Оптические свойства полупроводников со структурой типа TlSe тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ОБЗОР ТЕОРЕТИЧЕСКИХ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ РАБОТ ПО ИССЛЕДОВАНИЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СО СТРУКТУРОЙ

1.1. Теоретическая зонная структура кристаллов Т£$е t m«.bbvTBin,uz .i

1.2. Оптические свойства кристаллов Т£$е .TtfLtSe^» TeinTe2.

1.3. Исследования оптических свойств полупроводников при/гидростатическом давлении.

1.4. Изотермическая сжимаемость и тепловое расширение твердых тел.

Постановка задачи.

ГЛАВА П. МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ.

П.1. Комплекс для исследования спектров поглощения при низких температурах и высоких давлениях.

П.2. Методика измерения изотермической сжимаемости и теплового расширения.

П.З. Методика изготовления образцов.

ПЛ. Методика исследований спектров отражения.

ГЛАВА Ш. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ TCSe JdnSe^ Т£1*ТегВ ОБЛАСТИ КРАЯ ФУНДАМЕНТАЛЬНОГО

ПОГЛОЩЕНИЯ.

Ш.1. Влияние температуры на край фундаментального поглощения кристаллов TCSe

1.2• Температурная зависимость края фундаментального поглощения кристаллов ТВ In. $е.

Ш.З. Влияние температуры на край поглощения кристаллов

Те1я/Гег

ШЛ. Спектр отражения кристаллов Т£1лБег.

Ш,5. Тепловое расширение и изотермическая сжимаемость

Т6Ьг5ег и T£I>tTe

Результаты и выводы.

ГЛАВА 1У.ВЛИЯНИЕ ГИДРОСТАТИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ НА КРАЙ ФУНДАМЕНТАЛЬНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ТбЬе

ТСЬг<Ье2, Tei*Tez

1У.1. Влияние гидростатического давления на край фундаментального поглощения кристаллов Т£$е

1У.2. Спектры фундаментального поглощения кристаллов

T£LvSez под давлением.

1У.З. Влияние гидростатического давления на край фундаментального поглощения кристалловTCInTe^ .102 Результаты и выводы.

Актуальность темы.Монокристаллы группы aV* с цепочечным типом кристаллической структуры (76Se и его аналоги Т£5 , T-^IrtSe, T£InTe ,Т€(гс&Те.и др.) занимают особое место в ряду сое

2. 2 с. динений с сильной анизотропией кристаллического строения. В них обнаружены фотоакустический и пьезорезистивные эффекты, что дела -ет их перспективными материалами для оптоэлектроники.

Общую формулу этих соединений записывают в виде АВХ^, где А и В являются атомами третьей группы, X - атом шестой группы перио -дической таблицы. Характерным элементом структуры этих соединений являются длинные отрицательно заряженные цепочки (В^+х|~)~ ато мов, вытянутые вдоль тетрагональной оси Z . Фрагменты разных це -почек (В^+х|"")~ связаны между собой одновалентными ионами Связи между атомами внутри цепочек сильные ионно-ковалентного ха -рактера, между цепочками реализуется более слабая связь.

В последние годы в Институте физики АН Азерб.ССР интенсивно изучаются электрофизические свойства и колебательные спектры вышеуказанных соединений. В результате построена полная картина колебательных спектров T£Se , T6S , Проведены и теоретические расчеты зонной структуры T£Se tTflnSe^TCIn-Te^. Имеются публикации, посвященные исследованию края фундаментального поглощения кристаллов TBSe ,T£In,5e . Однако данные об оптических свойствах этих кристаллов носят ограниченный и противоречивый характер. Для этих соединений не были проведены систематические исследования края фундаментального поглощения. Практически не имелось экспериментальных данных об оптических свойствах кристаллов ТЦ^Те Не было проведено систематических исследований влияния гидроста -тического давления на спектры краевого поглощения Не было изу -чено также тепловое расширение и изотермическая сжимаемость кристаллов ТЕЬгSe2 ,ЛЬтТе, .

Вышеизложенное позволяет следующим образом сформулировать цель настоящей работы: установить особенности формирования края фундаментального поглощения цепочечных полупроводников группы д%у1 - структурных аналогов селенида таллия. Основные положения, выносимые на защиту:

1. Край фундаментального поглощения кристаллов Т6Ьг$е ,

С»

TtInJez также как и формируется непрямыми переходами.

Прямой переход запрещен.

2. В отличие от кристаллов TlSe. температурные коэффициенты ширины непрямой запрещенной зоны кристаллов TCl^Se.^ , TCInТег и прямой зоны Т£1лЛе2 имеют положительный знак. Отсутствует сдвиг ширины прямой запрещенной зоны кристаллов 7BIibSez в ис -следованном интервале температур (4,2 - 300 К).

3. Структура, обнаруженная в спектрах поглощения кристаллов Т65е и Т£ 1^Тег в поляризации Е X С при низких температурах описывается прямыми запрещенными переходами Т^— Т^ с учетом эк-ситонных состояний.

4. Структуры в оптических спектрах отражения кристаллов

TCInSe обусловлены переходами из верхней группы валентных зон на £ нижние зоны проводимости в критических точках Г, Т , У и сим -метричных линиях £, А , Е •

5. Значения барических коэффициентов ширины непрямой запрещенной зоны цепочечных кристаллов aV* больше соответствующих значений для прямой запрещенной зоны и не зависят от давлений (0

6ТО8) Па.

Научная новизна:

I. Определены температурные зависимости спектральных кривых поглощения кристаллов TOSe ,Т€1ъТег в широком интерва

2. ле температур (4,2 - 300 К). Дана интерпретация структуры, обнаруяенной в поляризации Е 1С в спектрах поглощения кристаллов те&е, Те1ьТег .

2. Интерпретированы структуры наблюдаемые в спектрах отраяе -ния кристаллов в интервале энергий 0,5 - 6 эВ в поляризованном свете при комнатной температуре.

3. Определены барические коэффициенты ширины запрещенной зоны кристаллов TBSe , T£LrSe2 , TtlnJe^ .

4-. Определены коэффициенты теплового расширения и значения изотермической сжимаемости кристаллов Т£1л,$ег » Т^ЬьТе^ . Рассчита -ны значения Cf> - Cv . Рассчитаны вклады электрон-фононного взаи -модействия и теплового расширения в температурный коэффициент ши -рины запрещенной зоны.

Научная ценность диссертации состоит в том, что полученные результаты могут быть использованы для уточнения деталей рассчитан -ной зонной структуры*

Практическая значимость работы заключается в том, что полученные в работе данные об оптических свойствах цепочечных кристаллов группы aV1 могут быть использованы при создании оптических приборов на их основе. Показана принципиальная возможность изготовления высокочувствительных датчиков гидростатического давления на основе кристаллов АШВУ1 - структурных аналогов селенида таллия.

Апробация работы. Основные результаты работы были доложены на Республиканской научной конференции аспирантов (Баку, 1982), на Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Баку, 1982), научных семинарах ИФАН Азерб.ССР, осенней школе по физике твердого тела (г.Севан 1984г.)*

Публикации. Основное содержание диссертации опубликовано в 10 статьях.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, основных выводов, приложения и списка литературы.

Основные результаты диссертации были опубликованы в следую щих публикациях*

1. Эфендиева И.К. Смещение края фундаментального поглощения TiSe под действием гидростатического давления. - Материалы республиканской научной конференции а спирантов.Баку:Елм,1982.-184с.

2. Allakhverdiev K.R., Gasymov Sh.G., Mamedov (E.G., Salaev E.Tu., Efendieva I.K. Shift of the Fundamental Absorption Edge of TISe under Hydrostatic Pressure. - Phys. Stat. Sol. (b), 1982, v* 113» N 2, p. K127-K129.

3. Allakhverdiev K.R., Mamedov T.G., Salaev E.Yu., Efendieva I.K. The Fundamental Absorption Edge of TlInSe2.-Phys.Stat.Sol.(b), 1982, vH13. N 1, p. K43-K4?.

4. Allakhverdiev K.R., Mamedov T.G., Salaerv E.Yu. , Efendieva I.K. The Fundamental Absorption Spectra of TlInSe2 Crystals under Pressure.-Phys.Stat.Sol.(b), 1983, v.117. N 2,p.K110-K111 •

5. Аллахвердиев К.P., Мамедов Т.Г., Салаев Э.Ю., Эфендиева И.К. Спектр отражения кристаллов TlInSe2 . - ФТП,1984,т.18, № 3, с.519-521.

6. Аллахвердиев К.Р., Мамедов Т.Г., Салаев Э.Ю., Эфендиева И.К. Температурная зависимость края фундаментального поглощения кристаллов TISe - Препринт № 84,ШН Аверб.ССР,Баку,1983.-Юс.

7. Аллахвердиев К.Р., Гусейнов Д.А., Мамедов Т.Г., Мамедов Т.О., Салаев Э.Ю., Эфендиева И.К. Тепловое расширение и изотермическая сжимаемость TlInSe2 . - йзв.АН Азерб.ССР, сер. физ.-техн. и мат.наук, 1984, № 2, с.70-72.

8. Аллахвердиев К.Р., Гусейнов Д.А., Мамедов Т.Г., Мамедов Т.С., Эфендиева И.К. Тепловое расширение и изотермическая сжимае -мость Т11пТе2 . - ФТТД984, т.26, № 7,с.2219-2221.

9. Allakhverdiev K.R., Babaev S.S., Bakhyshov N.A., Mamedov T.G.,

Salaev E.Yu., Efendieva I.K. The Influence of Hydrostatic Pressure on the Fundamental Absorption Edge of Crystals with TISe - Type Structure.- Phys.Stat.Sol.(b), 1984, v. 126, N 2, p. K1J9-K143. 10. Allakhverdiev K.R., Mamedov T.G., Shteinshraiber V. J.,

Efendieva I.K. The Fundamental Absorption Edge of TISe and TlIrfEe2 Crystals. - Phys.Stat.Sol.(b), 1985, v. 127; N 1, p. K55-K60.

В заключение считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность научному руководителю академику АН Азерб.ССР, профессору Э.Ю.Салаеву и доктору физико-математических наук К.Р.Аллахвердиеву за постановку задачи, постоянное внимание к работе и ценные советы при обсуждении результатов.

Искренне благодарна кандидату физико-математических наук Т.Г.Мамедову за ценные советы при совместном проведении экспериментов, сотрудникам лаборатории "лазерная спектроскопия" и "полупроводниковая квантовая электроника" ИФАН Азерб.ССР за дружескую помощь.

1. Ketelaar J.A.A., Hart W.H., Moorel R., and Polder P. The Crystal Structure of T1.e, Thallous or Thallosic Selenide.^ Z.Kristallogr., 1959» v.101, A, N 3» p. 396-404*

2. Hahn H., Klingler W. Rontgenolographische Beitrage zu den System en Thallium Schwefel, Thallium Selen and Thallium Tel-lur.-Z.Anorg.Allg.Chem., 1949» v.260, N1, p, 110-119»

3. Mooser B. and Pearson W.B. New Semiconducting Compounds Phys.Rev. 1956, v.101, N1, p, 492-493.

4. Соболев В.В. Зоны и экситоны халькогенидов галлия, индия и таллия. Кишинев: Штиинца, 1982. - 271 с.

5. Hahn Н., Wellman В. tfber Ternare Chalkogenide dee Thallium mit Gallium and Indium. Naturwissenschaften, 1967,v. 54, N 2, p. 42-48.

6. Guseinov G.D., Mooser E., Kerimova E.A., Qamidov R.S., Alekseev I.Y., and Ismailov M.Z. On Some Properties of TlInSg(Se2, Te2) single Crystals.-Phys.Sfcat.Sol.,1969,v.34, N 1,p.33-34.

7. Авилов А.С., Агаев K.A., Гуоейнов Г.Г. и Имамов P.M. Определение кристаллических структур некоторых трехкомпонентных полупроводников с общей формулой АВХ2 . Кристаллография, 1969, т.14, № 3, с.443-446.

8. Muller Р., Eulenberger G. and Hahn Н. Uber Ternare Thallium-chalkogenide mit Thalliumselenode Structures.- Z.Anorg.allg. Chem., 1973» v*398, IT 2, p. 207-220.

9. Ман Л.М., Имамов P.M., Семилетов С.А. Типы кристаллических структур халькогенидов Ga, ш и Т1. Кристаллография, 1976, т.21, с.628-639.

10. Zirke J., Promer 0., Tausend A., and WobigP. Infrared Spectra of Amorphous Thallium Selenide Alloys. J.Non. Crys. Solids., 1977» v.24, N 2, p. 283-290.

11. Л. Аллахвердиев К.P., Низаметдинова М.А., Нани Р.Х., Салаев Э.Ю., Сардарлы P.M., Сафаров Н.Ю., Виноградов Е.А., Жижин Г.Н., Голубев Л.В. Спектр решеточных колебаний кристаллов со структурой типа TlSe . Препринт № 8, ИФАН Азерб.ССР, Баку, 1979. - 15с.

12. Оруджев Г.С. Расчет электронного спектра полупроводниковых соединений типа TlSe . -Дисс. канд.физ.-мат.наук, Баку, 198I. -Х56с.

13. Константинов О.В., Насибиллаев Ш.К., Панаков М.М. Об аналитическом выражении для форм факторов псевдопотенциала. ФТП, 1977, т.II, № 5, с.881-885.

14. Picar Р.В., and Ciller H.D. Optical Energy Gap in TlSe.-Phys.Stat.Sol., 1968, v.29, ЕГ 1, p. 153-158.

15. Абуталыбов Г.И., Белле М.Л. Край поглощения и структура спектра поглощения гиперболического экситона в кристалле TiSe .--ФТП,1975, т.9, № 7,с.1330-1334.

16. Itoga R.S. and Kannewurf C.R. Electrical Resistivity, Hall Effectand Optical Absorption in T1S, TlS0^Se0^ and TlSe.-J.Phys.Chem.Sol., 1971» v.32, N 6, p. 1099-11Ю.

17. Валюконис Г.P., Медейшис А.С., Шилейка А.Ю. Зависимость края поглощения TlSe от гидростатического давления. -ФТП,1982, т.16, № 6, с.1137-1139.

18. Валюконис Г.Р., Низаметдинова М.А., Шилейка А.Ю. Особенности края поглощения TlSe. ФТП,1983, т.17, № 5,с.946-948.

19. Гашимзаде Ф.М., Оруджев Г.С. Зонная структура селенида таллия-ФТП, 1981, т.15, №7, C.I3II-I3I5.

20. Гашимзаде Ф.М., Низаметдинова М.А. Спектр отражения и зонная структура TlSe. ФТТ, 1968, т.10, № 9, с.2665-2670.

21. Низаметдинова М.А., Каваляуокас Ю.Ф. Спектр отражения селенида, таллия. ФТТ, 1978, т.12, № 9, с.1832-1833.i •

22. Абуталыбов Г.И., Алиев А,А., Низаметдинова М.А., Оруджев Г.С.,

23. Нани Р.Х. Оптическое отражение монокристаллов TlSe в глубине собственного поглощения, ФТТ, 1981, т.15, № 5,с.851-854.

24. Низаметдинова М.А. Электронный и фононный спектры цепочечных кристаллов со структурой TlSe. -Дисс. докт.физ.-мат.наук, Баку,1984. 272 с.

25. Карпович И.А., Червова А.А., Леонов Е.И., Орлов В.М. Некото -рые электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов и пленок TlInSe2. Изв.ВУЗов СССР, Физика, 1972, № 5, с.157 -159.

26. Карпович И.А., Червова А.А., Демидова А.Н. Ширина запрещенной зоныТ1йа ( s, se)2 и Tlln (Б , Se ). Изв. АН СССР. Неорган.материалы, 1974, т,Ю, № 12, с.2216-2218.

27. Тагиров В,И., Бахышов А.Э., Собеих М.А., Ахмедов A.M., Салма -нов В.М. Фотопроводимость и люминесценция TllnSe2 . Изв. ВУЗов СССР, Физика, 1978, № II, с.131-132.

28. Bakhyahov А,Е., Agaeva M.F. and Darvish A.M. Electrical and Optical Properties of TlXnSe2 Single Crystals.-Phy s.Stat. Sol.(b), 1979» v.91, N1, p. K31-K33.

29. Бахышов А.Э., Гасанова Л.Г., Лебедев А.А., Самедов С,Р., Якобсон М.А. Исследование длинноволнового края TilnSe2 По поглощению и фотопроводимости. ФТП, 1981, т.15, № 4,с,808-810.

30. Guseinov G.D., Ramazanzade A.M., Kerimova E.M. and Ismailov M.Z, About a Group of three-Component Compounds beingттт VI

31. Analogous Binary Semiconductors of the A B Type.-Phys. Stat.Sol*, 1967, v»22f N 2, p. K117-K122.

32. Fielding P., Fisher G., Mooser E. Semiconductors of the Type AIIIBVIeJePhySeand chem.Solids, 1959, v,8, N 4, p.434-437.

33. Nayar P.S., Vema J.K.D. and Nag B.D. Thermoelectric Power of Thallium Selenide.- J,Appl. Phys., 1968, v. 39,1. N 9i p. 4465-4466.

34. Nayar P.S., Verraa J.K.D. and Nag B.D. Semiconducting; Properties of Thallium Selenide. J.Phys.Soc. Japan, 1967, v. 23, N 1, p.144-147.

35. Гусейнов Г.Д., Ахундов Г.А., Абдуллаев Г.Б. Об электрическихи термоэлектрических свойствах монокристаллов TiSe. ФТТ, 1962, т.4, № 5, с.1206-1212.

36. Mori R., Hashimoto К. Electrical Properties of TISe.- J. Phys.Soc. Japan, 1961, v.16, N 9, p.1797-1798.

37. Аллахвердиев K.P., Гасымов Ш.Г., Мамедов Т.Г., Салаев Э.Ю. Толмачев А.Н., Широков A.M. Влияние гидростатического давления на кинетические свойства TiSe и Т10аТе2 . ФТП, 1982, т.16, № 10, с.1916-1920.

38. Ахундов Г.А., Алиева М.Х., Пашаев A.M. Фотопроводимость TISe . Докл. АН Азерб.ССР, I960, т.16, № II, с.1053-1057.

39. Абдуллаев Г.Б., Гусейнов Г.Д., Рустамов В.Д. Новый фотоакустический эффект. Докл.АН Азерб.ССР, 1976, т.32, № I,с.20-21.

40. Алексеев И.В., Алиева М.Х., Казиев Ф.Н. Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов TllnSe2 . Изв. АН Азерб.ССР, сер.физ.-техн. и мат.наук, 1974, № 4, с.9-12.

41. Guseinov G.D., Abdullaev G.B., Bidzinova S.M., Seidov P.M., Ismailov M.Z. and Pashaev A.M. On new Analogs of TlSe

42. Type Semiconductor Compounds.- Phys. Lett*, 1970, V.33A, N 7, p.421-422»

43. Гашимзаде Ф.М., Оруджев Г.С. Расчет энергетического спектра электронов полупроводниковых соединений со структурой селени-да таллия. Докл.АН Азерб.ССР, 1980, т.36, № 12, с.18-21.

44. Бассани Ф., Пастори Парравичини Дк. Электронные состояния иоптические переходы в твердых телах. -М: Наука, 1982. -391с.

45. Panfilov V.V., Subbotin S.I.,Vereshagin L.H., Ivanov I.I.,

46. Molchanova R.T. On Exciton Absorption Band Structure and Transformation of GaSe under Pressure.-Phys. Stat.Sol.(b), 1975, v.72, N 2, p. 823-831.

47. Besson J.M., Jain К.Р., and Kuhn A. Optical Absorption Edge in GaSe under Hydrostatic Pressure.-Phys, Rev. Lett.,1974, v.32, N 17, P. 936-939.

48. Besson J.M. and Jain К .P., Kuhn A. High-Pressure Behaviour of the Exciton and the Absorption Edges in GaSe.- International Conference on the Physics of Semiconductors, 1974, P. 987-990.

49. Besson J.M., Toullec Le R. and Pair H. The Influence of Hydrostatic Pressure on Optical Properties of GaS and GaSe.

50. V Uatemation Conference on High-Pressure and Technology,1975, P. 780-789.

51. Буйновоки В., Поровски С., Лайсаар А.И. Установки для оптических исследований под высоким давлением при азотных темпера -турах. ПТЭ, 1973, тЛ, с.224-228.

52. Niilisk A.J, and Kirs J.J. Photoconductivity of GaS, GaSe, and GaTe Single Crystals under High Hydrostatic Pressure.-Phys.Stat.Sol., 1969, v.31, N 2, p.K91-K93.

53. Grant A.J., Wilson J.A. and Yoffer A.D. Optical Studies of Transition Metal Dichalcogenide Layer Crystals at High Pressure.- Phill.Mag,, 1972, v.25, N 3, p.625-636.

54. Mejatly M., Segura A., Toullec Le.R., Besson J.M., Chevy A., and Fair H. Optical Absorption Edge of GaS under Hydrostatic Pressure.-J.Phys.and Chem.Sol., 1978, v.39, N1, p.25-28.

55. Powell M.J, and Grant A.J. The effect of Pressure in the Optical Absorption Edge in SnS2 and SnSe2 IL Nuovo Ci-mento, 1977, v. 38B, N 2, p. 486-495.

56. Carillon C. amd Martiner G. Phase Transition in Read Iodideunder Hydrostatic Pressure.-П» Nuovo Oimento. 1977, v. ?8B, N 2, p. 496-501•52e Besson J.M. Hi$i-Pressure Effects in Layer Semiconductors.-IL. Nuovo Oimento, 1977» V.38B, N 2, p.478-485.

57. Oemassel J., Schluter M«, Kohn S., Voitchovsky J.P., Shen Y.R., and Cohen M.L. The Band Structures of Sn Atom and Ga2 Complex.- Phys. Stat.Sol.(b), 1976, v#75, N 2, p.303-307.

58. Polian A., Kuhn A. and Rung K. Spectra and Lattice Dynamics of Jb GaS and GaSe Polytypes. - Rome., 1976,400 p.

59. Tyte R.N., Richter W. and Rautenberg M. High-Pressure Behaviour of Inter. Layer Phonon Modes In GaSe. Verhandl D.P.G. (VI), 1975. v. 10, p. 403-408.

60. Аббасов A.H. Спектральные исследования слоистых полупроводников CdlnGaS^, CdlnAis^. -Дисс. канд.физ.-мат.наук, Баку, 1984, 134с.

61. Мамедов Т.Г., Панфилов В.В., Субботин С.И., Шукюров М.М., Эфендиева И.К. Влияние гидростатического давления на край фундаментального поглощения кристаллов группы aVc|. -Труды Всесоюзн.конф. по физике полупроводников. -Баку: Элм, 1982, т.1, с.242-243.

62. Vinogradov Е.А., Zhizhin G.N., Melnik N.N., Subbotin S.I., Panfilov V.V., Allakhverdiev K.R., Salaev E.Yu., Nani R.Kh. Raman Scattering and Phase Transformations of TlGaSe2 and TIGaSg under Pressure.-Phys.Stat .Sol. (b), 1979, v* 95,1. N 2, p. 383-390.

63. Allakhverdiev K.R., Safarov N»Yu., Nizametdinova M.A. Vinogradov E.A., Melnik M.N., Goncharov A.P. and Subbotin S.I. The Influence of Hydrostatic Pressure on Raman Spectra of TISe and TlInSe2.- Sol.Stat.Commun., 1982,v. 42, N 7, p. 485-488.

64. Gashimzade F.M. and Orudzhev G.S. Effect of Pressure and Temperature on the Band Structure of TlSe.- Phys.Stat. Sol.(b), 1981, V.106, N 1, p. K67-K71.

65. Лаедау Д.Д., Лифшиц Е«М. Статистическая физика. М.: Наука, 1964. - 386 с.

66. Новикова С.И. Тепловое расширение твердых тел. М: Наука, 1974. - 403с.

67. Maradudin A. A. Hurmal Expansion and Phonon Frequency Shift.-Phys.Stat.Sol., 1962, v.2, N11, p. 1493-1507.

68. Houska C.R., Stein B.A. Useful Relation Ship Between Atomic Vibration Amplitudes and Thermal Expansion for Cubic. Solids.-Acta Crystallogr., 1966, v.21, N 4, p.611-612.

69. Лифшиц И.М., Каганов М.И. Некоторые вопросы электронной теории металлов. Q Статистическая механика и термодинамика электронов в металлах. УФН, 1962, т.78, вып.З, с.411-461.

70. Гусейнов Д.А. Исследование теплового расширения,изотермиче -ской сжимаемости и магнитострикции некоторых полупроводниковых соединений типа MeFe2Se^ (Ме-Cr, Ре, Со, М.) и MeFe2Te2(Me-Cr, Ni ) . -Дисс. канд.физ.-мат.наук, Баку, 1977. 134с.

71. Королева А.Н. Интерференционный дилатометр. Измерительная техника, 1963, № 8, с.20.

72. Feder R., Charbnau Н. Equilibrium Defect Concentration in Crystalline Sodium.-Phys.Rev. ,1966, v*149, N 2, p.464-471.

73. Агранович Я.С. Интерференционный дилатометр для интервала 10-300 К. Измерительная техника 1967, № 10, с.88-89.

74. Насековский А.П. Емкостной дилатометр. Измерительная техника, 1967, № 2, с.84.

75. Константинов Б.П., Байков Ю.М., Рыскин Г.Я. Флотационный мегод измерения коэффициента сжимаемости твердых тел и жидкостей, ФТТ, 1959, т.1; № 6, с.963-969.

76. Ia Reseach Report. On Determination of the Optical Absorption Coefficient by Kahan, Herbert Lipson.- United States, 1963.95 P.

77. АН УССР Ин-т физики. Унифицированная терморегулируемая крио-статная система "Утрене". Инструкция по эксплуатации.-Киев, 1978. -25с.

78. Анизин В.Б., Еремец МЛ., Косичкин Ю.В., Надеждинский А .И., Широков A.M. Определение ширины запрещенной зоны в теллуре под давлением. Оптические методы. Препринт № 107, Физич. институт им.П.Н.Лебедева, Москва,1978. -18с.

79. Гасымов Ш.Г. Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов. -Дисс. кавд.физ.-мат.наук,Баку,1984. -132с.

80. Anizin V.B., Bremets M.I., Kosichkin Yu.V. Naderhdinskii A.I.,and Shirokov A.M. Measurements of the Energy Ga in Thel-lurium under Pressure.- Phys.Stat. Sol.(a), 1977, v» 42, N 2, p. 385-390.

81. Каваляускас Ю.Ф., Кривайте Г.З., Шилейка А.Ю. Исследование.спектров отражения монокристаллов ZnSnP5 , CdSnP0 , ZnSnAs-2 2и CdSnAs2 . Лит.физ.сб.,1975, т.25, в.4, с.605-608,

82. Кулиев A.M. Оптические свойства и зонная структура монокрис -таллов селенида германия. Дисс. канд.физ.-мат.наук,Баку, 1983. 125с.

83. Вахрушев С.Б., Квятковокий Б.Е., Окунева Н.М., Аллахверди -ев К«Р», Сардарлы P.M., Бахышев Н.А., Василькевич А.А., Ива -ницкий Н.Г., Кратенко В.Т., Сдисенко В.И. Неупругое рассея -ние нейтронов в TiSe . ФТТ,1984, т.26, № 4,с.1225-1228.

84. Вилардсон Р., Бир А. Оптические свойства полупроводников.-М:1. Наука,1970. -355с.

85. Мосс Т., Барред Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектрони-ка. М; Мир, 1976. - 430 с.

86. Allakhverdiev K.R., Mamedov T.G., Salaev E.Yu., Efendie-va I.K. The Fundamental Absorption Edge of TlInSe2.-Phys.Stat.Sol.(b), 1982, v. 113, N 1, p.K43-K47.

87. Уханов Б.И. Оптические свойства полупроводников. М: Наука, 1977. - 366с.

88. Курбанов М.М., Годдаев Э.М., Гулиев JI.A., Нагиев А.Б. Тепловое расширение TlSe ФТТ, 1982, т.24, в.1, с.274-275.

89. Mitra S.S., Brafman О., Daniels ff.B. and Grawford R.K. Pressure Induced Phonon Frequency Shifts Measured by Raman Scattering.- Phys.Rev. Lett., 1969» v.186, N 3, p. 942-944.

90. Аллахвердиев К.P., Гаоымов Ш.Г., Мамедов Т.Г., Низаметдино-ва М.А., Салаев Э.Ю. Анизотропия электропроводности и эффект

91. Холла кристаллов TlSe под давлением. ФТП,1983,т.17, № 2, с.203-207.

92. Аллахвердиев К,Р., Мамедов Т.Г., Салаев Э.Ю., Эфендиева И.К. Температурная зависимость края фундаментального поглощения кристаллов TlSe Препринт № 84, ИФАН Азерб.ССР, Баку,1983. Юс.

93. Shin K.t Hashimoto К. Temperature Dependence of the Reduced Fermy Level in TlSe. Technol. Repis Kyusku Univ., 1972, v. 45, N 6, p. 820-826.

94. Allakhverdiev K.R., Mamedov T.G., Shteinshraiber V.J., Efendieva I.g. The Fundamental Absorption Edge of TlSe and TlInTe2 Crystals.- Phys.Stat. Sol. (b), 1985, v. 127,1. N 1, p. K55-K60.

95. Аллахвердиев К.P., Мамедов Т.Г., Салаев Э.Ю., Эфендиева И.К. Спектр отражения кристаллов TllnSe2 .-ФТП, 1984, т.18, № 3,с.519-521.

96. Аллахвердиев К*Р., Гусейнов Д.А., Мамедов Т.Г., Мамедов Т.О., Салаев Э.Ю. Эфендиева И«К. Тепловое расширение и изотермическая сжимаемость TllnSe2. Мзв,АН Азерб.ССР, сер.физ.-техн. и мат.наук, 1984, № 2, с.70-72.

97. Аллахвердиев К»Р>, Гусейнов Д.А,, Мамедов Т.Г., Мамедов Т.О., Эфендиева И»К. Тепловое расширение и изотермическая сжимае -мость Т11пТе2. ФТТ,1984, т.26, № 7,с.2219-222I.

98. Эфендиева И.К. Смещение края фундаментального поглощения под действием гидростатического давления. Материалы республиканской научной конференции аспирантов,Баку: Елм,1982.-184с.

99. Allakhverdlev K.R., Gasymov Sh.G., Mamedov Т.О., Salaev E.Yu.» Efendieva I.K. Shift of the Fundamental Absorption Edgeof TlSe under Hydrostatic Pressure. Phys. Stat. Sol.(b), 1982, v.113, N 2, p. K127-K129.

100. Allakhverdiev K.R., Mamedov T.G., Salaev E.Yu*, Efendieva I.K. The Fundamental Absorption Spectra of TlInSe2 Crystalsunder Pressure.- Phys. Stat.Sol.(b), 1983, v* 117, N 2, p. K109-K111.

101. Ицкевич E.C. Бомба высокого давления для работы при низких температурах. ПТЭ, 1963, № 4, с.148-151.

102. ДжаяраманА., Хатсон А.Р., Мак-Фи М.Н., Кориэлл А .С. и Мейно Р.Г. Создание гидростатического и одноосного давлений в поршневой установке с тефлоновой ячейкой. Приборы для научных исследований, 1967, т.38, N2 I, с.47-53.