Электронный спектр и фазовые переходы в электронном и дырочном арсениде индия при высоком гидростатическом давлении до 9 ГПа тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГАВА I. ЭЛЕКТРОННЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР И ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В АРСЕНИДЕ ИНДИЯ обзор литературных данных).

1.1. Кристаллическая структура полупроводниковых АШТЭУ соединении А В

1.2. Зонная структура ЬгАб под давлением.

1.3. Влияние давления и температуры на теплопроводность твердых тел.

1.4. Влияние давления на структуру полиморфного превращения в твердом теле.

1.5. Постановка задачи.

ГЛАВА II. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Обзор методов создания гидростатического давления.

2.2. Аппарат высокого давления типа «тороид».

2.3. Создание гидростатического давления до 9 ГПа с помощью аппарата «тороид».

2.4. Экспериментальная установка и методика измерения теплопроводности под давлением.

2.5. Экспериментальная установка и методика измерения удельного электросопротивления, коэффициента Холла и магнитосопротивления при высоком гидростатическом давлении до 9 ГПа.

2.6. Образцы п-ГпАб, р-1пАз и р-1пАз<Мп> для исследований под давлением.

ГЛАВА III. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ГИДРОСТАТИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ ДО 9 ГПа НА ЭЛЕКТРОННЫЙ СПЕКТР И ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ЭЛЕКТРОННОМ АРСЕНИДЕ ИНДИЯ.

3.1. Влияние высокого гидростатического давления на электронный спектр п-ЫАэ.

3.2 Влияние гидростатического давления на теплопроводность и электропроводность п-1пАз.

3.3. Влияние высокого гидростатического давления до 9 ГПа на фазовые переходы в п-ЫАб.

ГЛАВА IV. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ГИДРОСТАТИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ ДО 9 ГПа НА ЭЛЕКТРОННЫЙ СПЕКТР И ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ДЫРОЧНОМ АРСЕНИДЕ ИНДИЯ.

4.1. Влияние гидростатического давления на эффект Холла и удельное сопротивление в р-1пАз и р-1пАз<Мп>.

4.2. Влияние гидростатического давления на магнитосопротивление вр-1пАз и р-1пА8<Мп>.

4.3. Фазовые переходы в дырочном арсениде индия при высоком гидростатическом давлении до 9 ГПа.

ВЫВОДЫ.

Актуальность темы. Полупроводниковые соединения типа А1ПВУ, к которым относится арсенид индия, представляют собой обширный класс веществ, свойства которых вызывают большой интерес и в настоящее время активно изучаются многими исследователями. Интерес в значительной степени обусловлен широким практическим применением этих материалов в технике (датчики давления, датчики Холла, детекторы инфракрасного излучения и др.). Все практические применения соединений АШВУ основаны на их электронных свойствах, поэтому исследования, направленные на изучение электронного энергетического спектра этих соединений и способов воздействия на него, весьма актуальны. Основные особенности электронного спектра соединений АШВУ в настоящее время хорошо изучены. Однако недостаточно ясным остается вопрос о существовании в электронном спектре арсенида индия квазилокальных уровней дефектов, которые при определенных условиях могут повлиять на электрические свойства. Существуют определенные противоречия между экспериментальными данными и теорией. В связи с чем, необходимы новые экспериментальные данные, которые можно получить путем воздействия на электронный спектр, например, с помощью высокого давления.

Одной из актуальных задач в физике конденсированного состояния является изучение структурных фазовых переходов первого рода. Оказывается, что эту задачу нельзя рассматривать изолированно от проблем, связанных со строением электронного энергетического спектра, так как из-за сильного электрон-фононного взаимодействия электронная система оказывает заметное влияние на устойчивость кристаллической решетки. Воздействие давления (спектроскопия давлением) дает возможность расшифровать зонную структуру твердых тел, получать новую информацию о фазовых переходах, устанавливать области устойчивости фаз, получать метастабильные фазы и выяснить роль структурных дефектов. Изучение фазовых переходов под давлением в арсениде индия может помочь выявить общие закономерности полиморфизма соединений АШВУ.

Наконец, изучение электронного спектра и фазовых переходов в твердых телах в гидростатических условиях позволит получать надежные и воспроизводимые данные, так как неконтролируемые сдвиговые напряжения, возникающие в образце из-за того, что он окружен твердой средой передающей давление, могут значительно повлиять на электронный спектр и параметры фазового превращения.

Цель работы. Экспериментальное исследование влияния гидростатического давления до 9 ГПа на электронный энергетический спектр и фазовые переходы в электронном и дырочном арсениде индия.

В рамках этой цели решались следующие задачи:

1. Создание гидростатического давления Р~9 ГПа в полезном объеме %0мм3 с помощью камер высокого давления типа «тороид»;

2. Разработка методики измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла и магнитосопротивления в монокристаллических образцах п-1пАб, р-1пАз и р-1пАБ<Мп> при гидростатическом давлении до 9 ГПа, в области комнатных температур;

3. Получение новых экспериментальных данных влияния гидростатического давления до 9 ГПа, при комнатной температуре на электронный энергетический спектр в монокристаллических полупроводниках п-ЫАб,р-ЫАя ир-1пАб<Мп>;

4. Получение новых экспериментальных данных влияния гидростатического давления до 9 ГПа, при комнатной температуре на удельное сопротивление, магнитосопротивление и коэффициент Холла в области фазового превращения в монокристаллических полупроводниках п-ЫАб, р-1пА$ ир-1пА$<Мп>;

5. Получение новых экспериментальных данных влияния гидростатического давления до 400 МПа, в диапазоне температур 273-423 К на теплопроводность n-InAs. Научная новизна состоит в том, что впервые:

• проведено систематическое изучение влияния высокого гидростатического давления до 9 ГПа на электронный энергетический спектр монокристаллических образцов: n-InAs с п- 1.8-10 +2.4-10 см p-InAs с р=(5.6+8)-1015 см'3; и p-InAs<Mn> с р=(б.6+10.7)-1016 см3;

• при гидростатическом давлении до 400 МПа, в интервале температур 273 -г 423 К исследована теплопроводность n-InAs с п~2.5-1016 см'3;

• методом измерения коэффициента Холла и удельного сопротивления под гидростатическим давлением до 9 ГПа, при подъеме и сбросе дав/ ó IУ 3 15 3 ления в n-InAs с п=1.8-10 +2.4-10 см' , p-InAs с р=(5.6+8)-10 см' и p-InAs<Mn> с р=(6.6+10.7)-1016 см'3 исследованы фазовые переходы полупроводник-металл;

• на основе экспериментальных данных и теории гетерофазной структуры эффективной среды в области фазового превращения в n-InAs с п = 1.8-1016+2.4-Ю17см3, p-lnAs с р=(5.6+8)-1015 см'3 и p-lnAs<Mn> с

16 3 р=(6.6+10.7)-10 см' определены некоторые характеристические точки фазового перехода;

• на основе экспериментальных данных и теории гетерофазной структуры эффективной среды исследована динамика изменения фазового состава от давления в n-InAs с п=1.8-1016+2.4-10псм'3, p-InAs с р=(5.б+8)-1015 см'3 иp-InAs<Mn> ср=(6.6+10.7J-1016 см'3.

В результате экспериментальных и теоретических исследований, выполненных в диссертационной работе, Обнаружены:

• индуцированное всесторонним давлением при комнатной температуре отрицательное магнитосопротивление в p-InAs и p-InAs<Mn>\

• увеличение теплопроводности в п-1пАз под давлением;

• фазовый переход металл-полупроводник в п-ЫАб, р-1пАя и р-1пА8<Мп> при Р=(4.3±0.2)ГПа с уменьшением давления при комнатной температуре

Достоверность и обоснованность основных научных выводов обеспечена тщательно отработанной методикой исследований, расчетами теоретических моделей, привлекаемых для объяснения экспериментальных данных, сравнительным анализом результатов исследования с данными других авторов и подробным анализом погрешностей измерений кинетических коэффициентов.

Практическая ценность работы. Полученные в диссертации данные влияния давления на электрические свойства и электронный спектр арсенида индия могут быть полезны для целенаправленного изменения свойств этого материала путем воздействия высоких давлений. Усовершенствованное устройство для исследования кинетических свойств твердых тел при высоком гидростатическом давлении, а также экспериментальные методы создания гидростатического давления до 9 ГПа и измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла и магнитосопротивления в этих условиях могут применяться для решения ряда фундаментальных и прикладных задач. В частности, метод точного измерения давления при комнатной температуре может применяться для контроля и управления давлением в технологических процессах получения новых материалов при высоких давлениях. Основные положения, выносимые на защиту.

1. Анализ особенностей поведения удельного сопротивления и коэффициента Холла в электронном и дырочном арсениде индия под давлением подтверждает существование локального уровня дефекта в зоне проводимости.

2. Обнаружено и исследовано отрицательное магнитосопротивление в дырочном арсениде индия при всестороннем сжатии и комнатной температуре, обусловленное слабой локализацией носителей в слабых магнитных полях.

3. Исследованы фазовые переходы в электронном и дырочном арсениде индия под давлением при комнатной температуре. По полученным экспериментальным данным, с использованием теории гетерофазной структуры эффективной среды, определены некоторые характеристические точки фазового превращения: Рн, - начало фазового перехода; Рк - конец фазового перехода; Р0 - давление фазового равновесия; Р0м — давление метастабильного равновесия; РГФ - гистерезис флуктуацион-ный в прямом направлении (увеличения давления) и обратном направлении (уменьшения давления). Установлено, что точка фазового перехода не зависит от типа носителей и концентрации примеси.

Вклад автора заключается в его основном участии на всех этапах экспериментального исследования, анализе и математической обработке полученных результатов.

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на: XXX Международной конференции Европейской группы по физике высоких давлений (Баку, 1992); XXXIII Международной конференции Европейской группы по физике высоких давлений (Варшава, 1995); Всероссийской научно-технической конференции «Состояния и перспективы развития термоэлектрического приборостроения» (Махачкала, 1995); III Международном семинаре «Фазовые переходы и критические явления в конденсированных средах» (Махачкала, 1998); Международной научной конференции, посвященной 275-летию РАН и 50-летию ДНЦ РАН (Махачкала, 1999); Международной конференции Европейской группы по физике высоких давлений (Франция, Монпелье, 1999); Российской конференции «Фазовые превращения при высоких давлениях» (Черноголовка, 2000); Международной конференции Европейской группы по физике высоких давлений (Германия, 2000).

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав и выводов, списка цитированной литературы из 151 наименования. Содержание работы изложено на 142 страницах, содержит 43 рисунка и 11 таблиц.

ВЫВОДЫ.

1. Проведено систематическое изучение влияния высокого гидростатического давления до 9 ГПа на электронный энергетический спектр монокристаллических образцов: п-ЫАя, р-1пАя и р-1пАя<Мп>. Анализ зависимостей удельного сопротивления и коэффициента Холла от давления подтверждает существование в п-ЫАб локального уровня дефекта в зоне проводимости, расположенного на расстоянии е=0.74 эВ от потолка валентной зоны. При барическом смещении дна зоны проводимости вверх этот уровень оказывается в запрещенной зоне, что позволило определить его энергию и концентрацию.

2. Обнаружено и экспериментально исследовано отрицательное магнитосо-противление в р-ЫАя и р-1пАз<Мп>, при комнатной температуре и всестороннем давлении. Экспериментально установлено, что для обнаружения отрицательного магнитосопротивления необходимо содержание минимальной концентрации примеси п~3-1016см"3.

3. Впервые на монокристаллических образцах п-ЫАя, р-1пАз и р-1пАз<Мп> в области фазового превращения одновременно исследовано удельное сопротивление и коэффициент Холла при увеличении гидростатического давления до 9 ГПа и его последовательном уменьшении до атмосферного. При этом определены характеристические точки фазового перехода, а также исследована динамика изменения фазового состава с давлением. Экспериментально установлено, что положение точки фазового перехода не зависит от типа носителей и лишь незначительно сдвигается в область слабых давлений с увеличением концентрации примесей.

4. Впервые в п-1пАб, р-ЫАя и р-1пА8<Мп>, при уменьшении давления обнаружен структурный фазовый переход металл-полупроводник при Р=(4.3±0.2)ГПа.

5. В п-ЫАэ, р-1пАз и р-1пАз<Мп>, при увеличении давления подтверждается структурный фазовый переход полупроводник-металл при Р=(6.9±0.2)ГПа.

6. Экспериментально установлено, что гидростатическое давление вызывает рост теплопроводности в п-ЫАя.

7. Усовершенствовано устройство для измерения барических зависимостей кинетических коэффициентов твердых тел при высоких гидростатических давлениях до 9 ГПа.

Автор искренне благодарит директора Института физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, чл.-корреспондента Российской академии наук, доктора физико-математических наук, профессора Ибрагимхана Камиловича Камилова за постоянное внимание к диссертационной работе, кандидата физико-математических наук Даунова Менаша Иосифовича за полезную дискуссию в обсуждении полученных результатов; старшего научного сотрудника Магомедова Али Бадрутдиновича; научного сотрудника Сайпуллаеву Луизу Абдурахмановну; научного сотрудника Габибова Сейфулу Фазиловича за практическую помощь и полезные советы; доктора химических наук, Российской академии тонких технологий Акчурина Рауфа Хамзиновича за предоставленные образцы и совместную работу.

1. Миркин JI. Справочник по рентгеноструктурному анализу кристаллов. -М.: ГИТТЛ., 1965.- 863 с.

2. Latnbert V. L. InSb and InAs lattice change during Zinc diffusion // J. Appl. Phys. 1967. - V.38, № 5. - P.2385-2387.

3. Straumanis M. E., Kitn C. D. Lattice parameters, thermal expansion coefficients, phase width, and perfection of the structure of GaSb and InSb // J. Appl. Phys. 1965. - V. 36, № 12. - P.3822-3835.

4. Aoki M. Electrical and X-Ray investigation of Tim in Gallium Arsenide //J. Jap. Appl. Phys. 1967,- V.6, № 10. - P.124S-1249.

5. Potts H. R., Pearson G. L. Annealing and arsenic overpressure experiments on defects in gallium arsenide // J. Appl. Phys. 1966. - V.37, №5 - P.2098 -2103.

6. Mc. Whan D. В., Marezio M. Structure and superconductivity of the high-pressure phase of InSb // J. Chem. Phys. 1966. - V.45, № 7 - P.2508-2511.

7. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М.: Мир, 1967. - 477 с.- 8. Аскеров Б. М. Кинетические эффекты в полупроводниках. JI.: Наука, 1970.-302 с.

8. Minomura S. And Drickamer H. G. Pressure induced phase transitions in silicon, germanium and some III-V compounds // J. Phys. Chem. Solids, 1962 -V.23. - P.451-456.

9. Minomura S., Samara G. A., Drickamer H. G. Temperature coefficient of resistance of the high-pressure phase of Si, Ge, and some III-V and II-VI compounds // J. Appl. Phys. 1962. - V.33. - P.3196-3197.

10. Zwerdling S., Lax В., Roth L. M. Oscillatory magnets-absorption in semiconductors // Phys. Rev. 1957. - V.108. - P. 1402-1403.

11. Cohen M. L., Bergstresser Т. К. Band structures and pseudopotential form factors for fourteen semiconductors of the diamond and zinc-blend // Phys. Rev. 1966. Y.141. - P.789-796.

12. Higginbothan C. W., Pollak F. H., Carbona M. Band structure and optical constant of InSb, InAs, and GaSb: The k-p method // Proceeding. 9th Int. Conference Physics Semiconductors Leningrad. -. 1969. P.57-63.

13. Smith J. E., Camphausen D. L. Gum effect in InAs under hydrostatic pressure // J. Appl. Phys. 1971. - V.42. - P.2064-2067.

14. Van Vechten J. A. Quantum dielectric theory of electro negativity in covalent systems. П Ionisation potential and interband transition energies // Phys. Rev. -1969. V.187. - P. 1007-1020.

15. Тейлор Д. Зависимость удельного сопротивления, коэффициента Холла и ширины запрещенной зоны арсенида индия от давления. В сб. Новые полупроводниковые материалы под редакцией Коломийца Б. Т. - М.: ИЛ., 1958.-228 с.

16. Edwards A. J., Drickamer Н. G. Effect of pressure on the absorption edges of some III-V, II-VI, and I-VII compounds // Phys. Rev. 1961 - V. 122. -P.l 149-1163.

17. Zallen R., Pual W. Effect of pressure on interband reflectivity of germanium and related semiconductors // J. Phys Rev. 1967. - V. 155 - P.703-711.

18. Camphausen D. L., Connel. G.A., Pual W. Calculation of energy-band pressure coefficients from the dielectric theory of the chemical band // J. Phys Rev Lett- 1971. V.26. - P.l 84-188.

19. Pitt G. D., Vays M. K. R. Eelectrical properties of InAs to very high pressure/ / J Phys. C. Solid State Phys. 1973. - V.6, № 2 - P.274-284.

20. Jamieson J. C. Crystal Structures at High Pressure of Metallic Modifications of Compounds of Indium, Gallium, and Aluminum // Science 1963. - V.139. - P.845-847.

21. Allen J. W., Shyam M., Person G. L. Photo-ionization of deep impurities in semiconductors //J Phys. 1969. - C.2, №6 - P. 1077-1084.

22. Smith P. L., King J. H., Gebbie H. A. Physics and Chemistry of High Pressure. London, 1963. - P. 140.

23. Ridlley В. K. Anatomy of the transferred-electron effect in III-V semiconductors // J Appl Phys. 1977. - V.48, № 2. - P.754-764.

24. Eucken A. Die Wärmeleitfähigkeit einigen Kristalle dei tiefen Temperaturen, Physik. Zeitschr. 1911. - XII.

25. Debye P. Vortrage über die Kinetische Theorie der Materie und der Elektrizität. Berlin, 1914.

26. Пайерлс Р. Квантовая теория твердых тел. М.: ИЛ., 1956. - 237 с.

27. Иоффе А.Ф. Полупроводники в современной физике М.: Л., 1954. -324с.

28. Shanks Н. R., Maycock P. D., Sidles Р. Н., Danielson G. С. // Thermal conductivity of silicon from 300 to 400 К // Phys. Rev. 1963 - V.130, № 5. -P.1743-1748.

29. Баранский П. И., Клочков В. П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев. Наукова Думка, 1975. - 704 с.

30. Steigmeier Е. F., Kudman J. Acoustical-optical phonon scattering in Ge, Si, and III-V compound // Phys. Rev. 1966. - V. 141, № 2. - P.767-774.

31. Walker С. T. Thermal conductivity of some alkali halides containing F center // Phys. Rev. 1963,-V.132,№ 5. -P.1963 - 1975.

32. Крупский И. H., Манжелий В. Г. Многофононые взаимодействия и теплопроводность кристаллического аргона, криптона и ксенона // ЖЭТФ. 1968. - Т.55, № 5. - С.2075 - 2082.

33. Петров А. В., Штрум Е. Л. Теплопроводность и химическая связь соединений типа АВХ2 // ФТТ. 1962. - Т.4, В.6. - С.1442 -1448.

34. Streingmeier Е. Е., Kudman P. Acoustical optical phonon scattering in the Ge, Si, and III-V compounds // Phys. Rev. - 1966. - V. 141, №2. - P.767-774.

35. Петров А. В., Цыпкина Н. С., Логачев Ю. А. Температурные зависимости щелочно-калоидных солей при повышенных температурах // ФТТ. 1974. -Т.16, В.1. -С.65 - 70.

36. Мень А. А., Чечельницкий А. 3., Соколов В. А., Симун Е. Н. Теплопроводность фтористого лития в интервале температур 300-1100 К // ФТТ. -1973. Т.15, В.9. - С. 2773 - 2775.

37. Basu A. N., Sengupta S. Lattice dynamic of alkali halides // Phys. Rev. B. -1973. V.8, № 6. -P.2982 - 2990.

38. Rastogi A., Hawranek J. P., Lowndes R. P. Lattice dynamic and anharmonic self-energies for the lithium halides // Phys. Rev. B. 1975. V.9, № 4. -P. 1938 - 1950.

39. Померанчук И. Я. Собрание научных трудов. М.: Наука, 1972 — т.1. -127с.

40. Ranninger J. Lattice thermal conductivity // Phys. Rev. 1965. - V.140, № 6A. -P.A2031 - 2046.

41. Амирханов X. П., Магомедов Я. Б., Эмиров С. Н. Влияние всестороннего давления на теплопроводность теллура// ФТТ. 1973. - Т.5, В.5. - С. 15121515.

42. Lawson A. W. On the high temperature heat conductivity of insulators // J. Phys. Chem. Solids. 1957. -V.3, №1. -P.154-155.

43. Vereshagin L. F., Khvostantsev. L. G., Sidorov V. A. Thermal conductivity of silver chloride to 85 kbar // High Temp. High Pressure. - 1977. - V.9, №6. -P.625-632/

44. Амирханов X. И., Магомедов Я. Б., Эмиров С. Н., Крамынина Н. Л. Влияние всестороннего давления на теплопроводность InSb // ФТТ. -1979. Т.21, В.9. С.2812-2814.

45. Ross R. G., Andersson P., Backetron G. Thermal conductivity and heat capacity of solid AgCl // Int. Jour. Thermophys. 1982. - V.2, №3. - P.289-300.

46. Амирханов X. И., Магомедов Я. Б., Эмиров С. Н. Влияние гидростатического давления на теплопроводность и электропроводность полупроводников // В сб. Высокие давления и свойства материалов. Киев: Наукова думка, 1980.-С.59-61.

47. Амирханов X. И., Магомедов Я. Б., Эмиров С. Н., Крамынина Н. JI. Зависимость теплопроводности моно и поликристаллических образцов ан-тимонида индия от всестороннего давления // ФТВД. - 1982. - .№ 7. -С.61-63.

48. Амирханов X. И., Магомедов Я. Б. Эмиров С. Н. Барическая зависимость теплопроводности монокристалла антимонида галлия // ФТТ. 1983. - Т.25, В.8. - С. 2486-2488.

49. Эмиров С. Н., Крамынина Н. JL Влияние структуры антимонида галлия на характер зависимости теплопроводности от давления // ФТВД. 1983. -№ 12. -С.60-67.

50. Clayton P., Batchelder D. N. Temperature and volume dependence of the thermal conductivity of solid argon // J. Phys. C. 1973. - V.8, №7. - P. 12131228.

51. Петров А. В., Гермаидзе M. С., Голикова О. А., Кискачи А. И., Матвеев В. Н. Связь теплопроводности и кристаллической структуры (3 ромбоэдрического бора // ФТТ. - 1969. - Т. 11, В 4. - С.907-910.

52. Могилевский Б. М., Чудновский А. Ф. Теплопроводность полупроводников. М.: Наука, 1972. - 486с.

53. Golikova О. A., Zaitsev V. К., Orlov V. М., Petrov А. V., Stilbans L. S., Tkalenko Е. N. Thermal conductivity of boron and of its crystal structure analogies // Phys. stat. sol. (a). 1974. - V.21, №2. - P.405-412.

54. Slack G. A., Oliver D. W., Horn F. H. Thermal conductivity of boron and some boron compounds // Phys. Rev. 1971. - V4, №6. - P. 1714-1722.

55. Охотин А. С., Пушкарский А. С., Горбачев В. В. Теплофизические свойства полупроводников. М.: Атомиздат, 1972. - 93с.

56. Заславский А. И., Сергеева В. М., Смирнов И. А. Теплопроводность а и (3 модификации 1п2Те3 // ФТТ - 1960. - Т.2. - С.2885-2887.

57. Петров А. В., Орлов В. М., Зайцев В. К., Фейгельман В. А. Особенности теплопроводности соединений Ag8MX6, обладающих сложной кристаллической решеткой // ФТТ. 1975. - Т.17, №2. - С.3703-3705.

58. Тонков Б. Ю. Фазовые превращения соединений при высоких давлениях. Справочник. Т.1,2. М.: Металлургия, 1988. - 464 с. (т. 1), 358с, (т. 2).

59. Шипило В. Б., Плышекая Е. М., Бельский И. М. Эксперимент и техника высоких газовых и твердо фазовых давлений. М.: Наука, 1978. -. 202с.

60. Jayaraman A., Klement W., Kennedy G. С. Melting and polymorphism at high pressure in some group IV elements and III-V compounds with the diamond zinchblende structure // Phys. Rev. 1963. - V.130, №2. - P.540-564.

61. Верещагин Л. Ф., Кабалкина С. С. Рентгеноструктурные исследования при высоком давлении. М.: Наука, 1979. - 174 с.

62. Верещагин Л. Ф. Физика высоких давлений. М.: ПЛ., 1963. - 325 с.

63. Верма А., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах. М.: Мир, 1969.-234 с.

64. Абрикосов H. X., Коржуев М. А., Шелимова Л. А. Электросопротивление и эффект Холла в области фазовых переходов в телуриде германия // Изв. АН СССР, Неорг. матер. 1977. - Т. 13, №10. - С.1757-1761.

65. Омельченко А. Б., Сотников В. Н. О фазовой диаграмме //Неорганические материалы. 1982. - Т. 18, № 4. - С.685-686.

66. Ивахненко С. А., Понятовский Е. Е. О полиморфизме сурьмы при высоких давлениях // ФММ. 1979. - Т.47, №6. - С. 1314-1316.

67. Шкловский Б. И. Критическое поведение коэффициента Холла вблизи порога протекания // ЖЭТФ. 1977. - Т.72, № 1. - С.288-295.

68. Николаев И. А., Хвостанцев Л. Ф., Зиновьев В. Е., Старостин А. А. Исследования превращения между двойной ЕПУ и 01ДК кристаллическимирешетками в области высоких давлений и температур // ЖЭТФ. 1986. -Т.91. В.З -С.1001-1006.

69. Бабушкин А. Н. Электропроводность и термо-Э.Д.С. хлорида натрия при давлениях выше 20 ГПа // Влияние высоких давлений на свойства материалов. Киев. - 1990. - С.67-74.

70. Ройтбурд А. J1. Теория формирования гетерофазной структуры при фазовых превращениях в твердом состоянии // УФН. 1974. - Т. 113. - В.1 -С.69-104.

71. Ройтбурд А. Л. Модифицированное уравнение Клайперона Клазиуса для гистерезиса фазовых превращений в твердых телах // ФТТ. - 1983. -Т.25. В.1. -С.33-40.

72. Ройтбурд А. JL Равновесие когерентных фаз и диаграммы состояния в твердом теле // ФТТ 1984 - Т.26. - В.7. - С.2025-2032.

73. Козлов В. Н., Умаров Р. Р., Фирсанов А. А. Влияние давления на электронную структуру полупроводников IV группы и АШВУ // Физика и техника высоких давлений 1986. - В. 23. - С.9-13.

74. Стрельцов В. А. Фазовые превращения в твердых телах с учетом законов наследования дефектов // Физика и техника высоких давлений. 1988. -№ 28 - С.46-53.

75. Шенников В. В. Термоэдс и электропроводность материалов в окрестности точки фазового перехода полупроводник-металл // ФММ 1989. -Т.67.-В. 1. - С.93-96.

76. Даунов М. И., Буттаев М. С., Магомедов А. Б. Описание сверхпроводящего резистивного перехода на основе модели гетерофазная структура эффективная среда// СФХТ. 1992. - Т.5, № 1. - С.73-77.

77. Катлер М. Жидкие полупроводники. М.: Мир, 1980. - 256 с.

78. Глазов В. М., Курбатов В. А., Фараджов А. И. Исследования электрофизических свойств полупроводниковых соединений AIV Sе (где AIV Ge,

79. Sn, Pb) в твердом и жидком состоянии // ФТП. 1987. - Т.20, № 3. - С.477-483.

80. Хачатурян А. Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. М.: Наука, 1974. - 203 с.

81. Савич П., Трифунович Д. Поведение материалов при высоких давлениях. Гласник Хеми ског друштва. Белград, 1978. Т. 43., № 8, - С.457-486.

82. Савич П., Трефилов В. П., Тимофеева И. И. К вопросу о скачкообразном изменении свойств под давлением. "Действие высоких давлений на материалы". Сб. .науч. тр. - Киев. Наук. Думка .- 1986. - С.3-8.

83. Шкловский Б. М., Эфрос A. J1. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред // УФН. 1975. - Т. 117, В.3. - С.401-435.

84. Балагуров В. Я. Об изоморфизме некоторых задач теории протекания // ЖЭТФ. 1983. - Т.85, № 28. - .С.568-584.

85. Собко А. А., Толмачев А. Н., Широков А. М. Гальваномагнитные свойства полупроводников, содержащих проводящие включения // ФТН. -1983. Т.17, № 63. - С.556-557.

86. Одолевский В. И. Расчет обобщенной проводимости гетерогенных систем//Ж.Т.Ф. 1951.-Т. 21, № 6. - С.667-677.

87. Khvosbantsev L. G., Sidorov V. .A., Shelimova L .Е., Abricosov V. Kh. Phase transitions in GeTe at hydrostatic pressure up to 9.3 GPa // Phys. St. Sol. (a). -1982. V.74, №1. - P.185-192.

88. Прекул А. Ф., Рассохин В. А., Рольшиков А. Б., Щеголихина H. П., Ярцев С. В. О природе добавочной проводимости в высокотемпературной части сверхпроводящего перехода металлооксидных систем // СФКТ. -1990. Т.З, № 3. - С.381-384.

89. Аброян И. А., Величко В. Я., Чудновский Ф. А. Электропроводность и термоэдс в области двухмерного протекания при фазовом переходе металл-полупроводник // ФТТ. 1985. - Т.27, № 6. - С. 1667-1670.

90. Авилов В. В. Условия фазового перехода в твердых телах при негидростатическом сжатии // Письма в ЖЭТФ. 1963. - Т.37, № 6. - С.268-269.

91. Adler D., Brookes Н. Theory of semiconductors-to-metal transition // Phys Rev. B. 1967. - V.155, № 3. - P.826-840.

92. Хвостанцев JI. Г., Сидоров В. А., Шелимова Jl. Е., Абрикосов Н. X. Р-Т фазовая диаграмма телурида германия. В кн.: Стабильные и метаста-бильные фазовые равновесия в металлических системах. - М.: Наука, 1985. - С.29-34.

93. Khvosbantsev L. G., Sidorov V. .A. Phase transitions in antimony at hydrostatic pressure up to 9.3 GPa // Phys. St. Sol. (a). 1984. - V.82, №2. - P.389-398.

94. Даунов M. И., Магомедов А. Б., Моллаев А. Ю., Салихов С. M., Сайпулаева JI. А. О гистерезисе электрического сопротивления при фазовых превращениях под давлением // СТМ. 1992. -№ 3. -С.3-6.

95. Bridgmen. P. W. The technique of high pressure experimenting // Proceeding. American Academy Arte Science. 1914. - V.49. - P.627-643.

96. Hall. H. T. Some high pressure, high temperature apparatus design considerations equipment for use at 100.000 atmospheres and 3000 С // Rev. Sci. Instrum. 1958. - V.29, № 4. - P.267-275.

97. Hall H. T. Ultra-High pressure, high temperature apparatus the «belt» // Rev. Sci. Instrum. 1960, - V.31, № 2 - P.125-131.

98. Jayaraman A. Hutson A. R., Mc. Pee J. H., Coriell A. S., Maines R. G. Hydrostatic and uniaxial pressure generation using teflon cell container in conventional piston-cylinder device // Rev. Sci. Instrun. - 1967. - V.3S, №1. - P.44-49.

99. Curtin H. R, Decker D. L., Vanfleet H. B. Effect of pressure on the inter metallic diffusion of silver in lead // J. Phys. Rev. 1965. - V.133, 15A. - P. 15521557.

100. Norris D. I. R. On ether stresses in liquids at high pressure // Brit. J. Appl. Phys. 1965. - V.16, K5. - P.709-734.

101. Bamett J. D., Bosco С. D. Technique for obtaining true hydrostatic pressures to 60 koar // Rev. Sci. Instrum. 1967. - V.36, KT: - P.957-963.

102. Barnett J. D., Losco C. Viscosity measurements on liquids to pressures of 60 kbar // J. Appl. Phys. 1969. - V.40, № 8. - P.3144-3150.

103. Zeto R. J., Hryckowian E., Vanfleet H. В., Pressure cell with ten electrical leads for liquid hydrostatic pressures to 60 kbar // Rev. Sci. Instrum. 1972. -V.43, № 1 - P.132-136.

104. Young A. P., Ward G. F., Krauss H. H. // Container for low boiling point liquids in belt-type high pressure apparatus // Rev. Sci. Instrum. 1964. - V.35, № 12. - P.1722-1723.

105. Bocquillon-Monrigal G. Effet de la pression jusqu a 60 kbar sur la temperature de transition des grenats de terres rares purs et substitues, These de Doctoral d état ea sciences physiques. Paris, 1973. - 161 p.

106. Бенделиани H. A., Верещагин Л. Ф. Измерение гидростатического давления до 100 кбар манганиновым датчиком сопротивления // ПТЭ. -1970.-№4.-С.218-219.

107. Khvostantsev L. G., Vereshchagin L. P., Ulyanitskaya N. M., Measurement of the thermoelectric properties of metals and semiconductors at quasi-hydrostatic pressures up to 60 kbarl Bismuth // High Temp.-High Pressures. -1973. V.5,№ 1. -P.261-264.

108. Khvosbantsev L. G., Vereshchagin L. P., Novikov A. P. Device of Toroid type for high pressure generation // High Temp-High Pressures. 1977. - V.9, № 6. - P.637-639.

109. Верещагин. Л. Ф., Рябинин. Ю. H., Галактионов. В. А., Семерчан А. А., Попов. В. В., Лившиц. Л. Д., Архипов. Р. Г. ,Слесарев. В. Н., Иванов. В. Е., Демяшкевич. Б. П., Бакуль .В. Н., Прихна. А. И. ,Бутузов.

110. В. П. Устройство для создания высоких давлений в сочетании с высокими температурами. Авт. свид. № 363618, 1960г.

111. Piermarini G. J., Block S., Bamett J. D. Hydrostatic limits in liquids and solids to 100 kbar // J. Appl. Phys. 1973. - V.44, № 12. - P.5377-5382.

112. Pierrmariini G. J., Porman R. A., Block S. Viscosity measurements in the diamond anvil pressure cell // Rev. Sci. Instrum. 1976. - V.49, № 8. -P.1061-1066.

113. Zeto R. J., Vanfleet H. B. Pressure calibration to 60 kbar based on the resistance change of a manganin coils under hydrostatic pressure // J. Appl. Pbys.- 1969. V.40, № 5. - P.2227-2231.

114. Jeffery R. Т., Barnett J. D., Vanfleet H. B,. Hall H. T. Pressure calibration to 100 kbar based on compression of KaCl // J. Appl. Phys. 1966. - V.37, № 8.- P.3172-3180.

115. Haygarth J. C., Luedenann H. D., Getting I. C, Kennedy G. C. The upper bismuth pressure calibration point. In: Accurate characterization of the high-pressure environment, NBS Special publication 326, Washington, 1971.- P.35-38.

116. Decker D. L., Bassett W. A., Merill L., Hall H. Т., Barnett J. D. High pressure calibration. A critical review // J. Phys. Chem. Ref. Data. 1972. - V.l, № 3.- P.773-835.

117. Ицкевич E.C., Толмачев A.H., Широков A.M., Гридина H.M. Низкотемпературная камера гидростатического давления до 30 кбар из немагнитных материалов // ПТЭ. 1979. -№1.- С.201-208

118. Лундберг, Бакстрем. Измерение холловского напряжения и магниторе-зистивного эффекта висмута методом суммарной частоты в установке «белт» // Приборы для научных исследований. 1972. - № 6. - С.20-23.

119. А. А. Аверкин, В. Н. Богомолов. Устройство для исследования гальваномагнитных эффектов при всестороннем сжатии // ФТТ. 1961. - Т.З, В.2. - С.627-629.

120. Моллаев А. Ю., Арсланов Р. К., Даунов М. И., Магомедов А. Б. Устройство для исследования гальваномагнитных эффектов до 4 ГПа. II В сб. Влияние высокого давления на вещество. Киев: 1995. - С. 145-147.

121. Моллаев А. Ю., Арсланов Р. К. Устройство для измерения барических зависимостей характеристических параметров твердых тел при высоких гидростатических давлениях до 10 ГПа. II Информ. лист. Дагестанского ЦНТИ. № 66-98 серия Р. 29.03.25.

122. Ковтонюк Н. Ф., Концевой Ю. А. Измерение параметров полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1977. - 417с.

123. Даунов М. И., Магомедов А. Б., Данилов В.И. Влияние давления на явления переноса в CdSnAs2<Cu> с глубоким акцепторным уровнем // ФТП. 1991. - Т. - 25, В.З. - С.467 - 474.

124. G. Leibfried., Е. Schlomann. Nachr.Akad.Viss.Gottingen Math-Physik,1954, Kl.-2а.-P.71.

125. Dugdal J. S., Macdonald D. K. Tattice thermal conductivity // Phys. Rev.1955. V98, №6 - P. 1751-1752.

126. Hughes D. S., Sawinf F. Thermal conductivity of dielectric solids at the high pressure // Phys. Rev. 1967. - V. 161, №3. - P.861-863.

127. Бриджмен П. Физика высоких давлений. M.: ИЛ, 1939. - 409с.

128. Jamieson J. С, Whan D. В. Мс Crystal structure of tellurium at high pressure //J. Chem. Phys. 1965,- V.43, № 4,- P.l 149-1152.

129. Оскотский В. С., Смирнов И. А. Дефекты в кристаллах и теплопроводность. -М.: Наука, 1972. 159с.

130. Zallen R. Pressure-Raman effects and vibration sealing laws in molecular crystals: S8 and As2S3. // Phys. Rev. 1974. - V.9, № 10. - P.4485-4496.

131. Пересада Г. И. Зависимость констант упругости InSb от давления. // ФТТ,- 1972. Т. 14, № 6. - С.1795-1797.

132. Сэкосян С. С. Исследования в области высоких давлений. // Труды ВНИИФРИ. 5 (55). М.; 1971.

133. Смирнов И. А. О влиянии пластической деформации на теплопроводность кристаллической решетки монокристаллов NaCl и КС1 // ФТТ. -1966. Т 8, В.1. - С.28-31.

134. Моллаев A. Ю., Арсланов P. К., Ахмедов P. И., Сайпулаева JI. А. О методологии и методике исследования обратимого барического полиморфизма // ФТВД, 1994. - Т. 4, № 3-4. - С.66-70.

135. Андрианов Д. Г., Лазарева Г. В., Савельев А. С., Селянина В.И., Фистуль

136. B.И. Магнитная восприимчивость и отрицательное магнитосопротивле-ние в InSb(Mn) // ФТП 1977. - Т.11, В.7. - С. 1252-1259.

137. Toyozava Y. Theory of Localized Spins and Negative Magnetoresistance in the Metallic Impurity Conduction // J. Phys. Soc. Jap. 1962. - V.17, №6. -P.986-1004.

138. Полянская Т. А., Шмарцев Ю. В. Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. // ФТП 1989. - Т. 23, В. 1. - С.32.

139. Нагаев Э. Л. Пик сопротивления и колоссальное магнитосопротивление вырожденных ферромагнитных полупроводников при произвольной спиновой поляризации // ФТТ. 1997. -Т.39, №39. - С. 1589-1593.

140. Моллаев А. Ю., Арсланов Р. К., Габибов С. Ф., Акчурин P. X. Об обнаружении отрицательного магнитосопротивления в p-ImAs II Тез. докл.,посвященной 275-летию РАН и 50-летию ДНЦ РАН (Естеств. науки). -Махачкала: 1999. -С.49.

141. Дашевский M. Я., Ивлева В. С., Кроль Л. Я., Куриленко И. Н., Литвак-Горская Л. Б., Митрофанова P.C., Фридлянд Э. Ю. Исследование поведения марганца в антимониде индия // ФТП. 1971. - Т.5, В.5. - С. 858-862.

142. Омельяновский Э. М. О поведении примесей переходных металлов в соединениях AinBv. // ФТП. 1975. - Т.9, В.5. - С.576-577.

143. Khosla В. P., Fischer J. В. Low Temperature Magnetoresistance in Degenerate n-Type Si // Phys. Rev. 1972. - V.6. - P.4073-4085.