Электронные транспортные свойства чистых металлических монокристаллов в сильных магнитных полях тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. МЕХАНИЗМЫ РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПРОВОДИМОСТИ И КИНЕТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МЕТАЛЛОВ В СИЛЬНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ.

1.1. Кинетические свойства металлов в сильных магнитных полях. Основные механизмы рассеяния электронов проводимости.

1.2. Электрон-поверхностное рассеяние и статический скин-эффект.

1.2.1. Теоретические представления.

1.2.2. Эксперименты по изучению статического скин-эффекта

1.3. Интерференционный механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность".

1.4. Межлистное электрон-фононное рассеяние и экспонента Пайерлса. Эффект температурного (фононного) пробоя

1.5. Дефекты кристаллической решетки и электронные свойства металлов.

1.5.1. Дислокационные стенки, деформационные поля дислокаций и сопротивление металлов. Эффект дислокационного (деформационного) пробоя.

1.5.2. Радиационно-индуцированные дефекты и электронные свойства металлов.

1.6. Модели поверхностей Ферми.

1.6.1. Модели поверхностей Ферми вольфрама и молибдена.

1.6.2. Модель поверхности Ферми рения.

1.7. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ.

ГЛАВА 2. ОБРАЗЦЫ И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Характеристики исследуемых образцов.

2.2. Блок-схема установки для исследований кинетических свойств.

2.2.1. Магнитные поля и их контроль.

2.2.2. Устройство для вращения образца в магнитном поле.

2.2.3. Измерение температуры.

2.3. Методика измерений.

2.3.1. Монтаж образцов.

2.3.2. Методика измерений магнитосопротивления.

2.4. Методики оценок величин некоторых физических параметров.

ГЛАВА 3. РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ПРОВОДИМОСТИ НА ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛА И ЭЛЕКТРОННЫЕ ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА. СТАТИЧЕСКИЙ СКИН

ЭФФЕКТ В СИЛЬНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ.

3.1. Электрон-поверхностное рассеяние и статический скин-эффект в металлах с замкнутой поверхностью Ферми.

3.1.1. Эффект формы образца в магнитосопротивлении монокристаллов вольфрама и молибдена.

3.1.2. Статический скин-эффект в сильных магнитных полях.

Роль "объемных" и "поверхностных" электронов.

3.1.3. "Размерный" эффект в магнитосопротивлении.

3.2. Статический скин-эффект в металлах с открытой поверхностью Ферми.

3.2.1. Типы электронных траекторий в рении.

3.2.2. Магнитосопротивление в случае замкнутых электронных траекторий.

3.2.3. Магнитосопротивление при реализации широких слоев открытых электронных траекторий.

3.2.4. Магнитосопротивление в случае двумерной области и пространственной сетки открытых электронных траекторий.

3.2.4.1. Двумерная область открытых траекторий.

3.2.4.2. Пространственная сетка узких слоев открытых электронных траекторий.

3.3. Статический скин-эффект в теплопроводности монокристаллов вольфрама в сильных магнитных полях.

3.4. Интерференционный механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и квадратичная температурная зависимость магнитопроводимости вольфрама и молибдена.

3.5. Выводы.

ГЛАВА 4. ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ И ЭКСПОНЕНЦИАЛЬНАЯ ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ. ЭФФЕКТ ТЕМПЕРАТУРНОГО (ФОНОННОГО) ПРОБОЯ В СИЛЬНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ.

4.1. Роль внутри- и межлистного рассеяния носителей заряда в температурных зависимостях магнитосопротивления вольфрама.

4.1.1. Наблюдение экспоненциальной температурной зависимости магнитопроводимости вольфрама в условиях сильного межлистного электрон-фононного рассеяния.

4.1.2. Внутрилистное рассеяние и степенной закон изменения магнитопроводимости вольфрама с температурой.

4.2. Температурная зависимость магнитопроводимости молибдена в сильных магнитных полях.

4.3. Эффект температурного (фононного) пробоя в сильных магнитных полях.

4.4. Выводы.

ГЛАВА 5. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ПРОВОДИМОСТИ С ДЕФЕКТАМИ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ И МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ ЧИСТЫХ МЕТАЛЛОВ В СИЛЬНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ. ЭФФЕКТ ДИСЛОКАЦИОННОГО ПРОБОЯ.

5.1. Дефекты кристаллической структуры в исследованных монокристаллах вольфрама и молибдена.

5.2. Рассеяние электронов проводимости на дислокационных стенках и магнитосопротивление кристаллов вольфрама. "Внутренний" размерный эффект.

5.3. Взаимодействие носителей заряда с изолированными дислокциями и магнитосопротивление вольфрама и молибдена.

5.4. Эффект дислокационного (деформационного) пробоя.

5.5. Рассеяние электронов проводимости на радиационно-индуцированных дефектах и его влияние на магнитосопротивление.

5.5.1. Магнитосопротивление и радиационные дефекты при облучении вольфрама ионами криптона.

5.5.2. Радиационно-индуцированные дефекты и магнитосопро-тивление вольфрама при его облучении 5-МэВ электронами.

5.6. Выводы.

Актуальность темы. Современная электронная теория металлов [1], опирающаяся на экспериментальные работы [2-5], была в основном построена в работах Лифшица, Азбеля, Каганова, Песчанского [6-9] еще в конце 60-х - начале 70-х годов. Согласно этой теории, электронные транспортные свойства металлов в сильных магнитных полях (когда величина ларморовского радиуса электрона Гн много меньше длины свободного пробега электронов проводимости I Гн « I) в основном определяются топологией поверхности Ферми конкретного металла и состоянием его компенсации (соотношением между концентрациями носителей тока электронного Пе и дырочного щ типа), т.е. факторами, жестко фиксирующими тип электронных траекторий в металле. При этом процессы рассеяния электронов проводимости не оказывают непосредственного влияния на вид электронных орбит и асимптотику полевых зависимостей кинетических коэффициентов, а лишь изменяют величину эффективного магнитного поля Нэфф посредством параметра

Однако в последние годы эти представления были существенно расширены. Оказалось, что вид электронных траекторий в металле, следовательно, и поведение его электронных свойств, может существенно изменяться при рассеянии носителей тока на поверхности кристалла, при их взаимодействии с длинноволновыми фононами, дислокациями и другими дефектами кристаллической структуры. Были экспериментально и теоретически обнаружены такие новые электронные эффекты как статический скин-эффект [10], температурный (фононный) пробой [11], дислокационный (деформационный) пробой [12] и др. В этих случаях процессы рассеяния носителей заряда непосредственно приводят к изменению вида электронных траекторий в металле и прямым образом влияют на поведение его электронных транспортных свойств в сильном внешнем магнитном поле.

Статический скин-эффект - это концентрация постоянного электрического тока вблизи поверхности проводника, возникающая в результате электрон-поверхностного рассеяния (рис. В.1). Он был предсказан теоретически в работах Азбеля-Песчанского [10] и исследован экспериментально в работах Панченко [13], Гайдукова [14] и др. [15,16] в металлах с замкнутой поверхностью Ферми, когда параметр -0.1-1 й - поперечный относительно магнитного поля Н и электрического тока у размер образца). Несмотря на достаточно большое количество экспериментальных работ по изучению статического скин-эффекта, до сих пор существует точка зрения (см., напр., гл. 12 в [14]), что влияние поверхностного рассеяния на электронные свойства металлов должно уменьшаться с ростом магнитного поля вследствие уменьшения отношения параметра г/й?, то есть уменьшения доли "поверхностных" электронов по сравнению с "объемными" (рис. В.1). Кроме того, до выполнения настоящей работы практически отсутствовали экспериментальные данные о подробном исследовании статического скин-эффекта в металлах с открытой поверхностью Ферми, а также о возможности скинирования не только электрического тока, но, например, и теплового потока.

Следует также отметить, что в таких чистых "размерных" кристаллах ранее в отсутствие магнитного поля был обнаружен интерференционный механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность", приводящий к квадратичной температурной зависимости электросопротивления [17]. Интересно выяснить, существует ли подобный механизм рассеяния в условиях магнитного поля и каковы особенности его проявления в магнитосопротивлении металлов.

Температурный (фононный) пробой - это изменение вида электронных траекторий в металле в магнитном поле в результате сильного

8>Н Е .

Рис. В.1. Схема статического скин-эффекта с двумя типами электронов проводимости: "объемными" (1) и "поверхностными" (2). В результате большей м м подвижности поверхностных носителей заряда по сравнению с "объемными", поверхностная магнитопроводимость сис""* оказывается много больше магнитопроводимости объема аллл и, как следствие, постоянный электрический ток концентрируется вблизи поверхности проводника в слое толш;иной порядка ларморовского радиуса Гц. Здесь й - поперечный относительно магнитного поля Н и электрического поля Е размер образца. межлистного электрон-фононного рассеяния [11]. Этот эффект может возникать при взаимодействии электронов с фононами, волновой вектор которых И равен или превышает минимальное расстояние между ближайшими листами поверхности Ферми Лк (рис. В.2). В сильном магнитном поле такое межлистное электрон-фононное рассеяние может приводить к изменению вида электронных орбит, например, из замкнутых траекторий в квазиоткрытые (штриховые линии на рис. В.2). Ранее межлистное электрон-фононное рассеяние и его роль в гальваномагнитных свойствах металлов были изучены экспериментально, но лишь в области промежуточных магнитных полей, когда / ~ гя . Кроме того, отсутствовали надежные экспериментальные данные о наблюдении экспоненциальной температурной зависимости магнитосопротивления (экспоненты Пайерлса), которая, согласно теории [18], должна наблюдаться в металлах в условиях межлистного электрон-фононного рассеяния в области сильных магнитных полей.

Эффект дислокационного (деформационного) пробоя был предсказан в теоретической работе Слуцкина и Маленкина [12] и представляет из себя изменение вида электронных орбит в металле в результате малоуглового рассеяния электронов проводимости на дислокациях, приводяшего к переходу носителей заряда с одного листа поверхности Ферми на другой. Эффект дислокационного пробоя во многом подобен температурному пробою. До выполнения настоящего исследования данные об экспериментальном обнаружении дислокационного пробоя отсутствовали.

Облучение металлов высокоэнергетическими частицами приводит к возникновению в них радиационно-индуцированных дефектов. До сих пор изучали влияние таких дефектов на остаточное электросопротивление и его температурные зависимости без магнитного поля [19]. Экспериментальные данные о роли радиационно-индуцированных дефектов в магнито-сопротивлении чистых металлов отсутствовали. лк

Рис. В.2. Схема температурного (фононного) пробоя.

Взаимодействие электрона в состоянии Л; с фононом, волновой вектор которого q больше межлистного расстояния Лк, может привести к переходу электрона в состояние к2. Буквами к VI е здесь обозначены листы дырочного и электронного типа, а штриховой линией показана квазиорбита, возникающая в результате температурного пробоя в магнитном поле.

Принимая во внимание сказанное выше, можно сформулировать цель данной работы.

Цель работы. Цель диссертационной работы заключается в выяснении роли механизмов рассеяния электронов проводимости в электронных транспортных свойствах чистых металлов в сильных магнитных полях. Изучались такие процессы рассеяния как электрон-поверхностное, интерференционное "электрон-фонон-поверхность", межлистное электрон-фононное и взаимодействие носителей тока с дефектами кристаллической структуры (дислокациями и радиационно-индуцированными дефектами), а также связанные с ними новые электронные эффекты (статический скин-эффект, температурный пробой, дислокационный пробой и т.д.). Для достижения поставленной цели было необходимо решить следующие задачи.

1. Выяснение возможности существования статического скин-эффекта в области сильных магнитных полей при гл/й « 1 в металлах как с замкнутыми, так и с открытыми поверхностями Ферми.

2. Поиск теплового аналога статического скин-эффекта, то есть концентрации теплового потока у поверхности проводника, в чистых металлах в условиях сильного электрон-поверхностного рассеяния в магнитном поле.

3. Изучение интерференционного механизма рассеяния "электрон-фонон-поверхность", а также его проявления в магнитосопротивлении чистых металлов.

4. Поиск и подробное исследование эффекта температурного (фононного) пробоя в металлах в сильных магнитных полях.

5. Экспериментальное обнаружение экспоненты Пайерлса (экспоненциальной температурной зависимости магнитосопротивления) в чистых металлических кристаллах в условиях сильного межлистного электрон-фононного рассеяния.

6. Изучение роли электрон-дислокационного рассеяния в электронных свойствах металлов в сильных магнитных полях. Экспериментальное доказательство существования эффекта дислокационного (деформационного) пробоя.

7. Исследование роли радиационно-индуцированных дефектов в высокополевом магнитосопротивлении чистых металлов.

Для решения поставленных задач были использованы особо чистые монокристаллы вольфрама, молибдена и рения. Выбор объектов исследования был связан, во-первых, с тем обстоятельством, что поверхности Ферми этих металлов достаточно подробно изучены [ 1,20] и их можно использовать в качестве "модельных" металлов для изучения особенностей рассеяния носителей заряда в сильных магнитных полях. Во-вторых, "электрическая чистота", то есть отношение сопротивлений при комнатной и гелиевой температурах рзоо к /р4.2 к , имеющихся в настоящее время монокристаллов столь высока, что при низких температурах (до « 10 К) всегда выполнялись условия статического скин-эффекта {гн « (1 < I), а условия сильных эффективных магнитных полей (гя « I) всегда были выполнены в исследованном интервале температур (2 К < Т < 70 К) и магнитных полей (до 300 кЭ). В-третьих, на примере монокристаллов вольфрама и молибдена можно изучать роль процессов рассеяния электронов проводимости в кинетических свойствах металлов в условиях замкнутых электронных траекторий, а поверхность Ферми рения содержит открытые участки, что позволяет экспериментально реализовать различные типы электронных траекторий.

Научная новизна. В работе получены следующие новые результаты.

1. Экспериментально показано, что статический скин-эффект в чистых компенсированных металлах существует и в очень сильных магнитных полях (до 300 кЭ), когда Гд/й? «1.

2. Экспериментально продемонстрировано, что в условиях сильного электрон-поверхностного рассеяния может наблюдаться тепловой аналог статического скин-эффекта - концентрация теплового потока у поверхности чистого компенсированного металла в магнитном поле.

3. Обнаружен и исследован интерференционный механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность", приводящий к квадратичной температурной зависимости магнитосопротивления в сильном внешнем магнитном поле.

4. В области сильных магнитных полей подробно изучен эффект температурного (фононного) пробоя в чистых металлах. Обнаружено, что межлистное электрон-фононное рассеяние и температурный пробой могут приводить к сильной анизотропии электропроводности (до 83%), т.е. зависимости магнитопроводимости от направления электрического тока даже в кубическом металле.

5. Обнаружена и подробно исследована экспоненциальная температурная зависимость магнитосопротивления (экспонента Пайерлса) в чистых металлах в условиях сильного межлистного электрон-фононного рассеяния при Гн «I

6. Обнаружено, что взаимодействие электронов проводимости с дефектами кристаллической решетки (дислокациями и радиационно-индуцированными дефектами) может приводить к сильным изменениям электронных транспортных свойств чистых металлов в сильных магнитных полях.

7. Экспериментально обнаружен и исследован эффект дислокационного (деформационного) пробоя.

Совокупность перечисленных выше результатов систематического исследования роли процессов рассеяния носителей тока в электронных транспортных свойствах чистых металлов в сильных магнитных полях выносится на защиту. Эти результаты расширяют и углубляют существующие представления о современной электронной физике металлов.

Научная и практическая значимость работы. В работе получены новые данные о процессах рассеяния носителей заряда и их роли в электронных транспортных свойствах чистых металлов в сильных магнитных полях. Эти данные могут быть использованы при изучении электронной структуры и свойств как других чистых металлов, так и более сложных металлических систем. Обнаруженное в работе сильное влияние радиационно-индуцированных дефектов на магнитосопротивление металлов, наряду с другими методами, может быть использовано для изучения поведения радиационных дефектов в чистых металлических кристаллах.

Исследованные в работе особенности механизмов рассеяния электронов проводимости и обнаруженные новые электронные эффекты могут быть использованы при разработке криогенных электронных устройств. Основными выводами диссертации можно пользоваться для дальнейшего развития представлений о поведении электронных транспортных свойств металлов в сильных магнитных полях.

Апробация. Основные результаты диссертационной работы были представлены и обсуждены на различных всесоюзных, всероссийских и международных конференциях, в том числе на Всесоюзных совещаниях по физике низких температур (XXIV - Тбилиси, 1986 г., XXV - Ленинград, 1988 г., XXVI - Донецк, 1990 г.), VII Всесоюзном семинаре по низкотемпературной физике металлов (Красный Лиман, 1991 г.), 27-й Международной школе физиков-теоретиков "Коуровка-27" (Дальняя Дача, Кыштым, Россия, 1998 г.). Международных конференциях по физике низких температур (ЬТ-19 - Брайтон, Англия, 1990 г., ЬТ-20 - Юджин, США, 1993 г., ЬТ-21 - Прага, Чехия, 1996 г., ЬТ-22 - Хельсинки, Финляндия, 1999 г.). Международных конференциях по физике переходных металлов (1СРТМ-92 - Дармштадт, Германия, 1992, 1СРТМ-96 - Осака, Япония, 1996 г.). Международных симпозиумах по исследованиям в сильных магнитных полях (КНМР-97 - Сидней, Австралия, 1997 г., БШМТ-2000 - Порто, Португалия, 2000 г.), 8-м Международном симпозиуме по нелинейным электромагнитным системам (18ЕМ-97 - Брауншвайг, Германия, 1997 г.), 20-й Международной конференции по физике твердого тела и Совещании по новым перспективным материалам (Люксор, Египет, 1997 г.). Международной конференции по магнетизму (1СМ-2000 - Ресифе, Бразилия, 2000 г.), 2-м Российско-Французском семинаре "Радиационные эффекты в ядерных материалах" (Москва, Россия, 1998 г.), 3-м и 4-м Международных уральских семинарах "Радиационная физика металлов и сплавов"

Снежинок, Россия, 1999 и 2000 г.г.), 3-й региональной конференции студентов и молодых ученых "Методы изучения твердых тел" (Екатеринбург, Россия, 1999), Международной конференции «Физические явления в сильных магнитных полях» (РРНМР-Ш, Таллахасси, Флорида, США, 1998 г.), Международной конференции «Дислокация-2000» (В181оса11 оп-2000, Гайтенсбург, Мэриленд, США, 2000 г.).

Диссертационная работа выполнена в лаборатории низких температур Института физики металлов Уральского отделения Российской академии наук. Часть измерений проведена автором в Международной лаборатории сильных магнитных полей и низких температур (Вроцлав, Польша), Отделении сверхпроводимости и низких температур Атоминститута австрийских университетов (Вена, Австрия), Национальной лаборатории сильных магнитных полей (Таллахасси, Флорида, США).

Публикации. Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 24 статьях в отечественных и международных научных журналах.

Структура и объем диссертации. Структура диссертации схематически представлена на рис. В.З. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения (общих выводов по диссертации) и библиографии.

ОБЩИЙ ВЫВОД

Экспериментально доказано, что процессы рассеяния носителей заряда могут непосредственно приводить к изменению вида электронных траекторий и оказывать определяющее влияние на поведение электронных транспортных свойств чистых металлических монокристаллов в области сильных магнитных полей.

В заключение хочется вспомнить своих учителей и коллег по работе В.Е. Старцева и А.Н. Черепанова, во многом благодаря которым было получено большинство результатов, представленных в данной работе. Автор считает своим приятным долгом выразить благодарность за приятное сотрудничество, большую техническую и теоретическую помощь В.П.Дякиной и Ю.Н. Горностыреву. Автор благодарит Д.М. Тагирову, Р.Ш. Насырова и В.Г. Манакова за предоставление монокристаллов вольфрама;

A. И. Дерягина за предоставление монокристаллов молибдена; В.М. Ажажу, Г.П. Ковтуна и В.А. Еленского за предоставление монокристаллов рения;

B. А. Сазонову за кристаллографический контроль ориентации образцов; В Л. Арбузова, СЕ. Данилова, Ю.И. Филиппова и О.В. Антонову за техническую помощь. Автор благодарит В.Е. Архипова и А.Л. Суворова за научную и организационную помощь и поддержку работы. Особо хочется поблагодарить Е.И. Шредер за большую помощь, оказанную при оформлении данной работы. Автор благодарен коллективу лаборатории низких температур ИФМ УрО РАН, а также многим коллегам из ИФМ УрО РАН, высокий научный уровень и творческая атмосфера которых во многом способствовали выполнению данной работы. Автор признателен своим коллегам из зарубежных лабораторий Х.В. Веберу, М. Эйстереру, X. Нидермайеру, Л. Кратцвальду, Т. Палевскому, Я. Клямуту, В. Сускому, В.И. Левиту, Дж. Бруксу, Т. Сталкопу, Д. Холлу, Дж. Кроу за плодотворное и приятное сотрудничество. Особую благодарность автор выражает своим друзьям и родственникам за понимание и моральную поддержку, без которой работа не могла быть выполнена.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Результаты систематического исследования механизмов рассеяния носителей заряда и их роли в электронных транспортных свойствах чистых металлов в сильных магнитных полях можно суммировать в следующем виде.

1. Экспериментально доказано, что статический скин-эффект, наблюдающийся в чистых металлах в результате электрон-поверхностного рассеяния, существует и в области сильных магнитных полей (до 300 кЭ), когда отношение гн/4 ~ МО''*. На примере вольфрама, молибдена и рения продемонстрировано, что статический скин-эффект может наблюдаться в металлах как с замкнутыми (Ш и Мо), так и с открытыми (Ке) поверхностями Ферми, когда на поверхности Ферми образуются либо замкнутые траектории и пространственная сетка узких слоев электронных траекторий (Ке), либо только лишь замкнутые траектории (\У, Мо и Ке). В тех случаях, когда реализуется двумерная область траекторий или открытые электронные траектории с одним направлением открытости, существование статического скин-эффекта определяется взаимным расположением вектора электрического тока и направлением открытых электронных траекторий, а также шириной слоя открытых траекторий и степенью диффузности рассеяния электронов проводимости на поверхности кристалла (Ке).

2. Экспериментально обнаружен тепловой аналог статического скин-эффекта - концентрация теплового потока вблизи поверхности проводника. Как и "обычный" статический скин-эффект, эффект скинирования теплового потока возникает в результате электрон-поверхностного рассеяния в чистых металлах в сильных магнитных полях.

В области сильных магнитных полей в чистых металлах обнаружен и исследован интерференционный механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность". Показано, что, как и в электросопротивлении чистых металлов без магнитного поля, во внешнем магнитном поле этот механизм рассеяния носителей заряда также приводит к квадратичной температурной зависимости магнитопроводимости.

Экспериментально обнаружена экспонента Пайерлса экспоненциальная температурная зависимость магнитосопротивления чистых металлических монокристаллов, возникающая в результате сильного межлистного электрон-фононного рассеяния. Продемонстрировано, что вид температурной зависимости магнитосопротивления чистых металлов (степенная или экспоненциальная) во многом зависит от направления магнитного поля относительно кристалла и исследованного интервала температур. То есть от того, какой из двух видов электрон-фононного рассеяния (внутри- или межлистный) дает в каждом конкретном случае основной вклад в магнитопроводимость. Например, в случае монокристаллов вольфрама при Н <111> в области температур 2 К < Г < 10 К механизм енутрилистного электрон-фононного рассеяния является основным и, как следствие, наблюдается обычная степенная зависимость магнитопроводимости ОухАЛТ А +ВТ А В области температур 30К<Г<50К преобладающим является межлистное электрон-фононное взаимодействие и наблюдается экспоненциальная температурная зависимость сЛЛ- ехр(-Тз/Т).

5. В области сильных магнитных полях обнаружен и подробно исследован эффект температурного пробоя, то есть изменение вида электронных траекторий, наблюдающееся в металлах вследствие сильного межлистного электрон-фононного взаимодействия. Прямыми экспериментами показано, что межлистное рассеяние и температурный пробой могут приводить к сильной анизотропии электропроводности (до 83 % в кристаллах вольфрама в поле 150 кЭ), то есть зависимости магнитопроводимости от направления транспортного электрического тока в кубическом металле.

6. Обнаружен и изучен экспериментально эффект дислокационного пробоя - изменение вида электронных орбит и, как следствие, кинетических свойств металлов в результате взаимодействия носителей заряда с дислокациями. Проведение прямых экспериментов позволило выделить вклад в магнитопроводимость, обусловленный электрон-дислокационным рассеянием, и продемонстрировало возникновение открытых квазиорбит, появляющихся вследствие дислокационного пробоя.

7. Показано, что взаимодействие электронов проводимости с дефектами кристаллической структуры (дислокационные стенки, изолированные дислокации и радиационно-индуцированные дефекты) приводит к сильным изменениям электронных транспортных свойств чистых металлов в сильных магнитных полях, то есть изменяет его величину (на порядок и более), вид его угловых, полевых и температурных зависимостей. Высказано предположение, что исследование низкотемпературного магнитосопротивления в сочетании с другими методами может быть использовано для изучения радиационно-индуцированных дефектов в чистых металлических кристаллах.

1. Лифшиц И.М., Азбель М.Я., Каганов М.И. Электронная теория металлов. - М.: Наука, 1971. 415 с.

2. Шубников Л.В., де Гааз В.Дж. Увеличение сопротивления монокристаллов висмута под действием магнитного поля при низких температурах. // УФН 1967. Т.93. Вып.2. С.340-342.

3. Лазарев Б.Г., Нахимович Н.М., Парфенова Е.А. Влияние магнитного поля на электрическое сопротивление монокристаллов цинка и кадмия. Поперечный эффект. // ЖЭТФ 1939. Т.9. Вып. 10. С. 1169-1181.

4. Боровик Е.С. Изменение сопротивления металлов в магнитном поле при низких температурах. // ЖЭТФ 1952. Т.23. Вып.1(7). С.91-100.

5. Fawcett Е. Hihg-field galvanomagnetic properties of metals. // Adv.Phys. -1964. V.13.N50. P.139-191.

6. Лифшиц И.М., Азбель М.Я., Каганов М.И. К теории гальваномагнитных явлений в металлах. // ЖЭТФ 1956. Т.31. Вып. 1(7). С.63-79.

7. Лифшиц И.М., Песчанский В.Г. Гальваномагнитные характеристики металлов с открытыми поверхностями Ферми I. // ЖЭТФ 1958. Т.35. Вьш.5(11). С. 1251-1264.

8. Лифшиц И.М,, Песчанский В.Г. Гальваномагнитные характеристики металлов с открытыми поверхностями Ферми П. // ЖЭТФ 1960. Т.38. Вып. I.e. 188-193.

9. Лифшиц И.М., Косевич A.M. К теории эффекта Шубникова де Гааза. //ЖЭТФ - 1957. Т.ЗЗ. Вьш.1. С.88-100.

10. Песчанский В.Г., Азбель М.Я. Магнетосопротивление полуметаллов. // ЖЭТФ 1968. Т.55. Вьш.5(11). С.1980-1996.

11. Волкенштейн Н.В., Дякина В.П., Старцев В.Е., Черепанов А.Н., Черепанов В.И., Глиньский М. Роль локальных особенностейповерхности Ферми в гальваномагнитных свойствах вольфрама при низких температурах. //ФНТ- 1986. Т. 12. №10. С. 1033-1044.

12. Слуцкин А.А., Маленкин Ю.А. Деформационный пробой в металлах. // 21-е Всесоюзное совещание по физике низких температур. Харьков. 23-26 сентября 1980. Тезисы докладов. Ч.З. С.240-241.

13. Панченко О.А., Луцишин П.П., Птушинский Ю.Г. Статический скин-эффект на атомно-чистых поверхностях вольфрама и молибдена. // ЖЭТФ- 1974. Т.66. Вып.6. С.2191-2197.

14. Алексеевский Н.Е., Гайдуков Ю.П., Грибников З.С. и др. Электроны проводимости. // под ред. М.И.Каганова, В.С.Эдельмана.- М.:Наука, 1985. С.416.

15. Suzuki М., Tanuma S. The static skin effect in bismuth. // J.Phys.Soc.Jap. -1978. V.44. N5.P.1539-1546.

16. Богод Ю.А., Гицу Д.В., Грозав А.Д. Статический скин-эффект и акустоэлектрическая неустойчивость в нитевидных монокристаллах висмута. //ЖЭТФ 1986. Т.90. Вып.З. С. 1010-1021.

17. Старцев В.Е., Дякина В.П., Черепанов В.И., Волкенштейн Н.В., Насыров Р.Ш., Манаков В.Г. О квадратичной температурной зависимости электросопротивления монокристаллов вольфрама. Роль поверхностного рассеяния. // ЖЭТФ 1980. Т.79. Вып.4(10). С. 13351344.

18. Гуржи Р.Н., Копелиович А.И. Низкотемпературная электропроводность чистых металлов. //УФН- 1981. Т. 133. Вып.1. С.33-74.

19. Александров А.С., Архипов В.Е., Гощицкий Б.Н., Елесин В.Ф. Влияние облучения на физические свойства упорядоченных сверхпроводников. -М.: Энергоатомиздат, 1989. 223 с.

20. Landolt Н., Bomstein R. Numerical data and functional relationships in science and technology, v. 13b // Berlin Heidelberg - New York: Springer Verlag, 1983. 405 p.

21. Волкенштейн Н.В., Дякина В.П., Старцев В.Е., Ажажа В.М., Ковтун Г.П. Электронная структура рутения. // ФММ- 1974. Вып.4., С.718-737.

22. Панченко О.А. Взаимодействие электронов проводимости с атомно чистой поверхностью металлических кристаллов. //Дисс. д.ф.-м.н.-Киев, 1979. 232 с.

23. Черепанов В.И., Старцев В.Е., Волкенштейн Н.В. О квадратичном низкотемпературном вкладе в электросопротивление переходных металлов. // ФНТ 1980. Т.7. №6. С.890-897.

24. Marchenkov V.V., Cherepanov A.N., Startsev V.E., Weber H.W. Electroconductivity and electron scattering mechanisms in ultra-pure compensated metals at high magnetic fields. // Czechoslovak J.Physics -1996. Suppl. S5. P.2567-2568.

25. Старцев B.E. Локальные особенности поверхностей Ферми и электронные транспортные явления в переходных металлах. // Дисс.д.ф.-м.н. Свердловск, 1984. 365 с.

26. Копелиович А.И. К теории электропроводности металлической пластины в сильном магнитном поле. У/ЖЭТФ — 1980. Т.78. Вьш.З. С.987-1007.

27. Кириченко О.В., Песчанский В.Г., Савельева С.Н. Статический скин-эффект в металлах с открытыми поверхностями Ферми. // ЖЭТФ -1979. Т.77. Вьш.5(11). С.2045-2060.

28. Рашба Э.И. Перераспределение носителей тока между долинами в электрическом поле. //ЖЭТФ 1965. Т.48. Вьш.5. С.1427-1432.

29. Рашба Э.И., Грибников З.С., Кравченко В.Я. Анизотропные размерные эффекты в полупроводниках и полуметаллах. // УФЫ 1976. Т. 119. Вьш.1.С.З-47.

30. Бабкин Г.И., Кравченко В.Я. Влияние поверхностного рассеяния на магнитосопротивление и эффект Холла в пластинках. // ЖЭТФ 1971. Т.6. Вьш.2. С.695-712.

31. Зайцев Г.А. Статический скин-эффект в монокристаллических образцах кадмия. // ЖЭТФ 1963. Т.45. Вып.4(10). С.1266-1269.

32. Панченко O.A., Луцишин П.П. Статический скин-эффект в вольфраме. //ЖЭТФ 1969. Т.57. Вып.5(11). С.1555-1560.

33. Гайдуков Ю.П. Электронные свойства вискеров, // УФН 1984. Т. 142. Вып.4. С.571-597.

34. Богод Ю.А., Красовицкий В.Б. Гальваномагнитные свойства сурьмы при низких температурах. Влияние размеров, роль поверхности и эффекты формы. // ЖЭТФ 1972. Т.63. Вып.3(9). С.1036-1047.

35. Панченко O.A., Харламов A.A., Птушинский Ю.Г. Влияние электронно-дырочных перебросов на статический скин-эффект в кристаллах вольфрама. // ЖЭТФ 1974. Т.67. Вып.2(8). С.780-787.

36. Гайдуков Ю.П., Данилова П.П. Статическое поверхностное сопротивление цинка в магнитном поле. // ЖЭТФ 1973. Т.64. Вып.З. С.920-933.

37. Гайдуков Ю.П., Голямина Е.М. Размерные эффекты в магнитосопротивлении нитевидных кристаллов сурьмы. // ЖЭТФ -1978. Т.75. Вып.4(10). С.1426-1437.

38. Гайдуков Ю.П., Голямина Е.М., Данилова Н.П. Зависимость магнитосопротивления нитевидных кристаллов кадмия и сурьмы от температуры. // Письма в ЖЭТФ 1975. Т.22. Вып.4. С.231-234.

39. Богод Ю.А., Красовицкий В.Б. Влияние размеров, формы и состояния граничной поверхности на электрические и гальваномагнитные свойства висмута при низких температурах. // Физика конденсированного состояния Харьков: ФТИНТ АН УССР, 1974. Вып.ЗО. С.11-26.

40. Луцишин П.П., Панченко O.A., Харламов A.A. Отражение электронов проводимости от атомно чистой грани (110) кристалла вольфрама. // ЖЭТФ 1973. Т.64. Вьш.6. С.2148-2153.

41. Алексеевский НЕ., Егоров B.C. Исследование гальваномагнитных свойств переходных металлов в сильных магнитных полях. // Письма в ЖЭТФ- 1965.Т.1.ВЫП.5. С.31-36.

42. Находкин Т.Н., Снитко А.О. Угловые и температурные зависимости магнито- и электросопротивления "размерных" образцов рения и молибдена. // ФТТ- 1985. Т.27. Вып.9. С.2718-2723.

43. Reed W.A., Fawcett Е., Soden R.R. High-field magnetoresistance of rhenium. // Phys.Rev.- 1965. T.77. V.139. N 5A. Р.1557-1568/

44. EcHH B.O., Насыров Р.Ш., Тагирова Д.М., Манаков В.Г. Дислокационная структура высокочистых монокристаллов вольфрама после электроискровой обработки. // Физ. и хим. обработки материалов- 1982. № 6. С.121-124.

45. Черепанов А.Н., Марченков В.В., Старцев В.Е., Волкенштейн Н.В., Глиньский М. Магнитосопротивление монокристаллов вольфрама с дефектами поверхности . // ФНТ- 1986. Т. 12. № 11. С. 1181-1186.

46. Коваль В.Ф., Ватаманюк В.И., Остроухов Ю.С., Панченко О.А. Влияние диффузии атомов алюминия на магнитосопротивление тонких монокристаллических пластин молибдена. // ФНТ 1986. Т. 12. № 8. С.880-882.

47. Startsev V.E., Cherepanov A.N., Dyakina V.P., Volkenshtein N.V. On the TA term in low temperature electrical resistivity of tungsten single crystals: effect of surface scattering. // Inst.Phys.Conf Ser. 1981. N 55. P.443-446.

48. Коган E.M., Устинов В.В. Температурная зависимость размерного эффекта в электросопротивлении тонких металлических образцов. // ФНТ- 1981. Т.7. № 3. С.327-335.

49. Sambles JR., Preist T.W. The effect of surface scattering upon resistivity. // J.Phys.F: Met.Phys.- 1982. V.12. N 9. P.1971-1987.

50. Sambles JR., Mundy J.N. A reanalysis of resistive size effect in tungsten. // J.Phys.F: Met.Phys.- 1983. V.13. N 11. P.2281-2292.

51. Young R. A. Influence of localizwd Umklapp scattering on the galvanomagnetic properties ofmetals. // Phys.Rev.- 1968. V.175. N 3. P.813-823.

52. Peierls R. Zur Frage des elektrischen Widerstandsgesetzes für tiefe Temperaturen. //Ann.Phys.- 1932. Bd.l2. S.154-168.

53. Pippard A.B. The influence of small-angle scattering on metallic conduction. //Proc.Roy.Soc.A- 1968. V.305. N482. P.291-318.

54. Каган Ю., Флеров В.Н. К теории сопротивления и магнето-сопротивления металлов при низких температурах. // ЖЭТФ 1974. Т.66. Вып.4. С. 1374-1386.

55. Флеров В.Н. Коэффициент Холла в компенсированных металлах. // ФТТ- 1976. Т.18. Вып.4. С.1034-1040.

56. Жернов A.n. Определение коэффициента Холла металла из «первых» принципов. // ФТТ 1980. Т.22. Вып.2. С.575-580.

57. Young R.A., Ruvalds J., Falicov L.M. Influence of small-angle intersheet scattering on the galvanomagnetic properties of polyvalent metals: application to cadmium. //Phys.Rev. 1969. V.179. N 3. P.1043-1049.

58. Боровик E.G., Волоцкая В.Г., Фогель Н.Я. Отклонение от правила Колера в чистом алюминии. // ЖЭТФ 1963. Т.45. Вьш.2(8). С.46-48.

59. Боровик Е.С., Волоцкая В.Г. Анизотропия гальваномагнитных свойств чистого алюминия в больших эффективных полях. // ЖЭТФ 1965. Т.48.Вьш.6.С.1554-1561.

60. Цзян Ю.Н., Еременко В.В., Шевченко О.Г. Температурная зависимость магнетосопротивления алюминия. // ЖЭТФ 1969. Т.57. Вып.6(12). С.1923-1936.

61. Волкенштейн Н.В., Новоселов В.А., Старцев В.Е. Магнето-сопротивление молибдена и вольфрама (отклонение от правила Колера). // ФММ. 1967. Т.24. Вьш.4. С.677-682.

62. Старцев В.Е., Волкенштейн Н.В., Новоселов В.А. Гальваномагнитные свойства кристалла молибдена в больших эффективных полях. // ЖЭТФ 1966. Т.51. Вьш.5(11). С.1311-1316.

63. Alderson J.E.A., Farrell Т., Hurd СМ. Hall coefficients of Си, Ag and Au in the range 4,2-300 K. // Phys.Rev. 1968. V.174. N 3. P.729-736.

64. Alderson J.E.A., Farrell Т., Hurd C M . Hall coefficients in Li, Na and К in the range 6-300 K. // Phys.Rev. 1969. V.185. N 3. P.876-882.

65. Варюхин СВ., Егоров B.C. Влияние магнитного поля на электрон-фононное время релаксации. // Письма в ЖЭТФ 1981. Т.ЗЗ. Вып. 1. С.35-37.

66. Бондарь В.А., Моргун В.П., Хоткевич В.И. Низкотемпературные аномалии эффекта Холла в (3-олове. // ФТТ 1981. Т.23. Вьш.2. С.597-599.

67. Петрашов В.Т., Гейм А.К. Анизотропия затухания геликонов в индии при локализованных электрон-фононных U- процессах. // Письма в ЖЭТФ 1981. Т.34. Вып.8. С.456-459.

68. Volkenshtein N.V., Startsev V.E., Cherepanov V.I. Low temperature anomalies of the Hall effect in tungsten. // Phys.Stat.Sol.(b) 1978. V.89. N 1.P.K53-K56.

69. Volkenshtein N.V., Dyakina V.P., Startsev V.E., Cherepanov V.I. Effect of anisotropic intersheet electron-phonon scattering on galvanomagnetic properties oftransition metals. // Inst.Phys.Conf Ser.- 1981. N 55. P.447-450.

70. Черепанов В.И., Старцев В.Е., Волкенштейн Н.В. Влияние анизотропии электрон-фононного рассеяния на эффект Холла в молибдене. // ФНТ -1979. Т.5.№ 10. С. 1162-1167.

71. Волкенштейн Н.В., Вепрев А.Г., Старцев В.Е,, Черепанов А.Н., Черепанов В.И. Температурные зависимости коэффициентов Холла и магнитосопротивления ванадия и тантала: анизотропия электрон-фононного рассеяния. // ЖЭТФ 1985. Т.89. Вып.1(7). С.172-181.

72. Van Kempen Н., Ribot J.H.J., Wyder P. The electrical resistivity of potassium at low temperatures // J.Phys.F: Met.Phys. 1981. V.l 1. N 3. P.597-614.

73. Van Vucht R.J.M., van Kempen H., Wyder P. Simple transport properties of simple metals: classical theories and modem experimants. // Rep.Prog.Phys. 1985.V.48.N6.P.853-905.

74. Гуржи P.H., Копелиович А.И. Электропроводность металлов с учетом увлечения фононов. //ЖЭТФ 1971. Т.61. № 6. С.2514-2529.

75. Гуржи Р.Н., Копелиович А.И. О гальваномагнитных свойствах металлов с закрытыми поверхностями Ферми при низких температурах. // ЖЭТФ 1974. Т.67. № 6. С.2307-2322.

76. Никитенко В.И., Осипьян Ю.А. Влияние дислокаций на оптические, электрические и магнитные свойства кристаллов. // В сб.: Проблемы современной кристаллографии.- М., Наука. 1975. С.239-261.

77. Brown R.A. The integration of conduction electrons with dislocations and grain boundaries in metals. // Canad.J.Phys. 1982. V.60. P.766.

78. Гантмахер В.Ф., Кулеско Г.И. Температурная зависимость сечения рассеяния электронов дислокациями в металлах. // ЖЭТФ 1974. Т.67. № 6. С.2335-2340.

79. Кулеско Г.И. Неупругое рассеяние электронов дислокациями в алюминии. // ЖЭТФ 1977. Т.72. № 6. С.2167.

80. Винокур В .М., Кравченко В .Я. Температурная зависимость электросопротивления металла с дислокациями. // ЖЭТФ 1978. Т.74. №2. С.702-713.

81. Brass Н., Haberlen О. The scattering of electrons by edge dislocations in A l. // J.Phys.Cond.Mat. 1993. V.5. P.7687-7700.

82. Тагирова Д.М., Насыров Р.Ш., Васькова Г.А., Агапова Е.В. Структура монокристаллов вольфрама, выращенных с высокими скоростями методом зонной плавки. //ФММ- 1987. Т.64. Вы.6. С. 1116-1121.

83. Тагирова Д.М., Дякина В.П., Старцев В.Е., Есин В.О. Структурное совершенство и остаточное сопротивление монокристаллов вольфрама. // ФММ 1997. №6. С.37-47.

84. Schutz Н. Stage II-Recovery Reactions in ВСС Transition Metals. // Mat.Sci. Forum 1987. V. 15-18. P.727-732.

85. Суворов А.Л. Автоионная микроскопия радиационных дефектов в металлах. // М., Энергоиздат, 1980.

86. Суворов А.Л. Структура и свойства поверхностных атомных слоев металлов. // М., Энергоиздат, 1990.

87. Mattheiss L.F. Fermi surface oftungsten. // Phys.Rev.- 1965. V.139. N 6A. P.1893-1904.

88. Loucks T.L. Fermi surface of Cr, Mo and W by the augmented-plane-wave method. //Phys.Rev.- 1965. V.139. N4A. P.l 181-1188.

89. Loucks T.L. Relativistic electron structure in crystals. II. Fermi surface of tungsten. // Phys.Rev.- 1966. V.143. N 2. P.506-512.

90. Mattheis L.F., Watson R.E. Estimate of the spin-orbit parameter A5d in metaUic tungsten. // Phys.Rev.Lett.- 1964. V. 13. N 17. P.526-527.

91. Christensen N.E., Feuerbacher В. Volume and surface Photoemission from tungsten. I. Calculation of band structure and emission spectra. // Phys.Rev.-1974. V.BIO. N 6. P.2349-2372.

92. Lomer W. M. Electronic structure of chromium group metals. // Proc.Phys.Soc. 1962. V.80. N 2. P.489-496.

93. Wood J.H. Energy bands in iron via the augmented plane wave method. // Phys.Rev. 1962. V.126. N 2. P.517-527.

94. Petroff I., Viswanathan CR. Calculation ofthe Photoelectric Emission from Tungsten, Tantalum, and Molybdenum. // Phys.Rev. 1971. V.B4. N 3. P.799-816.

95. Бойко B. B., Гаспаров B. A. Радиочастотный размерный эффект и поверхность Ферми вольфрама. // ЖЭТФ.- 1971. Т.61. Вып.6(12). С.2362-2372.

96. Girvan R.F. Gold A.V., Phillips R.A. The de Haas-van Alphen effect and the Fermi surface of tungsten. // J.Phys.Chem. Solids- 1968. V.29. N 9. P. 14851502.

97. Sparlin D.M., Marcus J.A. Empirical Fermi-surface parameters for W and Mo. //Phys.Rev.- 1966. V.144. N 2. P.484-494.

98. Feenan P. J., Myers A., Sang D. De Haas-van Alphen measurements ofthe electron cyclotron mass in W. // Solid.State Commun.- 1975. V. 16. N 1. P.35-39.

99. Геррманн P., Эдельман B.C. Циклотронный резонанс в вольфраме. //ЖЭТФ.- 1967. Т.53. Вып.5(11). С.1563-1570.

100. Herrmann R. Zur Fermifläshe von Wolfram und Molybdän. // Phys.State Solids.- 1968. V.25. N 2. P.661-666.

101. Rayne J.A. Magneto-acoustic studies in tungsten and molybdenum. // Inst.Phys.ConfSer.- 1978. V.39. P.86-89.

102. Алексеевский Н.Е., Егоров B.C. Исследование гальваномагнитных свойств переходных металлов в сильных магнитных полях. // Письма в ЖЭТФ.- 1965. Т.1. Вып.5. С.31-36.

103. Mattheiss L .F. Band structure and Fermi surface for rhenium. // Phys.Rev.-1966. V.151.N2. P.450-464.

104. Joseph A. S., Thorsen A. C. De Haas- van Alphen effect and Fermi surface in rhenium. // Phys.Rev.- 1964. Y.133. N 6A. P.1546-1552.

105. Thorsen A. C , Joseph A.S., Valby L.E. High-field de Haas van Alphen effect in rhenium. // Phys.Rev.- 1966. V.150. N 2. P.523-529.

106. Jones C.K., Rayne J.A. Magnetoacoustic effect in rhenium at 390 Mc/S. // Phys.Lett. 1965. V.14. N 1. P.13-14.

107. Jones C.K., Rayne J.A. Magnetoacoustic effect in rhenium at 1 Gc/S. // Phys.Rev. 1965. V.139. N 6A. R1876-1879.

108. Testardi L.R., Soden R.R. Magnetoacoustic study of the rhenium Fermi surface. //Phys.Rev. 1967. V.158. N 3. P.6581-6590.

109. Ruthruff T.L., Goodrich R.G. The Fermi surface ofrhenium: radiofrequancy size effect. // J.Phys.F: Met.Phys. 1979. V.9. N 1. P.95-106.

110. Reed W.A., Fawcett E., Soden R.R. High-field magnetoresistance of rhenium. // Phys.Rev. 1965. V.139. N 5A. P.1557-1568.

111. Алексеевский H.E., Егоров B.C., Казак Б.Н. Гальваномагнитные свойства рения. // ЖЭТФ. 1963. Т.44. Вып.З. С. 1116-1119.

112. Perz J.M., Svechkarev I.V., Templeton LM. Hydrostatic pressure dependence of the Fermi surface of rhenium. // Canad.J.Phys. 1980. V.58. N2.P.194-199.

113. Fawcett E., Holroyd F. W., Perz J. M. Experimental unaxial stress and strain derivatives ofthe Fermi surface ofrhenium. // Canad.J.Phys. 1980. V.58. N8.P. 1191-1199.

114. Есин В.О., Насыров Р.Ш., Манаков В.Г. Высоковакуумная электроннолучевая установка для бестигельной зонной перекристаллизации тугоплавких металлов. // Деп. № 4319-81. -М.: ВИНИТИ, 1981. С. 1-23.

115. Насыров Р.Ш., Зуйков В.А., Худайбердыев Т.С., Шмаков A.M. Технологические свойства монокристаллов вольфрама, выращенных зонной перекристаллизацией с высокими скоростями. // Цветные металлы. 194. № 10. С.65-66.

116. Ковтун Г.П., Ажажа В.М. Физические методы рафинирования тугоплавких металлов (W, Мо, Re, Ru, Os, Nb, V). // Металлы особой чистоты I / Аналитический обзор. Харьков: ХФТИ АН УССР. 1978. С.78-87.

117. Ажажа В.М., Ковтун Т.П., Еленский В.А., Клейнер В.З. Очистка рения при электронно-лучевой зонной плавке. // Изв. АН СССР. Металлы. -1975. №5.0.41-43.

118. Ажажа В.М., Ковтун Г.П., Бобров Ю.П., Еленский В.А., Саенко Е.М., Червань Ю.П. Получение рения с отношением Р297к/Р4.2к -30000. // Материалы совещания по получению и исследованию свойств чистых металлов. Харьков: ХФТИ АН УССР. 1977. С.36-37.

119. Пшеничнов Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов. // М.: Металлургия, 1974. 466 с.

120. Levit V. l., Bui I.A., Hu J., Kaufman M. J. High tensile elongation ofß-NiAl single crystals at 273 K. // Scr.Metall.Mater.- 1996. V.34. P.1925-1930.

121. Батдалов А.Б., Катрич Н.П., Редько H.A., Тамарченко В.И., Шалыт С.С. Кинетические явления в вольфраме при низких температурах. // ФТТ.-1977. Т. 19. Вьш.З.С.672-681.

122. Батдалов А.Б., Амирханова Д.Х., Плющева СВ. Тепловые и электрические свойства монокристаллов молибдена при низких температурах. // ФТТ.- 1984. Т.26. Вьш.2. С.446-452.

123. Кейлин В.Е., Клименко Е.Ю., Самойлов Б.И. Стенд для физических исследований в магнитном поле сверхпроводящего соленоида. // ПТЭ.-1971. № 1.С.216-218.

124. Kratzwald L.User's Guide for the Rotating Sample Holder. // The Rosh Manual. Vorbereitungspraktikum aus Tieftemperaturphysik. Atomic Institute of the Austrian Universities. - Vienna, 1998. 84 p.

125. Боровик E.C. О взаимосвязи анизотропии эффекта Холла и изменения сопротивления в магнитном поле. I. Исследование олова и индия. // ФММ.- 1956. Т.2. Вьш.1. С.33-42.

126. Старцев В.Е., Волкенштейн Н.В., Новоселов В.А. Гальваномагнитные свойства кристалла молибдена в больших эффективных полях. // ЖЭТФ.- 1966.Т.51.Вьш.5(11). С.1311-1316.

127. Качинский В.Н. Анизотропия эффекта Холла у олова. // Докл. АН СССР.- 1960. Т.135. № 4 С.818-821.

128. Волкеншейн Н.В., Дякина В.П., Дякин В.В., Старцев В.Е., Ажажа В.М., Ковтун Г.П., Еленский В.А. Размерный эффект в электросопротивлении монокристаллов рутения и рения. // ФНТ.- 1978. Т.4. № 6. С.775-782.

129. Цой B.C., Колесниченко Ю.А. Исследование междолинных процессов рассеяния и структуры поверхности при помощи поперечной фокусировки электронов. // ЖЭТФ.- 1980. Т.78. Вып.5. С.2041-2055.

130. Kaveh М., Wiser N. Electron-Electron Scattering in Conducting Materials. // Adv.Phys.- 1984. V.33. N 4. P.257-372.

131. Каган Ю., Жернов А.П. К теории электросопротивления металлов с немагнитными примесями. // ЖЭТФ.- 1966. Т.50. Вьш.4. С.1107-1123.

132. Larose А., Brockhouse B.N. Lattice vibrations in tungsten at 22 °C studied by neutron scattering. //Canad.J.Phys.- 1976. V.54. N 17. P.1819-1823.

133. Gasparov V. A., Harutunian M. H. Precision investigaton of the Fermi surface of molybdenium.// Phys.Stat.Sol(b). 1979. V.93. N 1. P.403-414.

134. Bolef D., de Clerk J. Elastic constants of single crystals molybdenium and tungsten between 77 and 500 K.// J.Appl.Phys.- 1962. V.33. N 7. P.2311-2314.

135. Marchenkov V.V., Cherepanov A.N., Startsev V.E., Czurda C, Weber H.W. Temperature breakdown phenomenon in tungsten single crystals in high magnetic fields. // J.Low Temp. Physics 1995. V.98. N 5/6. P.425-447.

136. Marchenkov V.V., Startsev V.E, Cherepanov A.N., Weber H.W. Quadratic temperature dependence of the high-field magnetoresistivity in tungsten and molybdenum single crystals. // Czechoslovak J. Physics 1996. V.46. Suppl. S5. P.2569-2570.

137. Марченко B.A. Электросопротивление монокристаллического сплава Vs AI.// ФТТ.- 1973. Т. 15. Вып.6. С.1893-1895.