Электронный и фононный спектры цепочечных кристаллов со структурой TlSe тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. СПЕКТРЫ ДЛИННОВОЛНОВОГО ИК ОТРАЖЕНИЯ СЕЛЕНИДА

ТАЛЛИЯ И ЕГО АНАЛОГОВ.

§ I. Структура кристалла и симметрия.

§ 2. Классификация нормальных колебаний и уравнения движения атомов кристаллической решетки.

§ 3. Спектры отражения селенида таллия и его аналогов в области остаточных лучей.4

ГЛАВА П. СПЕКТРЫ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СЕЛЕНИДА

ТАЛЛИЯ И ЕГО АНАЛОГОВ.

§ I. Спектры комбинационного рассеяния ПЫЛЬ.

Tf In 5ел , 1пТе

§ 2. КРС в системе твердых растворов Т(Ье ~Т15.

§ 3. Влияние давления на КР-спектры.

ШВА Ш. ДИНАМИКА РЕШЕТКИ СЕЛЕНИДА ТАЛЛИЯ.

§ I. Построение динамической матрицы селенида таллия.

§ 2. Вычисление упругих постоянных кристалла Т{3е

§ 3. Расчет фононного спектра селенида таллия.XI

§ 4. Динамика решетки и удельная теплоемкость селенида таллия.Ц

§ 5. Правила отбора для неупругого рассеяния нейтро нов в кристалле TP Se .JL

ГЛАВА 17. ИЗМЕНЕНИЕ СИММЕТРИИ КРИСТАЛЛА ПРИ

ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДАХ ВТОРОГО РОДА.

§ I. Термодинамическая теория фазовых переходов второго рода.

§ 2. Теоретико-групповой анализ фазсвых переходов второго рода в / {Зе

ШВА У. ОПТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ СЕЛЕНИДА ТАЛЛИЯ.

§ I. Спектры поглощения селенида таллия.

§ 2. Спектры отражения 77*15е

§ 3. Крамерс-Крониг анализ спектров отражения селенида таллия.

§ 4. Спектры термоотражения селенида таллия.

§ 5. Интерпретация структур оптических спектров отражения и термоотражения на основе рассчитанной зонной структуры.

ГЛАВА У1. ЗОННАЯ СТРУКТУРА СЕЛЕНИДА ТАЛЛИЯ И ЕГО

АНАЛОГОВ

§ I. Расчет зонной структуры селенида таллия и его аналогов методом псевдопотенциала.

§ 2. Анализ происхождения зонных состояний на основе метода линейных комбинаций атомных орбиталей

ЛКАО).

§ 3. Внутризонная плотность электронных состояний в Tf5e

ГЛАВА УП. ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА В СЕЛЕНИДЕ ТАЛЛИЯ.

§ I. Анизотропия кинетических коэффициентов селе нида таллия.

§ 2. Интерпретация анизотропии эффекта Холла и электропроводности кристаллов / £Ьо

§ 3. Анизотропия эффекта Холла и электропроводности кристаллов 77 <5 е под давлением.

§ 4. Влияние давления и температуры на электропроводность и эффект Холла кристаллов <3е в области примесной проводимости. Определение барического коэффициента приведенного уровня Ферми.

ВЫВОДЫ.

Развитие новых методов исследования и применение вычислительных средств позволяют построить энергетический спектр электронов и фононов полупроводниковых соединений, выяснить специфические особенности их и делать на этой основе прогнозы различных эффектов и их применений. Изучение реальных объектов и получение количественных предсказаний имеет как практическое,так и научное значение, поскольку эти исследования расширяют наше понимание физических явлений, протекающих в полупроводниках. Оптические методы исследования являются основным источником сведений об энергетических уровнях полупроводников в интервале энергий от нескольких десятых долей электрон-вольта до двух десятков электрон-вольт. Электрические измерения дополняют эти исследования дня получения наиболее подробной информации о структуре энергетических зон вблизи энергетической щели.

Изучая спектры решеточного отражения полупроводников,получаем информацию о частотах поперечных и продольных оптических мод длинноволновых колебаний. Последние не только интересны сами по себе, но и полезны для вычисления эффективного заряда,служащего количественным критерием полярности полупроводникового соединения. Эта же величина определяет подвижность свободных носителей заряда в определенной области температур.

В связи с вышесказанным в последние годы оптические свойства полупроводниковых кристаллов в ИК области спектра исслежу -ются весьма активно. Наряду с экспериментами по рассеянию мед -ленных нейтронов эти эксперименты составляют необходимую часть комплекса исследований фононных спектров полупроводниковых кристаллов. Сюда же примыкает и спектроскопия комбинационного рассеяния. В центросимметричных кристаллах фононы активные в спектрах

КР не активны в спектрах ИК поглощения и отражения, таким образом, спектроскопия КР и Ж взаимно дополняют друг друга,давая информацию о различных фононах.

В качестве объекта исследования нами выбраны полупроводниковые соединения А^В^1 со структурой селенида таллия. Характерной особенностью кристаллической структуры селенида таллия и его аналогов ТЕЪ , I* /е- , TdT* t ТбТ* (е^ является наличие двух сортов ионов таллия в элементарной ячейке: однова -лентных ионов таллия окруженных восемью ионами селена, и трехвалентных ионов таллия, окруженных четырьмя ионами селена. Трехвалентные ионы таллия образуют цепочки Tt-ц ~ Se. 9 вытянутые вдоль тетрагональной оси кристалла. Эти цепочки связаны между собой посредством одновалентных ионов таллия.

В отличие от слоистых полупроводниковых соединений группы электронный и фононный спектр которых хорошо изучен,рассматриваемые соединения с цепочечной структурой не были иссле -дованы к началу нашей работы. В литературе имелись скудные данные по электрическим и оптическим спектрам, а данные по колебательным спектрам полностью отсутствовали. Тем не менее имелись указания на перспективность полупроводниковых соединений со структурой селенида таллия дня целей полупроводниковой электроники. В частности, в ТЕ Тъ обнаружен пьезофоторезистивный эффект, заключающийся в резком повшении пьезорезистивного эффекта цри подсветке. На основе TiTh. , т[ Тп /е^ разработаны малоинерционные фоторезисторы и детекторы рентгеновских лучей. Селенид таллия - главный представитель этой группы соединений перспективен как материал для инфракрасных детекторов.

В связи с вышеизложенным целью данной работы является: установление особенностей электронного и колебательного спектров полупроводниковых соединений со структурой селенида таллия.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

- исследовать спектры решеточного отражения и комбинационного рассеяния кристаллов 5 t Ttbe t I к Те. t тЕ Tm, SeЛ ддЯ по лучения сведений о фононах активных в спектрах ИК поглощения и отражения, а также КР;

- используя модель силовых постоянных построить теорию колебательного спектра селенида таллия для определения полного фононного спектра и вычисления спектральной плотности фононных состояний;

- исследовать влияние гидростатического давления на спектры КР для получения дополнительной информации о характере сил связи межяу атомами в кристаллах с цепочечной структурой селенида таллия;

- исследовать возможные изменения симметрии кристаллов со структурой селенида таллия при фазовых переходах второго рода ;

- исследовать спектр поглощения селенида таллия вблизи края фундаментального поглощения для выяснения характера переходов и их поляризационного поведения;

- исследовать спектр отражения селенида таллия выше края фунда -ментального поглощения для получения сведений об электронном энергетическом спектре в широком интервале энергий;

- провести расчет зонной структуры селенида таллия и его аналогов методом псевдопотенциала для интерпретации оптических спектров и получения наиболее полной информации об электронном спектре этих полупроводниковых соединений;

- исследовать электропроводность селенида таллия под давлением для установления природа наблюдаемой анизотропии электриче -ских свойств.

На защиту выносятся следующие положения:

I. Однофононные спектры ИК-отражения и КР кристаллов со структурой селенида таллия дают информацию о 12 из 15 длинноволновых оптических фононах.

2. Особенностью фононных спектров кристаллов со структурой се-ленида таллия является наличие низкочастотных оптических ветвей.

3. Теория динамики решетки селенида таллия основанная на мо -дели силовых постоянных удовлетворительно описывает дисперсию фононов и спектральную плотность фононных состояний.

4. Динамика кристаллической решетки кристаллов со структурой селенида таллия характеризуется наличием двух типов связи: сильных внутрицелочечных и слабых межцепочечных.

5. Спектральные зависимости коэффициента поглощения селенида таллия хорошо описываются непрямыми разрешенными оптическими переходами в области слабого поглощения и прямыми запрещенными - в области сильного поглощения. Ширины как непрямой,так и прямой запрещенной зоны одинаковы для обеих поляризаций света.

6. Главный вклад в низкочастотную диэлектрическую проницаемость селенида таллия вносят межзонные переходы с энергией от одного до восьми электроновольт.

7. Группа из двух верхних валентных зон в селениде таллия,слабо отделенная от остальных и обуславливающих первый пик в плотности состояний, происходят из S -состояний одновалентного иона таллия.

8. Наблюдаемые структуры в спектрах отражения селенида таллия выше края фундаментального поглощения интерпретируются в рамках зонной структуры рассчитанной методом псевдопотенциала.

9. В собственном селениде таллия электроны рассеиваются в ос -новном на полярных оптических колебаниях решетки.

Ю.Экспериментально наблюдаемая анизотропия проводимости селенида таллия обусловлена структурной неоднородностью кристалла.

Научную новизну работы составляют:

- построен полный фононный спектр и определена спектральная плотность фононных состояний селенида таллия на основе исследования решеточных спектров отражения, спектров комбинационного рассеяния в поляризованном свете и предложенной модели динамики решетки;

- установлены качественные особенности в спектрах ИК поглощения и отражения, комбинационного рассеяния, неупругого рассеяния тепловых нейтронов на основе теоретико-группового анализа;

- определены возможные изменения симметрии кристаллов со структурой селенида таллия при непрерывных фазовых переходах;

- построен полный электронный энергетический спектр и определена внутризонная плотность состояний полупроводниковых соединений со структурой селенида таллия на основе исследований поляризационных спектров отражения, термоотражения, краевого поглощения, а также расчета зонной структуры методом псевдопотен -циала;

- установлено происхождение энергетических зон селенида таллия на основе анализа методом сильной связи;

- выявлена природа анизотропии электрических свойств селенида таллия.

Научная и практическая ценность.

Научное значение результатов диссертации определяется тем, что большой фактический материал, полученный в результате исследований оптических спектров полупроводниковых соединений со структурой селенида таллия и их теоретическое обобщение заложили основу для понимания оптических, кинетических и других физических явлений, связанных с электронным и фононный спектром.

Практическая ценность работы заключается в возможности прогнозирования свойств полупроводниковых соединений группы с цепочечной структурой, на основе Обнаруженных особенностей электронных и колебательных спектров. Эти результаты могут быть использованы при конструировании приборов, основанных на оптических, фотоэлектрических свойствах полупроводниковых соединений со структурой селенида таллия.

Диссертация состоит из введения, семи глав, выводов, трех приложений и списка литературы.

ВЫВОДЫ

1. Показано, что в однофононных спектрах решеточного отражения кристаллов со структурой селенида таллия активны две моды для поляризации света о. II с. и три для е. JL с ; в однофо-нонных спектрах КР активны семь мод.

2. Установлено, что основные особенности фононного спектра селенида таллия / наличие низкочастотных оптических мод, слабая анизотропия дисперсии фононов / и спектральной плотности фонон-ных состояний, соответственно, температурное поведение теплоемкости, описываются динамикой решетки в рамках простой модели силовых постоянных.

3. На основании изучения влияния давления на спектры КР селенида таллия показано, что низкочастотные фононы обладают наибольшими значениями сдвиговых параметров.

4. На основании анализа концентрационных зависимостей спектров КР твердых растворов системы /Se,-jc установлено, что низкочастотные фононы проявляют одномодовое, а высокочастотные-двумодовое поведение.

5. Показано, что селенид таллия является непрямозонным полупроводником с запрещенным прямым переходом и с величиной энергетической щели не зависящей от поляризации падающего света.

6. Установлено, что за полупроводниковые свойства селенида таллия и его аналогов ответственны S - состояния одновалентного иона таллия.

7. Показано, что спектры отражения и модуляционные спектры в глубине собственного поглощения селенида таллия интерпрети -руются путем сопоставления главным пикам отражения прямых межзонных переходов в рассчитанной методом псевдопотенциала зонной структуре.

8. Показано, что основным механизмом рассеяния носителей заряда в собственном селениде таллия в области температур 77 - 300 К является рассеяния на полярных оптических фононах.

9. На основе исследования влияния давления на кинетические коэффициенты селенида таллия показано,что анизотропия проводи -мости собственного селенида таллия обусловлена структурной неоднородностью 1фисталла в плоскости перпендикул^ной тетраго -нальной оси.

Автор считает своим приятным долгом выразить глубокую благодарность члену-корреспонденту АН СССР Г.Б.Абдуллаеву за поддержку настоящей работы и руководителям лабораторий: Института физики АН Азерб.ОСР доктору физ.-мат.наук Аллахвердиеву К.Р., Института физики Полупроводников АН Лит.ССР члену-корр. АН Лит.ССР Шилейка А.Ю., Института спектроскопии АН СССР,профессору Жижину Г.Н. за помощь и предоставленную возможность проведения ряда оптических измерений, а также члену-корр.АН Азерб.ССР Шахтахтинскому М.Г. за внимание к настоящей работе.

1. Гашимзаде Ф.М., Низаметдинова М.А. Спектр отражения и зонная структура TlSe , ФГТ, 1968, 9, 2665.

2. Бокий Г.Б. "Введение в кристаллохимию", 1954, 360 с.

3. Ман Л.Й., Имамов P.M., Семилетов С.А. Типы кристаллических структур халькогенидов Ga, in и ti. Кристаллография, 1976, т.21, с.628-639.

4. Гашимзаде Ф.М. Симметрия энергетических зон в кристаллах типа TlSe . ФГТ, I960, т.2, $ 12, с.3044.

5. Херинг К. Влияние симметрии относительно инверсий времени на энергетические зоны кристаллов, в книге "Симметрия в твердом теле".

6. Нокс Р., Голд А. Перевод с англ.изд."Наука", М., 1970, 243-252 с.

7. Гусейнов Дж.А., Низаметдинова М.А. Теоретико-групповой анализ фононного спектра селенида таллия. Изв.вузов, сер. физика, 1978, Л II, с. 145.

8. Борн М., Кунь X. Динамическая теория кристаллических решеток. ИЛ, М., 1958. 488 с.

9. Бир Г.Л.,Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. "Наука", М.,1972, 584 с.

10. Ю.Петрашень М.И., Трифонов Е.Д. Применение теории групп в квантовой механике. "Наука",М.1967 , 308 с.

11. П.Ландау Л.Д., Лифпиц Е.М. Квантовая механика."Наука", М.1974, с.433.

12. Пуле А., Матье I. Колебательные спектры и симметрия кристаллов ."Мир", M.I973. 437 с.

13. Штрайтвольф Г. Теория группы в физике твердого тела перевод с немецкого. "Мир ",М .1971. 262 с.

14. Низаметдинова М.А., Гусейнов Дж.А., Штейншрайбер В.Я. Колебательный спектр селенида таллия. ФГТ, том 19, вып.4,с. 2011-2014, 1977.

15. Allakhverdiev K.R., Nizametdinova М.А., Sardarly R.M., Vinogradov E.A. and Zhizhin G.N. Optical Phonons in ||| -V/l and 'II— ■■ — , ^ Compounds. Proc.Intern.Conf.Lattice Dynamics Paris, Flammarion, 1978, pp.95-98.

16. Allakhverdiev K.R., Vinogradov E.A., Melnik N.N., Nizametdinova M.A., Salaev E.Yu. and Sardarly R.M. Vibrational Properties of TISe. Phys.Stat.Sol.(b),1978,87,k115-k117.

17. Г7. Аллахвердиев K.P., Низаметдинова М.А., Нани P.X., Салаев Э.Ю., Сардарлы Р.М., Сафаров Н.Ю., Виноградов Е.А., Жижин Г.Н., Голубев Л.В. Спектр решеточных колебаний кристаллов со структурой типа TISe . Препринт ИФАН Азерб.ОСР, Je 8, Баку, 1979, 32 с.

18. Allakhverdiev K.R., Nizametdinova М.А., Salaev E.Yu., Sardarly R.M., Safarov N.Yu., Vinogradov E.A. and Zhizhin G.N. Vibrational Properties of Crystals with TISe Type Structure. Sol.Stat.Communications,1980,v.30,pp.527-532.

19. Zirke J., Frahm G., Tausend A. and Wobig D. Infrared and Raman Studies of TISe. Phys.Stat.Sol.,1976,(b)75,No2,k149-k152.

20. Zirke j., Domer C., Tausend A., Wobig D. Infrared Spactra of Amorfous Thallium Selenide Alloys. J.Non-Cryst.Sol.,1977, v.24,No2,pp.283-290.

21. Frahm G. Gittertheoretische Berechnung der temperatura-bhangigkeit der isochoren spezifischen Warmekapazitat des Thalliummonoselenides in Bereich von 3 bis 3^0 K. Diplomarbeit. -Berlin,1976, -102 p.

22. Белл P.Дж. "Введение в Фурье-спектроскопию" ЙДир'ЧМ., 1975, 380 с.

23. Гудатн дж. » Введение в Фурье оптику". "Мир",М., 1970,364 с.

24. Уханов Ю.М. Оптические свойства полупроводников. М."Наука" 1977. 366 с.

25. Ketelaar J.A.A., Hart W.H., Moorel R., Polder D. The Crystal Structure of TlSe, Thallous, Thallic or Thallosic Selenide. Z.Crystallog.,1939,v.101A,pp.396-404.

26. Muller D., Eulenberger J. und Hahn H. Ober ternare thallim chalkogenide mit thalliumselenide strukture. Z.Anorg.Allg. Chem.,1973,v.398,p.207-220.

27. Nizametdinova M.A. Raman Spectrum of InTe and TlSe Single Crystals. Phys.Stat.Sol.(b), 1980,9Z,k9.

28. Уилкинсон Г.Р. Спектры комбинационного рассеяния , ковалентных и металлических кристаллов.из книги. Применение спектров комбинационного рассеяния "Мир", M.I977, с.408.

29. Маврин Б.Н., Бобров А.В., Стерин Х.Е, Об уровне рассеянного света в лазерном спектрометре для КРС ДЗС-24. Журнал прикладной спектроскопии, 1976, ХХУ, I.

30. Виноградов Е.А., Гасанлы Н.М., Джавадов Б.М., Тагиров В.и. Инфракрасные спектры отражения слоистых монокристаллов TlGaTe2, Т11пТе2 И TlInSe2 . ФТТ, 1979,21, с.2793.

31. Gasanly N.H., Goncharov А.P., Dzhavadov В.М., Melnik N.N., Tagirov V.I., Vinogradov E.A. Optical Phonons in TlInSe2 Single Crystals. Phys.-Stat.Sol.(b) ,1979,92,k139.

32. Гасанлы Н.Н., Джавадов Б.И., Тагиров В.И. Симметрия решеточных колебаний слоистых кристаллов TiinSe2 , типте2 , TiGaTe2 . Известия ВУЗ"ов, раздел "Физика", 1979, JE 3,с.104.

33. Allakhverdiev K.R., Nizametdinova М.А., Safarov N.Yu., Vodo-pyanov L.K., Golubev L.V. Raman Scattering in TISe Sx,1. X I —X

34. Crystals. Phys.Stat.Sol. ,1980,(Ъ)Ю2,к117.

35. Сафаров Н.Ю. Спектры решеточных колебаний цепочечных крис -таллов группы А^В^ дисс. канд. физ.-мат.наук - Баку,1982.

36. Голубев Л.В. Колебательные спектры сложных полупроводниковых соединений типа А3Вб и А^В^. Дис. канд. физ.-мат.наук, Москва, 1980, с.163.

37. Allakhverdiev K.R., Safarov N.Yu., Nizametdinova M.A. The Influence of Hydrostatic Pressure on Raman Spectra of T1S and TlInSe2. Solid State Communications, 1982,v.4-2, No7, pp. 4-85-4-88.

38. Allakhverdiev K.R., Salaev E.Yu., Safarov N.Yu., Vodopyanov L.K. and Golubev L.V. Light Scattering in TlInSe2 Single Crystals. Phys.Stat.Sol.,1979, v.(b)92, No2, k91-k93

39. Mitra S.S. Griineisen Parameter for Long Wavelength Optical Modes in Ionic Crystals. Phys.Stat.Sol.,1965,(b)9,pp.5^9-523.

40. Mitra S.S., Brafman О., Daniels W.B., Grawford R.K. Pressure -Induced Phonon Frequency Shifts Measured by Raman Scattering. Phys.Rev.,1969, v.189, No3, pp.942-945.

41. Zallen R. Pressure-Raman Effect and Vibrational Scaling Laws in Molecular Crystals Sg and As2S^. Phys.Rav., 1974, v.B9, No10, pp.4485 4496,

42. Vinogradov E.A., Zhizhin J.N., Melnik N.N., Subbotin S.J., Panfilov V.V., Allakhverdiev K.R., Babaev S.S. and Zhitar V.P. Raman Scattering in GaSe and ZnIn2S^ Single Crystals under Pressure. Phys.Stat.Sol.,1980, v.(b)99, No1, pp.215-223.

43. Волькенштейн M.B., Грибов JI.А., Ельяшевич M.A., Степа -нов Б.М. Колебания молекул. М."Наука",IS72. 250 с.

44. Оруджев Г.С. Расчет электронного спектра полупроводниковых соединений типа TlSe . дисс. канд. физ. - мат. наук. - Баку, 1981, 106 с.

45. Рейсленд Дж. Физика фононов. М., "Мир", 1976. 365 с.

46. Поплавной А.С,, Тютеров В.Г. "Динамика кристаллической решетки халькопирита в модели жестких ионов" ФГТ,Г7,1055, 1975.

47. Вильсон Е. и др. Теория колебательных спектров молекул. КН., М., I960, 357 с.

48. Гашимзаде Ф.М., Рустамов К.А., Штейншрайбер В.Я. Упругие постоянные соединений со структурой шпинели". ДАН Азерб.ССР, 3, 1978,21.

49. Искендерзаде З.А., Фараджев В.Д., Акустические свойства селенида таллия и теллурида индия. IX Всесоюзная акустическая конференция, Москва, 1977, Секция "В",115.

50. Оруджева Ш.О. Исследование скорости распространения и поглощения ультразвука в монокристаллах inTe и Tise.-дисс.канд.физ.-мат.наук, Баку 1970.

51. Халилов Х.М., фуджева Ш.О. и Рзаев К.М. Температурно-час-тотная зависимость коэффициента поглощения ультразвукаи упругих постоянных монокристалла TiSe. ФГТ,11,1969, 3043.

52. Shin К., Hashimoto К. Temperature Dependence of the Reduced Fermy Level in TISe. Technology Reports- Kyushi Univ., 1972, v.4-5, part 6, pp.820-826.

53. Гусейнов Дж.А., Шахтахтинский М.Г., Низаметдинова М.А., Штейншрайбер В.Я. Динамика решетки и упругие постоянные 1фисталла селенида таллия. ФТП, 1981, 15, Л 5,с.1522.

54. Киттель. Введение в физику твердого тела. М.Ф.-М.1963,696с.

55. Таке*р Дж., Рэмитон В. Гиперзвук в физике твердого тела. М. "Мир",1575, 453 с.

56. Фараджев В.Д. Акустические свойства селенида и теллурида индия дисс. канд.физ.-мат.наук. Баку,1979г.

57. Джавадов Б.М. Колебательные спектры некоторых полупроводниковых групп А3Вб. дисс. канд.физ.-мат.наук. Баку, 1980.

58. Aliev A.M., Nizametdinova М.А., Steinshreiber V.Ya. Lattice Dynamics and Specific Heat of Thallium Monoselenide. Phys.Stat.Sol., 1981, (b)107, k151.

59. Мамедов K.K., Керимов И.Г., Кострюков В.Н., Мехтиев М.И. Теплоемкость селенида галлия и селенида таллия ФТП, т.1, й 3, 1967, с.441-442.

60. Мамедов К.К., Керимов И.Г., Мехтиев М.И., Алджанов М.А. Теплоемкость слоистых и цепочечных полупроводников при низких температурах. ДАН Азерб.ССР 1980, 36, J6 8,39.

61. Мамедов К.К., Алджанов М.А., Керимов И.Г., Мехтиев М.И. Теплоемкость и характеристика колебательного спектра некоторых слоистых кристаллов. Изв.АН Азерб.ССР, 1978, й 1,71.

62. Brekow G., Meissner M., Scheiba M., Tausend A., Wobig D. Heat Capasity TISe from 3 to 600 K. J.Phys.C.: Solid State Phys.,1973, 6, IA62.

63. Медведева 3.C., Халъкогениды элементов Ш Б подгруппы периодической системы. Наука,М.,1960, 216 с.

64. Riedinger R. A Synthesis and Extension of the Linear Brillomin Zone Integration Methods. J.Phys.P., 1980,

65. Жирифалько Л. Статистическая физика твердого тела.Мир, М. ,1975, 382 с.

66. Низаметдинова М.А.,Сеид-Рзаева С.М.Правила отбора для неупругого рассеяния нейтронов в кристалле TISe.Известия АН Азерб.ССР.Сер.физ.-техн. и матем.наук.1981,№б, с.75 79.

67. Elliot R.J., Thorpe M.F. Group Theoretical Selection Rules for Inelastic Neutron Scattering. Proc.Phys.Soc.,1967, 91, 902.

68. Devine S., Pecham G.J.J. Group Theoretical Selection Rulesfor Inelastic Neutron Scattering with Application to LiNbO-,.э

69. Phys.С.: Solid State Phys., 1971, 4, 1091.

70. Усов O.A., Бир Г.Л. Правила отбора для неупругого рассеяния нейтронов в кристаллах рутила. ФТП,1969,т.З,в.8,с.П88-II9I.

71. Ikari Т., Hashimoto К. Low-Temperature Phase in TITe. Phys.Stat.Sol., 1975,(a)31, к115.

72. Алджанов М.А. Исследование теплоемкости монохалькогенидов галлия и таллия при низких температурах дисс. канд.физ.-мат.наук. Баку 1978, 122 с.

73. Мамедов К.К., Керимов И.Г., Алданов М.А., Гусейнов Н.Г., Мехтиев М.И., Гусейнов Г.Г. Теплоемкость и кинетические параметры теллурида таллия в области фазового перехода.ДАН Аз ер б.ССР 1976, 7, 15.

74. Isaacs T.J. Crystal Data for TlGaSe2- J'.Appl.Cryst. ,1973,6,4-13.

75. Isaacs T.J., Harkins P.H. Crystal Growth Symmetry and Physical Properties of TlGaS2. J.Cryst.Growth, 1975, 29, 121.

76. Isaacs T.J., Feichter J.B. Growth and Optical Properties of TlGaSe2 and TlInS2. J.Sol.Stat.Chem., 1975, lib 260.

77. Абдуллаев Г.Б., Аллахвердиев К.Р., Виноградов Е.А., Жижин Г.Н., Мельник Н.Н., Нани Р.Х., Салаев Э.Ю., Сардарлы P.M. "О возможностях фазового перехода в TiGaSe2". ДАН Азерб.ОСР,1977 , 33, II.

78. Hahn Н., Wellman В. tlber Ternare Chalkogenide des Thalliums mit Gallium und Indium. Naturwissenschaften, 1967, v.54-, N02, pp.42-48,

79. Mirller D., Poltman F.F., Hahn H. Ziir Struktur Ternarer Chalkogenide des Thalliums mit Aluminium, Gallium und Indium. ZsNaturforsch, 1974,96,117.

80. Orgal L.E. J.Chem.Soc.,1959,12,3815.

81. Волков А.А., Гончаров Ю.Г., Козлов Г.В., Лебедев С.П., Прохоров A.M., Алиев Р.А., Аллахвердиев К.Р. Сегнетоэлект-рическая мягкая мода в полупроводниковом кристалле TiGaSe2. Письма в КЭТФ, 1983, том 37, вып.П, С.5Г7-520.

82. Гусейнов Дж., НизаметДинова М.А. Теоретико-групповой анализвозможных фазовых переходов второго рода в кристаллах типа Tise . Кристаллография, т.24, вып.6, 1266, 1979г.

83. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика. "Наука", М., 1964. 567 с.

84. Любарский Г.Я. Теория групп и ее применение в физике. 1Г7, ГИГТЛ, М. 1958, 354 с.

85. Лифшиц Е.М. К теории фазовых переходов второго рода. ЖЭТФ, И, 1941, 255-265.

86. Валюконис Г.Р., Низаметдинова М.А., Шилейка А.Ю. Особенности края поглощения TiSe . ФПГ, 1983, т.Г7, вып.5, с.946-948.

87. Weiting T.J. and Vertle I.Z. Interplayer Bonding and the Lattice Vibrations of ^ GaSe. Phys.Rev.,1972,B5,14-73-14-79.

88. Hayek M., Brafmon 0., Zieth R.M.A. Splitting ang Coupling of Lattice Modes in the Layer Compounds GaSe, GaS and GaSe1. X г1. Phys.Rev.,1973,B8,2772.

89. Абдалаев Г.Б., Беленький Г.Л., Халилов В.Х., Салаев Э.Ю.

90. Тонкая структура линии излучения основного состояния экси-тона в GaSe, ФГП,1973, 7, 818.

91. Абдуллаев Г.Б., Беленький Г.Л., Нани Р.Х., Салаев Э.Ю., Су-лейманов Р. А., Непрямые экситоны в с еле ни де галлия, ДАН

92. Азерб.ССР, ХХХП, 1976, 13.

93. Беленький Г.Л., Салаев Э.Ю., Сулейманов Р.А., Алекперова Л.Н., Энергетические спектры слоистых кристаллов группы A^Bg,

94. Изв.АН Азерб.ССР,сер.физико-технических и математических наук, 1978, $ 4, 60.

95. Akhundov G.A., Kerimova T.G. Infrared Absorption of А В Single Crystals. Phys.Stat.Sol.,1966,16,k1^.

96. Ахундов Г.А. и Керимова Т.Г. Инфра1фасное поглощение монокристаллов типа Оптика и спектроскопия,1967, т.22,1. Я 4, с.654-655.

97. Pickar Р.В., Thiller H.D. Optical Energy Gap in TISe. Phys.Stat.Sol.,1968, 29, 153.

98. Fielding P., Fisher G., Mooser E. Semiconductors of the Type AlllBVI . J.Phys.and Chem.Solids, 1959,v.8,pp.434-437.

99. Ахундов Г.А., Абдуллаев Г.Б., Гусейнов Г.Д. О некоторых свойствах монокристаллов селенида таллия. ФГТ, I960,т.2, 7, с. I5I8-I52I.

100. Гусейнов Г.Д., Ахундов Г.А., Абдуллаев Г.Б. Об электриче -ских и термоэлектрических свойствах монокристаллов TiSe . ФГТ, 1962, т.4, № 5, с. 1206-1212.

101. Nayar P.S., Verma J.K.D. and Nag B.D. Semiconducting Properties of the Thallium Selenide. J.Phys.Soc. Japan, 1967, v.23, No1,pp.144-147.

102. Nayar P.S., Verma J.K.D. and Nag B.D. Thermoelectric power of Thallium Selenide. J.Appl.Phys., 1968, v.39, No9,pp. 4465-4466.

103. Гусейнов Г.Д., Ахундов Г.А. Анизотропия электропроводностии постоянной Холла p-TiSe . ФГТ, 1964, т.6, X 2, с.634-636.

104. Nayar P.S., Verma J.K.D., Nag B.D. Some Properties of Stoichometric Thallium Selenide. Proc.Nucl.Phys.and Solid State phys.Sympos.Kanpur,1967. Solid State Phys. Bombey s.d.,pp.10-15.

105. Itoga R.S., Kannewurf C.R. Electrical Resistivity, Hall Effect and Optical Absorption in T1S, T1SQ 5SeQ ^ and TISe. J.Phys.Chem.Solids,1971,v.32,No6,pp.1099-1110.

106. Абуталыбов Г.И., Белле M.JI. , Край поглощения и структура спектра поглощения гиперболического экситона в кристалле TISe , ФГП,1975, 7, 1330.

107. Guseinov G.D., Abdullaev G.B., Bidzinova S.M., Seidov P.M.,1.mailov M.Z., Pashaev A.M. On New Analogs of TISe-Type Semiconducting Compounds. Phys.Lett.,1970,v.33A,No27,421-422,i /

108. Толутис В.Б., Декенис А.П., Паукште Ю.А. Характеристика физических свойств тонких слоев тетрагональной фазы inTe . Литовский физический сборник, 1967, т.7, JE 4,819-824.

109. Guseinov G.D., Ramazanzade A.M., Kerimova E.M., Ismailov M.Z. About a Group of Three-Component Compounds Being Analogous Binary Semiconductors of the А'"в^'туре. Phys. Stat.Sol.,1967,v.22,No2,pp. к117-122.

110. Guseinov G.D., Mooser E., Kerimova E.M., Gamidov R.S., Alexeev I.V., Ismailov M.Z. On Some Properties of TlInS2 (Se2, Te2) Single Crystals. Phys.Stat.Sol.,1969,34,33-44.

111. Карпович И.А., Червова А.А. и Демидова A.H. Ширина запрещенной ЗОНЫ TlGa(S,Se)2 и TlIn(S,Se)2 • ИзБ«АН СССР с ер. "Не органические материалы ",1974, т. 10, й 12, с.2216-2218.

112. Карпова И.А., Червова А.А., Леонов Е.И., Срлав В.И. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов и пленок TiinSe2 . Изв.вузов "физика",1972,

113. J6 5, с. 157-159. ПО. Червова А.А., Пыхов А.Н., Некоторые фотоэлектрическиесвойства гетеропереходов n-si-p-TiinS&2/4. зап.Горькое. Унив. 1972, J6 148, с.55-58.

114. Тагиров В.И., Бахышов А.Э., Собеих М.А., Ахмедов A.M., Салманов В.м. Фотопроводимость и люминесценция TiinSe2 . Изв.вузов " Физика", 1978, J® II,с. 131-132.

115. Алексеев И.В., Алиева M.X., Казиев Ф.Н. Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов TiinSe2 . Изв.АН Азерб.ОСР, сер.физ.-техн. и мат.наук, 1974,т.4, с.9-12.

116. Bakhyshov А.Е., Agaeva M.F. and Darvish A.M. Electrical and Optical Properties of TlInSe2 Single Crystals. Phys. Stat.Sol.,1979,(b)91,k31-k33.

117. Бахышов А.Э.,Гасанова Л.Г., Лебедев А.А., Самедов С.Р., Якобсон М.А. Исследование длинноволнового края TiinSe2 по поглощению и фотопроводимости. ФТП,I98I,t.I5,№4,с.808-810.

118. Абуталыбов Г.И.,Алиев А.А.,Низаметдинова М.А.,Оруджев Г.С., Нани В.Х.Оптическое отражение монокристаллов TiSe в глубине собственного поглощения. ФТП,т.15,№51,с.851-854,1981.

119. Гашимзаде Ф.М.,Оруджев Г.С. Зонная структура селенида таллия. ФТПД981, 15, I3II.

120. Валюконис Г.Р., Медейшис А.С., Шилейка А.Ю. Зависимость края поглощения TiSe от гидростатического давления. ФТП,К!, 1982, II37-II39.

121. Аллахвердиев К.Р. Оптические свойства и колебательные7 Сспектры слоистых и цепочечных кристаллов групп А-;В , и твердых растворов на их основе. дисс.докт. физ.-мат.наук Баку, 1980* 313 с.

122. Ализаде З.И., Низаметдинова М.А.,Спектр отражения TiSe выше края основного поглощения, ФТП,2, 602,1968.

123. Каваляускас Ю.Ф., Низаметдинова М.А. Спектр отражения селенида таллия. ФТП, т.12, № 9, I9I8-I932.

124. Януленис Л.Л., Бабонас Г.А., Низаметдинова М.А.,0руд-жев Г.С., Шилейка А.Ю. Спектры отражения и термоотражения монокристаллов TiSe . Литовский физический сборник, ХХП, № 3,1982.

125. Кардона М. Модуляционная спектроскопия.М."Мир" 1972,416с.

126. Каваляускас Ю.Ф., Кривайте Г.З., Шилейка А.Ю. Исследования спектров отражения монокристаллов inSnP2 , CdSiP2 и CdSnAs2 . Лит.физ.сборник 1975, т.15, с.605.

127. Соболев В.В. З'оны и экситоны халькогенидов галлия,индияи таллия. Кишинев " Штиинца" 1982, 272 с.

128. Оптические свойства полупроводников под ред.Уиллард-сона Р. и Вира A.M.: "Мир" 1970, 488 с.

129. Animalu А.О.Е., The Spin-Orbit Interaction in Metals and Semiconductors. Philos.Mag.,1966, v.13, p.53

130. Doni E.e.a. Electronic Properties of the iii-VI Layer Compounds GaS, GaSe and InSe. I: Band Structure. / Doni E., Girlanda R., Grasso V., Balzarotti A., Piacentini M. II Nuovo Cimento, 1979,v.51B,p.154,

131. Schlueter M. Die Elektronosche Bandstruktur von Hexagona• leus GaSe. Helv.Phys.Acta,1972,v.45,p.73.

132. McCanny J.V., Murray R.B. The Band Structures of Galliumand Indium Selenide.J.Phys.C.,1977, v.4-9, p.1211.

133. Philipp H.R., Ehrenreich H. Optical Properties of Semiconductors. Phys.Rev.,1963,v.139,p•1550.

134. Piacentini M.e.a. Electronic Properties of the 111 -VI Layer Compounds GaS, GaSe and InSe. Ill: The Reflectivity from 4to 32 eV. / Piacentini M., Olson C.G., Balzarotti A., Girlanda R., Grasso V., Doni E. II Nuovo Cimento,1979, v.54B,p.g69.

135. Piacentini M.e.a. Electronic Properties of the Hi -VI Layer Compounds GaS, GaSe and InSe. IV: Low-Energy Absorption and Reflectivity of InSe. / Piacentini M., Doni E., Girlanda R., Grasso V., Balzarotti A. II Nuovo Cimento,1979, v.54В,p.269.

136. Гашимзаде Ф.М., Оруджев Г.С., Низаметдинова М.А. Расчет зонной структуры селенида таллия и его аналогов методом псевдопотенциала. Физические свойства сложных полупроводников. Баку "Элм" 1982 с.80-85.

137. Константинов О.В., Насибуллаев Ш.К., Панахов М.М. Об аналитическом выражении для формфакторов псев до потенциала.I

138. ФТП, 1977, t.II, й 5, с.881-885.

139. Хейне В., Коэн М., Уэйр Д. Теория псевдопотенциала " Мир" M.I973.

140. Wyckoff R.W.G. Crystal Structures. New-York, Interscience Publish,1965,p.280.137 « Schubert K., Dorre E. und Kluge M. Zur Kristallochemic der B-Metalle. Z.Metallkunde,1955,v.46,pp.216-224.

141. Авилов А.С., Агаев К.А., Гусейнов Г.Г., Имамов P.M., Определение кристаллических структур некоторых трехкомпо-нентных полупроводников с общей формулой ABXj.-Кристаллография 1969, т. 14, Я 3, с.443-446.

142. Pearson W.B. A Handbook of Lattice Spacings and Structures of Metals and Alloys. London New-York - Paris, 1958, X, 1044 p.

143. Mooser E., Pearson W.B. New Semiconducting Compounds. Phys.Rev., 1956,v.101, No1, pp.492-493.

144. Вычислительные метода в теории твердого тела. Сборник статей. Перевод с английского под редакцией Овчинниковой А.А. М."Мир", 1975, с.900.

145. An-Ban Chen. Simple Brillouin Zone Scheme for the Spectral Properties of Solids. Phys.Rev.,1977,v.B16,No8,pp.3291-3302.

146. Крылов В.И., Бобков B.B., Монастырный П.И. Вычислительные методы, том I М. " Наука ", 1976, 302 с.

147. Алиев С.А., Низаметдинова М.А., фуджева Ш.О., Таиров С.А. К анизотропии кинетических коэффициентов селенида таллия. ФТП, 197I, т.5, й 3, с.567 569.

148. Аллахвердиев К.Р., Гасымов Ш.Г., Мамедов Т.Г., Низаметдинова М.А., Салаев Э.Ю. Анизотропия электропроводности и эффекта Холла кристаллов под давлением ФТП,1983, т.17,гё 2, с.203 207.

149. Гусейнов Г.Д., Ахундов Г.А. Анизотропия электрических свойств моно1фисталлоБ TiSe , ДАН Азерб.ОСР, 1965, I, 21.

150. Гашимзаде Ф.М. Гальваномагнитные явления и структура энергетических зон в полупроводниковых кристаллах типа

151. TiSe. Известия АН Азерб.ОСР, сер.физ.-мат. и техн.наук, 1962, 6, с.83-91.

152. Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках. JI. " Наука", 197 0. 460 с.

153. Gashimzade P.M. and Orudzhev G.S. Effect of Pressure and Temperature on the Band Structure of TiSe. Phys.Stat.Sol. 1981,(b)106,k67-k71•

154. Баранский П.Н., Буда H.C., Ддховский И.В., Коломеец Б.В. Электрические и гальваншагнитные явления в анизотропных полупроводниках К."Наукова Думка",1977 с.268.

155. Шик А.Я. Особенности фотоэлектрических и кинетических явлений в неоднородных полупроводниках. Материалы седьмой зимней школы по физике полупроводников. JI., ЛИЯФД975, сс. 487-5 09.

156. Banus M.D., Kafalas J.A., Hanneman R.E., Gatos H.C. Sol. Stat.Research Report. Lincoln Laboratory M.J.T.,1962,3,18.

157. Darnell A.J., Yencha A.J., Libby W.F. Indium Telluride Metal. Science,1963,v.141,pp.713-714.

158. Darnell A.J., Libby W.F. Artifical Metals InSb, the Sn Alloys with InSb and Metallic InTe. Phys.Rev.,1964, v.135, No5A,pp. A1453-A1459.

159. Banus M.D., Hanneman R.E., Strongin M., Gooen K. High-Pressure Transitions in А В Compounds: Indium Telluride. Science,1963, v.142,N08,pp.662-663.

160. Bommel H.E., Darnell A.J., Libby W.F., Tittmann B.R., Vencha A.J. Superconductivity of Metallic Indium Telluride. Science, 1963,v.141,p.714.

161. Banus M.D., Robinson P.M. Thermodynamic Aspects of the Temperature-Pressure Phase Diagram of InTe. J.Appl.Phys.,1966,v.37,No10,pp.3771-3774.

162. Идкевич E.C. Бомба высокого давления для работы при низких температурах. ПТЭ, 1963, Я 4, с.148-151.

163. Идкевич Е.С., Вороновский А.Н., Гаврилов А.Ф., Сухопа -ров В.А. Камера высокого давления до 18 кбар для работы при гелиевых температурах. ПТЭ, 1966 6 с.161-164.

164. Идкевич Е.С., Крайденов В.Ф., Миронова З.А., Славянинова E.JI., Сухопаров В.А. Электровводы в камеру высокого давления. ПТЭ, 1968 16 I с. 187-188.

165. Современная техника сверхвысоких давлений. Изд-во " Мир", 1964.

166. Brandt N.B., Kuvshinnikov S.V., Minina N.Ya., Skipetrov E.P. A Method of Increasing the Hydrostatic Nature of the Compression at Low Temperatures in Fixed Pressure boms. Cryogenics,1979,v.14,N08,p.464-466.

167. Чл.-корр.АН Азерб.ОСР Салаев Э.Ю., Аллахвердиев К.Р., Гасымов Ш.Г., Мамедов Т.Г., Низаметдинова М.А. Влияние гидростатического давления на кинетические свойства селенида таллия Докл. АН Азерб.ССР, 1982, т.ХХХХШ, J6 2,с.28-30.

168. Алиева М.Х. Получение монокристаллов TlSe и inSe и исследование их фотопроводимости. Автореф. дисс. Баку, 1966.