Вплив структурних неоднорiдностей на електроннi властивостi аморфного гiдрованого кремнiю тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

DTP. f • . ¡

i i ü u : i

MIHICTEPCTBO ОСЕНИ УКРА1КИ - 6 ДЕ&ЩСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ УШВЕРСИТЕТ 1M.Í.Í.ME4HIKOÜA

На правах рукопису

СВИРИДОВ BÎICTOP МЖОЛАЙОВИЧ

ВПЛИВ СТРУКТУРНМХ НЕОДНОРЩЮСТЕЙ НА ЕЛЕКТРОНШ ' БЛАСТИВОСТ! АМОРФНОГО ПДРОВАНОГО КРЕЫНГО.

01.04.10 - ф1зйка нап1Бпров]днмк1в та д1ел~ктрШа

: А ВТ О Р Е Ф Е Р AT. ■ дисертецП на* здобуття вченого ступени -кандидата ф1зико-матемйтичн'лх наук

ОДЕСА - 1993.

Роботу виконано на кафедр! «физики твердого тш та.твердот1льно! електроШки Одеського деркаЕного уШверситету 1м. Ы.Мечн1кова . |

Науковий кер!вник: доктор ф!зико-математичних наук, професор РойзШ Як1в ОвсШович:

0ф1ц1йн1 опонекти.- доктор ф1зико-математичних наук,.

професор К1в Арнольд Юхимович .

кандидат ф!зико-математичних наук, доцент Зотов Володимир Ьолодимирович.

Пров 1дна установа: 1нститу т Ф 1зики АН Укра 1ни,м.Ки1в.

Захист дисертацП в!дбудеться —1993 р. .

о "-^г'годин! на. засщашИ спеЩал!зовано1 вчено! ради К06б.24.03,по ф1зик.о-математичним наукам (ф!зика) ■•■■ в Одеському державному ун1верситет! (270057, Одеса, Пастера 27, Велика. ф1зу.чна ауд!тор!я)

3 дисертац!еи можна ознайомитися у науковШ бЮлЮтец! Одеського держшюго ун!верситету

Автсеферат роз1слано —-—1993 р.

» ' » ' > "

Бчений секретар спец1аллованоГ вчено! ради, кандидат ф1зико-матемашчних

наук.доцент'. . ^Мр- О.П.ФЬДЧУК.

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ.

Актуальн 1сть теми.

У -сучаснШ твердот1лькШ електрониц! головккми питаниями, що' вииикаоть п!дчяс дссл1дженнп м'евпоря.дкоьаних • систем ковалентно пов'лзаних атом!в, е роль вЦхилень I дефект!в цих структур в1д 1деалыю! опта, та вплив зазнэчених в!дхилень на голов-и электрофззичн! I оптичн! влаетивост! зморфнмх матер 1ал1в. НайбШэШ цжавк.чи зараз, не Т1льки с точки зору ф!зики, зле й практичного використаш, с яморфк! д1електричн1

I тсачюпров1днико1м покриття I шаря ¡до Сазуються на кремни. Це штрид кремн!» ¿зу^, двоохио кремнш (5К>2), аморфнмй гидрований кремШй (а-эЬн). Необх!дно зазначити, що сучзсна злектроШка вксува вксокл вимоги до дкост! матер 1ал!в, що посилюе штерес до ц!х плзвок. ■ Зараз юнуе мала гЛльк!сть роб!т, що в них анал!зусться вплив мтроструктури на электроны! властавос'! пл'ьок а-5кН. Кр1м того; головнг ф1зичн! обме:кення при використзнн! аморфного гидрованого кремнш, пов'язан! з повторнютю параметрш смнтезованих шар!в а-вкн, однор!дн1стю гШвок по площ1, ягистю межи розподМу з низькотемпературними д!с-лектриками, що входять до складу приладових структур, стао'ьльнкгш параметров шар^в а-Э1:К при зоеШшШх впливах р1зноман1тних тишз. ;

Резюмуючи ц1.. обставини,. ми прийшли до висковку , що проблема вивчення зв'язку м1й ф!зичними' властивостями . високоомних шар!в, що базуюгься на а-5кН I знаходження в цих шарах дефект 1в структура ( ' композицШна невпорядкован^сть) с достатиьо актуальною. Тому потр1бн{ додатков! досл1джеь«я, як! дозволять визначити технология! параметра , кеобх.'дн! при синтез! шар!в з нео<5х!дними властивостями, а також розробка методик, як! дозволяють знзходити' 1 досл1д»увати структуры! неоднор!дност! в тонких шарах пл1вок.

Нео<5х1ден айал!з деградацШних' процест у аморфному г!дрованому, кремнИ, розробка модел! деградацИ та висновки

щодо параметр ib технолог whhx npoueclB для одерження пл!вок аморфного г!дрованого кремн!га з наперед .вщомими .оптичними та електричними властивоетями. 1

" Ifera робота. Основною метою робо:и було знаходженкя зв'язку мЬх параметрами структури i особливбетями технологи нанесения гшзок a-Si.-н, " виявлешш ф!зичких мехаи1зм!в що ведуть до стабильности пл1вок i в кШцевому 'pa3i дозволявть п1двищ1ти як!сть при ладового аморф-ого г!дрованного кремшю.

Для досягиення поставлено! мети були сформульован1 OCHOBHI задач!: - '

1.. Р^зробити методики контролю однорЦност! електричних параметра 1 засоби прямо! . !дент1ф1кацЦ дефект1в в високоомних . шарах нашвпровудакк!в та д1електрик!в I • виготовити вим!рювальн1 ' пристро! , зокрема, системи 1з скануючими ртутними зондами • малих розм!р1в.

. 2. Розробити 3aci6 контролю однорЦноет! фотоелектричних параметр!в. i зробити анализ шкроструктури по результатах непрямих -BUMiplB (анал!з особливостей частотно! дхсперсП шност! та пров!дност1 , зиша шум!в тощо).

3. Провести комллексш експериментальш досл!дження ьлливу неоднор!дностей ■ в • об'ем! та поблизу ' гетеропереходу на ' електричн! параметр» > нап!впров!дникових структур з високоомними шарами аморфного г1дрованого кремнш. Цивчити зк.ши, що виникають при р1зних дегрэдацШних впливах на тонил шари" аморфного г 1дрованого кремШю.--; ' -

Наукова новизна.. ' ■-.

1. При досл!дкенн1 пл!вок. a-Si:H вперше було проведено класиф1кац!ю . неоднор!дностеЙ " електричних властивостей по-

ШЮЩ1. • ' : ■ '•"■ • ■

2. Вперше спостер1галася деградац1я електричних параметра малих областей тонких пл1вок а-зкн гид впливом електричного струму та свгглового ви1ром1нювання.

3. Вперше спостер!галася дифуз1я 1ошв во дню по малих локальних каналах, що в!дпов1дають за електричний струм чр1зь тонк! пл!вки а-Эь-н 1 визначено рухлив1сть Ьн1в водшо п!дчас дифузII по цих каналах.

4. Розроблено та опробовано методики, що дозволять знаходити 1 вивчати струкгурн! неоднор1дност1 в тонких шарах нап!впров!дникових та д!електричних пл!вок.

Практичне значения робота.

1. Розроблено 1 використано на практик 1 ори.Пнальн! конструкцН ртутних скануючих зонд ¡в таких. Патентну чистоту двох з них пЦтведкено авторськими св!доцтвами /6,16/.

2 Базуючись на пристроях, до розпов!даеться у пункт! .1 розроблено 1 запропоноваяо методики , що. дозволять визначати неоднор1дност! 1 провести вим1ри р!зноман1тних електричних ! фотоелектричних параметр!в локальних д!лянск тонких пл!вок нап'впров1дник1в та д!електрик!ь

3/ Розроблено 1 використано на практиц1 нов! електронн! пристро! для вимф'овання емност! та провЩисгг! /4,6,9/ , що и!двищують точн!сть вим!рювань - I . збагачують ваге в!дом! методики. Патентну чистоту двох пристро 1в захищено авторськими сЫдоцтвами /4,9/.

4. Експер!ментальн1 та теоретичн! досл!дження довели локэльний характер прот1ку струм!в I локальн!сть ,процес!в деградацИ в пл!вках,що' виготовлен! за рчзними технолог 1чними параметрами ,' а це в свою чергу, допомога уникнути цих явищ б1лылям вдосконалеиням технолог!! нанесения .тонких пл!вок а-

51."Н.

5. Результат дисертацШно! робота використовувалкся Щдяас виготовлення тонких "1ар1в а-Бь-н шпвок для визначення опткмал! чих параметра технологичного циклу ,на Шдпркемств! "Шкрог.р16ор" м.Черноголовка та НПО "Дельта" м. Москва.. На базI ззпропонованих методик, що розроблено шдчас роботи, виконуваеся керуйнуючий контроль якосп тонких шор1в пл1вок а-5пН, що аиготовлялися на тдпрысмстЫ НИ , "Волга". Результата, щс одержано. можуть викорметовуватися для в/.рнш-шя практачних задач створення кових прилад1в М1кр0електрск1ки.

Науков! положения, що 1х винесено на захист:

1. ЛровЦн1сть тонких . шар ¡в »аморфного г!дрованого крешш приладово! якост! в напрямку перпендикулярному площти пл1вок, мае локальнил характер Надлишков! електрспш та юнш струми течуть кр1зь пори й м^ророзлами.

2. Локальнх струми fv.it жу суироводжуютьея низькочастотними шумами, спектральна густина потужност1 яких зростае ьнэел1док деградац!йних вплиыв.

3. • ДеградацШн! зм1ни у плавках аморфного гЧдрозаного кремнИо Бмникаюгь внае.'идок. м/граци й локально! ефузИ водшз.

__Дпробзц'.": „езультаПв роботи.

ТоловШ результата роботи допоыдались 1 обгоьорювалйсь на;

1. Мшвузшськой нау чко-практичн I й кснференцН молодих вчених ( Одееа, 1966) . •

2. '1-й БсесоюзнШ конференцЦ з ф!зики д1елеюрик1а (Томськ, 1988) ,

3. Рееееюзнм нарад!-сег. !нар1 "Аморфн! нашвпрсЫдшжи та дшечтркки на 0аз1 кремню в олсктрои 1цI."ТОдеса, 19891.

4.- ВС9Соизи1й конференич' "Некр1стал'чк1' нап!впрой1дники. -89." (Ужгород, 1969). •

' . - 5. • 14-т1й М1»».арод1Лй' шеренги "Аморфн! ^ШйПровЦшии - наука та те:;, ю лог ¡я." (Гаршш-Партеширхеи,

ФРН, 1691).

6. а тэшк на сем1нарах НДЛ-11 I кафедр« ф!зики твердого

т!ла та течрдопльно! електронПси Одеського державного ун!верситету.

Публ1кацП.

Головн! результата дисертзцН вмкладено у и'Дскздцятьох роботах, я.;I приведенI в кШц! автореферата.

Структура 1 об'ей роботе

ДисертаЩя складаеться з уступу, п'ятьох розд(л1в, додатку, загальних висновкШ 1 списку цитовано! л!тератури, що мае назв. Загалъний об'ем складае сторШок.

ЗМЮТ РОБОТИ.

У вступ! обгрунтовзчо актуальнЮть темг, сформульован! мета роботи, наукова новизна одержаних результат 1в I практична 1х значим!сть. .

У першому роздШ дисертацП зроблен<" огляд л!тератури з проблеми 1дентиф1кацН дефект!в тонких пл!вкок . та р!зномаи1тних структурних неоднорЦностей , що спос-тер1гаються в тонких шарах аморфного г!дрованого кремн'ю.

Обговговорюються експериментальш дан!, що пов'язван! з позицШною та композвдЦйною кевпорядкованостями ■ 'у тонких шпвках а-эйн, що вироблен! ?з р1зноман!тними технологиями, та вплив цих невпорядкованостей на електричн! та оптичн! властивост! зазначениХ'шпвок.

Грунтуючись на анал1з! л1терчтурних джерел,

сформуль эвано основн! задай, рхшення якик допомогають досягти мети, якг поете злена в дисертацШн!й робот!.

У другому роздШ описан! методики, оригинальна апаратура та пристро! для вим!рювання електричних властивостей пл!вок з каналами вит!ку струмт кр!зь плШки, та -д!лянок, що разташован! б!ля канал 1в вкПку, а та:;ож методики визначення

- а -

концентрацШ глубоких пасток у тонких - нап1впров]дникових _,пл1вках.

ГИдчас досл!дження властир остей пл!вок а-э^н та наскр!зниу дефект !в у цих пл!вках нами використовувалися так! методики: '<

1. Досл!дження " однор!дност! тонких д!електричних та нап 1впров¡дникових гшвок скануючим ртутним зондом.

2. Локальна шфрачервона е.п1псометр!я (14) тонких ПЛ1В0К.

3. Вольт-фарадн! вим!рювання 1 контроль пров!дяост1.

4. Методики визначення концентрацП глибоких пасток у пл!вках а-БкН за даними фотоелектричних вим!рювань ( спектри фотопров-1днссг! та 1н.). ■' •

Перша методика дозволяла визначити наявшсть дефект 1в структури тонких пл!вок а-31:Н, ящо вони мали п!двищену пров{дн1сгь, I провести вмм!ривання електричних та фотоелектричних характеристик' локальних- областей пл!вок а-эьн. Така методика давала можлив!сть не т!льки провести вим!ри, але й 'зробити пор!вняння електричних . та фотоелектричних властивостей сус!дн!х д!лянок пл!вок а-БЫ).

Шдчас досл!дження скануючим ртутним зондом використовувались три мод!ф!кацП пристрою, що.були розроблен! 1 виготовлен! нами власне. для ц/х досл!дкень. Два пристрох "давали можлив!сть одночасно п1дводита до д!лянки, ' що досл'джуеться, як ртутний контакт, д!аметр якого змШювавоя у р1зних випадках в!д 300 до 60 мкм, так 1 В'/промШ: вання, яке 'фокусувалось . на контакт! ртутГ з поверхнею плавки. Треба зазначити, що одна з мод!ф!ка1"й пристрою давала можливють •зфокусувати випром!нювання, що падало на пл!вку, до 20 мкм у д!аметр1. Зазначен! пристро! дозаоляють спостер1гати ' плазьу. зм1ну струм!в, що п^оходять .кр!зь пл!вку,- поверхнею яко! а посцйною швидкЮтю повГльно р'лаються ртутний контакт 1 зфокусованил промШъ св!тла.

Друга:,-методика' давала можлив1рть робити досить точн! вим1рювання оптичних констаг тонких . шавок _ а-ЭМ. не з°>ажаючи на поглинання видимого св!тла, завд"'ш викормстанню

14-лазера. В!дноско добра прозорють пл!вок а-SirH для 14 свила дозволяла пор!внювати залежностГ оптичних констант 1 електрично! чроЫди'ст! пл!вок вЩ технолоПчних параметр!в п!дчас вирощування пл1вок a-Si.-H.

Третя методика реал!зовувалася на баз! прилгд!в i ■ пристро!в, що дозволяли вимфювати емнГсть С I пров!дн1сть G в д1апазон1 частот 20 Гц - 1 МГц як функцю прикладено! до пл1вки нгпруги и. Досл1дження функцП С(и) давало можлив!сть визначити концентрацию глибоких пасток у кристал!чнШ Шдкладинц! та на nexi кристалМчий кремн!й - аморфний г1дрований кремчШ. •

Четверта метод!ка, яка анал1зуе спектри фотопров!дност!, дозволяла не ,т!льки дояэвнювати. третю метод Щ, а Й спостер!гати ц!каз1 зм1ни, що в!дбувалися п!дчас тр^валого проходження струму кр1зь деяк! локальк! облает! пл1вок аморфного гидрованого кремШю.

• У третьему роздШ наведено результат« експериментальних до<"л1джень неоднор1дностей, що було одержано за допомогою скануючих; ртутних зонд iB. В роздШ наведено топограми струму кр!зь пл!вки a-Si.-H, та внасл!док безпосередн!х вим!р!в за допомогою скануючих ртутних зонд 1в . знайдено л чальн!- канали вит!ку струму та дана оЩнка 1хн!х розм!р1в. Зроблено .клас1ф!кацШ неоднор1днсстей, що спостер!галися, " I знайдено три типи неоднориностей , що в!др!зняються мш собою розм!рами та тополог Гею струм!в вит!ку. Bwipn вольт-амперних та вольт- фарадних характеристик однор!дних та -неоднорГдних д!ллнок пл!вок icTOTiio В1др1энялись м!ж собою. Було • також

з'ясовано, що- в багатьох влпадках електричн! властивост! неоднор!дних д!лянок можуть визначати властивост! шпйки i-цйгому. ' .

Пор!вняння вольт-змперних та вольт-фаръдних характеристик дас п!дставу • зробити' -. висновок, що реальн! неодиор UHOcTi у пл!вках a-si:h мать так!ж сам! властивост!, й що канали на штучно зроблених розламах шпаок Si.-H. -.У' процес! витримки гшвок аморфного г!дрованого кремшю п!д напругою виявлено ефект електропольово! нестабшьноеп з участю атом!а' водню, що

Су ли заряжен1 позитивним зарядом. У раз1 витримки пл!вок а-51 ,-н п1д напру гою також спостер!галося зб!льшения •йизькочастотно! компонент« 1/Г шуму на д!лянках з локально великим струмом 1 немонотонного аростання струму у цих локальних каналах. П1дчас спостереженш, електропольоьо! нестабильное^ в стуктурах. о-31 - а-ЗпН ' (кр!стал1чний кремн!й - пл1вка аморфного пдрозаного кремнш) рег!струвалася немонотонна зм1на емност! структура, що залежала в!д частота сигнала, шо вим1рюеться. Базуючись Пи цих спостереже.чнях було розраховано рухлиЫсть м!груючих атом!в водню й 1нтерпретовано ефекти, що слостер!гаються п1дчае вим!р!в вольт-амперних та вольт-фарадних характеристик, а ■ також немонотонну змшу ~грумхв, що проПкають кр!зь плтку а-31:Н. Рухливють дор!внювала ю-' см?/В с. Кр1м цьго було проведено. вимхри однор!дност! оптичних констант . I питомого електричного опору по площ! та ц1 константа •. пор¡внювалися з! спектрами фотопров¡ДНОСТ1 ПЛ1В0К а-ЗЬН,. що наносилися за умови р1зних технолог 1чних параметр 1в синтезу шнвок. 3 ; цих вим!рт було визначено оптимальн! . технологии! .' режими нанесения пл!вок аморфного пдрованого кремнш для Дхнього використашш у якост! пасивуючих покроЫв нап!впроа!дникових прилад!в.

У четвертому роздШ докладно розпдвцасться п; э спостереження бмши у розподШ течП струм 1ь пдощеп ьнгсл]дол тривалого тренування структур' с-31 - а-5ь-н {крЮтгшчний кремнШ - пл!вка аморфного Пдроьаиого • кремнш) шдивденою напр„'.'ою та видимим саГмом п!двкщено! '¡нтенсивность Внасл1док цкх д!й фсрмувзлися- капали локального протжу етрум!в, зм!нювалаея : м!кроструктура' шзрхв аморфного пдрованого кремнш, що. досл!джувалися,та спостерхгався ефект незворотньо! . деградацП . електричних та. фoтoeлeктpичниv властиьостей гетероструктур .с-Б! - атбкН внаслЦок течи струму та фотоструму ^ середньою густиною ^ >'ю~5 а/см2. " "'Г'"~"П1дтьерд«ено, що. зШни ьольт-амперник та . вольт-фар; дшнс характеристи... а такок зО!льшешт . спегдрапьно! гуеткш.. потуждностН;-'шумх -Г 'виникнення максимума''у 14 облает! в спектрах фотоструму, що спсстер!гаються у структурах с-51 -

- и -

a-Si:H, можуть бути ШтерпретоваШ на баз! уявлення про локальний характер npoueciD струмопероносу í деградацП структур. . •

Запропоносаио модель струмових шум!в у структурах a-Si -. а-Si.-H таку, що дозволяе 1нтерпретувати- частотн! залежност! спектра густини потуж:;ост1 шуму s(to) , а також особл'/востями змШ S(üi) п!сля струмово! дсградацИ.

Розглянуто модель протеку струм!в каналами вит1ку. Модель бззусться на трьох припущешлх:

1. ПотенцШнйй бар'ер вважаемо таким, що Ын -ке обмежуе-х1льк1сть струму, що проткае кр1зь гШвку ,1 струм т!лъки електроиий.

2. Розм1р каналу L вважгсться 01льшим hík ■товщина пл!вки d.

3. ЕнергетичниП■ спектр густини локал!зоваких р tenia гид кейоо зояи рухлквост I у канал i вит!ку струму було представлено модельного функцией :

Ет - Ео '

íí(3,)«N ссгр- .

г ° ' Иг

Тут Н(Е-г5-копцентрзц1я лекал 1зованих р!вн!ь з eueprico ¿V (еьГ2°еЗ-1), Ко-концснтрац1я' локал!зованкх р!вн!в на mskí •сони рухливост1, ^г-характеристична теыперогурз розпод1лу.

Бгзуючкся на цих припущеннях Сули розраховаШ

вольт-ймперн! характеристики (ВЛХ) для канал 1в прот1ку струму

** ' ' ■

0.1 -;се (е+1) —~ I/--

ь . .] Я •( —) •

■ olí .у á

ОТ

тут э, к, % - в í дом i ф!зичн1 кскстзнтя, .6 - д1елбктри'ша • прсншфгь • аисрфнсго . гидроагкего . {кремшюд %=2.5. Щ характеристики оуга ' ¿рйкяий'- 'з ш, 'що ' спосгср1галися ьа

експеримент!. При значениях Тт=2Т, Т=300°К похил теоретично! вольт-амперно! характеристики дор^внюе 3. Використовуючц характерн! значения при и=1В ,п=10"эсм , маемо для №

значения Но^хю^см^эВ'1 при 1.*о.з мкм , що з<Нгаеться з експериментом та св!дчить про те, що модель в основних рисах в!дпрв!дае дШсност: 1 допомогас визначити N0 - концентраЩю лок шзован..х р!вн!в на поверхн! локальних канал!в прот!ку струму.

У п'ятому роздШ продовжено працю над 61льш точним вибором оптимальних технолог!чних параметра п!дчас нанесення тонких шар ¡в аморфного пдрованого кремн!ю . Завдяки контролю к1лькост! пор . встановлено оптималый пропорцИ сумШш гез!в силану'' I аргону та оптимальну температуру Шдкладинки ! потужи!сть плазмового, розряду. Лри них параметрах пл!вки аморфного г 1дров$иого кремнШ мали наймениу к!льк!сть пор.

. У додатку 01льш детально описуються конструкцИ пристрЛв та прилад1ь, що допомогають практично реал!зувати методики, що про них йдеться у другому роздШ. Додаток мае дв! чавстини. У перщШ частин! описуються деяк! пристрой що формують контакги для неруйнуючого контролю та в1дтворюють бар'ср Шотки на поверхн! тонких пл!вок. /3,16/. У друПй частин 1 описусгься усгрШ елек! ронних прилад1в,' що дозволяли вим1рювати шн1с?ь .та пров1дн.1сть при р1зних частотах /4,9/. ..

ЗАГАЛЬШ ВИСНОВКИ. .

У пргц1 розроблено 1 апробовано нов! методики вим!рювань та прознал¡зовано вплив несднор1дностей р!зноман!тного типу, що вм1щуються у об'ем! шар!в аморфного г !дрованого кремн!ю, а ■гакож ф!зичч' характеристики зазначених шар!в та паргметри приладових структур, що на них базуються. Вивчеко та ¡итерпретовано з едино! точки зору зм!ни, що трапляються у шарах аморфного пдроьаного ... кремнш пЦчас р1зноман1тних ? вплив!в'. Розвинено уявлення про дефекти. у шарах аморфного пдрованого кремнШ на поверхн! пор та м!кророзлам!ь !. запропоновано мехашзм перебудови зазначених. дефэкпв, що

пов'язана з Mir, ац!ею вод ню.

У висновках з прац! сл1д в1дм!тити нижчезазначене.-

1. ГПдчас досл!дження неоднор!дносгей по плоиИ пл!вок аморфного г!дрованого кремн!ю знайдено локальн! канали витжу наскр!зних струмiB i досл!джено 1хн1 електричн! властивост!.

2. Проведено клас!ф!кац!ю неоднорГдних д!лянок ! виявлено три .типи неоднор!дностей, що в1др!зняються по-IXHix розм¿pax та топологи.

3. Виявлено м!грац!ю атом1в водню, що заряден.1, по ст!нках nip та вим1ряно 1хню рухлив!сть. .

4. Продемонстровано наявн!сть низькочастотно! компонента 1/f шум!в, що зроста у раз! довгочасного перепускания електричних струм!в та. при потужньому опшчному опром!нюванн!.

5. . Встановлено явище деградацП пл1вок аморфного г!дрованого кремгЛю, що лов'язане i3 течКло локальких електричних струм!в.

. 6. Запропоновачо мехаШзм деградацШних зм!н у пл!в;<зх аморфного г!дрованого кремнш, що пов'язан! i3 безв!дривною м!грац!ею атом!в водкю.

7. Розроблено й апробовано методику вим!р1в неодиор!дностей фотоелектричних' параметр iB у тонких плавках за допомогою скануючого ртутного та лазерного зон;;!в.'

• 6. Розроблено,. виготовлено ' та . захшцено п'ятьма авторськими св!доцтвамм оригиналый пр :стро! й' прилади.що дозволяють. резл1зувати Методики досл!дженкя неоднорЦностей у тонких пл!вках ишвпровщшив та д!електрик!в. ...

9. Визначено с тимальн! технолог{чн! режими одержання пл!вок аморфного г!дрованого кремню is ■■ зааданими властивостями. ■

.Головь!; результата- дис^ртацл опу^пиковано в роботах.-

ц.РсРзин Я.О.,Свиридов В.Н. Неоднородности электрических

пар.чметров тонких слоев а-г".-Н по плоузди.//Физика

диэлектриков./ Тез.докл.4-л Всесоюз.кон'*. (Томск, 23-26 ноября 1988), Л988.-С.85-89.

г.Ендриховский С.А., Ройзин И.о., Свиридов В.Н., Цыбесков Л.В. Фотоиндуцмрованная деградация гетероструктур кристаллический крем:"й - аморфный . гидрированный кремний.//Аморфные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике/ Сборник материалов

»совещания-семинара ( Одесса,5-9 июня 1983.)- йзд.

, АПК,М.- 1969.- с. 174-179. ■

3.Лндрмянова Е.О., Ройзин Я.О., Свиридов В.Н., Сулимин А.Д., Щелулкнин В.Т. Неоднородности электрически параметров ' тонких слоев a-Si.-H по площадя. Соориик материалов соаещания-семккара ( 0десса,5-9 июня 1969.)- Изд. АПН, М.» 1939,- с.34-36.

4. А.с. СССР 1474554 М.кл.с Ol R 17/10. Устройство для измерения чаетитных зависимостей ■ емкости или проводимости. /Ройзин Я.О.,Свиридов В.Н.,Шевцов. H.H. -3-е.' гпл.-оиубл. 22.12. 1966 г.

5. Ройзин Я.О., Свиридов В.Н., Цыбескоь Л.В. Электронные процессы в слоях аморфного гидрированного кремния и гетерострук/урах на их основе.// Аморфный кремний и структуры на его основе./ Материалы конф. "Некристаллические полупроводпнки-89" ( Ужгород, сентябрь 19891. - Ужгород. -1969. - 0.177-179.

6.Ройзин Я.О., Свиридов В.Н., Дойчо И.К., Воробьева В.А. Система для зллипсоыетрических измерений в Ш области спектра./ Сборник материалов совещания-семинара ( Одесса, Ь-9 июня 1969.)- Изд. АПН,W.- 1969.- с.377.

7.Ендриховский С.А.,Ройзин Я.0..Свиридов В.Н..Цыбесков Л.В. Токое-зд деградация гетероструктур на основе a-Si:H.// ФШ.- 1989.- Т.ЗЗ.ВЫП. 3.- С.444-449. '

б..A.c. СССГ .1556462. М.кл. н Ol L 21/66 "Сканирующий ртутный зонд" Свиридов В.Н. .РоизинЯ.О.,Дойчо ИХ Опубл.' Й.1Й 1989 г.

9.A.c. СССР 1688685 M.m.g Ol R 17/10."Устройство для измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур с низкой добротностью."/Дойчо И.К..Ройзин Я.О., ■ Свиридов В.Н. Опубл.1.07.1991.

10. MarchuJ: К,, Prok&povich L.P., Rysiakiev.'icz-Past>k E., Roizin Ya.O., Sviridov V.H. Investigations. of porous glasses by capacitance and conductance measurements// Proo.SPIE.- 1391.-v.1513.- p.291- 2S6.

11.Andrianova E., Gerditshaya J., Roizin Ya.O., Sviridov v.N: Amorphous hydrogenated silicon inhomogeneities as

• revealed by scanning with mercury and laser probes// J.lion-Cryst. Solids.-1.091.- 13? & 138.™ p. 79-84. 12.Sviridov V.M., Roizin Ya.O. Inhomogencitics in the thin ' films of amorphous hydrogenated silicon. "Electrical relaxation in materials and devices of electrical technique", 1L90, MIEM, f'osoow, 13. Абаньшуш Н.П., Кердиц;.^! 10.P., Найдис Л.P., Свиридов

B.H., Ройзии Я.О. Однородность электрических и оптических характеристик _а-5Ы! по площади// "Фотоавсктрои1?к£" Межведомственный научный сборник / - 1992 - Вып. 5, с.112, "Л«Мдь" КШв.

■ 14. Fedosov S.H., Roizin. Ya.O., Sviridov V.ii. Properties of

potyet.hck.ie terephtha'late films as revealed by scaninning with mercury proes// Froc. 6f,h I n t. С on f. Flee t.r. П el. r' r op. Organic Sol,- Capri, Italy. - • 1S£2.~ p.?S.

15. Roizin Ya.O., Sviridov V.».) Kysiokiewicz -Pas-k E. Recording media on the b' sis of porous glasses// Proc.XVI l'nt.Congr.Glass,. - Madrid, Spain.- 1092,- v.31

C, чо.З,- p.439.

16.A.C. CCCf .1725133, М.КЛ. H 01 L 21/C6 "Фотозонд"/ Свиридов В.})., Ройзиц Я.О.,Дойчо И.К. Зарегистрировано

8. 12.1389. ■ •

Нодп.к печати 9.II.93г.. Формат €0x84 1/16: 0б"ем'.0,7уч.иид. л. 1,0п.л. Заказ А* 1955. Тираж бОпкз. Гсртипографик Одесского управления по печати,цех\"3. •

Ленина .49,