Колебательные спектры и диэлектрические свойства сегнетоэлектрических полупроводников типа А3В3С62 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЕГНЕТОЭЛШРИЧЕСЩ. ПОЛУПРОВОД

ШОВТ€ба£ег И T€Jn Sg (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)

§ I.I. Структура и кристаллохимия полупроводников группы

§ 1.2. Электрофизические и оптическиэ свойства

ТС1»$г И T€CaSea.

§ 1.3. Структурные фазовые переходы в кристаллах

Т£Сн,5ггъ T€Jr?$z

Постановка задачи.

ГЛАВА П. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИЗУЧЕНИЯ СПЕКТРАЛЬНЫХ

И ДИЭЛЕКТРИЧЕСгСИХ СВОЙСТВ

§ 2.1. Отражение в длинноволновой ИК области спектра.

Анализ Крамерса-йронига

§ 2.2. Методика измерения оптического пропускания под давлением

§ 2.3. Методика роста кристаллов и изготовление образцов

§ 2.4. Методика исследования температурной зависимости диэлектрической проницаемости и спонтанной поляризации.

ГЛАВА Ш. СПЕКТР ОПТИЧЕСКИХ ФОНОНОВ Т£Са$аг ПН

НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ.

§ 3.1. Длинноволновая ИК-спектроскопия высокого разрешения в области фазовых переходов и спектры оптического пропускания в интервале 5-50 см~* в Т€. С>а Se*,

Полоса остаточных лучей *•.

§ 3.2. Влияние высоких давлений на спектры пропускания и фазовые переходы под давлением в Т£Ъа5ег.

ГЛАВА 1У. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСШ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ

Те1»$г . юг

§ 4.1. Диэлектрическая проницаемость

§ 4.2. Спонтанная поляризация в кристаллах

T€I»Sz. .ЮЗ

§ 4.3. Температурный гистерезис фазовых переходов

T£Zr?Sz.ИЗ

§ 4.4. Влияние одноосного сжатия на диэлектрическую проницаемость TrfnSg.

Актуальность темы. Исследование физических свойств сегне-тоэлектриков и фазовых переходов в них представляет одну из фундаментальных задач физики твердого тела. В связи с этим продолжается всестороннее изучение физических свойств сегнетоэлект-риков и фазовых переходов как с целью развития теории оегнето-электричества, так и с точки зрения их практического применения. В последние годы резко возрос интерес к исследовании сег-нетоэлектричееких кристаллов, претерпевающих ряд последовательных фазовых переходов, отличайщихея по своей природе. Также кристаллы становятся необычайно лабильными при приближении к фазовому переходу и сильно меняйт свои свойства под влиянием внешних воздействий. Это открывает широкие возможности их практического использования.

Одним из таких объектов являются» интенсивно исследуемые в последнее время слоистые полупроводники с общей формулой А Уф обладающие фазовыми переходами в сегнетоэлектрическое состояние. Обнаружение модулированных фаз в кЧЩ стимулировало комплексные исследования физических свойств и фазовых переходов в 7£Хп$% * Т£6а$ег и ДР* Несмотря на то, что по исследованию физических свойств этих кристаллов опубликовано большое количество работ, до сих пор нет единого мнения, относительно природы и даже числа фазовых переходов. В имеющейся литературе к моменту начала настоящих исследований отсутствовала информация о последовательности фазовых переходов в не были детально исследованы спектры колебательных возбуждений в области низких температур и, ооотвеетственн«, оставались неизвестными температурное поведение фононных спектров в области низкотемпературных фазовых переходов. Поэтому изучения физических свойств кристаллов A^^Cg , их особенностей при фазовых переходах, а также влияния внешних воздействий на эти свойства представляет научный интерес и позволяет расши рить наши представления о явлениях, происходящих в сегнетополу проводниках при прохождении последовательных фазовых переходов

Актуальность исследований кристаллов А^В^С^ не ограничивается только фундаментальными аспектом изучения фазовых переходов. Имеются указания на перспективность применения слоистых кристаллов А®В®с| в качестве реперных материалов в технике высоких давлений*

Таким образом, цель настоящей работы состояла в исследовании спектров длинноволновых ЙК активных фононов и диэлектри ческих свойств кристаллов T€6&$e? и T-tlnSg ® широком интервале температур последовательных фазовых переходов, влияния давлений на их физические свойства и в выявлении возможности практических применений.

Научная новизна*

- Показано, что при фазовом переходе кристалла Т€ G-<* Se¿> из соразмерной (выше 120 К) в несоразмерную в спектрах длинноволнового ИК отражениявозгораются новые полосы с LO-то расщеплением 64-61; 251-249 см"1 ( ви) и 88-81 см"1 ( 8а ).

- По спектрам оптического пропускания кристаллов Т-ССиз^е^ в области 5-50 см"1 обнаружены и идентифицированы ранее неизвестные фононные полосы, поляризованные в плоскости слоя*

- В обнаружены фазовые переходы первого рода при давлениях выше 1ГПа.

- Установлено, что в TCXnS^ фазовому переходу из несоразмерной в сегнетозлектрическую предшествует переход в полярную соразмерную сверхструктурную фазу при 7J = 204 К.

- " переход из несоразмерной фазы y€Tr?S^ происходит при Тс, & 204 К.

- Обнаружено, что на р-Т-диаграмм© TtJr>$z о увеличением одноосного сжатия осуществляются трикритичеокие точки.

Практическая значимость. Полученные в работе значения дисперсии оптических констант кристалла 7VСло^е^ъ области температур 6-300 К и спектральном диапазоне 20-600 см""* для геометрий Е X С и Е // С могут быть использованы при создании оптоэлектронных устройств и нелинейно-оптических приборов на их основе. Аномалии в спектрах оптического пропускания кристаллов Тб ¿2 под Давлением позволяют рекомендовать их использование в качестве репера в технике высоких давлений.

На защиту выносятся: X, Фазовый переход кристалла из соразмерной в несоразмерную (Тс = 120 К) сопровождается возгоранием в спектрах длинноволновых ИК активных фононов новых полос с симметриями т т типа Ви с LO-TO раещеплением 64-61 см" , 251-249 ем*" и

9и - 83-81 ем"1.

2. Сегнетофаза кристалла 7уCrctSeg — Ю7 К) характеризуется наличием новых осцилляторов в спектрах длинно во л но*-вого ИК отражения с LO-ТО расщеплением 89-85 см~* (Е X С) и 53-51; 62-61 см"*1 (?// G)."

3. Результаты исследования влияния гидростатического давления на спектры ДИК отражения T€CxoSeg

4. В TCTnSg до перехода в сегнетофазу (201 К) имеет месте переход из несоразмерной в полярну» сверхструктурную фазу при 7с, - 204 К.

5. Несоразмерная фаза T£ln$¿ fé я 216 К) претерпевает - €oc£-¿n» переход при Тс, = 204 К.

Совокупность вышеприведенных положений можно рассматривать как решение новой задачи - установление особенностей спектра длинноволновых ИК активных фононов и диэлектрических свойств Tí Cxi и в области фазовых переходов и рекемендации по исследованию Tf&oSeg в качестве реперов в технике высоких давлений«

Апробация работы» Результаты работы докладывались на 18 Международной конференции по физике полупроводников (Швеция, Стокгольм, 1986 г. ), Международной конференции "Высокие давления в геонауке и синтез материалов" (ГДР, Потсдам, 1987 г. ), H Международная конференция МАРЙВД "Высокие давления в науке и технике" (Киев, 1987 г.), УП-я Европейская конференция по физике сегнетоэлекТриков (ФРГ, Саарбрукен, 1989 г.), ХП-я Всесоюзная конференция по физике сегнетоэлектриков (СССР, t•Ростов-на-Дону, 1989г.).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 9 работ в зарубежной й советской печати*

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, 4 глав и выводов. Общий объем составляет страниц, включая 46 рисунков и 8 таблиц. Список цитируемой литературы содержит в2 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДИ

1. На основе анализа детальных поляризационных измерений спектров ДИК отражения ТбО^зг Se-г в области температур 6-300К I и частот 5-400 см и обработке данных на ЭВМ с помощью соотношения Крамерса-Кронига установлено, что переход из соразмерной (выше 120 К) в несоразмерную (120-107 К) фазу сопровождается возгоранием в спектре новых полос типа ôcs с Lo - ТО расщеплением 64-61, 251-249 см*"1 и типа Да - 83-81 см"1.

2. Показано, что сегнетофаза кристалла TCSacSez (ниже 100 К) характеризуется наличием новых осцилляторов в ДИК отражения с LO -ТО расщеплением 89-85 см~* (Е X С) и 53-51, 62-61 см"1 (Е //"с).

3. Установлено, что слабые полосы в спектрах ДИК отражения ТеС-л0е2 о максимумами при 256 и 273 см~* (E l С), возгорающиеся при 7* ^ 250 К и связаны с фазовым переходом кристалла, обнаруженным по аномалиям теплового расширения.

4. На основе анализа результатов измерений частотных зависимостей диэлектрической проницаемости кристалла Те2*/?£г. в широкой области температур показано, что область температур

Tc^ (185 К)- 7сг (201 К) характеризуется сосуществованием полярных областей модулированной и сегнетоэлектрической фаз. 5. Установлено, что фазовому переходу дисульфида таллия-индия из несоразмерной в сегнетоэлектрическую фазу предшест-. вует переход в полярную, модулированную фазу при Тсг -204 К. » *£ос£-1Р » переход несоразмерной фазы* существующей ниже Tl * 216 К, имеет место при Тс г =204 К.

6. Показано, что на р-Т-диаграмме с увеличением давления осуществляется трикритическая точка и критическал точка Лифшица.

7. Установлено, что аномалии в спектрах оптического пропускания кристалла Т€ ПРИ давлениях ^ 1.1

4.4 и 8.5 ГПа связаны с фазовыми превращениями первого рода.

1. Offеiv;e.l.d G.R. Semiconducting materials containing thallium -U.S.Parent, 1965, tlO, 685

2. Halm H., Weliman B. Uber ternare Chalkogenide des Thalliums mit Gallium und Indium Naturwissenschaften, ¡967, В.4, H2, S.42

3. Guseinov G.D., Mooser E., Kerimova E,M., Gamidov U.S., Alek-seev I.V., Ismailov M.Z. On some properties of T1 In S^Ci^TE^) single crystals Phys.Stat.Sol., 1969, V.34, N1.

4. Jfluller D., Polt man F .E., Hahn H. Zur Struktur ternarer Chal-kogenide des Thalliums mit Aluminium, Gallium und Indium -Z.Naturforsch., 1974-, B.29B, НИ/2, S, 117-118

5. Isaaks T.J. Crystal data for thallium gallium diselenide TlGaSe^ J.Appl.Cryst., 1973, V.6, N8, p.413-414.

6. Isaaks T.J. Determination of crystal symmetry of the polymorphs of thallium indium disulfide TlInS2 Z.F.Krist., 1971, B.141, p.104-108.

7. Isaaks T.J., JTe ich tner I.D. Growth and optical properties of TlGaSe2 and TlInS2 - J.Solid State Chem. 1975, V.14, N3,p.2uO-263.

8. Isaaks T.J., Hopkins H.H. Crystal growth, symmetry and physical properties of thallium gallium disulpnide TlGaS^ J.Cryst. Growth, 1975, V.9, N1, p.121-122.

9. Hange К.-J., Engert G., Muller W., Weiss A. Hochdrucksyatnese und Kristallstruküuren von TllriS^- II und TllnS^ ~ III- Z. Naturforsch. 1974, B.29B, H.314, S.181-185.

10. Hange K-J., Mahlberg X., Obenland S. Hochdruckphasen von TIAlSe und TlGa3e2 mit TlSe Struktur Z.Naturforsch. 1977, B.32B,h Ii, s.1354-1355

11. Балагуров A.M., Длоуга M., Миронов Г.М. Кристаллографические данные дисульфида таллия-галлия. Дубна:, 1978, Р I4-II98I. (Препринт объед. ин-та ядерн. исслед.), 9с.

12. Muller D, , На tin H. Zur Struktur des TlGaSe2 2, anorg allg. Ciiem. , 197&, B.458, H I, 8.256-272

13. Абдуллаева С.Г., Абдинбеков С.С., Хусейнов Г.Г. О кристаллической структуре соединений tiVx^1 ( M-Ia ; Ga , Х- S , Se ). Доклады АН Азерб.ССР, 1980, т.36, А 8, с. 34-38.

14. Алиев В.А., Багирзаде Э.Ф., 1Уоейнов Г.Д., Гасанов Н.З. Кристаллическая структура и фазовые превращения в TiiaS2и TlGaSe2 . Препринт А 212, ИФАН Азерб. ССР, 1987, 54с.

15. Guseinov G.D, , Abdullaeva S.G., Godzïiaev E.M., Mekhtiev A.Sh. Alieva L.A., Ismailov M.Z. Electroabsorption of !TIInS,; single crystals Pays.Stat,Sol (b), '1^77, v.81, p. K4?-k50

16. Ахмедов A.M., Бахшов A.S., Лебедев A.A., Якобсон И.А. Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов TllnS öeT » ФТП, 1978. т. 12, A3, с.520-523.1. X -1-Х

17. Абуталыбов Г.М., Абдуллаева С.Г., Зейналов Н.М. Оптические свойства монокристаллов TiinS2 вблизи края фундаментального поглощения. ФШ, 1982, т. 16, А II, с.2086-2088.

18. Абуталыбов Г.И., Алиев A.A., Ларионкина Л.С., Нейман-заде Й.К., Салаев Э.Ю. Экситоны в монокристалле * " 1985, т.19, A I, с.172.

19. Абуталыбов Г.И., Алиев A.A., Ларионкина Л.С., Нейман-заде И.К., Салаев Э.Ю. Спектры отражения монокристаллов TiioS2 ФТТ, 1984, т.26, А 3, с.846-848.

20. Аллахвердиев K.P., Бабирова A.A., 1Ъджиев Б.Р., Мамедов Т.Г. Температурная зависимость динамической восприимчивости и спонтанной поляризации Tiinß2 ♦ - несобственного сегнезю-элекгрика с несоразмерной фазой. - ФТТ, 1989, т.31, А 4,с.220-222.

21. Банис Ю., Брилингас А., Григас Н., Гусейнов Г., Микроволновая диэлектрическая дисперсия в TlGaSe^ . ФТТ, 1987, т.29, № II, с. 3324-3329.

22. Кульбужаев Б.С., Рабкин Л.М., Торгашев В.И., Юзюк Ю.И.

23. KP активные мягкие моды в слоистых полупроводниках TiinS2 И Т1йаБе2 . ФТТ, 1988, т.30, ВI, о.195-199.

24. МавринБ.Н., Стерин Х.Е., Гасанлы Н.М., Халафов З.Д., Салаев Э.Ю., Аллахвердиев K.P., Сардарлы P.M. Оптические фононы в слоистых кристаллах TiGaS2 , fj?iinS2 и TlGaSe2 . ФТТ, 1977, т.19, & 10, с.2960-2963.

25. Gasanly N.M., Mavrin B.N., Sterin Kh.ÏÏ., íayirov V.l., Khaiafov Z.D. Roman Study of layer TlGaS2, TilnS^ and TlCiaSe^ crystals. Phys.Scat.üol.(Ъ), 197Ö* V.66,

26. Аллахвердиев K.P., Адигезалов У .В., Нани Р.Х., Юсифов Ю.Г. Оптические фононы TiinS2 . Изв. АН Азерб. ССР, сер.физ.-тега. и мат. наук, 1978, № I, с.21-25.

27. Аллахвердиев K.P., Виноградов Е.А., Иани Р.Х., Салаев Э.Ю., Сардарлы P.M., Сафаров Н.Ю. Колебательный спектр кристаллов TiGaS2 , TiGaSe2 и Tiins2 . в кн.: Физические свойства сложных полупроводников. - Баку:, Злм, 1982,с. 55-63.

28. Gaaanly M .ivi. , Goricharov a.F., Melriik N.K., Hagimov A.S. , Tagirov V.l. Optical ph.on.ons axid structure of TlGaS2, TlGaSe2, TlGaSe2 and Tlln£>2 layer single crystals. -Phys.Stat.Sol. (b), iV-3, V.116, JH2, p.427-443.

29. Gasanly 14.M., Dzavadov B.M., iia^imov А.Б., Tagirov V.I.,

30. Guseinov R.K, Infrared reflectivity spectra of TlGaS^-type layer crystals. Physica B-C, 1y62, V.112, N 1, p.?b-t>2.

31. Волков А.А., Гончаров Ю.Г., Козлов Г.В., Аллахвердиев К.P., Сардарлы P.M. Структурные фазовые переходы в кристалле TllnS2 . $ТТ, 1983, т.25, # 12, с.3583-3585.

32. Алиев Р.А., Аллахвердиев К.Р., Баранов А.И., Иванов Н.Р., Сардарлы P.M. Сегнетоэлектричество и структурные фазовые переходы в кристаллах семейства liinS2 . ФТТ, 1984, т.26, № 5, с.1271-1276.

33. Вахрутев С.Б., Жданова В.В., Квятковский Б.Е., Окунева Н.М., Аллахвердиев К.Р., Алиев Р.А., Сардарлы P.M. Несоизмеримый фазовый переход в кристалле 'ГИпБ2 . Письма в ЖЭТФ, 1984, т.39, № 6, с.245-247.

34. Аллахвердиев К.Р., Бахышов Н.А., Мамедов Т.Г., Наджафов А.И., Правило Урбаха и фазовые превращения в TllnS2 . ФТТ, 1986, т.28, Л 7, с.2243-2245.

35. Mamedov К. 1С., Abdullayev A.M., Xerimova Е.М. Heat capacities of TllnS,;, and TlInSe2 crystals at low temperatures. -Phys.Stat.Scl(a), V.94, N 1, p.115-119.

36. Аллахвердиев К.P., Бабаев C.C., Бахышов И.А., Мамедов Т.Г., Салаев Э.Ю. Аномалия температурного поведения электронных спектров Т11п£2 вблизи края их фундаментального поглощения. ФТП, 1984, т.18, № 7, с.1307-1309.

37. Abdullayev Й.А. , Allakiiverdiev К.Я. , Belenkii G.L., Mamedov T.G. , Suleimanov Й.А., Sharifov la.N. Pnasetransition and anisofropy of of thermal exuansion in TiloS,, • d

38. Solid.State Oornmun., 1985, V.55, N7, p.601-60233.iiurov bh. , Burlakov V.M., Vinogradov JS.A., G-asanly Я.М. ,

39. Dzhavadov B.M. Vibrational spectra of YllnS,-,, Tllru «r-S^d О,Up 2and TIIuCSq ^SeQ 2)2 crystals in the vicinity of phase transitions. Phys.Stat.Sol(b), 1yob, V.137, ^ 'I, p.21-32.

40. Кулбужаев Б.С., Рабкин Л.М., Торгашев Б.И., Юзюк Ю.И.

41. КР активные мягкие моды в слоистых полупроводниках TlinS2 и TlGa3e2 . ФТТ, 1988, т.30, В I, 0,195-199.

42. Алиев Р.А., Аллахвердиев К.Р., Баранов А.И., Иванов Н.Р., Сардарлн P.M. Сегнетоэлектричество и структурные фазовые переходы в кристаллах семейства TllnS2 , ФТТ, 1984, т.26, К 5, с.1271-1276.

43. Бурлаков В.М., Виноградов Е.А., Пасанлы Н.М., Мельник Н.Н., Рябов А.П., Яхьяев М.Р. Комбинационное рассеяние света на мягкой моде в соединении TiinS2 . ФТТ, 1988, т.30,6, с.1734-1737.

44. Волков А.А., Гончаров Ю.Г., Козлов Г.В., Лебедев С.П., Прохоров A.M., Алиев Р.А., Аллахвердиев К.Р. Сегнетоэлектриче-ская мягкая мода в полупроводниковом кристалле TiGaSe2- Письма в КЭТФ, 1983, № II, с.517-520.

45. Henicel W., Hochhemer H.D., Oar lone О,, Werner A,, tfes S. and Schnering H.G, High-pressure йошап study of the ternary chalcogenides TlGaS^, TlGaSe2 and TlInSe2. -Phys.iiev.B. 1982, V.26, N 6, p. 5211-5221.

46. Allakhverdiev K.R. , Mamedov T.G. , Panfilov V.V., Shuimrov M.M. , Subbotin S.I. Influence of hydrostatic pressure on the fundamental absorptium edge of TlGaSe2, TlGaS^ and TllnS^ crystals. Pnys. 8iat. Sol.(b), v. 151» ¿И, p.k23-ic28.

47. Аллахвердиев К.Р., Мамедов Т.Г., Пересада Г.И., ПонятовскиЙ Е.Г., Шарифов Я.Н. Фазовые диаграммы слоистых полупроводников TiinS2 ^ TiGaS2 и QMGaSe^ при гидростатическихдавлениях до 1,2 Ша. ФТТ, 1985, т.27, № 3, с.927-928.

48. Аллахвердиев К.Р., Мамедов Т.Г., Мельник Н.Н., Субботин С.И., Шукюров М.М., Влияние гидростатического давления на спектры комбинационного рассеяния кристаллов TiinS2 . Доклады АН Азерб.ССР, 1986, т.42, №12, с.15-19.

49. Аллахвердиев К.Р., Бабаев С.С., Бахышов Н.А., Мамедов Т.Г., Пересада Г.И., Шукюров М.М., Салаев Э.Ю. Влияние гидростатического давления на край фундаментального поглощения fiins2 И TllriS^Se^ . ФТП, 1984, т. 18, J6 9, с.1704-1706.

50. Мамедов Т.Г., Панфилов В.В., Субботин С.И., Шукюров М.М., Эфедциева И.К, Влияние гидростатического давления на край фундаментального поглощения кристаллов . В кн: "Всесоюзной конференции по физике полупроводников", Баку: Элм, 1982, № I, с.242-243.

51. Абдуллаев А.Г., Агальцов A.M., Горелик B.C., Ибрагимов Т.Д. Температурная зависимость второй оптической гармоники в кристалле !TiinS2 . Краткие сообщения по физике, 1986, № 5, с.14-16.

52. Kronig E.L. On tile theory of dispersion of X-rays, J.Opt. Soc.America, 1926, V.12, N 6, p.547-557.

53. Robinson. T.S. Optical constants Ъу reflection. Proc. Phys.Soc. (London), 1952, V.65 B, N 12, p.9'IO-yl1.

54. G-ottiev M. Optical properties of lithium fluoride in the infrared. J.Opt.Soc.America, I96G, V.50, N4, p.p.343-349.

55. Bowlden H.J., Wiliasnurat J.K. Svalution of the oneeingle reflection technique for trie determination of optical constants. J.Opt.Soc.America, 1963, V.53> ^ 9,p.1073-Л078.

56. Anderman G., Oaron A,, Dows D.A. Kramers-tfroixig dispersion analysis of infrared reflection band. J.Gpt.Soc. America, 1^65, v.55, я 10, p. '1210-1216.

57. Жижин P.H., Маврин Б.H., Шабанов В.Ф. Оптические колебательные спектры кристаллов. М:, Наука, 1984, 232с.

58. Allakhverdiev ¿.R., Babaev S.S., Salaev E.Yu. and fa^yev M.M.3 6

59. Angular behavior of the polar optical plionons in А Вlayered semiconductors. Phys.Stat.Sol. (Ъ) , 1 v/4> , V.96, Я 6, p.177-162.

60. A1lakhverd i e v К. R., Ga syrnov Sri. G. , Marne dov l'.G., Sa la e v h'. Yu.and Efendieva I.К. Shift of the fundamental absorption Edgeof TlSeunaer Hydrostatic Pressure. Phys.St.Sol.(b), 1982, V.115, Я 2, p,k127-k129.

61. Allakhverdiev K.R. , kamedov T.G., Salaev E.Yu., Efendieva I.К •The fundamental absorption Edge of TllnS^. Phys.St, Sol.Cb), 1.1.:>2, v.113, n 1, p.k43-k4-7.

62. Beleiikii G.L. , Mamedov T.G., Abdullaev Ы.А. AiiaKhverdiev K.K. , Suleimanov it. A., Snarifov Y a. N. Pua se Transitions andAnisotropy of Tnermai Expansion in 'fllnS^.

63. Sol.St.Commun, I .,c>5, V".33, ^ 7, p.601-602.

64. Allakhverdiev K.R., Mamedov T. G., Salaev E.Yu., Kfenciieva I.К The fundamental absorption Spectra of '1'xI.nSe^ crystals Under Pressure. Phys.St.Sol.(b), 1963, V.117, ÎT 2, p.k109-k111.

65. Allakhverdiev K.R., Gasumov Sh.G., Mamedov T.G., Effectof Hydrostatic Pressure on the Electrical Conductivity and Hall Coefficient of TlGaïI^ crystals phys.St.Sol. (,b), 1963, V.83, p.161-164.

66. Aliev E.ü., Baohyj.vuv A.E., Mamedov P.G., lia tig B.A. Electrical Properties of TlInS2 Perroel., 19Ü3, V.83, p.161-164

67. Волков A.A., Гончаров Ю.Г., Козлов Г.В., Сардарлы P.M.

68. Allakhverdiev K.R., Aldzanov M.A., Mamedov T.G., Salaev E.K.

69. Anomalous behavior of the Urbacn edge and phase transitions in TIGaSe., Solid,State, Commun, 1уъб, V.58, Д5, p.с.

70. Аллахвердиев K.P., Гусейнов С.С., Мамедов Т.Г., Тагиев М.М., Ширинов М.М. Фазовые переходы в слоистых тройных халькоге-надах со структурой TiGa3e2 . Изв. АН СССР, Не орган, мат-лы, 1989, т. 25, #11, с.1858-1861.

71. Абдуллаев Г.В., Аллахвердиев K.P., Виноградов Е.А., Жижин Г.И., Салаев Э.Ю., Сардарды P.M. О возможности фазового перехода в TiGaSe2 т Доклады АН Азерб. ССР, 1977, т.ЗЗ, № II, с.26-28.

72. ЗЪшимзаде Ф.М., ГаджиевБ.Р., Аллахвердиев K.P., Сардарлы P.M., Штейншрайбер В.Я. Диэлектрическая проницаемость TiGaSe2 в несоразмерной фазе. ФТТ, 1985, т.27, № 8, с. 2286-2290.

73. Allalvhverdiev , Aldzanov М.А. , iviamedov Т.G., Salaev Е. Anomalous behavior of the Urbach edge and phase transitions in TlGaSe^ Sol.Stat.Оошяяш. , Isoö, V.5Ö, JÜ5» p. ¿у ¿-¿у'/.

74. Сардарлы P.M. Динамика решетки и структурные фазовые переходы в соединениях групп А%%| и смешанных кристаллах на их основе. Дисс. докт.наук:, Баку, 1986, 313с.

75. Алджанов М.А. Теплоемкость и фазовые переходы в низкоразмерных кристаллах типа А%б, TIMXg и твердых растворах на их основе. Докт. дисс., Баку, 1989, 318с.

76. Prins íl.D., AllaKhverdiev K.ií., Babev 3.S., Guseinov S.ti., Melvhtiev E.I., Sliirinov M.M. , Tagyev wi.M., Dunstan D.J. Sffect of higa pressure of the optical transíaission spectraof A^B^C6^ crystals Phys. Stat. Sol., 19Ü9, v.СЪ) N 11,

77. Аллахвердиев К.P., Мамедов Т.Г., Тагиев М.М. Оптическая спектроскопия квазидвумерных полупроводников групп aW* йпод давлением. В кн.: Физика и техника высоких давлений. 1988, в.28, с.1-13.

78. Бурлаков В.М., Виноградов Е.А., Гасанлы Н.М., Мельник Н.Н., Рябой А.П., Яхьяев М.Р. Комбинационное рассеяние света на мягкой моде в соединении TiinS2 . ФТТ, т.30, в.6,с. I751-1756.

79. Banus J., Grigas J., Guseinov G. Microwave dielectric dispersion in TllnS^ ierroelectries 19b8, Vol.82,lNl, p. 3-9.

80. Аллахвердиев К.P., Баранов А.И., Мамедов Т.Г., Сандлер В.А., Шарифов Я.Н. Влияние гидростатического давления на фазовые переходы, диэлектрические свойства и проводимость в- ФТТ, 1988, т.30, в.6, с.1734-1737.

81. Salaev I?.M., Allakhverdiev K.R., and Guseinov S.S. Dielectric properties and phase transitions in ferroelectric-semiconductors with incommensurate phase TlIiiS^ Germany, Saarbuken 19Ü9.

82. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектри-ческих явлений в кристаллах. М:, Наука, 1983, 840с.

83. Леванюк А.П., Санников Д.Г. Несобственные сегнетоэлектрики.- УФМ, 1974, т.112, в.4, с.561-589.

84. Струков Б.А. Аномальные гистерезисные явления вблизи фазовых переходов соразмерная-несоразмерная фаза в сегнетоэлектри-ках. Изв. АН СССР, Сер. фаз., 1987, т.51, № 10, с.1717-1725.

85. Высочанский Ю.М., Майор М.М., Ризак В.М., Сливка В.Ю., Хома М.М. Критическая точка Лифшица на фазовой диаграмме сегнето-Электриков . ЖЭТФ, 1989, т.95, в.4, 0.1355-1365.