Исследование магнитных и транспортных свойств кристаллов манганитов в системе (La1-yEuy)0.7Pb0.3MnO3 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.11 ВАК РФ

и / - 4

2756

На правах рукописи

Патрин Константин Геннадьевич

ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТНЫХ И ТРАНСПОРТНЫХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ МАНГАНИТОВ В СИСТЕМЕ (Ьа,.уЕиу)о.7РЬо.эМпОз

Специальность 01.04.11 - физика магнитных явлений

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Красноярск - 2007

Работа выполнена в Институте физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Научный руководитель: д.ф.-м.н. Волков Н.В. ИФ СО РАН

(г. Красноярск)

Официальные оппоненты: д.ф.-м.н. Солин Н. И. ИФМ УрО РАН

(г. Екатеринбург)

к.ф.-м.н. Чернов В. К. Сибирский федеральный университет (г. Красноярск) Ведущая организация: Физико-технический институт

им. А.Ф. Иоффе РАН (г. Сан кг- Петербург)

Защита состоится «_» октября 2007 г. в_часов в конференц-зале

главного корпуса ИФ СО РАН на заседании диссертационного совета совете Д 003.055.02 по защите диссертаций в Институте физики им. Л.В, Киренского СО РАН но адресу: 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50, стр. 38.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ЙФ СО РАН

Автореферат разослан « 6 » июля 2007 г.

Ученый секретарь диссертационного совета /, доктор физико-математических наук

Втюрин А.Н.

Актуальность исследований. Магнитные системы с сильными электронными корреляциями привлекают внимание исследователей по многим причинам. Во-первых, при исследовании этих систем предстоит решать проблемы фундаментального характера, связанные с определением основного состояния. Во-вторых, в этих системах обнаруживаются необычные сочетания физических свойств, и, в-третьих, такого рода соединения оказываются перспективными в плане практических применений. Материалы на основе оксида марганца обладают сменой типа проводимости, которая сопровождается изменением магнитного состояния. Они являются наиболее яркими представителями систем с сильными электронными корреляциями. Наличие в этих материалах сильно взаимодействующих спиновой, зарядовой и орбитальной подсистем определяет богатое разнообразие их свойств. К настоящему времени установлено, что сложное поведение этих систем обусловлено конкуренцией взаимодействий, имеющих близкие величины. При определенных уровнях легирования примесями энергии взаимодействий, определяющие тенденции образования той или иной фазы, становятся сравнимыми, и вопрос об основном состоянии системы оказывается весьма нетривиальным. Предполагается, например, что в данном случае основным может быть неоднородное состояние, типа состояния с фазовым расслоением. Тонкий энергетический баланс является также причиной высокой чувствительности свойств примесных манганитов к внешним воздействиям, таким как температура, внешнее магнитное поле, давление, транспортный ток и др.

При введении редкоземельных ионов в кристалл образуется подсистема с явно выраженными локализованными магнитными моментами, при этом из-за сильной спин-орбитальной связи спиновые и орбитальные степени свободы оказываются взаимосвязаны. Таким образом, возникает дополнительный канал управления рассеянием электронов проводимости, в конечном счете все это сказывается на особенностях транспортных свойств.

В настоящей работе речь пойдет об исследовании взаимосвязи магнитных и электрических свойств кристаллов манганитов, легированных нонами редких земель и их чувствительности к воздействию транспортного тока и электромагнитного издучения СВЧ диапазона. При этом один из главных аспектов - изучение условий возникновения состояния с фазовым расслоением и влияния редкоземельных ионов на электронную структуру в кристаллах манганита. Интересным моментом здесь является и то, что наличие конкуренции взаимодействий приводит к возникновению неоднородных состояний в реальных кристаллах манганитов. Сильная чувствительность такого состояния с фазовым расслоением к внешним возмущениям (транспортный ток, магнитное поле) являете* причиной необычных наблюдаемых магниторезисгивных эффектов и нелинейных электрических траиспортммх свойств.

Именно изучению новых кристаллов манганитов состава (уЕи, )и ,РЬ0 (МпО | (0<у<1), проявляющих эффект колоссального мапшгосопротивлених, посвящено настоящее исследование.

Цель работы. Целью дайной работы явилось изучение магнитных, электрических свойств кристаллов манганита (ЬаьуЕи^олРЬозМпОз, и их взаимосвязи, в зависимости от концентрации легирующей примеси и внешних условий. Значительное внимание уделено установлению границ существования магнитного фазового расслоения и исследованию динамического поведения системы в условиях пропускания транспортного тока и электромагнитного СВЧ облучения.

Научная новизна. При исследовании физических свойств, кристаллов манганита, получены следующие результата:

1. Проведено комплексное исследование магнитных, резонансных и транспортных свойств, впервые синтезированных кристаллов манганитов состава (ЬаьуБиуЬ^РЬо.зМпОз. При изучении фазовой неоднородности в манганитах впервые использовал метод исследования частотно-полевых зависимостей спектров магнитного резонанса. Это позволило

непосредственно установить, что в области температуры магнитного фазового перехода, где наблюдается эффект колоссального магнитосопротивления, реализуется состояние с магнитным фазовым расслоением.

2. Обнаружен и исследован эффект штудирования магнитным резонансным СВЧ поглощением изменений в электрической проводимости монокристалла манганита. Показано, что ключевую роль в механизме изменения проводимости шрает состояние фазового расслоения, реализующееся в образце.

3. Впервые обнаружено и экспериментально изучаю влияние транспортного тока на спектр магнитного резонанса в монокристаллах манганита.

Практическая ценность. Результаты исследований позволяют расширить представления о природе магнитных взаимодействий и особенностях формирования магнитного состояния в магнитоупорядоченных кристаллах манганита*. В частности, они позволяют глубже понять механизмы изменения магнитных свойств при легировании материалов, что, в свою очередь, дает возможность целенаправленно получать материалы с заданными свойствами.

Основные надежды на применение манганитов связаны с эффектом колоссального магнитосопротивления, который может служить основой при создании магнитоунравляемых устройств электроники для целей записи, хранения и обработки информации, а также в сенсорах. Изучение взаимосвязи магнитных и электрических свойств кристаллов манганитов направлено на поиск новых эффектов и создание новых электронных элементов, управляемых не только магнитным полем, но и другими внешними воздействиями, например, транспортным током или электромагнитным излучением.

Еще одно из прикладных направлений может быть связано с разработкой устройств спингроники. Высокая спиновая поляризация

носителей заряда в этих материалах позволяет шдежгься на успешное их применение в качестве источников поляризованных члектронов, эмитируемых в магнитные гетеростр) ктуры. Очевидно, что все работы, направленные на выяснение механизмов электронного транспорта в манганитах и магнитных структурах на их основе, остаются востребованными.

Апробация работы. Материалы диссертации были представлены на:

• V Всероссийской научной конференции «Решетневские чтения» (г. Красноярск, 2001 г.);

XL Международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический npoipecc. Физика» (г. Новосибирск, 2002 г.); . XVIII, XIX и XX международных школах-семинар ах «Новые магнитные материалы микроэлектроники» (г. Москва, 2002, 2004, 2006 г.г.);

• Московском международном симпозиуме по магнетизму, «MISM» (г. Москва, 2002,2005 г.г.);

. Международной конференции «Функциональные материалы» «ICFM-

2005», (Крым, Украина, 2003 г.); » Международной конференции Европейского Материаловедческого Общества, «EMRS-Fall Meeting» (г. Варшава, Польша, 2003 г.); Международной конференции по магнетизму (г. Рим, Италия, 2003 г.)

• Евро-Азиатском симпозиуме «Прогресс в магнетизме» «EASTMAG-2004» (г. Красноярск, 2004 г.);

. 34ш Всероссийском совещании по физике низких температур, «ФНТ-34» (г. Сочи, 2006 г.).

ПУБЛИКАЦИИ

По теме диссертации опубликовано 6 печатных работ в рецензируемых зарубежных и отечественных журналах.

СТРУКТУРА ДИССЕРТАЦИИ

Диссертация состоит из введения, грех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем составляет 101 страниц, включая 49 рисунков. Список цитированной литературы состоит ич 96 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обосновывается актуальность темы, формулируются цели и задачи работы. Приведены основные положения, выносимые на защиту. Рассмотрена научная и практическая значимость работы.

Первая глава диссертации содержи! описание теорегических и экспериментальных данных, касающихся марганцевых оксидов, хорошо известных как манганита. Очевидно, что раскрыть все аспекты проблем в обзоре ограниченного объема невозможно. Поэтому основное внимание уделено последним теоретическим и экспериментальным работам, посвященным изучению сложных фаз в манганитах со сниновым, зарядовым и орбитальным упорядочением.

Вопросы, рассматриваемые в цервой главе, выбирались из соображений их близости к экспериментальному и теоретическому материалу, обсуждаемому в оригинальной части работы. Так, основное внимание было уделено вопросам влияния примесей на магнитные и транспортные свойства манганитов. На этих примерах можно наблюдать, как при увеличении концентрации и варьировании сорта примесных атомов происходит перестройка кристаллографической структуры, энергетической

электронной структуры материалов, и, как следствие, изменение отклика на внешиие воздействия.

Вторая глава диссертации содержит описание экспериментальных установок, использованных при исследованиях, технология получения и приготовления образцов.

Большое внимание в диссертации уделено разработке экспериментальных установок и технике эксперимента. Это обусловлено выбором объектов изучения и исследуемых характеристик. Для решения поставленных задач были использованы следующие установки: во-первых, универсальная установка для измерения электрических характеристик твердых тел; во-вторых, установка для исследования спектров магнитного резонанса; в-третьих, особое внимание было уделено разработке и созданию экспериментальных методик, которые позволяют проводить исследования методами, использующими комбинированное воздействие на исследуемые объекты.

Характерной особенностью методов с комбинированным воздействием является то, что исследуемая система находится в поле двух электромагнитных излучений различных диапазонов. Одно из излучений является зондирующим и несет информацию о состоянии системы. Второе излучение служит для возмущения системы. По реакции системы на возмещение, по характеру ее релаксации в основное состояние можно судить о ее внутренней структуре, существующих в ней взаимодействиях и конкретных механизмах взаимодействия электромагнитного излучения с веществом.

Для решения подобных задач был модернизирован спектрометр магнитного резонанса, обладающий широким набором функциональных возможностей. Автором были сконструированы и созданы вставка для проведения направленных исследований и система температурной стабилизации. Экспериментальная установка позволяет проводить исследования, основанные на детектировании отклика системы при

комбинированном воздействии. Так, реализованы схемы детектирования магнитного резонанса по изменению проводимости образца и изменение спектра магнитного резонанса при воздействии транспортного тока. В спектрометре магнитного резонанса применены конструкция перестраиваемого СВЧ генератора, с системой автоматической подстройки частоты, импульсным питанием и другие оригинальные технические решения. Основные характеристики спектрометра: СВЧ диапазон - 10*40 ГГц, диапазон магнитных полей - 0+-12 кЭ, температурный диапазон -4.2*350 К.

Третья глава посвящена изложению оригинальных результатов по исследованию кристаллов мапганитов (11а|..уЕиу)о.7РЬо.зМ110з. Необычные магнитные и электрические свойства кристаллов (1а1.уЕиу)о.7РЬо.зМпОз обусловлены конкурирующими взаимодействиями, которые могут меняться в зависимости от концентрации примесных ионов. Так, одной из важнейших особенностей манганитов является магнитное фазовое расслоение, в результате чего в подобных материалах образуются неоднородные состояния. Причем, эти неоднородные состояния не связаны напрямую с химической неоднородностью материалов, а возникают в результате образования в кристалле либо областей (фаз) с различной электронной плотностью, либо областей с одинаковой электронной плотностью, но отличающихся степенью локализации носителей заряда.

Принципиальным является то обстоятельство, что состояние с магнитным фазовым расслоением оказывается очень чувствительным к внешним воздействиям, и, таким образом, появляется уникальная возможность управления неоднородным состоянием (а через него магнитными и электрическими свойствами) материалов при помощи магнитного поля, температуры, электромагнитного излучения и транспортного тока.

Все обсуждаемые в настоящее время сценарии фазового расслоения в маиганитах предполагают различные магнитные состояния сосуществующих фаз. Поэтому при исследованиях использовались методы магнитометрии и электронного магнитного резонанса как эффективные инструменты исследования фазового расслоения в маиганитах.

Прежде всего, для кристаллов (Ьа|_уЕиу)о.7РЬо,зМп01 были проведены исследования температурных зависимостей намагниченности, как при высоких, так и при низких температурах. Из высокотемпературных зависимостей обратной магнитной восприимчивости были получены аффективные значения магнитных моментов приходящихся на

магнитный ион, и постоянной 0. Установлено, что с увеличением содержания ионов европия значение ^ увеличивается, а значение 8 уменьшается. Эти данные объясняются влиянием магнетизма примесных ионов Еи3+, возникающего за счет примешивания высоко лежащих уровней. Температура магнитного перехода (Тс), для каждого образца, определялась как температура, при которой величина принимает1

максимальное значение. Для у = 0, 0.2, 0.4, 0.6 , были получены значения Тс 353, 320, 242 и 119 К, соответственно. Также для образцов с у = 0, 0.2, 0.4 и 0.6 были проведены низкотемпературные измерения намагниченности в разных режимах. На рис. 1 представлены результаты измерений, как при охлаждении в поле Н=50 Ое (ТС), так и при охлаждении без поля @РС), Видно, что с увеличением у, кривые намагниченности демонстрируют сложное поведение, и такое поведение намагниченности указывает на неоднородность магнитного состояния, в частности на то, что реализуется состояние подобное спин-стекольному.

Таким образом, магяитостатические данные показывают, что увеличение содержания ионов Ей в соединении (Ьа1.уЕиу)о,7РЬо.зМп03 ведет к их заметному влиянию на магнитное состояние, как выше, так и ниже температуры магнитного фазового перехода.

Н=50 Ое

—«►— яс

—о— ТРС

0,15

0

О 100 200 300 400

Тетрега1иге (К)

Рис. 1. Температурные зависимости намагниченности монокристаллов (1а1.уЕцу)о,7РЬо.зМпОз в магнитном поле Н = 50 Ое (РС) и без поля (гРС).

Известно, что для нелегированных соединений маяганитов основным фактором, определяющим электрическое и магнитное поведение в манганитах, при фиксированной концентрации дырок является средний ионный радиус катиона, находящегося в А позиции, В тоже время из-за структурного беспорядка различие размеров разных катионов, расположенных в А позиции, вызывает локальные структурные искажения, случайно распределенные в объеме образца, и приводит к значительному изменению длины и угла Мп-О-Мп связей. Это может служить причиной магнитного фазового расслоения в микрометровом масштабе, что и наблюдается в манганитах из-за случайного распределения конкурирующих ФМ и АФМ обменных взаимодействий. Также известно, что в оксидных соединениях обмен между редкоземельными и Зс1-ионами имеет антиферромагнитный характер, а это значит, что могут существовать «мостики» с фрустрированными связями. В любом случае - или из-за разброса локальных полей анизотропии, или конкуренции обменов -

возможна реализация состояния, подобного спин-стекольному. В больших магнитных полях эти эффекты подавляются, и система ведет себя как классический ферромагнетик.

Поскольку столь значительное внимание к манганитам обусловлено эффектом KMC, то наряду с магнитными свойствами были исследованы закономерности изменения электрического сопротивления, как при варьировании температуры и магнитного поля, так и при изменении уровня легирования кристаллов ионами Ей.

Температурные зависимости удельного электросопротивления для кристаллов (Ьа1.уЕиу)о,7РЬо.зМпОз с у-О, 0.2, 0.4, 0.6 представлены на рис. 2а. Видно, что при замещении ионов La ионами Ей транспортные свойства меняются весьма значительно. Так, величина магнитосопротивления Ар/р0 растет с увеличением у и достигает своего максимума в 96% при у=0.6 в магнитном поле Н=50 Юе (рис. 2Ь).

Эти экспериментальные результаты объясняются в рамках подхода неоднородных проводников. Как правило, в легированных манганитах, переход металл-диэлектрик проявляет при довольно высоких температурах, а высокотемпературная проводимость носит поляронный характер. В наших образцах при высокой температуре поведение р(Т) хорошо согласуется с моделью малых поляронных прыжков. Эта модель предсказывает, что поведение проводимости будет описываться следующей зависимостью p = BTexp[Et/k,T), где В - температурно-независимый коэффициент, Ег -энергии активации и к, - постоянная Больцмана. Анализ кривых In (р/Т) для у- 0.6 показывает, что при Tf=80 К меняется механизм проводимости относительно комнатных температур. На самом деле поведение проводимости в температурном диапазоне Т< Tf хорошо описывается моделью Моттовских прыжков. Исходя из этой модели, поведение проводимости для у=0.6 должно иметь следующую зависимость p(7') = /j0exp[(:rl,/7")1/4], где ра предэкспоненциальная константа, Та связана с

плотностыо состояний у уровня Ферми. Такое поведение сопротивления является типичным для разупорядоченных и топологически неоднородных сред.

Рис. 2. Температурные зависимости: (а) - удельного электросопротивления, (Ь) - магнитосопотивления

Еще одним фактом, указывающим на неоднородность нашего образца, является нелинейное поведение транспортных свойств. Так в области температур, где наблюдается эффект KMC, наблюдается нелинейная вольт-амперная зависимость, причем нелинейный характер наблюдается вплоть до полей Н=30 кОе. Стоит отметить, что с увеличением поля не только меняется величина проводимости, но и характер нелинейности, а это может указывать на неоднородность нашего образца.

Поскольку эффект KMC обусловлен магнитным фазовым расслоением, то весьма информативным здесь может оказаться применение метода магнитного резонанса, так как спектры магнитного резонанса очень чувствительны к магнитной неоднородности образцов. Не стоит забывать, что любой из осуждаемых в настоящее время сценариев фазового расслоения подразумевает, что сосуществующие фазы находятся в различном маши том состоянии.

Magnetic field (kOe)

Рис. 3. Спектр магнитного резонанса, v-26 ГГц, и наилучшая его подгонка Лоренцевскими (1 и 2) линиями поглощения; 3 - позиция линии, ожидаемая для однородного изотропного ферромагнетика

На кристаллах (Lao.iEu^tuPbn зМпОз были проведены магниторезонансные исследования. Для анализа экспериментальных спектров кристалла (Lao,4Euo,6)o.7Pbo зМп03, записанных на частоте 26 ГГц, использовалась процедура подгонки лоренцевскими линиями. Рис. 3 демонстрирует типичный спектр магнитного резонанса кристалла, записанный при температуре 80 К. В спектре магнитного резонанса при понижении температуры уверенно регистрируются две линии поглощения,

начиная с Т~ 220 К, что близко к температуре, где появляются аномалии в поведении транспортных свойств кристалла. Две линии соответствуют магнитнорезонаисному поглощению в двух различных фазах, сосуществующих в объеме образца, это же подтверждают измерения частотно-полевых зависимостей (рис. 4).

80

60

N I

а 4о

>

20

• v,(Hj) fexper.) ° V,(HJ) (exper) i 3 2 «у» •/ ■ </ im ■ 00

jr. ■

1 - У,(Н,') (calc., Eq(2))

м'/ 3 - V~yUt

' j'l............ , 1 ., ,. 1 1_____J-.—»........ J...........1 ...

0 5 10 15 20 25 30 35 Magnetic field (kOe)

Рис. 4. Частотно-полевые зависимости для двух линий поглощения. Символы - эксперимент, линии - модельный расчет.

В линейном приближении резонансные условия для обеих фаз даются

следующими соотношениями:

2

(Я>(1 + ^А/г)(я' + (1+*) V» + 4*М)

(1). (2),

У \ X

где у - гиромагнитное отношение, Н\ и Н] - резонансные поля линий поглощения различных фаз.

Magnetic field (kOe)

Рис. 5. (a) - Спектр магнитного резонанса, записанный при пропускании постоянного тока (пунктирная линия) и без тока, (Ь) - соответствующие изменения линий поглощения для обеих фаз, стрелками указано уменьшение и увеличение интенсивностей линий поглощения основной и меньшей фаз.

Также исследовался спектр магнитного резонанса при пропускании постоянного тока через образец. При этом использовалось СВЧ излучение на частоте 9 GHz, поскольку в этом случае спектр поглощения наблюдается в низких полях (Я',Я,2 <3kOe). Рис. 5 показывает, как постоянный ток влияет на спектр магнитного резонанса. Увеличение тока приводит к увеличению доли нарождающейся (проводящей) фазы, в то время как доля основной фазы уменьшается. Такое поведение указывает на то, что ток вызывает увеличение объема более проводящей фазы в образце.

Следует упомянуть результаты исследований, проведенных при изучении изменения проводимости манганита Еио.7рЬо.эМпОз Т1РИ магнитном резонансе в области фазового перехода, где наблюдается смешанное

двухфазное ферромагнитно-парамагнитное состояние. В данном случае резонансная СВЧ накачка выступает в роли инструмента, который позволяет селективно возмущать одну из сосуществующих магнитных фаз в системе.

Данные эксперимента показывают, что наблюдается корреляция в температурных зависимостях величины СВЧ индуцированного эффекта и поведения магнитосопротивления. Ранее обсуждалось, что поведение интеисивностей линий поглощения в спектрах магнитного резонанса парамагнитной и ферромагнитной фаз отражает их эволюцию в образце при изменении температуры и внешнего магнитного поля. Данные наших работ однозначно показывают, что изменение проводимости, индуцированное магнитным резонансным поглощением, имеет место только тогда, когда в спектре одновременно наблюдаются линии парамагнитной и ферромагнитной фаз, т. е. когда образец находится в двухфазном состоянии.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ РАБОТЫ

1. Сконструирован и изготовлен автоматизированный блок для измерения электрических и магниторезистивных параметров широкого круга магнитных материалов (от «плохих» полупроводников р — 4- 10s Ohnrcm до металлов р ~ 1 Ohm-cm) в температурном диапазоне Т = 4.2 - 300 К и в области магнитных полей Н = 0 - 12 Юе.

2. Проведены исследования магнитных свойств кристаллов (Ьа!.уЕтЛу)0.7РЬо.зМпОз в зависимости от температуры, магнитных полей при разных концентрациях легирующей примеси Ей. Установлено, что введение ионов европия существенно влияет на температуру магнитного перехода (от Тс = 370 К для j? = 0, до Тс = 119 К при у = 0.6). Из анализа высокотемпературных зависимостей намагниченности следует, что примесные ионы Ей дают небольшой вклад в намагниченность системы и гораздо сильнее влияют, на обменное взаимодействие. Низкоцолевые зависимости в магнитоупорядоченной области указывают на существование

спин-стекольиого состояния, возникающего вследствие появления конкурирующих взаимодействий.

3. Установлено, что характер электрической проводимости кристаллов (Lai.yEuy)o.7Pbo.3Mn03 меняется от металлического при у = 0 до полупроводникового при у = 0.6. В области магнитного перехода имеет место эффект колоссального магнитосопротивлепия (KMC). Его величина и температурная область существования увеличиваются при увеличении содержания европия в интервале = 0 - 0.6 и далее уменьшаются при увеличении у. В интервале температур, где наблюдается эффект KMC, регистрируются нелинейные вольт-амперные характеристики, причем характер нелинейности зависит от величины магнитного поля и наблюдается при Н < 30 Юе. Все эти факты являются косвенным указанием на существование магнитного фазового расслоения.

4. Методом электронного магнитного резонанса получено прямое доказательство существования эффекта магнитного фазового расслоения. В области магнитного перехода, там же, где имеет.' место эффект магнитосопротивлепия и наблюдаются нелинейные электрические свойства, одновременно наблюдаются сигналы магнитного резонанса, присущие различным магнитным фазам. Изучение частотно-полевых зависимостей линий поглощения магнитного резонанса впервые использовано для анализа эволюции двухфазного состояния. По изменению отношения интенсивностей линий магнитного резонанса показано, что происходит изменение объема фаз, как в зависимости от температуры, так и от величины магнитного поля.

5. При пропускании постоянного тока через образец (1,ао,4Еио,б)о.7РЬ<пМпОз обнаружено его влияние на спектр магнитного резонанса. Установлено, что увеличение тока приводит к увеличению объема более проводящей фазы в объеме образца. Таким образом, появляется возможность управлять электрическими свойствами кристаллов манганитов посредствам внешних воздействий.

6. Впервые в объемных кристаллах манганита Еио.тРЬо.зМпОз обнаружено влияние СВЧ облучения на соотношение фаз. Установлено, что в области существования KMC при развертке магнитного поля на фоне кривой р(Н) при включении СВЧ накачки происходит ее искажение, по форме подобное линии электронного магнитного резонанса. Величина индуцированного изменения зависит от величины тока измерения. Показано, что эффект не связан с тривиальным нагревом, а имеет место СВЧ индуцированное изменение соотношения пара- и ферромагнитной фаз.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ

1. Volkov N.V., Pctrakovskii G.A., Vasiliev V.N., Sablina K.A., Velikanov D.A., Patrin K.G., Observation of mixed two-phase state in ЕиотРЬо.зМпОэ sl^le crystal by magnetic resonance method, Physica B, 2002, V.324, P.254-260

2. Volkov N.V., Petrakovskii G.A., Vasiliev V.N., Sablina K.A., Patrin K.G., Magnetic resonance probe of the phase separation in EuojPbojMnOj single crystal, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2003 V.258-259C, P.302-305

3. Volkov N.V., Petrakovskii G.A., Sablina K.A., Patrin K.G., Probing the phase separation in the doped manganites by the magnetic resonance method, Acta Physica Polonica, 2004, v.105, p.69

4. Volkov N., Petrakovskii G., Vasiliev V., Sablina K., BSni P., Clementyev E., Patin K., Magnetic and transport properties of (Ьао.4Еио.б)о лРЬо.зМпО} single crystal: The key role of intrinsic inhomogeneity Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2005 V.300 , P. 179-182

5. Volkov N.V., Pctrakovskii G.A., Patrin K.G., Vasiliev V.N., Sablina K.A., Vasiliev A., Eremin E.V., Molokeev M., Intrinsic inhomogeneity in a (Ьао.«Еио.б)олРЬо.зМпОз single crystal: Magnetization, transport and electron

. magnetic resonance studies, Physical review B, 2006, V73, 104401

6. Volkov N., Petrakovskii G., Boni P., Clementyev E., Patin K., Sablina K., Velikanov D.A., Vasiliev V.N., Intrinsic magnetic inhomogeneity of Eu substituted Lao.yPbojMnCh single crystals, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2007 V.309, P. 1 -6

Подписано к печати 26.06.2007 Формат 60x84/16 Тираж 70 экз., у. -пл.: 1,1. Заказ № 38 Отпечатано в типографии Института Физики СО РАН 660036, Красноярск, Академгородок, ИФ СО РАН

да 1 5 4 4 в

2007524068

ВВЕДЕНИЕ.- 4 -

ГЛАВА 1. Обзор физических свойств манганитов.- 8

1.1. Ьа1х5гхМп03 соединения.

Манганиты с широкой полосой проводимости.- 13

1.2. Ьа1хСахМп03 соединения.

Манганиты со средней полосой проводимости.- 17

1.3. Рг1хСахМп03 соединения.

Манганиты с узкой полосой проводимости.- 23

1.4. Другие перовскитоподобные соединения.- 28

1.5. Используемые модели. .- 37

1.5.1. Двойной обмен.- 38

1.5.2. ЭффектЯна-Теллера.- 39

1.5.3. Двухорбитальная модель. .- 40

Постановка задачи. .- 43

ГЛАВА 2. Приготовление образцов, экспериментальные методы.

Техника эксперимента. .- 45

2.1. Примесные монокристаллы манганитов (Ьа|.уЕиу)о.7РЬозМпОз.- 45

2.2. Экспериментальные установки . .- 46

2.2.1. Установка для исследования проводимости на постоянном токе .- 46

2.2.2. Установка для исследования магнитного резонанса.- 48

2.2.3. СВЧ генератор для спектрометра магнитного резонанса.- 50

2.2.4. Спектрометр магнитного резонанса с импульсным магнитным полем . .- 53

2.2.5. Метод детектирования магнитного резонанса по изменению проводимости образца. Магнитный резонанс при воздействии транспортного тока.- 55

ГЛАВА 3. Магнитные и транспортные свойства кристаллов манганитов

Ьа1уЕиу)о.7РЬо.зМпОз. Магниторезонансные исследования.- 57

3.1. Магнитные свойства монокристаллов манганитов

Ьа1уЕиу)0ЛРЬ0.зМпОз с у=0 - 0.6.- 58

3.2. Транспортные свойства монокристаллов манганитов (Ьа,.уЕиу)о.7РЬо.зМпОз для 0<у<0.6.- 65

3.3. Особенности спектров магнитного резонанса монокристаллов манганитов (Ьао^Еио/ОолРЬо.зМпОз при магнитном фазовом расслоении . - 70

3.4. Изменение проводимости монокристалла (Ьа0)4Еио,б)о.7РЬо.зМпОз, индуцированное приложением постоянного тока.- 79

3.5. Магниторезонансные исследования кристаллов Еи0.7РЪо.зМпОз. Изменение проводимости монокристалла Еи0.7РЬо.зМпОз, индуцированное магнитным резонансным СВЧ поглощением.- 81

3.6. Фазовые диаграммы.- 89

Актуальность исследований. Магнитные системы с сильными электронными корреляциями привлекают внимание исследователей по многим причинам. Во-первых, при исследовании этих систем предстоит решать проблемы фундаментального характера, связанные с определением основного состояния. Во-вторых, в этих системах обнаруживаются необычные сочетания физических свойств, и, в-третьих, такого рода соединения оказываются перспективными в плане практических применений. Материалы на основе оксида марганца обладают сменой типа проводимости, которая сопровождается изменением магнитного состояния. Они являются наиболее яркими представителями систем с сильными электронными корреляциями. Наличие в этих материалах сильно взаимодействующих спиновой, зарядовой и орбитальной подсистем определяет богатое разнообразие их свойств. К настоящему времени установлено, что причина сложного поведения этих систем кроется в конкуренции взаимодействий, имеющих сравнимые величины. При определенных уровнях легирования примесями энергии взаимодействий, отвечающие за тенденции образования той или иной фазы, становятся сравнимыми, и вопрос об основном состоянии системы оказывается весьма нетривиальным. Предполагается, например, что в данном случае основным может быть неоднородное состояние, типа - состояние с фазовым расслоением. Тонкий энергетический баланс является также причиной высокой чувствительности свойств примесных манганитов к внешним воздействиям, таким как температура, внешнее магнитное поле, давление, транспортный ток и др.

Поскольку при введении редкоземельных ионов в кристалл образуется подсистема с явно выраженными локализованными магнитными моментами, то возникает возможность управляемого влияния на магнитные параметры системы (намагниченность, анизотропия, температура перехода и т.д.). В настоящей работе речь пойдет о взаимосвязи магнитных и электрических свойств кристаллов манганитов, легированных ионами редких земель и их чувствительности к воздействию электромагнитного излучения СВЧ диапазона. При этом один из главных аспектов - изучение условий возникновения состояния с фазовым расслоением и влияния редкоземельных ионов на электронную структуру в кристаллах манганита. Интересным моментом является и то, что наличие конкуренции взаимодействий приводит к возникновению неоднородных состояний в реальных кристаллах манганитов. Сильная чувствительность такого состояния с фазовым расслоением к внешним возмущениям (транспортный ток, магнитное поле) является причиной необычных наблюдаемых магниторезистивных эффектов и нелинейных электрических транспортных свойств.

Именно изучению новых соединений состава (Ьа,уЕиу)о.7РЬ0.зМпОз (0<у<1), проявляющих эффект колоссального магнитосопротивления, посвящено настоящее исследование.

Цель работы. Целью данной работы явилось изучение магнитных, электрических свойств кристаллов манганита (Ьа^Еи^олРЬо.зМпОз и их взаимосвязи в зависимости от концентрации легирующей примеси и внешних условий. Значительное внимание уделено установлению границ существования магнитного фазового расслоения и исследованию динамического поведения системы в условиях пропускания транспортного тока и электромагнитного СВЧ облучения.

Научная новизна. При исследовании физических свойств кристаллов манганита получены следующие результаты:

1. Проведено комплексное исследование магнитных, резонансных и транспортных свойств, впервые синтезированных кристаллов манганитов состава (Ьа1.уЕиу)о.7РЬо.зМп03. При изучении фазовой неоднородности в манганитах впервые использован метод исследования частотно-полевых зависимостей спектров магнитного резонанса. Это позволило непосредственно установить, что в области температуры магнитного фазового перехода, где наблюдается эффект колоссального магнитосопротивления, реализуется состояние с магнитным фазовым расслоением.

2. Обнаружен и исследован эффект индуцирования магнитным резонансным СВЧ поглощением изменений в электрической проводимости монокристалла манганита. Показано, что ключевую роль в механизме изменения проводимости играет состояние фазового расслоения, реализующееся в образце.

3. Впервые обнаружено и экспериментально изучено влияние транспортного тока на спектр магнитного резонанса в монокристаллах манганита.

Практическая ценность. Результаты исследований позволяют расширить представления о природе магнитных свойств и взаимодействий в кооперативных системах. В частности, они позволяют глубже понять механизмы формирования и изменения магнитных свойств при легировании материалов, что, в свою очередь, позволит прогнозировать свойства различного класса магнитных систем и целенаправленно получать материалы с требуемыми свойствами.

Основные надежды на применение манганитов связаны с эффектом колоссального магнитосопротивления, который может служить основой при создании магнитоуправляемых устройств электроники для целей записи, хранения и обработки информации. Изучение магнитных и электрических свойств кристаллов манганитов позволяет сделать вывод о возможности их использования в качестве электронных элементов, управляемых не только магнитным полем, но и другими внешними воздействиями, например, транспортным током.

Еще одно направление исследований манганитов связано с перспективой применения их в устройствах спинтроники. Высокая спиновая поляризация носителей заряда в этих материалах позволяет надеяться на успешное их применение в качестве источников поляризованных электронов, эмитируемых в магнитные гетероструктуры. Очевидно, что все работы, направленные на выяснение механизмов электронного транспорта в манганитах и магнитных структурах на их основе, остаются востребованными.

Апробация работы. Материалы диссертации были представлены на

• V Всероссийской научной конференции «Решетневские Чтения», (г. Красноярск, 2001);

• XL Международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс». Физика, (г. Новосибирск, 2002);

• XVIII, XIX и XX международных школах-семинарах «Новые магнитные материалы микроэлектроники» (г. Москва, 2002, 2004, 2006 гг.);

• Московском международном симпозиуме по магнетизму, «MISM» (г. Москва, 2002, 2005 гг.);

• Международной конференции «Функциональные материалы» «ICFM-2005» (Крым, Украина, 2003 г.);

• Международной конференции Европейского Материаловедческого Общества, «EMRS-Fall Meeting» (г. Варшава, Польша, 2003 г.)

• Международной конференции по магнетизму (г. Рим, Италия, 2003 г.)

• Евро-Азиатском симпозиуме «Прогресс в магнетизме» «EASTMAG-2004» (г.Красноярск 2004).

• 34-ом совещании по физике низких температур (г. Сочи 2006)

ПУБЛИКАЦИИ

По теме диссертации опубликовано 6 печатных работ в рецензируемых зарубежных и отечественных журналах.

СТРУКТУРА ДИССЕРТАЦИИ

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем составляет 101 страницу, включая 49 рисунков. Список цитируемой литературы состоит из 96 наименований.

Основные результаты работы состоят в следующем:

1. Сконструирован и изготовлен автоматизированный блок для измерения электрических и магниторезистивных параметров широкого круга магнитных материалов (от «плохих» полупроводников р ~ 4-105 Ohm-cm до металлов р ~ 1 Ohm-cm) в температурном диапазоне Т = 4.2 - 300 К и в области магнитных полей Н = 0 - 12 Юе

2. Проведены исследования магнитных свойств кристаллов (Laj. уЕиу)о.7РЬ0.зМпОз в зависимости от температуры, магнитных полей при разных концентрациях легирующей примеси Ей. Установлено, что введение ионов европия существенно влияет на температуру магнитного перехода (от Тс = 370 К для у = 0, до Тс = 119 К при у = 0.6). Из анализа высокотемпературных зависимостей намагниченности следует, что примесные ионы Ей дают небольшой вклад в намагниченность системы и гораздо сильнее влияют на обменное взаимодействие. Низкополевые зависимости в магнитоупорядоченной области указывают на существование спин-стекольного состояния, возникающего вследствие появления конкурирующих взаимодействий.

3. Установлено, что характер электрической проводимости кристаллов (Ьа1уЕиу)о.7РЬо.зМпОз меняется от металлического при у = 0 до полупроводникового при у = 0.6. В области магнитного перехода имеет место эффект колоссального магнитосопротивления (KMC). Его величина и температурная область существования увеличиваются при увеличении содержания европия в интервале у = 0 - 0.6 и далее уменьшаются при увеличении у. В интервале температур, где наблюдается эффект KMC, регистрируются нелинейные вольт-амперные характеристики, причем характер нелинейности зависит от величины магнитного поля и наблюдается при Н < 30 Юе. Все эти факты являются косвенным указанием на существование магнитного фазового расслоения.

4. Методом электронного магнитного резонанса получено прямое доказательство существования эффекта магнитного фазового расслоения. В области магнитного перехода, там же, где имеет место эффект магнитосопротивления и наблюдаются нелинейные электрические свойства, одновременно наблюдаются сигналы магнитного резонанса, присущие различным магнитным фазам. Изучение частотно-полевых зависимостей линий поглощения магнитного резонанса впервые использовано для анализа эволюции двухфазного состояния. По изменению отношения интенсивностей линий магнитного резонанса показано, что происходит изменение объема фаз, как в зависимости от температуры, так и от величины магнитного поля.

5. При пропускании постоянного тока через образец (Ьа0,4Еи0;6)0.7РЬ0.зМпОз обнаружено его влияние на спектр магнитного резонанса. Установлено, что увеличение тока приводит к увеличению объема более проводящей фазы в объеме образца. Таким образом, появляется возможность управлять электрическими свойствами кристаллов манганитов посредствам внешних воздействий.

6. Впервые в объемных кристаллах манганита ЕиолРЬо.зМпОз обнаружено влияние СВЧ облучения на соотношение фаз. Установлено, что в области существования KMC при развертке магнитного поля на фоне кривой р(Н) при включении СВЧ накачки происходит ее искажение, по форме подобное линии электронного магнитного резонанса. Величина индуцированного изменения зависит от величины тока измерения. Показано, что эффект не связан с тривиальным нагревом, а имеет место СВЧ индуцированное изменение соотношения пара- и ферромагнитной фаз.

Считаю своим долгом выразить благодарность своему научному руководителю доктору физ.-мат. наук, Волкову Никите Валентиновичу за поставленную интересную научную задачу, за внимание и всестороннюю помощь в ходе ее выполнения. Хочу поблагодарить заведующего лабораторией РСМУВ профессора Петраковского Германа Антоновича за поддержку данных исследований и содействие в ходе ее выполнения, и выразить особую признательность Саблиной Кларе Александровне, чей талант технолога позволяет проводить исследования на самых совершенных кристаллах. Выражаю благодарность всему коллективу лаборатории Резонансных свойств магнитоупорядоченных веществ за дружеское отношение и полезные советы в процессе работы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В данной работе представлено экспериментальное исследование физических свойств впервые синтезированных монокристаллов манганитов состава (Ьа1уЕиу)о.7РЬо.зМп03.

1. Jonker G.H., Van Santen J.H., Physica (Utrecht) 1950 v.16, p.337

2. Jin S et al. Science (1994) v.264, p.413

3. Wollan E.O., Koehler W.C., Phys. Rev., 1955, v.100, p.545

4. Küsters R.M., Singleton J., Keen D.A., McGreevy R., Hayes W., Physica 1989, B.155, p.3625. von Helmolt R., Wecker J., Holzapfel В., Schultz L., Samwer К., Prys. Rev. Lett. 1993, v.71, p.2331

5. Нагаев Э.Л., Письма в ЖЭТФ 1967, т.6, с.484; ЖЭТФ 1968, т.54, с.228

6. Нагаев Э.Л., Письма в ЖЭТФ 1972, т. 16, с.558; Кашин В.А., Нагаев Э.Л., ЖЭТФ 1974, т.66, с.2105

7. Kasuya T., Yanase A., Takeda Т., Solid State Commun. 1970, v.8, p.1543,1551

8. Кривоглаз M.A., УФН 1972, т.106, с.360; УФН 1973, т.111, с.617

9. Булаевский Л.Н., Нагаев Э.Л., Хомский Д.И., ЖЭТФ 1968, т.54, с. 1562

10. Uehara M., et.al., Nature 1999, v.399, p.560

11. Balagurov A.M., et. al., Eur. Phys. J 2001., B.19, p.215

12. Zener C., Phys. Rev. 1951., v.82, p.403

13. Kawano H., Kajimoto R., Yoshizawa H., et. al., Phys. Rev. Lett. 1997, v.78, p.4253

14. Tokura Y., et. al., J. Phys. Soc. Japan 1994., v. 63, p.3931

15. Matsumoto G., J. Phys. Soc. Japan 1970., v.29, p.615

16. Schiffer P., Ramirez A.P., Bao W., Cheong S.W., Phys. Rev. Lett. 1995, v.75, p.3336

17. Neumeier J.J., Hundley M.F., Thompson J.D., Heffner R.H., Phys. Rev. В 1995., В 52, p.4189

18. Cheong S.W., Hwang H.Y., Contribution to Colossal Magnetoresistance Oxydes, Monographs in Condensed Matter Science. Gordon & Breach, London 1999.

19. Kugel K.I., Khomskii D.I., Sov. Phys. JETP 1974, v 37, p.725

20. Zimmermann M.V., Nelson C.S., Hill J.P., Gibbs D., et. al., Phys. Rev. Lett1999, v.83, p.4872

21. Zimmermann M.V., Nelson C.S., Hill J.P., Gibbs D., et. al., Preprint cond-mat/0007231 2000

22. Mori S., Chen C.H., Cheong S.W., Nature 1998a, v.392, p.473

23. Hotta T., Takada Y., Koizumi H., Dagotto E., Phys. Rev. Lett. 2000a, v.84, p.2477

24. Dai P., Fernandez-Baca J.A., Chakoumakos B.C., Cable J.W., et. al., Preprint 1996, unpublished

25. Moreo A., Mayr M., Feiguin A., Yunoki S., Dagotto E., Phys. Rev. Lett.2000, v.84, p.5568

26. Tomioka Y., Asamitsu A., Kuwahara H., Maritomo Y., Tokura Y., Phys. Rev.1996, B 53 R1689

27. Hotta T., Dagotto E., Phys. Rev. 2000, B 61 R11,879

28. Tomioka Y., Asamitsu A., Kuwahara H., Tokura Y., Phys. Soc. Japan 1997, v.66, p.302

29. Kawano H., Kajimoto R., Yoshizawa H., Tomioka Y., et. al., Phys. Rev. Lett.1997, v.78, p.4253

30. Yoshizawa H., Kawano H., Fernandez-Baca J.A., Kuwahara H., Tojura Y., Phys. Rev. 1998, B58, R571

31. Zvyagin S., Saylor C., Martins G., Brunei L.C., et. al., Preprint 2000

32. Akimoto T., Maruyama Y., Moritomo Y., Nakamura A., et. al., Phys. Rev.1998, B57, R5594

33. Moritomo Y., Phys. Rev. 1999b, B60, RIO,374

34. Tomioka Y., Tokura Y., Metal-insulator phenomena relevant to charge/orbital ordering in perovskite-type manganese oxydes. Preprint 1999.

35. Uehara M., Mori S., Chen C.H., Cheong S.W., Nature 1999, v.399, p.560

36. Fäth M., Freisem S., Menovsky. A.A, Tomioka Y., Prys. Rev. Lett. 1998, v.80, p.4012

37. Ibarra M.R., De Tereza J.M., J. Magn. Magn. Mater 1998a, p.177-181, 846

38. De Teresa J.M., Ibarra M.R., Garcia J., Blasco J., et. al., Phys. Rev. Lett. 1996, v.76, p.3392

39. De Teresa J.M., Ritter C., Ibarra M.R., Algarabel P.A., Phys. Rev. 1997a, B56, R3317

40. Lynn J.W., Erwin R.W., Borchers J.A., Huang Q., et. al., Phys. Rev. Lett.1996, v.76, p.4046

41. Lynn J.W., Erwin R.W., Borchers J.A., Santoro A., et. al., J. Appl. Phys.1997, v.81, p.5488

42. Lanzara A., Saini N.L., Brunelli M., Natali F., et. al., Phys. Rev. Lett. 1998, v.81, p.878

43. Allodi G., De Renzi R., Guidi G., Licci F., et. al., Phys.Rev. 1997, B56, R6036

44. Heffner R.H., Sonier J.E., MacLaughlin D.E., Nieuwenhuys G.J., et. al., Cond-mat/9919964 1999

45. Yunoki S„ Ни J., Malvezzi А., Могео A., et. al, Phys. Rev. Lett. 1998a, v.80, p.845

46. Zhao G.M., Phys. Rev. В 2000, v.62, p. 11,883

47. Goodenough J., Phys. Rev. 1955, v. 100, p.564

48. Millis A., Shraiman B.I., Littlewood P.B., Phys. Rev. Lett. 1995, v.74, p.5144

49. Vlasenko L.S., Martynov Yu.V., Gregorkiewicz Т., Ammerlaan C.AJ. Electron paramagnetic resonance versus spin-dependent recombination: Excited triplet states of structural defects in irradiated silicon, Phys. Rev. B. 1995, V.52, N.2, P.l 144-1151.

50. Kugel., Khomskii D.I., Sov. Phys.-JETP 1974, v.37, p.725

51. Murakami Y., Kawada H., Kawata H., Tanaka M., et. al., Phys. Rev. Lett. 1998a, v.80, p. 1932

52. HottaT., Yunoki S., Mayr M., Dagotto E., Phys. Rev. 1999, B12, R15,009

53. Koshibae W., Kawamura Y.,Ishihara S., Okamoto S., et. al., J. Phys. Soc. Japan 1997, V.66, p.957

54. Mizokawa T., Fujimori A., Phys. Rev. 1995, B51 R12,880

55. Mizokawa T., Fujimori A., Phys. Rev. 1996, B54 p.5368

56. Hotta T., Malvexxi A., Dagotto E., Phys. Rev. B 2000b, v.62, p.9432

57. Kagan M.Y., Khomskii D.I., Kugel K.I., Preprint cond-mat/0001245 2000

58. Stankieevich J., Sese J., Garcia J., Blasco J., Rillo C. Magnetic behavior of Pri.xCaxMn03 in the electric field driven insulator-metal transition, Phys. Rev. B 2000, v.61, n.l7,p.l 1236-11239

59. Yuzhelevski Y., Markovich V., Dikovsky V., Rozenberg E., Gorodetsky G., Jung G. Current induced metastable resistive states with memory in low-doped manganites, Phys. Rev. B 2001, v.64,n.22, p.224428-1-10

60. Mercone S., Wahl A., Simon Ch., Martin C. Nonlinear electrical response in a non-charge-ordered manganite: Pr0.8Ca0.2MnO3, Phys. Rev. B 2002, v.65, n.21,p.214428-1-5

61. Raquet B., Anane A., Wirth S., Xiong P., and von Molnar S. Noise probe of the dynamic phase separation in La2/3Cai/3Mn03, Phys. Rev. Lett. 2000, v.84, n.19, p.4485-4488

62. Park S.H., Jeong Y.-H., Lee K.-B. Specific heat and resistivity of a doubleexchange ferromagnet LaojCaojMnOs, Phys. Rev. B 1997, v.56, n.l, p.67-70

63. Волков Н.В., Патрин Г.С., Великанов Д.А. Широкофункциональный СВЧ генератор на основе диода Ганна для магниторезонансной спектроскопии, ПТЭ. 2002, В.2, с.90-93

64. Волков Н.В., Патрин Г.С. Твердотельный сверхвысокочастотный генератор с системой автоматической подстройки частоты, ПТЭ. 1990,1. B.5, с 118— 119

65. Преображенский В.Л., Савченко М.А., Экономов Н.А. Нелинейное самовоздействие звуковых волн в антиферромагнетике с анизотропией типа «легкая плоскость», Письма в ЖЭТФ. 1978, Т.28, В.2, с.93-97

66. Петраковский Г.А., Патрин Г.С., Соснин В.М. Магнитоперестраиваемый твердотельный СВЧ-генератор. А.С. 1254981 СССР, Б.И. 1988. № 29.1. C.228, МКИ5 Н 03 В 7/14

67. В.И. Тугарин, А.И. Панкрац, И.Я. Макиевский. Автоматизированный спектрометр магнитного резонанса с импульсным магнитным полем, Приборы и техника эксперимента. 2004, №4, с. 56-61

68. Гордиенко Ю.Е., Бородин Б.Г. Бесконтактное измерение подвижности носителей заряда в полупроводниках, ПТЭ. 1984, В.1, с. 189-191

69. Р Уайт. Квантовая теория магнетизма, Москва «Мир» 1985, с. 113-124

70. Звездин А.К., Матвеев В.М., Мухин А.А., Попов А.И. Редкоземельные ионы в магнитоупорядоченных кристаллах. М.: Наука 1985, с.296

71. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Статистическая физика. М.: Физматлит 2001, Т. 5, с. 616

72. Teale R., Temple D. Photomagnetic anneal, a new magneto-optic effect in Si-doped yttrium garnet, Phys. Rev. Lett. 1967, v. 19, n.16, p.904-905

73. Teale R., Weatherley D. Photoinduced change in the magnetic anisotropy of silicon doped yttrium iron garnet, J. Phys. C: Solid State Phys. 1973, v.6, n.4, p.750-754

74. Huber D.L., Alejandro G., Caneiro A., Causa M.T., Prado F., Tovar M., Oseroff S.B. EPR linewidths in Lai.xCaxMn03: 0 <x < 1 , Phys. Rev. B. 1999, v.60, n.17, p.12155-12161

75. Shengelaya A., Zhao G., Keller H., Muller K.A., Kochelaev B.I. EPR in Laix CaxMn03: Relaxation and bottleneck, Phys. Rev. B. 2000, v.61, n.9, p.5888-5890

76. Rivadulla F., Lopez-Quintela M.A., Hueso L.E., Rivas J., Causa M.T., Ramos C., Sanchez R.D., Tovar M. Electron-spin-resonance line broadening around the magnetic phase transition in manganites, Phys. Rev. B. 1999, v.60, n.17, p.l 1922-11925

77. Volkov N.V., Petrakovskii G.A., Vasiliev Y.N., Velikanov D.A., Sablina K.A., Patrin K.G. Observation of mixed two-phase state in Euo.7PbojMn03 single crystal by magnetic resonance method, Physica B. 2002, 324/1-4, p.254-260

78. Volkov N.V, Petrakovskii G.A., Sablina K.A., Vasiliev V.N., Patrin K.G. Magnetic resonance probe of the phase separation in Eu0.7Pbo.3Mn03 single crystal, JMMM. 2003, V.258-259C, p.302-305

79. Rivadulla F., Hueso L.E., Lopez-Quintela M.A., Rivas J., Causa M.T. Comment on "Paramagnetic anomalies above the Curie temperature and colossal magnetoresistance in optimally doped manganites", Phys. Rev. B. 2001, v.64, n.10, p. 106401-106404

80. Peter M., Shaltiel B., Wenick J.H., Williams H.J., Mock J.B., Sherwood R. Paramagnetic Resonance of State Ions in Metals, Phys. Rev. 1962, v. 126, n.4, p. 1395-1402

81. Jaime M., Lin P., Chun S.H., Salamon M.B., Dorsey P., Rubinstein M. Coexistence of localized and itinerant carriers near Tc in calcium-doped manganites, Phys. Rev. B. 1999, v.60, No.2, p. 1028-1032

82. Shengelaya A., Zhao G., Keller H., Muller K.A., Kochelaev B.I. EPR in LaNx. CaxMn03: Relaxation and bottleneck, Phys. Rev. B. 2000, v.61, n.9, p.5888-5890

83. Geschwind S., Clogston A. Narrowing Effect of Dipole Forces on Inhomogeneously Broadened Lines, Phys. Rev. 1957, v. 108, n.l, p.49-53

84. Петраковский Г.А., Волков H.B., Васильев B.H., Саблина К.А. Спектр магнитного резонанса двухфазного состояния в монокристаллах манганита лантана ЬаолРЬо.зМпОз, Письма в ЖЭТФ. 2000, т.71, В.4, с.210-214

85. Salamon М., Jaime М. The physics of manganites: Structure and transport Reviews of Modern Physics. 2001. v.73, No.3, p.583-628

86. Raquet В., Anane A., Wirth S., Xiong P., and von Molnar S. Noise probe of the dynamic phase separation in Ьа2/зСа/зМпОз, Phys. Rev. Lett. 2000, v.84, n.l9, p.4485-4488

87. Volkov N.V, Petrakovski G.A., Sablina K.A. Probing the phase separation in the doped manganites by the magnetic resonance methods. Book of abstracts. E-MRS 2003 Fall Meeting. Warsaw, Poland, 2003, p. 148; Acta Physica Polonica A. 2004

88. A. Maigman, C. Martin, G. Van Tendeloo, M. Hervieu, B. Raveau, Phys. Rev. 1999, В 60, R15622

89. E. Dagotto, J. Burgy, A. Moreo, Solid State Com. 2003, v. 126, p.9

90. H. Y. Hwang, S. W. Cheong, P. G. Radaelli, B. Batlogg, Phys. Rev. 1995,v.75, p.914

91. G.-L. Liu, J.-S. Zhou, and J. B. Goodenough, Phys. Rev 2004. В 70,224421