Структура и электронные свойства дислокационного сульфида кадмия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

р г б од

Э1|> >»> (ЯП1

к;..;-;

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

На правах рукописи ВЫВЕНКО Олег Федорович

СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ДИСЛОКАЦИОННОГО СУЛЬФИДА КАДМИЯ

01.04.07 - физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора физико-иатеиатических наук

Санкт-Петербург 1994 г.

Работа выполнена в отделе электроники твердого тела Научно-иоследовательокого института физики Санкт-Петербургского государственного университета.

Официальные оппоненты!

Доктор физико-математических наук В.Ф.Агекян Доктор физико-математических наук А.А.Лебедев Доктор физико-математических наук Б. Б. Якимов

Ведущая организация!

Институт физихи твердого тела РАН (г.Черноголовка)

Защитаооотоитоя 29 декабря 1994г. в 15 чао. ЗОмин. наааоедании опецвализированного совета Д. 063.57.32 по защитам диосертаций на ооискание ученой степени доктора фиэико-математичеоких наук при Санкт-Петербургском государственном университета по адресу! 199034, Санкт-Петербург, Университетская наб. ,7/9.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке СПбГУ.

Автореферат разослан " ноября 1994 г.

Ученый секретарь Специализированного совета. Доктор физико-математичеоких наук

Соловьев В. А.

- 3 -

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Актуальность темы. Изучение электронных свойств дефектов в полупроводниках является одним из основных разделов современной физики твердого тела. Интенсивные исследования в этой области , проводимые в настоящее время, стимулируются потребностями современной твердотельной электроники и вызваны недоста-точностьи существующих представлений для правильного и полного понимания многих обнаруженных свойств и явлений.

Дислокации - линейные неравновесные дефекты, движение которых обеспечивает пластичность кристаллов, наиболее подробно изучены в кристаллах элементарных полупроводников -германия и кремния. Для этих материалов имеются полученные различными методами и неоднократно проверенные данные как о динамических свойствах дислокаций, так и о спектре дислокационных состояний, а также обнаружены некоторые специфические эффекты, обусловленные квазиодномерным характером последних. В положении дел с исследованием свойств дислокаций другого известного класса полупроводников - соединений А^ сложилась, в известной степени, парадоксальная ситуация. С одной стороны, в этих материалах обнаружены и подробно исследованы явления, связанные с взаимодействием движущихся дислокаций с возбуждениями в электронной подсистеме, определены заряды движущихся дислокаций и тонкая структура ядер. С другой стороны, сведения об основных электронных свойствах покоящихся дислокаций отрывочны и подчас противоречивы.

Дислокации в полупроводниках А.;В6 являются интересным и важным объектом исследований с точки зрения проверки существующих и развития новых представлений физики дефектов в твердых телах. Дело в том, что в решетках сфалерита и вюрцита, в которых кристаллизуются указанные соединения, имеются дислокации, различающиеся не только по структуре, но и атомному составу ядер. Именно такие дислокации должны согласно теории проявлять наибольшие различия в своих физических свойствах. Кроме того, в кристаллах А2В6 более важную роль по сравнению с элементарными полупроводниками должны играть винтовые дислокации вследствие их значительно меньшей подвижности по сравнению с краевыми.

Многообразие дислокаций в бинарных полупроводниках приводит к необходимости поисков методов раздельного изучения свойств каждого из типов дислокаций. Сложность этой задачи состоит в том, что независимо от способа введения в образец не удается ввести дислокации только одного сорта. Даже в том случае, когда один из типов дислокаций доминирует, нет уверенности, что меньшинство не дает основной вклад в изучаемое явление.

Целью настоящей работы было развитие уже известных и поиски новых подходов экспериментального изучения электронных свойств дислокаций различных типов в полупроводниках со структурой вюрцита на примере сульфида кадмия.

Выбор структуры и материала был сделан исходя из следующих соображений:

- в кристаллах вюрцита помимо двух видов базисных полярных краевых дислокаций, ядра которых которых состоят из атомов одного сорта и полностью аналогичны полярным дислокациям в структуре сфалерита, существуют также краевые призматические дислокации с перемежающимися в ядре атомами двух сортов, что расширяет возможности для сравнения свойств различных дислокаций. Ортогональность базисной и призматической систем скольжения делает возможным создание образцов с резко анизотропной дислокационной структурой.

- среди соединений А2В6 сульфид кадмия является одним из наиболее исследованных материалов как с точки зрения свойств идеальной решетки, так и дислокаций. В частности, это единственный материал, где надежно установлено специфическое свойство винтовых дислокаций быть интенсивными источниками характерного люминесцентного излучения, которое расширяет арсенал возможных методов исследования дислокационной структуры.

- имеются методы получения крупных малодислокационных кристаллов этого материала, необходимых для проведения экспериментов по пластической деформации.

Научная новизна работы состоит в развитии и усовершенствовании измерительных и препаративных методов исследования дефектов структуры в полупроводниках; в установлении новых

закономерностей распределения дислокаций различных типов в пластически деформированных образцах, в нахождении устойчивых корреляций между типами введенных дислокаций и электронными свойствами исследованного материала; в формулировке на основании полученных данных новых представлений о механизмах движения и электронных свойствах дислокаций с различной структурой и атомным составом ядер.

Зашиваемые положения.

- принципы построения емкостного спектрометра глубоких уровней с широким динамическим диапазоном измеряемых времен релаксаций и оптимальным отношением чувствительность/разрешение;

- новая методика одновременного получения катодолюминесцентных изображений светящихся и несветящихся дислокаций;

- закономерности пространственного распределения соотношения дислокаций различных типов в индентированных образцах сульфида кадмия, в частности, обнаружение под индентированными базисными поверхностями с<и дислокаций базисной системы скольжения -и вывод, о качественном различии динамических свойств «-ир- дислокаций;

- установление корреляций между особенностями спектров емкостной спектроскопии глубоких уровней, свойств электропроводности, эффекта Холла, фотопроводимости, экситонного отражения, с одной стороны, и структурой введенных дислокаций, с другой;

- обнаружение аномально большой анизотропии электропроводности дислокационных кристаллов сульфида кадмия и ее объяснение различием в природе электрической активности краевых и винтовых дислокаций и их специфическим пространственным распределением в кристаллах с малоугловыми границами;

- использование установленных закономерностей и свойств как приемов. изучения электронных свойств дислокаций различных типов и сопутствующих дефектов; ]

- обнаружение необычных с точки зрения представлений теории деформационного потенциала электронных свойств локальных состояний, сопроэождавдих винтовые дислокации в с«, я их

интерпретация как донорных центров с большой решеточной релаксацией ;

- обнаружение метастабильности спеотров глубоких центров в дислокационном Сйя и установление связи этого явления с процессами , вызывающими явление деградации фотосопротивлений.

- обнаружение смещения энергетического положения экситонных линий вблизи дислокационных полос скольжения в с<Ю и его объяснение действием релаксгоованных на поверхности дальнодействующих деформационных полей, создаваемых скоплением одноименных дислокаций. *

Научна^ и практическая значимость заключается:

- в разработке новых методик и приемов выделения электронных свойств дислокаций конкретных типов в бинарных полупроводниках со структурой вюрцита, которые могут быть распространены на широкий класс объектов при дополнительных исследованиях их структуры.

- в расширении существующих представлений о структуре и электронных свойствах дислокационных полупроводников: в нахождении объяснения полярности микротвердости кристаллов типа вюрцита,

в обнаружении неожиданно важной роли и необычных свойствах локальных электронных состояний винтовых дислокаций.

- в усовершенствовании и развитии методов емкостной спектроскопии глубоких уровней, анализа дислокационной структуры, выращивания кристаллов, которые могут быть использованы как в научных исследованиях, так и в приложениях. В частности, параметры разработанного емкостного спектрометра позволили его применять для технологического контроля глубоких уровней в промышленных полупроводниковых структурах и микросхемах и он воссоздан и эксплуатируется в нескольких организациях.

Апробация работы: Материалы диссертации докладывались на 18 Всесоюзных и б международных научных конференциях и семинарах, в том числе:

ш и iv Всесоюзных совещаниях "Дефекты структуры в полупроводниках" (Новосибирск, 1978, 1984): IV и V Международных конференциях "Свойства и структура дислокаций в полупроводниках", САссуа,(Франция) 1983, Москва,1986); vm Международной школа по дефектам в кристалле, Щирк (Польша), 1988; Всесоюзной школе семинаре "Физики и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями",Черновцы, 1988; ш Всесоюзном совещании "Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников", Махачкала, 1986; и Всесоюзной конференции "Материаловедение халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников", Черновцы,1986; Всесоюзной конференции по физике полупроводников, Киев,1990; Первой российской конференции по дефектам в полупроводниках, С-Петербург, 1992; Международных конференциях- " Extended Defects In Semiconductors" Хольцхау (ФРГ), 1992; BlADS'93, Болонья(Италия) 1993.

Основые результаты опубликованы в 22 печатных работах , список которых приведен в конце автореферата.

Структура а объем диссертации. Диссертация содержит 360 страниц и состоит из оглавления, введения, семи глав, заключения и списка цитируемой литературы из 317 наименований. Основной материал диссертации изложен на 218 страницах машинописного текста и проиллюстрирован 20 рисунками неболмого формата, включенными непосредственно в текст по ходу изложения, 82 рисунками на отдельных листах и 5 таблицами.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ.

введении обоснована актуальность темы, сформулированы цельи задачи работы, научная новизна практическая значимость и основные положения, выносимые на защиту.

Первая глава глава диссертации содержит обзор литературных данных по исследованию структуры и электронных свойств дислокаций в полупроводниках. Кратко описаны структура ядер дислокаций и основные представления о причинах влияния дислокаций на электронные свойства полупроводников. Приведены примеры исследований, выполненных на германии и кремнии, которые пока-

зывают, что для этих материалов установлены достаточно однозначные корреляции между структурой ядра дислокации и их электронными свойствами. Представлены литературные данные о значительном различии в динамических свойствах, в величинах переносимого в процессе движения заряда, в характере взаимодействия с электронной подсистемой между дислокациями с различной структурой ядра в бинарных полупроводниках типа А2В6. Отмечается, в частности, качественное отличие динамических свойств дислокаций и дислокационной структуры в бинарных полупроводниках по сравнению с элементарными: в бинарных полупроводниках подвижность винтовых дислокаций значительно меньше подвижности краевых. Поэтому дислокации рапрострняются в виде узких полупетель, состоящих из коротких краевых и длинных винтовых сегментов. Вместе с тем, отмечается, что имеющиеся данные об электронных свойствах дислокаций бинарных полупроводниках были получены без учета реальной дислокационной структуры образцов. Поэтому и ни для одного из таких материалов нельзя составить непротиворечивую картину взаимосвязи изучаемого явления с конкретным типом дислокаций. Анализируются возможные пути решения этой проблемы и формулируется общий подход, состоящий в сравнительном изучении свойств образцов с направлено изменяемым соотношением числа, а точнее длин сегментов, дислокаций различных типов.

• В заключении главы детализируются задачи исследования, приводятся обоснования выбора методов и объекта исследования. В частности отмечается, что наиболее точная количественная информация о спектре и числе дислокационных состояний, может быть получена с помощью емкостной спектроскопии объемного заряда, которые хорошо сочетаются по масштабу пространственной чувствительности с методами катодолгаминесценции и наведенных токов (евю) в растровом электронном микроскопе. К указанным методам по пространственной чувствительности примыкают и методы, использующие оптическое возбуждение в спектральной области фундаментального поглощения. Важным достоинством этих методов является то, что толщина исследуемой приповерхностной области меньше, чем характерный минимальный линейный размер дислокационных петель, что позволяет принципиально разделять вклады отдельных дислокационных сегментов.

Вторая; глава диссертации посвящена общим вопросам техники измерений, получения и приготовления образцов. Основной ойъеы главы занимает описание оригинальных результатов автора по усоверпенствованига методов емкостной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках и выращивания кристаллов cas. В первом разделе главы приводятся сведения о физических основах емкостных методов и проделанной работе по их усовершенствовании Приводятся результаты математического моделирования кинетики захвата носителей заряда точечными и протяженными дефектами, которые позволяют из экспериментальных данных нззависимо оценивать величину постоянного барьера для захвата изолированными состояниями протяженного дефекта и величину переменного барьера, зависящего от степени заполнения последних. Эти результаты используются в дальнейаем в главе 6.

Описываются примененные в работе методы определения термо- и фотоэмисионных параметров центров: изотермической релаксации емкости (ИРЭ), термостимулированной емкости, нестационарной емкостной спектроскопии глубких уровней (dlts). Анализируются ограничения метода dlts и формулируются направления его совершенствования для применения к исследованию дислокационных оЗразцов.

Проведен сравнительный анализ различных корреляционных процедур, применяемых в методе dlts для определения постоянной времени эмиссии с глубокого центра. Результатами математического моделирования показано, что независимо от выбранного айда корреляционной весовой функции существует оптимальное время задержки начала обработки сигнала по отношению к начальному моменту процесса термоэмиссии, при котором достигается максимальное разрешение близко расположенных максимумов без заметной потери чувствительности. Сформулированы рекомендации по правильному выбору вида корреляционной весовой функции в зависимости от задачи эксперимента и корректной установке начальной фазы опорного сигнала в аналоговых спектрометрах с синхронным усилителем.

Кратко описаны Функциональная схема использованного в работе емкостного спектрометра и работа управляющих программ. Спектрометр имеет чувствительность дс/с порядка 10"* при частоте тестирующего сигнала 1 и 10МГц, диапазон длительностей запол-

нявкего импульса - КГМО^с, диапазон регистрируемых времен релаксации (О"3 - Ю*о в температурном интервале 20-450К с точность поддержания температурь! 0,02К или постоянной скоростью нагрева или охлаждения 0-10К/мин. Во втором разделе главы описана техника измерения электропроводности СЭП) и эффекта Холла (ЭХ). Измерения ЭХ проводились двухчастотным методом.

В третьем разделе описаны методика выращивания кристаллов сж и ее усовершенствование. Кристаллы выращивались на ориентирующую затравку без контакта со стенками ростовой ампулы по методу Маркова-Давыдова. Усовершенствование метода состояло во включении в конструкцию ростовой установки дополнительной печи, задающей повышенную температуру хвостовой части ампулы с источником легирующего компонента, а также в специальной конструкции сапфировой подложки, позволяющей за счет изменения направления роста уменьшить попадания нежелательных загрязнений из шихты. Приведены результаты, показывающие, что вариация стехиометрического состава в процессе роста с помощью разработанного метода позволяет получать кристаллы- сая с заданным удельным сопротивлением от 0,1 до 1012 Он см. В четвертом и пятом разделе описаны методики приготовления образцов, нанесения контактов, составы травителей, а также общие сведения о методах применения растровой электронной микроскопии для анализа дислокационной структуры .

Третья глава диссертации посвящена исследованию роли ростовых дислокаций в формировании электрических свойств исходного и пластически деформированного С(Ю. Проведенные структурные исследования выращенных кристаллов сав подтвердили ранее отмечавшийся факт, что ростовые дислокации в них сосредоточены в малоугловых границах (МУГ), прорастающих в единственном направлении оси шестого порядка. В первом разделе главы приведены результаты, демонстрирующие геттерирующее действие МУГ. Эффект концет рирования примесей МУ-границами проявляется! в интенсивном сигнале М-ТБ при наличии МУГ под шоттки-контактом и его практически полном отсутствии на свободных от дислокаций участках! б своеобразном профиле Ешс-контраста ростовых дислокаций, а также в понижении подвижности, определяемой из изме-

рений эффекта Холла и электропроводности (ЭП) припротекании тока поперек МУГ. Установленный факт, что в кристаллах cas большинство дефектов с глубокими уровнями в верхней половине запрещенной зоне сконцентрированы вблизи МУГ, открыл возможность решению проблемы выделения в чистом виде спектра электронных состояний дислокаций, вводимых пластической деформацией, проведением измерений методами емкостной спектроскопии на Шоттки-контактах малой площади, нанесенных на участки поверхности образцов, свободных от МУГ.

Во втором разделе методами избирательного травления и катодо-люминесцекции демонстрируется, что МУГ являются источниками и препятствиями движению дислокаций, вводимых пластической деформацией. Показано, что при объемной деформации образцов в призматической системе скольжения пространственное распределение краевых и винтовых дислокаций анизотропно-неоднородно! краевые дислокации накапливаются вблизи МУГ, а винтовые - в остальном объеме материала.

Третий раздел главы посвящен исследованию электрических свойств кристаллов cas, пластически деформированных в призматической системе скольжения. Приведены данные экспериментов образцов с различным исходным удельным сопротивлением и плотностью МУГ. Установлено, что в образцах с концентрацией неском-пенсированных доноров, Nd-NA, больше !017си~®, эффект пластической деформации состоит, в основном, в уменьшении Холловской подвижности без качественного изменения вида температурной зависимости ЭП. В образцах с Nd-NA s 10" см"3 ЭП резко уменьшалась и приобретала после деформации активационную зависимость от температура с энергией активации около 0,7 эВ. В образцах с промежуточными значениями исходной Nd-NA ЭП резко уменьшалась только при протекании тока поперек оси с, в то время как продольном с направления ее уменьшение было незначительным и сохранялся близкий к исходному вид температурной зависимости. Как результат, такие образцы обладали аномально большой анизотропии электропроводности, достигающей при температуре 77К фактора 10". Из сопоставления о данными исследований дислокационной структуры сделан вывод, что происхождение анизотропии ЭП связано с сильной степенью компенсации в областях вблизи МУГ с повышенной плотностью краевых дислокаций и

отсутствием компенсирующего действия винтовых дислокаций. Малоеь суммарного линейного размера высокоомных областей по сравнению с размером образцов подтверждается нелинейностью их вольтамперных характеристик, начиная с малых приложенных напряжений, а также частотной зависимостью ЭП в перпендикулярных МУГ направлениях. Для объяснения нелинейных свойств ЭП привлекается теория нелинейной перколяционной проводимости неоднородных сред. Характерные масштабы пространственной неоднородности, полуенные по формулам этой теории из данных электрических измерений, хорошо согласуются с результатами структурных исследований. Измерения ЭП вдоль и поперек МУГ анизотропнопроводящих образцов были использованы в дальнейшей работе С гл. 5, б) для более детального изучения различия электрод ных свойств краевых и винтовых дислокаций.

ственного распределения дислокаций различных типов вблизи уколов индентора поверхностей кристаллов саэ методом катодо-люминесценции в растровом электронном микроскопе (И/РЭМ). Усиленная рекомбинация неравновесных носителей заряда через дислокационные электронные состояния в общем случае уменьшает интенсивность собственной люминесценции (СЛ) кристалла в спектральной области вблизи главного.экситонного максимума. Поэтому метод О/РЭМ при обычной панхроматической регистрации излучения образца не позволяет качественно различать между изображениями дислокаций различных типов. Принципиальная возможность качественно различать изображения краевых и винтовых дислокаций в спектрально-селективной моде появилась после недавних работ В.Д.Негрия (ФТТ, 1992, т. А, вып. 8,' с. 2462-2471,-jAppi.piiyi.iws у.74.р.700а ), в которых было убедительно показано, что при низ;сих температурах винтовые дислокации являются эффективными центрами излучательной рекомбинации, ответственными га появле ние серии узких люминесцентных полос с максимумом излучения, отстоящим примерно на 0,15 эВ от экситонного резонанса (т.н."дислокационная люминесценция", ДЛ). В первом разделе главы предложен простой метод управления спектральным составом регистрируемого неселективным приемником катодолюминеоцентвого излучения образца, основанный на

посвящена исследованию простран-

явлении самопоглощения люминесценции. Идея метода состоит б том, что СЛ в значительной мере поглощается вблизи места генерации, в то время как ДЛ проходит без потерь значительные расстояния и может выйти из кристалла, в частности, после отражения от задней поверхности образца. В диссертации приведена простая оптическая схема распространения ДЛ и СЛ в образце, поясняющая причины изменения спектрального состаза излучения при перемещении положения фокуса собирающего зеркала или изменении направления сбора излучения, а также подтверждающие эти соображения экспериментальные спектры КХ Микрофотографии, приведенные в диссертации, наглядно демонстрируют, что в сульфиде кадмия предложенный метод позволяет отличать изображения краевых и винтовых дислокаций с обычным для КЛ/РЭМ пространственным расрепением в несколько микрометров. Во втором разделе приведены результаты исследований дислокационной структуры индентировакннх образцов сульфида кадмия с помощью указанного метода. Пространственное распределение вглубь образца изучалось посредством послойного стравливания поверхностного слоя и вариацией ускоряющего напряжения электронного пучка РЭМ. Приведены 35 микроснимков КЛ-изображений дислокаций полученных при различных нагрузках и при различных скоростях опускания индентора на поверхности образцов с различной кристаллографической ориентацией.

Установлено, что винтовые дислокации, имеющие близкую к параллельной поверхности ориентацию и находящиеся в приповерхностном слое около 10 мкы, выходят на свободную поверхность образца в течение нескольких часов при комнатной температуре или а течение нескольких минут при температуре (00°С. Число винтовых дислокаций, лежащих под больпими углами поверхности в этих условиях изменяется незначительно. При исследовании иидентированных поверхностей (0001 )с<1 и (0001)5 ка глубине порядка глубины проникновения индентора в образец обнаружены КЛ-изображения дислокаций, распространяющихся г пгралелльных поверхности плоскостях, которые однозначно интерпретируются как изображения а- и е-дислокаций базисной системы скольжения. Их форма и пространственное распределение вокруг центра индентирования оказалось различными для кадмиевой и серной поверхности. Такие же дислокации были обнаружены в

лучах дислокационной розетки на непосредственно индентируемой поверхности, если ее ориентация отличалась от (0001) на несколько градусов.

Исследование КЛ-изображений дислокаций на иядентированных призматических поверхностях типа (1010) и (1210) выявило качественное различие в интенсивности люминесценции винтовых дислокаций а- и (.- лучзй дислокационных розеток, полученных при малья скоростях нагружения и ее выравнивание при быстром нагружеяии. Сопоставление о формой дислокационных петель в базисной плоскости привело к заключению о малости длины винтовых сегментов в полупетлях а-типа по сравнению с р. Из анализа получинных результатов с учетом имеющихся литературных данных сделан вывод, что движение краевых призматических и базисных е-дислокаций при любых скоростях их движения, и «-дислокаций при больших скоростях подчиняется механизму Пайерлса с низкими барьерами, в то время как при малых скоростях движение базисных а-дислокаций лимитируется точечными препятствиями.

Исходя из полученных данных, полярность • ыикротвердости кристаллов с<и и других родственных соединений со структурой вюрцита объяснена различием в динамических свойствах а- и р-диелокаций, двигающихся в параллельных индентируемой поверхности базисных плоскостях.

Глава 5 посвящена нахождению корреляций между формой от-спектров и типами дислокаций под измеряемым Шоттки-контактом. В ней использованы установленные в главах 3 и А закономерности изменения соотношения суммарной длины дислокационных сементов определенного типа в приповерхностной области пластически деформированного саэ в зависимости от ориентации исследуемой поверхности, толщины удаленного поверхностного слоя, наличия или отсутствия под Шоттки-контактом ыалоуговых границ, а также выдержи после деформации при комнатной или слегка повышенной температуре. Указанные закономерности суммированы в виде схем - упрощенных моделей дислокационной структуры, которые используются при интерпретации приведенных наборов наиболее представительных шл^-спектров. На рио. 1 показана схема распределения типов дислокаций, обра-

- « -

зувщихся при уколе индентора базисных поверхностей в проекции на плоскость (¡ОТО):

Рис. 1

ияш

[с:зи

а __дшдаПшПйлшшшшш

А. В.

Схема рио. 1а отражает установленный факт, что по мере снятия поверхностного слоя с точно ориентированной поверхностью (0001) доля краевых призматических дислокаций (вертикальные прямолинейные отрезки) по сравнению с винтовыми (горизонтальные отрезки) падает, а на больиой глубине доминируют дислокации базисного скольжения ( 1 ), которые под серной поверхностью есть о-дислокации, а под кадмиевой - э. Ближайпие к поверхности Бинтовые дислокации выходят на нее после низкотемпературного отжига. Если ориентация поверхности отличается от кристаллографической на угол ф, то лучи розетки с одной по одну сторону от центра индентирования (на рио. 1 в, сторона содержат преимущественно а- или е-дислохации, а также винтовые. По другую сторону (рис.1з, сторона базисные дислокации на поверхность не выходят и доминируют краевые призматические дислокации.

Сравнение изменения вида от- спектров под действием низкотемпературного отжига, при послойном стравливании, а также различий в ы-тв -спектрах, полученных от двух противолежащих лучей розетки на скошенной базисной поверхности позволило непротиворечиво выделить в них особенности, связанные с винтовыми, краевыми призматическими и в-базисными дислокациями. Результаты исследований индентированных призматических поверхностей и объемно деформированных образцов подтвердили первоначальные выводы. В частности, было установлено, что в областях между МУГ объемно деформированных образцов, Ш-Тв-сигнал винтовых дислокаций является доминирующим в спектре. Отсутствие

особенностей в спектрах от, связанных с а-дислокациями объяснено тем, что их уровень лежит в нижней половине запрещенной зоны, недоступной для исследований этим методом.

Для ряда от-макимумов явных корреляций с каким -либо типом дислокации обнаружить не удалось. Вместе с тем, была установлено закономерное уменьшение амплитуды этих максимумов при удалении от центра индвнтирования, нормированное на величину ш.тя-сигнала винтовых дислокаций. Для объяснения этой закономерности было выдвинуто предположение о различии в составе дефектов, оставляемых краевыми и винтовыми дислокациями, рис.2 !

При распространении дислокационной петли от источника I происходит ее ' '

расширение от положения 1 к положения 2, как показано на рис. 2а. 1 Из рис.2в видно, что число дефектов на единицу длины винтовых дислокаций оледах краевых дислокаций ^возрас- 1 тает, а число дефектов в следах винтовых напротив, падает.

В конце главы приведена таблица параметров и сводка данных о происхождении глубоких центров (ГЦ)в дислокационном с<к. В таблице тюах - температурное положение ит-максимума при фиксированном темпе термоэмиссии, е„- 3,65 Гц , ес-еь - энергия термической ионизации уровня, -эффективное сечеиие захвата электронов ы™- максимальная концентрация центров от уровня концентрации нескомпенсированных доноров ый+ » ^-Ыд, обнаруженная в образцах.

Таблица. 1. Термоэыисионные параметры ГЦ в дислокационном cds.

Обозначение ГЦ Т шах Ec-Et oj max, , Nt /N¿

Mi 96 0,20*0,015 3,6 10" it 0,025

М2 (D1) 123 0, 2S±0,015 7 10"u 0,001

МЗ CDI') 15? 0,36*0,02 i ю-» 0,0015

МЛ (II) 176 0,37*0,01 1 10"u 0.002

М5 (D2) 197 0,40*0,01 5 10-,s 0,25

Мб (d3) 226 0.53±0.025 1.4 10" 13 0,002

М7 (I»') 253 0,63*0,03 4 10"13 0,003

MS (D4) 276 0,66*0,03 1,6 10* <3 0,03

U9 (d6*) 293 0,72*0.03 2,2 10' 13 0,01

mío 319 0,75*0,02 1.4 1СГ 14 0,01

МП (12) 355 0,80*0,08 1,1 10" 13 0,01

M12CD8) 393 0,93*0,05 5 lO"14 0,01

MI3(ds') 432 0,98*0,05 8 10",s 0,05

М14 (MS2) 490 1,29*0,02 4 10'" 0,25

ГЦ М1, М4, М11 относятся к дефектам в ра..«ичных образцах бездислокационного материала.

ГЦ М2. МЗ. Мб и М8 интерпретированы как дефекты в следах движения винтовых дислокаций; М5 - как донорный дефект, окружающий винтовые дислокации; W7 и бесструктурный сигнал dlts в широкой температурной области 220-350К - как дефекты, сопровождающие краевые призматические дислокации; М9 и М13 - как нестабильные акцепторные комплексы дефектов, возникающие при движении дислокаций. М12-уровень ГЦ, относящийся к базисным е-дислокациям,- М14 - уровни акцепторных дефектов, которые сосредоточены вблизи краевых дислокаций как базисного, так и призматического скольжения.

В шэртой главе диссертации представлены результаты исследования особенностей электронных свойств дисло/ациокного сульфида, обусловленных дефектами с наибольшей концентрацией -дефектом, окружающими винтовые дислокации (М5, SD-центр) и дефектами, окружающими краевые дислокации (М14, MS2 -центр).

Исследования выполнены комплексом методов емосткой спектроскопии, электропроводности, эффекта Холла и фотопроводимости. Первый раздел главы посвящен изложении результатов исследований ер-центра и его проявлений в электрических и фотоэлектрических свойствах пластически деформированного сульфида кадмия. Обнаружено, что этот центр иуеет термоактивируемое сечение захвата электронов. Кинетика захвата электронов БО-центрами не носит чисто экспоненциального характера и характеризуется увеличением мгновенной постоянной времени релаксации примерно на порядок величины при увеличении степени его заполнения от 0,1 до 0,9. Темп термоэмиссии электронов с центра возрастает при увеличении электрического поля, но изменяется значительно слабее, чем это предсказывает теория для простого кулоновского потенциала , что свидетельствует о малом радиусе действия потенциала БП-цантра. Из измерений спектра фотоемкости и термостимулированной емкости с применением предварительной засветки образца светом с различными энергиями квантов была определена пороговая энергия оптической ионизации Бй-центра (0,9 эВ), которая более, чем в два раза превосходила, энергию его термической ионизац::и (0,4 эВ).

Исследования электропроводности, эффекта Холла и фотопроводимости пластически деформированных анизотропнопроводящих образцов обнаружили качественное различие между их свойствами при протекании тока вдоль и поперек оси с. При протекании тока вдоль оси с, когда согласно результатам гл. 3 ЭП определяется областям образца с преобладающими винтовыми дислокациями, фотовозбуждение образцов с энергиями квантов больше I эВ приводило к появлению остаточной проводимости сохраняющегося типа. Подробное исследование этого явления показало, что энергия активация процесса захвата, пороговая энергия фотоиони-гации и концентрация центров, его вызывающих, прекрасно совпадает с параметрами БО-центров, определенных из емкостных измерений. Холловкая подвижность в случае, когда во-цонтры были пусты, оказалась меньше, чем когда они были заполнены электронами, что явилось прямым подтверждением донорного характера центров.

С учетом.установленного из Холловских данных факта заметного увеличения концентрации свободных электронов при опус-

тоиении 5г>-центров было скорректировано уравнение баланса, отмывающее кинетику процесса захвата электронов йо-центрами и получено его аналитическое решение. Результаты подгоночной процедуры экспериментальных данных кинетики захвата электронов БО-центрами с полученной теоретической формулой показали хорошее согласие. Они позволили с большей точностью определить величину барьера для захвата электронов БР-центрамн (Ец-0.33*0.01 эЗ), сечение захвата о • 2»10'см? равновесную глубину их залегания Ее = 0.0710.01 эЗ, а также приведи к выводу о препышгнии локальной концентрации БО-центров у винтовых дислокаций значения концентрации исходных нескомпенсирован-ных доноров.

В обсуждении результатов отмечено сходство параметров 50-центра с хорошо изученным ОХ-центром в полупроводниках АэВ3, что привело к предположению об общности их происхождения и гипотезе о тс«, что бо-центр является исходно мелким донором, электронная структура которого изменена искажениями решетки вблизи дислокации. Из этой гипотезы, в частности, следует, что можно ожидать появление 50-подобных центров на винтовых дислокациях и в других бинарных полупроводниках с тетраэдрической координацией. Кроме того, отмечено, что концентрация Бй-центров настолько велика, что можно ожидать его проявлений во многих других свойствах дислокационных образцов.

Второй раздел главы посвящен изучению явления метастабиль-ности глубоких уровней дефектов, сопровождающих краевые дислокации, которая проявляется в изменении вида пт-спектров, кривых темостимулированной емкости (ТСЕ), спектров фотоемкости (ФЕ) и фотопроводимости СФП) в зависимости от начальных условий заполнения урозней при низкой температуре, задаваемых величиной приложенного к Шоттки-диоду смещения при охлаждении образца или длительным освещением светом энергией квантов больше половины запрещенной зоны. Эффект был зарегистирован как на пластически деформированных образцах, так и при напылении Шоттки-коягактов на участки поверхности исходных образцов со скоплением ростовых дислокаций. В пьтв-измерениях проявлялся в появлении дополнительного сигнала после охлаждения образца с включенным напряжением обратного смещения диода (состояние "охлажден со смещением "(ОС), уровня пусты) по сравнении с сиг-

налои, полученным после охлаждения образца с нулевым или небольшим напряжением в прямом направлении Шоттки диода (состояние "охлажден с нулевым смещением"(ОНС), уровни заполнены). Разность спектров dlts, полученных при двух указанных условиях охлаждения представляла собой уширенный DLTS-ыаксимум, обозначзнный как ms1, температурное положение которого смещалось при изменении окна регистируемой скорости термоэмиссии как для обычного глубокого центра и зависимость постоянной времени релаксации от температуры в координатах Аррениуса хорошо укладывалась на прямую с энергией активации 0,6-0,7 эВ. На кривых ТСЕ, снятых в состоянии ОС после подачи короткого заполняющего импульса при низкой температуре появлялась дополнительная ступенька, которая по своему термическому положению с учетом скорости нагрева хорошо коррелировала с разностным Di-TS-максимумок msi . Одновременно в состоянии ОС исчезала высокотемпературная ступенька ТСЕ ms2, наблюдавшаяся в состояни ОНС и соответствующая высокотемпературному dlts-максимуыу Mi В спектрах ФЕ в состоянии ОС появляется ступенька с пороговой энергией 0,65 эВ, по величине совпадающая со ступенькой ТСЕ. Кроме того, оказалось, что длительное, в течение болг э часа, освещение образца с энергиями квантов более !,2 эВ приводит при низкой температуре к переходу из состояния ОНС в состояние ОС. Подтверждение результатам емкостных методов было найдено в измерениях ФП анизотропно проводящих образцов при протекании тока поперек оси с, при которых, как указывалось выше, электропроводность определяется компенсированными областями скоплений краевых дислокаций. Полученные зависимости величины сигналов msi и ms2 от числа ростовых дислокаций и степени пластической деформации оказались монотонно возрастающими.

Исследование кинетики заполнения комбинацией термо- и фото-стимулированных емкостных методов выявило термоактивированный характер захвата электронов на состояния MS2 с энергией активации 0,3-0,А эВ и его немонотонный характер дчя переходов msi i увеличение степени заполнения ms2 сопровождается уменьшением величин сигналов, соотвжтвующих msi. Сравнение параметров обнаруженного явления с литературными данными выявило их совпадение с параметрами центров, ответст-

венных за хорошо известное явление фотодеградации фотосопротивлений из высокоомного cas. Тем самым впервые показана важная роль дислокаций в явлении фотодеградации. При обсуждении возможного механизма мотастабильности вначале рассмотрена модель взаимовлияния двух независимых дефектов посредством изменения локального положения уровня Ферми при заполнений одного их них . Анализ этой модели, согласно которой скопление вблизи дислокаций дефектов ms2 акцепторного типа при захвате электронов создает макроскопический кулоновский барьер, который препятствует заполнению локальных уровней msi, расположенных пространственно вблизи ms2, приводит к выводу, что в этом случае постоянная времени захвата более мелким уровнем ms1 должна изменяться при изменении степени заполнения более глубокого ms2. Проведенные эксперименты показали, напротив, неизменность характерного времени заполнения msi от степени заполнения msz. Поэтому для объяснения обнаруженной метастабильности привлекается модель двух электронных состояний, локализованных на одном и том же дефекте, которые различаются по своему заряду и/или конфигурации. Под изменением конфигурации понимается изменения структуры дефекта, вызванные как локальными смещением составляющих дефекта из узельного в междуузельное положение при его перезарядке , так и уходом этой составляющей в свободное состояние, не образующее нового глубокого уровня. В качестве одной их возможных моделей конфигурационно неустойчивого центра рассматривается модель двух-зарядного центра и приводится соотвествующая диаграмма конфигурационных координат. Также обсуждаются возможные реакции образования и развала комплексов, привлекаемые ранее для объяснения явления фото деградации.

В заключении отмечается, что конфигурационная неустойчивость дефектов, привлеченная в. настоящей работе для объяснения особенностей как sd-центров, так и ms2 -центров, с учетом ранее установленного из диффузионных экспериментов факта о повышенной подвижности атомов вблизи дислокаций служат указанием на то, что перемещения атомов, происходящие при перезарядке центров, независимо от их масштаба происходят вблизи дислокаций с большей вероятностью, чей в неискаженной решетке. Поэтому некоторые дефекты, устойчивые в идеальной решетке.

могут приобрести способность изменять свою конфигурацию при перезарядке, если оказываются вблизи дислокаций, и можно ожидать, что метастабильные свойства, подобные обнаруженным в с<к, будут найдены и в других материалах.

В седьмой главе описываются результаты экспериментального и теоретического исследования изменения спектрального положения зкситонных линий вблизи компактных групп преимущественно одноименных дислокаций - т.н."полос скольжения".

Прямые экспериментальные измерения с пространственным разревением дислокационных образцов с различным удельным сопротивлением показали, что спектральное положение зкситонных линий отражения и люминесценции изменяется в направлении, перпендикулярном полосам скольжения и связано с далькодейству-ювдми упругими полями дислокаций. Основной нетривиальный результат состоит в том, что относительное спектральное смещение линий отражения А и В экситонов в образцах с базисными и призматическими дислокациями оказывается качественно различным, несмотря на то что главная неубывающая компонента тензора деформаций, определяемая направлением вектора Бюргерса, для обеих систем скольжения совпадает.

Проведен расчет деформационных смещений энергетического положения эксцтонов на основании теории деформационного потенциала и моделей полосы скольжения как бесконечного ряда краевых дислокаций в неограниченной среде и как по лубес ко не ч но го ряда, ограниченного свободной поверхностью, перпендикулярной плоскости скольжения. Сравнение результатов расчетов с экспериментальными данными показывает, что качественное согласие имеется только для модели полубесконечного ряда. Сделан вывод, что в спектральной области сильного поглощения деформационные эффекты дислокаций определяются релаксированными напряжениями сугубо поверхностного характера.

Основные результаты работы складываются из развития методики эксперимента, установления новых экспериментальных фактов и закономерностей, а также формулировке итоговых выводов и предположений.

1. Проведен анализ чувствительности, разрешающей способности и точности определения термозыисионных параметров глубоких центров метода релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках (от).

- показано, что разрешающая способность и отношение сигнал/ шум релаксационного спектрометра глубоких уровней по разному зависят от момента начала обработки сигнала релаксации посредством корреляционной процедуры по отношению к началу процесса релаксации ! независимо от выбранного вида корреляционной весовой функции существует оптимальное время задержки, при котором достигается максимальное разрешение близко расположенных максимумов без заметной потери чувствительности.

- сформулированы требования и приципы реализации емкостного релаксационного спектрометра с широким диапазоном измеряемых времен релаксаций и высокой чувствительностью и создана соответствующая им универсальная автоматизированная экспериментальная установка, позволяющая проводить комплексные исследования глубоких центров с использованием как термического, так и оптического возбуждения.

- развита методика корректного определения постоянных времен термоэмиссии из данных бьтб при использовании корреляционной весовой функции типа меандра для уровней, степень начального заполнения которых зависит от температуры, и предложен способ корректной установки фазы опорного сигнала в аналоговых спектрометрах с синхронным усилителем.

2. Предложен и реализован метод управления стехиометрическим составом и легирования в процессе роста неконтактирующих со стенками ростовой ампулы кристаллов сульфида кадмия.

3. Предложен простой метод управления спектральным составом регистририруемого неселективным приемником катодолвминесцен-тного излучения образца, основанный на явлении самопоглощения люминесценции. Показано, что в сульфиде кадмия предложенный метод позволяет отличать изображения краевых и винтовых дислокаций.

4. Методами избирательного травления, наведенных токов и катодолюминесценции проведено исследование дислокационной

структуры исходных и пластически деформированных образцов сульфида кадмия.

- найдены дополнительные подтверждения ранее полученным данным о том, что дислокации в cas распространяются в виде полупетель, длина винтовых сегментов которых во много раз превышает длину краевых, и что винтовые дислокации сохраняют высокую подвижкость при низких температурах и имеют тенденцию к выходу на параллельную им свободную поверхность образца (явление низкотемпературного отжига дислокационной структуры).

- установлены закономерности пространственного распределения соотношения дислокаций различных типов, возникающих при индентировании образцов сульфида кадмия с различными кристаллографическими поверхностями.

- обнаружено качественное различие в интенсивности люминесценции винтовых дислокаций в «- и р- лучах дислокационных розеток, полученных при индентировании призматических поверхностей с малыми скоростями нагружения и ее выравнивание при больших скоростях.

- обнаружено возникновение дислокаций базисного скольжения при индентировании базисных поверхностей. Установлены различия в форме и пространственном распределении о- и р-дкслокаций. Сделан вывод о том, что движение краевых призматических и базисных е-дислокаций при любых скоростях ' их движения, и «-дислокаций при больших скоростях подчиняется механизму Пайерлса с низкими барьерами, в то время как при малых скоростях движение базисных а-дислокаций лимитируется точечными препятствиями. Исходя из полученных данных, полярность микротвердости кристаллов cas и других родственных соединений со структурой вюрцита объяснена различием в динамических свойствах «- и дислокаций, двигающихся в параллельных индентируемой поверхности базисных плоскостях.

- установлено, что ыалоугловые границы (МУГ) в сульфиде кадмия являются эффективными источниками и стопорами движению дислокаций. Показано, ■ что при пластической деформации кристаллов cas с относительно небольшой плотностью МУГ происходит пространственное разделение краевых и винтовых дислокаций-, краевые дислокации накапливаются вблизи МУГ, а винтовые дислокации сосредоточены между ними.

5. Исследовано влияние пластической деформации на электропроводность монокристаллов сульфида кадмия с рзаличнш уровнем исходного легирования мелкими донорами и различной плотностьа малоугловых границ.

- обнаружено, что что в результате пластической деформации при скольжении дислокаций в призматических плосткостях некоторые образцы приобретают аномально большую анизотропию электропроводности - электропроводность вдоль оси с превышала поперечную на несколько порядков величины;

- установлены интервалы исходного удельного сопротивления и плотности МУГ, при которых возникает аномальная анизотропия электропроводности, и показано, что ее происхождение обусловлено различием в электрической активности винтовых и краевых дислокаций и их пространственным разделением при пластической деформации кристаллов с малоугловыми границами, -показано, что пластически деформированные образцы, обладащие анизотропией ЭД являются сильно электрически неоднородными. Их поперечная ЭП хорошо описывается представлениями теории нелинейной перколяционной проводимости. Характерные масштабы неоднородности, определенные из анализа электрических свойств образцов, хорошо согласуются с данными структурных исследований.

- показано, что измерения продольной и поперечной ЭП анизо-тропнопроводящих образцов позволяет выявлять различия в электрических и фотоэлектрических свойствах винтовых и краевых дислокаций.

6. Методом нестационарной емкостной спектроскопии (эт) проведено исследование спектра глубоких уровней в зависимости от числа и типа дислокаций в приповерхностной области образцов

СсЮ.

- установлено, что ростовые дислокации, сосредоточенные в малоугловые границы, приводят к интенсивному БШ-сигналу в широкой области температур, в то время как бездислокационные участки материала содержат, как правило, одиночные рьтБ-максимумы точечных дефектов с малой объемной концентрацией (менее 10"5 от уровня легирования мелкми донорами). Таким образом, в кристаллах еле большинство дефектов с уровнями в верхней половине запрещенной зоне сконцентрированы вблизи

малоугловых границ (!.!УГ). Геттерирующее действие МУГ также подтверждено наблюдениями особенностей контрастов наведенных токов в растровом электронном микроскопе (метод евю).

- обнаружены устойчивые корреляции между изменениями вида спектров от и соответствующими изменениями дислокационной структуры при изменении ориентации и послойном стравливании поверхности индентированных образцов, а также в результате низкотемпературного отжига. На основании полученных данных проведено разделение рьтв-спектров на составляющие по их принадлежности к тем или иным типам дислокаций, а также следам оставляемых ими точечных дефектов. Определены уровни залегания дефектов сопровождающих винтовые, краевые призматические, в-базисные дислокации, а также дефектов, оставляемых в следах винтовыми дислокациями.

Показано, что некоторые из приемов выделения сигналов дислокаций различных типов могут быть использованы и для других бинарных материалов со структурой вюрцита к сфалерита при их исследовании приповерхностно-чувствительными методами. Установлено, что среди многочисленных дефектов в дислокационном сульфиде кадмия имеются два главных, концентрация которых, по крайней мере, на порядок превышает все остальные: дефекты, окружающие винтовые дислокации, и дефекты, окружающие краевые дислокации.

7.Проведено подробное исследование дислокационного сульфида кадмия комплексом методов емостной спектроскопии, электропроводности, эффекта Холла и фотопроводимости, -обнаружено, что дефект, сопровождающий винтовые дислокации (50-центр), имеет термоактивируемое сечение захвата электронов и большую разницу в энергиях термической и оптической ионизации. Он имеет донорый характер и его присутствие в деформированных образцах обуславливает остаточную проводимость сохраняющегося типа. Кинетика его заполнения характеризуется уменьшением мгновенной постоянной времени релаксации примерно на порядок, что связано с превышением локальной концентрации 50-центров вблизи дислокаций концентрации некомпенсированных доноров в исходном образце.

Сделан вывод о важной роли Бй-цантров в других электронных

свойствах и явлениях, следующие из его необычных свойств и высокой концентрации.

Высказано предположение о природе возниковения этого центра, как неводородоподобное локальное электронное состояние донора, опустившееся из зоны проводимости в запрещенную зону под действием упругих деформаций дислокации. - обнаружено явление метастабчльности спектра глубоких электронных состояний, сопровождающих ростовые и свежевведенные дислокации в сульфиде кадмия, состоящее в изменении вида спектра в зависимости от условий заполнения при охлаждении образца. Показано, что параметры этого явления совпадают с параметрами хорошо известного процесса деградации фотосопротивлений. Показано, что метастабильные свойства обусловлены дефектами с уровнями вблизи середины запрещенной зоны, захват электронов которыми ограничиватся барьером. Перезарядка этих дефектов сопровождается их конфигурационной перестройкой, которая связывается с микроскопическими или макроскопическими перемещениями одного из элементов его атомного остова.

8.Обнаружено смещение энергетического положения экситонных линий отражения и люминесценции вблизи полос скольжения дислокаций в сульфиде кадмия. Показано, что наблюдаемое относительное смещение А и В экситонов не удается объяснить в рамках представлений теории деформационного потенциала в подели изотропного континуума. Наблюдаемое поведение экситонов хорошо объясняется качественно и количественно при учете поверхностной релаксации деформаций решетки, создаваемых дислокациями. Сделан вывод, что поверхностная релаксация напряжений должна учитывать при интерпретации оптических и фотоэлектрических явлений в спектральной области сильного поглощения.

Основые результаты опубликованы в следующих печатных работах ! 1.0. Ф. Зьшенко, Л. П. Страхов. Влияние пластической деформации на электропроводность монокристаллов сульфида кадмия.// ФТП,1976,Т.10, вып.11,с.2216-2218

2. 0. Ф. Вывенко, В. Т. Серегин. Способ выращивания монокристаллов сульфида кадмия.//1985, Авторское свидетельство № 1380304,

3.О.Ф.Вывенко,В. Т.Серегин. Способ выращивания монокристаллов сульфида кадмия.//1989, Авторское свидетельство № 1603850

4.О.Ф.Вывенко,В.Т.Серегин. Устройство для выращивания кристаллов.//1986,Авторское свидетельство № 1422950

5 .Ф.Вывенко.Н. Б. Самуйлова. Фотовольтаический эффект на дислокационных полосах скольжения в сульфиде кадмия.// ФТП,1980,Т.14, вып.5,с.997-1000

6.О.Ф.Вывенко,Б.В.Новиков,Л.П.Страхов, В.Г.Талалаев. Особенности оптических спектров экситонов cas вблизи полос скольжения дислокаций,// ФТТ, 1979,Т.21,вып.7,с.2058-2061

7 O.Vjvenko, Strain Induced effects of dislocations In CdS : Shift of excltonto line», photovoltaic effect.// Journal de Phya,( Paris) , 1983, V.44, suppl.No 9, C4-149 - C4-1S5

8 . O.F.V>venko , W.Scbrtiter, Folnt-defects clouds at low-angle boundaries In cadmium sulphide. //Phll.Mag. 1984, V.SONo 4 . Lll-Ш

9 .О.Ф.Вывенко, H.B.Ваалов, А.В.Тульев. Глубокие уровни, обусловленные дислокациями в CdS. // Изв. АН СССР, сер. физ. 1987, Т. 51, вып. 4,0.668-673.

10.О.Ф.Вывенко, А.В.Тульев. Анизотропия проводимости, обусловленная краевыми призматическими дислокациями в сульфиде кадмия.// ФТТ ,1987 ,Т.29 .выд.З ,с.855-857

11 . О.Ф.Вывешео, А.В.Тульев. Анизотропия проводимости в пластически деформированном сульфиде кадмия//В Сб. "Свойства и структура дислокаций в полупроводниках", 1989, Черноголовка, с.74-76.

12.Н.В.Базлов,0.Ф.Вьтенко, А.В.Тульев. Универсальный емкостной спектрометр для измерения параметров глубоких центров в полупроводниках и М. 0. П. -структурах. // ПТЭ .1987, вып. 3 , с. 176-180.

13 С. Э. Борисхин, 0. Ф. Вывенко, 0. Т. Новик, 0. А. Трофимов. Остаточная проводимость в кристалле CdS с полосой скольжения дислокаций. // ФТП ,1979 .Т.13 ,бып.4 ,с.665-669.

14 О J.Vjrvenfco. A-AJotr«to», A.G.KMebor. Metastabllity of a dislocation-related center in CdS // Proc. of the VJlIth Jnt. School on Defects In Semiconductors, 1988, Szcyrk, Poland, p. SI

15 Н.В.Базлов,0.Ф.Вывенко, А.А.Истратов. Автоматизированный емкостной спектрометр для исследования глубоких центров в полупроводниках.// ПТЭ , 1990,вып.6 ,с. 159-164.

16.0.Ф.Вывенко, А.А.Истратов, А.Г.Хлебов. Метастабильность дефектов, связанных с дислокациями в сульфиде кадмия.// ФТП, 1989 ,Т.23 ,вып.8 ,с.1521-1524.

17.0.Ф.Вывенко, А.А.Истратов, А.Г.Хлебов. Двухзарядный метастабильный центр, обусловленный дислокациями в cas. // ФТП ,1990 ,Т. 24 ,вып.9 ,с.1650-1658.

18. 0. Ф. Вывенко,Н.В.Базлов, С.Л.Целищев. Об определении энергии ионизации глубоких уровней из данных dlts. // ФТП . 1990 ,Т.24 ,вып.12 ,с.2208-2210. 19 О.Ф.Вывенко.А.В.Тульев. Нелинейная перколяционная проводимость в дислокационном Cds,// ФТТ ,1991 ,Т.33, вып.7 ,с.1650-1658.

20.О.Ф.Вывенко, А.А.Истратов. Оптимизация корреляционной процедуры в методах термостимулированной релаксационной спектроскопии полупроводников.// ФТП ,1992 ,Т.2б ,вып.10, с. 1693- 1700 .

21. O.F.Vyvenko, AA.Istratov. A new method to Investigate separately the properties of screw and edge dislocations in И-Vl compound semiconductors. //Phys.Stat.Sol. (A). 1993, vol.138, p.71S-721.

22 . O.Vyvenko, A.Zozime, W^chroter. CL-imaging of dislocations In CdSi A new defocussed-mlrror technique.//Mater. Sci. Ing., 1994, B2i, plOS-III.

Подписано к печати 16.II.

Заказ 395 Тираж 100 Объем 1,75 п.л.

ПМЛ СПГУ

199034, Санкт-Петербург, наб. Макарова,6.