Фазовые превращения в узкозонных полупроводниках-сегнетоэлектриках Sn1-xGexTe тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

. ч 0 а а ■

КАЗАНСКИМ ОРДЕНА ЛЕНИНА И ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени В. И. УЛЬЯНОВА-ЛЕНИНА

На правах рукописи

добряков Игорь Анатольевич

удк 548.5.01:537. 226.4

фазовые превращения в узкозонных полупроводниках-

сегнетоэлектриках 5«. Те .

/■"Л X

01. 04. 07 - физика твердого тепа

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

казань - 1990

Работа выполнена на кафедре физики твердого тела Казанского ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени государственного университета имени В.И.Ульянова-Ленина.

Научный руководитель: Заслуженный деятель науки РС$СР,

доктор физико-математических наук профессор Ш.Ш. Башкиров

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук

профессор A.B. Митин

кандидат физико-математических наук, научный сотрудник В.В. Леке!

Ведущая организация: Институт кристаллографии АН СССР / г. Москва /

«а

Защита состоится "¡¡А "___1990 г. в 44 час.

на заседании Специализированного Совета Д 053.29.02 при Казанской государственном университете имени В.И.Ульянова-Ленина.

С диссертацией можно ознакомиться в Научной библиотека Казанского государственного университета.

Автореферат разослан " " 7Л990 г.

Ученый секретарь Специализированного Совета

д.ф.-м.н., доцент о М.А. Еремин

М-—'

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Соединения типа и твердые рас-

творы на их основе - важные и перспективные полупроводниковые -материалы для различных областей науки и техники. Наиболее значительная область их применения - изготовление лазеров и детекторов излучения для длинноволновой области спектра /3-30 мкм/, причем они являются основными материалами для изготовления лазеров на р-п - переходах и двойных гетероструктурах, которые используются в быстродействующих спектрометрах высокого разрешения для контроля состава атмосферы, в молекулярной спектроскопии, в системах дальней космической связи и т.д. Важное достоинство источников и приемников излучения на основе соединений группы А-^В^* - возможность перестраивания их спектральных характеристик изменением состава, температуры, давления и магнитного поля, что обусловлено зависимостью ширины запрещенной зоны от указанных параметров.

Другая крупная область применения халькогенидов олова, германия и свинца - термоэлектрические устройства, работающие в широком интервале температур. В настоящее время созданы и разрабатываются термогенераторы,использующие солнечное тепло, радиоактивное излучение, тепло ядерных реакторов и газовых горелок. Мощность таких термогенераторов может быть доведена до десятков и сотен киловатт, а коэффициент полезного действия приближается к 10-15°/«.

Большая практическая значимость данного класса соединений вызвала значительный интерес к изучению их физических свойств. Характерной особенностью соединений

является существование у многих из них, в том числе ¿>нбеДе. , сегнетоэлек-трической неустойчивости. Электронная природа сегнетоэлектри-ческого фазового перехода предполагает его существенное влияние на электропроводность, ширину запрещенной зоны, концентрацию носителей заряда и т.д., что вызывает необходимость исследования структурной неустойчивости этих соединений для обеспечения оптимальных режимов работы полупроводниковых приборов, созданных на их основе.

Эффект Мессбауэра, в силу своей высокой чувствительности к малейшим изменениям кристаллической решетки, яв^яе.тся удобным методом исследования структурных фазовых переходов. Прос-

тая структура изучаемых в настоящей работе.узкозонных полупро-водников-сегнетоэлектриков ¿'п^бе^Те значительно упрощает интерпретацию экспериментальных данных. Необходимо также отметить то, что резонансные ядра входят в решетку кал естественная компонента, е то время, как в подавляющем большинстве сегнетоэлектриков мессбауэровские исследования проводятся на примесных атомах.

Помимо сведений об электрических и магнитных полях, создаваемых окружением резонансных ядер, мессбауэровская спектроскопия позволяет получать информацию об изменении фононной подсистемы кристалла при сегнетоэлектрическом фазовом переходе. В целом, подобные исследования помогают лучше понять причины и механизмы протекания структурных фазовых переходов в реальных кристаллах.

Целью настоящей работы являлось изучение фазовых переходов в узкозонных полупроводнинах-сегнетоэлектринах Яъ^СеТе. для выяснения их влияния на кристаллическую структуру, сверхтонкие взаимодействия ядер 5н. и фононный спектр кристаллов.

Научная новизна работы определяется следующими положениями: I/ впервые проведены систематические исследования полупроводниковых твердых растворов ,5-л^х£едТе методом мессбауэров-ско.й спектроскопии в широком диапазоне составов; 2/ показано существование в соединениях с небольшим содержанием германия /X < 0,15/, помимо сегнетоэлектрического фазового перехода, еще одного структурного фазового перехода при более высокой температуре; 3/ при "высокотемпературном" фазовом переходе в соединениях наблюдалось аномальное поведение изомерного сдвига и К'вадрупольного расщепления, а также температурный "гисте-. резис" этих мессбауэровских параметров; 4/ обнаружено изменение мессбауэровских спектров со временем при выдерживании образцов с небольшой концентрацией германия в определенной области температур, дана интерпретация этого явления; 5/ показано, что вероятность эффекта Мессбауэра в исследованных соединениях при сегнетоэлектрическом фазовом переходе ведет, себя аномально.

Научная и практическая значимость. Обнаружение нескольких структурных фазовых переходов в узкозонных полупроводниках-• сегнетоэлектриках 5*-^х(»ех7е может помочь объяснить наличие

ряда аномалий в темпёратурных зависимостях электропроводности, концентрации носителей заряда, термо э.д.с., ширины запрещенной зоны и т.д. в полупроводниках типа А Ег и их твердых растворах. Учет существования нескольких фазовых переходов необходим для выбора оптимальных режимов работы полупроводниковых приборов /ИК-лазеров и детекторов, термогенераторов и т.д./, создаваемых на основе данных соединений. Множественность фазовых переходов'следует-учитывать и.при сравнении теоретических расчетов развиваемой в настоящее время-микроскопической теории сегнетоэлектрических фазовых переходов с экспериментальными данными, так как полупроводники типа А Е1 и, в частности,твердые растворы являются модельными соединениями для их

проверки. . • ■

Аномальное поведение температурной зависимости вероятности эффекта Мессбауэра указывает на существенное изменение фононно-го спектра исследованных кристаллов в области сегнетоэлектри-ческого фазового перехода.

Особый интерес представляет наблюдавшееся изменение мес-сбауэровских спектров при длительном термо.с'татировании образцов в определенной области температур, свидетельствующее о существовании метастабильйых состояний атомов ¿>п. в изучаемых соединениях.

Положения, выносимые на защиту.:

I/ определение параметров кристаллической решетки полупроводниковых твердых растворов ¡¿п^бе^Ге методом рентгеновской дифрактометрии и результаты исследования зависимостей параметров мессбауэровских спектров от степени замещения;

2/ экспериментальное доказательство существования "высокотемпературного" структурного фазового перехода и его физическая интерпретация;

3/ экспериментальное подтверждение влияния "смягчения" сегнетоактивной моды колебаний на вероятность эффекта Мессбауэра в соединениях . и теоретическое описаний аномальной температурной зависимости вероятности эффекта в рамках выбранного приближения;

4/ экспериментальные результаты и физическая интерпретация изменения мессбауэровских спектров исследованных образцов со временем.

Апробация работы. Материалы диссертации докладывались на II Совещании по ядерно-спектроскопическим исследованиям сверхтонких взаимодействий /Грозный, 1987/, Совещании по прикладной мессбауэровской спектроскопии /Москва, 1988/, Совещании по применению мессбауэровской спектроскопии в материаловедении /Ижевск, 1989/, XII Европейском совещании по кристаллографии /Москва, 1989/, Всесоюзной конференции по прикладной мессбауэровской спектроскопии /Казань, 1990/, итоговых научных конференциях КГУ /1982-1989 годы/.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 14 печатных работ.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы. Содеркание работы изложено на 124 страницах машинописного текста, включая 26 рисунков и I таблицу. Список литературы включает 123 наименования .

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении дается обоснование выбора темы, определены основные задачи работы, изложена научная новизна работы и краткое-ее содержание.

В первой главе излагаются основы микроскопической теории сегнето.электричества, связывающей сегнетоэлектрические фазовые переходы с ыежзонным электрон-фононным взаимодействием. Сделан краткий обзор работ, посвященных мессбауэровским исследованиям сегнетоэлектрических фазовых переходов. Указывается на противоречивость получаемых данных, в особенности, относительно поведения вероятности эффекта Мессбауэра в области сегнетоэлектрк-ческого фазового перехода. Приводятся результаты исследований структурной неустойчивости узкозонных полупроводников-сегнето-электриков типа проведенных ранее.

Вторая глава посвящена структурным исследованиям полупроводниковых твердых растворов методом рентгеновской дифрактометрии, описывается технология приготовления образцов .

Параметры кристаллической решетки полупроводниковых твердых растворов определялись по рентгеновскому отражению (4 2 о) в соединениях,имеющих кубическую структуру /про-

- б -

странственная группа симметрии FmЗт/, а в соединениях, обладающих ромбоэдрической решеткой / Яъ-т/, - по рефлексам(4 2 0) и (4 2 О) . Для повышения точности определения структурных параметров рентгеновские отражения снимались методом сканирования по точкам.

С ростом содержания £е происходит линейное уменьшение периода решетки. Полученные результаты свидетельствуют об отсутствии упорядочения катионов олова и германия в полупроводниковых твердых растворах ¿е^Те . Соединения с небольшой степенью замещения обладают кубической решеткой, увеличение концентрации Ge / Х>0,32/ приводит к ромбоэдрическому искажению кристаллической решетки и сдвигу подрешетки из атомов олова /германия/ относительно подрешетки из атомов теллура в направлении [III]. Ромбоэдрический угол увеличивается с ростом степени замещения практически линейно.

Температура сегнетоэлектрического фазового перехода в твердых растворах ^^Те увеличивается от^ЮОК для ¿пТе до ^670К для СеТг . В настоящей работе изучались сегнетоэлек-трические переходы в соединениях с небольшим содержанием германия /X é 0,3/. Рентгеноструктурные исследования проводились в диапазоне температур I00-297K. Помимо сегнетоэлектрического фазового перехода у полупроводников-сегнетоэлектриков ^п ^е^Те / X < О,15/ обнаружен еще один структурный переход при более высокой температуре. В точке фазового перехода наблюдался излом на температурной зависимости периода кристаллической решетки и уменьшение интегральной интенсивности брэгговских рефлексов, что характерно для структурных фазовых переходов. Решетка, в целом, остается кубической, т.е. не наблюдается появления новых рентгеновских отражений или уширения рефлексов, соответствующих кубической фазе.

В третьей главе рассматриваются результаты исследований соединений Sn^Ge^Te методом мессбауэровской спектроскопии на резонансных ядрах $-п

С ростом степени замещения происходит уширение спектральной линии, связанное с появлением в мессбауэровском спектре образцов / У > 0,32/ квадрупольного расщепления. Квадрупольное расщепление в спектрах соединений двухвалентного олова вызвано, главным образом, градиентом электрического поля на ядрах

из-за несимметричного распределения заряда .валентных 5р-элек-тронов. В полупроводниках ¿п^Се^Те , имеющих кубическую кристаллическую решетку / X £ 0,32/, резонансные ядра £<п. 119 находятся в октаэдрическом окружении анионов Те. и связаны с ними тремя 5р-орбиталями. Симметричному электронному окружению соответствует мессбауэровский спектр, представляющий собой узкую одиночную лоренцевскую линию / Г= 0,73мм/с/. Увеличение содержания Се приводит к ромбоэдрическому искажению решетки и относительному сдвигу катионной и анионной подрешеток, изменяющему ближайшее окружение атомов $п Три атома Те располагаются ближе к атому ^-п ,чем три других атома Те , т.е. распределение электронной плотности валентных 5р-электронов становится несимметричным, вызывая появление градиента электрического поля на ядрах . С ростом степени замещения происходит уширение линии мессбауэровского спектра, представляющего собой неразрешенный нвадрупольный дублет.

Изомерный сдвиг / ¿> I также зависит от состава. Небольшое уменьшение изомерного сдвига с увеличением содержания бе в соединениях, обладающих кубической решеткой, связано с уменьшением длин связей и увеличением экранирования валентными 5р-электронами $ -электронной плотности на резонансных ядрах. Искажение решетки при Х>0,32 приводит к появлению излома на графике зависимости изомерного сдвига от состава. Такое поведение £ объясняется поляризацией $ -электронного облака из-за несимметричного распределения заряда валентных 5р-элек-■ тронов, увеличивающейся с ростом степени замещения в связи с увеличением смещения атомов из центра октаэдра. Другой причиной уменьшения изомерного сдвига при искажении решетки является появление в ковалентной связи примеси $ -орбиталей, т.е. $ р^-гибридизация под воздействием эффекта кристаллического поля, которая приводит к уменьшению электронной плотности на ядрах • Последним фактором, по-видимому, объясняется и наблюдавшееся увеличение вероятности эффекта Мессбауэра с увеличением.ромбоэдрического искажения решетки. В соединениях обладающих кубической решеткой,вероятность эффекта практически не зависит от степени замещения. Гибридизация $ - и р-орбита-лей приводит к усилению ковалентных связей и, как следствие, увеличению вероятности эффекта.

Низкотемпературные мессбауэровские исследования соединений с небольшим содержанием бе 0,15/, как и данные рентгеновских исследований, показали существование, помимо сегнетоэлектрического перехода, фазового перехода при более высокой температуре Ниже точки фазового перехода мессбауэровский спектр представляет собой неразрешенный квад-рупольный дублет. Кроме того, при переходе наблюдалось увеличение изомерного сдвига на ~ 0,05мм/с. В широкой области температур выше Т| обнаружен температурный "гистерезис" величины изомерного сдвига и квадрупольного расщепления. Температурная зависимость вероятности эффекта Мессбауэра ниже точки фазового перехода отклоняется от зависимости рассчитанной в дебаевском приближении,, что свидетельствует об изменении фононного спектра кристаллов при "высокотемпературном" переходе. Экспериментальная зависимость при более высоких температурах хорошо опи- . сывается дебаевским приближением.

Противоречивые сведения о поведении вероятности эффекта Мессбауэра в области сегнетоэлектрического перехода вызвали, необходимость проведения тщательных исследований соединений вблизи Тс. Использовались образцы с небольшим содержанием Се /х* 0,3/, у которых температура сегнетоэлектрического перехода лежит в области 80-297К. Во всех исследованных соединениях наблюдалось уменьшение вероятности эффекта, однако, полученные для различных образцов одного состава аномальные температурные зависимости отличаются. Исследования соединений с различной концентрацией носителей заряда /дырок/ показали наличие более глубокого минимума на температурной зависимости вероятности эффекта Мессбауэра образцов с меньшей концентрацией дырок. Это объясняется, по-видимому, тем, что в образцах с большой концентрацией носителей заряда наблюдается размытый фазовый переход из-за флюктуации состава. Соединения .

имеют невысокую собственную-проводимость, а высокая концентрация дырок объясняется существенным отклонением состава образцов при синтезе от стехиометрического.

Таким образом, результаты исследований температурной зависимости вероятности эффекта Мессбауэра свидетельствуют.об изменении фононного спектра кристаллов в области сегнетоэлектрического фазового перехода. Такое изменение связано со смяг-

чением сегнетоактивной поперечной оптической моды колебаний, оказывающем заметное влияние на величину вероятности эффекта Мессбауэра, являющейся интегральной характеристикой фононно-го спектра. Рассчитанная в данной работе температурная зависимость вероятности эффекта хорошо согласуется с экспериментальными данными.

В четвертой главе обсуждается изменение мессбауэровских спектров, наблюдавшееся при термостатировании образцов с небольшой концентрацией Се //¿.0,15/ в области температур, лежащей выше "высокотемпературного" структурного перехода.

При проведении низкотемпературных мессбауэровских исследований полупроводников-сегнетоэлектриков ¿п^ £ехТе с небольшим содержанием Се в разных сериях измерений, для одних и тех же образцов получены отличающиеся друг от друга температурные зависимости ширины спектральной линии и изомерного сдвига. Для выяснения причины расхождения результатов были измерены мессбауэровские спектры соединений при длительном их термостатировании в том температурном диапазоне, где мессбауэровские исследования привели к различным результатам. На получение одного спектра хорошего качества требовалось, приблизительно, 2,5- 3 часа. Высокая величина эффекта Мессбауэра при низких температурах и простая форма спектров позволяла проследить эволюцию мессбауэровских спектров со временем. Мессбауэровский спектр, полученный сразу после охлаждения образца, представлял собой уширенную линию. Ширина спектральной линии увеличивалась на - 0,2мм/с, а изомерный сдвиг увеличивался на 0,05-0,07мм/с. Подобные изменения спектров происходили при охлавдении образца от температур больших ^220К. Следующий спектр представлял собой уширенную линию с заметной асимметрией, причем более крутой склон соответствовал меньшим скоростям. Мессбауэровский спектр, полученный через 8-9 часов термостатирования образца, соответствовал по, своим параметрам спёктру, характерному для более высоких температур, т.е. со временем происходило сужение линии и уменьшение изомерного сдвига на 0,05-0,07мм/с. Амплитуда спектральной линии увеличивалась на 15-17 % . Измерение величины поглощения при заданной скорости, выполненное на спектрометре, работающем в режиме постоянной скорости, свидетельствует о том, что изме-

нения в спектрах начинаются не сразу, а через 3,5-4 часа термос татирования.

Еще более необычным оказалось поведение мессбауэровских спектров соединений /х^ 0,15/ вблизи "высокотемпе-

ратурного" фазового перехода. При охлавдении образцов до температур, лежащих в области от Т^ до Т|+25К, наблюдалась узкая линия мессбауэровского спектра с шириной, совпадающей с Г спектра, характерного для температур больших 220К,и смещенная на «0,1мм/с в сторону больших скоростей. В течение, приблизительно, 20-24 часов происходило сначало уширение мессбауэровского спектра, а затем - сужение. Промежуточные спектры были асимметричные. После длительного термостатирования образца восстанавливался спектр характерный для более высоких температур.

Предполагается, что при охлаждении образцов ¿>л^£ехТе до температур, лежащих в области "неустойчивости" мессбауэровского спектра, реализуется метастабильная фаза, в которой атомы олова смещены из положения равновесия и располагаются хаотически-по восьми эквивалентным позициям на пространственных диагоналях кубической решетки. Со временем, происходит релаксация атомов в равновесное положение, а наблюдаемые промежуточные асимметричные спектры представляют собой результат наложения двух спектральных линий. Одна из них представляет собой узкую одиночную линию лоренцевской формы и соответствует атомам в центре октаэдра из атомов Те , а другая является квадрупольным дублетом, и связана с неравновесными атомами $<п. , расположенными на пространственных диагоналях кубической кристаллической решетки. Узкая "неравновесная" линия мессбауэровского спектра, наблюдаемая при охлаждении исследуемых образцов до температур близких к Тр объясняется,в данной работе,динамическим сужением спектра, вызванным туннелировани-ем атомов олова между эквивалентными неравновесными позициями. Подобное явление известно для многих сегнетоэлектриков и приводит к появлению центрального пика в спектрах нейтронного рассеяния вблизи структурного фазового перехода. Скорость релаксации дефектов вблизи фазового перехода, приводящей к появлению центрального пика, оценивается величиной ~10 с-^, что сравнимо со временем жизни возбужденного состояния ядер $п. "Восстановление" мессбауэровского спектра связанб с'закреплением атомов в равновесных позициях.

В соединениях /SV^¿е/Те /х>0,2/, у которых температура сегнетоэлентрического фазового перехода превышает 220К, изменения мессбауэровских спектров со временем не наблюдалось. Заметим, что это явление не связано с замещением атомов олова атомами германия, поскольку "неустойчивость" мессбауэровских спектров обнаружена и в £к Те .

Температура структурного фазового перехода /TV/ увеличивается от I5QK для ЦпТе. до I75K для • Появление квадрупольного расщепления в мессбауэровских спектрах полу-проводников-сегнетоэлектриков ¿п^Се^Те / У< 0,15/ ниже Tj свидетельствует о смещении атомов ßn из центра октаэдра, образованного атомами Те , причем кристаллическая решетка, согласно данным рентгеноструктурных исследований, остается кубической.- Предполагается, что "высокотемпературный" структурный переход является фазовым переходом в разупорядоченную фазу, в которой атомы хаотически распределяются по эквивалентным позициям, расположенным на пространственных диагоналях кубической решетки.

Таким образом, физическая природа сегнетоэлектрического фазового перехода в соединениях ¿¡к^бе^Те с небольшим содержанием германия и в $пТе более сложная, чем считалось ранее, т.е. он не является "чистым" переходом типа смещения, и ему должны быть присущи черты, характерные для сегнетоэлектрических переходов типа порядок-беспорядок. Ниже Тс, помимо ромбоэдрического искажения кристаллической решетки и увеличения смещения атомов $tt. , происходит упорядочение электрических диполей вдоль направления [III].

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОШ

1. Проведены рентгенографические исследования узкозонных тюлупроводников-сегнетоэлектриков ße^Te. при комнатной температуре. Показано, что период кристаллической решетки линейно уменьшается при замещении атомов олова на атомы германия. Кристаллическая структура соединений с небольшим содержанием германия /% i 0,32/ - кубическая, рост степени замещения приводит к ромбоэдрическому искажению решетки, причем с увеличением X ромбоэдрический угол уменьшается.

2. Впервые проведены систематические мессбауэровские иссле' дования полупроводниковых твердых растворов на ЯД~

pax ¿n. Показана зависимость изомерного сдвига, квадру-польного расщепления и вероятности эффекта Мессбауэра от степени замещения.

3. Методом мессбауэровской спектроскопии и рентгеновской дифрактометрии изучены структурные фазовые переходы в полу-проводниках-сегнетоэлектриках $п/_хбе/.Те • Помимо сегнетоэлектрического перехода, в соединениях с небольшим содержанием германия /х< 0,15/ обнаружен еще один структурный переход при более высокой температуре. Сделано предположение, что в . результате этого фазового перехода реализуется разупорядочен-ная фаза, в которой атомы рп /бе / смещены и хаотически распределены по эквивалентным позициям, расположенным на пространственных диагоналях кубической решетки.

4. В мессбауэровских спектрах при "высокотемпературном" фазовом переходе наблюдалось появление квадрупольного расщепления и увеличение изомерного сдвига. На графиках температурных зависимостей этих величин наблюдался "гистерезис".

5. В широком интервале температур вше "высокотемпературного" фазового перехода в ¿Sх (Je/Ге /х ^ 0,15/ наблюдалось изменение мессбауэровских спектров со временем, свидетельствующее о существовании метастабильных состояний атомов $ц в кристаллической решетке.

6. Показано аномальное уменьшение вероятности эффекта Мессбауэра в области сегнетоэлектрического фазового перехода • в полупроводниках-сегнетоэлектриках 5-п, ¿е„7е

IV л

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1. Башкиров Ш.Ш., Добряков И.А., Либерман A.B., Царев-ский С.С. Мессбауэровские и рентгеновские исследования высокотемпературного фазового перехода в Кристаллография, 1985, т.30, №5, с. I0I6-I0I7..

2. Добряков И.А. Релаксация формы линии мессбауэровского спектра со временем вблизи фазового перехода в $ц.Те Изв. вузов СССР, сер. Физика, PI, 1986, с. I08-II0.

3. Добряков И.А. Аномальное поведение вероятности эффекта Мессбауэра в $п0%&е0£Ге. вблизи фазового перехода.- Тезисы 1У Всесоюзного совещания "Спектроскопия координационныхь соединений", Краснодар, 1986, с. 213.

4. Добряков И.А. Ядерные гамма-резонансные исследования

фазовых переходов в полупроводниках-сегнетоэлекгриках

1хСе^Гг Тезисы XI Всесоюзной конференции по физике сегнетоэлектриков, Черновцы, 1986, т.1, с. 278.

5. Добряков И.А. Фазовые переходы в узкозонном полупро-воднике-сегнётоэлектрике $нТе .- Тезисы II Совещания по ядерно-спектроскопическим исследованиям сверхтонких взаимодействий, Грозный, 1987, с. 149.

6. Добряков И.А. ЯГР-спектроскопия полупроводниковых твердых растворов ¡ун^бе^Те Тезисы Совещания по прикладной мессбауэровской спектроскопии, Москва, 1988, с. 155.

7. Добряков И.А. Мессбауэровские исследования фазовых переходов в полупроводниках-сегнетоэлектриках ^к^йе^Те " .Кристаллография, т.33, №5, 1988, с. 1297-1298.

8. Добряков И.А. Мессбауэровская спектроскопия фазового перехода в Изв. вузов СССР, сер. Физика, №1, 1989, с. 103-164. '

9. Башкиров Ш.Ш., Добряков И.А. Метастабильные состояния в узкозонных полупроводниках 5-n^ ¿tf Те .- Тезисы Совещания по применению мессбауэровской спектроскопии в материаловедении, Ижевск, 1989, с. 99.

10. Bashkirоv Sh.Sh., Dobryakov I.A. The crystal structure and hyperfine interactions in the narrow-gap semiconductors

- Sn-j. xGexTe Abstr. VII Intern. Conf. on Hyperfine Inter-

actions, Prague, 1989, v.BI, p. 115.

11. Dobryakov I.A. X-ray study of phase transitions in narrow-gap SrLj. xGexTe semiconductors with low Ge content.-Abstr. XII European Crystallographic Meeting, Moscow, 1989, v.I, p. 182.

12. Bashkirov Sh.Sh., Dobryakov I.A. The time dependent change of the Mossbauer spectrum above the phase transition in Snj. xGexTe.- Abstr. Intern. Conf. on Application of the Mossbauer effect, Budapest, 1989, p. 5>5b.

13. Башкиров Ш.Ш., Добряков И.А. Кристаллическая структура и параметры мессбауэровских спектров полупроводниковых твердых растворов ¡э-n^ ¿е^ Те .- Кристаллография, т.34, Р5, 1989, с. I3I3-I3I4. *Х

14. Добряков И.А. Сегнетоэлектрические фазовые переходы в узкозонных полупроводниках ¿¡п^йе^Те .- Тезисы Всесоюзной кон£ "Прикладная мессбауэровская спектроскопия", Казань, 1990, с.117