Электронные процессы на поверхности арсенида галлия, обработанной в парах халькогенов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

На правах рукописи

КОТОВ Геннадий Иванович

УДК 537.311.33

ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ НА ПОВЕРХНОСТИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, ОБРАБОТАННОЙ В ПАРАХ ХАЛЬХОГЕНОЗ

Специальность - 01.04.10 - "йизика полупроводников

и диэлектриков"

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Воронеж 1995

Работа выполнена на кафедре физики Воронежской государственной технологической академии.

НАУЧНЫЙ РУКОЭДДЙТЕЛЬ: доктор физико-математических наук,

профессор Б.И.СЫСОЕВ

ОФИЦИАЛЬНЫЕ ОППОНЕНТЫ: доктор технических наук,

профессор Б.К.ПЕТРОВ

кандидат физико-математических наук А.П.РОНИНСКИЙ

Ве,дущая организация: Воронежский государственный технический

университет

Защита состоится "ХЗ" марта 1995 г. в часов на заседании специализированного совета Д 063.48.06 при Воронежском государственном университете по адресу: 394693, г.Воронеж, Университетская пл., I, ВГУ.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ВГУ.

Отзывы на автореферат в двух экземплярах, заверенные печатью, просьба высылать по вышеуказанному адресу на имя ученого секретаря специализированного совета.

Автореферат разослан февраля 1995 г.

Ученый секретарь специализированного совета, доктор физико-математических

наук, профессор Э.К.АЛГАЕИКОВ

ВВЕДЕНИЕ

Несмотря на значительные достижения в развитии кремниевых интегральных схем, в современной' микроэлектронике устойчивые позиции приобретают интегральные элементы на основе арсенида галлия. Это обусловлено определенными преимуществами арсенида галлия перед кремнием: высокая подвижность электронов, большая ширина запрещенной зоны, Еысокое удельное сопротивление собственного или компенсированного материала. Кроме того, на арсениде галлия могут быть реализованы оптоэлектронные устройства и приборы, не тлеющие кремниевых аналогов. Для эффективной работы полевых приборов на основе арсенида галлия необходимы низкая плотность поверхностных электронных состояний (ПЭС) и высокие качества самого изолирующего покрытия. Однако, до настоящего Бремени практическая реализация приборов на основе арсенида галлия сдерживается проблемой формирования совершенной границы раздела в гетероструктурах металл -Ва.Аъ и .диэлектрик , т.е. грани-

цы раздела с низкой плотностью ПЭС. Поэтому целенаправленное изменение свойств поверхности арсенида галлия обработкой в парах халькогенов с целью уменьшения плотности ПЭС и исследование электронных свойств такой поверхности актуально как с практической, так и с научной точки зрения. Электрические характеристики являются одним из наиболее важных источников информации об электронных свойствах поверхности, В связи с этим исследование электрических свойств гетероструктур металл - арсенид галлия, сформированных на модифицированной поверхности, такяе актуально.

Цель работы заключалась в получении гетероструктурМв-О&Аь с барьером Шоттки с низкой плотностью ПЭС, исследовании их электрофизических свойсте и создании модели, объясняющей снижение плотности ПЗС в арсениде галлия после обработки в парах халькогенов. Достижение поставленной цели Еключало следующие основные этапы:

1. Проведение исследований по оптимизации условий обработки поверхности арсенида галлия в парах халькогенов и получении гетероструктур Мв-6йА$> с барьером Шоттки.

2. Исследование состава и структуры поверхности арсенида галлия, обработанной в парах халькогеноЕ.

3. Исследование электрофизических свойств границы раздела в гетероструктурах Мб-ВйАЬ , сформированных до и после обработки поверхности арсенида галлия в парах халькогенов.

4. На основе анализа результатов экспериментальных исследований

создание модели, объясняющей снижение плотности ПЭС в арсениде галлия после обработки в парах халькогенов.

Объекта г; методы исследования. Исследовались гетероструктуры Щ-В(1А$с промежуточными туннельно прозрачны.® слоят® соединений а^1 (00-2Sз, ßa2Se2, ßa2 Те5, Ga2Se5x Те5^.Х) ), сформированными на подложках из монокристаллического арсенида галлия (100) и (III). Слои AgBg1 на подложках из GüAs , выращенного методом Чох-ральского, формировались методом гетеровалентного замещения в анионной подрешетке в процессе термического отжига в парах халькогенов.

Исследование состава полученных слоеЕ А^Вд* проводилось методом Оже-спектроскопии. Структура таких слоев исследовалась с помощью электронного микроскопа высокого разрешения. Электрофизические свойства гетероструктур MB -ßaAs исследовались методами еольт-фарадных (BSC) и вольт-амперных (ВАХ) характеристик, а также методом изотермической сканирующей спектроскопии глубоких уровней (ИСС1У) в диапазоне температур (77 - 370) л.

Научная новизна i-r практическая значимость работы заключается в том, что в ней исследованиями состава гетеропереходовGüzSSyßnAs вблизи границы раздела обнаружено Елияние вида ограничения скорости роста слоев Вй2на стехиометрию состава поверхности арсенида галлия. Показано, что уменьшение плотности ПЭС от Т.й.Ю^^эЗ^см* т? —т -?

до 5,10 эВ см * в арсениде галлия после обработки его поверхности в парах халькогенов обусловлено образованием туннельно прозрачного слоя соединения А^В^ на его поверхности и установлена корреляция плотности ПЭС на границе раздела с величиной несоответствия параметров кристаллических решеток в гетеропереходе аЦв^ -QäAS • Показано, что в процессе гетеровалентного замещения на полярных поверхностях подложек арсенида галлия (100) и (III) формируется псев-доморфный слой соединения А^В^в неполярной кристаллографической ориентации (НО). На основе анализа экспериментальных результатов предложен механизм уменьшения плотности ПЭС в арсениде галлия после образования на его поверхности туннельно прозрачного псевдоморф-ного слоя а|Вз^ (110), связанный с реконструкцией поверхности арсенида галлия. Предложено решение ряда технологически проблем, позволивших получить туннельно прозрачные псевдоморфные слои соединений А^1 на поверхности арсенида галлия, на которых затем сформировать диоды Шоттки с параметрами, близкими к расчетным, в рамках идеализированной модели Шоттки - Мотта.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту, сводятся к следующему:

1. Скорость роста тонких слоев соединения ß^Se^ на поверхности ар-сенида галлия ограничена диффузией селена, при этом на границе раздела наблюдается отклонение от стехиометрии состава арсенида галлия. После формирования туннельно прозрачных слоев состав поверхности арсенида галлия соответствует стехиометрии.

2. Для достижения минимальных значений плотности ПЭС в арсениде галлия после его обработки в парах халькогенов необходимо получить

туннельно прозрачные слои соединений АоВ^, при этом кесоответст-

'Iii YT

вие параметров кристаллических реиеток в гетеропереходе А^Зд -ßüAs долкно быть минимальным, что наблюдается для системы

ва2$е2хТезс^л)- ßaAi .

3. Факт открепления уровня Ферми вблизи поверхности в арсениде галлия коррелирует с отсутствием в запрещенной зоне электронного уровня с энергией 0,40+0,05 эВ ниже зоны проводимости, соответствующего распределенным ПЭС.

4. На основе результатов структурных исследований приповерхностной области арсенида галлия после образования туннельно прозрачных слоев соединения АрВ^ установлено, что на полярных поверхностях арсенида галлия (100) и (III) образуются слои соединения А^Вд1 неполярной ориентации (НО).

5. Предложен механизм, объясняющий снижение плотности ПЭС в арсени-

• де галлия после формирования туннельно прозрачного псевдоморфного слоя соединения AgBg* .

Апообадия работы. Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались ка I Всесоюзной конференции "Физические основы твердотельной электроники" (г.Ленинград,1989), У Всесоюзной конференции по физическим процессам з полупроводниковых гетероструктурах (г.Калуга,1990), ЛП Всесоюзной конференции по росту кристаллов (Харьков, 1992), Меящународной конференции "Электронные материалы" (г.Новосибирск, 1992) , Международной конференции "Передовые и лазерные технологии" (г.Москва, 1992).

Публикации. Материалы .диссертации опубликованы е II работах, цитируемых по ходу наложения текста диссертации.

Личный вклад автора. Постановка задач, определение направлений исследований выполнены научным руководителем д.ф.-м.н., профессором Сысоевым Б.И. Обсуждения результатов проведены вместе с д.ф.-м.н., профессором Сысоевым Б.И., к.ф.-м.н., доцентом Безрядиным H.H., к.ф.-м.н., доцентом Сгрнгиныи В.Д. Основные результаты и выводы диссертации получены лично автором.

Структура и объем диссертации. Диссертация содержит 132 страницы машинописного текста,45 рисунков,II таблиц и по структуре состоит из введения, четырех глав,заключения к списка цитируемой литературы, включающего 133 наименования работ отечественных и зарубежных авторов.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

' Во введении обоснована актуальность работы, сформулированы цель и основные задачи, раскрыты научная новизна и практическая значимость результатов, сформулированы научные положения, выносимые на защиту.

Первая глава диссертации содержит обзор известных из литературы предетаалений об электронных к физико-химических процессах, протекающих на атомарно-чистой и реальной поверхности арсенида галлия. Обсуждаются природа ПЗС на реальной и атомарно-чистой поверхности арсенида галлия и возникновение их на границе раздела в гетероструктурах Мё -GolAs и диэлектрик - 6dAS . Проведен анализ моделей, объясняющих возникновение ПЗС и закрепление уровня. Ферми у поверхности арсенида галлия. Отмечены возможности и условия использования тонких слоев широкозонкых полупроводниковых соединений типа AgBg1 для формирования гетероструктур А^В^-Qcl/\S с низкой плотностью ПЭС, Рассмотрены предложенные к настоящему моменту способы снижения плотности ПЗС в ßüAS , в частности, в результате обработки его поверхности халькогенсодержащи-ш реагентами.

Вторая глава посвящена исследованию условий формирования, состава и структуры слоев $0.2 Зв^ на подложках GclAS . Перед получением слоев 0а.2,5е$ подложки из Gcl-AS подвергались химико-динамическому полированию, Результат подготовки подложек контролировался визуально в оптическом и растровом электронном микроскопе. Однако, наиболее полная информация о качестве подготовки была получена из анализа электрических характеристик структур с барьером Шоттки, изготовленных до и после каждого этапа и способа подготовки подложки. Для получения слоев ßa^Sß^ использовался метод гетеровалентного замещения мышьяка на халькоген в анионной подрешетке арсенида галлия в процессе термического отжига в замкнутом и квазизамкнутом объеме (КЗО) с "горячими стенками". Технологические параметры процесса гетеровалентного замещения в замкнутом объеме (кварцегые ампулы) исследованы в интервале температур подложек (Тп) 550 - 900 К и парциальном давлении паров селена ( ) 40 - 412 Па. Установлено, что скорость роста слоев G>OzS£з в этих условиях лимитируется диффузией халькогена .через растущий слой с энергией активации 1,1 + 0,1 эВ.

Состав слоев ßa^Sß^ , полученных е 330, анализировался методом электронной Оже-спектроскопии. В гетероструктурах

ВйАБ со сложи 0&1$в з толщиной более 50 км (которые формируются при продолжительности обработки более 45 мин) обнаружена переходная область арсенида галлия нестехиометрического состава. После кратковременных обработок ( 5 мин) в таких же условиях состав поверхности б&АБ соответствует стехиометрии. При этом идентифицировать слой селенида галлия ( ) в случае кратко-

временных процессов не удается.

С помощью электронного микроскопа в режиме микродифракдаи исследованы слои селенида галлия, полученные за длительные (более 45 мин) времена обработки в парах селена. Обнаружено, что на полярных поверхностях бй-АБ (100) и ЭаАъ (ш) образуются слои ОО-г^д в неполярной кристаллографической ориентации (НО).

Б третьей главе представлены результаты исследований электрофизических свойств гетероструктур Мё методами вольт-фа-радных (ВФХ) и вольт-амперных (ВАХ) характеристик. Из экспериментальных ВФХ и ВАХ рассчитывались значения еысоты барьера Шоттки ( (р^^) в зависимости от работы выхода электронов из металла (Ф в гетероструктурах Ме~&аА^ , сформированных без предваритель ной обработки поверхности ОйАэ в парах селена. Отсутствие в этом случае зависимости (р^^ от ф* говорит о закреплении положения уровня Ферми в вблизи поверхности. Аналогичные исследования электрофизических свойств гетероструктур Мв - Эи А Б , сформированных после кратковременной (10+5 мин) обработки поверхности во.А$ в парах селена, свидетельствуют об откреплении уровня Ферми в (ЗаАз - в таких гетероструктурах значение коррелирует с работой выхода фм . Количественная оценка интегральной плотности ПЭС, вычисленной из зависимости (р^^ от работы выхода электроноЕ из металла, в гетероструктурах Мё-Вв.А$> показывает, что после обработки поверхности 0&А$ в парах селена интегральная плотность ПЗС уменьшилась более чем на порядок. В рамках используемой технологии были проведены исследования зависимости в структурах Ме-баЛЬ от технологических условий (продолжительности процесса обработки ( £■ ), Тп и Р$£ ) обработки поверхности арсенида галлия. Из анализа экспериментальных зависимостей следует, что при Ь =10+5 мин, Тп = 600 - 650 К, Р5е = = 1,33 - 13,3 Па значения (р^^ в структурах Ме ~ &(Х И5 близки к рассчитанным в рамках модели Мотта-Шоттки. С увеличением Ь (более 30 мин) при прочих равных условиях зависимость (р&Г1 от Фм ослабевает (следовательно, интегральная плотность ПЭС возрастает).

Были проведены электрофизические свойства гетероструктур

1,0 0,8

Мё ~ » сформированных

после кратковременных (10 + + 5 щн) обработок е парах различных халькогенов (сера, селен, теллур, селен с теллуром). Показано, что значение (р&Г1 в структурах

Н-баАь и Аи^-ва-Аь

зависит от типа халькогена и коррелирует с величиной параметра кристаллической решетки соединения А^З^(рис. I). Существование такой корреляции свидетельствует о том, что е процессе гетероЕалентного замещения формируется тонкий слой соединения А^Вд . При этом максимальное приближение (р^ к идеальным значениям и минимальная плотность ПЗС наблюдается при условии полного соответствия параметров решеток в гетеропереходе Арз1 -$аА5 . т.е. для системы

6аАъ . Следовательно, основно!

5,1 5,4 5,6 о 5,8 6,0 а,А

Рис. I. Зависимость значений высоты барьера Шоттки в структурах АВ /аЩ1/ блАв (I) и Аи/а|в|-/ 0&А$ (2) от величины постоянной кристаллической ^решетки промежуточного слоя А^1 : 5,18 А (6аг$5 ), 5,42 Г( ба^ез ),~5,65 А

5,89 А ( Те5 )

причиной открепления уровня

Ферми е 6аAs вблизи границы раздела можно считать образована

слоя соединения А|Вд^.

1С

Злектронограчмы приповерхностных областей GolAs (100) и Gühb (III) после кратковременных обработок в парах халькогенов также свидетельствуют об образовании слоя соединения А^Вд^в неполярной кристаллографической ориентации (110). Анализ последовательности относительных интенсивностей 1 /10 рефлексов плоскостей \jjCL As (100) и 6a2Se2 (IIO)J и темнопольное изображение соответствующего участка образца GaAs , от которого получена электро-нограмма с двумя система.® [(100) и (ПО)] рефлексоЕ показали, что на поверхности GäAs образуется соединение ßCL^Sß^ (ПО). Для слоев всех соединений AgBg, сформированных на поверхности GctAs методом гетеровалентного замещения в дЗО, характерен псевдоморфизм, С точностью, характерной для метода электронографии,

параметры кристаллических решеток соединений А|Вд, когерентно соответствуют решетке арсенида галлия.

В четвертой главе представлены результаты исследований энергетического спектра электронных состояний в запрещенной зоне арсенида галлия до и после обработки поверхности в парах халькогенов. Исследования гетероструктур Мё ~GolAS с барьером Шоттки проведены методом изотермической сканирующей спектроскопии глубоких уровней (ИССГУ). Особенностью метода ЙССГУ является проведение измерений в квазиизотермических условиях при непрерывном изменении постоянной времени релаксации, что позволяет за один проход по температуре от 77 К до 370 К получить семейство спектров. В спектрах исходных (без предварительной обработки в парах халькогенов) образцов Мё. -GüAS присутствует четыре пика с энергия?® активации: Е (П2) = Ес - 0,20 эЗ; Е (П2) = Ес - 0,32 эЗ; Е Ш3) = EQ --0,40 эВ; S (П4) = Ес - 0,68 эЗ. Исследования и анализ поведения амплитуды пиков IIj - П4 от величины напряжения инжектирующего импульса и обратного смещения позволили в энергетическом спектре исходного ßa.As> выделить два типа электронных уровней: I) распределенные однородно по объему полупроводника (Пр Ilg, П4); 2) локализованные вблизи поверхности (Пд). После обработки поверхности (?0L As В парах хатькогенов в энергетическом спектре отсутствует максимум Пд, но появляется новый % с 3 = 3Q - (0,025 -- 0,10) эЗ и свойства;®, характерными дая электронных уровней, ло-катизованных вблизи поверхности. Вероятно, уровень Л- обусловлен мелкими донорными состояниями халькоген на месте мышьяка (Bj^ ), возникающими в процессе гетероватентного замещения.

Из сравнительного анализа спектров ИССГУ следует, что в спектрах структур мё -BolAs с высокой интегральной плотностью ПЗС присутствует максимум Пд, обусловленный ПЭС. 3 спектрах структур MB — GülAS , сформированных после кратковременной обработки в парах любого из халькогенов (серы, селен, теллур), максимум Пд отсутствует, что коррелирует с уменьшением интегральной плотности ПЭС в таких гетероструктурах.

Известно, что в условиях сверхвысокого вакуума полярные поверхности BclAS (100) и OolAS (III) реконструируются тага® образом, что поверхностные слои имеют симметрию, отличную от объемной, чаще всего близкую к неполярной плоскости (НО). Известно также, что подобная реконструкция (релаксация) поверхности GdAs приводит к уменьшению плотности ПЭС. На основе совокупного анализа структурных и электрофизических исследований гетеропереходов а|в3 -

QaAs предложена модель пассивации поверхности GaAs (100) и GaAs (III) псевдоморфными слоят® халькогенидов галлия типа А^д1 (НО). Превалирующим механизмом уменьшения плотности ПЭС является перемещение ПЭС из запрещенной зоны в разрешенные при реконструировании поверхности 6(2 A S (100) и GolAs (III) в процессе ге-теровалентного замещения с образованием слоя аЦв^ (НО). Где слой соединения AgBg^IIO), вероятно, выполняет функции стабилизирующего слоя, который удерживает соответствующую реконструкцию приповерхностной области арсенида галлия. О перемещении ПЭС из запрещенной зоны в разрешенные свидетельствует постепенное уменьшение энергии активации относительно Ес поверхностных состояний (максимум П3 в спектре ИСС1У) с увеличением продолжительности обработки при замедлении скорости реакции гегеровалентяого замещения добавлением мышьяка к селену.

Для описания структуры границы раздела в гетеропереходе А^1 - Qu As использовался принцип геометрического согласования элементарных ячеек с сопряжением связей. Для достижения низкой плотности ПЭС при условии полного согласования поверхностей Ga.¿Se¿ (110) //GaAs (100) и &azsez (но) // BclAs (III) требуется реконструкция поверхностей G&As (100) и GO-As (III), соответствующих поверхностным структурам (2x1) и (2x2).

Из анализа спектроЕ ИСС1У следует, что существует взаимосвязь концентрации собственных дефектов, ответственных за электронные состояния в приповерхностной области арсенида галлия, с интегральной плотностью ПЭС. Исходя из этого сделано предположение о наличии второго.наряду с первым, механизма снижения плотности ПЭС, в основе которого лежат процессы с участием собственных дефектов. Именно этим можно объяснить зависимость интегральной плотности ПЭС от условий геометрического согласования параметров кристаллических решеток, которые определяют генерацию структурных дефектов и дислокаций несоответствия в гетеропереходах A^Bg - GO-AS

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Исследованы условия получения гетеросистемы

методом гетеровалентного замещения и установлено, что скорость роста слоев Gül^SB* толщиной более 50 нм на поверхности G&As ограничена диффузией селена.

2. Изучены общие электрофизические свойства границы раздела

в гетероструктурах до и после обработки в парах халькоге-

нов. Обнаружен факт снижения плотности ПЭС от 1,4.Кг4 эВ_1.см~2 до 5,3.10х эВ и показано, что основной причиной зтого яв-

ляется образование слоя халькогенида галлия А^Вд . А условие полного совпадения параметров кристаллических решеток в гетеропереходе J^t&s'-ßciAs обеспечивает минимальную плотность ПЭС.

3. Исследованиями кристаллической структуры показано, что на полярных поверхностях <9¿Z/?S (100) и (III) образуются слои халькогенида галлия ArjBg'5' в неполярной кристаллографической ориентации (ПО).

4. Определена энергия активации уровня, соответствующего распределенным в GO-Ab ПЭС, и составляет 0,40 + 0,05 эВ ниже зоны проводимости.

5. Предложен механизм пассивации поверхностей GüAs (100) и (III) тонкими псеЕдоморфными слоями соединений AgBg* в кристаллографической ориентации (НО), связанный с реконструкцией приповерхностных слоев арсенида галлия.

Высказано предположение о существовании, наряду с первым, второго механизма уменьшения плотности ПЭС, основанного на процессах с участием собственных дефектов арсенида галлия.

По теме диссертации опубликованы следующие работы:

1. Сысоев Б.Й., Стрыгин В.Д., Котов Г.И. Подзатворные слой Qq.¡S£$ для гетеропереходных транзисторов на Q&Áb /'/ Физические основы твердотельной электроники. Тез. докл. I Всес. кокф., 25 - 29 сент. 1989 г., - Ленинград, 1989, - т. В, - с. 236 - 237.

2. Сысоев Б.И., Стрыгин В.Д., Котов Г.И. Барьеры Шоттки на арсениде галлия, предварительно обработанном в парах селена // Письма в ЕТФ, 1990, т. 16, ß 9, - с. 22 - 26.

3. Сысоев Б.И., Стрыгин В.Д., Котов Г.И. Механизм формирования и свойства гетероконтакта М& ~Gü.As с промежуточным слоем селенидов // Физические процессы в полупроводниковых гетерострук-турах. Тез. докл. У Всес.конф., 8 - II окт. 1990 г. - Калуга, 1990, - с. 7 - 8.

4. Сысоев Б.И., Стрыгин В.Д., Чурсина Е.И., Котов Г.И. Кинетика формирования гетероструктур термической обработкой подложек GOL As в парах сачена // Изв. АН СССР. Неорган. материалы, 1991. - т. 27, Б 8. - с. 1583 - 1585, .

5. Сысоев Б.И., Стрыгин В.Д., Котов Г.И., Неврюева E.H., Дома-шевская Э.П, Электронные процессы на границе раздела в гетерострук-Tj^eGO-z^yGO-AS) //Рост кристаллов. Тез. докл. 8 Всес, конф.

2-8 февраля 1992 г. - Харьков, 1992, - т. I, - с. 120 - 121.

6. Sysoev B.I., Strygin V.D., Kotov G.I., Nevrueva E.N., Domashevskaya A.P. Formation of a Me - GaAs Heterocontact with an Intermediate Layer of Gallium Selenide // Phys. Stat. Sol.(A) ,

-1992, V.129, -p. 207 - 212.

7. Sysoev B.I., Strygin V.D., Kotov G.I. Schottky"-barri^P^l.

in Me/Ga_3,/GaAs heterostructures // Atstr.: Int. Conf. on Slec-

c- i ■.

tronio materials, Novosibirsk, 1992, -p. 177 - l7S".iiS? \ r

8. Sysoev B.I., Bezryadin Н.И., Budanov A.V., Kotov G.I.,

Chursina B.I. Formation of heavily doped regions at laser treat-

111v 111 v1

raent of heterojunction А В - Ag B^ // Book of Sum.: Int. Conf. on Advanced and laser technologes(ALT'92), Moscow, 1992, Pt. 4, -p. 121 - 122.

9. Сысоев Б.И., Безрядин H.H., Котов Г.И., Стрьггин В.Д. Влияние обработки поверхности арсенида галлия в парах хаяькогенов на свойства барьеров Шоттки в структурах Me - Gol AS // ФТП, 1993, т. 27, Л I, - с. 131 - 135.

10. Сысоев Б.И., Линник В.Д.. Котов Г.И., Титов С.А. Исследование гетероструктур А^Вд1 - AT, полученных сульфидированием в сероводороде // Тонкие пленки и нитевидные кристаллы: Межвуз. сб. науч. трудов. - Воронеж: Изд-во ВШ, 1993, - с. 59 - 66.

11. Сысоев-Б.И., Безрядин Н.Н., Котое Г.И., Агапов Б.Л.,

Стрыгин В.Д. Пассивация поверхности G&Ab (ICO) халькогенидами галлия Afs^dlO) // ФТП, 1995, т. 29, Ж, - с. 24 - 32.

Заказ 45 от 13.02.95 г. Тир. 100 экз. Формат 60 X 90 I/I6. Объем I п.л. Офсетная лаборатория В1У.