Емкостная спектроскопия глубоких центров, связанных с различными типами дислокаций в CdS тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ггз ол

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

на правах рукописи

ИСТРАТОВ АНДРЕЙ АНАТОЛЬЕВИЧ

УДК 535.315.592

ЕМКОСТНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ, СВЯЗАННЫХ С РАЗЛИЧНЫМИ ТИПАМИ ДИСЛОКАЦИЙ в саз

Специальность 01.04.07 - физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискаине ученой степеии кандидата физико-математических наук

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ 1993

Работа выполнена в отделе электроники твердого тела научно-исследовательского института физики Санкт-Петербургского государственного университета.

Научный руководитель:

кандидат физико-математических наук,

ст.н.с. Вывенко О.Ф.

Официальные оппоненты:

Ведущая организация:

Институт физики твердого тела РАН (г. Черноголовка)

на заседании специализированного совета Д.063.57.32 по защите диссертаций на соискание ученой степени доктора физико-математических наук при Санкт-Петербургском государственном университете по адресу: 199034, Санкт-Петербург, Университетская наб., 7/9.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке СП6ГУ.

доктор физ.-мат. наук,

профессор Новиков Б.В.

доктор физ.-мат. наук,

вед.н.с. Лебедев А.А.

Защита диссертации состоится

Автореферат разослан

Ученый секретарь Специализированного Совета, доктор физ.-мат. наук

Соловьев В.А.

- 3 -

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Актуальность работы. Согласно существующим теоретическим представлениям энергетический спектр и другие свойства дислокаций должны зависеть от структуры ядер дислокаций. С этой точки зрения наибольший интерес для исследования представляют дислокации в кристаллических структурах сфалерита и вюрцита, в которых кристаллизуются бинарные полупроводники групп А2Вд и' А3В5. В этих структурах возможно существование дислокаций, имеющих сходный характер механических напряжений вблизи линии дислокации, но различающихся атомным составом ядра. Например, в структуре вюрцита, в которой кристаллизуется сульфид кадмия, возможны краевые полярные дислокации базисной плоскости скольжения, ядра которых состоят из атомов одного сорта - металла или металлоида, и краевые призматические дислокации, содержащие перемежающиеся атомы обоих типов.

Спектр глубоких состояний, возникающий при введении дислокаций в полупроводники, неоднократно исследовался для всех известных полупроводников. При этом исследовался групповой эффект от дислокаций различных типов. Однозначная связь между глубокими уровнями и конкретными типами дислокаций до сих пор не установлена. Это обусловлено тем, что при любом способе введения дислокаций образуется совокупность различных типов дислокаций и нельзя с уверенностью утверждать, какие из них дают основной вклад в наблюдаемый сигнал. Возможный вклад винтовых дислокаций в образование спектра глубоких уровней (например, за счет притянутых к ним точечных дефектов) практически ие рассматривался.

Сульфид кадмия в силу особенностей кристаллической структуры вюрцита (перпендикулярности основных плоскостей скольжения и возможности образования как полярных, так и неполярннх краевых дис-лохаций), широкой запрещенной зоны является модельным объектом для исследования электронных свойств дислокаций различных типов. К настоящему времени в литературе накоплен значительный обгем данных по движению дислокаций в Са5, полученных методами избирательного травления, просвечивающей электронной микроскопии, фотолюминесценции. В то же время имеющиеся данные по образующимся при введении дислокаций глубоким центрам противоречивы и не полны.

Целью настоящей работы является экспериментальное исследование влияния дислокаций различных типов и сопутствующих им точечных

дефектов иа спектр глубоких состояний в низкоомном сульфиде кадмия. Задача решалась путем применения комплекса методов емкостной спектроскопии области пространственного заряда, усовершенствованных путем автоматизации экспериментальной установки и применения численных методов обработки данных. В работе использовались данные метода катодолюминесценции сканирующей электронной микроскопии.

Научная новизна работы состоит в следующем:

- разработаны и реализованы принципы построения универсальной автоматизированной установхи для исследования глубоких центров в полупроводниках емкостными методами и последующей обработки экспериментальных данных с учетом специфики задачи исследования дислокационных ГЦ в широкозонных полупроводниках;

- предложен метод сравнительного анализа различных корреляционных процедур а методах релаксационной спектроскопии глубоких центров в полупроводниках; проведено сравнение известных процедур, выработаны рекомендации по их применению;

- на основе данных исследования структуры дислокаций в СаБ построена модель структуры дислокаций вблизи места укола индентора и предложен метод выделения в спектрах ГЦ вклада дислокаций различных типов;

- экспериментально установлены закономерности изменения вида спектров ГЦ при вариации соотношения длин дислокаций различного типа под исследуемым контактом; высказаны предположения п связи отдельных ГЦ с определенными типами дислокаций;

- Предложен и продемонстрирован на примере СёБ метод сопоставления параметров ГЦ, полученных разными авторами на разных образцах с учетом возможных систематических ошибок процедуры обработхи спектров Ш-ТБ, состоящих из близлежащих перекрывающихся максимумов;

- Исследованы параметры центра И5, сопровождающего винтовые дислокации в (ЗД>; показано, что центр имеет малую равновесную глубину залегания, большое различие в энергиях термического и оптического опустоаения, термоактивированный процесс захвата;

На зациту выносятся следующие основные положения и результаты:

1. Метод выделения в спектрах ГЦ вклада дислокаций различных типов в полупроводниках со структурой вюрцита.

2. Результаты исследования параметров глубокого центра М5 (200 К)

в пластически деформированных образцах СйЗ.

3. Метод и результаты анализа корреляционных процедур для релаксационной спектроскопии глубоких центров в полупроводниках.

4. Принципы создания автоматизированной установки для проведения емкостных измерений и обработки экспериментальных данных.

Достоверность полученных результатов подтверждается их воспроизводимостью при исследовании большого числа образцов, применением современных экспериментальных методов исследования глубоких центров, современных теоретических представлений для интерпретации экспериментальных данных, согласием данных эксперимента с расчетными, полученными на основании имеющихся моделей.

Практическая значимость . работы определяется получением новой информации о природе и свойствах отдельных глубоких центров, а также в развитии методики их исследования. Предложенный метод разделения дислокаций различного типа может быть использован для дальнейшего исследования свойств винтовых и краевых дислокаций в СйЭ, в том числе другими методами, а также применен к другим полупроводникам с кристаллической структурой вюрцита или сфалерита. Полученные в работе данные могут быть использованы для интерпретации ряда явлений в бинарных полупроводниках и для совершенствования технологии получения полупроводниковых приборов на их основе.

Апробация результатов работы. Результаты проведенных исследований обсуждались на восьмой международной школе-семинаре по дефектам в кристаллах (Польша, 1988), всесоюзной конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Ташкент, 1989), на двенадцатой всесоюзной конференции по физике полупроводников (Киев, 1990), на первой национальной Российской конференции по дефектам в полупроводниках (С.-Петербург, 1992), на международной конференции по протяженным дефектам в полупроводниках (Хольцхау, ФРГ, 1992), на пятой российской конференции по оптическим, радиоволновым, тепловым методам и средствам контроля качества материалов, изделий и окружающей среды (Ульяновск, 1993).

Структура и объем диссертации. Диссертация содержит 219 страниц и состоит из введения, иести глав, заключения и списка цитируемой литературы. Основной материал диссертации изложен на 135 страницах машинописного текста и проиллюстрирован 53 рисунками и 5 таблицами. Список литературы состоит из 240 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

Во введении обоснована актуальность темы, формируется цель работы, научная новизна, практическая значимость и основные положения, выносимые на защиту.

Первая глава содержит обзор теоретических и экспериментальных работ, посвященных свойствам н электронной структуре дислокаций в полупроводниках. Основное внимание уделено особенностям структуры и движения дислокаций в бинарных полупроводниках, в особенности в сульфиде кадмия. Отмечено в частности, что дислокации в полупроводниках распространяются в виде петель и полупетель, состоящах из сегментов винтовых и краевых дислокаций, при-Л чем^винтовые дислокации в бинарных полупроводникахимеют обычно значительно меньшую подвижность, чем краевые дислокации, поэтому дислокационные петли состоят из протяженных отрезков винтовых и относительно коротких краевых дислокаций. Таким образом, винтовые дислокации в бинарных полупроводниках, по крайней мере, во многих случаях, является доминирующим типом дислокаций. Это ^обстоя-тельство до последнего времени не принималось во внимание при интерпретации результатов спектроскопии глубоких центров в дислокационных полупроводниках. В то же время известно, что электронные свойства дислокаций в значительной степени определяются притянутыми к ним точечными дефектами, в не собственно состояними ядра, и с этой точки зрения от винтовых дислокаций можно ожидать значительную электрическую активность.

В обзоре рассмотрены работы, в которых делались попытки разделить вклады различных дислокаций различных типов. Показано, что эффективных методов выделения из суммарного спектра сигнала от определенных типов дислокаций до сих пор не существует. Проанализированы некоторые сложности, с которыми сталкиваются экспериментаторы в процессе проведения измерений на дислокационных образцах. На основании проведенного анализа литературных данных формулируется задача исследований.

Во второй главе описываются физические основы методов емкостной спектроскопии полупроводников, теоретические модели, используемые для определения параметров центров из данных эксперимента, рассмотрены особенности и границы примененимости различных методов. Покаэаво, что для проведения исследования свойсть дислокационных глубоких центров в оирокозонных полупроводниках необходимо использовать широкий набор взаимодополняющих экслеринеяталь-

ных методов. Формулируются требования к параметрам измерительной установки с учетом специфики поставленной задачи исследования.

Третья глава содержит описание проделанной работы по усовершенствованию методик емкостной спектроскопии глубоких центров в полупроводниках. ,

Первый раздел главы содержит сравнительный анализ корреляционных процедур, применяемых в методах емкостной спектроскопии для определения постоянной времени эмиссии с глубокого центра. В литературе описано около десяти различных корреляционных функций, но метода, позволяющего сравнить их между собой и выбрать функцию, обеспечивающую оптимальное соотношение между разрешающей способностью и уровнем шума, до сих пор не существовало. В разделе предложен метод сравнения, основанный на расчете параметров коррелятора в зависимости от времени задержки весовой функции относительно начала релаксации и представления данных в виде параметрической диаграммы. Параметры корреляционных функций, определенные путем математического моделирования, подтверждены экспериментально полученными спектрами И-ТЗ с различными весовыми функциями. Показано, что правильным выбором коррелятора можно заметно улучшить разрешение близлежащих максимумов. Предложены рекомендации по выбору весовой функции соответственно задачам эксперимента.

Во втором разделе на основе анализа систематических и случайных ошибок, возникающих вследствие некорректного применения метода графика Аррениуса для определения параметров глубоких центров в дислокационных образцах, предлагается способ сопоставления данных Ш.ТЗ, полученных на различных образцах или различными авторами. Метод состоит в представлении данных в координатах (1в(о), Е&). Показано, что метод помогает установить соответствие между ГЦ, наблюдавшимися в разных работах или на разных кристаллах. В качестве иллюстрации приведена диаграмма, на которую нанесены экспериментально полученные автором параметры ГЦ, определенные из различных спектров И-ТЭ, снятых на одних и тех же образцах. Расположение точек на диаграмме подтверждает правомерность сделанных выводов.

В третьем разделе предлагается алгоритм математической обработки спектра Ш/ПЗ путем подгонки расчетного спектра к экспериментальному с целью правильного определения параметров ГЦ и амплитуд отдельных максимумов. Предложен метод восстановления

плотности состояния ГЦ в предположении фиксированного сечении захвата как способ получения начального приближения и взаимосвязанное варьирование сечения захвата и энергии активации при сохранении температурного положения максимума как путь нахождения решения задачи подгонки.

Четвертый раздел содержит разработку методики определения параметров захвата носителей на ГЦ с сильным электрон-фононным взаимодействием, имеющие постоянный и зависящий от степени заполнения барьеры для захвата.

Четвертая глава посвящена описанию нестандартного экспериментального оборудования, использовавшегося при выполнении диссертационной работы. Приведены чертежи установок для введения дислокаций методами одноосного сжатия и индентирования. Описана экспериментальная установка, состоящая из аналогового емкостного моста, крейта и набора модулей КАМАК и компьютера IBM AT 286/287 12 НГц. Установка позволяет проводить измерения методами вольт-фарадных характеристик, DLTS, DDLTS в режимах постоянного смещения, постоянной емкости и квазипостоянной емкости с обработкой в процессе измерений сигналов релаксации двумя различными корреляционными функциями одновременно на пяти частотах для каждого коррелятора; методом термостимулированной емкости; методом изотермической релаксации емкости с последующей разверткой по частотам; методом DLOS; методом стационарной фотоемкости; с помощью специальных программ возможно проведение в автоматическом режиме снятия профилей распределения" ГЦ по ОПЗ, их полевых и зарядовых характеристик. Установка работает на частоте емкостного моста 1 и 10 НГц, имеет чуствительность чувствительность ¿С/С порядка 10"5 при С а 100 pF , позволяет проводить измерения в диапазоне постоянных времени релаксации емкости З-Ю-*'- 10^ с, диапазоне длительностей заполняющего импульса 10~® - Ю^с. Система управления температурой образца в азотно-гелневом проточном криостате позволяет стабилизировать температуру образца с точностью 0.02 К в диапазоне 10 - 450 К'и осуществлять равномерную развертку по температуре со скоростью 0-10 К/мия в обе стороны.

Кратко описано программное обеспечение для проведения измерений и обработки данных эксперимента.

Пятая глава содержит описание метода разделении дислокаций различных типов и результаты исследования отдельных ГЦ в C<$S.

Предлагаемый метод основан как на известных из литературы

данных о структуре дислокаций в СЛЭ, так и на оригинальных данных, полученных методом катодолюминесцекции в сканирующем электронном микросхопе. Имеющиеся данные позволили построить модель дислокационной структуры, образующейся вокруг места укола инден-тором, проиллюстрированную в диссертации в виде чертежей и трехмерной схемы.

Дислокационные лучи распространяются от места укола в направлениях типа <1210> в виде узких дислокационных петель, образованных протяженными отрезками винтовых и короткими отрезками краевых (преимущественно 60°) дислокаций. При индентировании базисной поверхности дислокации распространяются вдоль поверхности. Непосредственно у поверхности наблюдаются только петли призматической плоскости скольжения, в глубине образца доминируют дислокации базисной плоскости скольжения, причем из геометрических соображений следует, что петли замыкаются полярными а-дислокацияыи на поверхности(0(101)8 и (5-дислокациями на поверхности (0001)С<1. На призматических поверхностях образуются лучи, идущие вдоль поверхности образца и вглубь него (поверхность (1010)) или только вглубь образца (1210). На всех глубинах присутствуют дислокации как бээисной, так и призматической плоскостей скольжения.

Идея метода состоит в приготовлении образцов с различной дислокационной структурой под Иоттки-контактом путем выбора ориентации индентируемой поверхности образца и стравливания после индентирования поверхностного слоя необходимой толщины, измерения спектра глубоких уровнен методом ЮЬТБ и сопоставления амплитуды отдельных максимумов в спектрах с различным соотношением концентраций различных дислокаций. Безусловно, при любом приготовлении образца дислокационная структура под контактом состоит из дислокаций нескольких типов, и не исключено, что меньшинство дислокаций будет определять форму спектра. Поэтому принципиально важным в методе является не анализ одного отдельно взятого спектра глубоких уровней, а нахождение закономерностей изменения амплитуды отдельных линий с изменением концентрации конкретных типов дислокаций.

Показано, что для поверхности образца (0001) вместо снятия поверхностного слоя может использоваться ориентация поверхности, закошенная на угол <р ~ 5°.

Соотношение дислокаций различных типов, которые могут быть получены путем индентирования различных поверхностен образца с

последующим стравливанием поверхностного слоя, оцененное из данных, полученных методом катодолюмкнесценции в сканирующем электронном микроскопе, обобщено в таблице 1.

В диссертации подробно описана процедура приготовления образцов согласно пунктам таблицы 1 и приведены полученные на них спектры. В спектрах исходных образцов наблюдался единственный максимум »1. После введения дислокаций возникал спектр, состоящий из большого числа максимумов, параметры которых, полученные из графика Аррениуса, приведены в таблице 2.

Таблица 1. Типы дислокаций в приповерхностной области индеитиро ванных образцов сульфида кадмия. Обозначения: "Обработка поверхности": "—" - нанесены уколы вокруг контакта; "-с!" - снят поверхностный слой толщиной 10 мкм; "-В" - снят поверхностный слой 20 мкм; "-Ш1" - снят поверхностный слой толщиной 250 ыхм; "-9"/"+9" - поверхность закошена на угол около 5° в ту или другу» сторону. "Вид дислокации": "++" -данный тип дислокации доминирует; "+" -присутствует в .значительном количестве; "+/-" - присутствует в небольшом количестве; "-" - отсутствует.

ОБРАЗЕЦ ВИД ДИСЛОКАЦИИ

ориентация обработка винтовая краевая

призм. а Р

(0001) Б —, +ф */- ++ - -

чр, -а + + + -

-Б + + ++ -

(0001) С<1 —, +/- ++ - -

-?, -а ' + - +

-В + + -

(1010) - ■ ++

-ОБ ++ */- + +

(1210) — ++ - + + /-

-Ю ++ +/- + +

Таблица 2. Параметры глубоких центров в запрещенной зоне пластически деформированного сульфида кадмия.

ГЦ

пах е=1.9 Гц

энергия актив

сечение захвата

М1

Н2

нз

М4

М5

Мб

М7

М8

М9

мю

ми

М12 М13 М14

96 128 157 176 197 226 253 276 298 319 355 393 432 490

0.20±0.015

0.28±0.015

0.38±0.02

0.37±0.01

0.40±0.01

0.53±0.025

0.63±0.03

0.66±0.03

0.72±0.03

0.75±0.02

0.80±0.08

0.93±0.05

0.98±0.03

1.29Ю.02

6-10

-14

10

-14

2-10

-12

-14 -15

1.4-10

-13

-13

4-10 1.6-10 2.2-10 1.4-10' 1.Ы0

-13 -13 ■14

■13

5-10 8-10' 4-10

-14 -15 -13

В спектре на поверхности (0001)Б после иидеитирования виде лялись максимумы М5, М7, М8. По мере снятия поверхностного слоя величинз сигнала в диапазоне температур 250-400 К относительно падала, максимум М7 переставал различаться в спектре. Спектр на поверхности (0001 )С<1 по составу максимумов не отличался от спектра (0001)3, однако изменение формы спектра по мере травления образца происходила иначе - падала амплитуда максимума Н7 и возрастала амплитуда М12.

Экспериментально снятые спектры с закошенной поверхности (0001)Са подтвердили совпадение тенденций изменения спектра, при наклоне поверхности и ее стравливании.

Изменение формы спектра по мере травления носило монотонный закономерный характер.

Спектры на призматических поверхностях имели более ярко выраженную структуру, образованную максимумами М5, НЗ. Различие

между поверхностями (1010) и (1210) состояло в том, что максимумы Мб, М8, М11 имеют несколько большую амплитуду на поверхности (1010), что соотносится с большей плотностью дислокаций вблизи поверхности (1010) за счет распространяющихся вдоль поверхности дислокационных лучей.

Травление призматических поверхностей приводило к постепенному уменьшению сигнала. На глубине порядка 250 мкм оставались максимумы М5 и М12, затем при дальнейшем травлении сигнал быстро исчезал.

На основе сопоставления амплитуды отдельных максимумов в спектре с соответствующей структурой дислокаций сделаны выводы о связи максимума М5 с винтовыми дислокациями, М7 - с краевыми призматическими, М12 - с полярными базисными (¡-дислокациями, N14 - со следами, остающимися при движении дислокационных петель.

Продемонстрировано, что наблюдающееся исчезновение в образце наиболее узких и мелких петель за счет их схлопывания или притяжения к поверхности, происходящее при нагреве образца или даже при комнатной температуре приводит к изменению вида спектра, уменьшения в нем отдельных максимумов, в том числе М5, для которого установлена связь с винтовыми дислокациями.

В шестой главе проведено исследование свойств отдельных максимумов, наблюдавшихся на пластически деформированных образцах.

Исследование спектров исходных образцов показало, что боль шинство глубоких центров появляется в спектре тольхо после введения дислокаций. Состав максимумов в.образцах, выращенных из газовой фазы и из расплава совпадает, что позволяет сделать вывод, что большинство наблюдающихся центров образуются при скольиении дислокаций или связаны с их ядром. Использование диаграммы (Еа, 1в(о)) позволило сопоставить данные различных авторов, ранее казавшиеся противоречивыми. Показано, что есть основания считать, что исследованные в 80-е гг. образцы имели высокую плотность дислокаций.

Особое внимание в главе уделено исследованию параметров центра М5, связанного с винтовыми дислокациями. Этот центр почти не перекрывался с другими максимумами, начинал проявляться в спектрах Ы.ТБ при длительности заполняющего импульса не менее 1 мс, а при длительности порядка 1 с доминировал в спектре. Исследование центра М5, проведенное комплексом термических и оптических мето-

дов, в том числе исследование кинетики захвата в диапазоне температур 150-220 К, позволило получить следующие его параметры:

- термическая энергия активации 0.40±0.01 эВ

- сечение захвата носителей 5-10"^ см^

- величина постоянного барьера для захвата 0.33±0.01 эВ

- максимальная величина переменного барьера 0.03 эВ

- пороговая энергия оптической ионизации 0.88±0.03 зВ

- равновесная энергия залегания 0.05±0.01 эВ

Эмиссия с центра слабо зависит от электрического поля а ОПЗ; его концентрация в объемно деформированном (е=4.5Х) составила порядка 0.25-~ 2.5-1015 см"3.

Параметры центра представлены в виде конфигурационно-координатной диаграммы.

Методом ИРЕ проведены исследования природы высокотемпературного подъема в спектрах Ш.ТЗ. Показано, что подъем определяется центром М14, определены его параметры. Приведены данные, свидетельствующие, что этот центр также имеет значительный барьер для захвата.

В обсуждении результатов обобщены данные, полученные для различных центров. Рассмотрены возможные модели природы центра М5, проведены аналогии с ЕХ-центром в СаА1Аа, имеющим сходные параметры. Наличие барьера для заполнения позволило объяснить расхождение на 6 - 8 порядков сечения захвата между нашими данными и данными, полученными методами термостимулированного тока и термо-стимулированной проводимости в 60-х гг. Высказано предположение, что наличие такого барьера является свойством значительного числа центров в СаЗ.

В заключении сформулированы основные результаты работы.

1. Разработан метод разделения вкладов различных дислокаций в методах емкостной спектроскопии ГД в полупроводниках. Экспериментально показано наличие соответствия между видом спектра и дислокационной структурой под контактом. Сделаны выводы о связи отдельных максимумов в И-Тв-спектрах с конкретными типами дислокаций.

2. Из анализа данных Ш-ТЯ,температурной зависимости кинетики захвата, из оптических методов определены параметры и построена конфигурационно-координатная диаграмма центра М5, связанного с винтовыми дислокациями. Показано, что равновесная энергия центра

близка к уровни мелкого донора.

3. Предложен способ проведения сравнительного анализа корреляционных процедур в термостимулированных методах емкостной спектроскопии полупроводников, основанный на расчете параметров максимума в спектре в зависимости от времени задержки и представления данных в виде параметрической диаграммы. Проведен сравнительный анализ известных из литературы весовых функций, выработаны рекомендации по их выбору в зависимости от целей эксперимента.

4. Сформулированы требования к экспериментальной установке, позволяющей проводить комплексные исследования глубоких центров в полупроводниках; на их основе разработан не имеющий аналогов в России универсальный автоматизированный измерительный комплекс. Написано программное обеспечение для проведения измерений и обработки данных. '

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих печатных работах:

1. Iatratov A.A., Khletov A.G., Vyvenko O.F. "Capacitance spectroscopy of defects In CdS: Uetastablllty of a dislocation-related center" - In abstracts of the 8-th Int. School "Defects in crystals" - Szczyrk, Poland, 1988, p.70.

2. Вывенко О.Ф., Истратов A.A., Хлебов А.Г. "Новый механизм остаточной проводимости в сульфиде кадмия с дислокациями". Тез. докл. Всесоюзной конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Ташкент, 1989, с.41-42.

3. Вывенко О.Ф., Истратов A.A., Хлебов А.Г. "Оптические переходы между локализованными состояниями центров, определяющих фотоэлектрические свойства монокристаллов сульфида кадмия". Тез. докл. Всесоюзной конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Ташкент, 1989, с.49-50.

4. Вывенко О.Ф., Истратов A.A., Хлебов А.Г. "Метастабильность дефектов, связанных с дислокациями в сульфиде кадмия". ФТП, 1989, том 23, вып. 8, с.1521-1523.

5. Вывенко О.Ф., Истратов A.A., Хлебов А.Г. "Двухзарядный метастабильный центр, обусловленный дислокациями в CdS". ФТП,

, 1990, том 24, вып.9, с.1650-1658.

6. Базлов Н.В., Вывенко О.Ф., Истратов A.A. "Автоматизированный емкостной спектрометр для исследования глубоких центров в полупроводниках". ПТЭ, 1990, Н 6, с.159-163.

7. Вывенхо О.Ф., Истратов A.A., Хлебов А.Г. "Двухзарядный метастабильный дефект, сопровождающий дислохации в CdS" - в сб. тезисов докладов двенадцатой всесоюзной конференции по физике полупроводников, Киев, 1990, часть 1, с.234-235.

8. Вывенко О.Ф., Истратов A.A. "Анализ влияния вида корреляционной процедуры на разрешающую способность и чувствительность методов релаксационной спектроскопии глубоких центров", в сб: Тезисы докладов первой российской национальной конференции по дефектам в полупроводниках, С.-Петербург, 1992. с.145.

9. Вывенко О.Ф., Зубков В.И., Истратов A.A., Соломонов A.B. "Уширение состояний метастабильных дефектов в полях деформаций дислокаций в CdS". в сб: Тезисы докладов первой российской национальной конференции по дефектам в полупроводниках, С.-Петербург, 1992. с.120.

10. Вывенко О.Ф. Истратов A.A. "Оптимизация корреляционной процедуры в методах термостимулированной релаксационной спектроскопии полупроводников". ФТП, 1992, том 2в, вып. 10, с. 1693-1700.

11. Vyvenko O.F., Istratov A.A. "A new method to Investigate separately the properties of screw and edge dislocations In II-VI compound semiconductors". Physica statue solldl (a), 1993, vol.138, no.2, p.715-721.

12. Базир Г.И., Вывенко О.Ф., Истратов A.A. "Исследование изменения спектра глубоких центров в CdS при вариации стехиометрического состава методами емкостной спектроскопии", в сб: Тезисы 5 российской конференции по оптическим,, радиоволнорым, тепловым методам и средствам контроля качества материалов, изделий и окружающей среды, Ульяновск, 1993, с.4.