Электронный парамагнитный резонанс в высокотемпературных сверхпроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

р Г Б од

1 6 АНН ^ 'РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

ОРДЕНА ОКТЯБРЬСКОЙ РЕВОЛЮЦИИ УРАЛЬСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ

ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МЕТАЛЛОВ

На правах рукописи

КОШТА Александр Анатольевич

ЭЛЕКТРОННЫЙ ПАРАМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС В ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКАХ

01.04.07 - Физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Екатеринбург 1994

}'абота выполнена в лаборатории Института физики металлов УрО РАН.

электрических явлений

Научные руководители: 1. доктор физико-математических

наук Устинов В.В.

2. кандидат физико-математических наук Романюха Л.А.

Официальные оппоненты: 1. доктор физико-математических

наук Медведев М.В. 2. кандидат физико-математических наук Верховский С.В.

Подущал организация: Казанский физико-технический

институт КФ РАН.

Защита состоится "_"__199_ г. в _ час. на

.заседании специализированного совета К 002.03.01 по защите диссертаций при Институте физики металлов УрО РАН (620219, г.Екатеринбург, ГСП-170, у л.С.Ковалевской, 1Н).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке института. Автореферат разослан "_"__ 1994 г.

Ученый секретарь совета

кандидат физике-матем наук ^— В.Р.Галахов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

. Актуальность темы. Данная диссертация посвящена исследованию физических свойств высокотемпературных сверхпроводящих материалов, в основном на основе системы У-Ва-Си-О с помощью электронного парамагнитного резонанса (ЭПР). Метод ЭПР обладает высокой чувствительностью и локальностью, однако в силу определенных особенностей этого метода интерпретация полученных результатов часто носит неоднозначный характер и требует построения физических моделей. Развитие экспериментальных методов определения е сверхпроводящих параметров этих материалов необходимо для повышения температуры сверхпроводящего перехода, понимания механизма сверхпроводимости и улучшения их сверхпроводящих свойств. Дальнейшее совершенствование параметров (высокий критический ток, радиационная стойкость, стабильность химического состава и т.п.) этих материалов может сыграть важную роль для их промышленного применения.

Основпой целью данной работы является исследование особенностей состояний спиновой подсистемы соединений на основе У-Ва-Си-О методом ЭПР: получение температурных и магнитных зависимостей параметров наблюдаемых ЭПР-сигна-лов от естественных парамагнитных центров и от ЭПР-меток, нанесенных искусственно на поверхность сверхпроводящих образцов; изучение процессов локализации магнитных моментов при отжиге, допировании "Ге и облучении ВТСИ-материа-

лов; исследование нерезонансных микроволновых эффектов, связанных со сверхпроводящим состоянием образцов.

Научная новизна настоящей диссертации состоит в обнаружении новых фазовых переходов и закономерностей эволюции магнитных и сверхпроводящих свойств керамических образцов УВа2Сиз07_5 при вариации в них содержания кислорода, допировании атомами железа и облучении нейтронами; в развитии нового мётода исследования смешанного (вихревого) состояния керамических и монокристаллических сверхпроводящих образцов УВа2Си307_в и Т12Ва2Са2СизО10 путем декорирования их поверхности ЭПР-зондом; а также в обнаружений и интерпретации особенностей гистерезиса микроволнового поглощения в керамических и монокристаллических образцах УВа2Си307^.

Достоверность результатов, полученных впервые, основана на использовании аттестованного оборудования, повторяемости результатов, работой на аттестованных с помощью рентгеновских и резистивных измерений образцах, .корреляцией полученных результатов с результатами других исследовательских групп.

Практическая ценность данной работы заключается в получении достоверной информации о магнитных и транспор-тнь1х свойствах новых сверхпроводящих материалов на основе У-Ва-Си-О и Т1-Ва-Са-Си-0. Разработанная методика исследования глубины проникновения магнитного поля путем декорации ЭПР-зонгда является более простой в использовании по сравнению с известными методиками. Развитые методы ЭПР-декорации и измерений гистерезиса микроволно-

вого поглощения позволяют определять параметры различных сверхпроводящих материалов и могут быть использованы для экспресс-аттестационных измерений. Помимо высокой чувствительности данные методы являются локально-чувствительными и бесконтактными.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на: 10 Встрече международного общества магнитного резонанса, 1989, Франция, Морзин; II Всесоюзной конференции по высокотемпературной сверхпроводимости, 1989, Киев; XXVI Всесоюзном совещании по физике низких температур, 1990, Донецк; IV Всесоюзном симпозиуме "Неоднородные электронные состояния", 1991, Новосибирск; XXVII Конгрессе АМПЕР, 1994, Казань.

Публикации. Основные результаты данной работы опубликованы в журналах СФХТ, ЖЭТФ, Physica Ser. С, Solid State Communication, Bullei. of Magnetic Resonance.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Первая глава "Высокотемпературные сверхпроводники и их свойства" посвящена обзору современного состояния теоретических и экспериментальных результатов исследований высокотемпературных сверхпроводникоц на основе Y-Ba-Cu-O. В ней рассматривается кристаллическая и магнитная структура исследуемых материалов. Обсуждаются основные результаты ЭПР-измерений в BTCII-материалах на момент начала выполнения данной работы, в частности, в ней

приводятся данные по измерению лондоновской глубины проникновения различными методами.

На основе сделанного обзора в этой главе формулируются задачи, решению которых посвящена настоящая диссертация:

1. Исследование ЭПР-свойств ряда аттестованных керамических образцов УВа2Си307_» с различной кислородной концентрацией (8=0,1; 0,31; 0,41; 0,56; 0,62; 0,72; 0,85; 0,9; 1,0); эффектов облучения нейтронами (Ф=5-1018; 1-Ю19; 2-1019 см~2)и допирования их железом.

2. Развитие метода исследования смешанного (вихревого) состояния сверхпроводящих керамических и монокристаллических сверхпроводящих образцов УВа2Си307_г и Т12Ва2Са2Сиз01о, декорированных ЭПР-зондом. Определение температурных зависимостей глубины проникновения магнитного потока в сверхпроводящих керамических и монокристаллических образцах. Разделение вкладов вихревой решетки и эффектов диамагнитного экранирования в ширину сигнала ЭПР-зонда. Изучение влияния на получаемые результаты геометрических размеров и эффектов пиннинга.

3. Исследование особенностей проявления гистерезиса микроволнового поглощения в монокристаллических сверхпроводящих образцах УВа2Си307_5; определение значений сверхпроводящих характеристик для исследуемых материалов.

Во второй главе "Экспериментальная методика" описывается экспериментальная техника, которая использовалась в настоящих исследованиях, дается определение

основных параметров ЭПР-спектров и методики их измерения; описывается технология синтеза образцов и их декорирования ЭПР-меткой; приводяться основные параметры исследованных образцов.

В частности, отмечается, что ЭПР-исследования проводились на стандартных гомодинных радиоспектрометрах электронного парамагнитного резонанса ERS-230 и ERS-231 (производство ГДР) в Х-диапазоне СВЧ поля (частота СВЧ-поля f«9,4 ГГц, прямоугольный резонатор ТЕ102), в диапазоне магнитных полей от 0,01 Т до 1,3 Т с использованием 100 кГц модуляции магнитного поля в диапазоне от 1х10~в Т до 2х10"3 Т. Изменение температуры образцов проводилось с помощью азотной приставки (83 + 553 ±0,1 К, стабильность не хуже 0,1 К) и низкотемпературным гелиевым потоковым криостатом ESR-900 фирмы "Oxford instruments" (3,8^300 ±0,1 К, стабильность не хуже 0,1 К).

Образцы с различной концентрацией кислорода приготавливались из исходных составов УВа2СизОвЛ5 путем отжига в атмосфере кислорода (Институт химии твердого тела УрО РАН). Структурные параметры и содержание кислорода определялись из данных по рентгеновской и нейтронной дифракции (Институт химии твердого тела УрО РАН; Институт физики металлов УрО РАН, ОРАР). Аттестация показала, что все образцы были однофазными и ближайшее окружение атомов Си2 имело полное заполнение при всех 5.

Большинство образцов были предварительно исследованы методами ЯМР, ЯКР, Месбауровской спектроскопии и имелись данные по статической магнитной восприимчивости.

В качестве ЭПР-метки. использовался -мелкодисперсный порошок органического радикала дифенилпикрилгидразила (ДФПГ), обладающего слабой спИн-решеточной релаксацией (ЛН(ЗООК) = 2 Э).

В третьей главе "Локализация магнитных моментов при разупорядочении У-Ва-Си-О" приводятся оригинальные результаты по ЭПР-исследованиям УВа2Си307.8 при изменении содержания кислорода в интервале 8 от 0 до 1, допировании исходного состава 57Ре и разупорядочении структуры с помощью облучения образца потоком нейтронов.

Выполненные исследования показали, что в сверхпроводящих составах этого соединения ЭПР-сигнал не наблюдается, однако регистрируется низкополевой сигнал и гистерезис микроволнового поглощения, что позволило определить температуру сверхпроводящего перехода. При 1>8>С,62 образцы становятся несверхпроводящими и при Т<50 К в них регистрируется ЭПР-сйгнал. Эта область концентраций кислорода соответствует полупроводниковому состоянию исследуемых образцов. Сигналы ЭПР имели форму линии с анизотропным §-фактором. Параметры наблюдаемого сигнала ЭПР (величины резонансного поля Нг, ширины линии АН и форма линии) позволили связать его с сигналом от Си+2.

Сопоставление температурных зависимостей АН, д-фактора и X (см- рис.1) указывает на наличие магнитного

фазового перехода при 10 К < Т < 15 К Такой вывод находится в согласии с результатами нейтронографических исследований, которые указывают на переход образца в антиферромагнитное состояние.

Апроксимация экспериментальных данных по ДН(Т) зависимостью типа а+Ь-Т (температурная зависимость вклада спин-фононной релаксации) для диапазона выше температуры магнитного перехода позволила определить температурно-независимый вклад в нее ДН(Т=0 К), обусловленный спин-спиновой релаксацией. Для образцов* с б = 0,72, 0,85, 0,9 получены значения ДН0 = 60, 100, 160 Э соответственно. Обнаруженный рост спин-спинового обмена по мере удаления от стехиометрического состава отражает факт роста количества локализованных моментов в системе.

3 4 5 6 7 8 910

20 30 40 50

Температура, К

Рис.1. Температурная зависимость интегральной спиновой восприимчивости керамических образцов УВа2Си]От.я с различным содержанием кислорода.

На рис. 1 приведены результаты апроксимации экспериментальных точек температурной зависимости спиновой восприимчивости кривой типа Т"* , где о=0,71, 0,82 и 0,95 для составов с 5=0,72, 0,85 и 0,9 соответственно. Ранее такая зависимость неоднократно наблюдалась в квазиодномерных соединениях и была интерпретирована в рамках модели кваэиодномерного разупорядоченного магнетика.

Эксперимент на допированных железом керамических образцах YBa2(Cui_xFex)307j показал, что электронно-парамагнитный резонанс имеет место только в кислородо-дефицитных образцах с относительно малым содержанием Fe (х<0,05). Параметры наблюдаемых сигналов, ширина линии и g-фактор были близки к параметрам сигналов для образцов без допирования железом. Допирование YBa2Cu307_j атомами Fe привело к модификации релаксационного механизма (изменение температурной зависимости ширины линии), подавлению фазового перехода в диапазоне температур 10+15 К и уменьшению показателя степенной зависимость х(Т)~Т~и от 0,71+0,95 до значения я-0,5.

Возникновение ЭПР-сигнала при уменьшении концентрации кислорода и допировании атомами железа в рамках предложенной модели связывается с искажением локального окружения цепочечной меди. В случае отклонения содержания кислорода от стехиометрического появляются вакансии в «сислородном окружении цепочечной меди, а при допировании Fe изменяется суперобмен в цепочках Cu-Cu и "декомпенсируются" влияния плоскостей. Альтернативным способом изменения локального окружения атомов меди,

ответственных за наблюдение ЭПР-сигиала, является облучение нейтронами исходных образцов. В общем случае, облучение приводит к повреждению связей Си-О как в плоскостях, так и в цепочках УВа2Си307_5, а также к частичному перераспределению атомов кислорода в позициях 04 и 05, что обуславливает заметное увеличение параметров решетки а, Ь и с При увеличении флюенса до значений Ф>2-1019 см"2 происходит исчезновение сверхпроводимости. Для образцов с максимальными дозами облучения регистрируется ЭПР-сигнал с параметрами, близкими для сигнала в обескислороженных образцах. Измерения магнитной восприимчивости показали температурную зависимость типа Кюри-Вейса, что указывает на локализацию магнитных моментов, которые обуславливают ЭПР-сигнал.

В четвертой главе "Исследование вихревой решетки в сверхпроводниках методом ЭПР-декорирования" приводятся результаты исследования при помощи парамагнитного зонда вихревой магнитной решетки, возникающей при переходе образца в сверхпроводящее смешанное состояние. В качестве исследуемых объектов были выбраны керамические образцы УВа2Си307.5 и 712Ва2Са2Сиз01(), а также монокристаллические УВа2Си307. Для интерпретации сложного температурного и полевого поведения ширины линии ЭПР-сигнала предложена модель влияния вихревой решетки на ЭПР-зонд.

На рис. 2 представлены результаты измерения ширины ЭПР-линии и резонансного поля от ДФПГ, который бьи> нанесен на поверхность керамических образцов УВа2Си307 и Т12Ва2Са2Си3О10. . Для всех исследованных образцов

и

наблюдается резкое увеличение ширины ЭПР-линии при температурах ниже сверхпроводящего перехода. Такое поведение ширины линии ЭПР обусловлено возникновением локальных неоднородных магнитных полей от решетки магнитных вихрей Абрикосова в месте расположения ЭПР-зоида. Наблюдаемое смещение положения ЭПР-линии при переходе в сверхпроводящее состояние также связано с этим эффектом.

*Г о

гЧ

5

24 20 16 12 8 4 0

□ . В Н я г..... *

Ь 5 ^н х 3 ~ з йТ« * ' ' ' 9 V.

о\ч. оа\ ц * »• ги а» Температура, К • - УВ^С^О О •и1в.1а1си,ои

Хв.т».0 . ■ о в » . 1. ■ I ■ I_

60 100 150 200 250 300 Температура, К

Рис. 2. .Температурные зависимости ширины линии и резонансного поля ЭПР-сигпала декорированных керамических образцов */Ва2Си,07 и Т12Ва2СагСиар|0. Сплошные линии - апроксимацил по ур^1-2).

Экспериментальные результаты по ширине линии ЭПР были обработаны в терминах второго момента гауссовской линии. В этом случае вклад в ширину линии ЭПР от неоднородности магнитного поля, обусловленного вихревой решеткой, вырансается следующим выражением:

ПР) 1 .а,

где с! - постоянная вихревой решетки в приближении квадратной решетки; К - внешнее магнитное поле; Ф0=2,068Ю"11 Г-см2 - квант потока; X - глубина проникновения магнитного поля.

Вклад вихревой решетки получается из наблюдаемой ширины линии ЭПР с помощью следующего выражения:

АН3(Т) = ^АНд(Т) + ЛН^(Т) , ...(2)

где АН5 - экспериментально наблюдаемая ширина линии ЭПР, ЛН0-вклад в ширину линии, обусловленный внутренними релаксационными процессами ДФПГ.

3

-н 2

Í 1 - О

-Г 3

2 1

°0 20 40 Р0 80 100 120 140 Температура, К

Рис. 3. Температурная зависимость глубины проникновения магнитного потока в керамических образцах YBa2Cu307 и Tl2Éa2Са2Cu, 0,0. Сплошная линия - апроксимания по фор. (31

На рис. 3 приведены результаты расчета температурной зависимости глубины проникновения магнитного потока из экспериментальных данных по ДН(Т) и показана апроксимация теоретической зависимость ЭДТ), в рамках БКШ-модели:

МТ)

-1

М0Г1,1-

IV

...(3)

Полученные зависимости Х(Т) для керамического

УВа2Си307 хорошо согласуются с теоретической кривой во

«

всем диапазоне температур для значения Ао=3500 А. Для Т1-

образца наилучшнее согласие эксперимента и теории получено

в

при значении Х<)--3500 А.

Ч 10

и

н

о

К 5

"с

о

-0,15 -0,10 -0,05 0,00 0,05 0,10 0,15

'Н8-<Н>)/Н*

Рис.4. Плотность распределения локальных мапштных полей от квадратной вихревой решетки.

Детальный теоретический анализ наблюдаемого эффекта проводится на осноье анализа влияния на ширину ЭЛР-сигнал

локальных магнитных полей, наводимых решеткой вихрей Абрикосова. Результаты расчетов распределения локальных магнитных полей для идеальной треугольной решетки, решетки со случайным 20% отклонением вихрей от равновесного положения и распределение локальных полей на некотором расстоянии от поверхности кристалла приведены на рис. 4.

Имея функцию распределения локальных полей л(Н) и исходную форму ЭПР-сигнала Р^Н), можно рассчитать форму ожидаемого ЭПР-ситнала Р(Н) для декорированной сверхпроводящей поверхности.

20

§ Ю

Щ 1 "10

-20

' 1 ' • —

Кимжчрищ №ммммш20%рпга

1

-0,10

-0,05

0,00

0,05

0,10

(Н-Нг)/Н

Рис-5. Форма линии ЭПР от ДФПГ-эонда е учетом локальных магнитных полей от квадратной вихр"чой решетки.

На рис. 5 представлены результаты расчетов ожидаемой формы ЭПР-линии. Характерными моментами являются смещение сигнала ь область больших полей и наличие ассиметрии крыльев, которая имеет значение порядка 1,7 для

П

идеальной решетки, Экспериментально наблюдаемая ассиметрия для ЭПР-сигналов УВа2Си307 была около 1,1 и для Т12Р 2Са2Си3О10 - около 1,2, что значительно меньше, чем теоретическое значение. Такое маскирование проявления вихревой решетки может быть обусловлено как эффектом пиннинга,... приводящего к искажению решетки вихрей Абрикосова (см. зависимости для искаженной решетки на рис. 4 и 5), так и конечными геометрическими размерами гранул ЭПР-зонда и существованием приповерхностного слоя с подавленной сверхпроводимостью (см. зависимости для случая "над поверхностью'* на рис. 4 и 5).

Эти два фактора модифицируют значение ЦТ), определенное из ЭПР-данных. Нерегулярности вихревой решетки, обусловленные эффектами пиннинга, приводят к размытию распределения п(Н) и соответственно дополнительно уширяют ЭПР-линию. В этом случае оценка Хо из зависимости ДН(Т) будет завышенной. Однако конечные размеры гранул ДФПГ приводят к сглаживанию распределения локальных магнитных полей и к занижению оценки А<> В какой-то мере эти два фактора могут компенсировать друг друга.

Учитывая эти два экспериментальных фактора присущие керамическим образцам и усложняющие интерпретацию полученных данных, были проведены исследования на монокристаллах, которые позволили получить более достоверные результаты. В этих экспериментах имеется четко определенная взаимная конфигурация внешнего магнитного поля и поверхности монокристалла и точно известно, чти ДФПГ расположен только на плоскости (аЬ) монокристалла.

В случае "параллельной" конфигурации внешнего магнитного поля и поверхности монокристалла магнитная неоднородность _ в перпендикулярном сечении вихревой решетки не оказывает влияния на парамагнитные центры ДФПГ, так как абрикосовские вихри выстраиваются параллельно декорированной поверхности. Однако магнитная неоднородность, связанная с мейснеровским экранированием всего образца, служит, источником неоднородного уширения сигнала ЭПР.

Температура, К

Рис.б.Температурная зависимость ширины линии ЭПР декорированного монокристалла УВа2 Си3 0? при параллельной ориентации'магнитного поля и (аЬ) для двух значений амлитуды сканирования 10 и 20 мТ.

Температурная зависимость ширины линии ЭПР для данной конфигурации показана на рис. 6 для двух значений развертки внешнего магнитього поля (20 мТ и 100 мТ). Влияние величины развертки мандатного поля на масштаб изменений ширины ЭПР-линии указывает на связь захваченного магнитного потока со спектральными

характеристиками. С целью оценки влияния эффектов захвата магнитного потока на ширину линии ЭПР были проведены измерения ширины линии при различных Нир. Эксперимент выполнялся при двух температурах: 55 К и 65 К. Обе зависимости хорошо описываются линейным законом с коэффициентом пропорциональности к=0,03. В эксперименте обнаружено, что форма ЭПР-сигнала у образцов с увеличением значений Нир сильно изменяется, приобретая плато-подобное искажение в середине спектра.

В случае перпендикулярного направления внешнего магнитного поля к поверхности монокристалла наблюдается уширенме сигнала ЭПР-метки ниже Тс более резкое, чем в керамических образцах. Ширина линии возрастает в 40 раз в температурном диапазоне ДТ 4 К, в то время как для керамических декорированных образцов YBa2Cu307j ширина сигнала возрастала только в 8 раз на всем температурном диапазоне (90 К).

Поскольку частицы ДФПГ были осаждены только на плоскость монокристалла (ab), то в отличие от керамических образцов можно считать, что ЯДТ) в этом случае является характеристикой плоскости Из экспериментальных

данных было получено значение глубины проникновения л(;-1200 Л, 'которое хорошо согласуется с данными, но пученными с помощью других методик.

Питая глава "Гистерезис модулированного микроволнового поглощения в жестких сверхпроводниках"

гюсвящеса новому направлению исследований микроволновых |<>

свойств сверхпроводников II рода - изучению гистерезиса микроволнового поглощения.

Данный эффект заключается в изменении уровня поглощаемой СВЧ-мощности в зависимости от направления сканирования постоянного магнитного поля (т.е. увеличения или уменьшения величины внешнего магнитного поля). На рис.7 приведен вид частной петли микроволнового гистерезиса и определение его параметров: 8 - амплитуда гистерезиса, ДН -ширина перехода, Н* ~ критическое магнитное поле, при котором исчезает мв-гистерезис.

§

1--г-1— 1 Г---1 ~Т— Г "Г" Т-1---1— (»)

> 1 ,.....,.....,!

и-лДН (6>

5 ■ ^_ . и!" . 1,1,1,1

0,1 0,5 1,0

Магнитное поле, Т

Рис. 7. Гистерезис микроволнового поглощения ыонскристаллн'исюко

обрапца УВа2Си3Ов , для а) НЦ(йЬ) и б) Н4аЬ). ______

Исследование микроволнового поглощения и монокристаллах УВа2Си306 8±01 обнаружило ряд особенностей проявления мв-гистерезиса по сравнению с керамическими образцами. На рис. 7 приведен экспериментально наблюдаемый вид мв-гистерезиса при перпендикулярной и

параллельной ориентации плоскости кристалла <аЬ) относительно направления постоянного магнитного поля.

Для монокристаллических образцов имеется сильная магнитная анизотропия формы частной петли гистерезиса. При параллельной ориентации амплитуда гистерезиса не зависит от величины постоянного магнитного поля, что аналогично случаю керамических образцов. В то же время для перпендикулярной конфигурации имеется выраженная полевая зависимость 5(Н): в полях 0,3 - 0,5 Т наблюдается затянутый максимум, а при Н>0,8 Т - тенденция к исчезновению гистерезиса при некотором критическом значении Н*.

Новым экспериментальным моментом, ранее не наблюдавшимся, является изменение ширины частной петли гистерезиса ЛН при увеличении или уменьшении магнитного поля. Этот эффект наблюдается лишь вблизи перпендикулярной геометрии расположения .образца. При параллельной ометрии, как и в керамических образцах, переход с верхнего на нижний уровень происходит резко, ДН < 0,001 Т.

Основные результаты:

1. Для систем У-Ва-Си-О с различным содержанием кислорода, допированных железом и облученных нейтронами, установлены условия, необходимые для наблюдения сигнала Э11Р. Наиболее важным среди них является низкая

проводимость образца в нормальном состоянии. ЭПР-сигнал наблюдался только для тетрагональной структуры.

2. На основе сравнения ЭПР-данных для УВа2Си307_5 и УВа2(Си1_хГех)307_5 установлены отличия электронных и магнитных свойств этих соединений. Результаты показывают, что необходимо учитывать эти различия при интерпретации данных, полученных для УВа2Си307_а с помощью эффекта Мессбауэра, в частности, касающихся фазовых переходов магнитной природы.

3. Температурная зависимость спиновой магнитной восприимчивости для кислородно-дефицитных образцов, которая подчиняется специфическому дробно-степенному закону Х~Т"а (а<1), списана в рамках модели разуюрядоченных магнитных цепочек

4. Получены экспериментальные зависимости лондо-новской глубины проникновения от температуры ?.(Т) и оценены значения этой величины при Т=0 К: Х0=3500. А и

о

А.0=3900 А для керамических сверхпроводников УВа2Си307.» и Т12Ва2Са2Си3О]0 соответственно. Наблюдаемая зависимость Х(Т) описана в рамках теории БКШ, что позволило сделать заключение в пользу фононного механизма сверхпроводимости в этих соединениях.

5. Исследование микроволнового гистерезиса в монокристаллах показало высокую анизотропию его параметров и позволило непротиворечивым образом объяснить результаты декорации ЭПР-меткой в них.

Публикации:

1. Koshtif A.A., Shvachko Yu.N., Romanyukha A.A., Ustinov V.V. Hysteresis of microwave absorbtion. of the high-Tc superconductors.- Bull. Ma^n. Res., 1990, 1&2. pp.65-75.

2. Кошта A.A., Романюха A.A., Швачко Ю.Н., Виглин Н.А., Устинов В.В., Наумов С.В. Гистерезис микроволнового поглощения в сверхпроводящих монокристаллах YBa2Cu307J. - СФХТ, 1990, £ в.5, с.838-844.

3. Romanyukha А.А., Shvachko Yu.N., Irkhin V.Yu., Katsnelson M.I., Koshta A.A., Ustinov V.V. Effects of Disordering on Local Moments in YBa2Cu307^i and YBa2(Cui_xFex)307.s - Physica C, 1990, Ш, pp.276-286.

4. Shvachko Yu.N., Koshta A.A., Romanyukha A.A., Ustinov V.V., Akimov A.L Detection bf the flux-line lattice in high-Tc supercoductors by ESR-probe decoration. Physica C, 1991, Ш, N 4-6, pp.447-454.

5. Shvachko Yu.N., Koshta A.A., Romanyukha A.A., Naumov S.V., Ustinov V.V. EPR-probe decoration in YBa2Cu307_s single crystals. - Physica C, 1992,1£7, №1&2, pp.27-34.

6. Кошта A.A., Швачко Ю.Н., Романюха A.A., Устинов В.В. Исследование вихревой решетки в высокотемпературных сверхпроводниках методом ЭПР декорации. - ЖЭТФ, 1Р93, 103. с.629-654.