Фазовые и структурные превращения в диамагнитных материалах после воздействия слабых магнитных полей тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

На правахрукописи

ПОСТНИКОВ Валерий Валентинович

ФАЗОВЫЕ И СТРУКТУРНЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В ДИАМАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛАХ ПОСЛЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ

Специальность 01.04.07 - Физика конденсированного состояния

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Воронеж - 2004

Работа выполнена в Воронежском государственном университете

Научный консультант доктор физико-математических наук,

профессор Левин Марк Николаевич

Официальные оппоненты: Заслуженный деятель науки РФ,

доктор физико-математических наук, профессор Головин Юрий Иванович

доктор физико-математических наук, профессор Калинин Юрий Егорович

доктор физико-математических наук Шмурак Семен Залманович

Ведущая организация Московский государственный институт

радиотехники, электроники и автоматики МИРЭ А (технический университет)

Защита состоится « 21» сентября 2004 г. в 14 часов в конференц-зале на заседании диссертационного совета Д 212.037.06 Воронежского государственного технического университета по адресу: 394026 Воронеж, Московский проспект, 14

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Воронежского государственного технического университета.

Автореферат разослан

Ля

августа 2004 г.

Ученый секретарь диссертационного совета

Горлов М И.

2005-4

11901 ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Одной из основных задач современной физики конденсированного состояния является исследование отклика той или иной системы на внешние воздействия с целью создания материалов с заданными свойствами. Среди традиционных методов такого воздействия можно назвать, например, тепловые, радиационные, электрические, магнитные и др. Все они, заметно изменяя энергетическое состояние конденсированной системы, могут существенным образом влиять на физические свойства последней, приводя, в частности, к изменениям критических параметров фазовых переходов системы. Воздействие сильных (>10 Тл) магнитных полей, например, вызывает смещение температуры Кюри у сегнетоэлектриков [1,2] и существенное изменение пластических свойств щелоч-но-галоидных кристаллов [3]. Облучение высокоэнергетическими у-квантами структур металл-диэлектрик-полупроводник генерирует в них высокоэнергетические электронно-дырочные пары, не склонные к рекомбинации [4], что существенно изменяет электрические свойства системы. Воздействие неоднородных температурных полей приводит к возникновению в диэлектриках термополяризационных эффектов [5] Во всех перечисленных примерах энергия воздействия сравнима по порядку величины с тепловой энергией кТ (к - постоянная Больцма-на, Т - абсолютная температура) системы, поэтому понятны причины, вызывающие изменение тех или иных ее свойств.

Сравнительно недавно, однако, появились первые работы (см., например, [6]), в которых сообщалось об изменениях механических свойств у образцов инструментальных сталей после воздействия на них слабых (<1 Тл) импульсных магнитных полей (ИМП). Поскольку энергия (Цв - магнетон Бора, Я - напряженность магнитного поля), которую привносят такие поля в решетку кристалла, на несколько порядков величины меньше кТ(для разумных температур), сообщения о «каких-либо эффектах», вызываемых подобными воздействиями, вызвали поначалу совершенно естественную скептическую реакцию. Тем не менее, результаты исследований воздействия слабых импульсных и постоянных магнитных полей (ПМП) на конденсированные системы различной природы продолжали появляться в печати, находя многообразные и независимые подтверждения. Было обнаружено, например, что кратковременные воздействия ИМП могут инициировать долговременные структурные перестройки и связанные с ними изменения физических свойств у широкого класса немагнитных материалов. В качестве примеров можно отметить магнитопластический эффект, обнаруженный в ионных кристаллах [7], ИМП-инициированный распад пересыщенного твердого раствора кислорода в кристаллах кремния [8], изменение характера диэлектрических потерь и пластичности обработанных слабыми ПМП сегнетоэлектрических кристаллов [9] и т.д. Эти исследования показали возможность модифицирования свойств диамагнитных материалов слабыми магнитными полями. К настоящему времени накоплен достаточно объемный экспериментальный материал, посвященный таким исследованиям, но все они до сих пор имели разрозненный характер. Предпринимались попытки построения теоретических моделей, объясняющих столь странные с точки зрения магнитопластический

БИБЛИОТЕКА С.ПетербуЬг /У ( « ОЭ ?00/*кт

эффект в работе [10] рассматривался с позиций влияния слабых МП на спиновые состояния короткоживущих пар дефектов, образованных дислокацией и парамагнитным точечным центром в объеме щелочно-галоидного кристалла. Ранее такой же подход был использован для объяснения протекания спин-зависимых химических реакций в диамагнитных жидкостях и твердых телах, подвергнутых воздействию слабых МП [11]. Однако, экспериментально установленные эффекты и закономерности зачастую не удавалось трактовать в рамках известных моделей. Для построения общих теоретических представлений, позволяющих объяснить способность слабых (практически с «нулевой» энергией) ИМП и ПМП вызывать существенные изменения состояния конденсированных систем, необходимо дальнейшее накопление экспериментального материала, в частности, поиск возможно большего количества веществ, откликающихся на такие слабые воздействия. Это позволило бы, в конечном итоге, модифицировать свойства широкого класса диамагнитных твердых тел с помощью простой аппаратуры, доступной практически для любой современной лаборатории.

Цель и задачи исследования.

Целью работы является установление закономерностей и природы эффекта слабых магнитных полей в структурных и фазовых превращениях диамагнитных материалов.

В соответствии с поставленной целью решались следующие научные задачи:

1. Экспериментальное исследование воздействия слабых ИМП на реальную структуру и фазовые превращения в полупроводниковых кристаллах кремния, полупроводниковых твердых растворах систем 8Ь-Аз, 8Ь-Аз-ве, а также соединений А В на примере арсенида индия.

2. Исследование влияния слабых ИМП и ПМП на фазовые переходы «кристалл-расплав-кристалл» в кристаллизующихся гибкоцепных полимерах групп орга-носилоксанов и полиэтиленоксидов.

3. Установление закономерностей изменения сегнетоэлектрических и диэлектрических свойств подвергнутых воздействию ИМП и ПМП водородсодержащих кристаллов триглицинсульфата (ТГС) и дигидрофосфата калия (КБР) вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода.

4. Определение изменения характера температурной зависимости удельного электрического сопротивления вблизи сверхпроводящего фазового перехода высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) - керамики после ИМП-воздействия.

Научная новизна. Основные результаты исследований воздействия слабых ИМП и ПМП на фазовые переходы в диамагнитных кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков, в кристаллизующихся полимерах и ВТСП-керамике получены впервые и заключаются в следующем:

- обнаружено, что кратковременное (секунды) воздействие слабого (0.4 Тл) ИМП инициирует в кристаллах кремния, выращенного методом Чохральского, протекание долговременных (сотни часов при комнатной температуре) процессов, сопровождающихся существенным смещением спектров поглощения и отражения микроволнового излучения;

- обнаружен эффект долговременного (месяцы) перераспределения компонентов кристаллов твердого раствора БЬ^Авх, подвергнутых воздействию ИМП (0.3 Тл, 60 с); перераспределение включает в себя этапы первоначального обогащения поверхности кристаллов сурьмой с образованием ею кластеров, дальнейший распад кластеров и существенное повышение однородности твердого раствора; структурные превращения сопровождаются снижением температуры плавления кристаллов;

- установлено, что в образцах трехкомпонентной системы БЬо^Азо^Оео^з, в которых наблюдается крайне неравномерное исходное распределение компонентов, воздействие ИМП (0.3 Тл, 60 с) вызывает долговременный процесс радикальной перестройки структуры, конечным этапом которого является образование областей твердого раствора арсенида германия, отсутствующего в исходном образце;

- для модифицированного полидиметилсилоксана (с добавлением 0.5% метил-виниловых звеньев), подвергнутого 30-секундной обработке слабым ИМП (0.2 Тл) при комнатной температуре, обнаружен эффект существенного сближения температур плавления Тпл и кристаллизации Т*р (изменение Д7Ь7'11Л-7'Ч) ~ 30 К), имеющего необратимый характер;

- в полиэтиленоксидах с молярными массами 100-Ю3 (ПЭО-ЮО) и 40-Ю3 (ПЭО-40) кг/кмоль, обработанных при Г=350 К ИМП (0.2 Тл, 30 с), отмечен магнито-кристаллизационный эффект, проявляющийся в необратимом изменении характера нуклеации при кристаллизации полимеров;

- обнаружено селективное воздействие слабого (до 0.32 Тл) ПМП на расплав образцов ПЭО-ЮО, заключающееся в существенном изменении температур фазовых переходов полимера;

- обнаружены эффекты изменения сегнетоэлектрических и диэлектрических свойств вблизи точки Кюри у номинально чистых кристаллов ТГС, обработанных слабым (0 02-0.06 Тл) ИМП в полярной и параэлектрической фазах;

- показана возможность селективного воздействия слабого (0.05-0.09) ПМП на кристаллы ТГС и КОР, приводящего к уменьшению их температур Кюри и возрастанию величины коэрцитивного поля;

- для образцов ВТСП-керамики УБа2Си307.8, обработанных ИМП (0.5 Тл при 7=420 К в течение 60 с) отмечен эффект изменения знака температурного коэффициента электрического сопротивления (ТКС) вблизи сверхпроводящего фазового перехода и отсутствие самого перехода вплоть до Т— 77К.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Кратковременное воздействие слабых импульсных магнитных полей (ИМП) приводит к долговременному перераспределению элементов в полупроводниках, полупроводниковых твердых растворах и соединениях АШВУ

2. Гибкоцепные кристаллизующиеся полимеры, имеющие радикальные концевые группы и (или) слабые двойные связи в полимерной цепи после обработки их расплава слабыми магнитными полями меняют морфологию кристаллического состояния.

3. Немонотонная зависимость от времени температур фазовых превращений кристалл-расплав-кристалл ИМП - обработанных полимеров обусловлена возрастанием подвижности полимерных цепей за счет разрушения сетки «физических узлов» с одной стороны, и снижением подвижности цепей в результате их сшивок—с другой.

4. Обработка слабыми магнитными полями полярных фаз водородсодержащих кристаллов (триглицинсульфат и дигидрофосфат калия) вызывает обратимое возрастание напряженности коэрцитивного поля и диэлектрической проницаемости и уменьшение температуры Кюри.

5. Воздействие ИМП на сверхпроводящую керамику УВа^СизОт-з меняет знак ее температурного коэффициента сопротивления вблизи сверхпроводящего фазового перехода.

Практическая значимость. Обнаруженные в работе закономерности свидетельствуют о том, что слабые магнитные поля могут успешно использоваться для модификации свойств целого ряда диамагнитных материалов:

- на примере кристалла 1пАз показана возможность использования ИМП для повышения фазовой однородности и структурного совершенства бинарных фаз полупроводниковых соединений АШВУ ;

- предложен способ геттерирования в кристаллах Cz-Si, основанный на последовательной обработке образцов а-частицами и ИМП (в отличие от традиционных высокотемпературных предлагаемый способ реализуется при Т<550 К, что позволяет использовать его практически на любом этапе формирования приборов на основе кристаллов Cz-Si);

- показана возможность использования ИМП в качестве тестирующего воздействия для обнаружения скрытых технологических дефектов в пластинах Cz-Si;

- использование для обработки ИМП и ПМП дает возможность изменять характер процесса кристаллизации и варьирования температурного интервала между Тпр и ^р в полимерах, имеющих слабые двойные связи в основной цепи и/или радикальные концевые группы;

- обнаруженный эффект изменения знака ТКС вблизи температуры сверхпроводящего фазового перехода в ВТСП-керамике УВагСизС^-Б после ИМП-воздействия открывает дополнительные возможности для управления реальной структурой и свойствами оксидных высокотемпературных сверхпроводников;

- результаты работы следует учитывать при разработке приборов, в которых используются исследованные материалы (защита от воздействия ИМП).

Личный вклад автора. Все основные экспериментальные результаты, представленные в диссертации, получены самим автором, либо при его непосредственном участии. Выбор направлений исследований, постановка задач, обобщение экспериментальных результатов, написание статей также принадлежат автору. Ряд исследований проведен с участием соискателя и аспирантов, у которых автор является соруководителем (Палагин М.Ю., Дронов М.А., Колесникова Е. Д.).

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на нижеперечисленных конференциях, симпозиумах, семинарах и совещаниях: Всесоюзной конференции «Актуальные проблемы получения и применения сегнетоматериалов» (Москва, 1991), Международной школе-семинаре «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, ВПИ, 1993 ), VIII Международной конференции по сегнетоэлектричеству (США, 1993), Международной конференции «Диэлектрики-93» (Санкт-Петербург, 1993), III Международном симпозиуме по доменным структурам (Польша, 1994), Международном семинаре «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, ВПИ, 1995), VIII Европейской конференции по сегнетоэлектричеству (Голландия, 1995), IX Международной, конференции «Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах» (Тула, 1997), VI Международной конференции по электрокерамикам и их применениям (Швейцария, 1998), XV Всероссийской конференции по физике сег-нетоэлектриков (Ростов-на-Дону, 1999), VII, \ТП и IX Международных научно-технических конференциях «Радиолокация, навигация, связь» (Воронеж, ВГУ, 2001 2002 и 2003), Международной научно-технической конференции «Межфазная релаксация в полиматериалах» (Москва, 2001), II и Ш Международных междисциплинарных симпозиумах «Фракталы и прикладная синергетика» (Москва, 2001 и 2003), Международной школе-семинаре «Нелинейные процессы в дизайне материалов» (Воронеж, ВГТУ, 2002), Ш Международной научно-технической конференции «Электрическая изоляция - 2002» (Санкт-Петербург, 2002), VII Российско-японском симпозиуме по сегнетоэлектричеству (Санкт-Петербург, 2002), XVI Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Тверь, 2002), Международной научно-технической школе-семинаре «Молодые ученые — науке, технологиям и профессиональному образованию» (Москва, 2002), Ш и V Международных научно-технических конференциях «Кибернетика и технологии XXI века» (Воронеж, ВГУ, 2002 и 2004), Международной научно-технической конференции «Тонкие пленки и слоистые структуры» (Москва, 2002), Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» (Воронеж, ВГУ, 2002), V Междун. конф. «Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов» (Воронеж, ВГТУ, 2003), Международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (Москва, 2003), IV Международном семинаре по физике сегнетоэластиков «ВЕР-4» (Воронеж, 2003), Международной научно-технической школе - конференции «Молодые ученые — 2003» (Москва, 2003), Международной научно-технической конференции «Межфазная релаксация в полиматериалах» (Москва, 2003), X Международной конференции «Диэлектрики - 2004» (Санкт-Петербург, 2004).

Публикации. В конце автореферата приведен список из 46 основных публикаций по теме диссертации. Личный вклад соискателя во всех работах, выполненных в соавторстве, состоит в постановке части задач исследования, получении экспериментальных данных, написании статей, творческом участии в анализе полученных результатов, их обобщении и формулировке выводов.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, приложений и списка литературы. Объем диссертации составляет 338 страниц машинописного текста, включая 122 рисунка и 9 таблиц. Список литературы содержит 381 наименование.

Краткое содержание работы

Во введении обоснована актуальность темы, сформулированы цель и задачи исследования, указаны положения, выносимые на защиту, определены научная новизна и практическая значимость результатов исследования, даны краткие сведения об основных экспериментальных методиках, перечислены конференции, симпозиумы семинары и совещания, на которых были доложены основные результаты работы, указаны структура и объем диссертации.

Глава I. Модификация свойств материалов воздействием слабых магнитных полей представляет собой аналитический обзор литературных данных по влиянию магнитных воздействий на физические свойства конденсированных систем и включает шесть разделов, в которых рассмотрены: 1 — феноменология фазовых переходов I и П рода; 2 - модифицирование свойств магнитных материалов слабыми импульсными магнитными полями; 3 - магнитопластический эффект в диамагнитных кристаллах; 4 - влияние слабых магнитных полей на электрофизические параметры полупроводниковых структур; 5 - воздействие магнитных полей на сегнетоэлектрические кристаллы; 6 — магнитная обработка полимеров. Показано, что многочисленные экспериментальные результаты, полученные в последние годы разными группами исследователей и о которых говорилось в этой главе, свидетельствуют о том, что слабые магнитные поля могут эффективно воздействовать на широкий класс конденсированных систем, вызывая в них долговременные структурные перестройки. Вместе с тем, физическая сущность и механизмы воздействия таких магнитных полей на немагнитные материалы все еще остаются в значительной степени невыясненными.

Глава П. Структурные превращения в элементарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях, инициируемые слабыми импульсными

магнитными полями посвящена описанию результатов исследований влияния ИМП- воздействий на структурное состояние кристаллов кремния (Сг^), полупроводниковых систем ЗЬ-Ая, ЗЬ-Ая-ве и соединения типа Л111Б1 - 1пЛз.

В разделе 2.1 анализируются результаты работы [8] по исследованию воздействия слабых ИМП на кристаллы кремния, содержащие большое количество растворенного кислорода (Сг^). Такое воздействия приводит к распаду пересыщенного твердого раствора кислорода в кристаллах, что объяснялось возбуждением под действием ИМП ЗьО связи межузельного кислорода за счет неравновесного заселения ее метастабильного терма, имеющего в отсутствии поля точку пересечения с основным термом. Во время действия импульса поля вырождение в точке пересечения снимается и возникает антикроссинг: открывается «окно» между термами, что приводит к смешиванию колебательных уровней обоих термов.

Во время паузы между магнитными импульсами «окно» закрывается и происходит больцмановское заселение верхних колебательных уровней метастабильного терма за счет тепловой энергии кристаллической решетки Следующий импульс снова открывает «окно», пауза — закрывает и т.д Таким образом, происходит «накачка» возбуждения при периодическом повторении импульсов. Важно, что эффект характеризуется пороговым значением индукции ИМП.

Приведенные в разделе 2.2 результаты проверочного эксперимента по совместному воздействию постоянного (ПМП) и ИМП на кристаллы Cz-Si подтвердили правильность предложенной в [8] модели: при совпадении направлений ИМП и ПМП, если последнее превышало пороговое значение, эффект воздействия отсутствовал (ПМП оставляло открытым «окно» на все время экспозиции кристалла, при этом неравновесного заселения колебательных уровней метастабильного терма не происходило - отсутствовала «накачка» возбуждения).

Долговременные изменения сорбционных свойств кристаллов Cz-Si после воздействия ИМП исследовались по спектрам отражения и поглощения в микроволновом диапазоне. Результаты, приведенные в разделе 2.3, показали, что сорбци-онная способность поверхности кристалла Cz-Si через некоторое время после воздействия ИМП (латентный период ~ 50 часов) возрастает. Этот результат также согласуется с выводами [8] - инициированное ИМП возбуждение Si-О связей ме-жузелъного кислорода приводит к тому, что часть атомов кислорода покидает межузельное положение с образованием подвижных кислородно-вакансионных центров (O-V центров). Возникающий при этом дефицит вакансий в объеме кристалла компенсируется генерацией последних на поверхности. Этот процесс неизбежно сопровождается активацией сорбционных процессов. Дальнейшее (через 300 — 350 час) уменьшение сорбционной способности ниже исходной является свидетельством эффекта повышения структурного совершенства поверхности кремния в результате воздействия ИМП.

В разделе 2.4 приведены результаты исследований влияния последовательного воздействия а-частиц и ИМП на кристаллы Cz-Si. Показано, что такая обработка обеспечивает возможность повышения совершенства приповерхностного слоя кристаллов за счет протекания в них низкотемпературного (300-650 К) геттериро-вания Предварительное облучение кристаллов а-частицами создает внутри него слой радиационной дефектной структуры, являющийся стоком для быстро диффундирующих точечных дефектов, образующихся при ИМП-индуцированном распаде исходных примесно-дефектных комплексов. Повышение структурного совершенства поверхности после такого радиационно-магнитного воздействия проявляется, в частности, в увеличении времени жизни неосновных носителей. Результатам исследований структурных превращений в полупроводниковых сплавах Sb-As и Sb-As-Ge, обработанных слабым ИМП, посвящен раздел 2.5.

Результаты воздействия ИМП на кристаллы Sb1-xAsx контролировались методами рентгеноспектрального микроанализа (РСМА) и дифференциального термического анализа (ДТА). Метод РСМА позволял фиксировать картину распределения химических элементов по поверхности образца. Исследования проводились в растровом электронном микроскопе CamScan S4 с системой рентгеновского энергодисперсионного анализа Link AN10/55S. Планарное распределение элементов

определялось в приповерхностном слое толщиной ~ 1 мкм по характеристическому рентгеновскому излучению, возбуждаемому при сканировании поверхности образца электронным пучком В черно-белом варианте представления результатов каждому определяемому химическому элементу и их комбинациям в областях соизмеримых концентрации соответствует определенный оттенок серого цвета, задаваемый в процентах черного цвета, принятого за 100%

Рис 1 Пленарное распределение элементного состава приповерхностного слоя (верхний ряд) образца БЬоцАвог а - до, Ь - через 5 дней с - через 100 дней после воздействия ИМП (Всг=0 3 Тл) вЬ - черный, Ав - белый, твердый р-р вЬ - Ав (соизмеримая концентрация элементов) - серый. Микроэлектронные изображения поверхности того же участка (нижний ряд) кристалла БЬо «Аво 2 а - до, Ь - через 5 дней и с - через 100 дней после воздействия ИМП Размер каждого изображения 500X500 мкм

На рис \а показано исходное пленарное распределение элементов в приповерхностном слое образцов БЬо^Або^ Кратковременное (60 с) воздействие ИМП на кристаллы вЬовАзог инициирует процесс долговременного (сотни часов) пространственного перераспределения элементов в кристалле Следует выделить два этапа обнаруженного эффекта На первом из них происходит обогащение приповерхностного слоя свободной сурьмой с выделением ее в отдельные кластеры (рис \Ъ) Второй компонент бинарной системы - мышьяк является летучим В процессе синтеза БЬо «Або2 (еще до воздействия ИМП) он геттерируется в дефектных областях, что не позволяет судить об изменении его концентрации в результате магнитной обработки кристалла На втором этапе происходит обратный процесс - растворение образовавшихся преципитатов сурьмы и гомогенизация твердого раствора БЬо вАяо^ (рис 1с) Отметим, что на конечном этапе исследований содержание свободной сурьмы в приповерхностном слое кристалла, обработанного ИМП, значительно ниже, чем в исходном кристалле до воздействия ИМП (см рис \а и 1с) Другими словами, воздействие ИМП приводит к повышению пространственной однородности распределения сурьмы и мышьяка в приповерхностном слое кристалла твердого раствора системы 8Ь-Аб

Результаты ДТА показали, что изменения структуры образцов 8Ь-Аб сопрово-

ждались уменьшением их температуры фазового перехода кристалл-расплав. У ИМП-обработанных образцов температура плавления Тпл в течение 100-120 час понижалась на ДТт ~ 25-30 К, после чего было отмечено ее возрастание (спустя 300-350 час изменение АГ„„ составляло не более 5-6 К), однако полного возвращения Тш к своему исходному значению не наблюдалось даже после двухмесячной выдержки.

Исследование системы SboeeAs^nGeo.is порошковым методом рентгенофазово-го анализа (РФА), осуществленного на дифрактометре Дрон 4-07 с фильтрованным СоК„ и з л у ч е(й,^04Ж)2 мм)р о л и л о установить, что исходные образцы представляют собой смесь твердого раствора Sbi-jAs» свободного германия и его арсенида. Кратковременное (60 с) воздействие ИМП приводит к существенному изменению фазового состава образцов. Как следует из данных РФА, через некоторое время после ИМП — обработки растет интенсивность рефлексов, отвечающих наличию GeAs, в то время как пики, характеризующие чистый германий, пропадают.

Термограммы ДТА исходных образцов Sbo^eAso.nGeo.is характеризовались наличием двух эндотермических эффектов при 853 и 880 К, соответствующих первичной и вторичной стадиям плавления сплавов системы Sb-As-Ge. После обработки ИМП наблюдалось существенное (достигающее АГщ, ~ 30 К через 120 часов после ИМП-воздействия) уменьшение температуры как первого, так и второго фазовых превращений. Дальнейшая выдержка образца при комнатной температуре сопровождалась смещением обеих температур к своим исходным значениям, однако, даже через 1200 часов после воздействия значение АТт составляло 4-5 К.

Поскольку для использовавшихся ИМП выполняется условие ЦвН«кТ, , энергетическое воздействие ИМП не может быть причиной наблюдавшихся эффектов. Напряженности индукционного электрического поля (по теоретическим оценкам <150 В/м), а также локального разогрева образцов вихревыми токами (по оценкам ДГ~ 3 К) также явно недостаточно для «силового воздействия», которое могло бы привести к осуществлению наблюдавшихся радикальных изменений структуры кристалла

Известно, что концентрация вакансий в кристалле зависит от условий его синтеза, но всегда превышает термодинамически равновесную. Учитывая меньший по сравнению с атомами сурьмы размер атомов мышьяка и высокую летучесть последнего, можно предположить наличие избыточного количества в структуре сплава Sbt.xASx вакансий этого элемента. При этом, как известно, вакансиям энергетически более выгодно находиться не в изолированном состоянии, а в составе вакансионных комплексов. Воздействуя на спины электронов, участвующих в образовании напряженных связей в исходных вакансионных комплексах кристалла, ИМП способствует ослаблению этих связей, что, в свою очередь, может привести к распаду (под действием тепловой энергии кристаллической решетки) части исходных комплексов дефектов с высвобождением высокоподвижных одиночных вакансий. Образовавшиеся таким образом «активные» вакансии мигрируют к стокам, основным из которых является поверхность кристалла.

Диффузия вакансий мышьяка к поверхности эквивалентна «залечиванию» их в объеме кристалла атомами мышьяка, диффундирующими навстречу своим вакан-

сиям с поверхности. Уход атомов мышьяка вглубь кристалла приводит к обогащению приповерхностного слоя вторым компонентом твердого раствора - сурьмой. При этом в образце устанавливается равновесная концентрация вакансий, соответствующая температуре наблюдения. Далее следует диффузия атомов сурьмы из областей ее повышенной концентрации вглубь кристалла и установление распределения компонентов, более равномерного по сравнению с исходным.

Происходящие в результате воздействия ИМП ослабление и разрыв связей в вакаисионных комплексах позволяют объяснить наблюдавшееся существенное понижение температуры плавления кристалла Т^, а также дальнейшее ее изменение в период диффузии компонентов, составляющих твердый раствор.

Воздействие ИМП на трехкомпонентную систему 8Ь-Лз-ве также приводило к обогащению поверхности кристалла сурьмой на первом этапе. Одновременно с этим происходило снижение содержания не только мышьяка, но и германия. Учитывая близость атомных размеров германия и мышьяка, можно предположить, что германий занимает позиции мышьяка в структуре твердого раствора.

Рис. 2. Пленарное распределение элементного состава поверхностного слоя образца Sbo,68Aso,i7Geo,i5: а-до,Ь- через 5 дней, с -через 100 дней после воздействия ИМП. Соответствие оттенков серого цвета в процентах черного: Gei-yAsy - 100%, Ge - 60%, Ge + Sb - 40%, Sb - 30%, As - 15%, Sbi-*Asx - 0%. Размер каждого изображения 500 X 500 мкм.

Происходящая после воздействия ИМП миграция вакансий мышьяка к местам стока, в частности, к поверхности, сопровождается встречной диффузией не только мышьяка, но и германия вглубь кристалла, а поверхность при этом обогащается сурьмой. Термодинамический анализ взаимодействия компонентов в системе германий-мышьяк указывает на отрицательное отклонение от идеальности и склонность к формированию разноименных связей As-Ge, в то время, как система Ge-Sb характеризуется практическим отсутствием взаимодействия компонентов в твердом состоянии. Следовательно, при диффузии мышьяка и германия вглубь образца более предпочтительными оказываются связи As-Ge.

На втором этапе наблюдается диффузия атомов сурьмы с поверхности вглубь кристалла, что, однако, не разрушает систему образовавшихся прочных связей. На распределении компонентов через 100 дней после воздействия ИМП практически отсутствуют скопления атомов германия, мышьяка, а также германия и сурьмы одновременно (рис.2.с). Процессы, стимулированные воздействием ИМП, приводят не только к гомогенизации твердого раствора но и к более полному протеканию взаимодействия германия с мышьяком. Это подтверждают результаты РФА, согласно которым образец уже через 48 час после воздействия ИМП

представляет собой смесь твердого раствора и арсенида германия, а

рефлексов, отвечающих наличию свободного ве, изначально присутствовавшего в образце, не фиксируется.

а) Ь)

Рис. 3. Дифрактограммы кристалла ¡пАв: а- до воздействия, Ъ - через 20 суток после воздействия ИМП (Яо=0.3 Тл). I и 20 - интенсивность и угол дифракции соответственно.

Согласно приведенным в разделе 2.6 данным РСМА и РД кратковременное (60 с) воздействие ИМП (В0=0,3 Тл при комнатной температуре) на кристалл полупроводникового соединения АШВУ - ЬъАв инициирует в нем протекание долговременного (сотни часов) двухстадийного процесса фазовых превращений - на первой стадии наблюдается выделение компонентов соединения в отдельные фазы, а на второй происходит обратный процесс — растворение выделившихся фаз с восстановлением химического соединения !пА8. Представленные на рис. 3 данные РД показывают, что воздействие ИМП приводило к необратимому повышению степени текстурированности образцов !пА5. Как видно из рисунка, до обработки дифрактограмма характеризуется наличием трех четко выраженных линий, соответствующих плоскостям (111), (220) и (311) кристалла !пА5. В результате воздействия ИМП происходит многократное возрастание интенсивности линии (220), что указывает на повышение степени текстурированности образца в направлении (ПО) и является показателем улучшения структуры кристалла.

Термограммы ДТА для образцов ИпАз показали, что на первом этапе после обработки (в течение 10-ти суток) температура плавления Тм образца понижалась на ДГпд ~ 25-30 К, после чего наблюдалось ее возрастание (через месяц после обработки изменение АГПЛ составляло ~ 10 К и в дальнейшем не менялось.).

В полупроводниковых соединениях АгаВу, как известно, доминирующими являются дефекты нестехиометрии, обусловленные вакансиями элемента пятой группы, и антиструктурные дефекты, формирующие между собой вакансионно-дефектные комплексы. С учетом развитых ранее модельных представлений, наиболее вероятным стартовым механизмом воздействия ИМП на структуру соединений А Ву является ослабление напряженных химических связей в исходных вакансионно-дефектных комплексах (и дальнейший распад последних) за счет магнитоиндуцированных интеркомбинационных переходов электронов, участвующих в формировании этих связей. Это позволяет, объяснить выделение компонентов бинарных фаз на поверхности, являющейся естественным стоком для дефектов. Образовавшиеся в результате распада исходных дефектных комплексов фазы отдельных элементов являются метастабильными и, в свою очередь, распадаются с образованием бинарного соединения, результатом чего является гомогенизация кристалла и снижение его дефектности.

Глава ПЬ Воздействие слабых магнитных полей на фазовые превращения в кристаллизующихся полимерах посвящена исследованию воздействий слабых ИМП и ПМП на температуры фазовых переходов типа кристалл - расплав - кристалл в гибкоцепных линейных полимерах — модифицированном полидиметилси-локсане (ПДМС), содержащем дополнительно 0,5 % виниловых звеньев, введенных в цепь ПДМС (известном также как синтетический каучук СКТВ-1), а также в полиэтиленоксидах (ПЭО).

В разделах 3.1 и 3.2 рассмотрены особенности фазовых переходов I рода в низко - и высокомолекулярных органосилоксанах, обсуждается вопрос о понятии «кристалличность» в полимерах, конформационные особенности строения макромолекулы ПДМС как модельного полимера.

Чаще всего при кристаллизации полимера из расплава образуются сферолиты, которые при соприкосновении продолжают радиальный рост в свободные расплавленные участки и по завершению полной кристаллизации приобретают вид многогранников. В свою очередь сферолиты могут состоять из ламелей с вытянутыми (КВЦ) и сложенными (КСЦ) цепями макромолекул. Известно, что кристаллизация полимера никогда не бывает полной. Кристаллическое состояние полимера рассматривают обычно в виде суперпозиции двух частей, одна из которых считается идеальным кристаллом, а другая - идеальным расплавом. Кинетику кристаллизации полимера можно приближенно описать с помощью известного уравнения Аврами, учитывающего константу скорости кристаллизации, тип заро-дышеобразования и геометрию роста кристалла. Степень кристаллизации ПДМС составляет обычно 60-70%. Установлено, что кинетика кристаллизации ПДМС существенно зависит от его молярной массы (ММ). Если при кристаллизации низкомолекулярного (ММ-103 кг/кмоль) ПДМС образуются редкие крупные сферолиты, то высокомолекулярный (ММ >10 кг/кмоль) ПДМС кристаллизуется в виде мелких сферолитов, образующих сплошное кристаллическое поле.

В разделе 3.3 описаны результаты исследований влияния воздействия слабых ИМП на процессы кристаллизации и плавления модифицированного ПДМС -[(СНз)251-0]я[СНз(СН2=СН)8Ю]га- с молярной массой ММ=6-105 (СКТВ-1). Этот полимер отличается высокой подвижностью цепей, радикальными концевыми группами и наличием в цепи слабых двойных связей. Процессы кристаллизации и плавления СКТВ-1 сопровождаются возникновением и исчезновением поляризованного состояния, что позволило использовать для изучения влияния ИМП на кинетику его фазовых превращений метод измерения токов термостимулирован-ной поляризации (ТСП) и деполяризации (ТСД) в неоднородном температурном поле. Типичные термограммы таких токов для образцов СКТВ-1 показаны на рис. 4. Из сравнения их с термограммами ДСК (рис. 5) видно, что положения максимумов на обоих рисунках, соответствующих процессам плавления и кристаллизации СКТВ-1 с достаточной степенью точности совпадают, что позволяет определять по положениям пиков ТСП и ТСД температуры переходов расплав-кристалл Ткр и кристалл-расплав Тш. Характерным для исходных образцов СКТВ-1 является наличие двух максимумов (кривые 1), что может быть связано с существованием у некоторых полимеров двух кристаллических модификаций - низкотемпературной и высокотемпературной имеющих также

Рис. 4. Термограммы плотностей токов поляризации ], и деполяризации ^ при кристаллизации и плавлении образца СКТВ-1: / - исходные; /' - через 1 час после ИМП-воздействия; 2 - через трое суток после воздействия. На вставке: зависимости величин интегральной поляризованности этого же от времени выдержки расплава СКТВ-1 после обработки ИМП. Режим обработки: В==0,2 Тл, *=30 с, Г=300 К.

Рис. 5. Термограммы ДСК при охлаждении и нагревании СКТВ-1 для исходного образца (,/) и спустя 72 ч после воздействия ИМП (2). Режим обработки: Всп0,2 Тл, /=30 с, Г=300 К.

разные температуры плавления. В результате предкристаллизационной ИМП-обработки расплава СКТВ-1 происходит изменение соотношения интенсивностей этих максимумов (кривые Г), причем характер изменения зависит от выдержки образца перед кристаллизацией после обработки ИМП. При малых (часы) временах выдержки ИМП-обработанного расплава перед кристаллизацией имеет место изменение соотношения интенсивностей исходных максимумов без их температурного смещения (кривая Г). При больших временах (более суток) соотношение интенсивностей максимумов близко к исходному, однако положения максимумов оказываются смещенными по температуре навстречу друг другу (кривые 2). Величина смещения температур плавления и кристаллизации

^кро) (Тщ,и Ткр - предельные значения после магнитной обработки, Т,^ и Тцро - • исходные значения необработанного полимера) через ~ 48 часов достигает АТ = 30 К и в дальнейшем не меняется со временем.

ИМП-индуцированные смещения температур кристаллизации и плавления АТ СКТВ-1 возрастают и выходят на насыщение в зависимости, как от величины индукции, так и от числа импульсов (длительности обработки) магнитного поля.

Наблюдающееся увеличение высоты максимумов поляризационных и деполя-ризационных токов (по сравнению с исходными) свидетельствует о достижении большей степени кристалличности образцов полимера при их кристаллизации после предварительной обработки расплава ИМП.

В результате ИМП-воздействия величина интегральной поляризованности Р^ (пропорциональная площади под кривой}(Т)), соответствующая процессам плавления и кристаллизации полимера, оказывается неодинаковой, причем их разница, как видно из вставки к рис. 4, растет со временем выдержки образца после ИМП-воздействия. Первая точка на этом графике соответствует исходному образцу и

указывает на близость значений зарядов поляризации и деполяризации при отсутствии предкристаллизационной обработки. Обнаруженный эффект указывает на то, что в результате воздействия ИМП на полимер его упорядочение частично происходит уже в расплавленном состоянии, что может быть связано с действием на образец неоднородного температурного поля.

Эффект изменения Тт и Г„„ зафиксирован для образцов СКТВ-1, обработанных ИМП при комнатной температуре. Воздействия ИМП на величину в образцах, подвергнутых обработке при температуре жидкого азота, не обнаружено. Постоянное магнитное поле с индукцией В~0,3 Тл, действующее в течение длительного (до 24 часов) времени, лишь незначительно увеличивало (на < 2-^3 К) обе температуры Т^ и Тщ,, не приводя к их относительному изменению. Воздействие на образцы СКТВ-1 импульсов электрического поля с длительностью фронтов частотой следования 10 мс и напряженностью до не приводило к каким-либо изменениям температурных зависимостей токов поляризации и деполяризации, возникающих при кристаллизации и плавлении полимера.

Обнаруженные в данной работе эффекты ИМП-индуцированного повышения температуры кристаллизации и уменьшения температуры плавления СКТВ-1 связаны, по нашему мнению, с увеличением длины его полимерных цепей, и, следовательно, молекулярной массы полимера. Это может быть обусловлено влиянием слабых магнитных полей на радикальные химические реакции. Как известно, такое влияние связано со снятием спиновых запретов на переходы между состояниями различной мультиплетности, обладающими существенно различной реакционной способностью. Как уже отмечалось, концевые звенья полимерных цепей СКТВ-1 являются радикалами. В расплавленном состоянии они могут обладать подвижностью, достаточной для сближения и формирования радикальных пар. При этом, вероятность реакции радикальной пары с образованием химической связи определяется её мультиплетностью.

Качественно влияние ИМП на вероятность синглет-триплетных переходов в радикальной паре, образованной концевыми группами двух полимерных цепей СКТВ-1 можно представить следующим образом. На рис. 6 условно изображены синглетный 5 и триплетный Г электронные термы радикальной пары в зависимости от межрадикального расстояния г. Магнитное поле вызывает зеемановское расщепление триплетного терма на три компоненты и пересечение тер-

мов 5 и Т. На рис. 6 отмечен интервал межрадикальных расстояний, на котором происходит пересечение Т и 5 термов в ИМП. Нижняя граница этого интервала определяется амплитудным значением индукции магнитного поля Во из условия:

ИСй+&)|щВ0 = 2|./(г)|, (1)

где g1 и g2 - гиромагнитные факторы электронов, образующих молекулярную связь, Цв - магнетон Бора, / - энергия обменного взаимодействия электронов в радикальной паре, определяемая межрадикальным расстоянием г.

Вероятность адиабатического прохождения области квазипересечения термов определяется параметром ¿/хт, где и - энергия расхождения термов, т- эффективное время прохождения частицами области квази-пересечения. Оценка величины

Рис. 6. Схематическое изображение синглетных и триплетных термов радикальной пары в магнитном поле. Тонкими линиями показаны неадиабатические пути прохождения области квазипересечения 5 — Т. состояний. Стрелкой / отмечена область г, сканируемая точкой квазипересечения 8 и Т. термов при воздействии магнитного импульса с амплитудой Во

параметра и*х — 0.1-1 для СКТВ-1 (с учетом соответствующего значения вязкости расплава) свидетельствует о возможности адиабатических Б-Т переходов для радикальных пар, образованных концевыми звеньями полимерных цепей в расплаве этого полимера.

Эффективность воздействия ИМП по сравнению с постоянным магнитным полем может быть следствием неизбежного разброса межрадикальных расстояний в расплавленном полимере. Изменение магнитной индукции от нуля до В0 при воздействии ИМП обеспечивает достижение условия резонанса (квазипересечения Б-Т термов, при котором возможно их перезаселение) для любого межрадикального расстояния г в пределах области, ограниченной снизу условием (1). В постоянном же магнитном поле Вд резонанс 5 и Т состояний возникает в единственной точке г, определяемой условием (1).

Усиление эффекта воздействия ИМП с уве-личением амплитуды импульсов В0 объясняется расширением интервала межрадикальных расстояний, для которых возникает условие резонанса Т. термов, и соответствующим увеличением числа радикальных

пар, способных к образованию химических

связей.

Усиление ИМП-индуцированных эффектов с увеличением числа импульсов обусловлено повышением вероятности перезаселения уровней при многократном прохождении области их квазипересечения. Насыщение же эффектов по амплитуде ИМП и по числу импульсов может быть связано с ограниченным количеством реакционно-способных радикальных пар.

При низких температурах в кристаллическом СКТВ-1 может не оказаться близко расположенных концевых звеньев полимерных цепей, способных к образованию радикальных пар. Именно по этой причине, по нашему мнению, не наблюдается изменений у образцов, обработанных ИМП при температуре жидкого азота. Отсутствие каких-либо эффектов при воздействии на полимер импульсного электрического поля свидетельствует о том, что изменения в СКТВ-1, вызванные ИМП - обработкой, не связаны с действием электрических полей, индуцируемых меняющимся во времени магнитным полем.

Уменьшение подвижности звеньев Si-О полимера (и, следовательно, изменение температур его фазовых превращений) можно связать также с инициирован-

ным ИМП сшиванием полимерных цепей через группы с двойными связями. Действительно, индуцированное импульсным магнитным вихревое электрическое поле может способствовать разрыву слабой я-связи в двойной связи НС=СН2 виниловой группы СКТВ-1, обладающей отличным от нуля дипольным моментом. В результате образуется группа с двумя неспаренными электронами НС-СН2 Исходное состояние группы является синглетным, поскольку характеризуется нулевым электронным спином. В отсутствие внешнего магнитного поля спиновое состояние группы измениться не может, поэтому даже случайно разорванная связь быстро восстановится. ИМП, однако, индуцирует синглет-триплетные 8-Т переходы за счет разности гирофакторов электронов углеродных атомов групп СН и СН2. В результате таких переходов вероятность восстановления двойной связи уменьшается и возрастает вероятность других спин-зависимых реакций. Например, ИМП может стимулировать взаимодействие триплетной виниловой групгтт " "^'"тетной же молекулой кислорода с образованием перекисного мостика Д Д - Затем под действием электрической составляющей ИМП разры-

НС - СН.2 , ------ -пабая п-связь в перекисном мостике, образуя активный радикал

9"?

, способный к дальнейшим химическим взаимодействиям по радикаль-НЬ — 1Л2

ному механизму, чувствительному к внешним магнитным полям. Это может быть, например, реакция активированного перекисного мостика с триплетной виниловой группой другой полимерной цепи. Кроме того, ИМП индуцированное образование сшивок через виниловые группы может происходить и непосредственно, без промежуточных стадий с участием молекулярного кислорода.

Для проверки справедливости предложенной качественной модели были проведены исследования по влиянию воздействия ИМП на полимер, близкий по свойствам СКТВ-1, но не имеющий радикальных концевых групп и слабых двойных связей - полиметилсилоксан (ПМС). Полное отсутствие эффекта ИМП-воздействия на образцы ПМС (при одинаковых с образцами СКТВ-1 режимах) подтверждает справедливость предложенной выше качественной модели, согласно которой изменение температур фазовых превращений в полимере СКТВ-1 связано с действием двух рассмотренных механизмов.

В разделах 3.4 и 3.5 представлены результаты исследований влияния воздействия слабых ИМП и ПМП на фазовые переходы полиэтиленоксида (ПЭО). Этот полимер [-СН2СНгО-]и, имеющий высокую (до 95%) степень кристалличности и температуру кристаллизации -300-310К, как и ПДМС, характеризуется высокой подвижностью цепей и имеет радикальные концевые группы.

ИМП - воздействие на образцы ПЭ0-100 и ПЭ0-40 (с ММ=100-103 и 40-Ю3) привело к обнаружению эффектов, полностью аналогичным рассмотренным выше для СКТВ-1, а именно: после ИМП. - обработки расплава ПЭО наблюдалось уменьшение температуры Гщ, и увеличение Тт (см. рис. 7, кривые 2 и 2'для ПЭО-100). Абсолютная величина сближения Тщ, и Ткр при этом оказалась намного меньше, чемдпя СКТВ-1 -дпяПЭО-ЮО Д Т~ 10-12 К и для ПЭО-40 ДГ~ 5-<5К.

Фотографии основных стадий кристаллизации ПЭО показали, что после ИМП-

Рис. 7. Зависимости температур плавления Тт и кристаллизации Т%р образцов ПЭО-100 от времени выдержки полимера после воздействия ИМП (кривые 2 и 2") и ПМП (кривые 3 и -З1). Кривые /и /' соответствуют температурам плавления и кристаллизации необработанных образцов. Режимы воздействий: ИМП (Во=0,2Тл; 7=350 К; 1= 30 с); ПМП (В0=О,2Тл; Т=350 К; /= 30 мин). Рис. 8. Зависимости абсолютных значений изменения интервала ИТ медду температурами Тпз и Ткрполимера ПЭО-ЮО от индукции магнитного поля в результате обработки его расплава ИМП (кривая 7) и ПМП (кривая 2). ДГ<0 для ИМП и Д7>0при ПМП.

Рис. 9. Кристаллизация образца ПЭО-100 до (а) и после (Ь) воздействия ПМП (режим обработки Во = 0.2 Тл, I - 30 мин, Г= 350 К) Увеличение: * 40.

Рис. 10. Конечная стадия кристаллизации образца ПЭ0-100: а - исходного, Ъ - обработанного ПМП (режим обработки В0 = 0 2 Тл, / = 30 мин, Г = 350 К). Увеличение: х 40.

воздействия процесс зарождения и роста сферолитов зависит от времени выдержки полимера после обработки в расплавленном состоянии. Кристаллизация сразу после воздействия позволяет зафиксировать метастабильную фазу, которая характеризуется ростом более крупных (по сравнению с исходными) сферолитов. При повторном плавлении таких образцов, или при выдержке обработанного полимера в течение нескольких часов в расплавленном состоянии картина кристаллизации радикально меняется: происходит рост мелких сферолитов, образующих в итоге сплошное кристаллическое поле. Эти результаты подтверждают предложенную выше модель о сшивании концевых звеньев полимерных цепей, индуцированном ИМП. Меньшие по сравнению с СКТВ-1 значения А2"для образцов ПЭО также свидетельствуют в пользу модели - у ПЭО нет слабых двойных связей в полимерной цепи, поэтому второй механизм отсутствует.

Воздействие ПМП на образцы ПЭ0-100 позволило обнаружить еще один «магнито-кристаллизационный» эффект, суть которого сводится к следующему. В

довольно узком интервале индукции магнитного поля воздействие на расплав ПЭО-ЮО приводило к существенному изменению температур фазовых переходов Тт И Ткр, причем смещения этих температур приводили не к сужению интервала ДУ(как после ИМП - обработки), а, напротив, к его расширению (см. рис. 7, кривые 3 и 3). Важно подчеркнуть, что эффект характеризовался селективностью по отношению к индукции ПМП, т.е. АТ имела ярко выраженный максимум, соответствующий Во — 0.2 Тл (см. рис. 8, кривая 2). Оптические исследования образцов ПЭО-100 показали, что после ПМП — обработки при кристаллизации образующиеся кристаллиты «выдавливают» из себя низкомолекулярную фракцию (рис. 9) и образуют в конечном итоге хорошо видные ламели (рис. 10), не зафиксированные ни для одного их исходных образцов.

Селективный характер обнаруженного эффекта показывает, что поляризация в ПМП электронных облаков макромолекул ПЭ0-100 и появление у них ориентированного параллельно ПМП магнитного момента вряд ли может привести к столь существенным структурным изменениям полимера. С большой степенью уверенности можно утверждать, что понижение и повышения образцов ПЭ0-100 после воздействия ПМП обусловлены ослаблением взаимодействия между полимерными цепями, что согласуется с представлениями о разрушении в ПМП так называемых «физических узлов», под которыми понимают локальные участки наиболее сильных нехимических взаимодействий между группами атомов соседних молекул и наиболее плотно упакованные участки молекулярных цепей. Кроме того, ослабление взаимодействия между цепями, и, следовательно, увеличение их подвижности, позволяет объяснить изменение механизма кристаллизации ПЭ0-100 после ПМП - воздействия (образование ламелей с вытянутыми цепями вместо сферолитов, кристаллизующихся со складывающимися цепями).

Возможно, некоторое уменьшение межмолекулярного взаимодействия полимерных цепей в расплаве имеет место и при воздействии ИМП. Это позволяет объяснить немонотонный характер изменения Тц, и Тт образцов ПЭ0-100 (см. рис. 7) от времени хранения после ИМП - воздействия встречным влиянием эффектов ослабления межмолекулярного взаимодействия и сшивания полимерных цепей.

В Главе TV Влияние воздействия слабых магнитных полей на фазовые переходы в водородсодержащих сегнетоэлектрических кристаллах представлены результаты исследований сегнетоэлектрических и диэлектрических свойств кристаллов ТГС и KDP, обработанных слабыми ИМП и ПМП.

В разделах 4.1 и 4.2 речь идет о сегнетоэлектрических фазовых переходах II рода типа смещения и порядок — беспорядок, анализируется термодинамическая модель Гинзбурга В.Л., показывающая £'-аномалию вблизи таких фазовых переходов (соответствующую закону Кюри - Вейсса), рассматриваются особенности кристаллического строения ТГС и KDP, причины возникновения в них спонтанной поляризации ниже температуры Кюри и роль, которую при этом играют водородные связи кристаллов

Раздел 4.3 содержит описание результатов исследований влияния ИМП - обработки на физические свойства вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода

номинально чистых кристаллов ТГС. Было обнаружено, что весьма слабое ИМП (0.02 - 0.06 Тл), действующее на образцы ТГС в течение 30 с, приводит к увеличению напряженности коэрцитивного поля Еь и диэлектрической проницаемости Е'шах (Тс) в точке Кюри, а также к смещению Тс в сторону более низких температур (если обработка осуществлялась в полярной фазе) или более высоких (обработка в парафазе). Из данных, показанных на рис. 11, видно, что увеличение Ек обработанного ИМП в сегнетофазе образца ТГС сопровождается устранением смещения петли гистерезиса по оси напряженностей Е, наблюдающееся у исходного образца. Исходная асимметрия петли указывает на наличие у образца внутреннего поля, создаваемого полярными дефектами, упорядочение закрепленными на доменных стенках. Исчезновение внутреннего поля в результате воздействия ИМП может быть следствием открепления дефектов от доменных стенок и разу-порядочением их электрических моментов.

Зависимости е'(7), показанные на рис. 12, дают представление о процессах релаксации, протекающих в кристалле ТГС после ИМП - воздействия. Через 48 часов у обработанных образцов полностью восстанавливалась форма петли гистерезиса и значение Тс, что свидетельствовало, по нашему мнению, об образовании новой дефектной структуры, пиннингующей доменные стенки кристалла.

Как уже отмечалось, изменение свойств диамагнитных кристаллов в результате воздействия на них слабых магнитных полей обусловлено снятием запретов на электронные переходы с изменением спина, приводящие к изменению прочности химических связей в дефектных комплексах. Так синглет-триплетными переходами в короткоживущих радикальных парах, образуемых парамагнитными точечными дефектами с оборванными связями в ядре дислокации, объясняется открепление дислокаций от стопоров в магнитопластических эффектах. Известно, что номинально чистые кристаллы ТГС не свободны от парамагнитных примесей, включая центры Fe3+. Не исключено, что эти центры стабилизируют некие комплексы, способные к распаду в ИМП. Отметим, однако, отличие ИМП-

схЮ-'

Рис. 11. Влияние обработки ИМП образца ТГС в сегнетофазе при Т=293 К на форму петли сегне-тоэлектрического гистерезиса: / - для исходного образца, 2 - после ИМП - воздействия (В00.05 Тл) в течение 30 с Измерения проводились при Т=310 К.

Рис.12. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости е(Т) образца ТГС, обработанного ИМП в сегнетофазе при Г=293 К: / - исходная, 2,3,4- через - через 1, 24, 48 часов после воздействия ИМП.

индуцированных эффектов, обнаруженных в ТГС, от магнитопластических эффектов в ЩГК и металлах. Эффекты в ТГС наблюдались в полях ~ 0.02 - 0.06 Тл, ниже типичного порога магнитопластических эффектов ~ 0.1 Тл, происходящих по известному ^-механизму. Столь слабые магнитные поля характерны для сверхтонкого взаимодействия (СТВ) электронных и ядерных спинов. Это позволяет предположить участие протонов водородных связей в электронных переходах, ответственных за ИМП-индуцированные эффекты в ТГС. Результаты исследований влияния воздействия слабых ПМП на водородсодержащие кристаллы ТГС и КБР, описание которых дано в разделах 4.4 и 4.5, подтвердили справедливость высказанного предположения. Основные результаты этих исследований представлены на рис. 13 и 14 и сводятся к следующему.

Магнитное воздействие не приводит к каким-либо изменениям характеристик образцов сегнетоэлектрика кислородно-октаэдрического типа - ВаТЮз во всем исследованном (0.02 - 0.2 Тл) диапазоне полей (рис. 13).

8'-ИГ' 122.2 ИЗ

Рис. 13. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости в(Т) кристаллов КБР, ТГС и ВаПО| до (1) и после (2) магнитного воздействия (В=0.07 Тл для КБР, 5=0.08 Тл для ТГС и ВаТЮз, время обработки 30 мин).

Рис. 14. Зависимости смещения точки Кюри А7с и относительного изменения диэлектрической проницаемости при температуре фазового перехода Ея'/ е^ь от индукции магнитного поля для кристаллов ТГС (а) и КБР (6). Время магнитной обработки составляло 30 мин при всех значениях магнитного поля.

Воздействие ПМП приводит к существенным изменениям зависимостей е'(7) образцов ТГС и КБР, а именно, к понижению температуры сегнетоэлектрическо-го перехода на величину АТсЮ.80.1 Кик многократному повышению высоты максимума диэлектрической проницаемости в точке Кюри.

Отличительной особенностью обнаруженного эффекта является то, что он проявляется в узком интервале индукции магнитного поля, то есть имеет селективный характер. Зависимости смещения точки Кюри АГС и относительной диэлектрической проницаемости при температуре сегнетоэлектрического перехода от индукции магнитного поля приведены для кристаллов ТГС и КБР на рис. 14 (а) и 14 (6), соответственно.

Приведенные результаты показали, что импульсный характер магнитного воздействия не является необходимым условием возникновения обнаруженных эффектов. Кроме того, эти результаты не противоречат предложенной ранее интерпретации ИМП-индуцированных эффектов в кристаллах ТГС, согласно которой увеличение диэлектрической проницаемости у обработанных образцов связывалось с повышением подвижности доменных стенок за счет их открепления от дефектов, являющихся стопорами, а смещение точки Кюри - с уменьшением внутреннего поля за счет разориентации полярных дефектов, исходно закрепленных на доменных стенках.

Необходимым условием возникновения магнито-индуцированных эффектов, в рамках предложенной интерпретации, является наличие дефектных комплексов в исходном кристалле, которые могут распадаться в результате магнитного воздействия с образованием подвижных точечных дефектов, способных к формированию новой дефектной структуры. Другими словами, магнито-индуцированные эффекты, невозможные в идеальных кристаллах, не обладающих магнитным порядком, могут возникать в реальных кристаллах, обладающих определенной дефектностью.

К сожалению, дефекты, ответственные за пиннинг доменных стенок и наличие внутреннего поля в номинально чистых (не допированных специально) кристаллах ТГС и КБР, не идентифицированы на микроскопическом уровне, что затрудняет моделирование обнаруженных эффектов. Тем не менее, экспериментальные результаты, представленные в данной работе, дают дополнительные возможности для обсуждения природы этих эффектов.

Одинаковое проявление эффектов в различных водородсодержащих сегнето-электриках и полное их отсутствие в том же интервале полей в сегнетоэлектрике другого типа позволяют предположить участие водородных связей в возникновении обнаруженных эффектов. В пользу сделанного предположения свидетельствует селективный характер этих эффектов, возникающих в узком интервале индукции магнитного поля. В химии и молекулярной физике известны спин-зависимые реакции радикальных пар с селективной чувствительностью к слабому магнитному полю. Считается, что в постоянных магнитных полях такие реакции возможны только при наличии в радикальной паре хотя бы одного ядра с ненулевым спином, участвующим в интеркомбинационных переходах по механизму сверхтонкого взаимодействия. Естественно предположить, что селективная чувствительность водородсодержащих кристаллов ТГС и КБР к индукции магнитно-

го поля обусловлена участием протонов водородных связей в спин-зависимых процессах трансформации дефектных комплексов реальных кристаллов.

Следует заметить также, что сегнетоэлектрические свойства исследованных кристаллов способствовали обнаружению магнито-индуцированных эффектов, однако не были необходимым условием возникновения этих эффектов. Вполне вероятно обнаружение селективной чувствительности к магнитному полю молекулярных кристаллов с водородными связями, не обладающих сегнетоэлектриче-скими свойствами.

Глава V Воздействие слабых импульсных магнитных полей на электрические свойства высокотемпературного сверхпроводника вблизи фазового перехода состоит из четырех разделов, в которых рассматриваются следующие вопросы. В разделе 5.1 анализируется связь решеточной нестабильности и электрон-фононного взаимодействия в «классических» сверхпроводниках со структурой А15, исследованием которых автор занимался на протяжении ряда лет до открытия в 1986 году металлооксидных высокотемпературных сверхпроводников

В разделах 5.2 и 5.3 рассмотрены некоторые свойства высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) - металлооксидных соединений. Показано, что необычно высокие значения температур перехода в сверхпроводящее состояние (СПС) связаны с сильной структурной неустойчивостью этих соединений при Т > Тс Подобными свойствами отличаются исследованные ранее сверхпроводники со структурой А-15, которые до открытия металлооксидных ВТСП имели рекордно высокие значения температуры Тс. Для ВТСП - соединения УВа2Сиз07.в рассмотрены структурные модификации, имеющие различные сверхпроводящие характеристики в зависимости от величины кислородного индекса 5, определяющего содержание кислорода в базисных плоскостях кристаллической структуры.

В разделе 5.4 представлены результаты исследований влияния воздействия слабых ИМП на характер температурной зависимости электрического сопротивления ВТСП керамики УВагСизС^ вблизи сверхпроводящего фазового перехода.

Для исследования были отобраны образцы, имеющие резкий «полный» переход в СПС при 7У=(90,0±0,5) К. Электрическое сопротивление образцов определялось обычным 4-зондовым методом в криостате, охлаждаемом жидким азотом. Температура в диапазоне 77-300 К измерялась германиевым термометром сопротивления с точностью (вблизи перехода в СПС) не хуже 0,05 К. Скорость изменения температуры поддерживалась автоматически, могла варьироваться и составляла обычно (вблизи Т) 0.5 К/мин. Для исследований методом рентгеновской дифракции (РД) часть образцов размалывалась в тонкодисперсный порошок. Ди-фрактограммы исходных и ИМП-обработанных порошкообразных образцов снимались на дифрактометре ДРОН 4-07 с фильтрованным СиКа излучением (Х.=0,154178 нм) в режиме автоматического углового перемещения с шагом 0,1*, временем экспозиции 1 с в каждой точке и вращением образца в собственной плоскости.

На рис. 15. приведены зависимости р(7) для образцов, обработанных в разных режимах. До определенных значений амплитуды индукции ИМП Во и температуры обработки образцов заметных изменений исходной зависимости р(7) до пере-

хода в сверхпроводящее состояние не наблюдалось (кривые 1,2,3). В то же время эти обработки ИМП приводили к появлению остаточного сопротивления образцов при температурах ниже температуры перехода в сверхпроводящее состояние Гс=90 К, причем величина остаточного сопротивления и температурный интервал его сохранения возрастали с амплитудой ИМП и температурой обработки образцов.

Основной результат заключается в том, что при достижении определенного порогового значения амплитуды ИМП (В0=0,5 Тл при Г=420 К в наших экспериментах) характер температурной зависимости электрического сопротивления образцов ВТСП керамики меняется радикальным образом. Исходная зависимость р(7) с резким скачком сопротивления при Тс и близким к линейному температурным ростом сопротивления при Т> Тс (кривая 1) в результате воздействия ИМП превращается в плавную нелинейную зависимость с монотонным уменьшением сопротивления с ростом температуры (кривая 4). Отметим, что термическая обработка образцов при Т=30 К в течение 10 мин без воздействия ИМП не приводила к каким-либо изменениям температурной зависимости их сопротивления. Вызываемый при воздействии ИМП дополнительный разогрев образца вихревым электрическим полем тщательно контролировался измерениями температуры капсулы с образцом (до и после воздействия) и составлял обычно 4-5 К. Теоретическая оценка такого разогрева (так же, как это делалось в экспериментах с полупроводниками) давала практически такой же результат.

Рис. 15. Температурные зависимости электрического сопротивления соединения УВагСизОгг: 1 — исходная; 2, 3 и 4 - через 1 час после минутного воздействия ИМП с Во=0,3 Тл при 400 К, Во=О,32 Тл при 410 К и 5о=О,5 Тл при 420 К, соответственно; 5, б и 7 - через 24,48 и 120 часов после воздействия ИМП с Во=О,5 Тл при 420 К, соответственно.

Рис. 16. Дифрактограммы соединения УВагСизОг-в; а - до и через 240 часов после воздействия ИМП (В„ = 0.5 Тл, Т= 320 К, / = 60 с); Ь - через 0.5, 2, 24 и 36 ч после ИМП - обработки.

Тот факт, что ИМП-обработка меняет знак температурного коэффициента сопротивления образца, говорит об изменении механизма проводимости оксидной ВТСП керамики в результате такого воздействия.

Представленные на рис. 16 дифрактограммы свидетельствуют о том, что ИМП-воздействие в оптимальном режиме (B 0 - 0. 5ТЛ при Т=420 К в течение 60 с) приводит к долговременному изменению кристаллического состояния образцов УВа2Сиз07.8. Дифрактограмма исходного образца УВа2Сиз07_5 (рис. 16а) имеет характерный для орторомбической модификации дублетный максимум при 20 = 32.30 и 32.60". После обработки образца ИМП оптимального режима дублетность исчезает (рис. 16b) и дифрактограмма приобретает вид, характерный для тетрагональной фазы, которая, как известно, не является сверхпроводящей.

Обнаруженный эффект ИМП-индуцированного изменения характера температурной зависимости сопротивления ВТСП керамики УВагСизОт* сопровождается долговременной (сотни часов при T=300 К) релаксацией образца к исходному состоянию. Кривые 5-7 на рис.15 демонстрируют этапы этой релаксации.

Известно, что фазовое состояние соединения при заданной темпе-

ратуре ^определяется долей и характером распределения кислородных вакансий 5 в линейных цепочках Cu-О, являющихся резервуаром носителей для сверхпроводящих плоскостей СиО2. При изменении параметра 5 от 1 до 0 свойства материала могут изменяться от диэлектрических до сверхпроводящих.

На качественной диаграмме, представленной на рис. 17, показаны основные фазовые состояния, в которых может находиться соединение УВагСизОу^ в зависимости от содержания кислородных вакансий 5 и температуры Г, а именно, диэлектрическое антиферромагнитное (AF), сверхпроводящее (SC) и металлическое. Кроме того, условно отмечена область так называемого «псевдощелевого режима», для которого характерна пониженная электронная плотность состояний вблизи поверхности Ферми.

Одной из возможных причин уменьшения электронной плотности одночастичных состояний с температурой, характерного для псевдощелевого режима, считается образование спаренных электронов при температурах ниже температуры Т* перехода (crossover) из нормального металлического состояния. Для участия в токопереносе образующимся электронным парам требуется преодоление некоторой энергетической щели, что определяет сложный характер температурной зависимости сопротивления в псевдощелевой области. С понижением температуры повышается количество спаренных электронов при одновременном уменьшении как кон-

Рис. 17. Качественный вид фазовой диаграммы УВагСиэСЪ-а: AF, SC, Metal - антиферромагнитная, сверхпроводящая и металлическая фазы, соответственно; Т* и Т - температуры переходов из металлического в псевдощелевое и сверхпроводящее состояния, соответственно.

центрации электронов проводимости, так и доли электронных пар, дающих вклад в проводимость. Присущий псевдощелевой области отрицательный знак температурного коэффициента сопротивления свидетельствует о том, что падение проводимости при понижении температуры за счет снижения числа носителей не компенсируется её (проводимости) повышением за счет уменьшения рассеяния носителей на фононах.

Если предположить, что воздействие ИМП приводит к уменьшению содержания кислорода в линейных цепочках Си-0 или, другими словами, повышению содержания кислородных вакансий 5, то точка, характеризующая состояние образца на фазовой диаграмме 5 - Т, сместится влево. Из рис. 17 легко понять, что такое смещение может перевести образец из металлического состояния с положительным температурным коэффициентом сопротивления в псевдощелевое, характеризующееся отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. При этом температура перехода в сверхпроводящее состояние понижается и может быть не достигнута в исследуемом интервале температур.

Правая жирная вертикальная черта на фазовой диаграмме рис. 17 соответствует температурной зависимости сопротивления при переходе исходного образца из металлического состояния в сверхпроводящее (кривая / на рис. 15), а левая - температурной зависимости сопротивления образца, перешедшего в псевдощелевой режим в результате воздействия ИМП (кривая 4 на рис.15).

Предпосылкой для сделанного предположения об уходе части атомов слабосвязанного кислорода из линейных цепочек Си-0 в соединении УВагСизОу-а в результате воздействия ИМП явилось то, что ранее наблюдался ИМП-индуцированный выход атомов кислорода из междоузельного положения 55—О—81 в кристаллах кремния с предельно высоким содержанием растворенного кислорода, полученных по технологии Чохральского [8].

В качестве возможного стартового механизма возникновения ИМП-индуцированных эффектов в кристаллах Сг-81 было рассмотрено возбуждение 81-0 связи межузельного кислорода за счет заселения колебательных уровней её метастабильного терма. Отличительным признаком этого механизма является наличие порога по амплитуде ИМП и достаточно высокая температура для заселения верхних колебательных уровней метастабильного терма. Наличие указанных признаков у ИМП-индуцированного эффекта, обнаруженного в соединении свидетельствует о возможности использования для объяснения его возникновения предложенной в [8] модели.

Кислород, выходящий из цепочек Си-0 в результате воздействия ИМП, может задерживаться на границах зерен керамики или уходить из образца в атмосферу. Известно, что слабосвязанный кислород из цепочек Си-0 способен покидать кристалл и при обычном термическом воздействии, однако этот процесс происходит при значительно более высоких температурах Т> 800 К.

Релаксация образца после воздействия ИМП, по-видимому, обусловлена уменьшением дефицита кислорода в цепочках Си-0 за счет его возвращения с границ зерен керамики и/или поступления из атмосферы. Долговременной характер релаксации (судя по результатам РД, восстановление орторомбической фазы обработанных образцов наблюдается лишь спустя 10 суток после воздействия)

определяется процессом диффузии кислорода, достаточно медленным при комнатной температуре. Отсутствие полного восстановления исходной температурной зависимости сопротивления образцов может быть связано с отличием распределения кислородных вакансий в цепочках Си-0 до и после воздействия ИМП.

В Приложениях дается описание генератора импульсных магнитных полей, установок для измерения СВЧ-спектров кремниевых кристаллов и поляризационных токов в полимерах. Кроме того, приведены схемы автоматизированного измерительного комплекса для исследования релаксационных процессов в полимерах, устройства для автоматической регулировки и стабилизации температуры расплава полимера в постоянном магнитном поле, а также подробно описана установка для комплексного исследования низкочастотных диэлектрических и поляризационных свойств сегнетоэлектрических кристаллов.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Воздействие слабого ИМП приводит к немонотонным изменениям сорбци-онной способности поверхности обогащенных кислородом кристаллов кремния. Эффект объясняется изменением в приповерхностном слое 81 концентрации кислорода, высвобождающегося в объеме кристалла после воздействия ИМП.

2. Кратковременное воздействие слабого ИМП при комнатной температуре на кристаллы полупроводниковых твердых растворов 8Ь-А и 8Ь-Ав-Ое, а также соединения 1пА инициирует долговременные процессы перераспределения компонентов, способствующие повышению однородности систем и снижению их дефектности. Возможной стартовой причиной наблюдавшихся структурных превращений является вызванное ИМП-воздействием изменение мультиплет-ности напряженных химических связей в вакансионных комплексах (исходно присутствующих в кристаллах), приводящее к разрыву этих связей и последующему распаду комплексов.

3. Обнаружено необратимое изменение температур фазовых переходов типа кристалл - расплав - кристалл в обработанных ИМП гибкоцепных кристаллизующихся полимерах, имеющих радикальные концевые группы - модифицированном полидиметилсилоксане (ПДМС) и полиэтиленоксиде (ПЭО). Увеличение температуры кристаллизации Ткр, обоих полимеров обусловлено сшиванием полимерных цепей в результате чувствительных к магнитному воздействию спин-зависимых радикальных реакций концевых групп, а уменьшение температуры плавления Тпл - увеличением поверхности границ сферолитов при уменьшении их размеров в процессе кристаллизации. Более сильное изменение Ткр и Тпл у ПДМС связано с возникновением сшивок через слабые двойные связи в виниловой группе полимера. Эффект магнитного воздействия отсутствует, если обработанный полимер не имеет радикальных концевых групп и слабых двойных связей, например, для полиметилсилоксана (ПМС).

4. Обнаружено селективное воздействие слабого ПМП на положение Ткр и Тпл ПЭО. ИМП и ПМП вызывают смещения Тщ, и Тш полимера в противоположные стороны, т.е. величина ДГ = (Гял-Гк/>)-(Гял0-Гк/>„)имеетразнь1езнаки(ЛТ>Опо-сле ПМП - и ДТ < 0 после ИМП - обработки). Закономерности изменения ЛТ связываются с действием двух конкурирующих механизмов: сшиванием молекулярных цепей через концевые группы полимера (являющиеся радикалами) и разрушением под действием магнитного поля сетки «физических узлов», которое приводит к увеличению подвижности цепей.

5. Установлено, что обработка номинально чистых кристаллов ТГС слабыми ИМП приводит к долговременным изменениям их диэлектрических и сегнето-электрических характеристик вблизи фазового перехода П рода - увеличению напряженности коэрцитивного поля Ек и диэлектрической проницаемости Етах в точке Кюри, а также смещению значения Тс в сторону более низких (обработка ИМП в полярной фазе), или более высоких (обработка в парафазе) температур. Природа эффекта ИМП связывается с откреплением исходных дефектов от доменных стенок и дислокаций, а также распадом исходных дефектных комплексов и формированием новой доменной структуры.

6. Установлено, что при воздействии слабого ПМП на водородсодержащие кристаллы ТГС и КБР происходит изменение их физических свойств вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода. Полная аналогия эффектов указывает на общность механизмов протекающих процессов после воздействия в кристаллах. Отсутствие эффекта воздействия ПМП (по крайней мере, в интервале полей с индукциями от 0.02 до 0.3 Тл) в кислородно - октаэдрическом сегнето-электрике ВаТЮ3 позволяет связать наблюдаемые в КБР и ТГС изменения с участием в структурных перестройках этих кристаллов протонов водородных связей, стабилизирующих короткоживущие радикальные состояния в дефектных комплексах, чувствительных к слабым магнитным воздействиям.

7. Воздействие ИМП на ВТСП - керамику УВа2Си307-8 приводит к изменению знака ТКС вблизи температуры сверхпроводящего перехода с последующей долговременной релаксацией ТКС к исходному значению. Обнаруженные закономерности связываются с уменьшением после воздействия ИМП содержания кислорода в линейных цепочках Си-О керамики (повышением содержания кислородных вакансий 6), что способствует переходу соединения УВа2Си307-8 в «псевдощелевое» состояние. Долговременная релаксация параметров обработанных ВТСП образцов объясняется уменьшением со временем дефицита кислорода в цепочках Си-0 за счет его возвращения с границ зерен керамики и (или) поступления из атмосферы. Обнаруженный эффект открывает дополнительные возможности для управления реальной структурой и свойствами оксидных высокотемпературных сверхпроводников.

Список цитированной литературы

1. Comes R., Shapiro S.M., Frases B.C., Shirane G. Neutron scattering study ofthe soft optic mode in SrTiO3 under a high magnetic field. // Phys. Rev. — 1981. — V.B24.-№3.-P. 1559-1561.

2. Зенченко В.П., Вехтер Б.Г., Берсукер И.Б. Влияние магнитного поля на фазовые переходы в вибронных сегнетоэлектриках // ЖЭТФ. - 1982. - Т. 82. -№5.-С. 1628-1639.

3. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Лопатин Д.В., Баскаков А.А. Влияние импульсного магнитного поля до 30 Тл на подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl. // Кристаллография. -1998. - Т. 63. - №6 - С. 1115-1118.

4. Баранов Ю.В., Гайсин Ф.Г., Усейнов Р.Г., Чайковский Н.Г. Влияние мощности дозы гамма-облучения на сдвиг порогового напряжения МДП - транзисторов. // ФТП -1985. - Т. 19. - №10. - С. 1883-1885.

5. Воищев B.C., Матвеев Н.Н., Валецкий П.М., Коршак В.В. Исследование зависимости спонтанной поляризации от градиента температуры в полидиме-тилсилоксане. // Докл. АН СССР. -1985. - Т. 281. - №6. - С. 1390-1392.

6. Бузынин В.В., Бутылкина НА, Лукьянов А.Е., Постников С.Н. Ударная вязкость и структурные изменения в быстрорежущей стали после ОИМП. // Материалы IV научно-технического семинара «Обработка импульсным магнитным полем». - София - Нижний Новгород, 1989. — С. 37-43.

7. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Казакова О.Л. Магнитопластический эффект в облученных кристаллах NaCl и LiF. // ЖЭТФ. - 1997. - Т. 111.- №2. - С'615-626.

8. Левин М.Н., Зон Б. А. Воздействие импульсных магнитных полей на кристаллы Cz-Si. // ЖЭТФ. - 1997. - Т. 111. - №4. - С. 1373-1397.

9. Гриднев С.А., Дрождин КС, Шмыков В.В. Влияние постоянного магнитного поля на диэлектрическую релаксацию в кристалле молнбдата гадолиния. // Кристаллография. - 1997. - Т. 42. - №6. - С. 1135-1136.

10. Молоцкий МИ. Возможный механизм магнитопластического эффекта. // ФТТ.-1991.-Т. 33. - № 10. - С. 3112-3114.

11. Бучаченко А.Л., Сагдеев Р.З., Салихов К.М. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях. - Новосибирск: Наука. - 1978. - 296 с.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

Книги

1. Матвеев Н.Н., Постников В.В., Саушкин В.В. Поляризационные эффекты в кристаллизующихся полимерах. Воронеж: ВГЛТА. - 2000. - 170 с.

Публикации в изданиях, рекомендованных ВАК РФ

2. Matveev N.N., Postnikov V.V. Identification of crystal-crystal transition in cellulose using pyroelectric currents. // Ferroelectrics. - 1994. - V. 153. - P. 341-346.

3. Matveev N.N., Klinskikh A.F., Postnikov V.V., Kordenko O.I. Polarization crystal-crystal structural transition in cellulose. // Ferroelectrics. - 1996. — V. 185. — P. 189-192.

4. Левин М.Н., Семенова Г.В., Сушкова Т.П., Долгополова Э.А., Постников В.В. Воздействие импульсных магнитных полей на реальную структуру кристаллов арсенида индия. // Письма в ЖТФ. - 2002. - Т. 28. - Вып. 19. - С. 50-55.

5. Постников В.В., Левин М.Н., Семенова Г.В., Сушкова Т.П., Долгополова Э. А. Структурные превращения в твердых растворах Sb-As при воздействии слабых импульсных магнитных полей. // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2002. - Т. 4. - №4. - С. 326-332.

6. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю., Косцов А.М. Воздействие слабых импульсных магнитных полей на кристаллы триглицинсульфата. // ФТТ. -2003. -Т. 45. -№3. -С. 513-517.

7. Левин М.Н., Семенова Г.В., Сушкова Т.П., Постников В.В, Агапов Б.Л. Влияние импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых растворов в системе Sb-As. // ФТТ. - 2003. - Т. 45. - №4. - С. 609-612.

8. Левин М.Н., Постников В.В., Матвеев Н.Н Влияние импульсной магнитной обработки на кристаллизацию гибкоцепных полимеров. // Высокомолекулярные соединения (серия А). - 2003. - Т. 45. - №2. - С. 217-223.

9. Левин М.Н., Постников В.В., Матвеев Н.Н. Влияние импульсной магнитной обработки на кристаллизацию и плавление полиэтиленоксида. // Журнал физической химии. - 2003. - Т.77. - №4. - С. 758-761.

10. Levin M.N., Postnikov V.V., Palagin M.Yu. Selective effect of weak magnetic fields on triglicine sulfate crystals. // Ferroelectrics. - 2003. - V.285. - P. 173-178.

11. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю. Селективное воздействие слабого магнитного поля на сегнетоэлектрические кристаллы с водородными связями.// Письма в ЖТФ. - 2003. - Т. 29. - Вып. 12. - С. 62-67.

12. Левин М.Н., Постников В.В., Дронов МА Воздействие импульсных магнитных полей на ВТСП керамику YBa2Cu307-K // Письма в ЖТФ. - 2003. - Т. 29. -Вып. 11.-С. 7-13.

13. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю., Косцов AJVL Влияние слабых магнитных полей на реальную структуру и физические свойства кристаллов триглицинсульфата. // Известия РАН (серия физическая). - 2003. - Т. 67. — Вып. 8. -С. 1076-1078,

14. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю. Селективное воздействие слабого постоянного магнитного поля на кристаллы триглицинсульфата. // ФТТ. -2003. - Т. 45. - №9. - С. 1680-1684.

15. Левин М.Н., Постников В.В., Колесникова Е.Д. Селективный эффект пред-кристаллизационной обработки гибкоцепных полимеров постоянным магнитным полем. // Письма в ЖТФ. 2004. - Т. 30. - Вып. 3. -С. 20-23.

16. Левин М.Н., Постников В.В., Вережников В.Н., Матвеев Н.Н., Колесникова Е.Д. Предкристаллизационная обработка гибкоцепных полимеров импульсными магнитными полями. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2004. - Т. 6. - № 1. - С. 75-80.

17. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю. Селективное воздействие слабого магнитного поля на сегнетоэлектрические кристаллы дигидрофосфата калия. // Конденсир. среды и межфазные границы. 2004. - Т. 6. - № 2. — С. 128132.

Статьи

18. Левин М.Н., Постников В.В. Направленная модификация материалов импульсными магнитными полями. //Радиолокация, навигация, связь. Материалы VII Международной НТК. Воронеж.: ВГУ. - 2001. - Т. 3. - С. 1699-1710.

19. Постников В.В., Матвеев Н.Н., Левин М.Н. Влияние импульсного магнитного поля на кинетику кристаллизации и плавления органосилоксанов. // Вестник ВГТУ, «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ. - 2001. -Вып 1.9. - С. 19-23.

20. .Левин М.Н., Постников В.В., Остроухов С.С. Внутреннее геттерирование в кремнии при комбинированном воздействии радиации и импульсных магнитных полей. // Вестник ВГТУ, сер. «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ. -2001.-Вып 1.9.-С. 49-53.

21. Левин М.Н., Постников В.В., Матвеев Н.Н. Влияние импульсных магнитных полей на кинетику фазовых переходов кремнийорганических полимеров. // Межфазная релаксация в полиматериалах. Материалы Международной науч-но-техн. конф. М: МИРЭА. - 2001. - С. 97-100.

22. Постников В.В., Левин М.Н., Палагин М.Ю., Косцов А.М. Влияние импульсного магнитного поля на диэлектрические характеристики вблизи сегнето-электрического фазового перехода в кристалле триглицинсульфата. // Вестник ВГТУ, сер. «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ - 2001. - Вып 1.10. -С.51-54.

23. Косцов А.М., Косцова О.А., Левин М.Н., Постников В.В. Влияние импульсных магнитных полей на микроволновые спектры кристаллов кремния. // Вестник ВГТУ, сер. «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ — 2001 - Вып 1.10. - С. 55-58.

24. Постников В.В., Левин М.Н. Модификация кремнийорганических полимеров импульсными магнитными полями. // Радиолокация, навигация, связь. Материалы VIII Междунар. НТК. Воронеж: ВГУ. - 2002. - Т. 3. - С. 2108-2117.

25. Матвеев Н.Н., Постников В.В., Левин М.Н. Изменение кинетики фазовых переходов в полиоксиэтилене после обработки импульсным магнитным полем. // Электрическая изоляция - 2002. Труды Ш Международной научно-техн. конф. Санкт-Петербург: СПбГТУ. - 2002. - С. 88-92.

26. Левин М.Н., Постников В.В., Матвеев Н.Н., Каданцев А.В., Колесникова Е.Д. Влияние импульсного и постоянного магнитных полей на фазовые переходы в полиэтиленоксиде. // Молодые ученые - 2002. Материалы Международной научно-техн. школы-семинара. М: МИРЭА. - 2002. - С. 56-60.

27. Левин МН., Постников В.В., Матвеев Н.Н., Каданцев А.В., Колесникова Е.Д. Автоматизированный комплекс контроля релаксационных процессов в полимерных материалах. // Молодые ученые - 2002. Материалы Международной научно-техн. школы-семинара. М: МИРЭА. - 2002. - С. 234-237.

28. Постников В.В., Левин М.Н., Палагин М.Ю. Влияние слабых магнитных полей на сегнетоэлектрические свойства номинально чистых кристаллов триг-лицинсульфата. // Кибернетика и технологии XXI века. Материалы Ш Международной научно-техн. конф. Воронеж: ВГУ. - 2002. - С. 200-210.

29. Левин М.Н., Постников В.В., Матвеев Н.Н. Магнито-кристаллизационный эффект в полиморфных полимерах. // Тонкие пленки и слоистые структуры. Материалы Междун. научно-техн. конф. М: МИРЭА. - 2002. - С. 11-15.

30. Левин М.Н., Постников В.В., Татаринцев А.В. Совместное воздействие постоянных и импульсных магнитных полей на кристаллы кремния. // Вестник ВГТУ, «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ - 2002. - Вып 1.11 - С.79-81.

31. Постников В.В., Каданцев А.В., Колесникова Е.Д., Матвеев КН., Левин М.Н. Воздействие импульсного магнитного поля на процесс кристаллизации поли-этиленоксидов. // Вестник ВГТУ, сер. «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ. - 2002. - Вып. 1.11. - С. 36-39.

32. Постников ВВ., Левин М.Н., Палагин М.Ю. Изменение сегнетоэлектриче-ских свойств кристаллов триглицинсульфата после воздействия слабых импульсных магнитных полей. // Вестник ВГТУ, сер. «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ - 2002. -Вып. 1.11. - С. 30-35.

33. Левин М.Н., Постников В.В., Матвеев Н.Н. Магнито-кристаллизационный эффект в гибкоцепныхных полимерах. // Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах. Материалы Всероссийской конф. Воронеж: ВГУ. - 2002. - С. 550-551.

34. Левин М.Н., Семенова Г.В., Сушкова Т.П., Постников В.В. Долговременные изменения структуры твердых растворов Sb-As, индуцированные импульсным магнитным полем. // Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах. Материалы Всероссийской конф. Воронеж: ВГУ. - 2002. - С. 548-549.

35. Levin M.N., Postnikov V.V., Dronov М.А. The Effect of Pulsed Magnetic Fields on YBa2Cu3O7-k Ceramics. // Book of Abstr. the 4th Intern Semin. on Ferroelast. Phys. Voronezh: VGTU. - 2003. - P. 39-40.

36. ПОСТНИКОВ В.В. Влияние слабых магнитных полей на фазовые переходы в некоторых конденсированных системах. // Вестник ВГТУ, сер. «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ - 2003. - Вып 1.13. - С. 3-14.

37. Левин М.Н., Постников В.В., Долгополова Э.А., Дронов М.А. Воздействие импульсных магнитных полей на ВТСП - керамику Y-Ba-Cu-O. // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. Материалы Международной НПК «Intermatic - 2003». М: МИРЭА. - 2003. - С. 136-139.

38. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю., Прасолов Б.Н. Частотная эволюция петель диэлектрического гистерезиса в обработанных импульсным магнитным полем кристаллах ТГС. // Материалы Междун. НТК «Межфазная релаксация в полиматериалах». Часть 2. М. МИРЭА, 2003. С. 18-20.

39. Палагин М.Ю., Постников ВВ., Прасолов Б.Н. Устройства для измерения частотных зависимостей диэлектрических и сегнентоэлектрических характеристик кристаллов. // Материалы Международной НТК «Межфазная релаксация в полиматериалах». Часть 2. М: МИРЭА, 2003. С. 206-208.

40. Постников В.В., Левин М.Н., Палагин М.Ю., Дронов М.А. Селективное воздействие слабого постоянного магнитного поля на фазовые переходы в сег-нетоэлектрических кристаллах с водородными связями. // Материалы V Международной конференции «Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов». Воронеж: ВГТУ, 2003. - С. 91-92.

41. Постников В.В., Левин М.Н., Колесникова Е.Д. Селективное воздействие постоянного магнитного поля на кристаллизацию полизтиленоксида. // Материалы V Международной конф. «Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов». Воронеж: ВГТУ, 2003. - С. 162-163.

42. Левин М.Н, Прасолов Б.Н., Постников В.В., Татаринцев А.В., Дронов М.А. Влияние импульсных магнитных полей на кристаллизацию полимеров. // Материалы БС Международной НТК «Радиолокация, навигация, связь». Воронеж: ВГУ, 2003. Том 2. С. 1216-1223.

43. Левин М.Н., Постников В.В., Долгополова ЭА, Дронов М.А. Воздействие импульсных магнитных полей на ВТСП-керамику У-Б-С-О. // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. Материалы Международной НПК «МегшаИс - 2003». М: МИРЭА, 2003. С. 136-139.

44. Колесникова Е.Д., Постников В.В., Левин М.Н. Влияние слабых магнитных полей на кристаллизацию гибкоцепных полимеров. // Материалы Международной НТК «Молодые ученые - 2003» М: МИРЭА, 2003. С. 127-130.

45. Левин М.Н., Постников В.В., Матвеев Н.Н. Влияние импульсного магнитного поля на кристаллизацию и плавление кремнийорганических полимерных материалов. // Труды III Междунар. междисциплинарного симпозиума «Фракталы и прикладная синергетика», М: ИМЕТ, изд. МГОУ, 2003. С. 331-334.

46. Постников В.В., Левин М.Н. Модификация диамагнитных материалов слабыми магнитными полями. // Кибернетика и технологии XXI века. Материалы V Международной НТК. Воронеж: ВГУ. - 2004. - С. 436-447.

ЛР № 066815 от 25.08.99. Подписано в печать 16.08.04. Формат 60x84/16. Бумага для множительных аппаратов. Усл. печ. л. 2,0. Тираж 100 экз. Заказ № 292

Воронежский государственный технический университет 394026 Воронеж, Московский просп., 14

04-15085

РНБ Русский фонд

2005-4 11901

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

ГЛАВА I

МОДИФИКАЦИЯ СВОЙСТВ МАТЕРИАЛОВ ВОЗДЕЙСТВИЕМ СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ (Аналитический обзор)

1.1. Феноменология фазовых переходов I и II рода.

1.2. Модифицирование свойств магнитных материалов слабыми импульсными магнитными полями.

1.3. Магнитопластический эффект в диамагнитных кристаллах.

1.4. Влияние слабых магнитных полей на электрофизические параметры полупроводниковых структур.

1.5. Воздействие магнитных полей на сегнетоэлектрические кристаллы.

1.6. Магнитная обработка полимеров.

ГЛАВА И.

СТРУКТУРНЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В ЭЛЕМЕНТАРНЫХ

ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЯХ,

ИНИЦИИРУЕМЫЕ СЛАБЫМИ ИМПУЛЬСНЫМИ МАГНИТНЫМИ

ПОЛЯМИ

2.1. Распад пересыщенного твердого раствора кислорода в кристаллах кремния в результате воздействия импульсных магнитных полей.

2.2. Совместное воздействие постоянного и импульсного магнитных полей на кристаллы Cz-Si.

2.3. Влияние импульсных магнитных полей на микроволновые спектры кристаллов кремния.

2.4. Внутреннее геттерирование в кремнии при комбинированном воздействии радиации и импульсных магнитных полей.

2.5. Структурные превращения в твердых растворах Sb-As и Sb-As-Ge после воздействия слабых импульсных магнитных полей.

2.6. Воздействие импульсного магнитного поля на реальную структуру и температуру плавления арсенида индия.

ГЛАВА III

ВОЗДЕЙСТВИЕ СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ФАЗОВЫЕ

ПРЕВРАЩЕНИЯ В КРИСТАЛЛИЗУЮЩИХСЯ ПОЛИМЕРАХ

3.1. Особенности кристаллизации полимеров.

3.2. Фазовые превращения в органосилоксанах.

3.3. Влияние слабых импульсных магнитных полей на фазовые превращения в модифицированном полидиметилсилокеане.

3.4. Магнито-кристаллизационный эффект в полимерах группы полиэтил еноксидов.

3.5. Селективное воздействие слабого постоянного магнитного поля на фазовые переходы в полиэтиленоксиде.

ГЛАВА IV

ВОЗДЕЙСТВИЕ СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ВОДОРОДСОДЕРЖАЩИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

КРИСТАЛЛАХ

4.1. Сегнетоэлектрические фазовые переходы II рода типа смещения и порядок-беспорядок.

4.2. Водородсодержащие сегнетоэлектрические кристаллы с фазовым ^ переходом типа порядок - беспорядок.

4.3. Воздействие слабого импульсного магнитного поля на сегнетоэлектрические и диэлектрические характеристики номинально чистых кристаллов триглицинсульфата.

4.4. Селективное воздействие слабых постоянных магнитных полей на физические свойства вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода номинально чистых кристаллов триглицинсульфата.

4.5. Селективное воздействие слабых постоянных магнитных полей на физические свойства вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода номинально чистых кристаллов дигидрофосфата калия.

ГЛАВА V

ВОЗДЕЙСТВИЕ СЛАБЫХ ИМПУЛЬСНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДНИКА ВБЛИЗИ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА. 5.1. Метастабильность и сверхпроводимость в соединениях со структурой

А-15.

5.2. Металлооксидные высокотемпературные сверхпроводники.

5.3. Основные модификации металлооксидного высокотемпературного сверхпроводящего соединения УВа2Сиз07.5.

5.4. Воздействие импульсных магнитных полей на фазовый переход высокотемпературного сверхпроводника.

Актуальность темы. Одной из основных задач современной физики конденсированного состояния является исследование отклика той или иной системы на внешние воздействия с целью создания материалов с заданными свойствами. Среди традиционных методов такого воздействия можно назвать, например, тепловые, радиационные, электрические, магнитные и др. Все они, заметно изменяя энергетическое состояние конденсированной системы, могут существенным образом влиять на физические свойства последней, приводя, в частности, к изменениям критических параметров фазовых переходов системы. Воздействие сильных (>10 Тл) магнитных полей, например, вызывает смещение температуры Кюри у сегнетоэлектриков [1,2] и существенное изменение пластических свойств щелочно-галоидных кристаллов [3]. Облучение высокоэнергетическими у-квантами структур металл-диэлектрик-полупроводник генерирует в них высокоэнергетические электронно-дырочные пары, не склонные к рекомбинации [4], что существенно изменяет электрические свойства системы. Воздействие неоднородных температурных полей приводит к возникновению в диэлектриках термополяризационных эффектов [5]. Во всех перечисленных примерах энергия воздействия сравнима по порядку величины с тепловой энергией кТ (к — постоянная Больцмана, Т -абсолютная температура) системы, поэтому понятны причины, вызывающие изменение тех или иных ее свойств.

Сравнительно недавно, однако, появились первые работы (см, например, [6]), в которых сообщалось об изменениях механических свойств у образцов инструментальных сталей после воздействия на них слабых (<1 Тл) импульсных магнитных полей (ИМП). Поскольку энергия (цв -магнетон Бора, Н - напряженность магнитного поля), которую привносят такие поля в решетку кристалла, на несколько порядков величины меньше кТ (для разумных температур), сообщения о «каких-либо эффектах», вызываемых подобными воздействиями, вызвали поначалу совершенно естественную скептическую реакцию. Тем не менее, результаты исследований воздействия слабых импульсных и постоянных магнитных полей (ПМП) на конденсированные системы различной природы продолжали появляться в печати, находя многочисленные и независимые подтверждения. Было обнаружено, например, что кратковременные воздействия ИМП могут инициировать долговременные структурные перестройки и связанные с ними изменения физических свойств у широкого класса немагнитных материалов. В качестве примеров можно отметить магнитопластический эффект, обнаруженный в ионных кристаллах [7], ИМП-инициированный распад пересыщенного твердого раствора кислорода в кристаллах кремния [8], изменение характера диэлектрических потерь и пластичности обработанных слабыми ПМП сегнетоэлектрических кристаллов [9] и т.д. Эти исследования показали возможность модифицирования свойств диамагнитных материалов слабыми магнитными полями. К настоящему времени накоплен достаточно объемный экспериментальный материал, посвященный таким исследованиям, но все они до сих пор имели разрозненный характер. Предпринимались попытки построения теоретических моделей, объясняющих столь странные с точки зрения термодинамики результаты. Например, магнитопластический эффект в работе [10] рассматривался с позиций влияния слабых МП на спиновые состояния короткоживущих пар дефектов, образованных дислокацией и парамагнитным точечным центром в объеме щелочно-галоидного кристалла. Ранее такой же подход был использован для объяснения протекания спин-зависимых химических реакций в диамагнитных жидкостях и твердых телах, подвергнутых воздействию слабых МП [11]. Однако, экспериментально установленные эффекты и закономерности зачастую не удавалось трактовать в рамках известных моделей. Для построения общих теоретических представлений, позволяющих объяснить

Щ способность слабых (практически с «нулевой» энергией) ИМП и ПМП вызывать существенные изменения состояния конденсированных систем, необходимо дальнейшее накопление экспериментального материала, в частности, поиск возможно большего количества веществ, откликающихся на такие слабые воздействия. Это позволило бы, в конечном итоге, модифицировать свойства широкого класса диамагнитных твердых тел с помощью простой аппаратуры, доступной практически для любой современной лаборатории.

Ф Цель и задачи исследования.

Целью работы является установление закономерностей и природы эффекта слабых магнитных полей в структурных и фазовых превращениях диамагнитных материалов.

В соответствии с поставленной целью решались следующие научные задачи:

1. Экспериментальное исследование воздействия слабых ИМП на реальную структуру и фазовые превращения в полупроводниковых кристаллах кремния, полупроводниковых твердых растворах систем Sb-As,

Sb-As-Ge, а также соединений AmBv на примере арсенида индия.

2. Исследование влияния слабых ИМП и ПМП на фазовые переходы типа «кристалл-расплав-кристалл» в кристаллизующихся гибкоцепных полимерах групп органосилоксанов и полиэтиленоксидов.

3. Установление закономерностей изменения сегнетоэлектрических и диэлектрических свойств подвергнутых воздействию ИМП и ПМП водородсодержащих кристаллов триглицинсульфата (ТГС) и дигидрофосфата калия (KDP) вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода.

4. Определение изменения характера температурной зависимости удельного электрического сопротивления вблизи сверхпроводящего фазового перехода высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) -керамики YBa2Cu307.s после ИМП-воздействия.

Научная новизна. Основные результаты исследований влияния; воздействия слабых ИМП и ПМП на фазовые: переходы в диамагнитных кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков, в кристаллизующихся полимерах и ВТСП-керамике получены впервые и заключаются в следующем:

- обнаружено, что кратковременное (секунды) воздействие слабого (0.4 Тл) ИМП инициирует в кристаллах кремния, выращенного методом Чохральского, протекание долговременных (сотни часов при комнатной температуре) процессов, сопровождающихся существенным смещением спектров поглощения и отражения микроволнового излучения;

- обнаружен эффект долговременного (месяцы) перераспределения компонентов кристаллов твердого раствора Sb].xAsx, подвергнутых воздействию ИМП (0.3 Тл, 60 с); перераспределение включает в себя этапы первоначального обогащения поверхности кристаллов сурьмой с образованием ею кластеров, дальнейший распад кластеров и существенное повышение однородности твердого раствора; структурные превращения? сопровождаются снижением температуры плавления кристаллов;

- установлено, что в образцах трехкомпонентной системы Sbo^Aso i7Ge0j5, в которых наблюдается крайне неравномерное исходное распределение компонентов, воздействие ИМП (0.3 Тл, 60 с) вызывает долговременный процесс радикальной перестройки структуры, конечным этапом которого является образование областей твердого раствора арсенида германия, отсутствующего в исходном образце; для модифицированного полидиметилсилоксана (с добавлением 0.5% метилвиниловых звеньев), подвергнутого 30-секундной обработке слабым ИМП (0.2 Тл) при комнатной температуре, обнаружен эффект существенного сближения температур плавления Гпл и кристаллизации 7!ф (изменение АГ=Гпл-Гкр ~ 30 К), имеющего необратимый характер; в полиэтиленоксидах с молярными массами 100-103 (ПЭО-ЮО) и 40-Ю3 (ПЭО-40) кг/кмоль, обработанных при 7^=350 К ИМП (0.2 Тл, 30 с), отмечен магнито-кристаллизационный эффект, проявляющийся в необратимом изменении характера нуклеации при кристаллизации полимеров; обнаружено селективное воздействие слабого (до 0.32 Тл) ПМП на расплав образцов ПЭО-ЮО, заключающееся в существенном изменении температур фазовых переходов АТ-Т^-Т^ полимера; обнаружены эффекты изменения сегнетоэлектрических и диэлектрических свойств вблизи точки Кюри у номинально чистых кристаллов ТГС, обработанных слабым (0.02-0.06 Тл) ИМП в полярной и параэлектрической фазах; показана возможность селективного воздействия слабого (0.05-0.09 Тл) ПМП на кристаллы ТГС и KDP, приводящего к уменьшению их температур Кюри и возрастанию величины коэрцитивного поля; для образцов ВТСП-керамики УВагСизОт^, обработанных ИМП (0.5 Тл при Т=420 К в течение 60 с) отмечен эффект изменения знака температурного коэффициента электрического сопротивления (ТКС) вблизи сверхпроводящего фазового перехода и отсутствие самого перехода вплоть до Т= 77 К.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Кратковременное воздействие слабых импульсных магнитных полей (ИМП) приводит к долговременному перераспределению элементов в полупроводниках, полупроводниковых твердых растворах и соединениях AmBv.

2. Гибкоцепные кристаллизующиеся полимеры, имеющие радикальные концевые группы и (или) слабые двойные связи в полимерной цепи после обработки их расплава слабыми магнитными полями меняют морфологию кристаллического состояния.

3. Немонотонная зависимость от времени температур фазовых превращений кристалл-расплав-кристалл ИМП - обработанных полимеров обусловлена возрастанием подвижности полимерных цепей за счет разрушения сетки «физических узлов» с одной стороны, и снижением подвижности цепей в результате их сшивок — с другой.

4. Обработка слабыми магнитными полями полярных фаз водород-содержащих кристаллов (триглицинсульфат и дигидрофосфат калия) вызывает обратимое возрастание напряженности коэрцитивного поля и диэлектрической проницаемости и уменьшение температуры Кюри.

5. Воздействие ИМП на сверхпроводящую керамику УВазСизО?^ приводит к временному изменению знака ее температурного коэффициента сопротивления вблизи сверхпроводящего фазового перехода.

Практическая значимость. Обнаруженные в работе закономерности свидетельствуют о том, что слабые магнитные поля могут успешно использоваться для модификации свойств целого ряда диамагнитных материалов:

- на примере кристалла InAs показана возможность использования ИМП для повышения фазовой однородности и структурного совершенства бинарных фаз полупроводниковых соединений AmBv;

- предложен способ геттерирования в кристаллах Cz-Si, основанный на последовательной обработке образцов -частицами и ИМП, позволяющий использовать его практически на любом этапе формирования приборов на основе кристаллов Cz-Si;

- показана возможность использования ИМП в качестве тестирующего воздействия для обнаружения скрытых технологических дефектов в пластинах Cz-Si;

- использование для обработки ИМП и ПМП дает возможность изменять характер процесса кристаллизации и варьирования температурного интервала между Гпл и Гкр в полимерах, имеющих слабые двойные связи в основной цепи и/или радикальные концевые группы;

- обнаруженный эффект изменения знака ТКС вблизи температуры сверхпроводящего фазового перехода в ВТСП-керамике YBa2Cu307.s после ИМП-воздействия открывает дополнительные возможности для управления реальной структурой и свойствами оксидных высокотемпературных сверхпроводников;

- результаты работы следует учитывать при разработке приборов, в которых используются исследованные материалы (защита от воздействия ИМП).

Личный вклад автора. Все основные экспериментальные результаты, представленные в диссертации, получены самим автором, либо при его непосредственном участии. Выбор направлений исследований, постановка задач, обобщение экспериментальных результатов, написание статей также принадлежат автору. Ряд исследований проведен с участием соискателя и аспирантов, у которых автор является соруководителем (Палагин М.Ю., Дронов М.А., Колесникова Е.Д.).

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались % и обсуждались на нижеперечисленных конференциях, симпозиумах, семинарах и совещаниях: Всесоюзной конференции «Актуальные проблемы получения и применения сегнетоматериалов» (Москва, 1991), Международной, школе-семинаре «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, ВПИ, 1993 ), VIII Международной конференции по сегнетоэлектричеству (США, 1993), Международной конференции «Диэлектрики-93» (Санкт-Петербург, 1993), III Международном симпозиуме по доменным структурам (Польша, 1994), Международном семинаре «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, ВПИ, ^ 1995), VIII Европейской конференции по сегнетоэлектричеству (Голландия,

1995), IX Международной, конференции «Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах» (Тула, 1997), VI Международной конференции по электрокерамикам и их применениям (Швейцария, 1998), XV Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Ростов-на-Дону, 1999), VII, VIII и IX Международных научно-технических конференциях «Радиолокация, навигация, связь» (Воронеж, ВГУ, 2001, 2002 и 2003), Международной научно-технической конференции «Межфазная релаксация * в полиматериалах» (Москва, 2001), II и III Международных междисциплинарных симпозиумах «Фракталы и прикладная синергетика» (Москва, 2001 и 2003), Международной школе-семинаре «Нелинейные процессы в дизайне материалов» (Воронеж, ВГТУ, 2002), III Международной научно-технической конференции «Электрическая изоляция — 2002» (Санкт-Петербург, 2002), VII Российско-японском симпозиуме по сегнетоэлектричеству (Санкт-Петербург, 2002), XVI Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Тверь, 2002), Международной научно-технической школе-семинаре «Молодые ученые - науке, технологиям и профессиональному образованию» (Москва, 2002), III и V Международных ^ научно-технических конференциях «Кибернетика и технологии XXI века»

Воронеж, ВГУ, 2002 и 2004), Международной научно-технической конференци «Тонкие пленки и слоистые структуры» (Москва, 2002), Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» (Воронеж, ВГУ,

2002), V Междун. конф. «Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов» (Воронеж, ВГТУ, 2003), Международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (Москва, 2003), IV Международном семинаре по физике сегнетоэластиков «ISFP-4» (Воронеж,

2003), Международной научно-технической школе - конференции «Молодые ученые - 2003» (Москва, 2003), Международной научно-технической конференции «Межфазная релаксация в полиматериалах» (Москва, 2003), X Международной конференции «Диэлектрики - 2004» (Санкт-Петербург, 2004).

Публикации. В конце автореферата приведен список из 46 основных публикаций по теме диссертации. Личный вклад соискателя во всех работах, выполненных в соавторстве, состоит в постановке части задач исследования, получении экспериментальных данных, написании статей, творческом участии в анализе полученных результатов, их обобщении и формулировке выводов.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, приложений и списка литературы. Объем диссертации составляет 338 страниц машинописного текста, включая 122 рисунка и 9 таблиц. Список литературы содержит 381 наименование.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Воздействие слабого ИМП приводит к немонотонному изменению сорбционной способности поверхности обогащенных кислородом кристаллов кремния. Эффект объясняется изменением в приповерхностном слое Si концентрации кислорода, высвобождающегося в объеме кристалла после воздействия ИМП.

Кратковременное воздействие слабого ИМП при комнатной температуре на кристаллы полупроводниковых твердых растворов Sb-As и Sb-As-Ge, а также соединения InAs инициирует долговременные процессы перераспределения компонентов, способствующие повышению однородности систем и снижению их дефектности. Возможной стартовой причиной наблюдавшихся структурных превращений является вызванное ИМП-воздействием изменение мультиплетности напряженных химических связей в вакансионных комплексах (исходно присутствующих в кристаллах), приводящее к разрыву этих связей и последующему распаду комплексов.

Обнаружено необратимое изменение температур фазовых переходов типа кристалл — расплав - кристалл в ИМП - обработанных гибкоцепных кристаллизующихся полимерах, имеющих радикальные концевые группы - модифицированном полидиметилсилоксане (ПДМС) и полиэтиленоксиде (ПЭО). Увеличение температуры кристаллизации Ткр обоих полимеров обусловлено сшиванием полимерных цепей в результате чувствительных к магнитному воздействию спин-зависимых радикальных реакций концевых групп, а уменьшение температуры плавления Гпл - увеличением поверхности границ сферолитов при уменьшении их размеров в процессе кристаллизации. Более сильное изменение Гкт и Тпл у ПДМС связано с возникновением сшивок через слабые двойные связи в виниловой группе полимера. Эффект магнитного воздействия отсутствует, если обработанный полимер не имеет радикальных концевых групп и слабых двойных связей, например, для полиметилсилоксана (ПМС).

Обнаружено селективное воздействие слабого ПМП на положение и ПЭО. ИМП и ПМП вызывают смещения и 7^ полимера в противоположные стороны, т.е. величина AT = (7^-7^ ) - (Гшо-Ткро) имеет разные знаки (ДГ > 0 после ПМП - и AT < 0 после ИМП — обработки). Закономерности изменения AT связываются с действием двух конкурирующих механизмов: сшиванием молекулярных цепей через концевые группы полимера (являющиеся радикалами) и разрушением под действием магнитного поля сетки «физических узлов», которое приводит к увеличению подвижности цепей.

Установлено, что обработка номинально чистых кристаллов ТГС слабыми ИМП приводит к долговременным изменениям их диэлектрических и сегнетоэлектрических характеристик вблизи фазового перехода II рода - увеличению напряженности коэрцитивного поля Ек и диэлектрической проницаемости е'тах в точке Кюри, а также смещению значения Тс в сторону более низких (обработка ИМП в полярной фазе), или более высоких (обработка в парафазе) температур. Природа эффекта ИМП связывается с откреплением исходных дефектов от доменных стенок и дислокаций, а также распадом исходных дефектных комплексов и формированием новой доменной структуры.

Установлено, что при воздействии слабого ПМП на водородсодержащие кристаллы ТГС и KDP происходит изменение их физических свойств вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода. Полная аналогия эффектов указывает на общность механизмов протекающих процессов после воздействия в кристаллах. Отсутствие эффекта воздействия ПМП (по крайней мере, в интервале полей с индукциями от 0.02 до 0.3 Тл) в кислородно - октаэдрическом сегнетоэлектрике BaTi03 позволяет связать наблюдаемые в KDP и ТГС изменения с участием в структурных перестройках этих кристаллов протонов водородных связей, стабилизирующих короткоживущие радикальные состояния в дефектных комплексах, чувствительных к слабым магнитным воздействиям.

Воздействие ИМП на ВТСП - керамику УВагСизС^б, приводит к изменению знака ТКС вблизи температуры сверхпроводящего перехода с последующей долговременной релаксацией ТКС к исходному значению. Обнаруженные закономерности связываются с уменьшением после воздействия ИМП содержания кислорода в линейных цепочках Cu-0 керамики (повышением содержания кислородных вакансий 5), что способствует переходу соединения УВагСизО?^ в «псевдощелевое» состояние. Долговременная релаксация параметров обработанных ВТСП образцов объясняется уменьшением со временем дефицита кислорода в цепочках Cu-0 за счет его возвращения с границ зерен керамики и (или) поступления из атмосферы. Обнаруженный эффект открывает дополнительные возможности для управления реальной структурой и свойствами оксидных высокотемпературных сверхпроводников.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ М

В заключение считаю своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность моим коллегам за многочисленные дискуссии и помощь в работе над диссертацией. В первую очередь хотелось бы отметить моего научного консультанта, профессора кафедры ядерной физики ВГУ Левина Марка Николаевича, благодаря настойчивости и повседневной заботе которого и была написана эта диссертация. Я хотел бы поблагодарить профессора Матвеева Н.Н. (ВГЛТА) за многолетнее сотрудничество и постоянный интерес к результатам работы. Я признателен профессорам ^ Семеновой Г.В. (ВГУ), Калинину Ю.Е., Кущеву С.Б., Милошенко В.Е. и

Иванову О.Н. (ВГТУ).

Особую благодарность мне хотелось бы выразить моей жене, Постниковой Тамаре Васильевне, чью повседневную заботу и внимание я чувствовал на протяжении всей нашей совместной жизни, и чье умение создать благоприятную «погоду в доме» в немалой степени способствовало написанию этой работы. Я благодарен также моему сыну, Сергею, за его щ долготерпение при объяснении мне азов «компьютерной науки» (которую мне так и не удалось постичь в нужном объеме) и помощь в оформлении рукописи.

1. Баранов Ю.В., Гайсин Ф.Г., Усейнов Р.Г., Чайковский Н.Г. Влияние мощности дозы гамма-облучения на сдвиг порогового напряжения МДП-транзисторов. // Физ. и Техн. Полупроводников. 1985. - Т. 19. -№Ю.-С. 1883-1885.

2. Воищев B.C., Матвеев Н.Н., Валецкий П.М., Коршак В.В. Исследование зависимости спонтанной поляризации от градиента температуры в полидиметилсилоксане. // Докл. АН СССР. — 1985. Т. 281. - №6. -С. 1390-1392.

3. Алыпиц В.И., Даринская Е.В., Казакова О.Л. Магнитопластический эффект в облученных кристаллах NaCl и LiF. // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 1997. - Т. 111. - №2. - С. 615-626.

4. Левин М.Н., Зон Б.А. Воздействие импульсных магнитных полей на кристаллы Cz-Si. // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 1997. - Т. 111.- №4. -С. 1373-1397.

5. Гриднев С.А., Дрождин К.С., Шмыков В.В. Влияние постоянного магнитного поля на диэлектрическую релаксацию в кристалле молибдата гадолиния. // Кристаллография. — 1997. Т. 42. - №6. — С. 1135-1136.

6. Молоцкий М.И. Возможный механизм магнитопластического эффекта. // Физика твердого тела. 1991.-Т. 33. -№10.-С. 3112-3114.

7. Бучаченко A.JL, Сагдеев Р.З., Салихов К.М. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях. — Новосибирск: Наука. 1978. - 296 с.

8. Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики. М.: Радио и связь. - 1989. -287 с.

9. Рез И.С. Практическое использование свойств сегнетоэлектриков вблизи точек фазовых превращений // Известия АН СССР. (сер. физическая). 1985. - Т. 49. - №2. - С. 241-246.

10. Рез И.С. Современные тенденции в разработке и применениях сегнето-и пьезоэлектриков // Актуальные проблемы сегнетоэлектрических фазовых переходов. Рига. - 1983. - С. 53-79.

11. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика. Часть I. М.: Наука. - 1976. - 584 с.

12. Паташинский А.З., Покровский В.Л. Флуктуационная теория фазовых переходов. М.: Наука. - 1975. - 326 с.

13. Стенли Г. Фазовые переходы и критические явления. М.: Мир. - 1973. - 273 с.

14. Bruce A.D., Cowley R.A. Structural Phase Transitions. London: Taylorand Francis Ltd. - 1981.-324 p.

15. Лайнс M. Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. -М.: Мир. 1981.- 736 с.

16. Слэтер Дж. Диэлектрики, полупроводники, металлы. М.: Мир. - 1969.- 647 с.

17. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. М.: Изд-во АН СССР.- 1945. 724 с.

18. Гуль В.Е., Кулезнев В.Н. Структура и механические свойства полимеров. М.: Высшая школа. - 1972. - 320 с.

19. Бартенев Г.М., Ремизова А.А. Фазовые переходы и их классификация // Журн. Физ. Химии. 1957. - Т. 31. - №. 11. - С. 2534-2546.

20. Hayashi S., Takahashi S., Yamamoto M. Magneto-plastic effect in nickel single crystals. // J. Phys. Soc. Japan. 1971. - V. 30. - №2. - P. 381-387.

21. Hayashi S. Magneto-plastic effect in nickel and nickel-cobalt alloy single crystals. // J. Phys. Soc. Japan. 1972. - V. 32. - №4. - P. 949-957.

22. Hayashi S., Takahashi S., Yamamoto M. Effect of an alternating magnetic field on the flow stress of Ni and Ni-Co alloy single crystals. // Phys. Lett. -1972.-V. A42. №2. - P. 171-172.

23. Hayashi S. Direct observation of the dislocation motion in ferromagnetic crystals under alternating magnetic fields. // Jap. J. Appl. Phys. 1973. - V. 12.-№2.-P. 182-185.

24. Postnikov S.N. Electrophysical and electrochemical phenomena in friction, cutting and lubrication. New-York.: Van Nostr. Reinhold. - 1978. - 281 p.

25. Постников C.H., Кунгин А.Д., Черников А.А. Влияние импульсных магнитных полей на усталость быстрорежущей стали. // Электронная обработка материалов. 1981. - №6. - С. 8-11.

26. Дистлер Г.И., Каневский В.М., Москвин В.В., Постников С.Н., Рябинин Л.А., Сидоров В.П., Шнырев Г.Д. О влиянии слабого импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых тел. // Доклады АН СССР. 1983. - Т. 268. - №3. - С. 591-593.

27. Македонски Б.Г. Обработка режущих инструментов импульсным магнитным полем. // Матер. IV научно-технического семинара «Обработка импульсным магнитным полем». София-Нижний Новгород. - 1989. - С. 30-36.

28. Боровский С.М., Мухин B.C. Влияние ОИМП на состояние поверхности титановых и никелевых сплавов. // Матер. IV научно-технического семинара «Обработка импульсным магнитным полем». — София-Нижний Новгород. 1989. - С. 54-64.

29. Герганов A.M. Влияние магнитной обработки на порошковые инструментальные материалы. // Матер. IV НТС«Обработка импульсным магнитным полем». София-Нижний Новгород. - 1989. -С. 73-84.

30. Герасимова Н.В., Громыко Г.Г., Райкова Е.Б. Эффективность эпиламирования в импульсном магнитном поле. // Матер. IV научно-технического семинара «Обработка импульсным магнитным полем». -София-Нижний Новгород. 1989. - С. 113-119.

31. Постников С.Н., Масловский В.М. Развитие диффузионной неустойчивости в метастабильных структурах после ОИМП. // Матер. V научно-технического семинара «Обработка импульсным магнитным полем». София-Нижний Новгород. - 1992. - С. 3-7.

32. Бузынин В.Н., Ткач Б.А. Электронографические исследования структурных изменений в быстрорежущей стали после ОИМП. // Матер. V научно-технического семинара «Обработка импульсным магнитным полем». София-Нижний Новгород. - 1992. - С. 44-47.

33. Абрагам Л. Ядерный магнетизм. М.: Мир. - 1963. - 926 с.

34. Куркин М.И., Туров Е.А. ЯМР в магнитоупорядоченных веществах и его применения. М: Наука. - 1990. - 243 с.

35. Galligan J.M., Pang C.S. The electron drag on mobile dislocations in cooper and aluminum at low temperatures. Strain rate, temperature and field dependence. // J. Appl. Phys. 1979. - V. 50. - №10. - P. 6253-6256.

36. Motowidlo L., Goldman P., Yalamanchi В., Galligan J.M. Influence of dislocation drag on twinning in zinc. // Phys. Rev. Lett. 1980. - V. 44. -№14.-P. 934-936.

37. Galligan J.M. Dislocation drag mechanisms in normal state metals. // Scripta Metall. 1984. - V. 18. - №7. - P. 653-656.

38. Jemielniak R., Krolikowski J. Study of dislocations in a magnetic field by ultrasonic methods. // J. Techn. Phys. 1986. - V. 27. - №1-2. - P. 173-185.

39. Алыпиц В.И., Даринская E.B., Перекалина T.M., Урусовская А.А. О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля. // Физика тв. тела. 1987. - Т. 29. - №2. - С. 467-470.

40. Алыпиц В.И., Даринская Е.В., Гектина И.В., Лаврентьев Ф.Ф. Исследование магнитопластического эффекта в кристаллах цинка. // Кристаллография. 1990. - Т. 35. - №4. - С. 1014-1016.-к

41. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Перекалина Т.М., Петржик Е.К. «In situ» изучение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl методом непрерывного травления. // Физика твердого тела. 1991. - Т. 33. -№10.-С. 3001-3010.

42. Альшиц В.И., Воска Р., Даринская Е.В., Петржик Е.А. Магнитопластический эффект в кристаллах NaCl, LiF и А1 в переменном магнитном поле. // Физика твердого тела. 1993. — Т. 35. -№1.-С. 70-72.

43. Alshits V.I., Darinskaya E.V., Kazarinova E.L. et. all. Magnetoplastic effect in non-magnetic crystals and internal friction. // J. Allows and Compounds. — 1994.-V. 211.-P. 548-553.

44. Альшиц В.И., Даринская E.B., Михина Е.Ю., Петржик Е.А. О природе влияния электрического тока на магнито-стимулированную микропластичность монокристаллов А1. // Письма в ЖЭТФ. 1998. — Т. 67.-№10.-С. 788-793.

45. Альшиц В.И., Даринская Е.В. Магнитопластический эффект в кристаллах LiF и продольная релаксация спинов. // Письма в ЖЭТФ. -1999.-Т. 70.-№11.-С. 749-753.

46. Альшиц В.И., Даринская Е.В., Колдаева М.В. Особенности дислокационной динамики при импульсном нагружении кристаллов NaCl. // Физика твердого тела. 2001. - Т. 43. - Вып. 9. - С. 1635-1642.

47. Тяпунина Н.А., Красников В.Л., Белозерова Е.П. Влияние магнитного поля на неупругие свойства кристаллов LiF. // Физика твердого тела. -1999.-Т. 41.-№6.-С. 1035-1041.

48. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Магнитная память дислокаций в монокристаллах NaCl. // Письма в ЖЭТФ. 1993. - Т. 58. - №3. - С. 189-192.

49. Головин Ю.А., Казакова O.JI., Моргунов Р.Б. Подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl в постоянном магнитном поле. // Физика твердого тела. 1993. - Т. 35. - №5. - С. 1384-1386.

50. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Магнитная память монокристаллов NaCl с дислокациями. // Физика тв. тела. 1993. - Т. 35. - №9. - С. 2582-2585.

51. Golovin Yu.I., Morgunov R.B., Tyutyunnik A.V. The influence of permanent magnetic and alternative electric fields on the dislocation dynamics in ionic crystals. // Phys. Stat. Sol. (b). 1995. - V. 189. - P. 75-80.

52. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние постоянного магнитного поляна подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl. // Физика твердого тела. 1995. - Т. 37. - №5. - С. 1352-1361.

53. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние постоянного магнитного поля на скорость пластического течения монокристаллов NaCl'.Ca. // Физика твердого тела. 1995. - Т. 37. - №7. - С. 2118-2121.

54. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние постоянного магнитного поля на скорость макропластического течения ионных кристаллов. // Письмав ЖЭТФ. 1995.-Т. 61.- №7. -С. 583-586.

55. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Тютюнник А.В. Исследование in situ динамики дислокаций в монокристаллах NaCl, обработанных постоянным магн. полем. // Изв. РАН (сер. физич.). 1995. - Т. 59. - №10. - С. 3-7.

56. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е., Карякин A.M. Релаксационные явления при пластическом деформировании ионных кристаллов в постоянном магнитном поле. // Изв. РАН (сер. физическая). 1996. -Т. 60.-№9.-С. 173-178.

57. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е., Головин Д.Ю. Долгожи-вущие состояния дефектов структуры в монокристаллах NaCl, индуцированные импульсным магнитным полем. // Физика твердого тела. 1996. Т. 38. - №Ю. - С. 3047-3049.

58. Golovin Yu.I., Morgunov R.B., Lopatin D.V., Baskakov A. A. Influence of a strong magnetic fields pulse on NaCl crystal microhardness. // Phys. Stat. Sol. (a). 1997.-V. 160.-R3.

59. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Магниточувствительные реакции между дефектами структуры в ионных кристаллах. // Известия РАН (сер. химическая). 1997. - №4. - С. 739-744.

60. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е. Влияние постоянного магнитного поля на преодоление дислокациями короткодействующих препятствий в монокристаллах LiF. // Физика твердого тела. — 1997. -Т. 39. №3. - С. 495-496.

61. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е., Киперман В.А., Лопатин Д.В. Дислокационное зондирование состояния дефектов решетки, возбужденных импульсом магнитного поля в ионных кристаллах. // Физика твердого тела. 1997. - Т. 39. - №4. - С. 634-639.

62. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Иванов В.Е. In situ исследование влияния магнитного поля на подвижность дислокаций в деформируемых монокристаллах КС1:Са. // Физика твердого тела. —1997. Т. 39. - №4. - С. 630-633.

63. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Магнитопластические эффекты в кристаллах. // Известия РАН (сер. физическая). 1997. - Т. 61. - №5. -С. 850-859.

64. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е. Кинетические особенности движения дислокаций в ионных кристаллах, стимулированного импульсом магнитного поля. // Известия РАН (сер. физическая). 1997. - Т. 61. - №5. - С. 965-971.

65. Molotski М., Fleurov V. Influence of static and alternative magnetic fields on plasticity of crystals. // Phil. Mag. Lett. 1996. - V. 73. -№1. - P. 11-15.

66. Molotski M., Fleurov V. Spin effectsin plasticity. // Phys. Rev. Lett. 1997.- V. 78. №14. - P. 2779-2782.

67. Molotski M., Fleurov V. Manifestations of hyperfine interaction in plasticity. // Phys. Rev. 1997. - V. B56. - № 17. - P. 10809-10811.

68. Molotski M., Fleurov V. Dislocation paths in a magnetic field. // J. Phys. Chem. 2000. - V. В104. - № 16. - P. 3 812-3 816.

69. Molotski M.I. Theoretical basis for electro- and magnetoplasticity. // Mat. Sci and Engin. 2000. - V. A287. - P. 248-258.

70. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. О роли обменных сил в формировании пластических свойств диамагнитных кристаллов. // Доклады РАН. -1997. Т. 354. - №5. - С. 632-634.

71. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Иванов В.Е. Термодинамические и кинетические аспекты разупрочнения ионных кристаллов импульсным магнитным полем. // Физика твердого тела. 1997. - Т. 39. - №11.1. С. 2016-2018.

72. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.Е. Роль внутренних механических напряжений в магнитостимулированном движении дислокаций. // Кристаллография. 1998. - Т. 43. - №4. - С. 689-693.

73. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов, Иволгин В.И. Фотовозбуждение магниточувствительных точечных дефектов в ионных кристаллах. // Кристаллография. 1998. - Т. 43. - №5. - С. 912-916.

74. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Шмурак С.З. Оптическое возбуждение магниточувствительных центров в ионных кристаллах. // Доклады РАН.- 1998. Т. 360. - №6. - С. 753-755.

75. Урусовская А.А., Альшиц В.И., Беккауер Н.Н., Смирнов А.Е. Деформация кристаллов NaCl в условиях совместного действия магнитного и электрического полей. // Физика твердого тела. 2000. -Т. 42. - №2. - С. 267-269.

76. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Тюрин А.И., Иволгин В.И. Магнитный резонанс в короткоживущих комплексах структурных дефектов в монокристаллах NaCl. // Доклады РАН. 1998. - Т. 361. - №3.1. С. 352-354.

77. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Жуликов С.Е., Дмитриевский А.А. Электронный парамагнитный резонанс в подсистеме структурных дефектов как фактор пластификации кристаллов NaCl. // Письма в ЖЭТФ. 1998. - Т. 68. - №5. - С. 400-405.

78. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Лопатин Д.В., Баскаков А.А., Евгеньев Я.Е. Обратимые и необратимые изменения пластических свойств кристаллов NaCl, вызванные действием магнитного поля. // Физика твердого тела. 1998. - Т. 40. - №11. - С. 2065-2068.

79. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Тютюнник А.В., Жуликов С.Е., Афонина Н.М. Влияние магнитных и электрических полей на состояние точечных дефектов в монокристаллах NaCl. // Физика твердого тела. -1998. Т. 40. - №12. - С. 2184-2188.

80. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние слабого магнитного поля на состояние структурных дефектов и пластичность ионных кристаллов. // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 1999. - Т. 115. - №2. - С. 605-624.

81. Дацко О.И., Алексеенко В.И. Внутреннее трение в магнитообработанном материале с дислокациями. // Физика твердого тела. 1997.-Т. 39.-№7.-С. 1234-1236.

82. Дацко О.И., Алексеенко В.И., Брусова А.Л. Влияние импульсов слабого магнитного поля на зернограничную релаксацию в алюминии. // Физика твердого тела. 1999. -Т. 14.-Вып. 11.-С. 1985-1987.

83. Пинчук А.И., Шаврей С.Д. Магнитопластический эффект в случае двойникования кристаллов висмута под действием сосредоточенной нагрузки. // Физика твердого тела. 2001. - Т. 43. - Вып. 1. - С. 39 - 41.

84. Пинчук А.И., Шарвей С.Д. Влияние постоянного магнитного поля и импульсного электрического тока на среднюю линейную плотность двойникующих дислокаций в кристаллах висмута. // Физика твердого тела.-2001.-Т. 43.-Вып. 8.-С. 1416-1417.

85. Дацко О.И. Дислокационное внутреннее трение материала с вакансиями в импульсах слабого магнитного поля. // Физика твердого тела. 2002. - Т. 44. - Вып. 2. - С. 289-290.

86. Пинчук А.И., Шаврей С.Д. Корреляция между микротвердостью и подвижностью двойникующих дислокаций в кристаллах висмута при приложении постоянного магнитного поля. // Письма в ЖТФ. — 2002. —

87. Т. 28. Вып. 12. - С. 80-84.

88. Шаврей С.Д., Пинчук А.И. Снижение подвижности и размножения двойникующих дислокаций в кристаллах висмута при приложении постоянного магнитного поля. // Письма в ЖТФ. 2003. - Т. 29. - №15. -С. 35-39.

89. Кведер В.В., Осипьян Ю.А., Шалынин А.И. Спин-зависимая рекомбинация на дислокационных оборванных связях в кремнии. // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 1982. - Т. 83. - №2(8). - С. 699-714.

90. Макара В.А., Стебленко Л.П., Горидько Н.Я., Кравченко В.М., Коломиец А.Н. О влиянии постоянного магнитного поля на электропластический эффект в кристаллах кремния. // Физика твердого тела. 2001. - Т. 43. - Вып. 3. - С. 462-465.

91. Скворцов А.А., Орлов A.M., Гончар Л.И. Влияние слабого магнитного поля на подвижность дислокаций в кремнии. // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 2001. - Т. 120. - №1(7). - С. 134-138.

92. Орлов A.M., Скворцов А.А., Соловьев А.А. Динамика поверхностных дислокационных ансамблей в кремнии при наличии механических и магнитных возмущений. // Физика твердого тела. 2003. - Т. 45. - Вып. 4.-С. 613-617.

93. Алексеенко В.И. Реакция системы дислокация примесь на электромагнитное воздействие. // Ж. Тех. Физ. - 2000. - Т. 70. - №6. - С. 63-66.

94. Закревский В.А., Пахотин В.А., Шульдинер А.В. О возможном влиянии магнитного поля на разрыв механически нагруженных ковалентных химических связей. // ФТТ. 2002. - Т. 44. - Вып. 11.- -С. 1990-1993.

95. Петржик Е.А., Даринская Е.В., Ерофеева С.А., Паухман М.Р. Влияние легирования и предварительной обработки на магнитостимулирован-ную подвижность дислокаций в монокристаллах InSb. // Физика твердого тела. 2003. - Т. 45. - Вып. 2. - С. 254-256.

96. Бадылевич М.В., Иунин Ю.Л., Кведер В.В., Орлов В.И., Осипьян Ю.А. # Влияние магнитного поля на стартовые напряжения и подвижностьиндивидуальных дислокаций в кремнии. // Журн. Эксп. и Теор. Физики.- 2003. Т.124. - №3. - С. 664-669.

97. Осипьян Ю.А., Моргунов Р.Б., Баскаков А.А., Орлов A.M., Скворцов А.А., Инкина Е.Н., Танимото Й. Магниторезонансное упрочнение монокристаллов кремния. // Письма в ЖЭТФ. 2004. - Т. 79. - Вып. 3. -С. 158-162.

98. Осипьян Ю.А., Головин Ю.И., Лопатин Д.В., Моргунов Р.Б., Николаев Р.К., Шмурак С.З. Влияние импульсного магнитного поля на микротвердость монокристаллов С6о- Н Письма в ЖЭТФ. 1999. - Т. 69.- №2.-С. 110-113.

99. Осипьян Ю.А., Головин Ю.И., Лопатин Д.В., Моргунов Р.Б., Николаев Р.К., Шмурак С.З. Влияние постоянного магнитного поля на фотопроводимость монокристаллов С6о- Н Физика твердого тела. -1999. Т. 41. - Вып 11. - С. 2097-2099.

100. Осипьян Ю.А., Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Николаев Р.К., Пушнин И.А., Шмурак С.З. Инверсия знака магнитопластического эффекта в монокристаллах С6о при фазовом переходе sc -fee. II Физика твердого тела. --2001.-Т. 43.-Вып. 7.-С. 1333-1335.

101. Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Николаев Р.К., Пушнин И.А. Влияние ультраслабого ионизирующего облучения на магнитопластический эффект в монокристаллах фуллерита С6о- Н Физика твердого тела. 2003. - Т. 45. - Вып. Г. - С. 187-190.

102. Алыпиц В.И., Даринская Е.В., Колдаева М.В., Петржик Е.А. Магнитопластический эффект: основные свойства и физические механизмы. // Кристаллография. 2003. - Т. 48: - №5. - С. 826-854.

103. Головин Ю.И. Магнитопластичность твердых тел. // Физика твердого тела. 2004. - Т. 46. - Вып. 5. - С. 769-803.

104. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Баскаков А.А., Бадылевич М.В., Шмурак СЗ. Влияние магнитного поля на пластичность, фото- и электролюминесценцию монокристаллов ZnS. // Письма в ЖЭТФ. 1999. - Т. 69. -№2.-С. 114-118.

105. Моргунов Р.Б., Головин Ю.И. Возможный механизм влияния магнитного поля на состояние метастабильных комплексов точечных дефектов в ионных кристаллах. // Известия вузов. Материалы радиоэлектронной техники. 1999. - Т. 53. - №6. - С. 217-218.

106. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Жуликов С.Е., Лопатин Д.В: Релаксационные процессы, стимулированные слабым магнитным полем в подсистеме точечных дефектов в ионных кристаллах. // Кристаллография. 1999. - Т. 44. - №5. - С. 885-889.

107. Альшиц В.И., Урусовская А.А., Смирнов А.Е., Беккауер Н.Н. Деформация кристаллов LiF в постоянном магнитном поле. // Физика твердого тела. 2000. - Т. 42. - №2. - С.270-272.

108. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние магнитного поля на макросвойства реальных диамагнитных кристаллов (часть 1).//Материаловедение. 2000. - Т. 115. - №3. - С. 2-9.

109. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. То же (часть 2). // Материаловедение. — 2000.-Т. 115.-№4.-С. 2-7.

110. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Дмитриевский Л.А., Шмурак С.З. Анизотропия оптического гашения магнитопластического эффекта в монокристаллах NaCl. // Кристаллография. — 2000. Т. 64. - № 1. -С. 154-155.

111. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Иванов В.Е., Дмитриевский А.А. Эффекты разупрочнения ионных кристаллов, вызванные изменением спиновых состояний в условиях парамагнитного резонанса. // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 2000. - Т. 117. - №6. - С. 1080-1093.

112. Opirchal Н., Nierzewski K.D., Drulis Н. Effects of -/-irradiation on EPR spectra of Eu2' doped KC1 and NaCl crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1983.m V. 118.-P. K125-K128.

113. Кукушкин H.B., Постников C.H., Терман Ю.А., Кедяркин В.М. Изменение упруго-напряженного состояния структур Si-SiOi под воздействием ИМП. // ЖТФ. 1985. - Т. 55. - №10. - С. 2083-2085.

114. Масловский В.М., Постников С.Н. О механизме влияния слабого магнитного поля на структуру конденсированных сред. // Матер. IV научно-технического семинара «Обработка импульсным магнитным полем». София-Нижний Новгород, 1989. — С. 5-14.

115. Климов Ю.И., Масловский В.М., Тарасенко В.В. Долговременные релаксации электрофизических параметров полупроводниковых структур после воздействия магнитным полем. // Там же — София-Нижний Новгород, 1989. С. 44-53.

116. Климов Ю.И., Масловский В.М., Тарасенко В.В. Воздействие импульсного магнитного поля на электрофизические параметры МДП-структур. // Электр, техника. 1990. - Сер. 3. - Вып. 5(139). - С. 20-25.

117. Климов Ю.И., Масловский В.М., Холоднов К.В. Долговременная релаксация параметров полупроводниковых структур после воздействия магнитного поля. // Электрон, техника. 1990. - Сер. 3.1. Вып. 5(144).-С. 22-26.

118. Масловский В.М., Климов Ю.А., Самсонов Н.С., Симанович Е.В. Изменение электрофизических параметров систем Si-SiCb, индуцированные импульсным магнитным полем. // Физика и техника полупроводников. 1994. - Т. 28. - №5. - С. 772-777.

119. Давыдов В.Н., Лоскутова Е.А., Найден Е.П. Запаздывающие структурные изменения в полупроводниках, стимулированные магнитным полем. // Физика и техника полупроводников. 1989. — Т. 23.-№9.-С. 1596-1599.

120. Власов В.П., Каневский В.М., Пурцхвадзе А.А. Оже-электронная спектроскопия полупроводниковых кристаллов после воздействия импульсного магнитного поля. // Физика твердого тела. 1991. - Т. 33. -№7.-С. 2194-2300.

121. Власов В.П., Заитов Ф.А., Каневский В.М. и др. О миграции индия в CdHgTe после воздействия импульсным магнитным полем. // Физика твердого тела. 1992. - Т. 34. - №10. - С. 3264-3265.

122. Дембовский С.А., Чечеткина Е.А., Козюхин С.А. Аномальное влияние слабых магнитных полей на диамагнитные стеклообразные полупроводники. // Письма в ЖЭТФ. 1985. - Т. 41. - №2. - С. 74-76.

123. Муравьев В.А. О механизме стимулирования миграции вакансий в кремнии импульсным магнитным полем. // Матер. V научно-технического семинара «Обработка импульсным магнитным полем». — София-Нижний Новгород. 1992. - С. 24-29.

124. Maslovsky V.M., Litchmanov J.O., Samsonov N.S. Charge stability of Si-Ш SiOi system and it's changes induced by a pulsed magnetic field treatment. //

125. Phys. Lett. A. 1995. - V. 197. - P. 253-256.

126. Смоленский Г.А., Крайник H.H. Достижения в области сегнето-электричества. // Успехи физ. наук. — 1969. — Т. 97. №4. - С. 657-696.

127. Иванова С.В., Ляховицкая В.А. О влиянии магнитного поля на точку Кюри сегнетоэлектрика-полупроводника SbSI. // Кристаллография. -1973.-Т. 18. №3. - С. 641.

128. Takaoka S., Murase К. Anomalous resistivity near the ferroelectric phase transition in (Pb,Ge,Sn)Te alloy semiconductors. // Phys. Rev. B. 1979. -V. 20.-№7.-P. 2823-2833.

129. Флерова C.A., Бочков O.E. Влияние магнитного поля на фазовую границу в кристаллах ВаТЮз. // Письма в ЖЭТФ. 1981. - Т. 33. - №1. -С. 37-40.

130. Флерова С.А., Бочков О.Е. Влияние магнитного поля на поведение кристаллов ВаТЮз вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода. // Кристаллография. 1982. - Т. 27. - №1. - С. 198-201.

131. Флерова С.А., Бочков О.Е., Цинман И.Л. Влияние магнитного поля на сегнетоэлектрический фазовый переход в титанате бария. // Физика

132. Ш твердого тела. 1982. - Т. 24. - №8. - С. 2505-2507.

133. Крохмаль Ю.Д., Бочков О.Е., Кудзин А.Ю., Флерова С.А. Влияние магнитного поля на фотоиндуцированный сдвиг температуры Кюри кристаллов Sn2P2S6. // Известия АН СССР (сер. физическая). 1983. -Т. 47.-№4.-С. 734-735.

134. Флерова С.А., Цинман ИЛ. Влияние магнитного поля на формирование доменной структуры Gd2(Mo04)3 в области фазового перехода. // Кристаллография. 1987. - Т. 32. - №4. - С. 1047-1048.

135. Берсукер И.Б., Вехтер Б.Г., Зенченко В.П., Исмаилзаде И.Г., Исмаилов P.M., Рез И.С. Магнитное управление нелинейными диэлектрическими свойствами полярных кристаллов. // Письма в ЖЭТФ. 1980. — Т. 32. -№9.-С. 549-551.

136. Исмаилзаде И.Г., Исмаилов P.M., Эюбова Н.А., Самедов О.А. Влияние постоянного магнитного поля на температуру Кюри РЬзУ208 и Pb4SiC>6. // Физика твердого тела. 1981. - Т. 23. - №3. - С. 940-943.

137. Моисеев С.И., Нечаев В.Н. О силе, действующей на движущиеся границы раздела в сегнетоэлектриках-сегнетоэластиках в магнитном поле. // Известия РАН (сер. физич.). 1997. - Т. 61. - №5. -С. 945-949.

138. Магомедов М.Н. Об изменении параметров фазового перехода в магнитном поле. // Письма в ЖТФ. 2002. - Т. 28. - №3. - С. 73-79.

139. Попов С.А., Тихомирова Н.А., Флерова С.А. Взаимодействие движущихся доменных границ с магнитным полем в Gd2(Mo04)3. // Кристаллография. 1985. - Т. 30. - №3. - С. 608-609.

140. Орлов O.JI., Попов С.А., Флерова С.А., Цинман И.Л. Магнитный момент, связанный с движущейся доменной стенкой сегнетоэлектрика. //Письма в ЖТФ. 1988.-Т. 14. -№2.-С. 118-121.

141. Иванов С.А., Курлов В.Н., Пономарев Б.К., Редькин Б.С. Влияние намагничивания парамагнитных кристаллов Gd2(Mo04)3 и ТЬ2(Мо04)з на их электрическую поляризацию. // Известия РАН (сер. физическая). 1992.-Т. 56.-№10.-С. 146-149.

142. Flerova S.A., Bochkov O.E., Kudzin A.Yu., Krochmal Yu.B. Influence of magnetic field on the ferroelectric properties of Sn2P6S6 crystals. // Ferroelectrics.- 1982.- V. 45.-№1/2.-P. 131-135.

143. Флерова С.А., Крайник H.H., Боцьва Н.П., Попов С.А. Влияние магнитного поля на доменную электролюминесценцию в кристаллах титаната бария вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода. // Письма в ЖТФ. 2003. - Т. 29. - №2. - С. 45-49.

144. Гриднев С.А., Дрождин К.С., Шмыков В.В. Влияние магнитного поля на стартовые поля хаоса в кристалле триглицинсульфата. // Физика твердого тела. 2000. - Т. 42. - №2. - С. 318-321.

145. Смирнов Б.И., Песчанская Н.Н., Николаев В.И. Магнитопластический эффект в сегнетоэлектрических кристаллах NaNCb. // Физика твердого тела. 2001. - Т. 43. - №12. - С. 2154-2156.

146. Николаев В.И., Перцев Н.А., Смирнов Б.И. Электропластический эффект в поляризованных сегнетоэлектрических кристаллах NaNCb. // Физика твердого тела. 1991. - Т. 33. - №1. - С. 93-98.

147. Гуль В.Е., Садых-заде С.М., Трифель Б.Ю., Абдулаев Н.А., Вечхайзер Г.В. Изучение релаксационных переходов в полимерах при воздействии магнитных полей. // Механика полимеров. 1971. - №4. - С. 611-614.

148. Garanin D.A., Luchnikov А.Р., Lutovinov V.S. The influense of magnetic field on dielectric relaxation process. // J. Phys. (Fr.). 1990. - V. 51. -№11.-P. 1229-1238.

149. Гаранин Д.А., Лутовинов B.C., Лучников А.П., Сигов A.C., Шермуха-медов А.Т. Влияние магн. поля на релаксационный пик диэлектрических потерь в полимерах. // ФТТ. 1990. - Т. 32. - №4. - С. 1172-1176.

150. Молчанов Ю.М., Кнснс Э.Р., Родин Ю.П. Структурные изменения полимерных материалов в магнитном поле. // Механика полимеров. -1973.-№4.-С. 737-738.

151. Песчанская Н.Н., Суровова В.Ю., Якушев П.Н. О влиянии постоянного магнитного поля на кинетику деформации полимеров. // Физика твердого тела. 1992. - Т. 34. - №7. - С. 2111-2117.

152. Песчанская Н.Н., Якушев П.Н. Ползучесть полимеров в постоянном магнитном поле. // ФТТ. 1997. - Т. 39. - №9. -С. 1690-1692.

153. Жорин А.В., Мухина Л.Л., Разумовская И.В. Изменение микротвердости полиэтилена и полипропилена в результате пластического течения под высоким давлением. // ВМС (Б). 1998. - Т. 40. - №6. - С. 1035-1039.

154. Жорин А.В., Мухина Л.Л., Разумовская И.В. Влияние магнитной обработки на микротвердость полиэтилена и полипропилена. // Высокомол. соединения (серия Б). 1998. - Т. 40. - №7. - С. 1213-1215.

155. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Ликсутин С.Ю. Влияние импульса сильного магнитного поля на механические свойства полиметилметакрилата. // Высокомол. соединения (серия Б). 1998. -Т. 40.-№2.-С. 373-376.

156. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Ликсутин С.Ю. Термодинамические и кинетические аспекты влияния импульсного магнитного поля на микротвердость полиметилметакрилата. // Высокомол. соединения (серия Б). 1999. - Т. 42. - №2. - С. 277-281.

157. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Ликсутин С.Ю. Термодинамические и кинетические аспекты влияния импульсного магнитного поля на микротвердость полиметилметакрилата. // Высокомол. соединения (серия А). 2000. - Т. 42. - №2. - С. 277-281.

158. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Новый тип магнитопластических эффектов в линейных аморфных полимерах. // Физика твердого тела. -2001.-Т. 43.-№5.-С. 827-832.

159. Моргунов Р.Б., Головин Ю.И., Якунин Д.В., Трофимова И.Н. Электро-магнитопластический эффект в аморфном полиметилметакрилате. // Высокомол. соединения (серия Б). 2002. - Т. 44. - №1. - С. 129-131.

160. Песчанская Н.Н., Якушев П.Н. Деформация твердых полимеров в постоянном магнитном поле. // Физика твердого тела. 2003. - Т. 45. -Вып. 6.-С. 1130-1134.

161. Бучаченко A.JI. Магнитные эффекты в химических реакциях. // Успехи химии. 1976. - Т. 45. - №5. - С. 761-792.

162. Бучаченко A.JI. Химическая поляризация электронов и ядер. М.: Наука. - 1974. - 246 с.

163. Бучаченко A.JI. Второе поколение магнитных эффектов в химических реакциях. // Успехи химии. 1993. - Т. 62. - №12. - С. 1139-1149.

164. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М: Мир. - 1984.-475 с.

165. Plans J., Diaz G., Martinez E. et al. Theoretical study of oxygen in silicon: breaking of the Si-Si bond. // Phys.Rev. B. 1987. - V. 35. - N2.1. P. 788-791.

166. Levin M.N., Zon B.A. Pulsed magnetic field induced effects in silicon: experiment and theory. // International Symposium on Si heterostructures: from physics to devices. Heraclion. - Crete Creece. - 1995. - P. 183.

167. Левин M.H., Битюцкая Л.А., Машкина E.C. Самоорганизующиеся процессы в кристаллах кремния, обработанных ИМП. // Матер, симпозиума «Синергетика, структура и свойства материалов, самоорганизующиеся технологии». Москва. - 1996. - С. 88-90.

168. Levin M.N., Zon В.A. Magnetic field induced generation of A-like centers in Cz-Si crystals. // Phys. Lett. A. 1999. - V. 260. - P. 386-390.

169. Levin M.N., Zon B.A. Pulsed magnetic field induced 3-D islanding of oxygen contained clusters in Cz-Si crystals. // Mater. Res. Soc. Proc. — 2000. -V.319.-P. 429-434.

170. Никитин E.E., Уманский С.Я. Неадиабатические переходы при медленных атомных столкновениях. М.: Атомиздат. - 1979. — 272 с.

171. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука. - 1990. - 216 с.

172. Емцев В.В., Оганесян Г.А., Шмальц К. Критическая концентрация кислорода в Cz-Si и кластеризация примесных атомов при термообработке. // Физ. и Техн. Полупроводников. 1993. - Т. 27. - №9. -С. 1549-1555.

173. Левин М.Н., Постников В.В., Татаринцев А.В. Совместное воздействие постоянных и импульсных магнитных полей на кристаллы кремния. // Вестник ВГТУ, сер. «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ. 2002. -Вып 1.11.-С. 79-81.

174. Levin M.N., Zon B.A. Magnetic-field induced generation of A-like centers in Cz-Si. // Mater. Res. Soc. Proc. 2000. - V. 583. - P. 278-284.

175. Данилюк А.Л., Нарейко А.И. Колебательная релаксация поверхностной проводимости кремния после воздействия слабого магнитного поля. // Поверхность. 1996. - №9. - С. 27-33.

176. Левин М.Н., Семенов В.Н., Наумов А.В. Импульсная магнитная обработка кремниевых подложек для осаждения тонких пленок методом пульверизации. // Письма в ЖТФ. 2001. - Т.27. - №7. -С. 35-40.

177. Gordy W., Cook R.L. Microwawe molecular spectra. N.Y.: Waley. 1984. -375 p.

178. Косцов A.M., Косцова О.А., Левин M.H., Постников В.В. Влияние импульсных магнитных полей на микроволновые спектры кристаллов кремния. // Вестник ВГТУ, серия «Материаловедение». — Воронеж: ВГТУ.-2001.-Вып. 1.10.-С. 55-58.

179. Левин М.Н., Постников В.В., Остроухов С.С. Внутреннее геттерирование в кремнии при комбинированном воздействии радиации и импульсных магнитных полей. // Вестник ВГТУ, серия «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ. - 2001. - Вып. 1.9. - С. 49-53.

180. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник. Киев: Наукова Думка. -1978.-316 с.

181. Пека Г.П. Физические явления на поверхности полупроводников. Киев: Вища школа. 1984. - 214 с.

182. Maslovsky V.M., Litchmanov J.O., Samsonov N.S. Charge stability of Si-Si02 systems and its changes induced by a pulsed magnetic field treatment. // Phys. Lett. A. 1995. - V. 197. - P. 253-256.

183. Левин M.H., Личманов Ю.О., Масловский B.M. Изменение зарядовой стабильности МДП-структур, индуцированное импульсным магнитным полем. // Письма в ЖТФ. 1994. - Т. 20. - №4. - С. 27-31.

184. Кадменский А.Г., Кадменский С.Г., Левин М.Н., Масловский В.М., Чернышев В.В. Релаксационные процессы в МДП-элементах интеграл, схем, вызванные ионизирующим излучением и импульсным магнитным полем. // Письма в ЖТФ. 1993. - Т. 19. - №3. - С. 41-45.

185. Угай Я.А., Гончаров Е.Г., Семенова Г.В., Лазарев В.Б. Фазовые равновесия между фосфором, мышьяком, сурьмой и висмутом. М.: Наука. - 1989. - 233 с.

186. Постников В.В., Левин М.Н., Семенова Г.В., Сушкова Т.П., Долгополова Э.А. Структурные превращения в твердых растворах Sb-As при воздействии слабых импульсных магнитных полей. // Конденс. среды и межфазные границы. 2002. - Т. 4. - №4. -С. 326-332.

187. Левин М.Н., Семенова Г.В., Сушкова Т.П., Постников В.В, Агапов Б.Л. Влияние импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых растворов в системе Sb-As. // Физика твердого тела. 2003. - Т. 45. -№4.-С. 609-612.

188. Постников В.В. Влияние слабых магнитных полей на фазовые переходы в некоторых конденсированных системах. // Вестник ВГТУ, серия «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ. - 2003. - Вып. 1.13. - С. 3-14.

189. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. М.: Металлургиздат. 1962. - 608 с.

190. Булярский С.В., Фистуль В.И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках. М.: Наука. - 1997. - 352 с.

191. Гончаров Е.Г. Полупроводниковые фосфиды и арсениды кремния и германия. Воронеж: Вор. ГУ. 1989. - 207 с.

192. Левин М.Н., Семенова Г.В., Сушкова Т.П., Долгополова Э.А., Постников В.В. Воздействие импульсных магнитных полей на реальную структуру кристаллов арсенида индия. // Письма в ЖТФ. -2002. Т. 28. - №19. - С. 50-55.

193. Стрельченко С.С., Лебедев В.В. Соединения AniBv. М: Металлургия. -1984.- 144 с.

194. Belyavsky V.I., Levin M.N. Spin Effects in Defect Reactions. // Phys. Rev. B. 2004 (в печати).

195. Вайнгард У. Введение в физику кристаллизации металлов. М.: Мир. — 1967.- 159 с.

196. Джейл Ф.Х. Полимерные монокристаллы. Л.: Химия. — 1968. - 552 с.

197. Марихин В.А., Мясникова Л.П. Надмолекулярная структура полимеров. Л.: Химия - 1977. - 238 с.

198. ВундерлихБ. Физика макромолекул. Т. 1. М.: Мир. - 1976. - 624 с.

199. Вундерлих Б. Физика макромолекул. Т. 2. М.: Мир. - 1979. - 574 с.

200. Вундерлих Б. Физика макромолекул. Т. 3. М.: Мир. - 1984. - 484 с.

201. Глесстон С., Лейдер К., Эйринг Г. Теория абсолютных скоростей реакций. М.: Иностр. Лит. - 1948. - 583 с.

202. Волькенштейн М.В. Проблемы теоретической физики полимеров // Успехи Физ.Наук. 1959. - Т.67. - Вып. 1. - С. 131-161.

203. Флори П. Статистическая механика цепных молекул. М.: Мир. - 1971. -440 с.

204. Соболевский М.В. Скороходов И.И., Гриневич К.П. и др. Олигоорганосилоксаны. М.: Химия. - 1985. - 264 с.

205. Марей А.И. Физические свойства эластомеров Л.: Химия - 1975 - 136с

206. Андрианов К.А. Полимеры с неорганическими главными цепями молекул. М.: Изд-во АН СССР. - 1962. - 327 с.

207. Соболевский М.В., Музовская О.А., Попелева Г.С. Свойства и области применения кремнийорганич. продуктов. М.: Химия. - 1975. - 296 с.

208. Догадкин Б.А., Донцов А.А., Шершнев В.А. Химия эластомеров. М.: Химия. - 1981.-374 с.

209. Николаев А.Ф. Синтетические полимеры и пластические массы на их основе. М, Л.: Химия. - 1964. - 784 с.

210. Thompson R. Heats of combustion and formation of some linear polydimethylsiloxanes; the Si-C and Si-0 bondenergy terms // J. Chem. Soc. 1953. - V. 65. - №6. - P. 1908-1913.

211. Андрианов К.А. Теплостойкие кремнийорганические диэлектрики. Л.: Энергия. - 1964. — 376 с.

212. Матвеев Н.Н., Постников В.В. Влияние электрического поля на поляризацию при стекловании кристаллизующихся эластомеров // Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность: Тез. докл. IV междунар. конф. — Воронеж: ВГТУ. 1996. - С. 73.

213. Bowen H.J.M., Suttrn L.E. Tables of Interatomic Distance and Configuration in Molecules and Ions. London, 1958. - Supplement. - 1965.

214. Von Damaschun G. Rontgenographische Untersuchung der Structur von Silikongummi // Kolloid Zs. 1962. - V. 180. - S. 65-67.

215. Shimanouchi Т., Mizushima S. The rotation-vibration spectrs and structure polydiethylsiloxane // J. Chem. Phys. 1955. - V. 23. - P. 707-710.

216. Слонимский Г.Л., Левин В.Ю. Исследование процесса кристаллизации полидиметилсилоксанового каучука. // Высокомол. соединения. 1966. -Т. 8.-№11.-С. 1936-1941.

217. Малкин А.Я., Папков С.П. Ориентационные явления в растворах и расплавах полимеров. М.: Химия. - 1980. - 278 с.

218. Мюнстер А. Проблемы современной физики. М.: Издатинлит. - 1956. -296 с.

219. Уббелоде А.Р. Плавление и кристаллическая структура. М.: Мир. -1969.-420 с.

220. Годовский Ю.К. Теплофизические методы исследования полимеров. -М.: Химия. 1976.-216 с.

221. Лебедев Б.В., Мухина Н.Н., Кулагина Т.Г. Термодинамика полидиметилсилоксана в области 0-300 К. // Высокомол. соединения. -1978. Т. 20А. - №6. - С. 1297-1303.

222. Цахман Г. Кристаллизация и плавление полимеров. // Химия и технология полимеров. 1966. - №5. - С 3-77.

223. Семенченко В.К. К термодинамике полимеров. Термодинамика мезофаз. // Коллоид. Журн. 1962. - Т. 24. - №3. - С. 323-331.

224. Годовский Ю.К., Липатов Ю.С. Исследование теплоемкости линейных полиуретанов // Высокомол. соединения. 1968. - Т.10. - №1. - С. 32-40.

225. Левин В.Ю., Андрианов K.A., Слонимский Г.Л. О влиянии молекулярного веса на кинетику кристаллизации полидиметилсилоксана // Высокомол. соединения (серия Б). 1975. - Т. 17. - С. 244-246.

226. Стрелков П.Г. Калориметрическое исследование плавления олигоди-метилсилоксанов//Ж. Физ. Химии. 1954.-Т. 28. -№1.-С. 189-196.

227. Кострюков В.Н. Термодинамические исследования полиорганосилок-сановых жидкостей при низких температурах. Теплоемкость полиме-тилсилоксановых жидкостей с вязкостью 1,5 и 2,5. Черкассы, 1975. -Деп. в ОНИИТЭХим. - №408/75.

228. Скороходов И.И., Шуралева З.В., Чистов С.Ф. Поведение жидкостей марок ПМС при низких температурах. Черкассы, 1976. Деп. в ОНИИТЭХим 12.07.76. - № 103.

229. Andrianov К.А. Thermodinamics of cristalline linear organosiloxane // J. Polym. Sci. 1972. - V 10. - № 1. - P. 1 -22.

230. Турдакин B.A., Тарасов B.B., Мальцев A.K. Калориметрическое исследование пол и диэтил сил океана и полидиметилсилоксана // Журн. Физ. Химии. 1976. - Т. 50. - №11. - С. 1980-1984.

231. Чистов С.Ф., Шуралева З.В., Скороходов И.И. Влияние молекулярно-массового распределения на температуру и тепловой эффект плавленияполидиметилсилоксана// Высокомол. соединения (серия Б). 1979. -Т. 21. - №3. - С. 178-181.

232. Левин М.Н., Постников В.В. Направленная модификация материалов импульсными магнитными полями. // Радиолокация, навигация, связь. Материалы VII Международной научно-техн. конф. Воронеж: ВГУ. — 2001. —Т. 3.- С. 1699-1710.

233. Постников В.В., Матвеев Н.Н., Левин М.Н. Влияние импульсного магнитного поля на кинетику кристаллизации и плавления органо-силоксанов. // Вестник ВГТУ, сер. «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ. - 2001. - Вып 1.9. - С. 19-23.

234. Левин М.Н., Постников В.В., Матвеев Н.Н. Влияние импульсных магнитных полей на кинетику фазовых переходов кремнийорганичес-ких полимеров. // Межфазная релаксация в полиматериалах. Материалы Международной НТК. Москва: МИРЭА. 2001. - С. 97-100.

235. Постников В.В., Левин М.Н. Модификация кремнийорганических полимеров импульсными магнитными полями. // Радиолокация, навигация, связь. Материалы VIII Международной научно-техн. конф. Воронеж: ВГУ. 2002. - Т. 3. - С. 2108-2117.

236. Левин М.Н., Постников В.В., Матвеев Н.Н Влияние импульсной магнитной обработки на кристаллизацию гибкоцепных полимеров. // Высокомол. соединения (серия А). 2003. - Т. 45, №2. - С. 217-223.

237. Матвеев Н.Н., Постников В.В. Переходы кристалл-кристалл в целлюлозе. // Диэлектрики — 93. Тезисы докл. Российской НТК. Санкт-Петербург: СпбПИ. 1993. - Ч. 2. - С. 196-198.

238. Matveev N.N., Postnikov V.V. Identification of crystal-crystal transition in cellulose using pyroelectric currents. // Ferroelectrics. 1994. — V. 153. -P. 341-346.

239. Матвеев H.H., Постников В.В., Саушкин В.В., Мордвинов В.В. Термополяризационные свойства древесины березы. // Пласт, массы. — 1995.-№1.-С. 19-20.

240. Matveev N.N., Klinskikh A.F., Postnikov V.V., Kordenko O.I. Polarization crystal-crystal structural transition in cellulose. // Ferroelectrics. 1996. -V.185.-P. 189-192.

241. Matveev N.N., Postnikov V.V. Anomalies of thermal properties at crystal-crystal transition in cellulose. // Abs. VI Intern, conf on Electroceramics and their Appl. Montreux. - 1998. - P. 42.

242. Матвеев H.H., Постников В.В. Кристаллизация полимеров в неоднородном температурном поле. // Вестник ЦЧР отделения наук о лесе АЕН. Воронеж: ВГЛТА. 1999. - Вып. 2. - С. 192-194.

243. Матвеев Н.Н., Постников В.В., Саушкин В.В. Поляризационные эффекты в кристаллизующихся полимерах. Воронеж: ВГЛТА. 2000. - 170 с.

244. Зельдович Я.Б., Бучаченко А.Л., Франкевич Е.Л. Магнито-спиновые эффекты в химии и молекулярной физике. // Успехи Физ. Наук. 1988. -Т. 155.-№1.-С. 3-45.

245. Steiner U.E., Ulrich Т. Magnetic field effects in chemical kinetics and related phenomena. //Chem.Rev. 1989. - V. 89. - P. 51-147.

246. McLauchlan K.A., Steiner U.E. The spin-correlated pair as a reaction intermediate. // Molecular Phys. 1991. - V. 73. - №2. - P. 241-263.

247. Никитин E.E., Смирнов Б.М. Медленные атомные столкновения. М.: Энергоатомиздат. - 1990. - 255 с.

248. Мирошниченко В.Ф., Семенюк Н.И. Термодинамические основы процесса влияния электромагнитных полей на расплав полимеров // Пласт, массы. 1970. - №10. - С. 35-36.

249. Матвеев Н.Н., Постников В.В., Левин М.Н. Изменение кинетики фазовых переходов в полиоксиэтилене после обработки импульсным магнитным полем. // Электрическая изоляция — 2002. Труды III Международн. научно-техн. конф. СПб: СПбГТУ 2002. - С. 88-92.

250. Левин М.Н., Постников В.В., Матвеев Н.Н. Магнито-кристаллизационный эффект в полиморфных полимерах. // Тонкие пленки и слоистые структуры. Материалы Международной научно-техн. конф. Москва: МИРЭА-2002.-С. 11-15.

251. Постников В.В., Каданцев А.В., Колесникова Е.Д., Матвеев Н.Н., Левин М.Н. Воздействие импульсного магнитного поля на процесс кристаллизации полиэтиленоксидов. // Вестник ВГТУ, сер. «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ. - 2002. - Вып 1.11. - С. 36-39.

252. Левин М.Н., Постников В.В., Матвеев Н.Н. Магнито-кристаллизационный эффект в гибкоцепныхных полимерах. // Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах. Матер. Всеросс. конф. Воронеж: ВГУ. 2002. - С. 550-551.

253. Левин М.Н., Постников В.В., Матвеев Н.Н. Влияние импульсной магнитной обработки на кристаллизацию и плавление полиэтилен-оксида. // Журнал Физ. Химии. 2003. - Т.77. - №4. - С. 758-761.

254. Левин М.Н., Прасолов Б.Н., Постников В.В., Татаринцев А.В., Дронов М.А. Влияние импульсных магнитных полей на кристаллизацию полимеров. // Материалы IX Международной НТК «Радиолокация, навигация, связь». Воронеж: ВГУ, 2003. Том 2. С. 1216-1223.

255. Колесникова Е.Д., Постников В.В., Левин М.Н. Влияние слабых магнитных полей на кристаллизацию гибкоцепных полимеров. // Материалы Международной НТК «Молодые ученые 2003» М: МИРЭА, 2003. С. 127-130.

256. Постников В.В., Левин М.Н. Модификация диамагнитных материалов слабыми магнитными полями. // Кибернетика и технологии XXI века. Материалы V Междунар. НТК. Воронеж: ВГУ. 2004. - С. 436-447.

257. Левин М.Н., Постников В.В., Вережников В.Н., Матвеев Н.Н., Колесникова Е.Д. Предкристаллизационная обработка гибкоцепных полимеров импульсными магнитными полями. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2004. Т. 6. - № 1. - С. 75-80.

258. Песчанская Н.Н., Якушев П.Н., Егоров В.М., Берштейн В.A., Bokobza L. Скачкообразная деформация и морфология полимеров. // Физика твердого тела. 2002. - Т.44. - №9. - С. 1609-1613.

259. Песчанская Н.Н., Смолянский А.С., Рылов А.В. Деформация полиметилметакрилата после воздействия радиации и магнитного поля. // Физика твердого тела. 2002. - Т. 44. - № 9. - С. 1711-1714.

260. Левин М.Н., Постников В.В., Колесникова Е.Д. Селективный эффект предкристаллизационной обработки гибкоцепных полимеров постоянным магн. полем. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. - Вып. 3. -С. 20-23.

261. Дорфман Я.Г. Диамагнетизм и химическая связь. М: Химия. - 1961. -231 с.

262. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М: Наука. - Физматлит. - 1995. - 304 с.

263. Гинзбург В.JI. Теория сегнетоэлектрических явлений. // Успехи Физ. Наук. 1949. - Т. 38. - №4. - С.490-525.

264. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А., Крайник Н.Н., Пасынков Р.Е., Шур М.С. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. — Л: Наука.- 1971.-476 с.

265. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. — М: Мир. -1965.-555 с.

266. Смоленский Г.А., Крайник Н.Н. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. М: Наука. - 1968.- 184 с.

267. Сонин А.С., Струков Б.А. Введение в сегнетоэлектричество. М: Высшая школа. — 1970. - 271 с.

268. Постников В.В., Левин М.Н., Палагин М.Ю. Изменение сегнетоэлектрических свойств кристаллов триглицинсульфата после воздействия слабых импульсных магнитных полей. // Вестник ВГТУ, сер. «Материаловедение». Воронеж: ВГТУ. - 2002. - Вып 1.11. - С. 30-35.

269. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю., Косцов A.M. Воздействие слабых импульсных магнитных полей на кристаллы триглицинсульфата. // Физика твердого тела. 2003. - Т. 45, №3. - С. 513-517.

270. Прасолов Б.Н., Сафонова И.А. Диэлектрическая релаксация в кристаллах ТГС, обусловленная динамикой доменных границ. // Известия РАН (сер. физическая). 1993. - Т. 57. - №3. - С. 126-128.

271. Прасолов Б.Н., Сафонова И.А. Эффекты взаимодействия доменных границ с подвижными точечными дефектами в кристаллах ТГС. // Известия РАН (сер. физическая). 1995. - Т. 59. - №9. - С. 69-72.

272. Golovin Yu.I., Morgunov R.B. Mechanochemical reactions between defects of crystalline structure and the effect of magnetic fields on there reactions kinetics. // Chem. Rev. — Gordon and Breach Publishing Group. — 1998. — V. 23.-Part2.-P. 23-58.

273. Levin M.N., Postnikov V. V., Palagin M.Yu. Effect of weak magnetic fields on triglicine sulfate crystals. // Book of Abstr. the 7th Russia/Cis/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity. St.Petersburg. - 2002. - P. 173.

274. Levin M.N., Postnikov V.V., Palagin M.Yu. Selective effect of weak magnetic fields on triglicine sulfate crystals. // Ferroelectrics. 2003. -V.285.-P. 173-178.

275. Левин M.H., Постников B.B., Палагин М.Ю., Косцов A.M. Влияние слабых магнитных полей на реальную структуру и физические свойства кристаллов триглицинсульфата. // Известия РАН (сер. физическая). -2003. Т. 67. - Вып. 8. - С. 1076-1078.

276. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю. Селективное воздействие слабого постоянного магнитного поля на кристаллы триглицинсульфата. // Физика твердого тела. 2003. - Т. 45. - №9. - С. 1680-1684.

277. Цедрик М.С. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата. — Минск: Наука и техника. 1986. - 215 с.

278. Flerov V., Molotskii М. Resonant excitation of processes in a solid by a microwave magnetic field // Ceramic Trans. 2000. — V. III. - P. 57-63.

279. Косцов A.M. Абсорбционные спектры кристалла триглицинсульфата в коротковолновом диапазоне // Известия РАН (сер. физическая). 2000. -Т. 64.-№9.-С. 1712-1713/

280. Новик В.К., Овчинникова Г.И., Пирогов Ю.А., Солошенко А.Н. Подавление микроволновым излучением диэлектрической аномалии при фазовом переходе в триглицинсульфате. // Известия РАН (сер. физическая). 2000. - Т. 64. - №12. - С. 2452-2456.

281. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю. Селективное воздействие слабого магн. поля на сегнетоэлектрические кристаллы с водородными связями.// Письма в ЖТФ. 2003. - Т. 29. - Вып. 12. - С. 62-67.

282. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю. Селективное воздействие слабого магнитного поля на сегнетоэлектрические кристаллы дигидрофосфата калия. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2004.-Т. 6. -№2.-С. 151-157.

283. Шувалов Л.А., Урусовская А.А., Желудев И.С. и др. Современная кристаллография. Т. 4. М.: Наука. - 1981. - 495 с.

284. Шнайдштейн И.В., Струков Б.А., Грабовский С.В., Павловская Т.В., Карман Л. Влияние органического красителя на сегнетоэлектрический фазовый переход в кристалле КН2РО4 (KDP). // Физика твердого тела. -2001. Т 43. - Вып. 12. - С. 2179-2182.

285. Шриффер Дж. Теория сверхпроводимости. М: Наука. 1970. - 312 с.

286. Гинзбург В.Л., Киржниц Д.А. Проблема высокотемпературной сверхпроводимости. М: Наука. - 1977. - 400 с.

287. Testardi L.R. Sputtered films. // IEEE Trans. Magn. 1975. - V. 11. -№2. -P. 197-200.

288. Testardi L.R. Structural instability, anharmonicity and hightemperature superconductivity in A-15 structure compounds. // Phys. Rev. — 1972. -V. B5. №12. - P. 4342-4358.

289. Testardi L.R. Superconductivity and structural instability. // Comm. Soc. Stat. Phys. 1975. -V. 6. - P. 131-137.

290. Testardi L.R., Hauser J., Read M. H. Enhanced superconducting Tc and structural transformation in Mo-Re alloys. // Soc. Stat. Comm. 1971. -V. 9. - № 6. - P 1829-1831.

291. Postnikov V.S., Postnikov V.V., Zheleznyi V.S. Superconductivity Mo-Re system alloy films produced by electron beam evaporation in high vacuum. // Phys. Stat. Sol. (a). 1977. - V. 39. - P. K21-K23.

292. Gavaler J.R. Superconductivity in Nb-Ge films above 22K. // Appl. Phys. Lett. 1973. - V. 23. - P. 480-482.

293. Testardi L. R., Wernik J. H., Royer W. A. Superconductivity with onsetabove 23 К in Nb-Ge sputtered films. // Sol. Stat. Comm. 1974. -V. 15.-P. 1-4.

294. Верещагин Л.Ф., Савицкий E.M., Евдокимова B.B., Новокшенов В.И., Петренко В.Г. Влияние высоких давлений и температур на сверхпроводящие свойства соединения Nb3Ge со структурой типа А15. // Письма в ЖЭТФ 1976. - Т. 24. - №4. - С. 218-219.

295. Labbe J., Barisis S., Friedel J. Strong-coupling superdonductivity in V3X type of compounds. // Phys. Rev. Lett. 1967. - V. 19. - №10. - P. 1039-42.

296. Glogston A.M., Jaccarino V. Susceptibilities and negative Knight shifts ofinter-metallic compounds. // Phys. Rev. 1961. - V. 121. - P. 1357-1362.

297. Weger M.J., Goldberg I.B. The electronic band structure of V3Ga and V3Si. //J. Phys. (c): Sol. Stat. Phys. 1971. - V 4, - P. 180-184.

298. Shirane G., Axe J.D. Acoustic-phonon instability and critical scattering in Nb3Sb. // Phys. Rev. Lett. 1971. - V. 27. - P. 1803-1806.

299. Klose W., Schuster H. Einfluss transversal akustischer Phon onen auf Sprungtem-peratur von beta-Wolframsupraleitern. // Z. Phys. 1971. -V. 241.-S. 348-353.

300. Gomersall I.R., Gyorffy B.L. Variation of Tc with electron-peratom ratio in superconducting transition metals and their alloys. // Phys. Rev. Lett. 1974. -V. 33.-P. 1286-1289.

301. Allen P.B., Dynes R.C. Superconductivity and phonon softening; II. Lead alloys. // Phys. Rev. 1975. - V B11. - P. 1895-1902.

302. Fradin F.W., Williamson S.J. Relationship between Tc and JV(0): An NMR study ofV3Ga!.xSx. // Phys. Rev. 1974. - V. B10. - №6. - P. 2803-2807.

303. Batterman B.W., Barrett C.S. Crystal structure of superconducting V3Si. // Phys. Rev. Lett. 1964. - V. 13. - P. 390-393.

304. Weger M. The electronic band structure of V3Si and V3Ge. // Rev. Mod. Phys.-1964.-V. 36.-P. 175-181.

305. Labbe J. Relation between superconductivity and lattice instability in the beta-W compounds. // Phys. Rev. 1968. - V. 172. - P. 451-457.

306. Cohen R.W., Gody C.D., Halloran J.J. Effect of Fermi level motion on normal-state properties of beta-tungsten superconductors. // Phys. Rev. Lett, 1967.-V. 19.-P. 840-842.

307. Горьков Л.П. К теории свойств сверхпроводников со структурой P-W. // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 1973. - Т. 65. - №4(10). - С. 1658-1676.

308. Изюмов Ю.А., Курмаев Э.З. Сверхпроводимость соединений на основе переходных элементов и связь с решеточной неустойчивостью. // Успехи физ. наук. 1976. - Т 118. - №1. - С. 53-100.

309. Weger М., Goldberg I.B. Some lattice and electronic properties of the beta-tungstens. // Sol. Stat. Phys. 1973. - V. 28. - P. 1-8.

310. Barak G., Weger M. A remark concerning the possibility of getting better superconductors. // Helv. Phys. Acta. 1976. - V. 48. - P 625-628.

311. Постников B.C., Постников B.B., Железный B.C. О повышении температуры сверхпроводящего перехода в пленочных образцах сплавов Nb-Ge, легированных кремнием. // ФизХОМ. 1977. - Т. 5. - С. 172-173.

312. Bednorz J.G., Miiller К.А. Possible high Тс superconductivity in the Ba-La-Cu-0 system. // Z. Phys. 1986. - V. B64. -№2. - P. 189-193.

313. Головашкин А.И. Высокотемпературные сверхпроводящие керамики (обзор экспериментальных данных). // Успехи физ. наук. 1987.1. Т. 152.-№4.-С. 553-574.

314. Гинзбург В.Л., Киржниц Д.А. Высокотемпературная сверхпроводимость (обзор теоретических представлений). // Успехи физ.наук. 1987. - Т. 152. - №4. - С. 575-582.

315. Максимов Е.Г. Проблема высокотемпературной сверхпроводимости. Современное состояние. // Успехи физ. наук. 2000. - Т. 170. - №10. -С. 1033-1061.

316. Белявский В.И., Капаев В.В., Копаев Ю.В. Кулоновское спаривание одноименно заряженных частиц с отрицательной эффективной массой в высокотемпературных сверхпроводниках. // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 2000. - Т. 118. - №4(10). - С. 941-958.

317. Белявский В.И., Копаев Ю.В. Существование сверхпроводящего конденсата и квазистационарных состояний дырочных пар. // Письма в ЖЭТФ. 2000. - Т. 72. - № 10. - С. 734-739.

318. Belyavsky V.I., Kopaev Yu.V. Hyperbolic pairing and stripes in high-temperature superconductors. // Phys. Lett. 2001. - V. A287. - P. 152-160.

319. Белявский В.И., Капаев B.B., Копаев Ю.В. Зеркальный нестинг: сверхпроводящее спаривание носителей с большим импульсом. // Письма в ЖЭТФ.-2002.-Т. 76. -№1.-С. 51-56.

320. Blackstead Н.А., Dow J.D. Role of Ba-site Pr in quenching superconductivity of У1.уРгуВа2СизОх and related materials. // Phys. Rev. B. 1995. - V. 51. - №7. - P. 11830-11837.

321. Plakida N.M. Lattice instability and strong electron-phonon coupling for high-Tc superconductivity. // Phys. Scr. 1989. - V. 29. - P. 77-81.

322. Bussman-Holder A. Importance of structural instability to high-temperature superconductivity. // Phys. Rev. Lett. 1991. - V. 6. - №4. - P. 512-515.

323. Zhang Q.M., Shao H.M., Huang Y.N, Shen H.M.,Wang Y.N. Internal frction and Lattice anomalies of single-phase Hg-1223. // Sol. Stat. Commun. -1997. V. 101. - №2. - P. 133-135.

324. Missori M., Bianoci A., Oyanagi H., Yamaguchi H. Evidence for local lattice instability at T*~1.4 Tc in Bi2212 by EXAFS. // Physica C. 1994. -V. 235-240.-P. 1245-1246.

325. Zhang M., Qiang C., Dakun S., Rong-fii J., Zheng-hao Q., Zheng Y., Scott J.F. Raman spectroscopic study of an apparent phase transition at 234 К in the high-Tc superconductor YBa2Cu3.xVxo7-v. // Sol. Stat. Commun. 1988. -V. 65.-№6.-P. 487-490.

326. Li A., Zheng S., Huang H., Li D., Du H., Din H., Sun H., Zhu S. Temperature dependence of positron annihilation parameters in high Tc superconductor YBa2Cu3Ox. // Chinese Phys. Lett. 1989. - V. 6. - №12. - P. 549-552.

327. Sun L., Wang Y., Shen H., Cheng X. Effect of structural instability between 80 and 300 К on superconductivity of YBa2Cu3Ox. // Phys. Rev. B. 1988. -V. 38. - №7. - P. 5114-5117.

328. Bhattacharya S., Higgins M.J., Johnston D.C., Jacobson A.J., Stokes J.P., Goshorn D.P., Lewandowski J.T. Elastic anomalies and phase transition in high-Tc superconductors. // Phys. Rev. Lett. 1988. - V. 60. - №12. - P. 1181-1184.

329. Wang Y., Wu J., Shen H., Zhu J., Chen X., Yan Y., Zhao Z. Ultrasonic study of structural instability of monocrystalline and polycrystalline Bi-Sr-Ca-Cu-O. // Phys. Rev. B. 1990. - V. 41. - №12. - P. 8981-8985.

330. Lagreid Т., Fossheim K., Tratteberg O., Sandvold E., Julsrud S. High resolution specific heat measurements in the ceramic superconductor YBa2Cu307.5: anomalies near 90 К and 220 K. // Physica C. 1988. - V. 153-155.-P. 1026-1027.

331. Calemczuk R., Bonjour E., Henry J.Y., Ferro L., Ayacho C., Jurgens M.J.M.,Ш

332. Rossat-Mignod J., Barbara В., Burlet P., Couach M., Khoder A.F., Salce B. Evidence of a first order phase transition in YBa2Cu3069 at 230 K. // Physica C. 1988. - V. 153-155. - P. 960-961.

333. Nohara M., Suzuki Т., Maeno Y., Fujita Т., Tanaka I., Kojima H. Unconvencional lattice stiffening in superconducting La2.xSrxCu04 single crystals. // Phys. Rev. B. 1995. - V. 52. - №1. - P. 570-580.

334. Аларио-Франко M.A. Модели упорядочения кислородных вакансий в YBa2Cu307.s, основанные на результатах дифракции электронов. // Сверхпроводимость: Физика. Химия. Технол. 1990. - Т. 3. - №8.1. С. 1697-1698.

335. Farreth W.E., Bordia R.K., Carron Е.М. Influence of oxygen stoichiometry on the structure and superconducting transition temperature of YBa2Cu3075. // Sol. Stat. Commun. 1988. - V. 66. - №9. - P. 953-959.

336. Cava R.J. Batlogg B. Sunshine S. A. Studies of oxygen-deficient YBa2Cu307.5 and superconducting Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-0. // Physica C. 1988. -V. 153-155.-P. 560-565.

337. Verweii H. Phase behavior of YBaoCu307.6 at 1 atm (X // Sol. Stat. Commun. 1988. - V. 67. - №2. - P. 109-112.

338. Shi D. Phase transformations in YBa2Cu307.5. // Phys. Rev. B. 1989. - V. 39. - №7. - P. 4299-4305.

339. Werder D.J., Chen C.H., Cava R.S. Oxygen vacancy ordering and microstructure in annealed YBa2Cu307.s superconductors. // Phys. Rev. B. — 1988. V. 38. - №7. - P. 5130-5133.

340. Pfeiffer H. On oxygen ordering in the high-temperature superconductor Y-Ba-Cu-O. // Phys. Stat. Sol. (a). 1988. - V. 106. - P. K161-K164.

341. Kubo I., Ichihashi Т., Manako T. Orthorombic (II) superstructure phase in oxygen-deficient YBa2Cu307o prepared by quenching. // Phys. Rev. B. -1988. V. 37. - №13. - P. 7858-7860.

342. Fleming R.M., Schneemeyer L.F., Gallagher P.K. X-ray scattering study of finite-range order in YBa2Cu306.7. // Phys. Rev. B. 1988. - V. 37. - №13. -P. 7920-7923.

343. Левин М.Н., Постников В.В., Дронов М.А. Воздействие импульсных магнитных полей на ВТСП керамику УВа2Сиз07.к // Письма в ЖТФ. — 2003.-Т. 29.-Вып. 11.-С. 7-13.

344. Levin M.N., Postnikov V.V., Dronov М.А. The Effect of Pulsed Magnetic Fields on YBa2Cu307.K Ceramics. // Book of Abstr. the 4th Intern Semin. on Ferroelast. Phys. Voronezh: VGTU. 2003. P. 39-40.

345. Дронов М.А., Постников В.В., Левин М.Н. Влияние импульсных магнитных полей на ВТСП керамику YBCO. // Материалы Международной НТК «Молодые ученые — 2003» Москва: МИРЭА, 2003.- С. 203-206.

346. Гриднев С.А., Иванов О.Н., Лучанинов А.Г. Механическая нелинейность высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu307. // Известия АН СССР (сер. физич.). 1989. - Т. 53. - №7. - С. 1349-1352.

347. Буздин А.И., Мощалков В.В. Физические свойства высокотемпературных сверхпроводников. Справочник. Том 1. М.: Базис. 1990. - 328 с.

348. Высокотемпературная сверхпроводимость: фундаментальные и прикладные исследования. Сб. статей под ред. Киселева А.А. Вып. 1. - Д.: Машиностроение. — 1990. - 686 с.

349. Плакида Н.М. Высокотемпературные сверхпроводники. М.: Междун. прогр. образования. - 1996. - 288 с.

350. Dagotto Е. Correlated electrons in high-temperature superconductors. // Rev. Mod. Phys. 1994. - V. 66. - №3. - P. 763-840.

351. Timusk Т., Statt B. The pseudogap in high-temperature superconductors: an experimental survey. // Rep. Prog. Phys. 1999. - V.62. - P. 61-122.

352. Решение о выдаче патента РФ № 3044370 от 7.09.1993. Способ обработки импульсным магнитным полем и устройство для его реализации / М.Н.Левин, С.Г. Кадменский, Е.А. Лукина,

353. B.М. Масловский, И.С. Суровцев.

354. Левин М.Н., Постников В.В., Каданцев А.В., Колесникова Е.Д Автоматизированный комплекс контроля релаксационных процессов в полимерных материалах. // Материалы Междун. НТК «Молодые ученые 2002». М.: МИРЭА. - 2002. - С. 234-237.