Электронные свойства полупроводников с областями нарушений тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение. 4.

Глава I. Виды неоднородностей и методы описания их влияния на свойства полупроводников. 9.

§1. Основные виды неоднородностей. 9.

§2. Теоретические методы описания свойств неоднородных полупроводников. 18.

Глава 2. Основные уравнения . 33.

§1. Уравнения переноса в неоднородных полупроводниках в диффузионном приближении . 33.

§2. Уравнения переноса в приближении слабых внешних полей. 38.

Глава 3. Гальваномагнитные.эффекты в неоднородных полупроводниках . 43.

§1. Подвижность носителей тока и эффект Холла. в неоднородных полупроводниках. 43.

§2. Анизотропия магнетосопротивления.в.неоднородных . многодолинных полупроводниках. 55.

§3. Анизотропия гальваномагнитных явлений в полупроводниках со слоистым распределением легирующей примеси. 58.

§4. Подвижность носителей тока и магнетосопротивление в полупроводниках в случае сильного (негре-ющего) электрического поля. 67.

Глава 4. Термомагнитные эффекты.в неоднородных. полупроводниках. 75.

§1. Вычисление потоков тепла и электричества. 75.

§2. Теплопроводность и термоэдс неоднородного полупроводника в отсутствие магнитного поля .79.

§3. Эффект Нернста - Эттингсгаузена.81.

Глава 5. Электрические свойства полупроводников с областями нарушений.87.

§1. Анализ модели области нарушений.87.

§2. Подвижность и скорость удаления носителей тока в полупроводниках, облученных нейтронами .94.

§3. Электрофизические свойства облученного р - Si с примесью гадолиния.109.

Выводы.123.

С развитием экспериментальной техники исследований полупроводников были обнаружены расховдения между экспериментально полу** ченными и теоретически предсказанными значениями параметров кристаллов. В первую очередь это касается температурных зависимостей подвижности носителей тока, отсутствия насыщения в поле*-вой зависимости поперечного магнитосопротивления, относительно большого продольного магнетосопротивления и др. / I /.

В начале бСЬх годов стало понятным, что упомянутые аномалии не могут быть отнесены за счет каких^дибо квантовых эффектов, а имеют классическую основу и обусловлены наличием крупномасштабных дефектов - областей нарушения в кристалле. Под областью нарушений (ОН) обычно понимается часть объема кристалла, содержа* щая достаточно большую концентрацию различного рода точечных дефектов, причем характерные размеры ее значительно меньше размеров образца. Протяженность электрических полей L , обусловленных ОН, может превышать длину свободного пробега носителей тока а :

L >Р[ - (A.I)

Кристаллы с такими ОН в литературе часто называются неоднородными.

Физические свойства полупроводников с ОН и полупроводников, содержащих то же количество точечных дефектов, размещенных равномерно по объему, качественно отличаются. Физической причиной этого обстоятельства является то, что при выполнении условия (A.I) для описания влияния ОН на кинетические явления нельзя ввести соответствующее время релаксации. В этом случае движение носителей тока в поле крупномасштабных флуктуаций электрического потенциала, связанного с ОН, носит не консервативный характер, а диффузионный и при описании кинетических явлений электрические поля ОН должны включаться в полевую часть уравнения Больц-мана наряду с внешними приложенными полями.

Соотношение (A.I) означает, что в полупроводнике можно выбрать элемент объема линейным размером t , удовлетворяющий условию 3 <t < L , который можно характеризовать локальной проводимостью СГ(г) . Поэтому закон Ома имеет вид:

Г(г)Ё(?), (А,2) где - плотность тока, - напряженность суммарного электрического поля, действующего на носители*.

Напряженностьполя Е (z) можно представить^состоящей из средней по объему < Е> и флуктуирующей Е,(?) обусловленной ОН. Очевидно, что при не очень больших <£>: где {(г) -в общем случае тензор. При рассмотрении гальваномагнитных явлений в полупроводниках с крупномасштабными дефектами.задача сводится к нахождению эффективной проводимости (Т* связывающей экспериментально измеряемые усредненные величины < Е > я —» . Так, после усреднения (А.2) получаем:

Г*~<(Г> + <(т/>, (А.З)

Основная трудность теории кинетических явлений в неоднородных пот лупроводниках состоит в вычислении /(г) -величины, являющейся функционалом случайного поля, обусловленного ОН. Аналогичное (А.2) соотношение имеет место между обобщенными термодинамическими силами и потоками, например между потоком тепла (2(ъ) и градиентом температуры vT(z),

В общем случае такая задача к настоящему времени не решена, что связано с математическими трудностями, встречающимися при решении уравнений переноса. Однако задача допускает достаточно строгое рассмотрение при небольшой степени неоднородности кристалла, когда

Такое условие выполняется во многих физически актуальных ситуациях в широкой области изменения параметров, характеризующих ОН. К ним относится случай ОН как технологического происхождения (дислокации, включения другой фазы и др.), так и ОН, образующиеся при облучении высокоэнергетическими частицами в достаточно широком диапазоне доз.

Настоящая диссертация посвящена исследованию гальвано- и термомагнитных явлений в полупроводниках с ОН, параметры которых удовлетворяют условию (А.4). Диссертация состоит из Введения, пяти глав и Выводов.

- 123 -ВЫВОДЫ

В диссертаций получены следующие основные результаты:

1. Использование кинетического подхода и статистического метода усреднения позволило впервые построить теорию, количественно описывающую электрические свойства полупроводников, облученных небольшими дозами быстрых нейтронов. Показано, что для согласованного описания изменения концентрации и подвижности носителей тока существенно необходим учет распределения ОН по размерам. Основные теоретические результаты исследования зависимостей концентрации и подвижности носителей тока от дозы облучения, концентрации легирующей примеси и температуры подтверждены экспериментально.

2. Показано, что в полупроводниках с областями нарушений омическая и холловская подвижности различным образом зависят от степени неоднородности кристалла. Это обстоятельство приводит к тому, что постоянная Холла не определяет среднюю по объему концентрацию но-сителец тока, или другими словами, фактор Холла зависит от степени неоднородности кристалла. Этот результат является общим для всех видов неоднородностей и для плавных неоднородностей получен впервые.

3. Проведен теоретический анализ влияния областей нарушения на маг-нитосопротивление с учетом зависимости времени релаксации от энергии носителей тока. Показано, что наличие изотропных областей нарушения приводит к сглаживанию.анизотропии магнитосопротивления, обусловленной зонной структурой, в полупроводниках типа п - Ge. .

4. Проведен анализ влияния слоистости в распределении легирующей примеси на магнитосопротивление и эффект Холла при произвольном расположении вектора <J> усредненной плотности тока и напряженности

Н магнитного поля по отношению к слоям. Полученные результаты объясняют экспериментально наблюдавшиеся осцилляции магнитосопротивления.

5. Построена теория термомагнитных явлений в полупроводниках с областями нарушений. Показано, что как величина, так и знак ЭДС Нернста-Эттинсгаузена могут изменяться со степенью неоднородности при неизменном механизме рассеяния носттелей тока, а зависимость ЭДС Н.-Э. от напряженности магнитного поля качественно отлична от таковой, в случае однородного полупроводника. . .-.

6. Анализ экспериментальных данных исследования подвижности носите-г лей тока.в р-. $i ,.легированном.редкоземельными элементами и.облученного. электронами, на основе полученных-в диссертации теоретических результатов, позволил предложить модель, дефектообразования^ основанную на. взаимодействии точечных радиационных дефектов с макроскопическими включениями редкоземельных элементов. Модель описывает известные, экспериментальные результаты.исследования влияния. примесей редкоземельных элементов на процессы дефектообразования.

Автор считает своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность научным руководителям - кандидатам физико-математичес-. ких наук Шаховцову В.И. и Ясковцу И.И. за предложенную тему исследования, постоянную поддержку и многократные обсуждения результатов работы. Я также благодарна Шаховцовой С.И. и Шиндичу В.Л. за за помощь и обсуждение экспериментальных результатов, Крайчинскому А.Н. и Гирию В.А. за.полезные дискуссии. . .

Приношу благодарность всем сотрудникам отдела физики-радиационных процессов за плодотворные дискуссии и дружеское участие.

1. JMipateL R.S. Ua^/z^tozeusicihc^ in P£S} PS, Sz and,

2. PBTe at Z95* and Pkys. Retr. me, v. Ш,1. M3f p.m-836. ;

3. Пекар С.И. Теория подвижности, эффекта Холла и магнетосопротивления в электронном полупроводнике с заряженными дефектами. ФТТ, 1966,т.8,Jfc4,c.III5 1122.

4. Bate R.T Hect-ucag рюргъёСел, of А/о/ъигк^оьяъtyitaXs. У/ъ SeHvLcon.c&e,c,to74 cuict t1962} v. p. 459-Ш.4. bcute. кХ, Выъ Л, С. Уп^&^епсе. of ConoUcztcVciy.

5. Сгго/йгпи on, QaJfcctn&mjirpn&tCc, Infects Cn Se.rrU -a?nduztc»L6. J. Лррг. Phys^ к Щ p $ op-8o5t

6. В-еел J). £ fyfects Cn. Ill- V Compound ScryUco/iduУ, Pk^1. Supply J964, v, 31, WO,6. bctte RX, ЬШ V.C., Веел Л.С. of JllagnetoboriductoifLty. on.hbd^hetCc tffecfy Cr? Inctiutn. Ап&ркжСак. J.Appt.P/u/x, i, i/. 32, MS, P• $06-814.

7. Фистуль Б.И. Сильно легированные полупроводники. М., "Наука", 1967,416с.

8. Дицман В.И., Куприянова Т.А., Селезнева М.А. Исследование состава включений в монокристаллах германия и кремния. Известия АН СССР, Неорг. мат. , 1975, т.II, КЗ,с. 537 - 538.

9. Шаховцов Б.И., Шиндич В.Л. Особенности поведения в полях радиации кремния, легированного редкоземельными металлами. В кн.: Радиационные эффекты в твердых телах. К., Наукова думка", 1977, с. 88 - 102.10. ?о-ег Н., ЛалЛ иг Щ- CntvusUtiaA,

10. WCLCcinUcb ouioL ~Ьк&Съ С п. it^ce^n ctntiу&г/п&пш/тъ. H&ttLCLfoen Z^feUs in Se/ъс'cemfac.toM Рссвю^поА^ 79П, p. </2-29. '

11. Еремин В.К., Даненгири С.Г., Строкан Н.Б., Тиснек Н.И., ТУре-беков У.Ш. О природе крупномасштабных ловушек в особо чистом германии. ФШ, 1977, т.II, J&6, с. II9I - 1193.

12. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. К., "Наукова думка", 1979, 332с.

13. Кондрачук А.В. Некоторые пространственно неоднородные задачи радиационной физики твердого тела. Автореферат канд. дис. на соисканик уч. степени канд. физ.-мат. наук. К., Институт физики АН УССР, 1977, 22с.

14. Шаховцов.В.И., Ясковец И.И. Некоторые проблемы радиационной физики твердого тела. УФЖ, 1979, т.24, №2, с.193 - 203.

15. Я, jr A/o^ic Н. В. Лп EPZ si^cfy ofion ^ctoUcttioricianLctp^ ш 4с£ш?/ъ. HaMcti, £/Д 49? /, v.8tMt р.

16. Coetii Я МсЬсЛМ X optical antt г&с£*исл<6of ktgji -ef d&fecfe it

17. UoL csufitcMt/iz gMt£&xs>b йл-iesude. Adv. Pky$>y MS, p. *93-Ш.

18. Коноваленко Б.М., Рывкин C.M., Ярошецкий И.Д. Исследование радиационных дефектов в германии, созданных быстрыми электронами с энергией 28 МэВ. ФТТ, 1963, т.5, Й8, с.2075 - 2086.

19. Абиев А.К., Ухин Н.А. Низкотемпературное облучение германия электронами с энергией 28 МэВ.- ФШ, 1970, т.4,№3, с.484 -487.

20. ЬСо lb P<f Уъъсьои&ЫЖ О-ег^иь/ы'^т,

21. РШ. Map., S969, к S9, A/S52, p. 3J?4~3Z4.

22. GrOltccA 06*>ozdt7&?t in, iem^'co/ipUsc -Ьоъ*> BomgfrtflktC Fait А/аи-бъом. У. Лрр€.1. АЦя, 4959, к MS, p.24. ibecn К tgecjrUcal JtuM&t &<f А/е^къоп- L-L^MQ.

23. ЬгоС к- : ЗЬгы.е6и^иг a-n&L сытсд

24. Zing. Р!щб, в&г, УМ?, I/. U3/ А/3, p. M-SoS.

25. Коноплева Р.Ф., Остроумов В.И. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием. М., Атомиздат. 1975, 128с.

26. Шокли В. Теория электронных полупроводников. М. ИИЛ, 1953, 714с.

27. JUoWv Т.у JilCubCL У. P. Pb&p&bttCb Cotbtcufbifig, fiz&e/uc. asiU Bo ton t

28. PhtjS. Heo-., <1954, v. $6, />. 28- 35.

29. JUoun. 7.1, JlsLcuici, Jp^ CotirtuctLtsiiij. ИаЖin the. ytbttLrilic ^cuupe, G-e^z^eui^u^rL Pkyi. Zecr^ v. 96, Vj, p

30. Ю&А&еър y.R, MnorrLdS^ JUo£o&-by c?n So/ne.

31. Шсоприссёог* сигсС Jtbtu&nto'bs У. ^pp£. Phy-з. ^ J 9 62, I/. 33, p. 4 m in I30^ictrui^cbfb /. M. балъсеъ1. Щес-Ьбtens. Тг&п4. Set., J968,

32. Джандиери М.Ш., Церцвадзе А.А. Исследование подвижности носителей заряда в полупроводниках с разупорядоченными областями. ФТП, 1971, т.5,№7, с.1445 1453.

33. Тг&сА, К 'сЫоШ-с-бг Ш&бгол Тгм5рог£

34. УСрА Зе/преъл.Ьился i/ъ Ш Рч^е/г* of tM. Pty<6. 4Ш, V.S23, //S </542 -SS4 0.

35. Шаховцов В.И., Шаховцова С.И., Шпинар Л.И., Ясковец И.И. Подвижность носителей тока в германии с областями разупорядоче -ния. ФШ, 1975, т.9,$11, с. 2200 - 2202.

36. Толпыго К.Б. Об уравнениях переноса в теории полупроводников. Труды Института физики АН УССР, Киев, 1952, вып.З, с.52 8 83.

37. Корнюпшн Ю.В., Пекар С.И. Теория подвижности, эффекта Холлаи магнитосопротивления в полупроводниках с.линейными дислокациями. ФТТ, 1966, т.8, Н, с.1122 - 1128.

38. Ережепов ГЛ. Термоэлектрические и термомагнитные явления в полупроводниках с учетом.поля ионизированных примесей в случае слабых магнитных полей. ФШ, 1971, т.5, №5, с.815 8 821.37. с. tyje&t of fl&ncfo/TL Уп./ьопьс>ре.л£.Шс±

39. Огь ЪёеоЬгесаЛ Сьпоб G-a^crGLno/ruip/T&iCc

40. Pkyj. f J960, К 3/, Л/Н, </939

41. Кудинов. В.А., Мойжес Б.Я. Эффективная проводимость неоднородной изотропной среды. -ЖТФ, 1972, т.42, №3, с.591 602.

42. Кудинов В.А., Мойжес Б.Я. Влияние случайных неоднородностей на измерение термоэдс и коэффициента Нернста в сильном магнитном поле. ФТТ, 1968, т.8, №4, с. III5 - III8.

43. Бабич В.М., Баранский П.И., Ильчишин В.А., Шершель В.А. Об аномально большом магнитосопротивлении бездислокационных кристаллов n-G-г , обогащенных примесью кислорода. ФТП, 1976, т.10, №9,с.1735 - 1738.

44. Бабич В.М., Баранский П.И., Городничий О.П. К вопросу о природе магнето сопротивления п- и р- JnSL УФК» т. 16, 1Щ, с.1921-1925.

45. Бабич В.М., Баранский П.И., Ильчишин В.А., Шершель В.А. Поперечное магнетосопротивление компенсированных кристалловс примесью кислорода в пассивном и электрически активном состояниях. ФШ, 1974, т.8, JS9, с. 1823 - 1824.

46. Гордей П.Н., Гавалешко Н.П., Кавьюк П.В., Солончук Л,С., Тара-сюк И.И., Шендеровский В.А. Термомагнитные эффекты в анизотропных полупроводниках типа р-Те. Сопоставление теории с экспериментом. Препринт ИФ - 78 - 3, К., 1978, 30с.

47. G-frawfaikko Af.P.j А/К, y.Z1. Jia-гштелле. А/егп^-6

48. HUn^kciu^m^fb effect Cfi Те, Phys. tta,i. С в) 491B, v.SS, Ml, p.

49. Ыю^Цъ^С 1£IA6CL$WL0. UifrA TLSSPC -Сл. оигсС У/ъЬо*7н?ре,/г£.С toei Cn, n -Gai^tru^fiut^fn,. Y. Phpt, 4oc. У&рооъ, .496в/ Kf, 24 A/4 p . 440-124.

50. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред. - УФН, 1975, т. 117, J£3, с.401-435.

51. Сокел, JU. У?-, УогЬпел, У. Mtrftttm,

52. ТМоъу, <£с?г t/ге, каЛ fyfects Си Фс'бог^е

53. Pkyt. Zecr. УМел* t 49?3, v. 30, М45/р. 696-699.47. dkante, V.R. KL^KpcttitcA S. An, Vrthbodfc-'biotb to Ре ъсо&ь-ЬСогъ Th&oty. Achy. Pty*^ 49? <4^v, 20f А/2 , p. 325-357.48. fcCzAptLtucA S, Регсо£&£и?/г foifi&uLtfo/L. Reef. JUoot. 4913, 1/. /I

54. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М., Наука, 1979, 416с.

55. Шик А.Я. Эффект Холла и подвижность электронов в неоднородных полупроводниках. Письма в ЖЭТФ, 1974, т.20, №1, с.14 -16.

56. Скал А.С., Шкловский Б.И. К теории эффекта Холла в случайно неоднородных полупроводниках. ФШ, 1974, т.8, $8, с.1586 -1592.

57. Карпов В.Г., Шик А.Я., Шкловский Б.й. К теории эффекта Холла в случайно неоднородных полупроводниках.- ФТП, 1982, т.16, J&8, с.1406 - 1410.

58. Головкина Э.Д., Левченя Н.Н., Шик А.Я. Аномалия температурной зависимости холловской подвижности в компенсированном п- . ФШ, т.6, №2, с.383 386.

59. Абессонова Л.Н., Добровольский В.Н., Еарких Ю.С., Фролов О.С., Шик А.Я. Об интерпретации результатов холловских измерений в неоднородных полупроводниках. ФТП, 1976, т. 10, J£2, с.406 -408.

60. Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках. ФТП, 1976, т. 10,с.209 232.

61. Дахно А.Н., Емельяненко О.В., Лагунова Т.О., Шик А.Я. Магни-тосопротивление в неоднородных кристаллах р- У/? $ё .- ФШ, 1980, т.14, «6,0.1110 III4.

62. Коноплева Р.Ф., Литвинов В.Л., Ухин Н.А. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. М.Дтомиздат, 1971, 174с.

63. Долголенко А.П. Исследование монокристаллов кремния с кластерами дефектов. Автореферат канд. дис. на соискание уч. степени канд. физ.-мат. наук.К., Институт физики АН УССР, 1977, 18с.

64. K&tcA&bko т. X, otorrUL-ko V. м. Tem-peztbtz^be. 2)£р-е/ъdmct o{ САсиьре, Сс^Ые^ Ллоёё&Ъу. 1л лs

65. Со/ъШ/им defect Ci^te^s. Pkm. 5иЫ. M. (л), S98&. v.??,

66. Миерянын А.Я. Прогнозирование радиационного изменения основных электрофизических свойств кремния и гермения. Автореферат канд. дис. на соискание уч. степени канд. физ.-мат. наук Рига, Институт физики АН ЛССР, 1978, 16с.

67. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М., Наука, 1978, 615с.

68. Шкаровский И., Джонстон Т., Бачинский М. Кинетика частиц плазмы. М. Атомиздат, 1969, 396с.

69. Прима Н.А. Магнитосопротивление тонких слабо неоднородных полупроводниковых пластин. - ФШ, 1975, т.9, №10, с.2036 -2040.

70. Кравченко А.Ф., Митин В.В., Скок Э.М. Явления переноса в полупроводниковых пленках. Н.,Наука, 1979, 256с.

71. Шпинар Л.И., Ясковец И.И. К теории подвижности носителей тока эффекта Холла и магнетосопротивления в полупроводниках с дефектами. В кн. Радиационные эффекты в твердых телах. К., Наукова думка., 1977, с.139 149.

72. Шермергор Т.Д. Теория упругости микронеоднородных сред. М., Наука, 400с.

73. Botwiei.R.c. StochcutCcaMp- 135

74. Wt-ih. Арр&мьЬfa/14 to pu^pcLg^Lico/г с/г

75. Rcuic&m Щ/ttcL. A/uvcTo 6cm, f <f962,v,2& M 4 p• 4-31

76. Ахиезер А.И., Берестецкий В.Б. Квантовая электродинамика М., Наука, 1969, 624с.69# Ноге It., 3°, TUo^icca.^ а.ррс?^сЛ^

77. Ъо Ctbk&fnoсип tyx&spobt tfe рЬ-богр^ъееСhteOca,, У. Rhys. С : Solt'd, State. Ph^s,f

78. B&iatz JU. tlte, of the. Vct'UcLico/iaX Appz&ctcA. ho Q&UsubCm. BonsLok fioi -the. Р-еът-с-ЬtitTL'by 6/7 PcLnd&hb JU&pCtct JV^o^o бс/пе/гЬо, J965, v. 32, V2, p. 771-782.

79. Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках. Л., Наука, 1970. 303с.

80. Баранский П.И., ЗДа И.О., Даховский И.В., Коломоец В.В. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках. К., Наукова думка, 1970, 270с.

81. Винецкий В.Л., Кухтарев Н.В. Анизотропия гальваномагнитных эффектов в слоисто неоднородных полупроводниках.- УФК, 1973, т.18, №6, с.1182 - 1185.

82. С^ Ptcpp гесАЪ. tcn/Ax tfo/ъ У/гк&гл&р&гиtcite/ъ nub JcfaCc&fe/£4964, i/. 46, №44, p, usZ- 136 75. ^i&w.M'&L К, Szcvb-kouri'lU tfm Ga/Lra-nv/rLtLgMz-tCc tffeeb

83. ActcL pfop. рое. A., <f9?9 v. 56, A/4, p. 99-S03.

84. Шпинар Л.И., Ясковец И.И. Анизотропия гальваномагнитных эффектов в полупроводниках со слоистым распределением легирующей примеси. УФЖ, 1982, т.27, JS2, с.256 - 258.

85. Я.К., JU. A/bctoitepffL $4 (у-й-йшюшь^.n&tc'c, bffe&fa Оь Угш.Жса-ЬЫ^

86. Soi. La), JUS, v.5o,/V2., K469-MW3.

87. Баранский П.И., Бабич В.М., Доценко Ю.П., Шаповалов В.П. Влияние слоев роста и статистически распределенных неоднородностей на магнитосопротивление п ФШ, 1979, т. 13, №6, с.1216 1219.79* \{0u4eJbUoir (ЯшъЬшъ

88. Сп, Г-УъъалисьЬеЖ n-St ид;6k, yeMify. Phys. Sot. id), I'9?у. QS, /Vi, K47

89. Кухтарев H.B. Теория кинетических эффектов в слоисто неодно родных полупроводниках. Автореферат канд. дис. на соискание уч. степени канд. физ.-мат. наук.К, Институт физики АН СССР, 1972, 19с.

90. Брандт Н.Б., Ионн Э.Р., Чудинов С.М. Аномальная анизотропия магнитосопротивления и Cj. фактора в Письма в 1ЭТФ, 1975, т.22, №, с.324 № 328

91. ЯоШъыгСп, С. £ fcooitcAtir V,T Pe-UtMcL^te* o^tOle 4об tOJi Се, Ltt .

92. В А И, r, Z9/ /у5, с. 334-333.

93. Глузман Н.Г., Леринман Н.К., Сабирзянова Л.О., Цидильковский И.М. ,К вопросу об анизотропии магнитосопротивления п- JnS&, ФШ, 1980, т.14, №5, с.1022 1024.

94. Пипа В.И. К теории электропроводности неоднородных полупроводников,- УФН, 1969, т.14, №2, с.199 201.

95. Заварицкая Э.И., Воронова И.Д., Рождественская Н.В.,Переход металл диэлектрик в магнитном поле в компенсированном арсениде галлия.- ФШ, 1973, т77, J&8, с. 1479 - 1484.

96. Шпинар Л.И., Ясковец И.И. Особенности кинетических явлений в полупроводниках с областями нарушений. Вопросы атомной науки и' техники, 1982, №4, с.25 - 26.

97. Цидильковский Й.М. Термомагнитные явления в полупроводниках. М., ШФШ. I960, 396с.

98. Шпинар Л.И., Ясковец И.И. К теории эффекта Нернста Эттинг-сгаузена в неоднородных полупроводниках. - ФШ, 1983, т. 17, J£9, c.I69I - 1694.

99. Сафаралиев Г.Иг, Вагабова Л.К. Исследование особенностей переноса заряда в сложно легированном компенсированном . ФШ, 1981, т.15, №5, с.839 - 845.- ш

100. Ухин Н.А. Влияние сильных структурных повреждений на свойства полупроводников. Препринт ИАЭ - 1982, М., 1970, 24с.

101. Винецкий В.Л., Шейнкман М.К., Ясковец И.И. О природе аномальной температурной зависимости темновой проводимости полупроводников. ФШ, 1976, т. 10, №8, с. 1535 - 1539.

102. Шпинар Л.И., Ясковец И.И. К теории проводимости и эффекта Холла в неоднородных полупроводниках. ФТТ, 1984, т.26, №6, с.1725 - 1730.

103. Шпинар Л.И., Ясковец И.И.Подвижность носителей тока, эффекта Холла и магнитосопротивления в полупроводниках с областями разупорядочения. Препринт ИЯИ АН УССР, К., 1976, 76 -24, с. 31 - 32.

104. Ясковец И.И., Шпинар Л.И. К теории электрических свойств полупроводников, облученных высокоэнергетическими частицами. Рук. деп. ВИНИТИ, №-3177,16.04.81.

105. Павлюк I.A. Асимптотичн1 властивост1 розв'язк1в неавтономных систем дифференц1альних рГвнянь другого порядку. К., Вид.ВДУ 1971, 205с.

106. Шаховцов В.И., Шаховцова С.И., Шпинар Л.И., Ясковец И.И. Подвижность носителей тока в полупроводниках с областями разупорядочения. ФТП, 1977, т.П,)йЮ,с.1967 - 1971.

107. Бонч Бруевич В.Л. Квазиклассиче.ская теория движения частицв случайном поле. В кн.: Статистическая физика и квантовая теория поля. Под ред. Боголюбова Н.Н. М., Наука, 1973, с.337-391

108. Ыок, . 7. Pktf., 496S, 463, Г/6, p.2Z90-29e>4,

109. Крамер-Агеев Е.А., Миронов Ю.А. Особенности рекомбинации на сложных радиационных дефектах в кремнии, облученном быстрыми нейтронами. ФТП, 1975, т.9, №2, с.2201-2205.

110. Шаховцов В.И., Шаховцова С.И., Шпинар Л.И., Ясковец И.И. Иссле дование подвижности носителей тока в Qe, облученном нейтронами Препринт ИЯИ АН УССР, К., 1976, 76 -24, с.7-8.

111. Романов Н.Г., Смирнов Л.С. О взаимодействии точечных дефектовс грнницей раздела StOz~St ФИ,1976, т.10,}£5, с.876 881.

112. Юб.Неймаш В.Б., Соснин М.Г., Шаховцов В.И., Шиндич В.Л. Дефекто-образование в п-кремнии с примесью гадолиния. -ФШ, I98I.T.I5, Н, с.786 788.

113. Антоненко Р.С., Карпов Ю.А., Шаховцов В.И., Шиндич В.Л, Шпи-нар Л.И., Ясковец И.И. Электрофизические свойства облученного р- 8С с примесью гадолиния. ФИ1, 1978, т. 12, IJ9,c.I707-I7I3.

114. Корнюпшн С.И. Радиационные повреждения на границе раздела диэлектрик полупроводник. Автореферат канд. дис. на соискание уч. ст. канд. физ.-мат. наук, Киев, Институт физики АН УССР, 1977, 22с.