Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ОСНОВНЫЕ ВВЕДЕНИЯ ОБ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОМ СПЕКТРЕ И КИНЕТИЧЕСКИХ СВОЙСТВАХ ЦЕПОЧЕЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ АШВУ

§ I. Кристаллическая структура и электрические свойства.

§ 2. Оптические свойства.

§ 3. Зонная структура.

Постановка задачи.

ГЛАВА П. МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ

§ I. Электрические и оптические измерения.

§ 2. Конструкции камер для измерений электрических и оптических свойств кристаллов.

§ 3, Методики создания и измерения гидростатического давления.

§ 4. Приготовление образцов и оценка погрешности измерений.

ГЛАВА Ш. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ И ЭФФЕКТ ХОЛЛА В КРИСТАЛЛАХ КЭе ПРИ ГИДРОСТАТИЧЕСКОМ ДАВЛЕНИЙ (ОБЛАСТЬ СОБСТВЕННОЙ ПРОВОДИМОСТИ)

§ X, Анизотропия эффекта Холла и электропроводности кристаллов под давлением.

§ 2. Интерпретация анизотропии эффекта Холла и электропроводности кристаллов Т1Эе на основе тео -ретических расчетов структуры энергетического спектра с привлечением представлений о проводи -мости неоднородного кристалла.

§ 3. Смещение края фундаментального поглощения TiSe под действием гидростатического давления.

ГЛАВА 1У. ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ НА ЭФФЕКТ ХОЛЛА И ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПРИМЕСНЫХ КРИСТАЛЛОВ Т£ Se И ЕГО АНАЛОГОВ

§ I. Влияние давления и температуры на электропроводность и эффект Холла кристаллов T£Se в области примесной проводимости. Определение бариче ского коэффициента приведенного уровня Ферми.

§ 2. Зависимость электропроводности и коэффициента

Холла кристаллов In Те , TIS от давления.

§ 3. Электропроводность и эффект Холла в кристаллах

Ti6aTe2, TlInSe2 под давлением.

и др.)» Е слоистым полупроводникам групп ((таБе и его структурные аналогии), А^В^С^1 ^(БаЗе^ТНпЗ^ ).

Исследование слоистых соединений привело к созданию элементов переключения и памяти. В баЗе обнаружено индуцированное излучение под действием быстрых электронов, генерация второй гармоники, преобразование излучения среднего инфракрасного (ИК) диапазона в видимое.

Особое место в ряду соединений с сильной анизотропией кристаллического строения занимают цепочечные полупроводники группы А^В^* структурные аналоги селенида таллия

К5 ,П1п8е2,

ТСваТе^ ,1л&гТе2,1пТе и др.). Характерной особенностью структуры их являются длинные отрицательно заряженные цепочки атомов вытянутые вдоль кристаллографической оси Ъ • Связи между атомами внутри цепочек сильные ионно-ковалентного характера, в то время как между цепочками реализуется более слабая связь. Последнее является причиной того, что кристаллы легко скалываются вдоль оси 7. , практически не скалываясь в направлении перпендикулярном к ней. Анизотропия структуры повышает интерес к изучению анизотропии физических свойств цепочечных соединений. В этих кристаллах обнаружен пьезофоторезистивный эффект, они фоточувствительны в ближней ИК области спектра, применяются в качестве тензодат-чиков.

В сравнении со слоистыми соединениями группы физические свойства цепочечных ¿V* соединений мало изучены. Имеющиеся в литературе данные, касающиеся электрофизических свойств этих соединений, носили противоречивый характер. При исследовании спектров КРС цепочечных кристаллов под давлением /57/ были обнаружены особенности, проявляющиеся в виде уменьшения интенсивное-тей полос КРС и полном исчезговении спектров при некоторых критических давлениях. Эти особенности были обнаружены в результате совместных исследований, проводимых группой сотрудников лаборатории "Полупроводниковая квантовая электроника" ИФАН Азерб.ССР и сотрудников ИСАИ СССР и ИФВД АН СССР. В литературе имелись экспериментальные данные об анизотропии электропроводности кристаллов , однако природа последней не затрагивалась.

Все вышеизложенное позволило сформулировать цель настоящей работы: установить особенности влияния гидростатического давления на анизотропию электропроводности и эффекта Холла кристаллов Т1ве и его структурных аналогов.

Основные положения, представленные к защите:

I.Энергия активации проводимости кристаллов со структурой селенида таллия в направлении перпендикулярном оси Ъ всегда больше энергии активации проводимости в направлении оси Z .(Для кристаллов, взятых из разных партий разница составляет 20-120 мэВ).

2.Анизотропия эффекта Холла, электропроводности и барических коэффициентов ширины запрещенной зоны в Tl.Se связана с наличием межцепочечных барьеров.

3.Увеличение электропроводностиТ{Бе и его аналогов с давлением связано с увеличением концентрации носителей заряда при этом подвижность носителей практически не изменяется вплоть до давления 10 кбар).

В кристаллах Бе и его аналогах примесные состояния, характеризуются барическими коэффициентами сравнимыми с коэффициентами для ширины запрещенной зоны, что позволяет предположить влияние более удаленных зон на эти примесные состояния.

Электропроводность и эффект Холла были измерены в области температур (170-300 К). Измерения под давлением проведены по методикам, разработанным в ИФВД АН СССР и внедренным в ИФАН Азерб.ССР. Для получения независимых сведений о барических коэффициентах ширины запрещенной зоны Т&>е были проведены измерения спектров пропускания этого кристалла под давлением. Измерения были проведены при комнатной температуре в двухоконной оптической камере высокого давления в диапазоне давлений 0-4 кбар. В качестве среды передающей давление, была использована та же жидкость, что и при измерениях электрофизических свойств. В качестве монохроматора использовали МДР-2. В качестве приемника излучения фотосопротивление из р68 •

Научная новизна:

На основании анализа результатов экспериментов по влиянию гидростатического давления на электропроводность и эффект Холла кристаллов Т1ве и его структурных аналогов определены: барические коэффициенты энергии активации проводимости7? Бе (область собственной проводимости) для двух направлений (параллельно и перпендикулярно оси 2. ); барические коэффициенты приведенного уровня ФермиТСве ,Т18 ,1пТе ,Я6а?ё2(область примесной проводимости). Установлено уменьшение значений барических коэффициентов приведенного уровня Ферми с увеличением концентрации носителей тока. Впервые проведены экспериментальные исследования по влиянию гидростатического давления на анизотропию кинетических параметров (электропроводность, коэффициент Холла) селенида таллия. Установлено, что степень анизотропии с увеличением давления уменьшается. Показано, что анизотропия кинетических параметров находит объяснение в рамках предположения о разупорядоченности кристалла.

Практическая ценность. Исследованием кинетических свойств селенида таллия и его структурных аналогов П5 , 1пТе 9П6аТег и ТИп бе2 при гидростатическом давлении определены значения барических коэффициентов ширины запрещенной зоны Т^Бе и барического коэффициента уровня Ферми для Бе и его аналогов, значение которых необходимо для создания приборов на основе вышеуказанных материалов, работающих в условиях гидростатического давления.

Анализ полученных результатов позволил предложить монокристаллы соединения Т{ЭаТе2 в качестве высокочувствительного датчика давления для диапазона 0-23 кбар.

Апробация работы»Основные результаты работы были доложены на У Республиканской конференции молодых ученых-физиков, посвященной 60**летию Азербайджанской ССР и Компартии Азербайджана (г.Баку 1980 г.), на Всесоюзной конференции по физике полупроводников (г.Баку 1982 г.), научных семинарах ИФАН Азерб.ССР.

Публикации. По результатам проведенных исследований опубликовано 8 работ.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, основных выводов, приложения и списка литературы.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих публикациях:

1.Гасымов Ш.Г., Гончаров А.Ф. Влияние гидростатического давления на спектры комбинационного рассеяния света TIS и TiInSe„ •-Материалы У Республиканской конференции молодых ученых-физиков. -Баку: Елм 1980,-126.

2.Чл.коор. АН Азерб.ССР Салаев Э.Ю., Аллахвердиев К.Р., Гасымов Ш.Г., Мамедов Т.Г., Низаметдинова М.А. Влияние гидростатического давления на кинетические свойства селенида таллия,-Докл. АН Азерб.ССР, 1982, т.ХХХУШ, № 2, с.28-30.

3. AUaKhverdiev K.R., Gasymov Sh.S., and Salary E. Yll. Effect of pressure on the electrical conductivity and Hall effect of thalUum seknide.-Phys. Sbat. Sot. 1982, V. (a)74, P. КШ-КН5.

4.Аллахвердиев K.P., Гасымов Ш.Г.,Мамедов Т.Г., Низаметдинова М.А., Салаев Э.Ю. Влияние гидростатического давления на анизотропию электропроводности и эффекта Холла кристаллов TiSe .-Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников.-Б: Елм, 1982, T.I, с.82*83.

5. kllaichverdiev tt.R., fmsymov Sh. /?., Mamedov Т. Satae.v E.Yu., and Efend'ieva I.K. Shifh the fundumen-tal alsorption edge oj- TISe under hudrostatic pressure.

Phys. Stai. Sol. (b) 1982, v. 113, p. к127-к129.

6.Аллахвердиев K.P., Гасымов Ш.Г., Мамедов Т.Г.,Салаев Э.Е, Толмачев А.Н., Широков А.М. Влияние гидростатического давления на кинетические свойства кристаллов Tt Se и Tt&aTe^ .-ФТП, 1982, т.16, № 10, с.19X6.

7.Аллахвердиев К.Р.,Гасымов Ш.Г., Мамедов Т.Г.»Низаметдинова М.А., Салаев Э.Ю. Анизотропия электропроводности и эффект Холла кристаллов TiSe под давлением.-ФТП, 1983, т.17, № 2, с.203-207.

8#Аллахвердиев К.Р.,Гасымов Ш.Г., Мамедов Т.Г.,Салаев Э.Ю. Влияние гидростатического давления на кинетические свойства кристаллов со структурой селенида таллия.-Препринт АН Азерб»ССР, 1983, Я» 81, с.25.

В заключение считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность член-корреспонденту АН СССР Г.Б.Абдуллаеву за поддержку настоящей работы«

Искренне благодарен научному руководителю академику АН Азерб.ССР, профессору Э.Ю.Салаеву и доктору физико-математических наук К.Р.Аллахвердиеву за постановку задачи, постоянное внимание к работе и ценные советы при обсуждении результатов.

Искренне благодарен кандидату физико-математических наук А.М«Широкову за представление камеры высокого давления и ценные советы при проведении эксперимента, сотрудникам лабораторий "лазерная спектроскопия" и "полупроводниковая квантовая электроника" ИФАН Азерб.ССР за дружескую помощь.

1. Ketelaar O.A.к., Hart W.H., Hoorel R., and Polder Ъ. fhe, crystal structure, oj tkallous or thallosic sdtnide. -Z.Knstaltyr. 1939, V.101A, p. 39$-404.

2. Hahn И., Wellmcui В. U ¿er ternare chabcopenide des thalliums mit gallium and indium. tfaturi&issen-schajten {967, v. 54, №2, P-42-48.

3. Ман П.И., Имамов P.M., Семилетов O.A. Типы кристаллических структур халькогенидов Ga , In nil , -Кристаллография, 1976, т.21, с.628-639.

4. Hulter Ъ., Eulenßerger and Hahn Н. U&er iernäre. Thalliumchaltcooenide mit Tkalliumsiltrüdstructur. Z.knor%. ollg. Chem., 1973 , v. 398 , P. 207-220.

5. Mooser EPearson №. В. She chemical ßond in semiconductors . J. Electronics , 1956, v.l, Aft 6 , P. 629 - 64 5.

6. Hooser E. and Pearson В. semiconducting compounds.-pkys. 1956, v. ioi, №1, p. m-m.

7. Ахундов Г.А,, Абдуллаев Г.Б., Гусейнов Г.Д. 0 некоторых свойствах монокристаллов селенида таллия. -§ТТ,1960, т.2,' № 7, C.I5I8-I52I.

8. Fielding P.} Fischer В., Mooser Е. Semiconductors oj- Иге tape J. Pkys. and Chem. Solids , 1959, v. 8, P. 434-437

9. Nayar P.S., Verma J.O. and Matj. В.Ъ. Thermoelectric power oj thallium, selenide. ¡7. hppl. Pkys. 1968, v.39, Af'9 , p. 4465-4466.

10. U. Mayor P. S., Verma J .К.Ъ. and Mag B. Z>. Semiconducting, properties oj- thallium Sifanide,. 1 Pkys. Soc.

11. Jopan, 1967 , v. 23 , Л* 1 , P. 144 -147.

12. Гусейнов Г.Д,, Ахундов Г.А., Абдуллаев Г.Б. Об электрических и термоэлектрических свойствах монокристаллов Т?Sg . -ФТТ, 1962, т.4, № 5, с.1206-1212.

13. Ио^а R.S. and Kannevourj С.К. Eiettrical resistivity , Hah ejject and optical absorption in TtS ,TlS05Se05 and

14. TtSe.-XPhys.Chem. Sol., 1971 ,v.326 , P. 1099-1110.

15. Г7.Абуталыбов Г.И., Белле М.Л. Край поглощения и структура спектра поглощения гиперболического экситона в кристалле TtSe . -ФТП, 1975, т.9, № 7, с.1330-1334.

16. Рсскаг Р. В., Tiller Н.Ъ. Optical energy fycup in TlSe.-Pkys. Stat. Sol. 1968 , v. 29 , i , p. 153-158.

17. Гусейнов Г.Д., Ахундов Г.А. Анизотропия электрических свойств монокристаллов р-ТISe . Докл. АН Аз.ССР, 1965, т.21, № I, с.8-13.

18. Гусейнов Г.Д., Ахундов Г.А. Анизотропия электропроводности ипостоянной Холла p-TiSe- ФТТ, 1964, т.6, }Ь 2, с.634-636.

19. Алиев С.А,, Низаметдинова М.А., Оруджева Ш.О., Таиров С.И. К анизотропии кинетических коэффициентов селенида таллия -ФТП, 1971, т.5, № 3, с.567-569.

20. Ахундов Г.А. Получение монокристаллов и исследование их физических свойств. Автореф.дисс. д-ра физ.-мат. наук Баку,1967, 27 с.

21. F. M., Ismaïlov M.l. and Paskaev A.M. On ne vr analogs о} TtSe type semiconductor compoundsPfiys. Lett.1970, v. 33 A , tf=7, p. 421 -¿¡22.

22. Халафов З.Д., Абасов Г.Ш., Ахмедов А.М., Бахышов А.Э.,Таги-ров В.И. Исследование электрических свойств монокристаллов TiS. -Уч.зап. Азерб.ун-т.Сер.физ.-мат. н., 1976, Ш 6, 132-135.

23. Алексеев И.В., Алиева М.Х., Казиев Ф.й. Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов TfItt.Se2. Изв. АН Азерб.ССР, сер.физ.тех и мат. наук 1974, № 4, с.9-12.

24. Бриджмен П.Б. Физика высоких давлений. М.-Л., ОНТИ, 1935,402 с.

25. Твердые тела под высоким давлением- под ред. В.Пол,Д.Вар-шаузр М. "Мир", 1966, 524 с.

26. Shin К. у Hashimoto К. Temperature dependence of the reduced Fermy level in TISe. Technol. Repis Kyushi Univ. 1972 , v.45 , JA€ , p. 820-826.

27. Better S., Yayaraman A. and Hull b.W. Crystal chemistry and superconductivity of pressure induced phasesin the In-Te sistem. J. Pkys. Ckem. Sot. 1965, v. 26, p.353-361.

28. Уэ.ЪагпМ A.Z, YencJia A.Ö., LiUy VC.F. Indium tzlLndi metal. Science, , 1963 , v. Ш , p. 713-714.

29. Bömmel H.E., Darnell A.Ö., Lilly № F. , Tittmann B.R., Vencha A. 7. Superconductivity of metallic Indium ttl-turide.- Science 1963 , v. 141, p. 114.

30. Bonus tl.D. and Rolin son P. M. Thermodynamic aspects of the temperature pressure phase diagram, of InTe.-lAppl. Phys. 1966 , v.37, /Л 10 , />. 3771 - 377*1.

31. Ахундов Г,А. и Керимова Т.Г. Инфракрасное поглощение монокристаллов типа АШВ^.-0пт. и спектр. 1967, т.22, № 4, с.654-655.

32. Алиева М.Х., Ахундов Г.А. О кинетике фотопроводимости монокристаллов р- TCSe .-ФТТ, 1963, т.5, № 8, с.2087-2089.

33. Абдуллаев Г.Б.,Абуталыбов Г.И., Салаев Э.Ю., Собеих М.А., Тагиров В.И., Салманов В.М. Резонансное излучение TiSe в области сплошного спектра.- ДАН Азерб.ССР, 1977, т.33, № 6,с.13-15.

34. Гашимзаде Ф.М,,Низаметдинова М.А. Спектр отражения и зонная структура TtSe ФТТ, 1968, тЛО, № 9, с.2665-2670.

35. Низаметдинова М.А., Каваляускас Ю.Ф. Спектр отражения селе-нида таллия.- ФТП, 1978, т.12, № 9, с.1832-1833.

36. Абуталыбов Г.И., Алиев A.A., Низаметдинова М.А., Оруджев Г.С., Нани Р.Х. Оптическое отражение монокристаллов Т{ Se в глубине собственного поглощения- ФТП, 1981, т.15, № 5, с.851-854.

37. Гашимзаде Ф.М. Симметрия энергетических зон в кристаллах типа TtSe .-ФТТ, I960, Т.2, с.3040-3044.

38. Гашимзаде Ф.М., Оруджев Г.С. Зонная структура селенида таллия -ФТП, 1981, т.15, » 7, C.I3II-I3I5.

39. Бахншов А.Э., Гасанова Л.Г., Лебедев A.A., Самедов С.Р., Якобсон М.А. Исследование длинноволнового края1. TUn Se„ попоглощению и фотопроводимости.-ФТП, 1981, т.15, $ 4, с.808-810.

40. Карпович И.А., Червова A.A., Леонов Е.И., Орлов В.М. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов и пленок TllnSe2 . Изв.ВУЗов,Физика,1972, № 5, с.157-159.

41. Тагиров В.И., Бахышов А.Э., Собеих М.А., Ахмедов А.М.Салманов В.М. Фотопроводимость и люминесценция TtînSen .-Изв. ВУЗов СССР, Физика, 1978, № II, с.131-132.

42. Mtcuchverdieif K.R., Mameclov Т. fr. , Saiaev E.Yu., and Ejmdieva I. K. The jundounentai ai sorption edge oj

43. Se2 . Phys. Stat. Sot. (ê) 1982 , v. H3 , P. ккЗ-кЬ7.

44. Валюконис Г.Р., Медейшис А.С.,Шилейка А.Ю. Зависимость края поглощения KSe от гидростатического давления.-ФТП, 1982, т.16, № б, c.II37-II39.

45. Мах\xvzrdiets K.R., frasymov Sh.6., Mamedoi/ T. fr., Scâaev E.Yu. and Ejendieva I. К. Skijt the jundamentat aisorption edge oj TlSe under hydrostatic, pressure.-Phys. Stat. Soi. (ê) 1982, v. 113 , p. KÏ27-KÎ29.

46. Гасымов I.Г., Гончаров А.Ф., Влияние гидростатического давления на спектры комбинационного рассеяния света KS и

47. Тtin Se2 .-Материалы У республ. нод.мол.учен.-физ.-Б.: "Елм", 1980, 126 с.

48. Гашимзаде Ф.М. Гальваномагнитные явления и структура энергетических зон в полупроводниковых кристаллах типа TISe. -Изв. АН Азерб.ССР, сер.физ.-мат. и тех.наук, 1962, № б, с.83-91.

49. Ицкевич Е.С.,Вороновский А.Н.,Гаврилов А.Ф.,Сухопаров В.А. Камера высокого давления до 18 кбар для работы при гелиевых температурах.- ПТЭ, 1966, № 6, с.161-164.

50. Ицкевич Е.С.,Крайденов В.Ф., Миронова 3.А.,Славяникова Е.Л., Сухопаров S.A. Электровводы в камеру высокого давления- ПТЭ, 1968, № I, С.Т87-Т88.

51. Современная техника сверхвысоких давлений-под ред.Понятовско-го Е.Г.-М.:Мир, 1964-366 с.

52. Циклис Д.С. Техника физико-химических исследований при высоких и сверхвысоких давлениях.-М: Химия, 1976,431 с.

53. Анзин В.Б., Еремец М.И.,Косичкин Ю.В.,Надеждинский А.И., Широков А.М.-Определение ширины запрещенной зоны в теллуре под давлением.Оптические методы- M., 1978,Физич.институт им. П.Н.Лебедева ,препринт № 107.

54. Anizin V.&., Eremets M.I. 7 Kosicktcin. Vu. V. , Nadvrhdin-sku A.1. and Shiro<ov A.M. Measurement oj- the ene.rgy fyap in thetturium under pressure, . Phys. Stcd. Sol. (a)1977, v. 42 , p. 385 390.

55. Brandt l\f.B., Kuvsliinnixov S. V., Minina N. YaSidpetrov E. P. A method oj-Uicreacing the hydrostatic nature oj- the compression at loix/ temperatures 0г fixed pnssurt lomls.- Cryogenics 1974, , p. 464-466.

56. Чижиков Д.М.,Счастливый В.П. Теллур и теллуриды- М.,Наука, 1966,297 с.

57. Медведева З.С. Халькогениды элементов Ш Б подгруппы периодической системы М: Наука, 1968, 216 с.

58. Мизецкая М.Б.,Витриховский Н.М., Фурсенко В,Д. Влияние условий выращивания монокристаллов ids и CdSe на их физические свойства.-Вопросы металлургии и физики полупроводников.-М, 1959, C.I07-TII.

59. Алджанов М.А. Исследование теплоемкости монохалькогенидов галлия и таллия при низких температурах.-Дисс.канд.физ.-мат. наук,Баку,Т 977,181 с.

60. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе.- М: Наука, 1975,220 с.

61. Гусейнов Г.Д. Поиск и физические исследования новых полупроводниковых аналогов. Автореф.дисс.д-ра физ.-мат.наук-Баку, 1969, 82 с.

62. Рустамова Ф.А,,Влияние примесей на электрические и тепловые свойства кристаллов T{InSe2 .Автореф.дисс.канд.физ.-мат. наук,Баку, 1975, 18с.

63. Сеидов Ф.М. Получение и исследование электрических и тепловых свойств новых сложных полупроводников типа AßX2 (где

64. А -Те ,B-6a,Vi и Х-S,Se,Те )-Дисс. канд.физ.-мат.наук, Баку, 1976,150с.

65. Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла М: Сов.радио, 1974, -328 с.

66. Аллахвердиев K.P., Гасымов Ш.Г.,Мамедов Т.Г.,Низаметдинова М.А. ,Салаев Э.Ю. Анизотропия электропроводности и эффект Холла кристаллов TfSe под давлением ФТП, 1983, т.17,2, с.203-207.

67. Хилсум К и Рауз-инс А. Полупроводники типа .(Перевод с англ. М.М.Горшкова и А.Э.Наджипа. Под ред. Н.П. Сажинаи Г.В.Захваткина)- М. :Иностр.лит., 1963, -323 с.

68. Catien H.B. Electric Breakdown in ionic crystals.

69. Pkys. Rtv. 1949 , v. 76, M=9 , P. 1394-1402.

70. Ни заме тди нов а А.М.,Гусейнов Дж.А., Штейншрайбер В.Я. Колебательный спектр селенида таляия. ФТТ,1977,т.19,№7,с.20Н

71. Баранский П.Н.,Буда Н.С., Даховский Н.В., Коломец В.В. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках.-К.:Наукова думка, 1977,268с.

72. Шик А.Я. Материалы седьмой зимней школы по физике полупроводников- Л., ЛШФ, 1975, 487 с.

73. Wyrnoff ИЖ.6-. Crystal structures tfevr Уогк : Inter -sciece putlish , 1965 , -280 p.

74. Уханов Ю.й. Оптические свойства полупроводников.-M: Наука, 1977,366с.

75. Hvranfy C.J., Dawson L.R. Lifetime, of excitons Sound to neutral donors in high, purity GaAs.-Sol. Stcd .

76. Commun. 1972 , v. ID , JA5, P.W-MB.

77. Крищунас В.Ю.,Микалькевичюс М.П., Шилейка А.Ю. Зависимость края собственного поглощения монокристаллов селена от давления« ФТТ, 1965, т.7, f. 8, с.2571-2573.

78. Семенов Я.А. и Шилейка А.Ю. Влияние давления на ширину запрещенной зоны сернистого свинца. -§ТТ,1964, т.6, № I,с.313-314.

79. Аббасов А.Н.,Заманова Р.А.»Панфилов В.В., Субботин С.И. Смещение края фундаментального поглощения CdlnGaSц и

80. CdlnAl S^ под действием гидростатического давления.- ФТП, 1982, № 6, с.1139-1941.

81. Grant A. U. and Yoffe A.D. The pressure dependence of-the optical cap in crystalline, and amorphous arsenic triselenide . — Sol. Stat. Commun. 1970 > у. <$,1. P. 1919 ~ 1921 .

82. Besson J.M., Iain К.P. and Kukn A. Optical aisorption edge in GaSe under hydrostatic pressure. Physical

83. Rbvu* Utters , /974 , v. 32, №17 , p. 936 -939.

84. Besson 3.M. High. pressure, effects in Layer Semiconductors. ~IL Nuovo Cimento 1977, v. 38В, ^ 2 , P.478-485.

85. Sullotin S.I. , Panfilov V.V. and Molchanova R.T. Pressure Induced polytypic transformations cuid edgeaisorption of GaSe.-Pkys. Stat. Sot. (a) 1977, v.39, p.357-362.

86. Powell M.l. and Grant A.I. The effect of pressure on the optical at sorption edge in Sn$2 and Sn$e^. - IL nouvo cimento 1977, v. 38 В , t/~2 , P.48S~495.

87. Carillon C. and Martiner G. Phase transition in Read Iodide under hydrostatic pressure . IL nuovo cimento 1977, v. 38 6, №2 , p. 496-SOI.

88. Meiatty M., Segura A., Toutlec Le.K., Besson У.М., Chevy A. , and Fair H. Optical absorption edge of Ga§ under hydrostatic pressure. J. Phys. Chem.

89. Sol. 1978 , v.39, p. 25-28.

90. Юб.Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках.-Ms Наука, 1970, 303с.

91. Алиева М.Х, Получение монокристаллов TiSe и In.Se и исследование их фотопроводимости- Автореф.канд.дисс.физ.-мат.наук, Баку, 1966, с.13.

92. Пол В. Примесные уровни, связанные с несколькими экстремумами зоны проводимости. Труды IX Международной конференции по физике полупроводников.-Л.:Наука, 1969, т.1, с.17-28.

93. Ш.Иванова Е.М., Чапутович Е.Е. О применении In Sß в качестве материалы для измерительных преобразователей давления. -Измерительная техника, 1972, № 9, с.22-23.

94. П2.Джаяраман А., Хатсон A.F., Мак-Фи И.Н., Кориэлл A.C. и

95. Мейнс Р.Г. Создание гидростатического и одноосного давлений в поршневой установке с тефлоновой ячейкой.-Приборы для научных исследований 1967, т.38, № I, с.47-53.