Фазовые превращения в бинарных и тройных полупроводниковых соединениях при высоких давлениях тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Литературный обзор

1.1. Исследование полиморфных превращений в твердых телах.

1.2. Фазовые превращения и электросопротивление в некоторых полупроводниковых соединениях.

1.3. Полупроводниковые резистивные датчики давления -состояние и перспективы.

Глава 2. Аппаратура и методика исследований гальваномагнитных свойств при высоких давлениях

2.1. Методы создания гидростатического давления.

2.2. Камеры высокого давления для исследования кинетических эффектов твердых тел.

2.3. Устройство и принцип действия твердофазного аппарата типа «тороид».

2.4. Конструкции ячеек высокого давления.

2.5. Методы обработки экспериментальных данных.

Глава 3. Экспериментальное исследование кинетических эффектов в полупроводниковых соединениях при высоких гидростатических давлениях до 9 ГПа.

3.1. Влияние гидростатического давления на кинетические эффекты II- CdSnAs2.

3.2. Фазовые переходы и кинетические явления в n-CdAs2 при гидростатическом давлении до 9 ГПа.

3.3. Гистерезис электрического сопротивления при фазовых превращениях под давлением.

Глава 4. Поиск перспективных полупроводниковых материалов для оценки давления.

4.1. Поисковые исследования однородных полупроводников и полупроводниковых структур с целью создания преобразователей давления.

Одним из важнейших направлений фундаментальных исследований в физике конденсированного состояния является изучение физических свойств материалов при высоких давлениях. Высокое давление как внешний параметр, изменяющий термодинамическое состояние системы, широко используется в многочисленных областях науки и практики. Среди них следует назвать синтез сверхтвердых материалов и камнедрагоценного сырья при высоких термодинамических параметрах, которые уже давно составляют целые отрасли промышленности и науки. В физике высоких давлений достигнуты огромные успехи. В то же время актуальными продолжают оставаться поисковые исследования полупроводниковых материалов - датчиков давления. Необходимы исследования физических свойств материалов, используемых в качестве датчиков давления. В этом плане особо важны исследования их электрических и гальваномагнитных свойств в области электронных и структурных фазовых переходов. Подобные исследования либо отсутствуют либо единичны. Кроме того нет теории, описывающей поведение эффекта Холла в области фазового перехода для многофазных систем. Именно по этой причине в последние годы усилился интерес к изучению фазовых превращений при высоких гидростатических давлениях. Связано это, главным образом, с резким расширением возможностей экспериментальной техники, а также с быстрым развитием методов компьютерного анализа экспериментальных данных. В результате получен обширный материал по влиянию давления на физические свойства твердых тел, в частности, полупроводников.

При высоких давлениях были обнаружены и исследованы фазовые переходы в полупроводниковых соединениях II-VI, II-V, III-V, II-IV-V2 групп. Исследования проводились, в основном, при гидростатическом давлении до 3 ГПа, а выше - как правило, при квазигидростатических давлениях и на поликристаллических образцах.

Настоящая диссертация посвящена исследованию кинетических свойств, структурных фазовых переходов при высоких гидростатических давлениях до 9 ГПа и поиску перспективных полупроводниковых материалов - датчиков давления. В качестве объектов исследований выбраны полупроводниковые соединения: CdTe, HgTe, CdAs2, InAs, CdSnAs2. Изучаемые объекты имеют важное практическое значение.

Экспериментальные данные о фазовых переходах в CdTe, CdAs2, InAs, а также в CdSnAs2 остаются неполными, а в некоторых случаях противоречивыми. Кинетические эффекты в CdSnAs2 в условиях всестороннего давления исследованы до 1.5 ГПа.

Диарсенид кадмия - одно из наименее исследованных соединений группы II-V. Имеющиеся в литературе сведения об исследовании фазовых переходов при высоком давлении крайне ограничены и противоречивы. Исследования проводились на поликристаллических образцах при квазигидростатическом давлении. При высоких гидростатических давлениях их вообще не исследовали. Представляло интерес изучение диарсенида кадмия на монокристаллических образцах при гидростатическом давлении с учетом анизотропии электрических свойств.

Основная цель диссертации - восполнить этот пробел и изучить фазовые переходы в CdTe, CdAs2, InAs, CdSnAs2, при гидростатическом давлении до 9 ГПа.

Систематические исследования этих соединений при высоких гидростатических давлениях позволят глубже понять природу явлений, наблюдающихся в этих кристаллах при высоких гидростатических давлениях и помогут становлению теории кинетических эффектов в области фазовых переходов для гетерофазных систем.

Целью диссертации является:

1. Экспериментальное исследование структурных фазовых превращений и кинетических свойств на монокристаллах CdAs2 и CdSnAs2 при гидростатических давлениях до 9 ГПа.

2. Поисковые исследования новых реперных материалов-датчиков давления, необходимых для автоматизации процесса синтеза сверхтвердых материалов и камнедрагоценного сырья.

Для достижения поставленной цели было необходимо:

1. Получить гидростатическое давление до 9 ГПа в больших объемах (80 мм3).

3. Создать измерительную ячейку с большим числом электровводов.

4. Усовершенствовать методику измерения электросопротивления и исследования эффекта Холла.

5. Провести экспериментальные исследования барических (до 9 ГПа) зависимостей электрического сопротивления и коэффициента Холла для соединений CdAs2, CdSnAs2 при комнатной температуре.

6. Провести экспериментальные исследования однородных полупроводников и полупроводниковых структур с целью создания преобразователей давления.

Научная новизна работы.

1. Впервые были исследованы барические зависимости удельного электросопротивления и коэффициента Холла на монокристаллических образ

16 18 3 цах CdSnAs2 (n = 10 -10 см" ) при комнатной температуре и при гидростатических давлениях до 9 ГПа.

2. Впервые были исследованы барические зависимости удельного электросопротивления и коэффициента Холла на ориентированных монокристаллических образцах n - CdAs2 (п=1014 - 1015см"3) при комнатной температуре и при гидростатических давлениях до 9 ГПа.

3. Впервые, на основе теории формирования гетерофазных структур, для HgTe и n-CdAs2 рассчитаны характеристические точки и параметры фазового перехода. В n-CdAs2 рассчитана динамика изменения фазового состава в зависимости от давления.

4. Проведены экспериментальные исследования однородных полупроводников и полупроводниковых структур с целью создания преобразователей давления.

Практическая ценность диссертации определяется следующим:

1. Совокупность новых экспериментальных данных по исследованию электросопротивления и коэффициента Холла в области фазового перехода при гидростатических давлениях до 9 ГПа представляют интерес для дальнейшего развития теории фазовых переходов.

2. Результаты поисковых исследований полупроводниковых материалов -датчиков давления позволяют рекомендовать n - InAs, n - CdSnAs2, n - CdAs2, р - CdTe в качестве реперов для синтеза сверхтвердых материалов и камнедрагоценного сырья.

Так, например, в InAs хорошо сочетается калибратор давления от 3 до 6 ГПа и репер при 6.9 ГПа.

Основные результаты работы опубликованы в 24 печатных работах, в том числе 12 научных статьях и материалах конференции.

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения, изложенных на 87 страницах машинописного текста. Диссертация включает также 34 рисунков, 6 таблиц и список литературы из 120 наименований. Общий объем диссертации 127 страниц. Нумерация формул и рисунков даны по главам.

Заключение

На основании проведенных исследований по использованию метода гидростатического давления до 9 ГПа для изучения гальваномагнитных свойств полупроводников при комнатной температуре, изложим основные результаты по разделам.

1 .Методика исследований гальваномагнитных свойств при высоких давлениях.

1. Разработано несколько ячеек, применяемых в зависимости от поставленных задач. Их создание позволило успешно осуществить исследование кинетических явлений в полупроводниках.

2. Получена измерительная ячейка с 8-12 числом электровводов.

3. Откалиброван аппарат высокого давления «тороид» до 9 ГПа. II. Воздействие давления на структурные фазовые переходы.

1. Исследовано влияние гидростатического давления до 9 ГПа при компрессии и декомпрессии на структурные фазовые переходы в CdSnAs2 методом измерения удельного электросопротивления и коэффициента Холла при комнатной температуре. Фазовое превращение полупроводник-металл наблюдалось в кристаллах CdSnAs2 при 4.2 ГПа -компрессия. Электрофизические характеристики: удельное сопротив

4 22 ление порядка -10" Ом-см, концентрация электронов достигает 10 см Фазовое превращение в CdSnAs2 сопровождается разложением вещества. Особенности барического удельного сопротивления до перехода свидетельствуют о существовании квазилокальных уровней в глубине зоны проводимости CdSnAs2.

2. Впервые при гидростатическом давлении до 9 ГПа на монокристаллических образцах диарсенида кадмия одновременно исследованы удельное электросопротивление и коэффициент Холла в области фазового превращения. Определены характеристические точки, параметры фазового перехода, и динамика изменения фазового состава с давлением. Выяснено, что положение точки фазового перехода и характеристические точки и параметры фазового превращения не зависят от концентрации носителей, ориентации образцов и лишь слабо (в пределах ошибки эксперимента) сдвигаются в область слабых давлений с увеличением концентрации примесей, что может быть объяснено увеличением концентрации дефектов.

3. Согласно модели "гетерофазная структура - эффективная среда" рассчитана барическая зависимость относительного объема исходной фазы Ci=Vi/ V в области фазового превращения в HgTe. III. Поисковые работы, в особенности связанные с оценкой перспективности малоизученных полупроводников, привели к выводу:

1. Показана перспективность и эффективность применения исследованных полупроводниковых соединений для создания датчиков давления на основе структурных фазовых переходов.

2.Показана перспективность применения полупроводниковых соединений n-InAs, n-CdAs2, n-CdTe для оценки давления дискретно - непрерывным способом.

3.Рекомендовано использовать максимумы, появляющиеся на барической зависимости электросопротивления при декомпрессии для градуировки аппарата высокого давления.

Преимуществом предлагаемых датчиков является то, что в одном элементе успешно сочетается непрерывный и точечный датчики давления.

1. Тонков Е.Ю. Фазовые диаграммы в соединений при высоком давлении. -М: «Наука». - 1983. -280с.

2. Тонков Е.Ю. Фазовые превращения соединений при высоком давлении. Справочник в 2-х книгах под редакцией д. ф. м. н. Е.Г. Понятовского. -М.: «Металлургия». - 1988. - 464с, (Т. 1), 358с. (Т.2).

3. Верещагин Л.Ф., Кабалкина С.С. Рентгеноструктурные исследования при высоком давлении. М.: «Наука». 1979. - 175с.

4. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика. М.: «Наука». 1964.

5. Goldschmidt V.M. Skrifter Norske Vidensk. Akad. Oslo: - 1926. - 2. - p.90.

6. Бюргер М.Дж. Фазовые переходы^ // Кристаллография. 1971. - 16. -С. 1084- 1097.

7. Верма В., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах. М.: «Мир».- 1969.

8. Бланк В.Д., Ю.С., Эстрин Э.И. О. гистерезисе полиморфных превращений. // Журнал технической физики. 1982. - Т.52, №7. - С. 1418-1419.

9. Щенников В.В. Термоэдс и электропроводность материалов в окрестности точки фазового перехода // Физика металлов и металловедение. -1989.-Т.67, вып.1, С. 93-96.

10. Савич П.П., Трефилов В.И., Тимофеева И.И. К вопросу о скачкообразном изменении свойств под давлением. Действие высоких давлений на материалы. Сб. науч. тр. Киев: «Наук. Думка» - 1986.- С.3-6

11. Богуславский Ю.Я. К теории гистерезиса полиморфных превращений при высоких давлениях. // Физика твердого тела. 1984. - Т.26, №8. -С.2370 - 2376.

12. Верещагин Л.Ф. Твердое тело при высоких давлениях. М.: «Наука». -1981. 290с.

13. Курдюмов А.В., Пилянкевич А.Н. Фазовые превращения в углероде и нитриде бора. Киев: «Наука». - 1979. - 188 с.

14. Borg I.Y. and Smith D.K. X-ray diffraction studies on CdTe at high pressure. // J. Phys. Chem. Solids. 1967. - Vol. 28. - p. 49-54.

15. Верещагин Л.Ф., Кабалкина С.С., Евдокимова В.В. Камера для рентге-ноструктурных исследований монокристаллов под высоким давлением.// Приборы и техника эксперимента. 1958. - №3. - С. 90-93.

16. Влияние высоких давлений на вещество. Под ред. А.Н. Пилянкевича. Кн. в 2 томах. Киев: «Наукова думка». 1987. 232с. (Т. 1), 252с. (Т.2). *

17. Кабалкина С.С., Верещагин Л.Ф., Шуленин Б.М. // Доклады АН СССР. 1962.- 144, С. 1061; 143, С. 818.

18. Кабалкина С.С., Верещагин Л.Ф., Милов В.П. // Доклады АН СССР. -1963,- 152. -С.585.

19. Christensen N.E., Wenneker I., Svane A. and Fanciulli M. Electronic structures of semiconductors underpressure. // Phys. Stat. Sol. (b). 1996. - 198. -p. 23-34.

20. Ulrich C., Mroginski M.A., Goni A.R., Cantarero A., Schwarz U., Munoz V. and Svassen K. Vibrational properties of InSe under pressure: Experiment and theory. // Phys. Stat. Sol. (b). 1996. - 198. p. 121-127.

21. Стрельцов В.А. Фазовые превращения в твердых телах с учетом законов наследования дефектов. // Физика и техника высоких давлений. -1988.-№28.-С. 46-56.

22. Grima P. and Chevy A. Effects of conduction band structure and dimensionality of the electron gas on transport properties of InSe under pressure. //Phys. Stat. Sol. (b). 1996. -198. - p. 129-135.

23. Weinstein B.A., Ritter T.M., Strachan D., Luo H., Tamargo M. and Park R. Competition of deep and shallow impurities in wide-gap II-VI semiconductors under pressure. // Phys. Stat. Sol. (b). 1996. - 198, p. 167-180.

24. McMahon M.I. and Nelmes R.J. New structural systematic in the II-VI,

25. I-V and group IV semiconductor at high pressure. // Phys. Stat. Sol. (b). -1996.- 198. p. 389-402.

26. Mezouar M., Besson J.M., Syfosse G., Itie P., Hausermann D. A.and Hanfland M. Phase diagram if InSb at high pressures and temperatures. // Phys. Stat. Sol. (b). 1996. - 198. - p. 403-410.

27. Mujica A., Needs R.J. and Munoz A. High pressure stability in III-V and1.-VI binary compounds and the Cmcm phase: A theoretical study. // Phys. Stat. Sol. (b). 1996. - 198. p. 461-465.

28. Руманс К. Структурные исследования некоторых окислов и других халькогенидов при нормальных и высоких давлениях. М.: «Мир» -1969. -207с.

29. Yu S. С., Spain I.L. High pressure phase transitions in tetrahedral coordinated semiconducting compounds. // Solid State Comm. 1978. - 25, № 1. - p. 4952.

30. Jayaraman A., Klement W., Kennedy G.C. Melting and polimorphic transitions for some group II-VI compounds at high pressure. // Phys. Rev. 1963. - 130, №6.-p. 2277-2283.

31. Munomure S., Drickamer H.G. Pressure induced phase transitions in silicon, germanium and some III-V compounds.// J. Phys. Chem. Sol. 1962. -23, № 5. - p. 451-456.

32. Samara G.A., Driskamer H.G. Pressure induced phase transitions in some II-VI compounds.// J.Phys. Chem. Solids. 1962. - 23. - p. 457-461.

33. Minomura S., Samara G.A., Driskamer H.G. Temperature coefficient of resistance of the high pressure phases of Si, Ge and some III-V and II-VI compounds.//J. Appl. Phys. 1962. - 33. - p. 3196-3197.

34. Johson R.T., Morosoin J.Br. High pressure effects on the electrical resistivity and structure of single crystal cadmium sulfide. // High temp.-High pressure. 1976.-8, № 1,- p. 31-44.

35. Samara G.A., Giardini A.A. Compressibility and electrical conductivity of cadmium sulfide at high pressure. // Phys. Rev. 1965. - 140, № 1A. - p. 388- 395.

36. Омельченко В.И., Сотников В.И. О фазовой диаграмме. // Неорганические материалы. 1982. - Т. 18, №4. - С. 685 - 586.

37. Edwards A.L., Drickamer H.G. Effect of pressure on the absorption edges of some III-V, II-VI and I-VII compounds. // Phys. Rev. 1961. - 122, № 4. - p. 1149-1157.

38. Piermarine G.J., Block S. Ultrahigh pressure diamond anvil cell several semiconductor phase transition pressure scale. // Rev. Sci Instrument. - 1975.- 46, № 8.-p .973-979.

39. Pistorius C. W. Phase relations and structures of solids at high pressures. // Progress in Solid State Chemistry. 1976. - V.l 1. - p. 1-152.

40. Onodera A. High pressure transition in cadmium selenide.// Rev. Phys. Chem. Jap. 1969. - V.39, № 2. - p. 65-77.

41. Osigi J., Schimizu K., Naramura Т., Onodera A. High pressure transition in cadmium sulfide // Rev. Phys. Chem. Jap. 1966. - V.36, № 2. - p.59-73.

42. Скумс В.Ф., Валевский Б.Д., Скоропанов А.С. Влияние примесей на фазовое превращение теллурида кадмия при высоких давлениях. // Изв. АН СССР. . Неорганические материалы. 1986. - Т. 22, № 6. - С. 926929.

43. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая Л.В. и др. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе М.: «Наука». - 1975. - 220с.

44. Smith P.L., Martin J.E. The High pressure structures of zink sulfide and zink selenide. // Phys. Lett. - 1965. - 19. - p. 541.

45. Свенсон К. Физика высоких давлений. М.: ИЛ. 1963. - 154с.

46. Даунов М.И., Магомедов А.Б., Рамазанова А.Э. Влияние всестороннего давления на энергетический спектр электронов и кинетические свойстваполупроводников II IV - V2. 11 Известия высших учебных заведений. Физика. - 1986.-№8.-С. 98-111.

47. Onodera A. Kinetics of polimorphic transition of cadmium chalcogenides under high pressure. // Rev. phys. Chem. Jap. 1966. - V.36, № 1,2.p. 1-17.

48. Kemisch L., Neuhaus A. Untersuchungen zum mischbarbarkeits. Zustands-and structurverhalten im system ZnSe-MnSe bei Drucken bis 125 kbar and temperaturen von 500-1000 C. // High Temp-High Press. 1974. - V.6. - p. 203-215.

49. Ohno Y., Endo S., Kobajashi M., Narita S. Pressure dependence of the absorption edge ib ZnTe. // Phys. Lett. 1983. - V.95A, №7. p. 407-410.

50. Huang T.L., Ruoff A.L. High pressure-induced phase transition of mercury chalcogenides. // Phys. Rev. B: Conden. Matter. 1985. - V.31, №9. - P. 5976-5983.

51. Ohtani A., Seike Т., Motobayaschi M., Onodera A. The electrical properties of HgTe and HgSe under very high pressure. // J. Phys. and Chem. Solids. -1982.-V.43, №7.-p. 672-632.

52. Goto Т., Syono Y., Makai J., Nakagawa Y. Pressure- induced phase transition in GaAs under shock compression // Solid State Commun. 1976. - 18. - p. 1607.

53. Homan C.G., Kendall D.P., Davidson Т.Е., Frankel J. GaP semi conducting -to-metal transition near 220 kbar and 298 0 K. // Solid State Commun. 1975. -17.-p. 831.

54. Kvostantsev L.G. and Sidorov V.A. Phase transitions in antimony at hydrostatic pressure up to 9 GPa. // Phys. Stat. Sol. (a). 1984. - 82.p. 389-398.

55. Полупроводниковые преобразователи. // Электроны в полупроводниках. Под ред проф. Ю.Пожелы, Вильнюс : «Мокслас». - 1980. - 176с.

56. Маренкин С.Ф., Морозова В.А. Синтез и оптические свойства монокристаллов и пленок диарсенидов цинка и кадмия. // Неорганические материалы. 1999. - Т.35, №10. - С. 1190-1202.

57. Шипило В.Б., Плышевская Е.М., Вельский И.М. Реперные точки для аппаратов высокого давления с твердой средой, передающей давление. // Эксперимент и техника высоких газовых и твердофазных давлений. -М.: «Наука»: 1978. - С. 202-203.

58. Bean V.E., Akimoto S., Bell P.M., Block S., Holzapfel W.B., Manghnani M.H., Nicol M.F., Stishoy S.M. Another step toward an international practical pressure scale 2nd ALRAPT IPPS Task Group Report // Physica B. -1986. V.139-140. - P.52-54.

59. Green Т.Н., Ringwood A.E., Majir A. Friction effects and pressure calibration in piston-cylinder apparatus at high pressure and temperature. // J. Geo-phys. Res. 1966. - V.71. №14. - p. 82-91.

60. Щенников В.В. Термоэдс фаз высокого давления халькогенидов цинка и кадмия. // Расплавы. 1988. - Т.2, в.2. - С. 33 - 40.

61. Скумс В.Ф., Скоропанов А.С., Валевский B.JI. и др. Халькогенидные реперные материалы датчики давления. - Сб. научных докладов "Техника и технологии высоких давлений". - 1990. - Минск: «Урожай». - С. 335.

62. Desker D.L., Bassert W.A., Merill L, Hall H.T., Burueft J.D. High Pressure Calibration. Critical Review. // J.Phys.Rev. 1973. - V.l, №3. - p. 774-853.

63. Скоропанов А.С., Валевский B.JL, Скумс В.Ф., Вечер А.А Реперные вещества для практической шкалы высоких давлений. // Сверхтвердые материалы. 1988. - № 3, - С.61-63.

64. Скоропанов А.С., Скумс В. Ф., Валевский Б.Л. Исследование влияния твердофазных давлений на поведение некоторых соединений на основе селенида германия. // Физика и техника высоких давлений. 1987. - № 24. С.28-30.

65. Скоропанов А.С., Валевский Б.Л., Скумс B.C., Вечер А.А., Ротнер Ю.М., Масленко Ю.С., Новиков Н.В. Точечные датчики давления на основе халькогенидов. // Физика и техника высоких давлений. 1989. - № 32. -С. 25-35.

66. Иванова Ю.А., Чанотович Е.Е. О применении InSb в качестве материала для измерительных преобразователей давления. // Измерительная техника. 1972. - №9. с. 22-23.

67. Циклис Д.С. Техника физико-химических исследований при высоких и сверхвысоких давлениях. М.: Химия. - 1976. - 460 с.

68. Ройбурд А.Л. Модифицированное уравнение Клапейрона Клазиуса для гистерезиса фазовых превращений. // Физика твердого тела.- 1983.-25, В.1.-С. 33 - 40.

69. Бабушкин А.Н. Электропроводность и термоэдс хлорида натрия выше 20 ГПа. // Влияния высокого давления на свойства материалов. Киев: 1990.-С. 67-74.

70. Малюшицкая З.В., Кабалкина С.С. Полиморфизм CdS при давлениях до 8 ГПа и температурах до 773 К. // Физика твердого тела.- 1980. Т. 22, № 3. - С.888 -891.

71. Козлов В.Н., Умаров Г.Р., Фирсанов А.А. Влияние давления на электронную структуру полупроводников IV группы и А2В5. // Физика и техника высоких давлений. 1986. - № 23. - С. 9-13.

72. Даунов М.И, Буттаев М.С., Магомедов А.Б. Описание сверхпроводящего резистивного перехода на основе модели гетерофазная структура-эффективная среда. // Сверхпроводимость: Физика, химия,техника,-1992.-Т.5, № 1.-С.73-77.

73. Даунов М.И., Магомедов А.Б., Данилов В.И. Об аномалии барической и полевой зависимостях коэффициента Холла в электронном диарсениде кадмия-олова при комнатной температуре. // Физика и техника высоких давлений. 1989.-№ 32.-С. 17-22.

74. Даунов М.И. Магомедов А.Б. Влияние всестороннего давления на энергетический спектр электронов и кинетические свойства полупроводников II-IV-V2. Физика и техника высоких давлений. - 1988. - №28.1. С. 18-22.

75. Бутузов В.П., Шаховский Г.П., Гоникберг М. Г. Мультипликатор для проведения исследований при сверхвысоких давлениях.- В кн.: Тр. Ин-та кристаллографии АН СССР. 1955. - в.1. - С. 233-238.

76. Бокша С.С., Шаховский Г.П. Аппаратура сверхвысокого давления с одновременным получением высоких температур. Приборы и техника эксперимента. - 1958. - № 3. - С. 89-90.

77. Стишов С.М., Тихомиров Н.А. Кривые плавления теллурида висмута (Bi2Te3 ) и при высоких давлениях. // Письма в ЖЭТФ. 1965. - № 1. -С.20-21.

78. Savill N.G., Wall W.F. Differential thermal analysis at high pressure.// J.Sci Instrum. 1967. - vol. 44, № до. - p. 839-842.

79. Wurflinger A., Josefiak C., Schneider G.M. Differential thermal analysis under high pressure.// High Temp.-High Pressures. 1976. - vol.8, № 6, - p.645-646.

80. Бриджмен П.В. Новейшие работы в области физики высоких давлений. -М.: ИЛ. 1948. -299с.

81. Ицкевич Е.С. Камеры высокого давления для исследования свойств твердых тел. // Приборы и техника эксперимента. 1999. - №3. - С.6-18.

82. Верещагин Л.Ф., Бакуль В.Н., Семерчан А.А. и др. Пат.3746484 (США). Устройство для создания высокой температуры и высокого давления. -1973.

83. Khvostansev L.G., Vereshchagin L.P., Novikov А.Р. Device of "toroid" type for high pressure generation. // High.Temp.-High Pressure. 1977. - V.8, №6. -p. 637- 639.

84. Pieramani G.I., Block I.D. and Barnett. Calibration of the pressure dependence the X-ruby fluorescent cline to 195 kbar. // J.Appl. Phys. 1973. - 44, № 12.-p. 5377,

85. Моллаев А.Ю., Арсланов P.K., Даунов М.И. Устройство для измерения основных характеристик твердых тел в магнитном поле при высоком гидростатическом давлении. Информационный листок № 114-96, серия Р.29.03.25, ДЦНТИД996.

86. Моллаев А.Ю., Арсланов Р.К. Устройство для измерения барических и магнетополевых зависимостей характеристических параметров твердых тел при высоких гидростатических давлениях до 10 ГПа. Информационный листок №66-98, Серия Р.29.03.25, ДЦНТД998.

87. Бенделяни Н.А., Верещагин Л.Ф. Измерение гидростатического давления до 100 кбар манганиновым датчиком сопротивления. // Приборы и техника эксперимента. 1979. - № 4. - С.218-219.

88. Моллаев А.Ю., Даунов М.И., Сайпулаева Л.А. О некоторых принципах создания резистивных полупроводниковых датчиков давления. // Физика и техника высокого давления. 1992. - №3, Т.2. - С. 71-76.

89. Моллаев А.Ю., Арсланов Р.К., Сайпулаева Л.А., Ахмедов Р.И. О мето-логии и методике исследования барического обратимого полиморфизма. // Физика и техника высокого давления. 1994. - №3-4. - С.66-70.

90. Моллаев А.Ю., Даунов М.И., Арсланов Р.К., Сайпулаева Л.А. О калибровке аппаратов высокого давления «тороид» до 9 ГПа. В сб. «Современные технологические методы повышения качества машин». - Махачкала: - 1992. - С. 47-54.

91. Горюнова Н.А., Мамаев С., Прочухан В.В. О некоторых свойствах полупроводника CdSnAs2 электронного аналога арсенида индия. // ДАН СССР. - 1962. - Т. 142, № 3. -С.623 - 626.

92. Matyas М., Hoschl P. The semiconducting properties of CdSnAs2. // Crech. J. Phys. 1962. - V.B.12, № 10. - p. 788 - 795.

93. Воеводин В.Г., Воеводина О.В. В сб. "Диарсенид кадмия - олова", под ред. А.П. Вяткина. Томск: - 1988. - 160с.

94. Кесаманлы Ф.П., Коршак Н.М. Комплексное исследование эффектов переноса в кристаллах CdSnAs2. // Неорганические материалы. 1967. -Т.З, №3. - С.490 - 492.

95. Pitt G.D., Vyas M.K.R. Electrical properties of InAs to very High pressures. // J. Phys. C: Solid State Phys. 1973. - 6, 2. - p. 374 - 384.

96. Даунов М.И., Магомедов А.Б., Данилов В.И. Влияния давления на явления переноса в CdSnAs2<Cu> с глубоким акцепторным уровнем. // Физика и техника полупроводников. 1991. - 25, в.З. - С. 467-474.

97. Vyas М. К. R, Pitt G.D. // J. Phys. С: Solide State. 1973. - 7, 23. - L 423.

98. Tsidilkovski I.M., Harus G.I., Shelushinina N G. Abv. In Phys. 34, 1, 43, 1985.

99. Ицкевич E.C., Коширская П.М., Кучеренко И.В. и др. Инверсия коэффициента Холла и термоэвс под давлением в узкощелевых полупроводниках свинец-олово-селен. // Письма в ЖЭТФ. 1986. - 43, 6. - С. 303306,

100. Даунов М.И., Магдиев Б.Н., Магомедов А.Б. Влияния давления на явления переноса в CdSnAs2 <Cu>. // Физика и техника полупроводников.- 1975.-9, 9.-С. 1747.

101. Цидильковский И.М., Харус Г.И., Шелушина Н.Г. Примесные состояния и явления переноса в бесщелевых полупроводниках. Свердловск: 1987,- 153с.

102. Карымшаков Р.К., Уханов Ю.И., Шмарцев Ю.В. // Физика и техника полупроводников. 1974. - 5, 3. - С. 514.

103. Daunov М. I., Mollaev A.Yu., Arslanov R.K., Magomedov А.В., Saypulaeva L.A. J.XV ALRAPT, XXXIII EHPRC Int. conf, Warsaw, poland, September 69/MoP, 1995

104. Юб.Караваев Г.Ф., Кривайте Г.З., Полыганов Ю.Ю., Чалдышев В.А., Ши-лейка А.Ю. Зонная структура и спектры электроотражения CdSnAs2 // Физика и техника полупроводников. 1972. - 6. - С.2211-2215.

105. Neve J.J., De Meijer C.F.J, and Blom F.A.P. Shubnikov de Haas effect in n- CdSnAs2. // J. Phys .Chem. Solids. 1981. - 42, 11. p. 975 -980.

106. Nakashima Yu and Hamaguchi Ch. // J. Phys. Soc. of Japan. 1987. - 56, 9. -p. 3248.

107. Kildal N. Band structure of CdGeAs2 near k=0. // Phys. Rev. B10. 1974. -12.-p. 5082.

108. Silvey G.A. at. al. The preparation and properties of some II-V semiconducting compounds. // J. Electrochem. Soc. V. 1961. - 108, №7, - p. 653 -658.

109. Ш.Маренкин С.Ф. и др. Получение, электрофизические и оптические свойства монокристаллов CdAs2 и ZnAs2. Свойства легированных полупроводниковых материалов. М.: «Наука» - 1990. - С. 41 - 47.

110. Маренкин С.Ф. и др. Анизотропия электрических свойств монокристаллов CdAs2. // Известие АН СССР. Неорганические материалы. -1989. Т.25, №8. - С. 1240 - 1243.

111. Горюнова Н.А., Боргцевский А.С., Венкебец Я.Я, Коршак Н.М. Выращивание монокристаллов CdSnAs2. // Неорганические материалы. -1967.-3.-С. 180- 181.

112. Ройтбурд A.JI. Теория формирования гетерофазной структуры при фазовых превращениях в твердом состоянии. // Успехи физических наук. 1974. - Т. 113, №1. - С. 69-104,

113. Ройтбурд A.JI. Равновесие когерентных фаз и диаграммы состояния в твердом теле // Физика твердого тела. 1984. - Т.26, №7. - 2025.

114. Даунов М.И., Буттаев М.С. Применение модели гетерофазная структура- эффективная среда. Тез.докл.1У Всесоюзн.симпозиума «Неоднородные электронные состояния».-Новосибирск. - 1991. - С. 126.

115. Blair L., Smith А.С. Phase transition in mercury telluride. // Phys. Rev. Lett.- 1961.- №4. PI24-126.

116. Моллаев А. Ю., Арсланов P. К., Сайпулаева JI. А., Габибов С.Ф. InAs и CdAs2 перспективные датчики давления. // Физика и техника высоких давленийю. - 2001. - Т. 11, № 1. - С. 94-97.

117. Моллаев А. Ю., Сайпулаева JI. А, Арсланов Р. К., Маренкин С.Ф. Вли ние гидростатического сжатия на электрофизические свойства моно кристаллического диарсенида кадмия. // Неорганические материалы. 2001.-№4, Т.37. С. 405-408.