Фазовые и структурно-морфологические превращения тонких слоев металлов IVA, VA групп на поверхности кремния тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I.ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Закономерности окисления металлов.

1.1.1. Термодинамические условия и механизм окисления металлов.

1.1.2. Кинетические законы окисления и теории окисления.

1.1.3. Теории роста тонких оксидных пленок.

1.1.4.Закономерности формирования оксидных слоев на кремнии. Кинетики роста Si02 пленок.

1.1.5. Состав и структура оксида кремния.

1.2. Топохимические реакции восстановления в оксидных слоях. Взаимодействие тонких слоев металлов IVA, VA группы с естественным оксидом кремния на подложках кремния.

1.3. Механизмы формирования и морфология тонких слоев металлов на поверхности оксидов металлов.•„.,.

1.3.1. Механизмы роста пленок и поверхностные энергии.

1.3.2. Процессы, происходящие на поверхности во время роста пленок.

1.3.3. Термодинамические и кинетические доводы.

1.3.4. Теория зарождения и роста.

1.3.4.1. Уравнения скорости изменения плотностей кластеров.

1.3.4.2. Некоторые характерные особенности формирования тонких пленок на начальных стадиях роста при конденсации на нейтральные и кристаллические подложки.

1.3.5. Взаимодействия металл-оксид.

1.3.6. Различные типы роста металлических покрытий на ТЮ2.

1.3.7. Межфазная реакционная способность для металлов на ТЮ2.

1.3.8. Структурные особенности тонких слоев металлов на поверхности оксидов металлов.

1.3.8.1. Структура.

1.3.8.2.Температурная стабильность покрывающих пленок;"обволакивание".

1.4. Закономерности образования силицидов металлов VIII группы. Влияние тонких межфазных слоев металлов IVA, VA группы на формирование эпитаксиальных силицидов VIII группы на кремнии.

Актуальность.

Закономерности протекания процесса формирования пленок, который является многостадийным и сопровождается фазовыми, морфологическими, ориентационными и структурными превращениями, зависят от многих физико-химических факторов. Результаты многочисленных экспериментальных исследований свидетельствуют о том, что особенности гетерогенного зарождения и роста пленок в различных комбинациях материалов пленки и подложки в первую очередь определяются характером их взаимодействия на межфазной границе подложка - пленка. Часто наблюдаемая неповторяемость многих физических свойств тонких пленок обусловлена их различного рода неоднородностями, связанными с высокой чувствительностью процессов зарождения и роста к изменениям потенциального рельефа поверхности подложки, вызванным наличием различного рода дефектов, загрязнений, которые, влияя на структуру и энергию границы раздела, могут не только изменить тип энергетически выгодных положений соответствия для данной пары пленка - подложка, но и воспрепятствовать эпитаксиальному росту вообще. В частности, естественный оксид кремния, толщиной ~ нескольких монослоев, обычно присутствующий на поверхности монокристаллического кремния и который трудно избежать, подавляет образование эпитаксиальных силицидов ряда металлов VIII гр. (Со, Ni, Pt и др.), высоко чувствительных к присутствию на поверхности кремния естественного оксида, и используемых как проводящие слои или внутренние контакты при формировании интегральных приборов. В этом случае на кремнии формируется поликристаллический слой силицида с шероховатой и волнообразной межфазной поверхностью. Для гомогенного зарождения и роста эпитаксиального силицида этот слой необходимо удалить, не нарушая структуру поверхности кремния. Обычно это осуществляют химической или плазмохимической обработкой кремниевых пластин или высокотемпературным отжигом (~1000° С), что технически сложно и, кроме того, не эффективно, т.к. тонкий слой оксида кремния на чистом кремнии вырастает за время менее нескольких минут, даже при давлениях окислителя много меньше атмосферного.

Взаимодействие тонких слоев металлов IVA, VA групп с естественным оксидом кремния на подложках Si представляет в настоящее время большой интерес, т.к. они обладают способностью без повреждения структуры поверхности кремния восстанавливать естественный оксид кремния и образовывать соответствующие оксиды металлов: свободная энергия |-ÄG| образования оксидов металлов IVA, VA групп ( Ti, Nb, V ) в расчете на атом кислорода существенно выше, чем свободная энергия образования SiCh [57].

В ряде исследований по влиянию тонких межфазных слоев металлов IVA, VA гр. на формирование эпитаксиальных силицидов на кремнии указывается, что полученные металлические оксиды сплошные и препятствуют диффузии металлических частиц в кремний [103-107]. Тем не менее, в некоторых работах, например [105] предполагают, что атомы металлов VIII группы достигают поверхности Si сквозь тонкий (<50А) слой оксидов металлов IVA, VA групп посредством диффузии и межостровкового проникновения. Однако отмечают, что точные детали и механизмы этого процесса еще не ясны. Таким образом, выявление восстановления естественного оксида кремния этими металлами, а затем формирования трехмерных островков оксидов металлов на кремнии с естественным оксидом, как условие образования чистых участков кремния и беспрепятственного эпитаксиального силицидообразования, является актуальной и современной задачей исследования.

Важный вопрос как экспериментальных, так и теоретических изучений, а также применений систем металл - оксид - это соотношение между структурой и активностью межфазной поверхности металл - оксид и механизмы роста сверхтонких металлических (оксидных) слоев, т.е. как химия межфазной поверхности влияет на морфологию пленки на начальных стадиях роста. Трудность выявления такого рода закономерностей обусловлена необходимостью тщательно контролировать состав химически активных пленочных покрытий на протяжении всего эксперимента, что осуществимо только в сверхвысоковакуумных условиях с применением электронноспектроскопических методов иследования (XPS). Вместе с тем, информацию о структуре и морфологии пленок обычно получают электронно-микроскопическими методами ex situ, причем исследование начальных стадий роста пленок (<50А), как правило, ограничено разрешением микроскопа. Поэтому так важно еще изучить возможность применения электронноспектроскопических методов для исследования структуры и морфологии тонких пленок на кремнии.

Кроме того, металлические пленки начальных стадий роста на оксидах представляют самостоятельный интерес как объекты с особыми физико-химическими свойствами. Они находят широкое применение в области катализа, химических сенсоров, оптоэлектронике, микроэлектронных приборов и соединений металл-керамика.

Целью настоящей работы было исследование закономерностей формирования состава, морфологии металлических оксидов, образованных взаимодействием тонких слоев металлов IVA, VA групп ( Ti, V, Nb ) с поверхностным естественным оксидом кремния, и одновременного появления чистых участков кремния, а также выяснение механизмов роста тонких оксидных слоев этих металлов на начальных стадиях их формирования и зависимость этого процесса от различных физико - химических факторов.

Научная новизна.

1. Обнаружено формирование трехмерных островков оксидов металлов Ti, Nb и V на кремнии с естественным оксидом на начальных стадиях роста от монослоя до нескольких монослоев. При увеличении степени покрытия кремниевой подложки оксидами металлов их состав меняется от оксидов с наибольшей степенью окисления (ТЮг, ТЧЬгСЬ, V2O5) к оксидам с меньшей степенью окисления (TiO, VOx, NbOx). Изменение состава оксидов коррелирует с изменением морфологии оксидных пленок. Определена максимальная толщина пленки оксидов металлов TiO, VOx, NbOx в виде трехмерных островков, при которой происходит переход к послойному росту оксидной пленки. Перераспределение вещества вдоль поверхности подложки при толщинах, соответствующих переходу к послойному росту сопровождается структурной перестройкой оксидного покрытия с образованием гексагональных структур.

2. Сравнение процессов восстановления естественного оксида кремния металлами (Ti, Nb, V) с разной химической активностью и различной массой атомов, а также образования островков оксидов этих металлов выявило, что наиболее активно эти процессы протекают в случае с Nb.

3. Установлено, что тонкий (<2.0нм) межфазный слой химически активного металла IVA группы Ti в трехслойной системе Ni/Ti/Si после восстановления естественного оксида кремния становится слоем оксидов металлов ( TiO и ТЮг), который частично ограничивает диффузию атомов металла VIII группы Ni к кремнию. Определено, что начало эффективной диффузии металла VIII группы Ni к кремнию обусловлено переходом сплошного слоя оксидов титана TiO и ТЮг к слою в виде трехмерных островков ТЮг.

4. Обнаружено влияние кристаллической структуры кремния (100) и (111) на различия в составе образующихся в результате твердофазной реакции восстановления естественного оксида кремния оксидов ниобия.

5. Получены условия изменения механизма роста от островкового к послойному. Выявлены режимы напыления металлов, при которых степень восстановления поверхности кремния составляет максимальную величину.

6. Обнаружено, что одновременно с образованием островков оксидов металлов появляются участки чистого кремния, не покрытые ни естественным оксидом, ни оксидами образующихся металлов. Степень восстановления поверхности кремния, определенная как

I(Si/SiO2.x)/Io(Si/SiO2.x)-l]xl00%, в случае ниобия достигает 20%.

7. Впервые установлено, что при некоторых условиях напыления металлов смена механизма роста металлических оксидов от островкового к послойному носит периодический характер.

Практическая значимость. Полученные в диссертации экспериментальные результаты и модельные представления о росте тонких оксидных слоев металлов IVA, VA групп на кремнии, покрытом слоем естественного оксида могут найти применение в разработке многих современных технологических процессов.

Предварительное нанесение тонких слоев этих металлов на кремний может быть использовано для получения эпитаксиальных силицидов металлов VTII группы, которые имеют очень низкое сопротивление и хорошую стабильность и, в силу этого, чрезвычайно перспективны как контактные системы и внутренние соединения в интегральных приборах микроэлектроники.

На защиту выносятся следующие положения и результаты диссертационной работы: - результаты исследований влияния тонких межфазных слоев металлов IVA, VA групп (Ti,Nb, V) на процесс образования силицидов металлов VIII группы (Ni) на кремнии с естественным оксидом,

- результаты исследований топохимических реакций восстановления естественного оксида кремния металлами Ti, Nb, V фазового состава образующихся оксидов,

- результаты исследований формирования трехмерных островков оксидов металлов (Ti, Nb, V) и участков чистого кремния на кремнии с естественным оксидом на начальных стадиях роста от монослоя до десятков монослоев,

- условия и характер изменения механизмов роста от островкового к послойному,

- результаты исследований влияния кристаллической структуры кремния (100) и (111) на различия в фазовом составе образующихся в результате твердофазной реакции восстановления естественного оксида кремния, оксидов ниобия,

- особенности восстановления естественного оксида кремния металлами Ti, V, Nb с разной химической активностью по отношению к кислороду и различной массой атомов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Применение метода РФЭС в сочетании с широким применением современной компьютерной обработки спектров и визуализации данных на быстродействующем персональном компьютере IBM PC с микропроцессором "Pentium" позволило исследовать морфологию и фазообразование оксидов металлов на кремнии со слоем естественного оксида на первых стадиях напыления металлов от одного до нескольких монослоев.

1. Впервые определено, что на начальных стадиях (<0.7нм) атомы металлов (Ti, V, Nb) восстанавливают поверхность естественного оксида и растут в виде монослоя молекул оксидов металлов (Ti02, Nb2Os, V2Os) а затем в процессе дальнейшего напыления (<1.4нм) реализуются условия роста покрытий оксидов металлов в виде трехмерных островков. Формирование островков металлических оксидов сопровождается формированием как шероховатости естественного оксида кремния, так и чистых участков кремния. Изменение состава оксидных покрытий связано с изменением морфологии пленок оксидов металлов. Перераспределение оксидного покрытия по поверхности при толщинах больше ~1.4нм ведет к формированию плотноупакованной гексагональной полусплошной пленки оксидов металлов на поверхности кремния.

2. Показано, что эффективность топохимической реакции восстановления металлом естественного оксида кремния и образования трехмерных островков в ряду (V-Nb-Ti) возрастает не только с увеличением химической активности элемента, но также с увеличением атомной массы элемента.

3. Впервые установлено, что для восстановления естественного оксида и образования чистых участков поверхности монокристаллического кремния с целью беспрепятственного эпитаксиального роста силицидов металлов VIII группы ( Ni в данном случае) необходимо создать такие условия, при которых металлы, обладающие способностью восстанавливать естественный оксид кремния (IVA, VA группы ) после реакции восстановления кремниевой поверхности и образования соответствующих молекул оксидов собираются в трехмерные островки оксидов металлов.

4. В результате выявленных различий по составу островков оксидов ниобия обнаружено различие рельефа естественного оксида на кремнии с разной кристаллической ориентацией.

5. Несмотря на химические реакции, имеющие место в процессе напыления металлов, имеется диапазон толщин оксидных покрытий (от монослоя до 2-3 монослоев), в котором наблюдаются некоторые характерные особенности формирования тонких пленок на неактивных подложках на начальных стадиях роста: зародышевый механизм образования тонких слоев, процесс коалесценции на стадии островковой структуры, увеличения размеров островков с увеличением температуры подложки (или отжига системы) и с уменьшением скорости нанесения металла.

6. При изменении скоростей напыления металлов проявляется периодический характер образования трехмерных островков оксидов титана и чистых участков кремния.

7. Сделан вывод о том, что наблюдающийся периодический характер смены послойного роста и образования трехмерных островков оксидов металлов связан со структурой и морфология поверхности естественного оксида кремния, выпуклости которой служат центрами зарождения островков оксидов металлов.

1. Хауффе К. // Реакции в твердых телах и на их поверхности. // - М., Издательство иностранной литературы, ч.1, 1962, 415 с., ч.2, 1963, 275 е.2. // Окисление металлов. // под ред. Ж. Бенара. М., Металлургия, т.1, 1968, 499 е., т.2, 1969, 448 е.

2. Кофстад П. // Высокотемпературное окисление металлов. // М., Мир, 1969, 392 е.

3. Кофстад П. // Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов. // М., Мир, 1975, 396 е.

4. Бирке Н., Майер Дж. // Введение в высокотемпературное окисление металлов. // М., Металлургия, 1987, 183 е.

5. Kofstad Per // High temperature corrosion in single-reactant gaseous environments. // High Temp. Mater. Corros. Coal Gasifiat. Atmosph., London, New York, 1984, p. 1-57.

6. Wagner C. // Theoretical analysis of the diffusion processes determining the oxidation rate of alloys. // J. Electrochem. Soc., 1952, v.99, N 10, p. 369-380.

7. Rapp. Robert A. // The high temperature oxidation of metals, forming cation-diffusion scales. // Met. Trans., 1985, vol. B15, N 1-4, p.195-212.

8. Yurek Gregory J. // Mechanisms of diffusion-controlled high temperature oxidation of metals. // Corros. Mech., New York, Basel, 1987, p.397-446.

9. Gesmundo F. // The role of point defects in oxide scales in oxidation behavior. // Mater. Sci. and Eng., 1987, v.87, p. 243-250.

10. CabreraN., Mott N.F., 1949, Rep.Prog.Phys., v.12, p.163.

11. Dignam M.J., Young D.J. and Goad D.G.W., 1973, J.Phys.Chem.Solids, v.34, p. 1227.

12. Atkinson A., Philosoph. Mag. B, 1987, v.55, N 6, p.637-650.

13. Fromhold A.T. // Theory of Metal Oxidation. // 1976, v.l, Fundamentals (Amsterdam: North Holland).

14. Young D.J., Dignam M.J., 1973, J. Phys. Chem. Solids, v.34, p. 1235.

15. Atkinson A, 1985, Rev. Mod. Phys., v.57, p.437.

16. Blanc J., 1987, Phil. Mag. B, v.55, p.685.

17. Deal B.E., Grove A.S., 1965, J. Appl. Phys., v.36, p. 3770.

18. Massoud H.Z., Plummer J.D. and Irene E.A., 1985, J. Electrochem. Soc., v. 132, p.2685.

19. Fehlner F.P., 1972, J. Electrochem. Soc., v.l 19, p.1723.

20. Fehlner F.P., 1984, J. Electrochem. Soc., v. 131, p. 1645.

21. Fehlner F.P., 1985, Phil. Mag. B, v.52, p.729.

22. Srivastava J.D., Prasad M. and Wagner J.B.Jr., 1985, J.Electrochem. Soc., v. 132, p.955.

23. Rochet F., Agius B. and Rigo S., 1984, J. Electrochem. Soc., v.131, p.914.

24. Fehlner F.P., 1987, Phil. Mag. B, v.55, p.633.

25. Ishizaka et al., Surf.Sci., "Si-Si02 interface characterization by ESCA".

26. Grunthaner F.J., Grunthaner P.J., Vasquez R.P., Lewis B.F. and Maseijian J., and Madhukar A., 1979, Phys. Rev. Lett., v.43, N 22, p. 1683.

27. Banaszak Holl M.M., Lee S., McFeely F.R., 1994, Appl.Phys.Lett., v. 65, N 9, p. 1097.

28. Mazur J.H., Gronsky R. and Washburn J., 1983, Inst.Phys.Conf.Ser.No.67: Section 2, Paper presented at Microsc.Semicond.Mater.Conf., Oxford, p.77.

29. Hollinger G. and Himpsel F.J., 1983, Phys.Rev. B, v.28, p.3651.

30. Hollinger G. and Himpsel F.J., 1983, J. Vac.Sci.Technol. A, v.l, p.640.

31. Hattori T. and Suzuki T., 1983, Appl.Phys.Lett., v.43, p.470.

32. Grunthaner P J., Hecht M.H., Grunthaner F.J., and Johnson N.M., 1987, J.Appl.Phys., v.61, p.629.

33. Himpsel F.J., McFeely F.R., Taleb-Ibrahimi A., Yarmoff J.A., and Hollinger G., 1988, Phys.Rev. B, v.38, p.6084.

34. Niwano M., Katakura H., Takeda Y., Takakuwa Y., Miyamoto N., Hiraiwa A., and Yagi K., 1991, J. Vac.Sci.Technol. A, v.9(2), p.195.

35. Niwano M., Katakura H., Takakuwa Y., Miyamoto N, Hiraiwa A. and Yagi K., 1990 Appl.Phys.Lett., v.56, p. 1125.

36. Niwano M., Katakura H., Takakuwa Y., and Miyamoto N., 1990, J.Appl.Phys., v.68, p.5576.

37. Fuoss P.H., Norton L,J., Brennan S. and Fischer-Colbrie A., 1988, Phys.Rev.Lett., v.60, p.600.

38. Ourmazd A., Tailor D.W., Rentschler J.A. and Bevk J., 1987, Phys.Rev.Lett., v.59, p.213.

39. Ourmazd A. and Bevk J. // The Physics and Chemistry of Si02 and Si-Si02 Interface // edited by Helms C.R. and Deal B.E., 1988, (Plenum, New York).

40. Ohdomari I., Akatsu H., Yamakoshi Y., and Kishimoto K., 1987, J.Appl.Phys., v.62, p.3751.

41. Ohdomari I., Akatsu H., Yamakoshi Y., and Kishimoto K., 1987, J.Non-Cryst.Solids, v.89, p.239.

42. Niwano M., Kageyama J., Kurita K., Kinashi K., Takahashi I., and Miyamoto N., 1994, J.Appl.Phys., v. 76(4), p.2157.

43. Sugino R., Nara Y., Horie H., and Ito T., 1994, J.Appl.Phys., v. 76(9), p.5498.

44. Raider S.I., Flitsh R. and Palmer M.J., 1975, J.Electrochem.Soc., v.122, p.413.

45. Morrison S.R., 1990 // The Chemical Physics of Surfaces. //, (New York).

46. D'Anterroches C., 1983, Inst.Phys.Conf.Ser.No.67:Section2,Paper presented at Microsc.

47. Semicond.Mater.Conf., Oxford, p.77.

48. Krivanek O.L. and Mazur J.H., 1980, Appl.Phys.Lett., v.37, p.392.

49. Krivanek O.L., Tsui D.C., Sheng T.T., and Kagmar A., 1978, // The Physics of Si02 and its Interfaces // ed. Pantelides S.T., (Pergamon, New York), p.356-361.

50. Mazur J.H., 1983, Proc. 41th Annual EMSA Meeting (Phoenix).

51. Chamberlain M.B., 1978, J.Vac.Sci.Technol., v,15(2), p.240.

52. Tessler R.E. // Interfaces in metal matrix composites.// in: Composite Materials, ed. A.G.Metcalf, Academic, New York, 1974, v.l, p.285.

53. Акимов А.Г., Мачавариани Г.В. // Исследование окисления сплава Feo.75Cro.25 с помощью рентгеноэлектронной спектроскопии.//, 1980, Защита металлов, т.1, с.32.

54. WinogradN., Baitinger W.E., Amy J.W., 1974, Science, v. 184(4136), p.565.

55. Castle J.E., Nasserian-Riabi N., 1975, Corros.Sci., v. 15(9), p.537.

56. Sampath Kumar T.S., Hedge M.S., 1986, Appl.Surf.Sci., v.26(2), p.219.

57. Мьюрарка Ш. // Силициды для СБИС. //, 1986, Москва, изд."Мир".58. "Константы взаимодействия металлов с газами. Справочник.", 1987, Москва, изд."Металлургия".

58. Liehr М., LeGoues F.K., Rubloff G.W. and Но P.S., 1985, J.Vac.Sci.Technol. A, v.3(3), р.983.

59. Butz R„ RubloffG.W. and Ho P.S., 1983, J.Vac.Sci.Technol. A, v.l, p.771.

60. Pretorius R., Harris J.M. and Nicolet M.-A., 1978, Solid State Electron., v.21, p.667.

61. Bauer E., Z.Kristallogr.110 (1958), p.372.

62. Matthews J.W. (ed.) // Epitaxial Growth.//, 1975, New York, Academic Press.

63. Burton W.K., Cabrera N., Frank F.C., Phil.Trans.Roy.Soc., 1951, v.A243, p.299.

64. Mutaftschiev B. // Dislocations in Solids.//, 1980, v.5, chap. 19, Nabarro F.R.N.(ed.), North-Holland, Amsterdam.

65. Meinel К., Иаиа M„ Bethge H„ Phys.Stat.Sol.(a), 1988, v.l 10, p. 189.

66. Venables J.A., Spiller G.D.T., Hanbucken M., Rep.Prog.Phys., 1984, v.47, p.399.

67. Venables J.A., J.Vac.Sci.Tech., 1986, v.B4, p.870.

68. Lad R.J., Surf. Rev. & Lett., 1995, v.2, p. 109.

69. Henrich V.E., Cox P.A. // The Surface Science of Metal Oxides.//, 1994, Cambridge University Press.

70. Noguera C. // Physics and Chemistry of Oxide Surfaces.//, 1996, Cambridge University Press.

71. Madey Т.Е., Diebold U., Pan J.-M., in Springer Series in Surface Sciences 33, Eds: Umbach E., Freund H.-J., 1993, Springer-Verlag, Berlin, p. 147.

72. Diebold U., Pan J.-M., Madey Т.Е., Surf. Sei., 1995, v.331, p.845.

73. Zangwill A. // Physics at Surfaces.//, 1988, Cambridge University Press, New York.

74. Overbury S.H., Bertrand P.A., Somorjai G.A., Chem.Rev., 1975, v.75, p.547.

75. Pan J.-M., Madey Т.Е., J.Vac.Sci.Technol., 1993, v.All, p. 1667.

76. Reed T.B. // Free Energy of Formation of Binary Compounds.//, 1971, MIT Press.

77. Niehus H., Heiland W., Taglauer E., Surf.Sci.Rprts., 1993, v. 17, p.213.

78. Diebold U., Pan J.-M., Madey Т.Е., Phys.Rev., 1993, v.B47, p.169.

79. Pan J.-M., Diebold U„ Zhang L., Madey Т.Е., Surf.Sci., 1993, v.295, p.411.

80. Ernst K.H., Ludviksson A., Zhang R., Yoshihara J., Campbell C.T., Phys. Rev., 1993, v.B47, p.13789.

81. Peden C.H.F., Kidd K.B., ShinnN.D., J.Vac.Sci.Technol., 1991, v.A9, p.1518.

82. Moller P.J., Wu M.-C., Surf.Sci., 1989, v.224, p.265.

83. Pan J.-M., MaschhoffB.L., Diebold U., Madey Т.Е., Surf.Sci., 1993, v.291, p.381.

84. Sambi M., Pin E., Sangiovanni G., ZaratinL., Grenozzi G., Parmigiani F., Surf.Sci., 1996, v.349, L169.

85. Dake L.S., Lad R.J., Surf.Sci., 1993, v.289, p.297.

86. Onishi H., Aruga Т., Egawa C., Iwasawa Y., Surf. Sei., 1988, v. 199, p.54.

87. Murray P.W., CondonN.G., Thornton G., Surf.Sci., 1995, v.323, L281.

88. Steinruck H.-P., Pesty F., Zhang L., Madey Т.Е., Phys.Rev., 1995, v.B51, p.2427.

89. Prabhakaran K., Purdie D., Casanova R, Muryn C.A., Hardman P.J., Wincott P.L., Thornton G., Phys.Rev., 1992, v.B45, p.6969.

90. Campbell C.T., Faraday Trans., 1996, v.92, p.1435.

91. Hayden B.E., Nicholson G.P., Surf.Sci., 1992, v.274, p.277.

92. Lad R.J., Dake L.S., Mat. Res.Soc.Symp.Proc., 1992, v.238, p.823.

93. Haller G.L., Resasco D.E., Adv.Catalysis, 1989, v.36, p.173.

94. Sadeghi H.R., Henrich V.E., Appl.Surf.Sci., 1984, v. 19, p.330.

95. Pesty F., Steinruck H.-P., Madey Т.Е., Surf.Sci., 1995, v.339, p.83.

96. Mayer J.T., Diebold U., Madey Т.Е., Garfunkel E., J.Elec.Spec.& Rel.Phenom., 1995, v.73, N.l.

97. Zhang Z„ Henrich V.E., Surf.Sci., 1992, v.277, p.263.

98. DieboldU., ShinnN.D., Surf.Sci., 1995, v.343, p.53.

99. Gao Y„ Liang Y„ Chambers S.A., Surf.Sci., 1996, v.365, p.638.

100. Schierbaum K.D., Fischer S., Torquemada M.C., deSegovia J.L., Roman E., Martin-Gago J.A., Surf.Sci., 1996, v.345, p.261.

101. NG K.K., Lynch W.T., IEEE Trans.Electron.Devises ED-34, 1987, p.503.

102. Byun J.S., Kang S.B., KimH.J., Kim C.Y., ParkK.H., J.Appl.Phys., 1993, v.74(5), p.3156.

103. Liu P., Li B.-Z., Sun Z., Gu Z.-G., Huang W.-N., Zhou Z.-Y., Ni R.-S., Lin C.-L., Zou S.-C., Hong F., Rozgonyi G.A., J.Appl.Phys., 1993, v.74(3), p.1700.

104. Hoffman D.M., McGinn J.T., Tarns F.J., Thomas J.H., J.Vac.Sci.Technol., 1987, v.A5(4), p. 1941.106. van Gurp G.J., Langereis С., J.Appl.Phys., 1975,v.56, p.4301.

105. Liu R., Williams D.S., Lynch W.T., J.Appl.Phys., 1988, v.63, p. 1990.

106. Mayer J.W., Lau S.S., Tu K.N., J.Appl.Phys., 1979, v.50, p.5855.

107. Rozhanskii N.V., Lifshits V.O., Thin Sol.Films, 1997, v.292, p.307.

108. Rozhanskii N.V., Lifshits V.O., Phil. Mag., 1997, v.75, p.49.

109. Dass M.A., Fraser D.B., Wei C.S., Appl.Phys.Lett., 1991, v.58, p. 1308.

110. Hsia S.L., Tan T.Y., Smith P., McGuire G.E., J.Appl.Phys., 1991, v.70, p.7579.

111. Hsia S.L., Tan T.Y., Smith P., McGuire G.E., J.Appl.Phys., 1991, v.72, p.1864.114. // Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. // п/р Л.Фирмэнса, Дж.Вэнника, В.Декейсера, Москва, Мир, 1981, стр.350.

112. Новиков В.В. // Теоретические основы микроэлектроники. //, Москва, Высшая школа, 1972.

113. Shimizu S., Sasaki N, Seki S., 1993, Jpn.J.Appl.Phys., v.32(7A), p.L943.

114. Нефедов В.И., Черепин В.T. // Физические методы исследования поверхности твердых тел. //

115. Черепин В.Т. // Ионный зонд. //, Киев, Наук.думка, 1981.

116. Нефедов В.И. // Рентгеноэлектронная спектроскопия химических соединений.// Москва, Химия, 1984, 255 стр.

117. Нефедов В.И. // Применение рентгеноэлектронной спектроскопии в химии. // Строение молекул и химическая связь, т.1, Итоги науки и техники, ВИНИТИ, Москва, 1973.

118. Steeh D.J., Horgan W.F., Aldridge R.G., Waster J., Inorg.Chem., 1972, v.l 1(2), p.219.

119. Нефедов В.И. // Электронные уровни химических соединений. // Строение молекул и химическая связь, ВИНИТИ, Москва, 1975, с.23.