в1тлзн1 питания рад!а-uíShhx педкодазнь "i нэйтронного транскутацхйного легування крек-к!з. Проакал!аован! . особливоот! Shíh електрофхзичних параметр: в а процез! термосбробхн конпзноованого трансмутаи!йНим фосфором р-крзкн!» з натоо • сдержанна гранично внеокоомного катер!алу, перспективного-для створення приймач!в 1Ч-випром!к»Бання, де-. toktoptb кдорних частой та íh. Виявлоно, цо сем! вих!дн! пара-кетрк (J , р » (U, )^нестаб1льн! по вхднозаннв до эвичайио застосозуваного вхдпалу пхеля НТл-npouecy, до е одн!св- з причин похабой при розрахукках необх!Дних нейтронних потоков. 'Ыльш правильно доза тзплоьих найтрон!в визначасться, вихедячи з па-" рвматр1в погшредньо тариообрсблоних кристал!в. Вкд!лан! i пояснен! стад!? ггдпалу S !ктерв2л! 100. «•' 900 °С; ¿найдено впдив 6С0°С - териоакца.птор'э, пов"кзува:-гах S'дисдок.ац1Внимй диполя- , ни; Ечзначвна ?х К01Шех!трац!я, яка нэ заложить. ,в!д дози нойтро-

..' hís та ьм i с ту бору, кисни i фосфору, ало зиснаусться з збхльшен-кям кокцентрацгх зуглеию, оск!льки домхвка зуглеца переакодкас утзорзнно процигптатхз, ягЛ с даерелси дислокацхйних диполхэ.

•Результата вивчзння глнетичних"ефект!в з трансмутацхйно лз-гсваному n-St" показали, «о в Кристалах зхдсутня парузата структура, а вхдногн! зхдхилання питомого спору матор!алу, застосову-'взного для вкготозленкя. силоеих тфидад!в, в 4 * 5 разхз мэки!, •..»ix з аналогичному проклслозому кремн!:. Досл1джения тенпзратур-■ них залсжностеЯ рухливостх- електрон1з та иагихтоопору св1дчать про наяЕНхсть у зхдпалених лхсля НТЛ-процесу кристалах "киснево-го" п-крекнхв додаткових розсхгвчих цзктр1Ь, г.оз"язуваних з ккс-. нззо-кракн!йо2и>;й процип1татанк.: Цй.п1Дтв9рдаено доел!джекнян' caa.KTpiB 1Ч-г.оглккання i ЬлектронкомОкроскопхчники данима, г. к i • показала, цо спром1некня,нейтронами сг.рияе прецип!?ац1Г киска та •.утвореякв кхкродефектхз виасл1док»гэнерац!í нових центр!в Тх за-роджзння. .

На основ! одержаиих•результат!в для.тиристсрних структур

на баз: .НТЛ—'-St запрелокоаана рад!ац1йно-торн!чка обробка,

яка' еярияе • як- гомогэн!зац1 Г базовоГ облает! приладу, так i прв-

ципхтацхх киска. До дозволяв прл1пгктя..парамвтри тиристор!з се-

рздньоГ потукностх i значно ззузита íx розкиД. Утзореваи! при \ Д . •

так!й • обробц! •• м i кропрецигптати являються геттерами дл&радха-

< j

. ц!йних'дефект!в, ща-дае моялиз!с?ь-в дек!яька раз!з пхдзидкти от1Г:;'Лоть тиристор!з до д! х нейтронного опромхнзння. Напрямок "конструвэання" коркских дефэктхв з допомогоэ'рад!ац!1 пврспек-тивний- длл.:дальн!аого прогреоу в технолог! х твердо? iawrax при-строГз.

. Бступна- часткна иостого £озд!л£-.приовячеяа анал1зу дафор-мац!Яних ефзктхв i викладу фено«енолог!чнох TecpiY n"csoonopy

в багатодолкнаих. нзй1зпров1кнвках .-як- г.ри слабккх (.psoaisyeíbCR •• уиога д S кХ, -jiíHiñHí. ефектк) , та:-: í. 2 .ооласт:'сильных, сдяо-вхспих прукккх Дйфорк.ацгй (Д Е»кТ ) . Описано бпл::б дефор:;.ац:х " на водказоподхбих -центри а м1л:::;м;:■ онергутичн:!;.::-: рХЕ.ккми i п!д-кр.еслено важлиз1сгь,'-БИЕ1!ення тлибоких центр! 2, - до'яках в i дно—• сяться практично ьсх радхацхГсн: дгфекти в Kpof.:i::'i та германхх.

Представлен! дан! досдхдзеаня.. поздогхнього. п"езоолору в onpoMiHeiuix V,-Si та n~Gí , коли мохакхчна напру, )5йкя.я (Р) пракладеяе вздое» -головикх крас.тадограф!чних. напрям-kíb [iCO], [НО] , [III]' . 3 аналхзу -отриманих результат!в вип-ливае, so ефект г."сзоопору в багатод'олинних нагпвпровхдниках ■ при наявкостх глибоккх центрiв зумовлений двома конкурупчкми • механизмами: а ) переселениям hocí'i'b струму в дол'ини, якх характеризуемся меишов рухливгств jlt n ! опускаються при■ зб!льЕеНих" • одновхсно! деформац!? (во приводить до росту ^(р). ..з наступ-ним виходсн на наокчення) , б) зм!нов ■кон'центрацхх■ електронххз. провхдност!' в.часлхдок 'змениення'.онергетк'чнох вхдстан: mí ж- гли'-.. • бокими рхвнякн i долинами < 140 ьодс до спаду ^). Пирерозпод!л електронiз'мia" долинами' практично .загинчуеться 'прк-.тисках порядку 6 * Up хГ/см? i залвкаетьск т!яьки друг:;!; к.ехакхзм п" езо-;опору, c¡c мокна, використатк'-длк визначекия.зм'Ьш еиергетичйого• положения глибоких píbiüb;'прото дл;г Цього 'нообххдко враховува-. ти особлииост! температуря:« зале-кностей концоитрацх? hocí'íb . струму. Для pi зних напрянк!в одиовхсно! доформ^цií виявленц ан!зотроп!я smíiui oimpril./ioitiaaui-í ряду дефект i в радхаиКшого i тохнологхчного походжоння з глибокими рiсними а satiopoiisíiiti зон!, пов"язана з анизотропии самих локальних цинтр!в.. .

Одержан!• результата сыдчать, то шляхом стиороння при опро-MtHeHHÍ кристал!в невних типхв. глибиких-дофектних- цснтр-i в можнд

. - 21 -

я широких межах -керувати тензочутлиа^тв' багатодолвнккх ■ кап!ь-прорлдиикЛа як в области сдабких,так х при сильпих однов1сних дефоркацхях. Показано,, во в-виродуваних з розг.лаву ноопромхкемих •кристалах П-51 • та-.гь-бй наявнхеть 'ларуватох коодкорхдноот1 практично не - впливао на п"сз'оргтхрзразглз,по-ргзпо.чу ерхентова-них з1Днссно ос! росту. Анхзотропннй еллнв. 2ПН на п"сзоогЛр оп-.• роихнеиих ••.кристал1Е визначаауься .зростаиняи в1дяоокоТ ампл!туди неоднородное?!, ао привадить-до- змо:шоння;«фзк'тиЕнах рухливоет! носхТв струну вздовк сох росту; з цпх уловах навхть -отрикана

• наокченйя. задекностзй-'. Рр//^0'= ^(Р) «0. .-приводить до' правильных значень- 'коефхцхента ги1зс?рсп!'х рухливоотг' К - "он-

• станти дбфсрг<кш1Якогр пстенцхалу Е и •'..

1 5:'£!,£!-;У Дззд!л_! ■ представлен!' результат«' дооладкення атоь-МС1 пврэср!онтацП--ряду • з'нхзетреккхх"цент?!в, симетр!! '! пркродк • ' сснззнкх сторикних рад!ац!йнкх. дефектов-з пристал ах .. •» 51 , 5К(те> . • " ' ■'

Ьраховуачи .о:ссдорииейталы'.о: взтаноменкй факт,, со при екль-. лих СЩ змхшзвтьзя укови- статистичного прояву глкбехих рхвнхв,

тобто из тьтькн з рхзпих токпоратурних хктерзглах, ало х при •'рхзних нзханхчннх .иапруженнях рхвеиь Можа -вкдвлЯтиоя я:: з поеням I) ^ так ! з полой-шкнм С^ = 2) нахилом на залем:коатлх

• -л =,|(1/Т) , над1йн! да:и про зм!ну еноргзтичнох в ¡Лики м!ж рхвнкми дсолхджузаиих центрхз ! долинами зони прозхдноотх одер-хан! з викхрввань п"езо-Хслл-афокту:

<е3) (5)

. - д0..¡^ -.'-з1дяав1Д1и:Я кезф!ц!сит." На основ! одэрканих -результата ! розрахованнх величин -змхщекня. долин визначенх баричнх кезфххц-скти зклдення рхвнха рад!ац!йних дефект!? для голанких крястало-

- 22 - '

граф1чт;х капрямххз , sv'-i поха'эуить', ао ,'ан1зотрспхА даформицхй-кого зсуву- глубоких рхзн^г зхдображаз ан'зотрсгтхк зхдпозхдяих цс-нтрхз. Зм*декня'р;зя1з по. нппрямку. я:-. правило,сп!зпадае--з зм:-пеякям jäüsuiix долия,- áo сзхдчить про пззний .тенйтичнкй денязск • станхв, розмхгзн'их s'Bopxai?. полозян: заборонена!' зони- spsMKiä та геомакх;:, з зсноо пров1дност:. Результат/, аналхзу дсглхдйень . г.ясз0-лслл-ефэкту i п"езосяору в. п-6в приводят*« до .такях- зие-. kobkíb: а) .радхацхГший дефект з рхвяем Бс-0,2 еВ ан1зотропяк2 а . капряику [III] i являс с'обов.acouiaaia гакансхх з атомом донор-но! acmíhxj:; б) дсм*иковий атом золота, so мае такий кг р!вень, в герман:': знаходиться ке з зузлх крмсталхчно! гратг.ид зи1щзкий з кього (як ь кремяП) з каг.рямку [100] ; в) рхвекь Ес~0.3 еВ радхац1йяих дефекта в п-гезманх i", якх вздуть, себе подхбпо до А-цеятр1з в кремях!, формуеться з участэ ütomíb tac«» i заявляв 3hí30tp0níe деформацхйяого зм!еоння в яапрпмку [III] .

Биязлеяо мохаяхзм. теизоефектхв (п"ез<зопору i п"езо-Холл-ефекту) , зумоглений атом-'св перр'орхентдцхеэ .£к1зотроп>'л:х радхацхГг них дефект i в в креняГ!: A-uoHTpia, Е-цэятрхз, б i вакансий, ком-плэксхв Ci.Cs- з .мшауглосого та -вузлового' атомхв вуглецэ. -Атохна пераорхоятацхя властявз анхзотропним центрам,; скремх групи яки'х масть еквхвалонтн! opieú?áút!. в'кристальней, rpa-ryi (op.teiiTa-цхйне влродйшния) , ало стаать еиергетичло неекз1валектяиыи в од-hobícho деформованому кристалл (знхмасться оухентацхйяе виредаоа-' ня ) . Процес потребуе -готово! активацх! з енергхкв Ц i описусть-ся характеристичная часом релаксацГ!

■■■•C^ = V-.exp(-'Jjr)-, (б)

де V - частотний фактор.

Одержан! на ochobí разультлг1в дослхдлоняя текзовфектхв

■ значения енерг!У М .1 частотного фактора V для переорхснтацП А- ! Е-центр!в практично сгйвпадають з в1дпов!дники даними ЕП? та . Це.ов1дчить, по запропонована методика коке бути зас-тосована ! до вивченнк !нших дефектов. Результата вимхровань з умовах сильних ОПД тензоефектхз, зумовлених ан13отропхсо та атомное переорхснтацхсю б!ваханс!Я 1 рздхацхйклх дефект!в з енерге-тичиим рхвнем-Е -(0,2 ~ 0,03) еВ з кремнП, сыдчать, що останнШ ке належить бхвакано1Т, як звакалося ран1яе, а пов"язаний з вуг-лацегими комплексами Cj.Cs, 'до характеризуются еноргхеа атомнох пере'ор!ентац!Т 11 = (0,5 - 0,05) еВ та частотном фактором . ? = 4 МО13 с"1. •

Представлен! результата досл!дкення тензозфект!з в кристалах твердих розчин!в м-51<ис> з ^тервалоы концзнтрацгй !зова-

леитно? .док!жш 'герман!» 2 " У,уе 4" 9 * ом""3 .та з

т3 3

блкзькими- концентрац!ями донор!в ~5 .* 10 см . 3 вимхрввань

тензоефектхз при сильних- ОПД одержано параметр акхзотролх? рух-

лквостх К I зкгйдено кое4*ц!ен? ан!зотроп!1 розс!свакня '

Кг = Кп/К (да К.т =.тпЛа.д. - параметр анхзотрогЛх ефектив-

' ' тд

них нас ) , яккй гмхиюсться з хеках 0,78 * 1,05 при 2," 10" «»

4 ^йг 42 . 'Ю20 см""5. Показано, по константа дефоркац!йного

потеки!алу ¿и = 9,3'вЗ практично ке змх.чосгься а гб!льиекшгк

19 3 \

концентра«! г 1зоэалент.чо2 докхпки до 7 . 10 см , ачвизначаль-ний вклад в к!ждодмнне ,розс!ввання блектрон!в зносять ^ -переходи. .

В олром!нених- кристалах. 5к&>> ,де оснсзники дефектами були А-центри, визкачен! баричн! коефШенти леформацхйного . зкщёння "!х глибокого рхзня Зс-0,18 еВ для головних кристалогра-ф!чких напрямк!в. Вяерше доел!даенкй;тензоефект вхд переор!снта-цП А-це..-:т?:?.в кристалах тт-5к£е> х'вкзкачэно енергхо атоино!

пареор1еатац1Г, значения 'яко? • пом!тно розр*зняаться для деформа--ц:Т в капрямках ? // [ III ]( и= 0,37 сЗ) та Р // [ 100](11-0,32 еВ).. во пов"язуеться з наязихстз Бнутрхшн1х напружень, як: внесять атоми горна;! в кристал!чну гратку кремн!в внаслхдок рхзницх гх козадентних. радхус1з. • .

В к!кц1 гпдведен1 пхдоумки проведении дослхджень I зрсблснГ загальк! вионовки з дисзртац1Яко'1 роботи. ■

ЗАГА1ЬН1_ ВЙСНОЕКЯ

I. Встаноалено,- ао електрофхзичнх властнвост* реальних . нап1впоов1дникових криоталхв кремнхю 1 германи, опроыхненях 'часткакн .висохих енергхй, визкачаптьоя.окрЧм зхдомпх факторхз, . також неоднор!диостями з розподхлх домшок х дефект1в та об "см ко-" градхентними ефектами, роль яких зростае з збхльаснкям компеноа-цхТ дом1шкобо'х проаДдкост! при взод&ннх радхацхзп гдибоккх цэйт-рхз. Застосувакня опрсмгкен.чя дх'Я зб1ль£вкия градхектхз питомого опору дала мокливхсть в'аявати л- доелIдата об'.'смно-градхснтгЛ . ефек.тя Кернста-Еттхнгсхаузека. I Риги-1едвка.

2. На сснозх. рез','льтат1з-2:стах^"8ккл експеоиментальких да- ' них Еим1рявань дозових х температурних залежностой провхдност!, гальваномапОтиях ефектхз, /водьт-ампорних■■■характеристик з розра-хушсовс» ноделлв аару.вато неоднородного "иапхвпровини'ка обгрук- ' тована методика Еигначення парамотр1в пер!одичн'о1' неоднорхдност!' з використанням $ -рад!ац!1; визначенх перход, амплитуда,. тонка структура ЫПН в прокислових кристалах'кремн1ю I германха, одор-«аних при р1зних технолог!чних умовах вироиування. При вивчоннГ впливу пер1одичаих 4 вяпадкових'иеодаор1дно6той на гальваномаг- . нхтн! ефвкти в п-кремн!Т показана можлиз!сть ¡серуваиня в широких мехах Йагн1точутлив1ст0. кристал 1в- за допомогоо опромхнення.

3. Виявлено гранично положения рхвня Ферм! в забсронекхй зон!, яке реал!э.уеться в<результат! • опрой!ненйя особливо чистого кремнию великими потоками легких часток, -коли дом!нуячимл дефектами в стистал! стають амфотерн! центри-б!ваканс!Т; при цьому материал стас рад!ац!йно ст1йким по свогх електрофхзичних параметрах. Результати вивчення рекомб1нац1йних характеристик i к1-нэтики уведенкя б!иаканс1У при' У -опрсм1.чекн1 св1дчать, но вони являоться"вториннкми дефектами, утворюваними пляхом спаривания поодиноких- вакансий, рухливих.при-температур! опромхнення. Гра-ничне положения р^вня Ферм! реал1зусться також при тзрмообробках чистого креннхю, опром!неного швидкими нейтронами I НТЛ— 51 .

.М, На основ: анализу гальванойагнгших ефект!в у вгдпаленкку п!сля нейтронного легування "кисневому" П-Эи , данпх 1Ч-поглв-нання та елоктрбнноУ м!кроскоп1Гпоказана' наявн!сть дедаткових розсхсячнх цен?р!в, пов"язуэаних з киснево-кремнхйовимз? прецнл!-татами. В результат! обгрунтовано застосування рад!ац!йко-тер-мхчно'! обробки, яка сприяе створеннэ внутр!ак!х гётеруьчих центров ! гомоге^зацП кристала, для.покращення параметра I п1дви-щення радхац^Йно'!. ст1йкост1 силових, тиру.сторних структур ка основ! нейтронно тр&нсмутагийно леговзного кремн!п. ... '

5. Показано, що-бфект поздовжнього п"сзоопору в(багатодолик-них нап!впров!дниках при наявностг глибоких центр!в зумозлений двома основнши,причинами: а) перерозподглом носПв струму м!ж долинами,до пШим.авться та опускавться по пкал1 енерг!й, б) зн!-нов концентрац!1 носЛ'в струму в.зон! пров1дкост! Енаолхдок зм!-ни э тиском енергетичноУ щыини м!ж глибоким. р!Енем ! долинами.

.6. 3 результат!в --дасд!дження тензое$зкт!в при сильних;одно-в!ских деформациях опромхнених кристал!з кремн!ю ! герман!в виз-начен!...баричн! коефШенти зи!ни е'неогетично!. а!дстан1. м!я глибо-

химк рiьнями основних•радхацШних дефект!в i дном С-зони. a tases pcaaaxoBaai явадхоот! деформа^йного зыхаоння зхдпозхлних pisHia для. годовнкх ■кристалографхчких напрямкхз. Акхзотропхя . доформац'йяого зеузу вхдпог^чого рхкия поз"йзака з анхзотзоях-ез i сиыетрхез глубоких цэ.чтрхв в кубхчких кристалах.

7. Еиявлек! i досл!д;кзкх нов! тзкзоефзкти, зумозлен! атсу-ксс переорхвнтацхсз анхзотропиих рад1ац!Яних дэфектхз з хремн!'?: Ä-центрхз, Е-центрхз, бхваханехй, компла:-:с13 C^Cj.

3. В результат! ■вивчення тензоефектхв з кристалах кремни ' з рхзнса кэнионтрацхеа хзогалентне'г домхихи германхв визначена константа деформац1йного потенцхалу, а таксж одержана концентра-цхйна залежнхеть ксеф1ц1ента акхзотролхi розехозанкя,, яка сз!д-члть, но розехюванкя на нейтральних дом хеках мена анхзотропке, н!ж на х "..-изованих донорах. ..В рхвноЕажннх умовах визначальний зклад в MixÄOflüHHa. розе 1оЬання.'елэхтрон!з в'n-Si<Ge>. вкссять | -переходи. \ ; ,

9. -Доолхдаэно'';!' тензоефекти,' обумоаленх атомноэ перзорхента-uí--n А-центров, -в' тз-зрдих .роэчаках 5i<Ge> , визначена енерг!я активам í. i частот.иий'ф-í.wop процесу iiepeopisüTaui'f; помхтна pis-нх значения eneorix атоннох nepeopisHTuixi'í А-центрхв при дефзр- ' мацхях Бздовас"налрякк1'в"[ГЦ] 'i ;[lÖüj • поясняться' 1е.нуванням ■."' внутр!анхх напрулйяь,: зум'овлених рхзними козалектними радхусами атоухз гарман1» i KpoMuia., . '

Основа! результатк диоертацi?. опубл íkgb2hi в таких роботах.' * I. Seáenytóc A.K., Khivrish V.I-, Кодогопко 1.2. Eadiatioa Defecto, ia Jaat-üeutroa Zrrediated liich-Purity Silioon // Ph/з. etat. gol. (a).- 1971.- v. 7,- p.51-59.

. - 27 -

2. Конозенко И.Д., Семеквк А.К., Хиврич 3.11. Радиационные эффекты s кремнии // Киев: Наукова думка,- 1974.-199 с.

3. Баранский П.К., Конозекко И-.Д., Семенюк А.К. Изменение концентрации носителей тока и.их подвижности в V -облученном п-гер-

; манки о/различным содержанием SЬ // ФТП.- 1967,- т.1, 2.8,4. Баранский П.И.. Семенвк АД. Изменение градиентов удельного сопротивления в п- и р-германии под влиянием У -радиации // ФТП.- 1967,- т.1, В.8.-c.II50.-II54. 5. Кокозенко И Сеиеквк А.К.. Баренцев М.Д. Влияние t -облучения на градиенты удельного сопротивления з п- и р-крем-нии // В кн.: Радиационная физика неметаллических крнсталлоз.-■ ; Минск: Наука и техника.- 1970,- с.27-32. ■

б-. Секе'нвк А.К., Ковальчук O.S. Исследование технологических не-одкородноотей монокристаллов кремния // Электронная техника, серия б, иатериалы,- 1983,- з.З (176) .- с.55-68.

7. Гайдученко В.В., Соменок А.К. Обьс-мно-градиеиткые эффекта Йернота-сттингохаузена и Ри.ги-ЗедЕка в n-ffeV/ $ТП.- 1969.' т.Э» в.З.-'с. 460-463. "

8. Сёменюк А.К. , Конозекко Й.Д.-, Баренцев М.Д. -йзквнвкив 'подвижности носителей тока. з. ¡г -облученном Ti-Gc со.слоистым распределением примеси S& И ФТП.-196В.-т.2, в.9,-4). 1393.

,9.- Кухтарев Н.В., Секенок А.К. Температурная зависимость подвижности з облученном пространственно-неоднородном полупрсвсдки-'. ке // 8. кн.: Радиационная-физика неметаллических кристаллов.-Киев: Каукова-думка.- 1971.- е. 147 -150.

10. Винецкий B.J1.. Кухтарев Н.В.,. Се.нонюк А.К. Анизотропия электропроводности полупроводников, обусловленная периодическим .•' .• распределением легируицей примеси // ФТП.-1972.-т.б, в.б,-

с .1007-101-г.

11. Вааениоз М.Д.,'Сойскяк А.К.' Попарзчис-е магнитосопрстивленио облученного n-Sl, обусловленное перирдаческаиа к случайными неоднородноетями// 5ТП.- 197Э,- т.12, з.5.- с.1031.

12. 5з.т.ог.уи1: А.л., Varoatnov М.Б. Anijotropy о?. Galva^cr.agiiatic 3irecis ¿я Irradiated Silicon v/i-h. b=yer-Ir„hc~oger.eity // Phys. stat.. col. (a).- 1978.- v. 50.- p. 1-55-17313. 2:-шоц:<кй В J.., Кухтавев H.B., Семензк A.K., Потыкевич Ii.3,

Зольтампэрныэ характеристики полупроводников, с кваэкпериоди-чеехкм распределением заряженных дефектов// ФТП.-1973.-т.7, в.1.- с.100 - 107.

14. Дубовой В.К., Кокозенко И.Д., Семенах А.К. Обьемно-градаент-ная i-здсз p-Sl // ФТП.- IS70-- т.Ч, в.8.-с. 1575-1576.

15. Кон'оззнко И.Д., Сомеквк А.К., Хиврич В.И., Доброхотов Г.А. Особенности изменения■электрофизических свойств очень чистых монокристаллов p-Sl под веянием з -облучения .^Со // £>ТП,-1969,- т.З, d.I.- с'. 155-156.

16. KoaozenJco I'.D.,' Sanenyuk A.K., öd.-/rich V.l. Radiation

б''1 v

L'diects Created by "Co }.- Fx.ys in p- ead n-2y?e CI of High Purity // -Bhua. stat. col.- 1969.- v;35.-

17. Коиозенко -Й.Д.Семенах -A.K., Хиврич 'В.й. Радиационные дефек- .. ты в особо чистом кремнии // В сб.: Материалы всесоюзного совещания по дефектам- структура в полупроводниках.- Часть I, Новосибирск,- 1969.- с.167-187.

18. Konozonko I.D., Senenyuk A.K., /Khivrich V.l. Radiation, dofocto in 31 of high purity // Radiation Effecta.- 1971.- . v.ö.- p.121-127.

19. Семенюк A.K. О предельном положения уровня Фетки э облученном выоокочистом кремнии // Лепон. в УкрНШШТИ.- 1938.- !»2652-Ук 88— 10 с.

'¿0. Kcnozenkc I.D., Sejr.enyuk А.К< , Khivrich IM. Hr.diation äciectc in silicon of high-purity // In: Hoditition Effects iE Semiconductors.- London, Kew-York, Paria.- Gordon and Sreach Science I>ubli ch era. - 1371.- p.24S-255.

21. Семенах' A;K. Радиационные эффекты в монокристаллах особо чистого кремния и а диодах на его основе // В сб.: Влияние дефектов и -прииасей на явления переноса в кр'екниа к герканик.-

• Лепон. 'в УкрНИИНТИ,- I93G.- К773 -Ук S6.-o.4-I4.

22. Сеиекск А.К.,'Литовченко П.Г., 'Воевода Г.П..,.Лаетогеиккй В.Ф. Особенности г,лв!:трофкпичйсккх сгоЯстз при отклгз -вцеокочвето-гс НГЛ-криг:5:ия /"/ Тезкгы докл. Международной конференции по рад'.га'аяонному катериаловедвнио.- Харьков,- 1990, ч,3.- е.57.

23. Секенвк А.К., 'Лктовчбкко П.Г., Воевода Г.П.; Ластовзикий В.-5., новальчук 0.3., Вэльчук H.A. Особенности изменений злектрсфи-

• злчеоккх свойств при-отжига засокопистого HTS.крекккя //В сб.: Явления переноса а- мнегодолкшшх полупроводниках, при наличии дефектов.- Делон, в УкрНИЯНТЙ.-' 1938.--'й25б5 - УкЗЗ.-с.4»21.

24. Секенок• А.К.,• Паккевич--3.3., Федосов-A.B.,' Доскоч В.П. Влия-

V

ние глубоких энергетических.уровней.на.пьезосопротивлениеп-£г // $171.- 1972.- т.6, в.5.-0. 974-976, 23. Браиловокий S.a., - Белая С.И., 'Яитовчешсо П.Г., Ластовецквй Сеиенрк А.К., Старчик И.Я.,-Шевцоз-Казькирук K.M. Физические яроиессн з-'.'Кектрснко-легкрованнон кремнии и позетаиие радиационной стойкости'приооров//. Бопрссн атомной науки к техники. Серия: Физика радиационных 'повреждений.и радиационное катериа-ловедениз.-' 1S39.- зЛ (Ч-).- с. 122-127.

25. Семен»* A.K'., Панкович З.В., 'Федосов А.З.,-Досхзч З.П. Пьезосоярогазлеаив з полупроводниках, содер'хааих глубокие, энергетически*, уровни// В сб.: Физика твердого .тела.- Кизз • КГПИ, 1972.- с.43-52.

27. Семенах А.К., Ланкевяч 3.3., Федосов А»В., Доскоч З.П. Зл'ил-нка давления на акцептована зодновые- функции в облученном германии// Тезисы докл. Зсесоязного симпозиума "Радиационные дефекты з полупроводниках".- Минск, 1972.- 0.134-135.

23. Гроза A.A., Заркина В.В., Литозченхо П.Г., Николаева Л.Г.,

Старчик М.Й., Шиатко Г.Г., аевцОЕ-Казьмирук К.М., Ераилоаский . Е.Я., Семэнвх А. К.. Структурночразозые превращения при терн о- : обработка кремния- и влияние их из электрофизические -свойства, и радиацяоянуэ стойкость // Труды международнойконференции. • по радиационному материаловедению.-Харьков,-I9S0.-т.4,-; ■ с. 127-133. . ' V: ' ■' -' '

29. Панкевин 3.3., .СёменчкА.К.,./Доскоч:В,П«,'Федосов А.З., Семи-, зороз А.5. Пьезосопротиплониа монокристаллов,сурьмянистого ,

; кадмия р-типа, облученных . £-квантами// Депок. з ВИНИТИ.-I9TJ.- ЯЪс.- 4 с. . - .■'■:■.■■..,.

30. Сенда.ся Л.д., Назарчук П.Ф. Влияние одноосной деформации на .'. зотргиз ионизации А-цсктра в n-St // ФТП.- I935.-T.I9, з.7,-

: с. D31-I333.

31. Доскоч В.П.-, Пчнкааич 2.3,, Раренко K.M., Семенюк A.K., фэдо-: ссз A.S. Тампаратурно-элакТрическая неустойчивость в монокристаллах антимояида кадмия У/. Известия -висиих учебных заведений. Физика.- ге39,т.32. *4— c.I08-I&9.':

32. Семеняк А.К., Нззарчук П.Ф. Особенности по задания глубоких центров а r.-Ge « n-Sl при действии одноосной упругой: дафор--маэди Ц Депон. о /¡срНЙЯН-ТЙ.- 1992.- !*>- Ук92.- 7с.

33, Cev-знвк A.K., Федссоз A.B. Пьззосопротивление' п-5г при наличии глубоких уровней И ФТЛ. — 1979.- т.13. в.5.- с.1001-1003. '

3-'*. Семзкпк Л.К., Назарчук П.Ф. Влияние одноосной деформация на энергии ионизации ■■радиационных дефектоз з Si ( А-цеитр) // Тезиск дохл. Ваеоовзной конференции "Радиационная физкхз по. лупрозслмков и родственных материалов*"- .Таакент.- 193ч.-C.II7.

35. Сек-зкак АЛ.. Федозоз A.B., Назарчук П.Ф¿ Пьезосспрстигденке n-Ga с радиационными дефектами// ФТП.- 1930,- т.1ч, 2.9.-c.lc09-I3II. ; ' -

35. Ceas:-:.-,к А.К.,. Назарчук П.'5. Влияние 'одноосных "деформаций. на полокеюге глубокого уровня золота з n-Ge // ¿-ГЛ.- 1934.-т.13, S.3.-C. 540-542. ...

3?. Cc-ver.c:: Д.К., Назарчух П.о., Федосов A.B. Пьозосопротзвлекио • од-чороднелагпронанпах • монокристаллов кремния прп с -облучении // Электронная техника. серия 'б, материалы.- 1933.- в.З (176), - с. 5С-62. '■'■-. Се«зн:;:: А.:'.., Атом;;ал' поре ориентация А-цаитров". з Г -облучением n-KpoMÍr.r.1 приодноосном давлении // Депсн. э.УкрНЙЙНТй..-1937,- £378- У", 57.- 8-3. .

39. Сем-зкзк А.К., Федосов A.B., Ковальчук 0.3..- Назарчук П.5., ■■Ткчозук B.C. 05. анизотропии глубоких центров з П-ег // Тезисы дохл. II BoscoEsaoro совещания по глубоккм_уровня« в полупроводниках,- Тазкент» 1530.- 175 с.

-0. Семепак А.К. Текзсзффектн, езяганныа- с Б-цеитраки з кремнии // Делон, з УкрНШйТИ.- 1939,-Й173 -Ук89.-ISc.

Ml. Секекяк А.К., Залогов A.B., Назарчук П.?., Букяло 3.?.-Пьззо-сокротизленке облученного n-Ge при проявления слоистых не-одкородиозтгЗ // §ТЛ.- IS32.-t.I6, г.7.~ с. I28VI237.

42. Семемк А.Л. Он-ргн;: атакой, переориентации

тоь с снергеткчйск;:« -у рbscm Зс -0,2 вБ'з -края:»1.!! /7 Лапон. г Ухр.ни;;нт;-:.- issa- ¿а.- 9 с..

Ч. Сс«л«зг. л.К., §эдссэз A.B., Пгиасвх Л.'Л., Бухало ?..?., Кса&ль-чуп 0.3. Оеабеинйотк глняк«« 'слоистых коодсородиостс.й ка nie-, зосог.ротквление л .хргмнпд // йзвестхя. ваавих

учебна зах-едокк?.. 1939.- т.32. £ I.-'c.II5-II6.

ti. Конозенхс 1.Д.,.Хтзркч 5.1., Семенах Л.К. Впляв.св!тла на уггг.-рвняя цонтртз poKOHäinavif в Sl I Се , стзоривааях Jf-опрок!-кенаям 60Со вря 77 К // У?й.- IS6S.- т.13, :i А.- с.679-631. г;5. Csköhsx A.K., Назарчуй П.Ф.' Кзмепеиие онаргии ионизации С -радиационных. дефектов в T.-tvi при одноосной .деформации /7 дапон. з 1Шй Электроника.-• !9с7, сер.. ??.- » Р 4361.- 4-е. ¿6. Сеиокяк А.К., §8досов-А.В.,Наказе:; Л.И., Тикоцук.В.С. Пьззо-сопротавлсние облучённого я* St со слоистым, распределением . прямее а // ФТП.- 1966.- т.20,-в.З.-. с,545-547. У '" Семенгк A.K., Казарчух Jl.fi 0.'природа'вторичных дефектов, зоз-някавзхх прд й -ойлучзиии .гзрианяя. // Допои .У У 1592.- ¡t 67д;-;Ук 92^:0 о. ^Щу

43. Сенека к А.К., Назарчух. Я.?.'; ÖS- 'кзиенении энергии ионизации

■ i - радиа;;:;о;1н;;л д«г>ектоа' в п-Gi._ при одноосной деформации //

ФТП.- ■ ^У ■. •

А'9у:Сси0:-шк А,К.Ланког.ский; й.З.-Тензооффпктн в крениии с примиаьв

; : **''92.У'.-19 с.

50. Самках. А.-К..УКазарчукO/.epnv.iксиязаиид'радиа-- сяоипо»-дефекта- с 'урози0мУ2с;-0,2;эВ в n-Sl' пр.ч'-одкоосной. У дефоркдцаа /7 Я".- у-У